KR102171647B1 - Lid member and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

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KR102171647B1
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고유 하세가와
도시히로 아베
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Abstract

본 발명은, 부생성물의 부착 자체를 방지할 수 있는 덮개체 및 이것을 사용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
금속판과,
해당 금속판 상에 설치된 석영판과,
상기 석영판을 관통하여, 상기 금속판의 소정 깊이까지 설치된 나사 구멍과,
해당 나사 구멍에 삽입되어, 상기 석영판을 상기 금속판에 고정하는 나사와,
상면에서 볼 때 해당 나사보다도 내측에 설치되어, 상기 석영판과 상기 금속판 사이의 간극에 퍼지 가스의 공급이 가능하도록, 상기 금속판의 내부로부터 상기 석영판의 저면을 향해 퍼지 가스를 공급 가능한 퍼지 가스 공급 구멍을 갖는다.An object of the present invention is to provide a cover body capable of preventing adhesion of by-products itself, and a substrate processing apparatus using the same.
Metal plate,
A quartz plate installed on the metal plate,
A screw hole penetrating the quartz plate and provided to a predetermined depth of the metal plate,
A screw inserted into the screw hole to fix the quartz plate to the metal plate,
A purge gas supply capable of supplying a purge gas from the inside of the metal plate toward the bottom of the quartz plate so that a purge gas can be supplied to the gap between the quartz plate and the metal plate by being installed inside the screw when viewed from the top Has a hole

Figure R1020170096746
Figure R1020170096746

Description

덮개체 및 이것을 사용한 기판 처리 장치{LID MEMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}Cover body and substrate processing apparatus using the same {LID MEMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은, 덮개체 및 이것을 사용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a lid and a substrate processing apparatus using the lid.

종래부터, 기판을 출납하는 노구를 갖는 처리실과, 처리실의 노구를 개폐하는 개폐 도어와, 개폐 도어의 개방 위치에 있어서 개폐 도어 주위의 적어도 일부를 둘러싸는 포위부와, 포위부 내를 강제적으로 배기하는 배기 수단을 갖고, 포위부 내를 강제 배기함으로써, 개폐 도어에 부착된 부생성물이 굳어지는 것을 방지하도록 한 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, a processing chamber having a furnace opening for loading and unloading substrates, an opening and closing door for opening and closing the furnace opening of the processing chamber, an enclosure surrounding at least a part of the opening and closing door at the open position of the opening and closing door, and forcibly exhausting the inside of the enclosure [0003] A substrate processing apparatus is known that has an exhaust means for preventing the by-products adhering to the opening and closing door from hardening by forcibly exhausting the inside of the surrounding portion (see, for example, Patent Document 1).

일본 특허 공개 제2005-93489호 공보Japanese Patent Publication No. 2005-93489

그러나, 특허문헌 1에 기재된 구성에서는, 개폐 도어에 부생성물이 부착되는 것을 방지할 수는 없기 때문에, 부착된 부생성물 중, 어느 정도의 부생성물의 잔류는 방지할 수 없다.However, in the configuration described in Patent Literature 1, since it is not possible to prevent by-products from adhering to the opening and closing door, it is not possible to prevent a certain amount of by-products remaining among the adhered by-products.

그래서, 본 발명은, 부생성물의 부착 자체를 방지할 수 있는 덮개체 및 이것을 사용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a cover body capable of preventing adhesion of by-products itself, and a substrate processing apparatus using the same.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 덮개체는, 금속판과,In order to achieve the above object, the cover body according to one embodiment of the present invention, a metal plate,

해당 금속판 상에 설치된 석영판과,A quartz plate installed on the metal plate,

상기 석영판을 관통하여, 상기 금속판의 소정 깊이까지 설치된 나사 구멍과,A screw hole penetrating the quartz plate and provided to a predetermined depth of the metal plate,

해당 나사 구멍에 삽입되어, 상기 석영판을 상기 금속판에 고정하는 나사와,A screw inserted into the screw hole to fix the quartz plate to the metal plate,

상면에서 볼 때 해당 나사보다도 내측에 설치되어, 상기 석영판과 상기 금속판 사이의 간극에 퍼지 가스의 공급이 가능하도록, 상기 금속판의 내부로부터 상기 석영판의 저면을 향해 퍼지 가스를 공급 가능한 퍼지 가스 공급 구멍을 갖는다.A purge gas supply capable of supplying a purge gas from the inside of the metal plate toward the bottom of the quartz plate so that a purge gas can be supplied to the gap between the quartz plate and the metal plate by being installed inside the screw when viewed from the top Has a hole

본 발명에 따르면, 부생성물의 덮개체로의 부착 자체를 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent adhesion of by-products to the lid itself.

도 1은 상기 종형 열처리 장치의 내부를 도시한 평면도이다.
도 2는 종형 열처리 장치를 우측방측으로부터 본 종단면도다.
도 3은 종형 열처리 장치를 후방측으로부터 본 종단면도다.
도 4는 열처리로, 웨이퍼 보트 및 덮개체의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 참고예에 관한 덮개체를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체의 일례의 표면을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 실시 형태에 따른 덮개체의 일례의 이면을 도시한 평면도이다.
도 8은 도 6의 A-A 단면을 도시한 도면이다.
도 9는 도 6의 B-B 단면을 도시한 도면이다.
도 10은 도 6의 B-B 단면을 도시한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체의 석영판의 일례의 평면 형상을 도시한 도면이다.
도 12는 도 6의 A-A 단면을 도시한 제2 도면이다.
도 13은 도 6의 B-B 단면을 도시한 제2 도면이다.
도 14는 도 13의 상면 확대도이다.
도 15는 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체의 진동 억제 구성의 일례를 도시한 사시도이다.
도 16은 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체의 진동 억제 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체의 일례 전체 구성을 도시한 도면이다.
도 18은 퍼지 가스 공급관에 가스 가열기를 설치하는 구성에 대하여 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the inside of the vertical heat treatment apparatus.
Fig. 2 is a vertical cross-sectional view of a vertical heat treatment apparatus viewed from the right side.
3 is a vertical cross-sectional view of a vertical heat treatment apparatus viewed from the rear side.
4 is a perspective view of a heat treatment furnace, a wafer boat and a lid.
5 is a view showing a lid according to a reference example of the present invention.
6 is a plan view showing the surface of an example of a lid according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing the rear surface of an example of a lid according to the present embodiment.
8 is a view showing a cross-section AA of FIG. 6.
9 is a diagram illustrating a cross section taken along BB of FIG. 6.
10 is a perspective view illustrating a cross section taken along BB of FIG. 6.
11 is a diagram showing a planar shape of an example of a quartz plate of a lid according to an embodiment of the present invention.
12 is a second diagram illustrating a cross-section AA of FIG. 6.
13 is a second diagram illustrating a cross section taken along BB of FIG. 6.
14 is an enlarged view of the top surface of FIG. 13.
15 is a perspective view showing an example of a vibration suppression configuration of a lid body according to an embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view showing an example of a vibration suppression configuration of a lid according to an embodiment of the present invention.
17 is a diagram showing an example overall configuration of a lid body according to an embodiment of the present invention.
18 is a diagram for describing a configuration in which a gas heater is installed in a purge gas supply pipe.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태 설명을 행한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment for carrying out this invention is described with reference to drawings.

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체를 적합하게 적용 가능한 종형 열처리 장치의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 상기 종형 열처리 장치의 내부를 도시한 평면도이다. 또한, 도 1에 있어서, 지면 안측을 전방측, 지면 전방측을 후방측, 도 1 중 X 방향을 좌우 방향, 도 1 중 Y 방향을 전후 방향으로 하여 설명한다. 도 2는 종형 열처리 장치를 우측방측으로부터 본 종단면도, 도 3은 후방측으로부터 본 종단면도다. 도 1, 2에 있어서, 장치의 외장체를 구성하는 하우징(1)이 도시되어 있다. 하우징(1) 내에는, 기판인 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(C)를 장치에 대하여 반입, 반출하기 위한 반입 반출 영역(S1)과, 캐리어(C) 내의 웨이퍼를 반송하여 후술하는 열처리로 내에 반입하기 위한 로딩실인 로딩 에어리어(S2)가 설치되어 있다. 반입 반출 영역(S1)과 로딩 에어리어(S2)는 격벽(11)에 의해 구획되어 있고, 반입 반출 영역(S1)은 대기 분위기로 되며, 로딩 에어리어(S2)는 예를 들어 청정 건조 기체 분위기(파티클 및 유기 성분이 적고, 노점 -60℃ 이하의 공기)로 되어 있다.First, an embodiment of a vertical heat treatment apparatus to which a lid body according to an embodiment of the present invention can be suitably applied will be described. 1 is a plan view showing the inside of the vertical heat treatment apparatus. In addition, in FIG. 1, the inner side of the paper will be the front side, the front side of the paper will be the rear side, the X direction in Fig. 1 is the left and right direction, and the Y direction in Fig. 1 is the front and rear directions. Fig. 2 is a longitudinal sectional view of the vertical heat treatment apparatus viewed from the right side, and Fig. 3 is a longitudinal sectional view viewed from the rear side. In Figs. 1 and 2, a housing 1 constituting an exterior body of the device is shown. In the housing 1, a carry-in/out area (S1) for carrying in and out of the carrier (C) containing the wafer (W) as a substrate to and from the apparatus, and a heat treatment furnace to be described later by transferring the wafer in the carrier (C). A loading area S2, which is a loading chamber for carrying in, is installed. The carry-in/out area (S1) and the loading area (S2) are partitioned by a partition wall 11, the carry-in/out area (S1) becomes an atmospheric atmosphere, and the loading area (S2) is, for example, a clean dry gas atmosphere (particle And there are few organic components, and the dew point is -60 degreeC or less air).

도 1에 도시된 바와 같이, 반입 반출 영역(S1)은, 전방측의 제1 영역(12)과 안측의 제2 영역(13)을 포함한다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 영역(12)에는, 캐리어(C)를 적재하기 위한 제1 적재대(14)가 설치되어 있다. 캐리어(C)로서는, 예를 들어 직경 300mm의 웨이퍼(W)가 복수매, 예를 들어 25매 선반 형상으로 배열되어 수납되며, 전방면의 도시되지 않은 취출구가 덮개체에 의해 막힌 밀폐형 FOUP(Front-Opening Unified Pod)가 사용된다. 제2 영역(13)에는 제2 적재대(15)와 캐리어 보관부(16)가 설치됨과 아울러, 캐리어(C)를 제1 적재대(14), 제2 적재대(15) 및 캐리어 보관부(16) 사이에 반송하는 캐리어 반송 기구(17)가 설치되어 있다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 캐리어(C) 내와 로딩 에어리어(S2)를 연통시키는 개구부(10), 개구부(10)의 도어(18), 캐리어(C)의 덮개체를 개폐시키는 뚜껑 개폐 기구(19)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, the carry-in/out area S1 includes a first area 12 on the front side and a second area 13 on the inner side. In addition, as shown in FIG. 2, in the 1st area|region 12, the 1st loading table 14 for loading the carrier C is provided. As the carrier C, for example, a plurality of wafers W having a diameter of 300 mm are arranged and accommodated in a shelf shape, for example, 25 sheets, and a closed type FOUP (Front -Opening Unified Pod) is used. In the second area 13, a second mounting table 15 and a carrier storage unit 16 are installed, and the carrier C is transferred to the first mounting table 14, the second mounting table 15, and the carrier storage unit. (16) A carrier conveyance mechanism 17 that conveys between is provided. In addition, as shown in Figure 1, the opening 10 communicating the inside of the carrier (C) and the loading area (S2), the door 18 of the opening 10, a lid for opening and closing the cover of the carrier (C) An opening/closing mechanism 19 is provided.

로딩 에어리어(S2)의 안측 상방에는, 하단이 노구(20)로서 개구되는 종형 열처리로(2)가 설치되어 있다. 열처리로(2)는, 웨이퍼를 수용하여 열처리를 행하기 위한 처리 용기이다. 노구(20)는, 열처리로(2)의 개구부를 이룬다. 이 열처리로(2)에는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 열처리로(2) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급로(2A)와, 열처리로(2) 내의 분위기를 배기시키기 위한 배기로(2B)가 접속되어 있다. 처리 가스 공급로(2A) 및 배기로(2B)는, 각각 도시하지 않은 처리 가스 공급원 및 배기 기구에 접속되어 있다. 또한, 도 1 내지 도 3에 있어서는, 도시 편의상, 처리 가스 공급로(2A) 및 배기로(2B)를 생략하고 있다.In the upper inner side of the loading area S2, a vertical heat treatment furnace 2 with a lower end opened as a furnace opening 20 is provided. The heat treatment furnace 2 is a processing container for receiving a wafer and performing heat treatment. The furnace opening 20 forms an opening of the heat treatment furnace 2. In this heat treatment furnace 2, as shown in FIG. 4, for example, a treatment gas supply path 2A for supplying a treatment gas into the heat treatment furnace 2 and an atmosphere in the heat treatment furnace 2 are exhausted. The exhaust path 2B for this is connected. The processing gas supply path 2A and the exhaust path 2B are respectively connected to a processing gas supply source and an exhaust mechanism (not shown). In Figs. 1 to 3, for convenience of illustration, the process gas supply path 2A and the exhaust path 2B are omitted.

또한, 로딩 에어리어(S2) 내에는, 예를 들어 2기의 웨이퍼 보트(3(3A, 3B))가 설치되어 있다. 이들 웨이퍼 보트(3(3A, 3B))는, 각각 다수매의 웨이퍼(W)를, 연직 방향으로 소정 간격으로써 겹치도록 배열 유지하는 기판 유지구를 이루는 것이며, 예를 들어 석영에 의해 구성되어 있다. 여기서, 웨이퍼 보트(3)에 대하여, 도 4를 참조하여 간단하게 설명하면, 천장판(31)과 저판(32) 사이에, 예를 들어 4개의 지주(33)가 설치되어 있고, 이 지주(33)에 형성된 도시하지 않은 홈부에 웨이퍼(W)의 주연부가 유지되어, 예를 들어 100매의 웨이퍼(W)를 소정의 간격으로 상하로 배열하여 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 저판(32)의 하부에는 지지부(34)가 설치되어 있다.Further, in the loading area S2, for example, two wafer boats 3 (3A, 3B) are provided. These wafer boats 3 (3A, 3B) constitute a substrate holder for arranging and holding a plurality of wafers W so as to overlap each other at predetermined intervals in the vertical direction, and are made of quartz, for example. . Here, the wafer boat 3 will be briefly described with reference to FIG. 4, between the top plate 31 and the bottom plate 32, for example, four posts 33 are provided, and the posts 33 A peripheral portion of the wafer W is held in a groove (not shown) formed in ), so that, for example, 100 wafers W can be arranged vertically and held at predetermined intervals. A support portion 34 is provided below the bottom plate 32.

그리고, 로딩 에어리어(S2) 내에는, 유지구 승강 기구를 이루는 보트 엘리베이터(41)가 설치되어 있다. 이 보트 엘리베이터(41)는, 상하 방향으로 뻗은 가이드 레일(43)에 따라서 이동 기구(42)에 의해 승강 가능하도록 구성되고, 그 위에는, 열처리로(2)의 덮개체(21)와 단열재(22)가 이 순서로 설치되어 있다. 단열재(22)는, 예를 들어 석영 등에 의해 구성되어 있고, 그 위에 웨이퍼 보트(3)가 탑재 되도록 되어 있다.And in the loading area S2, the boat elevator 41 which forms a holding tool lifting mechanism is provided. This boat elevator 41 is configured so as to be able to be raised and lowered by a moving mechanism 42 along the guide rail 43 extending in the vertical direction, and on it, the cover body 21 and the heat insulating material 22 of the heat treatment furnace 2 ) Are installed in this order. The heat insulating material 22 is made of, for example, quartz, and the wafer boat 3 is mounted thereon.

이렇게 하여 웨이퍼 보트(3)는, 보트 엘리베이터(41)에 의해 열처리로(2) 내의 로드 위치와 언로드 위치 사이에서 승강되도록 되어 있다. 로드 위치란, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2) 내에 반입되고, 열처리로(2)의 노구(20)를 덮개체(21)가 덮는 처리 위치이며, 언로드 위치란, 웨이퍼 보트(3)가 열처리로(2)의 하방측으로 반출되는 위치(도 2 내지 도 4에 도시한 위치)이다.In this way, the wafer boat 3 is raised and lowered between the load position and the unload position in the heat treatment furnace 2 by the boat elevator 41. The loading position is a processing position in which the wafer boat 3 is carried into the heat treatment furnace 2 and the lid body 21 covers the furnace opening 20 of the heat treatment furnace 2, and the unload position is the wafer boat 3 Is a position (position shown in Figs. 2 to 4) carried out to the lower side of the heat treatment furnace 2.

또한, 로딩 에어리어(S2)에는, 웨이퍼 보트(3)를 적재하기 위한 제1 스테이지(44) 및 제2 스테이지(45)와, 이들 보트 엘리베이터(41), 제1 스테이지(44) 및 제2 스테이지(45) 사이에 웨이퍼 보트(3)의 이동 탑재를 행하는 보트 반송 기구(46)가 설치되어 있다. 이 보트 반송 기구(46)는, 웨이퍼 보트(3)의 지지부(34)를 적재하는 유지 아암(47)이, 승강 가능, 수평축 주위로 회전 가능, 진퇴 가능하도록 구성되어 있다. 또한 도 2에서는 도시 편의상, 보트 반송 기구(46)를 생략하고 있다.In addition, in the loading area S2, the 1st stage 44 and the 2nd stage 45 for loading the wafer boat 3, these boat elevator 41, the 1st stage 44, and the 2nd stage A boat transfer mechanism 46 for moving and mounting the wafer boat 3 is provided between 45. The boat transport mechanism 46 is configured such that the holding arm 47 for loading the support portion 34 of the wafer boat 3 can be lifted and lowered, can be rotated around a horizontal axis, and can move forward and backward. In addition, in Fig. 2, the boat transport mechanism 46 is omitted for convenience of illustration.

또한, 로딩 에어리어(S2)에는, 예를 들어 제1 스테이지(44)에 인접하여 웨이퍼 반송 기구(48)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(48)는, 예를 들어 제1 스테이지(44) 상의 웨이퍼 보트(3), 보트 엘리베이터 상(41)의 웨이퍼 보트(3) 및 제2 적재대(15) 상의 캐리어(C) 사이에 웨이퍼의 이동 탑재를 행하는 것이다. 웨이퍼 반송 기구(48)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 복수매, 예를 들어 5매의 포크(49)와, 포크(49)를 진퇴 가능하도록 지지하는 반송 기체(49a)를 구비하고 있고, 반송 기체(49a)는, 연직축 주위에 회전 가능 및 승강 가능하도록 구성되어 있다.Further, in the loading area S2, a wafer transfer mechanism 48 is provided adjacent to the first stage 44, for example. The wafer transfer mechanism 48 is, for example, between the wafer boat 3 on the first stage 44, the wafer boat 3 on the boat elevator 41, and the carrier C on the second mounting table 15. The wafer is moved and mounted. The wafer transfer mechanism 48 is provided with a plurality of forks 49, for example, 5 sheets of forks 49 for holding the wafers W, and a transfer base 49a for supporting the forks 49 so as to be able to advance and retreat, The carrier body 49a is configured to be rotatable and elevating around a vertical axis.

또한, 로딩 에어리어(S2)에 있어서의 열처리로(2) 이외의 영역에는, 예를 들어 열처리로(2)의 개구부 근방의 높이 위치에 천장부(23)가 형성되어 있다. 또한, 로딩 에어리어(S2)의 좌우 방향의 일방측 측면에는, 필터 유닛(5)이 설치되어 있다. 필터 유닛(5)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 필터부(51)와 통기 공간(52)을 구비하고 있고, 통기 공간(52)은, 로딩 에어리어(S2)의 저판(24)의 하방에 형성된 통기실(25)과 연통하도록 구성되어 있다.In addition, in a region other than the heat treatment furnace 2 in the loading area S2, a ceiling portion 23 is formed at a height position near the opening of the heat treatment furnace 2, for example. Further, a filter unit 5 is provided on one side of the loading area S2 in the left-right direction. The filter unit 5 is provided with the filter part 51 and the ventilation space 52, as shown in FIG. 3, and the ventilation space 52 is below the bottom plate 24 of the loading area S2 It is configured to communicate with the ventilation chamber 25 formed in.

통기실(25)의 일단부측에는, 제1 팬(53) 및 제1 게이트 밸브(54)가 설치되어 있다. 또한, 타단부측에는 제2 게이트 밸브(55) 및 제2 팬(56)을 통해 공장의 배기 설비에 접속되어 있다. 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 저판(24)에는 배기구(26)가 형성되어 있다.A first fan 53 and a first gate valve 54 are provided on one end side of the ventilation chamber 25. Further, on the other end side, it is connected to the exhaust facility of the factory through a second gate valve 55 and a second fan 56. 1 and 3, the bottom plate 24 is provided with an exhaust port 26.

또한, 로딩 에어리어(S2)에 있어서의 천장부(23) 근방에는, 열처리로(2)의 노구(20)를 막기 위한 덮개체(60)를 구비한 덮개체 개폐 기구(6)가 설치되어 있다. 덮개체(60)는, 예를 들어 열처리로(2) 뒤에 웨이퍼 보트(3)가 언로드되었을 때에, 열처리로(2)의 노구(20)를 막기 위해 설치되어 있고, 노구(20)를 막는 크기로 형성되어 있다.Further, in the vicinity of the ceiling portion 23 in the loading area S2, a lid body opening/closing mechanism 6 provided with a lid body 60 for blocking the furnace opening 20 of the heat treatment furnace 2 is provided. The cover body 60 is provided to block the furnace opening 20 of the heat treatment furnace 2 when the wafer boat 3 is unloaded behind the heat treatment furnace 2, for example, and is a size that blocks the furnace opening 20 Is formed by

덮개체 개폐 기구(6)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 덮개체(60)를 지지하는 지지 부재(7)와, 덮개체(60)를, 노구(20)를 막는 위치와, 노구(20)를 개방하는 위치 사이에서 이동시키는 덮개체 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 노구(20)를 개방하는 위치란, 이 예에서는 노구(20)의 측방 위치이며, 여기를 대기 위치로 하고 있다. 또한, 덮개체 이동 기구(8)는, 예를 들어 지지 부재(7)의 기단부측을 승강 가능하도록 지지하는 승강 기구(8A)와, 승강 기구(8A)를 연직축 둘레에 회전시키는 회전 기구(8B)를 조합하여 구성되어 있다. 이 덮개체 이동 기구(8)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들어 하우징(1)의 측벽부에 설치된 적재 부재(9) 상에 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, the lid body opening/closing mechanism 6 includes a support member 7 supporting the lid body 60, a lid body 60, a position blocking the furnace opening 20, and a furnace opening ( It is provided with the cover body moving mechanism 8 which moves between the positions where 20) is opened. The position at which the furnace opening 20 is opened is a position on the side of the furnace opening 20 in this example, and this is the standby position. In addition, the lid moving mechanism 8 includes, for example, an elevating mechanism 8A that supports the base end side of the support member 7 so as to be able to elevate, and a rotation mechanism 8B that rotates the elevating mechanism 8A around a vertical axis. ) Are combined. This lid moving mechanism 8 is provided on the mounting member 9 provided on the side wall part of the housing 1, as shown in FIG.

여기서, 대기 위치는, 노구(20)의 하방측 측방이며, 노구(20)와, 회전 기구(8B)를 중심으로 하는 동심원 형상으로 인접하는 위치이다. 그리고, 덮개체(60)는, 대기 위치로부터 회전 기구(8B)에 의해 노구(20)의 하방측까지 선회하고, 계속해서, 승강 기구(8A)에 의해 상승함으로써, 노구(20)를 막는 위치로 이동하게 된다. 또한, 도 1 및 도 2에서, 덮개체(60)는 대기 위치에 있고, 도 3에서는 노구(20)를 막는 위치에 있는 모습을 나타내고 있다. 이 때, 덮개체 개폐 기구(6)는, 로딩 에어리어(S2) 내에 있어서, 예를 들어 웨이퍼 보트(3)의 로드 및 언로드나, 웨이퍼 보트(3)의 스테이지(44, 45) 및 단열재(22) 사이의 이동을 방해하지 않고, 덮개체(60)를 상기 대기 위치와 노구(20)를 막는 위치 사이에서 이동할 수 있도록 구성되어 있다.Here, the standby position is a position on the lower side of the furnace opening 20 and adjacent to the furnace opening 20 and the rotary mechanism 8B in a concentric circle shape. And the lid body 60 is a position where the furnace ball 20 is blocked by turning from the standby position to the lower side of the furnace ball 20 by the rotation mechanism 8B, and then rising by the elevating mechanism 8A. Will go to. In addition, in FIGS. 1 and 2, the cover body 60 is in a standby position, and in FIG. 3, a state in which the furnace opening 20 is blocked is shown. At this time, the lid opening/closing mechanism 6 is in the loading area S2, for example, loading and unloading the wafer boat 3, the stages 44 and 45 of the wafer boat 3, and the heat insulating material 22 ), without interfering with the movement between, the cover body 60 is configured to be able to move between the standby position and the position blocking the furnace mouth 20.

이와 같이, 덮개체(60)는, 웨이퍼 보트(3)가 언로드되었을 때나, 열처리로(2)의 내부를 클리닝할 때에, 노구(20)를 막기 위해 설치된다. 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체는, 반드시 이러한 열처리로(2)의 노구(20)를 일시적으로 막는 용도로 한정되는 것은 아니지만, 이러한 용도에도 적합하게 이용할 수 있다.In this way, the lid body 60 is provided to close the furnace opening 20 when the wafer boat 3 is unloaded or when cleaning the inside of the heat treatment furnace 2. The lid according to the embodiment of the present invention is not necessarily limited to the use of temporarily blocking the furnace opening 20 of the heat treatment furnace 2, but can be suitably used for such a use.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)에 대하여 설명하기 전에, 참고예에 관한 덮개체(160)에 대하여 설명한다.Hereinafter, the lid body 60 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail. First, before describing the lid body 60 according to the embodiment of the present invention, a lid body 160 according to a reference example will be described.

도 5는, 본 발명의 참고예에 관한 덮개체(160)를 도시한 도면이다. 참고예에 관한 덮개체(160)는, 금속판(161)과, 석영판(162)을 구비한다. 또한, 금속판(161)의 내부에는, 냉각로(63)가 설치되고, 금속판(161)의 외주부에는, O-링(64)이 설치되어 있다.5 is a diagram showing a lid 160 according to a reference example of the present invention. The lid body 160 according to the reference example includes a metal plate 161 and a quartz plate 162. Further, a cooling furnace 63 is provided inside the metal plate 161, and an O-ring 64 is provided at the outer periphery of the metal plate 161.

참고예에 관한 덮개체(160)는, 금속판(161) 상에 석영판(162)이 설치된 구성을 갖고, 열처리로(2)로부터 웨이퍼 보트(3)가 언로드되었을 경우 등에 사용되지만, 열처리로(2)를 사용하여 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자 퇴적법) 성막을 행한 경우, 석영판(162)과 금속판(161) 사이에, 염화암모늄(NH4Cl)(163)이 부착되어, 덮개체(160)의 클리닝을 정기적(예를 들어, 주 1회 등)으로 행해야만 한다는 문제가 있다. 본 실시 형태에 따른 덮개체(60)에서는, 염화암모늄이 부착되기 쉬운 금속판(161)과 석영판(162) 사이에 퍼지 가스를 공급하여, 이러한 염화암모늄의 부착을 방지하고, 덮개체(60)의 클리닝 빈도를 저하시킬 수 있는 구성으로 하고 있다. 또한, 도 5에서 설명한 냉각로(63) 및 O-링(64)에 대해서는, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)에 있어서도 동일하므로, 동일한 참조 부호를 사용하는 것으로 한다.The cover body 160 according to the reference example has a configuration in which the quartz plate 162 is installed on the metal plate 161, and is used when the wafer boat 3 is unloaded from the heat treatment furnace 2, but the heat treatment furnace ( 2) when ALD (Atomic Layer Deposition, atomic deposition) film formation is performed, ammonium chloride (NH 4 Cl) 163 is adhered between the quartz plate 162 and the metal plate 161, and the cover body ( There is a problem that cleaning of 160) must be performed regularly (eg, once a week, etc.). In the lid body 60 according to the present embodiment, a purge gas is supplied between the metal plate 161 and the quartz plate 162 to which ammonium chloride is easily adhered, to prevent such adhesion of ammonium chloride, and the lid body 60 It has a configuration capable of reducing the cleaning frequency of. In addition, since the cooling furnace 63 and the O-ring 64 described in FIG. 5 are the same also in the lid body 60 according to the embodiment of the present invention, the same reference numerals are used.

도 6은, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 일례의 표면을 도시한 평면도이다. 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)는, 금속판(61) 상에 석영판(62)이 설치된 구성을 갖는다. 금속판(61)은, 다양한 금속으로 구성되어도 되지만, 예를 들어 스테인리스강으로 구성되어도 된다. 또한, 석영판(62)은, 문자 그대로, 석영으로 구성된다. 석영판(62)은, 금속판(61)에 비교하여, 두께가 얇게 구성되어도 되고, 예를 들어 석영판(62)을, 석영캡(62)이라고 칭해도 된다.6 is a plan view showing the surface of an example of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. The lid body 60 according to the embodiment of the present invention has a configuration in which a quartz plate 62 is provided on a metal plate 61. The metal plate 61 may be made of various metals, but may be made of stainless steel, for example. Further, the quartz plate 62 is literally composed of quartz. Compared with the metal plate 61, the quartz plate 62 may be configured to have a thinner thickness, and for example, the quartz plate 62 may be referred to as a quartz cap 62.

금속판(61)은, 석영판(62)보다도 크게 구성된다. 금속판(61) 및 석영판(62)은, 처리 용기의 형상에 맞추어 다양한 형상으로 구성될 수 있지만, 열처리로(2)과 같이, 원통형 처리 용기에 사용되는 경우에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 원형의 형상을 갖는다.The metal plate 61 is formed larger than the quartz plate 62. The metal plate 61 and the quartz plate 62 may be configured in various shapes according to the shape of the processing vessel, but when used in a cylindrical processing vessel, such as the heat treatment furnace 2, as shown in FIG. , Has a circular shape.

석영판(62)은, 금속판(61) 상에 설치될 뿐만 아니라, 나사(65)에 의해 고정된다. 나사(65)는, 석영판(62)을 금속판(61)에 적절하게 고정할 수 있으면, 다양한 개수로 될 수 있지만, 예를 들어 도 6에 도시한 바와 같이, 중심을 통과하는 반대측끼리에 대향하여 2개 설치되어도 된다. 또한, 나사(65)보다도 내측에, 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 금속판(61)의 표면에 설치된다. 도 6에 있어서는, 대향하는 나사(65)끼리를 연결하는 금속판(61) 및 석영판(62)의 중심을 통과하는 직경 상의 2개의 퍼지 가스 공급 구멍(68)을 포함하여 합계 16개의 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 설치되어 있다. 또한, 퍼지 가스 공급 구멍(68)의 위치·개수 등은 용도에 의해 적절히 변경되어도 된다. 또한, 이들 단면 형상의 상세한 것에 대해서는 후술한다.The quartz plate 62 is not only installed on the metal plate 61, but is also fixed by screws 65. The screws 65 can be of various numbers as long as the quartz plate 62 can be properly fixed to the metal plate 61, but, for example, as shown in FIG. 6, the opposite sides passing through the center Two may be installed facing. Further, a purge gas supply hole 68 is provided inside the screw 65 on the surface of the metal plate 61. In Fig. 6, a total of 16 purge gas is supplied, including two purge gas supply holes 68 having a diameter passing through the center of the metal plate 61 and the quartz plate 62 connecting the opposite screws 65 to each other. Holes 68 are provided. In addition, the position, number, etc. of the purge gas supply holes 68 may be appropriately changed according to the application. In addition, details of these cross-sectional shapes will be described later.

도 7은, 본 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 일례의 이면을 도시한 평면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 덮개체(60)의 이면에는, 퍼지 가스 공급관(73)이 설치된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 마치 둘러싸인 이면의 4군데로부터 퍼지 가스가 공급된다. 즉, 금속판(61)의 이면측에 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되고, 금속판(61)을 관통하여 석영판(62)과 금속판(61) 사이에 퍼지 가스가 공급되는 구성으로 되어 있다. 또한, 퍼지 가스는, 질소 가스, Ar 가스, He 가스 등, 희가스를 포함하는 다양한 불활성 가스를 사용할 수 있다. 또한, 퍼지 가스 공급관(73)으로부터의 퍼지 가스의 공급 개소는, 도 7에서는 4군데로 되어 있지만, 공급 개소의 위치, 개수 등은, 용도에 의해 적절히 변경되어도 된다.7 is a plan view showing the rear surface of an example of the lid body 60 according to the present embodiment. As shown in FIG. 7, a purge gas supply pipe 73 is provided on the rear surface of the lid body 60. As shown in Fig. 7, purge gas is supplied from four locations on the rear surface surrounded by the gusset. That is, the purge gas supply pipe 73 is provided on the back side of the metal plate 61, and the purge gas is supplied between the quartz plate 62 and the metal plate 61 through the metal plate 61. In addition, as the purge gas, various inert gases including noble gases such as nitrogen gas, Ar gas, and He gas can be used. In addition, although the purge gas supply location from the purge gas supply pipe 73 is made into 4 places in FIG. 7, the position, number, etc. of the supply location may be changed suitably according to a use.

도 8은, 도 6의 A-A 단면을 도시한 도면이다. 도 8에 도시한 대로, 금속판(61) 표면의 오목부(61a)에는 커버 부재(67)가 감입되도록 설치되고, 커버 부재(67)에 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 형성되어 있다. 그리고, 커버 부재(67)는, 나사(69)에 의해 금속판(61)에 고정되어 있다. 커버 부재(67)의 하방에는, 버퍼 영역(72)이 설치되고, 버퍼 영역(72)과 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 연통된 구성으로 되어 있다. 커버 부재(67)보다도 외측에는, 석영판(62)의 저면과 금속판(61)의 상면 사이에 분출 간극(70)이 설치되고, 분출 간극(70)을 통하여 퍼지 가스가 외측을 향해 유통되고, 석영판(62)과 금속판(61) 사이의 간극에 염화나트륨 등의 부생성물이 부착되는 것을 방지하는 구성으로 되어 있다. 또한, 오목부(61a)의 내측에서는, 금속판(61)과 석영판(62)이 밀착되어 있고, 석영판(62)의 저면을 향해 공급된 퍼지 가스는, 내측은 더 이상 갈 수 없게 되어 있기 때문에, 최종적으로는 반드시 외측의 분출 간극(70)을 향해 흐르는 구성으로 되어 있다.FIG. 8 is a diagram illustrating a cross section A-A of FIG. 6. As shown in FIG. 8, the cover member 67 is provided so that the concave part 61a of the surface of the metal plate 61 may fit, and the purge gas supply hole 68 is formed in the cover member 67. As shown in FIG. And the cover member 67 is fixed to the metal plate 61 with the screw 69. Below the cover member 67, a buffer area 72 is provided, and the buffer area 72 and the purge gas supply hole 68 are in communication. Outside the cover member 67, an ejection gap 70 is provided between the bottom surface of the quartz plate 62 and the upper surface of the metal plate 61, and purge gas flows outward through the ejection gap 70, It is configured to prevent by-products such as sodium chloride from adhering to the gap between the quartz plate 62 and the metal plate 61. In addition, inside the concave portion 61a, the metal plate 61 and the quartz plate 62 are in close contact, and the purge gas supplied toward the bottom surface of the quartz plate 62 cannot go further inside. Therefore, it is configured to flow toward the ejection gap 70 on the outside by all means.

도 9는, 도 6의 B-B 단면을 도시한 도면이다. 도 9에 도시한 대로, 석영판(62)은, 금속판(61)에 나사(65)에 의해 고정되어 있다. 또한, 석영판(62) 및 금속판(61)에는, 나사(65)가 삽입되는 나사 구멍(66)이 형성되어 있고, 나사 구멍(66)은, 석영판(62)을 관통하여, 금속판(61) 표면으로부터 소정 깊이까지 형성되어 있다. 또한, 도 8의 A-A 단면과 동일하게, 커버 부재(67)에 형성된 퍼지 가스 공급 구멍(68)으로부터 퍼지 가스가 공급되어, 나사(65)와 나사 구멍(66) 사이의 간극(71)을 통해 퍼지 가스가 통류된다. 이에 의해, 나사(65)의 주변도, 부생성물의 부착이 방지된다. 또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 버퍼 영역(72)에는 퍼지 가스 공급관(73)이 접속되어, 버퍼 영역(72)에 퍼지 가스가 직접적으로 공급되고, 버퍼 영역(72)과 연통되는 퍼지 가스 공급 구멍(68)으로부터 퍼지 가스가 간극(71)에 공급되는 구성으로 되어 있다.9 is a diagram illustrating a cross section taken along line B-B in FIG. 6. As shown in FIG. 9, the quartz plate 62 is fixed to the metal plate 61 with screws 65. Further, in the quartz plate 62 and the metal plate 61, a screw hole 66 into which the screw 65 is inserted is formed, and the screw hole 66 penetrates the quartz plate 62, and the metal plate 61 ) It is formed from the surface to a predetermined depth. In addition, as in the AA cross section of FIG. 8, purge gas is supplied from the purge gas supply hole 68 formed in the cover member 67, and through the gap 71 between the screw 65 and the screw hole 66 Purge gas flows through. Thereby, adhesion of by-products to the periphery of the screw 65 is also prevented. In addition, as shown in FIG. 9, a purge gas supply pipe 73 is connected to the buffer region 72, and a purge gas is directly supplied to the buffer region 72, and the purge gas communicated with the buffer region 72 The purge gas is supplied to the gap 71 from the supply hole 68.

도 10은, 도 6의 B-B 단면을 도시한 사시도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 커버 부재(67)는 원환상으로 형성되고, 그 아래에 버퍼 영역(72)이 역시 원환상으로 형성되어 설치되어 있다. 나사(65) 및 나사 구멍(66)은, 퍼지 가스 공급 구멍(68)보다도 외측에 설치되어 있기 때문에, 반드시 퍼지 가스로 퍼지된다. 나사(65) 등의 금속 부품은, 파티클을 발생할 우려가 있기 때문에, 퍼지 가스로 퍼지하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 따른 덮개체(60)에 있어서는, 나사(65) 및 나사 구멍(66)을 퍼지 가스 공급 구멍(68)보다도 외측에 설치함으로써, 부생성물의 석영판(62)과 금속판(61) 사이로의 침입을 방지할 뿐만 아니라, 나사(65) 및 나사 구멍(66)의 퍼지도 동시에 행할 수 있어, 덮개체(60)를 청정화하는 데 매우 효과적인 구성으로 되어 있다.10 is a perspective view showing a cross section taken along line B-B of FIG. 6. As shown in FIG. 10, the cover member 67 is formed in an annular shape, and a buffer area 72 is also formed and installed in an annular shape below it. Since the screw 65 and the screw hole 66 are provided outside the purge gas supply hole 68, they are surely purged with a purge gas. Metal parts, such as the screw 65, are likely to generate particles, so it is preferable to purify them with a purge gas. In the lid body 60 according to the present embodiment, by providing the screw 65 and the screw hole 66 outside the purge gas supply hole 68, the quartz plate 62 and the metal plate 61 of by-products are provided. In addition to preventing intrusion into the space, the screw 65 and the screw hole 66 can be purged at the same time, making it a very effective structure for cleaning the lid body 60.

또한, 도 10에 있어서, O-링(64)이 최외주 부근에 설치되어 있다. 이러한 구성은, 도 5에서 설명한 것과 동일하다.In addition, in FIG. 10, the O-ring 64 is provided near the outermost circumference. This configuration is the same as that described in FIG. 5.

또한, 버퍼 영역(72)은, 본 실시 형태에 있어서는, 원환상으로 마련되어 있지만, 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 설치되는 위치에 따라서, 그 형상이나 배치 등이 적절히 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.In addition, although the buffer region 72 is provided in an annular shape in the present embodiment, it is needless to say that its shape, arrangement, etc. can be appropriately changed depending on the position where the purge gas supply hole 68 is provided.

도 11은, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 석영판(62)의 일례의 평면 형상을 도시한 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 석영판(62)의 나사(65)가 삽입되는 개소에는, 노치(62a)가 형성되어 있다. 이하, 이 점에 대하여 더 상세하게 설명한다.11 is a diagram showing a planar shape of an example of a quartz plate 62 of the lid body 60 according to the embodiment of the present invention. As shown in Fig. 11, a notch 62a is formed at a location where the screw 65 of the quartz plate 62 is inserted. Hereinafter, this point will be described in more detail.

도 12는, 도 6의 A-A 단면을 도시한 제2 도면이다. 도 12에 관한 A-A 단면은, 도 8과 유사하지만, 커버 부재(67a)의 퍼지 가스 공급 구멍(68)과 나사(69) 사이에 융기부(67a)가 형성되어 있는 점에서, 도 8과 상이하다. 이와 같이, 커버 부재(67a)에 융기부(67b)를 설치하고, 융기부(67b)와 석영판(62)을 밀착시키는 구성으로 해도 된다. 이러한 구성에 의해, 퍼지 가스가 퍼지 가스 공급 구멍(68)으로부터 공급된 후, 내측으로 흐르지 않고 즉시 외측의 분출 간극(70)으로 흐르게 됨으로써, 보다 효율적으로 외주측으로의 퍼지 가스의 공급을 행할 수 있다.FIG. 12 is a second diagram showing a cross-section A-A of FIG. 6. The AA cross section of FIG. 12 is similar to FIG. 8, but differs from FIG. 8 in that a raised portion 67a is formed between the purge gas supply hole 68 of the cover member 67a and the screw 69. Do. In this way, the raised portion 67b may be provided on the cover member 67a, and the raised portion 67b and the quartz plate 62 may be brought into close contact with each other. With this configuration, after the purge gas is supplied from the purge gas supply hole 68, it does not flow inside, but immediately flows into the ejection gap 70 on the outside, so that the purge gas can be more efficiently supplied to the outer circumference side. .

도 13은, 도 6의 B-B 단면을 도시한 제2 도면이다. 도 13에 관한 B-B 단면은, 도 12와 동일하게, 커버 부재(67a)가 융기부(67b)를 갖는 점에서, 도 9와 상이하다. 또한, 도 13에 관한 B-B 단면은, 나사(65)의 외측에 있어서, 노치(62a)가 마련되어 있는 점에서, 도 9와 상이하다.13 is a second diagram illustrating a cross section taken along line B-B in FIG. 6. The cross section B-B of FIG. 13 is different from FIG. 9 in that the cover member 67a has a raised portion 67b, similarly to FIG. 12. In addition, the cross section B-B of FIG. 13 is different from FIG. 9 in that a notch 62a is provided on the outside of the screw 65.

도 14는, 도 13의 상면 확대도이다. 도 14에 도시된 바와 같이, 나사(65)의 외측에 노치(62a)가 형성되고, 나사(65)의 외측이 노출되는 구성으로 되어 있다. 이것은, 도 8에서 설명한 바와 같이, 나사(65)에 퍼지 가스를 공급하기 위해, 나사(65)를 석영판(62)의 외주측에 배치하였지만, 너무 나사(65)를 석영판(62)의 외주측에 배치하면, 석영판(62)의 외측에 균열이 발생하여, 파손되는 경우가 있다. 그러한 파손을 회피하기 위해, 나사(65)의 외측 석영판(62)에 노치(62a)를 마련하여, 나사(65)의 응력을 빠져 나가게 하고 있다. 이와 같이, 나사(65)의 외측에 노치(62a)를 마련함으로써, 나사(65)를 퍼지 가스 공급 구멍(68)보다도 외측에 설치하는 것이 가능하게 되고, 파손을 방지하면서 덮개체(60)의 청정화를 도모하는 것이 가능해진다.14 is an enlarged view of the upper surface of FIG. 13. As shown in FIG. 14, a notch 62a is formed on the outside of the screw 65, and the outside of the screw 65 is exposed. As described in Fig. 8, in order to supply the purge gas to the screw 65, the screw 65 is disposed on the outer circumferential side of the quartz plate 62, but the screw 65 is too close to the quartz plate 62. If disposed on the outer circumferential side, cracks may occur on the outside of the quartz plate 62 and may be damaged. In order to avoid such damage, a notch 62a is provided in the outer quartz plate 62 of the screw 65 to relieve the stress of the screw 65. In this way, by providing the notch 62a on the outside of the screw 65, it becomes possible to install the screw 65 outside the purge gas supply hole 68, and the cover body 60 is prevented from being damaged. It becomes possible to achieve cleanliness.

도 15 및 도 16은, 본 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 진동 억제를 위한 구성에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 도 6 내지 도 14에 있어서, 퍼지 가스의 공급에 의해, 덮개체(60)로의 부생성물의 부착을 방지하는 구성에 대하여 설명하였지만, 퍼지 가스의 유량을 증가시킨 경우, 퍼지 가스의 공급 압력의 영향에 의해, 석영판(62)에 진동이 발생할 우려가 발생한다. 그러한 경우, 탄성체를 나사(65)의 주위, 즉 나사(65)와 나사 구멍(66) 사이에 배치함으로써, 진동의 발생을 억제할 수 있다.15 and 16 are views for explaining a configuration for suppressing vibration of the lid body 60 according to the present embodiment. In Figs. 6 to 14, a configuration for preventing adhesion of by-products to the lid body 60 by supplying a purge gas has been described, but when the flow rate of the purge gas is increased, the effect of the supply pressure of the purge gas As a result, there is a possibility that vibration may occur in the quartz plate 62. In such a case, by arranging the elastic body around the screw 65, that is, between the screw 65 and the screw hole 66, generation of vibration can be suppressed.

도 15는, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 진동 억제 구성의 일례를 도시한 사시도이다. 도 15의 (a)는, 진동 억제 구성 채용 전의 사시도이며, 도 15의 (b)는, 진동 억제 구성을 채용한 사시도이다. 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 탄성체를 포함하는 불소 고무 시트(75)를 나사(65)의 주위에 배치함으로써, 진동을 흡수하고, 억제할 수 있다. 불소 고무 시트는, 고무 등의 탄성체를 포함하는 띠 형상의 링이며, O-링 등과 동일한 기능을 갖는다.15 is a perspective view showing an example of the vibration suppression configuration of the lid body 60 according to the embodiment of the present invention. Fig. 15(a) is a perspective view before the vibration suppression configuration is adopted, and Fig. 15(b) is a perspective view in which the vibration suppression configuration is adopted. As shown in Fig. 15B, by arranging the fluororubber sheet 75 including an elastic body around the screw 65, vibration can be absorbed and suppressed. The fluororubber sheet is a band-shaped ring made of an elastic body such as rubber, and has the same function as an O-ring.

도 16은, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 진동 억제 구성의 일례를 도시한 단면도이다. 도 16의 (a)는, 진동 억제 구성 채용 전의 단면도이며, 도 16의 (b)는, 진동 억제 구성을 채용한 단면도이다. 도 16의 (b)에 도시한 바와 같이, 탄성체를 포함하는 불소 고무 시트(75)를 나사(65)와 나사 구멍(66) 사이의 공간에 배치함으로써, 진동을 흡수하고, 억제할 수 있다.16 is a cross-sectional view showing an example of the vibration suppression configuration of the lid body 60 according to the embodiment of the present invention. Fig. 16A is a cross-sectional view before the vibration suppression configuration is adopted, and Fig. 16B is a cross-sectional view in which the vibration suppression configuration is adopted. As shown in Fig. 16B, vibration can be absorbed and suppressed by arranging the fluororubber sheet 75 comprising an elastic body in the space between the screw 65 and the screw hole 66.

또한, 불소 고무 시트(75)를 설치해도, 간극(71)을 유지할 수 있고, 퍼지 가스의 퍼지 가스 공급 구멍(68)으로부터의 공급에 의해, 나사(65)의 퍼지는 그대로 행할 수 있다. 따라서, 청정도를 유지한 채, 진동의 억제를 도모하는 것이 가능하다.Further, even if the fluororubber sheet 75 is provided, the gap 71 can be maintained, and the screw 65 can be purged as it is by supplying the purge gas from the purge gas supply hole 68. Therefore, it is possible to suppress vibration while maintaining cleanliness.

도 17은, 본 발명의 실시 형태에 따른 덮개체(60)의 일례의 전체 구성을 도시한 도면이다. 도 17에 도시된 바와 같이, 금속판(61)의 하방에는 냉각로(63)가 형성되고, 최외주에는 O-링(64)이 배치되어 있다. 그리고, 금속판(61)의 이면측에는, 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되고, 부생성물의 부착을 퍼지 가스로 억제할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또한, 금속판(61) 상에는 석영판(62)이 설치되고, 석영판(62)은 나사(65)로 금속판(61)에 고정되어 있다. 그리고, 나사(65)보다도 내측의 금속판(61)의 내부에는, 버퍼 영역(72)이 설치되고, 퍼지 가스 공급관(73)이 접속되어 있다. 퍼지 가스 공급관(73)은, 도시되지 않은 퍼지 가스 공급원에 접속되어 있다. 버퍼 영역(72)의 상방에는, 커버 부재(67)가 설치되고, 나사(69)로 고정되어 있다. 커버 부재(67)에는 퍼지 가스 공급 구멍(68)이 형성되고, 나사(65)보다도 내측으로부터 외측을 향해, 석영판(62)의 저면에 따라서 퍼지 가스의 공급이 가능한 구성으로 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 부생성물이 석영판(62)과 금속판(61) 사이에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 석영판(62)의 나사(65)의 외측 부분에 노치(62a)를 마련하거나, 나사(65)와 나사 구멍(66) 사이에 탄성체를 설치하여, 석영판(62)의 파손이나 진동을 방지하거나 하는 구성으로 해도 된다.17 is a diagram showing an overall configuration of an example of a lid body 60 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 17, a cooling path 63 is formed under the metal plate 61, and an O-ring 64 is disposed at the outermost periphery. Further, on the back side of the metal plate 61, a purge gas supply pipe 73 is provided, so that adhesion of by-products can be suppressed with a purge gas. Further, a quartz plate 62 is provided on the metal plate 61, and the quartz plate 62 is fixed to the metal plate 61 with screws 65. Then, a buffer region 72 is provided inside the metal plate 61 inside the screw 65 and a purge gas supply pipe 73 is connected. The purge gas supply pipe 73 is connected to a purge gas supply source (not shown). A cover member 67 is provided above the buffer area 72 and is fixed with screws 69. A purge gas supply hole 68 is formed in the cover member 67, and the purge gas can be supplied along the bottom surface of the quartz plate 62 from the inside to the outside of the screw 65. With this configuration, it is possible to prevent by-products from adhering between the quartz plate 62 and the metal plate 61. Further, if necessary, a notch 62a is provided in the outer portion of the screw 65 of the quartz plate 62, or an elastic body is provided between the screw 65 and the screw hole 66, and the quartz plate 62 It may be configured to prevent damage or vibration.

도 18은, 퍼지 가스 공급관(73)에 가스 가열기(74)를 설치하는 구성에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 부생성물은, 덮개체(60)가 저온이 되면 발생하기 쉬워지기 때문에, 부생성물의 발생을 더욱 효과적으로 방지하기 위해, 퍼지 가스 공급관(73)에 가스 가열기(74)를 설치하는 구성으로 해도 된다. 이 경우, 가스 가열기(74)는, 퍼지 가스 공급관(73)의 임의의 개소에 설치할 수 있고, 도시하지 않은 퍼지 가스 공급원과 덮개체(60) 부근의 퍼지 가스 공급관(73) 사이의 원하는 위치에 설치할 수 있다.18 is a diagram for describing a configuration in which the gas heater 74 is provided in the purge gas supply pipe 73. Since by-products tend to be generated when the lid body 60 reaches a low temperature, a gas heater 74 may be provided in the purge gas supply pipe 73 in order to more effectively prevent generation of by-products. In this case, the gas heater 74 can be installed at any location of the purge gas supply pipe 73, and at a desired position between the purge gas supply source (not shown) and the purge gas supply pipe 73 near the lid body 60. Can be installed.

이와 같이, 본 실시 형태에 따른 덮개체(60)에 의하면, 부생성물의 부착을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 기판 처리 장치, 특히 종형 열처리 장치의 덮개체에 적용하는 예를 들어 설명하였지만, 부생성물의 부착 방지가 필요한 다양한 용도에 이용할 수 있다.Thus, according to the lid body 60 according to the present embodiment, adhesion of by-products can be effectively prevented. In addition, in this embodiment, although the example applied to the cover body of a substrate processing apparatus, especially a vertical heat treatment apparatus was demonstrated, it can be used for various uses which require prevention of adhesion of by-products.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명은, 상술한 실시 형태로 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.As described above, preferred embodiments of the present invention have been described in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention.

2 열처리로
3A, 3B 웨이퍼 보트
41 보트 엘리베이터
6 덮개체 개폐 기구
60 덮개체
61 금속판
62 석영판
62a 노치
65 나사
66 나사 구멍
68 퍼지 가스 공급 구멍
70 분출 간극
71 간극
72 버퍼 영역
73 가스 공급관
74 가스 가열 기구
75 불소 고무 시트
W 반도체 웨이퍼
C FOUP2 heat treatment furnace
3A, 3B wafer boat
41 boat elevator
6 Cover body opening and closing mechanism
60 shroud
61 metal plate
62 quartz plate
62a notch
65 screws
66 screw hole
68 purge gas supply hole
70 eruption gap
71 gap
72 buffer area
73 gas supply pipe
74 gas heating apparatus
75 Fluoro Rubber Sheet
W semiconductor wafer
C FOUP

Claims (10)

금속판과,
해당 금속판 상에 설치된 석영판과,
상기 석영판을 관통하여, 상기 금속판의 소정 깊이까지 설치된 나사 구멍과,
해당 나사 구멍에 삽입되어, 상기 석영판을 상기 금속판에 고정하는 나사와,
상면에서 볼 때 해당 나사보다도 내측에 설치되어, 상기 석영판과 상기 금속판 사이의 간극에 퍼지 가스의 공급이 가능하도록, 상기 금속판의 내부로부터 상기 석영판의 저면을 향해 퍼지 가스를 공급 가능한 퍼지 가스 공급 구멍이 형성된 상기 금속판에 고정되는 커버 부재와,
상기 커버 부재가 상기 금속판에 감입됨으로써 상기 커버 부재의 하방에 형성되는 버퍼 영역과,
해당 버퍼 영역에 접속되며, 해당 버퍼 영역에 상기 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급관을 갖는,
덮개체.Metal plate,
A quartz plate installed on the metal plate,
A screw hole penetrating the quartz plate and provided to a predetermined depth of the metal plate,
A screw inserted into the screw hole to fix the quartz plate to the metal plate,
A purge gas supply capable of supplying a purge gas from the inside of the metal plate toward the bottom of the quartz plate so that a purge gas can be supplied to the gap between the quartz plate and the metal plate by being installed inside the screw when viewed from the top A cover member fixed to the metal plate with holes,
A buffer region formed below the cover member by fitting the cover member to the metal plate,
It is connected to the buffer region and has a purge gas supply pipe supplying the purge gas to the buffer region,
Shroud. 제1항에 있어서,
상기 버퍼 영역은, 상기 퍼지 가스 공급 구멍과 연통하며, 상기 금속판 내의 외주측을 순환하여 설치되어 있는, 덮개체.The method of claim 1,
The buffer region communicates with the purge gas supply hole and is provided by circulating an outer circumferential side in the metal plate. 제2항에 있어서,
상기 퍼지 가스 공급관에 설치된 가스 가열기를 더 갖는, 덮개체.The method of claim 2,
The lid body further having a gas heater installed in the purge gas supply pipe. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 퍼지 가스 공급 구멍보다도 내측의 소정 개소에서 상기 석영판과 상기 금속판은 밀착되고,
상기 퍼지 가스 공급 구멍보다도 외측에서는 상기 석영판과 상기 금속판 사이에 소정의 분출 간극이 마련되며, 상기 퍼지 가스는 상기 퍼지 가스 공급 구멍으로부터 외측을 향해 흐르도록 유도되는, 덮개체.The method according to any one of claims 1 to 3,
The quartz plate and the metal plate are in close contact at a predetermined location inside the purge gas supply hole,
Outside the purge gas supply hole, a predetermined ejection gap is provided between the quartz plate and the metal plate, and the purge gas is guided to flow outward from the purge gas supply hole. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 석영판을 관통하는 상기 나사와 상기 나사 구멍 사이에는, 상기 퍼지 가스가 유통 가능한 간극이 마련되어 있는, 덮개체.The method according to any one of claims 1 to 3,
A lid body, wherein a gap through which the purge gas can flow is provided between the screw penetrating the quartz plate and the screw hole. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나사와 상기 나사 구멍 사이에는, 상기 간극을 완전히는 막지 않는 탄성체가 설치된, 덮개체.The method according to any one of claims 1 to 3,
An elastic body that does not completely block the gap is provided between the screw and the screw hole. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 석영판의 상기 나사보다도 외측 부분에는, 상기 나사의 외측 부분을 노출시키는 노치가 마련된, 덮개체.The method according to any one of claims 1 to 3,
A lid body provided with a notch for exposing an outer portion of the screw on a portion outside the screw of the quartz plate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나사는 복수 설치되고,
상기 퍼지 가스 공급 구멍은, 상기 나사보다도 많이 마련되며,
상기 석영판의 중심과 상기 나사를 연결하는 직선 상에 마련된 상기 퍼지 가스 공급 구멍을 포함하는, 덮개체.The method according to any one of claims 1 to 3,
A plurality of the screws are installed,
The purge gas supply hole is provided more than the screw,
And the purge gas supply hole provided on a straight line connecting the center of the quartz plate and the screw. 복수의 기판을 연직 방향으로 소정의 간격을 가지고 유지 가능한 기판 유지구와,
소정의 개구부를 통해 해당 기판 유지구에 유지된 상기 복수의 기판을 수용하며, 소정의 기판 처리가 가능한 기판 처리 용기와,
해당 기판 처리 용기에 상기 기판 유지구가 수용되어 있지 않을 때에, 상기 소정의 개구부를 막는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 덮개체를 갖는, 기판 처리 장치.A substrate holder capable of holding a plurality of substrates at predetermined intervals in a vertical direction,
A substrate processing container that accommodates the plurality of substrates held in the substrate holder through a predetermined opening and is capable of processing a predetermined substrate;
A substrate processing apparatus comprising the lid according to any one of claims 1 to 3, which closes the predetermined opening when the substrate holder is not accommodated in the substrate processing container. 제9항에 있어서,
상기 소정의 개구부는 상기 기판 처리 용기의 저부에 설치되고,
상기 소정의 기판 처리는 열처리이며,
상기 덮개체는, 상기 저부보다 하방의 높이로 선회 이동 가능하도록 지지되어 있는, 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The predetermined opening is provided at the bottom of the substrate processing container,
The predetermined substrate treatment is heat treatment,
The substrate processing apparatus, wherein the lid is supported so as to be able to pivot and move to a height lower than the bottom portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7344942B2 (en) * 2021-09-24 2023-09-14 株式会社Kokusai Electric Substrate processing equipment, cleaning method, semiconductor device manufacturing method and program

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009010A (en) * 2000-06-22 2002-01-11 Tokyo Electron Ltd Thermal treatment and method
JP2003257958A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Tokyo Electron Ltd Boat for heat treatment and vertical type heat treatment apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56144415U (en) * 1980-03-31 1981-10-31
JPH09289173A (en) * 1996-04-19 1997-11-04 Tokyo Electron Ltd Vertical thermal treatment equipment
JP2005093489A (en) 2003-09-12 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment device
JP2012204645A (en) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd Lid opening/closing device
JP5724713B2 (en) * 2011-07-22 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009010A (en) * 2000-06-22 2002-01-11 Tokyo Electron Ltd Thermal treatment and method
JP2003257958A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Tokyo Electron Ltd Boat for heat treatment and vertical type heat treatment apparatus

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