JP4790326B2 - Processing system and processing method - Google Patents

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本発明は,基板を処理する処理システム及び処理方法に関する。   The present invention relates to a processing system and a processing method for processing a substrate.
例えばLSI等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては,半導体デバイスがその表面に形成される半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という)に対して洗浄処理,熱処理等の各種の処理を施す処理システムが用いられている。一般的に,かかる処理システムは,複数枚のウェハを略水平に並べて収納するキャリアを載置するキャリア載置部と,基板処理装置を備えた処理部と,キャリア載置部と処理部との間でウェハを搬送する基板搬送装置とを備えており,基板搬送装置によってキャリア内のウェハを略水平な姿勢のまま保持して搬出させ,処理部に搬送するようになっている。また,処理部で所定の処理が施されたウェハは,基板搬送装置によって処理部から搬出され,略水平な姿勢で保持されながらキャリア内に収納されるようになっている(例えば,特許文献1,2参照)。   For example, in a manufacturing process of a semiconductor device such as an LSI, a processing system that performs various processes such as cleaning and heat treatment on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) on which the semiconductor device is formed is used. ing. In general, such a processing system includes a carrier mounting unit for mounting a carrier for storing a plurality of wafers arranged in a substantially horizontal manner, a processing unit having a substrate processing apparatus, a carrier mounting unit, and a processing unit. And a substrate transfer device for transferring the wafer between them, and the substrate transfer device holds the wafer in the carrier in a substantially horizontal posture and carries it out to the processing unit. Further, a wafer that has been subjected to a predetermined process in the processing unit is unloaded from the processing unit by the substrate transfer device and is stored in the carrier while being held in a substantially horizontal posture (for example, Patent Document 1). , 2).
特開2003−273058号公報JP 2003-273058 A 特開2004−22674号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-22674
しかしながら,今後さらに微細化される半導体デバイスの製造プロセスにおいては,処理済みのウェハを処理部からキャリアに戻す間にウェハの上面に落下するパーティクルによるウェハの汚染や,ウェハと共に持ち込まれるパーティクルによるキャリア内の汚染を低減することが要求される。特に,ウェハの洗浄を行う処理システムにおいては,洗浄処理後にウェハが汚染されると,洗浄処理の信頼性の低下の要因となる。また,キャリアから搬出された未処理のウェハにパーティクルが付着すると,処理部内にウェハと共にパーティクルが持ち込まれ,処理部の清浄度が低下する心配がある。   However, in the semiconductor device manufacturing process that will be further miniaturized in the future, contamination of the wafer due to particles falling on the upper surface of the wafer while returning the processed wafer from the processing unit to the carrier, or inside the carrier due to particles brought along with the wafer. It is required to reduce the contamination of In particular, in a processing system for cleaning a wafer, if the wafer is contaminated after the cleaning process, it causes a reduction in reliability of the cleaning process. In addition, when particles adhere to an unprocessed wafer carried out from the carrier, the particles are brought into the processing unit together with the wafer, and the cleanliness of the processing unit may be reduced.
また,基板搬送部にFFU(ファンフィルターユニット)等を設け,ダウンフローを形成することで,パーティクルが舞い上がることを防止し,ウェハへのパーティクルの付着を抑制する方法も考えられるが,パーティクルは帯電して静電気力により付着していることが多く,ウェハから吹き飛ばし難い問題があった。   Another possible method is to prevent the particles from flying up and prevent the particles from adhering to the wafer by providing a FFU (fan filter unit) etc. in the substrate transfer section and forming a downflow. In many cases, it adheres due to electrostatic force and is difficult to blow off from the wafer.
本発明の目的は,キャリアに搬入する前のウェハやキャリアから搬出したウェハからパーティクルを効果的に除去できる処理システム及び処理方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a processing system and a processing method capable of effectively removing particles from a wafer before being carried into a carrier or a wafer carried out from a carrier.
上記課題を解決するため,本発明によれば,基板を処理する処理システムであって,基板を処理する処理部と,複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台と,基板を略水平な姿勢で保持し,前記収納容器の開口を介して前記収納容器内に対して基板を搬入出させる基板搬送装置とを備え,前記基板搬送装置によって保持され基板に対して,前記収納容器の開口の外側において前記開口側から前記開口の外側に向かう方向にガスを供給するガス供給口を設け,前記ガス供給口は,前記開口側から外側に向かうに従い下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを吐出し,基板表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給することを特徴とする,処理システムが提供される。ここで,収納容器とは例えばキャリアである。かかる処理システムによれば,基板を収納容器に搬入出する際に,基板の上面に付着したパーティクルをガスの気流によって吹き飛ばして除去することができる。
In order to solve the above problems, according to the present invention, there is provided a processing system for processing a substrate, comprising: a processing unit for processing a substrate; a mounting table for mounting a storage container for storing a plurality of substrates; A substrate transfer device that holds the substrate in a substantially horizontal posture and allows a substrate to be carried into and out of the storage container through the opening of the storage container, and the storage of the substrate held by the substrate transfer device with respect to the substrate A gas supply port for supplying gas in the direction from the opening side toward the outside of the opening is provided outside the opening of the container, and the gas supply port is inclined in a direction downward toward the outside from the opening side The processing system is characterized in that the gas is discharged to supply the gas so as to form a lateral air flow along the upper surface of the substrate with respect to the substrate surface. Here, the storage container is, for example, a carrier. According to such a processing system, when the substrate is carried into and out of the storage container, particles adhering to the upper surface of the substrate can be blown off by the gas flow and removed.
前記ガス供給口は,前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けても良く,上下に複数並べて設けても良い。また,前記ガス供給口は,前記開口の幅方向に複数並べて設けても良い。さらに,前記ガス供給口は,前記開口に対して相対的に昇降可能にしても良い。また,前記開口の外側から見て右方に設けられるガス供給口は,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを供給し,前記開口の外側から見て左方に設けられるガス供給口は,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを供給するようにしても良い。
The gas supply ports may be provided on both sides of the opening in the width direction of the opening, or a plurality of the gas supply ports may be provided vertically. A plurality of the gas supply ports may be provided side by side in the width direction of the opening. Further, the gas supply port may be movable up and down relatively with respect to the opening. A gas supply port provided on the right side when viewed from the outside of the opening supplies the gas in a direction inclined toward the left and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening. The gas supply port provided on the left side when viewed from the outside of the opening supplies the gas in a direction inclined toward the right side and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening. Anyway.
前記ガスは不活性ガスであっても良い。前記ガスはイオン化されたものであっても良い。   The gas may be an inert gas. The gas may be ionized.
また,前記ガス供給口は垂直方向の軸に対して回転自在に構成され,前記ガスの供給方向を可変としても良い。前記収納容器内に第二のガスを供給する第二のガス供給口を設けても良い。前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けても良い。また,前記基板搬送装置の天井部にはダウンフロー供給装置が備えられ,前記ガス供給口から供給されるガスの流速は,前記ダウンフロー供給装置から供給されるダウンフローの流速より速く設定されても良い。
The gas supply port may be configured to be rotatable with respect to a vertical axis, and the gas supply direction may be variable. You may provide the 2nd gas supply port which supplies 2nd gas in the said storage container. A suction port for sucking the atmosphere in the storage container may be provided. In addition, a downflow supply device is provided in a ceiling portion of the substrate transfer device, and a flow rate of gas supplied from the gas supply port is set faster than a flow rate of downflow supplied from the downflow supply device. Also good.
さらに,本発明によれば,基板を処理する方法であって,基板に所定の処理を施し,前記所定の処理を施した基板を略水平に保持し,収納容器の開口を介して前記収納容器内に搬入する際に,前記収納容器の開口から外側に離隔するに従い下方に向かうように傾斜した方向に向かってガスを供給し,前記略水平に保持された基板の表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給することを特徴とする,処理方法が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a method of processing a substrate, wherein the substrate is subjected to a predetermined process, the substrate subjected to the predetermined process is held substantially horizontally, and the storage container is opened through an opening of the storage container. When carrying in, the gas is supplied in a direction inclined downward toward the outside from the opening of the storage container, and along the upper surface of the substrate with respect to the surface of the substrate held substantially horizontally. A processing method is provided, characterized in that the gas is supplied so as to form a lateral airflow .
また,本発明によれば,基板を処理する方法であって,収納容器内に収納された基板を略水平に保持し,前記収納容器の開口を介して前記収納容器内から搬出させる際に,前記収納容器の開口から外側に離隔するに従い下方に向かうように傾斜した方向に向かってガスを供給し,前記略水平に保持された基板の表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給し,前記収納容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする,処理方法が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a method for processing a substrate, wherein the substrate stored in the storage container is held substantially horizontally and is carried out from the storage container through the opening of the storage container. Gas is supplied in a direction inclined downward toward the outside from the opening of the storage container, and a lateral air flow along the upper surface of the substrate is formed with respect to the surface of the substrate held substantially horizontally. Thus , a processing method is provided , wherein the gas is supplied and a predetermined processing is performed on the substrate carried out of the storage container.
前記ガスは,前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給されることとしても良い。また,前記ガスを供給するガス供給口の高さを調節し,前記略水平に保持された基板の上面に対して前記ガス供給口を近接させ,前記ガスを供給するようにしても良い。前記開口の外側から見て右方に設けられるガス供給口からは,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスが供給され,前記開口の外側から見て左方に設けられるガス供給口からは,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスが供給されることとしても良い。
The gas may be supplied from both sides of the opening in the width direction of the opening. Further, the gas supply port for supplying the gas may be adjusted so that the gas supply port is brought close to the upper surface of the substrate held substantially horizontally to supply the gas. From the gas supply port provided on the right side when viewed from the outside of the opening, the gas is supplied in a direction inclined to the left and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening, From the gas supply port provided on the left side when viewed from the outside of the opening, the gas is supplied in a direction inclined to the right and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening. It's also good.
前記ガスは不活性ガスであっても良い。前記ガスはイオン化されていることとしても良い。   The gas may be an inert gas. The gas may be ionized.
さらに,前記ガスの供給方向は平面視において可変であっても良い。前記収納容器内に第二のガスを供給する工程を有するとしても良い。また,前記収納容器内の雰囲気を吸引するようにしても良い。また,前記基板にはダウンフローが供給され,前記収納容器への基板搬入時又は前記収納容器からの基板搬出時に供給される前記ガスの流速は,ダウンフローの流速より速い流速で供給されても良い。 Furthermore, the gas supply direction may be variable in plan view. A step of supplying the second gas into the storage container may be included. Further, the atmosphere in the storage container may be sucked. Further, the substrate is supplied with a down flow, and the flow rate of the gas supplied when the substrate is loaded into the storage container or when the substrate is unloaded from the storage container may be supplied at a flow rate faster than the flow rate of the down flow. good.
本発明によれば,処理済みの基板を収納容器に搬入する際にガスを供給し,基板の上面に沿ったガスの気流を形成することにより,基板の上面にパーティクルが付着していても,そのパーティクルをガスの気流によって吹き飛ばして除去することができる。従って,パーティクルが基板に付着して収納容器内に持ち込まれることを防止でき,収納容器内の清浄度が低下すること,及び,収納容器内に収納された処理済みの基板にパーティクルが付着することを防止できる。開口側から外側に向かってガスを供給することにより,パーティクルが収納容器に侵入することを防止できる。また,処理前の基板を収納容器から搬出する際にガスを供給し,基板の上面に沿ったガスの気流を形成することにより,基板の上面にパーティクルが付着していても,そのパーティクルをガスによって吹き飛ばして除去することができる。従って,パーティクルが基板に付着して処理部内に持ち込まれることを防止でき,処理部の清浄度が低下することを防止できる。   According to the present invention, gas is supplied when a processed substrate is carried into a storage container, and a gas stream is formed along the upper surface of the substrate, so that particles adhere to the upper surface of the substrate. The particles can be removed by blowing off with a gas stream. Therefore, particles can be prevented from adhering to the substrate and brought into the storage container, the cleanliness in the storage container can be lowered, and the particles can adhere to the processed substrate stored in the storage container. Can be prevented. By supplying gas from the opening side toward the outside, it is possible to prevent particles from entering the storage container. In addition, by supplying a gas when the substrate before processing is carried out of the storage container and forming a gas flow along the upper surface of the substrate, even if particles are attached to the upper surface of the substrate, the particles are removed from the gas. Can be blown away. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate and being brought into the processing unit, and it is possible to prevent the cleanliness of the processing unit from decreasing.
以下,本発明の好ましい実施の形態を,基板の一例としてのウェハに対して洗浄処理を行う処理システムに基づいて説明する。図1は,本実施の形態にかかる処理システム1の平面図であり,図2はその側面図である。図3は,後述する処理部3のX−Z面(略鉛直面)に沿った縦断面図である。図1及び図2に示すように,処理システム1は,外部から処理システム1に対して収納容器としてのキャリアCを搬入出するための搬入出部2と,ウェハWに洗浄処理を施す処理部3とを備えている。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described based on a processing system for performing a cleaning process on a wafer as an example of a substrate. FIG. 1 is a plan view of a processing system 1 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a side view thereof. FIG. 3 is a longitudinal sectional view along the XZ plane (substantially vertical plane) of the processing unit 3 described later. As shown in FIGS. 1 and 2, the processing system 1 includes a loading / unloading unit 2 for loading / unloading a carrier C as a storage container from / to the processing system 1 from the outside, and a processing unit that performs a cleaning process on the wafer W. 3 is provided.
搬入出部2は,複数枚,例えば25枚のウェハWを収納可能な容器であるキャリアCを載置するキャリア載置部10,及び,キャリア載置部10と処理部3との間に設けられた基板搬送部12を備えている。キャリア載置部10,基板搬送部12,処理部3は,X軸方向(略水平方向)においてこの順に並ぶように設けられている。キャリア載置部10と基板搬送部12とは,X−Z面に沿って立設された境界壁部15によって仕切られている。   The carry-in / out unit 2 is provided between the carrier mounting unit 10 and the processing unit 3, and a carrier mounting unit 10 that mounts a carrier C that is a container that can store a plurality of, for example, 25 wafers W. The substrate transport unit 12 is provided. The carrier placement unit 10, the substrate transfer unit 12, and the processing unit 3 are provided so as to be arranged in this order in the X-axis direction (substantially horizontal direction). The carrier placing unit 10 and the substrate transporting unit 12 are partitioned by a boundary wall 15 that is erected along the XZ plane.
ウェハWは例えば略円形の薄板状をなし,複数枚がキャリアC内に収納された状態で,処理システム1の外部からキャリア載置部10に一括して搬入される。図4に示すように,キャリアCは,一側部(図4においては前面)が開口20になっている箱状のキャリア本体21と,開口20を密閉可能な蓋体22とを備えている。開口20は略長方形状をなし,蓋体22は開口20とほぼ同じ大きさの略長方形板状をなす。この蓋体22を開口20内に挿入し,開口20を閉塞することにより,キャリア本体21の内部空間Sを密閉状態にすることができる。なお,蓋体22には,蓋体22を開口20に固定するための図示しないロック機構が備えられている。   The wafer W has, for example, a substantially circular thin plate shape, and is loaded into the carrier mounting unit 10 from the outside of the processing system 1 in a state where a plurality of wafers are stored in the carrier C. As shown in FIG. 4, the carrier C includes a box-shaped carrier main body 21 whose one side (front surface in FIG. 4) is an opening 20 and a lid 22 that can seal the opening 20. . The opening 20 has a substantially rectangular shape, and the lid body 22 has a substantially rectangular plate shape that is substantially the same size as the opening 20. By inserting the lid 22 into the opening 20 and closing the opening 20, the internal space S of the carrier body 21 can be sealed. The lid body 22 is provided with a lock mechanism (not shown) for fixing the lid body 22 to the opening 20.
キャリア本体21には,開口20の周囲に沿って略長方形の枠状に形成されたフランジ部23が設けられている。内部空間Sを挟んで対向する両側部21a,21b(図4においては開口20側からみて左側部及び右側部)の各内側壁には,ウェハWの周縁部を保持するためのスロット25が,複数個,例えば25個ずつ設けられている。各内側壁において,各スロット25は,開口20側から他側部側に向かって直線状に延びる溝状に設けられており,また,互いに略平行に,所定間隔を空けて並べて設けられている。ウェハWは,開口20を介して内部空間Sに対し搬入出され,ウェハWの周縁部は,両内側壁に設けられた一対のスロット25にそれぞれ開口20側から挿入出される。そして,ウェハWの両側が一対のスロット25によって保持された状態で,内部空間Sに収納されるようになっている。従って,各スロット25にそれぞれウェハWを一枚ずつ挿入することで,内部空間Sには,25枚までの複数枚のウェハWを,互いに略平行な姿勢で,所定の間隔を空けて並列に並べた状態で収納することができる。   The carrier body 21 is provided with a flange portion 23 formed in a substantially rectangular frame shape along the periphery of the opening 20. Slots 25 for holding the peripheral edge of the wafer W are formed on the inner side walls of the opposite side portions 21a, 21b (the left side portion and the right side portion as viewed from the opening 20 side in FIG. 4) across the internal space S. A plurality, for example, 25 pieces are provided. In each inner wall, each slot 25 is provided in a groove shape extending linearly from the opening 20 side toward the other side portion, and is provided in parallel with each other at a predetermined interval. . The wafer W is carried into and out of the internal space S through the opening 20, and the peripheral edge portion of the wafer W is inserted into and out of the pair of slots 25 provided on both inner side walls from the opening 20 side. The both sides of the wafer W are stored in the internal space S while being held by the pair of slots 25. Therefore, by inserting one wafer W into each slot 25, up to 25 wafers W are placed in the internal space S in parallel with a predetermined interval in a substantially parallel posture. Can be stored side by side.
図1及び図2に示すように,キャリア載置部10には,所定数,例えば3個までのキャリアCをY軸方向(X軸方向に対して略垂直な略水平方向)に一列に並べて載置可能なキャリア載置台40が設けられている。また,境界壁部15には,所定数,例えば3個のゲート41が,Y軸方向に並べて設けられている。各ゲート41は,キャリア載置部10側と基板搬送部12側とに連通しており,キャリアCの蓋体22より僅かに大きく,また,フランジ部23よりも小さい略長方形状に開口されている。かかる構成において,各キャリアCは,キャリアC内のウェハWを略水平にし,開口20及びゲート41の高さ方向(Z軸方向,略鉛直方向)に上下に並べた状態で,また,フランジ部23をゲート41の外周囲に沿って境界壁部15の側面に密着させた状態で,キャリア載置台40の上面に載置される。蓋体22はゲート41の内側に対面するように配置される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the carrier mounting unit 10 has a predetermined number, for example, up to three carriers C arranged in a line in the Y-axis direction (substantially horizontal direction substantially perpendicular to the X-axis direction). A carrier mounting table 40 that can be mounted is provided. In addition, a predetermined number, for example, three gates 41 are provided in the boundary wall portion 15 side by side in the Y-axis direction. Each gate 41 communicates with the carrier mounting unit 10 side and the substrate transport unit 12 side, and is opened in a substantially rectangular shape that is slightly larger than the lid 22 of the carrier C and smaller than the flange 23. Yes. In such a configuration, each carrier C has the wafer W in the carrier C substantially horizontal and arranged vertically in the height direction (Z-axis direction, substantially vertical direction) of the opening 20 and the gate 41, and the flange portion. 23 is placed on the upper surface of the carrier mounting table 40 in a state in which 23 is in close contact with the side surface of the boundary wall portion 15 along the outer periphery of the gate 41. The lid 22 is arranged so as to face the inside of the gate 41.
また,ゲート41を基板搬送部12側から閉塞するシャッター42が,各ゲート41に対してそれぞれ設けられている。各シャッター42は,一側面が開口された箱体状をなし,図5に示すように,その開口はゲート41より僅かに大きく形成されている。そして,開口の周縁部42b全体を,ゲート41の外周囲に沿って境界壁部15の側面(基板搬送部12側の面)に密着させた状態で,ゲート41を閉塞するようになっている。各シャッター42は,シャッター移動機構43(図2参照)の駆動により,それぞれX軸方向及びZ軸方向に移動することができる。なお,図5に示すように,各シャッター42の内側には,キャリアCの蓋体22のロック状態とアンロック状態とを切り換えて蓋体22を開閉させる蓋体開閉機構50が備えられており,蓋体開閉機構50によって蓋体22を保持してX軸方向に移動させ,開口20を開閉することで,開口20とゲート41を連通させたり遮断させたりすることができる。さらに,ゲート41を介して蓋体22を基板搬送部12内に移動させ,シャッター42,蓋体開閉機構50及び蓋体22をゲート41の下方に一体的に移動させることにより,開口20,ゲート41を介してウェハWをキャリア本体21の内部空間Sと基板搬送部12との間で移動させることができる状態になる。   In addition, a shutter 42 that closes the gate 41 from the substrate transfer section 12 side is provided for each gate 41. Each shutter 42 has a box shape with one side opened, and the opening is formed slightly larger than the gate 41 as shown in FIG. The gate 41 is closed while the entire peripheral edge 42b of the opening is in close contact with the side surface of the boundary wall 15 (the surface on the substrate transport unit 12 side) along the outer periphery of the gate 41. . Each shutter 42 can move in the X-axis direction and the Z-axis direction, respectively, by driving a shutter moving mechanism 43 (see FIG. 2). As shown in FIG. 5, a lid opening / closing mechanism 50 that opens and closes the lid 22 by switching between the locked state and the unlocked state of the lid 22 of the carrier C is provided inside each shutter 42. By opening and closing the opening 20 by holding the lid 22 by the lid opening / closing mechanism 50 and moving it in the X-axis direction, the opening 20 and the gate 41 can be communicated or blocked. Further, the lid body 22 is moved into the substrate transport section 12 through the gate 41, and the shutter 42, the lid body opening / closing mechanism 50 and the lid body 22 are moved integrally below the gate 41, whereby the opening 20, gate The wafer W can be moved between the internal space S of the carrier body 21 and the substrate transfer unit 12 via 41.
図1及び図2に示すように,基板搬送部12内には,ウェハWを搬送する基板搬送装置60が配設されている。基板搬送装置60は,本体61と,一枚のウェハWを略水平な姿勢で保持可能な搬送アーム62とを備えている。本体61は,Y軸方向に水平移動,Z軸方向に上下移動可能であり,かつ,X―Y平面内(θ方向)で回転自在に構成されている。搬送アーム62は,略水平方向に向けられた略平板状をなし,本体61によって本体61の上方に支持されており,本体61に対して相対的にX−Y平面内でスライド自在になっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a substrate transfer device 60 for transferring the wafer W is disposed in the substrate transfer unit 12. The substrate transfer device 60 includes a main body 61 and a transfer arm 62 that can hold a single wafer W in a substantially horizontal posture. The main body 61 is configured to be horizontally movable in the Y-axis direction and vertically movable in the Z-axis direction, and is rotatable in the XY plane (θ direction). The transfer arm 62 has a substantially flat plate shape oriented substantially in the horizontal direction, and is supported above the main body 61 by the main body 61, and is slidable in the XY plane relative to the main body 61. Yes.
図6に示すように,搬送アーム62の上面の先端側には先端部材65が設けられており,先端部材65の基端側に沿って,先端部材65より低い段部66が設けられている。搬送アーム62の上面の基端側には,段部66とほぼ同じ高さの段部67が設けられている。ウェハWは,下面周縁部の対向する2箇所の部分が段部66,67にそれぞれ載せられ,端面が先端部材65に当接させられた状態で,搬送アーム62の上面側に保持されるようになっている。また,搬送アーム62は,先端側をゲート41側に向けてX軸方向に移動することで,図7に示すように,開放状態の各ゲート41,キャリアCの開口20を介して,キャリア載置台40に載置されたキャリア本体21の内部空間Sに対して進退することができる。また,搬送アーム62は,内部空間Sに収納されたウェハW同士の間の隙間に進入可能であり,任意の高さに保持されたウェハWを下方から持ち上げて保持することができる。   As shown in FIG. 6, a distal end member 65 is provided on the distal end side of the upper surface of the transfer arm 62, and a step portion 66 lower than the distal end member 65 is provided along the proximal end side of the distal end member 65. . On the base end side of the upper surface of the transfer arm 62, a stepped portion 67 having substantially the same height as the stepped portion 66 is provided. The wafer W is held on the upper surface side of the transfer arm 62 in such a state that the two opposing portions of the peripheral edge of the lower surface are respectively placed on the step portions 66 and 67 and the end surface is in contact with the tip member 65. It has become. Further, the transfer arm 62 moves in the X-axis direction with the tip end side facing the gate 41 side, so that the carrier mounting is performed via each open gate 41 and the opening 20 of the carrier C as shown in FIG. The carrier main body 21 mounted on the mounting table 40 can move forward and backward with respect to the internal space S. Further, the transfer arm 62 can enter a gap between the wafers W accommodated in the internal space S, and can lift and hold the wafer W held at an arbitrary height from below.
かかる基板搬送装置60は,本体61をY軸方向とZ軸方向とに適宜移動させることにより,各ゲート41,また,後述する処理部3に設けられた各受け渡しユニット101A,101Bにアクセス可能な位置に,搬送アーム62を移動させることができる。そして,搬送アーム62によって保持したウェハWを,キャリア載置部10側から処理部3側へ,逆に,処理部3側からキャリア載置部10側へ搬送できる。   The substrate transport device 60 can access each gate 41 and each delivery unit 101A, 101B provided in the processing unit 3 described later by appropriately moving the main body 61 in the Y-axis direction and the Z-axis direction. The transfer arm 62 can be moved to the position. The wafer W held by the transfer arm 62 can be transferred from the carrier mounting unit 10 side to the processing unit 3 side, and conversely from the processing unit 3 side to the carrier mounting unit 10 side.
図2に示すように,基板搬送部12の天井部には,基板搬送部12内に清浄なガスをダウンフローを供給するダウンフロー供給装置としてのファンフィルターユニット(FFU)70が備えられている。FFU70から供給されるガスは,例えば空気,窒素(N)ガス等の不活性ガス等である。また,図示はしないが,基板搬送部12の底部には,基板搬送部12内の雰囲気を排気する排気路が接続されている。 As shown in FIG. 2, a fan filter unit (FFU) 70 as a downflow supply device that supplies clean gas into the substrate transfer unit 12 is provided at the ceiling of the substrate transfer unit 12. . The gas supplied from the FFU 70 is, for example, an inert gas such as air or nitrogen (N 2 ) gas. Although not shown, an exhaust path for exhausting the atmosphere in the substrate transfer unit 12 is connected to the bottom of the substrate transfer unit 12.
図1に示すように,基板搬送部12内において,各ゲート41及びシャッター42の左右両側には,キャリア本体21に搬入されるウェハWにガスの流れを供給するための一対のガス供給機構71A,71Bがそれぞれ設けられている。   As shown in FIG. 1, a pair of gas supply mechanisms 71 </ b> A for supplying a gas flow to the wafer W carried into the carrier body 21 are provided on the left and right sides of each gate 41 and the shutter 42 in the substrate transfer unit 12. , 71B are provided.
ガス供給機構71A,71Bは,X−Z平面を中心として互いにほぼ対称な構造を有している。図8に示すように,各ガス供給機構71A,71Bは,長さ方向をZ軸方向に向けて立設された略円筒状の筒体72と,各筒体72の外周面に並べて設けられ,例えば窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガス供給口73を有する複数のノズル74とをそれぞれ備えている。   The gas supply mechanisms 71A and 71B have substantially symmetrical structures with respect to the XZ plane. As shown in FIG. 8, the gas supply mechanisms 71 </ b> A and 71 </ b> B are provided side by side on a substantially cylindrical cylindrical body 72 erected with the length direction directed in the Z-axis direction and the outer peripheral surface of each cylindrical body 72. , For example, a plurality of nozzles 74 having gas supply ports 73 for discharging an inert gas such as nitrogen gas.
各ガス供給機構71A,71Bの筒体72は,開口20及びゲート41の外側において,基板搬送装置60側から見てゲート41の左右両側にそれぞれ備えられている。各筒体72の上端部は閉塞されており,筒体72の下端部には,筒体72の内部空間に連通するガス供給管81が接続されている。ガス供給管81は,基板搬送部12の外部に設けられたガス供給源82に接続されている。そして,このガス供給管81の内部流路,及び,筒体72の内部空間によって,ガス供給源82から供給されたガスをガス供給口73に供給するガス供給路83が構成されている。なお,各ガス供給機構71A,71Bのガス供給管81は,途中で合流してガス供給源82に接続されており,この合流部分に,開閉弁84が介設されている。開閉弁84は,コントローラ85の制御命令によって開閉される。開閉弁84を開くと,各ガス供給機構71A,71Bのガス供給路83を介して,各ガス供給機構71A,71Bの総てのガス供給口73から一斉にガスが吐出されるようになっている。なお,ガス供給源82から各ガス供給口73に供給されるガスは,例えば窒素ガス等の不活性ガスであり,十分に清浄化されている。   The cylinders 72 of the gas supply mechanisms 71A and 71B are respectively provided on the left and right sides of the gate 41 when viewed from the substrate transfer apparatus 60 side outside the opening 20 and the gate 41. The upper end of each cylinder 72 is closed, and a gas supply pipe 81 communicating with the internal space of the cylinder 72 is connected to the lower end of the cylinder 72. The gas supply pipe 81 is connected to a gas supply source 82 provided outside the substrate transfer unit 12. A gas supply path 83 for supplying the gas supplied from the gas supply source 82 to the gas supply port 73 is configured by the internal flow path of the gas supply pipe 81 and the internal space of the cylindrical body 72. The gas supply pipes 81 of the gas supply mechanisms 71A and 71B are joined together and connected to a gas supply source 82, and an opening / closing valve 84 is interposed at the joining portion. The on-off valve 84 is opened and closed by a control command from the controller 85. When the on-off valve 84 is opened, gas is discharged from all the gas supply ports 73 of the gas supply mechanisms 71A and 71B simultaneously through the gas supply paths 83 of the gas supply mechanisms 71A and 71B. Yes. The gas supplied from the gas supply source 82 to each gas supply port 73 is an inert gas such as nitrogen gas and is sufficiently cleaned.
各ガス供給口73は例えば略円形をなし,各ノズル74の先端に開口している。そして,複数個,例えば25個のガス供給口73が,開口20及びゲート41の幅方向(Y軸方向)において左右両側近傍に,Z軸方向に沿って上下に一直線上に並ぶように,また,所定間隔を空けて配列されている。ガス供給口73同士の間の間隔は,例えばキャリア本体21内のスロット25同士の間の間隔,即ち,キャリア本体21内に収納されたウェハW同士の間の間隔とほぼ同じであれば良い。   Each gas supply port 73 has a substantially circular shape, for example, and opens at the tip of each nozzle 74. A plurality of, for example, 25 gas supply ports 73 are arranged in a straight line vertically along the Z-axis direction in the vicinity of both the left and right sides in the width direction (Y-axis direction) of the opening 20 and the gate 41. , Are arranged at predetermined intervals. The interval between the gas supply ports 73 may be substantially the same as, for example, the interval between the slots 25 in the carrier body 21, that is, the interval between the wafers W housed in the carrier body 21.
また,各ノズル74及びガス供給口73は,平面視において,開口20とは反対側の外側に向いた面に沿って設けられており,キャリア載置部10に載置されたキャリア本体21の開口20側から開口20の外側(基板搬送部12側)に向かう方向にガスを吐出する。基板搬送装置60側から見てゲート41の左方に設けられたガス供給機構71Aの各ガス供給口73は,開口20側から外側に向かうに従い基板搬送装置60側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向にガスを供給し,基板搬送装置60側から見てゲート41の右方に設けられたガス供給機構71Bの各ガス供給口73は,開口20側から外側に向かうに従い基板搬送装置60側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向にガスを供給する。また,ガス供給機構71Aの各ガス供給口73のガスの供給方向と,ガス供給機構71Bの各ガス供給口73のガスの供給方向とは,X−Z面を中心として互いにほぼ対称な方向になっている。   Further, each nozzle 74 and the gas supply port 73 are provided along a surface facing the outer side opposite to the opening 20 in a plan view, and the carrier main body 21 mounted on the carrier mounting portion 10 is provided. Gas is discharged in a direction from the opening 20 side toward the outside of the opening 20 (substrate transport unit 12 side). Each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71A provided on the left side of the gate 41 when viewed from the substrate transfer apparatus 60 side is located to the right and below as viewed from the substrate transfer apparatus 60 side as it goes from the opening 20 side to the outside. Each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71B provided on the right side of the gate 41 as viewed from the substrate transfer device 60 side is supplied with a gas in an inclined direction so as to face the substrate from the opening 20 side toward the outside. Gas is supplied in a direction inclined leftward and downward as viewed from the conveying device 60 side. In addition, the gas supply direction of each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71A and the gas supply direction of each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71B are substantially symmetric with respect to the XZ plane. It has become.
また,最も上方に設けられたガス供給口73は,最も上方に設けられたスロット25よりも僅かに上方の高さに開口しており,その下の各ガス供給口73は,Z軸方向において,スロット25同士の間の高さにそれぞれ一つずつ対応するように開口している。即ち,いずれの高さのスロット25に挿入されるウェハWに対しても,また,いずれの高さのスロット25から搬出されるウェハWに対しても,ウェハWの上方のガス供給口73からガスを供給できるような配置になっている。さらに,ガス供給機構71Aの各ガス供給口73とガス供給機構71Bの各ガス供給口73とは,それぞれ一対ずつ互いに同じ高さに配置されている。そして,いずれの高さのスロット25に挿入されるウェハWに対しても,また,いずれの高さのスロット25から搬出されるウェハWに対しても,ガス供給機構71Aのガス供給口73とガス供給機構71Bのガス供給口73とがそれぞれ一つずつ,ウェハWの上面から見てほぼ同じ高さに近接配置されるようになっている。   The uppermost gas supply port 73 opens at a height slightly higher than the uppermost slot 25, and the lower gas supply ports 73 extend in the Z-axis direction. , The openings are formed so as to correspond to the heights between the slots 25 one by one. That is, from the gas supply port 73 above the wafer W, the wafer W inserted into the slot 25 at any height and the wafer W carried out from the slot 25 at any height. The arrangement is such that gas can be supplied. Furthermore, each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71A and each gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71B are arranged in pairs at the same height. The gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71A is connected to the wafer W inserted into the slot 25 at any height and to the wafer W carried out from the slot 25 at any height. One gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71B is arranged close to each other at substantially the same height when viewed from the upper surface of the wafer W.
かかる構成において,図9に示すように,搬送アーム62によってウェハWを保持し,開口20及びゲート41を介してキャリアCの内部空間Sに搬入する際,各ガス供給機構71A,71Bのガス供給口73からガスを供給すると,開口20及びゲート41の外側において,搬入されるウェハWの上面に沿って,開口20側から外側に向かうガスの気流が形成される。このように,開口20及びゲート41の直前においてウェハWの上面にガスを供給することにより,ウェハWの上面からパーティクルを吹き飛ばして除去し,ウェハWを清浄にした状態で内部空間Sに収納することができる。なお,開口20の左右両側にガス供給口73を配置し,搬入されるウェハWの両側からガスを均等に供給することで,ウェハWの上面全体にガスを供給させやすくなり,ウェハWの上面全体からパーティクルを効率良く除去することができる。また,各ガス供給口73から供給されるガスの流速は,FFU70から供給されるダウンフローの流速より速くなるように設定しても良い。そうすれば,ガスの気流によってダウンフローを押し流し,ウェハWの上面に沿った横向きの気流を確実に形成することができる。   In this configuration, as shown in FIG. 9, when the wafer W is held by the transfer arm 62 and loaded into the internal space S of the carrier C through the opening 20 and the gate 41, the gas supply mechanisms 71A and 71B supply gas. When the gas is supplied from the opening 73, a gas flow from the opening 20 side to the outside is formed along the upper surface of the wafer W to be loaded outside the opening 20 and the gate 41. Thus, by supplying gas to the upper surface of the wafer W immediately before the opening 20 and the gate 41, particles are blown off from the upper surface of the wafer W to be removed, and the wafer W is stored in the internal space S in a clean state. be able to. The gas supply ports 73 are arranged on both the left and right sides of the opening 20 and the gas is supplied uniformly from both sides of the wafer W to be loaded, so that the gas can be easily supplied to the entire upper surface of the wafer W. Particles can be efficiently removed from the whole. Further, the flow rate of the gas supplied from each gas supply port 73 may be set to be faster than the flow rate of the down flow supplied from the FFU 70. By doing so, it is possible to push down the downflow by the gas flow and reliably form a lateral airflow along the upper surface of the wafer W.
図1に示すように,処理部3には,中心部に配置された主ウェハ搬送機構91の周りに,受け渡しユニット群92,洗浄ユニット群93,加熱・冷却ユニット群94,及び,制御・ユーティリティユニット群95が配置されている。   As shown in FIG. 1, the processing unit 3 includes a transfer unit group 92, a cleaning unit group 93, a heating / cooling unit group 94, and a control / utility around a main wafer transfer mechanism 91 disposed in the center. A unit group 95 is arranged.
図3に示すように,主ウェハ搬送機構91は,ウェハWをそれぞれ略水平な姿勢で一枚ずつ保持する3本の搬送アーム91a,91b,91cを備えている。これらの搬送アーム91a〜91cを後述する受け渡しユニット101A,101B,基板洗浄ユニット110A〜110D,冷却ユニット111,加熱ユニット112A〜112Cに対して選択的にアクセスさせ,各ユニットに対しウェハWの搬入出を行えるようになっている。   As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 91 includes three transfer arms 91a, 91b, 91c that hold the wafers W one by one in a substantially horizontal posture. These transfer arms 91a to 91c are selectively accessed to transfer units 101A and 101B, substrate cleaning units 110A to 110D, cooling unit 111, and heating units 112A to 112C, which will be described later, and wafers W are carried into and out of each unit. Can be done.
受け渡しユニット群92は,基板搬送部12と主ウェハ搬送機構91との間に配置され,受け渡しユニット101A,101Bが,下からこの順に積み重ねられた構成になっている。   The transfer unit group 92 is disposed between the substrate transfer unit 12 and the main wafer transfer mechanism 91, and the transfer units 101A and 101B are stacked in this order from the bottom.
洗浄ユニット群93は,主ウェハ搬送機構91の左側方に配置されており,2台の基板洗浄ユニット110A,110Bが下段にX軸方向に並べて配設され,その上段に2台の基板洗浄ユニット110C,110Dが,X軸方向に並べて配設された構成になっている。各基板洗浄ユニット110A〜110Dは,例えばウェハWを略水平に保持し,ウェハWの上面に洗浄液を供給して洗浄する構成になっている。   The cleaning unit group 93 is disposed on the left side of the main wafer transfer mechanism 91, and two substrate cleaning units 110A and 110B are arranged in the X-axis direction on the lower stage, and two substrate cleaning units on the upper stage. 110C and 110D are arranged side by side in the X-axis direction. Each of the substrate cleaning units 110 </ b> A to 110 </ b> D is configured to hold, for example, the wafer W substantially horizontally and supply the cleaning liquid to the upper surface of the wafer W for cleaning.
加熱・冷却ユニット群94は,主ウェハ搬送機構91を挟んで受け渡しユニット群92の反対側に配置され,冷却ユニット111,加熱ユニット112A,112B,112Cが下からこの順に積み重ねられた構成になっている。   The heating / cooling unit group 94 is disposed on the opposite side of the delivery unit group 92 with the main wafer transfer mechanism 91 interposed therebetween, and the cooling unit 111 and the heating units 112A, 112B, 112C are stacked in this order from the bottom. Yes.
図1に示すように,制御・ユーティリティユニット群95には,処理システム1の電源である電装ユニット121と,処理システム1内の各種装置の動作の制御を行う機械制御ユニット122と,基板洗浄ユニット110A〜110Dに送液する所定の洗浄用薬液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット123とが配設されている。   As shown in FIG. 1, the control / utility unit group 95 includes an electrical unit 121 that is a power source of the processing system 1, a machine control unit 122 that controls operations of various devices in the processing system 1, and a substrate cleaning unit. A chemical solution storage unit 123 that stores a predetermined cleaning chemical solution to be fed to 110A to 110D is provided.
処理部3の天井部には,処理部3内に清浄なガスをダウンフローするFFU170が配設されている。FFU170から供給されるガスは,例えば空気,窒素ガス等の不活性ガス等である。   On the ceiling of the processing unit 3, an FFU 170 for downflowing clean gas is disposed in the processing unit 3. The gas supplied from the FFU 170 is, for example, an inert gas such as air or nitrogen gas.
次に,以上のように構成された処理システム1を用いたウェハWの処理工程について説明する。先ず,未だ処理システム1における処理が施されていない複数枚のウェハWが収納されたキャリアCが,図示しないキャリア搬送装置によって処理システム1の外部から搬送され,キャリア載置部10に載置される。キャリア載置部10には,この未処理のウェハWを収納したキャリアCと,処理済のウェハWを収納するための空のキャリアC’が載置される。図1に示した例では,未処理のウェハWを収納したキャリアCは,キャリア載置台40において,最も左側及び中央部の載置位置に載置される。また,処理済みのウェハWを収納するためのキャリアC’は,最も右側の載置位置に載置される。   Next, a processing process of the wafer W using the processing system 1 configured as described above will be described. First, a carrier C storing a plurality of wafers W not yet processed in the processing system 1 is transferred from the outside of the processing system 1 by a carrier transfer device (not shown) and mounted on the carrier mounting unit 10. The On the carrier mounting portion 10, a carrier C storing the unprocessed wafer W and an empty carrier C ′ for storing the processed wafer W are mounted. In the example shown in FIG. 1, the carrier C storing the unprocessed wafer W is placed on the leftmost and center placement positions on the carrier placement table 40. Further, the carrier C ′ for storing the processed wafer W is placed at the rightmost placement position.
なお,キャリアC(C’)をキャリア載置台40に載置するとき,そのキャリアC(C’)に対応するゲート41は,シャッター42によって基板搬送部12側から閉塞させられた状態にしておく。また,キャリアC(C’)は,蓋体22によって開口20が閉塞された状態になっている。   When the carrier C (C ′) is placed on the carrier placing table 40, the gate 41 corresponding to the carrier C (C ′) is kept closed from the substrate transport unit 12 side by the shutter 42. . Further, the carrier C (C ′) is in a state where the opening 20 is closed by the lid 22.
キャリア載置台40上に載置されたキャリアC内のウェハWは,各スロット25に1枚ずつ収容されており,また,開口20及びゲート41の高さ方向に並んだ状態で収納されている。キャリアCを載置したら,蓋体22を開口20から外し,シャッター移動機構43の駆動により,図7に示すように,シャッター42,蓋体開閉機構50及び蓋体22をゲート41の下方に移動させる。   One wafer W in the carrier C mounted on the carrier mounting table 40 is stored in each slot 25 and is stored in a state in which the opening 20 and the gate 41 are aligned in the height direction. . After the carrier C is placed, the lid 22 is removed from the opening 20 and the shutter moving mechanism 43 is driven to move the shutter 42, the lid opening / closing mechanism 50 and the lid 22 below the gate 41 as shown in FIG. Let
こうして,開口20とゲート41とを互いに連通させた状態にしたら,基板搬送装置60の搬送アーム62を,ゲート41及び開口20内に通過させて,キャリアCの内部空間S内に進入させ,内部空間S内のウェハWの下方に進入させる。そして,搬送アーム62を上昇させ,一枚のウェハWを搬送アーム62の上面に載せて保持したら,搬送アーム62をX軸方向に後退させ,ウェハWの周縁部を両側のスロット25内で後退させるようにしながら,ウェハWを移動させる。こうして,一枚のウェハWが基板搬送装置60によってスロット25から抜き出されて,内部空間Sから開口20及びゲート41を介して搬出される。   Thus, when the opening 20 and the gate 41 are in communication with each other, the transfer arm 62 of the substrate transfer device 60 is passed through the gate 41 and the opening 20 to enter the internal space S of the carrier C, and the internal It is made to enter below the wafer W in the space S. When the transfer arm 62 is raised and a single wafer W is placed on the upper surface of the transfer arm 62 and held, the transfer arm 62 is retracted in the X-axis direction, and the peripheral edge of the wafer W is retracted in the slots 25 on both sides. While doing so, the wafer W is moved. In this way, one wafer W is extracted from the slot 25 by the substrate transfer device 60 and is transferred from the internal space S through the opening 20 and the gate 41.
キャリアCから搬出されたウェハWは,略水平な姿勢のまま,基板搬送装置60によって搬送され,図3に示す下段の受け渡しユニット101Aに搬入され,主ウェハ搬送機構91によって受け渡しユニット101Aから取り出された後,基板洗浄ユニット110A〜110Dのいずれかに搬送される。そして,基板洗浄ユニット110A〜110Dのいずれかにおいて洗浄処理が行われる。   The wafer W unloaded from the carrier C is transferred by the substrate transfer device 60 in a substantially horizontal posture, transferred into the lower transfer unit 101A shown in FIG. 3, and taken out from the transfer unit 101A by the main wafer transfer mechanism 91. After that, it is transported to one of the substrate cleaning units 110A to 110D. Then, a cleaning process is performed in any of the substrate cleaning units 110A to 110D.
洗浄処理後,ウェハWは主ウェハ搬送機構91によって基板洗浄ユニット110A〜110Dから搬出させられ,加熱ユニット112A〜112Cのいずれかに搬入され,加熱による乾燥処理が施される。その後,必要に応じて冷却ユニット111にて冷却される。   After the cleaning process, the wafer W is unloaded from the substrate cleaning units 110A to 110D by the main wafer transfer mechanism 91, is loaded into any of the heating units 112A to 112C, and is dried by heating. Then, it is cooled by the cooling unit 111 as necessary.
乾燥処理又は冷却処理終了後,ウェハWは加熱ユニット112A(112B,112C)又は冷却ユニット111から搬出され,受け渡しユニット101Bに受け渡される。そして,基板搬送装置60の搬送アーム62によって受け渡しユニット101Bから取り出される。こうして,処理部3にて所定の処理が行われた処理済みのウェハWが,略水平な姿勢のまま搬送アーム62の上面に保持され,基板搬送部12内に搬送される。   After completion of the drying process or the cooling process, the wafer W is unloaded from the heating unit 112A (112B, 112C) or the cooling unit 111 and transferred to the transfer unit 101B. Then, it is taken out from the delivery unit 101B by the transfer arm 62 of the substrate transfer device 60. Thus, the processed wafer W that has been subjected to the predetermined processing in the processing unit 3 is held on the upper surface of the transfer arm 62 in a substantially horizontal posture and transferred into the substrate transfer unit 12.
基板搬送部12内において,ウェハWは空のキャリアC’が載置された位置に対応する右側のゲート41の前に搬送される。ここで,キャリアC’の蓋体22は,蓋体開閉機構50によって開口20から外されており,シャッター42及び蓋体開閉機構50と共に,ゲート41の下方に待機させられている。そして,図9に示すように,キャリアC’の開口20とゲート41が互いに連通した状態になっている。また,各ガス供給機構71A,71Bのガス供給口73からそれぞれガスを供給する。   In the substrate transfer unit 12, the wafer W is transferred in front of the right gate 41 corresponding to the position where the empty carrier C 'is placed. Here, the lid 22 of the carrier C ′ is removed from the opening 20 by the lid opening / closing mechanism 50, and is kept under the gate 41 together with the shutter 42 and the lid opening / closing mechanism 50. As shown in FIG. 9, the opening 20 of the carrier C 'and the gate 41 are in communication with each other. Further, gas is supplied from the gas supply ports 73 of the gas supply mechanisms 71A and 71B.
かかる状態において,ウェハWを保持した搬送アーム62を,先端側がゲート41に対向するように向け,ゲート41の前方からゲート41に向かってX軸方向に移動させ,ゲート41及び開口20内に通過させて,キャリア本体21の内部空間Sに進入させる。ウェハWは,ガス供給機構71Aのガス供給口73とガス供給機構71Bのガス供給口73との間を通過して,ゲート41及び開口20内に進入させられる。このように搬送アーム62に保持されたウェハWを水平移動させてキャリア本体21内に搬入する間,開口20及びゲート41の外側において,ウェハWの上面には,ウェハWより上方において左右に配置されたガス供給口73から供給されたガスが,斜め上方から供給される。ウェハWの上面に供給されたガスは,ウェハWの上面に沿って外側に,即ち,Y軸方向から見て搬送アーム62及びウェハWの移動方向(搬入方向)とは逆方向に向かって流れていく。こうして,キャリア本体21へ搬入中のウェハWの上面にガスの流れが形成されることにより,ウェハWの上面にパーティクルが付着していても,パーティクルはウェハWの上面に沿ったガスの気流によって横向きに吹き飛ばされ,ウェハWの上面から除去される。   In this state, the transfer arm 62 holding the wafer W is moved in the X-axis direction from the front of the gate 41 toward the gate 41 so that the front end faces the gate 41 and passes through the gate 41 and the opening 20. Then, the carrier body 21 is made to enter the internal space S. The wafer W passes between the gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71A and the gas supply port 73 of the gas supply mechanism 71B, and enters the gate 41 and the opening 20. While the wafer W held by the transfer arm 62 is horizontally moved and loaded into the carrier body 21, the wafer W is disposed on the upper surface of the wafer W outside the opening 20 and the gate 41 and left and right above the wafer W. The gas supplied from the supplied gas supply port 73 is supplied obliquely from above. The gas supplied to the upper surface of the wafer W flows outward along the upper surface of the wafer W, that is, in a direction opposite to the moving direction (loading direction) of the transfer arm 62 and the wafer W when viewed from the Y-axis direction. To go. In this way, a gas flow is formed on the upper surface of the wafer W being carried into the carrier body 21, so that even if particles adhere to the upper surface of the wafer W, the particles are caused by a gas flow along the upper surface of the wafer W. It is blown off sideways and removed from the upper surface of the wafer W.
また,基板搬送部12内において,キャリアC’への搬入中にウェハWの上方からパーティクルが落下してきた場合も,かかるパーティクルは搬入中のウェハWの上面に付着する前に,ウェハWの上方において,ガス供給口73から供給されるガスの横向きのエアーカーテン状の気流によって吹き飛ばされ,ウェハWの上方から外れた位置に離れていく。従って,基板搬送部12内の雰囲気中に存在するパーティクルが,内部空間Sへの搬入中にウェハWの上面に付着することを防止できる。   In addition, even if particles fall from above the wafer W during loading into the carrier C ′ in the substrate transport unit 12, the particles are not allowed to adhere to the upper surface of the wafer W being loaded before the particles adhere to the upper surface of the wafer W being loaded. , The gas supplied from the gas supply port 73 is blown off by a horizontal air curtain-shaped air flow, and moves away from the position above the wafer W. Therefore, it is possible to prevent particles present in the atmosphere in the substrate transfer unit 12 from adhering to the upper surface of the wafer W during the transfer into the internal space S.
なお,ウェハWの上面から吹き飛ばされたパーティクルや,ウェハWの上方から落下してきたパーティクル,基板搬送部12内のパーティクル等は,ウェハWの搬入方向とは逆方向に,即ち,開口20から外側に離隔する方向に吹き飛ばされるので,開口20を介して内部空間S内に侵入するおそれはない。従って,内部空間Sにパーティクルが侵入して内部空間S内のウェハWに付着することを防止できる。また,ウェハWの上面から吹き飛ばされたパーティクル,ウェハWの上方から外れた位置に飛ばされたパーティクル等は,ウェハWの外側において,FFU70から供給されるダウンフローによって,ウェハWの下方に落下させられる。そして,図示しない排気路によって,基板搬送部12内から排出される。従って,ウェハWにパーティクルが付着することを防止できる。   Note that particles blown off from the upper surface of the wafer W, particles falling from above the wafer W, particles in the substrate transfer unit 12, etc. are in the direction opposite to the loading direction of the wafer W, that is, from the opening 20 to the outside. Therefore, there is no possibility of entering the internal space S through the opening 20. Accordingly, it is possible to prevent particles from entering the internal space S and adhering to the wafer W in the internal space S. Also, particles blown off from the upper surface of the wafer W, particles blown to a position off the upper side of the wafer W, and the like are dropped below the wafer W by the downflow supplied from the FFU 70 on the outside of the wafer W. It is done. And it discharges from the board | substrate conveyance part 12 by the exhaust path which is not shown in figure. Accordingly, it is possible to prevent particles from adhering to the wafer W.
また,ガス供給口73から供給するガスを例えば窒素ガス等の不活性ガスとし,ウェハWの上面を不活性ガスの気流によって覆うことにより,ウェハWの上面に酸化性雰囲気が接触することを防止できる。これにより,内部空間Sへの搬入中のウェハWの上面(例えば半導体デバイスが形成される表面)において自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。従って,ウェハWの品質が低下することを防止できる。   Further, the gas supplied from the gas supply port 73 is an inert gas such as nitrogen gas, and the upper surface of the wafer W is covered with an inert gas stream to prevent the oxidizing atmosphere from contacting the upper surface of the wafer W. it can. Thereby, it is possible to prevent the generation of a natural oxide film on the upper surface (for example, the surface on which the semiconductor device is formed) of the wafer W being carried into the internal space S. Therefore, it is possible to prevent the quality of the wafer W from deteriorating.
こうして,開口22及びゲート41の近傍において,ガス供給口73から供給されるガスによってパーティクルをウェハWの移動方向とは反対方向に向かって吹き飛ばしながら,搬送アーム62を移動させ,ウェハWの周縁部を両側のスロット25内に沿ってそれぞれ進入させるようにしつつ,ウェハWを内部空間Sに搬入する。ウェハWを内部空間Sに収納したら,搬送アーム62を下降させ,ウェハWの下面から離隔させ,ウェハWの周縁部を両側のスロット25に受け渡すようにする。そして,搬送アーム62をウェハWの下方において後退させ,開口20及びゲート41を介して,基板搬送部12内に戻す。   Thus, in the vicinity of the opening 22 and the gate 41, the transfer arm 62 is moved while blowing particles in the direction opposite to the moving direction of the wafer W by the gas supplied from the gas supply port 73, so that the peripheral edge of the wafer W is moved. The wafer W is carried into the internal space S while being moved along the slots 25 on both sides. When the wafer W is stored in the internal space S, the transfer arm 62 is lowered, separated from the lower surface of the wafer W, and the peripheral edge of the wafer W is transferred to the slots 25 on both sides. Then, the transfer arm 62 is retracted below the wafer W and returned into the substrate transfer unit 12 through the opening 20 and the gate 41.
なお,ウェハWをキャリア本体21に受け渡した後,搬送アーム62をキャリア本体21から退出させる際も,ガス供給口73からガスを供給するようにすれば,搬送アーム62の上面に対して斜め上方からガスを吹き付けることで,搬送アーム62の上面にパーティクルが付着していても,そのパーティクルを吹き飛ばして除去することができる。キャリア本体21からの退出中に搬送アーム62の上方からパーティクルが落下してきた場合も,かかるパーティクルは搬送アーム62に付着する前に,搬送アーム62の上方においてガス供給口73から供給されるガスの流れによって吹き飛ばされるので,搬送アーム62の上面に付着することを防止できる。搬送アーム62の上面から除去されたパーティクルや搬送アーム62の上方から落下してきたパーティクル等は,開口20から外側に離隔する方向に吹き飛ばされるので,開口20を介して内部空間Sに侵入するおそれはなく,内部空間SでウェハWに付着するおそれもない。   Even when the transfer arm 62 is withdrawn from the carrier body 21 after the wafer W has been transferred to the carrier body 21, if the gas is supplied from the gas supply port 73, the upper surface of the transfer arm 62 is inclined upward. By blowing the gas from the gas, even if particles adhere to the upper surface of the transfer arm 62, the particles can be blown off and removed. Even when particles fall from above the transfer arm 62 while leaving the carrier main body 21, before the particles adhere to the transfer arm 62, the particles are supplied from the gas supply port 73 above the transfer arm 62. Since it is blown away by the flow, it can be prevented from adhering to the upper surface of the transfer arm 62. Since particles removed from the upper surface of the transfer arm 62 or particles dropped from above the transfer arm 62 are blown away in a direction away from the opening 20 to the outside, there is a risk of entering the internal space S through the opening 20. There is no possibility of adhering to the wafer W in the internal space S.
以上のようにして,キャリアC内の未処理のウェハWを一枚ずつ処理部3に受け渡し,また,処理済みのウェハWを一枚ずつキャリアC’内に収納していく。そして,25枚の処理済みのウェハWがキャリアC’の内部空間S内に収納されたら,蓋体22によってキャリアC’の開口20を閉じ,蓋体開閉機構50の作動によりロック状態にする。その後,キャリアC’は図示しないキャリア搬送装置によってキャリア載置部10から搬出され,次工程の処理システム等に搬送される。以上のようにして,処理システム1における一連の工程が終了する。   As described above, the unprocessed wafers W in the carrier C are transferred to the processing unit 3 one by one, and the processed wafers W are stored one by one in the carrier C ′. When 25 processed wafers W are accommodated in the internal space S of the carrier C ′, the opening 20 of the carrier C ′ is closed by the lid 22, and the lid opening / closing mechanism 50 is operated to be locked. Thereafter, the carrier C ′ is unloaded from the carrier mounting unit 10 by a carrier transfer device (not shown) and transferred to a processing system or the like in the next process. As described above, a series of steps in the processing system 1 is completed.
かかる処理システム1によれば,処理済みのウェハWをキャリアC’の内部空間Sに搬入する際に,ウェハWの上面に沿ったガスの気流が形成されるようにしながら,ウェハWを移動させることにより,ウェハWの上面にパーティクルが付着していても,そのパーティクルを気流によって吹き飛ばしてウェハWから除去することができる。また,内部空間Sへの搬入中のウェハWの上面にパーティクルが落下して付着することを防止できる。従って,パーティクルがウェハWと共にキャリアC’の内部空間Sに持ち込まれることを防止でき,内部空間Sの清浄度が低下すること,及び,内部空間S内の処理済みのウェハWにパーティクルが付着してウェハが汚染されることを防止できる。即ち,洗浄処理の信頼性を高め,ウェハWの品質を高く維持することができる。パーティクルの付着が少ない清浄なウェハWとキャリアC’を次工程へ搬送することができ,次工程のシステム等にパーティクルが持ち込まれることを防止でき,次工程の処理を確実に施すことができる。   According to the processing system 1, when the processed wafer W is carried into the internal space S of the carrier C ′, the wafer W is moved while forming a gas flow along the upper surface of the wafer W. As a result, even if particles adhere to the upper surface of the wafer W, the particles can be removed from the wafer W by being blown off by an air current. Further, it is possible to prevent particles from dropping and adhering to the upper surface of the wafer W being loaded into the internal space S. Therefore, it is possible to prevent particles from being brought into the internal space S of the carrier C ′ together with the wafer W, the cleanliness of the internal space S is reduced, and particles adhere to the processed wafer W in the internal space S. Thus, contamination of the wafer can be prevented. That is, the reliability of the cleaning process can be improved and the quality of the wafer W can be maintained high. The clean wafer W and the carrier C ′ with little particle adhesion can be transferred to the next process, and particles can be prevented from being brought into the system or the like of the next process, so that the process of the next process can be reliably performed.
以上,本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる実施形態に限定されない。例えば,以上の実施形態では,キャリアC’内に処理済みのウェハWを搬入する際に,搬入されるウェハWの上面に対してガスを供給することとしたが,キャリアCから未処理のウェハWを搬出する際にも,ガス供給口73からガスを供給し,開口20及びゲート41の外側において,搬送アーム62に保持されたウェハWの上面に対して,開口20側から開口20の外側に向かうガスを供給するようにしても良い。そうすれば,ウェハWを搬出させながら,ウェハWの上面に付着したパーティクルをウェハWの上面に沿ったガスの気流によって除去することができ,処理部3内にウェハWと共に持ち込まれるパーティクルの量を減少させることができる。従って,処理部3の清浄度が低下することを防止できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such embodiments. For example, in the above embodiment, when the processed wafer W is loaded into the carrier C ′, the gas is supplied to the upper surface of the loaded wafer W. Also when unloading W, gas is supplied from the gas supply port 73 and outside the opening 20 and the gate 41 from the opening 20 side to the outside of the opening 20 with respect to the upper surface of the wafer W held by the transfer arm 62. It is also possible to supply gas toward By doing so, particles adhering to the upper surface of the wafer W can be removed by the gas flow along the upper surface of the wafer W while the wafer W is being unloaded, and the amount of particles brought into the processing unit 3 together with the wafer W. Can be reduced. Accordingly, it is possible to prevent the cleanliness of the processing unit 3 from being lowered.
さらに,ウェハWを内部空間Sから取り出す前,搬送アーム62を内部空間Sに進入させる際も,ガス供給口73からガスを供給すれば,搬送アーム62の上面にパーティクルが付着していても,そのパーティクルを吹き飛ばすことができ,また,内部空間Sへの進入中に搬送アーム62の上方からパーティクルが落下してきた場合も,かかるパーティクルは搬送アーム62の上方においてガス供給口73から供給されるガスの流れによって吹き飛ばされるので,搬送アーム62の上面にパーティクルが付着することを防止できる。そして,搬送アーム62に付着したパーティクルを低減した状態で,内部空間Sに進入させることにより,搬送アーム62からウェハWにパーティクルが転写することを防止できる。   Further, even when the transfer arm 62 enters the internal space S before the wafer W is taken out from the internal space S, if gas is supplied from the gas supply port 73, even if particles adhere to the upper surface of the transfer arm 62, The particles can be blown away, and when particles fall from above the transfer arm 62 while entering the internal space S, the particles are supplied from the gas supply port 73 above the transfer arm 62. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the upper surface of the transfer arm 62. Then, the particles adhering to the transfer arm 62 can be prevented from being transferred from the transfer arm 62 to the wafer W by entering the internal space S in a state where the particles adhering to the transfer arm 62 are reduced.
また,各ガス供給機構71A,71Bのガス供給口73からのガス供給は,キャリアCに対してウェハWを搬入出するときのみ行い,ウェハWを搬入出するとき以外は停止させても良いが,キャリアCに対してウェハWを搬入出するとき以外にも,ゲート41及び開口20を開いている間,各ガス供給口73からのガス供給を継続させるようにしても良い。そうすれば,ゲート41及び開口20の外側に,ゲート41及び開口20から外側に離隔するに従い下方に向かう気流によるエアーカーテンが常に形成された状態にすることにより,基板搬送部12内の雰囲気やパーティクルがキャリアCの内部空間S内に侵入することを防止できる。従って,内部空間S内を清浄に維持し,内部空間S内のウェハWにパーティクルが付着することを防止できる。また,基板搬送部12内の雰囲気がキャリアCの内部空間S内に侵入することを防止することにより,ウェハWに基板搬送部12内の酸化性雰囲気が接触することを防止できる。例えばキャリアCの内部空間Sが窒素ガス等の不活性ガス雰囲気によってパージされている場合,そのパージされた状態を維持することができるので,内部空間Sで自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。従って,ウェハWの品質低下を防止できる。   The gas supply from the gas supply ports 73 of the gas supply mechanisms 71A and 71B may be performed only when the wafer W is loaded into and unloaded from the carrier C, and may be stopped except when the wafer W is loaded and unloaded. In addition to when the wafer W is carried into and out of the carrier C, the gas supply from each gas supply port 73 may be continued while the gate 41 and the opening 20 are open. By doing so, an air curtain is always formed outside the gate 41 and the opening 20 by an air flow that moves downward as the gate 41 and the opening 20 are separated from the outside. Particles can be prevented from entering the internal space S of the carrier C. Accordingly, the interior space S can be kept clean and particles can be prevented from adhering to the wafer W in the interior space S. Further, by preventing the atmosphere in the substrate transfer unit 12 from entering the internal space S of the carrier C, the oxidizing atmosphere in the substrate transfer unit 12 can be prevented from coming into contact with the wafer W. For example, when the internal space S of the carrier C is purged with an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, the purged state can be maintained, so that generation of a natural oxide film proceeds in the internal space S. Can be prevented. Therefore, the quality deterioration of the wafer W can be prevented.
以上の実施形態では,各ガス供給機構71A,71Bの総てのガス供給口73から一斉にガスが供給される構成としたが,ウェハWが収納又は搬出されるスロット25の位置に応じて,ガスを供給するガス供給口73を選択的に切り換えても良い。例えば,ウェハWが収納又は搬出されるスロット25の位置に対して上方において最も近い位置に配置されたガス供給口73のみからガスを供給するようにしても良い。このようにすれば,ガスの供給流量を低減し,省コストを図ることができる。また,各ガス供給口73から供給されるガスの供給流量は,個別に調節可能にしても良い。   In the above embodiment, the gas is supplied from all the gas supply ports 73 of the gas supply mechanisms 71A and 71B all at once. However, depending on the position of the slot 25 in which the wafer W is stored or unloaded, The gas supply port 73 for supplying the gas may be selectively switched. For example, the gas may be supplied only from the gas supply port 73 disposed at the closest position above the position of the slot 25 where the wafer W is stored or unloaded. In this way, the gas supply flow rate can be reduced and the cost can be saved. Further, the supply flow rate of the gas supplied from each gas supply port 73 may be individually adjustable.
各ガス供給機構71A,71Bの筒体72は,開口20及びゲート41に対して相対的に移動可能な構成としても良い。例えば,蓋体22及びシャッター42によって開口20及びゲート41を開閉するときは,各ガス供給機構71A,71Bの筒体72をシャッター42及びゲート41から離隔した位置に待機させ,ウェハWをキャリア本体21に搬入するときや,キャリア本体21から搬出させるときは,各ガス供給機構71A,71Bの筒体72をウェハWの移動位置に向かって近づけ,各ガス供給口73から供給されるガスが搬入又は搬出されるウェハWの上面に接触しやすいように配置しても良い。   The cylinder 72 of each gas supply mechanism 71A, 71B may be configured to be movable relative to the opening 20 and the gate 41. For example, when the opening 20 and the gate 41 are opened and closed by the lid 22 and the shutter 42, the cylinder 72 of each gas supply mechanism 71A, 71B is put on standby at a position separated from the shutter 42 and the gate 41, and the wafer W is held in the carrier body. When carrying in to 21 or carrying out from the carrier main body 21, the cylinder 72 of each gas supply mechanism 71A, 71B is brought close to the moving position of the wafer W, and the gas supplied from each gas supply port 73 is carried in. Or you may arrange | position so that it may contact the upper surface of the wafer W carried out easily.
各ガス供給機構71A,71Bのガス供給口73から供給されるガスの供給方向は,可変としても良い。例えば図10に示すように,筒体72をZ軸方向の中心軸を回転中心として回転可能に構成し,各ノズル74及びガス供給口73が筒体72と一体的に回転するようにしても良い。これにより,平面視における各ガス供給口73からのガスの供給方向を変化させることができる。そうすれば,ガスをウェハWの上面全体に満遍なく吹き付けることができ,上面に付着したパーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。   The supply direction of the gas supplied from the gas supply port 73 of each gas supply mechanism 71A, 71B may be variable. For example, as shown in FIG. 10, the cylindrical body 72 is configured to be rotatable around the central axis in the Z-axis direction so that each nozzle 74 and the gas supply port 73 rotate integrally with the cylindrical body 72. good. Thereby, the gas supply direction from each gas supply port 73 in planar view can be changed. By doing so, the gas can be sprayed evenly over the entire top surface of the wafer W, and the particles adhering to the top surface can be suitably blown off.
ガス供給口73の配置は,開口20及びゲート41の外側において開口20の両側に上下に複数並べる形態には限定されない。例えばガス供給口を開口20及びゲート41の幅方向に沿って複数並べて設け,さらに,開口20に対して上下に昇降可能な構成にしても良い。例えば図11に示すように,各ゲート41の外側に,前述したガス供給機構71A,71Bに代えて,Y軸方向に並べられたガス供給口を有するガス供給機構200を設ける。ガス供給機構200は,長さ方向をY軸方向に向けて備えられた略円筒状の筒体201と,筒体201をZ軸方向に昇降させる筒体昇降機構202とを備えている。   The arrangement of the gas supply ports 73 is not limited to a form in which a plurality of gas supply ports 73 are vertically arranged on both sides of the opening 20 outside the opening 20 and the gate 41. For example, a plurality of gas supply ports may be provided side by side along the width direction of the opening 20 and the gate 41, and the gas supply port may be configured to move up and down with respect to the opening 20. For example, as shown in FIG. 11, a gas supply mechanism 200 having gas supply ports arranged in the Y-axis direction is provided outside each gate 41 in place of the gas supply mechanisms 71A and 71B described above. The gas supply mechanism 200 includes a substantially cylindrical cylinder 201 provided with the length direction directed in the Y-axis direction, and a cylinder lifting mechanism 202 that moves the cylinder 201 up and down in the Z-axis direction.
図11に示すように,筒体201には,開口20とは反対側の外側に向いた外周面に,例えば窒素ガスなどの不活性ガスを吐出するガス供給口203を有するノズル204が,筒体201の長さ方向に沿って複数個,例えば5個並べて設けられている。各ガス供給口203は例えば略円形をなし,各ノズル204の先端に開口している。そして,複数個のガス供給口203が,ゲート41の近傍において,開口20及びゲート41の幅方向に沿って一直線上に並ぶように,即ち,互いに同じ高さに並ぶように配列されており,また,所定間隔を空けて配列されている。各ガス供給口203は,キャリア載置部10に載置されたキャリア本体21の開口20側から開口20の外側(基板搬送部12側)に向かう方向に,ガスを吐出する。平面視においてはX軸方向に沿ってガスを吐出し,側面視においては開口20側から外側に向かうに従い(X軸方向に向かうに従い)下方に向かうように傾斜した方向にガスを吐出する。さらに,ガス供給口203は,開口20及びゲート41の幅方向全体に渡って分布させられるように配置されており,開口20の外側においてガス供給口203の下方に位置するウェハWの上面全体に満遍なくガスを供給できるようになっている。   As shown in FIG. 11, the cylinder 201 includes a nozzle 204 having a gas supply port 203 for discharging an inert gas such as nitrogen gas on the outer peripheral surface facing the outside opposite to the opening 20. A plurality of, for example, five, are arranged along the length direction of the body 201. Each gas supply port 203 has a substantially circular shape, for example, and opens at the tip of each nozzle 204. A plurality of gas supply ports 203 are arranged in the vicinity of the gate 41 so as to be aligned on the straight line along the width direction of the opening 20 and the gate 41, that is, to be aligned at the same height. Further, they are arranged at a predetermined interval. Each gas supply port 203 discharges gas in a direction from the opening 20 side of the carrier body 21 mounted on the carrier mounting unit 10 toward the outside of the opening 20 (substrate transport unit 12 side). In the plan view, the gas is discharged along the X-axis direction, and in the side view, the gas is discharged in a direction inclined downward from the opening 20 side toward the outside (toward the X-axis direction). Further, the gas supply ports 203 are arranged so as to be distributed over the entire width direction of the opening 20 and the gate 41, and the entire upper surface of the wafer W positioned below the gas supply port 203 outside the opening 20. Gas can be supplied evenly.
筒体201は,ゲート41の左側に設置された筒体昇降機構202によって左端部が支持されており,右側の先端部が閉塞されている。また,左端部には,筒体201の内部空間に連通するガス供給管211が接続されている。ガス供給管211は,基板搬送部12の外部に設けられたガス供給源212に接続されている。そして,このガス供給管211の内部流路,及び,筒体201の内部空間によって,ガス供給源212から供給されたガスを流通させるガス供給路213が構成されている。ガス供給管211には,開閉弁214が介設されている。開閉弁214は,コントローラ215の制御命令によって開閉される。この開閉弁214を開くと,ガス供給路213を介して総てのガス供給口203から一斉にガスが吐出されるようになっている。なお,各ガス供給源212から供給されるガスは,例えば窒素ガス等の不活性ガスであり,十分に清浄化されている。   The cylinder 201 is supported at the left end by a cylinder lifting mechanism 202 installed on the left side of the gate 41 and closed at the right end. A gas supply pipe 211 that communicates with the internal space of the cylinder 201 is connected to the left end. The gas supply pipe 211 is connected to a gas supply source 212 provided outside the substrate transfer unit 12. A gas supply path 213 through which the gas supplied from the gas supply source 212 circulates is configured by the internal flow path of the gas supply pipe 211 and the internal space of the cylindrical body 201. An open / close valve 214 is interposed in the gas supply pipe 211. The on-off valve 214 is opened and closed by a control command from the controller 215. When the on-off valve 214 is opened, gas is discharged from all the gas supply ports 203 simultaneously through the gas supply path 213. The gas supplied from each gas supply source 212 is an inert gas such as nitrogen gas, and is sufficiently cleaned.
かかる構成においては,筒体昇降機構202の作動により筒体201を昇降させることにより,各ガス供給口203をゲート41及び開口20に対して相対的に昇降させ,各ガス供給口203の高さを調節できる。図12に示すように,開口20及びゲート41が蓋体22及びシャッター42によって夫々閉塞されている状態では,筒体201及びノズル204は,シャッター42の上方においてシャッター42に干渉しない位置に待機させられ,下降できないようになっている。図13に示すように,蓋体22及びシャッター42を外してゲート41の下方に下降させると,筒体昇降機構202の作動により筒体201及びノズル204を下降させることができ,キャリアCに対して搬入出されるウェハWの上面に各ガス供給口203を近接させることができる。これにより,いずれの高さのスロット25に挿入出されるウェハWに対しても,ウェハWの上方からガスを効果的に供給できる。   In such a configuration, the cylinder 201 is moved up and down by the operation of the cylinder lifting mechanism 202, so that each gas supply port 203 is moved up and down relative to the gate 41 and the opening 20, and the height of each gas supply port 203 is increased. Can be adjusted. As shown in FIG. 12, in a state where the opening 20 and the gate 41 are closed by the lid body 22 and the shutter 42, the cylinder body 201 and the nozzle 204 are placed in a standby position above the shutter 42 so as not to interfere with the shutter 42. And cannot be lowered. As shown in FIG. 13, when the lid body 22 and the shutter 42 are removed and lowered below the gate 41, the cylinder body 201 and the nozzle 204 can be lowered by the operation of the cylinder lifting mechanism 202. Each gas supply port 203 can be brought close to the upper surface of the wafer W loaded and unloaded. Thereby, the gas can be effectively supplied from above the wafer W to the wafer W inserted into the slot 25 of any height.
以上の実施形態では,各ガス供給口73,203から供給されるガスは不活性ガスとしたが,かかるものには限定されず,例えば空気等であっても良い。また,各ガス供給口73,203から供給されるガスは,イオン化(帯電)させても良い。この場合,静電気により帯電しているパーティクルに対して,各ガス供給口73,203から供給されるイオン化された状態のガスを吹き付けることにより,パーティクルを除電できる。従って,静電気力によってウェハWに付着しているパーティクルをウェハWから除去しやすくなる。例えば前述した各ノズル74又は204に,ガスをイオン化させるイオン化機能を備え,ガスがノズル74,204を通過する際にイオン化された後,ガス供給口73又は203から供給されるような構成にしても良い。   In the above embodiment, the gas supplied from each of the gas supply ports 73 and 203 is an inert gas, but is not limited thereto, and may be air or the like, for example. Further, the gas supplied from the gas supply ports 73 and 203 may be ionized (charged). In this case, the particles can be neutralized by spraying ionized gas supplied from the gas supply ports 73 and 203 against the particles charged by static electricity. Accordingly, it becomes easy to remove particles adhering to the wafer W due to electrostatic force from the wafer W. For example, each nozzle 74 or 204 described above is provided with an ionization function for ionizing a gas, and the gas is ionized when passing through the nozzles 74 and 204 and then supplied from the gas supply port 73 or 203. Also good.
以上の実施形態では,キャリア載置台40に載置されたキャリアC’(C)の開口20の外側において,ガス供給口72(203)からガスを供給する構成を説明したが,かかるキャリアC’(C)の内部空間Sにガスを供給する第二のガス供給口を設けても良い。例えば図14に示すように,開口20及びゲート41の外側において,ゲート41の左側に前述したガス供給機構71Aと,第二のガス供給機構221Aを備え,ゲート41の右側に,前述したガス供給機構71Bと,第二のガス供給機構71Bを備えても良い。図14において,各ガス供給機構221A,221Bは,長さ方向をZ軸方向に向けて立設された略円筒状の筒体222と,各筒体222の外周面に並べて設けられ,第二のガス供給口223を有する複数のノズル224とをそれぞれ備えている。各ガス供給機構221A,221Bの筒体222は,基板搬送装置60側から見て各ゲート41の左右両側にそれぞれ備えられ,また,各ガス供給機構71A,71Bよりゲート41及び開口20側において,各ガス供給機構71A,71Bの筒体72に沿って隣接させるようにしてそれぞれ設置されている。各筒体222の内部空間には図示しないガス供給管が接続されており,そのガス供給管,筒体222内を介してガスが供給されると,各ガス供給機構221A,221Bの総てのガス供給口223から一斉に第二のガスが吐出されるようになっている。   In the above embodiment, the configuration in which the gas is supplied from the gas supply port 72 (203) outside the opening 20 of the carrier C ′ (C) mounted on the carrier mounting table 40 has been described. You may provide the 2nd gas supply port which supplies gas to the internal space S of (C). For example, as shown in FIG. 14, the gas supply mechanism 71A and the second gas supply mechanism 221A described above are provided on the left side of the gate 41 outside the opening 20 and the gate 41, and the gas supply described above is provided on the right side of the gate 41. A mechanism 71B and a second gas supply mechanism 71B may be provided. 14, each gas supply mechanism 221A, 221B is provided side by side on a substantially cylindrical cylindrical body 222 erected with its length direction directed in the Z-axis direction, and on the outer peripheral surface of each cylindrical body 222. And a plurality of nozzles 224 each having a gas supply port 223. The cylinders 222 of the gas supply mechanisms 221A and 221B are respectively provided on the left and right sides of the gate 41 as viewed from the substrate transfer device 60 side, and are further provided on the gate 41 and the opening 20 side of the gas supply mechanisms 71A and 71B. The gas supply mechanisms 71A and 71B are installed so as to be adjacent to each other along the cylinder 72. A gas supply pipe (not shown) is connected to the internal space of each cylinder 222. When gas is supplied through the gas supply pipe and the inside of the cylinder 222, all of the gas supply mechanisms 221A and 221B are all connected. The second gas is discharged from the gas supply port 223 all at once.
各ガス供給口223は例えば略円形をなし,各ノズル224の先端に開口している。また,複数個,例えば26個のガス供給口223が,開口20及びゲート41の左右両側近傍において上下に一直線上に並ぶように,かつ所定間隔を空けて配列されている。各ノズル224及びガス供給口73は,筒体222においてゲート41及び開口20側に向いた面に沿って設けられており,ゲート41及び開口20の外側から内部空間Sに向かう方向,かつ,略水平方向にガスを供給する方向に指向している。基板搬送装置60側から見てゲート41の右方に設けられたガス供給口223は,開口20の外側から内部空間S側に向かうに従い基板搬送装置60側から見て左方に向かう傾斜した方向にガスを供給する。基板搬送装置60側から見てゲート41の左方に設けられたガス供給口223は,開口20の外側から内部空間S側に向かうに従い基板搬送装置60側から見て右方に向かう傾斜した方向にガスを供給する。なお,上下に並ぶガス供給口223同士の間の間隔は,例えばキャリア本体21内のスロット25同士の間の間隔,即ち,キャリア本体21内に収納されたウェハW同士の間の間隔とほぼ同じであれば良い。最も上方に設けられたガス供給口223は,キャリア載置台40に載置されたキャリアC’(C)において最も上方に設けられたスロット25と上側部21cとの間にガスを供給するように指向し,その下の各ガス供給口223は,各スロット25に収納されたウェハW同士の間の隙間にガスを供給するようにそれぞれ指向し,最も下方に設けられたガス供給口223は,最も下方に設けられたスロット25と側部21dとの間にガスを供給するように指向していることが好ましい。即ち,キャリア載置台40に載置されたキャリアC’(C)においていずれの高さのスロット25に挿入されたウェハWに対しても,各ウェハWの上下の空間にガスを供給できるような配置にすることが好ましい。   Each gas supply port 223 has a substantially circular shape, for example, and opens at the tip of each nozzle 224. Further, a plurality of, for example, 26 gas supply ports 223 are arranged in a straight line in the vicinity of both the left and right sides of the opening 20 and the gate 41 and at a predetermined interval. Each nozzle 224 and the gas supply port 73 are provided along the surface of the cylindrical body 222 facing the gate 41 and the opening 20, and the direction from the outside of the gate 41 and the opening 20 toward the internal space S is substantially the same. It is oriented in the direction of supplying gas in the horizontal direction. The gas supply port 223 provided on the right side of the gate 41 when viewed from the substrate transfer apparatus 60 side is inclined to the left as viewed from the substrate transfer apparatus 60 side as it goes from the outside of the opening 20 toward the internal space S side. To supply gas. The gas supply port 223 provided on the left side of the gate 41 when viewed from the substrate transfer apparatus 60 side is inclined to the right when viewed from the substrate transfer apparatus 60 side as it goes from the outside of the opening 20 toward the internal space S side. To supply gas. Note that the interval between the gas supply ports 223 arranged vertically is substantially the same as, for example, the interval between the slots 25 in the carrier body 21, that is, the interval between the wafers W accommodated in the carrier body 21. If it is good. The gas supply port 223 provided at the uppermost position supplies gas between the uppermost slot 21c and the slot 25 provided at the uppermost position in the carrier C ′ (C) mounted on the carrier mounting table 40. The gas supply ports 223 below the gas supply ports 223 are respectively directed to supply gas to the gaps between the wafers W accommodated in the slots 25, and the gas supply ports 223 provided at the lowermost positions are It is preferable to direct the gas supply between the slot 25 provided at the lowermost side and the side portion 21d. That is, gas can be supplied to the space above and below each wafer W to the wafer W inserted into the slot 25 of any height in the carrier C ′ (C) placed on the carrier placement table 40. It is preferable to arrange.
かかる構成においては,図15に示すように,キャリア載置台40に載置されたキャリアC’(C)の内部空間Sに複数のウェハWを収納させた状態で,各ガス供給機構221A,221Bによるガスの供給を行うと,各ガス供給口223から供給されたガスは,開口20及びゲート41を介して内部空間S内に流入し,最も上方に収納されたウェハWとキャリア本体21の上側部21cとの間,各ウェハW同士の間の隙間,最も下方に収納されたウェハWとキャリア本体21の下側部21dとの間にそれぞれ流れ込む。各ウェハWの上方及び下方に供給されたガスは,例えば開口20側から,開口20と内部空間Sを挟んで対向するキャリアC’(C)の奥部21eに向かって,ウェハWの上面及び下面に沿って流れる。このように,各ウェハWの上面及び下面に沿ったガスの横向きの流れが形成されることにより,ウェハWの上面や下面にパーティクルが付着していても,パーティクルはガスによって吹き飛ばされ,ガスと共に押し流される。従って,内部空間S内のウェハWを清浄にすることができる。また,キャリア本体21の内面に沿ったガスの流れも形成されるので,キャリア本体21の内面に付着したパーティクルも,ガスによって吹き飛ばされ除去される。従って,キャリア本体21の内面も清浄にできる。特に,各ガス供給口223は内部空間S内のウェハW同士の間の高さに配置されているので,各ウェハW同士の間の隙間に向かってガス供給口223を向け,各隙間にそれぞれガスを流入させることができる。従って,各ウェハWの両面にガスを供給し,パーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。また,ガス供給口223から供給されるガスによって内部空間S内の雰囲気を開口20の外側に押し出すことにより,内部空間Sに溜まっていた気体状汚染物質やパーティクルを内部空間S内の雰囲気と共にキャリアC’(C)の外に排出させたり,内部空間S内の雰囲気を各ガス供給口223から供給されたガスの雰囲気にしたりすることも可能である。特に,ガス供給口223から供給されるガスを窒素ガス等の不活性ガスにすれば,内部空間S内を不活性ガス雰囲気の状態にすることができ,内部空間Sに収納されたウェハWに酸化性雰囲気が接触することを防止できる。従って,内部空間Sに収納されたウェハWに自然酸化膜が発生することを防止できる。   In such a configuration, as shown in FIG. 15, the gas supply mechanisms 221 </ b> A and 221 </ b> B are stored in a state where a plurality of wafers W are housed in the internal space S of the carrier C ′ (C) placed on the carrier placing table 40. When the gas is supplied by the gas, the gas supplied from each gas supply port 223 flows into the internal space S through the opening 20 and the gate 41, and the wafer W stored above and the upper side of the carrier body 21 are supplied. It flows into the gap between the wafers 21c, between the wafers W, between the wafer W housed in the lowermost part and the lower part 21d of the carrier body 21. The gas supplied above and below each wafer W, for example, from the side of the opening 20 toward the back part 21e of the carrier C ′ (C) facing the opening 20 with the internal space S interposed therebetween, Flows along the bottom surface. In this way, by forming a lateral flow of gas along the upper and lower surfaces of each wafer W, even if particles adhere to the upper and lower surfaces of the wafer W, the particles are blown away by the gas and together with the gas. Washed away. Therefore, the wafer W in the internal space S can be cleaned. Further, since a gas flow along the inner surface of the carrier body 21 is also formed, particles adhering to the inner surface of the carrier body 21 are also blown away by the gas and removed. Therefore, the inner surface of the carrier body 21 can also be cleaned. In particular, since each gas supply port 223 is disposed at a height between the wafers W in the internal space S, the gas supply ports 223 are directed toward the gaps between the wafers W, and the gaps are respectively set. Gas can flow in. Therefore, gas can be supplied to both surfaces of each wafer W, and particles can be blown off suitably. Further, by pushing out the atmosphere in the internal space S to the outside of the opening 20 by the gas supplied from the gas supply port 223, the gaseous contaminants and particles accumulated in the internal space S together with the atmosphere in the internal space S are carrier. It is also possible to discharge the gas to the outside of C ′ (C), or to change the atmosphere in the internal space S to the atmosphere of the gas supplied from each gas supply port 223. In particular, if the gas supplied from the gas supply port 223 is an inert gas such as nitrogen gas, the interior space S can be brought into an inert gas atmosphere, and the wafer W accommodated in the interior space S can be brought into contact with the wafer W. It can prevent that an oxidizing atmosphere contacts. Accordingly, it is possible to prevent the natural oxide film from being generated on the wafer W accommodated in the internal space S.
なお,このように第二のガス供給口223から内部空間Sにガスを供給する工程は,例えばキャリアCをキャリア載置台40に載置して開口20及びゲート41を開口させた後,キャリアCから未処理のウェハWを搬出する前に行ったり,あるいは,キャリアC’に処理済みのウェハWを収納した後,キャリアC’の開口20を閉塞する前に行ったりしても良いが,その他のタイミング,例えば,キャリアC’にウェハWを搬入する前に行っても良い。この場合,ウェハWが搬入される前の空のキャリア本体21内を清浄にし,搬入されたウェハWにパーティクルが転写することを防止できる。また,かかる工程は,例えばウェハWを搬出した後の空のキャリアCに対して行っても良い。   The step of supplying the gas from the second gas supply port 223 to the internal space S in this way is performed, for example, after the carrier C is placed on the carrier mounting table 40 and the opening 20 and the gate 41 are opened, and then the carrier C May be performed before the unprocessed wafer W is unloaded from the wafer C, or after the processed wafer W is stored in the carrier C ′ and before the opening 20 of the carrier C ′ is closed. This timing may be performed, for example, before the wafer W is loaded into the carrier C ′. In this case, it is possible to clean the empty carrier main body 21 before the wafer W is carried in and prevent particles from being transferred to the carried wafer W. Further, such a process may be performed on an empty carrier C after the wafer W is unloaded, for example.
各ガス供給口223から供給されるガスは,イオン化(帯電)させても良い。この場合,静電気により帯電しているパーティクルに対してイオン化された状態のガスを吹き付けることにより,パーティクルを除電できる。従って,静電気力によってキャリア本体21の内面や内部空間S内のウェハWに付着しているパーティクルを,キャリア本体21の内面やウェハWから除去しやすくなる。   The gas supplied from each gas supply port 223 may be ionized (charged). In this case, the particles can be neutralized by spraying a gas in an ionized state against the particles charged by static electricity. Therefore, particles adhering to the inner surface of the carrier body 21 and the wafer W in the internal space S due to electrostatic force can be easily removed from the inner surface of the carrier body 21 and the wafer W.
また,キャリア載置台40に載置されたキャリアC’(C)の内部空間Sの雰囲気を吸引する吸引口230を備えても良い。図15において,吸引口230は,基板搬送部12において,開口20及びゲート41に対向する位置に設けられている。また,吸引口230は,例えばポンプ,イジェクター等の吸引器231に接続された吸引ノズル232の先端部に開口しており,吸引器231の作動により吸引力が発生し,吸引口230から強制的に吸引が行われるようになっている。かかる構成においては,開口20及びゲート41を開いた状態で,内部空間S内の雰囲気を吸引口230によって吸引でき,開口20及びゲート41を介して内部空間Sから排出させることができる。これにより,内部空間S内のパーティクルや気体状汚染物質を吸引口230によって吸引して除去することができる。特に,キャリアC’(C)の内部空間Sに第二のガスを供給する工程において,ガス供給口223からガスを供給しながら吸引を行うようにすれば,内部空間S内のパーティクルや気体状汚染物質を効率的かつ確実に排出させることができる。   Moreover, you may provide the suction port 230 which attracts | sucks the atmosphere of the internal space S of carrier C '(C) mounted on the carrier mounting base 40. FIG. In FIG. 15, the suction port 230 is provided at a position facing the opening 20 and the gate 41 in the substrate transport unit 12. In addition, the suction port 230 is opened at the tip of a suction nozzle 232 connected to a suction device 231 such as a pump or an ejector, and suction force is generated by the operation of the suction device 231 and is forced from the suction port 230. Suction is performed. In such a configuration, the atmosphere in the internal space S can be sucked by the suction port 230 with the opening 20 and the gate 41 being opened, and can be discharged from the internal space S through the opening 20 and the gate 41. Thereby, particles and gaseous contaminants in the internal space S can be sucked and removed by the suction port 230. In particular, in the step of supplying the second gas to the internal space S of the carrier C ′ (C), if suction is performed while supplying the gas from the gas supply port 223, particles and gas in the internal space S Pollutants can be discharged efficiently and reliably.
以上の実施形態では,最も左側又は中央に載置されるキャリアC,Cから未処理のウェハWを搬出して処理部3に搬送し,処理部3で所定の処理を施した処理済のウェハWは,最も右側に載置されているキャリアC’に搬入することとしたが,かかる形態には限定されず,キャリアC,C’は任意の位置に載置することができる。また,例えば,処理済みのウェハWを処理システム1に搬入された際に収納されていたキャリアと同一のキャリアCに戻すようにしても良い。   In the above embodiment, the unprocessed wafer W is unloaded from the carriers C, C mounted on the leftmost side or the center, transferred to the processing unit 3, and processed wafers subjected to predetermined processing in the processing unit 3. W is carried into the carrier C ′ mounted on the rightmost side, but is not limited to this form, and the carriers C and C ′ can be mounted at arbitrary positions. Further, for example, the processed wafer W may be returned to the same carrier C as the carrier stored when the wafer W is loaded into the processing system 1.
また,処理部3の構成は実施の形態に示した洗浄を行うものに限定されない。本発明は,ウェハWに対して洗浄以外の他の処理,例えば成膜処理等を行うシステムに適用することもできる。   Moreover, the structure of the process part 3 is not limited to what performs the washing | cleaning shown in embodiment. The present invention can also be applied to a system that performs processing other than cleaning, such as film formation processing, on the wafer W.
本発明における基板はシリコンウェハに限定されるものではなく,任意の基板,例えばLCD用のガラス基板,フォトマスク基板,CD基板等であっても良い。従って,基板の形状も略円板形状に限定されるものではなく,任意の形状,例えば略長方形板状などであっても良い。   The substrate in the present invention is not limited to a silicon wafer, and may be any substrate, for example, a glass substrate for LCD, a photomask substrate, a CD substrate, or the like. Therefore, the shape of the substrate is not limited to a substantially disk shape, and may be any shape, for example, a substantially rectangular plate shape.
以上,本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において,各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various changes and modifications can be conceived within the scope of the technical idea described in the claims. It is understood that it belongs to.
本発明は,例えば基板の処理を行う処理システム,及び,基板の処理方法に適用できる。   The present invention can be applied to, for example, a processing system for processing a substrate and a substrate processing method.
本実施の形態にかかる処理システムの構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure of the processing system concerning this Embodiment. 処理システムの構成を説明する概略側面図である。It is a schematic side view explaining the structure of a processing system. 処理部の構成を説明する概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view explaining the structure of a process part. キャリアの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of a carrier. ゲートに対するキャリアとシャッターの配置を説明する概略横断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining arrangement | positioning of the carrier and shutter with respect to a gate. 搬送アームの平面図である。It is a top view of a conveyance arm. 搬送アームの構成及び動作を説明する概略側面図である。It is a schematic side view explaining the structure and operation | movement of a conveyance arm. ガス供給機構の構成を説明する概略斜視図である。It is a schematic perspective view explaining the structure of a gas supply mechanism. ガス供給機構から供給されるガスの流れを示した概略側面図である。It is the schematic side view which showed the flow of the gas supplied from a gas supply mechanism. ガス供給口からのガスの供給方向を可変とした実施形態にかかる概略横断面図である。It is a schematic cross-sectional view concerning embodiment which made the supply direction of the gas from a gas supply port variable. 横方向に並べたガス供給口を有するガス供給機構の構成を示した概略斜視図である。It is the schematic perspective view which showed the structure of the gas supply mechanism which has the gas supply port arranged in the horizontal direction. キャリアの開口及びゲートをそれぞれ蓋体及びシャッターによって閉塞した状態におけるガス供給機構の位置を示した概略側面図である。It is the schematic side view which showed the position of the gas supply mechanism in the state which obstruct | occluded the opening and gate of the carrier with the cover body and the shutter, respectively. 横方向に並べたガス供給口を有するガス供給機構から供給されるガスの流れを示した概略側面図である。It is the schematic side view which showed the flow of the gas supplied from the gas supply mechanism which has the gas supply port arranged in the horizontal direction. 第二のガス供給機構を備えた実施形態を説明する概略斜視図である。It is a schematic perspective view explaining embodiment provided with the 2nd gas supply mechanism. 第二のガス供給機構と吸引口を備えた実施形態を説明する概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view explaining embodiment provided with the 2nd gas supply mechanism and the suction port.
符号の説明Explanation of symbols
C(C’) キャリア
S 内部空間
W ウェハ
1 処理システム
3 処理部
20 開口
21 キャリア本体
25 スロット
41 ゲート
60 基板搬送装置
62 搬送アーム
71A,71B ガス供給機構
72 筒体
73 ガス供給口
C (C ′) Carrier S Internal space W Wafer 1 Processing system 3 Processing unit 20 Opening 21 Carrier body 25 Slot 41 Gate 60 Substrate transfer device 62 Transfer arm 71A, 71B Gas supply mechanism 72 Cylindrical body 73 Gas supply port

Claims (23)

  1. 基板を処理する処理システムであって,
    基板を処理する処理部と,複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台と,基板を略水平な姿勢で保持し,前記収納容器の開口を介して前記収納容器内に対して基板を搬入出させる基板搬送装置とを備え,
    前記基板搬送装置によって保持され基板に対して,前記収納容器の開口の外側において前記収納容器の開口から外側に離隔する方向にガスを供給するガス供給口を設け,
    前記ガス供給口は,前記収納容器の開口から外側に離隔するに従い下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを吐出し,基板表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給することを特徴とする,処理システム。
    A processing system for processing a substrate,
    A processing unit for processing a substrate, a mounting table on which a storage container for storing a plurality of substrates is placed, a substrate is held in a substantially horizontal posture, and the inside of the storage container is opened through the opening of the storage container A substrate transfer device for loading and unloading the substrate,
    A gas supply port for supplying gas in a direction away from the opening of the storage container on the outside of the opening of the storage container with respect to the substrate held by the substrate transfer device;
    The gas supply port discharges the gas in a direction inclined downward toward the outside from the opening of the storage container, and forms a lateral air flow along the upper surface of the substrate with respect to the substrate surface. A processing system characterized by supplying gas.
  2. 前記ガス供給口は,前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けられたことを特徴とする,請求項1に記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein the gas supply ports are provided on both sides of the opening in the width direction of the opening.
  3. 前記ガス供給口は,上下に複数並べて設けられたことを特徴とする,請求項1又は2に記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein a plurality of the gas supply ports are provided side by side.
  4. 前記ガス供給口は,前記開口の幅方向に複数並べて設けられたことを特徴とする,請求項1に記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein a plurality of the gas supply ports are provided side by side in the width direction of the opening.
  5. 前記ガス供給口は,前記開口に対して相対的に昇降可能であることを特徴とする,請求項1,2又は4に記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein the gas supply port can be moved up and down relatively with respect to the opening.
  6. 前記開口の外側から見て右方に設けられるガス供給口は,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを供給し,
    前記開口の外側から見て左方に設けられるガス供給口は,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスを供給することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の処理システム。
    A gas supply port provided on the right side when viewed from the outside of the opening supplies the gas in a direction inclined to the left and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening;
    The gas supply port provided on the left side when viewed from the outside of the opening supplies the gas in a direction inclined toward the right side and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening. The processing system according to claim 1, wherein the processing system is characterized.
  7. 前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein the gas is an inert gas.
  8. 前記ガスはイオン化されていることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein the gas is ionized.
  9. 前記ガス供給口は垂直方向の軸に対して回転自在に構成され,前記ガスの供給方向を可変としたことを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein the gas supply port is configured to be rotatable with respect to a vertical axis, and the supply direction of the gas is variable.
  10. 前記収納容器内に第二のガスを供給する第二のガス供給口を設けたことを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein a second gas supply port for supplying a second gas is provided in the storage container.
  11. 前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けたことを特徴とする,請求項1〜10のいずれかに記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, wherein a suction port for sucking the atmosphere in the storage container is provided.
  12. 前記基板搬送装置の天井部にはダウンフロー供給装置が備えられ,A downflow supply device is provided on the ceiling of the substrate transfer device,
    前記ガス供給口から供給されるガスの流速は,前記ダウンフロー供給装置から供給されるダウンフローの流速より速く設定されることを特徴とする,請求項1〜11のいずれかに記載の処理システム。The processing system according to claim 1, wherein a flow rate of the gas supplied from the gas supply port is set faster than a flow rate of the downflow supplied from the downflow supply device. .
  13. 基板を処理する方法であって,A method of processing a substrate, comprising:
    基板に所定の処理を施し,  Apply predetermined processing to the substrate,
    前記所定の処理を施した基板を略水平に保持し,収納容器の開口を介して前記収納容器内に搬入する際に,前記収納容器の開口から外側に離隔するに従い下方に向かうように傾斜した方向に向かってガスを供給し,前記略水平に保持された基板の表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給することを特徴とする,処理方法。  The substrate that has been subjected to the predetermined processing is held substantially horizontally, and when the substrate is carried into the storage container through the opening of the storage container, the substrate is inclined downward as it is separated from the opening of the storage container. A processing method comprising: supplying a gas in a direction so as to form a lateral airflow along the upper surface of the substrate with respect to the surface of the substrate held substantially horizontally.
  14. 基板を処理する方法であって,A method of processing a substrate, comprising:
    収納容器内に収納された基板を略水平に保持し,前記収納容器の開口を介して前記収納容器内から搬出させる際に,前記収納容器の開口から外側に離隔するに従い下方に向かうように傾斜した方向に向かってガスを供給し,前記略水平に保持された基板の表面に対し基板上面に沿った横向きの気流を形成するように前記ガスを供給し,  The substrate stored in the storage container is held substantially horizontally, and when the substrate is carried out from the storage container through the opening of the storage container, the substrate is inclined downward as it is separated from the opening of the storage container. Gas is supplied in a direction directed to the substrate, and the gas is supplied so as to form a lateral air flow along the upper surface of the substrate with respect to the surface of the substrate held substantially horizontally.
    前記収納容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする,処理方法。  A processing method, comprising: performing a predetermined process on the substrate carried out of the storage container.
  15. 前記ガスは,前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給されることを特徴とする,請求項13又は14に記載の処理方法。15. The processing method according to claim 13, wherein the gas is supplied from both sides of the opening in the width direction of the opening.
  16. 前記ガスを供給するガス供給口の高さを調節し,前記略水平に保持された基板の上面に対して前記ガス供給口を近接させ,前記ガスを供給することを特徴とする,請求項13又は14に記載の処理方法。14. The height of a gas supply port for supplying the gas is adjusted, the gas supply port is brought close to an upper surface of the substrate held substantially horizontally, and the gas is supplied. Or the processing method of 14.
  17. 前記開口の外側から見て右方に設けられるガス供給口からは,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスが供給され,From the gas supply port provided on the right side when viewed from the outside of the opening, the gas is supplied in a direction inclined to the left and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening,
    前記開口の外側から見て左方に設けられるガス供給口からは,前記開口から外側に向かうに従い前記開口の外側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向に前記ガスが供給されることを特徴とする,請求項13〜16のいずれかに記載の処理方法。From the gas supply port provided on the left side when viewed from the outside of the opening, the gas is supplied in a direction inclined to the right and downward when viewed from the outside of the opening as it goes outward from the opening. The processing method according to claim 13, wherein:
  18. 前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする,請求項13〜17のいずれかに記載の処理方法。The processing method according to claim 13, wherein the gas is an inert gas.
  19. 前記ガスはイオン化されていることを特徴とする,請求項13〜18のいずれかに記載の処理方法。The processing method according to claim 13, wherein the gas is ionized.
  20. 前記ガスの供給方向は平面視において可変であることを特徴とする,請求項13〜19のいずれかに記載の処理方法。The processing method according to claim 13, wherein the gas supply direction is variable in plan view.
  21. 前記収納容器内に第二のガスを供給する工程を有することを特徴とする,請求項13〜20のいずれかに記載の処理方法。21. The processing method according to claim 13, further comprising a step of supplying a second gas into the storage container.
  22. 前記収納容器内の雰囲気を吸引することを特徴とする,請求項13〜21のいずれかに記載の処理方法。The processing method according to claim 13, wherein an atmosphere in the storage container is sucked.
  23. 前記基板にはダウンフローが供給され,Downflow is supplied to the substrate,
    前記収納容器への基板搬入時又は前記収納容器からの基板搬出時に供給される前記ガスの流速は,ダウンフローの流速より速い流速で供給されることを特徴とする,請求項13〜22のいずれかに記載の処理方法。The flow rate of the gas supplied when the substrate is carried into the storage container or when the substrate is taken out from the storage container is supplied at a flow rate faster than the flow rate of the downflow. The processing method of crab.
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