KR102370159B1 - 노광 장비 및 노광 방법. - Google Patents
노광 장비 및 노광 방법. Download PDFInfo
- Publication number
- KR102370159B1 KR102370159B1 KR1020207004727A KR20207004727A KR102370159B1 KR 102370159 B1 KR102370159 B1 KR 102370159B1 KR 1020207004727 A KR1020207004727 A KR 1020207004727A KR 20207004727 A KR20207004727 A KR 20207004727A KR 102370159 B1 KR102370159 B1 KR 102370159B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure
- illumination
- light source
- light
- illuminance level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 141
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000011217 control strategy Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 노광 장치에서 가변 감쇠기의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 노광 장치에서 광 균질화 유닛의 구조적 개략도이다.
Claims (13)
- 노광 장치에 있어서,
제어 시스템, 광원 시스템, 복수의 조명 시스템 및 복수의 투영 대물 렌즈를 포함하고,
상기 광원 시스템은 상기 복수의 조명 시스템에 입사하는 복수의 제1 조명 빔을 방출하도록 구성되고,
각각의 조명 시스템은 가변 감쇠기 및 분기 에너지 검출기를 포함하고,
상기 분기 에너지 검출기는 조명 시스템 중 대응하는 조명 시스템에서 생성된 제2 조명 빔의 조도 레벨을 검출하고 검출된 조도 레벨을 제어 시스템으로 피드백하도록 구성되고,
상기 제어 시스템은 그 안에 가변 감쇠기를 제어함으로써 대응하는 조명 시스템에서 제 2 조명 빔의 조도 레벨을 조정하도록 구성되고,
복수의 투영 대물 렌즈 각각은 복수의 투영 대물 렌즈 각각의 이미지 평면에서 이미지를 각각 형성하기 위해 조명 시스템 중 각각의 하나에 대응하고,
상기 노광 장치는, 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하도록 구성된 교정 에너지 검출기를 더 포함하고, 상기 제어 시스템은 노광 광 빔의 검출된 조도 레벨에 기초하여 제 2 조명 빔의 조도 레벨들을 서로 일치시키도록 구성되고,
상기 제 2 조명 빔의 조도 레벨들을 서로 일치시키기 위한 단계는,
단계 1, 조명 시스템에서 가변 감쇠기를 제로화하여 제로 감쇠를 갖는 단계;
단계 2, 교정 에너지 검출기가 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하고 조명 시스템에서 분기 에너지 검출기를 교정하는 시험 노광을 수행하는 단계;
단계 3, 교정 에너지 검출기가 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하는 추가 시험 노광을 수행하는 단계, 검출된 조도 레벨의 최소값에 대응하는 가변 감쇠기들 중 하나를 기준으로 하는 단계, 상기 가변 감쇠기들 중 나머지 것들에 대한 감쇠 레벨을 계산하고 상기 감쇠 레벨에 기초하여 상기 가변 감쇠기를 구성하는 단계; 및
단계 4, 추가 시험 노광을 수행하는 단계, 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨이 조도 정합 요건을 충족시키는 지의 여부를 결정하는 단계; 그 다음에, 분기 에너지 검출기를 교정하기 위한 양을 저장하고, 결정이 긍정적인 경우 조도 매칭을 완료하거나 결정이 부정적인 경우 단계 2로 되돌아 가도록 조도 매칭을 완료하기 위해 가변 감쇠기의 감쇠 레벨을 기계적 상수로 취하는 단계;
를 포함하는 노광 장치.
- 제1항에 있어서,
광원 시스템은 광원 발생기 및 광 빔 유닛을 포함하고, 상기 광 빔 유닛은 광원 발생기로부터 방출된 광 빔을 각각의 조명 시스템에 각각 입사하는 복수의 제1 조명 빔으로 분할하도록 구성되는,
노광 장치.
- 제1항에 있어서,
광원 시스템은 조명 시스템들 각각에 입사하는 제 1 조명 빔들 중 하나를 방출하도록 각각 구성된 복수의 광원 발생기를 포함하는,
노광 장치.
- 제1항에 있어서,
가변 감쇠기는 각각 복수의 관통 구멍을 갖는 2 개의 위치 조정 가능한 차광판을 포함하고, 제 1 조명 빔 중 대응하는 하나의 투과율은 2 개의 차광판 사이의 상대 위치를 조정함으로써 제어되는,
노광 장치.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,
광원 발생기(들) 각각은 수은 램프를 포함하는,
노광 장치.
- 제3항에 있어서,
광원 시스템은 복수의 일정한 광 강도 검출기를 더 포함하고, 각각은 광원 발생기들 각각에 의해 생성된 제 1 조명 빔의 광 강도를 검출하도록 구성되는,
노광 장치.
- 제1항에 있어서,
각각의 조명 시스템은 광 균질화 유닛을 더 포함하고, 분기 에너지 검출기는 광 균질화 유닛에서 생성된 제 2 조명 빔의 조도 레벨을 검출하도록 구성되는,
노광 장치.
- 제7항에 있어서,
각각의 광 균질화 유닛은 제 1 균질화 로드 및 제 1 균질화 로드에 연결된 제 2 균질화 로드를 포함하고, 분기 에너지 검출기는 제 1 균질화 로드와 제 2 균질화 로드 사이의 조인트로부터 나오는 제 2 조명 빔의 조도 레벨을 검출하도록 구성되는,
노광 장치.
- 제8항에 있어서,
각각의 광 균질화 유닛은 분기 반사 거울 및 다이어프램을 더 포함하고, 제 1 균질화 로드와 제 2 균질화 로드 사이의 조인트로부터 나오는 제 2 조명 빔은 분기 반사 거울에 의해 반사되고 분기 에너지 검출기에 의해 검출되기 전에 다이어프램을 통과하는,
노광 장치.
- 삭제
- 노광 장치의 투영 대물 렌즈의 상면에 배치된 공작물에 노광 공정을 수행하기 위해 제 1 항의 노광 장치를 사용하는 노광 방법에 있어서,
공작물에 대한 노광 공정을 수행하기 전에, 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하고 서로 일치하도록 제 2 조도의 조도 레벨을 만드는 단계; 및
노광 공정을 수행하기 위해 공작물을 로딩하고, 각각의 조명 시스템에서 제 2 조명 빔의 조도 레벨을 실시간으로 분기 에너지 검출기에 의해 검출 및 피드백하고, 제 2 조명 빔의 실시간 에너지 변화를 결정하는 단계; 에너지 변동이 에너지 변동 임계값에 의해 정의된 범위 내에 있는 경우, 조정에 필요한 에너지의 실시간 양을 계산하고 조정을 위해 각각의 가변 감쇠기를 제어하는 단계; 에너지 변동이 에너지 변동 임계 값에 의해 정의된 범위를 초과하면 노광 프로세스를 중단하고 경보를 발생시키는 단계;
를 포함하고,
에너지 변동이 에너지 변동 임계 값에 의해 정의된 범위를 초과하는 경우:
단계 1, 조명 시스템에서 가변 감쇠기를 제로화하여 제로 감쇠를 갖는 단계;
단계 2, 교정 에너지 검출기가 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하고 조명 시스템에서 분기 에너지 검출기를 교정하는 시험 노광을 수행하는 단계;
단계 3, 교정 에너지 검출기가 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하는 추가 시험 노광을 수행하는 단계, 검출된 조도 레벨의 최소값에 대응하는 가변 감쇠기들 중 하나를 기준으로 하는 단계, 상기 가변 감쇠기들 중 나머지 것들에 대한 감쇠 레벨을 계산하고 상기 감쇠 레벨에 기초하여 상기 가변 감쇠기를 구성하는 단계; 및
단계 4, 추가 시험 노광을 수행하는 단계, 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨이 조도 정합 요건을 충족시키는 지의 여부를 결정하는 단계; 그 다음에, 분기 에너지 검출기를 교정하기 위한 양을 저장하고, 결정이 긍정적인 경우 조도 매칭을 완료하거나 결정이 부정적인 경우 단계 2로 되돌아 가도록 조도 매칭을 완료하기 위해 가변 감쇠기의 감쇠 레벨을 기계적 상수로 취하는 단계;
를 수행하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
- 삭제
- 제11항에 있어서,
광원 시스템은 각각의 조명 시스템에 입사하는 제 1 조명 빔 중 하나를 생성하도록 구성된 복수의 광원 발생기를 포함하고, 광원 시스템은 광원 발생기들 각각에 의해 제공된 제 1 조명 빔의 광 강도를 각각 검출하도록 구성된 일정한 광 강도 검출기들을 더 포함하고, 노광 방법은 단계 1과 2 사이에:
교정 에너지 검출기가 각각의 투영 대물 렌즈의 이미지 평면에서 노광 광 빔의 조도 레벨을 검출하는 시험 노광을 수행하는 단계 및 검출된 조도 레벨의 최소값에 대응하는 일정한 광 강도 검출기 중 하나를 기준으로 하는 단계, 일정한 광 강도 검출기 중 나머지를 교정하는 단계; 및
각각의 교정된 일정한 광 강도 검출기를 사용하여 광원 발생기에 의해 생성된 제 1 조명 빔의 광 강도를 측정하는 단계, 검출된 광 강도의 최소값에 대응하는 광원 발생기 중 하나를 기준으로 하는 단계, 나머지 광원 발생기들에 대한 전력 레벨을 계산하고 계산된 전력 레벨에 기초하여 광원 발생기를 구성하는 단계;
를 더 포함하는, 노광 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710682101.5 | 2017-08-10 | ||
CN201710682101.5A CN107966882B (zh) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 曝光设备和曝光方法 |
PCT/CN2018/099543 WO2019029601A1 (zh) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | 曝光设备和曝光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200026303A KR20200026303A (ko) | 2020-03-10 |
KR102370159B1 true KR102370159B1 (ko) | 2022-03-04 |
Family
ID=61997510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207004727A Active KR102370159B1 (ko) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | 노광 장비 및 노광 방법. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11119412B2 (ko) |
JP (1) | JP7221934B2 (ko) |
KR (1) | KR102370159B1 (ko) |
CN (1) | CN107966882B (ko) |
SG (1) | SG11202001116UA (ko) |
TW (1) | TWI672566B (ko) |
WO (1) | WO2019029601A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107966882B (zh) | 2017-08-10 | 2020-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光设备和曝光方法 |
JP7198659B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-01-04 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
CN111443575B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-05-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种曝光系统及光刻机 |
CN113050378B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-06-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 能量调节装置、能量调节方法、照明系统以及光刻机 |
CN115236940A (zh) * | 2021-04-22 | 2022-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光系统以及光刻设备 |
KR102666441B1 (ko) * | 2021-05-27 | 2024-05-20 | 세메스 주식회사 | 에지 노광 장치 및 광원 출력 제어 방법 |
CN116610007B (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-27 | 上海图双精密装备有限公司 | 掩模对准光刻设备及其照明系统和照明方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005026511A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
KR100499864B1 (ko) * | 1997-06-12 | 2005-09-30 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 광도 측정 장치 |
JP2009058924A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Attomakkusu:Kk | 照明装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS644089Y2 (ko) * | 1984-12-29 | 1989-02-02 | ||
US4947030A (en) * | 1985-05-22 | 1990-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating optical device |
JPH08139009A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
US5581075A (en) * | 1993-10-06 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area |
JP3376690B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 露光装置、及び該装置を用いた露光方法 |
JP3957320B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2007-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー. ブイ. | 光学装置用の照明ユニット |
JPH09320932A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 露光量制御方法及び装置 |
DE19724903A1 (de) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Zeiss Carl Fa | Lichtintensitätsmeßanordnung |
JP4289755B2 (ja) | 2000-02-24 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置 |
TW200301848A (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method |
JP2003203853A (ja) | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 露光装置及び方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003295459A (ja) | 2002-04-02 | 2003-10-15 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2004063988A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4174307B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2008-10-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2004327660A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4775842B2 (ja) | 2005-06-10 | 2011-09-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン描画装置 |
CN101510054B (zh) * | 2009-03-06 | 2011-05-11 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的曝光控制系统及控制方法 |
CN102253602A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻系统中实时控制照明剂量的装置 |
CN202472238U (zh) | 2012-01-12 | 2012-10-03 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 用于光刻系统的光能量监测系统 |
CN103293864B (zh) * | 2012-02-27 | 2015-05-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻曝光剂量的控制装置及控制方法 |
CN106933040B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻机拼接照明系统及其调整方法 |
CN108121163B (zh) | 2016-11-29 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光源曝光剂量控制系统及控制方法 |
CN107966882B (zh) | 2017-08-10 | 2020-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光设备和曝光方法 |
-
2017
- 2017-08-10 CN CN201710682101.5A patent/CN107966882B/zh active Active
-
2018
- 2018-08-09 KR KR1020207004727A patent/KR102370159B1/ko active Active
- 2018-08-09 US US16/637,658 patent/US11119412B2/en active Active
- 2018-08-09 JP JP2020507095A patent/JP7221934B2/ja active Active
- 2018-08-09 SG SG11202001116UA patent/SG11202001116UA/en unknown
- 2018-08-09 WO PCT/CN2018/099543 patent/WO2019029601A1/zh active IP Right Grant
- 2018-08-10 TW TW107127897A patent/TWI672566B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499864B1 (ko) * | 1997-06-12 | 2005-09-30 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 광도 측정 장치 |
JP2005026511A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2009058924A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Attomakkusu:Kk | 照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020530138A (ja) | 2020-10-15 |
KR20200026303A (ko) | 2020-03-10 |
CN107966882A (zh) | 2018-04-27 |
SG11202001116UA (en) | 2020-03-30 |
JP7221934B2 (ja) | 2023-02-14 |
CN107966882B (zh) | 2020-10-16 |
TW201910935A (zh) | 2019-03-16 |
WO2019029601A1 (zh) | 2019-02-14 |
US11119412B2 (en) | 2021-09-14 |
US20210011388A1 (en) | 2021-01-14 |
TWI672566B (zh) | 2019-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102370159B1 (ko) | 노광 장비 및 노광 방법. | |
KR101624758B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기 | |
KR101698235B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI564677B (zh) | 微影方法及裝置 | |
KR102440845B1 (ko) | 노광 장치, 노광 장치의 조정 방법 및 기억 매체 | |
US20130137050A1 (en) | Method of calculating amount of fluctuation of imaging characteristic of projection optical system, exposure apparatus, and method of fabricating device | |
US20110123934A1 (en) | Scanning exposure apparatus | |
WO2017092719A2 (zh) | 自由光瞳照明方法及照明系统 | |
TWI417677B (zh) | 曝光方法、曝光設備及裝置製造方法 | |
JP2017161603A (ja) | 光源装置及びこれを備えた露光装置 | |
CN105137724A (zh) | 具有瞳面质量监测和校准功能的光刻机照明系统和方法 | |
JP3316850B2 (ja) | エネルギー量制御装置 | |
CN105242495B (zh) | 光刻曝光装置 | |
KR20150120180A (ko) | 광 출력제어 기능을 구비한 led 노광 장치 및 그 제어 방법 | |
US9575413B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP7457678B2 (ja) | 露光装置、露光方法および物品製造方法 | |
TW202009081A (zh) | 鐳射加工裝置 | |
KR100550521B1 (ko) | 노광기 및 그 글래스 정렬방법 | |
KR101374787B1 (ko) | 레이저 빔 형상 검사장치 | |
US20050218345A1 (en) | Ion implantation apparatus and method | |
KR100865554B1 (ko) | 노광 장치 | |
CN119668045A (zh) | 一种照明系统及光刻机 | |
KR20200056972A (ko) | 레이저 가공 장치 | |
KR20130081483A (ko) | 레이저 리프트 오프 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0105 | International application |
Patent event date: 20200218 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210705 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220113 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220228 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220302 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |