KR102437493B1 - 피가공물의 가공 방법 - Google Patents

피가공물의 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102437493B1
KR102437493B1 KR1020180053512A KR20180053512A KR102437493B1 KR 102437493 B1 KR102437493 B1 KR 102437493B1 KR 1020180053512 A KR1020180053512 A KR 1020180053512A KR 20180053512 A KR20180053512 A KR 20180053512A KR 102437493 B1 KR102437493 B1 KR 102437493B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protection tape
surface protection
workpiece
expand sheet
sheet
Prior art date
Application number
KR1020180053512A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180128345A (ko
Inventor
칼 프리바써
아키코 기가와
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20180128345A publication Critical patent/KR20180128345A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102437493B1 publication Critical patent/KR102437493B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Folding Of Thin Sheet-Like Materials, Special Discharging Devices, And Others (AREA)

Abstract

(과제) 칩의 손상을 방지할 수 있는 피가공물의 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명의 가공 방법에서는, 첩착 스텝을 실시한 후, 익스팬드 시트 (8) 를 확장시키는 예비 확장 스텝을 실시하면서, 익스팬드 시트 (8) 를 확장시킨 상태로, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 를 박리하는 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시하도록 구성하였기 때문에, 익스팬드 시트 (8) 에 텐션을 가하면서, 표면 보호 테이프 (T) 를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 박리하는 것이 가능해진다. 이로써, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그 후, 확장 스텝을 실시할 때에는, 예비 확장 스텝에 있어서의 익스팬드 시트 (8) 의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 익스팬드 시트 (8) 를 확장하기 때문에, 각 칩 (C) 사이에 충분한 간격을 형성할 수 있어, 칩 (C) 의 반송을 원활하게 실시하는 것이 가능해진다.

Description

피가공물의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING A WORKPIECE}
본 발명은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성됨과 함께 표면에 표면 보호 테이프가 첩착 (貼着) 된 피가공물, 또는 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할됨과 함께 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 등의 피가공물은, 그 표면의 격자상의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 각각 디바이스가 형성되어 있고, 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써, 디바이스를 갖는 개개의 디바이스 칩으로 분할된다. 피가공물을 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법으로는, 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여 피가공물의 내부에 개질층을 형성한 후, 피가공물에 외력을 부여하여 피가공물을 분할하는 방법이 채용되고 있다 (예를 들어, 하기의 특허문헌 1 을 참조). 그리고, 피가공물에 외력을 부여하는 장치의 일례로서, 예를 들어, 하기의 특허문헌 2 에 나타내는 확장 장치가 이용되고 있다.
한편, 상기의 방법에 있어서, 레이저 빔의 조사에 의해 피가공물의 내부에 개질층을 형성한 후에, 피가공물을 연삭·연마함으로써 박화 (薄化) 하고, 이 박화 공정에 있어서 피가공물을 분할하는 방법도 제안되어 있다 (예를 들어, 하기의 특허문헌 3 을 참조). 당해 분할 방법에 의해 분할된 피가공물은, 분할된 칩 사이에 간극이 없고 서로 밀착된 상태이기 때문에, 피가공물을 핸들링할 때에 인접하는 칩끼리가 접촉하여 손상될 우려가 있다. 그래서, 피가공물이 첩착된 시트를 확장하여 인접하는 칩 사이에 간격을 형성하기 위해서, 상기와 같은 확장 장치가 이용되고 있다.
일본 특허공보 제3408805호 일본 공개특허공보 2011-77482호 일본 특허공보 제3762409호
분할 기점이 형성된 피가공물에 있어서, 표면 보호 테이프를 박리할 때에 피가공물에 대해 박리 방향으로 힘이 가해져, 피가공물이 개개의 칩으로 분할되어 버려, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 경우가 있다. 분할이 완료된 피가공물에 있어서도 동일한 문제가 발생하고 있다. 표면 보호 테이프를 박리할 때에 피가공물이 강고하게 고정되어 있으면 칩끼리는 접촉하지 않지만, 표면 보호 테이프 박리시에는, 익스팬드 가능한 유연한 시트를 개재하여 피가공물을 유지하기 위해 강고하게 고정시키는 것이 어렵다. 그리고, 칩 사이즈가 작아지면 보다 현저하게 이 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 칩의 손상을 방지할 수 있는 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물, 또는 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물의 가공 방법으로서, 익스팬드 시트를 확장하여 휨을 해소하는 사전 확장 스텝과, 유지 테이블에 유지된 피가공물보다 큰 사이즈를 가진 그 익스팬드 시트 상에 피가공물의 이면측을 첩착하는 첩착 스텝과, 그 첩착 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블로부터 릴리스 테이블에 피가공물을 수수하는 피가공물 수수 스텝과, 그 피가공물 수수 스텝을 실시한 후, 피가공물이 그 릴리스 테이블에 유지된 상태로 그 익스팬드 시트를 확장시키는 예비 확장 스텝과, 그 예비 확장 스텝의 실시 중에, 피가공물이 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 릴리스 테이블에 유지되고, 그 익스팬드 시트를 확장시킨 상태로, 피가공물의 표면으로부터 그 표면 보호 테이프를 박리하는 표면 보호 테이프 박리 스텝과, 그 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시한 후, 그 예비 확장 스텝에 있어서의 그 익스팬드 시트의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 그 익스팬드 시트를 확장하는 확장 스텝을 구비한 피가공물의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는 피가공물의 가공 방법은, 제 1 방향에 있어서 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 1 협지 (挾持) 수단으로 상기 익스팬드 시트를 협지함과 함께, 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 2 협지 수단으로 그 익스팬드 시트를 협지하는 협지 스텝을 추가로 구비하고, 상기 예비 확장 스텝과 상기 확장 스텝에서는, 1 쌍의 그 제 1 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴과 함께 1 쌍의 그 제 2 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴으로써 그 익스팬드 시트를 확장시킨다.
바람직하게는 상기 표면 보호 테이프 박리 스텝에서는, 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 박리 방향이 상기 분할 예정 라인의 신장 방향과는 상이한 방향으로 설정된다.
본 발명에 의하면, 익스팬드 시트에 텐션을 가하면서, 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 것이 가능해진다. 이로써, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그 후, 확장 스텝을 실시할 때에는, 예비 확장 스텝일 때보다 큰 값의 확장량으로 익스팬드 시트를 확장하기 때문에, 각 칩의 사이에 충분한 간격을 형성할 수 있어, 칩의 반송을 원활하게 실시하는 것이 가능해진다.
또, 상기 예비 확장 스텝과 상기 확장 스텝에서는, 1 쌍의 제 1 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴과 함께 1 쌍의 제 2 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴으로써 익스팬드 시트를 확장시키기 때문에, 익스팬드 시트를 충분히 확장할 수 있다.
또한, 상기 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시할 때에, 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 박리 방향이 상기 분할 예정 라인의 신장 방향과는 상이한 방향으로 설정되기 때문에, 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리할 때의 힘이 분할 예정 라인의 신장 방향으로 크게 작용하지 않아 표면 보호 테이프를 효율적으로 박리할 수 있어, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 은 확장 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2 는 확장 장치의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3(a) 는 박리 유닛의 테이프 유지 수단의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 3(b) 는 박리 유닛이 절곡 (折曲) 롤러 이동 수단의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 3(c) 는 박리 유닛의 박리 기점부 생성 수단의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4 는 시트 송출 스텝 및 피가공물 반입 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 피가공물 대면 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 협지 스텝을 나타내는 평면도이다.
도 7 은 제 1 방향의 사전 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 제 2 방향의 사전 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 첩착 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 10 은 피가공물 수수 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 11 은 예비 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 12 는 표면 보호 테이프 박리 스텝 중, 선단 침상 부재를 피가공물에 접근시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13 은 표면 보호 테이프 박리 스텝 중, 선단 침상 부재를 피가공물에 첩착된 표면 보호 테이프의 둘레 가장자리측에 닿게 한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 14 는 표면 보호 테이프 박리 스텝 중, 피가공물로부터 표면 보호 테이프가 벗겨진 부분을 향하여 에어 노즐로부터 고압 에어를 분사한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 15 는 표면 보호 테이프 박리 스텝 중, 절곡 롤러를 이동시켜 표면 보호 테이프에 접촉시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 16 은 표면 보호 테이프 박리 스텝 중, 피가공물로부터 표면 보호 테이프를 완전히 박리시킴과 함께, 유지판의 하면에 표면 보호 테이프를 흡인 유지시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 17 은 표면 보호 테이프 박리 스텝에 있어서의 표면 보호 테이프의 박리 방향을 설명하는 평면도이다.
도 18 은 제 1 방향의 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 19 는 제 2 방향의 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 20 은 프레임 위치 결정 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 21 은 프레임 첩착 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 22 는 시트 절단 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 23 은 반출 스텝을 나타내는 단면도이다.
1. 확장 장치
도 1 에 나타내는 확장 장치 (1) 는, 피가공물에 첩착되는 익스팬드 시트 (8) 를 확장시킬 수 있는 확장 장치의 일례이다. 확장 장치 (1) 는, 3 계층 구조로 되어 있고, 1 계층 부분에 있어서 제 1 방향으로 연장되는 장치 베이스 (100a) 와, 2 계층 부분에 있어서 제 1 방향으로 연장되는 장치 베이스 (100b) 와, 3 계층 부분에 있어서 제 1 방향으로 연장되는 1 쌍의 가이드 베이스 (103) 를 갖고 있다. 장치 베이스 (100b) 의 중앙 부분에는, 장치 베이스 (100a) 측과 연통하기 위한 개구 (101) 가 형성되어 있다. 1 쌍의 가이드 베이스 (103) 에는, 제 1 방향으로 연장되는 가이드 레일 (104) 이 각각 부설 (敷設) 되어 있다. 장치 베이스 (100a, 100b) 의 제 1 방향 후방측에는 중앙에 도 2 에 나타내는 개구 (3) 를 갖는 환상 프레임 (2) 을 복수 수용하기 위한 환상 프레임 공급 유닛 (4) 이 연결되어 있다.
도 2 에 나타내는 확장 장치 (1) 는, 각 계층이 연결되기 전의 상태를 나타냄과 함께 환상 프레임 공급 유닛 (4) 이 장치 베이스 (100a, 100b) 에 연결되기 전의 상태를 나타내고 있다. 환상 프레임 공급 유닛 (4) 은, 환상 프레임 (2) 을 포개어 쌓아 스톡하기 위해서, 예를 들어 박스형의 프레임 스토커 (5) 를 구비하고 있다. 프레임 스토커 (5) 의 내부에는, 환상 프레임 (2) 의 내주면에 접촉하는 원기둥 부재 (5a) 가 거의 균등 간격으로 복수 (도 2 의 예에서는 3 개) 세워져 형성되어 있다. 프레임 스토커 (5) 에는, 복수의 캐스터 (7) 가 장착된 대차 (6) 가 연결되어 있다. 대차 (6) 는, 예를 들어, 작업자의 인력을 동력원으로서 캐스터 (7) 가 구동되어 주행 가능하게 되어 있다.
장치 베이스 (100b) 에는, 롤상으로 권회된 익스팬드 시트 (8) 를 송출하는 송출 릴 (20) 과, 송출된 익스팬드 시트 (8) 를 권취하는 권취 릴 (21) 과, 송출 릴 (20) 과 권취 릴 (21) 사이의 익스팬드 시트 (8) 를 확장하는 확장 수단을 구비하고 있다. 확장 수단은, 제 1 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 에 첩착된 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 과, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 을 구비하고 있다. 1 쌍의 가이드 베이스 (103) 에는, 피가공물을 유지하는 유지 수단 (40) 과, 피가공물에 첩착된 표면 보호 테이프를 박리하는 박리 유닛 (50) 과, 환상 프레임 (2) 을 유지하는 프레임 유지 수단 (60) 을 구비하고 있다. 장치 베이스 (100a) 에는, 확장 수단에 의해 확장되는 익스팬드 시트 (8) 의 하방측에 배치 형성되고, 유지 수단 (40) 에 유지되는 피가공물에 익스팬드 시트 (8) 를 첩착하는 첩착 롤러 (30) 와, 확장 수단에 의해 확장되는 익스팬드 시트 (8) 를 개재하여 피가공물을 유지하는 릴리스 수단 (31) 과, 피가공물이 첩착되는 익스팬드 시트 (8) 의 하방측에 배치 형성되고, 프레임 유지 수단 (60) 에 유지된 환상 프레임 (2) 에 익스팬드 시트 (8) 를 첩착하는 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 와, 피가공물이 첩착되는 익스팬드 시트 (8) 의 하방측에 배치 형성되고, 프레임 유지 수단 (60) 에 유지된 환상 프레임 (2) 을 따라 익스팬드 시트 (8) 를 절단하는 절단 수단 (34) 과, 피가공물에 외력을 부여함으로써 개개의 칩으로 분할하는 분할 수단 (35) 을 구비하고 있다.
도 2 에 나타내는 1 계층째에서는, 첩착 롤러 (30), 릴리스 수단 (31), 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b), 절단 수단 (34) 및 분할 수단 (35) 이 장치 베이스 (100a) 에 있어서 제 1 방향 이송 수단 (37) 에 의해 제 1 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어 있다. 제 1 방향 이송 수단 (37) 은, 제 1 방향으로 연장되는 볼 나사 (370) 와, 볼 나사 (370) 의 단부에 접속된 모터 (371) 와, 볼 나사 (370) 와 평행하게 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (372) 과, 제 1 방향으로 수평으로 이동 가능한 이동 기대 (373) 를 구비하고 있다. 이동 기대 (373) 상에 고정 기대 (32) 및 제 2 방향 이송 수단 (38) 이 배치 형성되어 있다. 1 쌍의 가이드 레일 (372) 에는, 이동 기대 (373) 의 일방의 면이 슬라이딩 접촉하고, 이동 기대 (373) 에 형성된 너트에는 볼 나사 (370) 가 나사 결합하고 있다. 그리고, 모터 (371) 에 의해 구동되어 볼 나사 (370) 가 회동 (回動) 함으로써, 이동 기대 (373) 가 가이드 레일 (372) 에 가이드되어 제 1 방향으로 이동하여, 첩착 롤러 (30), 릴리스 수단 (31), 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b), 절단 수단 (34) 및 분할 수단 (35) 을 제 1 방향으로 이동시킬 수 있다.
프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b), 절단 수단 (34) 및 분할 수단 (35) 에 대해서는, 추가로 이동 기대 (373) 에 있어서 제 2 방향 이송 수단 (38) 에 의해 제 2 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어 있다. 제 2 방향 이송 수단 (38) 은, 제 2 방향으로 연장되는 볼 나사 (380) 와, 볼 나사 (380) 의 단부에 접속된 모터 (381) 와, 볼 나사 (380) 와 평행하게 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (382) 과, 제 2 방향으로 수평으로 이동 가능한 이동 기대 (383) 를 구비하고 있다. 이동 기대 (383) 상에는 회전 테이블 (36) 이 배치 형성되어 있다. 1 쌍의 가이드 레일 (382) 에는, 이동 기대 (383) 의 일방의 면이 슬라이딩 접촉하고, 이동 기대 (383) 의 중앙부에 형성된 너트에는 볼 나사 (380) 가 나사 결합하고 있다. 그리고, 모터 (381) 에 의해 구동되어 볼 나사 (380) 가 회동함으로써, 이동 기대 (383) 가 가이드 레일 (382) 에 가이드되어 제 2 방향으로 이동하여, 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b), 절단 수단 (34) 및 분할 수단 (35) 을 제 2 방향으로 이동시킬 수 있다.
첩착 롤러 (30) 는, 이동 기대 (373) 상에 고정된 고정 기대 (32) 의 상면에 배치 형성되어 있다. 첩착 롤러 (30) 는, 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장되어 있고, 지지부 (300) 에 의해, 제 2 방향의 축심을 갖는 축부 (301) 를 중심으로 하여 회전 가능하게 지지되어 있다. 또, 첩착 롤러 (30) 는, 예를 들어 에어 실린더 (302) 와 피스톤 (303) 에 의해 구성되는 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있다.
릴리스 수단 (31) 은, 첩착 롤러 (30) 의 근방으로서, 고정 기대 (32) 의 상면에 배치 형성되어 있다. 릴리스 수단 (31) 은, 피가공물을 흡인 유지하는 릴리스 테이블 (311) 을 구비하고 있다. 릴리스 테이블 (311) 에는, 도시하지 않지만, 흡인원이 접속되어 있고, 피가공물을 릴리스 테이블 (311) 의 상면에서 흡인 유지할 수 있다. 릴리스 테이블 (311) 의 하부에는, 예를 들어 에어 실린더 (312) 와 피스톤 (313) 에 의해 구성되는 각 승강 기구가 접속되어 있고, 각 승강 기구에 의해 릴리스 테이블 (311) 을 승강시킬 수 있다.
프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 는, 환상 프레임 (2) 에 대해 익스팬드 시트 (8) 를 가압하는 가압 롤러이고, 축부를 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 사이에는, 절단 수단 (34) 이 배치 형성되어 있다. 절단 수단 (34) 은, 예를 들어 커터이고, 축부를 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 및 절단 수단 (34) 은, 예를 들어 에어 실린더와 피스톤에 의해 구성되는 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 및 절단 수단 (34) 은, 회전 테이블 (36) 상에 배치 형성되고, 회전 테이블 (36) 이 회전함으로써, 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b), 절단 수단 (34) 를 예를 들어 환상 프레임 (2) 을 따라 주회시킬 수 있다. 또한, 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 및 절단 수단 (34) 의 수는, 본 실시형태에 나타내는 구성에 한정되지 않는다.
분할 수단 (35) 은, 회전 테이블 (36) 의 중앙부에 배치 형성되고 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 스퀴지 (350) 를 구비하고 있다. 스퀴지 (350) 에는, 흡인원에 접속된 슬릿 (351) 이 형성되어 있다. 스퀴지 (350) 는, 예를 들어 에어 실린더 (352) 와 피스톤 (353) 에 의해 구성되는 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 회전 테이블 (36) 이 예를 들어 90°회전하면, 스퀴지 (350) 의 연장 방향의 방향을 제 1 방향을 향하는 피가공물의 분할 예정 라인과 제 2 방향을 향하는 피가공물의 분할 예정 라인에 각각 맞출 수 있다. 분할 수단 (35) 에서는, 슬릿 (351) 을 통해서 스퀴지 (350) 로 피가공물의 분할 예정 라인을 흡인함으로써, 피가공물을 개개의 칩으로 분할할 수 있다.
다음으로, 2 계층째의 구성에 대해 설명한다. 장치 베이스 (100b) 의 제 1 방향 후방측에 송출 릴 (20) 이 배치 형성되고, 장치 베이스 (100b) 의 제 1 방향 전방측에 권취 릴 (21) 이 배치 형성되어 있다. 송출 릴 (20) 에는, 롤상으로 익스팬드 시트 (8) 가 권회되어 있다. 송출 릴 (20) 의 하방측에는, 송출 릴 (20) 로부터 제 1 방향으로 익스팬드 시트 (8) 를 송출하는 송출 롤러 (22) 가 배치 형성되어 있다. 권취 릴 (21) 에는, 송출 릴 (20) 로부터 송출된 익스팬드 시트 (8) 가 롤상으로 권회되어 있다. 권취 릴 (21) 의 하방에는, 송출 롤러 (22) 에 의해 제 1 방향으로 송출된 익스팬드 시트 (8) 를 인입하여 권취 릴 (21) 에 권취시키는 인입 롤러 (23, 24) 가 배치 형성되어 있다.
1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 은, 제 2 방향으로 연장되는 직방체의 하측 협지부 (110) 와, 일단이 하측 협지부 (110) 에 연결된 단면이 대략 L 자형인 아암부 (111) 와, 하측 협지부 (110) 와 평행하게 연장되는 상측 협지부 (120) 와, 일단이 상측 협지부 (120) 에 연결된 단면이 대략 L 자형인 아암부 (121) 와, 장치 베이스 (100b) 의 상면에 형성된 오목부 (102a) 를 따라 이동 가능하게 배치 형성된 가동 기대 (13a) 와, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 을 제 1 방향에 있어서 서로 이반하는 방향으로 이동시키는 제 1 방향 이동 수단 (14a) 을 각각 구비하고 있다. 하측 협지부 (110) 의 상면측에는, 복수의 롤러 (113) 가 제 2 방향과 평행한 방향으로 정렬되어 배치 형성되어 있다. 복수의 롤러 (113) 는, 제 1 방향과 평행한 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하고, 하측 협지부 (110) 의 상면으로부터 외주면의 절반 정도가 돌출되어 장착되어 있다. 또, 제 1 협지 수단 (10A) 의 상측 협지부 (120) 의 하면측에는, 복수의 롤러 (도시 생략) 가 제 2 방향과 평행한 방향으로 정렬되어 배치 형성되어 있다. 상측 협지부 (120) 의 하면측에 배치 형성된 복수의 롤러는, 제 1 방향과 평행한 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하고, 상측 협지부 (120) 의 하면으로부터 외주면의 절반 정도가 돌출되어 장착되어 있다.
1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 은, 제 1 방향으로 연장되는 직방체의 하측 협지부 (110) 와, 단부가 하측 협지부 (110) 에 연결되고 제 2 방향으로 연장되는 아암부 (112) 와, 하측 협지부 (110) 와 평행하게 연장되는 상측 협지부 (120) 와, 일단이 상측 협지부 (120) 에 연결되고 아암부 (112) 와 평행하게 연장되는 아암부 (122) 와, 장치 베이스 (100b) 의 상면에 형성된 오목부 (102b) 를 따라 이동 가능하게 배치 형성된 가동 기대 (13b) 와, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 을 제 2 방향에 있어서 서로 이반하는 방향으로 이동시키는 제 2 방향 이동 수단 (14b) 을 각각 구비하고 있다. 하측 협지부 (110) 의 상면측에는, 복수의 롤러 (113) 가 제 1 방향과 평행한 방향으로 정렬되어 배치 형성되어 있다. 복수의 롤러 (113) 는, 제 2 방향과 평행한 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하고, 하측 협지부 (110) 의 상면으로부터 외주면의 절반 정도가 돌출되어 장착되어 있다. 또, 제 2 협지 수단 (10B) 의 상측 협지부 (120) 의 하면측에는, 복수의 롤러 (도시 생략) 가 제 1 방향과 평행한 방향으로 정렬되어 배치 형성되어 있다. 상측 협지부 (120) 의 하면측에 배치 형성된 복수의 롤러는, 제 2 방향과 평행한 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하고, 상측 협지부 (120) 의 하면으로부터 외주면의 절반 정도가 돌출되어 장착되어 있다.
제 1 방향 이동 수단 (14a) 은, 제 1 방향으로 연장되는 볼 나사 (140) 와, 각각의 볼 나사 (140) 의 일단을 회전 가능하게 지지하는 베어링부 (141) 와, 각각의 볼 나사 (140) 의 타단에 접속된 모터 (142) 를 구비하고, 장치 베이스 (100b) 에 각각 배치 형성되어 있다. 제 2 방향 이동 수단 (14b) 은, 제 2 방향으로 연장되는 볼 나사 (140) 와, 각각의 볼 나사 (140) 의 일단을 회전 가능하게 지지하는 베어링부 (141) 와, 각각의 볼 나사 (140) 의 타단에 접속된 모터 (142) 를 구비하고, 각각 장치 베이스 (100b) 에 배치 형성되어 있다.
다음으로, 3 계층째의 구성에 대해 설명한다. 프레임 유지 수단 (60) 은, 1 쌍의 가이드 베이스 (103) 의 제 1 방향 후방측에 배치 형성되어 있다. 프레임 유지 수단 (60) 은, 환상 프레임 (2) 을 유지하는 원형판상의 프레임 유지부 (61) 를 구비하고 있다. 프레임 유지부 (61) 에는, 그 전체를 상하로 승강시키는 승강부 (600) 가 접속되어 있다. 승강부 (600) 는, 예를 들어 에어 실린더와 피스톤, 또는 모터와 가이드 레일을 갖는 승강 기구로, 단면이 대략 L 자형인 주행부 (601) 에 접속되어 있다. 주행부 (601) 에는, 개구 (602) 가 형성되어 있고, 이러한 개구 (602) 에 있어서 승강부 (600) 가 상하로 움직여 프레임 유지부 (61) 를 승강시키는 구성으로 되어 있다. 주행부 (601) 는, 1 쌍의 가이드 레일 (104) 을 따라 제 1 방향으로 주행 가능하게 되어 있다. 그리고, 프레임 유지 수단 (60) 에서는, 환상 프레임 공급 유닛 (4) 의 상방측으로 이동하여 프레임 스토커 (5) 의 내부에 진입하여, 환상 프레임 (2) 의 반출 및 반입을 실시할 수 있다.
유지 수단 (40) 은, 1 쌍의 가이드 베이스 (103) 의 제 1 방향 전방측에 배치 형성되어 있다. 유지 수단 (40) 은, 피가공물을 유지하는 유지면 (41a) 을 갖는 유지 테이블 (41) 과, 유지 테이블 (41) 을 회전시키는 회전 테이블 (42) 과, 유지 테이블 (41) 및 회전 테이블 (42) 을 하방으로부터 지지하는 베이스 (43) 와, 베이스 (43) 에 축 통과되어 유지 테이블 (41) 의 유지면 (41a) 을 반전시키는 회전축 (44) 과, 회전축 (44) 의 단부가 회전 가능하게 지지되는 도어형의 지지부 (45) 를 구비하고 있다. 지지부 (45) 에는, 승강부 (400) 가 접속되어 있다. 승강부 (400) 는, 예를 들어 에어 실린더와 피스톤, 또는 모터와 가이드 레일을 갖는 승강 기구로, 단면이 대략 L 자형인 주행부 (401) 에 접속되어 있다. 주행부 (401) 에는, 도시하지 않지만, 개구가 형성되어 있고, 이러한 개구에 있어서 승강부 (400) 가 상하로 움직여 유지 테이블 (41) 을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다.
박리 유닛 (50) 은, 유지 수단 (40) 과 프레임 유지 수단 (60) 사이에 배치 형성되어 있다. 박리 유닛 (50) 은, 피가공물에 첩착된 표면 보호 테이프를 박리하기 위한 테이프 박리 유닛이다. 박리 유닛 (50) 은, 표면 보호 테이프를 협지하는 도 3(a) 에 나타내는 테이프 유지 수단 (50A) 과, 피가공물로부터 박리되는 표면 보호 테이프를 절곡하는 도 3(b) 에 나타내는 절곡 롤러 이동 수단 (50B) 과, 피가공물로부터 박리되는 표면 보호 테이프의 박리 기점을 생성하는 도 3(c) 에 나타내는 박리 기점부 생성 수단 (50C) 에 의해 구성되고, 3 개의 수단은 예를 들어 프레임체 (500) 내에 수용되어 있다. 프레임체 (500) 의 하방측은 개구되어 있다. 프레임체 (500) 에는, 승강부 (501) 가 접속되어 있다. 승강부 (501) 는, 예를 들어 에어 실린더와 피스톤, 또는 모터와 가이드 레일을 갖는 승강 기구로, 단면이 대략 L 자형인 주행부 (502) 에 접속되어 있다. 주행부 (502) 에는, 개구 (503) 가 형성되어 있고, 이러한 개구 (503) 에 있어서 승강부 (501) 가 프레임체 (500) 전체를 승강시킬 수 있다.
도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 테이프 유지 수단 (50A) 은, 제 1 에어 실린더 (51a) 와, 제 1 에어 실린더 (51a) 에 의해 구동되고 연직 방향으로 연장되는 축 (510a) 에 의해 지지되는 유지 베이스 (52) 와, 유지 베이스 (52) 의 상면에 세워져 형성된 제 2 에어 실린더 (51b) 와, 제 2 에어 실린더 (51b) 로부터 유지 베이스 (52) 의 하면측으로 관통하고, 제 2 에어 실린더 (51b) 에 의해 구동되고 자유롭게 진퇴할 수 있는 축 (도시 생략) 에 지지되는 유지판 (53) 과, 유지 베이스 (52) 상에 배치 형성되고, 단부에 협지편 (511) 을 구비하고 수평 방향으로 자유롭게 진퇴할 수 있는 축 (510c) 을 수평 방향으로 진퇴시키는 제 3 에어 실린더 (51c) 와, 유지 베이스 (52) 의 하면측에서, 협지편 (511) 과 대향하는 위치에 배치되는 협지편 (512) 에 의해 구성되어 있다.
유지판 (53) 은 내부가 중공으로 구성되고, 하면에는 도시되지 않은 미공 (微孔) 이 전체면에 다수 형성되어 있고, 제 2 에어 실린더 (51b) 와 유지판 (53) 을 연결하는 축의 내부를 통하여 유지판 (53) 내부를 흡인 가능하게 구성되고, 미공을 통하여 유지판 (53) 의 하면에 부압을 발생시키게 하는 것이 가능하게 되어 있다.
유지 베이스 (52) 는, 제 1 에어 실린더 (51a) 에 의해 진퇴 가능하게 구동되는 축 (510a) 과 함께 상하동 가능하게 구성되고, 또한 도면 중의 화살표로 나타내는 바와 같이, 축 (510a) 을 중심으로 하여 수평 방향으로 회전 가능하게 되어 있다.
도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 절곡 롤러 이동 수단 (50B) 은, 도어형 형상을 이루는 지지 프레임 (54) 에 의해 구성되고, 지지 프레임 (54) 은, 간격을 두고 병설된 기둥부 (540, 540a) 와, 기둥부 (540, 540a) 의 하단에 연결되는 지지부 (541) 와, 지지부 (541) 의 안내공 (542) 을 따라 지지부 (541) 내에 내장된 도시되지 않은 구동 기구에 의해 이동하는 절곡 롤러 (55) 를 구비하고 있다. 절곡 롤러 (55) 는, 길이 방향의 축 중심을 중심으로 하여 회전 가능하고, 그 길이는, 적어도 피가공물에 첩착되는 보호 테이프의 직경보다 길게 되어 있다.
도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 박리 기점부 생성 수단 (50C) 은, 제 4 에어 실린더 (51d) 와, 제 4 에어 실린더 (51d) 로부터 연장되어 자유롭게 진퇴하도록 높이 방향에 있어서의 위치를 미조정 가능한 축 (510d) 과, 아암 부재 (56) 와, 아암 부재 (56) 의 선단에 형성된 선단 부재 (57) 와, 선단 부재 (57) 에 장착된 선단 침상 부재 (58) 와, 에어 노즐 (59) 로 구성되어 있다. 선단 부재 (57) 는, 상하로 이동 가능하게 구성되고, 그 높이 위치가 조정됨으로써 피가공물에 첩착된 보호 테이프의 높이에 선단 침상 부재 (58) 의 선단부가 위치 결정 가능하게 구성되어 있다. 또, 에어 노즐 (59) 은, 제 4 에어 실린더 (51d), 축 (510d) 을 통하여 고압 에어가 공급되고, 필요에 따라 고압 에어를 분출 가능하게 구성되어 있다.
2. 가공 방법
다음으로, 상기한 확장 장치 (1) 를 사용하여, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물의 가공 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 적용 대상이 되는 피가공물은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할 기점 (예를 들어 개질층) 이 형성되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물, 또는 교차하는 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물이다.
(1) 시트 송출 스텝
도 4 에 나타내는 바와 같이, 송출 롤러 (22) 에 의해 일단측의 송출 릴 (20) 로부터 롤상으로 권회된 익스팬드 시트 (8) 를 제 1 방향으로 송출함과 함께, 송출된 익스팬드 시트 (8) 를 인입 롤러 (23, 24) 에 의해 인입하여 권취 릴 (21) 에 의해 권취한다. 이 때, 송출된 익스팬드 시트 (8) 의 상방향으로 노출된 상면이 점착성을 갖는 점착면 (8a) 으로 되어 있다. 또한, 본 실시형태에서 사용되는 익스팬드 시트 (8) 의 재질은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리올레핀이나 폴리염화비닐 등의 기재층에 점착층이 적층된 익스팬드 시트를 사용한다.
(2) 피가공물 반입 스텝
웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (40) 에 반입한다. 웨이퍼 (W) 는, 피가공물의 일례로서, 그 표면 (Wa) 에 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는, 디바이스를 보호하기 위한 표면 보호 테이프 (T) 가 첩착되어 있다. 표면 (Wa) 과 반대측의 이면은, 후술하는 첩착 스텝에서 익스팬드 시트 (8) 에 첩착되는 피첩착면 (Wb) 으로 되어 있다. 본 실시형태에 나타내는 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어 레이저 광선의 조사에 의해 분할 예정 라인을 따른 개질층이 웨이퍼 (W) 의 내부에 형성되고, 예를 들어 연삭 장치에 있어서 박화되고 개질층을 기점으로 개개의 칩으로 분할되어 있다.
예를 들어, 로봇 핸드 (70) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (40) 에 반입한다. 로봇 핸드 (70) 는, 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 유지하고 유지 수단 (40) 의 상방측으로 이동한다. 이 때, 유지 수단 (40) 은, 유지 테이블 (41) 의 유지면 (41a) 을 상방향의 상태로 하여 대기하는 것이 바람직하다. 이로써, 연삭·세정 종료 후에, 로봇 핸드 (70) 가 웨이퍼 (W) 의 표리를 반전시키지 않고 직접 유지 테이블 (41) 에 반입할 수 있기 때문에, 개개의 칩으로 개편화된 상태의 웨이퍼 (W) 의 파손 리스크를 저감시킬 수 있다. 또한, 작업자가 웨이퍼 (W) 를 직접 유지 테이블 (41) 에 반입해도 된다.
(3) 피가공물 대면 스텝
도 5 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (40) 으로 유지함과 함께, 시트 송출 스텝에 의해 송출된 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 에 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 대면시킨다. 구체적으로는, 유지 테이블 (41) 의 유지면 (41a) 에서 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측을 유지한 상태로, 도 2 에 나타낸 회전축 (44) 이 회전하여 유지 테이블 (41) 의 유지면 (41a) 을 반전시키고 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 를 하방향으로 노출시킨다. 이어서, 유지 수단 (40) 은, 주행부 (401) 의 주행에 의해 원하는 위치로 이동하고 나서, 승강부 (400) 에 의해 유지 테이블 (41) 을 하강시켜 익스팬드 시트 (8) 로부터 수 ㎜ 정도 상방의 위치에 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 위치 결정하고, 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 에 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 대면시킨다. 또한, 유지 수단 (40) 은, 유지 테이블 (41) 을 반전시키지 않고 원하는 위치로 이동하고 나서 유지 테이블 (41) 을 반전시키고, 익스팬드 시트 (8) 로부터 수 ㎜ 정도 상방의 위치에 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 위치 결정하도록 해도 된다.
(4) 협지 스텝
피가공물 대면 스텝을 실시한 후, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 방향에 있어서 웨이퍼 (W) 를 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 으로 익스팬드 시트 (8) 를 협지함과 함께, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서 웨이퍼 (W) 를 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 으로 익스팬드 시트 (8) 를 협지한다. 먼저, 2 개의 제 1 방향 이동 수단 (14a) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 서로 접근하도록 가동 기대 (13a) 를 제 1 방향으로 수평 이동시킨다. 또, 2 개의 제 2 방향 이동 수단 (14b) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 서로 접근하도록 가동 기대 (13b) 를 제 2 방향으로 수평 이동시킨다. 이와 같이 하여, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 및 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 을 서로 접근시킨다.
이 때, 제 1 방향으로 연장되는 익스팬드 시트 (8) 는, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 및 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 에 있어서의 도 2 로 나타낸 각 하측 협지부 (110) 와 각 상측 협지부 (120) 사이에 위치 결정되고 있다. 이어서, 승강 기구에 의해 각 하측 협지부 (110) 를 상승시킴과 함께, 각 상측 협지부 (120) 를 하강시킨다. 하측 협지부 (110) 의 롤러 (113) 가 익스팬드 시트 (8) 의 하면을 가압함과 함께, 상측 협지부 (120) 의 도 7 에 나타내는 롤러 (123) 가 익스팬드 시트 (8) 의 상면을 가압함으로써, 익스팬드 시트 (8) 의 상하면을 협지한다.
(5) 사전 확장 스텝
협지 스텝을 실시한 후 첩착 스텝을 실시하기 전에, 제 1 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 에 휨이 발생하고 있는 경우에는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 를 확장시켜 익스팬드 시트 (8) 의 휨을 해소한다. 구체적으로는, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 익스팬드 시트 (8) 의 상하면을 협지한 상태로 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 을 서로 이반하도록 이동시킨다. 즉, 도 6 에 나타낸 2 개의 제 1 방향 이동 수단 (14a) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 서로 이반하도록 제 1 방향으로 수평 이동시키고, 각 하측 협지부 (110) 의 롤러 (113) 와 각 상측 협지부 (120) 의 롤러 (123) 에 의해 협지된 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측을 향하여 인장한다. 그 결과, 제 1 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 가 신장되어 휨이 해소된다.
이어서, 제 2 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 에 휨이 발생하고 있는 경우에는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 제 2 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 를 확장시켜 익스팬드 시트 (8) 의 휨을 해소한다. 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 익스팬드 시트 (8) 의 상하면을 협지한 상태로 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 을 서로 이반하도록 이동시킨다. 즉, 도 6 에 나타낸 2 개의 제 2 방향 이동 수단 (14b) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 서로 이반하도록 제 2 방향으로 수평 이동시키고, 각 하측 협지부 (110) 의 롤러 (113) 와 각 상측 협지부 (120) 의 롤러 (123) 에 의해 협지된 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측을 향하여 인장한다. 그 결과, 제 2 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 가 신장되어 휨이 해소된다.
본 실시형태에서는, 제 1 방향의 사전 확장 스텝을 실시한 후에 제 2 방향의 사전 확장 스텝을 실시하고 있는데, 이 경우에 한정되지 않고, 제 1 방향의 사전 확장 스텝과 제 2 방향의 사전 확장 스텝을 동시에 실시해도 되고, 제 2 방향으로 익스팬드 시트 (8) 를 확장하고 나서 제 1 방향으로 익스팬드 시트 (8) 를 확장해도 된다. 익스팬드 시트 (8) 의 제 1 방향의 확장량과 제 2 방향의 확장량은 동등해도 되고 상이해도 된다. 무엇보다, 익스팬드 시트 (8) 의 휨의 정도에 따라 익스팬드 시트 (8) 의 제 1 방향의 확장량과 제 2 방향의 확장량을 적절히 설정하면 된다.
(6) 첩착 스텝
협지 스텝을 실시한 후 (사전 확장 스텝을 실시한 후는 그 후), 도 9 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 보다 큰 사이즈를 가진 익스팬드 시트 (8) 상에 웨이퍼 (W) 의 이면측 (피첩착면 (Wb) 측) 을 첩착한다. 구체적으로는, 에어 실린더 (302) 에 있어서 피스톤 (303) 이 상승함으로써, 첩착 롤러 (30) 를 익스팬드 시트 (8) 의 하면에 접촉시킨다. 계속해서 첩착 롤러 (30) 를 회전시키면서 익스팬드 시트 (8) 의 하면을 상방으로 가압함과 함께, 도 2 에 나타낸 제 1 방향 이송 수단 (37) 에 의해 이동 기대 (373) 를 제 1 방향으로 이동시키고 첩착 롤러 (30) 를 전동시킨다. 전동하는 첩착 롤러 (30) 의 가압에 수반하여, 익스팬드 시트 (8) 를 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 을 향하여 가압함으로써, 피첩착면 (Wb) 의 전체면에 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 을 첩착한다. 그 후, 에어 실린더 (302) 에 있어서 피스톤 (303) 이 하강하고, 익스팬드 시트 (8) 로부터 첩착 롤러 (30) 를 퇴피시킨다. 이 때, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 과, 도 8 에 나타낸 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 에 의해 익스팬드 시트 (8) 의 상하면은 협지되어 있고, 이 상태는 후술하는 시트 절단 스텝이 완료할 때까지 유지된다.
(7) 피가공물 수수 스텝
첩착 스텝을 실시한 후, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 시트 (8) 에 첩착된 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (40) 으로부터 분리한다. 구체적으로는, 도 2 에 나타낸 제 1 방향 이송 수단 (37) 에 의해 이동 기대 (373) 가 제 1 방향으로 이동하고, 릴리스 테이블 (311) 을 제 1 방향으로 이동시킨다. 계속해서 에어 실린더 (312) 에 있어서 피스톤 (313) 이 상승함으로써 릴리스 테이블 (311) 을 상승시키고, 유지 수단 (40) 과 대향한 위치에 릴리스 테이블 (311) 을 위치 결정한다. 즉, 릴리스 테이블 (311) 이 익스팬드 시트 (8) 를 개재하여 유지 테이블 (41) 이 유지하는 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 측에 접촉한다. 그 후, 유지 테이블 (41) 이 웨이퍼 (W) 의 흡인을 해제함과 함께, 릴리스 테이블 (311) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 이와 같이 하여, 유지 테이블 (41) 로부터 릴리스 테이블 (311) 에 웨이퍼 (W) 를 수수함으로써, 웨이퍼 (W) 에 파손이 발생하는 것을 저감시킬 수 있다.
(8) 예비 확장 스텝
첩착 스텝을 실시한 후, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 시트 (8) 를 예비 확장시킨다. 릴리스 테이블 (311) 로 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한 상태로, 예를 들어 도 6 에 나타낸 2 개의 제 1 방향 이동 수단 (14a) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 서로 이반하도록 제 1 방향으로 수평 이동시키고, 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측을 향하여 인장한다. 또, 제 1 방향의 예비 확장과 함께, 릴리스 테이블 (311) 로 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한 상태로, 도 6 에 나타낸 2 개의 제 2 방향 이동 수단 (14b) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 서로 이반하도록 제 2 방향으로 수평 이동시키고, 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측을 향하여 인장한다. 제 1 방향 및 제 2 방향의 예비 확장에 의해 잡아늘여진 익스팬드 시트 (8) 에는 텐션이 가해지기 때문에, 익스팬드 시트 (8) 가 웨이퍼 (W) 의 피첩착면 (Wb) 에 강고하게 첩착된 상태가 되어, 표면 보호 테이프 (T) 를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 박리할 때에, 칩끼리가 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 (W) 가 개개의 칩으로 분할되어 있지 않은 경우에는, 예비 확장 스텝으로 웨이퍼 (W) 를 개개의 칩으로 분할해도 된다. 이 경우라도, 익스팬드 시트 (8) 는 사전에 확장되어 있기 때문에, 이웃하는 칩 (C) 끼리가 접촉할 우려는 없다.
(9) 표면 보호 테이프 박리 스텝
예비 확장 스텝의 실시 중에, 익스팬드 시트 (8) 를 확장시킨 상태로, 도 2 에 나타낸 박리 유닛 (50) 을 사용하여 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 를 박리한다. 먼저, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 릴리스 테이블 (311) 의 상방에 테이프 유지 수단 (50A) 및 박리 기점부 생성 수단 (50C) 을 이동시킨다. 이 때, 웨이퍼 (W) 에 첩착된 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 단부의 약간 외주 부분을 박리 기점부 생성 수단 (50C) 에 있어서의 선단 침상 부재 (58) 의 선단의 바로 아래에 위치 결정한다. 그 후, 도 3(c) 에 나타낸 제 4 에어 실린더 (51d) 를 작동시켜, 선단 침상 부재 (58) 의 선단을 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 단부에 근접하는 위치까지 강하시킨다.
선단 침상 부재 (58) 의 선단이 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분에 근접하도록, 표면 보호 테이프 (T) 의 표면 높이에 맞추어 선단 침상 부재 (58) 의 선단의 높이를 미조정하고, 선단이 근접한 상태로 테이프 유지 수단 (50A) 및 박리 기점부 생성 수단 (50C) 을 약간 도면 중 좌방으로 이동시킴으로써, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 선단 침상 부재 (58) 의 선단을 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분에 닿게 한다. 또한, 도시한 바와 같이, 표면 보호 테이프 (T) 의 둘레 방향 외측으로부터 선단 침상 부재 (58) 의 선단을 닿게 하도록 해도 되지만, 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분의 상방으로부터 선단 침상 부재 (58) 의 선단을 닿게 하도록 하는 것도 가능하다.
선단 침상 부재 (58) 의 선단이 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분에 닿은 후, 제 4 에어 실린더 (51d) 를 작동시켜, 선단 침상 부재 (58) 를 약간 상승시킴으로써, 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분의 일부가 양호하게 박리된다.
표면 보호 테이프 (T) 의 일부가 박리된 후, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 선단 부재 (57) 를 상승시킴과 함께, 에어 노즐 (59) 로부터 고압 에어를 분사함으로써, 선단 침상 부재 (58) 의 선단으로부터 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분이 이반하고, 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분에 있어서 먼저 박리한 일부를 포함하는 박리 영역이 확대되고, 테이프 유지 수단 (50A) 에 의해 협지하는 데에 적합한 박리 기점부 (TS) 가 생성된다. 또한, 박리 기점부 생성 공정에 있어서의 유지 베이스 (52) 의 높이는, 박리 기점부 (TS) 가 에어 노즐 (59) 로부터의 고압 에어에 의해 박리되었을 때에, 박리 기점부 (TS) 가 유지 베이스 (52) 에 형성된 협지편 (511, 512) 사이에 들어가도록 조정된다. 또한, 에어 노즐 (59) 에 의해 고압 에어를 분사하여 박리 영역을 확대할 때에, 상기한 선단 침상 부재 (58) 를 추가로 닿도록 해도 된다. 이와 같이 하여 박리 기점부 (TS) 가 바람직하게 생성된다.
표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분이 에어 노즐 (59) 로부터 분사된 고압 에어에 의해 들어 올려지면, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 제 3 에어 실린더 (50c) 의 작동에 의해 협지편 (512) 을 협지편 (511) 측으로 이동시키고, 박리한 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분을 협지편 (511) 과 협지편 (512) 에 의해 협지한다. 그리고, 제 1 에어 실린더 (51a) 를 작동시킴으로써, 협지편 (511, 512) 의 하방에 절곡 롤러 (55) 를 진입시키는 것이 가능한 정도로 테이프 유지 수단 (50A) 전체를 상방으로 이동시킨다.
테이프 유지 수단 (50A) 을 상방에 이동시키고, 절곡 롤러 (55) 를 테이프 유지 수단 (50A) 측으로 이동시킨다. 또한, 절곡 롤러 (55) 는, 표면 보호 테이프 (T) 의 웨이퍼 (W) 에 대한 점착면측에 닿으면서 박리를 진행시키기 때문에, 길이 방향의 축 중심으로 회전 가능하고, 또한 접촉하는 표면 보호 테이프 (T) 의 점착면이 부착하지 않도록 그 표면에는 불소 수지가 코팅되어 있다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (W) 는 연삭되어 매우 얇은 판상으로 형성되는 것으로, 절곡 각도가 작으면 표면 보호 테이프 (T) 의 박리시에 웨이퍼 (W) 의 균열, 파손 등을 일으킬 우려가 있어, 가능한 한 180 도, 혹은 그것에 가까운 각도로 절곡되는 것이 바람직하다.
도 16 에 나타내는 바와 같이, 절곡 롤러 (55) 가 유지판 (53) 하면의 도면 중 좌방측 타탄부까지 이동하면, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 가 완전히 박리된다. 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 박리된 표면 보호 테이프 (T) 는, 유지판 (53) 에 의해 흡인 유지된다. 그리고, 제 3 에어 실린더 (51c) 의 작동에 의해 협지편 (512) 을 협지편 (511) 으로부터 이반시켜 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분을 해방하고, 예를 들어 폐기 용기에 폐기된다.
표면 보호 테이프 박리 스텝에서는, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 (T) 를 박리하는 박리 방향이 점선으로 나타내는 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향과는 상이한 방향으로 설정되는 것이 바람직하다. 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향과 상이한 방향이란, 격자상의 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향에 대해 직교하지 않는 방향을 의미한다. 도시한 예에서는, 평면시에 있어서, 격자상의 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향에 대해 도면 중 화살표로 나타내는 기울어진 방향이 박리 방향으로서 설정되어 있다.
상기 박리 유닛 (50) 으로 웨이퍼 (W) 에 첩착된 표면 보호 테이프 (T) 를 박리할 때에는, 예를 들어 도 16 에 나타내는 릴리스 테이블 (311) 을 회전시켜, 선단 침상 부재 (58) 를 닿게 하는 위치를, 설정된 도 17 에 나타내는 박리 방향 상의 표면 보호 테이프 (T) 의 둘레 방향 외측에 위치 결정한다. 그 후에는, 상기와 동일한 박리 동작을 실시한다. 즉, 박리 방향으로부터 선단 침상 부재 (58) 를 닿게 하고, 박리 기점부 (TS) 를 형성한 후, 테이프 유지 수단 (50A) 으로 표면 보호 테이프 (T) 의 외주 부분을 협지하면서, 도 16 에 나타낸 절곡 롤러 (55) 가 유지판 (53) 하면의 도면 중 좌방측 타단부까지 이동함으로써, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 가 완전히 박리된다. 이 때, 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향으로 힘이 크게 가해지지 않기 때문에, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 를 박리할 때에, 인접하는 칩 (C) 이 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이 하여, 표면 보호 테이프 박리 스텝이 완료된다.
(10) 확장 스텝
표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시한 후, 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 1 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 를 추가로 확장하여 개개의 칩 (C) 사이의 간격을 형성한다. 구체적으로는, 예비 확장 스텝에 있어서의 익스팬드 시트 (8) 의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 도 6 에 나타낸 2 개의 제 1 방향 이동 수단 (14a) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 서로 이반하도록 제 1 방향으로 수평 이동시키고, 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측으로 인장한다. 익스팬드 시트 (8) 가 추가로 확장되는 것에 수반하여, 이웃하는 칩 (C) 사이의 간격이 커져, 각 칩 (C) 사이에 충분한 간격을 형성할 수 있다. 이로써, 웨이퍼 (W) 의 반송시에 이웃하는 칩 (C) 끼리가 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
계속해서, 도 19 에 나타내는 바와 같이, 제 2 방향에 있어서 익스팬드 시트 (8) 를 추가로 확장하여 개개의 칩 (C) 사이의 간격을 형성한다. 구체적으로는, 예비 확장 스텝에 있어서의 익스팬드 시트 (8) 의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 도 6 에 나타낸 2 개의 제 2 방향 이동 수단 (14b) 을 작동시켜, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 서로 이반하도록 제 2 방향으로 이동시키고, 익스팬드 시트 (8) 를 각각 외측으로 인장한다. 익스팬드 시트 (8) 가 추가로 확장되는 것에 수반하여, 이웃하는 칩 (C) 사이의 간격이 확장되어, 각 칩 (C) 사이에 충분한 간격을 형성할 수 있다. 이로써, 제 1 방향의 확장 스텝과 마찬가지로, 웨이퍼 (W) 의 반송시에 이웃하는 칩 (C) 끼리가 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 1 방향의 확장 스텝을 실시한 후에 제 2 방향의 확장 스텝을 실시하고 있는데, 이 경우에 한정되지 않고, 제 1 방향의 확장 스텝과 제 2 방향의 확장 스텝을 동시에 실시해도 되고, 제 2 방향의 확장을 하고 나서 제 1 방향의 확장을 실시해도 된다. 또, 익스팬드 시트 (8) 의 제 1 방향의 확장량과 제 2 방향의 확장량은, 동등해도 되고 상이해도 된다.
(11) 미분할 영역 분할 스텝
여기서, 제 1 방향 확장 스텝 및 제 2 방향 확장 스텝에 의해 확장된 웨이퍼 (W) 중, 개개의 칩 (C) 으로 분할되어 있지 않은 미분할 영역 (개질층을 기점으로 분할되지 않았던 영역) 이 있는 경우에는, 도 2 에 나타낸 분할 수단 (35) 에 의해 웨이퍼 (W) 에 외력을 부여함으로써, 개개의 칩 (C) 으로 분할한다. 예를 들어, 제 1 방향에 있어서 웨이퍼 (W) 에 미분할 영역이 있는 경우에는, 회전 테이블 (36) 을 회전시킴으로써, 스퀴지 (350) 의 연장 방향을 제 1 방향에 맞춤과 함께, 제 2 방향 이송 수단 (38) 에 의해 이동 기대 (383) 를 제 2 방향으로 이동시키고 미분할 영역에 대응하는 위치에 스퀴지 (350) 를 위치 결정한다. 계속해서, 스퀴지 (350) 를 상승시켜 익스팬드 시트 (8) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 에 접촉시키고 슬릿 (351) 을 통해서 웨이퍼 (W) 를 흡인함으로써, 미분할 영역을 분할하여 개개의 칩 (C) 으로 분할한다. 또한, 미분할 영역 분할 스텝은, 적어도 프레임 첩착 스텝을 실시하기 전에 실시한다.
(12) 프레임 위치 결정 스텝
제 1 방향 확장 스텝과 제 2 방향 확장 스텝을 실시한 후, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 프레임 유지 수단 (60) 에 의해 환상 프레임 (2) 을 익스팬드 시트 (8) 에 대면시킨다. 먼저, 프레임 유지 수단 (60) 은, 도 2 에 나타낸 프레임 스토커 (5) 에 수용되어 있는 환상 프레임 (2) 을 프레임 유지부 (61) 로 흡인 유지하여 반출하고, 익스팬드 시트 (8) 의 상방측으로 이동한다. 이어서, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 과 도 19 에 나타낸 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 으로 익스팬드 시트 (8) 를 협지한 상태로, 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 에 환상 프레임 (2) 을 대면시킴과 함께, 환상 프레임 (2) 의 개구 (3) 의 내측에 웨이퍼 (W) 를 위치 결정한다.
(13) 프레임 첩착 스텝
프레임 위치 결정 스텝을 실시했다면, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 에 대면하여 위치 결정된 환상 프레임 (2) 에 익스팬드 시트 (8) 를 첩착한다. 구체적으로는, 승강 기구에 의해 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 가 상승하고, 익스팬드 시트 (8) 의 하면에 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 를 접촉시킨다. 계속해서 도 2 에 나타낸 회전 테이블 (36) 이 적어도 1 회전함으로써 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 를 환상 프레임 (2) 을 따라 전동시키면서 익스팬드 시트 (8) 의 하면을 상방으로 가압함으로써, 환상 프레임 (2) 에 익스팬드 시트 (8) 의 점착면 (8a) 을 첩착한다. 환상 프레임 (2) 에 익스팬드 시트 (8) 가 첩착된 후, 프레임용 첩착 롤러 (33a, 33b) 를 하강시켜 익스팬드 시트 (8) 로부터 퇴피시킨다.
(14) 시트 절단 스텝
프레임 첩착 스텝을 실시한 후, 도 22 에 나타내는 바와 같이, 환상 프레임 (2) 을 따라 익스팬드 시트 (8) 를 절단한다. 구체적으로는, 승강 기구에 의해 절단 수단 (34) 이 상승하고 익스팬드 시트 (8) 에 절입시켜, 도 2 에 나타낸 회전 테이블 (36) 이 적어도 1 회전함으로써, 환상 프레임 (2) 을 따라 절단 수단 (34) 를 원형으로 이동시킴으로써 익스팬드 시트 (8) 를 절단한다.
(15) 반출 스텝
시트 절단 스텝을 실시한 후, 도 23 에 나타내는 바와 같이, 환상 프레임 (2) 에 익스팬드 시트 (8) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 가 첩착된 프레임 유닛 (9) 이 형성된다. 그리고, 프레임 유지 수단 (60) 은 프레임 유닛 (9) 을 유지한 상태로 상승함으로써, 익스팬드 시트 (8) 가 절단된 위치 (P) 로부터 프레임 유닛 (9) 을 반출하고, 다음 공정 (예를 들어 실장 공정) 으로 프레임 유닛 (9) 을 이송한다.
이와 같이, 본 발명의 가공 방법에서는, 첩착 스텝을 실시한 후, 익스팬드 시트 (8) 를 확장시키는 예비 확장 스텝을 실시하면서, 익스팬드 시트 (8) 를 확장시킨 상태로, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 표면 보호 테이프 (T) 를 박리하는 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시하도록 구성하였기 때문에, 익스팬드 시트 (8) 에 텐션을 가하면서, 표면 보호 테이프 (T) 를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 박리하는 것이 가능해진다. 이로써, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그 후에는, 확장 스텝으로 진행되어, 예비 확장 스텝에 있어서의 익스팬드 시트 (8) 의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 익스팬드 시트 (8) 를 확장하기 때문에, 각 칩 (C) 사이에 충분한 간격을 형성할 수 있어, 칩 (C) 의 반송을 원활하게 실시하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명에서는, 협지 스텝을 실시하여 제 1 방향에 있어서 웨이퍼 (W) 를 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 으로 익스팬드 시트 (8) 를 협지함과 함께, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서 웨이퍼 (W) 를 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 으로 익스팬드 시트 (8) 를 협지하고, 예비 확장 스텝과 확장 스텝에서는, 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 이 서로 이반하도록 제 1 방향으로 수평 이동시킴과 함께, 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 이 서로 이반하도록 제 2 방향으로 수평 이동시킴으로써 익스팬드 시트 (8) 를 확장시키기 때문에, 익스팬드 시트 (8) 를 충분히 확장할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시할 때에, 표면 보호 테이프 (T) 를 박리하는 박리 방향이 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향과는 상이한 방향으로 설정되기 때문에, 표면 보호 테이프 (T) 를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 박리할 때의 힘이 분할 예정 라인 (S) 의 신장 방향으로 크게 작용하지 않는다. 이로써, 효율적으로 표면 보호 테이프 (T) 를 박리 가능해져, 칩끼리가 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시형태에서는, 확장 장치 (1) 의 1 쌍의 제 1 협지 수단 (10A) 과 1 쌍의 제 2 협지 수단 (10B) 으로 익스팬드 시트 (8) 의 4 변을 협지하여 제 1 방향 및 제 2 방향으로 확장하는 경우를 설명했지만, 이 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어 일본 공개특허공보 2007-123658호에 개시되어 있는 드럼형의 확장 장치를 사용하여, 상기 사전 확장 스텝, 상기 예비 확장 스텝 및 상기 확장 스텝을 실시해도 된다.
1：확장 장치
2：링 프레임
3：개구
4：환상 프레임 공급 유닛
5：프레임 스토커
6：대차
7：캐스터
8：익스팬드 시트
8a：점착면
9：프레임 유닛
10A：제 1 협지 수단
10B：제 2 협지 수단
13a, 13b：가동 기대
14a：제 1 방향 이동 수단
14b：제 2 방향 이동 수단
20：송출 릴
21：권취 릴
22：송출 롤러
23, 24：인입 롤러
30：첩착 롤러
31：릴리스 수단
32：고정 기대
33a, 33b：프레임용 첩착 롤러
34：절단 수단
35：분할 수단
36：회전 테이블
37：제 1 방향 이송 수단
38：제 2 방향 이송 수단
40：유지 수단
41：유지 테이블
42：회전 테이블
43：베이스
44：회전축
45：지지부
50：박리 유닛
50A：테이프 유지 수단
50B：절곡 롤러 이동 수단
50C：박리 기점부 생성 수단
51a：제 1 에어 실린더
51b：제 2 에어 실린더
51c：제 3 에어 실린더
51d：제 4 에어 실린더
511, 512：협지편
52：유지 베이스
53：유지판
54：지지 프레임
55：절곡 롤러
56：아암 부재
57：선단 부재
58：선단 침상 부재
59：에어 노즐
60：프레임 유지 수단
61：프레임 유지부
70：로봇 핸드

Claims (3)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물, 또는 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할되고, 표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 피가공물의 가공 방법으로서,
    익스팬드 시트를 확장하여 휨을 해소하는 사전 확장 스텝과,
    유지 테이블에 유지된 피가공물보다 큰 사이즈를 가진 그 익스팬드 시트 상에 피가공물의 이면측을 첩착하는 첩착 스텝과,
    그 첩착 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블로부터 릴리스 테이블에 피가공물을 수수하는 피가공물 수수 스텝과,
    그 피가공물 수수 스텝을 실시한 후, 피가공물이 그 릴리스 테이블에 유지된 상태로 그 익스팬드 시트를 확장시키는 예비 확장 스텝과,
    그 예비 확장 스텝의 실시 중에, 피가공물이 그 익스팬드 시트를 개재하여 그 릴리스 테이블에 유지되고, 그 익스팬드 시트를 확장시킨 상태로, 피가공물의 표면으로부터 그 표면 보호 테이프를 박리하는 표면 보호 테이프 박리 스텝과,
    그 표면 보호 테이프 박리 스텝을 실시한 후, 그 예비 확장 스텝에 있어서의 그 익스팬드 시트의 확장량보다 큰 값의 확장량으로 그 익스팬드 시트를 확장하는 확장 스텝을 구비한 가공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 방향에 있어서 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 1 협지 수단으로 상기 익스팬드 시트를 협지함과 함께, 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서 피가공물을 사이에 두고 서로 대향한 1 쌍의 제 2 협지 수단으로 그 익스팬드 시트를 협지하는 협지 스텝을 추가로 구비하고,
    상기 예비 확장 스텝과 상기 확장 스텝에서는, 1 쌍의 그 제 1 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴과 함께 1 쌍의 그 제 2 협지 수단이 서로 이반하도록 이동시킴으로써 그 익스팬드 시트를 확장시키는 가공 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 표면 보호 테이프 박리 스텝에서는, 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 박리 방향이 상기 분할 예정 라인의 신장 방향과는 상이한 방향으로 설정되는 가공 방법.
KR1020180053512A 2017-05-23 2018-05-10 피가공물의 가공 방법 KR102437493B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017101598A JP6951124B2 (ja) 2017-05-23 2017-05-23 加工方法
JPJP-P-2017-101598 2017-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180128345A KR20180128345A (ko) 2018-12-03
KR102437493B1 true KR102437493B1 (ko) 2022-08-26

Family

ID=64109362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180053512A KR102437493B1 (ko) 2017-05-23 2018-05-10 피가공물의 가공 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10475676B2 (ko)
JP (1) JP6951124B2 (ko)
KR (1) KR102437493B1 (ko)
CN (1) CN108933095B (ko)
DE (1) DE102018207498B4 (ko)
MY (1) MY190871A (ko)
SG (1) SG10201803747XA (ko)
TW (1) TWI752215B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
US10867827B2 (en) * 2018-09-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment holder, testing apparatus and method for manufacturing a semiconductor package
JP7246244B2 (ja) * 2019-05-09 2023-03-27 株式会社ディスコ 被加工物の保護部材貼着方法
JP7438626B2 (ja) 2020-03-31 2024-02-27 株式会社ディスコ 搬送機構及びシート拡張装置
JP7511981B2 (ja) 2020-08-05 2024-07-08 株式会社ディスコ 接着用フィルム付きチップの製造方法
KR102233362B1 (ko) * 2021-01-13 2021-03-26 송익수 알루미늄 캔의 절단면 연마장치
DE102021203911A1 (de) 2021-04-20 2022-10-20 Disco Corporation Verfahren zum bearbeiten eines substrats und ein system zum bearbeiten eines substrats

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311576A (ja) 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2007012751A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2009253071A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法
JP2014017287A (ja) * 2012-07-05 2014-01-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014022382A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2014204089A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 株式会社ディスコ ウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法
JP2016092207A (ja) 2014-11-05 2016-05-23 株式会社ディスコ フレームユニットの製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6235387B1 (en) * 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US6589809B1 (en) * 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
ES2285634T3 (es) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Metodo para dividir un siustrato.
KR100468748B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-29 삼성전자주식회사 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
JP4599631B2 (ja) * 2003-05-12 2010-12-15 株式会社東京精密 板状部材の分割方法及び分割装置
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4684569B2 (ja) * 2004-03-31 2011-05-18 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP2007123658A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの拡張装置
JP2007250598A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153597A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Hitachi Setsubi Eng Co Ltd 半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け方法及び装置
JP2009290052A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2011077482A (ja) 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP6180120B2 (ja) * 2013-01-24 2017-08-16 株式会社ディスコ 拡張装置および拡張方法
US20140339673A1 (en) * 2013-05-14 2014-11-20 Texas Instruments Incorporated Wafer processing
WO2016107630A1 (en) * 2014-12-29 2016-07-07 Karl Heinz Priewasser Protective sheeting for use in processing a semiconductor-sized wafer and semiconductor-sized wafer processing method
JP2016171214A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
DE102016211044B4 (de) * 2016-06-21 2024-02-15 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE102017201154A1 (de) * 2017-01-25 2018-07-26 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311576A (ja) 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2007012751A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2009253071A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法
JP2014017287A (ja) * 2012-07-05 2014-01-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014022382A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2014204089A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 株式会社ディスコ ウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法
JP2016092207A (ja) 2014-11-05 2016-05-23 株式会社ディスコ フレームユニットの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018207498A1 (de) 2018-11-29
TW201901855A (zh) 2019-01-01
MY190871A (en) 2022-05-13
JP6951124B2 (ja) 2021-10-20
CN108933095A (zh) 2018-12-04
US10475676B2 (en) 2019-11-12
KR20180128345A (ko) 2018-12-03
CN108933095B (zh) 2024-02-20
JP2018198242A (ja) 2018-12-13
US20180342408A1 (en) 2018-11-29
DE102018207498B4 (de) 2021-02-04
TWI752215B (zh) 2022-01-11
SG10201803747XA (en) 2018-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102437493B1 (ko) 피가공물의 가공 방법
JP5431053B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
TW200303047A (en) Method of cutting a protective tape and protective tape applying apparatus using the same method
JP7108492B2 (ja) 保護部材形成装置
TW201515847A (zh) 保護帶剝離方法及保護帶剝離裝置
TWI773859B (zh) 片材擴張裝置
JP6682389B2 (ja) 拡張装置及び拡張方法
KR20230055955A (ko) 가공 장치
JP6706979B2 (ja) 拡張装置及び拡張方法
JP5520129B2 (ja) シート剥離装置
KR20220160475A (ko) 가공 장치
JP2022127872A (ja) 加工装置
JP2022128193A (ja) 加工装置
JP2020068322A (ja) ウェーハの加工方法
JP6706980B2 (ja) 拡張装置及び拡張方法
JP5534923B2 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
WO2011115172A1 (ja) シート切断方法およびシート切断装置
JP6180742B2 (ja) テープ貼着方法及びテープ貼着装置
KR20230023569A (ko) 가공 장치
JP2022141004A (ja) 加工装置
CN116544166A (zh) 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置
JP2022114113A (ja) 加工装置
JP2022184288A (ja) 加工方法および加工装置
KR20230124483A (ko) 웨이퍼 전사 방법 및 웨이퍼 전사 장치
JP2023023887A (ja) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant