JP2002175999A - Substrate processor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型拡散・ＣＶＤ
装置などの基板処理装置に係り、特に装置内のガスフロ
ーを改善したものに関する。The present invention relates to a vertical diffusion CVD.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus such as an apparatus, and more particularly to an apparatus for improving gas flow in an apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９は、従来の縦型拡散・ＣＶＤ装置に
おける移載室の概略平面図を示す。この装置は、移載室
１に１台のボート９を用意して、そのボート９を移載室
上方の反応炉（図示せず）に対して搬入出する１ボート
装置と呼ばれるものである。移載室１でエアフローを形
成しているが、このエアフローには２つ働きがある。2. Description of the Related Art FIG. 9 is a schematic plan view of a transfer chamber in a conventional vertical diffusion / CVD apparatus. This apparatus is called a one-boat apparatus that prepares one boat 9 in the transfer chamber 1 and carries the boat 9 in and out of a reaction furnace (not shown) above the transfer chamber. The air flow is formed in the transfer chamber 1, and this air flow has two functions.
【０００３】一つは、クリーンルーム化である。移載室
１のウェハ移載機２等から発生するパーティクルによる
汚染からウェハを護るため、移載室１をクリーン状態に
保つ必要がある。そこで、従来は、移載室１の一側の壁
のほぼ全面に、フィルタとブロアを内蔵したクリーンモ
ジュール３を設け、移載室１の対角線上の他側のコーナ
壁に排気ファン４を設ける。ブロアで大気をクリーンモ
ジュール３に引きこみ、フィルタでクリーン化して移載
室１に流入させて、クリーンモジュール３からコーナ壁
へ斜めに向かう一方向のエアフローＦを作り、移載室１
で発生したパーティクル等を排気ファン４により外に流
出させている。One is to make a clean room. The transfer chamber 1 needs to be kept clean in order to protect the wafer from contamination by particles generated from the wafer transfer machine 2 and the like in the transfer chamber 1. Therefore, conventionally, a clean module 3 having a built-in filter and a blower is provided on substantially the entire wall on one side of the transfer chamber 1, and an exhaust fan 4 is provided on the other corner wall on the diagonal line of the transfer chamber 1. . The air is drawn into the clean module 3 by a blower, cleaned by a filter, and made to flow into the transfer chamber 1 to create a unidirectional airflow F from the clean module 3 to the corner wall.
The particles and the like generated in the above are caused to flow out by the exhaust fan 4.
【０００４】他の一つは、ウェハの冷却である。移載室
１の上方に設けた反応炉内でボート９に載置したウェハ
を処理するが、処理後、反応炉から搬出したボート９上
のウェハはまだ高温であるため、ウェハを所定の温度ま
で冷やす必要がある。そこで、処理後に搬出されてボー
トロード／アンロード位置Ｃにあるウェハ及びボート９
に、クリーンモジュール３のフィルタでクリーン化され
た大気を吹きつけて空冷している。すなわちクリーンモ
ジュールによる空冷方式である。なお、図において、５
はポッドオープナ、６は移載機エレベータ、及び７はボ
ートエレベータ、８はボートステージである。[0004] Another is cooling of the wafer. The wafer mounted on the boat 9 is processed in a reaction furnace provided above the transfer chamber 1. After processing, the wafer on the boat 9 unloaded from the reaction furnace is still at a high temperature. Need to cool down. Therefore, the wafer and the boat 9 which are unloaded after the processing and are at the boat load / unload position C
Then, the air cleaned by the filter of the clean module 3 is blown to cool the air. That is, an air cooling system using a clean module is used. In the figure, 5
Is a pod opener, 6 is a transfer elevator, 7 is a boat elevator, and 8 is a boat stage.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したよう
な一方向のエアフローを形成する１ボート装置では、排
気ファン４の能力が低いため、対角線から外れた場所に
位置するウェハ移載機２の背面側にエアのよどみＳを生
じてしまい、クリーン状態が保持できない。また、ボー
トロード／アンロード位置Ｃにおける処理後のウェハを
通るエア流は熱と反応残留ガスを含んでおり、他方、ウ
ェハ移載機２側を通るエア流はウェハ移載機２の摺動部
等からのパーティクルを含んでいるが、それらのエアが
混じって集中排気されるため二次的汚染が生じる。However, in the one-boat apparatus for forming a one-way air flow as described above, since the capacity of the exhaust fan 4 is low, the wafer transfer machine 2 located at a position off the diagonal is used. Air stagnation S occurs on the back side, and the clean state cannot be maintained. Further, the air flow passing through the processed wafer at the boat loading / unloading position C contains heat and a residual gas of the reaction, while the air flow passing through the wafer transfer machine 2 side is the sliding of the wafer transfer machine 2. Although it contains particles from parts and the like, secondary contamination occurs because the air is mixed and exhausted in a concentrated manner.
【０００６】また、ウェハが大型化して１２″装置とな
り、さらには高スループット化のために２台のボートを
反応炉に対して交互に搬入出する２ボート装置になる
と、上述した１ボート装置の問題に加えて、つぎのよう
な問題が生じる。[0006] In addition, when the size of a wafer is increased to become a 12 "apparatus, and in order to increase the throughput, a two-boat apparatus for alternately carrying two boats in and out of the reactor is required. In addition to the problems, the following problems arise.
【０００７】クリーンモジュールによる空冷方式では、
装置の省スペース化の要請で、クリーンモジュール３の
フィルタとボートステージとの距離が近くなるため、高
温のウェハやボートにより熱に弱いフィルタが熱影響を
受けてしまう。また、フィルタを通すと、フィルタ自体
の圧力損失が大きく、クリーンエアの流速が落ち、所望
の流速と流量が得られず、ウェハやボートの冷却時間が
長くなる。これを解消するためにフィルタから、より多
くのクリーンエアを流そうとすると、ブロアに大きな能
力が要求されるようになるが、その要求に応えるには外
形寸法や消費電力等が大きくなってしまい、装置に組み
込むことが困難になる。In the air cooling system using a clean module,
Since the distance between the filter of the clean module 3 and the boat stage becomes shorter due to a demand for space saving of the apparatus, the filter which is weak to heat is heated by the high-temperature wafer or boat. Further, when the filter passes through the filter, the pressure loss of the filter itself is large, the flow rate of the clean air decreases, the desired flow rate and the desired flow rate cannot be obtained, and the cooling time of the wafer and the boat increases. In order to solve this problem, if a greater amount of clean air is to be flowed from the filter, a large capacity is required for the blower, but in order to meet the demand, the external dimensions and power consumption will increase. , It becomes difficult to incorporate into the device.
【０００８】上述したように従来の技術では、クリーン
化及び排気に関するクリーン関連の他に、フィルタの熱
影響、冷却時間の長期化、さらには装置の大型化という
冷却関連の問題があった。As described above, in the prior art, in addition to the clean-related problems related to the cleanliness and the exhaust, there are problems related to the heat effects of the filter, a long cooling time, and a large size of the apparatus.
【０００９】本発明の課題は、上述した従来技術の冷却
関連の問題を解消して、基板の冷却時間を短縮でき、フ
ィルタが熱影響を受けず、しかも省スペース化が可能な
基板処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can solve the above-mentioned conventional cooling-related problems, can reduce the cooling time of the substrate, does not affect the heat of the filter, and can save space. To provide.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、ボートに搭載
された基板を処理する反応炉と、該反応炉に対するボー
ト搬入出用の空間を含む部屋と、該部屋に気体を流入し
て流出させる気体給排系とを備え、前記気体給排系の供
給系に、大気又は前記部屋の雰囲気を取り込み、フィル
タを介して前記部屋に流入させるクリーンエア供給系
と、不活性ガス又は水素ガスを直接前記部屋に流入させ
る高純度ガス供給系とを併用したことを特徴とする基板
処理装置である。According to the present invention, there is provided a reactor for processing a substrate mounted on a boat, a room including a space for loading / unloading the boat with respect to the reactor, a gas flowing into and out of the room. A clean air supply system that takes in the atmosphere or the atmosphere of the room into the supply system of the gas supply / exhaust system and flows the air into the room through a filter, and an inert gas or hydrogen gas. A substrate processing apparatus characterized by using a high-purity gas supply system that directly flows into the room.
【００１１】本発明によれば、気体給排手段のうちの供
給系として、クリーンエア供給系の他に高純度ガス供給
系を設けて、この高純度ガス供給系から直接部屋に不活
性ガス又は水素ガスを流入させるようにしている。した
がって、反応炉から搬出されて高温になっている基板を
搭載したボート（ボート等という）に上記ガスを当てる
ようにすれば、フィルタを介して大気や雰囲気を間接的
に当てる場合と比べて、圧損がなく十分な流量及び流速
でボート等にガスを吹きつけることができるので、ボー
ト等の冷却時間を短縮できる。また、ボート等を短時間
で冷却できるので、他方のクリーンエア供給系のフィル
タは、高温になっているボート等からの熱影響を大きく
受けないようにすることができる。また、部屋に流入さ
せる不活性ガス又は水素ガスは高純度であるため、その
流入に際してはフィルタが不要となるので、供給系のう
ち、この高純度ガス供給系の分、装置の小型化、省スペ
ース化を実現できる。According to the present invention, a high-purity gas supply system is provided as a supply system of the gas supply / discharge means in addition to the clean air supply system. Introduces hydrogen gas. Therefore, if the above gas is applied to a boat (referred to as a boat or the like) on which a substrate that has been transported out of the reaction furnace and has a high temperature is mounted, compared to the case where the atmosphere or atmosphere is indirectly applied through a filter, Since gas can be blown onto the boat or the like at a sufficient flow rate and flow rate without pressure loss, the cooling time of the boat or the like can be reduced. Further, since the boat or the like can be cooled in a short time, the filter of the other clean air supply system can be prevented from being greatly affected by heat from the boat or the like having a high temperature. Further, since the inert gas or hydrogen gas flowing into the room is of high purity, a filter is not required when flowing the inert gas or hydrogen gas. Therefore, the high-purity gas supply system in the supply system can be reduced in size and cost. Space can be realized.
【００１２】なお、上記発明において、部屋に流入させ
た気体の流れを一方向ではなく、二方向に分離させて流
し、これらを別々に排出させることで、エアのよどみを
なくし、クリーンな状態を保持できるようにすることが
好ましい。In the above invention, the flow of the gas introduced into the room is separated not in one direction but in two directions, and the separated gas flows are discharged separately, thereby eliminating air stagnation and maintaining a clean state. Preferably, it can be retained.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１４】図７は、第１の実施の形態による縦型拡散
・ＣＶＤ装置としての１ボート装置の移載室を示す概略
平面図、図８はエアフローを説明する移載室の斜視図で
ある。移載室が本発明の部屋を構成する。FIG. 7 is a schematic plan view showing a transfer chamber of one boat apparatus as a vertical diffusion / CVD apparatus according to the first embodiment, and FIG. 8 is a perspective view of the transfer chamber for explaining an air flow. . The transfer room constitutes the room of the present invention.
【００１５】１ボート装置は、処理前のウェハを投入
し、処理後のウェハを排出する移載室１１を備える。移
載室１１はハウジング１０により区画形成される。ここ
で移載室１１はロードロック室や窒素パージボックスを
構成している必要はなく、大気雰囲気でよい。移載室１
１の向きは、図面左が装置の前方であり、図面右が後
方、上が左側、下が右側である。移載室１１の前方にポ
ッドオープナ１５が設けられ、ポッドの蓋を開閉してポ
ッド内のウェハを移載室１１に対して投入・排出できる
ようになっている。The one-boat apparatus has a transfer chamber 11 for loading a wafer before processing and discharging the wafer after processing. The transfer chamber 11 is defined by the housing 10. Here, the transfer chamber 11 does not need to constitute a load lock chamber or a nitrogen purge box, and may be an air atmosphere. Transfer room 1
The direction of 1 is that the left side of the drawing is the front of the apparatus, the right side of the drawing is the rear, the upper side is the left side, and the lower side is the right side. A pod opener 15 is provided in front of the transfer chamber 11 so that the lid of the pod can be opened and closed so that wafers in the pod can be loaded into and unloaded from the transfer chamber 11.
【００１６】移載室１１内の前記ポッドオープナ１５側
に、ポッドとボートとの間でウェハを移載するウェハ移
載機１２が設けられる。ポッド及びボートは図示されて
いない。ポッドは複数枚のウェハを収納する。ボートは
多数枚のウェハを水平状態で縦方向に搭載する。ウェハ
移載機１２は移載機エレベータ１６により昇降し、ポッ
ド又はボートの所望の位置にウェハを移載できるように
なっている。また、移載室１１内のポッドオープナ１５
側とは反対側であって、図示しない反応炉に対してボー
ト搬入出用の空間Ｑにボートエレベータ１７が設けら
れ、反応炉に対してボートを搬入出できるようになって
いる。前記反応炉は、移載室１１の上方に立設され、ボ
ートに搭載されたウェハを処理する。On the pod opener 15 side in the transfer chamber 11, a wafer transfer machine 12 for transferring a wafer between a pod and a boat is provided. Pods and boats are not shown. The pod stores a plurality of wafers. The boat mounts a large number of wafers in a horizontal state in a vertical direction. The wafer transfer machine 12 is moved up and down by a transfer machine elevator 16 so that a wafer can be transferred to a desired position of a pod or a boat. Also, a pod opener 15 in the transfer room 11
A boat elevator 17 is provided in a space Q for boat loading and unloading with respect to a reaction furnace (not shown) on the side opposite to the side, so that a boat can be loaded into and unloaded from the reaction furnace. The reaction furnace is set up above the transfer chamber 11 and processes wafers mounted on a boat.
【００１７】移載室１１には、フィルタを介して大気を
外部から流入させて流出させるクリーンガス給排系Ａが
設けられる。クリーンガス給排系Ａは、クリーンモジュ
ール１３、ダクト１９（図８参照）、及び排気ファン１
４とから主に構成される。The transfer chamber 11 is provided with a clean gas supply / discharge system A for allowing the atmosphere to flow in from the outside and to flow out through a filter. The clean gas supply / discharge system A includes a clean module 13, a duct 19 (see FIG. 8), and an exhaust fan 1
4 mainly.
【００１８】クリーンモジュール１３は、移載室１１の
左側壁のほぼ全面に設けられる。クリーンモジュール１
３は、小型化するために移載機側クリーンモジュール１
３ａと冷却側クリーンモジュール１３ｂとに前後に二分
割してある。例えばＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration
Air-filter）などから構成されるフィルタとブロアを備
えて、ウェハ移載機１２の設けられている移載機側空間
Ｐとボートエレベータ１７が設けられているボート搬入
出用空間Ｑとにクリーンエアを流入できるようになって
いる。The clean module 13 is provided on substantially the entire left side wall of the transfer chamber 11. Clean module 1
3 is a transfer module side clean module 1 for downsizing.
3a and a cooling-side clean module 13b are divided into two parts. For example, ULPA (Ultra Low Penetration)
An air-filter) and a blower are provided to clean the transfer machine side space P in which the wafer transfer machine 12 is provided and the boat loading / unloading space Q in which the boat elevator 17 is provided. Air is allowed to flow in.
【００１９】ダクト１９は、移載室１１の前方のポッド
オープナ１５の下方に、移載室１１を横切るように水平
に設けられる。ダクト１９にはダクト内のガスを吸い込
んで装置外へ排出する複数の排気ファン２０が設けられ
る。クリーンモジュール１３ａのブロアによるガス吸い
こみにより、移載室１１の外部から移載機側クリーンモ
ジュール１３ａに大気を引きこみ、フィルタによりクリ
ーン化して、移載室１１に流入させる。流入したクリー
ンエアは、移載室１１の移載機側空間Ｐを横切り、右側
壁又は前方壁にぶつかって下降し、移載室１１の前方壁
の右側下部に設けた開口１９ａからダクト１９に引きこ
まれて、ダクト１９に設けた排気ファン２０により装置
の外部に排出する。The duct 19 is provided horizontally below the pod opener 15 in front of the transfer chamber 11 so as to cross the transfer chamber 11. The duct 19 is provided with a plurality of exhaust fans 20 for sucking gas in the duct and discharging the gas outside the device. The air is drawn into the transfer-unit-side clean module 13a from the outside of the transfer chamber 11 by the gas suction by the blower of the clean module 13a, cleaned by a filter, and then flows into the transfer chamber 11. The inflowing clean air traverses the transfer machine side space P of the transfer chamber 11, hits the right side wall or the front wall, descends, and flows from the opening 19 a provided in the lower right part of the front wall of the transfer chamber 11 to the duct 19. It is drawn in and discharged to the outside of the apparatus by an exhaust fan 20 provided in a duct 19.
【００２０】排気ファン１４は、冷却側クリーンモジュ
ール１３ｂと対向する移載室１１のコーナ壁に、移載室
１１の高さ方向に沿って所定間隔を開けて複数個設けら
れる。クリーンモジュール１３ｂのブロアは、移載室１
１の外部から冷却側クリーンモジュール１３ｂに大気を
引きこみ、フィルタによりクリーン化して、移載室１１
に流入させる。流入したクリーンエアは移載室１１のボ
ート搬入出用空間Ｑを横切り、右側壁又は後方壁にぶつ
かって、排気ファン１４により装置外に流出する。A plurality of exhaust fans 14 are provided at predetermined intervals along the height direction of the transfer chamber 11 on the corner wall of the transfer chamber 11 facing the cooling-side clean module 13b. The blower of the clean module 13b is in the transfer room 1
1 is drawn into the cooling-side clean module 13b from outside, and is cleaned by a filter.
Into the tank. The inflowing clean air traverses the boat loading / unloading space Q of the transfer chamber 11, hits the right side wall or the rear wall, and flows out of the apparatus by the exhaust fan 14.
【００２１】上述したように、移載室後方の排気ファン
１４に対して、前方位置に排気ダクト１９を設けて、移
載室に１１二方向のエアフローを形成し、そのうちの移
載機側空間Ｐを通過するエア流を、ダクト１９を介して
排気ファン２０から排出する構成とした。これにより移
載室１１に流入したクリーンエアは、移載機側空間Ｐと
ボート搬出入用空間Ｑとに分流されるので、一側に設け
た排気ファン１４単独による集中排気ではなく分流排気
となる。As described above, an exhaust duct 19 is provided at the front position with respect to the exhaust fan 14 at the rear of the transfer chamber, and air flows in two directions are formed in the transfer chamber. The airflow passing through P is discharged from the exhaust fan 20 through the duct 19. As a result, the clean air flowing into the transfer chamber 11 is diverted to the transfer machine side space P and the boat loading / unloading space Q. Become.
【００２２】したがって、一方向のエアフローに比べ
て、パーティクル等の排出、及び移載室１１のクリーン
状態を有効に保持することができる。また、ウェハ移載
機１２の背面側に生じていたエアのよどみを解消するこ
とができ、移載室１１のクリーン度を保つことができ
る。さらに、ボート側と移載機側とでエアフローの排気
口を異ならせて、エアフローを移載室１１内で移載機側
空間Ｐとボート搬出入用空間Ｑとに分流排気するように
したので、ウェハ移載機のパーティクルと、プロセスコ
ンタミネーション，異物，ウェハやペリクル上に付着し
たパターン以外の物質，浮遊塵埃，レジスト，オイルミ
ストなどとの振分け排気が可能となり、二次的汚染を有
効に防止できる。Therefore, compared with the one-way air flow, the discharge of particles and the like and the clean state of the transfer chamber 11 can be effectively maintained. Further, stagnation of air generated on the back side of the wafer transfer device 12 can be eliminated, and the transfer chamber 11 can be kept clean. Further, the airflow exhaust port is different between the boat side and the transfer machine side, so that the airflow is diverted and exhausted into the transfer machine side space P and the boat loading / unloading space Q in the transfer chamber 11. , Which can separate and discharge the particles of the wafer transfer machine from process contamination, foreign matter, substances other than the pattern adhering to the wafer or pellicle, floating dust, resist, oil mist, etc., effectively reducing secondary contamination. Can be prevented.
【００２３】その結果、１２″装置となって、装置の奥
行及び幅、高さが制限されたり、装置が複雑で駆動部が
多くなっても、クリーンエアフローが移載室内でよどみ
なく流れることが可能となり、装置内のクリーン度を清
浄に保つことができる。As a result, even if the depth, width, and height of the device are limited, or the device is complicated and the number of driving units is increased, the clean air flow can flow smoothly in the transfer chamber even if the device is 12 ″. This makes it possible to keep the degree of cleanness in the apparatus clean.
【００２４】なお、移載室コーナに設けた排気ファン１
４とダクト１９に設けた排気ファン２０とは独立運転で
きるように構成できるから、ボート上にのみウェハがあ
り、ウェハ移載機が動いていない場合、排気ファン１４
のみを運転して、ウェハ移載機側のエアフロー及び排気
をストップして省エネルギー化をはかることも可能であ
る。The exhaust fan 1 provided at the corner of the transfer room
4 and the exhaust fan 20 provided in the duct 19 can be configured to operate independently of each other. Therefore, when there is a wafer only on the boat and the wafer transfer device is not operating, the exhaust fan 14
It is also possible to save energy by stopping only the air flow and the exhaust on the side of the wafer transfer machine by operating only.
【００２５】次に、装置を２ボート装置とした第２の実
施の形態を、図１、図２を用いて説明する。図２は（１
チューブ／２ボート）×２構成の１２″２ボート縦型拡
散・ＣＶＤ装置を示す概略斜視図である。この縦型拡散
・ＣＶＤ装置は略直方体状のハウジング３０を備える。
ハウジング３０内の部屋は主に上下に分れ、上部には、
ヒータ加熱してウェハＷに成膜処理する２基の反応炉４
０と、複数のポッドを収納するカセット棚が設けられ
る。Next, a second embodiment in which the apparatus is a two-boat apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows (1)
1 is a schematic perspective view showing a 12 ″ two-boat vertical diffusion / CVD apparatus having a configuration of (tube / 2 boats) × 2. This vertical diffusion / CVD apparatus includes a substantially rectangular parallelepiped housing 30.
The room in the housing 30 is mainly divided up and down,
Two reactors 4 for heating the heater to form a film on the wafer W
0 and a cassette shelf for storing a plurality of pods.
【００２６】下部の移載室３１には、前記反応炉４０に
搬入出されるボート４１と、ボート４１を交換するボー
ト交換装置４２と、反応炉４０に対してボート４１を搬
入出するためにボート４１を昇降するボートエレベータ
３７とが設けられる。さらに、複数枚のウェハＷをボー
ト４１に挿入する前に一括してノッチ合せを行うノッチ
合せ機４３と、処理前の複数枚のウェハを一括してポッ
ド４４からノッチ合わせ機４３へ移載し、ノッチ合せ機
４３からノッチ合せ済みの複数枚のウェハをボート４１
へ一括して移載するためのウェハ移載機３２と、このウ
ェハ移載機３２を昇降する移載機エレベータ（図示せ
ず）とが設けられる。同様な移載室３１は、反応炉に対
応してもう一つ設けられる。In the lower transfer chamber 31, a boat 41 carried in and out of the reaction furnace 40, a boat exchange device 42 for exchanging the boat 41, and a boat for carrying the boat 41 in and out of the reaction furnace 40 are provided. A boat elevator 37 is provided to move up and down 41. Further, a notch aligner 43 for performing notch alignment collectively before inserting a plurality of wafers W into the boat 41, and a plurality of wafers before processing are collectively transferred from the pod 44 to the notch alignment machine 43. , A plurality of notched wafers from the notch aligning machine 43 to the boat 41
And a transfer machine elevator (not shown) for moving the wafer transfer device 32 up and down. Another similar transfer chamber 31 is provided corresponding to the reaction furnace.
【００２７】なお、図１中、４６は補助カセット棚、４
７は操作パネル、４８は２ポートのポッドステージであ
る。また、図示しないがクリーンモジュールが移載室３
１の手前内壁面に設けられている。In FIG. 1, reference numeral 46 denotes an auxiliary cassette shelf,
7, an operation panel; and 48, a 2-port pod stage. Although not shown, a clean module is installed in the transfer chamber 3.
It is provided on the inner wall surface in front of the vehicle.
【００２８】このような１２″２ボート縦型拡散・ＣＶ
Ｄ装置では、装置の外形寸法に制約があるので、処理後
の高温ボートからクリーンモジュールへの熱影響が避け
られない。Such a 12 ″ two-boat vertical diffusion CV
In the case of the D apparatus, since the external dimensions of the apparatus are restricted, it is unavoidable that the processed high-temperature boat exerts a thermal influence on the clean module.
【００２９】すなわち、１２″２ボート縦型拡散・ＣＶ
Ｄ装置の移載室内の主要な構成要素のレイアウトは図４
のようになる。左側から順にノッチ合せ機４３、ウェハ
移載機３２、ウェハ移載ステージａ（ウェハ移載位置
Ａ）、ボートロード／アンロードステージｃ（ボートロ
ード／アンロード位置Ｃ）、ボート冷却ステージｂ（ボ
ート冷却位置Ｂ）がジグザグ状に配列される。このよう
な移載機３２及びステージ等を配列した移載室３１に流
れるエアフローを、例えば互いに離間させた２つのクリ
ーンモジュール３３ａ、３３ｂから流入させ、排気ファ
ン４４から排気しても、移載室３１内の構成要素が増加
しているために、２箇所にエアのよどみＳが生じる。１
箇所はウェハ移載機３２の前方寄りであり、他の箇所
は、ボートロード／アンロード位置Ｃを含む周りであ
る。That is, a 12 ″ two-boat vertical diffusion / CV
The layout of the main components in the transfer room of the D unit is shown in FIG.
become that way. In order from the left side, the notch aligner 43, the wafer transfer unit 32, the wafer transfer stage a (wafer transfer position A), the boat load / unload stage c (boat load / unload position C), and the boat cooling stage b (boat The cooling positions B) are arranged in a zigzag manner. Even if the airflow flowing into the transfer chamber 31 in which the transfer machine 32 and the stages and the like are arranged is flowed from, for example, two clean modules 33a and 33b separated from each other and exhausted from the exhaust fan 44, Due to the increase in the number of components in 31, air stagnation S occurs in two places. 1
The location is near the front of the wafer transfer machine 32, and the other locations are around the boat loading / unloading position C.
【００３０】また、１２″２ボート縦型拡散・ＣＶＤ装
置では、装置内にφ３００ｍｍ用ボートを２本設置する
必要があるが、装置の外形寸法には制約があるため、ク
リーンモジュール３３と各ボート間の距離がどうしても
近くなり、処理後の高温ボート等からクリーンモジュー
ル３３への熱影響が避けられない。この熱影響は、特
に、冷却側クリーンモジュール３３ｂによる冷却位置Ｂ
での冷却時間が長くなる場合に、問題となる。In a 12 ″ two-boat vertical diffusion / CVD apparatus, it is necessary to install two φ300 mm boats in the apparatus. However, since the external dimensions of the apparatus are limited, the clean module 33 and each boat are required. The distance between them is inevitably short, and the thermal influence from the high-temperature boat or the like after processing on the clean module 33 is unavoidable. This thermal influence is particularly caused by the cooling position B by the cooling side clean module 33b.
This is a problem when the cooling time in the cooling becomes long.
【００３１】そこで、第２の実施の形態による２ボート
装置では、図１に示すように、ウェハの冷却位置Ｂに冷
却側クリーンモジュール３３ｂは設置しないで、その代
わり、Ｎ2ガスを吹き出す冷却ノズル６２を設置する。Therefore, in the two-boat apparatus according to the second embodiment, as shown in FIG. 1, the cooling side clean module 33b is not installed at the wafer cooling position B, and instead, a cooling nozzle for blowing out N 2 gas is used. 62 is installed.
【００３２】図１は、上述した図２の丸印で囲った移載
室３１をＺ矢視方向から見たときの内部構成図である。
ここでは、略直方体のハウジング３０内の移載室３１に
設けられるウェハ移載機、移載機エレベータ、ボートエ
レベータ等は、図示していない。FIG. 1 is an internal configuration diagram when the transfer chamber 31 surrounded by a circle in FIG. 2 is viewed from the direction of the arrow Z.
Here, a wafer transfer machine, a transfer machine elevator, a boat elevator, and the like provided in the transfer chamber 31 in the substantially rectangular parallelepiped housing 30 are not shown.
【００３３】ポッドオープナ３５が設けられているポッ
ド収容室４９は、移載室３１の前方に設けられて、移載
室３１とは区画形成されている。移載室３１には、気体
を流入して流出させる気体給排手段として、室内雰囲気
を取り込んで循環流入させるクリーンガス給排系５０
と、Ｎ2ガスをシャワー状に流入させて流出させる高純
度ガス給排系６０とが設けられる。The pod storage chamber 49 in which the pod opener 35 is provided is provided in front of the transfer chamber 31 and is partitioned from the transfer chamber 31. A clean gas supply / discharge system 50 that takes in the room atmosphere and circulates and flows in the transfer chamber 31 as a gas supply / discharge unit that allows gas to flow in and out.
And a high-purity gas supply / discharge system 60 for allowing the N 2 gas to flow in a shower and flow out.
【００３４】クリーンエア給排系 クリーンエア給排系５０は、フィルタ５２及びブロア５
３を有するクリーンエア供給系としてのクリーンユニッ
ト５１と、循環ダクト５４と、排気ファン３４とから構
成される。このうちの、クリーンユニット５１の一部、
及び循環ダクト５４から、移載室３１の雰囲気を循環さ
せる循環系を構成する。また、クリーンユニット５１の
他部、及び排気ファン３４から、移載室３１に大気を取
り込み、循環させないでそのまま外部へ排出する非循環
系を構成する。The clean air supply discharge system clean air supply discharge system 50, the filter 52 and the blower 5
3, a clean unit 51 serving as a clean air supply system, a circulation duct 54, and an exhaust fan 34. Of these, a part of the clean unit 51,
The circulation duct 54 constitutes a circulation system for circulating the atmosphere in the transfer chamber 31. Further, a non-circulation system is configured in which air is taken into the transfer chamber 31 from the other part of the clean unit 51 and the exhaust fan 34 and is discharged to the outside without being circulated.
【００３５】移載室３１の左側壁に必要とされるクリー
ンユニット５１は、移載機側クリーンユニット５１ａと
冷却側クリーンユニット５１ｂとに前後に分割するが、
離間させないで配置する。各クリーンユニット５１ａ及
び５１ｂは、それぞれフィルタ５２ａ，ブロア５３ａ、
及びフィルタ５２ｂ，ブロア５３ｂから構成される。ま
た、独立して運転できるようにする。The clean unit 51 required for the left side wall of the transfer chamber 31 is divided into a front and rear part of a transfer unit side clean unit 51a and a cooling side clean unit 51b.
Place without separating. Each of the clean units 51a and 51b includes a filter 52a, a blower 53a,
And a filter 52b and a blower 53b. In addition, they can be operated independently.
【００３６】循環系の一部を構成する循環ダクト５４
は、垂直ダクト５４ａ、水平ダクト５４ｂ、帰還ダクト
５４ｃから構成される。垂直ダクト５４ａは、移載室３
１のクリーンユニット５１と対向する右側壁の前方コー
ナ部に立設される。高さ方向に適宜間隔で複数の開口を
有して、移載室３１の移載機側空間Ｐの雰囲気を太矢印
で示すように取り込んで下方に導く。水平ダクト５４ｂ
はポッド収容室４９の下部に、移載室３１を横切るよう
に配設され、右側壁側で垂直ダクト５４ａにより捕捉さ
れた雰囲気を移載室３１の外側に取り出した後、移載室
３１の左側壁側に戻す。帰還ダクト５４ｃはクリーンユ
ニット５１が設けられた移載室３１の左側壁と隣接する
ポッド収容室４９の壁面に設けられ、水平ダクト５４ｂ
を通って来た雰囲気を導いて、クリーンユニット５１に
供給する。The circulation duct 54 which forms a part of the circulation system
Is composed of a vertical duct 54a, a horizontal duct 54b, and a return duct 54c. The vertical duct 54a is connected to the transfer chamber 3
The right side wall facing the first clean unit 51 is erected at a front corner portion. A plurality of openings are provided at appropriate intervals in the height direction, and the atmosphere in the transfer machine side space P of the transfer chamber 31 is taken in as indicated by a thick arrow and guided downward. Horizontal duct 54b
Is disposed below the pod storage chamber 49 so as to cross the transfer chamber 31, and after taking out the atmosphere captured by the vertical duct 54 a on the right side wall side to the outside of the transfer chamber 31, Return to the left side wall. The return duct 54c is provided on the wall surface of the pod storage chamber 49 adjacent to the left side wall of the transfer chamber 31 in which the clean unit 51 is provided, and is provided with a horizontal duct 54b.
The atmosphere that has passed through is supplied to the clean unit 51.
【００３７】非循環系の一部を構成する排気ファン３４
は、後述する冷却ノズル６２に対向する移載室３１の右
側壁のコーナ部に設けられる。冷却ノズル６２はコーナ
部の上下方向に沿って適宜間隔を開けて複数個設けられ
る。Exhaust fan 34 constituting a part of the non-circulation system
Is provided at a corner on the right side wall of the transfer chamber 31 facing a cooling nozzle 62 described later. A plurality of cooling nozzles 62 are provided at appropriate intervals along the vertical direction of the corner.
【００３８】循環系では、ブロア５３の吸引力により、
移載室３１内の雰囲気の一部を循環ダクト５４に取り込
み、循環ダクト５４を通じてクリーンユニット５１に導
き、フィルタ５２でパーティクルなどを除去してクリー
ン化し、このクリーンエアを再び太矢印Ｇａで示すよう
に移載室３１内に流入して循環させている。In the circulation system, the suction force of the blower 53
Part of the atmosphere in the transfer chamber 31 is taken into the circulation duct 54, guided to the clean unit 51 through the circulation duct 54, and the particles are removed and cleaned by the filter 52. This clean air is again indicated by the thick arrow Ga. And circulates into the transfer chamber 31.
【００３９】非循環系でも同じく、ブロア５３の吸引力
により、ボート側クリーンモジュールから移載室３１に
流入した太矢印Ｇａで示すクリーンエアの一部が、水平
にボート搬出入用空間Ｑを横切って排気ファン３４より
排出される。なお、図１では、循環ダクト５４から取り
込んだクリーンエアの一部を再度クリーンユニット５１
に循環させているが、水平ダクト５４ｂに複数の排気フ
ァンを取り付け、循環させずに、移載室３１外へ排出し
ても良い。Similarly, in the non-circulating system, a part of the clean air indicated by the thick arrow Ga flowing into the transfer chamber 31 from the boat-side clean module horizontally crosses the boat loading / unloading space Q due to the suction force of the blower 53. And is discharged from the exhaust fan 34. In FIG. 1, a part of the clean air taken in from the circulation duct 54 is
However, a plurality of exhaust fans may be attached to the horizontal duct 54b, and may be discharged out of the transfer chamber 31 without being circulated.
【００４０】高純度ガス給排系 高純度ガス給排系６０は、クリーンユニット５１と隣接
して設けられたノズル支持体６１と、高純度ガス供給系
としての冷却ノズル６２と、前述した排気ファン３４と
から構成される。 High-purity gas supply / discharge system The high-purity gas supply / discharge system 60 includes a nozzle support 61 provided adjacent to the clean unit 51, a cooling nozzle 62 serving as a high-purity gas supply system, and the above-described exhaust fan. 34.
【００４１】冷却ノズル６２は、移載室３１の左側壁後
方であって、ボート搬出入用空間Ｑで冷却されるボート
４１の対向位置に、ノズル支持体６１によって適宜間隔
を開けて複数本立設支持される。複数本の冷却ノズル６
２は、直線配列でもよいが、円筒状フレーム構成のボー
ト４１の一部を取り囲むように弧状に配列することが、
冷却能率を上げるうえで好ましい。A plurality of cooling nozzles 62 are provided upright at appropriate intervals by a nozzle support 61 at a position behind the left side wall of the transfer chamber 31 and opposite to the boat 41 cooled in the boat loading / unloading space Q. Supported. Multiple cooling nozzles 6
2 may be arranged in a straight line, but may be arranged in an arc so as to surround a part of the boat 41 having a cylindrical frame structure.
It is preferable in increasing the cooling efficiency.
【００４２】複数本の冷却ノズル６２には、ノズル穴６
３が開けられて、これらの穴６３からＮ2ガスなどの高
純度の不活性ガス又は高純度のＨ2ガス（以下、単にＮ2
ガスという）を、フィルタを介在せずに移載室３１に直
接高圧で流入させるようになっている。このガスは、図
示しないＮ2ガス供給源からＮ2ガスラインを経てクリー
ンユニット５１の背面から移載室３１内に導かれて、前
記冷却ノズル６２に分配される。The plurality of cooling nozzles 62 have nozzle holes 6
3 is opened, and high-purity inert gas such as N 2 gas or high-purity H 2 gas (hereinafter simply referred to as N 2
Gas) directly flows into the transfer chamber 31 at a high pressure without a filter. This gas is guided from the N 2 gas supply source (not shown) through the N 2 gas line into the transfer chamber 31 from the back of the clean unit 51 and distributed to the cooling nozzle 62.
【００４３】高純度ガス給排系６０は、移載室３１にＮ
2ガスを取り込み、循環させないでそのまま排出する非
循環系を構成する。冷却ノズル６２から細矢印Ｇｂに示
すようにシャワー状に噴出されたＮ2ガスは、ボート４
１等を冷却した後、排気ファン３４により吸引されて排
出される。The high-purity gas supply / discharge system 60
2. Construct a non-circulating system that takes in gas and discharges it without circulating. The N 2 gas jetted from the cooling nozzle 62 in a shower shape as shown by a thin arrow Gb
After cooling 1 and the like, it is sucked and discharged by the exhaust fan 34.
【００４４】次に、上述した構成による移載室３１のガ
スの分流排気を図４と図５とを用いて比較説明するが、
その前に、図３を用いて、ボート交換装置４２の動きを
説明する。図３に示すように、ボートは、ボート交換装
置４２の旋回アームにより円弧状に軌跡を描いて移動さ
れ、３つの位置を取り得る。円弧の中央は反応炉内にボ
ートを挿入し、反応炉内からボートを抜き出すボートロ
ード／アンロード位置Ｃ、円弧左端はウェハ移載機３２
によるボートへのウェハ移載位置Ａ、反対側の円弧右端
はボート冷却位置Ｂである。Next, a description will be given of the divided exhaust of the transfer chamber 31 having the above-described configuration with reference to FIGS. 4 and 5.
Before that, the operation of the boat changing device 42 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the boat is moved in a circular path by the revolving arm of the boat changing device 42 and can take three positions. The center of the arc is a boat load / unload position C where a boat is inserted into the reactor and the boat is extracted from the reactor, and the left end of the arc is a wafer transfer device 32.
The right end of the arc on the opposite side is the boat cooling position B, and the wafer transfer position A to the boat is the boat cooling position B.
【００４５】ボート交換装置４２はつぎのように機能す
る。予め空の２個のボートをＡ、Ｂの位置にそれぞれ置
く。Ａ位置にあるボートに、ポッドより取り出し、ノッ
チ合せ機４３によりノッチ合せを行ったウェハを移載し
てボートを満たす。Ａ位置にあるノッチ合せ済みのウェ
ハで満ちたボートを旋回アームによりＣ位置にもってき
て、上昇して反応炉内にロードして所定の処理を行う。
反応炉で処理している間、Ｂ位置にある空のボートを旋
回アームによりＡ位置にもってきて、別なノッチ合せ前
のウェハをポッドから取り出し、ノッチ合せ機４３によ
りノッチ合せを行い、ボートに移載してウェハで満た
す。そして下記の操作（ａ）〜（ｄ）を繰り返す。The boat changing device 42 functions as follows. Two empty boats are placed in positions A and B in advance. The wafer at the position A is taken out of the pod and the notched wafer 43 is transferred to the notch aligner 43 to fill the boat. The boat filled with the notched wafer at the position A is brought to the position C by the revolving arm, and is lifted and loaded into the reaction furnace to perform a predetermined process.
During the processing in the reactor, the empty boat at the position B is brought to the position A by the swivel arm, another wafer before the notch alignment is taken out from the pod, and the notch aligner 43 performs the notch alignment. And filled with wafers. Then, the following operations (a) to (d) are repeated.
【００４６】（ａ）反応炉でのボートの処理が終了した
ら、そのボートをアンロードし、Ｃ位置に下降した後、
旋回アームにより冷却位置ＢにもってきてＮ2ガス冷却
ノズル６１から吐出されるＮ2ガスで冷却する。(A) When the processing of the boat in the reactor is completed, the boat is unloaded and lowered to the position C.
It is brought to the cooling position B by the revolving arm and cooled by the N 2 gas discharged from the N 2 gas cooling nozzle 61.
【００４７】（ｂ）冷却している間、Ａ位置にあるノッ
チ合せ済みのウェハで満ちたボートを旋回アームにより
Ｃ位置に移し、Ｃの位置から上昇して反応炉内にロード
して、処理する。(B) During the cooling, the boat filled with the notched wafer at the position A is moved to the position C by the revolving arm, and is lifted from the position C and loaded into the reaction furnace. I do.
【００４８】（ｃ）反応炉で処理している間、Ｂ位置で
冷却されたボートを旋回アームによりＡ位置にもってき
て、Ａ位置で処理済みウェハを取り出し、ポッドに戻
す。(C) During processing in the reaction furnace, the boat cooled at the position B is brought to the position A by the swivel arm, and the processed wafer is taken out at the position A and returned to the pod.
【００４９】（ｄ）処理済みウェハを取り出して空にな
ったボートに新規にポッドより取り出し、ノッチ合せ機
４３によりノッチ合せを行ったウェハを移載してボート
を満たす。(D) The processed wafers are taken out and newly taken out of the pod into an empty boat, and the wafers that have been notched by the notch aligner 43 are transferred to fill the boat.
【００５０】さて、上述した構成による移載室３１のガ
スの分流排気を、発明前駆図を示す図４と、第２実施形
態を示す図５とを用いて比較説明する。図４では移載室
３１のノッチ合せ機４３で塞がった部分を除いた左側壁
にクリーンモジュール３３を３３ａと３３ｂとに分離し
て取り付けてあるが、図５ではノッチ合せ機４３の位置
をずらすことにより、クリーンユニット５１を冷却ノズ
ル部分を除いた左側壁全面に、分割はするが、分離する
ことなく取り付けてある。Now, a description will be made of a comparison of the divided exhaust gas of the transfer chamber 31 with the above-described configuration with reference to FIG. 4 showing the precursor drawing and FIG. 5 showing the second embodiment. In FIG. 4, the clean module 33 is separately mounted on the left side wall of the transfer chamber 31 except for the portion closed by the notch matching device 43 into 33 a and 33 b, but in FIG. 5, the position of the notch matching device 43 is shifted. As a result, the clean unit 51 is divided but attached without being separated on the entire left side wall except for the cooling nozzle portion.
【００５１】図４では移載室内のエアフローは、排気フ
ァン４４からのみ排気されるので、よどみＳやエアフロ
ーの不均一が生じる。しかし、図５のものでは、クリー
ンユニッ５１が、ノッチ合せ機４３で死角になっていた
コーナ部にも設けられる。また、循環ダクト５４からエ
アフローを取り込み、クリーンユニット５１へ循環供給
している。このため、分流した一方のエアフローは、ウ
ェハ移載機３２の背面にも十分な空気流を形成すること
ができる。また、分流した他方のエアフローは、排気フ
ァン３４による排気とブロアによる吸引力で移載室内に
大気を引き込んでいる。In FIG. 4, since the air flow in the transfer chamber is exhausted only from the exhaust fan 44, stagnation S and uneven air flow occur. However, in the case of FIG. 5, the clean unit 51 is also provided in a corner which has been blinded by the notch matching machine 43. Further, the airflow is taken in from the circulation duct 54 and circulated and supplied to the clean unit 51. Therefore, one of the divided airflows can form a sufficient airflow also on the back surface of the wafer transfer device 32. Also, the other airflow that has been diverted draws air into the transfer chamber by the exhaust force of the exhaust fan 34 and the suction force of the blower.
【００５２】したがって、図５のものは、図４の排気フ
ァンのみにより移載室雰囲気の排気を行うものと比べ
て、ウェハ移載機３２の前方寄りに空気のよどみが発生
しない。また、ボートロード／アンロード位置Ｃを含む
周りにも空気のよどみが発生しない。その結果、移載室
３１内からパーティクル等が排除され、移載室３１をク
リーンに保つことができる。Therefore, in the apparatus shown in FIG. 5, air stagnation does not occur near the front of the wafer transfer machine 32 as compared with the apparatus in which the transfer fan is evacuated only by the exhaust fan shown in FIG. Also, no air stagnation occurs around the area including the boat load / unload position C. As a result, particles and the like are removed from the transfer chamber 31, and the transfer chamber 31 can be kept clean.
【００５３】また、クリーンモジュールによる空冷方式
を採用している図４のものと比べて、図５のものでは、
冷却ノズル６２から冷却位置ＢにあるボートにＮ2ガス
を吹きつける方式を採用しているので、冷却時間を短縮
できる。図４のように、大気による冷却方式だと、フィ
ルタを介して大気中の塵やパーティクルを除去する必要
がある。フィルタ５２を通すと、フィルタ５２自体の圧
力損失が大きく、クリーンエアの流速が落ちる。したが
って、フィルタを介したものは、流速と流量に所望の値
が得られない。また、フィルタ５２からクリーンエアを
出すために、ブロア５３が必要であるが、多くのエアを
流そうとすればするほど、ブロアの能力が必要となり、
外形寸法消費電力等、装置に組込むには問題となる。Further, in comparison with the air cooling system using a clean module shown in FIG.
Since the system in which N 2 gas is blown from the cooling nozzle 62 to the boat at the cooling position B is employed, the cooling time can be reduced. As shown in FIG. 4, in the case of the cooling method using the air, it is necessary to remove dust and particles in the air through a filter. When the air passes through the filter 52, the pressure loss of the filter 52 itself is large, and the flow velocity of the clean air decreases. Therefore, the flow rate and the flow rate through the filter cannot obtain desired values. In addition, a blower 53 is required to output clean air from the filter 52. However, as more air is to be flowed, the ability of the blower is required.
There is a problem in assembling into the device such as power consumption of external dimensions.
【００５４】しかし、この点で、図５のように、フィル
タ５２を介さずに、高純度な不活性ガスを直接噴出する
ようにすると、所望の流速と流量を容易に得ることがで
きる。しかも、これをＮ2ガスの専用ラインを増設する
だけで実現できる。例えばφ９．５２の配管のスペース
を用意するだけで足りる。また、配管本数、流量等を増
加して冷却能力を上げることも容易である。したがっ
て、大口径の１２″ウェハを処理する装置であっても、
外形寸法や消費電力等が大きくならず、装置に組み込む
ことも容易であり、装置の省スペース化を実現できる。
クリーンモジュール設置に比べ省スペースでの設置が可
能なため、空いたスペースを有効利用可能である。ま
た、クリーンモジュールに比べコスト的なメリットもあ
る。However, at this point, if the high-purity inert gas is directly ejected without passing through the filter 52 as shown in FIG. 5, the desired flow rate and flow rate can be easily obtained. Moreover, this can be realized only by adding a dedicated line for N 2 gas. For example, it suffices to prepare a pipe space of φ9.52. It is also easy to increase the cooling capacity by increasing the number of pipes, the flow rate, and the like. Therefore, even an apparatus for processing a large-diameter 12 ″ wafer,
The external dimensions, power consumption, and the like do not increase, and it is easy to incorporate them into the device, so that space saving of the device can be realized.
Space saving is possible compared to clean module installation, so the empty space can be used effectively. There is also a cost advantage compared to the clean module.
【００５５】また、２ボート装置になって、ボート４１
とフィルタ５２との距離が近くなっても、Ｎ2シャワー
による急速冷却ができ、高温状態になっている時間が短
いので、フィルタへの熱負荷が少ない。しかもＮ2ガス
を吹きつけるので、ウェハ上への自然酸化膜の抑制も可
能である。また、第２実施の形態は、移載室３１にＮ 2
ガスを流入させてボートを冷却しているので、移載室を
窒素パージボックスとしたり、ロードロック室で構成す
る必要はない。すなわち、窒素ガス空間をもったこと
で、本発明は大気雰囲気となるオープン炉装置に適用で
きる。Further, the boat 41 becomes a two-boat device.
Even if the distance between the filter 52 and the filter 52 is short, NTwoshower
Rapid cooling by heat and short time in high temperature state
Therefore, the heat load on the filter is small. And NTwogas
Spraying, the natural oxide film on the wafer can be suppressed.
Noh. In the second embodiment, the transfer chamber 31 has N Two
Since the boat is cooled by flowing gas, the transfer room
Use a nitrogen purge box or a load lock chamber.
Need not be. In other words, having a nitrogen gas space
Therefore, the present invention can be applied to an open furnace device which is in an air atmosphere.
Wear.
【００５６】上述したように第２の実施の形態は種々の
優れた点があるが、さらに次のように構成することが好
ましい。Although the second embodiment has various excellent points as described above, it is preferable that the second embodiment is configured as follows.
【００５７】（１）断熱材部分に多くのＮ2を流す プロセス処理後のボートは熱処理されているため、非常
に高温となっており、ボート、ウェハ、キャップ等の熱
がすぐには下がらない。図６に示すように、特にボート
４１下部のキャップ４１ａや、その替りに用いる断熱板
（図示せず）は、構造上、断熱効果を高くしている。こ
のため、ボート４１の他の部分や、ボート４１に載置さ
れるウェハに比較して、冷めにくくなっている。なお、
キャップ４１ａの内部には石英ウールが入れてある。ま
た断熱板は、熱容量の大きい石英やＳｉＣの板をウェハ
と同じくボート柱４１ｂに支持させるものであり、キャ
ップ４１ａに相当する部分に設けるものである。 (1) Since the boat after the process in which a large amount of N 2 is passed through the heat insulating material has been heat-treated, the temperature of the boat is extremely high, and the heat of the boat, the wafer, the cap, and the like does not immediately decrease. . As shown in FIG. 6, in particular, the cap 41a under the boat 41 and a heat insulating plate (not shown) used in place of the cap 41a have a high heat insulating effect in terms of structure. For this reason, it is harder to cool as compared with other portions of the boat 41 and the wafers placed on the boat 41. In addition,
Quartz wool is placed inside the cap 41a. The heat insulating plate is for supporting a plate of quartz or SiC having a large heat capacity on the boat column 41b similarly to the wafer, and is provided at a portion corresponding to the cap 41a.
【００５８】また、ボート４１上のウェハとキャップ４
１ａとを均等のガス流れで冷却した場合には、ウェハを
移載室３１から排出できる温度（７０〜８０℃）まで降
下させた際のキャップ温度は、まだ２００〜３００℃近
くある。このキャップ温度は、次に移載されるウェハに
対して熱の影響を与えるおそれがある。The wafer 4 on the boat 41 and the cap 4
When 1a is cooled by a uniform gas flow, the cap temperature when the wafer is lowered to a temperature (70 to 80 ° C.) at which the wafer can be discharged from the transfer chamber 31 is still close to 200 to 300 ° C. This cap temperature may affect heat on the next wafer to be transferred.
【００５９】そこで、ボート４１に対して断熱板やキャ
ップ４１ａ側、つまり熱容量の高い部分へ、他の部分よ
りもＮ2ガスを多く流すようにして、熱容量の高い部分
の冷却効果を高めることが好ましい。Therefore, it is necessary to increase the cooling effect of the portion having a high heat capacity by flowing a larger amount of N 2 gas to the heat insulating plate or cap 41a side of the boat 41, that is, the portion having a higher heat capacity than the other portions. preferable.
【００６０】冷却ノズル６２の、ボート４１の熱容量の
低い部分に対応する部分をＡ部とし、熱容量の高い部分
をＢ部とした場合（図６（ａ））、上述したＮ2ガスを
多く流す手段としては、例えば、冷却ノズル６２のＮ2
の吹出し穴６３をＡ部よりもＢ部の方を大きくしたり
（図６（ｂ））、冷却ノズル６２のＢ部の穴ピッチＰ2
をＡ部の穴ピッチＰ1よりも狭くしたり（図６
（Ｃ））、さらには図示しないが、Ａ部とＢ部とにＮ2
ガスを別々に供給するようにして、Ｂ部の供給量を増や
すようにしてもよい。When the portion of the cooling nozzle 62 corresponding to the portion of the boat 41 having a low heat capacity is designated as portion A and the portion having a high heat capacity is designated as portion B (FIG. 6A), a large amount of the above-mentioned N 2 gas flows. As means, for example, N 2 of the cooling nozzle 62
The blowing holes 63 or larger at the portion B than A portion of (FIG. 6 (b)), hole pitch P 2 of part B of the cooling nozzle 62
The or narrower than the hole pitch P 1 of the A portion (Fig. 6
(C)) Further, although not shown, N 2 is added to the portions A and B.
The gas may be separately supplied to increase the supply amount of the part B.
【００６１】（２）Ｔｃ（温度センサ）を用いてＮ2流
量を制御する 図３に示すように、ボートの周辺に熱電対等から構成さ
れた温度センサ７０を設置し、ボート、ウェハ、断熱板
等の温度を監視しながら、温度が高いうちは、Ｎ2ガス
流量を多くし、温度が下がってくるとＮ2ガス流量を少
なくするというように、Ｎ2ガス流量を温度に合わせて
制御する。温度センサ７０の設置数は、装置の上下方向
においては一点、又は多点とする。 (2) N 2 flow using Tc (temperature sensor)
As shown in FIG. 3 to control the amount, established the temperature sensor 70 comprised of a thermocouple in the neighborhood of the boat, the boat, the wafer, while monitoring the temperature of the heat insulating plate or the like, among the temperature is high, N 2 to increase the gas flow rate, so that less when N 2 gas flow rate temperature to come down, controlled in accordance with the temperature of the N 2 gas flow rate. The number of the installed temperature sensors 70 is one point or multiple points in the vertical direction of the apparatus.
【００６２】この場合において、単に移載室３１の雰囲
気温度を検知するのであれば、冷却ノズル６２の近傍を
含め、任意の点に温度センサ７０を設ければよい。しか
し、ボート通過後のＮ2ガス温度を検知したいのであれ
ば、ボート冷却位置Ｂにあるボートを通過したＮ2ガス
流位置に温度センサ７０を設けるとよい。この場合、ボ
ートの旋回に支障がないように旋回軌跡外に温度センサ
７０を設けるか、又は温度センサ７０を移動自在に設け
て、ボート移動する前には旋回軌跡外に位置させ、ボー
トが移動する際に退避できるようにしてもよい。In this case, if the temperature of the atmosphere in the transfer chamber 31 is simply detected, the temperature sensor 70 may be provided at any point including the vicinity of the cooling nozzle 62. However, if it is desired to detect the temperature of the N 2 gas after passing through the boat, the temperature sensor 70 may be provided at the N 2 gas flow position that has passed through the boat at the boat cooling position B. In this case, the temperature sensor 70 is provided outside the turning locus so as not to hinder the turning of the boat, or the temperature sensor 70 is movably provided, and is positioned outside the turning locus before the boat moves, so that the boat moves. You may be made to be able to evacuate when doing.
【００６３】なお、上述した第１の実施の形態では排気
ファンのみによって移載室の雰囲気を排気するようにし
たが、第２の実施の形態のダクト循環方式を併用するこ
とも可能である。In the first embodiment, the atmosphere in the transfer chamber is exhausted only by the exhaust fan, but the duct circulation system of the second embodiment can be used together.
【００６４】[0064]
【発明の効果】本発明によれば、気体給排手段の供給系
に、フィルタを介して大気を流入させるクリーンエア供
給系と、直接高純度な不活性ガス又は水素ガスを流入さ
せる高純度ガス供給系とを併用したので、基板の冷却時
間を短縮でき、熱に弱いフィルタが処理後の基板の熱影
響を受けることがなくなり、しかも省スペース化を実現
できる。According to the present invention, a clean air supply system for flowing air through a filter into a supply system of gas supply / discharge means, and a high-purity gas for directly flowing high-purity inert gas or hydrogen gas through a filter. Since the supply system is used in combination, the cooling time of the substrate can be reduced, the filter which is weak against heat is not affected by the heat of the processed substrate, and the space can be saved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】第２の実施の形態による移載室の気体給排手段
及び気体流れを示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing gas supply / discharge means and a gas flow of a transfer chamber according to a second embodiment.
【図２】第２の実施の形態による縦型拡散・ＣＶＤ装置
の全体構成を示す透視斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the overall configuration of a vertical diffusion / CVD apparatus according to a second embodiment.
【図３】第２の実施の形態による２ボート装置のボート
交換装置及びセンサ配置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a boat exchange device and a sensor arrangement of a two-boat device according to a second embodiment.
【図４】第２の実施の形態の前駆技術となる２ボート装
置の気体の流れを示す移載室の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a transfer chamber showing a gas flow of a two-boat apparatus serving as a precursor technique of the second embodiment.
【図５】第２の実施の形態による２ボート装置の気体の
流れを示す移載室の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a transfer chamber showing a gas flow of the two-boat apparatus according to the second embodiment.
【図６】第２の実施の形態によるボート部位に対する冷
却ノズルの対応を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a correspondence of a cooling nozzle to a boat part according to the second embodiment.
【図７】第１に実施の形態による１ボート装置の気体の
流れを示す移載室の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a transfer chamber showing a gas flow of the one-boat apparatus according to the first embodiment.
【図８】第１に実施の形態による１ボート装置の気体の
流れを示す移載室の透視斜視図である。FIG. 8 is a transparent perspective view of a transfer chamber showing a gas flow of the one-boat apparatus according to the first embodiment.
【図９】従来例による１ボート装置の気体の流れを示す
移載室の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a transfer chamber showing a gas flow of the one-boat apparatus according to the conventional example.
３１ 移載室（部屋） ４０ 反応炉 ４１ ボート ５０ クリーンエア給排系（気体給排系） ５１ クリーンモジュール（クリーンエア供給系） ５２ フィルタ ５３ ブロア ５４ ダクト ６０ 冷却ガス給排系（気体給排系） ６２ 冷却ノズル（高純度ガス給排系） Ｇａ 大気雰囲気（クリーンエア） Ｇｂ 不活性ガス Ｑ ボート搬出入用空間 31 transfer room (room) 40 reactor 41 boat 50 clean air supply / discharge system (gas supply / discharge system) 51 clean module (clean air supply system) 52 filter 53 blower 54 duct 60 cooling gas supply / discharge system (gas supply / discharge system) 62 Cooling nozzle (high-purity gas supply / discharge system) Ga Atmosphere (clean air) Gb Inert gas Q Space for boat loading / unloading
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅川 純史 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 MA02 MA28 NA02 NA04 NA16 PA26 5F045 BB08 BB14 DP19 DQ05 EB08 EE10 EE14 EE20 EF03 EF08 EG10 EJ02 EJ10 EK05 EM01 EN04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Junji Umekawa 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo F-term in Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (Reference) 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 MA02 MA28 NA02 NA04 NA16 PA26 5F045 BB08 BB14 DP19 DQ05 EB08 EE10 EE14 EE20 EF03 EF08 EG10 EJ02 EJ10 EK05 EM01 EN04
Claims (1)
と、 該反応炉に対するボート搬入出用の空間を含む部屋と、 該部屋に気体を流入して流出させる気体給排系とを備
え、 前記気体給排系の供給系に、大気又は前記部屋の雰囲気
を取り込み、フィルタを介して前記部屋に流入させるク
リーンエア供給系と、不活性ガス又は水素ガスを直接前
記部屋に流入させる高純度ガス供給系とを併用したこと
を特徴とする基板処理装置。1. A reaction furnace for processing a substrate mounted on a boat, a room including a space for loading and unloading the boat with respect to the reaction furnace, and a gas supply / discharge system for flowing gas into and out of the room. A clean air supply system that takes air or the atmosphere of the room into the supply system of the gas supply / discharge system and flows into the room through a filter, and a high purity that allows an inert gas or hydrogen gas to flow directly into the room. A substrate processing apparatus characterized by using a gas supply system together.
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007116089A (en) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007311742A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Carrier, facilities coupling device, and transport connection system having carrier and facilities coupling device |
| US20120083120A1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2012169367A (en) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2013254778A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | Vertical thermal treatment device and method for operating vertical thermal treatment device |
| JP2016100498A (en) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transport system and thermal processing device arranged by use thereof |
| JP2016538732A (en) * | 2013-10-14 | 2016-12-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | Board carrier tower |
| KR20170085094A (en) | 2015-01-21 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing device |
| KR20170092103A (en) | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
| KR20180017180A (en) | 2015-08-04 | 2018-02-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| JP2018101741A (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR20190035523A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| US10529605B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-01-07 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| CN112151411A (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 株式会社国际电气 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and storage medium |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000369675A patent/JP4374133B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007116089A (en) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007311742A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Carrier, facilities coupling device, and transport connection system having carrier and facilities coupling device |
| JP4584894B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-11-24 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | Carrier and transport connection system |
| US7918251B2 (en) | 2006-05-17 | 2011-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate carrier and facility interface and apparatus including same |
| CN102446796A (en) * | 2010-10-01 | 2012-05-09 | 株式会社日立国际电气 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2012079907A (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| US20120083120A1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| KR101290980B1 (en) * | 2010-10-01 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2012169367A (en) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US9214371B2 (en) | 2011-02-10 | 2015-12-15 | Tokyo Electron Limited | Thermal treatment apparatus and thermal treatment method |
| JP2013254778A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | Vertical thermal treatment device and method for operating vertical thermal treatment device |
| JP2016538732A (en) * | 2013-10-14 | 2016-12-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | Board carrier tower |
| US10347517B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-07-09 | Entegris, Inc. | Towers for substrate carriers |
| JP2016100498A (en) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transport system and thermal processing device arranged by use thereof |
| JPWO2016117588A1 (en) * | 2015-01-21 | 2017-09-28 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing equipment |
| CN107112270B (en) * | 2015-01-21 | 2020-06-02 | 株式会社国际电气 | Substrate processing apparatus |
| US11512392B2 (en) | 2015-01-21 | 2022-11-29 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
| KR20180131641A (en) | 2015-01-21 | 2018-12-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus |
| KR20170085094A (en) | 2015-01-21 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing device |
| US10508336B2 (en) | 2015-01-21 | 2019-12-17 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
| CN107112270A (en) * | 2015-01-21 | 2017-08-29 | 株式会社日立国际电气 | Substrate board treatment |
| KR20180017180A (en) | 2015-08-04 | 2018-02-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| KR20170092103A (en) | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
| KR20180128375A (en) | 2016-02-02 | 2018-12-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program |
| US11124873B2 (en) | 2016-02-02 | 2021-09-21 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
| KR20190135455A (en) | 2016-02-02 | 2019-12-06 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program |
| US10550468B2 (en) | 2016-02-02 | 2020-02-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
| US10529605B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-01-07 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| JP2018101741A (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR102170007B1 (en) * | 2017-09-26 | 2020-10-26 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| KR20190035523A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| CN112151411A (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 株式会社国际电气 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and storage medium |
| KR20210001987A (en) | 2019-06-28 | 2021-01-06 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and computer program |
| US11404291B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-08-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| KR102452122B1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-10-06 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and computer program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4374133B2 (en) | 2009-12-02 |
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