KR102380459B1 - 수용성 프리플럭스, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법 - Google Patents

수용성 프리플럭스, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 수용성 프리플럭스는 (A)이미다졸계 화합물과, (B)유기산과, (C)착체 피막 형성 조제와, (D)유기 용제와, (E)물을 함유하고, 상기 (D)유기 용제는 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도가 10g/100g 이상이며, 또한 비점이 100℃ 이상 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.

Description

수용성 프리플럭스, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법{WATER-BASED ORGANIC SOLDERABILITY PRESERVATIVE, AND ELECTRONIC BOARD AND SURFACE TREATMENT METHOD USING THE SAME}
2016년 5월 12일에 출원된 일본 특허 출원 2016-096107의 전체 내용이 본원의 참조로 명백히 포함되어 있다.
본 발명은 수용성 프리플럭스, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법에 관한 것이다.
프린트 배선 기판은 솔더 레지스트 피막이 형성된 상태에서 유통하는 경우가 많다. 이러한 경우, 프린트 배선 기판의 대부분은 솔더 레지스트 피막으로 덮여져 있지만, 전자부품을 탑재하기 위해서 전극 단자(랜드)에는 솔더 레지스트 피막이 존재하지 않는다. 그 때문에 프린트 배선 기판을 유통할 때나 보관할 때에, 전극 단자의 표면이 산화되기 쉽다. 그래서, 프린트 배선 기판의 전극 단자에는 전극 단자의 표면의 산화를 방지하기 위해서, 전극 단자의 표면에 금도금 처리가 실시되는 경우가 있다. 그러나, 금도금 처리에는 귀금속을 사용하기 위해서 비용이 높아진다는 문제가 있다. 그래서, 프린트 배선 기판에 있어서는 도금 처리 대신에, 수용성 프리플럭스에 의해 전극 단자의 표면에 보호 피막을 형성하는 방법이 채용되어 있다(예를 들면 문헌 1: 일본 특허공개 평 6-322551호 공보).
문헌 1에 기재와 같은 종래의 수용성 프리플럭스에 있어서는 저온(예를 들면 5℃ 이하)에서 보존했을 경우에는 수용성 프리플럭스 중의 이미다졸계 화합물이 결정화되어 버린다는 문제가 있었다. 그래서, 수용성 프리플럭스에는 저온의 환경하에서도 보관 가능한 것(저온 안정성)이 요구되고 있다.
수용성 프리플럭스 중의 이미다졸계 화합물은 물에 불용 또는 난용이기 때문에, 통상 아세트산 등의 유기산을 이용하여 물에 용해시키고 있다. 그리고, 이미다졸계 화합물의 종류나 유기산의 종류에 대해서 저온 안정성을 포함하는 여러 특성의 검토가 되고 있지만, 충분한 저온 안정성을 갖는 조합은 발견되지 않았다. 또한 수용성 프리플럭스의 저온 안정성을 향상시키는 방법으로서는 이미다졸계 화합물을 용해할 수 있는 알콜류 등의 유기 용제를 사용하는 방법도 있다. 그러나, 알콜류 등의 유기 용제를 이용하여 저온 안정성의 향상을 시도했다해도 전극 단자의 표면에 이미다졸계 화합물의 보호 피막을 형성하기 어려워진다고 하는 문제가 발생한다. 이렇게, 보호 피막의 형성성을 유지하면서, 저온 안정성을 향상시키는 것은 매우 곤란했다.
그래서, 본 발명은 우수한 저온 안정성을 갖는 수용성 프리플럭스, 및, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 다음 지견을 찾아냈다. 즉, 이미다졸계 화합물, 유기산 및 착체 피막 형성 조제를 함유하는 수용성 프리플럭스에 대해서 유기 용제를 첨가했을 경우에는 통상, 저온 안정성의 향상과 함께, 보호 피막의 형성성이 저하된다. 그러나, 특정 조건을 만족시키는 유기 용제를 사용한 경우에는 놀랍게도, 보호 피막의 형성성을 유지하면서, 저온 안정성을 향상시킬 수 있는 것을 찾아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 수용성 프리플럭스는 (A)이미다졸계 화합물과, (B)유기산과, (C)착체 피막 형성 조제와, (D)유기 용제와, (E)물을 함유하고, 상기 (D)유기 용제는 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도가 10g/100g 이상이며, 또한 비점이 100℃ 이상 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 수용성 프리플럭스에 있어서는 상기 (A)이미다졸계 화합물이 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.
(하기 일반식(1) 중, X 및 Y는 각각 동일해도 달라도 좋고, 탄소수 1∼7의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기, 할로겐 원자, 아미노기, 디저급 알킬아미노기, 히드록시기, 저급 알콕시기, 시아노기, 아세틸기, 벤조일기, 카르바모일기, 포르밀기, 카르복실기, 저급 알콕시카르보닐기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 나타내고, n은 0∼4의 정수를 나타내고, m은 0∼10의 정수를 나타내고, p는 0∼4의 정수를 나타낸다.)
Figure 112017044732147-pat00001
본 발명의 수용성 프리플럭스에 있어서는 상기 (D)유기 용제가 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르(메틸프로필렌트리글리콜), 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸트리글리콜), 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸르푸릴알콜, 및, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자기판은 상기 수용성 프리플럭스에 의해 형성된 보호 피막을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 표면 처리 방법은 상기 수용성 프리플럭스를 이용하여 전자기판의 전극 단자 상에 보호 피막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 발명에 의하면 우수한 저온 안정성을 갖는 수용성 프리플럭스, 및, 그것을 사용한 전자기판 및 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 수용성 프리플럭스는 이하에 설명하는 (A)이미다졸계 화합물, (B)유기산, (C)착체 피막 형성 조제, (D)유기 용제, 및 (E)물을 함유하는 것이다.
[(A)성분]
본 발명에 사용하는 (A)이미다졸계 화합물로서는 공지의 이미다졸계 화합물을 사용할 수 있다. 이 (A)성분으로서는 형성되는 보호 피막의 성능의 관점으로부터 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112017044732147-pat00002
상기 일반식(1)에 있어서, X 및 Y는 각각 동일해도 달라도 좋고, 탄소수 1∼7의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기, 할로겐 원자, 아미노기, 디저급 알킬아미노기, 히드록시기, 저급 알콕시기, 시아노기, 아세틸기, 벤조일기, 카르바모일기, 포르밀기, 카르복실기, 저급 알콕시카르보닐기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 나타내고, n은 0∼4의 정수를 나타내고, m은 0∼10의 정수를 나타내고, p는 0∼4의 정수를 나타낸다.
할로겐 원자로서는 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있다. 이들 중에서도, 전극 단자의 땜납 젖음성 향상의 관점으로부터 염소원자, 브롬원자가 바람직하고, 염소원자가 특히 바람직하다.
상기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물로서는 2-(3-클로로)벤질벤즈이미다졸, 2-(3,4-디클로로)벤질벤즈이미다졸, 4-클로로-2-(3-페닐프로필)벤즈이미다졸, 6-클로로-2-{(2-니트로페닐)에틸}벤즈이미다졸, 및 6-카르보에톡시-2-(3-브로모벤질)벤즈이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전극 단자의 표면의 산화 억제의 관점으로부터 2-(3-클로로)벤질벤즈이미다졸, 2-(3,4-디클로로)벤질벤즈이미다졸, 4-클로로-2-(3-페닐프로필)벤즈이미다졸이 보다 바람직하다. 또한 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.
상기 (A)성분의 배합량으로서는 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.01질량% 이상 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 방청막 등의 도막을 형성하기 쉬워진다. 또한 배합량이 상기 상한을 초과하면, 불용해분이 많아지기 쉬워지는 경향이 있어 경제적으로도 바람직하지 못하다.
[(B)성분]
본 발명에 사용하는 (B)유기산으로서는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄 산, 글리콜산, 주석산, 락트산, 클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 브로모아세트산, 및 메톡시아세트산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 포름산, 아세트산이 바람직하다. 또한 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.
상기 (B)성분의 배합량으로서는 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 1질량% 이상 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 1질량% 이상 20질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량% 이상 10질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 배합량이 상기 하한 미만에서는 피막 형성 이미다졸계 화합물을 용해시키기 어려워지는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 보호 피막의 형성성이 저하되기 쉬워지는 경향이 있다.
[(C)성분]
본 발명에 사용하는 (C)착체 피막 형성 조제로서는 포름산 구리, 염화 제1구리, 염화 제2구리, 옥살산 구리, 아세트산 구리, 수산화 구리, 탄산 구리, 인산 구리, 황산 구리, 포름산 망간, 염화 망간, 옥살산 망간, 황산 망간, 아세트산 아연, 아세트산 납, 아세트산 니켈, 아세트산 바륨, 수소화 아연, 염화 제1철, 염화 제2철, 산화 제1철, 산화 제2철, 요오드화 구리, 요오드화 칼륨, 요오드화 아연, 브롬화 제1구리, 브롬화 제2구리, 브롬화 칼륨, 및 브롬화 아연 등의 금속 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 땜납 젖음성 향상이나, 내열성 향상의 관점으로부터 염화 아연, 브롬화 구리, 요오드화 칼륨이 바람직하다. 또한 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.
상기 (C)성분의 배합량으로서는 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.01질량% 이상 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합량이 상기 하한 미만에서는 보호 피막의 형성성을 향상시키는 효과가 부족한 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 보호 피막의 형성성이 과잉으로 되거나, 저온에서의 액안정성이 저하되는 경향이 있다.
[(D)성분]
본 발명에 사용하는 (D)유기 용제는 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도가 10g/100g 이상이며, 또한 비점이 100℃ 이상 300℃ 이하인 것이 필요하다. 이러한 (D)성분을 함유함으로써, 수용성 프리플럭스의 저온 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한 수용성 프리플럭스의 저온 안정성의 관점으로부터 (D)성분의 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도는 15g/100g 이상인 것이 보다 바람직하고, 50g/100g 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 물 100g에 대하여 임의의 양을 혼화할 수 있는 유기 용제의 경우에는 이 유기 용제의 용해도를 임의 혼화라고 표현한다.
또한 수용성 프리플럭스의 저온 안정성의 관점으로부터 (D)성분의 비점은 120℃ 이상 280℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 180℃ 이상 260℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 비점이란 1013hPa에 있어서의 비점을 말한다.
상기 (D)성분으로서는 상기 조건을 만족시키는 것이면, 글리콜에테르계 용제, 글리콜에스테르계 용제 및 알콜계 용제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 저온 안정성의 관점으로부터 글리콜에테르계 용제가 바람직하다.
상기 (D)성분으로서는 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:242℃), 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:271℃), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:121℃), 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:275℃), 테트라히드로푸르푸릴알콜(용해도:임의 혼화, 비점:178℃), 및, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(용해도:18.5g/100g, 비점:146℃) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 저온 안정성 및 보호 피막의 형성성과의 밸런스의 관점으로부터 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르가 바람직하다. 또한 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다. 또, 괄호 내에 기재된 용해도는 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도이다.
상기 (D)성분의 배합량은 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.2질량% 이상 15질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량% 이상 10질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량% 이상 5질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 배합량이 상기 하한 미만에서는 수용성 프리플럭스의 저온 안정성이 불충분하게 되는 경향이 있고, 한편, 상기 상한을 초과하면, 보호 피막의 형성성이 저하되는 경향이 있다.
[(E)성분 및 다른 성분]
본 발명에 사용하는 (E)물은 수용성 프리플럭스에 있어서의 상기 (A)성분, 상기 (B)성분, 상기 (C)성분, 상기 (D)성분, 및 이하 설명하는 다른 성분 이외의 잔부이다.
본 발명의 수용성 프리플럭스에 배합할 수 있는 다른 성분으로서는 상기 (C)성분으로부터 분리하는 금속이온에 대한 염기를 함유하는 완충액이나, 할로겐 화합물 등을 들 수 있다.
상기 완충액 중의 염기로서는 암모니아, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 이소프로필에탄올아민, 수산화 나트륨, 및 수산화 칼륨 등을 들 수 있다.
상기 할로겐 화합물로서는 브롬화 프로피온산 및 요오드프로피온산 등을 들 수 있다. 이들 할로겐 화합물은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.
상기 할로겐 화합물을 사용할 경우, 그 배합량은 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.01질량% 이상 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.
[표면 처리 방법 및 전자기판]
다음에 본 발명의 표면 처리 방법 및 전자기판에 관하여 설명한다.
본 발명의 표면 처리 방법은 수용성 프리플럭스를 이용하여, 전자기판의 전극 단자 상에 보호 피막을 형성하는 공정을 구비하는 방법이다.
전자기판으로서는 프린트 배선 기판 및 반도체용 기판 등을 들 수 있다.
보호 피막의 형성 방법으로서는 예를 들면 처리 대상의 프린트 배선 기판의 전극 단자의 표면을 탈지, 화학 연마(소프트 에칭), 산세, 수세하는 전처리 공정을 실시한 후, 상기 수용성 프리플럭스에 10∼60℃에서 1초간∼100분간(바람직하게는 20∼50℃에서 5초간∼60분간, 보다 바람직하게는 20∼50℃에서 10초간∼10분간) 프린트 배선 기판을 침지하는 방법을 채용할 수 있다. 이렇게 해서 상기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물은 전극 단자의 표면에 부착되지만, 그 부착량은 처리 온도를 높게, 처리 시간을 길게 할수록 많아진다. 이 때에, 초음파를 이용하면 보다 바람직하다. 또, 다른 도포 수단, 예를 들면 분무법, 브러시 도포, 롤러 도포 등으로 보호 피막을 형성해도 좋다.
이상과 같이 해서 본 발명의 전자기판을 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 전자기판은 상기 수용성 프리플럭스에 의해 형성된 보호 피막을 구비하는 것이다.
실시예
다음에, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다. 또, 실시예 및 비교예에서 사용한 재료를 이하에 나타낸다.
((A)성분)
이미다졸계 화합물:4-클로로-2-(3-페닐프로필)벤즈이미다졸
((B)성분)
유기산 A:아세트산
유기산 B:주석산
((C)성분)
착체 피막 형성 조제 A:염화 아연
착체 피막 형성 조제 B:브롬화 구리
착체 피막 형성 조제 C:요오드화 칼륨
((D)성분)
유기 용제 A:트리프로필렌글리콜모노메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:242℃)
유기 용제 B:트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:271℃)
유기 용제 C:프로필렌글리콜모노메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:121℃)
유기 용제 D:테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(용해도:임의 혼화, 비점:275℃)
유기 용제 E:테트라히드로푸르푸릴알콜(용해도:임의 혼화, 비점:178℃)
유기 용제 F:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(용해도:18.5g/100g, 비점:146℃)
((E)성분)
물:순수
(다른 성분)
유기 용제 G:페닐글리콜(용해도:2.7g/100g, 비점:245℃)
유기 용제 H:부틸프로필렌트리글리콜(용해도:0.4g/100g, 비점:274℃)
유기 용제 I:디에틸렌글리콜디부틸에테르(용해도:0.3g/100g, 비점:256℃)
유기 용제 J:에틸알콜(용해도:임의 혼화, 비점:78℃)
유기 용제 K:이소프로필알콜(용해도:임의 혼화, 비점:82℃)
[실시예 1]
물 96질량%에 대해서 이미다졸계 화합물 1질량%, 유기산 A 2질량%, 착체 피막 형성 조제 A 0.5질량% 및 유기 용제 A를 용해시켜서 수용성 프리플럭스를 얻었다. 또한 얻어진 수용성 프리플럭스는 완충액으로서 25질량% 암모니아수로 pH 조정하고, 피막을 형성가능한 수용성 프리플럭스 처리액으로 했다.
[실시예 2∼15]
표 1에 나타내는 조성에 따라 각 재료를 배합한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 수용성 프리플럭스 및 처리액을 얻었다.
[비교예 1∼7]
표 2에 나타내는 조성에 따라 각 재료를 배합한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 수용성 프리플럭스 및 처리액을 얻었다.
<수용성 프리플럭스의 평가>
수용성 프리플럭스의 성능(피막 두께, 저온 보관 안정성, 재용해성)을 이하와 같은 방법으로 평가 또는 측정했다. 얻어진 결과를 표 1∼표 3에 나타낸다.
(1)피막 두께
양면 동장 적층판(크기:25mm×50mm, 두께:1.6mm, 기재의 종류:FR-4)을 탈지, 소프트 에칭 및 수세하여 표면을 청정하게 한 후, 수용성 프리플럭스 처리액에 40℃에서 2분간 침지해서 피막 형성하고, 수세, 온풍 건조하고, 시험 기판을 얻었다. 이 시험 기판에 대해서 표면적 25㎠의 시험 기판 상의 피막을 0.5% 염산 50mL로 추출한 후, 추출액 중의 피막 유효 성분에 기인하는 극대 흡광도를 측정하고, 환산식으로부터 피막 두께(단위:㎛)를 산출했다.
(2)저온 보관 안정성
밀폐 가능한 유리병(용적:120mL∼150mL)에 수용성 프리플럭스 100mL를 채취하고, 밀전해서 시료를 얻었다. 이 시료를 온도 5℃(오차 2℃ 이내)로 설정된 냉장 보관고에 정치했다. 그 후에 24시간마다 시료를 꺼내어 결정의 유무를 육안으로 확인했다. 그리고, 하기의 기준에 따라 저온 보관 안정성을 평가했다.
A:240시간 경과해도 결정이 발생하지 않는다.
B:168시간 경과해도 결정이 발생하지 않지만, 240시간 이내에 결정이 발생한다.
C:48시간 경과해도 결정이 발생하지 않지만, 168시간 이내에 결정이 발생한다.
D:48시간 이내에 결정이 발생한다.
(3)재용해성
밀폐가능한 유리병(용적:120mL∼150mL)에 수용성 프리플럭스 100mL를 채취하고, 밀전해서 시료를 얻었다. 이 시료를 온도 -15℃(오차 2℃ 이내)로 설정된 냉동 보관고에 정치했다. 그 후에 수용성 프리플럭스가 완전하게 응고한 후에 꺼냈다(시간의 목표는 24시간 이상 48시간 이하). 이어서, 이 시료를 온도 40℃의 항온수조에서 1시간 정치 가온한 후, 마그네틱 스터러로 실온에서 1시간 교반하고, 시료의 온도가 실온으로 되돌아온 후의 결정의 유무를 육안으로 확인했다. 그리고, 하기의 기준에 따라 재용해성을 평가했다.
A:석출물이 완전하게 용해된다.
B:석출물이 잔류하고, 완전히 용해되지 않는다.
Figure 112017044732147-pat00003
Figure 112017044732147-pat00004
표 1 및 표 2에 나타내는 결과로부터 명백하듯이, 본 발명의 수용성 프리플럭스(실시예 1∼15)에 대해서는 피막 두께, 저온보관 안정성 및 재용해성 모두가 양호한 것이 확인되었다. 그 때문에 본 발명에 의하면, 우수한 저온 안정성을 갖는 수용성 프리플럭스가 얻어지는 것이 확인되었다.
한편, (D)성분을 함유하지 않는 수용성 프리플럭스(비교예 1∼7)에 대해서는 재용해성이 양호한 것은 아니고, 또한 피막 두께 및 저온보관 안정성 둘다가 양호하게 되는 것은 아닌 것을 알 수 있었다.

Claims (14)

  1. (A)이미다졸계 화합물과, (B)유기산과, (C)착체 피막 형성 조제와, (D)유기 용제와, (E)물을 함유하고,
    상기 (D)유기 용제는 온도 20℃에 있어서의 물에의 용해도가 10g/100g 이상이며, 또한 비점이 100℃ 이상 300℃ 이하이고,
    상기 (D)유기 용제가 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸르푸릴알콜, 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (A)이미다졸계 화합물이 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
    Figure 112022012539121-pat00005

    (일반식(1) 중, X 및 Y는 각각 동일해도 달라도 좋고, 탄소수 1∼7의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기, 할로겐 원자, 아미노기, 디알킬아미노기, 히드록시기, 알콕시기, 시아노기, 아세틸기, 벤조일기, 카르바모일기, 포르밀기, 카르복실기, 알콕시카르보닐기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 나타내고, n은 0∼4의 정수를 나타내고, m은 0∼10의 정수를 나타내고, p는 0∼4의 정수를 나타낸다.)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A)이미다졸계 화합물이 2-(3-클로로)벤질벤즈이미다졸, 2-(3,4-디클로로)벤질벤즈이미다졸, 4-클로로-2-(3-페닐프로필)벤즈이미다졸, 6-클로로-2-{(2-니트로페닐)에틸}벤즈이미다졸, 및 6-카르보에톡시-2-(3-브로모벤질)벤즈이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B)유기산이 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 글리콜산, 주석산, 락트산, 클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 브로모아세트산, 및 메톡시아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B)유기산이 포름산 및 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (C)착체 피막 형성 조제가 염화 아연, 포름산 구리, 염화 제1구리, 염화 제2구리, 옥살산 구리, 아세트산 구리, 수산화 구리, 탄산 구리, 인산 구리, 황산 구리, 포름산 망간, 염화 망간, 옥살산 망간, 황산 망간, 아세트산 아연, 아세트산 납, 아세트산 니켈, 아세트산 바륨, 수소화 아연, 염화 제1철, 염화 제2철, 산화 제1철, 산화 제2철, 요오드화 구리, 요오드화 칼륨, 요오드화 아연, 브롬화 제1구리, 브롬화 제2구리, 브롬화 칼륨, 및 브롬화 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (C)착체 피막 형성 조제가 염화 아연, 브롬화 구리, 요오드화 칼륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  8. 삭제
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (D)유기 용제가 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 및, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (D)유기 용제가 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A)이미다졸계 화합물의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.01질량% 이상 10질량% 이하이며,
    상기 (B)유기산의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 1질량% 이상 40질량% 이하이며,
    상기 (C)착체 피막 형성 조제의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.01질량% 이상 10질량% 이하이며,
    상기 (D)유기 용제의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.2질량% 이상 15질량% 이하인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A)이미다졸계 화합물의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.05질량% 이상 5질량% 이하이며,
    상기 (B)유기산의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 1질량% 이상 10질량% 이하이며,
    상기 (C)착체 피막 형성 조제의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 0.05질량% 이상 5질량% 이하이며,
    상기 (D)유기 용제의 배합량이 상기 수용성 프리플럭스 100질량%에 대해서 1질량% 이상 5질량% 이하인 것을 특징으로 하는 수용성 프리플럭스.
  13. 삭제
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 수용성 프리플럭스를 이용하여 전자기판의 전극 단자 상에 보호 피막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
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