JP2022184288A - 加工方法および加工装置 - Google Patents

加工方法および加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022184288A
JP2022184288A JP2021092048A JP2021092048A JP2022184288A JP 2022184288 A JP2022184288 A JP 2022184288A JP 2021092048 A JP2021092048 A JP 2021092048A JP 2021092048 A JP2021092048 A JP 2021092048A JP 2022184288 A JP2022184288 A JP 2022184288A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
frame
ring
tape
shaped reinforcing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021092048A
Other languages
English (en)
Inventor
良信 齋藤
Yoshinobu Saito
ゾンヒョン リュ
Jonghyun Liu
芳国 右山
Yoshikuni Migiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2021092048A priority Critical patent/JP2022184288A/ja
Priority to TW111118251A priority patent/TW202249151A/zh
Priority to DE102022205177.7A priority patent/DE102022205177A1/de
Priority to US17/804,185 priority patent/US20220384175A1/en
Priority to KR1020220065393A priority patent/KR20220163278A/ko
Priority to CN202210596891.6A priority patent/CN115430928A/zh
Publication of JP2022184288A publication Critical patent/JP2022184288A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】ウエーハを所要位置で切断してウエーハからリング状補強部を適正に除去することができる加工方法を提供する。【解決手段】加工方法は、ウエーハ4を収容する開口部64aが形成されたリング状のフレーム64を準備するフレーム準備工程と、外周余剰領域に対応する裏面4bにリング状補強部24が凸状に形成されたウエーハ4を準備するウエーハ準備工程と、フレーム64とウエーハ4の裏面4bとにテープ96を貼着してフレームユニットUを生成するフレームユニット生成工程と、リング状補強部24を撮像しリング状補強部24の内周円の中心を設定する中心設定工程と、該中心に基づいてフレームユニットUを回転させリング状補強部24の内周円に沿ってウエーハ4を切断する切断工程と、フレームユニットUから切断されたリング状補強部24を除去する補強部除去工程とを含む。【選択図】図11

Description

本発明は、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工方法および加工装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
本出願人は、研削されたウエーハの搬送を容易にするために外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部を残存させ所定の加工を施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にフレームでウエーハを支持し、ウエーハからリング状補強部を除去する技術を提案した(たとえば特許文献1参照)。
特開2010-62375号公報
しかし、ウエーハを所要位置で切断してウエーハからリング状補強部を適正に除去することが困難であり、生産性が悪いという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ウエーハを所要位置で切断してウエーハからリング状補強部を適正に除去することができる加工方法および加工装置を提供することである。
本発明によれば、上記課題を解決する以下の加工方法が提供される。すなわち、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工方法であって、ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを準備するフレーム準備工程と、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、該フレームとウエーハの裏面とにテープを貼着してフレームユニットを生成するフレームユニット生成工程と、リング状補強部を撮像しリング状補強部の内周円の中心を設定する中心設定工程と、該中心に基づいて該フレームユニットを回転させリング状補強部の内周円に沿ってウエーハを切断する切断工程と、該フレームユニットから切断されたリング状補強部を除去する補強部除去工程と、を含む加工方法が提供される。
好ましくは、リング状補強部に対応するウエーハの表面を撮像して、リング状補強部を切断する領域にデバイスが存在するか否かを検査し、デバイスが存在する場合は加工を中断する。該中心設定工程において、リング状補強部とテープとが密着していない領域を検出した場合、加工を中断するのが好適である。
また、本発明によれば、上記課題を解決する以下の加工装置が提供される。すなわち、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工装置であって、複数のウエーハが収容されたウエーハカセットが載置されるウエーハカセットテーブルと、該ウエーハカセットテーブルに載置されたウエーハカセットからウエーハを搬出するウエーハ搬出手段と、該ウエーハ搬出手段によって搬出されたウエーハの表面側を支持するウエーハテーブルと、ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを複数収容するフレーム収容手段と、該フレーム収容手段からフレームを搬出するフレーム搬出手段と、該フレーム搬出手段によって搬出されたフレームを支持するフレームテーブルと、該フレームテーブルの上方に配設されフレームにテープを貼着するテープ貼着手段と、テープが貼着されたフレームを該ウエーハテーブルまで搬送し該ウエーハテーブルに支持されたウエーハの裏面にフレームの開口部を位置づけてテープ付フレームを該ウエーハテーブルに載置するテープ付フレーム搬送手段と、テープ付フレームのテープをウエーハの裏面に圧着するテープ圧着手段と、該テープ圧着手段によってテープ付フレームのテープとウエーハの裏面とが圧着されたフレームユニットを該ウエーハテーブルから搬出するフレームユニット搬出手段と、該フレームユニット搬出手段によって搬出されたフレームユニットのウエーハからリング状補強部を切断し除去する補強部除去手段と、リング状補強部が除去されたリング無しユニットを該補強部除去手段から搬出するリング無しユニット搬出手段と、該リング無しユニット搬出手段によって搬出されたリング無しユニットを収容するフレームカセットが載置されるフレームカセットテーブルと、を含み、該フレームユニット搬出手段は、ウエーハを保持するウエーハ保持部およびフレームを保持するフレーム保持部を含むフレームユニット保持部と、該フレームユニット保持部を仮置きテーブルまで搬送する搬送部とを備え、該ウエーハテーブルから該仮置きテーブルの間に、フレームユニットの上方からテープを介してウエーハの裏面を撮像する上部カメラが配設され、ウエーハの裏面に形成されたリング状補強部の内周円の中心を求める加工装置が提供される。
望ましくは、該フレームユニット搬出手段は、該フレームユニット保持部を水平方向に二次元で移動する二次元移動機構を備え、該二次元移動機構を作動してリング状補強部の内周円の中心を該仮置きテーブルの中心と一致させる。
該上部カメラに対向してフレームユニットを挟むように下部カメラが配設され、ウエーハのリング状補強部に対応する表面を該下部カメラで撮像して、リング状補強部を切断する領域にデバイスが存在するか否かを検査し、デバイスが存在する場合は加工を中断するのが好都合である。
該上部カメラの撮像によって、リング状補強部とテープとが密着していない領域を検出した場合、加工を中断するのが好適である。
該テープ圧着手段は、該ウエーハテーブルの上方に配設された上部チャンバーと、該ウエーハテーブルを収容した下部チャンバーと、該上部チャンバーを昇降させ該下部チャンバーに接触させた閉塞状態と該下部チャンバーから離反させた開放状態とを生成する昇降機構と、該閉塞状態で該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを真空にする真空部と、該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを大気に開放する大気開放部と、を備え、該ウエーハテーブルに支持されたウエーハの裏面にテープ付フレームのテープが位置づけられた状態で、該昇降機構を作動して該閉塞状態を維持しつつ該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを真空にし、該上部チャンバーに配設された押圧ローラでテープ付フレームのテープをウエーハの裏面に圧着するのが好ましい。
該補強部除去手段は、ウエーハの外周に形成されたリング状補強部の内周円に沿ってレーザー光線を照射して切断溝を形成するレーザー光線照射手段と、該仮置きテーブルに仮置きされたフレームユニットを保持し上昇させると共に該レーザー光線照射手段に位置づける第一の昇降テーブルと、該切断溝からリング状補強部を分離する分離部とを備え、
該分離部は、該切断溝に対応するテープに紫外線を照射してテープの粘着力を低減させる紫外線照射部と、リング状補強部を外周に露出させてウエーハの内側を吸引保持する第二の昇降テーブルと、楔を有するコマをリング状補強部の外周に作用してリング状補強部を分離する分離器と、分離されたリング状補強部が廃棄される廃棄部とを備えるのが望ましい。
本発明の加工方法は、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工方法であって、ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを準備するフレーム準備工程と、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、該フレームとウエーハの裏面とにテープを貼着してフレームユニットを生成するフレームユニット生成工程と、リング状補強部を撮像しリング状補強部の内周円の中心を設定する中心設定工程と、該中心に基づいて該フレームユニットを回転させリング状補強部の内周円に沿って切断する切断工程と、該フレームユニットから切断されたリング状補強部を除去する補強部除去工程と、を含むので、リング状補強部の内周円に沿ってウエーハを切断して、ウエーハからリング状補強部を適正に除去することができる。
本発明の加工装置においては、該ウエーハテーブルから該仮置きテーブルの間に、フレームユニットの上方からテープを介してウエーハの裏面を撮像する上部カメラが配設され、ウエーハの裏面に形成されたリング状補強部の内周円を求めるので、ウエーハの裏面に形成されたリング状補強部の内周円に沿ってレーザー光線を照射することにより、ウエーハを所要位置で切断してウエーハからリング状補強部を適正に除去することができる。
本発明に従って構成された加工装置の斜視図。 図1に示す加工装置によって加工が施されるウエーハの斜視図。 図1に示すウエーハカセットテーブル等の斜視図。 図1に示すハンドの斜視図。 図1に示すフレーム収容手段等の斜視図。 (a)図1に示すフレームテーブルが下降位置に位置している状態におけるテープ貼着手段等の斜視図、(b)図1に示すフレームテーブルが上昇位置に位置している状態におけるテープ貼着手段等の斜視図。 図1に示すテープ圧着手段の分解斜視図。 テープ圧着ステップにおいて押圧ローラによるテープの押圧を開始する状態を示す断面図。 テープ圧着ステップにおいて押圧ローラによるテープの押圧が終了した状態を示す断面図。 (a)ウエーハの表面側から見たフレームユニットの斜視図、(b)ウエーハの裏面側から見たフレームユニットの斜視図。 図1に示す補強部除去手段の斜視図。 フレームユニット搬出手段の上部カメラと下部カメラとの間にフレームユニットを位置づけた状態を示す斜視図。 (a)リング状補強部にデバイスが存在せず、かつ、リング状補強部とテープとが密着している場合のフレームユニットの一部断面図、(b)リング状補強部にデバイスが存在する場合のフレームユニットの一部断面図、(c)リング状補強部とテープとが密着していない場合のフレームユニットの一部断面図。 切断工程においてウエーハの付け根にレーザー光線を照射している状態を示す模式図。 図1に示す補強部除去手段の第一の昇降テーブルの斜視図。 (a)図1に示す補強部除去手段の分離部の斜視図、(b)(a)に示す支持基板の拡大斜視図。 図1に示す補強部除去手段の廃棄部の斜視図。 補強部除去工程において、第二の昇降テーブルでウエーハを吸引保持した状態を示す模式図。 補強部除去工程において、補強部除去手段のコマをリング状補強部の外周に作用させた状態を示す模式図。 補強部除去工程において、ウエーハから補強部を分離した状態を示す模式図。 図1に示すリング無しユニット搬出手段の反転機構の斜視図。 図1に示すリング無しユニット搬出手段のリング無しユニット支持部および押し込み部の斜視図。 リング無しユニット収容工程を実施している状態を示す斜視図。
以下、本発明に従って構成された加工方法および加工装置の好適実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
まず、本発明の加工装置の実施形態から説明する。図1を参照して説明すると、全体を符号2で示す加工装置は、複数のウエーハが収容されたウエーハカセット6が載置されるウエーハカセットテーブル8と、ウエーハカセットテーブル8に載置されたウエーハカセット6からウエーハを搬出するウエーハ搬出手段10と、ウエーハ搬出手段10によって搬出されたウエーハの表面側を支持するウエーハテーブル12とを備える。
図2には、加工装置2によって加工が施されるウエーハ4が示されている。ウエーハ4の表面4aは、IC、LSI等の複数のデバイス14が格子状の分割予定ライン16によって区画されたデバイス領域18と、デバイス領域18を囲繞する外周余剰領域20とが形成されている。図2では、便宜的にデバイス領域18と外周余剰領域20との境界22を二点鎖線で示しているが、実際には境界22を示す線は存在しない。ウエーハ4の裏面4b側には、外周余剰領域20にリング状補強部24が凸状に形成されており、外周余剰領域20の厚みはデバイス領域18の厚みよりも大きくなっている。また、ウエーハ4の周縁には、結晶方位を示す切り欠き26が形成されている。
図3に示すとおり、ウエーハカセット6には、表面4aが上を向いた状態で複数枚のウエーハ4が上下方向に間隔をおいて収容される。図示の実施形態のウエーハカセットテーブル8は、ウエーハカセット6が載置される天板28と、天板28を支持する支持板30とを有する。なお、天板28が昇降自在であり、天板28を昇降させて任意の高さに位置づける昇降手段が設けられていてもよい。
図3を参照して説明を続けると、ウエーハ搬出手段10は、図3に矢印Yで示すY軸方向に移動自在なY軸可動部材32と、Y軸可動部材32をY軸方向に移動させるY軸送り手段34とを備える。Y軸送り手段34は、Y軸可動部材32の下端に連結されY軸方向に延びるボールねじ36と、ボールねじ36を回転させるモータ38とを有する。Y軸送り手段34は、モータ38の回転運動をボールねじ36によって直線運動に変換してY軸可動部材32に伝達し、Y軸方向に延びる一対の案内レール40に沿ってY軸可動部材32をY軸方向に移動させる。なお、図3に矢印Xで示すX軸方向はY軸方向に直交する方向であり、図3に矢印Zで示すZ軸方向はX軸方向およびY軸方向に直交する上下方向である。X軸方向およびY軸方向が規定するXY平面は実質上水平である。
図示の実施形態のウエーハ搬出手段10は、図3に示すとおり、搬送アーム42と、搬送アーム42の先端に配設されウエーハカセット6に収容されたウエーハ4の裏面4bを支持しウエーハ4の表裏を反転させるハンド44とを備える。搬送アーム42は、Y軸可動部材32の上面に設けられており、エアー駆動源または電動駆動源等の適宜の駆動源(図示していない。)によって駆動される。この駆動源は、搬送アーム42を駆動して、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向のそれぞれの方向において任意の位置にハンド44を位置づけると共に、ハンド44を上下反転させる。
図4を参照して説明すると、ハンド44は、エアーの噴出によって負圧が発生し非接触でウエーハ4を支持するベルヌーイパッドであるのが好ましい。図示の実施形態のハンド44は全体としてC形状であり、ハンド44の片面には、圧縮空気供給源(図示していない。)に接続された複数のエアー噴出口46が形成されている。ハンド44の外周縁には、周方向に間隔をおいて複数のガイドピン48が付設されている。各ガイドピン48は、ハンド44の径方向に移動自在に構成されている。
図3および図4に示すとおり、ウエーハ搬出手段10は、ウエーハカセットテーブル8に載置されたウエーハカセット6内のウエーハ4の裏面4b側(下側)にハンド44を位置づけた後、ハンド44のエアー噴出口46から圧縮エアーを噴出してベルヌーイ効果によってハンド44の片面側に負圧を生成し、ハンド44によって非接触でウエーハ4を裏面4b側から吸引支持する。ハンド44に吸引支持されたウエーハ4の水平移動は、各ガイドピン48によって規制される。そして、ウエーハ搬出手段10は、Y軸可動部材32および搬送アーム42を移動させることにより、ハンド44で吸引支持したウエーハ4をウエーハカセット6から搬出する。
図示の実施形態のウエーハ搬出手段10は、図4に示すとおり、ウエーハ4の切り欠き26の位置を検出する切り欠き検出手段50を備えている。切り欠き検出手段50は、たとえば、互いに上下方向に間隔をおいて配置された発光素子52および受光素子54、並びにハンド44のガイドピン48の少なくとも1個を回転させる駆動源(図示していない。)を含む構成でよい。
発光素子52および受光素子54は、適宜のブラケット(図示していない。)を介してY軸可動部材32または搬送経路に付設され得る。また、上記駆動源によってガイドピン48が回転すると、ガイドピン48の回転に起因して、ハンド44で吸引支持したウエーハ4が回転するようになっている。ガイドピン48からウエーハ4に確実に回転を伝達させるべく、駆動源によって回転するガイドピン48の外周面は適宜の合成ゴムから形成されているのが好適である。
切り欠き検出手段50は、ウエーハ4がハンド44によって吸引支持されると共に、発光素子52と受光素子54との間にウエーハ4の外周が位置づけられた状態において、駆動源でガイドピン48を介してウエーハ4を回転させることにより、切り欠き26の位置を検出することができる。これによって、ウエーハ4の向きを任意の向きに調整することが可能となる。
図3に示すとおり、ウエーハテーブル12は、ウエーハ搬出手段10に隣接して配置されている。図示の実施形態のウエーハテーブル12は、ウエーハ4の外周余剰領域20を支持し外周余剰領域20よりも内側の部分を非接触とする環状支持部56と、環状支持部56の外周に配設され、後述のフレーム64(図5参照。)を支持するフレーム支持部58とを備える。環状支持部56の上面には、周方向に間隔をおいて配置された複数の吸引孔60が形成されており、各吸引孔60は吸引手段(図示していない。)に接続されている。ウエーハテーブル12における環状支持部56よりも径方向内側部分は下方に窪んだ円形の凹所62となっている。
ハンド44が180°反転してウエーハ4の表裏を反転させて、ウエーハ4の表面4aが下を向いた状態でウエーハテーブル12にウエーハ4が載せられると、ウエーハ4の外周余剰領域20が環状支持部56によって支持され、ウエーハ4のデバイス領域18は凹所62に位置する。このため、デバイス14が形成されている表面4aが下を向いた状態でウエーハテーブル12にウエーハ4が載せられても、デバイス14とウエーハテーブル12とが接触することがないのでデバイス14の損傷が防止される。また、ウエーハテーブル12は、環状支持部56によって外周余剰領域20を支持した後、吸引手段を作動させて各吸引孔60に吸引力を生成し外周余剰領域20を吸引保持することによって、ウエーハ4の位置ずれを防止する。
図5を参照して説明すると、加工装置2は、さらに、ウエーハ4を収容する開口部64aが形成されたリング状のフレーム64を複数収容するフレーム収容手段66と、フレーム収容手段66からフレーム64を搬出するフレーム搬出手段68と、フレーム搬出手段68によって搬出されたフレーム64を支持するフレームテーブル70とを備える。
図5に示すとおり、図示の実施形態のフレーム収容手段66は、ハウジング72と、ハウジング72内に昇降自在に配置された昇降板74と、昇降板74を昇降させる昇降手段(図示していない。)とを備える。図5においてハウジング72のX軸方向奥側の側面には、Z軸方向に延びるZ軸ガイド部材78が配置されている。昇降板74は、Z軸ガイド部材78に昇降自在に支持されており、昇降板74を昇降させる昇降手段は、Z軸ガイド部材78の内部に配置されている。昇降手段は、たとえば、昇降板74に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
図5においてハウジング72のX軸方向手前側の側面には、取っ手76aが付設された扉76が設けられており、フレーム収容手段66においては、取っ手76aを把持して扉76を開けることにより、ハウジング72の内部にフレーム64を収容することができるようになっている。また、ハウジング72の上端には開口部80が設けられている。
図5に示すとおり、フレーム64は、ハウジング72の内部において昇降板74の上面に積層されて収容される。積層された複数枚のフレーム64のうち最上段のフレーム64がハウジング72の開口部80からフレーム搬出手段68によって搬出される。また、フレーム収容手段66は、開口部80からフレーム64が搬出されると、昇降手段によって昇降板74を適宜上昇させ、フレーム搬出手段68によって搬出可能な位置に最上段のフレーム64を位置づける。
図5を参照して説明を続けると、フレーム搬出手段68は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されX軸方向に延びるX軸ガイド部材82と、X軸方向に移動自在にX軸ガイド部材82に支持されたX軸可動部材84と、X軸可動部材84をX軸方向に移動させるX軸送り手段(図示していない。)と、Z軸方向に移動自在にX軸可動部材84に支持されたZ軸可動部材86と、Z軸可動部材86をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)とを含む。フレーム搬出手段68のX軸送り手段は、X軸可動部材84に連結されX軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよく、Z軸送り手段は、Z軸可動部材86に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
フレーム搬出手段68のZ軸可動部材86は、フレーム64を保持する保持部88を有する。図示の実施形態の保持部88は、矩形状の基板90と、基板90の下面に設けられた複数の吸引パッド92とを有し、各吸引パッド92は吸引手段(図示していない。)に接続されている。
フレーム搬出手段68は、フレーム収容手段66に収容されている最上段のフレーム64を保持部88の吸引パッド92で吸引保持した後、X軸可動部材84およびZ軸可動部材86を移動させることにより、吸引保持した最上段のフレーム64をフレーム収容手段66から搬出する。
図5に示すとおり、フレームテーブル70は、実線で示す下降位置と、二点鎖線で示す上昇位置との間で昇降自在にZ軸ガイド部材94に支持されている。Z軸ガイド部材94には、下降位置と上昇位置との間でフレームテーブル70を昇降させる適宜の駆動源(たとえばエアー駆動源または電動駆動源)が付設されている。フレームテーブル70においては、フレーム搬出手段68によって搬出されたフレーム64を下降位置において受け取るようになっている。
図1および図5に示すとおり、加工装置2は、フレームテーブル70の上方に配設されフレーム64にテープ96を貼着するテープ貼着手段98(図1参照。)と、テープ96が貼着されたフレーム64(以下「テープ付フレーム64’」ということがある。)をウエーハテーブル12まで搬送しウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにフレーム64の開口部64aを位置づけてテープ付フレーム64’をウエーハテーブル12に載置するテープ付フレーム搬送手段100(図5参照。)と、テープ付フレーム64’のテープ96をウエーハ4の裏面4bに圧着するテープ圧着手段102(図1参照。)とを含む。
図6を参照して説明すると、図示の実施形態のテープ貼着手段98は、使用前のテープ96が巻かれたロールテープ96Rを支持するロールテープ支持部104と、使用済みのテープ96を巻き取るテープ巻き取り部106と、ロールテープ96Rからテープ96を引き出すテープ引き出し部108と、引き出されたテープ96をフレーム64に圧着する圧着部110と、フレーム64の外周にはみ出したテープ96をフレーム64に沿って切断する切断部112とを備える。
図6に示すとおり、ロールテープ支持部104は、X軸方向に延びる軸線を中心として回転自在に適宜のブラケット(図示していない。)に支持された支持ローラ114を含む。支持ローラ114には、テープ96の粘着面を保護するための剥離紙116がテープ96の粘着面に付設されて円筒状に巻かれたロールテープ96Rが支持されている。
テープ巻き取り部106は、X軸方向に延びる軸線を中心として回転自在に適宜のブラケット(図示していない。)に支持された巻き取りローラ118と、巻き取りローラ118を回転させるモータ(図示していない。)とを含む。図6に示すとおり、テープ巻き取り部106は、モータによって巻き取りローラ118を回転させることにより、フレーム64に貼り付けた部分に当たる円形の開口部120が形成された使用済みのテープ96を巻き取る。
図6を参照して説明を続けると、テープ引き出し部108は、ロールテープ支持部104の支持ローラ114の下方に配置された引き出しローラ122と、引き出しローラ122を回転させるモータ(図示していない。)と、引き出しローラ122の回転に伴って回転する従動ローラ124とを含む。テープ引き出し部108は、モータによって引き出しローラ122と共に従動ローラ124を回転させることによって、引き出しローラ122と従動ローラ124とで挟み込んだテープ96をロールテープ96Rから引き出す。
引き出しローラ122と従動ローラ124との間を通過したテープ96からは剥離紙116が剥離され、剥離された剥離紙116は剥離紙巻き取り部126によって巻き取られるようになっている。図示の実施形態の剥離紙巻き取り部126は、従動ローラ124の上方に配置された剥離紙巻き取りローラ128と、剥離紙巻き取りローラ128を回転させるモータ(図示していない。)とを有する。また、剥離紙116が剥離されたテープ96は、引き出しローラ122とY軸方向に間隔をおいて配置されたガイドローラ130を経て巻き取りローラ118に導かれるようになっている。
圧着部110は、Y軸方向に移動自在に配置された押圧ローラ132と、押圧ローラ132をY軸方向に移動させるY軸送り手段(図示していない。)とを含む。圧着部110のY軸送り手段は、適宜の駆動源(たとえばエアー駆動源または電動駆動源)から構成され得る。
図6に示すとおり、切断部112は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されZ軸方向に延びるZ軸ガイド部材134と、Z軸方向に移動自在にZ軸ガイド部材134に支持されたZ軸可動部材136と、Z軸可動部材136をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)とを含む。切断部112のZ軸送り手段は、Z軸可動部材136に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
また、切断部112は、Z軸可動部材136の先端下面に固定されたモータ138と、Z軸方向に延びる軸線を中心としてモータ138によって回転されるアーム片140とを含む。アーム片140の下面には、互いに間隔をおいて第一・第二の垂下片142a、142bが付設されている。第一の垂下片142aには、Z軸方向と直交する軸線を中心として回転自在に円形のカッター144が支持され、第二の垂下片142bには、Z軸方向と直交する軸線を中心として回転自在に押さえローラ146が支持されている。
フレーム搬出手段68からフレーム64を受け取ったフレームテーブル70が下降位置(図6(a)に示す位置)から上昇位置(図6(b)に示す位置)に位置づけられる前に、テープ貼着手段98は、引き出しローラ122と従動ローラ124とによって未使用のテープ96を引き出す。次いで、圧着部110の押圧ローラ132によってテープ96をフレーム64に押圧できる程度にフレームテーブル70を上昇位置に位置づけ、押圧ローラ132にテープ96を介してフレーム64を接触させる。そして、押圧ローラ132でテープ96の粘着面をフレーム64に押し付けながら押圧ローラ132をY軸方向に転がす。これによって、テープ引き出し部108によってロールテープ96Rから引き出されたテープ96をフレーム64に圧着することができる。
テープ96をフレーム64に圧着した後、テープ貼着手段98は、切断部112のZ軸可動部材136をZ軸送り手段により下降させ、フレーム64上のテープ96にカッター144を押し当てると共に押さえローラ146でテープ96の上からフレーム64を押さえる。次いで、モータ138によってアーム片140を回転させ、カッター144および押さえローラ146をフレーム64に沿って円を描くように移動させる。これによって、フレーム64の外周にはみ出したテープ96をフレーム64に沿って切断することができる。また、押さえローラ146でテープ96の上からフレーム64を押さえているので、テープ96を切断している際にフレーム64やテープ96の位置ずれが防止される。そして、フレームテーブル70を下降させた後、フレーム64に貼り付けた部分に当たる円形の開口部120が形成された使用済みのテープ96は、テープ巻き取り部106によって巻き取られる。
図5に示すとおり、テープ付フレーム搬送手段100は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されY軸方向に延びるY軸ガイド部材148と、Y軸方向に移動自在にY軸ガイド部材148に支持されたY軸可動部材150と、Y軸可動部材150をY軸方向に移動させるY軸送り手段(図示していない。)と、Z軸方向に移動自在にY軸可動部材150に支持されたZ軸可動部材152と、Z軸可動部材152をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)とを含む。テープ付フレーム搬送手段100のY軸送り手段は、Y軸可動部材150に連結されY軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよく、Z軸送り手段は、Z軸可動部材152に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
テープ付フレーム搬送手段100のZ軸可動部材152は、テープ付フレーム64’を保持する保持部154を有する。図示の実施形態の保持部154は、矩形状の基板156と、基板156の下面に設けられた複数の吸引パッド158とを有し、各吸引パッド158は吸引手段(図示していない。)に接続されている。
テープ付フレーム搬送手段100は、テープ96の粘着面が下を向いた状態でフレームテーブル70に支持されているテープ付フレーム64’の上面を保持部154の各吸引パッド158で吸引保持し、Y軸可動部材150およびZ軸可動部材152を移動させることにより、保持部154で吸引保持したテープ付フレーム64’をフレームテーブル70からウエーハテーブル12まで搬送し、ウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにフレーム64の開口部64aを位置づけてテープ付フレーム64’をウエーハテーブル12に載置する。
図7ないし図9を参照してテープ圧着手段102について説明する。図7に示すとおり、テープ圧着手段102は、ウエーハテーブル12の上方に配設された上部チャンバー160と、ウエーハテーブル12を収容した下部チャンバー162と、上部チャンバー160を昇降させ下部チャンバー162に接触させた閉塞状態と下部チャンバー162から離反させた開放状態とを生成する昇降機構164と、閉塞状態で上部チャンバー160および下部チャンバー162を真空にする真空部166と、上部チャンバー160および下部チャンバー162を大気に開放する大気開放部168とを備える。
図示の実施形態の上部チャンバー160は、図7に示すとおり、円形の天板170と、天板170の周縁から垂下する円筒状の側壁172とを含む。天板170の上面には、エアシリンダ等の適宜のアクチュエータから構成され得る昇降機構164が装着されている。天板170の下面と側壁172の内周面とによって規定される収容空間には、ウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにテープ付フレーム64’のテープ96を押し付けるための押圧ローラ174と、押圧ローラ174を回転自在に支持する支持片176と、支持片176をY軸方向に移動させるY軸送り手段178とが配設されている。
Y軸送り手段178は、支持片176に連結されY軸方向に延びるボールねじ180と、ボールねじ180を回転させるモータ182とを有する。そして、Y軸送り手段178は、モータ182の回転運動をボールねじ180によって直線運動に変換して支持片176に伝達し、Y軸方向に延びる一対の案内レール184に沿って支持片176を移動させる。
図7に示すとおり、下部チャンバー162は円筒状の側壁186を有し、側壁186の上部は開放され、側壁186の下部は閉塞されている。側壁186には接続開口188が形成されている。接続開口188には、適宜の真空ポンプから構成され得る真空部166が流路190を介して接続されている。流路190には、流路190を大気に開放可能な適宜のバルブから構成され得る大気開放部168が設けられている。
テープ圧着手段102は、ウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにテープ付フレーム64’のテープ96が位置づけられた状態で、昇降機構164によって上部チャンバー160を下降させ、上部チャンバー160の側壁172の下端を下部チャンバー162の側壁186の上端に接触させて、上部チャンバー160および下部チャンバー162を閉塞状態にすると共に、押圧ローラ174をテープ付フレーム64’に接触させる。
次いで、テープ圧着手段102は、大気開放部168を構成するバルブを閉じた状態で真空部166を構成する真空ポンプを作動させ、上部チャンバー160および下部チャンバー162の内部を真空にした後、図8および図9に示すとおり、Y軸送り手段178で押圧ローラ174をY軸方向に転がすことにより、ウエーハ4の裏面4bにテープ96を圧着してフレームユニットUを生成する。フレームユニットUを表面側および裏面側から見た斜視図を図10に示す。
押圧ローラ174によってウエーハ4の裏面4bにテープ96を圧着すると、リング状補強部24の付け根において、ウエーハ4とテープ96との間に僅かな隙間が形成されるが、上部チャンバー160および下部チャンバー162の内部を真空にした状態でウエーハ4とテープ96とを圧着するので、ウエーハ4とテープ96との間の僅かな隙間の圧力が大気圧より低く、テープ96を圧着した後に大気開放部168を開放すると、大気圧によってテープ96がウエーハ4に押し付けられる。これによって、リング状補強部24の付け根におけるウエーハ4とテープ96との隙間がなくなり、リング状補強部24の付け根に沿ってテープ96がウエーハ4の裏面4bに密着する。
図1および図11に示すとおり、加工装置2は、さらに、テープ圧着手段102によってテープ付フレーム64’のテープ96とウエーハ4の裏面4bとが圧着されたフレームユニットUをウエーハテーブル12から搬出するフレームユニット搬出手段192と、フレームユニット搬出手段192によって搬出されたフレームユニットUのウエーハ4からリング状補強部24を切断し除去する補強部除去手段194と、リング状補強部24が除去されたリング無しユニットを補強部除去手段194から搬出するリング無しユニット搬出手段196(図1参照。)と、リング無しユニット搬出手段196によって搬出されたリング無しユニットを収容するフレームカセット198が載置されるフレームカセットテーブル200(図1参照。)とを含む。
図示の実施形態のフレームユニット搬出手段192は、図11に示すとおり、ウエーハ4を保持するウエーハ保持部202aおよびフレーム64を保持するフレーム保持部202bを含むフレームユニット保持部202と、フレームユニット保持部202を仮置きテーブル204に搬送する搬送部206とを備える。
フレームユニット保持部202のウエーハ保持部202aは、円形状の基板208と、基板208の下面に装着された円形状の吸着片210とを含む。吸着片210の下面には複数の吸引孔(図示していない。)が形成され、各吸引孔は吸引手段(図示していない。)に接続されている。フレーム保持部202bは、ウエーハ保持部202aの基板208の周縁から周方向に間隔をおいて径方向外側に突出する複数(図示の実施形態では4個)の突出片212と、突出片212の下面に付設された吸引パッド214とを含み、各吸引パッド214は吸引手段(図示していない。)に接続されている。
搬送部206は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されX軸方向に延びるX軸ガイド部材216と、X軸方向に移動自在にX軸ガイド部材216に支持されたX軸可動部材218と、X軸可動部材218をX軸方向に移動させるX軸送り手段(図示していない。)と、Z軸方向に移動自在にX軸可動部材218に支持されたZ軸可動部材220と、Z軸可動部材220をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)と、Y軸方向に移動自在にZ軸可動部材220に支持されたY軸可動部材222と、Y軸可動部材222をY軸方向に移動させるY軸送り手段(図示していない。)とを含む。Y軸可動部材222の先端には、ウエーハ保持部202aの基板208が連結されている。搬送部206のX軸・Y軸・Z軸送り手段のそれぞれは、ボールねじと、ボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
フレームユニット搬出手段192は、フレームユニット保持部202を水平方向に二次元で移動する二次元移動機構を備えているのが好ましい。図示の実施形態では、搬送部206のX軸送り手段およびY軸送り手段によってXY平面においてフレームユニット保持部202が水平方向に二次元で移動するようになっており、搬送部206によって二次元移動機構が構成されている。
図11および図12に示すとおり、フレームユニット搬出手段192は、ウエーハテーブル12から仮置きテーブル204の間に配設され、フレームユニットUの上方からテープ96を介してウエーハ4の裏面4bを撮像する上部カメラ223と、上部カメラ223に対向してフレームユニットUを挟むように配設され、ウエーハ4のリング状補強部24に対応する表面4aを撮像する下部カメラ224とを含む。下部カメラ224は、上部カメラ223の直下に位置づけられている。
そして、フレームユニット搬出手段192においては、ウエーハ保持部202aの吸着片210でウエーハ4を裏面4b側(テープ96側)から吸引保持すると共に、フレーム保持部202bの吸引パッド214でフレーム64を吸引保持した状態で、搬送部206を作動させることにより、フレームユニット保持部202で保持したフレームユニットUをウエーハテーブル12から搬出する。
また、図示の実施形態のフレームユニット搬出手段192は、二次元移動機構を構成する搬送部206を作動させて、フレームユニット保持部202で保持したフレームユニットUの上方から、テープ96を介してウエーハ4の裏面4bを上部カメラ223によって撮像する。具体的には、リング状補強部24の内周円の少なくとも三ヶ所を上部カメラ223で撮像する。これによって、リング状補強部24の内周円における少なくとも三点の座標を計測し、計測した三点の座標に基づいて、ウエーハ4の裏面4bに形成されたリング状補強部24の内周円の中心座標を求めることができる。
さらに、フレームユニット搬出手段192においては、搬送部206を作動させて、フレームユニットUの下方から、リング状補強部24に対応する表面4aを下部カメラ224で撮像する。これによって、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域(リング状補強部24の内周円)に、デバイス14が存在するか否かを検査することができる。
そして、図13(a)に示すように、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域にデバイス14が存在しない場合、フレームユニット搬出手段192は、二次元移動機構を構成する搬送部206を作動させ、リング状補強部24の内周円の中心を仮置きテーブル204の中心と一致させて、フレームユニットUを仮置きテーブル204に仮置きする。
一方、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域にデバイス14が存在するフレームユニットUについては、加工装置2による加工を中断する。たとえば図13(b)に示すように、リング状補強部24とデバイス14とが重なっている場合には、リング状補強部24とデバイス14とが重ならないように、図示していない研削装置を用いてリング状補強部24を研削し、リング状補強部24の幅を狭くする加工を施す。これによって、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する際に、デバイス14を切断してしまうのを防止することができる。
また、加工装置2においては、リング状補強部24に沿って上部カメラ223が撮像した画像に基づいて、リング状補強部24とテープ96とが密着していない領域を検出した場合には、加工を中断するようになっている。たとえば、図13(c)に示すとおり、リング状補強部24とテープ96との間に隙間Vが存在するフレームユニットUについては、加工装置2による加工を中断する。これによって、後工程において、デバイス14ごとのデバイスチップにウエーハ4をダイシングする際に、デバイス14の不良が発生するのを抑制することができる。
図11に示すとおり、仮置きテーブル204は、ウエーハテーブル12とX軸方向に間隔をおいて配置されている。図示の実施形態の仮置きテーブル204は、フレームユニットUのウエーハ4の外周余剰領域20を支持し外周余剰領域20よりも内側の部分を非接触とする環状支持部226と、環状支持部226の外周に配設され、フレーム64を支持するフレーム支持部228とを備える。
環状支持部226よりも径方向内側部分は、下方に窪んだ円形の凹所230となっている。仮置きテーブル204のフレーム支持部228はヒーター(図示していない。)を備えており、仮置きテーブル204に仮置きされたフレームユニットUのテープ96をヒーターによって加熱することによりテープ96を軟化させて、リング状補強部24の付け根にテープ96を大気圧により一層密着させるようになっているのが好ましい。
図示の実施形態の加工装置2は、仮置きテーブル204をY軸方向に搬送する仮置きテーブル搬送部232を含む。仮置きテーブル搬送部232は、Y軸方向に延びるY軸ガイド部材234と、Y軸方向に移動自在にY軸ガイド部材234に支持されたY軸可動部材236と、Y軸可動部材236をY軸方向に移動させるY軸送り手段238とを備える。Y軸可動部材236の上部には仮置きテーブル204が固定されている。Y軸送り手段238は、Y軸可動部材236に連結されY軸方向に延びるボールねじ240と、ボールねじ240を回転させるモータ242とを有する。そして、仮置きテーブル搬送部232は、モータ242の回転運動をボールねじ240によって直線運動に変換してY軸可動部材236に伝達し、Y軸可動部材236と共に仮置きテーブル204をY軸方向に搬送する。
図1および図11に示すとおり、補強部除去手段194は、ウエーハ4の外周に形成されたリング状補強部24の付け根に向けてレーザー光線を照射して切断溝を形成するレーザー光線照射手段244と、仮置きテーブル204に仮置きされたフレームユニットUを保持し上昇させると共にX軸方向に移動してレーザー光線照射手段244に位置づける第一の昇降テーブル246(図1参照。)と、切断溝からリング状補強部24を分離する分離部248とを備える。
図11に示すとおり、レーザー光線照射手段244は、X軸方向において仮置きテーブル204に隣接して配置されたハウジング250と、ハウジング250に収容されレーザー光線を発振する発振器(図示していない。)と、発振器が発振したレーザー光線を集光してウエーハ4の外周に形成されたリング状補強部24の付け根に照射する集光器252と、ウエーハ4にレーザー光線が照射された際に生じるデブリを吸引する吸引ノズル254と、吸引ノズル254に接続された吸引手段(図示していない。)とを含む。
集光器252は、ハウジング250の上面から上方に向かって吸引ノズル254側に傾斜して延びており、これによってレーザー光線の照射の際に生じたデブリが集光器252に落下するのが抑制されている。また、吸引ノズル254は、ハウジング250の上面から上方に向かって集光器252側に傾斜して延びている。
レーザー光線照射手段244は、図14に示すとおり、第一の昇降テーブル246によって保持したフレームユニットUを回転させながら、ウエーハ4の外周に形成されたリング状補強部24の付け根に向けてレーザー光線LBを照射して、アブレーション加工によりリング状補強部24の付け根に沿ってリング状の切断溝256を形成する。また、レーザー光線照射手段244は、アブレーション加工によって生じたデブリを吸引ノズル254によって吸引する。
図1に示すとおり、第一の昇降テーブル246は、仮置きテーブル204の上方においてX軸方向に移動自在かつZ軸方向に移動自在に配置されている。図15を参照して説明すると、第一の昇降テーブル246は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されX軸方向に延びるX軸ガイド部材258と、X軸方向に移動自在にX軸ガイド部材258に支持されたX軸可動部材260と、X軸可動部材260をX軸方向に移動させるX軸送り手段(図示していない。)と、Z軸方向に移動自在にX軸可動部材260に支持されたZ軸可動部材262と、Z軸可動部材262をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)とを含む。第一の昇降テーブル246のX軸・Z軸送り手段のそれぞれは、ボールねじと、ボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
Z軸可動部材262の先端下面には、下方に延びる支持軸264が回転自在に支持されており、Z軸可動部材262の先端上面には、Z軸方向に延びる軸線を中心として支持軸264を回転させるモータ266が取り付けられている。支持軸264の下端には円形状の吸着片268が固定されている。吸着片268の下面には、フレーム64の大きさに対応する円周上に周方向に間隔をおいて複数の吸引孔(図示していない。)が形成されており、各吸引孔は吸引手段に接続されている。
第一の昇降テーブル246は、仮置きテーブル204のフレーム支持部228のヒーターによってテープ96が加熱されリング状補強部24の付け根にテープ96が密着したフレームユニットUのフレーム64部分を吸着片268で吸引保持した後、Z軸可動部材262およびX軸可動部材260を移動させ、吸着片268で吸引保持したフレームユニットUを上昇させると共にX軸方向に移動してレーザー光線照射手段244に位置づける。なお、フレーム64が磁性を有する材料から形成されている場合には、吸着片268の下面に電磁石(図示していない。)が付設され、吸着片268が磁力によってフレーム64を吸着するようになっていてもよい。
また、第一の昇降テーブル246は、レーザー光線照射手段244によってウエーハ4にレーザー光線LBを照射する際に、モータ266を作動させ、吸着片268で吸引保持したフレームユニットUを回転させる。さらに、第一の昇降テーブル246は、リング状補強部24の付け根に切断溝256が形成されたフレームユニットUをX軸方向、Z軸方向に移動させて仮置きテーブル204に仮置きする。
図1に示すとおり、分離部248は、仮置きテーブル204のY軸方向の可動範囲において、第一の昇降テーブル246とY軸方向に間隔をおいて配置されている。図16および図17を参照して説明すると、分離部248は、切断溝256に対応するテープ96に紫外線を照射してテープ96の粘着力を低減させる紫外線照射部270(図16参照。)と、リング状補強部24を外周に露出させてウエーハ4の内側を吸引保持する第二の昇降テーブル272(図16参照。)と、楔を有するコマ402をリング状補強部24の外周に作用してリング状補強部24を分離する分離器274(図16参照。)と、分離されたリング状補強部24が廃棄される廃棄部276(図17参照。)とを備える。
図16に示すとおり、図示の実施形態の分離部248は、適宜のブラケット(図示していない。)に固定されZ軸方向に延びるZ軸ガイド部材278と、Z軸方向に移動自在にZ軸ガイド部材278に支持されたZ軸可動部材280と、Z軸可動部材280をZ軸方向に移動させる昇降手段(図示していない。)とを含む。昇降手段は、Z軸可動部材280に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
Z軸可動部材280の先端下面には支持片282が支持されていると共に、第二の昇降テーブル272が回転自在に支持されている。Z軸可動部材280の先端上面には、第二の昇降テーブル272を回転させるモータ284が取り付けられている。図示の実施形態の支持片282には、Y軸方向に間隔をおいて一対の上記紫外線照射部270が付設されている。
第二の昇降テーブル272は、Z軸可動部材280の先端下面から下方に延びる支持軸286と、支持軸286の下端に着脱自在に装着された円形のテーブルヘッド287とを有する。テーブルヘッド287の下面には複数の吸引孔(図示していない。)が形成されており、各吸引孔は吸引手段に接続されている。
また、支持片282には上記分離器274が装着されている。分離器274は、支持片282の下面に間隔をおいて支持片282の長手方向に移動自在に配置された一対の可動片288と、一対の可動片288を移動させる一対の送り手段290と、各可動片288に昇降自在に支持された一対の支持基板400と、一対の支持基板400をZ軸方向に昇降させる一対のZ軸送り手段294とを含む。一対の送り手段290およびZ軸送り手段294のそれぞれは、エアシリンダまたは電動シリンダ等の適宜のアクチュエータから構成され得る。
図16を参照して説明を続けると、各支持基板400の上面には、楔を有するコマ402と、フレーム64を支持するフレーム支持部404と、フレームユニットUから静電気を除去するイオナイザー406とが装着されている。
コマ402は、上方から下方に向かって直径が次第に減少する逆円錐台形状であり、コマ402の上面402aとコマ402の側面402bとによって楔が構成されている。コマ402は、各支持基板400の上面において相互に間隔をおいて一対配置され、かつ、Z軸方向に延びる軸線を中心として回転可能に支持基板400に支持されている。
フレーム支持部404は、コマ402に隣接して支持基板400のそれぞれの上面に一対配置されている。フレーム支持部404は、支持基板400に固定されたハウジング404aと、ハウジング404aに回転可能に支持された球体404bとを有する。フレーム支持部404においては、各球体404bでフレーム64を支持するようになっている。
イオナイザー406は、コマ402に隣接して配設されている。イオナイザー406においては、フレームユニットUに向かってイオン化エアーを吹きつけることにより、フレームユニットUから静電気を除去するようになっている。
図17を参照して説明すると、廃棄部276は、分離されたリング状補強部24を搬送するベルトコンベア300と、ベルトコンベア300によって搬送されたリング状補強部24が収容されるダストボックス302とを含む。ベルトコンベア300は、実質上水平に延びる回収位置(図17に実線で示す位置)と、実質上鉛直に延びる待機位置(図17に二点鎖線で示す位置)とに適宜のアクチュエータ(図示していない。)によって位置づけられる。
図17においてダストボックス302のX軸方向手前側の側面には、取っ手304aが付設された扉304が設けられている。ダストボックス302の内部には、回収したリング状補強部24を破砕する破砕機(図示していない。)が取り付けられている。ダストボックス302においては、取っ手304aを把持して扉304を開けることにより、ダストボックス302に収容されたリング状補強部24の破砕屑を取り出すことができるようになっている。
リング状補強部24の付け根に切断溝256が形成されたフレームユニットUが仮置きされている仮置きテーブル204が仮置きテーブル搬送部232によって分離部248の下方に位置づけられると、分離部248は、図18に示すとおり、リング状補強部24を外周に露出させてウエーハ4の内側を第二の昇降テーブル272によって吸引保持する。次いで、送り手段290によって可動片288を移動させると共に、Z軸送り手段294によって支持基板400を移動させ、図19に示すとおり、楔を有するコマ402をリング状補強部24の外周に作用させる。具体的には、テープ96とリング状補強部24との間にコマ402の楔を位置づける。また、フレーム支持部404の球体404bにフレーム64の下面を接触させ、球体404bによってフレーム64を支持する。
次いで、一対の紫外線照射部270から紫外線を照射してリング状補強部24に貼り付いているテープ96の粘着力を低減させると共に、分離器274に対して第二の昇降テーブル272と共にフレームユニットUをモータ284によって回転させる。これによって、粘着力が低減したテープ96とリング状補強部24とがコマ402の楔によって引き離されるので、図20に示すとおり、フレームユニットUからリング状補強部24を分離することができる。分離したリング状補強部24はベルトコンベア300によってダストボックス302に搬送されて回収される。なお、リング状補強部24を分離する際に、フレームユニットUに対して分離器274を回転させてもよい。
また、リング状補強部24を分離する際は、イオナイザー406からフレームユニットUに向かってイオン化エアーを吹きつける。これにより、テープ96およびリング状補強部24に対してコマ402が接触することに起因して静電気が発生しても、イオナイザー406から吹きつけられるイオン化エアーで静電気が除去される。このため、テープ96とリング状補強部24とが静電気によって互いに引き寄せられることがなく、フレームユニットUからリング状補強部24が確実に分離される。
なお、リング状補強部24を分離する際は、フレームユニットUと分離器274との相対回転に伴って、フレームユニットUに作用しているコマ402が回転すると共に、フレーム64の下面に接触している球体404bが回転するため、フレームユニットUと分離器274との相対回転がスムーズに行われる。
図1に示すとおり、リング無しユニット搬出手段196は、補強部除去手段194に隣接して配置されている。図21および図22を参照して説明すると、図示の実施形態のリング無しユニット搬出手段196は、第二の昇降テーブル272に支持されたリング無しユニットに対面しフレーム64を保持するフレーム保持部306を備えフレームカセットテーブル200に向かって移動すると共にフレーム保持部306を反転させる反転機構308(図21参照。)と、反転機構308によって反転しウエーハ4の表面4aが上を向いたリング無しユニットを支持するリング無しユニット支持部310(図22参照。)と、リング無しユニット支持部310に支持されたリング無しユニットをフレームカセットテーブル200に載置されたフレームカセット198に進入させて収容する押し込み部312(図22参照。)とを備える。
図21に示すとおり、反転機構308は、Y軸方向に延びるY軸ガイド部材314と、Y軸方向に移動自在にY軸ガイド部材314に支持されたY軸可動部材316と、Y軸可動部材316をY軸方向に移動させるY軸送り手段(図示していない。)と、Z軸方向に移動自在にY軸可動部材316に支持されたアーム318と、アーム318をZ軸方向に移動させるZ軸送り手段(図示していない。)とを含む。反転機構308のY軸・Z軸送り手段のそれぞれは、ボールねじと、ボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
アーム318には、上記フレーム保持部306が上下反転自在に支持されていると共に、フレーム保持部306を上下反転させるモータ320が取り付けられている。図示の実施形態のフレーム保持部306は、一対の回転軸322を介してアーム318に回転自在に支持された基板324と、基板324の片面に付設された複数の吸引パッド326とを含み、各吸引パッド326は吸引手段(図示していない。)に接続されている。また、一方の回転軸322はモータ320に連結されている。
反転機構308は、吸引パッド326を上に向けた状態で、第二の昇降テーブル272に支持されたリング無しユニットU’のフレーム64の下面を吸引パッド326で吸引保持し、第二の昇降テーブル272からリング無しユニットU’を受け取る。また、反転機構308は、モータ320によってフレーム保持部306を反転させてウエーハ4の表面4aを上に向けた後、Y軸可動部材316を移動させることにより、フレーム保持部306で保持したリング無しユニットU’をフレームカセットテーブル200に向かってを移動させる。
図22に示すとおり、図示の実施形態のリング無しユニット支持部310は、適宜のブラケット(図示していない。)を介してX軸方向に移動自在に支持された一対の支持板328と、一対の支持板328のX軸方向の間隔を調整する間隔調整手段(図示していない。)とを含む。間隔調整手段は、エアシリンダまたは電動シリンダ等の適宜のアクチュエータから構成され得る。
リング無しユニットU’を支持する一対の支持板328には、ヒーター(図示していない。)が装着されている。一対の支持板328の間隔が狭められた状態において、一対の支持板328は、ヒーターによってリング無しユニットU’のテープ96を加熱することにより、リング状補強部24が除去されたことによって生じたテープ96のたるみ、しわを伸ばすようになっている。
図22を参照して説明を続けると、図示の実施形態の押し込み部312は、Y軸方向に延びるY軸ガイド部材330と、Y軸方向に移動自在にY軸ガイド部材330に支持されたY軸可動部材332と、Y軸可動部材332をY軸方向に移動させるY軸送り手段(図示していない。)とを含む。Y軸可動部材332は、Y軸ガイド部材330に支持された基部334と、基部334の上面から上方に延びる支柱336と、支柱336の上端に付設された押圧片338とを有する。押し込み部312のY軸送り手段は、Y軸可動部材332に連結されY軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
図23に示すとおり、リング無しユニット支持部310は、リング無しユニットU’を受け取る前に一対の支持板328の間隔を間隔調整手段によって拡げた後、吸引パッド326に保持されたリング無しユニットU’を受け取る。そして、押し込み部312は、リング無しユニット支持部310がリング無しユニットU’を受け取ると、Y軸送り手段によってY軸可動部材332をY軸方向に移動させることにより、リング無しユニット支持部310に支持されたリング無しユニットU’を押圧片338によってフレームカセットテーブル200に載置されたフレームカセット198に進入させて収容するようになっている。
図1および図23に示すフレームカセット198には、ウエーハ4の表面4aが上を向いた状態で複数枚のリング無しユニットU’が上下方向に間隔をおいて収容される。図22および図23に示すとおり、フレームカセットテーブル200は、フレームカセット198が載置される載置部340と、載置部340を昇降させて任意の高さに位置づける昇降部342とを含む。昇降部342は、載置部340に連結されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータとを有する構成でよい。
次に、本発明の加工方法の実施形態について説明する。図示の実施形態では、上述したとおりの加工装置2を用いる加工方法について説明するが、本発明の加工方法は加工装置2を用いるものに限定されるものではない。
図示の実施形態では、まず、外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程を実施する。ウエーハ準備工程において準備するウエーハは、上述のウエーハ4(図2参照)でよく、複数のウエーハ4を準備するのが好ましい。複数のウエーハ4を準備したら、ウエーハ4のそれぞれの表面4aを上に向けた状態で、上下方向に間隔をおいてウエーハカセット6に複数のウエーハ4を収容する(図1および図3参照)。そして、ウエーハ4を収容したウエーハカセット6をウエーハカセットテーブル8に載置する。
また、ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを準備するフレーム準備工程を実施する。フレーム準備工程において準備するフレームは、上記フレーム64(図5参照)でよく、複数のフレーム64を準備するのが好適である。フレーム準備工程は、ウエーハ準備工程の前に実施してもよく、ウエーハ準備工程の後に実施してもよい。
複数のフレーム64を準備したら、フレーム収容手段66の昇降板74を任意の位置まで下降させた後、取っ手76aを把持して扉76を開け、昇降板74の上面に複数のフレーム64を積層して収容する。また、昇降板74の高さを適宜調整し、フレーム搬出手段68によって搬出可能な位置に最上段のフレーム64を位置づける。
ウエーハ準備工程およびフレーム準備工程を実施した後、フレーム64とウエーハ4の裏面4bとにテープ96を貼着してフレームユニットUを生成するフレームユニット生成工程を実施する。フレームユニット生成工程では、まず、ウエーハカセットテーブル8に載置されたウエーハカセット6からウエーハ4を搬出するウエーハ搬出ステップを実施する。
図3を参照して説明すると、ウエーハ搬出ステップでは、まず、ウエーハ搬出手段10のY軸送り手段34を作動させ、Y軸可動部材32をウエーハカセットテーブル8の近傍に位置づける。次いで、搬送アーム42を駆動して、ウエーハカセット6内のウエーハ4の裏面4b側(下側)に、エアー噴出口46を上に向けたハンド44を位置づける。ウエーハ4の裏面4b側にハンド44を位置づけた際は、ウエーハ4の裏面4bとハンド44との間に間隙を設け、また、各ガイドピン48を径方向外側に位置づけておく。
次いで、ハンド44のエアー噴出口46から圧縮エアーを噴出してベルヌーイ効果によってハンド44の片面側に負圧を生成し、ハンド44によって非接触でウエーハ4を裏面4b側から吸引支持する。次いで、各ガイドピン48を径方向内側に移動させ、ハンド44で吸引支持したウエーハ4の水平移動を各ガイドピン48によって規制する。そして、ウエーハ搬出手段10のY軸可動部材32および搬送アーム42を移動させ、ハンド44で吸引支持したウエーハ4をウエーハカセット6から搬出する。
ウエーハ搬出ステップを実施した後、ウエーハ4の切り欠き26の位置を検出する切り欠き検出ステップを実施するのが好ましい。切り欠き検出ステップでは、図4に示すとおり、ハンド44で吸引支持したウエーハ4の外周を切り欠き検出手段50の発光素子52と受光素子54との間に位置づける。次いで、駆動源でガイドピン48を介してウエーハ4を回転させることにより、ウエーハ4の切り欠き26の位置を検出する。これによって、ウエーハ4の向きを任意の向きに調整することが可能となる。
切り欠き検出ステップを実施した後、ウエーハ搬出手段10によって搬出されたウエーハ4の表面4a側をウエーハテーブル12で支持するウエーハ支持ステップを実施する。
図3を参照して説明すると、ウエーハ支持ステップでは、まず、ウエーハ搬出手段10のハンド44を上下反転させてウエーハ4の表面4aを下に向ける。次いで、ウエーハ搬出手段10のY軸可動部材32および搬送アーム42を移動させ、ハンド44で吸引支持したウエーハ4の表面4aの外周余剰領域20をウエーハテーブル12の環状支持部56に接触させる。この際、ウエーハ4の表面4aのデバイス領域18はウエーハテーブル12の凹所62に位置するため、デバイス14とウエーハテーブル12とが接触することがなく、デバイス14の損傷が防止される。
次いで、ウエーハテーブル12の吸引手段を作動させ、各吸引孔60に吸引力を生成することにより、ウエーハ4の表面4aの外周余剰領域20を吸引保持する。次いで、ハンド44によるウエーハ4の吸引支持を解除すると共に、ウエーハテーブル12からハンド44を離間させる。このようにして、ウエーハ搬出手段10からウエーハテーブル12にウエーハ4を受け渡す。ウエーハテーブル12に受け渡されたウエーハ4は各吸引孔60によって吸引保持されているため、ウエーハ4の位置がずれることがない。
また、フレームユニット生成工程においては、ウエーハ搬出ステップやウエーハ支持ステップと並行して、フレーム収容手段66からフレーム64を搬出するフレーム搬出ステップを実施する。
図5を参照して説明すると、フレーム搬出ステップでは、まず、フレーム搬出手段68のX軸可動部材84およびZ軸可動部材86を移動させ、フレーム収容手段66に収容されている最上段のフレーム64の上面に保持部88の吸引パッド92を接触させる。次いで、フレーム搬出手段68の吸引手段を作動させ、吸引パッド92に吸引力を生成することにより、最上段のフレーム64を吸引パッド92で吸引保持する。そして、フレーム搬出手段68のX軸可動部材84およびZ軸可動部材86を移動させ、保持部88の吸引パッド92で吸引保持した最上段のフレーム64をフレーム収容手段66から搬出する。
フレーム搬出ステップを実施した後、フレーム搬出手段68によって搬出されたフレーム64をフレームテーブル70で支持するフレーム支持ステップを実施する。
図5を参照して説明を続けると、フレーム支持ステップでは、まず、フレーム搬出手段68のX軸可動部材84およびZ軸可動部材86を移動させ、吸引パッド92で吸引保持したフレーム64をフレームテーブル70の上面に接触させる。この際、フレームテーブル70を下降位置(図5に実線で示す位置)に位置づけておく。次いで、フレーム搬出手段68の吸引パッド92の吸引力を解除し、フレーム64をフレームテーブル70に載せる。そして、フレーム搬出手段68のX軸可動部材84およびZ軸可動部材86を移動させ、保持部88をフレームテーブル70の上方から離間させる。
フレーム支持ステップを実施した後、フレーム64にテープ96を貼着するテープ貼着ステップを実施する。
図6を参照して説明すると、テープ貼着ステップでは、まず、フレームテーブル70を下降位置(図6(a)に示す位置)から、フレーム64にテープ96を貼着可能な上昇位置(図6(b)に示す位置)に移動させる前に、ロールテープ96Rからテープ96を引き出すと共に剥離紙116を剥離したテープ96をフレームテーブル70の上方に位置づけておく。なお、フレームテーブル70の上方に位置するテープ96の粘着面は下を向いている。
次いで、テープ貼着手段98の圧着部110の押圧ローラ132によって上方からテープ96をフレーム64に押圧できる程度にフレームテーブル70を上昇させる。そして、押圧ローラ132でテープ96の粘着面をフレーム64に押し付けながら押圧ローラ132をY軸方向に転がす。これによって、テープ引き出し部108によってロールテープ96Rから引き出されたテープ96をフレーム64に圧着することができる。
次いで、テープ貼着手段98の切断部112のカッター144および押さえローラ146を下降させ、フレーム64上のテープ96にカッター144を押し当てると共に、押さえローラ146でテープ96の上からフレーム64を押さえる。次いで、モータ138によってアーム片140を回転させ、カッター144および押さえローラ146をフレーム64に沿って円を描くように移動させる。これによって、フレーム64の外周にはみ出したテープ96をフレーム64に沿って切断することができる。また、押さえローラ146でテープ96の上からフレーム64を押さえているので、テープ96を切断している際にフレーム64やテープ96の位置ずれが防止される。なお、円形の開口部120が形成された使用済みのテープ96は、テープ巻き取り部106によって巻き取られる。
テープ貼着ステップを実施した後、テープ96が貼着されたフレーム64をウエーハテーブル12まで搬送し、ウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにフレーム64の開口部64aを位置づけてテープ付フレーム64’をウエーハテーブル12に載置するテープ付フレーム搬送ステップを実施する。
テープ付フレーム搬送ステップでは、まず、フレームテーブル70を上昇位置から下降位置に移動させる。次いで、テープ付フレーム搬送手段100(図5参照。)のY軸可動部材150およびZ軸可動部材152を移動させ、テープ96の粘着面が下を向いた状態でフレームテーブル70に支持されているテープ付フレーム64’(図7参照。)の上面に、テープ付フレーム搬送手段100の保持部154の各吸引パッド158を接触させる。
次いで、テープ付フレーム搬送手段100の吸引手段を作動させ、吸引パッド158に吸引力を生成することにより、テープ付フレーム64’の上面を吸引パッド158で吸引保持する。次いで、テープ付フレーム搬送手段100のY軸可動部材150およびZ軸可動部材152を移動させ、吸引パッド158で吸引保持したテープ付フレーム64’をフレームテーブル70から搬出する。
次いで、テープ付フレーム搬送手段100の吸引パッド158で吸引保持したテープ付フレーム64’をウエーハテーブル12まで搬送し、図7に示すとおり、ウエーハテーブル12に支持されたウエーハ4の裏面4bにフレーム64の開口部64aを位置づけてテープ付フレーム64’をウエーハテーブル12のフレーム支持部58に接触させる。この際は、テープ付フレーム64’のテープ96の粘着面が下を向いており、ウエーハ4の裏面4bが上を向いてテープ96の粘着面に対面している。
次いで、テープ付フレーム搬送手段100の吸引パッド158の吸引力を解除し、テープ付フレーム64’をウエーハテーブル12のフレーム支持部58に載せる。そして、テープ付フレーム搬送手段100のY軸可動部材150およびZ軸可動部材152を移動させ、保持部154をウエーハテーブル12の上方から離間させる。
テープ付フレーム搬送ステップを実施した後、テープ付フレーム64’のテープ96をウエーハ4の裏面4bに圧着するテープ圧着ステップを実施する。
図7ないし図9を参照して説明すると、テープ圧着ステップでは、まず、テープ圧着手段102の昇降機構164によって上部チャンバー160を下降させ、上部チャンバー160の側壁172の下端を下部チャンバー162の側壁186の上端に接触させる。これによって、上部チャンバー160および下部チャンバー162を閉塞状態にすると共に、押圧ローラ174をテープ付フレーム64’に接触させる。そうすると、図8に示すとおり、ウエーハ4のリング状補強部24の上端がテープ付フレーム64’のテープ96の粘着面に貼り付く。
次いで、テープ圧着手段102の大気開放部168を閉じた状態で真空部166を作動させ、上部チャンバー160および下部チャンバー162の内部を真空にする。次いで、図8および図9に示すとおり、テープ圧着手段102の押圧ローラ174をY軸方向に転がすことにより、ウエーハ4の裏面4bにテープ96を圧着する。これによって、ウエーハ4の裏面4bとテープ96とが圧着したフレームユニットU(図10参照)を生成することができる。次いで、大気開放部168を開放し、大気圧によってリング状補強部24の付け根に沿ってテープ96をウエーハ4の裏面4bに密着させる。そして、昇降機構164によって上部チャンバー160を上昇させる。このようにして、ウエーハ搬出ステップからテープ圧着ステップまでを含むフレームユニット生成工程を実施する。
なお、上部チャンバー160および下部チャンバー162の内部を真空にすることによって、ウエーハテーブル12によるウエーハ4の吸引力が失われてしまうが、上部チャンバー160および下部チャンバー162を閉塞状態にした際に、ウエーハ4のリング状補強部24の上端がテープ付フレーム64’のテープ96の粘着面に貼り付くため、テープ圧着ステップにおいてウエーハ4の位置がずれることはない。
フレームユニット生成工程を実施した後、リング状補強部24を撮像しリング状補強部24の内周円の中心を設定する中心設定工程を実施する。中心設定工程では、まず、テープ付フレーム64’のテープ96とウエーハ4の裏面4bとが圧着されたフレームユニットUをウエーハテーブル12から搬出するフレームユニット搬出ステップを実施する。
図5を参照して説明すると、フレームユニット搬出ステップでは、まず、フレームユニット搬出手段192の搬送部206を作動させ、フレームユニット保持部202のウエーハ保持部202aの吸着片210の下面をウエーハ4の裏面4b側のテープ96に接触させると共に、フレーム保持部202bの吸引パッド214をフレーム64に接触させる。
次いで、ウエーハ保持部202aの吸着片210およびフレーム保持部202bの吸引パッド214に吸引力を生成し、リング状の補強部24を外周に露出させた状態で、ウエーハ保持部202aの吸着片210でウエーハ4を裏面4b側(テープ96側)からウエーハ4の内側を吸引保持すると共に、フレーム保持部202bの吸引パッド214でフレーム64を吸引保持する。次いで、ウエーハテーブル12によるウエーハ4の吸引保持を解除する。そして、搬送部206を作動させ、フレームユニット保持部202で保持したフレームユニットUをウエーハテーブル12から搬出する。
フレームユニット搬出ステップを実施した後、リング状補強部24の内周円の中心を検出する中心検出ステップを実施する。
図11および図12を参照して説明すると、中心検出ステップでは、まず、フレームユニット保持部202で保持したフレームユニットUを、上部カメラ223と下部カメラ224との間に位置づける。次いで、フレームユニット搬出手段192の二次元移動機構を構成する搬送部206を作動させて、フレームユニット保持部202で保持したフレームユニットUの上方から、リング状補強部24の内周円の少なくとも三ヶ所を上部カメラ223で撮像する。これによって、リング状補強部24の内周円における少なくとも三点の座標を計測する。次いで、計測した三点の座標に基づいて、リング状補強部24の内周円の中心座標を検出する。そして、検出した中心座標を、リング状補強部24の内周円の中心として設定する。
フレームユニットUを上部カメラ223と下部カメラ224との間に位置づけた際は、搬送部206を作動させて、フレームユニットUの下方から、リング状補強部24に対応する表面4aを下部カメラ224で撮像するのが望ましい。これによって、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域(リング状補強部24の内周円)に、デバイス14が存在するか否かを検査することができる。
リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域にデバイス14が存在するフレームユニットUについては、加工装置2による加工を中断する。たとえば図13(b)に示すように、リング状補強部24とデバイス14とが重なっている場合には、リング状補強部24とデバイス14とが重ならないように、図示していない研削装置を用いてリング状補強部24を研削し、リング状補強部24の幅を狭くする加工を施す。これによって、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する際に、デバイス14を切断してしまうのを防止することができる。
また、フレームユニットUを上部カメラ223と下部カメラ224との間に位置づけた際は、リング状補強部24に沿って上部カメラ223でウエーハ4の裏面4b側を撮像するのが好適である。そして、リング状補強部24とテープ96とが密着していない領域を検出した場合には、加工を中断する。たとえば、図13(c)に示すとおり、リング状補強部24とテープ96との間に隙間Vが存在するフレームユニットUについては、加工装置2による加工を中断する。これによって、後工程において、デバイス14ごとのデバイスチップにウエーハ4をダイシングする際に、デバイス14の不良が発生するのを抑制することができる。
そして、リング状補強部24を除去するためにウエーハ4を切断する領域にデバイス14が存在せず(図13(a)参照)、かつ、リング状補強部24とテープ96とが密着していない領域が検出されなかった場合、二次元移動機構を構成する搬送部206を作動させ、リング状補強部24の内周円の中心を仮置きテーブル204の中心と一致させて、フレームユニットUを仮置きテーブル204に仮置きする仮置き工程を実施する。
仮置き工程では、まず、搬送部206を作動させ、リング状補強部24の内周円の中心を仮置きテーブル204の環状支持部226の中心に位置づけて、仮置きテーブル204の環状支持部226の上面にウエーハ4の表面4aの外周余剰領域20を接触させると共に、仮置きテーブル204のフレーム支持部228の上面にフレーム64の下面を接触させる。この際、ウエーハ4の表面4aが下を向いているが、デバイス領域18は仮置きテーブル204の凹所230に位置するため、デバイス14と仮置きテーブル204とが接触することがなく、デバイス14の損傷が防止される。
そして、ウエーハ保持部202aによるウエーハ4の吸引保持を解除すると共に、フレーム保持部202bによるフレーム64の吸引保持を解除し、フレームユニット搬出手段192から仮置きテーブル204にフレームユニットUを受け渡す。このようにして仮置き工程を実施する。
なお、仮置き工程においては、フレームユニット搬出手段192から仮置きテーブル204にフレームユニットUを受け渡した後、フレーム支持部228のヒーターを作動させ、仮置きテーブル204に仮置きされたフレームユニットUのテープ96をヒーターによって加熱するのが好ましい。これによって、テープ96が軟化してウエーハ4のリング状補強部24の付け根にテープ96を密着させることができる。
仮置き工程を実施した後、リング状補強部24の内周円の中心に基づいて、フレームユニットUを回転させリング状補強部24の内周円に沿ってウエーハ4を切断する切断工程を実施する。
図1、図11および図15を参照して説明すると、切断工程では、まず、補強部除去手段194の第一の昇降テーブル246のX軸可動部材260およびZ軸可動部材262を移動させ、仮置きテーブル204に仮置きされたフレームユニットUのフレーム64の上面に吸着片268の下面を接触させる。
フレーム64に吸着片268を接触させる際の吸着片268の位置は、吸着片268の回転中心と仮置きテーブル204との中心とが一致する位置に、あらかじめ設定されている。上記のとおり、仮置き工程において、リング状補強部24の内周円の中心を仮置きテーブル204の中心と一致させて、フレームユニットUを仮置きテーブル204に仮置きしているので、フレーム64に吸着片268を接触させる際は、吸着片268の回転中心とリング状補強部24の内周円の中心とが一致するようになっている。
次いで、第一の昇降テーブル246の吸着片268の各吸引孔に吸引力を生成し、フレームユニットUのフレーム64部分を吸引保持する。次いで、第一の昇降テーブル246のX軸可動部材260およびZ軸可動部材262を作動させ、吸着片268で吸引保持したフレームユニットUをレーザー光線照射手段244の上方に位置づける。次いで、フレームユニットUのウエーハ4のリング状補強部24の内周円にレーザー光線LBの集光点を位置づける。
次いで、図14に示すとおり、第一の昇降テーブル246のモータ266により吸着片268を回転させながら、すなわち、リング状補強部24の内周円の中心に基づいてフレームユニットUを回転させながら、ウエーハ4のリング状補強部24の内周円にレーザー光線LBを照射する。これによって、ウエーハ4のリング状補強部24の内周円にアブレーション加工を施して、リング状の切断溝256を形成することができるので、リング状補強部24の内周円に沿ってウエーハ4を切断することができる。また、ウエーハ4にレーザー光線LBを照射する際は、レーザー光線照射手段244の吸引手段を作動させて吸引ノズル254に吸引力を生成し、アブレーション加工によって生じたデブリを吸引ノズル254によって吸引する。
なお、切断工程においては、加工装置2とは別のダイシング装置(図示していない。)を用いて実施してもよい。具体的には、リング状補強部24の内周円の中心に基づいてフレームユニットUを回転させながら、リング状補強部24の内周円に切削ブレードを切り込ませることにより、リング状補強部24の内周円に沿って切断溝を形成してウエーハ4を切断してもよい。
切断工程を実施した後、フレームユニットUから切断されたリング状補強部24を除去する補強部除去工程を実施する。補強部除去工程では、まず、第一の昇降テーブル246のX軸可動部材260およびZ軸可動部材262を移動させ、吸着片268で吸引保持したフレームユニットUのウエーハ4の表面4aの外周余剰領域20を仮置きテーブル204の環状支持部226の上面に接触させると共に、仮置きテーブル204のフレーム支持部228の上面にフレーム64の下面を接触させる。次いで、第一の昇降テーブル246の吸着片268の吸引力を解除し、第一の昇降テーブル246から仮置きテーブル204にフレームユニットUを受け渡す。
次いで、フレームユニットUを受け取った仮置きテーブル204を仮置きテーブル搬送部232によって補強部除去手段194の分離部248の下方に位置づける(図11参照。)。なお、この際に、廃棄部276のベルトコンベア300を待機位置に位置づけておく。次いで、分離部248の第二の昇降テーブル272を下降させ、ウエーハ4の裏面4b部分のテープ96に第二の昇降テーブル272の下面を接触させる。次いで、第二の昇降テーブル272の下面に吸引力を生成し、図18に示すとおり、リング状補強部24を外周に露出させた状態で、フレームユニットUのウエーハ4の内側を第二の昇降テーブル272のテーブルヘッド287で吸引保持する。
次いで、フレームユニットUのウエーハ4を吸引保持した第二の昇降テーブル272を上昇させ、フレームユニットUを仮置きテーブル204から離間させると共に、仮置きテーブル204を第一の昇降テーブル246の下方に移動させる。次いで、送り手段290によって可動片288を移動させると共に、Z軸送り手段294によって支持基板400を移動させ、図19に示すとおり、楔を有するコマ402をリング状補強部24の外周に作用させ、テープ96とリング状補強部24との間にコマ402の楔を位置づけると共に、フレーム支持部404の球体404bでフレーム64を支持する。また、廃棄部276のベルトコンベア300を待機位置から回収位置に位置づける。
次いで、一対の紫外線照射部270から紫外線を照射してリング状補強部24に貼り付いているテープ96の粘着力を低減させると共に、分離器274に対して第二の昇降テーブル272と共にフレームユニットUをモータ284によって回転させる。また、イオナイザー406からフレームユニットUに向かってイオン化エアーを吹きつける。これによって、図20に示すとおり、フレームユニットUからリング状補強部24を分離することができると共に、リング状補強部24を分離する際に発生する静電気がフレームユニットUに残存することがない。フレームユニットUから落下したリング状補強部24は、ベルトコンベア300によってダストボックス302に搬送され回収される。なお、リング状補強部24を分離する際に、フレームユニットUに対して分離器274を回転させてもよい。
補強部除去工程を実施した後、リング状補強部24が除去されたリング無しユニットU’を補強部除去手段194から搬出するリング無しユニット搬出工程を実施する。
リング無しユニット搬出工程では、まず、補強部除去手段194の廃棄部276のベルトコンベア300を回収位置から待機位置に位置づける。次いで、リング無しユニット搬出手段196の反転機構308(図21参照。)のフレーム保持部306を、第二の昇降テーブル272に吸引保持されているリング無しユニットU’の下方に位置づける。
次いで、フレーム保持部306の吸引パッド326を上に向けた状態でアーム318を上昇させ、第二の昇降テーブル272に支持されウエーハ4の表面4aが下を向いている状態のリング無しユニットU’のフレーム64の下面側にフレーム保持部306の吸引パッド326を接触させる。
次いで、フレーム保持部306の吸引パッド326に吸引力を生成し、リング無しユニットU’のフレーム64を吸引パッド326で吸引保持する。次いで、第二の昇降テーブル272によるリング無しユニットU’の吸引保持を解除する。これによって、補強部除去手段194の第二の昇降テーブル272からリング無しユニット搬出手段196のフレーム保持部306にリング無しユニットU’を受け渡す。
リング無しユニット搬出工程を実施した後、リング無しユニット搬出手段196によって搬出されたリング無しユニットU’を収容するリング無しユニット収容工程を実施する。
リング無しユニット収容工程では、まず、リング無しユニット搬出手段196の反転機構308を上下反転させ、フレーム保持部306で吸引保持したリング無しユニットU’を上下反転させる。これによって、フレーム保持部306の下方にリング無しユニットU’が位置し、ウエーハ4の表面4aが上を向くことになる。
次いで、反転機構308のY軸可動部材316およびアーム318を移動させ、リング無しユニット支持部310の一対の支持板328の上面にリング無しユニットU’を接触させる。このとき、間隔調整手段によって一対の支持板328の間隔は狭められており、一対の支持板328は互いに密着している。次いで、フレーム保持部306によるリング無しユニットU’の吸引保持を解除し、一対の支持板328にリング無しユニットU’を載せる。次いで、各支持板328に装着されたヒーターを作動させ、リング無しユニットU’のテープ96を加熱することにより、リング状補強部24が除去されたことによって生じたテープ96のたわみ、しわを伸ばす。そして、再びリング無しユニットU’をフレーム保持部306で吸引保持し上昇させる。
次いで、間隔調整手段によって一対の支持板328の間隔を拡げた後、リング無しユニットU’を支持板328の上面に載置する。そして、図23に示すとおり、押し込み部312の押圧片338によってリング無しユニット支持部310に支持されたリング無しユニットU’を押して、フレームカセットテーブル200に載置されたフレームカセット198に進入させて収容する。
以上のとおりであり、図示の実施形態においては、リング状補強部24を撮像しリング状補強部24の内周円の中心を設定し、設定した中心に基づいてフレームユニットUを回転させながら、リング状補強部24の内周円に沿って切断溝を形成するので、ウエーハ4をリング状補強部24の内周円に沿って切断して、ウエーハ4からリング状補強部24を適正に除去することができる。
2:加工装置
4:ウエーハ
4a:ウエーハの表面
4b:ウエーハの裏面
6:ウエーハカセット
8:ウエーハカセットテーブル
10:ウエーハ搬出手段
12:ウエーハテーブル
20:外周余剰領域
24:リング状補強部
64:フレーム
64a:開口部
64’:テープ付フレーム
66:フレーム収容手段
68:フレーム搬出手段
70:フレームテーブル
96:テープ
98:テープ貼着手段
100:テープ付フレーム搬送手段
102:テープ圧着手段
192:フレームユニット搬出手段
194:補強部除去手段
196:リング無しユニット搬出手段
198:フレームカセット
200:フレームカセットテーブル
204:仮置きテーブル
223:上部カメラ
224:下部カメラ
244:レーザー光線照射手段
246:第一の昇降テーブル
248:分離部
256:切断溝
270:紫外線照射部
272:第二の昇降テーブル
274:分離器
276:廃棄部
402:コマ
U:フレームユニット
U’:リング無しユニット

Claims (9)

  1. 外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工方法であって、
    ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを準備するフレーム準備工程と、
    外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
    該フレームとウエーハの裏面とにテープを貼着してフレームユニットを生成するフレームユニット生成工程と、
    リング状補強部を撮像しリング状補強部の内周円の中心を設定する中心設定工程と、
    該中心に基づいて該フレームユニットを回転させリング状補強部の内周円に沿ってウエーハを切断する切断工程と、
    該フレームユニットから切断されたリング状補強部を除去する補強部除去工程と、
    を含む加工方法。
  2. リング状補強部に対応するウエーハの表面を撮像して、リング状補強部を切断する領域にデバイスが存在するか否かを検査し、デバイスが存在する場合は加工を中断する請求項1記載の加工方法。
  3. 該中心設定工程において、リング状補強部とテープとが密着していない領域を検出した場合、加工を中断する請求項1記載の加工方法。
  4. 外周余剰領域に対応する裏面にリング状補強部が凸状に形成されたウエーハからリング状補強部を除去する加工装置であって、
    複数のウエーハが収容されたウエーハカセットが載置されるウエーハカセットテーブルと、
    該ウエーハカセットテーブルに載置されたウエーハカセットからウエーハを搬出するウエーハ搬出手段と、
    該ウエーハ搬出手段によって搬出されたウエーハの表面側を支持するウエーハテーブルと、
    ウエーハを収容する開口部が形成されたリング状のフレームを複数収容するフレーム収容手段と、
    該フレーム収容手段からフレームを搬出するフレーム搬出手段と、
    該フレーム搬出手段によって搬出されたフレームを支持するフレームテーブルと、
    該フレームテーブルの上方に配設されフレームにテープを貼着するテープ貼着手段と、
    テープが貼着されたフレームを該ウエーハテーブルまで搬送し該ウエーハテーブルに支持されたウエーハの裏面にフレームの開口部を位置づけてテープ付フレームを該ウエーハテーブルに載置するテープ付フレーム搬送手段と、
    テープ付フレームのテープをウエーハの裏面に圧着するテープ圧着手段と、
    該テープ圧着手段によってテープ付フレームのテープとウエーハの裏面とが圧着されたフレームユニットを該ウエーハテーブルから搬出するフレームユニット搬出手段と、
    該フレームユニット搬出手段によって搬出されたフレームユニットのウエーハからリング状補強部を切断し除去する補強部除去手段と、
    リング状補強部が除去されたリング無しユニットを該補強部除去手段から搬出するリング無しユニット搬出手段と、
    該リング無しユニット搬出手段によって搬出されたリング無しユニットを収容するフレームカセットが載置されるフレームカセットテーブルと、
    を含み、
    該フレームユニット搬出手段は、ウエーハを保持するウエーハ保持部およびフレームを保持するフレーム保持部を含むフレームユニット保持部と、該フレームユニット保持部を仮置きテーブルまで搬送する搬送部とを備え、
    該ウエーハテーブルから該仮置きテーブルの間に、フレームユニットの上方からテープを介してウエーハの裏面を撮像する上部カメラが配設され、
    ウエーハの裏面に形成されたリング状補強部の内周円の中心を求める加工装置。
  5. 該フレームユニット搬出手段は、該フレームユニット保持部を水平方向に二次元で移動する二次元移動機構を備え、
    該二次元移動機構を作動してリング状補強部の内周円の中心を該仮置きテーブルの中心と一致させる請求項4記載の加工装置。
  6. 該上部カメラに対向してフレームユニットを挟むように下部カメラが配設され、ウエーハのリング状補強部に対応する表面を該下部カメラで撮像して、リング状補強部を切断する領域にデバイスが存在するか否かを検査し、デバイスが存在する場合は加工を中断する請求項4記載の加工装置。
  7. 該上部カメラの撮像によって、リング状補強部とテープとが密着していない領域を検出した場合、加工を中断する請求項4記載の加工装置。
  8. 該テープ圧着手段は、該ウエーハテーブルの上方に配設された上部チャンバーと、該ウエーハテーブルを収容した下部チャンバーと、該上部チャンバーを昇降させ該下部チャンバーに接触させた閉塞状態と該下部チャンバーから離反させた開放状態とを生成する昇降機構と、該閉塞状態で該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを真空にする真空部と、該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを大気に開放する大気開放部と、を備え、
    該ウエーハテーブルに支持されたウエーハの裏面にテープ付フレームのテープが位置づけられた状態で、該昇降機構を作動して該閉塞状態を維持しつつ該上部チャンバーおよび該下部チャンバーを真空にし、該上部チャンバーに配設された押圧ローラでテープ付フレームのテープをウエーハの裏面に圧着する請求項4記載の加工装置。
  9. 該補強部除去手段は、ウエーハの外周に形成されたリング状補強部の内周円に沿ってレーザー光線を照射して切断溝を形成するレーザー光線照射手段と、該仮置きテーブルに仮置きされたフレームユニットを保持し上昇させると共に該レーザー光線照射手段に位置づける第一の昇降テーブルと、該切断溝からリング状補強部を分離する分離部とを備え、
    該分離部は、該切断溝に対応するテープに紫外線を照射してテープの粘着力を低減させる紫外線照射部と、リング状補強部を外周に露出させてウエーハの内側を吸引保持する第二の昇降テーブルと、楔を有するコマをリング状補強部の外周に作用してリング状補強部を分離する分離器と、分離されたリング状補強部が廃棄される廃棄部とを備える請求項4記載の加工装置。
JP2021092048A 2021-06-01 2021-06-01 加工方法および加工装置 Pending JP2022184288A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021092048A JP2022184288A (ja) 2021-06-01 2021-06-01 加工方法および加工装置
TW111118251A TW202249151A (zh) 2021-06-01 2022-05-16 加工方法及加工裝置
DE102022205177.7A DE102022205177A1 (de) 2021-06-01 2022-05-24 Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von wafern
US17/804,185 US20220384175A1 (en) 2021-06-01 2022-05-26 Method of and apparatus for processing wafer
KR1020220065393A KR20220163278A (ko) 2021-06-01 2022-05-27 가공 방법 및 가공 장치
CN202210596891.6A CN115430928A (zh) 2021-06-01 2022-05-30 加工方法和加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021092048A JP2022184288A (ja) 2021-06-01 2021-06-01 加工方法および加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022184288A true JP2022184288A (ja) 2022-12-13

Family

ID=83997647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021092048A Pending JP2022184288A (ja) 2021-06-01 2021-06-01 加工方法および加工装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220384175A1 (ja)
JP (1) JP2022184288A (ja)
KR (1) KR20220163278A (ja)
CN (1) CN115430928A (ja)
DE (1) DE102022205177A1 (ja)
TW (1) TW202249151A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062375A (ja) 2008-09-04 2010-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220163278A (ko) 2022-12-09
TW202249151A (zh) 2022-12-16
CN115430928A (zh) 2022-12-06
DE102022205177A1 (de) 2022-12-01
US20220384175A1 (en) 2022-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7464472B2 (ja) 加工装置
US20220108903A1 (en) Processing apparatus
JP2023038377A (ja) ウエーハの加工方法および除去装置
KR20230055955A (ko) 가공 장치
US20220270910A1 (en) Processing apparatus
JP2022128193A (ja) 加工装置
JP2022184288A (ja) 加工方法および加工装置
JP2023023887A (ja) 加工装置
JP2022141004A (ja) 加工装置
JP2023025560A (ja) 加工装置
JP2022114113A (ja) 加工装置
TW202224077A (zh) 加工裝置
JP2022077222A (ja) 加工装置
CN114406488A (zh) 激光加工装置
JP2022064296A (ja) レーザー加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240423

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20240426