KR102422605B1 - 극성 반전 보호 장치, 극성 반전 보호 장치를 동작시키기 위한 방법, 및 대응하는 용도 - Google Patents

극성 반전 보호 장치, 극성 반전 보호 장치를 동작시키기 위한 방법, 및 대응하는 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 트랜지스터 회로 (9), 증폭기 회로 (5) 및 출력 드라이버 스테이지 (7) 를 포함하는 극성 반전 보호 장치에 관한 것이며, 여기서 증폭기 회로 (5) 는 출력 드라이버 스테이지 (7) 에 연결되고, 출력 드라이버 스테이지 (7) 는 트랜지스터 회로 (9) 에 연결되며, 트랜지스터 회로 (9) 는 극성 반전 보호 장치 (1) 의 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이에 배열되어, 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이의 전기적 연결이 상기 트랜지스터 회로 (9) 에 의해 생성되거나 연결해제될 수 있게 하며, 여기서 출력 드라이버 스테이지 (7) 는 3 상태 스테이지로서 설계된다. 본 발명은 또한 극성 반전 보호 장치 (1) 를 동작시키기 위한 방법 및 대응하는 용도에 관한 것이다.

Description

극성 반전 보호 장치, 극성 반전 보호 장치를 동작시키기 위한 방법, 및 대응하는 용도
본 발명은 청구항 제 1 항의 전제부에 기재된 극성 반전 보호 장치, 청구항 제 6 항에 기재된 극성 반전 보호 장치를 동작시키는 방법, 및 청구항 제 9 항에 기재된 극성 반전 보호 장치의 용도에 관한 것이다.
종래 기술은 차량의 안전을 위태롭게 하지 않기 위해 온보드 전력 시스템으로의 에너지의 복귀 흐름이 방지되는, 자동차용 제어 디바이스를 개시한다. 이를 위해, 노드 포인트에서 온보드 전력 시스템으로의 복귀 흐름을 허용하지 않고 제어 디바이스의 전자 장치를 네거티브 전압으로부터 보호하는 (극성 반전 보호 기능) 트랜지스터가 사용된다.
선형 모드로 알려진 것에서, 트랜지스터 (특히 FET) 는 이상적인 다이오드처럼 거동하도록 구동된다. 온보드 전력 시스템에서 흐르는 경우, 모든 알려진 간섭 펄스들은 매우 짧은 시간 내에 ECU 의 부하 회로에 대한 연결을 연결해제함으로써 필터링된다. 트랜지스터는 선형 조절 루프를 통해 제어되어, 특정 드레인 소스 전압이 트랜지스터에서 발생하게 한다. 이 특정 전압은 트랜지스터의 임계 전압 영역에 있어서, 트랜지스터가 스위치 온 상태로부터 스위치 오프 상태로 그리고 그 반대로 신속하게 변화하게 할 수 있다.
스위치 모드로 알려진 것에서, 회로는 트랜지스터의 게이트를 제어하며, 여기서 회로는 스위치를 포함한다. 스위치가 폐쇄된다면, 트랜지스터가 활성화되고, 드레인-소스 저항에 최소 값이 할당된다. 스위치가 개방되면, 트랜지스터가 비활성화되고, 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 임계 전압 아래로 내려간다. 알려진 바와 같이, 스위치 모드의 회로에는 회로의 정확한 동작을 모니터링하는 모니터링 회로가 수반된다.
종래 기술에 따른 애플리케이션들의 단점은 다음과 같다:
- 2 개의 모드를 결합하는 것이 불가능하다.
- 온보드 전력 시스템으로의 피드백 제어가 불가능하다.
- 선형 모드에서는 자체 테스트/진단 기능이 없다.
- 제어 디바이스 내부의 회로 보드에 별개의 컴포넌트들이 사용된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 언급된 단점을 회피하고 개선된 극성 반전 보호 장치를 제공하는 것이다.
그 목적은 독립항들에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 트랜지스터 회로, 증폭기 회로 및 출력 드라이버 스테이지를 갖는 극성 반전 보호 장치가 제안된다. 이 경우, 증폭기 스테이지는 출력 드라이버 스테이지에 연결되고, 출력 드라이버 스테이지는 트랜지스터 회로에 연결된다. 극성 반전 보호 회로는 또한, 트랜지스터 회로에 의해 서로 연결되는, 제 1 연결 노드 및 제 2 연결 노드를 갖는다. 제 1 연결 노드는 바람직하게는 온보드 전력 시스템으로의 연결을 생성하고 (KL30 단자로 불림), 제 2 연결 노드는 바람직하게는 하나 이상의 제어 디바이스로의 연결을 생성한다 (KL30B 단자로 불림). 제 1 연결 노드와 제 2 연결 노드 사이의 전기적 연결은 트랜지스터 회로에 의해 생성되거나 연결해제될 수 있다. 또한, 출력 드라이버 스테이지는 3 상태 스테이지로 설계된다.
증폭기 회로는 바람직하게는 상기 언급된 선형 모드를 수행하도록 설계된다. 제 1 연결 노드는 바람직하게는 차량의 온보드 전력 시스템에 연결된다.
본 경우에, 3 상태 스테이지는 고 저항 상태를 채택할 수 있게 하는 회로에 주어진 명칭이다. 결과적으로, 추가의 회로는 출력 드라이버 스테이지와 트랜지스터 회로 사이의 제 3 연결 노드에 유리하게 연결될 수도 있으며, 이 추가의 회로는 게이트 연결을 통해 트랜지스터 회로를 제어할 수 있다. 이 경우, 출력 드라이버 스테이지는 추가 회로의 동작에 영향을 주거나 간섭하지 않을 것이다. 이 추가의 회로는 특히 바람직하게는 모니터링 회로 및/또는 스위치 회로로서 설계된다. 스위치 회로의 경우에, 특히 상기 스위치 모드를 수행하는 것이 가능하다. 트랜지스터 회로는 바람직하게는 출력 드라이버 스테이지를 통해 증폭기 회로 및 스위치 회로에 의해 구동될 수 있다. 트랜지스터 회로는 특히 바람직하게 출력 드라이버 스테이지를 통해 각각 증폭기 회로 또는 스위치 회로에 의해 특정 시간에 구동된다.
하나의 바람직한 전개에서, "3 상태 스테이지" 로서의 설계는, 출력 드라이버 스테이지가 3 상태 모드의 가능성을 갖는 임의의 증폭기 스테이지로서, 예를 들어 3 상태 모드를 갖는 푸시 풀 스테이지로서 설계될 수도 있음을 의미할 수도 있다.
본 발명은 유리하게는 양자의 모드들을 제공하고 이들을 사용가능하게 하는 것을 가능하게 한다. 매우 특히 바람직하게는, 2 개의 모드들이 교대로 동작되어, 다시 온보드 전력 시스템으로의 에너지의 계량된 공급이 수행된다. 계랑된 피드백으로 인해, 미리 정의된 한계를 고려하여 제어 디바이스 또는 차량의 특정 안전 수준이 항상 보장될 수 있다. 따라서, 제어 디바이스 내의 열 손실들이 감소될 수 있고, 이는 더 소형이고 더 강인한 제품 설계를 가능하게 한다.
본 발명의 추가의 장점은 ASIC 의 IC 하우징 상의 핀들이 공동으로 사용될 수 있다는 것이다. 제안된 상호 연결은 특히, 더 적은 수의 핀들이 연결에 필요하며, 그 결과 공간 및 리소스들이 이 시점에서 절약될 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 하나의 바람직한 전개에서, 증폭기 회로와 출력 드라이버 스테이지 사이의 연결부에 노드 포인트가 배열되고, 극성 반전 보호 장치는 노드 포인트와 연결 노드들 중 하나, 특히 온보드 전력 시스템으로의 연결 노드에 연결된 저항기를 갖는다. 저항기는 "극성 반전", 즉, ISO 펄스들, 부하 덤프 및 온보드 전력 시스템의 임의의 타입의 파괴 전기 펄스들로부터 전체 장치를 보호함으로써 극성 반전 보호 장치를 더 내구성 있게 만든다. 이 결과, 파괴에 대한 장치의 강인성을 개선한다.
본 발명의 하나의 바람직한 전개에서, 트랜지스터 회로는 N-MOS 트랜지스터로서 설계되고, 극성 반전 보호 장치는 전하 펌프를 갖는다. 전하 펌프는 출력 드라이버 스테이지에 연결된다. 대안으로서, 트랜지스터 회로는 P-MOS 트랜지스터로서 설계된다. 이 경우, 전하 펌프는 생략될 수도 있고, 바람직하게는 제공되지 않는다.
본 발명의 하나의 바람직한 전개에서, 극성 반전 보호 장치는 모니터링 회로를 가지고, 그에 의해 트랜지스터 회로, 증폭기 회로, 및/또는 스위치 회로가 모니터링될 수도 있다. 그러나, 트랜지스터 회로는 매우 특히 바람직하게는 모니터링된다.
이 경우, 스위치 회로와 함께 컴포넌트에 수용되는 모니터링 회로가 바람직하게 사용된다. 따라서, 전개는 바람직하게는 스위치 회로를 모니터링하는 것뿐만 아니라 증폭기 회로를 위해 모니터링 회로를 사용할 수 있게 한다. 이것은 유리하게, 예를 들어 증폭기 회로를 모니터링하기 위한 추가의 모니터링 회로와 같은 추가적인 컴포넌트들이 필요하지 않다는 것을 의미한다. 모니터링 회로는 특히 바람직하게는 테스트 기능 및/또는 진단 기능을 포함한다. 예를 들어, 회로들은 예를 들어, 진행중인 동작 동안 결함들에 대해 모니터링될 수도 있다. 그러나, 미리 정의된 테스트들이 또한 수행될 수도 있으며, 이들은 회로의 결함에 관한 표시를 제공한다. 데이터는 특히 바람직하게는 예를 들어, 마이크로프로세서에 의해 평가되어 결함 메시지가 출력될 수 있게 한다. 결함 메시지는 진단 기능을 사용하여 액세스될 수 있거나 또는 모니터링 회로의 기능들이 진단 기능을 통해 제어될 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 전개에서, 모니터링 회로는 트랜지스터 회로, 증폭기 회로 또는 스위치 회로와 관련이 없는 추가적인 테스트들 또는 모니터링 동작들을 수행하도록 설계된다.
본 발명의 추가의 바람직한 전개에서, 적어도 출력 드라이버 스테이지 및 증폭기 회로는 ASIC (application-specific integrated circuit) 상에 함께 수용된다. ASIC 은 특히 바람직하게는 차량의 제어 유닛 (ECU) 의 에너지 관리에 적합한 전력 컴포넌트 (PCU) 로서 설계된다. ASIC 은 바람직하게는 ECU 의 일부이다. 트랜지스터 회로는 마찬가지로 ASIC 에 또는 - 대안으로서 - ECU 의 다른 부분에 수용될 수도 있다. 스위치 회로는 특히 바람직하게는 ASIC 에 또한 배열된다. 전반적으로, 극성 반전 보호 장치의 이러한 설계는 제어 유닛에 필요한 비용 및 공간을 감소시킬 수 있게 한다. 또한, ASIC 의 칩 상에 오직 최소 표면적만이 필요하다. 이에 대한 대안으로서, 회로들은 회로 보드 상에 개별적으로 제공된다.
추가의 바람직한 전개에서, 드라이버 스테이지들 (트랜지스터들) 중 적어도 일부는 금속 산화물 트랜지스터들 (CMOS) 로서 설계된다. 특히, 모든 드라이버 스테이지들은 이러한 방식으로 설계된다. 그러나, 대안으로서, 예를 들어 바이폴라 트랜지스터, 또는 스위치 오프 상태에서 고 임피던스를 출력하는 임의의 다른 증폭기 회로가 사용될 수도 있다.
본 발명의 추가의 바람직한 전개에서, 증폭기 회로는 연산 증폭기로서, 예를 들어 비교기로서 설계된다. 대안으로서, 증폭기 회로는 또한 신호 프로세싱 및 신호 증폭을 위한 임의의 다른 차동 구조로서 사용될 수도 있다.
본 발명은 추가로, 전술한 극성 반전 보호 장치를 동작시키기 위한 방법에 관한 것이다. 그 방법에 따라 다음의 단계들이 수행될 수도 있다:
- 증폭기 회로로부터의 신호들에 기초하여 출력 드라이버 스테이지를 통해 트랜지스터 회로를 구동하는 단계 및/또는
- 스위치 회로로부터의 신호들에 기초하여 출력 드라이버 스테이지를 통해 트랜지스터 회로를 구동하는 단계.
본 방법의 하나의 바람직한 전개에서, 증폭기 회로로부터 및 스위치 회로로부터의 신호들에 기초하여 트랜지스터 회로를 구동하는 것 사이에 변화가 있다. 따라서, 증폭기 회로 및 스위치 회로에 의한 구동 동작들은 바람직하게는 동시에 발생하는 것이 아니라, 세팅된 사양에 따라 교번한다. 이에 의해, 온보드 전력 시스템으로의 에너지의 계량된 또는 제어된 피드백이 가능하다. 상기 방법의 하나의 바람직한 전개에서, 트랜지스터 회로, 증폭기 회로 및/또는 스위치 회로는 모니터링 회로에 의해 모니터링된다.
상기 방법의 하나의 바람직한 전개에서, 극성 반전 보호 장치는 디커플링 모드에서 동작되며, 여기서, 특정 시간에, 증폭기 회로 또는 스위치 회로는 활성이고, 프로세스는 트랜지스터 회로를 구동시키며, 여기서 각각 비활성 회로 (증폭기 회로 또는 스위치 회로) 는 노드 포인트에서 고 임피던스를 보장한다. 이를 위해, 개별 회로는 대기 전류 (quiescent current) 로부터 연결해제된다. 이 전개는 2 개의 모드들이 서로 간섭하지 않게 한다.
본 발명은 추가로, 차량용 제어 유닛에서 설명된 극성 반전 보호 장치의 용도에 관한 것이다.
더 바람직한 실시형태들이 도면을 참조하여 예시적인 실시형태의 종속항들 및 후속 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
각 경우에 개략적으로:
도 1 은 극성 반전 보호 장치의 예시적인 구현을 도시한다.
도 2 는 출력 드라이버 스테이지의 본 발명에 따른 예시적인 실시형태를 도시한다.
도 3 은 출력 드라이버 스테이지의 본 발명에 따른 추가의 예시적인 실시형태를 도시한다.
도 4 는 스위치 회로의 예시적인 실시형태를 도시한다.
도 5 는 증폭기 회로 및 스위치 회로를 갖는 극성 반전 보호 장치의 본 발명에 따른 예시적인 실시형태를 도시한다.
도 1 은 추가의 저항기 (3) 를 갖는 극성 반전 보호 장치 (1) 의 이전 구현을 도시한다. 극성 반전 보호 장치 (1) 는 증폭기 회로 (5), 출력 드라이버 스테이지 (7) 및 트랜지스터 회로 (9) 를 갖는다. 트랜지스터 회로 (9) 는 N-MOS 트랜지스터로서 설계되는 것이 바람직하다. 이러한 이유로, 극성 반전 보호 장치 (1) 는 마찬가지로 전하 펌프 (11) 를 포함한다. 대안으로서, 트랜지스터 회로 (9) 는 또한 P-MOS 트랜지스터로서 설계될 수도 있으며, 여기서 이 경우에 전하 펌프 (11) 는 생략될 수도 있다. 저항기 (3) 는 노드 포인트 (10) 및 제 1 연결 노드 (13) 에 연결된다.
극성 반전 보호 장치 (1) 는 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이에 배열된다. 극성 반전 보호 장치 (1) 의 트랜지스터 회로 (9) 는 특히 제 1 연결 노드 (13) (KL30 단자로 불림) 와 제 2 연결 노드 (15) (KL30B 단자로 불림) 사이에 배열된다. 제 1 연결 노드 (13) 는 바람직하게는 차량의 온보드 전력 시스템에 연결된다. 제 2 연결 노드 (15) 는 바람직하게는 차량의 액추에이터 및/또는 제어 디바이스의 내부 전압 공급부에 연결된다. 트랜지스터 회로 (9) 는 특히 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이의 연결을 생성하거나 연결해제할 수 있도록 설계된다.
본 발명에 따르면, 출력 드라이버 스테이지 (7) 는 3 상태 스테이지로서 설계된다. 따라서, 스위치 회로 (23) 와 테스트 및 진단 회로 (25) 뿐만 아니라 다른 회로들은 출력 드라이버 스테이지 (7) 와 트랜지스터 회로 (9) 사이의 제 3 연결 노드 (16) 에 연결될 수 있다.
출력 드라이버 스테이지 (7), 증폭기 회로 (5) 및 저항기 (3) 의 조합은 제어기 회로 (18) 로 지칭될 수도 있다. 트랜지스터 회로 (9) 는 증폭기 회로 (5) 에 의해 출력 드라이버 스테이지 (7) 를 통해 간접적으로 또는 제어기 회로 (18) 에 의해 직접 구동된다. 트랜지스터 회로 (9) 는 마찬가지로 스위치 회로 (13) 에 의해 직접 구동될 수도 있다.
도 2 는 출력 드라이버 스테이지 (7) 의 예시적인 실시형태를 3 상태 스테이지로서 도시한다. 이 경우에, 출력 드라이버 스테이지 (7) 는 2 개의 MOSFET들 (19a, b) 및 추가로 2 개의 스위치들 (21a, b) 을 갖는 실제 출력 드라이버 회로 (17) 를 갖는다. 이들 2 개의 스위치들 (21a, b) 은 마찬가지로 도 3 에 도시된 것과 같이, MOSFET들로 설계될 수도 있다.
스위치들 (21a, b) 은 출력 드라이버 회로 (17) 와 결합하여 3 상태 스테이지를 발생한다. 스위치들 (21a, b) 은 출력 드라이버 스테이지 (7) 의 출력으로 하여금, 고 저항이 되거나 또는 고 임피던스를 가지게 하므로, 증폭기 회로 (5) 에 의해 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하는 것과 추가 회로를 구동하는 것 사이에서 변화하는 것이 가능하게 된다. 여기서 제어기 회로 (18) 의 구현 옵션들은 MOSFET들의 제공과 관련될 뿐만 아니라, 스위치 또는 증폭기로서 작용할 수 있는 임의의 유형의 능동 컴포넌트를 포함한다. 이들은 또한, 예를 들어 바이폴라 트랜지스터 또는 접합 FET들 등을 포함한다.
도 4 는 스위치 회로 (23) (쇄선 (dot-and-dash line)) 및 모니터링 회로 (25) (점선) 의 예시적인 실시형태를 도시하며, 이는 - 가능하면 변형된 형태로 - 추가 회로로서, 출력 드라이버 스테이지 (7) 와 트랜지스터 회로 (9) 사이의 제 3 연결 노드 (16) 에 연결될 수 있다. 증폭기 회로 (5) 또는 제어기 회로 (18) 및 스위치 회로 (23) 는 양자가 상이한 모드에서 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하기에 적합하며, 따라서 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이의 연결의 상이하게 구성된 연결해제 또는 생성을 야기하는데 적합하다.
도 4 의 실시형태는 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하기 위해, 제어기 회로 (18) 를 제공하지 않고 지금까지 종래 기술에서 단독으로 사용된 종래의 스위치 회로 (23) 를 도시한다. 따라서, 이 스위치 회로 (23) 는 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 에 및 트랜지스터 회로 (9) 양자에 연결된다. 스위치 회로 (23) 는 전하 펌프 (11) 를 갖는다. 또한, 스위치 회로 (23) 의 정확한 동작을 모니터링할 수 있는 모니터링 회로 (25) 는 이미 공통의 컴포넌트로 종래의 스위치 회로 (23) 와 함께 제공된다. 이를 위해, 모니터링 회로 (25) 는 복수의 연산 증폭기 (27a, b) 및 스위치 (29) 를 갖는다.
도 5 는 증폭기 회로 (5) 및 스위치 회로 (23) 를 갖는 본 발명에 따른 예시적인 극성 반전 보호 장치 (1) 를 도시하며, 여기서 모니터링 회로 (25) 는 트랜지스터 회로 (9), 증폭기 회로 (5) 또는 제어기 회로 (18) 및 스위치 회로 (23) 를 모니터링하는 것이 가능하도록 연결된다.
모니터링 회로 (25) 는 바람직하게는 다음 기능들을 실현 가능하게 설계된다:
a. 트랜지스터 회로 (9) 가 스위치 온/오프가 가능한지의 여부에 관한 테스트 기능 및
b. 트랜지스터 회로 (9) 의 벌크 다이오드 (26) 가 존재하는지의 여부에 관한 테스트 기능.
추가의 테스트 및 모니터링 기능들이 고려될 수 있고, 본 발명에 의해 지원되거나 가능하게 된다.
경계 (31) 내에 도시된 모든 컴포넌트들은 바람직하게는 ASIC 에 수용되는 반면, 트랜지스터 회로 (9) 및 2 개의 연결 노드들 (13, 15) 은 차량의 제어 유닛의 다른 부분에 배열된다. 그러나, 본 발명은 ASIC 내의 이러한 배열로 제한되지 않으며, 오히려 ASIC 외부에 개별적으로 구성될 수도 있다.
스위치 회로 (23) 및 모니터링 회로 (25) 는 바람직하게는 이들이 트랜지스터 회로 (9) 의 동작을 제어할 수 있도록, 제 3 연결 노드 (16) 를 통해 트랜지스터 회로 (9) 의 게이트에 연결된다. 여기서 도면 부호 16 은 다양한 지점들을 가리키지 만, 동일한 전압이 도처에 존재하기 때문에 모두 제 3 연결 노드 (16) 를 나타낸다.
증폭기 회로 (5) 또는 제어기 회로 (18) 및 스위치 회로 (23) 는 트랜지스터 회로 (9) 를 교대로 구동시키도록 동작되는 것이 바람직하다. 이것은 교대로 2 개의 상이한 모드들에 기초하여 제 1 연결 노드 (13) 와 제 2 연결 노드 (15) 사이의 연결을 연결해제/생성한다. 이것은 유리하게는 온보드 전력 시스템으로의 에너지의 계량된 피드백을 수행할 수 있게 한다.
1 극성 반전 보호 장치
3 저항기
5 증폭기 회로
7 출력 드라이버 스테이지
9 트랜지스터 회로
10 노드 포인트
11 전하 펌프
13 제 1 연결 노드
15 제 2 연결 노드
16 제 3 연결 노드
17 출력 드라이버 회로
18 제어기 회로
19a, b 출력 드라이버 회로의 MOSFET들
21a, b 출력 드라이버 스테이지의 스위치들/MOSFET들
23 스위치 회로
25 모니터링 회로
26 트랜지스터 회로의 벌크 다이오드
27a, b 모니터링 회로의 연산 증폭기들
29 모니터링 회로의 스위치
31 경계

Claims (9)

  1. 트랜지스터 회로 (9), 증폭기 회로 (5), 출력 드라이버 스테이지 (7), 상기 트랜지스터 회로 (9) 의 소스에 커플링된 제 1 연결 노드 (13) 및 상기 트랜지스터 회로 (9) 의 드레인에 커플링된 제 2 연결 노드를 갖는 극성 반전 보호 장치 (1) 로서,
    상기 증폭기 회로 (5) 의 출력은 상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 의 입력에 연결되고, 상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 의 출력은 상기 트랜지스터 회로 (9) 의 게이트에 연결되며,
    상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 는,
    제 1 MOSFET;
    제 2 MOSFET 로서, 상기 제 1 MOSFET 의 소스는 상기 제 2 MOSFET 의 드레인에 연결되는, 상기 제 2 MOSFET;
    상기 제 1 MOSFET 의 드레인에 연결된 제 1 스위치; 및
    상기 제 2 MOSFET 의 소스에 연결된 제 2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 반전 보호 장치 (1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 에 연결된 스위치 회로 (23) 를 더 포함하며,
    상기 트랜지스터 회로 (9) 는 상기 증폭기 회로 (5) 에 의해 그리고 상기 스위치 회로 (23) 에 의해 제어되는 극성 반전 보호 장치 (1).
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭기 회로 (5) 와 상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 사이에 배열된 노드 포인트 (10); 및
    상기 노드 포인트 (10) 및 상기 제 1 연결 노드 (13) 사이에 연결되는 저항기 (3) 를 더 포함하는 극성 반전 보호 장치 (1).
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 에 연결되는 전하 펌프 (11) 를 더 포함하며,
    상기 트랜지스터 회로 (9) 는 N-MOS 트랜지스터로 설계되는 극성 반전 보호 장치 (1).
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 트랜지스터 회로 (9), 상기 증폭기 회로 (5) 및 상기 스위치 회로 (23) 를 모니터링 하도록 구성되는 모니터링 회로 (25) 를 더 포함하는 극성 반전 보호 장치 (1).
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 극성 반전 보호 장치 (1) 를 동작시키기 위한 방법으로서,
    - 상기 증폭기 회로 (5) 로부터의 신호들에 기초하여 상기 출력 드라이버 스테이지 (7) 에 의해 상기 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하는 단계, 및/또는
    - 상기 스위치 회로 (23) 로부터의 신호들에 기초하여 상기 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하는 단계
    가 수행되는 것을 특징으로 하는 극성 반전 보호 장치 (1) 를 동작시키기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    - 상기 증폭기 회로 (5) 로부터의 신호들과 상기 스위치 회로 (23) 로부터의 신호들 사이의 변화에 기초하여 상기 트랜지스터 회로 (9) 를 구동하는 단계
    가 수행되는 것을 특징으로 하는 극성 반전 보호 장치 (1) 를 동작시키기 위한 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 극성 반전 보호 장치 (1) 는 모니터링 회로 (25) 를 가지며,
    - 상기 모니터링 회로 (25) 에 의해 상기 트랜지스터 회로 (9), 상기 증폭기 회로 (5) 및/또는 상기 스위치 회로 (23) 를 모니터링하는 단계
    가 수행되는 것을 특징으로 하는 극성 반전 보호 장치 (1) 를 동작시키기 위한 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 극성 반전 보호 장치 (1) 는, 차량용 제어 유닛에서 사용되는 것을 특징으로 하는 극성 반전 보호 장치 (1).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11539201B2 (en) * 2019-03-04 2022-12-27 Portwell Inc. Reverse polarity protection device
US11705900B2 (en) * 2020-01-31 2023-07-18 Cirrus Logic, Inc. Protection circuitry

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052022A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Laraia J. Marcos Integrated overvoltage and reverse voltage protection circuit

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4029971A (en) * 1976-02-13 1977-06-14 Rca Corporation Tri-state logic circuit
US4178620A (en) * 1977-10-11 1979-12-11 Signetics Corporation Three state bus driver with protection circuitry
JPS59208942A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Nec Corp 半導体回路
US4747009A (en) * 1984-04-17 1988-05-24 Ranco Electronics Division Air conditioner clutch control device
US5440441A (en) * 1984-10-24 1995-08-08 Ahuja; Om Apparatus for protecting, monitoring, and managing an AC/DC electrical line or a telecommunication line using a microprocessor
US5231318A (en) * 1990-08-03 1993-07-27 Reddy Chitranjan N Differential latch sense amplifier
US5159216A (en) * 1990-10-25 1992-10-27 Triquint Semiconductor, Inc. Precision tristate output driver circuit having a voltage clamping feature
US5430404A (en) * 1992-10-28 1995-07-04 Integrated Device Technology, Inc. Output driver circuits with enhanced supply-line bounce control and improved VOH characteristic
KR960003219B1 (ko) * 1993-04-16 1996-03-07 삼성전자주식회사 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로
US5422591A (en) * 1994-01-03 1995-06-06 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Output driver circuit with body bias control for multiple power supply operation
US5570043A (en) * 1995-01-31 1996-10-29 Cypress Semiconductor Corporation Overvoltage tolerant intergrated circuit output buffer
WO1998013922A1 (en) * 1996-09-26 1998-04-02 Becton Dickinson And Company Circuit for protection of electronic circuitry against input voltage reversal
US5959494A (en) * 1997-08-22 1999-09-28 Exar Corporation High-voltage switch control
US6331763B1 (en) * 1998-04-15 2001-12-18 Tyco Electronics Corporation Devices and methods for protection of rechargeable elements
DE10001485A1 (de) * 2000-01-15 2001-07-26 Daimler Chrysler Ag Schaltungsanordnung, elektrische Energieversorgungseinheit und Gleichrichterschaltung mit Transistorschalter und Invers-Diode
DE10048184A1 (de) * 2000-09-28 2002-04-11 Delphi Tech Inc Gegenspannungsschutzschaltung
US6859074B2 (en) * 2001-01-09 2005-02-22 Broadcom Corporation I/O circuit using low voltage transistors which can tolerate high voltages even when power supplies are powered off
US6498737B1 (en) * 2002-01-16 2002-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Voltage regulator with low sensitivity to body effect
DE60234158D1 (de) * 2002-04-22 2009-12-10 Ami Semiconductor Belgium Bvba Schaltungsanordnung zum Schutz gegen transiente Spannungen und Spannungsverpolung
JP3928938B2 (ja) 2002-05-28 2007-06-13 シャープ株式会社 電圧変換回路および半導体装置
JP4113436B2 (ja) * 2003-01-24 2008-07-09 三菱電機株式会社 ゲートドライブ装置
DE10320513A1 (de) * 2003-04-28 2004-11-18 Atmel Germany Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Oszillators
US7106566B2 (en) * 2003-07-08 2006-09-12 Arques Technology Power adapter interface circuitry for protecting a battery operated system
US20110133772A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Uniram Technology Inc. High Performance Low Power Output Drivers
US7378878B2 (en) * 2005-04-27 2008-05-27 Broadcom Corporation Driver circuit having programmable slew rate
US20070063758A1 (en) * 2005-09-22 2007-03-22 Honeywell International Inc. Voltage divider and method for minimizing higher than rated voltages
US7365951B2 (en) * 2006-03-07 2008-04-29 Matsushita Electric Works, Ltd. Discharge lamp lighting device, lighting system and method
CN2904457Y (zh) * 2006-06-05 2007-05-23 上海坤祥电子科技有限公司 三态反馈电源控制电路
JP4783220B2 (ja) * 2006-06-20 2011-09-28 株式会社リコー 過電圧保護回路、電子装置
US8009452B1 (en) * 2007-03-03 2011-08-30 Sadwick Laurence P Multiple driver power supply
US20130235630A1 (en) * 2007-03-03 2013-09-12 Laurence P. Sadwick Multiple driver power supply
US7633321B2 (en) * 2007-07-24 2009-12-15 Infineon Technologies Ag Driver circuit; electronic circuit having driver circuit and corresponding method
US20090027081A1 (en) * 2007-07-25 2009-01-29 International Business Machines Corporation Eight Transistor Tri-State Driver Implementing Cascade Structures To Reduce Peak Current Consumption, Layout Area and Slew Rate
DE102008012392B4 (de) * 2008-03-04 2013-07-18 Texas Instruments Deutschland Gmbh Technik zur Verbesserung des Spannungsabfalls in Reglern mit geringem Spannungsabfall durch Einstellen der Aussteuerung
WO2009114016A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Semiconductor Components Industries, Llc Method and circuit for bi-directional over-voltage protection
JP5149686B2 (ja) * 2008-04-24 2013-02-20 パナソニック株式会社 電力変換装置及びそれを用いた放電灯点灯装置、並びに車両用前照灯装置
US7924065B2 (en) * 2008-07-17 2011-04-12 Continental Automotive Gmbh Control circuit for a power field-effect transistor and method for configuring a control circuit for a power field-effect transistor
JP2010233064A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置
JP5382702B2 (ja) * 2009-05-01 2014-01-08 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ドライバ回路
US20110102046A1 (en) * 2009-10-31 2011-05-05 Pankaj Kumar Interfacing between differing voltage level requirements in an integrated circuit system
JP5618733B2 (ja) * 2009-12-09 2014-11-05 ローム株式会社 半導体装置及びこれを用いたスイッチングレギュレータ
KR101053539B1 (ko) * 2009-12-24 2011-08-03 주식회사 하이닉스반도체 출력 드라이버를 구비한 데이터 출력 회로
US8638130B1 (en) * 2010-02-17 2014-01-28 Entropic Communications, Inc. Low headroom line driver
DE102010011276A1 (de) 2010-03-13 2011-09-15 Continental Automotive Gmbh Bordnetz für ein Fahrzeug
US8947157B2 (en) * 2010-04-20 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Voltage multiplier charge pump buck
US8633736B2 (en) * 2010-05-27 2014-01-21 Standard Microsystems Corporation Driver with accurately controlled slew rate and limited current
KR101315239B1 (ko) * 2010-06-03 2013-10-08 대한민국 방공포 원격장치의 정비 장치
US20120081165A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High voltage tolerative driver
US20120091985A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Pieter Gustaaf Nierop High Voltage Output Driver
US8537517B1 (en) * 2011-04-26 2013-09-17 Manufacturing Networks Incorporated System and method for fast-acting power protection
JP6480184B2 (ja) * 2011-06-14 2019-03-06 インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト パワートランジスタのゲートドライバ
US8829945B2 (en) * 2011-07-05 2014-09-09 Silicon Laboratories Inc. Circuit and method for dynamic biasing of an output stage
US8963581B1 (en) * 2012-09-28 2015-02-24 Altera Corporation Pipelined direct drive routing fabric
US9054517B1 (en) * 2013-03-14 2015-06-09 S3C, Inc. Smart diagnosis and protection circuits for ASIC wiring fault conditions
US9847712B2 (en) * 2013-03-15 2017-12-19 Peregrine Semiconductor Corporation Fault control for switched capacitor power converter
US8619445B1 (en) * 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
US8766675B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-01 International Business Machines Corporation Overvoltage protection circuit
US9219473B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-22 International Business Machines Corporation Overvoltage protection circuit
JP5733330B2 (ja) * 2013-03-22 2015-06-10 株式会社デンソー 駆動回路
CN104184422A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 无锡华润矽科微电子有限公司 晶体振荡器驱动放大器电路及相应的晶体振荡器电路
CN103390883B (zh) * 2013-06-28 2016-03-02 惠州市蓝微电子有限公司 一种锂电池充电保护电路
DE102013223012A1 (de) * 2013-11-12 2015-05-13 Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh Schaltbare Rückspeiseverhinderung
US20150207399A1 (en) * 2014-01-20 2015-07-23 Immense Advance Technology Corp. Pwm controller capable of controlling output current ripple via a resistor, and led driver circuit using same
KR20150093347A (ko) * 2014-02-07 2015-08-18 삼성전기주식회사 저전압 트랜지스터를 이용한 고전압 드라이버
US9294081B2 (en) * 2014-03-28 2016-03-22 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for breakdown protection for switching output driver
JP6048462B2 (ja) * 2014-08-28 2016-12-21 オンキヨー＆パイオニアテクノロジー株式会社 保護回路
US9559683B2 (en) * 2014-08-29 2017-01-31 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor
US9479159B2 (en) * 2014-08-29 2016-10-25 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor
DE102014218551B4 (de) * 2014-09-16 2021-11-25 Vitesco Technologies GmbH Verpolschutzschaltung für ein Kraftfahrzeug-Bordnetz und Kraftfahrzeug-Bordnetz
JP6483997B2 (ja) * 2014-10-10 2019-03-13 ローム株式会社 パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置
US9401711B2 (en) * 2014-11-14 2016-07-26 International Business Machines Corporation Driver output with dynamic switching bias
CN204167966U (zh) * 2014-11-14 2015-02-18 天津普鹍耀扬科技有限公司 一种锂电电动车充电器
GB2532974A (en) 2014-12-03 2016-06-08 Control Techniques Ltd Fail-safe interface
KR101638352B1 (ko) * 2015-04-24 2016-07-13 주식회사 지니틱스 코일에 연결된 출력단자를 플로팅되도록 하는 회로를 갖는 코일 구동 ic
ES2898651T3 (es) * 2015-06-18 2022-03-08 Esa Controlador de CMOS tolerante a alto voltaje para buses de comunicación bidireccionales de bajo voltaje
US10128833B2 (en) * 2015-07-31 2018-11-13 Texas Instruments Incorporated Millivolt power harvesting FET controller
CN110994547B (zh) * 2015-09-21 2022-04-01 西普托特技术有限责任公司 用于保护电路的单晶体管器件以及方法
EP3419170B1 (en) * 2016-02-18 2021-01-13 Rohm Co., Ltd. Protective system
US9954548B2 (en) * 2016-04-08 2018-04-24 Infineon Technologies Ag Electronic switching and protection circuit with a logarithmic ADC
US9871029B2 (en) * 2016-05-06 2018-01-16 Analog Devices Global Bus driver / line driver
US10394260B2 (en) * 2016-06-30 2019-08-27 Synaptics Incorporated Gate boosting circuit and method for an integrated power stage
US10608520B2 (en) * 2017-02-17 2020-03-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Switch circuit
US10367500B2 (en) * 2017-12-08 2019-07-30 Allegro Microsystems, Llc Switching voltage regulator with variable minimum off-time
KR102617255B1 (ko) * 2018-08-13 2023-12-26 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그의 동작 방법
DE102019121793A1 (de) * 2018-08-14 2020-02-20 Steering Solutions Ip Holding Corporation Stromeingangsschaltung mit verbessertem verpolungsschutz zur isolierung der versorgung bei kurzschlussbedingungen und zur verminderung des neustarts des mikrocontrollers aus dem abschaltzustand nach einem fehler
US11522363B2 (en) * 2018-09-03 2022-12-06 Stmicroelectronics S.R.L. Supply protection circuit that protects power transistor from a supply signal of an incorrect polarity
US10483757B1 (en) * 2018-09-18 2019-11-19 Manufacturing Networks Incorporated (MNI) Fast-acting power protection system incorporating discrete MOSFETs and control IC on hybrid substrates and method of operating thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052022A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Laraia J. Marcos Integrated overvoltage and reverse voltage protection circuit

Also Published As

Publication number Publication date
CN111279570B (zh) 2022-11-25
KR20200062288A (ko) 2020-06-03
WO2019086285A1 (de) 2019-05-09
EP3704776B1 (de) 2022-10-12
US11664659B2 (en) 2023-05-30
CN111279570A (zh) 2020-06-12
DE102017219551A1 (de) 2019-05-09
US20200259327A1 (en) 2020-08-13
EP3704776A1 (de) 2020-09-09

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