KR102366046B1 - 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102366046B1
KR102366046B1 KR1020200040063A KR20200040063A KR102366046B1 KR 102366046 B1 KR102366046 B1 KR 102366046B1 KR 1020200040063 A KR1020200040063 A KR 1020200040063A KR 20200040063 A KR20200040063 A KR 20200040063A KR 102366046 B1 KR102366046 B1 KR 102366046B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mesh
data
charged particle
particle beam
mesh data
Prior art date
Application number
KR1020200040063A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200130102A (ko
Inventor
켄이치 야스이
야스오 카토
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20200130102A publication Critical patent/KR20200130102A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102366046B1 publication Critical patent/KR102366046B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam

Abstract

실시 형태는, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치에 관한 것이다.
실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 방법에서는, 기판의 묘화 영역을 제1 메쉬 사이즈로 가상 분할한 제1 메쉬 영역마다의 패턴의 면적 밀도를 산출하여 제1 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제1 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 제1 메쉬 사이즈보다 큰 제2 메쉬 사이즈로 변환하여 제2 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제2 메쉬 데이터와 근접 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제3 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제3 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈로 변환하여 제4 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제1 메쉬 데이터와 중거리 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제5 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제4 메쉬 데이터와 상기 제5 메쉬 데이터를 가산하여 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 산출한다.

Description

하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 {CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS}
본 발명은, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여, 포토마스크의 패턴을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 수법이 채용되어져 있다. 고정밀도의 원화 패턴은, 전자 빔 묘화 장치에 의해 묘화되며, 소위, 전자 빔 리소그래피 기술이 이용되고 있다.
전자 빔 묘화에서는, 후방 산란 전자에 의해 패턴의 치수 변동이 생기는, 이른바 근접 효과의 영향이 문제가 된다. 근접 효과를 보정하는 방법의 하나로서, 조사량 보정법이 알려져 있다. 이는, 빔 조사 위치의 주변 패턴의 사이즈나 조밀(粗密)에 기초하여 위치마다 조사량을 결정하는 보정 방법이다.
조사량 보정에서는, 포토마스크에 조사한 전자 빔이 마스크에서 반사하고, 레지스트를 재노광하여 생기는, 후방 산란 조사량의 계산이 행해진다. 이 계산은, 레이아웃 내의 패턴 정보를, 예를 들면 수 μm 각의 메쉬로 표현한 패턴 밀도 맵과, 후방 산란 분포 함수로서의 가우스 커넬과의 곱합(합성곱)를 이용하여 고속화되어 있다.
근접 효과의 영향 범위는 10μm 정도이며, 조사량 보정에 있어서의 계산 메쉬 사이즈는 수 μm 정도이다. 이에 더하여 최근, 영향 범위가 수백 nm 내지 수 μm 정도의 EUV 기판 고유의 후방 산란이나, 프로세스에 기인하는 선폭 에러를 보정하는 중거리 효과 보정의 필요성이 높아지고 있다. 중거리 효과 보정은, 도 9에 도시한 바와 같이, 종래의 근접 효과 보정 방법에 대하여, 중거리 효과의 커넬을 추가함으로써 행할 수 있다.
근접 효과와 중거리 효과는, 영향 범위의 크기가 가깝고, 이들을 분리하여 별도로 계산하면 보정 정밀도의 열화를 초래하므로, 서로를 고려하여 계산할 필요가 있다. 중거리 효과 보정에 있어서의 계산 메쉬 사이즈는 수백 nm 정도이지만, 10μm 정도의 커넬을 수백 nm 정도의 메쉬 사이즈를 사용하여 합성곱하면 계산량이 방대해져, 실용적 시간 내에 계산 처리를 행하는 것이 곤란했다.
실시 형태는, 근접 효과 보정 및 중거리 효과 보정의 계산 처리를 효율적으로 행할 수 있는 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치를 제공한다.
본 발명의 일 태양에 의한 하전 입자 빔 묘화 방법은, 근접 효과 및 근접 효과보다 영향 반경이 작은 중거리 효과를 보정하는 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며, 상기 기판의 묘화 영역을 제1 메쉬 사이즈로 복수의 제1 메쉬 영역으로 가상 분할하는 공정과, 상기 제1 메쉬 영역마다의 패턴의 면적 밀도를 산출하여 제1 메쉬 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제1 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈보다 큰 제2 메쉬 사이즈로 변환하여 제2 메쉬 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제2 메쉬 데이터와 근접 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제3 메쉬 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제3 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈로 변환하여 제4 메쉬 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제1 메쉬 데이터와 중거리 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제5 메쉬 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제4 메쉬 데이터와 상기 제5 메쉬 데이터를 가산하여 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 산출하는 공정과, 이 산출된 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 상기 기판에 패턴을 묘화하는 공정을 구비하는 것이다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는, 제1 성형 애퍼처 플레이트 및 제2 성형 애퍼처 플레이트의 사시도이다.
도 3은, 동 실시 형태에 의한 묘화 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 4(a) 및 도 4(b)는 메쉬 변환의 예를 나타내는 도면이다.
도 5는, 메쉬 사이즈와 처리 시간과의 관계의 예를 나타내는 그래프이다.
도 6은, 중거리 효과 보정을 행한 경우와 행하지 않은 경우의 패턴 치수의 이탈량의 예를 나타내는 그래프이다.
도 7은, 메쉬값이 0인 영역의 예를 나타내는 도면이다.
도 8은, 묘화 속도와 조사량 보정 계산의 계산 속도와의 관계의 예를 나타내는 그래프이다.
도 9는, 근접 효과 보정 및 중거리 효과 보정의 계산식의 예를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일예로서, 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정되는 것이 아니며, 이온 빔 등이어도 된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 빔 묘화 장치의 개략도이다. 도 1에 도시한 전자 빔 묘화 장치는, 제어부(C)와, 묘화부(W)를 구비한 가변 성형 빔형의 묘화 장치이다.
묘화부(W)는, 경통(30)과 묘화실(60)을 구비하고 있다. 경통(30) 내에는, 전자 총(32), 조명 렌즈(34), 블랭커(36), 블랭킹 애퍼처 플레이트(37), 제1 성형 애퍼처 플레이트(38), 투영 렌즈(40), 성형 편향기(42), 제2 성형 애퍼처 플레이트(44), 대물 렌즈(46), 주편향기(48) 및 부편향기(50)가 배치되어 있다.
묘화실(60) 내에는, XY 스테이지(62)가 배치되어 있다. XY 스테이지(62) 상에는, 묘화 대상의 기판(70)이 재치되어 있다. 기판(70)은, 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크, 혹은, 반도체 회로가 묘화되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이다. 또한, 기판(70)은, 레지스트가 도포된, 아직 아무것도 묘화되어 있지 않은 마스크 블랭크스여도 된다.
경통(30) 내에 설치된 전자 총(32)(방출부)으로부터 방출된 전자 빔(B)은, 조명 렌즈(34)에 의하여, 직사각형의 개구(39)(도 2 참조)를 가지는 제1 성형 애퍼처 플레이트(38)에 조사된다. 제1 성형 애퍼처 플레이트(38)의 개구(39)를 통과함으로써, 전자 빔(B)은 직사각형으로 성형된다.
제1 성형 애퍼처 플레이트(38)를 통과한 제1 애퍼처상(직사각형)의 전자 빔(B)은, 블랭커(36)(블랭킹 편향기) 내를 통과할 때에 블랭커(36)에 의하여, 전자 빔을 기판(70)에 조사할지 안할지 전환된다. 블랭커(36)에 의해 빔 오프가 된 경우, 전자 빔(B)은 블랭킹 애퍼처 플레이트(37)로 차폐되도록 편향된다. 빔 온인 경우에는, 전자 빔(B)이 블랭킹 애퍼처 플레이트(37)를 통과하도록 제어된다.
블랭킹 애퍼처 플레이트(37)를 통과한 제1 애퍼처상(직사각형)의 전자 빔(B)은, 투영 렌즈(40)에 의하여, 개구(45)(도 2 참조)를 가진 제2 성형 애퍼처 플레이트(44) 상에 투영된다. 이 때, 편향기(42)에 의하여, 제2 성형 애퍼처 플레이트(44) 상에 투영되는 제1 애퍼처상(직사각형)은 편향 제어되고, 개구(45)를 통과하는 전자 빔의 형상과 치수를 변화시키는(가변 성형을 행하는) 것이 가능하다. 또한, 편향기(42)에 의하여, 제1 애퍼처상(직사각형)의 전자 빔(B)이 모두 제2 성형 애퍼처 플레이트(44)의 개구(45)를 통과하도록 제어하면, 제1 애퍼처상(직사각형)의 전자 빔의 형상과 치수를 변화시키지 않게 할 수도 있다.
제2 성형 애퍼처 플레이트(44)의 개구(45)를 통과한 제2 애퍼처상의 전자 빔(B)은, 대물 렌즈(46)에 의해 초점을 맞추고, 주편향기(48) 및 부편향기(50)에 의해 편향되어, 연속적으로 이동하는 XY 스테이지(62) 상에 재치된 기판(70)의 목표 위치에 조사된다.
제어부(C)는, 제어 계산기(10), 기억 장치(20, 22) 및 편향 제어 회로(24)를 가진다. 기억 장치(20)에는, 복수의 도형 패턴으로 구성되는 묘화 데이터(레이아웃 데이터)가 외부로부터 입력되어 저장되어 있다.
제어 계산기(10)는, 메쉬 분할부(11), 면적 밀도 산출부(12), 제1 메쉬 변환부(13), 제1 합성곱 연산부(14), 제2 메쉬 변환부(15), 제2 합성곱 연산부(16), 가산부(17) 및 묘화 제어부(18)를 가진다.
제어 계산기(10)의 각 부는, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성해도 되고, 소프트웨어로 구성해도 된다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는, 제어 계산기(10)의 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을 기록 매체에 수납하고, 이 프로그램을, 전기 회로를 포함한 컴퓨터에 읽어들이게 하여 실행시켜도 된다. 기록 매체는, 자기 디스크 또는 광 디스크 등의 착탈 가능한 것에 한정되지 않고, 하드 디스크 장치 또는 메모리 등의 고정형의 기록 매체여도 된다.
전자 빔 묘화 장치는, 예를 들면, 포토마스크의 패턴 묘화에 이용된다. 포토마스크의 제작에서는, 우선, 크롬막 등의 차광막 및 레지스트가 설치된 석영 기판을 준비하고, 전자 빔 묘화 장치로 레지스트에 원하는 패턴을 묘화한다. 묘화 후, 현상 처리에 의하여, 레지스트의 노광부(또는 비노광부)를 용해 제거하여 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 드라이 에칭 장치로 에칭 처리를 행하고, 차광막을 가공한다. 그 후, 레지스트를 박리함으로써, 포토마스크가 제작된다.
전자 빔 묘화에서는, 후방 산란 전자에 의한 근접 효과의 영향으로 패턴의 치수 변동이 생기므로, 조사량을 보정하여 치수 변동을 억제할 필요가 있다. 또한, 근접 효과보다 영향 범위가 약간 작고, 치수 변동의 요인이 되는 중거리 효과에 대해서도 보정할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 근접 효과 보정과 중거리 효과 보정을 효율적으로 행한다.
근접 효과 보정 및 중거리 효과 보정을 포함한 묘화 방법을, 도 3에 도시한 플로우차트에 따라 설명한다.
우선, 메쉬 분할부(11)는, 기판(70)의 묘화 영역을 격자 형상의 복수의 메쉬 영역으로 가상 분할한다(스텝 1). 메쉬 분할부(11)는, 중거리 효과 보정에 필요한 작은 메쉬 사이즈(제1 메쉬 사이즈, 소메쉬 사이즈), 예를 들면 100nm 정도가 되도록 분할한다. 이하, 이 소메쉬 사이즈의 메쉬 영역을 소메쉬 영역이라고도 칭한다.
이어서, 면적 밀도 산출부(12)는, 기억 장치(20)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 소메쉬 영역에 도형 패턴을 할당하여, 각 소메쉬 영역의 패턴 면적 밀도를 산출한다. 이에 의하여, 소메쉬 영역마다의 패턴 면적 밀도(메쉬값)가 정의된 제1 메쉬 데이터가 얻어진다. 제1 메쉬 데이터는 기억 장치(22)에 저장된다.
제1 메쉬 변환부(13)는, 제1 메쉬 데이터를, 근접 효과 보정에 적합한 큰 메쉬 사이즈(제2 메쉬 사이즈, 대메쉬 사이즈)의 제2 메쉬 데이터로 변환한다(스텝 2). 예를 들면, 대메쉬 사이즈(제2 메쉬 사이즈)는, 소메쉬 사이즈(제1 메쉬 사이즈)의 n(n는 2 이상의 정수) 배이다. 예를 들면, 소메쉬 사이즈를 100nm로 한 경우, 대메쉬 사이즈를 1.6μm로 한다.
예를 들면, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 복수의 소메쉬 영역(m1 내지 m9)을 1 개의 대메쉬 영역(M)으로 변환(결합)한다. 대메쉬 영역(M)의 메쉬값은, 소메쉬 영역(m1 내지 m9)의 메쉬값 및 위치 등을 이용하여 산출된다. 예를 들면, 소메쉬 영역의 위치(왼쪽 아래의 정점 위치)를 (xi, yi), 메쉬값을 si, 대메쉬 사이즈를 MeshSize로 하면, 대메쉬 영역(M)의 각 정점에 연결하는 메쉬값(S1 내지 S4)은 이하의 식으로부터 구해진다.
Figure 112020034296875-pat00001
si는 i 번째의 소메쉬 영역 내의 면적·도스량을 나타낸다.
제1 합성곱 연산부(14)는, 제2 메쉬 데이터를 입력으로 하여 근접 효과 보정 커넬로 합성곱 연산을 행하여, 제3 메쉬 데이터를 생성한다(스텝 3). 제3 메쉬 데이터의 메쉬값은 근접 효과가 보정된 조사량이 된다.
제3 메쉬 데이터는, 제2 메쉬 데이터와 마찬가지로 대메쉬 사이즈의 메쉬 데이터이다. 제2 메쉬 변환부(15)가, 제3 메쉬 데이터를, 소메쉬 사이즈의 제4 메쉬 데이터로 변환한다(스텝 4). 이 소메쉬 사이즈는, 중거리 효과 보정에 필요한 작은 메쉬 사이즈이다. 즉, 제1 메쉬 데이터와 제4 메쉬 데이터는 메쉬 사이즈가 같다.
예를 들면, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 1 개의 대메쉬 영역(M)을, 복수의 소메쉬 영역(m1 내지 m9)으로 변환(분할)한다. 소메쉬 영역(m1 내지 m9)의 메쉬값은, 대메쉬 영역(M)의 각 정점에 연결하는 메쉬값(D1 내지 D4)의 내삽 처리로 산출된다. 이 내삽 처리 시의 내삽법에 대해서는, 예를 들면 선형 내삽 등, 주지의 내삽법을 이용하면 된다. 메쉬값(D1 내지 D4)은, 메쉬값(S1 내지 S4)의 합성곱 연산 후의 값이다.
제2 합성곱 연산부(16)는, 제1 메쉬 데이터를 입력으로 하여 중거리 효과 보정 커넬로 합성곱 연산을 행하여, 제5 메쉬 데이터를 생성한다(스텝 5). 제5 메쉬 데이터는 소메쉬 사이즈의 메쉬 데이터이다. 제5 메쉬 데이터의 메쉬값은 중거리 효과가 보정된 조사량이 된다.
가산부(17)는, 제4 메쉬 데이터와 제5 메쉬 데이터를 가산하여, 소메쉬 영역마다의 보정 조사량을 산출한다(스텝 6). 스텝 2 내지 스텝 6의 처리를 소정 회수(n 회) 반복한다. 반복 처리에서는, 가산부(17)에 의한 가산 결과가, 제1 메쉬 변환부(13) 및 제2 합성곱 연산부(16)의 입력이 된다.
스텝 2 내지 스텝 6의 처리를 n 회, 예를 들면 3 회 정도 반복하면(스텝 7_Yes), 묘화 처리를 행한다(스텝 8). 묘화 제어부(18)가, 편향 제어 회로(24) 등을 통하여 묘화부(W)를 제어하여 묘화 처리를 행한다. 묘화부(W)는, 가산부(17)가 산출한 보정 조사량의 전자 빔(B)를 이용하여, 기판(70)에 패턴을 묘화한다. 예를 들면, 편향 제어 회로(24)는, 보정 조사량을 빔 전류로 나누어 샷마다의 조사 시간을 산출하고, 블랭커(36)에 편향 전압을 인가하여 조사 시간을 제어한다.
이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 중거리 효과 보정에 대응한 소메쉬 사이즈의 제1 메쉬 데이터를 근접 효과 보정에 대응한 대메쉬 사이즈의 제2 메쉬 데이터로 변환하고, 근접 효과 보정 커넬로 합성곱 연산을 행하여 제3 메쉬 데이터를 생성한다. 그리고, 제3 메쉬 데이터를 소메쉬 사이즈의 제4 메쉬 데이터로 변환하고, 제1 메쉬 데이터를 중거리 효과 보정 커넬로 합성곱 연산하여 생성한 제5 메쉬 데이터와 가산한다.
근접 효과는 중거리 효과보다 영향 범위가 크므로, 소메쉬 사이즈의 메쉬 데이터로 합성곱 연산을 행하면 계산량이 방대해져, 다대한 처리 시간이 걸린다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 소메쉬 사이즈의 제1 메쉬 데이터를 대메쉬 사이즈의 제2 메쉬 데이터로 변환하고 나서 근접 효과 보정 계산을 행하므로, 계산량을 억제하여 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 근접 효과 보정에 더하여, 중거리 효과 보정을 행하므로, 묘화 패턴의 치수 변동을 억제할 수 있다.
도 5에, 소메쉬 사이즈와 근접 효과 보정 및 중거리 효과 보정에 필요로 하는 처리 시간과의 관계를 나타낸다. 메쉬 사이즈가 작을수록, 처리 시간이 길어진다. 예를 들면, 소메쉬 사이즈가 100nm인 경우, 상기 실시 형태와 같이, 소메쉬 사이즈의 제1 메쉬 데이터를 대메쉬 사이즈의 제2 메쉬 데이터로 변환하는 메쉬 변환을 행하는 경우의 처리 시간은, 메쉬 변환을 행하지 않은 경우의 처리 시간과 비교하여, 1/25 정도로 단축할 수 있음을 알 수 있다.
도 6은, 중거리 효과 보정을 행하는 경우와, 중거리 효과 보정을 행하지 않은 경우의 묘화 패턴의 치수 이탈량을 나타낸다. 중거리 효과 보정을 행함으로써, 치수 정밀도를 대폭 향상시킬 수 있다.
도 3의 스텝 2의 처리에서, 메쉬값(S1 내지 S4)이 0인 대메쉬 영역(M)에 대해서는, 계산 결과를 보지해 두고, 반복 처리로 재차 스텝 2의 처리를 행할 때에는, 메쉬값의 산출 처리를 스킵하여, 메쉬값 0을 설정해도 된다. 이에 의하여, 보정 처리의 계산량을 삭감할 수 있다.
도 3의 스텝 1의 처리에서, 메쉬값이 0인 소메쉬 영역에 대해서는, 계산 결과를 보지해 두고, 스텝 4의 내삽 처리를 스킵하여, 대응하는 소메쉬 영역의 메쉬값으로 0을 설정해도 된다. 이에 의하여, 보정 처리의 계산량을 삭감할 수 있다.
도 3의 스텝 3 또는 스텝 5의 합성곱 연산은, 일반적으로는, CPU의 캐쉬 이용 효율을 고려하여 구획 나눔하여 행해진다. 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 합성곱 연산부(14) 또는 제2 합성곱 연산부(16)에 입력되는 메쉬 데이터에 있어서, 메쉬값이 모두 0이 되는 구획(R)이 있는 경우, 이 구획의 합성곱 연산을 스킵하여, 출력하는 메쉬 데이터의 대응 구획의 메쉬값으로 0을 설정해도 된다. 이에 의하여, 보정 처리의 계산량을 삭감할 수 있다.
이러한 일부 처리의 스킵에 의해 계산량을 삭감함으로써, 도 8에 도시한 바와 같이, 샷 수가 적은 경우에도 보정 처리의 계산 시간을 묘화 시간보다 짧게 하고, 실용적 시간 내에서 계산 처리를 행할 수 있다.
묘화 장치는 가변 성형 빔형에 한정되지 않고, 복수의 빔을 한 번에 조사하는 멀티 빔 묘화 장치여도 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로 한정되는 것은 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의하여, 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타낸 전체 구성 요소로부터 몇 가지 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (12)

  1. 근접 효과 및 근접 효과보다 영향 반경이 작은 중거리 효과를 보정하는 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법으로서,
    상기 기판의 묘화 영역을 제1 메쉬 사이즈로 복수의 제1 메쉬 영역으로 가상 분할하는 공정과,
    상기 제1 메쉬 영역마다의 패턴의 면적 밀도를 산출하여 제1 메쉬 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 제1 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈보다 큰 제2 메쉬 사이즈로 변환하여 제2 메쉬 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 제2 메쉬 데이터와 근접 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제3 메쉬 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 제3 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈로 변환하여 제4 메쉬 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 제1 메쉬 데이터와 중거리 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제5 메쉬 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 제4 메쉬 데이터와 상기 제5 메쉬 데이터를 가산하여 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 산출하는 공정과,
    이 산출된 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 상기 기판에 패턴을 묘화하는 공정
    을 구비하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    산출한 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 상기 제1 메쉬 데이터로서 이용하여, 상기 제2 메쉬 데이터의 작성, 상기 제3 메쉬 데이터의 작성, 상기 제4 메쉬 데이터의 작성, 상기 제5 메쉬 데이터의 작성 및 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량의 산출의 각 공정을 복수 회 반복하여 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 메쉬 데이터의 첫 회 작성 시에 메쉬값이 0이 되는 메쉬 영역이 있는 경우, 2 회째 이후의 상기 제2 메쉬 데이터의 작성 공정에 있어서, 대응하는 메쉬 영역의 메쉬값으로 0을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 데이터에 있어서 면적 밀도가 0인 제1 메쉬 영역에 대응하는 메쉬 영역의 메쉬값으로 0을 설정하여 상기 제4 메쉬 데이터를 작성하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 메쉬 사이즈는, 상기 제1 메쉬 사이즈의 n(n는 2 이상의 정수) 배인 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 제1 메쉬 영역을 결합하여 제2 메쉬 영역을 포함한 상기 제2 메쉬 데이터를 작성하고,
    상기 제2 메쉬 영역에 포함되는 복수의 제1 메쉬 영역의 면적 밀도로부터, 이 제2 메쉬 영역의 메쉬값을 산출하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  7. 근접 효과 및 근접 효과보다 영향 반경이 작은 중거리 효과를 보정하는 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치로서,
    상기 기판의 묘화 영역을 제1 메쉬 사이즈로 복수의 제1 메쉬 영역으로 가상 분할하는 메쉬 분할부와,
    상기 제1 메쉬 영역마다의 패턴의 면적 밀도를 산출하여 제1 메쉬 데이터를 작성하는 면적 밀도 산출부와,
    상기 제1 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈보다 큰 제2 메쉬 사이즈로 변환하여 제2 메쉬 데이터를 작성하는 제1 메쉬 변환부와,
    상기 제2 메쉬 데이터와 근접 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제3 메쉬 데이터를 작성하는 제1 합성곱 연산부와,
    상기 제3 메쉬 데이터의 메쉬 사이즈를 상기 제1 메쉬 사이즈로 변환하여 제4 메쉬 데이터를 작성하는 제2 메쉬 변환부와,
    상기 제1 메쉬 데이터와 중거리 효과 보정 커넬과의 합성곱 연산을 행하여 제5 메쉬 데이터를 작성하는 제2 합성곱 연산부와,
    상기 제4 메쉬 데이터와 상기 제5 메쉬 데이터를 가산하여 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 산출하는 가산부와,
    이 산출된 조사량의 하전 입자 빔을 이용하여 상기 기판에 패턴을 묘화하는 묘화부
    를 구비하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    산출한 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량을 상기 제1 메쉬 데이터로서 이용하여, 상기 제2 메쉬 데이터의 작성, 상기 제3 메쉬 데이터의 작성, 상기 제4 메쉬 데이터의 작성, 상기 제5 메쉬 데이터의 작성 및 상기 제1 메쉬 영역마다의 하전 입자 빔의 조사량의 산출의 각 처리를 복수 회 반복하여 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 메쉬 데이터의 첫 회 작성시에 메쉬값이 0이 되는 메쉬 영역이 있는 경우, 상기 제1 메쉬 변환부는, 2 회째 이후의 상기 제2 메쉬 데이터의 작성 시에, 대응하는 메쉬 영역의 메쉬값으로 0을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 데이터에 있어서 면적 밀도가 0인 제1 메쉬 영역에 대응하는 메쉬 영역의 메쉬값으로 0을 설정하여 상기 제4 메쉬 데이터를 작성하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제2 메쉬 사이즈는, 상기 제1 메쉬 사이즈의 n(n는 2 이상의 정수) 배인 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 메쉬 변환부는, 복수의 상기 제1 메쉬 영역을 결합하여 제2 메쉬 영역을 포함한 상기 제2 메쉬 데이터를 작성하고, 상기 제2 메쉬 영역에 포함되는 복수의 제1 메쉬 영역의 면적 밀도로부터, 이 제2 메쉬 영역의 메쉬값을 산출하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
KR1020200040063A 2019-05-08 2020-04-02 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 KR102366046B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-088439 2019-05-08
JP2019088439A JP7159970B2 (ja) 2019-05-08 2019-05-08 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200130102A KR20200130102A (ko) 2020-11-18
KR102366046B1 true KR102366046B1 (ko) 2022-02-22

Family

ID=73044244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200040063A KR102366046B1 (ko) 2019-05-08 2020-04-02 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11443918B2 (ko)
JP (1) JP7159970B2 (ko)
KR (1) KR102366046B1 (ko)
CN (1) CN111913362B (ko)
TW (1) TWI778337B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159970B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140311A (ja) 2002-08-20 2004-05-13 Sony Corp 露光方法および露光装置
JP2011100818A (ja) 2009-11-05 2011-05-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5051598A (en) * 1990-09-12 1991-09-24 International Business Machines Corporation Method for correcting proximity effects in electron beam lithography
US6035113A (en) * 1998-01-05 2000-03-07 International Business Machines Corporation Electron beam proximity correction method for hierarchical design data
JP3466900B2 (ja) * 1998-01-19 2003-11-17 株式会社東芝 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JP5235322B2 (ja) * 2006-07-12 2013-07-10 キヤノン株式会社 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム
US7953582B2 (en) * 2006-11-21 2011-05-31 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for lithography simulation and measurement of critical dimensions
JP5069052B2 (ja) 2007-07-30 2012-11-07 日本電子株式会社 ドーズ補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4945380B2 (ja) * 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5020849B2 (ja) * 2008-02-13 2012-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、パターンの寸法誤差補正装置及びパターンの寸法誤差補正方法
JP5525798B2 (ja) * 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5871558B2 (ja) * 2011-10-20 2016-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JPWO2013073694A1 (ja) * 2011-11-16 2015-04-02 日本コントロールシステム株式会社 パターンを描画する方法及び装置
JP5617947B2 (ja) * 2013-03-18 2014-11-05 大日本印刷株式会社 荷電粒子線照射位置の補正プログラム、荷電粒子線照射位置の補正量演算装置、荷電粒子線照射システム、荷電粒子線照射位置の補正方法
JP6567843B2 (ja) * 2014-07-02 2019-08-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6456118B2 (ja) * 2014-11-20 2019-01-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6523767B2 (ja) * 2015-04-21 2019-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6788839B2 (ja) * 2016-01-28 2020-11-25 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画システムおよび描画データ生成方法
JP6617066B2 (ja) * 2016-03-25 2019-12-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6951174B2 (ja) * 2016-09-28 2021-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法
JP6951922B2 (ja) * 2016-09-28 2021-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法
JP7002837B2 (ja) * 2016-10-26 2022-01-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7002243B2 (ja) * 2017-08-04 2022-01-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7026575B2 (ja) * 2018-05-22 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム照射方法、電子ビーム照射装置、及びプログラム
JP7167842B2 (ja) * 2019-05-08 2022-11-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP7159970B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140311A (ja) 2002-08-20 2004-05-13 Sony Corp 露光方法および露光装置
JP2011100818A (ja) 2009-11-05 2011-05-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200130102A (ko) 2020-11-18
JP2020184583A (ja) 2020-11-12
US11443918B2 (en) 2022-09-13
TWI778337B (zh) 2022-09-21
US20200357604A1 (en) 2020-11-12
CN111913362A (zh) 2020-11-10
TW202046017A (zh) 2020-12-16
CN111913362B (zh) 2022-11-22
JP7159970B2 (ja) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4773224B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP4945380B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP4976071B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5063071B2 (ja) パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5199896B2 (ja) 描画方法及び描画装置
US7619230B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus and readable storage medium
JP2016207815A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5443548B2 (ja) パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6515835B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6863259B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR102366046B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
KR102366045B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
JP2019204857A (ja) 電子ビーム照射方法、電子ビーム照射装置、及びプログラム
JP5469531B2 (ja) 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6171062B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2019201071A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6819475B2 (ja) データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム
US20190043692A1 (en) Charged particle beam writing apparatus, charged particle beam writing method, and pattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant