JP5048590B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板に対して処理を施す基板処理装置である。   The present invention is applied to substrates such as semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomask substrates. A substrate processing apparatus that performs processing on the substrate.

半導体装置等の製造工程において用いられる枚葉型の基板処理装置は、インデクサ部と、インデクサ部に基板を搬出入するためのロードポートとを備えている。
ロードポートは、基板を複数枚積層状態で収容可能な基板収容器を保持する収容器保持部と、通過口を有し、インデクサ部の内部空間(インデクサ空間)と収容器保持部が配置される外部空間とを仕切る隔壁とを備える。基板収容器は、基板を出し入れするための開口を有している。この基板収容器に収容される基板に酸化膜が形成されることを抑制するために、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度は低いことが望ましい。
A single wafer type substrate processing apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like includes an indexer unit and a load port for carrying the substrate in and out of the indexer unit.
The load port has a container holding unit that holds a substrate container that can hold a plurality of substrates in a stacked state, a passage port, and an internal space (indexer space) of the indexer unit and a container holding unit are arranged. And a partition wall that partitions the external space. The substrate container has an opening for taking in and out the substrate. In order to suppress the formation of an oxide film on the substrate accommodated in the substrate container, it is desirable that the atmosphere in the substrate container has a low oxygen concentration and humidity.

インデクサ空間には、基板の出し入れを行うためのインデクサロボットが収容されている。このインデクサ空間は、パーティクルの巻き上げを防止するためのダウンフローが形成されたダウンフロー空間となっている。収容器保持部に基板収容器が保持された後、インデクサロボットが、ハンドを開放状態の通過口および開口を通して基板収容器内にアクセスさせて、基板収容器に対して基板の出し入れを行う。   In the indexer space, an indexer robot for taking in and out the substrate is accommodated. This indexer space is a downflow space in which a downflow for preventing the particles from rolling up is formed. After the substrate container is held by the container holder, the indexer robot accesses the substrate container through the open passage opening and opening, and puts the substrate in and out of the substrate container.

ところが、このような装置では、基板の出し入れの際に、インデクサ空間の雰囲気が通過口を通して基板収容器内に入り込むおそれがある。インデクサ空間の雰囲気は、厳密に管理されてはいないため、基板収容器内に進入すると、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度が上昇し、基板に悪影響を与えるおそれがある。
そこで、基板収容器内をパージガス(N2ガス)で置換することが提案されている。
However, in such an apparatus, there is a risk that the atmosphere of the indexer space may enter the substrate container through the passage when the substrate is taken in and out. Since the atmosphere of the indexer space is not strictly controlled, when entering the substrate container, the oxygen concentration and humidity of the atmosphere in the substrate container increase, which may adversely affect the substrate.
Therefore, it has been proposed to replace the inside of the substrate container with a purge gas (N 2 gas).

基板収容器内のパージに関する先行技術として、たとえば、特許文献1〜3で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献1では、基板収容器の開口の左右斜め前方に配置されたパージガス導入管から、基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
As a prior art regarding purging in the substrate container, for example, configurations proposed in Patent Documents 1 to 3 can be cited.
Patent Document 1 proposes a configuration in which a purge gas is blown into a substrate container from a purge gas introduction pipe disposed diagonally in front of the left and right sides of the opening of the substrate container to replace the inside of the substrate container with the purge gas. Yes.

特許文献2では、通過口の上方部の隔壁に庇状の上部壁面を設けるとともに、その上部壁面に配置した吐出口から基板収容器内に向けてパージガスを吐出させることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
特許文献3では、隔壁の通過口の上部に供給ノズルを、通過口の下部に吸引ノズルを配置して、通過口を気体の膜で遮蔽し、ダウンフロー空間の雰囲気が、基板収容器内に進入することを防止する構成が提案されている。
特開2004−235516号公報 特開2003−45933号公報 特開平11−145245号公報
In Patent Document 2, a bowl-shaped upper wall surface is provided in the partition wall above the passage port, and purge gas is discharged from the discharge port disposed on the upper wall surface into the substrate container, whereby the inside of the substrate container is A configuration for replacing with a purge gas has been proposed.
In Patent Document 3, a supply nozzle is arranged above the passage opening of the partition wall, a suction nozzle is arranged below the passage opening, the passage opening is shielded by a gas film, and the atmosphere of the downflow space is placed in the substrate container. A configuration for preventing entry is proposed.
JP 2004-235516 A JP 2003-45933 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-145245

ところが、特許文献1,3で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に流入するのを直接阻止するための機構がないために、ダウンフローの基板収容器内への進入を完全に防止することはできない。
一方、特許文献2で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に直接流入することを防止することができる。しかし、通過口の側方から通過口に流入する雰囲気を阻止することはできない。
However, in the configurations proposed in Patent Documents 1 and 3, since there is no mechanism for directly preventing the downflow flowing down the downflow space from flowing into the passage port, the downflow is placed into the substrate container. It is not possible to completely prevent the entry.
On the other hand, in the configuration proposed in Patent Document 2, it is possible to prevent the downflow flowing down the downflow space from directly flowing into the passage opening. However, the atmosphere flowing into the passage from the side of the passage cannot be prevented.

したがって、前記特許文献1〜3のいずれの構成であっても、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させることができなかった。
そこで、この発明の目的は、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供することである。
Therefore, even if it was any structure of the said patent documents 1-3, the oxygen concentration or humidity of the atmosphere in a substrate container was not able to fully be reduced.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of sufficiently reducing the oxygen concentration or humidity of the atmosphere in the substrate container.

前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)を出し入れするための開口(10)を有する基板収容器(C)を保持するための収容器保持部(6)と、前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口(8)を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間(OS)とダウンフローが形成されるダウンフロー空間(IS)とを仕切る隔壁(7)と、前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバー(20;20A;20B)と、前記通過口の上縁部に沿う領域(23)を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段(24)と、前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバー(21,22;21A,22A)と、前記通過口の側縁部に沿う領域(25,27)を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段(26,28)とを含み、前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口(44)が形成されている、基板処理装置である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a container holder (6) for holding a substrate container (C) having an opening (10) for taking in and out the substrate (W). And a passage (8) facing the opening of the substrate container held by the container holding part, and a downflow is formed with a holding space (OS) in which the container holding part is arranged. A partition wall (7) for partitioning the downflow space (IS), and protruding from the partition wall toward the downflow space side above the passage opening, allows the downflow to enter the substrate container. Upper purge gas spraying means (24) for spraying purge gas into the substrate container through the upper cover (20; 20A; 20B) for suppressing and the region (23) along the upper edge of the passage opening. And before A lateral cover (21, 22; 21A, 22A) provided on the side of the passage opening so as to protrude from the partition wall toward the down flow space side and to prevent the down flow from entering the substrate container. When, through the region (25, 27) along a side edge of the passage opening, seen including a horizontal purge gas blowing means (26, 28) for blowing a purge gas toward the substrate container within the lateral cover Is a substrate processing apparatus in which a horizontal air inlet (44) for sucking in the atmosphere in the downflow space is formed .

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、上パージガス供給手段および横パージガス供給手段から、通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に向けてパージガスが吹き付けられる。こうした基板収容器内へのパージガスの供給によって、基板収容器内の雰囲気が、パージガスが吹き付けられていない領域(開口の中央部CA)を通ってダウンフロー空間に押し出され、開口の当該領域に、基板収容器内からダウンフロー空間に向かう気流が形成される。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, the purge gas is sprayed from the upper purge gas supply means and the lateral purge gas supply means toward the region along the upper edge portion and the side edge portion of the passage opening. By supplying the purge gas into the substrate container, the atmosphere in the substrate container is pushed out to the downflow space through the area where the purge gas is not sprayed (the central portion CA of the opening), and in the area of the opening, An airflow is formed from the inside of the substrate container toward the downflow space.

また、通過口の上方に上カバーが設けられ、通過口の側方に横カバーが設けられている。この上カバーおよび横カバーによって、ダウンフローが通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に流入することが抑制される。したがって、通過口のほぼ全域でダウンフローの基板収容器内への流入が抑制されるので、ダウンフロー空間の雰囲気を基板収容器内にほとんど進入させずに、基板収容器内にパージガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。   Further, an upper cover is provided above the passage opening, and a lateral cover is provided on the side of the passage opening. The upper cover and the side cover prevent the downflow from flowing into a region along the upper edge portion and the side edge portion of the passage opening. Therefore, since the inflow of the downflow into the substrate container is suppressed in almost the entire area of the passage opening, only the purge gas is supplied into the substrate container without almost entering the atmosphere of the downflow space into the substrate container. can do. Thereby, the oxygen concentration or humidity of the atmosphere in the substrate container can be sufficiently reduced.

また、通過口の側方に横吸気口が形成される。このため、ダウンフロー空間から通過口に向けて流れる雰囲気は、横吸気口に吸い込まれて、通過口にはほとんど流入しない。これにより、ダウンフロー空間の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。 Further , a lateral intake port is formed on the side of the passage port. For this reason, the atmosphere flowing from the downflow space toward the passage opening is sucked into the side intake opening and hardly flows into the passage opening. As a result, the entry of the atmosphere in the downflow space into the substrate container can be more reliably suppressed.

請求項記載の発明は、前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口(47)を有している、請求項記載の基板処理装置である。
この構成によれば、横パージガス吹き付け手段の吐出口が横吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、横吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率よく供給することができる。
A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect , wherein the horizontal purge gas blowing means has a discharge port (47) provided closer to the passage port than the horizontal suction port. .
According to this configuration, since the discharge port of the lateral purge gas spraying unit is disposed closer to the passage port than the lateral suction port, the purge gas blown from the discharge port toward the passage port is almost not in the lateral suction port. It is not inhaled. Thereby, the purge gas can be efficiently supplied into the substrate container.

請求項記載の発明は、前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジ(42;42B)が形成されている、請求項1または2記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上カバーに受け止められたダウンフローが通過口に向けて移動することが、上フランジによって妨げられる。したがって、ダウンフロー空間内の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate processing according to the first or second aspect , wherein an upper flange (42; 42B) protruding upward is formed at an edge of the upper cover on the side of the downflow space. Device.
According to this configuration, the upper flange prevents the downflow received by the upper cover from moving toward the passage opening. Therefore, the entry of the atmosphere in the downflow space into the substrate container can be more reliably suppressed.

前記上パージガス吹き付け手段が、前記上吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口(46)を有していてもよい。この場合、横パージガス吹き付け手段の吐出口が上吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、上吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率良く供給することができる。   The upper purge gas spraying means may have a discharge port (46) provided closer to the passage port than the upper intake port. In this case, since the discharge port of the lateral purge gas blowing means is disposed closer to the passage port than the upper intake port, the purge gas blown from the discharge port toward the passage port is hardly sucked into the upper intake port. . Thereby, the purge gas can be efficiently supplied into the substrate container.

請求項記載の発明は、前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段(52)をさらに含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、下パージガス供給手段によって基板収容器内にパージガスが供給される。上パージガス供給手段および横パージガス供給手段からのパージガスの供給に加え、かかる下パージガス供給手段からのパージガスの供給が行われるので、基板収容器内の雰囲気をほぼ完全にパージガスに置換させることができ、これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を、より十分に低下させておくことができる。
Invention according to claim 4, further comprising a lower portion of the substrate container held by said container holding portion, under a purge gas supply means for supplying a purge gas to the substrate container in the (52), according to claim 1 to 3 It is a substrate processing apparatus as described in any one of these.
According to this configuration, the purge gas is supplied into the substrate container by the lower purge gas supply means. In addition to the supply of the purge gas from the upper purge gas supply means and the lateral purge gas supply means, the purge gas is supplied from the lower purge gas supply means, so that the atmosphere in the substrate container can be almost completely replaced with the purge gas. Thereby, the oxygen concentration or humidity of the atmosphere in the substrate container can be lowered more sufficiently.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態(第1実施形態)に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハなどの基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置は、インデクサ部2と、このインデクサ部2に結合された処理部3と、インデクサ部2の内部に基板Wを搬出入するためのインターフェイスとしての複数(たとえば4つ)のロードポート4とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment (first embodiment) of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer type apparatus that is installed in a clean room and processes substrates W such as semiconductor wafers one by one.
The substrate processing apparatus includes an indexer unit 2, a processing unit 3 coupled to the indexer unit 2, and a plurality of (for example, four) load ports 4 as interfaces for carrying the substrate W into and out of the indexer unit 2. And.

処理部3は、インデクサ部2の内部空間(インデクサ空間)ISに連通する搬送路(図示しない)と、搬送路に沿って並べられた複数の処理チャンバ(図示しない)と、搬送路内に配置されて、処理チャンバからの基板Wの搬出入を行う主搬送ロボット(図示しない)とを備えている。
各ロードポート4は、インデクサ部2に対して処理部3と反対側の外部空間OSに配置される収容器載置台6(収容器保持部)と、インデクサ空間ISと収容器載置台6が配置される外部空間(保持空間)OSとを仕切る隔壁7と、隔壁7に形成された通過口8を開閉するためのドア9(図2および図6(a)を併せて参照)とを備えている。収容器載置台6は、基板収容器Cを載置するためのものである。複数のロードポート4は所定の方向(紙面に直交する方向)に沿って配列されている。
The processing unit 3 is disposed in the transport path (not shown) communicating with the internal space (indexer space) IS of the indexer unit 2, a plurality of processing chambers (not shown) arranged along the transport path, and the transport path. And a main transfer robot (not shown) for carrying in and out the substrate W from the processing chamber.
Each load port 4 includes a container mounting table 6 (a container holding unit) disposed in the external space OS on the opposite side of the processing unit 3 with respect to the indexer unit 2, and an indexer space IS and a container mounting table 6. A partition wall 7 for partitioning the external space (holding space) OS, and a door 9 for opening and closing a passage port 8 formed in the partition wall 7 (see also FIG. 2 and FIG. 6A). Yes. The container mounting table 6 is for mounting the substrate container C. The plurality of load ports 4 are arranged along a predetermined direction (a direction orthogonal to the paper surface).

基板収容器Cは、その内部に複数枚の基板Wを所定間隔を空けて積層状態で収容することができるものである。基板収容器Cは、この実施形態では、基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)である。すなわち、基板収容器Cは、一側面に基板Wの取り出しのための開口10を有するほぼ立方体形状の収容器本体11と、開口10を開閉するための蓋12(図1では、蓋12の開状態を示している)とを備えている。基板収容器Cには、未処理の基板Wまたは処理済みの基板Wが収容されることになる。   The substrate container C can accommodate a plurality of substrates W in a stacked state at a predetermined interval. In this embodiment, the substrate container C is a FOUP (Front Opening Unified Pod) that accommodates the substrate W in a sealed state. That is, the substrate container C includes a substantially cubic container body 11 having an opening 10 for taking out the substrate W on one side surface, and a lid 12 for opening and closing the opening 10 (in FIG. 1, the lid 12 is opened). State). An unprocessed substrate W or a processed substrate W is stored in the substrate container C.

開口10が通過口8に対向するように、基板収容器Cが収容器載置台6に載置される。ドア9の開放状態(図1に示す状態)では、通過口8内に、基板収容器Cの開口10が収まるようになる。
インデクサ部2の天面には、インデクサ空間ISにクリーンエアのダウンフローを供給するためのファンフィルタユニット13(FFU)が設けられている。このファンフィルタユニット13は、ファン(図示しない)およびフィルタ(図示しない)を上下に積層し、ファンによる送風をフィルタで浄化してインデクサ空間IS内に供給する構成になっている。
The substrate container C is mounted on the container mounting table 6 so that the opening 10 faces the passage port 8. In the open state of the door 9 (the state shown in FIG. 1), the opening 10 of the substrate container C is accommodated in the passage port 8.
A fan filter unit 13 (FFU) for supplying a down flow of clean air to the indexer space IS is provided on the top surface of the indexer unit 2. The fan filter unit 13 has a structure in which a fan (not shown) and a filter (not shown) are stacked one above the other, and the air blown by the fan is purified by the filter and supplied into the indexer space IS.

また、インデクサ部2の底面には、インデクサ空間ISの雰囲気を排気するための排気口(図示しない)が形成されている。クリーンルームの床面は、グレーチングで構成されており、このグレーチング床面上に基板処理装置が設置されるようになっている。インデクサ空間2の底面からの排気は、グレーチングを通って、その下方の空間へと導かれる。グレーチングの下方の空間は、陰圧に保たれていて、基板処理装置内のダウンフローを吸収するようになっている。   Further, an exhaust port (not shown) for exhausting the atmosphere of the indexer space IS is formed on the bottom surface of the indexer unit 2. The floor surface of the clean room is configured by grating, and a substrate processing apparatus is installed on the grating floor surface. The exhaust from the bottom surface of the indexer space 2 is guided to the space below the grating through the grating. The space below the grating is maintained at a negative pressure so as to absorb the downflow in the substrate processing apparatus.

インデクサ部2は、収容器載置台6に載置された基板収容器Cに対して基板Wを搬入/搬出するためのインデクサロボットIRを備えている。また、インデクサロボットIRは、基板Wを保持するためのハンドを備えており、このハンドを通過口8を通して基板収容器C内にアクセスさせることにより、基板収容器Cに対し基板Wの搬入/搬出を行うことができる。また、インデクサロボットIRは、ハンドを主搬送ロボットにアクセスさせることにより、この主搬送ロボットとの間で基板Wを受け渡すことができる。   The indexer unit 2 includes an indexer robot IR for loading / unloading the substrate W to / from the substrate container C placed on the container table 6. The indexer robot IR includes a hand for holding the substrate W, and the substrate W is loaded into / unloaded from the substrate container C by accessing the hand into the substrate container C through the passage port 8. It can be performed. Further, the indexer robot IR can deliver the substrate W to and from the main transport robot by allowing the hand to access the main transport robot.

ロードポート4は、ドア9をインデクサ空間IS側から支持するための正面視縦長長方形状の支持部材15を備えている。支持部材15は昇降可能に設けられており、支持部材15には当該支持部材15を昇降させるための昇降駆動機構16が結合されている。また、支持部材15には、隔壁7に直交する方向にドア9をスライド移動させるためのスライド駆動機構17が結合されている。   The load port 4 includes a support member 15 having a vertically long rectangular shape in front view for supporting the door 9 from the indexer space IS side. The support member 15 is provided so as to be able to move up and down, and an elevating drive mechanism 16 for moving the support member 15 up and down is coupled to the support member 15. The support member 15 is coupled to a slide drive mechanism 17 for sliding the door 9 in a direction orthogonal to the partition wall 7.

ドア9の閉状態において、スライド駆動機構17が駆動されてドア9がインデクサ空間IS側に向けてスライド移動され、かつ、昇降駆動機構16が駆動されて支持部材15が開位置(図1に示す位置)まで下降されることにより、ドア9が開状態にされる。
また、ドア9が開状態において、昇降駆動機構16が駆動されて支持部材15が閉位置(後述する図6(a)に示す位置)まで上昇され、かつ、スライド駆動機構17が駆動されてドア9がインデクサ空間IS側と反対側に向けてスライド移動されることにより、ドア9が閉状態にされる。ドア9の開状態では、通過口8のほぼ全域が開放される。
In the closed state of the door 9, the slide drive mechanism 17 is driven, the door 9 is slid toward the indexer space IS, and the lift drive mechanism 16 is driven to open the support member 15 (shown in FIG. 1). The door 9 is opened.
When the door 9 is in the open state, the lifting drive mechanism 16 is driven to raise the support member 15 to the closed position (position shown in FIG. 6A described later), and the slide drive mechanism 17 is driven to open the door. As the door 9 is slid and moved toward the side opposite to the indexer space IS, the door 9 is closed. In the open state of the door 9, almost the entire area of the passage opening 8 is opened.

隔壁7の内面(インデクサ空間IS側の面)における通過口8の周縁部には、インデクサ空間ISのダウンフローが基板収容器C内に進入することを抑制するための庇状のカバー18が形成されている。
また、通過口8の周縁部には、インデクサ空間IS側から通過口8に向けてパージガスとしてのN2ガスを吹き付けるためのN2ガス吹き付け機構19が設けられている。
A hook-shaped cover 18 for suppressing the downflow of the indexer space IS from entering the substrate container C is formed at the peripheral edge of the passage port 8 on the inner surface of the partition wall 7 (the surface on the indexer space IS side). Has been.
Further, an N 2 gas blowing mechanism 19 for blowing N 2 gas as a purge gas from the indexer space IS side toward the passage 8 is provided at the peripheral edge of the passage 8.

図2は、通過口8をインデクサ空間ISの内側から見た正面図である。
通過口8は、正面視でほぼ正方形状に形成されている。通過口8の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、通過口8の両側辺(図2で示す左辺および右辺)は鉛直方向に沿って形成されている。通過口8を開閉するためのドア9も、正面視でほぼ正方形状に形成されている。
FIG. 2 is a front view of the passage 8 as viewed from the inside of the indexer space IS.
The passage port 8 is formed in a substantially square shape when viewed from the front. The upper side and the lower side of the passage port 8 are formed along the horizontal direction, and both side sides (the left side and the right side shown in FIG. 2) of the passage port 8 are formed along the vertical direction. The door 9 for opening and closing the passage port 8 is also formed in a substantially square shape when viewed from the front.

カバー18は、正面視で倒立U字形状に形成されており、通過口8の上方に設けられた上カバー20と、通過口8の一方側の側方(図2で示す左側)に設けられた第1横カバー21と、通過口8の他方側の側方(図2で示す右側)に設けられた第2横カバー22とを備えている。
上カバー20は、通過口8の上辺の上方に配置され、隔壁7から内側(インデクサ空間IS側)に向けて水平に突出している。上カバー20は、通過口8の上辺に沿って、通過口8の一方側端部(図2で示す左側端部)から他端側端部(図2で示す右側端部)にわたって形成されている。このため、隔壁7の内面に沿ってインデクサ空間ISを流下するダウンフローが上カバー20によって受け止められる。
The cover 18 is formed in an inverted U-shape when viewed from the front, and is provided on the upper cover 20 provided above the passage 8 and on one side of the passage 8 (the left side shown in FIG. 2). The first horizontal cover 21 and the second horizontal cover 22 provided on the other side of the passage port 8 (the right side shown in FIG. 2) are provided.
The upper cover 20 is disposed above the upper side of the passage port 8 and protrudes horizontally from the partition wall 7 toward the inside (indexer space IS side). The upper cover 20 is formed along the upper side of the passage opening 8 from one end (the left end shown in FIG. 2) to the other end (the right end shown in FIG. 2). Yes. For this reason, the downflow flowing down the indexer space IS along the inner surface of the partition wall 7 is received by the upper cover 20.

上カバー20は、筒状(たとえば四角筒状)に形成されている。上カバー20の内部には、隔壁7に沿う水平方向(図2の左右方向)に延びる上排気空間40が形成されている。上カバー20の下面(通過口8側の内面)には、インデクサ空間IS内の雰囲気を吸い込むための上吸気口41が形成されている。上吸気口41は、通過口8の一端部(図2で示す左端部)から他端部(図2で示す右端部)にわたって、ほぼ長方形状の開口として形成されている。   The upper cover 20 is formed in a cylindrical shape (for example, a rectangular cylindrical shape). An upper exhaust space 40 extending in the horizontal direction (left and right direction in FIG. 2) along the partition wall 7 is formed inside the upper cover 20. On the lower surface of the upper cover 20 (the inner surface on the passing port 8 side), an upper intake port 41 for sucking in the atmosphere in the indexer space IS is formed. The upper intake port 41 is formed as a substantially rectangular opening from one end portion (left end portion shown in FIG. 2) of the passage port 8 to the other end portion (right end portion shown in FIG. 2).

上カバー20のインデクサ空間IS側の縁部には、上方に向けて突出する上フランジ42が形成されている。この上フランジ42によって、上カバー20の上面に受け止められたダウンフローが通過口8に向けて移動することを阻止することができる。
第1横カバー21は、通過口8の一方側辺(図2で示す左辺)の側方(図2で示す左側)に配置され、隔壁7からインデクサ空間IS側に向けて水平に突出しており、当該一方側辺に沿って、通過口8の上端部からロードポート4の下端部にわたって形成されている。
An upper flange 42 that protrudes upward is formed at the edge of the upper cover 20 on the indexer space IS side. The upper flange 42 can prevent the downflow received on the upper surface of the upper cover 20 from moving toward the passage port 8.
The first horizontal cover 21 is disposed on the side (left side shown in FIG. 2) of one side (left side shown in FIG. 2) of the passage port 8, and protrudes horizontally from the partition wall 7 toward the indexer space IS. , And formed along the one side from the upper end of the passage port 8 to the lower end of the load port 4.

第2横カバー22は、通過口8の他方側辺(図2で示す右辺)の側方(図2で示す右側)に配置され、隔壁7からインデクサ空間IS側に向けて水平に突出しており、当該他方側辺に沿って、通過口8の上端部からロードポート4の下端部にわたって形成されている。
なお、この実施形態では、横カバー21,22は、通過口8の上端部からロードポート4の下端部まで延びているが、少なくとも通過口8の側辺を覆うことができるように、通過口8の上端部から下端部にわたって形成されていれば十分である。
The second horizontal cover 22 is disposed on the side (the right side shown in FIG. 2) of the other side (the right side shown in FIG. 2) of the passage port 8, and protrudes horizontally from the partition wall 7 toward the indexer space IS. Along the other side, it is formed from the upper end portion of the passage port 8 to the lower end portion of the load port 4.
In this embodiment, the horizontal covers 21 and 22 extend from the upper end portion of the passage port 8 to the lower end portion of the load port 4, but the passage port so as to cover at least the side of the passage port 8. It is sufficient if it is formed from the upper end of 8 to the lower end.

各横カバー21,22は、筒状(たとえば四角筒状)に形成されている。各横カバー21,22の内部には、上排気空間40に連通し、上下方向に延びる横排気空間43が形成されている。各横カバー21,22の内側の側面(通過口8側の内面)には、インデクサ空間IS内の雰囲気を吸い込むための横吸気口44が形成されている。各横排気空間43には、各横カバー21,22の底部に、上排気空間40および横排気空間43を排気するための排気ファン45が配置されている。排気ファン45によって横排気空間43から排気される空気は、グレーチング床面の下方の空間へと導かれるようになっている。   Each of the horizontal covers 21 and 22 is formed in a cylindrical shape (for example, a rectangular cylindrical shape). A lateral exhaust space 43 that communicates with the upper exhaust space 40 and extends in the vertical direction is formed inside each lateral cover 21, 22. A lateral intake port 44 for sucking the atmosphere in the indexer space IS is formed on the inner side surface (the inner surface on the passage port 8 side) of each lateral cover 21, 22. In each lateral exhaust space 43, an exhaust fan 45 for exhausting the upper exhaust space 40 and the lateral exhaust space 43 is disposed at the bottom of each lateral cover 21, 22. Air exhausted from the lateral exhaust space 43 by the exhaust fan 45 is guided to a space below the grating floor.

2ガス吹き付け機構19は、通過口8の上辺に沿う上方領域23(通過口8内の領域)に向けてパージガス(N2ガス)を吹き付けるための上パージガス吹き付け手段としての上ノズルブロック24と、通過口8の一方側辺(図2で示す左辺)に沿う側方領域25(通過口8内の領域)に向けてN2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第1横ノズルブロック26と、通過口8の他方側辺(図2で示す右辺)に沿う側方領域27(通過口8内の領域)に向けてN2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第2横ノズルブロック28とを備えている。 The N 2 gas blowing mechanism 19 includes an upper nozzle block 24 as an upper purge gas blowing means for blowing a purge gas (N 2 gas) toward an upper region 23 (region in the passage port 8) along the upper side of the passage port 8. The first horizontal nozzle block as a horizontal purge gas spraying means for spraying N 2 gas toward the side region 25 (region in the pass port 8) along one side of the pass port 8 (the left side shown in FIG. 2). 26 and a second side as a purge gas blowing means for blowing N 2 gas toward a side region 27 (region in the passage 8) along the other side (the right side shown in FIG. 2) of the passage 8 And a nozzle block 28.

上ノズルブロック24は、通過口8の上辺に沿って配列され、N2ガスを吐出するための複数(図2ではたとえば6個)の上ノズル30と、これら複数の上ノズル30を保持するためのブロック体31とを備えている。この上ノズルブロック24は、上カバー20の下面(通過口8側の内面)に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して上カバー20に取り付けられていてもよい。 The upper nozzle block 24 is arranged along the upper side of the passage port 8 and holds a plurality of (for example, six in FIG. 2) upper nozzles 30 for discharging N 2 gas and the plurality of upper nozzles 30. The block body 31 is provided. The upper nozzle block 24 may be directly attached to the lower surface (the inner surface on the passage port 8 side) of the upper cover 20 or may be attached to the upper cover 20 via another member.

第1横ノズルブロック26は、通過口8の一方側辺(図2で示す左辺)に沿って配列され、N2ガスを吐出するための複数(図2ではたとえば6個)の第1横ノズル32と、これら複数の第1横ノズル32を保持するためのブロック体33とを備えている。この第1横ノズルブロック26は、第1横カバー21の内側の側面(通過口8側の内面)に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第1横カバー21に取り付けられていてもよい。 The first horizontal nozzle block 26 is arranged along one side (the left side shown in FIG. 2) of the passage port 8, and a plurality of (for example, six in FIG. 2) first horizontal nozzles for discharging N 2 gas. 32 and a block body 33 for holding the plurality of first horizontal nozzles 32. The first horizontal nozzle block 26 may be directly attached to the inner side surface (the inner surface on the passage port 8 side) of the first horizontal cover 21 or may be attached to the first horizontal cover 21 via another member. It may be.

第2横ノズルブロック28は、通過口8の他方側辺(図2で示す右辺)に沿って配列され、N2ガスを吐出するための複数(図2ではたとえば6個)の第2横ノズル34と、これら複数の第2横ノズル34を保持するためのブロック体35とを備えている。この第2横ノズルブロック28は、第2横カバー22の内側の側面(通過口8側の内面)に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第2横カバー22に取り付けられていてもよい。 The second horizontal nozzle block 28 is arranged along the other side (the right side shown in FIG. 2) of the passage port 8, and a plurality of (for example, six in FIG. 2) second horizontal nozzles for discharging N 2 gas. 34 and a block body 35 for holding the plurality of second horizontal nozzles 34. The second horizontal nozzle block 28 may be directly attached to the inner side surface (the inner surface on the passage port 8 side) of the second horizontal cover 22, or may be attached to the second horizontal cover 22 via another member. It may be.

通過口8の周縁部には、正面視で矩形状のN2ガス配管36が配設されている。このN2ガス配管36には上N2バルブ37を介して、N2ガス供給源からのN2ガスが供給されるようになっている。N2ガス配管36には、各上ノズル30、各第1横ノズル32および各第2横ノズル34が接続されており、N2ガス配管36を流通するN2ガスが、各ノズル30,32,34に付与されるようになっている。なお、パージガスとしてN2ガスを例示しているが、ArやHeなどの他の不活性ガス、あるいはCDA(Clean dry air)などの低湿度ガスをパージガスとして採用することもできる。 A rectangular N 2 gas pipe 36 is disposed at the periphery of the passage port 8 in a front view. Through the upper N 2 valve 37 is in the N 2 gas pipe 36, N 2 gas from the N 2 gas supply source is adapted to be supplied. The N 2 gas line 36, the upper nozzle 30, the first lateral nozzles 32 and the second lateral nozzle 34 is connected, N 2 gas flowing through the N 2 gas pipe 36, the nozzles 30 and 32 , 34. Note that although the N 2 gas as a purge gas, other inert gases such as Ar or He, or a low humidity gas, such as CDA (Clean dry air) can be employed as the purge gas.

図3は、ロードポート4の要部の縦断面図である。この図3では、基板収容器Cの蓋12の開状態を示し、蓋12およびドア9の図示を省略している。
収容器載置台6は、基板収容器Cを載置することができ、隔壁7に対し直交する方向(図3の左右方向)にスライド移動可能な可動載置台50と、可動載置台50をスライド移動させるためのスライド駆動機構51と、基板収容器C内にパージガスとしてのN2ガスを供給するための下パージガス供給機構(下パージガス供給手段)52とを備えている。スライド駆動機構51が駆動されることにより、可動載置台50(収容器載置台6)に載置された基板収容器Cが、通過口8に対して近接/離反するようになる。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a main part of the load port 4. FIG. 3 shows an open state of the lid 12 of the substrate container C, and illustration of the lid 12 and the door 9 is omitted.
The container mounting table 6 can mount the substrate container C, and the movable mounting table 50 is slidable in a direction orthogonal to the partition wall 7 (left and right direction in FIG. 3), and the movable mounting table 50 is slid. A slide drive mechanism 51 for movement and a lower purge gas supply mechanism (lower purge gas supply means) 52 for supplying N 2 gas as purge gas into the substrate container C are provided. By driving the slide drive mechanism 51, the substrate container C placed on the movable placing table 50 (the container placing table 6) comes close to / separates from the passage port 8.

下パージガス供給機構52は、たとえば先端に吐出口53を有する吐出管54を備えている。吐出管54は、可動載置台50の内部に埋設されて、その先端部分だけが可動載置台50の上面よりも上方に突出している。吐出管54には、N2ガス供給源からのN2ガスが供給されるN2ガス供給管55が接続されている。N2ガス供給管55の途中部には、吐出口53からのN2ガスの吐出/吐出停止を切り換えるための下N2バルブ56が介装されている。 The lower purge gas supply mechanism 52 includes a discharge pipe 54 having a discharge port 53 at the tip, for example. The discharge pipe 54 is embedded in the movable mounting table 50, and only the tip portion projects upward from the upper surface of the movable mounting table 50. The discharge pipe 54, N 2 gas supply pipe 55 which N 2 gas from the N 2 gas supply source is supplied is connected. A middle N 2 gas supply pipe 55 is provided with a lower N 2 valve 56 for switching between discharging / stopping N 2 gas from the discharge port 53.

基板収容器Cを可動載置台50に載置された状態では、基板収容器Cの底面に形成された導入孔57に吐出管54が挿入されている。導入孔57内に挿入された吐出管54の吐出口53は、基板収容器Cの内部空間に臨むようになる。一方、基板収容器Cが収容器載置台6の所定位置から離脱されると、吐出管54が導入孔57から引き抜かれる。導入孔57には、開閉機構(図示せず)が配置されている。この開閉機構は、通常時は導入孔57を閉塞しており、吐出管54の挿入動作に連動して導入孔57を開放し、吐出管54の引き抜き動作によって導入孔57を閉塞する。   In a state where the substrate container C is placed on the movable mounting table 50, the discharge pipe 54 is inserted into the introduction hole 57 formed in the bottom surface of the substrate container C. The discharge port 53 of the discharge pipe 54 inserted into the introduction hole 57 faces the internal space of the substrate container C. On the other hand, when the substrate container C is detached from the predetermined position of the container mounting table 6, the discharge pipe 54 is pulled out from the introduction hole 57. An opening / closing mechanism (not shown) is disposed in the introduction hole 57. This opening / closing mechanism normally closes the introduction hole 57, opens the introduction hole 57 in conjunction with the insertion operation of the discharge pipe 54, and closes the introduction hole 57 by the drawing operation of the discharge pipe 54.

各上ノズル30は、基板収容器Cの開口10の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口46を開口10の上方領域(通過口8の上方領域23)に向けて(やや斜め下方に向けて)配置されている。この実施形態では、上ノズル30として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルとは、吐出流体の輪郭(吐出プロファイル)が扇形形状をなすノズルである。吐出プロファイルの中心軸に直交する断面は、楕円形状の輪郭となる。この楕円形断面の長軸方向を、以下では、「ノズルの長軸方向」などという。扇形ノズルからなる上ノズル30は、その長軸方向が、通過口8(開口10)の上辺に対して微小角度(たとえば5〜10°)傾斜するように配置されている。上ノズル30が開口10の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口46を開口10の上方領域に向けて配置されているので、上ノズル30からのN2ガスは、基板収容器Cの天面に沿って流れる。 Each upper nozzle 30 is positioned slightly above the upper side of the opening 10 of the substrate container C with the discharge port 46 directed toward the upper region of the opening 10 (upper region 23 of the passage port 8) (slightly diagonally). (Downward). In this embodiment, a sector nozzle is used as the upper nozzle 30. A sector nozzle is a nozzle in which the contour (ejection profile) of the ejection fluid forms a sector shape. A cross section perpendicular to the central axis of the discharge profile has an elliptical outline. Hereinafter, the major axis direction of the elliptical cross section is referred to as “the major axis direction of the nozzle” or the like. The upper nozzle 30 made of a fan-shaped nozzle is arranged such that its major axis is inclined at a minute angle (for example, 5 to 10 °) with respect to the upper side of the passage port 8 (opening 10). Since the upper nozzle 30 is disposed at a position shifted slightly above the upper side of the opening 10 with the discharge port 46 facing the upper region of the opening 10, the N 2 gas from the upper nozzle 30 is supplied to the substrate container. It flows along the top of C.

各上ノズル30は、通過口8を通過する基板Wの経路よりも上方に配置されている。したがって、基板収容器Cに対する基板Wの出し入れの際に、基板WやインデクサロボットIRのハンドと上ノズル30とが干渉することがない。
上吸気口41は、上ノズル30の吐出口46よりもインデクサ空間IS側(通過口8と反対側)に設けられている。このため、上ノズル30から吹き出されたパージガスが上吸気口41に吸い込まれることはほとんどない。
Each upper nozzle 30 is disposed above the path of the substrate W that passes through the passage port 8. Therefore, the substrate W or the hand of the indexer robot IR and the upper nozzle 30 do not interfere with each other when the substrate W is inserted into or removed from the substrate container C.
The upper intake port 41 is provided on the indexer space IS side (the side opposite to the passage port 8) with respect to the discharge port 46 of the upper nozzle 30. For this reason, the purge gas blown from the upper nozzle 30 is hardly sucked into the upper intake port 41.

横吸気口44は、第2横ノズル34の吐出口47よりもインデクサ空間IS側(通過口8と反対側)に設けられている。このため、第2横ノズル34から吹き出されたパージガスが横吸気口44に吸い込まれることはほとんどない。
この横吸気口44は、通過口8の上端部から下端部にわたって形成されている。上下方向に長い横吸気口44では、排気ファン45から離れた上部の方が、排気ファン45に近い下部よりも吸気力が小さい。そこで、横吸気口44の開口幅(基板搬送方向(図3の左右方向)の開口幅)は、この横吸気口44から吸気される雰囲気の流速が上下方向に関してほぼ均一になるように、下方に向かうに従って狭くなっている。より具体的には、横吸気口44は、下方に向かうに従って幅狭となる楔形に形成されている。
The horizontal intake port 44 is provided on the indexer space IS side (the side opposite to the passage port 8) with respect to the discharge port 47 of the second horizontal nozzle 34. For this reason, the purge gas blown from the second horizontal nozzle 34 is hardly sucked into the horizontal intake port 44.
The lateral intake port 44 is formed from the upper end portion to the lower end portion of the passage port 8. In the horizontal intake port 44 that is long in the vertical direction, the intake force is smaller in the upper part away from the exhaust fan 45 than in the lower part near the exhaust fan 45. Therefore, the opening width of the horizontal intake port 44 (opening width in the substrate transport direction (left and right direction in FIG. 3)) is set downward so that the flow velocity of the atmosphere sucked from the horizontal intake port 44 is substantially uniform in the vertical direction. It becomes narrower as it goes to. More specifically, the lateral air inlet 44 is formed in a wedge shape that becomes narrower as it goes downward.

図3の構成では、横排気空間43に排気ファン45が配置されているが、排気ファン45を設ける代わりに、排気空間40,43を工場に設けられた排気処理設備の排気用力によって排気する構成としてもよい。
また、図3では第1横カバー21の図示を省略しているが、第1横カバー21の横吸気口44は、第2横カバー22の横吸気口44と同様の構成である。
In the configuration of FIG. 3, the exhaust fan 45 is disposed in the lateral exhaust space 43, but instead of providing the exhaust fan 45, the exhaust spaces 40 and 43 are exhausted by the exhaust power of the exhaust treatment facility provided in the factory. It is good.
Although the illustration of the first lateral cover 21 is omitted in FIG. 3, the lateral intake port 44 of the first lateral cover 21 has the same configuration as the lateral intake port 44 of the second lateral cover 22.

図4は、図3の切断面線IV−IVから見た断面図である。
各第1横ノズル32は、通過口8の一方側の側辺(図4で示す右辺)よりもやや側方(図4で示す右側方)にずれた位置に、その吐出口47を通過口8の側方領域25に向けて(図4におけるやや斜め左に向けて)配置されている。この実施形態では、第1横ノズル32として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第1横ノズル32は、その長軸方向が、通過口8(開口10)の一方側辺(図4で示す右辺)に対して微小角度(たとえば5〜10°)傾斜するように配置されている。そのため、第1横ノズル32からのN2ガスは、基板収容器C内を、その一方側の側面(図4で示す右面)に沿って流れる。
4 is a cross-sectional view taken along section line IV-IV in FIG.
Each first horizontal nozzle 32 has its discharge port 47 disposed at a position slightly shifted to the side (right side shown in FIG. 4) from one side of the pass port 8 (right side shown in FIG. 4). 8 side regions 25 (slightly diagonally left in FIG. 4). In this embodiment, a fan-shaped nozzle is used as the first horizontal nozzle 32. The first horizontal nozzle 32 made of a fan-shaped nozzle has a major axis inclined at a minute angle (for example, 5 to 10 °) with respect to one side (the right side shown in FIG. 4) of the passage port 8 (opening 10). Is arranged. Therefore, the N 2 gas from the first horizontal nozzle 32 flows in the substrate container C along the one side surface (the right surface shown in FIG. 4).

各第1横ノズル32は、通過口8を通過する基板Wの経路外に配置されている。したがって、基板収容器Cに対する基板Wの出し入れの際に、基板WやインデクサロボットIRのハンドと第1横ノズル32とが干渉しない。
第2横ノズル34は、通過口8の他方側辺(図4で示す左辺)よりもやや側方(図4で示す左側方)にずれた位置に、その吐出口47を通過口8の側方領域27に向けて(図4におけるやや斜め右に向けて)配置されている。この実施形態では、第2横ノズル34として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第2横ノズル34は、その長軸方向が、通過口8(開口10)の他方側辺(図4で示す左辺)に対して微小角度(たとえば5〜10°)傾斜するように配置されている。そのため、第2横ノズル34からのN2ガスは、基板収容器C内を、その一方側の側面(図4で示す左面)に沿って流れる。
Each first horizontal nozzle 32 is arranged outside the path of the substrate W that passes through the passage port 8. Accordingly, the substrate W or the hand of the indexer robot IR does not interfere with the first horizontal nozzle 32 when the substrate W is taken in and out of the substrate container C.
The second horizontal nozzle 34 has its discharge port 47 on the side of the pass port 8 at a position slightly shifted from the other side of the pass port 8 (left side shown in FIG. 4) to the side (left side shown in FIG. 4). It is arranged toward the direction area 27 (slightly diagonally right in FIG. 4). In this embodiment, a fan-shaped nozzle is used as the second horizontal nozzle 34. The second horizontal nozzle 34 formed of a fan-shaped nozzle is inclined so that the major axis direction is inclined by a minute angle (for example, 5 to 10 °) with respect to the other side (the left side shown in FIG. 4) of the passage port 8 (opening 10). Is arranged. Therefore, the N 2 gas from the second horizontal nozzle 34 flows in the substrate container C along the one side surface (the left surface shown in FIG. 4).

各第2横ノズル34は、通過口8を通過する基板Wの経路外に配置されている。そのため、基板収容器Cに対する基板Wの出し入れの際に、基板WやインデクサロボットIRのハンドと第2横ノズル34とが干渉しない。
この図4では、ロードポート4の一方側の側方(図4で示す右側)に隣接して配置されるロードポート4Aが図示されている。ロードポート4の第1横カバー21は、この隣接するロードポート4Aの通過口8Aの他方側の側方(図4で示す左側)に設けられている。つまり、ロードポート4の第1横カバー21は、この隣接するロードポート4Aの第2横カバー22を兼用している。そして、第1横カバー21の外側の側面(通過口8に対向しない側の側面)には、ロードポート4A用の吸気口44Aが形成されており、吸気口44Aに吸い込まれた雰囲気は、第1横カバー21の横排気空間43を通って排気される。
Each second horizontal nozzle 34 is disposed outside the path of the substrate W that passes through the passage port 8. Therefore, the substrate W or the hand of the indexer robot IR does not interfere with the second horizontal nozzle 34 when the substrate W is taken in and out of the substrate container C.
In FIG. 4, a load port 4 </ b> A disposed adjacent to one side of the load port 4 (the right side shown in FIG. 4) is illustrated. The first horizontal cover 21 of the load port 4 is provided on the other side of the passing port 8A of the adjacent load port 4A (left side shown in FIG. 4). That is, the first horizontal cover 21 of the load port 4 also serves as the second horizontal cover 22 of the adjacent load port 4A. An intake port 44A for the load port 4A is formed on the outer side surface (the side surface not facing the passage port 8) of the first horizontal cover 21, and the atmosphere sucked into the intake port 44A is The air is exhausted through the side exhaust space 43 of the side cover 21.

図5は、図4の矢印V方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。図5中に斜線で示す領域が、各ノズル30,32,34から吐出されたN2ガス噴流の断面形状である。
各ノズル30,32,34から吐出されたN2ガス流は、正面視で通過口8の周縁部に沿う倒立U字形状の領域23,25,27に形成される。扇形ノズルからなる上ノズル30の長軸方向が通過口8の上辺に対して微小角度(たとえば5〜10°)傾斜しており、また、同じく扇形ノズルからなる横ノズル32,34の長軸方向が、通過口8の両側辺に対して微小角度(たとえば5〜10°)傾斜するように配置されているので、各ノズル30,32,34から吐出されたN2ガス同士が互いに干渉することを抑制することができ、しかも、各ノズル30,32,34から吐出されたN2ガス流の幅を拡げることができる。
FIG. 5 is a front view showing a state in which the purge gas is sprayed as seen from the direction of arrow V in FIG. A region indicated by hatching in FIG. 5 is a cross-sectional shape of the N 2 gas jet discharged from each nozzle 30, 32, 34.
The N 2 gas flow discharged from each nozzle 30, 32, 34 is formed in inverted U-shaped regions 23, 25, 27 along the peripheral edge of the passage port 8 in front view. The major axis direction of the upper nozzle 30 made of a fan-shaped nozzle is inclined by a minute angle (for example, 5 to 10 °) with respect to the upper side of the passage port 8, and the major axis direction of the horizontal nozzles 32 and 34 also made of fan-shaped nozzles. However, the N 2 gases discharged from the nozzles 30, 32, and 34 interfere with each other because they are arranged so as to be inclined at a minute angle (for example, 5 to 10 °) with respect to both sides of the passage port 8. In addition, the width of the N 2 gas flow discharged from the nozzles 30, 32, and 34 can be expanded.

上ノズル30からのN2ガスは、基板収容器C内を、その天面に沿って奥側に向けて流れる。横ノズル32,34からのN2ガスは、基板収容器C内を、その両側面に沿って奥側に向けて流れる。このため、基板収容器C内の雰囲気が、基板収容器Cの開口10の中央部CA(開口10のうち、上方領域23および側方領域25,27を除く領域)を通ってインデクサ空間IS側に押し出されるようになる。すなわち、基板収容器Cの開口10の中央部CAに、基板収容器C内からインデクサ空間ISに向かう気流が形成されており、インデクサ空間ISのダウンフローが開口10の中央部CA(通過口8の中央部)を通して基板収容器C内に進入することができない。 The N 2 gas from the upper nozzle 30 flows in the substrate container C toward the back side along the top surface. N 2 gas from the horizontal nozzles 32 and 34 flows in the substrate container C toward the back side along both side surfaces thereof. For this reason, the atmosphere in the substrate container C passes through the central portion CA of the opening 10 of the substrate container C (the region excluding the upper region 23 and the side regions 25 and 27 in the opening 10) on the indexer space IS side. Will be pushed out. That is, an air flow from the substrate container C toward the indexer space IS is formed in the central part CA of the opening 10 of the substrate container C, and the downflow of the indexer space IS is caused by the central part CA (passage port 8) of the opening 10. Cannot enter the substrate container C through the central portion.

図6は、ロードポート4に対する基板収容器Cの装脱を説明するための図である。
図示しない収容器搬送装置によって基板処理装置のロードポート4に搬入された基板収容器Cは、図6(a)に示すように、収容器載置台6の予め定める移載位置にある可動載置台50に載置される。そして、たとえば基板収容器Cの底部に形成された溝(図示しない)に、収容器載置台6に設けられた係合ピン(図示しない)が係合されることにより、可動載置台50に基板収容器Cが固定される。基板収容器Cが可動載置台50に載置された状態では、吐出管54が基板収容器Cの導入孔57(図3参照)に挿入されて、吐出口53(図3参照)が基板収容器Cの内部空間に臨むようになる。この際、下N2バルブ56は予め開かれており、前述の開閉機構(図示せず)によって吐出管54の挿入動作に連動して導入孔57が開放される。これにより、吐出管54の吐出口53からN2ガスが吐出されて、基板収容器C内にN2ガスが導入される。この吐出口53からのN2ガスの吐出は、基板収容器Cが可動載置台50上に載置されている期間、継続されることとなる。また、この吐出口53からのN2ガスの吐出は、基板収容器Cの蓋12が開いている期間も継続させてもよいし、当該期間だけ停止させてもよい。
FIG. 6 is a view for explaining the loading / unloading of the substrate container C with respect to the load port 4.
The substrate container C carried into the load port 4 of the substrate processing apparatus by an unillustrated container transfer device is a movable mounting table at a predetermined transfer position of the container mounting table 6 as shown in FIG. 50. For example, an engagement pin (not shown) provided on the container mounting table 6 is engaged with a groove (not shown) formed in the bottom of the substrate container C, whereby the substrate is placed on the movable mounting table 50. The container C is fixed. In a state where the substrate container C is placed on the movable mounting table 50, the discharge pipe 54 is inserted into the introduction hole 57 (see FIG. 3) of the substrate container C, and the discharge port 53 (see FIG. 3) is accommodated in the substrate. It comes to face the internal space of the container C. At this time, the lower N 2 valve 56 is opened in advance, and the introduction hole 57 is opened in conjunction with the insertion operation of the discharge pipe 54 by the aforementioned opening / closing mechanism (not shown). As a result, N 2 gas is discharged from the discharge port 53 of the discharge pipe 54, and N 2 gas is introduced into the substrate container C. The discharge of the N 2 gas from the discharge port 53 is continued for a period during which the substrate container C is placed on the movable mounting table 50. Further, the discharge of N 2 gas from the discharge port 53 may be continued during the period when the lid 12 of the substrate container C is open, or may be stopped only during the period.

その後、スライド駆動機構51(図3参照)が駆動されて、基板収容器Cが通過口8に接近する方向に移動される。そして、図6(b)に示すように、基板収容器Cの蓋12とドア9とが当接し、次いで、蓋12がドア9と係合してそのドア9に保持される。また、ドア9側に設けられたロック操作機構(図示せず)によって、蓋12と収容器本体11とのロック係合が解除される。   Thereafter, the slide drive mechanism 51 (see FIG. 3) is driven to move the substrate container C in a direction approaching the passage port 8. Then, as shown in FIG. 6B, the lid 12 of the substrate container C and the door 9 come into contact with each other, and then the lid 12 engages with the door 9 and is held by the door 9. Further, the lock engagement between the lid 12 and the container body 11 is released by a lock operation mechanism (not shown) provided on the door 9 side.

次に、スライド駆動機構17(図1参照)が駆動されてドア9がインデクサ空間IS側に移動され、かつ、昇降駆動機構16(図1参照)が駆動されて、支持部材15が下降されることにより、図6(c)に示すようにドア9が開状態にされる。このドア9に伴って蓋12も開状態になる。ドア9の開動作と同期して、上N2バルブ37が開かれて、ノズル30,32,34から、通過口8へのN2ガスの吹き付けが開始される。 Next, the slide drive mechanism 17 (see FIG. 1) is driven to move the door 9 to the indexer space IS side, and the lift drive mechanism 16 (see FIG. 1) is driven to lower the support member 15. As a result, the door 9 is opened as shown in FIG. With this door 9, the lid 12 is also opened. In synchronization with the opening operation of the door 9, the upper N 2 valve 37 is opened, and the blowing of N 2 gas from the nozzles 30, 32, 34 to the passage port 8 is started.

通過口8が開放されると、インデクサロボットIRは、開口10を通して基板収容器C内にハンドをアクセスさせて、基板収容器C内に積層された未処理の基板Wを取り出す。そして、インデクサロボットIRは、この取り出した基板Wを主搬送ロボットに受け渡す。主搬送ロボットに受け渡された未処理の基板Wは処理部3の処理チャンバで所定の処理が施され、処理済の基板Wが主搬送ロボットに受け渡される。処理済の基板Wは、主搬送ロボットからインデクサロボットIRに受け渡される。インデクサロボットIRは、開口10を通して基板収容器C内にハンドをアクセスさせて、処理済みの基板Wを基板収容器Cに収納する。予め定められた数の基板Wに処理が施され、その基板Wが基板収容器Cに収納されるまで、通過口8の開放状態は継続される。通過口8の開放状態の間、ノズル30,32,34からのN2ガスの吹き付けは継続されている。 When the passage port 8 is opened, the indexer robot IR accesses the hand into the substrate container C through the opening 10 and takes out the unprocessed substrates W stacked in the substrate container C. Then, the indexer robot IR delivers the extracted substrate W to the main transfer robot. The unprocessed substrate W transferred to the main transfer robot is subjected to a predetermined process in the processing chamber of the processing unit 3, and the processed substrate W is transferred to the main transfer robot. The processed substrate W is transferred from the main transfer robot to the indexer robot IR. The indexer robot IR causes the hand to access the substrate container C through the opening 10 and stores the processed substrate W in the substrate container C. Until the predetermined number of substrates W are processed and the substrates W are stored in the substrate container C, the open state of the passage port 8 is continued. While the passage port 8 is open, the N 2 gas is continuously blown from the nozzles 30, 32, and 34.

予め定められた数の基板Wが基板収容器Cに戻された後、昇降駆動機構16が駆動されて支持部材15が上昇されるとともに、スライド駆動機構17が駆動されてドア9がインデクサ空間IS側と反対側に向けて移動されてドア9が閉状態にされる(図6(d)参照)。また、ドア9に設けられた前述のロック操作機構によって、蓋12が収容器本体11にロックされる。そして、上N2バルブ37が閉じられて、ノズル30,32,34からのN2ガスの吹き付けが停止される。次に、スライド駆動機構51が制御されて、基板収容器Cが通過口8に離反する方向に移動されるとともに、基板収容器Cの可動載置台50への固定が解除される。その後、基板収容器Cは収容器搬送装置によって搬出される。 After the predetermined number of substrates W are returned to the substrate container C, the elevating drive mechanism 16 is driven to raise the support member 15 and the slide drive mechanism 17 is driven to move the door 9 to the indexer space IS. The door 9 is moved to the opposite side to the closed side (see FIG. 6D). Further, the lid 12 is locked to the container body 11 by the above-described lock operation mechanism provided on the door 9. Then, the upper N 2 valve 37 is closed, and the blowing of N 2 gas from the nozzles 30, 32, 34 is stopped. Next, the slide drive mechanism 51 is controlled to move the substrate container C in the direction away from the passage port 8, and the fixation of the substrate container C to the movable mounting table 50 is released. Thereafter, the substrate container C is unloaded by the container transfer device.

以上のようにこの実施形態によれば、インデクサ空間ISに設けられたノズル30,32,34から、通過口8の上方領域23および側方領域25,27に向けてN2ガスが吹き付けられる。こうした基板収容器C内へのN2ガスの供給によって、基板収容器C内の雰囲気が、N2ガスが吹き付けられていない開口10の中央部CAを通ってインデクサ空間ISに押し出され、この開口10の中央部CAに、基板収容器C内からインデクサ空間ISに向かう気流が形成される。 As described above, according to this embodiment, the N 2 gas is blown from the nozzles 30, 32, 34 provided in the indexer space IS toward the upper region 23 and the side regions 25, 27 of the passage port 8. By such supply of the N 2 gas into the substrate container C, the atmosphere in the substrate container C is pushed out into the indexer space IS through the central portion CA of the opening 10 where N 2 gas is not blown, and this opening An air flow from the substrate container C toward the indexer space IS is formed at the center portion CA of the ten.

また、通過口8の上方部に上カバー20が設けられ、通過口8の側方に横カバー21,22が設けられている。この上カバー20および横カバー21,22によって、ダウンフローが通過口8の上方領域23および側方領域25,27に流入することが抑制される。
さらには、上カバー20および横カバー21,22には、ノズル30,32,34よりもインデクサ空間IS側に吸気口41,44が形成されている。そのため、ノズル30,32,34の近傍においてインデクサ空間IS内の雰囲気が通過口8に向かって流入しようとすると、このような雰囲気は吸気口41,44において捕捉されてしまう。
Further, an upper cover 20 is provided above the passage port 8, and lateral covers 21 and 22 are provided on the sides of the passage port 8. The upper cover 20 and the lateral covers 21 and 22 prevent the downflow from flowing into the upper region 23 and the side regions 25 and 27 of the passage port 8.
Further, the upper cover 20 and the side covers 21, 22 are formed with intake ports 41, 44 on the indexer space IS side of the nozzles 30, 32, 34. For this reason, if the atmosphere in the indexer space IS near the nozzles 30, 32, and 34 flows toward the passage port 8, such an atmosphere is captured at the intake ports 41 and 44.

したがって、通過口8のほぼ全域において、ダウンフローの基板収容器C内への流入が抑制されるので、インデクサ空間ISの雰囲気を基板収容器C内にほとんど進入させずに、基板収容器C内にN2ガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器C内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。
図7は、本発明の他の実施形態(第2実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
Therefore, since the inflow of the downflow into the substrate container C is suppressed in almost the entire area of the passage port 8, the atmosphere of the indexer space IS hardly enters the substrate container C, and the inside of the substrate container C. It is possible to supply only N 2 gas. Thereby, the oxygen concentration or humidity of the atmosphere in the substrate container C can be sufficiently reduced.
FIG. 7 is a front view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment (second embodiment) of the present invention.

この第2実施形態において、前述の第1実施形態(図1〜図6に示す実施形態)に示された各部に対応する部分には、図1〜図6と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第2実施形態に係る基板処理装置が、前述の第1実施形態の基板処理装置と相違する点は、内部に排気空間40,43が形成された上カバー20および横カバー21,22に代えて、平板状の上カバー20Aおよび横カバー21A,22Aを設けた点である。
In the second embodiment, parts corresponding to those shown in the first embodiment (the embodiment shown in FIGS. 1 to 6) are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. The description is omitted.
The substrate processing apparatus according to the second embodiment is different from the substrate processing apparatus of the first embodiment described above in place of the upper cover 20 and the lateral covers 21 and 22 in which exhaust spaces 40 and 43 are formed. Thus, a flat upper cover 20A and side covers 21A and 22A are provided.

また、第2実施形態では、上カバー20Aに上フランジ42が設けただけでなく、第1および第2横カバー21A,22Aにも、それぞれ、横フランジ60,61を設けている。具体的には、第1横カバー21Aのインデクサ空間IS側の縁部には、一側方(図2で示す左側)に向けて突出する第1横フランジ60が設けられている。また、第2横カバー22Aのインデクサ空間IS側の縁部には、他側方(図7で示す右側)に向けて突出する第2横フランジ61が設けられている。横フランジ60,61によって、第1および第2横カバー21A,22Aに受け止められたダウンフローが通過口8に向けて移動することを妨げることができる。   In the second embodiment, not only the upper flange 42 is provided on the upper cover 20A, but also the first and second horizontal covers 21A and 22A are provided with horizontal flanges 60 and 61, respectively. Specifically, a first horizontal flange 60 protruding toward one side (left side shown in FIG. 2) is provided at the edge of the first horizontal cover 21A on the indexer space IS side. In addition, a second horizontal flange 61 protruding toward the other side (the right side shown in FIG. 7) is provided at the edge of the second horizontal cover 22A on the indexer space IS side. The lateral flanges 60 and 61 can prevent the downflow received by the first and second lateral covers 21 </ b> A and 22 </ b> A from moving toward the passage port 8.

図8は、本発明のさらに他の実施形態(第3実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
この第3実施形態において、前述の第2実施形態(図7に示す実施形態)に示された各部に対応する部分には、図7と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第3実施形態に係る基板処理装置が、前述の第2実施形態の基板処理装置と相違する点は、平板状の上カバー20Aに代えて、上面62が上向き凸状に形成された上カバー20Bを設けた点である。この上面62は、通過口8に沿う水平方向(図8の左右方向)の中間部が高く、当該方向の両端部が低く形成されている。この実施形態では、上カバー20Bの形状に合わせて、上フランジ42Bの正面形状も、上向き凸状に形成されている。
FIG. 8 is a front view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to still another embodiment (third embodiment) of the present invention.
In the third embodiment, parts corresponding to those shown in the second embodiment (the embodiment shown in FIG. 7) are denoted by the same reference numerals as those in FIG. .
The substrate processing apparatus according to the third embodiment is different from the substrate processing apparatus of the second embodiment described above in that the upper cover 62 is formed in an upward convex shape instead of the flat upper cover 20A. 20B is provided. The upper surface 62 is formed such that the middle portion in the horizontal direction (the left-right direction in FIG. 8) along the passage opening 8 is high and both end portions in the direction are low. In this embodiment, according to the shape of the upper cover 20B, the front shape of the upper flange 42B is also formed in an upward convex shape.

この実施形態では、上カバー20Bの上面62によって受け止められたダウンフローが、通過口8の側方(図8の左右方向)に向けて導かれる。これにより、ダウンフローを整流することができるので、ダウンフローの通過口8への流入を、より効果的に抑制することができる。
以上、この発明の3つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
In this embodiment, the downflow received by the upper surface 62 of the upper cover 20B is guided toward the side of the passage port 8 (the left-right direction in FIG. 8). Thereby, since a downflow can be rectified | straightened, the inflow to the passage 8 of a downflow can be suppressed more effectively.
While the three embodiments of the present invention have been described above, the present invention can also be implemented in other forms.

前述の各実施形態では、上フランジ42,42Bや横フランジ60,61は、外向き、すなわち開口8から離れる方向に伸びるように形成されているが、これらのフランジに加えてさらに、内向き、すなわち開口8に近づく方向に伸びる内向きフランジをさらに設け、ノズルブロック24,26,28の背後(インデクサ空間IS側)をこの内向きフランジによって覆うようにしてもよい。これによれば、ノズル30,32,34からの吹き付け気流によるインデクサ空間IS内の雰囲気の巻き込みをさらに防止することができる。   In each of the above-described embodiments, the upper flanges 42 and 42B and the lateral flanges 60 and 61 are formed to extend outward, that is, in a direction away from the opening 8, but in addition to these flanges, inward, In other words, an inward flange extending in a direction approaching the opening 8 may be further provided, and the back side (indexer space IS side) of the nozzle blocks 24, 26, and 28 may be covered with the inward flange. According to this, the entrainment of the atmosphere in the indexer space IS due to the airflow blown from the nozzles 30, 32, 34 can be further prevented.

前述の各実施形態では、ノズル30,32,34からのN2ガスの吹き付けを、ドア9が開状態にある間継続して行うとして説明したが、ドア9の開状態における予め定める時間だけN2ガスの吹き付けが行われていてもよい。また、ドア9が開状態であるか閉状態であるかに拘わらず、N2ガスの吹き付けが常時行われていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板収容器Cから未処理基板Wを取り出すとともに、その取り出した基板Wの処理の後に、その処理済みの基板を元の基板収容器Cに収納する(戻す)場合を例にとって示したが、他の基板収容器Cに処理済み基板Wを収納する構成であってもよい。
In each of the above-described embodiments, it has been described that the N 2 gas is continuously blown from the nozzles 30, 32, and 34 while the door 9 is in the open state. 2 Gas spraying may be performed. Further, the N 2 gas may be constantly blown regardless of whether the door 9 is open or closed.
In each of the above-described embodiments, the unprocessed substrate W is taken out from the substrate container C, and the processed substrate is stored (returned) in the original substrate container C after the processing of the taken-out substrate W. Although the case has been shown as an example, a configuration in which the processed substrate W is stored in another substrate container C may be used.

また、前述の各実施形態では、基板収容器Cとして、基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)を例示しているが、これ以外にも、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In each of the above-described embodiments, a FOUP (Front Opening Unified Pod) that accommodates the substrate W in a sealed state is illustrated as the substrate container C. However, in addition to this, a SMIF (Standard Mechanical Interface) pod Other types of substrate containers such as OC (Open Cassette) can also be used.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。It is an illustration sectional view for explaining the composition of the substrate processing device concerning one embodiment of the present invention. 通過口をインデクサ空間から見た正面図である。It is the front view which looked at the passage mouth from the indexer space. ロードポートの要部の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the principal part of a load port. 図3の切断面線IV−IVから見た断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the section line IV-IV in FIG. 3. 図4の矢印V方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。It is a front view which shows the blowing state of the purge gas seen from the arrow V direction of FIG. ロードポートに対する基板収容器の装脱を説明するための図である。It is a figure for demonstrating attachment / detachment of the board | substrate container with respect to a load port. 本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。It is a front view which shows diagrammatically the composition of the substrate processing device concerning other embodiments of the present invention. 本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。It is a front view which shows diagrammatically the composition of the substrate processing device concerning other embodiments of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

6 収容器載置台(収容器保持部)
7 隔壁
8 通過口
10 開口
20,20A,20B 上カバー
21,21A 第1横カバー
22,22A 第2横カバー
23 上方領域(通過口の上辺部に沿う領域)
24 上ノズルブロック(上パージガス吹き付け手段)
25 側方領域(通過口の側辺部に沿う領域)
26 第1横ノズルブロック(横パージガス吹き付け手段)
28 第2横ノズルブロック(横パージガス吹き付け手段)
30 上ノズル
32 第1横ノズル
34 第2横ノズル
41 上吸気口
44 横吸気口
46 吐出口
47 吐出口
IS インデクサ空間(ダウンフロー空間)
OS 外部空間(保持空間)
6 Container placement table (container holder)
7 Partition 8 Passing port 10 Opening 20, 20A, 20B Upper cover 21, 21A First horizontal cover 22, 22A Second horizontal cover 23 Upper region (region along upper side of passage port)
24 Upper nozzle block (Upper purge gas spraying means)
25 Side area (Area along the side of the passage)
26 1st horizontal nozzle block (horizontal purge gas spraying means)
28 Second horizontal nozzle block (horizontal purge gas spraying means)
30 Upper nozzle 32 First horizontal nozzle 34 Second horizontal nozzle 41 Upper intake port 44 Horizontal intake port 46 Discharge port 47 Discharge port IS Indexer space (down flow space)
OS external space (retention space)

Claims (4)

基板を出し入れするための開口を有する基板収容器を保持するための収容器保持部と、
前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間とダウンフローが形成されるダウンフロー空間とを仕切る隔壁と、
前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバーと、
前記通過口の上縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段と、
前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバーと、
前記通過口の側縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段とを含み、
前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口が形成されている、基板処理装置。
A container holder for holding a substrate container having an opening for taking in and out the substrate; and
A partition having a passage opening facing the opening of the substrate container held by the container holding part, and partitioning a holding space in which the container holding part is arranged and a downflow space in which a downflow is formed When,
An upper cover provided to protrude from the partition wall toward the downflow space above the passage, and to prevent entry of downflow into the substrate container;
Upper purge gas spraying means for spraying purge gas through the region along the upper edge of the passage opening and into the substrate container;
A lateral cover provided on the side of the passage opening so as to protrude from the partition wall toward the downflow space side, and for suppressing entry of downflow into the substrate container,
A lateral purge gas spraying means for spraying purge gas through the region along the side edge of the passage opening and into the substrate container;
The substrate processing apparatus, wherein the side cover is formed with a side inlet for sucking in the atmosphere in the downflow space.
前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口を有している、請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the horizontal purge gas blowing unit has a discharge port provided closer to the passage port than the horizontal suction port. 前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジが形成されている、請求項1または2記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an upper flange protruding upward is formed at an edge of the upper cover on the side of the downflow space. 前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段をさらに含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置。 From the bottom of the substrate container held by said container holding portion, the further comprising a purge gas supply means under supplying purge gas to the substrate container in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 .
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5768337B2 (en) * 2010-07-07 2015-08-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 Load port
JP2013161924A (en) * 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd Purge device and purge method of substrate storage container
JP6287515B2 (en) * 2014-04-14 2018-03-07 Tdk株式会社 EFEM system and lid opening / closing method
JP6701966B2 (en) * 2016-03-31 2020-05-27 Tdk株式会社 Load port device and EFEM
JP6769134B2 (en) * 2016-06-23 2020-10-14 Tdk株式会社 Gas purge unit and load port device
JP6269788B2 (en) * 2016-11-22 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Load port
JP2018074177A (en) * 2017-12-26 2018-05-10 シンフォニアテクノロジー株式会社 Load port
JP7070606B2 (en) * 2020-06-17 2022-05-18 Tdk株式会社 Gas purge unit and load port device
JP7384132B2 (en) * 2020-09-04 2023-11-21 村田機械株式会社 Goods storage device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3722604B2 (en) * 1997-11-13 2005-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP3880343B2 (en) * 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ Load port, substrate processing apparatus, and atmosphere replacement method
JP4585514B2 (en) * 2004-06-21 2010-11-24 株式会社ライト製作所 Load port
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