JP5027430B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、スループットを向上する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a technique for improving throughput. For example, a semiconductor wafer in which a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is manufactured in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC). The following description relates to a material that is effective when used in a heat treatment apparatus (furnace) that performs thermal treatment on a wafer.

ICの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜および半導体膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりする熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されている。
従来のこの種の熱処理装置は、複数枚のウエハをボートに保持しつつバッチ処理する処理室と、ボートが処理室への搬入出前後に待機する待機室と、待機室に清浄雰囲気を供給するフィルタおよび送風機からなるクリーンユニットと、待機室にフィルタに対向するように設けられてボートを待機室と処理室との間で昇降させるボートエレベータとを備えており、一台のボートによって複数枚のウエハをバッチ処理するように構成されているのが、一般的である。
このような熱処理装置においては、ボートが処理室に搬入されている間にボートへのウエハの移載作業を実施することができないために、スループットが悪いという問題点がある。
そこで、二台のボートを交互に使用することによってスループットを向上させる熱処理装置が提案されている。例えば、特許文献1参照。
特開2001−338890号公報
In an IC manufacturing method, a heat treatment apparatus is widely used in a heat treatment step of forming a CVD film such as an insulating film, a metal film, or a semiconductor film on a wafer or diffusing impurities.
A conventional heat treatment apparatus of this type includes a processing chamber for batch processing while holding a plurality of wafers in a boat, a standby chamber in which the boat waits before and after loading into and out of the processing chamber, and a filter that supplies a clean atmosphere to the standby chamber And a clean unit comprising a blower, and a boat elevator provided in the standby chamber so as to face the filter and moving the boat up and down between the standby chamber and the processing chamber, and a plurality of wafers by one boat It is common to be configured for batch processing.
Such a heat treatment apparatus has a problem that the throughput is poor because the wafer transfer operation to the boat cannot be performed while the boat is being carried into the processing chamber.
Therefore, a heat treatment apparatus has been proposed that improves throughput by using two boats alternately. For example, see Patent Document 1.
JP 2001-338890 A

しかし、二台のボートを交互に使用する熱処理装置においても、処理が終了して処理室からボートアンローディングしたボートは高温であるために、ボートアンローディング直後のボートを交換のために載置台に退避移動させると、載置台に設置されているセンサが高温によって破損されるという問題点がある。
このセンサの破損を回避するために、処理後のボートを自然冷却してから載置台に移動させたのでは、二台のボートを交互に使用することによるスループットの向上効果が低下してしまうという問題点がある。
However, even in a heat treatment apparatus that uses two boats alternately, the boat that has been unloaded from the processing chamber after the completion of the treatment is hot, so the boat immediately after the boat unloading is used as a mounting table for replacement. When retracted, there is a problem that the sensor installed on the mounting table is damaged by high temperature.
In order to avoid breakage of this sensor, if the boat after processing is naturally cooled and then moved to the mounting table, the effect of improving the throughput by using two boats alternately decreases. There is a problem.

本発明の目的は、ボートアンローディングにボートを直ちに退避させることができる基板処理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can immediately retract a boat during boat unloading.

前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引することにより、前記載置台を冷却することを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記基板保持具移動手段は、前記処理室内にて前記加熱手段により加熱された前記基板保持具が前記載置台に載置されている際には、前記冷却ガス供給手段と前記載置台との間に配置されており、前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引する吸引口が、前記載置台に対して前記基板保持具移動手段の配置されている位置とは反対側の位置に配置されていることを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) a processing chamber for processing while holding a substrate by a substrate holder;
Heating means for heating the substrate;
Transport means for carrying in the processing chamber while holding the substrate holder with a lid;
A mounting table for mounting the substrate holder heated by the heating means in the processing chamber at a position different from the lid;
A substrate holder moving means for moving the substrate holder between the lid and the mounting table;
A cooling gas supply means for supplying a cooling gas so as to cool the substrate holder placed on the mounting table;
A mounting table cooling means for cooling the mounting table;
A substrate processing apparatus comprising:
(2) The substrate processing apparatus according to (1), wherein the mounting table cooling means cools the mounting table by locally sucking a peripheral portion of the mounting table.
(3) The substrate holder moving means may include the cooling gas supply means and the mounting table when the substrate holder heated by the heating means is placed on the mounting table in the processing chamber. The placement table cooling means is a position where the suction port for locally sucking the peripheral portion of the placement table is positioned where the substrate holder moving means is located with respect to the placement table. The substrate processing apparatus according to (1), wherein the substrate processing apparatus is disposed at an opposite position.

前記した(1)の手段によれば、載置台および載置台に載置された基板保持具を強制的に冷却することができるので、高温の基板保持具を直ちに載置台に退避移動させることができる。   According to the means (1) described above, since the mounting table and the substrate holder placed on the mounting table can be forcibly cooled, the high-temperature substrate holder can be immediately retracted to the mounting table. it can.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、熱処理装置10として図1〜図4に示されているように構成されている。
ところで、ウエハを収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。
ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン度)は維持することができる。
そこで、本実施の形態においては、ウエハ1のキャリアとしてはポッド2が使用されている。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured as a heat treatment apparatus 10 as shown in FIGS.
By the way, as a carrier (conveying jig) for storing and transporting a wafer, an open cassette formed in a substantially cubic box shape having a pair of opposed surfaces opened and one surface opened. There is also a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) in which a cap is detachably mounted on an opening surface.
When a pod is used as a wafer carrier, the wafer is transported in a sealed state. Therefore, even if particles are present in the surrounding atmosphere, the cleanness of the wafer (cleanness) is Can be maintained.
Therefore, in this embodiment, the pod 2 is used as the carrier for the wafer 1.

本実施の形態に係る熱処理装置10は気密構造に構築された筐体11を備えている。
筐体11の正面壁にはウエハ1を出し入れするためのウエハ搬入搬出口12が開設されており、ウエハ搬入搬出口12にはポッド2のキャップ3(図2参照)を着脱してポッド2を開閉するポッドオープナ13が設置されている。
The heat treatment apparatus 10 according to the present embodiment includes a housing 11 constructed in an airtight structure.
A wafer loading / unloading port 12 for loading and unloading the wafer 1 is opened on the front wall of the housing 11. The cap 3 (see FIG. 2) of the pod 2 is attached to and detached from the wafer loading / unloading port 12. A pod opener 13 that opens and closes is installed.

筐体11内には待機室14が設定されており、待機室14の前側の空間にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )15が設置されている。ウエハ移載装置15はウエハ移載装置エレベータ16によって昇降されるように構成されている。
待機室14の後側の空間にはボートエレベータ17が垂直に設置されており、ボートエレベータ17は蓋体としてのシールキャップ18を垂直方向に昇降させるように構成されている。
A standby chamber 14 is set in the housing 11, and a wafer transfer equipment 15 is installed in a space in front of the standby chamber 14. The wafer transfer device 15 is configured to be moved up and down by a wafer transfer device elevator 16.
A boat elevator 17 is vertically installed in a space on the rear side of the waiting room 14, and the boat elevator 17 is configured to raise and lower a seal cap 18 as a lid in the vertical direction.

シールキャップ18の中心線上には処理室21を形成するプロセスチューブ20が、マニホールド22を介して垂直に立脚されて筐体11の上に設置されている。
図3に示されているように、マニホールド22には処理室21に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管23と、処理室21を真空排気するための排気管24が接続されている。
また、マニホールド22の下端の開口(炉口)はシャッタ25によって開閉されるようになっている。
On the center line of the seal cap 18, a process tube 20 forming a processing chamber 21 is vertically installed via a manifold 22 and installed on the housing 11.
As shown in FIG. 3, the manifold 22 is connected with a gas introduction pipe 23 for introducing a raw material gas, a purge gas or the like into the processing chamber 21, and an exhaust pipe 24 for evacuating the processing chamber 21. Yes.
An opening (furnace port) at the lower end of the manifold 22 is opened and closed by a shutter 25.

プロセスチューブ20の外側にはヒータユニット26が同心円に配されて筐体11に支持されており、ヒータユニット26は処理室21を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
なお、待機室14のウエハ搬入搬出口12の左脇には、ノッチ合わせ装置4が設置されている。
A heater unit 26 is arranged concentrically on the outside of the process tube 20 and supported by the casing 11, and the heater unit 26 is configured to heat the processing chamber 21 uniformly or with a predetermined temperature distribution throughout. .
A notch aligner 4 is installed on the left side of the wafer loading / unloading port 12 in the standby chamber 14.

図1に示されているように、本実施の形態においては、基板保持具としてのボート27は二台が使用される。
二台のボート27、27は同一に構成されており、図2および図3に示されているように、上下で一対の端板27a、27bと、両端板27a、27b間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態では三本)の保持部材27cとを備えており、各保持部材27cには複数条の保持溝27dが、長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻まれている。
そして、ウエハ1の外周縁部が各保持部材27cの同一段の保持溝27d間に挿入されることにより、複数枚のウエハ1は水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されて、ボート27に保持されるようになっている。
As shown in FIG. 1, in this embodiment, two boats 27 as substrate holders are used.
The two boats 27 and 27 are configured in the same manner, and as shown in FIG. 2 and FIG. 3, are vertically arranged between a pair of end plates 27 a and 27 b and both end plates 27 a and 27 b. And a plurality of (three in this embodiment) holding members 27c disposed on the holding member 27c. Each holding member 27c has a plurality of holding grooves 27d arranged at equal intervals in the longitudinal direction. Each is carved so as to open in the same plane.
The outer peripheral edge of the wafer 1 is inserted between the holding grooves 27d of the same stage of the holding members 27c, so that the plurality of wafers 1 are aligned horizontally and aligned with each other, and the boat 27 Is supposed to be retained.

ボート27の下には断熱キャップ部28が形成されており、断熱キャップ部28は炉口に挿入された状態で、炉口付近を断熱するようになっている。
シールキャップ18の上には支持台29が設置されており、支持台29の上にはボート27が断熱キャップ部28を介して載置されるようになっている。支持台29は図示しない回転装置によって回転されるようになっている。
A heat insulating cap portion 28 is formed under the boat 27, and the heat insulating cap portion 28 insulates the vicinity of the furnace port while being inserted into the furnace port.
A support base 29 is installed on the seal cap 18, and a boat 27 is placed on the support base 29 via a heat insulating cap portion 28. The support base 29 is rotated by a rotating device (not shown).

図1に示されているように、待機室14のボートエレベータ17と反対側には、基板保持具移動手段としてのボート移送装置30が設備されている。
図1および図5に示されているように、ボート移送装置30は水平面内で往復回動する第一アーム31と第二アーム32とを備えている。第一アーム31および第二アーム32はいずれも円弧形状に形成されており、断熱キャップ部28の下面に挿入されて下から係合することにより、ボート27全体を垂直に支持するようになっている。
図1に示されているように、第一アーム31がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第一載置台33が設置されている。
ボート移送装置30は第一アーム31によってボート27を第一載置台33とシールキャップ18上の支持台29との間で移送するように構成されている。
また、第二アーム32がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第二載置台34が設置されている。
ボート移送装置30は第二アーム32によってボート27を第二載置台34とシールキャップ18上の支持台29との間および第二載置台34と第一載置台33との間で移送するように構成されている。
As shown in FIG. 1, a boat transfer device 30 as a substrate holder moving means is installed on the opposite side of the standby chamber 14 from the boat elevator 17.
As shown in FIGS. 1 and 5, the boat transfer device 30 includes a first arm 31 and a second arm 32 that reciprocally rotate in a horizontal plane. Both the first arm 31 and the second arm 32 are formed in an arc shape, and are inserted into the lower surface of the heat insulating cap portion 28 and engaged from below, thereby supporting the entire boat 27 vertically. Yes.
As shown in FIG. 1, a first mounting table 33 is installed at a facing position where the first arm 31 is separated from the center of the seal cap 18 by about 90 degrees.
The boat transfer device 30 is configured to transfer the boat 27 between the first mounting table 33 and the support table 29 on the seal cap 18 by the first arm 31.
In addition, a second mounting table 34 is installed at an opposing position where the second arm 32 is separated from the center of the seal cap 18 by about 90 degrees.
The boat transfer device 30 uses the second arm 32 to transfer the boat 27 between the second mounting table 34 and the support table 29 on the seal cap 18 and between the second mounting table 34 and the first mounting table 33. It is configured.

第一載置台33および第二載置台34は略同様に構成されているので、その構成は第二載置台(以下、区別を要しない場合には、載置台という。)34を代表にして、図6および図7によって説明する。
載置台34は台座35を備えており、台座35は図6に示されているように円盤形状に形成されている。台座35の上面には有無センサ36および識別センサ37が設置されている。有無センサ36と識別センサ37の構造は共に同じである。
図7に示されているように、台座35には樹脂製のピン38が摺動自在に貫通されており、ピン38の真下には有無センサ36および識別センサ37の検出子(センサ)39が配置されている。検出子39は台座35に樹脂製プレート40を介して固定された金属板41に取り付けられている。
Since the first mounting table 33 and the second mounting table 34 are configured in substantially the same manner, the configuration of the first mounting table 33 and the second mounting table 34 is represented by the second mounting table 34 (hereinafter referred to as the mounting table if it is not necessary to distinguish). This will be described with reference to FIGS.
The mounting table 34 includes a pedestal 35, and the pedestal 35 is formed in a disk shape as shown in FIG. A presence sensor 36 and an identification sensor 37 are installed on the upper surface of the pedestal 35. Both the presence sensor 36 and the identification sensor 37 have the same structure.
As shown in FIG. 7, a resin-made pin 38 is slidably passed through the pedestal 35, and a detector 39 for the presence sensor 36 and the identification sensor 37 is provided directly below the pin 38. Has been placed. The detector 39 is attached to a metal plate 41 fixed to the pedestal 35 via a resin plate 40.

筐体11には待機室14に不活性ガスとしての窒素ガス50を循環させる循環路51を構成した循環ダクト52が、図1〜図4に示されているように敷設されている。
循環ダクト52は吸込側ダクト部53を備えており、吸込側ダクト部53は待機室14における一方の側面である右側面にウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17を待機室14から隔離するように、略全体面にわたって垂直に敷設されている。
吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁には、2本の挿通孔54、54がウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームの昇降移動範囲にわたってそれぞれ開設されており、両挿通孔54、54にはウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームがそれぞれ挿通されている。
また、両挿通孔54、54と同様に、後述するクリーンユニット58と第二載置台34とを結ぶ略延長線上には、吸込孔67が吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁に開設されている。
吸込側ダクト部53の下端部における前端には、メイン連絡ダクト部55の吸込側端が接続されており、メイン連絡ダクト部55は待機室14の外部における下端部を横切るように水平に敷設されている。メイン連絡ダクト部55の待機室14に面する側壁には、吸込口56が横長に大きく開設されている。
A circulation duct 52 that constitutes a circulation path 51 that circulates nitrogen gas 50 as an inert gas in the standby chamber 14 is laid in the casing 11 as shown in FIGS.
The circulation duct 52 includes a suction side duct portion 53, and the suction side duct portion 53 isolates the wafer transfer device elevator 16 and the boat elevator 17 from the standby chamber 14 on the right side which is one side surface of the standby chamber 14. In addition, it is laid vertically over substantially the entire surface.
Two insertion holes 54 are formed in the side wall in contact with the standby chamber 14 of the suction side duct portion 53 over the range of the up and down movement of the arms of the wafer transfer device elevator 16 and the boat elevator 17. The arms of the wafer transfer device elevator 16 and the boat elevator 17 are inserted through 54 and 54, respectively.
Similarly to the two insertion holes 54, 54, a suction hole 67 is formed on a side wall in contact with the standby chamber 14 of the suction side duct portion 53 on a substantially extended line connecting a clean unit 58 to be described later and the second mounting table 34. Has been.
The suction side end of the main connection duct portion 55 is connected to the front end of the lower end portion of the suction side duct portion 53, and the main connection duct portion 55 is laid horizontally so as to cross the lower end portion outside the standby chamber 14. ing. On the side wall of the main communication duct portion 55 facing the standby chamber 14, a suction port 56 is largely opened in a horizontally long manner.

待機室14における吸込側ダクト部53の反対側である左側面には吹出側ダクト部57が垂直に敷設されている。吹出側ダクト部57の下端部にはメイン連絡ダクト部55の吹出側端が接続されている。
吹出側ダクト部57の待機室14に面する側壁には、待機室14に清浄化した雰囲気を供給するクリーンユニット58が略全面にわたって建て込まれている。
クリーンユニット58はパーティクルを捕集するフィルタ59と、清浄化した雰囲気を送風する複数の送風機60とを備えており、フィルタ59が待機室14に露出するとともに、送風機60群の下流側になるように構成されている。
A blow-out duct portion 57 is laid vertically on the left side surface of the standby chamber 14 opposite to the suction-side duct portion 53. A blow-off end of the main connection duct portion 55 is connected to a lower end portion of the blow-out duct portion 57.
A clean unit 58 for supplying a clean atmosphere to the standby chamber 14 is installed on the entire side wall of the blow-out duct portion 57 facing the standby chamber 14.
The clean unit 58 includes a filter 59 for collecting particles and a plurality of blowers 60 for blowing the cleaned atmosphere. The filter 59 is exposed to the standby chamber 14 and is located downstream of the blower 60 group. It is configured.

図1および図2に示されているように、循環ダクト52のメイン連絡ダクト部55の吹出側端部には、循環路51に窒素ガス50を供給する供給管61が接続されている。
図1に示されているように、循環路51から窒素ガス50を排出する排出路としての排出管62が接続されており、排出管62には開閉弁63が介設されている。
そして、ボート27が処理室21から搬出される際には、待機室14から排出管62によって排出される所定の流量の窒素ガス50を待機室14に供給管61から供給し、ボート27が処理室21に搬入されている際には、窒素ガス50を待機室14に循環路51によって循環させる制御が可能なように、開閉弁63は構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a supply pipe 61 that supplies nitrogen gas 50 to the circulation path 51 is connected to the outlet side end portion of the main connection duct portion 55 of the circulation duct 52.
As shown in FIG. 1, a discharge pipe 62 is connected as a discharge path for discharging the nitrogen gas 50 from the circulation path 51, and an open / close valve 63 is interposed in the discharge pipe 62.
When the boat 27 is unloaded from the processing chamber 21, a predetermined flow rate of nitrogen gas 50 discharged from the standby chamber 14 through the discharge pipe 62 is supplied from the supply pipe 61 to the standby chamber 14. The open / close valve 63 is configured so that the nitrogen gas 50 can be circulated to the standby chamber 14 through the circulation path 51 when being carried into the chamber 21.

また、図3に示されているように、循環ダクト52の吹出側ダクト部57の上端には、クリーンエアを導入するクリーンエア導入管64が接続されており、クリーンエア導入管64には止め弁65が介設されている。   Further, as shown in FIG. 3, a clean air introduction pipe 64 for introducing clean air is connected to the upper end of the outlet side duct portion 57 of the circulation duct 52, and the clean air introduction pipe 64 is stopped. A valve 65 is interposed.

図3および図4に示されているように、吹出側ダクト部57の下端部には、吹出側ダクト部57に回収された窒素ガス50を冷却するための冷却器66が前後方向に延在するように敷設されている。
本実施の形態において、冷却器66は水冷式熱交換器によって構成されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, a cooler 66 for cooling the nitrogen gas 50 collected in the blowout side duct portion 57 extends in the front-rear direction at the lower end portion of the blowout side duct portion 57. Is laid to do.
In the present embodiment, the cooler 66 is a water-cooled heat exchanger.

図1に示されているように、待機室14内の第二載置台34の手前側における底面上には、冷却ガス供給手段としてのサブ連絡ダクト部70が左右方向に横断するように敷設されている。
図1および図4に示されているように、サブ連絡ダクト部70の吸込側端(上流側端)71は吸込側ダクト部53の下端部に接続されており、サブ連絡ダクト部70の吹出側端(下流側端)72は吹出側ダクト部57の下端部に接続されている。
図1および図6に示されているように、コンダクタンスを高めるために、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されている。また、シールキャップ18、ボート移送装置30の本体部分および第二載置台34を逃げるように水平方向に蛇行されている。また、サブ連絡ダクト部70の断面積は第二アーム32の回動および第二載置台34へのボート27の送迎動作を妨げない大きさとしつつも風量を高めるために、可及的に大きく設定されている。
As shown in FIG. 1, a sub-connecting duct portion 70 serving as a cooling gas supply means is laid on the bottom surface of the front side of the second mounting table 34 in the standby chamber 14 so as to cross in the left-right direction. ing.
As shown in FIGS. 1 and 4, the suction side end (upstream side end) 71 of the sub-connection duct portion 70 is connected to the lower end portion of the suction-side duct portion 53, and the sub-connection duct portion 70 is blown out. The side end (downstream side end) 72 is connected to the lower end portion of the blowout side duct portion 57.
As shown in FIGS. 1 and 6, in order to increase conductance, the sub-connecting duct portion 70 is formed in a shape having no corners. Further, the seal cap 18, the main body portion of the boat transfer device 30 and the second mounting table 34 are meandered in the horizontal direction so as to escape. Further, the cross-sectional area of the sub-connecting duct portion 70 is set as large as possible in order to increase the air volume while preventing the rotation of the second arm 32 and the transfer operation of the boat 27 to the second mounting table 34. Has been.

図1、図4、図6および図7に示されているように、第二載置台34のクリーンユニット58と反対側の片脇には、載置台冷却手段としての冷却板74が垂直に立脚されている。冷却板74は半円筒形状に形成されており、開口側(弦側)がクリーンユニット58側に正対されて、第二載置台34のクリーンユニット58と反対側半分を被覆している。
冷却板74とサブ連絡ダクト部70との間には、載置台冷却手段の一部を構成する分岐ダクト75が架設されている。分岐ダクト75の吸込側端(上流側端)76は冷却板74の上端部の中央に接続されており、分岐ダクト75の吹出側端(下流側端)77はサブ連絡ダクト部70の上面壁に接続されている。
分岐ダクト75の吹出側端77のサブ連絡ダクト部70との接続部は、大きな風量を最も確保することができるように、サブ連絡ダクト部70の可及的に下流側端部に配置されている。
As shown in FIGS. 1, 4, 6, and 7, a cooling plate 74 as a mounting table cooling unit is vertically provided on one side of the second mounting table 34 on the side opposite to the clean unit 58. Has been. The cooling plate 74 is formed in a semi-cylindrical shape, and the opening side (string side) is directly opposed to the clean unit 58 side, and covers the half of the second mounting table 34 opposite to the clean unit 58.
A branch duct 75 constituting a part of the mounting table cooling means is installed between the cooling plate 74 and the sub-connecting duct portion 70. The suction side end (upstream side end) 76 of the branch duct 75 is connected to the center of the upper end portion of the cooling plate 74, and the outlet side end (downstream side end) 77 of the branch duct 75 is the upper surface wall of the sub-connecting duct portion 70. It is connected to the.
The connecting portion of the outlet side 77 of the branch duct 75 with the sub-connecting duct portion 70 is disposed at the end of the sub-connecting duct portion 70 as much as possible downstream so that a large amount of air can be secured. Yes.

次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を説明する。   Next, the operation of the heat treatment apparatus according to the above configuration will be described.

図1および図2に示されているように、複数枚のウエハ1が収納されたポッド2はポッドオープナ13の載置台13aに供給される。
ポッドオープナ13の載置台13aに載置されたポッド2はキャップ3をポッドオープナ13によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the pod 2 in which a plurality of wafers 1 are stored is supplied to a mounting table 13 a of a pod opener 13.
The pod 2 mounted on the mounting table 13a of the pod opener 13 is removed from the cap 3 by the pod opener 13 and the wafer loading / unloading opening is opened.

ポッド2に収納されたウエハ1は、図1に示されているように第一載置台33の上に置かれた空のボート(以下、第一ボート27Aという。)にウエハ移載装置15によって移載される。   The wafer 1 stored in the pod 2 is transferred to an empty boat (hereinafter referred to as a first boat 27A) placed on the first mounting table 33 by the wafer transfer device 15 as shown in FIG. Reprinted.

他方、図1で参照されるように、所定枚数のウエハ1を保持した他方のボート27は、シールキャップ18に垂直に支持された状態で、ボートエレベータ17によってプロセスチューブ20の処理室21に搬入されて所定の処理を施される。
すなわち、シールキャップ18に垂直に支持されたボート27はボートエレベータ17によって上昇されて、プロセスチューブ20の処理室21に搬入(ボートローディング)される。ボート27が上限に達すると、シールキャップ18の上面の外周辺部がマニホールド22の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室21は気密に閉じられた状態になる。
処理室21がシールキャップ18によって気密に閉じられた状態で、処理室21が所定の真空度に排気管24によって真空排気され、ヒータユニット26によって所定の処理温度(例えば、800〜1000℃)をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室21にガス導入管23によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
この熱処理の間に、前述したように、第一載置台33においては第一ボート27Aにウエハ1がウエハ移載装置15によって移載(ウエハローディング)されていることになる。
On the other hand, as shown in FIG. 1, the other boat 27 holding the predetermined number of wafers 1 is carried into the processing chamber 21 of the process tube 20 by the boat elevator 17 while being supported vertically by the seal cap 18. Then, a predetermined process is performed.
That is, the boat 27 that is vertically supported by the seal cap 18 is lifted by the boat elevator 17 and loaded into the processing chamber 21 of the process tube 20 (boat loading). When the boat 27 reaches the upper limit, the outer peripheral portion on the upper surface of the seal cap 18 closes the lower end opening of the manifold 22 in a sealed state, so that the processing chamber 21 is hermetically closed.
In a state where the processing chamber 21 is hermetically closed by the seal cap 18, the processing chamber 21 is evacuated to a predetermined vacuum level by the exhaust pipe 24, and has a predetermined processing temperature (for example, 800 to 1000 ° C.) by the heater unit 26. The whole is uniformly heated, and the processing gas is supplied to the processing chamber 21 through the gas introduction pipe 23 at a predetermined flow rate. Thereby, a predetermined heat treatment is performed.
During the heat treatment, as described above, the wafer 1 is transferred (wafer loading) to the first boat 27A by the wafer transfer device 15 in the first mounting table 33.

予め設定された処理時間が経過すると、図1〜図3に示されているように、ボート27を支持したシールキャップ18がボートエレベータ17によって下降されることにより、ボート27がプロセスチューブ20の処理室21から搬出(ボートアンローディング)される。
ボート27が搬出されたマニホールド22の下端開口はシャッタ25によって閉鎖され、処理室21の高温ガスが逃げるのを防止する。
処理室21から搬出されたボート27およびこれに保持されたウエハ1群(以下、処理済みボート27Bという。)は高温の状態になっている。
When a preset processing time has elapsed, as shown in FIGS. 1 to 3, the seal cap 18 that supports the boat 27 is lowered by the boat elevator 17, so that the boat 27 processes the process tube 20. It is unloaded from the chamber 21 (boat unloading).
The lower end opening of the manifold 22 from which the boat 27 has been unloaded is closed by the shutter 25 to prevent the hot gas in the processing chamber 21 from escaping.
The boat 27 carried out from the processing chamber 21 and a group of wafers held by the boat 27 (hereinafter referred to as a processed boat 27B) are in a high temperature state.

処理室21から搬出された高温状態の処理済みボート27Bはシールキャップ18から第二載置台34へボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送されて、図4に示されているように載置される。
すなわち、第二アーム32は処理済みボート27Bの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって処理済みボート27Bを垂直に支持した状態で、約90度回動することにより、処理済みボート27Bをシールキャップ18の上から第二載置台34の上へ移送し載置する。
載置後に、図1および図5に示すように第二アーム32は、クリーンユニット58と第二載置台34との間の位置で待機される。
The high-temperature processed boat 27B carried out of the processing chamber 21 is immediately transferred from the seal cap 18 to the second mounting table 34 by the second arm 32 of the boat transfer device 30 and mounted as shown in FIG. Placed.
That is, the second arm 32 is rotated about 90 degrees in a state where the processed boat 27B is vertically supported by engaging with the lower surface of the heat insulating cap portion 28 of the processed boat 27B from the side. 27B is transferred from the seal cap 18 to the second mounting table 34 and mounted.
After the placement, as shown in FIGS. 1 and 5, the second arm 32 stands by at a position between the clean unit 58 and the second placement table 34.

処理済みボート27Bがシールキャップ18の上から退避されると、第一載置台33において指定の枚数のウエハ1を予め移載された第一ボート27Aが、第一載置台33からシールキャップ18へボート移送装置30の第一アーム31によって移送され、シールキャップ18の支持台29の上に移載される。
すなわち、第一アーム31は第一ボート27Aの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって第一ボート27Aを垂直に支持した状態で、約90度回動することによって、第一ボート27Aを第一載置台33からシールキャップ18へ移送し、シールキャップ18の支持台29の上に受け渡す。
When the processed boat 27 </ b> B is retracted from the seal cap 18, the first boat 27 </ b> A to which a specified number of wafers 1 are transferred in advance on the first mounting table 33 is transferred from the first mounting table 33 to the seal cap 18. It is transferred by the first arm 31 of the boat transfer device 30 and transferred onto the support base 29 of the seal cap 18.
That is, the first arm 31 is rotated about 90 degrees in a state where the first boat 27A is vertically supported by engaging with the lower surface of the heat insulating cap portion 28 of the first boat 27A from the side. 27A is transferred from the first mounting table 33 to the seal cap 18 and transferred onto the support table 29 of the seal cap 18.

ここで、図4に示されているように、第二載置台34はクリーンユニット58の近傍に配置されているため、第二載置台34に移載された高温状態の処理済みボート27Bがクリーンユニット58から吹き出す窒素ガス50によってきわめて効果的に冷却される状態になる。   Here, as shown in FIG. 4, since the second mounting table 34 is disposed in the vicinity of the clean unit 58, the processed boat 27 </ b> B in the high temperature state transferred to the second mounting table 34 is clean. The nitrogen gas 50 blown out from the unit 58 is very effectively cooled.

他方、シールキャップ18の支持台29の上に移載された第一ボート27Aはボートエレベータ17によって上昇され、プロセスチューブ20の処理室21に搬入されてウエハ1群に所定の処理が施される。   On the other hand, the first boat 27A transferred on the support base 29 of the seal cap 18 is lifted by the boat elevator 17 and is carried into the processing chamber 21 of the process tube 20 to perform a predetermined process on the wafer group 1. .

この第一ボート27Aに対する熱処理の間に、プロセスチューブ20の下方空間においては、先に熱処理されて第二載置台34に置かれた処理済みボート27Bが、第二アーム32によって第二載置台34から第一載置台33に移送されて載置される。
この際、処理済みボート27Bは充分に冷却されているため、処理済みボート27Bの温度は、例えば、150℃以下になっている。
During the heat treatment for the first boat 27A, in the space below the process tube 20, the processed boat 27B that has been heat-treated and placed on the second table 34 is moved by the second arm 32 to the second table 34. To the first mounting table 33 to be mounted.
At this time, since the processed boat 27B is sufficiently cooled, the temperature of the processed boat 27B is, for example, 150 ° C. or less.

処理済みボート27Bが第一載置台33に移載されると、ウエハ移載装置15は第一載置台33の処理済みボート27Bからウエハ1を受け取ってポッドオープナ13の載置台の空のポッド2に移載して行く。   When the processed boat 27B is transferred to the first mounting table 33, the wafer transfer device 15 receives the wafer 1 from the processed boat 27B of the first mounting table 33 and receives the empty pod 2 on the mounting table of the pod opener 13. Go to the reprint.

全てのウエハ1がポッド2に戻されると、第一載置台33の上の空のボート27Aには次に処理すべき新規のウエハ1がウエハ移載装置15によって移載されて行く。
そして、指定された枚数のウエハ1が移載されると、ボート27Aは第一載置台33の上で次の作動に待機する状態になる。
When all the wafers 1 are returned to the pod 2, new wafers 1 to be processed next are transferred to the empty boat 27 </ b> A on the first mounting table 33 by the wafer transfer device 15.
When the designated number of wafers 1 are transferred, the boat 27 </ b> A enters a state of waiting for the next operation on the first mounting table 33.

以降、前述した作用が繰り返されてウエハ1が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。   Thereafter, the operation described above is repeated and the wafer 1 is batch processed by the heat treatment apparatus 10.

以上の作業中には窒素ガス50が待機室14に循環路51によって循環されている。
すなわち、供給管61から循環路51に供給された窒素ガス50は、図1、図3および図4に示されているように、循環ダクト52における吹出側ダクト部57に建て込まれたクリーンユニット58から待機室14に吹き出し、待機室14を流通して吸込口56からメイン連絡ダクト部55に吸い込まれるか、挿通孔54および吸込孔67から吸込側ダクト部53に吸い込まれる。
メイン連絡ダクト部55に吸い込まれた窒素ガス50は、吹出側ダクト部57に直接的に戻る。
吸込側ダクト部53に吸い込まれた窒素ガス50は、メイン連絡ダクト部55およびサブ連絡ダクト部70を経由して吹出側ダクト部57に戻る。吹出側ダクト部57に戻った窒素ガス50はクリーンユニット58から待機室14に再び吹き出す。
以上の流れを繰り返すことにより、窒素ガス50は待機室14と循環路51とを循環する。
During the above operation, the nitrogen gas 50 is circulated in the standby chamber 14 by the circulation path 51.
That is, the nitrogen gas 50 supplied from the supply pipe 61 to the circulation path 51 is a clean unit built in the outlet side duct portion 57 in the circulation duct 52 as shown in FIGS. 58 is blown out to the standby chamber 14, flows through the standby chamber 14, and is sucked into the main connection duct portion 55 from the suction port 56, or is sucked into the suction side duct portion 53 from the insertion hole 54 and the suction hole 67.
The nitrogen gas 50 sucked into the main communication duct portion 55 returns directly to the blowout side duct portion 57.
The nitrogen gas 50 sucked into the suction side duct portion 53 returns to the blowout side duct portion 57 via the main connection duct portion 55 and the sub connection duct portion 70. The nitrogen gas 50 that has returned to the blowout side duct portion 57 is blown out again from the clean unit 58 to the standby chamber 14.
By repeating the above flow, the nitrogen gas 50 circulates between the standby chamber 14 and the circulation path 51.

なお、処理済みのウエハ1を保持したボート27が搬出される際(ボートアンローディングステップ時)には、開閉弁63が開かれることにより、循環路51の窒素ガス50が排出管62によって排出されるとともに、排出管62から排出される窒素ガス50の流量分に相当する窒素ガス50の流量が供給管61から補給されるようにしてもよい。   When the boat 27 holding the processed wafer 1 is unloaded (during the boat unloading step), the open / close valve 63 is opened so that the nitrogen gas 50 in the circulation path 51 is discharged through the discharge pipe 62. In addition, the flow rate of the nitrogen gas 50 corresponding to the flow rate of the nitrogen gas 50 discharged from the discharge pipe 62 may be replenished from the supply pipe 61.

ところで、処理済みボート27Bをボートアンローディング直後に、シールキャップ18の上から第二載置台34に第二アーム32によって退避移動させると、第二アーム32はクリーンユニット58と第二載置台34との間の位置に待機することとなり、クリーンユニット58から吹き出された窒素ガス50が第二アーム32に邪魔されて、有無センサ36や識別センサ37の検出子39の設置位置まで流れにくくなってしまう。
そのため、処理済みボート27Bの熱影響を受け、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温になってしまい破損されるという問題点がある。
By the way, when the processed boat 27 </ b> B is retracted from the seal cap 18 to the second mounting table 34 by the second arm 32 immediately after the boat unloading, the second arm 32 moves between the clean unit 58 and the second mounting table 34. The nitrogen gas 50 blown out from the clean unit 58 is obstructed by the second arm 32 and hardly flows to the installation position of the detector 39 of the presence sensor 36 or the identification sensor 37. .
For this reason, there is a problem in that the presence / absence sensor 36 installed on the second mounting table 34 and the detector 39 of the identification sensor 37 are heated and damaged due to the heat effect of the processed boat 27B.

しかし、本実施の形態においては、第二載置台34に設置された冷却板74および分岐ダクト75によって、第二載置台34および処理済みボート27Bを冷却することができるので、有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故が発生するのを未然に防止することができる。
すなわち、図4、図6および図7に示されているように、分岐ダクト75からの吸込力および冷却板74の誘導によってクリーンユニット58から吹き出された窒素ガス50が第二載置台34の台座35の下部を通過するようになる。
そのため、第二載置台34の台座35の下部には冷えた新鮮な窒素ガス50が多量に接触する状況になり、第二載置台34は効率よく冷却されることになる。
その結果、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故が発生するのを未然に防止することができる。
しかも、クリーンユニット58が吹き出す窒素ガス50の下流側に冷却板74および分岐ダクト75を設けているので、待機室14内の窒素ガス50の流れを乱すことがない。
さらに、第二アーム32がクリーンユニット58と第二載置台34との間に待機した状態でも、第二載置台34の台座35の下部を冷却できるので、スペースを有効利用することができるとともに、第二アーム32の余計な動作を無くすことができる。
この際、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されているとともに、断面積が可及的に大きく設定されているため、第二載置台34の台座35の下部を通過する窒素ガス50は冷却板74に誘導され、分岐ダクト75に吸い込まれ易くなる。
また、冷却板74の上部中央に分岐ダクト75の吸込側端76を設けているので、検出子39を効率よく冷却することができる。
However, in the present embodiment, the second mounting table 34 and the processed boat 27B can be cooled by the cooling plate 74 and the branch duct 75 installed on the second mounting table 34. It is possible to prevent an accident in which the detector 39 of the sensor 37 is damaged due to high temperature.
That is, as shown in FIGS. 4, 6, and 7, the nitrogen gas 50 blown out from the clean unit 58 by the suction force from the branch duct 75 and the induction of the cooling plate 74 is converted into the base of the second mounting table 34. The lower part of 35 is passed.
Therefore, a large amount of cold fresh nitrogen gas 50 comes into contact with the lower portion of the pedestal 35 of the second mounting table 34, and the second mounting table 34 is efficiently cooled.
As a result, it is possible to prevent an accident in which the presence / absence sensor 36 installed on the second mounting table 34 and the detector 39 of the identification sensor 37 are damaged due to high temperatures.
Moreover, since the cooling plate 74 and the branch duct 75 are provided on the downstream side of the nitrogen gas 50 blown out by the clean unit 58, the flow of the nitrogen gas 50 in the standby chamber 14 is not disturbed.
Furthermore, even when the second arm 32 is in a standby state between the clean unit 58 and the second mounting table 34, the lower portion of the pedestal 35 of the second mounting table 34 can be cooled, so that the space can be used effectively. The extra operation of the second arm 32 can be eliminated.
At this time, the sub-connecting duct portion 70 is formed in a shape having no corners, and the cross-sectional area is set as large as possible. Therefore, the nitrogen gas 50 passing through the lower portion of the pedestal 35 of the second mounting table 34. Is guided to the cooling plate 74 and easily sucked into the branch duct 75.
Moreover, since the suction side end 76 of the branch duct 75 is provided in the upper center of the cooling plate 74, the detector 39 can be efficiently cooled.

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。   According to the embodiment, the following effects can be obtained.

1) 処理済みボート27Bを載置する第二載置台34に冷却板74および分岐ダクト75を設けることにより、第二載置台34および処理済みボート27Bを強制的に冷却することができるので、有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故を未然に防止することができる。 1) Since the second mounting table 34 and the processed boat 27B can be forcibly cooled by providing the cooling plate 74 and the branch duct 75 on the second mounting table 34 on which the processed boat 27B is mounted. It is possible to prevent an accident in which the detectors 39 of the sensor 36 and the identification sensor 37 are damaged due to high temperatures.

2) サブ連絡ダクト部70を角のない形状に形成するとともに、断面積を可及的に大きく設定し、第二載置台34付近を通過する窒素ガス50を冷却板74によって分岐ダクト75に吸い込ませることができるので、第二載置台34および処理済みボート27Bをきわめて効率よく冷却することができる。 2) The sub-connecting duct portion 70 is formed in a shape having no corners, the cross-sectional area is set as large as possible, and the nitrogen gas 50 passing near the second mounting table 34 is sucked into the branch duct 75 by the cooling plate 74. Therefore, the second mounting table 34 and the processed boat 27B can be cooled very efficiently.

3) プロセスチューブ20の処理室21から搬出されて高温状態になった処理済みボート27Bを、クリーンユニット58に臨ませた第二載置台34にボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送することにより、全体としてのスループットを高めることができる。 3) The processed boat 27B that has been brought out of the process chamber 21 of the process tube 20 and brought to a high temperature state is immediately transferred by the second arm 32 of the boat transfer device 30 to the second mounting table 34 facing the clean unit 58. As a result, the overall throughput can be increased.

4) 高温状態になった処理済みボート27Bをシールキャップ18の上から第二載置台34にボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送して退避させることにより、高温状態の処理済みボート27Bの熱影響が第一載置台33のボート27のウエハ1に及ぶのを防止することができるため、これから処理される新規のウエハ1における処理済みボート27Bの熱影響による処理精度の低下を未然に防止することができる。 4) The processed boat 27B in the high temperature state is immediately transferred from the seal cap 18 to the second mounting table 34 by the second arm 32 of the boat transfer device 30 and retracted from the seal cap 18. Can be prevented from reaching the wafer 1 of the boat 27 of the first mounting table 33, so that the processing accuracy of the new wafer 1 to be processed is lowered due to the thermal effect of the processed boat 27B. Can be prevented.

5) ウエハ1に熱影響が及ぶのを回避することにより、熱処理装置の熱処理の精度を高めることができるとともに、ウエハによって製造される半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。 5) By avoiding thermal influence on the wafer 1, the accuracy of the heat treatment of the heat treatment apparatus can be increased, and the quality and reliability of the semiconductor device manufactured by the wafer can be enhanced.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、サブ連絡ダクト部に送風機を設置してもよい。
さらに、サブ連絡ダクト部の内部に風量調整ダンパを設置することにより、分岐ダクトによって吸い込む窒素ガスの流量を調整し、待機室内の窒素ガスの流れと、第二載置台の台座の下部の窒素ガスの流れとのバランスを調整するように構成してもよい。
さらに、送風機および/または風量調整ダンパを第二載置台34のセンサの出力等に連携させるように構成してもよい。
例えば、第二載置台にボートが置かれたとボート有無センサが検出した際には、風量が大きくなるようにし、第二載置台からボートが退避されたとボート有無センサが検出した際には、風量が小さくなるように制御してもよい。
For example, a blower may be installed in the sub-connecting duct part.
Furthermore, by installing an air volume adjustment damper inside the sub-connecting duct, the flow rate of nitrogen gas sucked in by the branch duct is adjusted, and the flow of nitrogen gas in the standby chamber and the nitrogen gas at the bottom of the base of the second mounting table are adjusted. You may comprise so that the balance with the flow of may be adjusted.
Furthermore, you may comprise so that a fan and / or an air volume adjustment damper may be made to cooperate with the output of the sensor of the 2nd mounting base 34, etc.
For example, when the boat presence sensor detects that a boat is placed on the second mounting table, the air volume is increased, and when the boat presence sensor detects that the boat is retracted from the second mounting table, the air volume is increased. You may control so that becomes small.

冷却ガスになる清浄雰囲気としては、窒素ガスを使用するに限らず、クリーンエア等を使用してもよい。   The clean atmosphere that becomes the cooling gas is not limited to using nitrogen gas, and clean air or the like may be used.

クリーンユニットに設置するフィルタは、パーティクルを除去し、清浄化するタイプであればよいが、好ましくは、パーティクルを除去するタイプと有機物を除去するタイプとの両方を設置するようにするとよい。   The filter installed in the clean unit may be any type that removes particles and cleans them, but preferably both a type that removes particles and a type that removes organic matter are installed.

熱処理装置はアニール処理や酸化膜形成処理や拡散処理および成膜処理等の熱処理全般に使用することができる。   The heat treatment apparatus can be used in general heat treatment such as annealing, oxide film formation, diffusion, and film formation.

本実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウオール形熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。   In the present embodiment, the case of a batch type vertical hot wall type heat treatment apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to all substrate processing apparatuses such as a batch type horizontal hot wall type heat treatment apparatus.

前記実施の形態ではウエハに熱処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。   In the above embodiment, the case where the heat treatment is performed on the wafer has been described. However, the substrate to be processed may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

本発明の一実施の形態である熱処理装置を示す平面断面図である。It is a plane sectional view showing the heat treatment apparatus which is one embodiment of the present invention. 一部省略側面断面図である。FIG. 一部省略正面断面図である。It is a partially omitted front sectional view. サブ連絡ダクト部を通り正面断面図である。It is front sectional drawing through a sub connection duct part. ボート移送装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a boat transfer apparatus. サブ連絡ダクト部および第二載置台を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a sub connection duct part and a 2nd mounting base. サブ連絡ダクト部および第二載置台を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a sub connection duct part and a 2nd mounting base.

符号の説明Explanation of symbols

1…ウエハ(基板)、2…ポッド(ウエハキャリア)、3…キャップ、4…ノッチ合わせ装置、10…熱処理装置(基板処理装置)、11…筐体、12…ウエハ搬入搬出口、13…ポッドオープナ、14…待機室、15…ウエハ移載装置、16…ウエハ移載装置エレベータ、17…ボートエレベータ(搬送手段)、18…シールキャップ、20…プロセスチューブ、21…処理室、22…マニホールド、23…ガス導入管、24…排気管、25…シャッタ、26…ヒータユニット(加熱手段)、27…ボート(基板保持具)、27A…第一ボート、27B…第二ボート(処理済みボート)、28…断熱キャップ部、29…支持台、30…ボート移送装置(基板保持具移動手段)、31…第一アーム、32…第二アーム、33…第一載置台、34…第二載置台、35…台座、36…有無センサ、37…識別センサ、38…樹脂製のピン、39…検出子、40…樹脂製プレート、41…金属板、50…窒素ガス(冷却ガス)、51…循環路、52…循環ダクト、53…吸込側ダクト部、54…挿通孔、55…メイン連絡ダクト部、56…吸込口、57…吹出側ダクト部、58…クリーンユニット、59…フィルタ、60…送風機、61…供給管、62…排出管、63…開閉弁、64…クリーンエア導入管、65…止め弁、66…冷却器、67…吸込孔、70…サブ連絡ダクト部(冷却ガス供給手段)、71…吸込側端(上流側端)、72…吹出側端(下流側端)、74…冷却板、75…分岐ダクト、76…吸込側端(上流側端)、77…吹出側端(下流側端)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Pod (wafer carrier), 3 ... Cap, 4 ... Notch aligning device, 10 ... Heat treatment device (substrate processing device), 11 ... Housing, 12 ... Wafer loading / unloading port, 13 ... Pod Opener, 14 ... Standby chamber, 15 ... Wafer transfer device, 16 ... Wafer transfer device elevator, 17 ... Boat elevator (conveying means), 18 ... Seal cap, 20 ... Process tube, 21 ... Processing chamber, 22 ... Manifold, 23 ... Gas introduction pipe, 24 ... Exhaust pipe, 25 ... Shutter, 26 ... Heater unit (heating means), 27 ... Boat (substrate holder), 27A ... First boat, 27B ... Second boat (processed boat), 28 ... heat insulating cap part, 29 ... support base, 30 ... boat transfer device (substrate holder moving means), 31 ... first arm, 32 ... second arm, 33 ... first mounting base, 3 ... second mounting table, 35 ... pedestal, 36 ... presence sensor, 37 ... identification sensor, 38 ... resin pin, 39 ... detector, 40 ... resin plate, 41 ... metal plate, 50 ... nitrogen gas (cooling gas) , 51 ... Circulation path, 52 ... Circulation duct, 53 ... Suction side duct part, 54 ... Insertion hole, 55 ... Main connection duct part, 56 ... Suction port, 57 ... Outlet side duct part, 58 ... Clean unit, 59 ... Filter, 60 ... Blower, 61 ... Supply pipe, 62 ... Discharge pipe, 63 ... Open / close valve, 64 ... Clean air introduction pipe, 65 ... Stop valve, 66 ... Cooler, 67 ... Suction hole, 70 ... Sub connecting duct part ( Cooling gas supply means), 71... Suction side end (upstream side end), 72... Outlet side end (downstream side end), 74... Cooling plate, 75. ... Blow-off end (downstream end).

Claims (1)

基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
A processing chamber for processing while holding the substrate by the substrate holder;
Heating means for heating the substrate;
Transport means for carrying in the processing chamber while holding the substrate holder with a lid;
A mounting table for mounting the substrate holder heated by the heating means in the processing chamber at a position different from the lid;
A substrate holder moving means for moving the substrate holder between the lid and the mounting table;
A cooling gas supply means for supplying a cooling gas so as to cool the substrate holder placed on the mounting table;
A mounting table cooling means for cooling the mounting table;
A substrate processing apparatus comprising:
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