KR101509858B1 - Heat treatment apparatus - Google Patents

Heat treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101509858B1
KR101509858B1 KR20120079183A KR20120079183A KR101509858B1 KR 101509858 B1 KR101509858 B1 KR 101509858B1 KR 20120079183 A KR20120079183 A KR 20120079183A KR 20120079183 A KR20120079183 A KR 20120079183A KR 101509858 B1 KR101509858 B1 KR 101509858B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lid
heat treatment
treatment furnace
particles
wafer
Prior art date
Application number
KR20120079183A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130011969A (en
Inventor
유우도 스가와라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20130011969A publication Critical patent/KR20130011969A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101509858B1 publication Critical patent/KR101509858B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

종형의 열처리로 내에 혼입하는 파티클을 저감하여, 기판(웨이퍼)으로의 파티클 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 웨이퍼 보트(3)를 종형의 열처리로(2) 내에, 당해 열처리로의 하방 측에 형성된 노구(20)로부터 반입하고, 열처리를 행하는 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 보트(3)가 상기 열처리로(2)의 하방 측에 위치하고 있을 때에, 상기 노구(20)를 막는 덮개(61)를 설치한다. 이 덮개(61)는 상기 노구(20)를 막는 위치와 개방하는 위치 사이에서 이동 가능하게 설치되어 있고, 덮개(61)가 상기 노구(20)를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때에, 당해 덮개(61)의 상면의 파티클을 클리닝 노즐(7)에 의해 흡인해서 제거한다. 이로 인해, 다음에 덮개(61)가 노구(20)를 막았을 때에, 열처리로(2) 내에 반입되는 파티클량을 저감할 수 있으므로, 웨이퍼로의 파티클 부착을 억제할 수 있다.And to provide a technique capable of suppressing the particles adhering to the substrate (wafer) by reducing the particles incorporated into the vertical-type heat treatment furnace. An apparatus for carrying a wafer boat (3) into a vertical heat treatment furnace (2) from a furnace (20) formed on the lower side of the heat treatment furnace and performing a heat treatment, characterized in that the wafer boat (3) The lid 61 covering the nog 20 is provided. The lid 61 is provided movably between a position for blocking the nog 20 and a position for releasing the nog 20 so that when the lid 61 is out of position to block the nog 20, Is removed by suction by the cleaning nozzle (7). This can reduce the amount of particles carried into the heat treatment furnace 2 when the lid 61 closes the nog 20 next time, so that the adhesion of particles to the wafer can be suppressed.

Description

열처리 장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}[0001] HEAT TREATMENT APPARATUS [0002]

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판을 기판 보유 지지구에 탑재해서 종형 열처리로에 반입하여, 소정의 열처리를 행하는 열처리 장치에 있어서, 기판으로의 파티클의 부착을 억제하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique for suppressing the adhesion of particles to a substrate in a heat treatment apparatus in which a substrate such as a semiconductor wafer is placed on a substrate holding support and carried into a vertical heat treatment furnace to perform a predetermined heat treatment .

반도체 제조 장치의 하나로서, 다수의 반도체 웨이퍼(이하「웨이퍼」라고함)에 대하여 일괄(뱃치)로 열처리를 행하는 종형 열처리 장치가 있다. 이 열처리 장치에서는, 웨이퍼를 선반 형상으로 보유 지지한 웨이퍼 보트를 열처리로 내에 로드하여, 다수 매의 웨이퍼에 대하여 동시에 열처리를 행한 후, 웨이퍼 보트를 열처리로로부터 언로드하는 것이 행해지고 있다.As one of the semiconductor manufacturing apparatuses, there is a vertical type heat treatment apparatus that performs heat treatment in a batch (batch) on a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as " wafers "). In this heat treatment apparatus, a wafer boat holding a wafer in a rack shape is loaded in a heat treatment furnace, heat treatment is simultaneously performed on a plurality of wafers, and then the wafer boat is unloaded from the heat treatment furnace.

상기 열처리로는 하방 측이 개방되어 있고, 웨이퍼 보트를 보트 엘리베이터에 의해 상승시킴으로써 웨이퍼 보트를 열처리로 내에 로드하도록 구성되어 있다. 이때, 열처리로의 개구부는, 보트 엘리베이터에 일체로 설치된 덮개에 의해 막아지도록 되어 있다. 또한, 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같이, 웨이퍼 보트를 언로드했을 때에는, 열처리로 내의 열의 방출을 억제하기 위해서, 상기 개구부는 상기 덮개와는 별개로 설치된 셔터부에 의해 막아지도록 구성되어 있다.The heat treatment furnace is opened on the lower side, and is configured to load the wafer boat into the heat treatment furnace by raising the wafer boat by the boat elevator. At this time, the opening of the heat treatment furnace is closed by a lid integrated with the boat elevator. Further, as disclosed in Patent Document 1, when the wafer boat is unloaded, the opening is structured to be blocked by a shutter portion provided separately from the cover in order to suppress the release of heat in the heat treatment furnace.

그런데, 열처리로 내에 미소한 진애(파티클)가 존재하면, 열처리로 내에서는 웨이퍼의 뱃치 처리가 행해지고 있기 때문에, 다수 매의 웨이퍼가 파티클에 의해 오염되게 되어, 제품의 수율을 현저하게 저하시켜 버린다. 이로 인해, 열처리로의 하방 측의 로딩 에어리어에 있어서는, 횡방향으로 흐르는 청정한 기류를 형성함으로써, 분위기의 청정도를 높이고 있다. 또한, 열처리로의 내부에 대해서는, 열처리로 내에 클리닝 가스를 공급해서 정기적으로 클리닝을 행하고 있다. 이 클리닝은, 열처리로에서 성막 처리를 행하면, 열처리로의 내벽에도 막이 퇴적되고, 이 막 두께가 커지면, 막이 벗겨져서 파티클의 원인이 되기 때문에, 열처리로 내에 퇴적된 막을 제거하기 위해서 행하는 것이다. 그러나, 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착량을 더욱 억제하고, 제품의 수율을 향상시키기 위해서, 열처리로 내의 파티클을 더한층 저감하는 것이 요구되고 있다.However, if minute dust particles (particles) are present in the heat treatment furnace, the wafer is subjected to the batch treatment in the heat treatment furnace, so that a large number of wafers are contaminated by the particles, and the yield of the product is remarkably lowered. Therefore, in the loading area on the lower side of the heat treatment furnace, a clean air flow flowing in the lateral direction is formed, thereby improving the cleanliness of the atmosphere. The inside of the heat treatment furnace is regularly cleaned by supplying a cleaning gas into the heat treatment furnace. This cleaning is performed in order to remove the film deposited in the heat treatment furnace because the film is deposited on the inner wall of the heat treatment furnace when the film forming process is performed in the heat treatment furnace and the film is peeled off to cause particles. However, in order to further suppress the amount of particles adhered to the wafer W and to improve the yield of products, it is required to further reduce the particles in the heat treatment furnace.

그런데, 특허 문헌 2에는, 화학적 기상 성장 장치에 있어서, 촉매체 홀더의 개구부를 셔터에 의해 폐쇄했을 때에, 반응실 내에 클리닝 가스를 도입해서 클리닝하는 기술이 기재되어 있다. 따라서 이 예의 클리닝은, 열처리로 내의 클리닝에 상당하고, 이 방법에 의해서도 본 발명의 과제를 해결하는 것은 곤란하다.Patent Document 2 discloses a technique for introducing a cleaning gas into a reaction chamber and cleaning the opening of the catalyst body holder when the opening of the catalyst body holder is closed by a shutter in the chemical vapor deposition apparatus. Therefore, the cleaning in this example corresponds to the cleaning in the heat treatment furnace, and it is also difficult to solve the problems of the present invention by this method.

일본 특허 출원 공개 제2003-297769호 공보(도 1)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-297769 (Fig. 1) 일본 특허 출원 공개 제2000-150498호 공보(단락 0028, 도 1)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-150498 (paragraph 0028, Fig. 1)

본 발명은, 이러한 사정 하에 이루어진 것이며, 그 목적은, 열처리로 내에 혼입하는 파티클을 저감하여, 기판으로의 파티클 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.The present invention has been accomplished under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of reducing particles adhering to a heat treatment furnace to suppress adhesion of particles to a substrate.

이를 위하여, 본 발명의 열처리 장치는, 복수의 기판이 선반 형상으로 보유 지지된 기판 보유 지지구를 종형의 열처리로 내에, 당해 열처리로의 하방 측에 형성된 개구부로부터 반입하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 장치에 있어서, 상기 열처리로의 하방 측에 위치하는 로딩실과, 이 로딩실 내에 설치되고, 열처리로 내와 열처리로의 하방 측 사이에서 상기 기판 보유 지지구를 승강시키는 보유 지지구 승강 기구와, 상기 기판 보유 지지구가 상기 열처리로의 하방 측에 위치하고 있을 때에, 상기 개구부를 막는 덮개와, 상기 덮개를, 상기 개구부를 막는 위치와, 상기 개구부를 개방하는 위치 사이에서 이동시키는 덮개 이동 기구와, 상기 로딩실 내에 설치되고, 상기 덮개가 상기 개구부를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때에, 당해 덮개의 상면의 파티클을 흡인해서 제거하는 파티클 제거 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.To this end, the heat treatment apparatus of the present invention is a heat treatment apparatus for carrying a substrate holding support, in which a plurality of substrates are held in the form of a shelf, from an opening formed in the lower side of the heat treatment furnace in a vertical heat treatment furnace, The apparatus comprising: a loading chamber located on a lower side of the heat treatment furnace; a holding and holding section elevating mechanism provided in the loading chamber for raising and lowering the substrate holding section between a heat treatment furnace and a lower side of the heat treatment furnace; A lid moving mechanism for moving the lid between a position for closing the opening and a position for opening the opening when the substrate holding support is located on the lower side of the heat treatment furnace; Wherein when the cover is out of the position where the opening is closed, A characterized in that it includes a mechanism for removing particles removed by suction.

본 발명에 따르면, 복수의 기판이 선반 형상으로 보유 지지된 기판 보유 지지구를 종형의 열처리로 내에, 당해 열처리로의 하방 측에 형성된 개구부로부터 반입하고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 장치에 있어서, 상기 기판 보유 지지구가 열처리로의 하방 측에 위치하고 있을 때에, 당해 열처리로의 개구부를 막는 덮개를 설치하고, 이 덮개가 상기 개구부를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때에, 당해 덮개의 상면의 파티클을 흡인해서 제거하고 있다. 이로 인해, 다음에 덮개가 상기 열처리로의 개구부를 막았을 때에, 당해 열처리로 내에 반입되는 파티클량을 저감할 수 있으므로, 기판으로의 파티클 부착을 억제할 수 있다.According to the present invention, there is provided an apparatus for carrying a substrate holding support, in which a plurality of substrates are held in a rack shape, from an opening formed in a vertical heat treatment furnace at a lower side of the heat treatment furnace, A cover for closing the opening of the heat treatment furnace is provided when the substrate holding support is located on the lower side of the heat treatment furnace and the particles on the upper face of the cover are removed when the cover is out of position to block the opening, . Therefore, when the lid next closes the opening of the heat treatment furnace, the amount of particles carried into the heat treatment furnace can be reduced, so that adhesion of particles to the substrate can be suppressed.

도 1은 본 발명에 관한 종형 열처리 장치의 일 실시 형태의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 상기 종형 열처리 장치를 측방측으로부터 본 종단면도.
도 3은 상기 종형 열처리 장치를 후방측으로 부터 본 종단면도.
도 4는 상기 종형 열처리 장치에 설치되는 열처리로, 웨이퍼 보트, 덮개 및 클리닝 노즐을 도시하는 개략 사시도.
도 5는 상기 클리닝 노즐을 도시하는 폭 방향의 단면도.
도 6은 상기 클리닝 노즐을 도시하는 개략 사시도.
도 7은 상기 클리닝 노즐을 도시하는 길이 방향의 종단면도.
도 8은 본 발명의 작용을 설명하기 위한 평면도.
도 9는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 측면도.
도 10은 본 발명의 작용을 설명하기 위한 측면도.
도 11은 본 발명의 작용을 설명하기 위한 측면도.
도 12는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 측면도.
도 13은 본 발명의 작용을 설명하기 위한 평면도.
도 14는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 평면도.
도 15는 본 발명의 종형 열처리 장치 외의 예를 도시하는 평면도.
도 16은 본 발명의 상기 외의 예를 도시하는 개략 사시도.
도 17은 본 발명의 상기 외의 예를 도시하는 측면도.
도 18은 본 발명의 클리닝 노즐 외의 예를 도시하는 평면도.
도 19는 본 발명의 클리닝 노즐의 또 다른 예를 도시하는 평면도.
도 20은 본 발명의 클리닝 노즐의 또 다른 예를 도시하는 폭 방향의 단면도.
도 21은 본 발명의 파티클 제거 기구 외의 예를 도시하는 사시도.
도 22는 본 발명의 덮개 개폐 기구 외의 예를 도시하는 사시도.
도 23은 파티클의 검증 실험의 결과를 도시하는 특성도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view showing an overall configuration of an embodiment of a vertical type heat treatment apparatus according to the present invention; Fig.
2 is a vertical cross-sectional view of the vertical heat treatment apparatus as seen from the side of the side.
3 is a longitudinal sectional view of the vertical heat treatment apparatus as seen from the rear side.
4 is a schematic perspective view showing a heat treatment furnace, a wafer boat, a lid, and a cleaning nozzle installed in the vertical type heat treatment apparatus.
5 is a cross-sectional view in the width direction showing the cleaning nozzle.
6 is a schematic perspective view showing the cleaning nozzle.
7 is a longitudinal sectional view of the cleaning nozzle in the longitudinal direction.
8 is a plan view for explaining the operation of the present invention.
9 is a side view for explaining the operation of the present invention.
10 is a side view for explaining the operation of the present invention.
11 is a side view for explaining the operation of the present invention.
12 is a side view for explaining the operation of the present invention.
13 is a plan view for explaining the operation of the present invention.
14 is a plan view for explaining the operation of the present invention.
15 is a plan view showing an example other than the vertical heat treatment apparatus of the present invention.
16 is a schematic perspective view showing another example of the present invention.
17 is a side view showing still another example of the present invention.
18 is a plan view showing an example other than the cleaning nozzle of the present invention.
19 is a plan view showing still another example of the cleaning nozzle of the present invention.
20 is a cross-sectional view in the width direction showing still another example of the cleaning nozzle of the present invention.
21 is a perspective view showing an example other than the particle removing mechanism of the present invention.
22 is a perspective view showing an example other than the cover opening / closing mechanism of the present invention.
23 is a characteristic diagram showing the result of a verification experiment of particles;

이하에 본 발명에 관한 종형 열처리 장치의 일 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은 상기 종형 열처리 장치의 내부를 나타내는 평면도이며, 이후, 도 1에 있어서, 지면 안측을 전방측, 지면의 앞측을 후방측, 도 1 중 X 방향을 좌우 방향, 도 1 중 Y 방향을 전후 방향으로 하여 설명을 계속한다. 도 2는 상기 종형 열처리 장치를 우방측으로부터 본 종단면도, 도 3은 후방측으로부터 본 종단면도이다. 도면 중 1은 장치의 외장체를 구성하는 하우징이며, 이 하우징(1) 내에는, 기판인 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(C)를 장치에 대하여 반입, 반출하기 위한 반입 반출 영역 S1과, 캐리어(C) 내의 웨이퍼를 반송해서 후술하는 열처리로 내로 반입하기 위한 로딩실인 로딩 에어리어 S2가 형성되어 있다. 반입 반출 영역 S1과 로딩 에어리어 S2는 격벽(11)에 의해 구획되어 있고, 반입 반출 영역 S1은 대기 분위기로 되고, 로딩 에어리어 S2는 예를 들어 청정 건조 기체 분위기(파티클 및 유기 성분이 적고, 이슬점 -60℃ 이하의 공기)로 되어 있다.Hereinafter, one embodiment of a vertical type heat treatment apparatus according to the present invention will be described. Fig. 1 is a plan view showing the inside of the vertical heat treatment apparatus. In Fig. 1, the front side of the drawing is referred to as the front side, the front side of the sheet is referred to as the rear side, Continue with the directions. Fig. 2 is a longitudinal sectional view of the vertical heat treatment apparatus viewed from the right side, and Fig. 3 is a vertical sectional view seen from the rear side. In the figure, reference numeral 1 denotes a housing constituting an external body of the apparatus. In the housing 1, there are provided a carry-in / carry-out region S1 for carrying in and carrying out a carrier C containing a wafer W, There is formed a loading area S2 which is a loading chamber for carrying wafers in the carrier C into the heat treatment furnace to be described later. The loading and unloading area S1 and the loading area S2 are partitioned by the partition 11, and the loading and unloading area S1 is set to an atmospheric environment. The loading area S2 is, for example, a clean dry gas atmosphere (less particles and organic components, 60 ° C or less).

상기 반입 반출 영역 S1은, 앞측의 제1 영역(12)과 안측의 제 2영역(13)으로 이루어지고, 제 1영역(12)에는, 캐리어(C)를 적재하기 위한 제1 적재대(14)가 설치되어 있다. 캐리어(C)로서는, 예를 들어 직경 300㎜의 웨이퍼(W)가 복수매 예를 들어 25매 선반 형상으로 배열되어 수납되고, 전면의 도시하지 않은 취출구가 덮개에 의해 막아진 밀폐형의 FOUP가 사용된다. 상기 제2 영역(13)에는 제2 적재대(15)와 캐리어 보관부(16)가 설치되는 동시에, 캐리어(C)를 제1 적재대(14), 제2 적재대(15) 및 캐리어 보관부(16)의 사이에서 반송하는 캐리어 반송 기구(17)가 설치되어 있다. 도 1 중 10은, 캐리어(C) 내와 로딩 에어리어 S2를 연통하는 개구부이며, 18은 당해 개구부(10)의 도어, 19는 캐리어(C)의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구이다.The loading and unloading area S1 includes a first area 12 on the front side and a second area 13 on the inside and the first area 12 is provided with a first loading table 14 for loading the carrier C ). As the carrier C, for example, a closed type FOUP in which wafers W having a diameter of 300 mm are arranged and housed in a plurality of, for example, 25 sheets of shelves, and a not-shown outlet port on the front side is blocked by a lid is used do. The second area 13 is provided with a second stacking table 15 and a carrier storage unit 16 and a carrier C is disposed between the first stacking table 14 and the second stacking table 15, And a carrier transporting mechanism 17 for transporting the carrier 16 between the carrier transporting mechanism 16 and the carrier transporting mechanism 16 is provided. 1, reference numeral 10 denotes an opening for communicating the inside of the carrier C with the loading area S2, 18 is a door of the opening 10, and 19 is a lid opening and closing mechanism for opening and closing the lid of the carrier C.

상기 로딩 에어리어 S2의 안측 상방에는, 하단부가 노구(20)로서 개방되는 종형의 열처리로(2)가 설치되어 있다. 상기 노구(20)는 본 발명의 개구부를 이루는 것이다. 이 열처리로(2)에는, 예를 들어 도 4에 나타낸 바와 같이, 당해 열처리로(2) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급로(2A)와, 이 열처리로(2) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로(2B)가 접속되어 있다. 이들 처리 가스 공급로(2A) 및 배기로(2B)는 각각 도시하지 않은 처리 가스 공급원 및 배기 기구에 접속되어 있다. 또한, 도 1 내지 도 3에 있어서는, 도시의 편의상, 처리 가스 공급로(2A) 및 배기로(2B)를 생략하고 있다.A vertical heat treatment furnace (2) is provided at the upper side of the loading area (S2) to open the lower end portion as a nugget (20). The nog 20 constitutes an opening of the present invention. As shown in Fig. 4, the heat treatment furnace 2 is provided with a process gas supply path 2A for supplying a process gas into the heat treatment furnace 2, Is connected to the exhaust passage 2B. These process gas supply passages 2A and exhaust passages 2B are respectively connected to a process gas supply source and an exhaust mechanism not shown. 1 to 3, the process gas supply path 2A and the exhaust path 2B are omitted for convenience of illustration.

또한, 상기 로딩 에어리어 S2 내에는, 예를 들어 2기의 웨이퍼 보트[3(3A, 3B)]가 설치되어 있다. 이들 웨이퍼 보트[3(3A, 3B)]는, 각각 다수 매의 웨이퍼(W)를 선반 형상으로 배열 보유 지지하는 기판 보유 지지구를 이루는 것이며, 예를 들어 석영에 의해 구성되어 있다. 여기서, 웨이퍼 보트(3)에 대해서 도 4을 참조하여 간단히 설명하면, 천장판(31)과 바닥판(32) 사이에 예를 들어 4개의 지주(33)가 설치되어 있고, 이 지주(33)에 형성된 도시하지 않은 홈부에 웨이퍼(W)의 주연부가 보유 지지되고, 예를 들어 100매의 웨이퍼(W)를 소정의 간격으로 상하로 배열해서 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 바닥판(32)의 하부에는 지지부(34)가 설치되어 있다.In the loading area S2, for example, two wafer boats 3 (3A, 3B) are provided. The wafer boat 3 (3A, 3B) constitutes a substrate holding support for arranging and holding a plurality of wafers W in a rack shape, and is made of, for example, quartz. 4, for example, four struts 33 are provided between the top plate 31 and the bottom plate 32. The strut 33 is provided with a plurality of A peripheral portion of the wafer W is held in a not-shown groove, for example, so that 100 wafers W can be arranged and held vertically at a predetermined interval. A support portion 34 is provided at a lower portion of the bottom plate 32.

그리고, 로딩 에어리어 S2 내에는, 보유 지지구 승강 기구를 이루는 보트 엘리베이터(41)가 설치되어 있다. 이 보트 엘리베이터(41)는, 상하 방향으로 신장되는 가이드 레일(43)을 따라 이동 기구(42)에 의해 승강 가능하게 구성되고, 그 위에는, 상기 열처리로(2)의 덮개(21)와 단열재(22)가 이 순서로 설치되어 있다. 상기 단열재(22)는 예를 들어 석영 등에 의해 구성되어 있고, 그 위에 웨이퍼 보트(3)가 탑재되도록 되어 있다.In the loading area S2, there is provided a boat elevator 41 constituting a holding and land elevating mechanism. The boat elevator 41 is constructed so as to be able to move up and down by a moving mechanism 42 along a guide rail 43 extending in the vertical direction and on which the lid 21 of the heat treatment furnace 2 and the heat insulating material 22 are provided in this order. The heat insulating material 22 is made of, for example, quartz, and the wafer boat 3 is mounted thereon.

이렇게 해서 웨이퍼 보트(3)는, 보트 엘리베이터(41)에 의해 열처리로(2) 내의 로드 위치와 언로드 위치 사이에서 승강되게 되어 있다. 상기 로드 위치란, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2) 내로 반입되어, 열처리로(2)의 노구(20)를 덮개(21)가 덮는 처리 위치이며, 상기 언로드 위치란, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2)의 하방 측으로 반출되는 위치(도 2 내지 도 4로 표시된 위치)이다.Thus, the wafer boat 3 is raised and lowered between the load position and the unloading position in the heat treatment furnace 2 by the boat elevator 41. The load position is a processing position in which the wafer boat 3 is brought into the heat treatment furnace 2 and the cover 21 covers the nose 20 of the heat treatment furnace 2. The unloading position is a position at which the wafer boat 3 (The position shown in Figs. 2 to 4) to be carried out to the lower side of the heat treatment furnace 2.

또한, 로딩 에어리어 S2에는, 웨이퍼 보트(3)를 적재하기 위한 제1 스테이지(44) 및 제2 스테이지(45)와, 이들 보트 엘리베이터(41), 제1 스테이지(44) 및 제2 스테이지(45) 사이에서 웨이퍼 보트(3)의 이동 탑재를 행하는 보트 반송 기구(46)가 설치되어 있다. 이 보트 반송 기구(46)는, 웨이퍼 보트(3)의 지지부(34)를 적재하는 보유 지지 아암(47)이, 승강 가능, 수평축 주위로 회전 가능, 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한 도 2에서는 도시의 편의상, 보트 반송 기구(46)를 생략하고 있다.The loading area S2 is also provided with a first stage 44 and a second stage 45 for loading the wafer boat 3 and a second stage 45 for holding the boat elevator 41 and the first stage 44 and the second stage 45 A boat transporting mechanism 46 for moving and mounting the wafer boat 3 is provided. The boat carrying mechanism 46 is configured such that the holding arm 47 for holding the support portion 34 of the wafer boat 3 is capable of being raised and lowered, rotatable about a horizontal axis and capable of advancing and retreating. In FIG. 2, the boat transport mechanism 46 is omitted for convenience of illustration.

또한, 로딩 에어리어 S2에는, 예를 들어 제1 스테이지(44)에 인접해서 웨이퍼 반송 기구(48)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송 기구(48)는, 예를 들어 제1 스테이지(44) 상의 웨이퍼 보트(3), 보트 엘리베이터상(41)의 웨이퍼 보트(3) 및 제2 적재대(15) 상의 캐리어(C)의 사이에서 웨이퍼의 이동 탑재를 행하는 것이다. 웨이퍼 반송 기구(48)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 복수매 예를 들어 5매의 포크(49)와, 이들 포크(49)를 진퇴 가능하게 지지하는 반송 기체(49a)를 구비하고 있고, 이 반송 기체(49a)는, 연직축 주위로 회전 가능 및 승강 가능하게 구성되어 있다.Further, in the loading area S2, for example, a wafer transfer mechanism 48 is provided adjacent to the first stage 44. [ The wafer transfer mechanism 48 is configured to transfer the wafer boat 3 on the first stage 44, the wafer boat 3 on the boat elevator image 41, and the carrier C on the second mounting table 15, The wafer is moved and mounted. The wafer transfer mechanism 48 includes a plurality of forks, for example, five forks 49 for holding the wafers W and a transfer body 49a for supporting the forks 49 so as to be movable forward and backward , And this conveying base 49a is rotatable about a vertical axis and is capable of ascending and descending.

또한, 로딩 에어리어 S2에 있어서의 열처리로(2) 이외의 영역에는, 예를 들어 열처리로(2)의 개구부 근방의 높이 위치에 천장부(23)가 형성되어 있다. 또한, 로딩 에어리어 S2의 좌우 방향의 일측의 측면에는, 필터 유닛(5)이 설치되어 있다. 이 필터 유닛(5)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 필터부(51)와 통기 공간(52)을 구비하고 있고, 이 통기 공간(52)은, 로딩 에어리어 S2의 바닥판(24)의 하방에 형성된 통기실(25)과 연통하도록 구성되어 있다.In addition, in the area other than the heat treatment furnace 2 in the loading area S2, for example, a ceiling part 23 is formed at a height position near the opening of the heat treatment furnace 2. A filter unit 5 is provided on one lateral side of the loading area S2 in the left-right direction. 3, the filter unit 5 includes a filter unit 51 and a ventilation space 52. The ventilation space 52 is located below the bottom plate 24 of the loading area S2 Is communicated with the ventilation chamber (25) formed in the main body (1).

상기 통기실(25)의 일단부 측에는 제1 팬(53) 및 제1 게이트 밸브(54)가 설치되어 있다. 또한, 그 타단측은 제2 게이트 밸브(55) 및 제2 팬(56)을 통해서 공장의 배기 설비에 접속되어 있다. 도 1 및 도 3 중 26은, 바닥판(24)에 형성된 배기구이다.A first fan (53) and a first gate valve (54) are provided at one end side of the ventilation chamber (25). The other end thereof is connected to the exhaust system of the factory through the second gate valve 55 and the second fan 56. 1 and 3, 26 is an exhaust port formed in the bottom plate 24.

또한, 로딩 에어리어 S2에 있어서의 상기 천장부(23)의 근방에는, 열처리로(2)의 노구(20)를 막기 위한 덮개(61)를 구비한 덮개 개폐 기구(6)가 설치되어 있다. 상기 덮개(61)는, 예를 들어 열처리로(2) 다음에 웨이퍼 보트(3)가 언로드되었을 때에, 당해 열처리로(2)의 노구(20)를 막기 위해서 설치되어 있고, 예를 들어 스테인리스에 의해 상기 노구(20)를 막는 크기로 형성되어 있다.A lid opening / closing mechanism 6 having a lid 61 for blocking the nose 20 of the heat treatment furnace 2 is provided in the vicinity of the ceiling portion 23 in the loading area S2. The lid 61 is provided to block the nog 20 of the heat treatment furnace 2 when the wafer boat 3 is unloaded after the heat treatment furnace 2, And the size of the noble 20 is blocked.

이 덮개 개폐 기구(6)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)를 지지하는 지지 부재(62)과, 덮개(61)를, 상기 노구(20)를 막는 위치와, 노구(20)를 개방하는 위치 사이에서 이동시키는 덮개 이동 기구(63)를 구비하고 있다. 상기 노구(20)를 개방하는 위치란, 이 예에서는 노구(20)의 측방의 위치이며, 여기를 대기 위치로 하고 있다. 또한, 상기 덮개 이동 기구(63)는, 예를 들어 지지 부재(62)의 기단부 측을 승강 가능하게 지지하는 승강 기구(63A)와, 상기 승강 기구(63A)를 연직축 둘레로 회전시키는 회전 기구(63B)를 조합해서 구성되어 있다. 이 덮개 이동 기구(63)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 하우징(1)의 측벽부에 설치된 적재 부재(64) 상에 설치되어 있다.4, the lid opening and closing mechanism 6 includes a supporting member 62 for supporting the lid 61 and a lid 61 for supporting the lid 20 in a position where the nid 20 is closed, And a cover moving mechanism (63) for moving the cover moving mechanism The position at which the noble 20 is opened is a position on the side of the noble 20 in this example, and is a standby position. The lid moving mechanism 63 includes a lifting mechanism 63A for supporting the proximal end side of the supporting member 62 so as to be capable of lifting and lowering and a rotating mechanism for rotating the lifting mechanism 63A around the vertical axis 63B. As shown in Fig. 3, the lid moving mechanism 63 is provided on, for example, a loading member 64 provided on a side wall of the housing 1. As shown in Fig.

여기서, 상기 대기 위치는, 상기 노구(20)의 하방 측의 측방이며, 당해 노구(20)와, 회전 기구(63B)를 중심으로 하는 동심원 형상으로 인접하는 위치이다. 그리고, 덮개(61)는 상기 대기 위치로부터 회전 기구(63B)에 의해 노구(20)의 하방 측까지 선회하고, 계속해서, 승강 기구(63A)에 의해 상승함으로써, 노구(20)를 막는 위치로 이동하게 된다. 또한, 도 1 및 도 2에서는 덮개(61)는 대기 위치에 있고, 도 3에서는 노구(20)를 막는 위치에 있는 모습을 나타내고 있다. 이때, 상기 덮개 개폐 기구(6)는, 로딩 에어리어 S2 내에 있어서, 예를 들어 웨이퍼 보트(3)의 로드 및 언로드나, 웨이퍼 보트(3)의 스테이지(44, 45) 및 단열재(22) 사이의 이동을 방해하지 않고, 덮개(61)를 상기 대기 위치와 노구(20)를 막는 위치 사이에서 이동할 수 있게 구성되어 있다.Here, the standby position is a position on the lower side of the nog 20 and adjacent to the nog 20 in the form of a concentric circle around the rotation mechanism 63B. The lid 61 is pivoted from the standby position to the lower side of the nog 20 by the rotation mechanism 63B and then raised by the lifting mechanism 63A to the position for blocking the nog 20 . In Fig. 1 and Fig. 2, the lid 61 is in a standby position, and in Fig. 3, the lid 61 is in a position to block the nog 20. At this time, the cover opening / closing mechanism 6 is provided in the loading area S2, for example, between the loading and unloading of the wafer boat 3, and between the stages 44 and 45 of the wafer boat 3 and the heat insulating material 22. The cover 61 is configured to be movable between the standby position and the position for blocking the nog 20 without interfering with the movement.

또한, 로딩 에어리어 S2에는, 상기 덮개(61)의 상면의 파티클을 흡인해서 제거하기 위한 파티클 제거 기구로서, 클리닝 노즐(7)이 설치되어 있다. 상기 덮개(61)의 상면이란, 열처리로(2)의 노구(20)를 막았을 때에, 열처리로(2) 내의 분위기에 접하는 면이다.The loading area S2 is provided with a cleaning nozzle 7 as a particle removing mechanism for removing particles on the upper surface of the lid 61 by suction. The upper surface of the lid 61 is a surface in contact with the atmosphere in the heat treatment furnace 2 when the nog 20 of the heat treatment furnace 2 is closed.

이 예의 클리닝 노즐(7)은, 덮개(61)의 상면과는 접촉하지 않는 상태에서, 당해 상면 측의 분위기를 상기 흡인 구멍(72)에 의해 흡인하도록 구성되고, 또한 덮개(61)의 상면에 가스를 공급하면서 흡인하게 되어 있다. 즉, 덮개(61)의 상면에 가스를 분사하여, 당해 표면의 파티클을 가스의 가압에 의해 덮개(61) 상면으로부터 부상시켜, 보다 흡인하기 쉬운 상태로 설정해서 흡인 배기하도록 구성되어 있다. 이러한 클리닝 노즐(7)은, 예를 들어 도 5 내지 도 7에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)의 직경보다도 길게 신장되도록, 예를 들어 스테인리스나 알루미늄에 의해 구성된 노즐 본체(71)를 구비하고 있다. 그리고, 노즐 본체(71)의 내부에는, 그 길이 방향을 따라서 배기실(72)과, 가스 공급실(73, 73)이 설치되어 있다. 또한, 노즐 본체(71)의 하면에는 노즐 본체(71)의 길이 방향을 따라서 상기 배기실(72)에 연통하는 흡인 구멍(72a)이 형성되는 동시에, 노즐 본체(71)의 길이 방향을 따라서 상기 가스 공급실(73, 73)에 연통하는 가스 공급 구멍(73a, 73a)이 형성되어 있다.The cleaning nozzle 7 in this example is configured to suck the atmosphere on the upper surface side by the suction hole 72 in a state in which the cleaning nozzle 7 is not in contact with the upper surface of the lid 61, And is sucked while supplying gas. That is, the gas is sprayed onto the upper surface of the lid 61 to float the particles on the surface of the lid 61 from the upper surface of the lid 61 by pressurization of the gas, thereby setting the state of the lid 61 in a more easily sucked state. 5 to 7, the cleaning nozzle 7 is provided with a nozzle body 71 made of, for example, stainless steel or aluminum so as to be elongated longer than the diameter of the lid 61 . An exhaust chamber 72 and gas supply chambers 73 and 73 are provided in the nozzle body 71 along the longitudinal direction thereof. A suction hole 72a communicating with the exhaust chamber 72 is formed on the lower surface of the nozzle body 71 along the longitudinal direction of the nozzle body 71 and a suction hole 72a communicating with the exhaust chamber 72 is formed along the longitudinal direction of the nozzle body 71 Gas supply holes 73a and 73a communicating with the gas supply chambers 73 and 73 are formed.

이 예에서는, 노즐 본체(71)의 폭 방향의 중앙에 상기 흡인 구멍(72a)이 형성되고, 이 흡인 구멍(72a)의 양측에 가스 공급 구멍(73a, 73a)이 각각 형성되어 있다. 또한, 이들 흡인 구멍(72a) 및 가스 공급 구멍(73a, 73a)의 길이는, 예를 들어 덮개(61)의 직경보다도 크게 설정되어 있다. 또한, 상기 흡인 구멍(72a) 및 가스 공급 구멍(73a, 73a)으로서 설치된 구멍부를, 상기 노즐 본체(71)의 길이 방향을 따라서 다수 배열하도록 해도 된다. 또한, 노즐 본체(71)를 구성하는 벽부의 내부에는, 냉각 매체를 통류시키기 위한 냉매 유로(74)가 형성되어 있다.In this example, the suction hole 72a is formed at the center in the width direction of the nozzle body 71, and gas supply holes 73a and 73a are formed on both sides of the suction hole 72a. The lengths of the suction holes 72a and the gas supply holes 73a are set larger than the diameter of the lid 61, for example. A plurality of holes provided as the suction holes 72a and the gas supply holes 73a and 73a may be arranged along the longitudinal direction of the nozzle body 71. [ A refrigerant passage 74 for passing a cooling medium is formed in a wall portion of the nozzle body 71.

상기 노즐 본체(71)는, 노즐 이동 기구(75)에 의해, 상기 대기 위치에 있는 덮개(61)에 대하여 이동 가능하게 구성되어 있다. 이렇게 해서, 이 노즐 본체(71)의 이동에 의해, 덮개(61)의 상면 측의 분위기가 상기 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인 되도록 되어 있다. 이 예에서는, 노즐 이동 기구(75)는, 회전 기구(75A)와 승강 기구(75B)를 조합해서 구성되어 있고, 노즐 본체(71)의 기단부 측이, 승강 및 회전 가능한 구동축(76)에 의해 승강 기구(75B)에 접속되고, 당해 승강 기구(75B)는 회전 기구(75A)에 접속되어 있다. 상기 승강 기구(75B)는 클리닝 노즐(7)을 덮개(61)에 대하여 상대적으로 접속 분리시키는 접속 분리 기구를 이루는 것이다.The nozzle body 71 is configured to be movable with respect to the lid 61 in the standby position by the nozzle moving mechanism 75. By this movement of the nozzle body 71, the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 is sucked by the suction hole 72a. In this example, the nozzle moving mechanism 75 is constituted by a combination of the rotating mechanism 75A and the elevating mechanism 75B, and the proximal end side of the nozzle body 71 is supported by a drive shaft 76 capable of moving up and down And is connected to the lifting mechanism 75B, and the lifting mechanism 75B is connected to the rotating mechanism 75A. The lifting mechanism 75B constitutes a connection separating mechanism for relatively connecting and separating the cleaning nozzle 7 with respect to the lid 61.

또한, 상기 배기실(72)은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 밸브 V1을 구비한 배기로(72b)를 통해서 흡인 배기 기구인 배기 펌프(72c)에 접속되고, 상기 가스 공급실(73)은 밸브 V2를 구비한 공급로(73b)를 통해서 가스 공급원(73c)에 접속되어 있다. 이 가스 공급원(73c)으로부터는 예를 들어 25℃로 온도 조정된 에어나 질소(N2) 가스 등의 가스가 공급된다. 또한, 상기 냉매 유로(74)에는, 당해 냉매 유로(74)에 냉각 매체 예를 들어 냉각수를 공급하기 위한 공급로(74a) 및 당해 냉매 유로(74)로부터 냉각 매체를 배출하기 위한 배출로(74b)가 설치되어 있다. 이들 공급로(74a) 및 배출로(74b)는 냉각수의 공급원(74c)에 접속되고, 소정 온도로 조정된 냉각수를 노즐 본체(71)의 냉매 유로(74)에 순환 공급하도록 구성되어 있다. 또한, 도 7에서는, 도시의 번잡화를 방지하기 위해서, 냉각수의 공급원(74c)에는 공급로(74a)만이 접속되도록 나타나 있지만, 실제로는 배출로(74b)도 접속되어 있다.7, the exhaust chamber 72 is connected to an exhaust pump 72c, which is a suction and exhaust mechanism, through an exhaust passage 72b having a valve V1, and the gas supply chamber 73 is connected to a valve And is connected to the gas supply source 73c through a supply path 73b having V2. A gas such as air or nitrogen (N 2 ) gas whose temperature is adjusted to, for example, 25 ° C is supplied from the gas supply source 73c. The refrigerant passage 74 is provided with a supply passage 74a for supplying a cooling medium such as cooling water to the refrigerant passage 74 and a discharge passage 74b for discharging the cooling medium from the refrigerant passage 74 ). The supply passage 74a and the discharge passage 74b are connected to the supply source 74c of the cooling water and are configured to circulate and supply the cooling water adjusted to the predetermined temperature to the refrigerant passage 74 of the nozzle body 71. [ In Fig. 7, only the supply passage 74a is shown connected to the supply source 74c of the cooling water in order to prevent the occurrence of a complicated situation, but in reality, the discharge passage 74b is also connected.

예를 들어 상기 배기로(72b), 가스 공급로(73b), 냉각수의 공급로(74a) 및 배출로(74b)는, 예를 들어 노즐 본체(71)의 승강 및 회전 이동을 방해하지 않도록 플렉시블하게 구성되는 동시에, 예를 들어 구동축(76), 승강 기구(75B) 및 회전 기구(75A)의 내부를 통과해서 하우징(1)의 외부로 둘러쳐지고, 각각 배기 펌프(72C)나 공급원(73C, 74C)에 접속되도록 구성되어 있다. 이와 같이, 상술한 배기로(72b) 등의 배관계를 구동축(76), 승강 기구(75B) 및 회전 기구(75A)의 내부를 통과 시킴으로써, 이들에의 열영향을 억제할 수도 있다.For example, the exhaust path 72b, the gas supply path 73b, the cooling water supply path 74a, and the discharge path 74b may be formed in a flexible manner so as not to interfere with lifting and rotating movement of the nozzle body 71, And passes through the interior of the drive shaft 76, the lifting mechanism 75B and the rotating mechanism 75A and is surrounded by the exhaust pump 72C and the supply source 73C And 74C, respectively. In this manner, the piping system such as the above-described exhaust path 72b can pass through the inside of the drive shaft 76, the lift mechanism 75B, and the rotation mechanism 75A, thereby suppressing the thermal influence thereon.

또한, 대기 위치에 있는 노즐 이동 기구(75)는, 열영향을 억제하기 위해서, 그 주위가 커버 부재(78)에 의해 덮어져 있다. 이 커버 부재(78)는 예를 들어 스테인리스에 의해 구성되고, 그 내부에는 냉매 유로(77)가 형성되어 있다. 이 냉매 유로(77)에는, 공급로(77a) 및 배출로(77b)에 의해 냉각 매체인 냉각수의 공급원(74c)으로부터 냉각수가 순환 공급되도록 구성되어 있다. 이 예에서는, 커버 부재(78)를 통해서 노즐 이동 기구(75)가 천장부(23)에 설치되어 있다. 또한, 도 1, 도 2 및 도 4에서는 도시의 번잡화를 회피하기 위해서, 커버 부재(78)에 대해서는 생략하고 있다. 본 실시 형태에서는, 노즐 본체(71)에 설치된 냉매 유로(74) 및 커버 부재(78)는, 각각 냉각 기구를 이루는 것이다.The nozzle moving mechanism 75 in the standby position is covered with the cover member 78 so as to suppress thermal effects. The cover member 78 is made of, for example, stainless steel, and a refrigerant passage 77 is formed in the cover member 78. Coolant is circulated and supplied to the coolant passage 77 from a coolant supply source 74c which is a cooling medium by the supply passage 77a and the discharge passage 77b. In this example, the nozzle moving mechanism 75 is provided on the ceiling portion 23 through the cover member 78. [ 1, 2, and 4, the cover member 78 is omitted in order to avoid unnecessary misalignment. In the present embodiment, the refrigerant passage 74 and the cover member 78 provided in the nozzle body 71 constitute cooling mechanisms, respectively.

이러한 클리닝 노즐(7)은, 도 8에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)가 대기 위치에 있을 때에, 예를 들어 당해 덮개(61)의 일단부 측의 개시 위치(도 8 중 실선으로 나타낸 위치)에 노즐 본체(71)가 위치하도록 설치된다. 그리고, 여기서부터 회전 기구(75A)를 회전시킴으로써, 노즐 본체(71)를 그 기단부 측의 구동축(76)을 중심으로 해서 약 90도 회전시킨 종료 위치까지 이동시킴으로써, 상기 흡인 구멍(72a)이 덮개(61)의 상면 전체를 스캔하도록 구성되어 있다.8, when the lid 61 is in the standby position, the cleaning nozzle 7 is moved to the starting position (the position shown by the solid line in Fig. 8) on the one end side of the lid 61, So that the nozzle body 71 is positioned. By rotating the rotation mechanism 75A from this position, the nozzle body 71 is moved to the end position rotated about 90 degrees about the drive shaft 76 on the proximal end side of the nozzle body 71, And scan the entire upper surface of the recording medium 61.

또한, 클리닝 노즐(7)은, 승강 기구(75B)에 의해, 덮개(61)의 파티클 제거를 행하기 위해서 덮개(61)에 접근하는 클리닝 위치와, 당해 클리닝 위치의 상방측이며, 덮개(61)로부터 이격하는 퇴피 위치 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 상기 클리닝 위치란, 예를 들어 노즐 본체(71)의 흡인 구멍(72a)의 선단(하단부)과, 덮개(61)의 상면 사이의 거리가 1㎜ 정도의 위치이며, 상기 퇴피 위치란, 노즐 본체(71)의 흡인 구멍(72a)의 선단과, 덮개(61)의 상면 사이의 거리가 5㎜ 정도의 위치이다. 통상, 클리닝 노즐(7)은 대기 위치에서 대기하고 있고, 이 예에 있어서의 대기 위치란, 상기 개시 위치의 상방측의 퇴피 위치를 말한다.The cleaning nozzle 7 is moved upward by a lifting mechanism 75B to a position for approaching the lid 61 to remove particles from the lid 61 and an upper side of the lid 61 And the retracted position is spaced apart from the retracted position. The cleaning position is a position where the distance between the tip (lower end) of the suction hole 72a of the nozzle body 71 and the upper surface of the lid 61 is about 1 mm, The distance between the tip of the suction hole 72a of the lid 71 and the upper surface of the lid 61 is about 5 mm. Normally, the cleaning nozzle 7 waits at the standby position, and the standby position in this example refers to the retreat position above the start position.

또한, 상기 종형 열처리 장치에는 제어부(100)가 설치되어 있다. 이 제어부(100)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부를 구비하고 있으며, 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 종형 열처리 장치의 각 부에 제어 신호를 보내고, 후술하는 반송 순서를 진행시키도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 상기 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 저장되어 제어부(100)에 인스톨된다.The control unit 100 is provided in the vertical heat treatment apparatus. The control unit 100 includes a computer, for example, and includes a data processing unit including a program, a memory, and a CPU. The control unit 100 sends control signals to the respective units of the vertical thermal processing apparatus from the control unit 100, An instruction (each step) is built in to advance the transfer sequence. The program is stored in a storage unit such as a computer storage medium, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, or an MO (magneto optical disk), and is installed in the control unit 100.

또한, 제어부(100)는, 예를 들어 보트 엘리베이터(41)에 의한 열처리로(2)로의 웨이퍼 보트(3)의 로드나 언로드, 덮개 개폐 기구(6)에 의한 덮개(61)의 개폐 동작이나, 클리닝 노즐(7)에 의한 덮개(61)의 클리닝 처리시의 흡인 배기나 가스 공급의 개시나 종료의 타이밍을 제어하도록, 각 부로 제어 신호를 출력하는 기능을 갖는다.The control unit 100 also controls the opening and closing operations of the lid 61 by the lid opening and closing mechanism 6 or the opening and closing of the lid 61 by the boat elevator 41, for example, by loading or unloading the wafer boat 3 into the heat treatment furnace 2 And a function of outputting control signals to the respective units so as to control the timings of start and end of suction exhaust and gas supply in the cleaning process of the lid 61 by the cleaning nozzle 7. [

계속해서, 상기 종형 열처리 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름에 대해서 간단하게 설명한다. 이 종형 열처리 장치의 로딩 에어리어 S2 내에서는, 예를 들어 대기 가스를 통류시킴으로써, 당해 로딩 에어리어 S2 내의 파티클을 제거하고 있다. 즉, 제1 팬(53)을 장치 가동 중은 상시 회전시켜 둠과 동시에, 제1 게이트 밸브(54) 및 제2 게이트 밸브(55)를 개방하여, 제2 팬(56)을 구동한다. 이렇게 해서, 도시하지 않은 대기의 도입로를 통해서 예를 들어 20℃도 내지 30℃의 대기가 도입하는 동시에, 배기를 행한다. 이에 의해, 로딩 에어리어 S2에서는, 장치의 외부로부터 도입된 대기가, 필터 유닛(5) 측으로부터 당해 필터 유닛(5)에 대향하는 측벽을 향해서 흐르고, 배기구(26)로부터 통기실(25)로 통기한다. 이 통기실(25) 내의 대기는, 그 대부분이 장치의 외부로 배출되는 한편, 그 일부는 제1 팬(53)의 구동에 의해, 다시 필터 유닛(5)의 통기 공간(52)을 향해서 흘러 간다. 그리고, 필터 유닛(5)에 의해, 청정 상태를 유지한 기체로서 다시 로딩 에어리어 S2에 공급된다.Next, the flow of the wafer W in the vertical heat treatment apparatus will be briefly described. In the loading area S2 of the vertical heat treatment apparatus, particles in the loading area S2 are removed by passing, for example, atmospheric gas. That is, the first fan 53 is always rotated while the apparatus is in operation, and the first gate valve 54 and the second gate valve 55 are opened to drive the second fan 56. In this way, for example, atmospheric air of 20 ° C to 30 ° C is introduced through an air introducing path (not shown), and the air is exhausted. Thereby, in the loading area S2, the air introduced from the outside of the apparatus flows from the filter unit 5 side toward the side wall facing the filter unit 5 and flows from the exhaust port 26 to the ventilation chamber 25 do. Most of the air in the ventilation chamber 25 is discharged to the outside of the apparatus while a part thereof flows toward the ventilation space 52 of the filter unit 5 again by driving the first fan 53 Goes. Then, by the filter unit 5, it is supplied to the loading area S2 again as a gas maintained in a clean state.

한편, 도시하지 않은 자동 반송 로봇에 의해 제1 반송대(14)에 적재된 캐리어(C)는, FOUP 반송 기구(17)에 의해 제2 적재대(15)로 반송되어, 격벽(11)의 개구부(10)에 기밀하게 접촉된다. 이 후, 덮개 개폐 기구(19)에 의해 캐리어(C)로부터 덮개가 제거되고, 계속해서, 예를 들어 질소 가스가 캐리어(C) 내를 향해서 분출되어, 캐리어(C) 내 및 캐리어(C)와 도어(18) 사이의 공간이 질소 가스에 의해 치환된다. 그 후, 도어(18), 덮개 개폐 기구(19) 및 덮개가 예를 들어 상승해서 개구부(10)로부터 퇴피하여, 캐리어(C) 내와 로딩 에어리어 S2가 연통한 상태로 된다.On the other hand, the carrier C loaded on the first transport platform 14 by an automatic transport robot (not shown) is transported to the second transport platform 15 by the FOUP transport mechanism 17, (10). Thereafter, the lid is removed from the carrier C by the cover opening / closing mechanism 19, and then nitrogen gas, for example, is ejected toward the inside of the carrier C, And the door 18 are replaced by the nitrogen gas. Thereafter, the door 18, the lid opening / closing mechanism 19, and the lid, for example, ascend and retreat from the opening 10, so that the inside of the carrier C and the loading area S2 are in communication with each other.

한편, 로딩 에어리어 S2에서는, 예를 들어 제1 웨이퍼 보트(3A)를 제1 스테이지(44)에, 제2 웨이퍼 보트(3B)를 제2 스테이지(45)에 각각 적재해 둔다. 그리고, 제1 스테이지(44)에서는, 웨이퍼 반송 기구(48)에 의해, 상기 제1 웨이퍼 보트(3A)에 대하여 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W) 가 순차 취출되어서 이동 탑재된다. 계속해서, 당해 웨이퍼 보트(3A)는, 보트 반송 기구(46)에 의해, 제1 스테이지(44)로부터 보트 엘리베이터(41)의 단열재(22) 상에 이동 탑재된 후, 보트 엘리베이터(41)가 상승해서 열처리로(2) 내의 로드 위치에 반입된다(도 9 참조). 이렇게 해서, 열처리로(2)의 노구(20)는 보트 엘리베이터(41) 상의 덮개(21)에 의해 폐쇄되고, 열처리로(2) 내에 가스 공급로(2A)로부터 소정의 처리 가스가 공급됨과 동시에, 열처리로(2) 내를 배기로(2B)를 통해서 배기해서 소정의 압력으로 유지된다. 그리고, 열처리로(2) 내에서는 당해 웨이퍼 보트(3A)에 탑재된 웨이퍼(W)에 대하여, 예를 들어 400 내지 1000℃의 온도에서 열처리 예를 들어 CVD, 어닐 처리, 산화 처리 등이 행해진다.On the other hand, in the loading area S2, for example, the first wafer boat 3A is placed on the first stage 44 and the second wafer boat 3B is placed on the second stage 45, respectively. In the first stage 44, the wafers W in the carrier C are sequentially taken out of the first wafer boat 3A by the wafer transfer mechanism 48 and mounted on the first wafer boat 3A. Subsequently, the wafer boat 3A is moved and mounted on the heat insulating material 22 of the boat elevator 41 from the first stage 44 by the boat transport mechanism 46, and then the boat elevator 41 And is carried into the load position in the heat treatment furnace 2 (see FIG. 9). The nog 20 of the heat treatment furnace 2 is closed by the lid 21 on the boat elevator 41 and a predetermined process gas is supplied into the heat treatment furnace 2 from the gas supply path 2A , The inside of the heat treatment furnace 2 is exhausted through the exhaust path 2B and is maintained at a predetermined pressure. In the heat treatment furnace 2, the wafer W mounted on the wafer boat 3A is subjected to heat treatment, for example, CVD, annealing, oxidation and the like at a temperature of, for example, 400 to 1000 ° C .

한편, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 보트(3A)가 열처리로(2) 내로 반입되는 타이밍에서는, 예를 들어 상기 덮개 개폐 기구(6)의 덮개(61) 및 상기 클리닝 노즐(7)은 모두 상기 대기 위치에 있다. 그리고, 예를 들어 웨이퍼 보트(3A)가 열처리로(2) 내로 반입되고나서 소정 시간 경과 후, 상기 클리닝 노즐(7)을 상기 대기 위치로부터 클리닝 위치까지 하강시켜서, 당해 노즐(7)을 대기 위치에 있는 덮개(61)의 상면에 접근시킨다. 계속해서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 웨이퍼 보트(3A)가 열처리로(2) 내로 반입되고 있는 동안에, 클리닝 노즐(7)로부터 가스를 덮개(61)를 향해서 공급하는 동시에 흡인하면서, 클리닝 노즐(7)을 상술한 바와 같이 개시로부터 종료 위치까지 이동시키고, 덮개(61)의 상면의 파티클을 제거하는 클리닝 처리를 행한다.9, at the timing when the wafer boat 3A is brought into the heat treatment furnace 2, for example, both the lid 61 of the lid opening / closing mechanism 6 and the cleaning nozzle 7 And is in the standby position. The cleaning nozzle 7 is lowered from the standby position to the cleaning position after a predetermined time has elapsed after the wafer boat 3A is brought into the heat treatment furnace 2 so that the nozzle 7 is moved to the standby position And approaches the upper surface of the lid 61 in the housing. 10, for example, while the wafer boat 3A is being carried into the heat treatment furnace 2, the gas is supplied from the cleaning nozzle 7 toward the lid 61 and, at the same time, The cleaning nozzle 7 is moved from the start to the end position as described above and a cleaning process for removing particles on the upper surface of the lid 61 is performed.

이 클리닝 처리에서는, 약 200℃의 덮개(61)의 상면에, 가스 공급 구멍(73a)으로부터 예를 들어 25℃의 가스가 분사되므로, 덮개(61)에 부착된 파티클이, 열팽창 차에 의한 박리 효과와, 가스의 가압에 의해 덮개(61) 상면으로부터 부상한다, 그리고, 덮개(61)의 상면 근방에 설치된 흡인 구멍(72a)에 의해, 덮개(61)의 상면 근방의 분위기가 흡인되고 있기 때문에, 덮개(61) 상면으로부터 부상한 파티클이 흡인 구멍(72a)으로 흡입되어 간다. 이렇게 해서, 덮개(61)의 상면 근방의 분위기가 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인되도록, 클리닝 노즐(7)을 스캔시킴으로써 덮개(61) 상면의 파티클이 흡인 제거된다. 또한, 덮개(61)의 클리닝을 행하는 타이밍은, 덮개(61)가 상기 노구(20)를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때이면 되고, 웨이퍼 보트(3)를 언로드한 후이어도 된다.In this cleaning process, for example, gas of 25 DEG C is injected from the gas supply hole 73a onto the upper surface of the lid 61 at about 200 DEG C, so that the particles adhered to the lid 61 are peeled off by the thermal expansion difference And the atmosphere near the upper surface of the lid 61 is sucked by the suction hole 72a provided in the vicinity of the upper surface of the lid 61. Therefore, , The particles floating from the upper surface of the lid 61 are sucked into the suction hole 72a. The particles on the upper surface of the lid 61 are sucked and removed by scanning the cleaning nozzle 7 so that the atmosphere in the vicinity of the upper surface of the lid 61 is sucked by the suction holes 72a. The timing for performing the cleaning of the lid 61 may be made when the lid 61 is out of position to block the nog 20 or after the wafer boat 3 is unloaded.

열처리로(2) 내에서 소정의 열처리가 행해진 웨이퍼 보트(3A)는, 보트 엘리베이터(41)를 하강시킴으로써, 상기 언로드 위치까지 이동된다. 그리고, 웨이퍼 보트(3A)가 언로드 위치로 하강한 후, 덮개 개폐 기구(6)의 덮개(61)에 의해 열처리로(2)의 노구(20)가 막아진다. 즉, 도 11에 나타낸 바와 같이, 덮개 개폐 기구(6)의 회전 기구(63A)에 의해 대기 위치에 있는 덮개(61)를 노구(20)의 하방 측까지 선회 이동시킨 후, 승강 기구(63B)에 의해 노구(20)를 막는 위치까지 상승시킨다. 이와 같이, 웨이퍼 보트(3A)의 언로드 후에 열처리로(2)의 노구(20)를 덮개(61)에 의해 막음으로써, 고열 상태의 열처리로(2)로부터의 로딩 에어리어 S2 내로의 열의 방출이 억제된다.The wafer boat 3A subjected to the predetermined heat treatment in the heat treatment furnace 2 is moved to the unloading position by lowering the boat elevator 41. [ After the wafer boat 3A descends to the unloading position, the nog 20 of the heat treatment furnace 2 is blocked by the lid 61 of the lid opening and closing mechanism 6. 11, the lid 61 in the waiting position is pivotally moved to the lower side of the nog 20 by the rotation mechanism 63A of the lid opening / closing mechanism 6, and then the lifting mechanism 63B, To the position where the nog 20 is closed. As described above, by covering the nog 20 of the heat treatment furnace 2 with the lid 61 after the wafer boat 3A is unloaded, the release of heat from the heat treatment furnace 2 in the high temperature state into the loading area S2 is suppressed do.

상기 언로드된 웨이퍼 보트(3A)는, 보트 반송 기구(46)에 의해, 예를 들어 일단 제2 스테이지(45)로 반송된다. 그리고, 예를 들어 제1 스테이지(44) 상에서 웨이퍼(W)가 탑재된 웨이퍼 보트(3B)가 보트 엘리베이터(41) 상으로 반송된 후, 웨이퍼 보트(3A)가 제1 스테이지(44)로 반송되고, 열처리 후의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이동 탑재 기구(48)에 의해 캐리어(C) 내로 이동 탑재된다.The unloaded wafer boat 3A is once transported to the second stage 45 by the boat transport mechanism 46, for example. After the wafer boat 3B on which the wafer W is mounted on the first stage 44 is transported onto the boat elevator 41 and the wafer boat 3A is transported to the first stage 44 And the wafer W after the heat treatment is moved and loaded into the carrier C by the wafer moving and mounting mechanism 48.

그리고, 웨이퍼 보트(3B)가 열처리로(2) 내에 로드되기 직전에, 덮개(61)를 역의 동작으로 상기 대기 위치까지 이동시키고, 상기 열처리로(2)의 노구(20)를 개방한다. 이때, 덮개(61)는 열처리로(2)의 열에 의해 고온 상태로 되어 있으므로, 클리닝 노즐(7)은 상술한 클리닝 처리가 종료된 후, 상기 대기 위치에 퇴피시켜 둔다. 이렇게 해서, 노구(20)를 개방하고나서, 도 12에 나타낸 바와 같이, 보트 엘리베이터(41)를 상승시켜서 웨이퍼 보트(3B)를 열처리로(2) 내로 반입한다. 계속해서, 예를 들어 웨이퍼 보트(3B)가 열처리로(2) 내로 반입되고나서 소정 시간 경과 후, 즉 덮개(61)로부터의 방열이 어는 정도 가라앉고나서, 상기 클리닝 노즐(7)을 상기 대기 위치로부터 클리닝 위치까지 하강시킨다. 그리고, 상술한 바와 같이, 덮개(61)의 상면의 파티클을 흡인 제거하는 클리닝 처리를 행한다. 이와 같이, 웨이퍼 보트(3B)가 열처리로(2) 내로 반입되고나서 소정 시간 경과 후에 클리닝 처리를 개시하는 것은, 덮개(61)의 온도가 강온되고나서, 클리닝 처리를 개시해서 클리닝 노즐(7)로의 열영향을 방지하기 위해서이다.Immediately before the wafer boat 3B is loaded into the heat treatment furnace 2, the lid 61 is moved to the standby position by the reverse operation and the nog 20 of the heat treatment furnace 2 is opened. At this time, since the lid 61 is in a high temperature state by the heat of the heat treatment furnace 2, the cleaning nozzle 7 is retired to the standby position after the above-described cleaning process is completed. 12, the boat elevator 41 is lifted up to bring the wafer boat 3B into the heat treatment furnace 2 after the nog 20 is opened. Subsequently, for example, after the wafer boat 3B is brought into the heat treatment furnace 2 and after a predetermined time has elapsed, that is, to such an extent that heat radiation from the lid 61 has been absorbed, From the position to the cleaning position. Then, as described above, a cleaning process for sucking and removing particles on the upper surface of the lid 61 is performed. The reason why the wafer boat 3B is brought into the heat treatment furnace 2 and the cleaning process is started after a predetermined time has elapsed is that the temperature of the lid 61 is lowered to start the cleaning process, In order to prevent the thermal influence on the substrate.

이러한 실시 형태에 따르면, 열처리로(2)의 노구(20)를 막는 덮개(61)의 상면의 파티클을, 덮개(61)에 의해 노구(20)를 막기 전에 클리닝 노즐(7)에 의해 흡인 제거하고 있으므로, 열처리로(2) 내에 혼입하는 파티클량을 저감할 수 있다. 이로 인해, 열처리로(2) 내에서의 열처리 동안에 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클량을 저감할 수 있고, 제품의 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to this embodiment, the particles on the upper surface of the lid 61 covering the nog 20 of the heat treatment furnace 2 are removed by the cleaning nozzle 7 before the nog 20 is blocked by the lid 61 The amount of particles incorporated into the heat treatment furnace 2 can be reduced. Therefore, the amount of particles adhered to the wafer W during the heat treatment in the heat treatment furnace 2 can be reduced, and the lowering of the product yield can be suppressed.

여기서, 덮개(61)에 부착된 파티클의 제거가, 열처리로(2) 내로의 파티클 혼입을 억제하기 위해서 유효한 것은, 후술하는 실시예에 의해서도 명백하다. 이 이유에 대해서, 본 발명자는 다음과 같이 해석하고 있다. 즉, 덮개(61) 상에는 웨이퍼(W) 표면이나 열처리로(2)의 내벽에 성막된 막의 막 박리에 유래하는 파티클이 존재한다. 또한, 열처리로(2)를 클리닝 가스에 의해 클리닝할 때에, 부식성이 큰 클리닝 가스에 노출되어서 열화한 웨이퍼 보트(3)의 재료인 석영에 유래하는 파티클도 퇴적되어 있다.It is also apparent from the following embodiments that the removal of the particles attached to the lid 61 is effective for suppressing the incorporation of particles into the heat treatment furnace 2. For this reason, the present inventor interprets as follows. That is, on the lid 61, particles originating from the film peeling of the film formed on the surface of the wafer W or the inner wall of the heat treatment furnace 2 exist. Further, when the heat treatment furnace 2 is cleaned by the cleaning gas, particles derived from quartz, which is the material of the wafer boat 3 which is exposed to the corrosive cleaning gas and is deteriorated, is also deposited.

이와 같이, 덮개(61)에 파티클이 부착되어 있는 상태에서, 다음 열처리를 행하면, 열처리로(2) 내는 상술한 바와 같이 배기되고 있기 때문에, 웨이퍼 보트(3) 상의 웨이퍼(W)로부터 보면, 웨이퍼(W)의 상류 측에 파티클의 발생원이 존재하게 된다. 이로 인해, 열처리 시에, 덮개(61) 상의 파티클이, 열처리로(2) 내의 배기에 의한 압력차에 의해 감아 올려져, 웨이퍼(W)에 부착되는 것이라고 추찰된다.As described above, when the wafer W on the wafer boat 3 is viewed from the wafer W, the inside of the heat treatment furnace 2 is exhausted as described above when particles are attached to the lid 61, A particle generation source is present on the upstream side of the wafer W. It is presumed that particles on the lid 61 are rolled up by the pressure difference due to the exhaust in the heat treatment furnace 2 and adhered to the wafer W during the heat treatment.

또한, 본 실시 형태의 클리닝 노즐(7)은, 덮개(61) 상면 측의 분위기를 흡인함으로써, 덮개(61) 상면의 파티클을 제거하고 있다. 이로 인해, 파티클을 로딩 에어리어 S2 내에 비산시키지 않고 제거할 수 있다. 또한, 클리닝 노즐(7)은 덮개(61)의 상면과 접촉하지 않으므로, 클리닝 노즐(7)을 이동시켜도 덮개(61) 상면을 손상시킬 우려가 없고, 덮개(61)로부터 이격되어 있기 때문에, 덮개(61)로부터의 열영향을 받기 어렵다.The cleaning nozzle 7 of this embodiment sucks the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 to remove particles on the upper surface of the lid 61. [ As a result, the particles can be removed without scattering in the loading area S2. Since the cleaning nozzle 7 does not contact the upper surface of the lid 61, the upper surface of the lid 61 is not damaged even if the cleaning nozzle 7 is moved. Since the cleaning nozzle 7 is spaced from the lid 61, It is difficult to be affected by the heat from the heater 61.

또한, 덮개(61)가 대기 위치에 있을 때에, 파티클의 제거를 행할 수 있으므로, 당해 파티클의 제거를 위한 시간을 별개로 확보할 필요가 없어, 처리량 저하가 억제된다.In addition, since the particles can be removed when the lid 61 is in the standby position, there is no need to separately secure a time for removing the particles, and the reduction in throughput can be suppressed.

또한, 본 실시 형태의 클리닝 노즐(7)은, 노즐 본체(71) 내에 냉매 유로(74)를 구비하는 동시에, 냉매 유로(77)를 구비한 커버 부재(78)에 의해 노즐 이동 기구(75)를 덮고 있다. 이로 인해, 열처리로(2)의 근방에 클리닝 노즐(7)을 설치하는 경우라도, 노즐 본체(71)나 노즐 이동 기구(75)가 냉각되어 있으므로, 열변형 등의 열에 의한 악영향의 발생을 억제할 수 있다.The cleaning nozzle 7 of the present embodiment is provided with the refrigerant passage 74 in the nozzle body 71 and the nozzle moving mechanism 75 by the cover member 78 having the refrigerant passage 77, Respectively. Therefore, even when the cleaning nozzle 7 is provided in the vicinity of the heat treatment furnace 2, since the nozzle body 71 and the nozzle moving mechanism 75 are cooled, the occurrence of adverse effects due to heat such as thermal deformation can be suppressed can do.

또한, 본 실시 형태는 노즐 본체(71)를 덮개(61)에 대하여 접속, 분리 가능하게 설치하여, 덮개(61)가 열처리로(2)로부터 이격된지 얼마 되지 않아, 고온일 때에는 노즐 본체(71)를 덮개(61)로부터 이격시키고, 덮개(61)의 온도가 어느 정도 하락하고나서 노즐 본체(71)를 덮개(61)에 접근시켜서 클리닝 처리를 행하고 있다. 이로 인해, 클리닝 시에는 덮개(61)에 근접해서 흡인하기 쉬운 상태로 설정하고 있으므로, 클리닝 노즐(7)로의 열영향을 가능한 한 억제한 상태에서, 효율적으로 파티클 제거를 행할 수 있다.The nozzle body 71 is connected to and detachably attached to the lid 61 so that the lid 61 is separated from the heat treatment furnace 2 so that the nozzle body 71 Is moved away from the lid 61 and the nozzle body 71 approaches the lid 61 after the temperature of the lid 61 has dropped to some extent to perform the cleaning process. Therefore, at the time of cleaning, the state is set to be close to the lid 61 so as to be easily sucked, so that the particles can be efficiently removed with the thermal influence on the cleaning nozzle 7 suppressed as much as possible.

이상에 있어서, 상기 클리닝 처리는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 클리닝 노즐(7)을, 덮개(61)의 일단부 측으로부터 타단부 측을 향해서 이동시킴으로써, 덮개(61)의 상면 측의 분위기를 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인해서 행하도록 해도 된다. 또한, 도 14에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)의 중심과 클리닝 노즐(7)의 중심 O이 일치하도록 배치하고, 상기 클리닝 노즐(7)의 중심 O을 회전 중심으로 해서 회전시킴으로써, 덮개(61)의 상면 측의 분위기를 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인해서 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다.13, the cleaning nozzle 7 is moved from the one end side of the lid 61 toward the other end side so that the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 But may be sucked by the suction hole 72a. 14, the center of the lid 61 and the center O of the cleaning nozzle 7 coincide with each other, and the center O of the cleaning nozzle 7 is rotated around the center of rotation so that the cover 61 ) May be sucked by the suction hole 72a to perform the cleaning process.

이어서, 다른 실시 형태에 대해서 도 15 내지 도 17를 사용해서 설명한다. 이 예는, 클리닝 노즐(7)을 고정해서 설치하고, 덮개(61) 측을 이동시킴으로써, 덮개(61)의 상면 측의 분위기를 클리닝 노즐(7)의 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인하는 것이다. 이 예의 클리닝 노즐(7)은, 열처리로(2)의 하방 측과 덮개(61)의 대기 위치 사이를 이동하는 덮개(61)의 이동로의 상방 측에 설치되어 있다. 이 클리닝 노즐(7)은, 회전 기구(75A)를 설치하지 않는 것 외에는 상술한 실시 형태와 동일하게 구성되고, 예를 들어 클리닝 처리를 행하는 클리닝 위치와, 이 처리 위치의 상방 측의 대기 위치 사이에서 승강 기구(75B)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다.Next, another embodiment will be described with reference to Figs. 15 to 17. Fig. In this example, the cleaning nozzle 7 is fixed, and the lid 61 side is moved so that the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 is sucked by the suction hole 72a of the cleaning nozzle 7 . The cleaning nozzle 7 of this example is provided above the moving path of the lid 61 moving between the lower side of the heat treatment furnace 2 and the standby position of the lid 61. The cleaning nozzle 7 is constructed in the same manner as in the above embodiment except that the rotation mechanism 75A is not provided. For example, between the cleaning position for performing the cleaning process and the standby position above the process position And can be raised and lowered by a lifting mechanism 75B.

또한, 클리닝 노즐(7)은, 덮개(61)가 노구(20)의 하방 측의 위치와 대기 위치 사이에서 선회 이동했을 때에, 덮개(61)가 클리닝 노즐(7)의 흡인 구멍(72a)의 하방 측을 통과하고, 덮개(61)의 이동에 따라, 당해 덮개(61)의 상면 측의 분위기가 흡인 구멍(72a)에 의해 흡인되도록, 클리닝 노즐(7)의 설치 위치, 형상 및 크기 등이 설정되어 있다.When the lid 61 is pivoted between the position on the lower side of the nog 20 and the standby position, the cleaning nozzle 7 is positioned in the vicinity of the suction hole 72a of the cleaning nozzle 7 Shape and size of the cleaning nozzle 7 so that the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 is sucked by the suction hole 72a as the cover 61 moves Is set.

이러한 구성에서는, 예를 들어 덮개(61)가 열처리로(2)의 노구(20)를 막는 위치로부터 대기 위치로 이동할 때까지는, 클리닝 노즐(7)은 상기 대기 위치에 있다. 그리고, 예를 들어 덮개(61)가 다시 대기 위치로부터 노구(20)의 하방 측으로 이동할 때에, 클리닝 노즐(7)이 클리닝 위치까지 하강하는 동시에, 가스 공급 구멍(73a)으로부터의 가스의 토출 및 흡인 구멍(72a)으로부터의 흡인 배기를 개시하도록, 제어부(100)로부터 각 부로 제어 신호가 출력되도록 구성되어 있다. 이에 의해, 도 16 및 도 17에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)가 상기 대기 위치로부터 노구(20)의 하방 측으로 이동하는 동안에, 클리닝 노즐(7)의 하방 측을 통과하여, 덮개(61)의 상면에 부착된 파티클이 클리닝 노즐(7)에 의해 흡인 제거된다.In this configuration, for example, the cleaning nozzle 7 is in the standby position until the lid 61 moves from the position where the nose 20 of the heat treatment furnace 2 is blocked to the standby position. When the lid 61 moves again from the standby position to the downward side of the nog 20, the cleaning nozzle 7 is lowered to the cleaning position and the gas is discharged from the gas supply port 73a, And control signals are outputted from the control unit 100 to the respective units so as to start the suction and exhaust from the holes 72a. 16 and 17, while the lid 61 is moved from the standby position to the lower side of the nog 20, the liquid passes through the lower side of the cleaning nozzle 7, The particles adhered to the upper surface are sucked and removed by the cleaning nozzle 7.

또한, 클리닝 노즐(7A)은, 예를 들어 도 18에 나타낸 바와 같이, 평면 형상이 원호를 그리는 형상이어도 되고, 예를 들어 도 19에 나타낸 바와 같이, 평면 형상이 환형상이어도 된다. 이들 클리닝 노즐(7A, 7B)의 노즐 본체(71)는, 평면 형상이 다른 것 외에는, 상술한 클리닝 노즐(7)과 동일하게 구성되어 있다. 이 클리닝 노즐(7A, 7B)과 덮개(61)는 상대적으로 이동하면 되고, 클리닝 노즐(7A, 7B)측을 고정해서 설치하고, 덮개(61)가 예를 들어 대기 위치로부터 열처리로(2)의 노구(20)의 하방 측으로 이동할 때에 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다. 또한, 덮개(61)가 대기 위치에 있을 때에, 클리닝 노즐(7A, 7B) 측을 이동시켜서 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다.18, the cleaning nozzle 7A may have a planar shape that draws an arc, for example, as shown in Fig. 19, the planar shape may be an annular shape as shown in Fig. The nozzle body 71 of these cleaning nozzles 7A and 7B is configured in the same manner as the above-described cleaning nozzle 7 except that the planar shape is different. The cleaning nozzles 7A and 7B and the lid 61 are moved relative to each other so that the cleaning nozzles 7A and 7B are fixed to the lid 61. When the lid 61 is moved from the standby position to the heat treatment furnace 2, The cleaning process may be performed when the nose 20 moves downward. When the cover 61 is in the standby position, the cleaning nozzles 7A and 7B may be moved to perform the cleaning process.

또한, 상기 클리닝 노즐(7, 7A, 7B)은, 적어도 덮개(61)의 상면 측의 분위기를 흡인할 수 있는 구조이면 되고, 반드시 덮개(61) 상면으로의 가스 공급이 필요한 것도 아니다. 또한, 덮개(61)의 상면을 향해서 가스 공급을 행할 때에는, 예를 들어 도 20에 클리닝 노즐[7A(7B)]을 나타낸 바와 같이, 클리닝 노즐[7A(7B)]의 상대적 이동 방향의 전방 측(진행 측)에 가스 공급실(73), 후방 측에 배기실(72)을 형성하도록 해도 되고, 도시는 하지 않지만 클리닝 노즐[7A(7B)]의 상대적 이동 방향의 전방측(진행 측)에 배기실(72), 후방 측에 가스 공급실(73)을 형성하도록 해도 된다. 또한, 가스 공급실(73)에는 초음파 발생 수단을 설치하도록 해도 된다.The cleaning nozzles 7, 7A, and 7B may be configured to suck at least the atmosphere on the upper surface side of the lid 61 and not necessarily supply gas to the upper surface of the lid 61. When gas is supplied toward the upper surface of the lid 61, as shown in Fig. 20, for example, the cleaning nozzles 7A (7B) are arranged on the front side of the cleaning nozzle 7A (7B) A gas supply chamber 73 may be formed on the upstream side of the cleaning nozzle 7A (7B) and an exhaust chamber 72 may be formed on the rear side of the cleaning nozzle 7A (7B) The chamber 72 and the gas supply chamber 73 may be formed on the rear side. The gas supply chamber 73 may be provided with an ultrasonic wave generating means.

또한, 파티클 제거 기구는, 파티클을 흡인해서 제거하는 구성이면 되고, 도 21에 나타낸 바와 같이, 대기 위치에 있는 덮개(61)의 상방 측에, 예를 들어 덮개(61) 보다도 평면 형상이 크고 편평한 흡인 배기실(81)을 상기 덮개(61)과 대향하도록 설치하고, 덮개(61)의 상면 근방의 분위기를 흡인함으로써, 덮개(61)에 부착된 파티클을 제거하도록 해도 된다. 도 21 중 82는, 흡인 배기실(61)의 하면에 형성된 흡인 구멍이다. 이때, 도 21에 점선으로 나타낸 바와 같이, 덮개(61)의 상면을 향해서 가스를 공급하는 가스 공급부(82)를 설치하도록 해도 된다. 또한, 예를 들어 흡인 배기실(71)을 덮개(61)보다도 평면 형상이 작게 구성된 경우 등에는, 파티클 제거 기구를 이동 기구에 의해 상기 덮개(61)에 대하여 이동 가능하게 구성해도 된다.As shown in Fig. 21, the particle removing mechanism may have a configuration in which the particle shape is larger and flat than the lid 61, for example, on the upper side of the lid 61 in the waiting position The suction exhaust chamber 81 may be provided so as to face the lid 61 and the atmosphere attached to the upper surface of the lid 61 may be sucked to remove the particles attached to the lid 61. [ In Fig. 21, reference numeral 82 denotes a suction hole formed in the lower surface of the suction / exhaust chamber 61. At this time, as shown by a dotted line in Fig. 21, a gas supply portion 82 for supplying gas toward the upper surface of the lid 61 may be provided. Further, for example, when the suction exhaust chamber 71 is configured to have a smaller planar shape than the lid 61, the particle removing mechanism may be configured to be movable with respect to the lid 61 by a moving mechanism.

또한, 도 21에 나타낸 타입의 파티클 제거 기구 및 파티클을 불어 날려버려서 제거하는 타입의 파티클 제거 기구는, 모두 당해 파티클 제거 기구를 냉각하는 냉각 기구를 구비하도록 구성해도 되고, 이들 파티클 제거 기구를 덮개에 대하여 상대적으로 접속 분리시키는 접속 분리 기구를 구비하도록 해도 된다.In addition, the particle removing mechanism of the type shown in FIG. 21 and the particle removing mechanism of the type of blowing away the particles may be all provided with a cooling mechanism for cooling the particle removing mechanism, And a connecting / separating mechanism for relatively connecting and disconnecting the connecting terminal.

또한, 덮개(61)의 이동 기구(84)는, 도 22에 나타낸 바와 같이, 덮개(61)를 대기 위치로부터 노구(20)의 하방 측 위치까지 수평 방향으로 진퇴 이동시키는 진퇴 기구(84A)와, 덮개(61)를 승강시키는 승강 기구(84B)를 조합해서 설치한 것이어도 된다. 또한, 덮개(61)는 대기 위치로부터 노구(20)의 하방 측으로 수평 이동하는 구성에 한정되지 않고, 예를 들어 덮개(61)를 노구(20)의 하방 측에 대략 수직으로 세우도록 해서 대기시키도록 해도 되고, 덮개(61)를 일단 노구(20)의 하방 측으로 대략 수직으로 세우고나서, 클리닝 대상이 되는 면이 하측을 향하도록 수평으로 해서 대기시키도록 해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 각각 대기 위치에 있을 때에, 파티클 제거 기구에 의해 상술한 클리닝 처리가 행해진다.22, the moving mechanism 84 of the lid 61 includes the advancing and retreating mechanism 84A for moving the lid 61 in the horizontal direction from the standby position to the lower side position of the nog 20, And a lifting mechanism 84B for lifting and lowering the lid 61 may be combined. The lid 61 is not limited to a structure in which the lid 61 is horizontally moved from the standby position to the downward side of the nail 20. For example, Alternatively, the lid 61 may be placed vertically to the lower side of the nog 20 at one end, and then horizontally positioned so that the surface to be cleaned faces downward. In this case, for example, in the standby position, the above-described cleaning processing is performed by the particle removing mechanism.

또한, 접속 분리 기구로서 덮개(61)의 승강 기구를 이용하도록 해도 된다. 예를 들어 덮개(61)는 노구(20)를 막을 때의 높이 위치보다도 하강시키고나서 선회 이동 또는 수평 이동하도록 구성되어 있지만, 이 이동시의 높이 위치를, 클리닝 노즐(7)에 접근하는 높이 위치와, 클리닝 노즐(7)로부터 이격하는 높이 위치로 설정 가능하게 구성한다. 그리고, 덮개(61)의 온도가 높을 때에는, 클리닝 노즐(7)로부터 이격하는 높이 위치에서 이동하고, 클리닝 처리를 행할 때에는 클리닝 노즐(7)에 접근하는 높이 위치로 설정하도록 구성해도 된다.Further, the lifting mechanism of the lid 61 may be used as the connection separating mechanism. For example, the cover 61 is configured to be lowered than the height position when the nog 20 is closed, and then pivotally moved or horizontally moved. However, the height position at the time of this movement can be set at a height position approaching the cleaning nozzle 7 , And the cleaning nozzle (7). When the temperature of the lid 61 is high, the lid 61 is moved at a height position spaced apart from the cleaning nozzle 7, and when the lid 61 is cleaned, it may be set at a height position approaching the cleaning nozzle 7.

또한, 클리닝 처리는, 덮개(61)가 노구(20)를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때이면, 어느 타이밍에서 행하도록 해도 된다. 덮개(61)가 노구(20)를 막는 위치로부터 벗어나 있는 때란, 덮개(61)가 노구(20)의 하방 측에 있는 경우도 포함된다. 따라서, 노구(20)를 막고 있었던 덮개(61)가 대기 위치로 복귀되고, 이 대기 위치로부터 다시 노구(20)를 막는 동안이면, 어느 타이밍에서 행하도록 해도 된다. 또한, 덮개(61)가 노구(20)를 막는 위치로부터 벗어나 있는 때에, 정기적으로 덮개(61)의 클리닝을 행하도록 해도 된다.The cleaning process may be performed at any timing when the lid 61 is out of position to block the nog 20. The case where the lid 61 is located on the lower side of the nog 20 when the lid 61 is out of position to block the nog 20 is also included. Therefore, the lid 61, which has blocked the nog 20, may be returned to the standby position and may be performed at any timing while blocking the nog 20 from the standby position. Further, the lid 61 may be cleaned periodically when the lid 61 is out of position to block the nog 20.

또한, 냉각 기구는 파티클 제거 기구를 냉각할 수 있는 구성이면, 상술한 구성에 한정되지 않고, 예를 들어 파티클 제거 기구에 냉각 가스를 분사함으로써 냉각하는 구성이어도 된다. 단 클리닝 노즐 및 파티클 제거 기구에는, 도 20에 클리닝 노즐을 예로서 나타낸 바와 같이, 반드시 냉매 유로 등의 냉각 기구를 설치할 필요는 없다.The cooling mechanism is not limited to the above-described configuration as long as the cooling mechanism can cool the particle removing mechanism. For example, the cooling mechanism may be configured to cool the particle removing mechanism by injecting cooling gas. The cleaning nozzle and particle removing mechanism need not necessarily be provided with a cooling mechanism such as a refrigerant passage as shown in the cleaning nozzle in Fig.

또한, 클리닝 노즐 및 파티클 제거 기구에는, 반드시 이들을 덮개(61)에 대하여 상대적으로 접속 분리시키는 접속 분리 기구를 설치할 필요는 없다. 또한, 파티클 제거 기구 및 덮개(61)의 양쪽을 이동시키면서, 덮개(61)의 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다.The cleaning nozzle and the particle removing mechanism need not necessarily be provided with a connection separating mechanism for relatively connecting and separating them from the lid 61. Further, the lid 61 may be cleaned while moving both the particle removing mechanism and the lid 61.

또한, 덮개(61)가 노구(20)를 막는 타이밍은, 열처리로(2)가 가열되고, 또한 웨이퍼 보트(3)가 언로드되었을 경우에 한정되지 않고, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2)에 로드되어 있지 않은 경우에는, 상시 덮개(61)에 의해 노구(20)를 막도록 해도 된다. 또한, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2)에 로드되었을 때에 노구(20)를 막는 처리용의 덮개와, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2)에 언로드되었을 때에 노구(20)를 막는 덮개로서, 공통의 덮개를 사용하도록 해도 된다.The timing at which the lid 61 closes the nog 20 is not limited to the case where the heat treatment furnace 2 is heated and the wafer boat 3 is unloaded and the timing at which the wafer boat 3 is closed by the heat treatment furnace 2 The lid 20 may be closed by the lid 61 at all times. A lid for covering the nose 20 when the wafer boat 3 is loaded in the heat treatment furnace 2 and a lid for closing the nose 20 when the wafer boat 3 is unloaded to the heat treatment furnace 2 As the cover, a common cover may be used.

(제1 실시예)(Embodiment 1)

상술한 도 1 내지 도 3에 나타내는 종형 열처리 장치를 사용하여, 파티클로서 2산화티탄(TiO2)의 분말을 열처리로(2) 내에 강제적으로 부착시키고, 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착 상황에 대해서 검증했다. 이때, 열처리로(2) 내에 공급로(2A)를 통해서 N2 가스를 공급하는 한편, 열처리로(2) 내를 배기로(2B)을 통해서 배기하고, 열처리로 내(2)의 압력을 변화시켜, 실험을 행했다. 또한, 파티클을 덮개(61)의 상면에 부착시켰을 경우(제1-1 실시예), 웨이퍼 보트(3)의 바닥판(32)에 부착시켰을 경우(제1-2 실시예), 열처리로(2)의 배기로(2B) 내에 부착시켰을 경우(제1-3 실시예)에 대해서, 각각 웨이퍼(W)의 파티클 수를 측정했다.The titanium oxide (TiO 2 ) powder as a particle is forcibly adhered in the heat treatment furnace 2 by using the above-described vertical type heat treatment apparatus shown in Figs. 1 to 3, and the adhesion state of the particles to the wafer W Verified. At this time, N 2 gas is supplied into the heat treatment furnace 2 through the supply path 2A while the inside of the heat treatment furnace 2 is evacuated through the exhaust path 2B and the pressure of the inside of the heat treatment furnace 2 is changed And an experiment was conducted. When the particles are adhered to the bottom plate 32 of the wafer boat 3 (Example 1-2), the heat treatment furnace (first embodiment) The number of particles of the wafer W was measured for each of the cases (Example 1-3) in which the wafer W was placed in the exhaust passage 2B of the wafer W.

이 결과를 도 23에 나타낸다. 도 23 중 획축은, 열처리로(2) 내의 압력과 로딩 에어리어(S2)의 압력의 압력차, 종축은 1매의 웨이퍼(W)에 부착된 0.1㎛ 이상의 크기의 파티클 수를 각각 나타내고 있다. 이때, 상기 압력차는 열처리로(2) 내의 압력으로부터 로딩 에어리어(S2) 내의 압력을 빼서 구해지는 것이며, 압력차가 -5Torr(666.6Pa)이라는 것은, 로딩 에어리어(S2) 내의 압력이 열처리로(2)보다도 5Torr 낮은 것을 의미하고 있다. 또한, 도면 중 □는 제1-1 실시예, ◇는 제1-2 실시예, △는 제1-3 실시예의 데이터를 각각 나타내고 있다.The results are shown in Fig. 23, the stroke axis indicates the pressure difference between the pressure in the heat treatment furnace 2 and the pressure in the loading area S2, and the vertical axis indicates the number of particles having a size of 0.1 m or more adhered to one wafer W, respectively. The pressure difference is -5 Torr (666.6 Pa) when the pressure in the loading area S2 is higher than the pressure in the heat treatment furnace 2, 5 < RTI ID = 0.0 > Torr < / RTI > In the drawings, □ represents the data of the first embodiment, ◇ represents the data of the first and second embodiments, and Δ represents the data of the first and third embodiments.

이 결과에 의해, 덮개(61)에 파티클을 부착시켰을 경우(제1-1 실시예)가 가장 웨이퍼(W) 표면의 파티클 수가 많아지는 것이 확인되었다. 또한, 어느 실시예에 있어서도, 로딩 에어리어(S2) 내와 열처리로(2) 내의 압력차가 작은 경우에는, 상기 압력차가 큰 경우보다도 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클 수가 적어지는 것이 확인되었다. 이때, 파티클의 임계값을 1매의 웨이퍼(W)에 대하여 100개라고 설정하면, 파티클 수가 상기 임계값 이하로 되는 압력차는, 제1-1 실시예에서는 0 내지 3Torr(0 내지 400Pa)이며, 다른 실시예에 비해, 이 압력차가 작은 것이 확인되었다.As a result, it was confirmed that the number of particles on the surface of the wafer W became the largest when the particles were adhered to the lid 61 (Example 1-1). Further, in any of the examples, it was confirmed that the number of particles attached to the wafer W was smaller than that in the case where the pressure difference in the loading area S2 and the heat treatment furnace 2 was small. At this time, if the threshold value of the particles is set to 100 for one wafer W, the pressure difference at which the number of particles becomes equal to or less than the threshold value is 0 to 3 Torr (0 to 400 Pa) in the 1-1 embodiment, Compared with other embodiments, it has been confirmed that this pressure difference is small.

이들로부터, 덮개(61)에 파티클을 부착시켰을 경우(제1-1 실시예)는, 가장 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되기 쉽고, 로딩 에어리어(S2) 내와 열처리로(2) 내의 압력차가 커지면, 보다 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되기 쉬운 상태가 되는 것이 확인된다. 이로 인해, 본 발명과 같이 덮개(61)를 폐쇄하기 전에, 당해 덮개(61)에 부착된 파티클을 흡인 제거하는 것은, 웨이퍼(W)의 파티클 오염을 억제하기 위해서 유효한 것이 이해된다. In the case where particles are adhered to the lid 61 (Example 1-1), it is easy to attach particles to the wafer W and the pressure difference in the loading area S2 and the heat treatment furnace 2 It is confirmed that the particles are more likely to adhere to the wafer W. [ It is therefore understood that suction and removal of the particles attached to the lid 61 before the lid 61 is closed as in the present invention is effective for suppressing particle contamination of the wafer W. [

(제2 실시예) 도 1에 나타낸 열처리로(2)에 있어서, 열처리로(2)의 내벽에 형성된 막의 누적 막 두께가 4㎛가 되었을 때에, 당해 열처리로(2)에 클리닝 가스를 공급해서 소정의 클리닝 처리를 행하고, 그 후, 덮개(61)에 부착된 파티클의 검증을 행했다. 상기 클리닝 처리는, 제1 클리닝 처리와 제2 클리닝 처리의 2단계로 했다. 제1 클리닝 처리에서는, 클리닝 가스로서 불소(F2) 가스와 불화 수소(HF) 가스를 1:1의 유량으로 공급하고, 압력:150Torr(20kPa), 온도:300℃ 하, 240분간 클리닝을 행했다. 또한, 제2 클리닝 처리에서는, 클리닝 가스로서 불소 가스와 불화 수소 가스를 3:1의 유량으로 공급하는 동시에, 질소(N2) 가스도 공급하고, 3종의 가스를 합쳐서 3slm의 유량으로 공급했다. 그리고, 압력:150Torr(20kPa), 온도:475℃ 하, 80분간 클리닝을 행했다.(Second Embodiment) In the heat treatment furnace 2 shown in Fig. 1, when the accumulated film thickness of the film formed on the inner wall of the heat treatment furnace 2 becomes 4 m, a cleaning gas is supplied to the heat treatment furnace 2 A predetermined cleaning process was performed, and thereafter, the particles attached to the lid 61 were verified. The cleaning process was performed in two steps of a first cleaning process and a second cleaning process. In the first cleaning treatment, fluorine (F 2 ) gas and hydrogen fluoride (HF) gas were supplied as a cleaning gas at a flow rate of 1: 1 and cleaning was performed at a pressure of 150 Torr (20 kPa) and a temperature of 300 ° C. for 240 minutes . In the second cleaning treatment, fluorine gas and hydrogen fluoride gas were supplied as a cleaning gas at a flow rate of 3: 1, and nitrogen (N 2 ) gas was also supplied, and the three kinds of gases were supplied at a flow rate of 3 slm . Then, cleaning was carried out at a pressure of 150 Torr (20 kPa) and a temperature of 475 deg. C for 80 minutes.

또한, 파티클의 검증에 대해서는 다음과 같이 행했다. 우선, 덮개(61)의 상면에, 그 중심으로부터 외주까지 직경 방향을 따라서 카본 테이프를 부착하고나서 박리하고, 당해 테이프에 덮개(61)의 파티클을 부착시켰다. 이렇게 해서, 테이프의 길이 방향으로 약 3㎝마다 8군데의 포인트를 설정하고, 각각의 개소에 대해서 광학 현미경 사진을 촬상했다. 또 테이프의 부착물에 대해서, 전자선 마이크로 분석(EPMA)에 의한 원소 분석을 했다.The particle was verified as follows. First, a carbon tape was attached to the upper surface of the lid 61 along the radial direction from the center to the outer periphery of the lid 61, then peeled off, and particles of the lid 61 were attached to the tape. In this way, eight points were set every 3 cm in the longitudinal direction of the tape, and an optical microscope photograph was taken at each of the points. Elemental analysis by electron beam microanalysis (EPMA) was also performed on the adherence of the tape.

이 결과, 광학 현미경 사진에 의한 관찰에서는, 덮개(61)의 외주 근방에서는 이물질이 확인되지 않았지만, 그 밖의 포인트에서는 이물질이 관찰되었다. 그리고, EPMA 분석의 결과, 이물질로서는, 질화 규소나, 규소 화합물과 유기물의 혼합물, 유기물, 질소를 포함하는 유기물 등이 포함될 가능성이 있는 것이 확인되었다. 이에 의해, 덮개(61)에 부착된 파티클은, 성막된 막이 박리된 것이나, 석영제의 웨이퍼 보트(3)의 열화에 의해 파티클로 된 것 등이라고 추찰된다.As a result, no foreign matter was observed in the vicinity of the outer periphery of the lid 61 in observation with an optical microscope photograph, but foreign matter was observed at other points. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that silicon nitride, a mixture of a silicon compound and an organic substance, an organic substance, and an organic substance containing nitrogen could be included as a foreign substance. As a result, the particles adhering to the lid 61 are assumed to be particles of the film formed by the peeling off of the film or by the deterioration of the quartz wafer boat 3.

W : 반도체 웨이퍼
C : FOUP
2 : 열처리로
3A, 3B : 웨이퍼 보트
41 : 보트 엘리베이터
6 : 덮개 개폐 기구
61: 덮개 이동 기구
7 : 클리닝 노즐
71 : 노즐 본체
72a: 흡인 구멍
75: 노즐 이동 기구W: Semiconductor wafer
C: FOUP
2: Heat treatment furnace
3A, 3B: wafer boat
41: Boat elevator
6: Cover opening / closing mechanism
61: cover moving mechanism
7: Cleaning nozzle
71: nozzle body
72a: suction hole
75: nozzle moving mechanism

Claims (5)

복수의 기판이 선반 형상으로 보유 지지된 기판 보유 지지구를 종형의 열처리로 내에, 당해 열처리로의 하방 측에 형성된 개구부로부터 반입되고, 기판에 대하여 열처리를 행하는 장치에 있어서,
상기 열처리로의 하방 측에 위치하는 로딩실과,
이 로딩실 내에 설치되고, 열처리로 내와 열처리로의 하방 측 사이에서 상기 기판 보유 지지구를 승강시키는 보유 지지구 승강 기구와,
상기 기판 보유 지지구가 상기 열처리로의 하방 측에 위치하고 있을 때에, 상기 개구부를 막는 덮개와,
상기 덮개를, 상기 개구부를 막는 위치와, 상기 개구부를 개방하는 위치 사이에서 이동시키는 덮개 이동 기구와,
상기 로딩실 내에 설치되고, 상기 덮개가 상기 개구부를 막는 위치로부터 벗어나 있을 때에, 당해 덮개의 상면의 파티클을 흡인해서 제거하는 파티클 제거 기구를 구비하며,
상기 파티클 제거 기구를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.There is provided an apparatus for carrying a substrate holding support having a plurality of substrates held in a form of a shelf from an opening formed on a lower side of the heat treatment furnace in a vertical type furnace and performing heat treatment on the substrate,
A loading chamber located on the lower side of the heat treatment furnace,
A holding and holding unit provided in the loading chamber for raising and lowering the substrate holding support between the inside of the heat treatment furnace and the lower side of the heat treatment furnace,
A cover which closes the opening when the substrate holder support is located on the lower side of the heat treatment furnace,
A lid moving mechanism for moving the lid between a position for closing the opening and a position for opening the opening,
And a particle removing mechanism that is provided in the loading chamber and sucks and removes particles on the upper surface of the lid when the lid is out of position to block the opening,
And a cooling mechanism for cooling the particle removing mechanism. 제1항에 있어서, 상기 파티클 제거 기구는, 상기 덮개의 상면 측의 분위기를 흡인하기 위한 흡인 구멍이 형성된 클리닝 노즐을 구비한 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the particle removing mechanism includes a cleaning nozzle having a suction hole for sucking the atmosphere on the upper surface side of the lid. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파티클 제거 기구를 상기 덮개에 대하여 이동시키는 이동 기구를 구비한 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a moving mechanism for moving the particle removing mechanism relative to the lid. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파티클 제거 기구를 덮개에 대하여 상대적으로 접속 분리시키는 접속 분리 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a connection separating mechanism for separating and connecting the particle removing mechanism relative to the lid.
KR20120079183A 2011-07-22 2012-07-20 Heat treatment apparatus KR101509858B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-161025 2011-07-22
JP2011161025A JP5724713B2 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Heat treatment equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130011969A KR20130011969A (en) 2013-01-30
KR101509858B1 true KR101509858B1 (en) 2015-04-07

Family

ID=47784475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20120079183A KR101509858B1 (en) 2011-07-22 2012-07-20 Heat treatment apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5724713B2 (en)
KR (1) KR101509858B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230033116A (en) * 2021-08-27 2023-03-08 주식회사 안머터리얼즈 Explosive puffing Reactor for Preparation of Porous Materials

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101390474B1 (en) * 2013-04-08 2014-05-07 주식회사 유진테크 Apparatus for processing substrate
CN104342631B (en) * 2013-07-24 2016-12-07 广东先导稀材股份有限公司 Chemical vapor deposition stove
JP6675948B2 (en) * 2016-08-03 2020-04-08 東京エレクトロン株式会社 Lid and substrate processing apparatus using the same
JP2019009370A (en) * 2017-06-28 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 Cleaning nozzle lid, heat treatment apparatus, and cleaning method of heat treatment apparatus lid
CN112011831B (en) * 2019-05-30 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 A switch door subassembly and vertical heat treatment furnace for vertical heat treatment furnace

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189558A (en) * 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp Cleaning device for manufacturing device of semiconductor device
WO2005029566A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Hitachi Kokusai Electric Inc. Process for producing semiconductor device and substrate treating apparatus
JP2005093489A (en) 2003-09-12 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189558A (en) * 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp Cleaning device for manufacturing device of semiconductor device
JP2005093489A (en) 2003-09-12 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment device
WO2005029566A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Hitachi Kokusai Electric Inc. Process for producing semiconductor device and substrate treating apparatus
US20070259532A1 (en) 2003-09-19 2007-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Producing Method of Semiconductor Device and Substrate Processing Apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230033116A (en) * 2021-08-27 2023-03-08 주식회사 안머터리얼즈 Explosive puffing Reactor for Preparation of Porous Materials
KR102564121B1 (en) 2021-08-27 2023-08-08 주식회사 안머터리얼즈 Explosive puffing Reactor for Preparation of Porous Materials

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130011969A (en) 2013-01-30
JP2013026504A (en) 2013-02-04
JP5724713B2 (en) 2015-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101509858B1 (en) Heat treatment apparatus
KR100859602B1 (en) Substrate processing equipment and semiconductor device manufacturing method
KR101524177B1 (en) Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
US7935185B2 (en) Film forming system and film forming method
KR101155535B1 (en) Vacuum processing system
JP5048590B2 (en) Substrate processing equipment
KR102354226B1 (en) Substrate processing apparatus, deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium
TWI603401B (en) Operating method of vertical heat treatment apparatus, storage medium, and vertical heat treatment apparatus
JP2009200142A (en) Film forming device and film forming method
JP2012138540A (en) Vacuum processing apparatus
JP2002175999A (en) Substrate processor
KR20110072354A (en) Substrate processing system and cleaning module for the same
KR101399904B1 (en) Apparatus for cleaning substrate with plasma
JP2016066689A (en) Container cleaning device and container cleaning method
JP2008235302A (en) Equipment and method for processing substrate
JP2009004642A (en) Device for treating substrate
JP2005050955A (en) Substrate processor
JP2005268244A (en) Substrate treatment apparatus
KR102171647B1 (en) Lid member and substrate processing apparatus using the same
JP3856726B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP5785062B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR20120030917A (en) Vacuum processing apparatus
JP2005347667A (en) Semiconductor fabrication device
TW202006862A (en) Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method
JP3966884B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 5