JPH1167618A - Housing device - Google Patents
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- JPH1167618A JPH1167618A JP9220541A JP22054197A JPH1167618A JP H1167618 A JPH1167618 A JP H1167618A JP 9220541 A JP9220541 A JP 9220541A JP 22054197 A JP22054197 A JP 22054197A JP H1167618 A JPH1167618 A JP H1167618A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置な
どの装置を、空気雰囲気中に配されている状態に収容す
る収容装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an accommodation apparatus for accommodating an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus in a state where it is arranged in an air atmosphere.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体露光装置などの装置を空気
雰囲気中に配されている状態に収容する収容装置が種々
提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various accommodating apparatuses for accommodating an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus in an air atmosphere have been proposed.
【０００３】このような収容装置にあっては、半導体露
光装置などの装置をそれが汚染を受けないような空気雰
囲気中に配す必要がある。そのため、従来、上述した、
半導体露光装置などの装置を空気雰囲気中に配されてい
る状態に収容する収容装置において、上記の半導体露
光装置などの装置の外表面に接触して流れる空気流を生
成させる空気流生成手段が設けられているとともに、
その空気流生成手段によって生成される空気流を浄化さ
せる通気性空気流浄化手段が、上記の空気流中に介挿さ
れる状態になり得るように且つ当該通気性空気流浄化手
段によって浄化された空気流が上記の半導体露光装置な
どの装置の外表面に接触して流れ得るように、設けら
れ、そして、その通気性空気流浄化手段が、活性炭を用
いて構成され且つ上記の空気流中に介挿される状態にな
り得るように配されている通気性活性炭フィルタを有す
る、という収容装置の実施の形態が提案されている。In such an accommodating apparatus, it is necessary to arrange an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus in an air atmosphere such that the apparatus is not contaminated. Therefore, conventionally, as described above,
In an accommodation device for accommodating a device such as a semiconductor exposure device in a state where the device is arranged in an air atmosphere, an air flow generating means for generating an air flow flowing in contact with an outer surface of the device such as the semiconductor exposure device is provided. Has been
The air purified so that the air flow purification means for purifying the air flow generated by the air flow generation means can be inserted into the air flow. The air flow is provided such that it can flow in contact with the outer surface of an apparatus such as the semiconductor exposure apparatus described above, and the permeable air flow purification means is formed using activated carbon and is interposed in the air stream. An embodiment of the containment device has been proposed which has a breathable activated carbon filter arranged so that it can be inserted.
【０００４】このような従来の収容装置の実施の形態に
よれば、空気流生成手段によって空気流を生成すること
ができ、また、そのように生成される空気流を通気性空
気流浄化手段の通気性活性炭フィルタを通って半導体露
光装置などの装置に向わせることができる。このため、
空気流生成手段によって生成されて半導体露光装置など
の装置に向う空気流を、通気性空気流浄化手段の通気性
活性炭フィルタによって浄化された空気流にすることが
できる。According to such an embodiment of the conventional storage device, an air flow can be generated by the air flow generation means, and the air flow generated as described above can be generated by the air flow purification means. It can be directed to an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus through a gas-permeable activated carbon filter. For this reason,
The airflow generated by the airflow generation means and directed to an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus can be converted into an airflow purified by the gas-permeable activated carbon filter of the gas-permeable airflow purification means.
【０００５】よって、半導体露光装置などの装置を、通
気性空気流浄化手段の通気性活性炭フィルタによって浄
化された空気雰囲気中に配した状態にさせることができ
る。Accordingly, an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus can be placed in an air atmosphere purified by a permeable activated carbon filter of a permeable air flow purifying means.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の収容装置の実施の形態の場合、通気性空気流浄
化手段の通気性活性炭フィルタが活性炭を用いて構成さ
れていることから、空気流生成手段によって生成されて
半導体露光装置等の装置に向う空気流に、通気性空気流
浄化手段の通気性活性炭フィルタによって浄化された空
気流にする前において、有機物ガス、硫化物ガス、ＮＯ
2 などの窒素酸化物ガス、アンモニアガスなどが不本意
に混入されている場合、通気性空気流浄化手段の通気性
活性炭フィルタによって浄化された空気流を、それら有
機物ガス、硫化物ガス、ＮＯ2 などの窒素酸化物ガス、
アンモニアガスなどが十分除去されている空気流とし
て、得ることができない。However, in the above-described embodiment of the conventional storage device, since the air-permeable activated carbon filter of the air-permeable air flow purifying means is made of activated carbon, the air flow generation device is not used. Before the air flow generated by the means and directed to an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus is converted into the air flow purified by the gas permeable activated carbon filter of the gas permeable air flow purifying means, organic gas, sulfide gas, NO
When nitrogen oxide gas, ammonia gas, etc., such as 2, are undesirably mixed, the air stream purified by the gas permeable activated carbon filter of the gas permeable air flow purifying means is separated from the organic gas, sulfide gas, NO 2 Nitrogen oxide gas, such as
It cannot be obtained as an air stream from which ammonia gas or the like has been sufficiently removed.
【０００７】このため、半導体露光装置などの装置が、
通気性空気流浄化手段の通気性活性炭フィルタによって
浄化された空気雰囲気に配されているとしても、その空
気雰囲気中に、それら有機物ガス、硫化物ガス、ＮＯ2
などの窒素酸化物ガス、アンモニアガスなどが不本意に
混入されているので、半導体露光装置などの装置に、そ
の外表面に有機物、硫化物、窒素酸化物、アンモニアな
どを付着させているなどというような汚染を受けさせ、
それによって、半導体露光装置などの装置の機能を劣化
させる、というおそれを有していた。Therefore, an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus is
Even if the organic gas, the sulfide gas, and the NO 2 gas are contained in the air atmosphere purified by the air-permeable activated carbon filter of the gas-permeable air flow purifying means.
Such as nitrogen oxide gas, ammonia gas, etc. are unintentionally mixed, so that organic substances, sulfides, nitrogen oxides, ammonia, etc. are attached to the outer surface of the equipment such as semiconductor exposure equipment. Pollution
As a result, there is a fear that the function of an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus is deteriorated.
【０００８】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な収容装置を提案せんとするものである。[0008] Thus, the present invention is free from the disadvantages mentioned above,
It is intended to propose a new storage device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明による収容装置
は、上述した従来の収容装置の場合と同様の、半導体露
光装置などの装置を空気雰囲気中に配されている状態に
収容する収容装置において、上述した従来の収容装置の
形態の場合と同様に、上記の半導体露光装置などの装
置の外表面に接触して流れる空気流を生成させる空気流
生成手段が設けられているとともに、その空気流生成
手段によって生成される空気流を浄化させる通気性空気
流浄化手段が、上記の空気流中に介挿される状態になり
得るように且つ当該通気性空気流浄化手段によって浄化
された空気流が上記の半導体露光装置などの装置の外表
面に接触して流れ得るように、設けられている、という
構成を有する。According to the present invention, there is provided an accommodating apparatus for accommodating a device such as a semiconductor exposure apparatus in a state arranged in an air atmosphere, similar to the above-described conventional accommodating apparatus. As in the case of the above-described conventional housing apparatus, air flow generating means for generating an air flow which flows in contact with the outer surface of an apparatus such as the semiconductor exposure apparatus is provided, and The air flow purified by the breathable air flow purifying means is such that the air flow purifying means for purifying the air flow generated by the generating means can be inserted into the air flow. Is provided so that it can flow in contact with the outer surface of an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus.
【００１０】しかしながら、本発明による収容装置は、
このような構成を有する収容装置において、その通気性
空気流浄化手段が、光触媒を用いて構成され且つ上記
の空気流中に介挿される状態になり得るように配されて
いる通気性光触媒フィルタと、その通気性光触媒フィ
ルタを構成するのに用いている光触媒を励起し得る照明
光を出射し得るようになされているとともに、その照明
光で上記の通気性光触媒フィルタを照明させ得るように
且つ上記の空気流の流れを全く阻止することのないよう
に配されている照明手段とを有する。However, the storage device according to the present invention
In the housing device having such a configuration, the air permeable air flow purifying means is configured using a photocatalyst, and is disposed so as to be able to be inserted into the air flow. The illumination light capable of exciting the photocatalyst used to constitute the gas permeable photocatalyst filter is configured to be emitted, and the light illuminates the gas permeable photocatalyst filter with the illumination light. Lighting means arranged so as not to obstruct the flow of the air flow at all.
【００１１】この場合、通気性空気流浄化手段が有する
通気性光触媒フィルタを構成するのに用いている光触媒
が、ＴｉＯ2 、Ｃｒ−ＴｉＯ2 、ＳｒＴｉＯ3 、ＢａＴ
ｉＯ3 、Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ19などのチタン酸化物乃至チタン
酸化物を含む合金乃至化合物、Ｔａ2 Ｏ5 などのタンタ
ル酸化物、ＺｒＯ2 などのジルコニウム酸化物、ＺｎＳ
などの亜鉛硫化物、ＣｄＳなどのカドミウム硫化物など
でなるのを可とし、とくに、チタン酸化物またはチタン
酸化物合金乃至化合物でなるのを可とする。In this case, the photocatalyst used to constitute the gas permeable photocatalyst filter of the gas permeable air flow purifying means is made of TiO 2 , Cr—TiO 2 , SrTiO 3 , BaT
titanium oxide such as iO 3 , K 2 Ti 6 O 19 or alloy or compound containing titanium oxide; tantalum oxide such as Ta 2 O 5 ; zirconium oxide such as ZrO 2 ; ZnS
And cadmium sulfide such as CdS, and more particularly, titanium oxide or a titanium oxide alloy or compound.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】次に、図１を伴って本発明による
収容装置の実施の形態を述べよう。図１は、それ自体公
知の半導体露光装置１を、基盤２、側壁３、天壁４によ
って取り囲まれている空気室内に、基盤２に取り付けて
配している状態に収容する、という収容装置、従って、
半導体露光装置１を空気雰囲気中に配されている状態に
収容する収容装置を示している。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a storage device according to the present invention. FIG. 1 shows an accommodating apparatus for accommodating a semiconductor exposure apparatus 1 known per se in an air chamber surrounded by a base 2, a side wall 3, and a top wall 4 in a state where the semiconductor exposure apparatus 1 is mounted on the base 2. Therefore,
1 shows a housing device for housing a semiconductor exposure apparatus 1 in a state where it is arranged in an air atmosphere.
【００１３】図１に示す本発明による収容装置は、この
ような、半導体露光装置１を空気雰囲気中に配されてい
る状態に収容するという収容装置において、半導体露光
装置１の外表面に接触して流れる空気流を生成させる空
気流生成手段が設けられている。The accommodating apparatus according to the present invention shown in FIG. 1 is such an accommodating apparatus that accommodates the semiconductor exposure apparatus 1 in a state arranged in an air atmosphere. Airflow generating means for generating an airflow flowing through the airflow is provided.
【００１４】この空気流生成手段は、上述した空気室内
に半導体露光装置１の上方位置において側壁３に連接す
るように横方向に延長している隔壁６と、その隔壁６か
ら天壁４に連接するように上方に延長している縦隔壁７
と、横隔壁６から下方に基盤２との間に空気流循環口９
を残すように基盤２に向って延長し且つ半導体露光装置
１の部１ａを気密に貫通させている縦隔壁１０と、側壁
３と天壁４と隔壁６及び７とによって画成された２つの
室１１及び１２と、基盤２と側壁３と隔壁６及び１０と
によって室１１及び１２下にそれぞれ画成された２つの
室１３及び１４と、隔壁６に室１１及び１３が連通する
ように設けられた空気流循環口１５と、隔壁６に室１２
及び１４が連通するように設けられた空気流循環口１６
と、室１１内に隔壁６に取付けて配され且つ送風口部を
隔壁７に気密に貫通させている送風機１７と、側壁３に
外部及び室１１が連通するように設けられた空気口１８
とを含み、室１１内に空気口１８を通じて外部から空気
を導入するようになされた状態、空気口１８を介して外
部から室１１内に及び／または室１１内から外部に空気
が流れるようになされた状態、空気口１８を閉塞してい
る状態などの状態で、半導体露光装置１の外表面に接触
して流れる空気流が、室１１、その室１１内の送風機１
７、室１２、空気循環口１６、室１４、空気循環口９、
室１３、空気循環口１５、室１１をそれらの順に順次通
って循環する空気流で得られるように構成されている。The air flow generating means includes a partition 6 extending in the lateral direction so as to be connected to the side wall 3 at a position above the semiconductor exposure apparatus 1 in the above-described air chamber, and connected to the top wall 4 from the partition 6. Vertical bulkhead 7 extending upward to
And an air flow circulation port 9 between the horizontal bulkhead 6 and the base 2 below.
And two vertical walls 10 extending toward the base 2 and leaving the portion 1a of the semiconductor exposure apparatus 1 airtight so as to leave the side walls 3, the top wall 4, and the walls 6 and 7. Two chambers 13 and 14 defined below the chambers 11 and 12 by the chambers 11 and 12, the base 2, the side walls 3, and the partitions 6 and 10, respectively, and the chambers 11 and 13 are provided to communicate with the partition 6. The air circulation opening 15 and the partition 6
Air circulation port 16 provided so that
A blower 17 attached to the partition wall 6 in the chamber 11 and having a blower port hermetically penetrating the partition wall 7, and an air port 18 provided so that the outside and the chamber 11 communicate with the side wall 3.
A state in which air is introduced from the outside into the chamber 11 through the air port 18 such that air flows from the outside into the chamber 11 and / or from the inside of the chamber 11 to the outside through the air port 18. In a state where the air flow is performed, a state where the air port 18 is closed, or the like, the airflow flowing in contact with the outer surface of the semiconductor exposure apparatus 1 is applied to the chamber 11 and the blower 1 in the chamber 11.
7, chamber 12, air circulation port 16, chamber 14, air circulation port 9,
It is configured so that an air flow circulating through the chamber 13, the air circulation port 15, and the chamber 11 in that order can be obtained.
【００１５】また、空気流生成手段によって生成される
空気流を浄化させる通気性空気流浄化手段２０が、空気
流生成手段によって生成される空気流に介挿される状態
になり得るように且つ当該通気性空気流浄化手段２０に
よって浄化される空気流が半導体露光装置１の外表面に
接触して流れ得るように、設けられている。[0015] Further, the ventilation air flow purifying means 20 for purifying the air flow generated by the air flow generation means can be inserted into the air flow generated by the air flow generation means, and the ventilation can be performed. The air flow purified by the permeable air flow purifying means 20 is provided so as to be able to contact the outer surface of the semiconductor exposure apparatus 1 and flow.
【００１６】この通気性空気流浄化手段２０は、光触
媒を用いて構成され且つ空気流生成手段によって生成さ
れる空気流中に介挿された状態になり得るように、隔壁
６に室１２及び１４を連通するように設けられた空気循
環口１６を室１２側から覆ってまたは塞いで配されてい
る通気性光触媒フィルタ２１と、その通気性光触媒フ
ィルタ２１を構成するのに用いている光触媒を励起し得
る照明光２３を出射し得るようになされているととも
に、その照明光２３で通気性光触媒フィルタ２１を照明
させ得るように且つ空気流生成手段によって生成される
空気流の流れを阻止することのないように、室１２内の
例えば通気性光触媒フィルタ２１の上方位置に配されて
いる照明手段２２とを有する。この場合、通気性光触媒
フィルタ２１を構成するのに用いている光触媒として、
ニ酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を用いる。The air permeable air flow purifying means 20 is formed by using a photocatalyst and is provided in the partition wall 6 with the chambers 12 and 14 so as to be interposed in the air flow generated by the air flow generating means. The air circulating port 16 provided so as to communicate with the air circulating port 16 is covered or closed from the chamber 12 side, and the photocatalyst used to constitute the permeable photocatalytic filter 21 is excited. And the illumination light 23 can illuminate the air-permeable photocatalytic filter 21 and prevent the flow of the airflow generated by the airflow generation means. For example, an illumination means 22 is provided in the chamber 12 at a position above the air-permeable photocatalytic filter 21, for example. In this case, as the photocatalyst used to configure the gas permeable photocatalyst filter 21,
Titanium dioxide (TiO 2 ) is used.
【００１７】また、これに応じて、照明手段２２とし
て、照明光２３が通気性光触媒フィルタ２１を構成する
のに用いている光触媒としての酸化チタン（ＴｉＯ2 ）
の約３．２ｅＶのエネルギバンドギャップよりも大きな
エネルギを有する波長域の紫外線で得られる、という照
明手段を用いる。In response to this, titanium oxide (TiO 2 ) is used as the illuminating means 22 as the photocatalyst used by the illuminating light 23 to form the gas permeable photocatalytic filter 21.
Illumination means is used that can be obtained with ultraviolet light in a wavelength range having an energy larger than the energy band gap of about 3.2 eV.
【００１８】以上で、本発明による収容装置の実施の形
態が明らかとなった。このような本発明による収容装置
の実施の形態によれば、空気流生成手段によって空気流
を生成することができ、また、そのように生成される空
気流を通気性空気流浄化手段２０の通気性光触媒フィル
タ２１を通って半導体露光装置１に向わせることができ
る。The embodiment of the storage device according to the present invention has been described above. According to such an embodiment of the storage device according to the present invention, the air flow can be generated by the air flow generating means, and the air flow thus generated can be supplied to the ventilating air flow purifying means 20. It can be directed to the semiconductor exposure apparatus 1 through the neutral photocatalytic filter 21.
【００１９】また、通気性空気流浄化手段２０の通気性
光触媒フィルタ２１を照明手段２２によって、その照明
光２３で照明させることができる。さらに、そのことか
ら、通気性空気流浄化手段２０の通気性光触媒フィルタ
２１を構成するのに用いている光触媒を励起させること
ができる。Further, the permeable photocatalytic filter 21 of the permeable air flow purifying means 20 can be illuminated by the illuminating means 22 with the illuminating light 23. Further, from this, the photocatalyst used to constitute the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable air flow purifying means 20 can be excited.
【００２０】以上のことから、空気流生成手段によって
生成されて半導体露光装置１に向う空気流を、通気性空
気流浄化手段２０の通気性光触媒フィルタ２１によって
浄化された空気流にすることができる。As described above, the air flow generated by the air flow generation means and directed to the semiconductor exposure apparatus 1 can be converted into the air flow purified by the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable air flow purification means 20. .
【００２１】そして、この場合、通気性空気流浄化手段
２０の通気性光触媒フィルタ２１が光触媒を用いて構成
され、それが照明手段２２からの照明光２３の照射を受
けていることによって励起されているので、空気流生成
手段によって生成されて半導体露光装置１に向う空気流
に、通気性空気流浄化手段２０の通気性光触媒フィルタ
２１によって浄化された空気流にする前において、有機
ガス、硫化物ガス、ＮＯ2 ガスなどの窒素酸化物ガス、
アンモニアガスなどが不本意に混入されていても、それ
らを、触媒反応によって、窒素ガス、ニ酸化炭素ガス
（炭酸ガス）、水素ガスなどに分解させる。In this case, the air permeable photocatalyst filter 21 of the air permeable air flow purifying means 20 is constituted by using a photocatalyst, which is excited by receiving the illumination light 23 from the illumination means 22. Therefore, before the airflow generated by the airflow generation means and directed to the semiconductor exposure apparatus 1 is changed to the airflow purified by the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable airflow purification means 20, the organic gas, sulfide, etc. Gas, nitrogen oxide gas such as NO 2 gas,
Even if ammonia gas or the like is undesirably mixed, it is decomposed into nitrogen gas, carbon dioxide gas (carbon dioxide gas), hydrogen gas, or the like by a catalytic reaction.
【００２２】このため、通気性空気流浄化手段２０の通
気性光触媒フィルタ２１によって浄化された空気流を、
それら有機物ガス、硫化物ガス、ＮＯ2 などの窒素酸化
物ガス、アンモニアガスなどが十分除去されている空気
流として、得ることができる。For this reason, the air flow purified by the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable air flow purifying means 20 is
An organic gas, a sulfide gas, a nitrogen oxide gas such as NO 2 , an ammonia gas, and the like can be obtained as an air stream from which the gas is sufficiently removed.
【００２３】従って、半導体露光装置１を、通気性空気
流浄化手段２０の通気性光触媒フィルタ２１によって浄
化された、有機物ガス、硫化物ガス、ＮＯ2 などの窒素
酸化物ガス、アンモニアガスなどをほとんど混入させて
いない空気雰囲気中に配した状態にさせることができ
る。Accordingly, the semiconductor exposure apparatus 1 is used to remove most of the organic gas, sulfide gas, nitrogen oxide gas such as NO 2 , ammonia gas, etc., which are purified by the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable air flow purifying means 20. It can be placed in an air atmosphere that is not mixed.
【００２４】このため、半導体露光装置１に、その外表
面に有機物、硫化物、窒素酸化物、アンモニアなどを付
着させているなどというような汚染をほとんど受けさせ
ないようにすることができる。すなわち、半導体露光装
置１の場合、その稼動に当り、有機物ガスを発生し易い
フォトレジスト膜などを用いたりするので、その半導体
露光装置１の空気雰囲気中に有機物ガス、硫化物ガス、
ＮＯ2 などの窒素酸化物ガス、アンモニアガスなどが無
視し得ない量混入されるおそれを有することなどから、
また、半導体露光装置１が用いる露光光によって、その
波長が半導体ウェハ上により微細なパターンを転写すべ
く短くなっていればいるほど、半導体露光装置１の空気
雰囲気中に混入されている有機物ガス、硫化物ガス、窒
素酸化物ガス、アンモニアガスなど、及び露光光で照射
されるレンズの表面などが、より高く活性化されること
などから、半導体露光装置１のレンズの表面などに、有
機物、硫化物、窒素酸化物、アンモニアなどを付着させ
ているなどという汚染を、半導体露光装置１に、比較的
大きく受けさせるおそれを有するが、本発明による収容
装置の実施の形態によれば、そのようなおそれをほとん
どなくすことができる。For this reason, it is possible to prevent the semiconductor exposure apparatus 1 from being substantially contaminated, such as an organic substance, a sulfide, a nitrogen oxide, or an ammonia adhered to the outer surface thereof. That is, in the case of the semiconductor exposure apparatus 1, since a photoresist film or the like which easily generates an organic substance gas is used in the operation thereof, an organic substance gas, a sulfide gas,
Since there is a risk that non-negligible amounts of nitrogen oxide gas such as NO 2 and ammonia gas are mixed,
Further, as the wavelength of the exposure light used by the semiconductor exposure apparatus 1 becomes shorter to transfer a finer pattern on the semiconductor wafer, the organic gas mixed into the air atmosphere of the semiconductor exposure apparatus 1 Since a sulfide gas, a nitrogen oxide gas, an ammonia gas, and the like, and the surface of the lens irradiated with exposure light are more highly activated, an organic substance, a sulfide gas, etc. There is a risk that the semiconductor exposure apparatus 1 may be relatively contaminated by substances, nitrogen oxides, ammonia, and the like, which are adhered thereto. The fear can be almost eliminated.
【００２５】なお、上述した本発明による収容装置の実
施の形態においては、通気性空気流浄化手段が有する通
気性光触媒フィルタ２１を構成するのに用いている光触
媒が、ＴｉＯ2 でなる場合について述べたが、その光触
媒を、ＴｉＯ2 以外の、Ｃｒ−ＴｉＯ2 、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ19などのチタン酸化
物乃至チタン酸化物を含む合金乃至化合物、Ｔａ2 Ｏ5
などのタンタル酸化物、ＺｒＯ2 などのジルコニウム酸
化物、ＺｎＳなどの亜鉛硫化物、ＣｄＳなどのカドミウ
ム硫化物などとし、また、照明手段２２を、これらのエ
ネルギバンドギャップに応じて、それらを励起し得るの
に十分なエネルギを有する波長域の照明光が得られるも
のとし、上述したと同様の作用・効果を得るようにする
ことができることは明らかであろう。In the above-described embodiment of the accommodating apparatus according to the present invention, a case is described in which the photocatalyst used for forming the gas permeable photocatalyst filter 21 of the gas permeable air flow purifying means is TiO 2. was, but the photocatalyst, other than TiO 2, Cr-TiO 2, SrTi
Titanium oxide such as O 3 , BaTiO 3 , K 2 Ti 6 O 19 or an alloy or compound containing titanium oxide; Ta 2 O 5
Tantalum oxide, zirconium oxide such as ZrO 2 , zinc sulfide such as ZnS, cadmium sulfide such as CdS, etc., and the illumination means 22 is excited according to their energy band gaps. Obviously, it is possible to obtain illumination light in a wavelength range having sufficient energy to obtain the same operation and effect as described above.
【００２６】また、上述した本発明による収容装置の実
施の形態においては、通気性空気流浄化手段２０を、室
１２内に、空気流循環口１６の位置において配した場合
について述べたが、室１４内に、空気流循環口１６の位
置において配したり、室１４または室１３内に、空気流
循環口９の位置において配したり、室１３または１１内
に、空気流循環口１５の位置において配したりして、上
述したと同様の作用・効果を得るようにすることもでき
ることも明らかであろう。In the above-described embodiment of the storage device according to the present invention, the case where the air-permeable air flow purifying means 20 is disposed in the chamber 12 at the position of the air flow circulation port 16 has been described. 14, at the position of the air circulation port 16, in the chamber 14 or 13, at the position of the air circulation port 9, or within the chamber 13 or 11, the position of the air circulation port 15 It will also be apparent that the same operation and effect as described above can be obtained by distributing the above.
【００２７】さらに、上述した本発明による収容装置の
実施の形態においては、空気流生成手段によって生成さ
れる空気流を、通気性空気流浄化手段２０を通って循環
させるようにした場合について述べたが、空気流循環口
１５を閉塞し、外部から室１１内に空気を導入させ、ま
た、室１３の上部から空気を導出させるようにし、そし
て、送風機１７を用いたり、外部で室１３の空気を引出
すようにしたりして、半導体露光装置１の外表面に接触
して流れる空気流を生成させる空気流生成手段を構成
し、上述したと同様の作用・効果を得るようにすること
もできることも明らかであろう。Further, in the above-described embodiment of the storage device according to the present invention, the case where the air flow generated by the air flow generation means is circulated through the air flow purification means 20 has been described. Closes the air circulation port 15 to allow air to be introduced into the chamber 11 from the outside, and to allow air to be led out from the upper part of the chamber 13, and to use the blower 17 or the air in the chamber 13 outside. Or an air flow generating means for generating an air flow that flows in contact with the outer surface of the semiconductor exposure apparatus 1 to obtain the same operation and effect as described above. It will be obvious.
【００２８】また、上述した本発明による収容装置の実
施の形態は、本発明を、半導体露光装置１を収容する収
容装置に適用した場合として述べたものであるが、半導
体露光装置１以外の各種の装置に本発明を適用し、上述
したと同様の作用・効果を得るようにすることもできる
ことも明らかであろう。In the above-described embodiment of the accommodating apparatus according to the present invention, the present invention has been described as a case where the present invention is applied to an accommodating apparatus for accommodating the semiconductor exposure apparatus 1. It will be apparent that the present invention can be applied to the above-mentioned device to obtain the same operation and effect as described above.
【００２９】その他、本発明の精神を脱することなしに
種々の変型、変更をなし得るであろう。In addition, various modifications and changes could be made without departing from the spirit of the present invention.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明による収容装置によれば、半導体
露光装置などの装置を、通気性空気流浄化手段の通気性
光触媒フィルタによって浄化された、有機物ガス、硫化
物ガス、ＮＯ2 などの窒素酸化物ガス、アンモニアガス
などというような望ましくないガスをほとんど混入させ
ていない空気雰囲気中に配した状態にさせることがで
き、よって、半導体露光装置などの装置に、その外表面
に有機物、硫化物、窒素酸化物、アンモニアなどを付着
させているなどというような汚染を受けさせないように
することができ、また、半導体露光装置などの装置の機
能を、半導体露光装置などの装置の外表面に有機物、硫
化物、窒素酸化物、アンモニアなどを付着させているな
どというような汚染によって劣化させる、というおそれ
を有効に回避することができる。According to the accommodating apparatus of the present invention, an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus can be used to remove nitrogen such as organic gas, sulfide gas, NO 2, etc. Oxide gas, ammonia gas, and other undesirable gases can be placed in an air atmosphere in which it is hardly mixed, so that an organic substance, sulfide, etc. It is possible to prevent contamination such as adhesion of nitrogen oxides, ammonia, etc., and to make the functions of the apparatus such as the semiconductor exposure apparatus , Sulfide, nitrogen oxide, ammonia, etc. Can.
【図１】本発明による収容装置の実施の形態を示す略線
的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a storage device according to the present invention.
１ 半導体露光装置 ２ 基盤 ３ 側壁 ４ 天壁 ６、７、１０ 隔壁 １１、１２、１３、１４ 室 ９、１５、１６ 空気流循環口 １７ 送風機 ２０ 通気性空気流浄化手段 ２１ 通気性光触媒フィルタ ２２ 照明手段 ２３ 照明光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor exposure apparatus 2 Base 3 Side wall 4 Top wall 6, 7, 10 Partition wall 11, 12, 13, 14 Room 9, 15, 16 Air flow circulation port 17 Blower 20 Breathable air flow purifying means 21 Breathable photocatalytic filter 22 Lighting Means 23 Illumination light
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 露嵜 晴夫 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Haruo Rosaki 3-19-2 Nishi Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation
Claims (2)
に配されている状態に収容する収容装置において、 上記装置の外表面に接触して流れる空気流を生成させる
空気流生成手段が設けられているとともに、上記空気流
生成手段によって生成される空気流を浄化させる通気性
空気流浄化手段が、上記空気流中に介挿される状態にな
り得るように且つ当該通気性空気流浄化手段によって浄
化された空気流が上記装置の外表面に接触して流れ得る
ように、設けられ、 上記通気性空気流浄化手段が、光触媒を用いて構成さ
れ且つ上記空気流中に介挿される状態になり得るように
配されている通気性光触媒フィルタと、その通気性光
触媒フィルタを構成するのに用いている光触媒を励起し
得る照明光を出射し得るようになされているとともに、
その照明光で上記通気性光触媒フィルタを照明させ得る
ように且つ上記空気流の流れを全く阻止することのない
ように配されている照明手段とを有することを特徴とす
る収容装置。1. An accommodating apparatus for accommodating an apparatus such as a semiconductor exposure apparatus in a state arranged in an air atmosphere, wherein an air flow generating means for generating an air flow flowing in contact with an outer surface of the apparatus is provided. And the air-permeable air flow purifying means for purifying the air flow generated by the air flow generating means can be inserted into the air flow and purified by the air-permeable air flow purifying means. The air flow purification means is provided so that the air flow can flow in contact with the outer surface of the device, and the air permeable air flow purification means can be configured using a photocatalyst and inserted into the air flow. A breathable photocatalyst filter arranged as described above, and is configured to emit illumination light capable of exciting the photocatalyst used to constitute the breathable photocatalyst filter,
Lighting means arranged to illuminate the air-permeable photocatalytic filter with the illuminating light and not to block the flow of the air flow at all.
タを構成している光触媒が、チタン酸化物またはチタン
酸化物を含む合金乃至化合物でなることを特徴とする収
容装置。2. A storage device according to claim 1, wherein the photocatalyst constituting the gas permeable photocatalyst filter of said gas permeable air flow purifying means is made of titanium oxide or an alloy or compound containing titanium oxide. An accommodation device characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220541A JPH1167618A (en) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | Housing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220541A JPH1167618A (en) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | Housing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167618A true JPH1167618A (en) | 1999-03-09 |
Family
ID=16752617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220541A Pending JPH1167618A (en) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | Housing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167618A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819396B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN106409670A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and maintenance method of substrate processing apparatus |
-
1997
- 1997-08-15 JP JP9220541A patent/JPH1167618A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819396B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN106409670A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and maintenance method of substrate processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |