KR20170015210A - Substrate processing apparatus, substrate processing method, maintenance method of substrate processing apparatus, and storage medium - Google Patents

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고우이치 미즈나가
마사타카 다나카
고우조우 가나가와
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a maintenance method of the substrate processing apparatus, and a storage medium. The substrate processing method can suppress, during thermal processing of a wafer, a sublimate from being attached to an exhaust passage by decomposing the sublimate caused by processing of a wafer, and can remove the sublimate attached to a light transmission window when thermally processing the wafer (W) by light from a light source unit. A thermal catalyst layer (5) is formed on an inner surface of a processing container (2), and the thermal catalyst layer (5) is heated. And thus, when a sublimate, which sublimates from a coating film on the wafer (W) and then is accommodated in the processing container (2), approaches the thermal catalyst layer (5), the sublimate is decomposed and removed by thermal activation of the thermal catalyst layer (5). Also, as to removing the sublimate attached to the light transmission window (42), a cleaning substrate (6) having the thermal catalyst layer (5) formed on a surface thereof is inserted into the processing container (2), and the thermal catalyst layer (5) gets close to the light transmission window (42), and then the cleaning substrate (6) is heated to remove the sublimate (9) attached to the surface of the light transmission window (42).

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, MAINTENANCE METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus,

본 발명은, 배기로를 구비한 처리 용기 내에 기판을 배치하여 기판을 처리하는 기술 분야에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD [0002] The present invention relates to a technical field for disposing a substrate in a processing container having an exhaust path to process the substrate.

예컨대 다층 배선 구조의 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다) 상에 레지스트막이나 반사방지막 등의 도포막을 형성하는 처리가 행해지고, 이어서 도포막 중에 잔류하고 있는 용제를 건조시키고, 또한, 가교제의 가교 반응을 촉진시키거나 하기 위해서 가열 처리가 행해진다. 가열 처리를 하는 가열 처리 장치로서는, 처리 용기 내에 웨이퍼의 배치대를 겸용하는 가열 플레이트가 마련된 구조로 된 것이 이용된다. 웨이퍼를 가열하는 가열부로서는 가열 플레이트 대신에 적외선 램프인 LED 광원을 이용한 구조로 된 것도 알려져 있다. For example, in a process for manufacturing a semiconductor device having a multilayer interconnection structure, a process of forming a coating film such as a resist film or an antireflection film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer ") as a substrate is performed, And the heat treatment is carried out in order to accelerate the crosslinking reaction of the crosslinking agent. As the heat treatment apparatus for performing the heat treatment, there is used a structure in which a heating plate serving as a placement stand of the wafer is provided in the processing vessel. It is also known that the heating unit for heating the wafer is a structure using an LED light source, which is an infrared lamp, instead of a heating plate.

이러한 가열 처리 장치에서는, 웨이퍼를 가열하면 도포막 내의 유기 성분이 승화하기 때문에, 처리 용기 내부를 공기 또는 불활성 가스에 의해 퍼지하여, 배기류(排氣流)와 함께 승화물을 배기로를 통해 배출하게 하고 있다. 처리 용기 내의 벽부에 대해서는 처리 분위기에 있어서의 파티클의 비산을 억제하기 위해서 승화물의 승화 온도 이상으로 가열하고 있기 때문에 승화물의 부착은 억제되고 있다. 그러나 배기로 중에 유입된 승화물은 배기로의 하류 측에서 온도 저하에 의해 승화물이 석출되기 쉽게 되어 있으며, 이 때문에 정기적으로 메인터넌스할 필요가 있었다. In such a heat treatment apparatus, when the wafer is heated, the organic components in the coating film sublimate. Therefore, the interior of the processing vessel is purged by air or an inert gas to discharge the entrained product along with the exhaust stream through the exhaust passage . Since the wall portion in the processing container is heated above the sublimation temperature of the sublimate in order to suppress scattering of the particles in the processing atmosphere, adhesion of the sublimate is suppressed. However, the ascending impurities introduced into the exhaust passage are susceptible to precipitation of the ascorbic acid due to the temperature drop on the downstream side of the exhaust passage, and therefore, it is necessary to perform regular maintenance.

또한, LED 광원을 가열부로서 이용한 경우에는, 처리 용기 내의 분위기와 광원이 놓이는 분위기를 구획하는 예컨대 석영판으로 이루어지는 광투과창에 승화물이 부착됨에 따라 조도가 저하하여, 장치를 분해하여 클리닝할 필요가 있었다. 또한, 예컨대 에칭 마스크가 되는 SOC(Spin On Cap)막이라고 불리는 탄소계의 막을 성막하는 공정에서는, UV(자외선)을 조사하여 막의 평탄화 처리를 실시하는 공정이 알려져 있지만, 이 경우에도 같은 문제가 있다. In addition, when the LED light source is used as a heating unit, the illuminance is reduced due to attachment of the charged object to a light transmitting window formed of, for example, a quartz plate for partitioning the atmosphere in the processing chamber and the atmosphere in which the light source is placed. There was a need. Further, in a process of forming a carbon-based film called a SOC (Spin On Cap) film to be an etching mask, a process of flattening the film by irradiating UV (ultraviolet rays) is known, but there is also the same problem in this case .

또한, 특허문헌 1에는, 열촉매에 의한 폴리머의 제거에 관해서 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 열촉매에 의한 플라스틱 복합 재료의 분해 처리가 기재되어 있다. 그러나 기판 처리 장치에 있어서 발생하는 승화물이나 분해 잔사를 제거하는 기술에 관해서는 기재되어 있지 않다. In addition, Patent Document 1 describes the removal of a polymer by a thermal catalyst. Patent Document 2 discloses decomposition treatment of a plastic composite material by a thermal catalyst. However, there is no description about a technique for removing the decomposition residue or decomposition residue generated in the substrate processing apparatus.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2014-94464호 공보Patent Document 1: JP-A-2014-94464 특허문헌 2: 일본 특허공개 2014-177523호 공보Patent Document 2: JP-A-2014-177523

본 발명은 이러한 배경 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 처리 용기 내부를 배기하면서 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 기판의 처리에 의해 생성된 생성물을 분해하여, 생성물이 배기로에 부착되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 처리 용기 내부를 배기하면서 광원부로부터의 광에 의해 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 기판의 처리에 의해 생성되어 광투과창에 부착된 생성물을 제거하는 기술을 제공하는 데에 있다.The object of the present invention is to provide a process for decomposing a product produced by a treatment of a substrate and suppressing a product from adhering to an exhaust passage To provide the technology that can be used. Another object of the present invention is to provide a technique for removing a product generated by processing of a substrate and attached to a light transmitting window in processing a substrate by light from the light source while exhausting the inside of the processing vessel .

본 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A substrate processing apparatus of the present invention includes: a processing container provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,

상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 형성되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 그 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질과, A thermal catalyst material formed on at least one of an inner surface of the processing vessel and the exhaust path and thermally activated by heating to decompose the product generated from the substrate to be processed by the processing of the substrate to be processed,

상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부를 구비한 것을 특징으로 한다. And a heating unit for heating the thermal catalyst material.

다른 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A substrate processing apparatus according to another aspect of the invention includes: a processing container having an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein;

상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와, A substrate heating unit for heating the target substrate disposed in the arrangement unit;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,

상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와, A light source unit for emitting light to the substrate arranged in the arrangement unit,

상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과, A light transmission window for partitioning the atmosphere in the light source part and the processing container,

메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와, A selection unit for selecting a maintenance mode,

가열됨으로써 열활성되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다. The method comprising the steps of bringing a substrate for maintenance provided with a thermal catalyst material which is thermally activated by heating to decompose the vaporized product generated from the substrate by the processing of the substrate into the processing vessel when the maintenance mode is selected, Heating the heating substrate by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material; and heating the heating substrate to remove the bundled material attached to the light transmitting window, And a control unit for outputting a control signal to execute a step of accessing the transmission window.

본 발명의 기판 처리 방법은, 피처리 기판을 처리 용기 내의 배치부에 배치하여 처리하는 공정과, A substrate processing method of the present invention includes a step of disposing a substrate to be processed in a disposing portion in a processing container,

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기로를 통해 배기하는 공정과, A step of exhausting the atmosphere in the processing vessel through an exhaust path,

상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련된 열촉매 물질을 가열하여 열활성화하여, 피처리 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. And a step of heating and thermally activating the thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing vessel and the exhaust path to decompose the product generated from the substrate by the processing of the substrate to be processed.

본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법은, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A maintenance method for a substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing vessel provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein,

상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와, A substrate heating unit for heating the target substrate disposed in the arrangement unit;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,

상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와, A light source unit for emitting light to the substrate arranged in the arrangement unit,

상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법으로서, A method for maintenance of a substrate processing apparatus having a light transmission window for partitioning an atmosphere in the processing chamber and the light source section,

가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 처리 용기 내에 반입하는 공정과, A step of transferring a substrate for maintenance having a thermal catalytic material which is thermally activated by being heated so as to disassemble a product, which is a product generated from the substrate by the processing of the substrate, into the processing container;

이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 공정과, Heating the heating substrate with the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material;

상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. And a step of bringing the heated maintenance substrate to the light transmission window in order to remove the charged object attached to the light transmission window.

본 발명의 기억 매체는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서, A storage medium according to the present invention is a storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 기판 처리 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 한다. The computer program is characterized in that step groups are arranged to execute the above-described substrate processing method.

또한, 본 발명의 기억 매체는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서, A storage medium according to the present invention is a storage medium for storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 한다.The computer program is characterized in that a step group is formed to execute the maintenance method of the above-described substrate processing apparatus.

본 발명에 따르면, 처리 용기 내에서 기판의 처리를 행하고, 처리 용기 내의 분위기를 배기함에 있어서, 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 열촉매 물질을 마련하여 열촉매 물질을 가열함으로써, 처리 용기 내의 분위기 중에 발생하는 생성물을 분해 제거하고 있다. 그 때문에 배기로에 생성물이 부착되는 것을 억제할 수 있기 때문에 메인터넌스 빈도를 적게 할 수 있다. According to the present invention, there is provided a process for processing a substrate in a process container, comprising the steps of: providing a thermal catalyst material on at least one of the inner surface of the process container and the exhaust path, So that the product generated in the atmosphere in the container is decomposed and removed. Therefore, the adherence of the product to the exhaust passage can be suppressed, so that the maintenance frequency can be reduced.

또한, 다른 발명은, 처리 용기 내부를 배기하면서 광원부로부터의 광에 의해 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 열촉매 물질이 마련된 메인터넌스용 기판을 가열하여 광투과창에 가깝게 하여, 광투과창에 부착된 승화물을 제거하도록 하고 있기 때문에, 처리 용기를 분해하지 않고서 광투과창을 청소할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: heating a substrate for maintenance provided with a thermal catalyst material to close a light transmitting window in a process of irradiating the substrate with light from the light source while exhausting the inside of the process container; It is possible to clean the light transmitting window without disassembling the processing vessel.

도 1은 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도포, 현상 장치를 도시하는 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 4는 상기 가열 처리 장치의 작용을 도시하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 7은 제2 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 8은 가열 처리 장치의 배기로를 도시하는 평면도이다.
도 9는 가열 처리 장치의 배기로의 다른 예를 도시하는 평면도 및 측면도이다.
도 10은 가열 처리 장치의 배기로의 다른 예를 도시하는 평면도이다.
도 11은 제3 실시형태에 따른 평탄화 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 12는 평탄화 장치에 있어서 발생하는 승화물을 도시하는 설명도이다.
도 13은 평탄화 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 14는 평탄화 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 15는 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 16은 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 분해 사시도이다.
도 17은 블록체 및 열촉매용 가열부의 예를 도시하는 사시도이다.
도 18은 제5 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 사시도 및 열촉매 유닛의 단면도이다.
도 19는 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 20은 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 21은 배기압 측정부를 마련한 가열 장치를 도시하는 설명도이다.
도 22는 참고예에 있어서의 질량 변화와 열량의 온도 변화를 도시하는 특성도이다.
도 23은 비교예에 있어서의 질량 변화와 열량의 온도 변화를 도시하는 특성도이다. 1 is a perspective view showing a coating and developing apparatus.
2 is a plan view showing a coating and developing apparatus.
3 is a longitudinal side view showing a heat treatment apparatus according to the first embodiment.
Fig. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the above-mentioned heat treatment apparatus.
5 is an explanatory diagram showing a maintenance method of the substrate processing apparatus of the present invention.
6 is an explanatory diagram showing a maintenance method of the substrate processing apparatus of the present invention.
7 is a longitudinal side view showing a heat treatment apparatus according to the second embodiment.
8 is a plan view showing the exhaust path of the heat treatment apparatus.
9 is a plan view and a side view showing another example of the exhaust path of the heat treatment apparatus.
10 is a plan view showing another example of the exhaust path of the heat treatment apparatus.
11 is a longitudinal side view showing the planarization apparatus according to the third embodiment.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing the boosted cargo generated in the planarization apparatus. FIG.
13 is an explanatory view showing a maintenance method of the planarization apparatus.
14 is an explanatory diagram showing a maintenance method of the planarization apparatus.
15 is a sectional view showing a heat treatment apparatus according to the fourth embodiment.
16 is an exploded perspective view showing the heat treatment apparatus according to the fourth embodiment.
17 is a perspective view showing an example of a heating unit for a block body and a heat catalyst.
18 is a perspective view showing a heat treatment apparatus according to the fifth embodiment and a sectional view of the heat catalyst unit.
19 is a cross-sectional view showing a heat treatment apparatus according to the sixth embodiment.
20 is a plan view showing the arrangement of the heat treatment apparatus according to the sixth embodiment.
21 is an explanatory view showing a heating apparatus provided with an exhaust pressure measuring unit.
22 is a characteristic diagram showing the mass change and the temperature change of the heat quantity in the reference example.
23 is a characteristic diagram showing the mass change and the temperature change of the heat amount in the comparative example.

[제1 실시형태][First Embodiment]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서, 가열 처리 장치에 적용한 예에 관해서 설명한다. 우선 본 발명의 가열 처리 장치를 짜 넣은 기판 처리 시스템인 도포, 현상 장치 전체에 관해서 간단히 설명해 둔다. 도포, 현상 장치는 도 1 및 도 2에 도시하는 것과 같이 캐리어 블록(B1)과, 처리 블록(B2)과, 인터페이스 블록(B3)을 직선형으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(B3)에는 또한 노광 스테이션(B4)이 접속되어 있다. An example of application to a heat treatment apparatus as the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. Firstly, the entire application and developing apparatus which is a substrate processing system incorporating the heat treatment apparatus of the present invention will be briefly described. The coating and developing apparatus is constituted by linearly connecting the carrier block B1, the processing block B2, and the interface block B3 as shown in Figs. 1 and 2. The interface block B3 is also connected to the exposure station B4.

캐리어 블록(B1)은, 제품용의 기판인 예컨대 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 복수 매 수납하는 반송 용기인 캐리어(C)(예컨대 FOUP)로부터 장치 내에 반입출하는 역할을 가지며, 캐리어(C)의 배치 스테이지(101)와, 도어(102)와, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(103)을 구비하고 있다. The carrier block B1 has a role of loading and unloading from the carrier C (for example, FOUP), which is a carrier for storing a plurality of wafers W having a diameter of 300 mm, for example, A door 102 and a carrier arm 103 for transporting the wafer W from the carrier C. [

처리 블록(B2)은 웨이퍼(W)에 액 처리를 하기 위한 제1~제6 단위 블록(D1~D6)이 아래에서부터 순차 적층되어 구성되며, 각 단위 블록(D1~D6)은 대략 동일한 구성이다. 도 1에 있어서 각 단위 블록(D1~D6)에 붙인 알파벳 문자는 처리 종별을 표시하고 있고, BCT는 반사방지막 형성 처리, COT는 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 처리, DEV는 현상 처리를 나타내고 있다. The processing block B2 is constituted by sequentially stacking first to sixth unit blocks D1 to D6 for performing a liquid process on the wafer W from bottom to top and each unit block D1 to D6 has substantially the same structure . In FIG. 1, alphabetic characters attached to each of the unit blocks D1 to D6 indicate processing type, BCT is anti-reflection film forming processing, COT is a resist film forming processing for forming a resist film by supplying a resist to the wafer W , DEV represents development processing.

도 2에 대표하여 단위 블록(D3)의 구성을 도시하면, 단위 블록(D3)에는, 캐리어 블록(B1) 측에서 인터페이스 블록(B3)으로 향하는 직선형의 반송 영역(R3)을 이동하는 메인 아암(A3)과, 컵 모듈(111)을 구비한 도포 유닛(110)이 마련되어 있다. 또한, 선반 유닛(U1~U6)에는 본 발명의 가열 처리 장치에 상당하는 가열 모듈 및 냉각 모듈(1)이 적층되어 있다. 2, a unit block D3 is provided with a main arm D3 for moving a linear transfer region R3 from the side of the carrier block B1 toward the interface block B3 A3), and a coating unit 110 having a cup module 111 are provided. In addition, a heating module and a cooling module 1 corresponding to the heat treatment apparatus of the present invention are laminated on the shelf units U1 to U6.

반송 영역(R3)의 캐리어 블록(B1) 측에는, 상호 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있는 선반 유닛(U7)이 마련되어 있다. 반송 아암(103)과 메인 아암(A3) 사이의 웨이퍼(W)의 전달은 선반 유닛(U7)의 전달 모듈과 반송 아암(104)을 통해 행해진다. A shelf unit U7 constituted by a plurality of mutually stacked modules is provided on the carrier block B1 side of the carrying region R3. The transfer of the wafer W between the transfer arm 103 and the main arm A3 is carried out through the transfer module of the lathe unit U7 and the transfer arm 104. [

인터페이스 블록(B3)은, 처리 블록(B2)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 것이며 복수의 처리 모듈이 상호 적층된 선반 유닛(U8, U9, U10)을 구비하고 있다. 또한, 도면에서 105, 106은 각각 선반 유닛(U8, U9) 사이, 선반 유닛(U9, U10) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송 아암이며, 도면에서 107은 선반 유닛(U10)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송 아암이다. The interface block B3 is for transferring the wafer W between the processing block B2 and the exposure station B4 and has a plurality of stacking units U8, U9, and U10 stacked on one another . In the drawing, reference numerals 105 and 106 denote conveying arms for transferring the wafer W between the lathe units U8 and U9 and between the lathe units U9 and U10. In the figure, reference numeral 107 denotes a shelf unit U10, And a transfer arm for transferring the wafer W between the stations B4.

도포, 현상 장치 및 노광 스테이션(B4)으로 이루어지는 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략에 관해서 간단히 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)→반송 아암(103)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→반송 아암(104)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→단위 블록(D1)(D2)→단위 블록(D3)(D4)→인터페이스 블록(B3)→노광 스테이션(B4)→인터페이스 블록(B3)→단위 블록(D5)(D6)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈(TRS)→반송 아암(103)→캐리어(C)의 순으로 흘러간다. The outline of the conveyance path of the wafer W in the system composed of the coating, developing apparatus and the exposure station B4 will be briefly described. The wafer W is transferred from the carrier C to the transfer arm 103 to the transfer module of the lathe unit U7 to the transfer arm 104 to the transfer module of the lathe unit U7 to the unit blocks D1 to D2 The unit block D3 D4 interface block B3 exposure station B4 interface block B3 unit block D5 D6 transfer module TRS of shelf unit U7 transfer unit (103) - > carrier (C).

도포, 현상 장치는 도 2에 도시하는 것과 같이 제어부(100)를 구비하고 있다. 제어부(100)는 프로그램 저장부를 갖고 있고, 프로그램 저장부에는, 웨이퍼의 반송 레시피, 각 가열 모듈 및 냉각 모듈의 클리닝 작업에 있어서의 시퀀스가 실시되도록 명령이 짜여진 프로그램이 저장된다. The coating and developing apparatus includes a control unit 100 as shown in FIG. The control unit 100 has a program storage unit. The program storage unit stores a program for instructing a sequence of cleaning recycling of the wafer, a heating module, and a cooling module to be performed.

도 3은 가열 모듈인 가열 처리 장치의 전체 구성을 도시하고 있다. 도 3에서의 2는 처리 용기이며, 이 처리 용기(2)는 상면이 개구되어 있는 편평한 원통체로 이루어지는 하측 부재(25)와, 이 하측 부재(25)에 대하여 위아래로 이동하여 처리 용기(2)를 개폐하는 덮개부(22)로 이루어지며, 기판인 직경 300 mm의 웨이퍼(W)의 가열 처리를 하는 가열실을 구성하고 있다. 하측 부재(25)는 가열 처리 장치의 외장체를 이루는 도시하지 않는 하우징의 저면부에 상당하는 기초대(27) 위에 지지 부재(26)를 통해 지지되어 있다. 하측 부재(25)에는, 기판 가열부인 광원부를 이루는 LED 어레이(41)가 마련되고, LED 어레이(41)의 상측에는, 상기 LED 어레이(41)가 놓이는 분위기와 처리 분위기를 구획하기 위한 예컨대 석영으로 이루어지는 광투과창(42)이 마련되어 있다. LED 어레이(41)는, 그 전체 둘레에 걸쳐 예컨대 구리(Cu)판에 금 도금을 한 반사판(43)에 의해 둘러싸여 있고, 조사 방향(도 3에서는 위쪽 방향)과는 다른 방향으로 향하는 광을 반사하여 복사광을 유효하게 빼낼 수 있게 되어 있다. 또한, 광투과창(42)의 표면에는, 후술하는 클리닝용 기판을 상기 광투과창(42)에 접근한 상태로 유지하기 위한 돌기부(44)가 형성되어 있다. Fig. 3 shows an overall configuration of a heat treatment apparatus which is a heating module. 3, reference numeral 2 denotes a processing vessel. The processing vessel 2 has a lower member 25 formed of a flat cylindrical body whose upper surface is opened, and a lower member 25 which moves up and down with respect to the lower member 25, And a lid portion 22 for opening and closing the wafer W. A heating chamber for heating the wafer W having a diameter of 300 mm as a substrate is formed. The lower member 25 is supported on a foundation rest 27 corresponding to a bottom surface portion of a housing (not shown) constituting an exterior body of the heat treatment apparatus through a support member 26. The lower member 25 is provided with an LED array 41 constituting a light source unit which is a substrate heating unit and is provided on the upper side of the LED array 41 with, for example, quartz for partitioning the atmosphere in which the LED array 41 is placed, A light transmitting window 42 is provided. The LED array 41 is surrounded by a reflective plate 43 that is plated with gold on a copper (Cu) plate over its entire circumference and reflects light directed in a direction different from the direction of irradiation (upward in FIG. 3) So that the radiation light can be effectively extracted. Further, on the surface of the light transmitting window 42, a protruding portion 44 for holding a substrate for cleaning, which will be described later, in a state approaching the light transmitting window 42 is formed.

하측 부재(25)의 바닥부(28) 및 광투과창(42)에는, 이들을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(29)이 위쪽에서 봤을 때 둘레 방향 등간격으로 세 곳 형성되고, 각 관통 구멍(29)에 대응하여, 웨이퍼(W)를 지지하는 승강 핀(23)이 마련되어 있다. 승강 핀(23)은, 기초대(27) 상에 마련된 승강 기구(24)에 의해 승강하여, 광투과창(42)의 표면에서 나왔다 들어갔다 하도록 마련되고, 웨이퍼(W)를 승강시킴으로써, 예컨대 도 2에서의 메인 아암(A3)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.The bottom portion 28 and the light transmitting window 42 of the lower member 25 are provided with three through holes 29 penetrating in the thickness direction at equal intervals in the circumferential direction when viewed from above, 29, the lifting pins 23 for supporting the wafers W are provided. The lifting pin 23 is lifted and lowered by the lifting mechanism 24 provided on the base table 27 and is provided so as to come in and out from the surface of the light transmitting window 42. By moving the wafer W up and down, 2 to the main arm A3.

덮개부(22)는 하면이 개구되어 있는 편평한 원통체로 이루어지고, 하측 부재(25)의 주벽부의 상면에 접촉하여(자세히는 후술하는 핀(51)에 접촉하여) 처리 용기(2)를 닫은 상태로 하는 하강 위치와, 웨이퍼(W)를 승강 핀(23)에 대하여 전달할 때의 상승 위치와의 사이에서 승강할 수 있게 구성되어 있다. 이 예에서는 덮개부(22)의 승강 동작은, 덮개부(22)의 외주면에 부착된 승강 아암(18)을 기초대(27)에 마련된 승강 기구(19)에 의해 구동함으로써 행해진다. The lid portion 22 is formed of a flat cylindrical body having a lower surface and is in contact with the upper surface of the peripheral wall of the lower member 25 (more specifically, in contact with the pin 51 described later) And a lift position when the wafer W is transferred to the lift pins 23, as shown in Fig. In this example, the lifting operation of the lid portion 22 is performed by driving the lifting arm 18 attached to the outer peripheral surface of the lid portion 22 by the lifting mechanism 19 provided on the foundation table 27. [

또한, 하측 부재(25)의 주벽부의 상면에는 둘레 방향을 따라 간격을 두고서 예컨대 높이 1 mm의 핀(51)이 형성되어 있다. 따라서 덮개부(22)를 닫았을 때는 덮개부(22)와 하측 부재(25) 사이에 1 mm의 간극이 형성되어, 처리 용기(2) 내부를 배기했을 때에 간극으로부터 외기(가열 처리 장치가 놓여 있는 클린룸의 분위기)가 유입되어, 처리 용기(2) 내에 기류가 형성된다. On the upper surface of the peripheral wall of the lower member 25, a pin 51 having a height of 1 mm, for example, is formed at intervals along the circumferential direction. Therefore, when the lid part 22 is closed, a gap of 1 mm is formed between the lid part 22 and the lower member 25, and when the inside of the processing container 2 is evacuated, the outside air The atmosphere of the clean room) flows into the processing vessel 2, and an airflow is formed in the processing vessel 2.

덮개부(22)의 천장판의 중앙부에는 배기구(32)가 형성되고, 배기구(32)에는 배기 덕트로 이루어지는 배기로(30)의 일단 측의 바닥부가 접속되어 있다. 배기로(30)는, 덮개부(22)의 상면을 따라서 직경 방향으로 직선형으로 뻗어 나와, 공장 내의 배기 덕트에 접속되어 있다. An exhaust port 32 is formed at the center of the ceiling plate of the lid portion 22 and a bottom portion of the exhaust path 30 formed of an exhaust duct is connected to the exhaust port 32. The exhaust passage 30 extends linearly in the radial direction along the upper surface of the lid portion 22 and is connected to an exhaust duct in the factory.

또한, 처리 용기(2)의 내벽면 전체에는, 예컨대 Cr2O3으로 구성된 열촉매 물질(열촉매체)을 피복하여 이루어지는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 열촉매층(5)은, 예컨대 기재 상에 열촉매체의 피막을 도포, 용사 등 이미 알려진 피복 수법에 의해 형성하면 된다. 덮개부(22)의 벽내에는, 처리 용기(2) 내의 열촉매층(5)을 가열하기 위한 열촉매용 가열부인 히터(10)가 매설되어 있다. 히터(10)의 발열량은, 열촉매층(5)이 열활성화되어 열촉매 기능, 즉 웨이퍼(W)에서 발생하여 상기 열촉매층(5) 근방에 도달한 승화물을 열분해하는 기능이 발휘되는 온도, 예컨대 Cr2O3의 경우, 200℃~400℃가 되도록 설정된다. 덮개부(22)의 상면에 위치하는 배기로(30)는 도시하지 않는 히터에 의해, 웨이퍼(W)에서 발생한 승화물이 부착되지 않는 온도로 가열되고 있다. The entire inner wall surface of the processing vessel 2 is formed with a thermal catalyst layer 5 formed by coating a thermal catalyst material (thermal catalyst body) made of Cr 2 O 3 , for example. The thermal catalyst layer 5 may be formed, for example, by coating a coating of a thermal catalyst on a substrate, spraying, or other known coating techniques. A heater 10 serving as a heat catalytic heating portion for heating the thermal catalyst layer 5 in the processing vessel 2 is embedded in the wall of the lid portion 22. [ The amount of heat generated by the heater 10 is a temperature at which the thermal catalyst layer 5 is thermally activated to exhibit a thermal catalytic function, that is, a function of pyrolyzing the condensate generated in the wafer W and in the vicinity of the thermal catalyst layer 5, For example, in the case of Cr 2 O 3 , it is set to be 200 ° C to 400 ° C. The exhaust path 30 located on the upper surface of the lid portion 22 is heated by a heater (not shown) to a temperature at which the wastewater generated from the wafer W is not adhered.

도 3에는 가열 처리 장치를 제어하는 제어부를 도시하고 있으며, 이 제어부는 도 1에 도시한 제어부의 일부라고 할 수 있기 때문에, 동일한 부호 100을 부여하고 있다. 도 3에 도시하는 제어부(100)는, 메인터넌스 모드를 선택하는 선택부(99)가 접속되어, 메인터넌스 모드가 선택되었을 때는, 가열 처리 장치의 메인터넌스를 행하기 위한 프로그램이 기동된다. Fig. 3 shows a control unit for controlling the heat treatment apparatus. Since this control unit is a part of the control unit shown in Fig. 1, the same reference numeral 100 is given. The control unit 100 shown in Fig. 3 is connected to a selection unit 99 for selecting a maintenance mode, and when a maintenance mode is selected, a program for performing maintenance of the heating processing apparatus is activated.

이 선택부(99)는 예컨대 오퍼레이터가 조작하는 조작 패널에 마련되어 있다. 제어부(100)는, 승강 기구(24)에 의한 승강 핀(23)의 승강 동작, LED 모듈(4)에 의한 조사의 강도 조정이나 온/오프 동작을, 예컨대 사전에 제어부(100)에 입력된 운전 프로그램에 기초하여 제어한다. The selection unit 99 is provided on, for example, an operation panel operated by an operator. The control unit 100 controls the lifting and lowering operation of the lifting pin 23 by the lifting mechanism 24 and the strength adjustment or on / off operation of the irradiation by the LED module 4, Based on the operation program.

이어서 본 발명의 실시형태를 이루는 기판 처리 장치인 가열 처리 장치의 작용에 관해서 설명한다. 우선 외부의 반송 아암, 예컨대 도 2에 도시하는 메인 아암(A3)에 의해 처리 용기(2) 내에 웨이퍼(W)가 반입된다. 이 시점에서는, LED 모듈(4)은 오프로 되어 있다. 메인 아암(A3)에 유지된 웨이퍼(W)가 광투과창(42)의 위쪽에 도달하면, 승강 기구(24)에 의해 승강 핀(23)을 상승시켜 메인 아암(A3) 위의 웨이퍼(W)를 밀어올리고, 메인 아암(A3)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 웨이퍼(W)를 전달한 메인 아암(A3)은 처리 용기(2) 밖으로 후퇴한다. Next, the operation of the heat treatment apparatus as the substrate processing apparatus constituting the embodiment of the present invention will be described. First, the wafer W is carried into the processing container 2 by an external transfer arm, for example, the main arm A3 shown in Fig. At this point, the LED module 4 is off. When the wafer W held by the main arm A3 reaches the upper side of the light transmitting window 42, the lift pins 23 are lifted by the lifting mechanism 24 and the wafers W And the main arm A3 that has transferred the wafer W retreats out of the processing container 2. The main arm A3 transfers the wafer W from the main arm A3 to the main arm A3.

그리고 덮개부(22)를 하강시켜 도 3에 도시하는 것과 같이 덮개부(22)를 닫은 상태로 하여 처리 분위기를 형성함과 아울러 승강 핀(23)을 강하시켜, 웨이퍼(W)를 소정의 높이 예컨대, 광투과창(42)의 표면과 웨이퍼(W)의 하면과의 간극의 높이가 3 mm가 되는 높이에 위치시킨다. 이어서 LED 모듈(4)로부터 웨이퍼(W)의 흡수 파장 영역의 복사광인 적외광이 그 웨이퍼(W)를 향해서 조사되어, 웨이퍼(W)가 소정의 가열 처리 온도, 200℃~400℃, 예컨대 300℃로 가열된다. 따라서 본 실시형태에서는, 승강 핀(23)이 배치부에 상당한다. 또한, 예컨대 덮개부(22)를 하강시키고 나서 배기로(30)를 통해 처리 용기(2) 내의 배기를 개시한다. 이미 상술한 것과 같이 덮개부(22)를 닫은 상태에서는, 핀(51)의 존재에 의해 덮개부(22)와 하측 부재(25) 사이에 간극이 형성된다. 이 때문에, 처리 용기(2) 내부가 부압으로 되면 그 간극으로부터 주위의 분위기(공기)가 유입되어, 도 4에 도시하는 것과 같이 처리 용기(2) 내에서는, 외주에서 중앙 상부로 향하는 기류가 형성된다. 3, the lid portion 22 is closed to form a treatment atmosphere and the lift pins 23 are lowered to lower the wafer W to a predetermined height For example, the height of the gap between the surface of the light transmission window 42 and the lower surface of the wafer W is 3 mm. Infrared light which is radiation light in the absorption wavelength region of the wafer W from the LED module 4 is irradiated toward the wafer W so that the wafer W is heated at a predetermined heating treatment temperature of 200 to 400 DEG C, Lt; 0 > C. Therefore, in the present embodiment, the lifting pin 23 corresponds to the arrangement portion. Further, for example, after the lid part 22 is lowered, the exhaust in the processing container 2 is started through the exhaust path 30. [ A gap is formed between the lid portion 22 and the lower member 25 due to the presence of the pin 51 when the lid portion 22 is closed as described above. Therefore, when the inside of the processing container 2 becomes a negative pressure, the surrounding atmosphere (air) flows in from the gap, and as shown in Fig. 4, an air flow from the outer periphery to the central upper portion is formed do.

이 때 웨이퍼(W)의 도포막으로부터는, 예컨대 도포액 중에 포함되어 있었던 유기 성분이 승화하여 승화물이 되고, 생성물인 승화물은 처리 용기(2) 내에 형성된 기류를 타고 처리 용기(2)의 중앙 상부의 배기구(32)로 향해 흘러, 배기구(32)로부터 배기로(30)에 유입되고자 한다. 한편 처리 용기(2)의 천장면을 포함하는 내벽면에 형성된 열촉매층(5)은 히터(10)에 의해 열활성화되고 있기 때문에, 처리 용기(2)의 내벽면에 근접한 승화물은 열촉매층(5)의 열촉매 작용에 의해 분해된다. At this time, the organic component contained in the coating liquid sublimates and becomes a vaporized product from the coated film of the wafer W, for example, Flows toward the exhaust port 32 at the center upper portion and is to flow into the exhaust path 30 from the exhaust port 32. [ On the other hand, since the thermal catalyst layer 5 formed on the inner wall surface including the ceiling surface of the processing vessel 2 is thermally activated by the heater 10, the sublimate close to the inner wall surface of the processing vessel 2 is heat- 5). ≪ / RTI >

여기서 열촉매층(5)에 의한 웨이퍼(W)의 처리시에 생기는 생성물, 여기서는, 도포막으로부터 승화한 승화물의 분해에 관해서 설명한다. 열촉매층(5), 예컨대 Cr2O3를 가열하면 전자가 여기되어 강한 산화력을 갖는다. 이 열촉매층(5)에 유기성분인 승화물이 근접하면, 유기 성분은 산화되어 승화물 내에 라디칼이 생성된다. 그 후 생성된 라디칼은, 200~400℃에서 승화물 내부를 전파한다. 그리고 승화물은 라디칼에 의해 개열(開裂)을 일으켜 소분자화(小分子化)되고, 소분자로 된 승화물은, 처리 용기(2) 내의 분위기 중에 포함되는 산소와 결합하여, 이산화탄소와 물로 된다. Here, the decomposition of a product produced during the treatment of the wafer W by the thermal catalyst layer 5, here, the sublimation product sublimated from the coating film will be described. When the thermal catalyst layer 5, for example, Cr 2 O 3 is heated, electrons are excited to have a strong oxidizing power. When the thermal catalyst layer 5 is in close proximity to an organic component, the organic component is oxidized to generate radicals in the product. The resulting radicals then propagate in the sludge at 200-400 ° C. The sludge is converted into a small molecule by cleavage by radicals. The sludge in the form of small molecules is combined with the oxygen contained in the atmosphere in the processing vessel 2 to become carbon dioxide and water.

그 때문에 배기구(32)로부터 배기되는 처리 용기(2) 내의 분위기는, 열촉매층(5)의 촉매 작용에 의해 승화물이 분해된 후, 배기된다.  Therefore, the atmosphere in the processing vessel 2 exhausted from the exhaust port 32 is decomposed by the catalytic action of the thermal catalyst layer 5 and then exhausted.

가열 처리가 끝나면, 승강 핀(23)이 상승하여 웨이퍼(W)를 밀어올리고, 승강 핀(23)은 그대로 메인 아암(A3)과의 전달 높이 위치까지 상승한다. 그리고 메인 아암(A3)을 처리 용기(2) 내의 웨이퍼(W)의 전달 위치까지 진입시킨 후, 승강 핀(23)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 메인 아암(A3)에 전달한다. 웨이퍼(W)를 수취한 메인 아암(A3)은, 웨이퍼(W)를 유지한 채로 후퇴하여 웨이퍼(W)를 처리 용기(2) 밖으로 반출한다. When the heating process is completed, the lift pins 23 are lifted up to push up the wafer W, and the lift pins 23 are lifted up to the transfer height position with the main arm A3. After the main arm A3 is moved to the transfer position of the wafer W in the processing container 2, the lift pin 23 is lowered to transfer the wafer W to the main arm A3. The main arm A3 that has received the wafer W retreats while holding the wafer W to carry the wafer W out of the processing vessel 2. [

이와 같이 웨이퍼(W)로부터 승화된 승화물은 처리 용기(2) 내에 피복된 열촉매층(5)에 의해 분해된 후 배기되지만, 일부의 승화물은 웨이퍼(W)와 광투과창(42)과의 간극에 침입하여, 광투과창(42)의 표면에 부착된다. 그 때문에 도 5에 도시하는 것과 같이 광투과창(42)의 표면에 승화물(9)이 석출되어, LED 모듈(3)로부터 조사되는 광의 투과율이 나빠진다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 온도 불균일이 발생하여, 양호한 가열을 할 수 없게 되고, 또한, 승화물(9)이 파티클의 발생원이 될 우려가 있다. As described above, the vaporized material sublimated from the wafer W is decomposed and exhausted by the thermal catalyst layer 5 covered in the processing vessel 2, but a part of the vaporized object is decomposed by the wafer W and the light transmitting window 42 And is attached to the surface of the light transmission window 42. [ Therefore, as shown in Fig. 5, the ascending material 9 is deposited on the surface of the light transmitting window 42, and the transmittance of the light emitted from the LED module 3 is deteriorated. As a result, temperature unevenness of the wafer W occurs, which makes it impossible to perform good heating, and there is a fear that the charged object 9 becomes a generation source of particles.

따라서 예컨대 가열 처리 장치에서 미리 설정한 매수의 웨이퍼(W)의 처리를 끝낸 후, 광투과창(42)의 표면에 석출된 승화물(9)의 제거를 위한 클리닝 작업을 행한다. 이 클리닝 작업에 있어서는, 예컨대 직경 300 mm의 웨이퍼(W)의 이면을 열촉매층(5)에 의해 피복한 클리닝용 기판을 이용한다. 클리닝용 기판을 이용한 승화물의 제거에 관해서 설명하면, 우선 모드 선택부(99)에 의해 오퍼레이터가 메인터넌스 모드를 선택한다. 이 선택에 의해, 예컨대 도 1, 도 2에 도시하는 도포, 현상 장치의 캐리어 블록(B1)에 놓인 캐리어(C)로부터 반송 아암(103)에 의해 클리닝용 기판이 빼내어진다. 클리닝용 기판은 반송 아암(104), 선반 유닛(U7)을 통해 메인 아암(A3)에 전달되고, 또한 이 메인 아암(A3)에 의해 처리 용기(2) 내에 반입되어 승강 핀(23)에 전달된다.Therefore, for example, after the processing of the number of wafers W set in advance by the heat treatment apparatus is completed, the cleaning work for removal of the precipitate 9 deposited on the surface of the light transmission window 42 is performed. In this cleaning operation, for example, a cleaning substrate having a back surface of a wafer W having a diameter of 300 mm covered with a thermal catalyst layer 5 is used. Describing the removal of the sublimate using the cleaning substrate, the operator selects the maintenance mode by the mode selection unit 99 first. With this selection, the cleaning substrate is taken out from the carrier C placed on the carrier block B1 of the coating and developing apparatus shown in Figs. 1 and 2 by the carrier arm 103, for example. The cleaning substrate is transferred to the main arm A3 through the transfer arm 104 and the lathe unit U7 and is carried into the processing vessel 2 by the main arm A3 and transferred to the lift pins 23 do.

그 후, 도 6에 도시하는 것과 같이 승강 핀(23)을 하강시켜, 클리닝용 기판(6)을 돌기부(44) 그룹에 전달한다(배치한다). 그런 후, 배기로(30)로부터 배기를 개시함과 아울러, LED 모듈(3)을 온으로 하여, 클리닝용 기판(6)을 예컨대 300℃로 가열한다. 따라서 LED 모듈(4)은, 열촉매용 가열부와 기판 가열부를 겸용하고 있다고 말할 수 있다. 그러면 클리닝용 기판(6) 하면 측의 열촉매층(5)이 활성화되어, 광투과창(42)과 클리닝용 기판(6)과의 거리가 3 mm 정도로 가깝기 때문에, 광투과창(42)에 부착된 승화물(9)이 열촉매 작용에 의해 분해 제거된다. 승화물(9)의 분해 성분은 처리 용기(2) 내의 분위기와 함께 배기로(30)로부터 배기된다. Thereafter, the lift pins 23 are lowered to transfer the cleaning substrate 6 to the group of the protruding portions 44 (as shown in Fig. 6). Thereafter, exhausting is started from the exhaust path 30, and the LED module 3 is turned on, and the substrate 6 for cleaning is heated to, for example, 300 캜. Therefore, it can be said that the LED module 4 also serves as the heating portion for the thermal catalyst and the substrate heating portion. Since the thermal catalyst layer 5 on the bottom side of the cleaning substrate 6 is activated and the distance between the light transmitting window 42 and the cleaning substrate 6 is close to 3 mm, (9) is decomposed and removed by thermal catalysis. The decomposition component of the ascending vapor 9 is exhausted from the exhaust passage 30 together with the atmosphere in the processing vessel 2. [

또한, 클리닝용 기판(6)은 도포, 현상 장치 내의 보관부에 배치해 두어도 좋다. 보관부는 예컨대 선반 유닛(U7)의 일부를 이용하도록 하여도 좋다. Further, the cleaning substrate 6 may be disposed in a storage portion in a coating and developing apparatus. The storage unit may use a part of the shelf unit U7, for example.

제1 실시형태에서는, 처리 용기(2) 내에서 웨이퍼(W)를 가열 처리함에 있어서, 처리 용기(2)의 내면에 열촉매층(5)을 형성하여, 이 열촉매층(5)을 가열하고 있다. 이 때문에 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터 승화하여 처리 용기(2) 내에 받아들여진 승화물이 열촉매층(5) 근방에 도달했을 때에, 열촉매층(5)의 열활성화에 의해 분해 제거된다. 이 결과, 배기로(30)의 하류 측에 유입되는 승화물의 양이 적어지기 때문에, 배기로(30)에의 승화물의 부착량이 적어져, 메인터넌스 빈도를 적게 할 수 있는 동시에, 처리 용기(2) 내면에의 승화물의 석출이 억제되기 때문에, 파티클 오염을 저감할 수 있어, 처리 용기(2) 내의 청소의 빈도도 억제된다. In the first embodiment, in the heat treatment of the wafer W in the processing vessel 2, the thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of the processing vessel 2, and the thermal catalyst layer 5 is heated . Therefore, when the supernatant sublimated from the coating film on the wafer W and received in the processing vessel 2 reaches the vicinity of the thermal catalyst layer 5, it is decomposed and removed by the thermal activation of the thermal catalyst layer 5. As a result, the amount of the sublimate to be introduced into the exhaust passage 30 is reduced and the amount of the sublimate adhering to the exhaust passage 30 is reduced. Thus, the frequency of maintenance can be reduced, So that particle contamination can be reduced and the frequency of cleaning in the processing vessel 2 is also suppressed.

또한, 표면에 열촉매층(5)을 형성한 클리닝용 기판(6)을 처리 용기(2) 내에 반입하여 클리닝용 기판(6)을 가열함으로써, 광투과창(42)의 표면에 부착된 승화물(9)을 제거하고 있다. 그 때문에, 처리 용기(2)를 분해하여 내부를 클리닝하는 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있다. The cleaning substrate 6 carrying the thermal catalyst layer 5 on its surface is brought into the processing vessel 2 to heat the substrate 6 for cleaning, (9) is removed. Therefore, the maintenance frequency for cleaning the inside of the processing vessel 2 can be reduced.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

도 7 및 도 8은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하고 있다. 이 기판 처리 장치는 도 3에 도시한 가열 처리 장치에 있어서, 배기로(30)에 있어서의 처리 용기(2)의 상측에 위치하는 부위를, 그 부위보다 하류 측의 부위의 압력 손실보다 큰 압력 손실이 되도록 예컨대 미로 구조로 하여 구성되어 있다. 미로 구조로 구성된 부위에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 이 예에서는 하류 측의 부위란, 처리 용기(2)의 상측에 위치하는 부위보다도 하류 측의 배기로를 구성하는 배기관(34)에 상당한다. 미로 구조로 구성된 부위는 압력 손실 영역(압력 손실부)에 상당하며, 설명의 편의상, 배기로(300)로 하여 설명한다. Figs. 7 and 8 show a substrate processing apparatus according to the second embodiment. This substrate processing apparatus has a structure in which the upper portion of the processing vessel 2 in the exhaust path 30 in the heat treatment apparatus shown in Fig. 3 is set to a pressure higher than the pressure loss For example, a labyrinth structure. A thermocatalytic layer 5 is formed at a site constituted by a labyrinth structure. In this example, the portion on the downstream side corresponds to the exhaust pipe 34 constituting the exhaust passage on the downstream side of the portion located on the upper side of the processing container 2. The portion constituted by the labyrinth structure corresponds to the pressure loss region (pressure loss portion) and will be described as the exhaust passage 300 for convenience of explanation.

배기로(300)는 일단 측이 배기구(32)에 접속되고, 처리 용기(2)의 도면에서의 우측 주연부를 향해서 신장하는 하측 배기로(31)와, 하측 배기로(31)의 위쪽에 마련됨과 아울러 상기 하측 배기로(31)의 타단 측에 연통구(31a)를 통해 그 바닥면이 연통되는 상측 배기로(33)를 구비하고 있다. 상측 배기로(33)는, 처리 용기의 좌측 주연부로 향해서 좌우로 여러 번 굴곡되어, 소위 공장 배기(공장 내에 둘러쳐져 있는 배기 덕트)에 접속된 배기관(34)에 접속되어 있다. 그리고 이 하측 배기로(31) 및 상측 배기로(33) 각각의 내면에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 또한, 상측 배기로(33)와 처리 용기(2) 사이에는 전열 플레이트(36)가 마련되어, 처리 용기(2)에 마련된 히터(10)의 열을 전열하여, 열촉매층(5)을 예컨대 300℃로 가열하도록 구성되어 있다. 또한, 배기로(300)를 전용으로 가열하는 히터를 마련하여도 좋다. The exhaust path 300 is connected to the exhaust port 32 at one end and is provided at a lower side exhaust path 31 extending toward the right peripheral edge in the drawing of the processing container 2 and at the upper side of the lower exhaust path 31 And an upper exhaust passage 33 communicating with the bottom surface of the lower exhaust passage 31 through a communication hole 31a. The upper exhaust passage 33 is bent to the left and right several times toward the left peripheral edge of the processing container and connected to an exhaust pipe 34 connected to so-called factory exhaust (exhaust duct enclosed in the factory). A thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surfaces of the lower exhaust passage 31 and the upper exhaust passage 33, respectively. A heat transfer plate 36 is provided between the upper exhaust path 33 and the processing vessel 2 to transfer the heat of the heater 10 provided in the processing vessel 2 to the temperature of the heat catalyst layer 5, As shown in Fig. Further, a heater for heating the exhaust passage 300 may be provided.

제2 실시형태에서는, 처리 용기(2) 내의 분위기가 배기구(32)를 통해 배기로(300)에 유입되면, 그 배기로(300)에 흐르는 사이에 열촉매층(5)에 의해 승화물이 분해되어 배기된다. 또한, 배기로(300)는 유로가 굴곡되어 있어, 통상의 레이아웃으로 배기로가 형성되는 배기관, 즉 하류 측의 배기관(34)보다 압력 손실이 크기 때문에, 처리 용기(2) 내의 분위기인 배기류가 배기로(300)의 내벽에 충돌하는 정도가 크다. 이 때문에 배기류에 포함되는 승화물이 열촉매층(5)에 접촉하거나 또는 열촉매층(5) 근방에 위치하는 시간이 길어져, 승화물을 보다 확실하게 제거할 수 있고, 이 결과 배기관(34)에 있어서의 승화물의 부착량을 저감할 수 있어, 메인터넌스 빈도를 낮출 수 있다. In the second embodiment, when the atmosphere in the processing vessel 2 flows into the exhaust passage 300 through the exhaust port 32, the heated substances are disassembled by the thermal catalyst layer 5 while flowing through the exhaust passage 300 And exhausted. Since the exhaust passage 300 is curved in the flow path and has a pressure loss larger than that of the exhaust pipe 34 on the downstream side where the exhaust passage is formed in the normal layout, The amount of collision with the inner wall of the exhaust path 300 is large. This makes it possible to more reliably remove the ascorbic acid contained in the exhaust stream from contacting the thermal catalyst layer 5 or the time in which it is located in the vicinity of the thermal catalyst layer 5. As a result, It is possible to reduce the amount of deposition of the sublimate in the tank, and the maintenance frequency can be lowered.

압력 손실부인 배기로의 형상, 구조의 다른 예를 도 9에 도시한다. 도 9에 도시하는 압력 손실부인 배기로(301)는, 처리 용기(2)의 배기구(32)에 일단 측의 바닥면이 접속되고, 타단 측으로 직선형으로 신장되어 있다. 그리고 배기로(301)의 길이 방향에서 봤을 때, 우측의 벽부에서 좌측의 벽부를 향해서 신장하는 동시에 천장면에서 바닥면을 향해서 신장하는 포착판부(302)와, 좌측의 벽부에서 우측의 벽부를 향해서 신장하는 동시에 바닥면에서 천장면을 향해서 신장하는 포착판부(302)가 배기로(301)의 길이 방향으로 교대로 서로 나란히 복수 매 마련되어 있다. 배기로(301)의 내면 및 포착부(302)의 표면에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. Fig. 9 shows another example of the shape and structure of the exhaust passage which is the pressure loss portion. 9 is connected to a bottom surface on one end side of the exhaust path 301 of the processing container 2 and extends linearly toward the other end side. A trapping plate portion 302 which extends from the right wall portion toward the left wall portion and extends from the ceiling surface toward the bottom surface when viewed in the longitudinal direction of the exhaust path 301, And a plurality of catching plate portions 302 extending in the lengthwise direction of the exhaust passage 301 are provided in parallel to each other. A thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of the exhaust path 301 and on the surface of the trapping portion 302.

또한, 압력 손실부인 배기로에 관해서는, 도 10에 도시하는 것과 같이 배기구(32)에 일단 측의 바닥면을 접속하고, 외측으로 향해 나선형으로 둘러쳐지며, 외연부에서 배기관(34)에 접속되도록 구성한 배기로(303)라도 좋다. 이 경우, 예컨대 도 10에 도시하는 것과 같이 배기류가 흐르는 방향에 있어서 좌우의 측벽으로부터 포착판부(304)를 교대로 돌출시킨 구성이라도 좋다. 10, the bottom surface of the one end side is connected to the exhaust port 32 and is spirally surrounded toward the outside, and is connected to the exhaust pipe 34 at the outer edge portion And the exhaust passage 303 may be formed. In this case, for example, as shown in Fig. 10, the catch plate portion 304 may alternatively protrude from the right and left side walls in the direction in which the exhaust flow flows.

이와 같이 처리 용기(2)의 바로 하류 측에 압력 손실이 큰 배기로를 마련하여 이 배기로에 열촉매층(5)을 형성하는 것이 바람직하지만, 도 1에 도시하는 것과 같이 통상의 배기로(30)의 레이아웃을 따른 배기로(30)에 열촉매층(5)을 마련하여도 좋으며, 이 경우라도, 하류 측의 배기로에 있어서의 승화물의 부착이 억제되는 효과가 있다. 또한, 처리 용기(2)의 내벽에는 열촉매층(5)을 마련하지 않고서 배기로에 열촉매층(5)을 마련하는 구성이라도, 하류 측의 배기로에 있어서의 승화물의 부착이 억제되는 효과가 있다.  As described above, it is preferable to provide the exhaust passage with a large pressure loss on the downstream side of the processing container 2 to form the thermal catalyst layer 5 on the exhaust passage. However, as shown in Fig. 1, The thermal catalyst layer 5 may be provided in the exhaust passage 30 according to the layout of the exhaust passage 30. Even in this case, adherence of the sublimate in the exhaust passage on the downstream side is suppressed. Further, even when the thermal catalyst layer 5 is provided on the exhaust passage without providing the thermal catalyst layer 5 on the inner wall of the processing container 2, the effect of suppressing the attachment of the sublimate in the exhaust passage on the downstream side .

이상 설명한 실시형태에서는, 웨이퍼(W)를 가열하는 기판 가열부로서 LED 어레이(41)를 이용하고 있지만, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치판을 이루는, 히터에 의해 가열되는 가열판이라도 좋다. In the above-described embodiment, the LED array 41 is used as the substrate heating section for heating the wafer W, but may be a heating plate that is heated by the heater, which constitutes the arrangement plate on which the wafer W is placed.

[제3 실시형태][Third embodiment]

본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서, 웨이퍼(W)의 표면에 UV(자외선)를 조사하여 UV 처리하는 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 성막된 도포막의 표면을 평탄화하는 UV 처리 장치에 적용한 예를 설명한다. The substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention is an apparatus for irradiating a surface of a wafer W with UV (ultraviolet light) to perform UV treatment, for example, a UV processing apparatus for planarizing a surface of a coated film formed on a wafer W Will be described.

도포막으로서는 예컨대, 웨이퍼(W)의 패턴 상에 형성된 SOC막을 들 수 있다. SOC막의 원료로서는, 산소 함유 분위기 하에서 자외선을 조사함으로써 발생하는 활성 산소나 오존과 반응하여 분해되는 탄소 화합물을 포함하는 유기막 원료, 예컨대 폴리에틸렌 구조((-CH2-)n)의 골격을 갖는 폴리머 원료를 용매에 용해시킨 액체가 이용된다. Examples of the coating film include an SOC film formed on the pattern of the wafer W. [ As the raw material of the SOC film, an organic film raw material including a carbon compound decomposing by reacting with active oxygen or ozone generated by irradiation with ultraviolet rays in an oxygen containing atmosphere, for example, a polymer having a skeleton of a polyethylene structure ((-CH 2 -) n ) A liquid in which a raw material is dissolved in a solvent is used.

UV 처리 장치는, 도 11에 도시하는 것과 같이 편평하며 앞뒤 방향으로 가늘고 긴 직방체 형상의 하우징(70)을 구비하고, 하우징(70)의 전방 측의 측벽면에는 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입출구(71)와, 이 반입출구(71)를 개폐하는 셔터(72)가 마련되어 있다. The UV treatment apparatus is provided with a housing 70 having a rectangular parallelepiped shape which is flat and flat in the front and back direction as shown in Fig. 11, and a wafer W is placed in a sidewall on the front side of the housing 70 An outlet 71 and a shutter 72 for opening and closing the loading / unloading opening 71 are provided.

하우징(70)의 내부는, 반입출구(71)에서 봤을 때 앞쪽에 있어서의, 구획판(73)의 상측 공간에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(74)이 마련되어 있다. 반송 아암(74)에는, 도시하지 않는 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 앞쪽의 위치와, 후술하는 배치대(81)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 안쪽의 위치 사이를 전후 방향으로 이동하기 위한 도시되지 않는 이동 기구가 마련되어 있다. 반송 아암(74)은, 처리 후의 웨이퍼(W)를 냉각하는 쿨링 아암으로서의 역할도 한다. A transfer arm 74 for transferring the wafer W is provided inside the housing 70 in a space above the partition plate 73 in front of the transfer port 71. The transfer arm 74 is provided with an inner position for transferring the wafer W between a forward position for transferring the wafer W between the transfer arm 74 and an external transfer arm (not shown) (Not shown) for moving in the front-rear direction. The transfer arm 74 also serves as a cooling arm for cooling the processed wafer W.

외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 앞쪽의 위치에는, 외부의 반송 아암과 반송 아암(74) 사이의 웨이퍼(W) 전달시에, 그 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하는 승강 핀(75)이 마련되어 있다. 승강 핀(75)은, 구획판(73)의 하측 공간에 배치된 승강 기구(76)에 접속되며, 반송 아암(74)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면보다 하측의 위치와, 상기 배치면보다 상측이며 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 위치와의 사이를 승강할 수 있다. The wafer W is temporarily held at the front position for transferring the wafer W between the transfer arm and the transfer arm 74 at the time of transferring the wafer W between the transfer arm and the transfer arm 74. [ A lift pin 75 is provided. The lift pin 75 is connected to the lifting mechanism 76 disposed in the lower space of the partition plate 73 and has a position lower than the placement surface of the wafer W on the transfer arm 74, And a position for transferring the wafer W between itself and the transfer arm on the upper side.

반송 아암(74)이 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 위치의 후방 측에는 웨이퍼(W)의 배치대(81)가 배치되어 있다. 배치대(81)의 내부에는 히터(82)가 매립되어 있으며, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열부로서의 기능도 갖는다.  On the rear side of the position where the transfer arm 74 transfers the wafer W between the transfer arm 74 and the external transfer arm, a placement table 81 for the wafer W is disposed. A heater 82 is embedded in the placement table 81 and has a function as a heating unit for heating the wafer W. [

배치대(81)의 하측에는, 반송 아암(74)과의 사이에서의 웨이퍼(W) 전달시에, 그 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하는 승강 핀(83)이 마련되어 있다. 도 5에 도시하는 것과 같이 배치대(81)에는, 승강 핀(83)을 관통시키기 위한 관통 구멍(84)이 형성되어 있다. A lifting pin 83 for temporarily supporting the wafer W is provided below the placing table 81 when the wafer W is transferred with the transfer arm 74. [ As shown in Fig. 5, the placement table 81 is provided with a through hole 84 for allowing the lift pins 83 to pass therethrough.

승강 핀(83)은 승강 기구(85)에 접속되며, 배치대(81)의 상측까지 이동한 반송 아암(74)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면의 하측 위치와, 상기 배치면의 상측 위치 사이를 승강함으로써, 반송 아암(74)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하여, 배치대(81)에 배치한다. 또한, 승강 핀(83)은, 제1 실시형태에서 설명한 클리닝용 기판(6)을 지지했을 때에, 클리닝용 기판(6)의 상면과, 천장면(자세하게는 후술하는 UV 투과부(93)의 하면)과의 사이의 높이 치수가, 수 mm~십수 mm 범위 내 예컨대 3 mm가 되는 높이까지 상승할 수 있게 구성되어 있다.  The lifting pin 83 is connected to the lifting mechanism 85 and is disposed at a position below the placement surface of the wafer W in the transfer arm 74 moved to the upper side of the placement table 81, The wafer W is transferred between the transfer arm 74 and the transfer arm 74, When the cleaning substrate 6 described in the first embodiment is supported, the lifting pin 83 is lifted up from the upper surface of the cleaning substrate 6 and the upper surface of the cleaning surface (specifically, the lower surface of the UV transmitting portion 93 ) Can be raised to a height of, for example, 3 mm within a range of several mm to several tens mm.

배치대(81)의 상측에는, 배치대(81)에 배치된 웨이퍼(W)에 UV광을 조사하기 위한 광원부가 되는 UV 램프(92)를 수용한 램프실(91)이 마련되어 있다. 램프실(91)의 하면은, UV 램프(92)로부터 조사된 UV광을 웨이퍼(W)를 향해서 투과시키는 광투과창인 UV 투과부(93)가 마련되어 있다. UV 투과부(93)는 예컨대 UV광을 투과하는 석영판 등에 의해 구성된다. A lamp chamber 91 accommodating a UV lamp 92 serving as a light source portion for irradiating UV light to the wafer W placed on the placement table 81 is provided on the placement table 81. The lower surface of the lamp chamber 91 is provided with a UV transmitting portion 93 which is a light transmitting window for transmitting the UV light emitted from the UV lamp 92 toward the wafer W. [ The UV transmitting portion 93 is constituted by, for example, a quartz plate or the like which transmits UV light.

또한, 램프실(91) 아래쪽의 측벽에는, 하우징(70) 내에 청정 공기를 공급하기 위한 가스 공급부(94)와, 하우징(70) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(95)가 상호 대향하게 형성되어 있다. 배기구(95)에는 배기관(96)을 통해 배기 기구(97)가 접속되어 있다. A gas supply portion 94 for supplying clean air into the housing 70 and an exhaust port 95 for exhausting the atmosphere in the housing 70 are formed on the side wall below the lamp chamber 91 so as to face each other have. An exhaust mechanism 97 is connected to the exhaust port 95 through an exhaust pipe 96.

또한, UV 처리 장치에도 가열 처리 장치와 마찬가지로 제어부(100)가 접속되어 있다. In addition, the control unit 100 is connected to the UV processing apparatus in the same manner as the heating processing apparatus.

이 UV 처리 장치에 있어서는, 표면에 SOC막이 도포된 웨이퍼(W)가 외부의 기판 반송 기구와 승강 핀(75)과의 협동 작용에 의해 반송 아암(74)에 전달된다. 이어서 반송 아암(74)을 배치대(81)의 상측까지 이동하여 정지하면, 승강 핀(83)을 상승시켜 반송 아암(74)으로부터 승강 핀(83)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후 승강 핀(83)을 강하시켜 배치대(81)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 그리고 가스 공급부(94)로부터 가스를 공급함과 아울러 배기구(95)로부터 배기를 개시한다. In this UV treatment apparatus, the wafer W coated with the SOC film on its surface is transferred to the transfer arm 74 by the cooperative action of the external substrate transport mechanism and the lift pins 75. When the transfer arm 74 is moved to the upper side of the placement table 81 and stops, the lift pins 83 are lifted to transfer the wafer W from the transfer arm 74 to the lift pins 83. Thereafter, the lift pins 83 are lowered to place the wafers W on the placement table 81. Then, the gas is supplied from the gas supply part 94 and the exhaust is started from the exhaust port 95.

그 후 웨이퍼(W)를 예컨대 250℃로 가열하고, UV 램프(72)를 점등하여 UV광을 조사한다. 조사된 UV광에 의해서, 웨이퍼(W) 위쪽의 청정 공기(산소 포함 분위기) 중의 산소로부터 활성 산소나 오존이 발생한다. 이들 활성 산소와 오존에 의해서, SOC막의 표면(SOC막의 일부)이 분해되어 제거되어, 소위 에치백이 실행된다. Thereafter, the wafer W is heated to 250 DEG C, for example, and the UV lamp 72 is turned on to irradiate UV light. The irradiated UV light causes active oxygen and ozone to be generated from the oxygen in the clean air (oxygen-containing atmosphere) above the wafer W. The surface of the SOC film (a part of the SOC film) is decomposed and removed by these active oxygen and ozone, so-called etchback is performed.

이러한 웨이퍼(W)에 UV를 조사하여 SOC막을 평탄화함에 있어서, 도 12에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)를 가열 처리했을 때에, 웨이퍼(W)로부터 승화한 승화물이 UV 투과부(93)의 하면에 부착하는 경우가 있으며, UV 투과부(93)에 승화물(9)이 부착되어 버리면 투과율이 떨어져, 양호한 UV 처리를 행할 수 없게 된다. 그래서 예컨대 미리 설정한 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후, 표면 및 이면 중 적어도 표면의 전면에 걸쳐 열촉매층(5)을 형성한 클리닝용 기판(6)을 이용하여 승화물(9)을 제거한다. In order to planarize the SOC film by irradiating the wafer W with UV light, when the wafer W is subjected to heat treatment as shown in Fig. 12, the sublimate sublimated from the wafer W is irradiated to the UV transmitting portion 93 And if the ascending material 9 is adhered to the UV transmitting portion 93, the transmittance is decreased and it becomes impossible to perform good UV treatment. Thus, for example, after the predetermined number of wafers W are processed, the wafers W are removed using the cleaning substrate 6 having the thermal catalyst layer 5 formed on at least the entire surface of the front and back surfaces thereof do.

예컨대 웨이퍼(W)와 같은 공정에 의해, 도 13에 도시하는 것과 같이 클리닝용 기판(6)을 배치대(81)에 배치한다. 그 후, 배치대(81)에 의해 클리닝용 기판(6)(열촉매층(5))을 200~400℃ 예컨대 300℃로 가열한다. 이어서 도 14에 도시하는 것과 같이 승강 핀(83)을 상승시켜, 클리닝용 기판(6)을 UV 투과부(93)와의 사이의 높이 치수가 수 mm~십수 mm의 범위 내, 예컨대 3 mm가 되는 높이까지 상승시킨다. 이 때 배치대(81)에 의한 가열을 계속하여, 클리닝용 기판(6)의 온도를 300℃로 유지한다. 또한, 가스 공급부(94)에 의해 청정 공기를 공급함과 아울러 배기구(95)로부터 배기를 개시한다. 이 결과 열촉매층(5)의 작용에 의해, UV 투과부(93)의 하면에 부착된 승화물(9)이 분해되고, 분해된 승화물(9)은 분위기와 함께 배기구(95)로부터 배기된다. The cleaning substrate 6 is placed on the stage 81 by the same process as the wafer W, for example, as shown in Fig. Thereafter, the substrate 6 for cleaning (the thermal catalyst layer 5) is heated to 200 to 400 캜, for example, 300 캜 by the placement stand 81. 14, the lift pins 83 are raised so that the height of the cleaning substrate 6 in the range of several mm to several tens mm, for example, 3 mm, between the UV transmitting portion 93 and the cleaning substrate 6 . At this time, heating by the placement table 81 is continued to maintain the temperature of the cleaning substrate 6 at 300 캜. In addition, clean air is supplied by the gas supply unit 94, and exhaust is started from the exhaust port 95. As a result, the action of the thermal catalyst layer 5 decomposes the ascending material 9 attached to the lower surface of the UV transmitting portion 93, and the decomposed ascending material 9 is exhausted from the exhaust port 95 together with the atmosphere.

제3 실시형태에 따르면, 클리닝용 기판(6)을 가열함으로써, UV 투과부(93)의 표면에 부착된 승화물(9)을 제거하고 있다. 따라서 UV의 투과가 나빠짐에 따른 UV 처리에의 악영향을 억제할 수 있고, 또한 처리 용기(2)를 분해하여 내부의 클리닝을 행하는 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있는 효과가 있다. According to the third embodiment, the heating substrate 6 is heated to remove the ascending material 9 adhering to the surface of the UV transmitting portion 93. Therefore, it is possible to suppress the adverse effect on the UV treatment due to the poor transmission of UV, and also to reduce the frequency of maintenance for disassembling the processing container 2 to perform internal cleaning.

제3 실시형태에서도, 배기관(96)에 열촉매층을 형성하여 하류 측의 배기로에 승화물이 석출되는 것을 억제하도록 하여도 좋으며, 이 경우, 배기관(96)을 제2 실시형태와 같이 압력 손실이 큰 구조로 하여도 좋다.  In the third embodiment as well, a thermal catalyst layer may be formed in the exhaust pipe 96 so as to suppress precipitation of the sublimate in the exhaust passage on the downstream side. In this case, This structure may be large.

또한, 배치대(81)를 승강이 자유롭게 구성하여, 배치대(81)를 상승시켜, 제거용 기판을 UV 투과부(93)의 하면에 가까이 하도록 하여도 좋다, 이 예에서는 클리닝용 기판(6)의 적어도 표면 측이 열촉매층(5)에 의해 피복되어 있으면 되지만, 표면 및 이면 양면에 피복되어 있어도 좋다.  The placing table 81 may be freely elevated and raised so that the placing table 81 is raised so that the removing substrate is brought close to the lower surface of the UV transmitting portion 93. In this example, At least the surface side thereof may be covered with the thermal catalyst layer 5, but it may be coated on both the front surface and the back surface.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 가열하는 장치에 한하지 않고, 예컨대 처리 가스에 의해 기판을 에칭하는 장치라도 좋다.  The substrate processing apparatus of the present invention is not limited to the apparatus for heating the substrate, but may be an apparatus for etching the substrate by, for example, a process gas.

열촉매층에 이용되는 재료의 예로서는 이하의 화학식으로 표시되는 물질이라도 좋다. BeO(산화베릴륨), MgO(산화마그네슘), CaO(산화칼슘), SrO(산화스트론튬), BaO(산화바륨), CeO2(산화세륨), TiO2(산화티탄), ZrO2(이산화지르코늄), V2O5(오산화이바나듐), Y2O3(산화이트륨), Y2O2S(Yttrium oxide sulfide), Nb2O5(오산화이니오븀), Ta2O5(오산화이탄탈), MoO3(몰리브덴트리옥사이드), WO3(텅스텐트리옥사이드), MnO2(이산화망간), Fe2O3(삼산화이철), Fe3O4(사산화삼철), MgFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, ZnCo2O4, ZnO(산화아연), CdO(산화카드뮴), MgAl2O4, ZnAl2O4, Tl2O3(산화탈륨), In2O3(산화인듐), SnO2(이산화주석), PbO2(이산화연), UO2(이산화우라늄), Cr2O3(삼산화이크롬), MgCr2O4, FeCrO4, CoCrO4, ZnCr2O4, WO2(산화텅스텐), MnO(산화망간), Mn3O4(사산화삼망간), Mn2O3(삼산화이망간), FeO(산화철), NiO(산화니켈), CoO(산화코발트), Co3O4(사산화삼코발트), PdO(산화팔라듐), CuO(산화구리), Cu2O(산화이구리), Ag2O(산화은), CoAl2O4, NiAl2O4, Ti2O(산화티탄), GeO(산화게르마늄), PbO(산화납), TiO(산화티탄), Ti2O3(삼산화이티탄), VO(산화바나듐), MoO2(이산화몰리브덴), IrO2(이산화이리듐), RuO2(산화루테늄). 또한, 이들의 열촉매체는 200℃ 이상, 보다 바람직하게는 300℃ 이상의 온도로 가열하는 것이 바람직하다. The material used for the thermal catalyst layer may be a material represented by the following chemical formula. BeO (beryllium oxide), MgO (magnesium oxide), CaO (calcium oxide), SrO (strontium oxide), BaO (barium oxide), CeO 2 (cerium oxide), TiO 2 (titanium oxide), ZrO 2 (zirconium dioxide) , V 2 O 5 (diphosphorus pentoxide vanadium), Y 2 O 3 (yttrium oxide), Y 2 O 2 S ( yttrium oxide sulfide), Nb 2 O 5 ( diphosphorus pentoxide and niobium), Ta 2 O 5 (diphosphorus pentoxide, tantalum), MoO 3 (Molybdenum trioxide), WO 3 (tungsten trioxide), MnO 2 (manganese dioxide), Fe 2 O 3 (ferric trioxide), Fe 3 O 4 (iron tetroxide), MgFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , ZnFe 2 O 4, ZnCo 2 O 4, ZnO ( zinc oxide), CdO (cadmium oxide), MgAl 2 O 4, ZnAl 2 O 4, Tl 2 O 3 ( oxidation thallium), In 2 O 3 (indium oxide), SnO 2 (Tin oxide), PbO 2 (dioxide dioxide), UO 2 (uranium dioxide), Cr 2 O 3 (chromium trioxide), MgCr 2 O 4 , FeCrO 4 , CoCrO 4 , ZnCr 2 O 4 , WO 2 , MnO (manganese oxide), Mn 3 O 4 (sasanhwasam Mn), Mn 2 O 3 (diantimony manganese), FeO (iron oxide), NiO (nickel oxide), CoO (cobalt oxide), Co 3 O 4 (dinitrogen Three cobalt), PdO (palladium oxide), CuO (copper oxide), Cu 2 O (sanhwayi copper), Ag 2 O (silver oxide), CoAl 2 O 4, NiAl 2 O 4, Ti 2 O ( titanium oxide), GeO (germanium oxide), PbO (lead oxide), TiO (titanium oxide), Ti 2 O 3 (diantimony titanium), VO (vanadium oxide), MoO 2 (dioxide molybdenum), IrO 2 (iridium dioxide), RuO 2 (oxidation ruthenium). It is also preferable that these heat catalysts are heated to a temperature of 200 ° C or higher, more preferably 300 ° C or higher.

또한, 열촉매체를 처리 용기의 내면 또는 배기관의 내면에 마련함에 있어서는, 예컨대 열촉매체를 판형으로 성형한 성형체를 설치하도록 하여도 좋다. 또한, 메인터넌스용 기판은 열촉매체로 이루어지는 판형체라도 좋다. Further, in the case of providing the thermal catalyst body on the inner surface of the processing vessel or the inner surface of the exhaust tube, for example, a molded body obtained by molding a thermal catalyst body into a plate shape may be provided. Further, the substrate for maintenance may be a plate-shaped member made of a thermal catalyst.

또한, 이들 재료를 열촉매층(5)에 이용함으로써 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, ABS 수지, 에폭시 수지, 페놀 잔사, 벤젠, 톨루엔, 휘발성 유기 탄소 등을 분해할 수 있다. Polyethylene terephthalate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, epoxy resin, phenol residue, benzene, toluene, volatile organic carbon and the like can be decomposed by using these materials in the thermal catalyst layer 5.

또한, 처리 용기 또는 배기관의 내면에 열촉매층을 피복함에 있어서, 열촉매층을 가열하는 가열부와 함께 열촉매층을 냉각하는 냉각 기구를 마련하여도 좋다. 예컨대 처리 용기의 벽내 또는 배기관의 주위에 냉각 배관을 매설하여, 냉각 배관의 내부에 예컨대 칠러에 의해 냉각된 냉각수를 통류시킨 구성을 들 수 있다. 이러한 구성에 있어서는, 예컨대 냉각 기구에 의해 열촉매층을 냉각하여, 처리 용기 내의 분위기 또는 배기관을 통류하는 배기에 포함되는 유기 성분을 열촉매층의 표면에 석출시킨다. 그 후 가열 기구에 의해 열촉매층을 가열하여, 승화물을 분해하여 제거한다. 이러한 수법에 따르면, 열촉매층을 냉각하여 분위기나 배기 중에 포함되는 유기 성분을 적극적으로 포집할 수 있으므로, 포집 효율이 올라, 열촉매층을 가열하여, 유기 성분을 제거했을 때보다 많은 승화물을 제거할 수 있다. 따라서 배기관의 하류 측에 흐르는 유기 성분의 양을 보다 억제할 수 있다. In coating the thermal catalyst layer on the inner surface of the processing vessel or the exhaust pipe, a cooling mechanism for cooling the thermal catalyst layer may be provided together with a heating section for heating the thermal catalyst layer. For example, a structure in which a cooling pipe is buried in a wall of a processing vessel or around an exhaust pipe, and cooling water cooled by, for example, chiller is passed through the inside of the cooling pipe. In this configuration, the thermal catalyst layer is cooled, for example, by a cooling mechanism to deposit the organic component contained in the exhaust gas flowing through the atmosphere in the processing vessel or the exhaust pipe on the surface of the thermal catalyst layer. Thereafter, the thermal catalyst layer is heated by a heating mechanism to decompose and remove the vaporized product. According to this method, since the heat catalyst layer is cooled to positively collect the organic components contained in the atmosphere and the exhaust gas, the collection efficiency is increased, and the heat catalyst layer is heated to remove more components than when the organic component is removed . Therefore, the amount of the organic component flowing on the downstream side of the exhaust pipe can be further suppressed.

[제4 실시형태][Fourth Embodiment]

이하에 설명하는 제4~제6 실시형태는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 가열 처리 장치에 적용한 예를 나타낸다. The fourth to sixth embodiments described below show an example in which the substrate processing apparatus according to the present invention is applied to a heat treatment apparatus.

본 발명은, 다공질의 열촉매체(열촉매 물질)를 배기로에 배치하여 그 열촉매체 속에 배기류를 통과시키도록 하여도 좋으며, 본 발명의 제4 실시형태는 이러한 수법을 채용한 가열 처리 장치의 구성예이다. 도 15 및 도 16에 도시하는 예는, 이미 상술한 도 7에 도시한 가열 처리 장치에 있어서의 배기로(300)를 포함하는 구조 부위 대신에, 다공질의 열촉매를 블록형으로 형성한 성형체인 블록체(322)를 포함하는 구조체(310)를 구비하고 있다. In the present invention, a porous heat catalyzer (thermo catalytic material) may be disposed in an exhaust passage and an exhaust flow may be passed through the heat catalyst. In a fourth embodiment of the present invention, a heat treatment Fig. The examples shown in Figs. 15 and 16 are the same as those shown in Fig. 7 except that, instead of the structural part including the exhaust path 300 in the heat treatment apparatus shown in Fig. 7, And a structure 310 including a block body 322.

구조체(310)는, 덮개부(22)에 형성된 배기구(32)에 일단이 접속된 배기로(312)를 포함하는 본체 부분(311)과, 상기 배기로(312)의 타단 측에 형성된 배기 포트(313)로부터 상기 배기로(312) 내에 삽입되는 카트리지(320)를 구비하고 있다. The structure 310 includes a main body portion 311 including an exhaust passage 312 having one end connected to an exhaust port 32 formed in the lid portion 22 and an exhaust port 321 formed at the other end side of the exhaust passage 312. [ (320) inserted into the exhaust passage (312) from the exhaust port (313).

카트리지(320)는, 케이스체(321)와, 다공질의 열촉매체인 블록체(322)를 구비하고 있다. 케이스체(321)는 블록체(322)를 유지하는 유지체이며, 배기로(312)의 상류 측에서 하류 측으로 향해 신장하는 상면이 개구된 개략 박스형으로 형성되어 있다. 케이스체(321)는, 카트리지(320)를 배기로(312)에 삽입했을 때에 배기로(312)의 벽면과 카트리지(320) 사이가 카트리지(320)의 착탈을 방해하지 않을 정도의 극히 좁은 간극이 형성되도록 만들어져 있다. 또한, 케이스체(321)의 길이 방향 일단 측의 바닥면에는, 배기구(32)에 대응하는 위치에 구멍부(323)가 형성되어 있다. 또한, 케이스체(320)의 길이 방향의 타단 측은, 측면이 개방됨과 아울러 카트리지(320)를 배기로(312)로부터 인출하기 위한 수평 돌기(324)가 케이스체(321)의 바닥면으로부터 연장되어 형성되어 있다. The cartridge 320 includes a housing body 321 and a block body 322 as a porous heat catalyst. The case body 321 is a holding body for holding the block body 322 and is formed in a substantially box shape with an open top surface extending from the upstream side to the downstream side of the exhaust path 312. The case body 321 has an extremely narrow clearance such that the space between the wall surface of the exhaust passage 312 and the cartridge 320 does not interfere with the attachment / detachment of the cartridge 320 when the cartridge 320 is inserted into the exhaust passage 312 Is formed. A hole 323 is formed in the bottom surface of the case body 321 at one end in the longitudinal direction thereof at a position corresponding to the air outlet 32. The other end in the longitudinal direction of the case body 320 has a side opened and a horizontal protrusion 324 for withdrawing the cartridge 320 from the exhaust path 312 from the bottom surface of the case body 321 Respectively.

블록체(322)는, 예컨대 세라믹으로 구성된 다공질체의 촉매 담지체인 필터에 열촉매 물질을 부착시켜 구성되고, 케이스체(321)에 들어가는 각주형으로 형성되어 있다. 그리고 도 16에 도시하는 것과 같이 블록체(322)를 케이스체(321)에 삽입하여 구성된 카트리지(320)는 배기 포트(313)로부터 배기로(312)에 삽입된다. 배기 포트(313)는, 공장 용력(工場用力)에 접속된 도시하지 않는 덕트에 접속된다. The block body 322 is formed by attaching a thermal catalyst material to a filter which is a catalyst support of a porous body made of, for example, ceramic, and is formed into a prism shape to enter the case body 321. 16, the cartridge 320 constructed by inserting the block body 322 into the case body 321 is inserted into the exhaust passage 312 from the exhaust port 313. [ The exhaust port 313 is connected to a duct (not shown) connected to a factory power (factory power).

이 예의 가열 처리 장치에 있어서는, 예컨대 덮개(22)에 마련된 히터(10)가 본체 부분(311)을 통해, 배기로(312) 내의 블록체(322)를 가열하여, 열촉매체가 활성화된다. 또한, 본체 부분(311)에 히터를 마련하여, 이 히터에 의해 블록체(322)를 가열하여도 좋다. 그리고 처리 용기(2) 내의 분위기를 배기하면, 배기류는 배기로(312)를 흐를 때에 블록체(322)를 구성하는 다공질체의 공극을 통과하여, 덕트를 통해 배기된다. In the heat treatment apparatus of this example, for example, the heater 10 provided in the lid 22 heats the block body 322 in the exhaust passage 312 through the body portion 311, and the thermal catalyst is activated. A heater may be provided in the body portion 311, and the block body 322 may be heated by the heater. When the atmosphere in the processing container 2 is evacuated, the exhaust flow passes through the air gap of the porous body constituting the block body 322 and flows out through the duct when flowing through the exhaust path 312.

이와 같이 다공질체의 블록체(322)를 배기로(312)를 막도록 배치하여, 배기류를 블록체(322) 내의 공극을 통과시킴으로써, 배기류에 포함되는 승화물이 접촉하는 열촉매체의 면적이 커져, 배기 중인 승화물의 분해 효율이 좋아진다. The block body 322 of the porous body is arranged so as to block the exhaust passage 312 and the exhaust flow is allowed to pass through the voids in the block body 322 so that the temperature of the heat catalyst body The area becomes large, and the decomposition efficiency of the sublimate during exhaust is improved.

그리고 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리마다 또는 가열 처리 장치의 소정의 가동 시간마다 덕트로부터 배기 포트(313)를 분리하고, 배기로(312)에서 카트리지(320)를 빼내, 블록체(322)를 새로운 블록체(322)와 교환한다.  For example, the exhaust port 313 is separated from the duct every processing of the predetermined number of wafers W, or the predetermined operation time of the heat treatment apparatus, the cartridge 320 is taken out from the exhaust path 312, Is exchanged with a new block body 322.

가열 처리 장치에 있어서, 가열 처리하고 있으면, 배기에 포함되는 난분해성의 물질이 블록체(322)의 공극에 가득 차, 배기 유량이 저하할 우려가 있지만, 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치에 의하면, 배기로(312)로부터 블록체(322)를 신속하게 빼내어 간단히 교환할 수 있다. 이 때문에 메인터넌스를 간단히 행할 수 있어, 메인터넌스에 따른 장치의 운전 중단 시간(다운타임)의 단축화를 도모할 수 있다. In the heat treatment apparatus, if heat treatment is performed, there is a possibility that the refractory material contained in the exhaust gas is filled in the voids of the block body 322 and the exhaust flow rate is lowered. However, in the heat treatment apparatus according to the fourth embodiment The block body 322 can be quickly removed from the exhaust passage 312 and can be simply exchanged. Therefore, the maintenance can be performed easily, and the operation interruption time (downtime) of the apparatus due to the maintenance can be shortened.

또한, 블록체(322) 대신에 예컨대 입자상의 세라믹 볼의 표면에 열촉매체를 부착시켜, 케이스체(321)의 간극을 메우도록 충전하게 하여도 좋다. 열촉매체가 마련되는 기질을 입자형으로 한 경우에도 표면적이 커지기 때문에 동일한 효과가 있다. Instead of the block member 322, a thermal catalyst may be attached to the surface of the ceramic ball, for example, so as to fill the gap of the case member 321. Even when the substrate on which the thermal catalyst is provided is in the form of a particle, the surface area becomes large, which is the same effect.

또한, 배기로(312)의 내부에 블록체(322)를 마련함에 있어서, 블록체(322)를 배기로(312)의 상류 측(배기구(32) 측)에 배치되는 부위에서부터 하류 측(덕트 측)에 배치되는 부위를 향하여, 블록체(322)의 구성 재료인 세라믹의 밀도가 높아지도록(상류 측일수록 공극율이 높아지도록) 형성하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써 블록체(322)를 배기가 통과할 때의 압력 손실이 작아지기 때문에, 배기로(312)를 배기류가 원활하게 흘러, 소요의 배기 유량을 용이하게 확보할 수 있다. When the block member 322 is provided inside the exhaust passage 312 from the portion disposed on the upstream side (the exhaust port 32 side) of the exhaust passage 312 to the downstream side The porosity of the block body 322 may be increased so that the density of ceramics as the constituent material of the block body 322 increases (the porosity increases toward the upstream side). With this configuration, since the pressure loss when the exhaust gas passes through the block body 322 becomes small, the exhaust flow smoothly flows through the exhaust passage 312, and a desired exhaust flow rate can be easily secured.

또한, 열촉매용 가열부는 블록체(322)의 내부에 매설되어도 좋다. 예컨대 도 17에 도시하는 것과 같이 블록체(322)의 내부에 길이 방향으로 여러 번 굴곡되는 히터(325)를 마련하는 구성을 예로 들 수 있다.  The heating portion for the thermal catalyst may be buried in the block member 322. For example, as shown in Fig. 17, a structure may be exemplified in which a heater 325 is provided inside the block body 322 to be bent several times in the longitudinal direction.

[제5 실시형태][Fifth Embodiment]

또한, 복수의 가열 처리 장치의 개개의 배기로를 공통의 배기로인 집합 덕트에 접속하여 배기하도록 구성한 기판 처리 장치에 대하여 본 발명을 적용한 실시형태에 관해서 도 18을 이용하여 설명한다. 도 18에서는, 가열 처리 장치(1)에 접속된 300은 가열 처리 장치(1)의 개별의 배기로를, 330은 공통의 집합 덕트를 나타내고, 집합 덕트(330)의 하류 측은 공장 용력에 접속되어 있다. 그리고 이 실시형태에서는, 집합 덕트(330)에 도 18에 도시하는 것과 같은 열촉매 물질을 구비한 열촉매 유닛(340)을 착탈이 자유롭게 마련하고 있다. An embodiment in which the present invention is applied to a substrate processing apparatus configured to connect individual exhaust paths of a plurality of heat treatment apparatuses to exhaust ducts connected to a common exhaust path will be described with reference to Fig. In Fig. 18, 300 connected to the heat treatment apparatus 1 represent individual exhaust passages of the heat treatment apparatus 1, 330 represents a common collective duct, and the downstream side of the collective duct 330 is connected to a factory power have. In this embodiment, the heat collecting duct 330 is provided with a heat catalytic unit 340 having a heat catalytic material as shown in Fig. 18 so as to be removable.

열촉매 유닛(340)은, 예컨대 도 18의 종단면도에 도시하는 것과 같이 단면 형상이 집합 덕트(330)의 단면 형상에 대응하는 관로(332)를 구비하고, 관로(332)의 양끝에 형성된 플랜지(331)와 집합 덕트(330) 측의 플랜지를 통해, 집합 덕트(330)에 착탈이 자유롭게 접속되어 있다. 관로(332)의 내부에는 다공질의 열촉매체의 블록체(341)가 고정되고, 관로(332)의 외면은, 블록체(341)를 가열하기 위한 히터(342)가 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있다. 또한, 히터(342)의 주위는 단열재(343)로 덮이고, 또한 단열재(343)의 외측이 커버(344)로 덮여 있다. 또한, 커버(344)와 히터(342) 사이에 단열재(343)를 마련하는 대신에, 커버(344)와 히터(343) 사이에 냉각수를 통류시켜도 좋고, 단열용의 공기를 공급하여도 좋다. 이 예에서는, 각 가열 처리 장치(1)의 개별의 배기로(300)에는, 예컨대 제2 실시형태 또는 제4 실시형태에서 말한 것과 같이 열촉매체가 마련되어 있고, 개별의 배기관(300)에 더하여 추가로 집합 덕트(330)에 열촉매체를 마련함으로써, 개별의 배기로(300)에서 제거할 수 없었던 승화물이 하류 측에서 부착 퇴적되는 것을 피할 수 있다. 18, the heat catalytic unit 340 has a channel 332 whose cross-sectional shape corresponds to the cross-sectional shape of the collective duct 330. The heat catalytic unit 340 has a flange 332 formed at both ends of the channel 332, And is removably connected to the collecting duct 330 through a flange on the collecting duct 330 side and the collecting duct 330. A block body 341 made of porous heat catalyst is fixed to the inside of the channel 332 and a heater 342 for heating the block body 341 is provided on the outer surface of the channel 332 over the entire circumference . The periphery of the heater 342 is covered with a heat insulating material 343 and the outer side of the heat insulating material 343 is covered with a cover 344. Instead of providing the heat insulating material 343 between the cover 344 and the heater 342, cooling water may be passed between the cover 344 and the heater 343, or air for heat insulation may be supplied. In this example, the individual exhaust path 300 of each heat treatment apparatus 1 is provided with a thermal catalyst body as described in the second or fourth embodiment, for example. In addition to the individual exhaust pipes 300, It is possible to avoid deposition deposits on the downstream side of the condensate which can not be removed from the individual exhaust path 300 by providing the heat catalyst body in the collecting duct 330. [

또한, 제5 실시형태에서는, 개별의 배기로(300)에 열촉매체를 마련하지 않고서 처리 용기(2)의 내면에 열촉매체가 마련되어 있는 경우, 또는 개별의 배기로(300)에도 처리 용기(2)의 내면에도 열촉매체가 마련되어 있지 않은 경우에 집합 덕트(330)에만 열촉매체를 마련하여도 좋다. 또한, 제3 실시형태에 따른 가열 처리 장치에 있어서, 추가로 집합 덕트(330)에 열촉매 유닛(340)을 마련한 구성으로 하여도 좋다. In the fifth embodiment, when the thermal catalyst is provided on the inner surface of the processing container 2 without providing the thermal catalysts in the individual exhaust paths 300, or in the individual exhaust paths 300, 2, the heat catalyst may be provided only in the collecting duct 330 when the heat catalyst is not provided. In the heat treatment apparatus according to the third embodiment, the heat collecting duct 330 may be further provided with a thermal catalyst unit 340.

[제6 실시형태][Sixth Embodiment]

도 19, 도 20은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하고 있다. 이 가열 처리 장치는, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치대(360)를, 가열부인 히터(361)가 매설된 열판(362)과, 이 열판(362)이 끼워지는 베이스체(370)에 의해, 배치대(360)의 주연부인 베이스체(370)의 표면에 둘레 방향을 따라서 복수의 배기구(363)가 전체 둘레에 걸쳐 개구되어 있다. 베이스체(370) 내에는, 각 배기구(363)를 개구단으로 하는 배기로(364)가 아래쪽으로 신장되고 또한 배치대(360)의 중앙부를 향해서 굴곡되어 형성되어 있다. 19 and 20 show a heat treatment apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. This heat treatment apparatus includes a stage 360 on which a wafer W is placed by a heat plate 362 in which a heater 361 as a heating section is embedded and a base body 370 into which the heat plate 362 is fitted And a plurality of exhaust ports 363 are opened all around the surface of the base body 370, which is the peripheral portion of the placement table 360, along the circumferential direction. An exhaust passage 364 having an exhaust port 363 as an opening end is formed in the base body 370 so as to extend downward and bend toward the central portion of the stage 360.

한편, 배치대(360)의 하면 중앙부에는 배기관(365)이 접속되고, 이 배기관(365)의 개구부를 그 하면에 의해 막도록, 또한 배기로(364)의 하류 측을 그 둘레면에 의해 막도록 예컨대 원주형의 블록체(366)가 마련되어 있다. 즉, 배기관(365)과 배기로(364) 사이는 블록체(366)에 의해 막혀 있고, 블록체(366)의 상면은 열판(362)의 하면에 접하고 있다. 블록체(366)는, 제4 실시형태에서 이용한 블록체(322)와 마찬가지로 예컨대 다공질의 세라믹 필터에 열촉매체를 부착시켜 구성된다.  On the other hand, an exhaust pipe 365 is connected to the center of the lower surface of the placing table 360, and the downstream side of the exhaust path 364 is closed by the circumferential surface thereof so that the opening of the exhaust pipe 365 is blocked by the lower surface thereof. For example, a cylindrical block body 366 is provided. That is, the space between the exhaust pipe 365 and the exhaust passage 364 is blocked by the block body 366, and the upper surface of the block body 366 is in contact with the lower surface of the heat plate 362. The block body 366 is constituted by attaching a thermal catalyst body to, for example, a porous ceramic filter in the same manner as the block body 322 used in the fourth embodiment.

또한, 배기로(364)는, 각 배기구(363)에 대응하여 위아래로 신장하는 배기로와 이들 배기로의 하단이 개구되는 공통의 배기실로 이루어지고, 이 배기실 내에 블록체(366)가 마련되어 있는 구성으로 하여도 좋다. The exhaust passage 364 is constituted by an exhaust passage extending upward and downward in correspondence with the respective exhaust ports 363 and a common exhaust chamber in which the lower ends of the exhaust passages are opened. A block body 366 is provided in the exhaust chamber May be used.

또한, 배치대(360)의 위쪽에는 덮개부(367)가 마련되고, 덮개부(367)는 천장부 중앙에 예컨대 질소 가스(N2 가스) 등의 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급로(368)가 접속되어 있다. 따라서 이 실시형태에서는, 히터(361)는 열촉매용 가열부를 겸용하고 있다. A lid portion 367 is provided above the placing table 360. The lid portion 367 is provided with a purge gas supply path 368 for supplying a purge gas such as nitrogen gas (N 2 gas) Are connected. Therefore, in this embodiment, the heater 361 also serves as a heating portion for heat catalysis.

이와 같이 구성함으로써 배치대(360)의 열판(362)에 의해 웨이퍼(W)를 가열함과 아울러 배기로(364)에 마련한 열촉매체의 블록체(366)를 가열하여 활성화시킬 수 있다. 그리고 배기구(363)로부터 웨이퍼(W) 위쪽의 분위기를 배기했을 때에 배기가 가열된 블록체(366)를 통과하여 배기되기 때문에, 배기에 포함되는 승화물을 분해할 수 있다. With this configuration, the wafer W is heated by the heat plate 362 of the placement table 360 and the block body 366 of the thermal catalyst provided on the exhaust passage 364 can be heated and activated. When the atmosphere above the wafer W is exhausted from the exhaust port 363, the exhaust passes through the heated block body 366 and is exhausted, so that the rich state contained in the exhaust can be decomposed.

또한, 제1~제5 실시형태에 기재한 가열 처리 장치의 배치대로서, 도 19, 도 20에 도시하는 배치대(360)를 적용하여도 좋다. As the arrangement of the heat treatment apparatuses according to the first to fifth embodiments, the arrangement stand 360 shown in Figs. 19 and 20 may be applied.

또한, 예컨대 배기로에 있어서, 열촉매체를 마련한 영역의 하류 측의 배기압을 측정하여, 배기압이 임계치를 웃돌 때에는, 열촉매체의 온도를 승온하도록 하여도 좋다. 예컨대 도 21에 도시하는 것과 같이 제4 실시형태에 기재한 가열 처리 장치에 있어서, 배기로(312)의 블록체(322)를 마련한 영역의 하류 측에 배기압을 측정하는 배기압 측정부(326)를 마련한다. 그리고 제어부(100)에 배기압의 상한 임계치를 미리 기억시켜 놓고서, 배기압 측정부(326)의 측정치와, 압력의 상한 임계치를 비교하여, 배기압이 상한 임계치를 웃돈 경우에는, 열촉매용 가열부인 히터(10)의 온도를 예컨대 500℃까지 승온하도록 구성한다. Further, for example, in the exhaust passage, the exhaust pressure on the downstream side of the region provided with the heat catalyst may be measured, and when the exhaust pressure exceeds the threshold value, the temperature of the heat catalyst may be raised. For example, as shown in Fig. 21, in the heat treatment apparatus according to the fourth embodiment, an exhaust pressure measuring unit 326 (hereinafter, referred to as " exhaust gas pressure measuring unit ") for measuring the exhaust pressure is provided on the downstream side of the area where the block body 322 of the exhaust path 312 is provided ). When the exhaust pressure is higher than the upper limit threshold by comparing the measured value of the exhaust pressure measurement unit 326 with the upper limit threshold value of the pressure by storing the upper limit threshold value of the exhaust pressure in the control unit 100 in advance, The temperature of the non-heated heater 10 is raised to, for example, 500 캜.

예컨대 가열 처리 장치에 있어서, 웨이퍼(W)를 처리하고서 분위기의 배기를 계속하면 다 분해되지 않은 승화물이 블록체(322)나 배기로(312)에 부착되는 경우가 있어, 압력 손실이 높아지는 경우가 있기 때문에, 배기 유량이 저하할 우려가 있다. 그 때문에 배기압이 상승했을 때에 히터(10)의 온도를 승온함으로써 열촉매체의 활성이 상승한다. 이에 따라 블록체(322)에 가득 차 있는 물질이나 배기로(312)에 부착된 부착물도 분해할 수 있고, 압력 손실을 내릴 수 있어, 메인터넌스의 빈도를 적게 할 수 있다. For example, in the heat treatment apparatus, when the wafer W is treated and the atmosphere is continuously evacuated, the undistorted vaporized product may adhere to the block body 322 and the exhaust path 312, There is a possibility that the exhaust flow rate is lowered. Therefore, when the exhaust pressure rises, the temperature of the heater 10 is raised to increase the activity of the thermal catalyst. As a result, it is possible to disassemble the block body 322 as well as the deposit attached to the exhaust path 312, reduce the pressure loss, and reduce the frequency of the maintenance.

또한, 배기압 측정부(326)는 열촉매체를 설치한 영역보다 상류 측(처리 용기(2) 측)에 마련하여도 좋다. 또는 배기의 유량을 측정하여, 유량이 하한치를 밑돈 경우에 열촉매용 가열부의 온도를 상승시키도록 하여도 좋다. Further, the exhaust pressure measuring part 326 may be provided on the upstream side (on the side of the processing container 2) with respect to the area provided with the thermal catalyst. Alternatively, the flow rate of the exhaust gas may be measured to raise the temperature of the heat catalytic heating unit when the flow rate is lower than the lower limit value.

또한, 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리마다 또는 장치의 가동 시간이 소정 시간을 경과할 때마다 일정 시간 열촉매용 가열부의 가열 온도를 승온하도록 하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써 정기적으로 성형체에 부착되는 난분해성의 물질을 제거할 수 있어, 메인터넌스의 빈도를 적게 할 수 있다. Further, for example, the heating temperature of the heating section for a certain period of time may be raised for each treatment of a predetermined number of wafers W or whenever the operation time of the apparatus exceeds a predetermined time. By such a constitution, it is possible to remove the refractory substance which is regularly attached to the formed body, and the frequency of the maintenance can be reduced.

[검증 시험] [Verification test]

Cr2O3에 의해 피복한 기판에 대하여, 표면에 폴리머(FRP)를 부착시킨 샘플을 참고예, 표면에 폴리머를 부착시키지 않는 샘플을 비교예로 하여, 참고예 및 비교예에 따른 샘플을 0℃부터 600℃까지 서서히 온도를 올렸을 때의 질량 변화와 열류를 측정했다. 열류의 측정에는 시차 주사 열량 측정기를 이용했다. A sample coated with Cr 2 O 3 on the surface of which a polymer (FRP) was adhered was referred to as a reference sample, and a sample on which a polymer was not adhered to the surface was used as a comparative sample. And the mass change and the heat flow were measured when the temperature was gradually raised from < RTI ID = 0.0 > 600 C < / RTI > A differential scanning calorimeter was used to measure the heat flow.

도 22 및 도 23은 각각 참고예 및 비교예에 있어서의, 온도에 대응한 샘플의 질량 변화율(질량%)과 열류(μV)의 값을 도시하는 특성도이다. 이 결과에 따르면, 참고예에서는, 온도가 300℃~350℃ 부근에서 열류가 증가하고, 질량이 감소하고 있다. 이것은, Cr2O3이 열촉매로서 작용하여 폴리머를 분해했기 때문이라고 생각된다. 따라서, 열촉매층으로서 Cr2O3를 이용한 경우에 300℃ 정도까지 가열함으로써 부착된 폴리머를 분해할 수 있다고 말할 수 있다. 22 and 23 are characteristic diagrams showing the mass change rate (mass%) and the value of the heat flux (μV) of the sample corresponding to the temperature in the reference example and the comparative example, respectively. According to this result, in the reference example, the heat flow increased and the mass decreased in the vicinity of 300 캜 to 350 캜. This is probably because Cr 2 O 3 acts as a thermal catalyst to decompose the polymer. Therefore, when Cr 2 O 3 is used as the thermal catalyst layer, it can be said that the attached polymer can be decomposed by heating to about 300 ° C.

1: 가열 모듈 2: 처리 용기
4: LED 모듈 5: 열촉매층
6: 클리닝용 기판 9: 승화물
10: 히터 23: 승강 핀
30: 배기로 100: 제어부
W: 웨이퍼1: Heating module 2: Processing vessel
4: LED module 5: thermal catalyst layer
6: substrate for cleaning 9:
10: heater 23: lift pin
30: exhaust line 100: control unit
W: Wafer

Claims (22)

내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질과,
상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A processing container provided with an arrangement section for disposing a substrate to be processed therein,
An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,
A thermal catalyst material provided on at least one of an inner surface of the processing container and the exhaust path and thermally activated by heating to decompose the product generated from the substrate by the processing of the substrate to be processed,
And a heating unit for heating the thermal catalytic material. 제1항에 있어서, 상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a substrate heating section for heating the target substrate disposed in the arrangement section. 제2항에 있어서, 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물은 승화물인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the product generated from the substrate to be processed is a sublimate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기로는, 그 하류 측보다 압력 손실이 큰 압력 손실 영역을 구비하고,
상기 압력 손실 영역에는 상기 열촉매 물질이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The exhaust system according to any one of claims 1 to 3, wherein the exhaust passage has a pressure loss region having a larger pressure loss than its downstream side,
And the thermal catalytic material is provided in the pressure loss region. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배치부에 배치된 피처리 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과,
메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와,
상기 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 생성물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The plasma display apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising: a light source section for irradiating light to the substrate to be processed arranged on the arrangement section;
A light transmission window for partitioning the atmosphere in the light source part and the processing container,
A selection unit for selecting a maintenance mode,
Transporting the substrate for maintenance with the thermal catalyst material into the processing container when the maintenance mode is selected; and subsequently transferring the maintenance substrate to the heating substrate by the substrate heating section to thermally activate the thermal catalytic material And a control section for outputting a control signal to perform a step of approaching the heated maintenance substrate to the light transmission window in order to remove the product attached to the light transmission window . 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과,
메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와,
가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A processing container provided with an arrangement section for disposing a substrate to be processed therein,
A substrate heating unit for heating the target substrate disposed in the arrangement unit;
An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,
A light source unit for emitting light to the substrate arranged in the arrangement unit,
A light transmission window for partitioning the atmosphere in the light source part and the processing container,
A selection unit for selecting a maintenance mode,
A step of bringing a substrate for maintenance provided with a thermal catalyst material which is thermally activated by heating so as to decompose the vaporized product which is a product generated from the substrate by the processing of the substrate into the processing vessel when the maintenance mode is selected; Heating the heating substrate by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material; and heating the heating substrate to remove the bundled material attached to the light transmitting window, And a control section for outputting a control signal to execute the step of approaching the transmission window. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 광원부는 상기 기판 가열부를 겸용하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the light source unit also serves as the substrate heating unit. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 광원부는 자외선을 조사하는 램프인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the light source unit is a lamp that emits ultraviolet light. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계는, 기판을 이면측으로부터 유지하여 승강시키는 승강 핀에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 9. The method according to any one of claims 5 to 8, characterized in that the step of approaching the heated maintenance substrate to the light transmission window is performed by a lift pin holding and lifting the substrate from the back surface side / RTI > 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열촉매 물질은 층 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the thermal catalyst material is formed in a layer shape. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열촉매 물질은, 다공질의 담지체에 열촉매를 담지하여 블록체 또는 입자체로서 구성되며, 상기 배기로를 막도록 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The exhaust gas purifying catalyst according to any one of claims 1 to 9, wherein the thermal catalyst material is configured as a block body or a mouth body by supporting a thermal catalyst on a porous carrier, / RTI > 제11항에 있어서, 상기 열촉매 물질은 케이스체에 수납된 카트리지를 배기로에 착탈이 자유롭게 장착할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 12. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the thermocatalytic substance is configured so that the cartridge accommodated in the case body can be detachably attached to the exhaust passage. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 배기로의 배기압 또는 배기 유량을 측정하는 측정부와,
상기 측정부에서 측정된 배기압이 설정치를 넘거나, 또는 측정된 배기 유량이 설정치보다 밑돌았을 때에, 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 13. The exhaust gas purification apparatus according to claim 11 or 12, further comprising: a measurement unit for measuring an exhaust pressure or an exhaust flow rate of the exhaust passage;
And a control unit for controlling the heating temperature of the heating unit for the thermal catalyst to be raised when the exhaust pressure measured by the measuring unit exceeds the set value or when the measured exhaust flow rate is lower than the set value, . 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 처리의 적산 시간마다 또는 기판의 처리 매수마다 일시적으로 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 13. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12, characterized by comprising a control section for temporarily controlling the heating temperature of the heating section for the thermal catalyst at every integration time of the substrate processing or for each number of processed substrates Processing device. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기는 복수 마련되며, 각 처리 용기에 개별적으로 마련된 상기 배기로에 상당하는 개별 배기로 각각이 합류하는 공통 배기로를 구비하고,
상기 개별 배기로에 상기 열촉매 물질이 마련되며, 또한 다공질의 담지체에 열촉매를 담지한 블록체 또는 입자체로서 구성된 열촉매 물질이 공통 배기로를 막도록 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 15. The exhaust gas purifying apparatus according to any one of claims 1 to 14, wherein a plurality of the processing vessels are provided, and each of the processing vessels is provided with a common exhaust passage,
Wherein the individual exhaust path is provided with the thermal catalyst material, and the porous catalyst carrier is provided with a thermal catalyst material, which is formed as a block body or a column body carrying a thermal catalyst, to cover the common exhaust path. 피처리 기판을 처리 용기 내의 배치부에 배치하여 처리하는 공정과,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기로를 통해 배기하는 공정과,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련된 열촉매 물질을 가열하여 열활성화하여, 피처리 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. Disposing a substrate to be processed in a disposing portion in the processing container,
A step of exhausting the atmosphere in the processing vessel through an exhaust path,
And a step of heating and thermally activating the thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing vessel and the exhaust path to decompose the product generated from the substrate by the processing of the substrate to be processed . 제16항에 있어서, 상기 배치부에 배치된 피처리 기판의 처리는, 기판 가열부에 의해 가열되면서 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 16, wherein the processing of the target substrate disposed in the arrangement section is performed while being heated by the substrate heating section. 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 열촉매 물질은, 다공질의 담지체에 열촉매를 담지한 블록체 또는 입자체로서 구성되어, 상기 배기로를 막도록 마련되고,
상기 배기로의 배기압 또는 배기 유량을 측정하는 측정부에서 측정된 배기압이 설정치를 넘거나 또는 측정된 배기 유량이 설정치를 밑돌았을 때에는, 열촉매 물질의 가열 온도를 상승시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 18. The exhaust gas purifying catalyst according to claim 16 or 17, wherein the thermocatalytic substance is constituted as a block body or a mouth body carrying a thermal catalyst on a porous carrier,
And a step of raising the heating temperature of the thermal catalyst material when the exhaust pressure measured by the measuring part for measuring the exhaust pressure or the exhaust flow rate of the exhaust passage exceeds the set value or the measured exhaust flow rate is lower than the set value ≪ / RTI > 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 처리의 적산 시간마다 또는 기판의 처리 매수마다 일시적으로 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 19. The substrate processing method according to any one of claims 16 to 18, comprising a step of temporarily raising the heating temperature of the heating portion for the thermal catalyst at every integration time of the substrate processing or every number of processed substrates. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체. A storage medium storing a computer program for use in a substrate processing apparatus having a processing container provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein,
Wherein the computer program comprises a group of steps for executing the substrate processing method according to any one of claims 16 to 19. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법으로서,
가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 처리 용기 내에 반입하는 공정과,
이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 공정과,
상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법. A processing container provided with an arrangement section for disposing a substrate to be processed therein,
A substrate heating unit for heating the target substrate disposed in the arrangement unit;
An exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing container,
A light source unit for emitting light to the substrate arranged in the arrangement unit,
A method for maintenance of a substrate processing apparatus having a light transmission window for partitioning an atmosphere in the processing chamber and the light source section,
A step of transferring a substrate for maintenance having a thermal catalytic material which is thermally activated by being heated so as to disassemble a product, which is a product generated from the substrate by the processing of the substrate, into the processing container;
Heating the heating substrate with the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material;
And a step of bringing the heated maintenance substrate to the light transmission window to remove the charged object attached to the light transmission window. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제21항에 기재된 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체. A storage medium storing a computer program for use in a substrate processing apparatus having a processing container provided with an arrangement section for arranging a substrate to be processed therein,
The computer program according to claim 21, wherein a step group is formed to execute the maintenance method of the substrate processing apparatus.
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