KR102346197B1 - 난연성 에폭시 수지 조성물, 그것을 사용하여 이루어지는 프리프레그 및 적층판 - Google Patents

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Abstract

에폭시 수지(A), 경화제(B), 및 하기 일반식(1)으로 표시되는 인 함유 화합물(C)을 함유하는 것을 특징으로 하는, 난연성 에폭시 수지 조성물; 그것을 사용한 프리프레그 및 그 프리프레그를 사용한 적층판; 단, 상기 식(1) 중의 m은 2∼10의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, 여기서 R4는, 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.

Description

난연성 에폭시 수지 조성물, 그것을 사용하여 이루어지는 프리프레그 및 적층판{FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION, PREPREG FORMED USING THIS, AND LAMINATE PLATE}
본 발명은, 난연성(難燃性) 에폭시 수지 조성물에 관하여, 특히, 인계의 반응성 난연제를 함유하고, 환경 적합성이 뛰어난 난연성 에폭시 수지 조성물, 및, 그 난연성 에폭시 수지 조성물을 이용한 에폭시 수지 적층판에 관한 것이다.
에폭시 수지는, 공업적으로 폭넓은 용도로 사용되고 있지만, 에폭시 수지에 요구되는 성능은, 산업의 발전과 더불어 최근 더욱더 고도화하고 있다. 예를 들면, 전자 부품이나 전자 기기에 사용되는 동장적층판(銅張積層板)이나 주형재 등에는, 종래부터 에폭시 수지가 사용되고 있지만, 이러한 에폭시 수지에는, 화재의 방지나 연소의 지연 등, 안전성의 관점에서, 난연성 효과를 초래하는 브롬화 에폭시 수지가 사용되어 왔다. 그러나 환경 문제의 관점에서, 최근에는, 할로겐을 대신하여 난연효과를 나타내는 재료의 개발이 활발히 이루어지고 있다.
에폭시 수지에 난연성을 부여하는 선행 기술로서는, 다종 다양한 인 함유 유기화합물을 사용한 방법이 이미 제시되어 있다. 난연성 효과를 초래하기 위해서는, 조성물 중의 인 함유율을 늘리는 것이 유효한 수단의 하나이며, 인 함유율이 높은 난연제를 첨가하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 등). 그러나, 상기 방법의 경우에는, 난연성에 관해서는 어느 정도 유효한 효과를 올릴 수 있지만, 에폭시 수지와 반응하지 않기 때문에, 에폭시 수지 조성물을 가열 경화시킨 경우에, 난연제가 일부 유리(遊離)하는 블리드(bleed) 현상이 발생하거나, 경화물의 Tg가 크게 내려가거나 하는 결점이 있었다.
또한, 에폭시 수지와 반응하는 인 함유 화합물을 사용한, 난연성을 가지는 에폭시 수지 조성물을 제조하는 방법도 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 2 등). 그러나, 이 방법의 경우에는, 인 함유 화합물이 에폭시 수지와 반응함으로써, 상기 블리드 현상의 문제는 해소되지만, 인 함유 화합물의 반응점이 한 개뿐이기 때문에, 에폭시 수지를 가열 경화시켰을 때에, 경화물의 물성이나 내열성이 저하한다는 결점이 있었다. 또한, 사용되는 인 함유 화합물의 결정성이 높기 때문에, 조성물로 했을 때의 작업성이 나쁘다는 결점도 있었다.
그래서 본 발명자들은 상기의 결점을 개선하기 위하여 예의 검토한 결과, 경화시에 난연제의 블리드 현상이 발생하지 않고, 경화물의 물성이 저하하지 않는데다 작업성도 뛰어난, 반응성 인 함유 화합물을 사용하여 이루어지는 난연성 에폭시 수지 조성물을 찾아내어, 본 발명에 도달했다.
특허문헌 1: 일본 특허공개공보 특개평09-235449호 특허문헌 2: 일본 특허공개공보 특개평11-166035호
따라서 본 발명의 제1의 목적은, 환경 적정이 뛰어난 인계의 반응성 난연제를 함유하여 이루어지는, 작업성이나 경화물의 물성이 뛰어난 난연성 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제2의 목적은, 환경 적정이 뛰어남과 동시에 경화물의 물성이나 내열성도 뛰어난, 적층판을 제공하는 것에 있다.
즉 본 발명은, 에폭시 수지(A), 경화제(B), 및, 하기 일반식(1)으로 표시되는 인계 화합물(이하, 단지 「인 함유 화합물」이라고 한다.)(C)을 함유하는 것을 특징으로 하는 난연성 에폭시 수지 조성물이다.
Figure 112017072810369-pct00001
단, 상기 식(1) 중의 m은 2∼10의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, 여기서 R4는, 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.
본 발명에 의하면, 할로겐을 사용하지 않으므로 환경 적정이 뛰어남과 동시에 작업성도 뛰어난데다, 경화물의 물성이나 내열성이 뛰어난, 난연성 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 그 에폭시 수지 조성물을 사용함으로써, 내열성 및 난연성뿐만 아니라 환경 적정도 뛰어난, 적층판을 얻을 수 있다.
이하에, 본 발명에서 사용하는, 에폭시 수지(A), 경화제(B), 및 인 함유 화합물(C)에 관하여 설명한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물의 사용 용도는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 전자 회로 기판에 사용되는 적층판, 전자 부품에 사용되는 봉지제, 주형재, 필름재, 접착제, 전기 절연 도료, 난연성이 필요한 복합재, 및 분체 도료 등에 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 전자 회로 기판에 사용되는 적층판, 전자 부품에 사용되는 봉지제, 및 주형재 등에 사용하는 것이 바람직하고, 적층판에 사용하는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 에폭시 수지(A)는, 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 가지는 것인 한, 분자 구조, 분자량 등에 특별히 제한은 없고, 공지된 에폭시 수지 중에서 적절히 선택할 수 있지만, 사용하는 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지, 테트라메틸비페닐형 에폭시 수지 등의 비페닐형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 시클로헥산디메탄올이나 수첨 비스페놀 A등으로부터 얻어지는 지환식 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 페놀류와 페놀성 수산기를 가지는 방향족 알데히드와의 축합물인 에폭시화물, 및 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트리페닐메탄형 에폭시 수지; 테트라페닐에탄형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔-페놀 부가 반응형 에폭시 수지; 및 페놀아랄킬형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기한 에폭시 수지는 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 되지만, 적층판에 사용되는 에폭시 수지 조성물에 대해서는, 노볼락형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 봉지제로 사용되는 에폭시 수지 조성물에 대해서는, 비스페놀형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 및, 나프탈렌형 에폭시 수지 중에서 선택되는, 적어도 1종의 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 주형재로 사용되는 에폭시 수지 조성물에 대해서는, 비스페놀형 에폭시 수지 및/또는 지환식 에폭시 수지류가 바람직하다.
본 발명에 있어서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 원하는 점도로 조정하기 위해서, 반응성 희석제를 병용할 수 있다. 이러한 반응성 희석제로서는, 에폭시 수지 조성물을 경화시켰을 때의, 경화물의, 내열성이나 유리 전이 온도의 저하를 억제하는 관점에서, 에폭시기를 적어도 1개 가지는 희석제를 사용한다.
상기 반응성 희석제에 포함되는 에폭시기의 수는, 1개이어도 2개 이상이어도 되고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 에폭시기의 수가 1개인 반응성 희석제로서는, 예를 들면 n-부틸글리시딜에테르, C12∼C14인 알킬글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 2-에틸헥실글리시딜에테르, 스티렌옥사이드, 페닐글리시딜에테르, 크레실글리시딜에테르, p-sec-부틸페닐글리시딜에테르, t-부틸페닐글리시딜에테르, 글리시딜메타크릴레이트, 및 3급 카복실산글리시딜에스테르 등을 들 수 있다.
에폭시기의 수가 2개인 반응성 희석제로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 및 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 에폭시기의 수가 3개인 반응성 희석제로서는, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 및 글리세린트리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
상기 반응성 희석제의 에폭시 수지에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 사용하는 용도에 의해 구분하여 사용하는 것이 바람직하다. 적층판에 사용되는 에폭시 수지 조성물의 경우에는, 제품의 유리 전이 온도의 저하를 피하는 관점에서, 반응성 희석제를 사용하지 않는 것이 바람직하다. 봉지제로 사용되는 에폭시 수지 조성물의 경우에는, 에폭시 수지 100질량부에 대해서 3∼50질량부 배합하는 것이 바람직하고, 5∼30질량부 배합하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 주형재에 사용되는 에폭시 수지 조성물의 경우에도, 에폭시 수지 100질량부에 대해서 3∼50질량부 배합하는 것이 바람직하고, 5∼30질량부 배합하는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 사용되는 경화제(B)로서는, 페놀 수지류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 잠재성 경화제, 및 산무수물류를 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이들 경화제를 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 적층판의 용도에 관해서는, 페놀 수지류 또는 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하고, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 또는 디시안디아미드형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 봉지제에 관해서는, 잠재성 경화제 또는 산무수물류를 사용하는 것이 바람직하고, 주형재의 용도에 관해서는, 지방족 아민, 방향족 아민, 또는 산무수물류를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 경화제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 페놀 수지류로서는, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 방향족 탄화수소 포름알데히드 수지 변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔페놀 부가형 수지, 페놀아랄킬 수지(자이록 수지), 나프톨아랄킬 수지, 트리스페닐올메탄 수지, 테트라페닐올에탄 수지, 나프톨 노볼락 수지, 나프톨-페놀 공축합 노볼락 수지, 나프톨-크레졸 공축합 노볼락 수지, 비페닐 변성 페놀 수지(비스메틸렌기로 페놀핵이 연결된 다가 페놀 화합물), 비페닐 변성 나프톨 수지(비스메틸렌기로 페놀핵이 연결된 다가 나프톨 화합물), 아미노트리아진 변성 페놀 수지(페놀 골격, 트리아진환 및 1급 아미노기를 분자 구조 중에 가지는 화합물), 및, 알콕시기 함유 방향환 변성 노볼락 수지(포름알데히드로 페놀핵 및 알콕시기 함유 방향환이 연결된 다가 페놀 화합물) 등의 다가 페놀 화합물을 들 수 있다.
상기 페놀 수지류로 이루어지는 경화제(B)의 에폭시 수지(A)에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1개에 대해, 페놀 수지류 중의 수산기가 0.3∼1.5개가 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 0.8∼1.2개가 되도록 배합하는 것이 보다 바람직하다.
상기 지방족 아민류로서는, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 1,4-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실프로판, 비스(4-아미노시클로헥실)술폰, 4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥산, 이소포론디아민, 노르보르넨디아민, 및 메타자일렌디아민 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도, 적절히 혼합한 혼합물로서 사용할 수도 있다.
상기 지방족 아민류로 이루어지는 경화제(B)의 에폭시 수지(A)에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1개에 대해, 지방족 아민 중의 활성 수소가 0.6∼1.5개가 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 0.8∼1.2개가 되도록 배합하는 것이 보다 바람직하다.
상기 방향족 아민류로서는, 디에틸톨루엔디아민, 1-메틸-3,5-디에틸-2,4-디아미노벤젠, 1-메틸-3,5-디에틸-2,6-디아미노벤젠, 1,3,5-트리에틸-2,6-디아미노벤젠, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 및 3,5,3',5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로, 또는 임의의 비율로 혼합한 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 지방족 아민류로 이루어지는 경화제(B)의 에폭시 수지(A)에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1개에 대해, 지방족 아민 중의 활성 수소가 0.6∼1.5개가 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 0.8∼1.2개가 되도록 배합하는 것이 보다 바람직하다.
상기 잠재성 경화제로서는, 디시안디아미드형, 이미다졸형, 폴리아민형 화합물 등의, 실온에서 에폭시 수지와 혼합했을 때에, 혼합물의 점도 변화나 물성 변화가 작은 잠재성 경화제를 들 수 있다. 이들 중 특히 바람직한 것은, 시판품인, 아데카하드너　EH-3636AS(가부시키가이샤 아데카제, 디시안디아미드형 잠재성 경화제), 아데카하드너 EH-4351S(가부시키가이샤 아데카제, 디시안디아미드형 잠재성 경화제), 아데카하드너　EH-5011S(가부시키가이샤 아데카제, 이미다졸형 잠재성 경화제), 아데카하드너　EH-5046S(가부시키가이샤 아데카제, 이미다졸형 잠재성 경화제), 아데카하드너　EH-4357S(가부시키가이샤 아데카제, 폴리아민형 잠재성 경화제), 아데카하드너　EH-5057P(가부시키가이샤 아데카제, 폴리아민형 잠재성 경화제), 및 아데카하드너　EH-5057PK(가부시키가이샤 아데카제, 폴리아민형 잠재성 경화제) 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로, 또는 적절히 혼합한 혼합물로서 사용할 수 있다.
상기 잠재성 경화제로 이루어지는 경화제(B)의 에폭시 수지(A)에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 100질량부에 대해서 1∼70질량부인 것이 바람직하고, 3∼60질량부인 것이 보다 바람직하다.
상기 산무수물류로서는, 무수 하이믹산, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 메틸하이믹산, 무수 숙신산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산-무수 말레산 부가물, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 및 수소화 메틸나딕산 무수물 등을 들 수 있다.
상기 산무수물류로 이루어지는 경화제(B)의 에폭시 수지(A)에 대한 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1개에 대해, 산무수물류 중의 산무수물기의 수가 0.7∼1.6개인 것이 바람직하고, 0.9∼1.2개인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 대해서는, 상기 경화제(B)와 함께, 필요에 따라 공지의 에폭시 수지 경화촉진제를 병용할 수 있다. 이들 경화촉진제의 구체적인 예로서는, 트리페닐포스핀 등의 포스핀 화합물; 테트라페닐포스포늄브로마이드 등의 포스포늄염; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 상기 이미다졸류와, 트리멜리트산, 이소시아누르산, 붕소 등과의 염인 이미다졸염류; 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 아민류; 트리메틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄염류; 및, 3플루오르화 붕소와, 아민류나 에테르 화합물 등과의 착화합물 등을 예시할 수 있다. 이들 경화촉진제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 병용해도 된다.
다음에, 본 발명에서 사용하는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 (C)성분의 인 함유 화합물에 관하여 설명한다.
Figure 112017072810369-pct00002
단, 상기 식(1) 중의 m은 2∼10의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, 여기서 R4는, 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.
본 발명에서 사용되는 (C)성분의 인 함유 화합물은, 하기 일반식(3)에 나타내는 반응식에 의해, 에폭시기와 반응하는 화합물이다.
Figure 112017072810369-pct00003
단, 상기 식(3) 중의 m은 2∼10의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, R8는 알킬기 또는 아릴기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, 여기서 R4는, 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.
상기 식(1) 중의 m은 2∼7인 것이 바람직하고, 2∼5인 것이 보다 바람직하다. m이 1이면, 에폭시기와 반응하는 관능기가 1개가 되어, 에폭시 수지를 경화했을 때의 경화물의 유리 전이 온도나, 강도가 현저하게 저하하므로 바람직하지 않다. m이 10보다 큰 수의 경우에는, 인 함유 화합물을 제조할 때에, 점도가 높아져 제조가 곤란해지므로 바람직하지 않다.
상기 식(1) 중의 R1 또는 R2로 표시되는 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 제3 부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 제3 아밀기, 헥실기, 이소헥실기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 제3 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 R1 또는 R2로 표시되는 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 이들 그 중에서도, R1 및/또는 R2가, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수가 2∼5의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 에틸기 또는 프로필기인 것이 가장 바람직하다.
상기 식(1) 중의 R3로 표시되는 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 제3 부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 제3 아밀기, 헥실기, 이소헥실기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 제3 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 에탄디일기, 옥탄디일기 등의 알칸디일기; 메틸렌트리일, 1,1,3-에틸렌트리일기 등의 알칸트리일기; 1,1,2,2-에틸렌트리일 등의 알칸테트라일기; 및, 하이드로퀴논, 레조르신, 피로카테콜, 플로로글루시놀 등의 단핵 다가 페놀 화합물; 디하이드록시나프탈렌, 비페놀, 메틸렌비스페놀(비스페놀 F), 메틸렌비스(오르토크레졸), 에틸리덴비스페놀, 이소프로피리덴비스페놀(비스페놀 A), 이소프로피리덴비스(오르토크레졸), 테트라브로모비스페놀 A, 1,3-비스(4-하이드록시쿠밀벤젠), 1,4-비스(4-하이드록시쿠밀벤젠), 1,1,3-트리스(4-하이드록시페닐)부탄, 1,1,2,2-테트라(4-하이드록시페닐)에탄, 티오비스페놀, 술포닐비스페놀, 옥시비스페놀, 페놀노볼락, 오르토크레졸노볼락, 에틸페놀노볼락, 부틸페놀노볼락, 옥틸페놀노볼락, 레조르신노볼락, 테르펜페놀 등의, 다핵 다가 페놀 화합물의 방향족기를 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 물성의 관점에서, 본 발명에서 사용되는 (C)성분의 인 함유 화합물은, 골격에 방향환을 적어도 1개 포함하는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 일반식(2-1)∼(2-6)로 표시되는 기를 함유하는 화합물인 것이 특히 바람직하다.
Figure 112017072810369-pct00004
단, 상기 식(2-1) 중의 R5는, 수소 원자 또는 탄소수가 1∼4인 알킬기를 나타낸다.
Figure 112017072810369-pct00005
단, 상기 식(2-2) 중의 n은 0∼3인 정수, o는 0∼50인 정수를 나타내고, R6는 수소 원자 또는 탄소수가 1∼4인 알킬기, R7는, 산소 원자 및 황 원자를 포함해도 되는 탄화수소기를 나타내고, Z는 수산기, 또는, 하기 일반식(2-3)로 표시되는 관능기이다.
Figure 112017072810369-pct00006
단, 상기 식(2-3) 중의 R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.
Figure 112017072810369-pct00007
Figure 112017072810369-pct00008
Figure 112017072810369-pct00009
상기 식(1)에 있어서의 R3가, 상기(2-1)∼(2-6)로 표시되는 기인 인 함유 화합물 중에서는, R3가 상기(2-1) 또는 (2-2)로 표시되는 구조인 것을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기(2-1)의 구조 중에서도, R1, R2가, 각각 독립적으로 에틸기 또는 프로필기이며, R5가 수소 원자 또는 메틸기인 것이 특히 바람직하다.
한편, 상기(2-2)의 구조의 경우에는, n이 0 또는 1, o가 1∼5인 정수이며, R1, R2가 각각 독립적으로 에틸기 또는 프로필기, R6가 메틸기이며, R7가 메틸렌기, 에탄디일기, 또는 프로판디일기인 것이 바람직하다.
이러한 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(4-1)∼(4-4)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112017072810369-pct00010
Figure 112017072810369-pct00011
Figure 112017072810369-pct00012
Figure 112017072810369-pct00013
단, 상기 식(4-4)에 있어서의 p는 1∼5인 정수이다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물 중에 있어서의 상기 인 함유 화합물의 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지 조성물의 전고형분 중에 있어서의, 상기 인 함유 화합물에 기인하는 인 함유량이 0.1∼5질량%가 되는 양인 것이 바람직하고, 0.5∼3질량%가 되는 양인 것이 보다 바람직하다. 인 함유량이 0.1질량%가 되는 양보다 적은 경우에는, 에폭시 수지 조성물의 난연성이 현저하게 저하하는 경우가 있다. 한편, 인 함유량이 5질량%가 되는 양보다 많은 경우에는, 에폭시 수지 조성물의 내수성이 현저하게 저하하는 경우가 있다.
본 발명에서 사용하는 인 함유 화합물은, 하기 일반식(5)에 나타낸 방법 등에 의해 제조할 수 있다.
Figure 112017072810369-pct00014
상기 식(5) 중에 있어서의 m은 2∼10의 정수, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, R4는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.
상기 일반식(5)에서 사용되는 염기로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로운데센, 디아자비시클로노넨, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등의 3급 아민; 피리딘, N,N-디메틸아미노피리딘 등의 피리딘류; 1-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀 등의 포스핀류; 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이들 염기 중에서도 3급 아민을 사용하는 것이 바람직하고, 트리에틸아민을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 일반식(5)에서 사용되는 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 메틸아밀케톤, 디에틸케톤, 아세톤, 메틸이소프로필케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논 등의 케톤류; 테트라하이드로푸란, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르류; 아세트산에틸, 아세트산n-부틸 등의 에스테르류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 사염화탄소, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 염화메틸렌 등의 할로겐화 지방족 탄화수소; 클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소 등을 들 수 있다. 이들 용매 중에서는, 에테르류 또는 할로겐화 지방족 탄화수소가 바람직하고, 에테르류가 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기의 반응을, -80∼100℃, 바람직하게는 실온∼50℃로, 0.5시간∼72시간, 바람직하게는 1시간∼24시간에 걸쳐 실시시킬 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, 필요에 따라서, 점도 조정제로서 유기용제를 사용할 수 있다. 이 경우의 유기용제로서는, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류, 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이들 용제의 적어도 일종을 혼합하여, 에폭시 수지 조성물 전체의 질량에 대해서, 30∼80질량%의 범위가 되도록 배합할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, 필요에 따라서, 무기 충전제를 첨가해도 된다. 이러한 무기 충전제로서는, 예를 들면, 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 붕산아연, 몰리브덴산아연, 탄산칼슘, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 규산칼슘, 티탄산칼륨, 질화알루미늄, 베릴리아, 산화지르코늄, 지르콘, 포스테라이트, 스테어타이트, 스피넬, 뮬라이트, 이산화티타늄 등의 분체(粉體), 또는 이들을 구형화한 비즈, 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 병용해도 된다.
본 발명에 있어서는, 상기한 무기 충전제를, 사용하는 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 바람직하다. 적층판의 용도에 관해서는, 용융 실리카, 수산화알루미늄 등을 사용하는 것이 바람직하고, 봉지제의 용도에 관해서는, 용융 실리카, 결정 실리카 등을 사용하는 것이 바람직하고, 용융 실리카를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 주형재의 용도에 관해서는, 용융 실리카, 결정 실리카, 또는 수산화알루미늄 등을 사용하는 것이 바람직하고, 용융 실리카를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
상기 무기 충전제의 배합량은, 에폭시 수지 조성물의 전고형분에 대해서, 20∼90질량%인 것이 바람직하고, 25∼80질량%인 것이, 보다 바람직하다. 무기 충전제의 배합량이 20질량% 미만에서는, 경화물의 열팽창 계수의 저감 효과가 낮아지는 경향이 있고, 90질량%를 넘으면 에폭시 수지 조성물의 점도가 상승하여, 작업성이 현저하게 저하하는 경향이 된다.
또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, 필요에 따라서, 상기 무기 충전제 이외의 첨가제를 병용해도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들면, 디옥틸프탈레이트, 디부틸프탈레이트, 벤질알코올, 콜타르 등의 비반응성의 희석제(가소제); 유리 섬유, 펄프 섬유, 합성 섬유, 세라믹 섬유 등의 섬유질 충전재; 글래스 클로스(glass cloth)·아라미드 클로스(aramid cloth), 탄소 섬유(carbon fiber) 등의 보강재; 안료; γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-N'-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-메타글릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제; 칸델릴라 왁스, 카르나우바 왁스, 목랍, 백랍, 밀랍, 라놀린, 경랍, 몬탄 왁스, 석유 왁스, 지방산 왁스, 지방산 에스테르, 지방산 에테르, 방향족 에스테르, 방향족 에테르 등의 윤활제; 증점제; 틱소트로피제; 산화 방지제; 광안정제; 자외선 흡수제; 상기 인 함유 화합물 이외의 난연제; 소포제; 방청제; 콜로이달실리카, 콜로이달알루미나 등의 상용의 첨가물을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 또한, 자일렌 수지, 석유 수지 등의 점착성의 수지류를 병용할 수도 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 전자 회로 기판에 사용되는 적층판, 전자 부품에 사용되는 봉지제, 주형재, 필름재, 접착제, 전기 절연 도료, 난연성이 필요한 복합재, 및 분체 도료 등에 사용할 수 있고, 그 중에서도 전자 회로 기판에 사용되는 적층판, 전자 부품에 사용되는 봉지제, 및 주형재에 사용하는 것이 적합하다.
본 발명의 적층판은, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용한 프리프레그를, 소정의 매수, 예를 들면 1∼20매 중첩하여, 그 편면 또는 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치하여 적층한 후, 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기 등을 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 100∼250℃에서 열압착하여 제조할 수 있다.
상기, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용한 프리프레그는, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을, 기재에 함침시키거나 또는 도포하여, 가열 등에 의해 반경화(B스테이지화)시켜 제조할 수 있다.
상기 프리프레그의 기재로서는, 예를 들면, 유리 섬유나 탄소 섬유 등의 무기 섬유, 폴리이미드, 폴리에스테르 및 테트라플루오로에틸렌 등의 유기 섬유, 및 그들의 혼합물 등, 공지의 것을 사용할 수 있다.
이들 기재의 형상으로서는, 예를 들면, 직포, 부직포, 로빙(roving), 촙 스트랜드 매트(chopped strand mat) 및 서페싱 매트(surfacing mat) 등의 시트 형상의 기재를 들 수 있다. 이들 기재의 재질 및 형상은, 목적으로 하는 성형물의 용도나 성능에 의해 선택된다. 필요에 따라, 단독으로 또는 2 종류 이상의 재질 및 형상을 조합하여 사용할 수 있다.
전자 부품에 사용되는 본 발명의 봉지제는, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을, 필요에 따라 가열 처리하면서, 교반, 용융, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이 경우의, 교반, 용융, 혼합, 분산에 사용하는 장치는 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 있어서는, 교반, 가열 장치를 구비한 라이카이 믹서, 3본 롤 밀, 볼 밀, 플랜터리 믹서(planetary mixer), 비즈 밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합하여 사용해도 된다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용한 주형재는, 예를 들면, 믹서 등을 사용하여 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 혼합하고, 진공 탈포 한 후, 금형을 이용하여 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 근거해 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
또한, 이하의 실시예 등에 있어서의 %는, 특별히 기재가 없는 한 질량 기준이다. 또한, 프리프레그의 외관은, 목시 관찰한 경우에, 균일한 외관의 것을 양호라고 평가하고, 외관이 불균일한 것을 불량으로 했다. 마찬가지로, 프리프레그를 사용하여 가압 경화시켜, 양면 동장적층판을 제작한 후의 외관의 평가를 목시로 관찰하고, 균일하게 경화되어 있는 것을 양호로 하고, 불균일하게 경화되어 있는 것을 불량으로 했다. 난연성은, 양면 동장적층판의 동박을 에칭에 의해 제거하고, 길이 127mm, 폭 12.7mm로 가공한 시험편에 관하여, UL(Underwriters Laboratories)의 "Test for Flammability of Plastic Materials UL 94"에 준하여 시험을 실시하고, 하기와 같이하여 판정했다.
＜판정 방법＞
시험편을 수직으로 유지하고, 하단에 버너의 불을 10초간 접염(接炎)시킨 후, 불꽃을 제거하고, 시험편에 착화한 불이 꺼지기까지의 시간을 측정했다. 다음으로, 불이 꺼짐과 동시에 2번째의 접염을 10초간 실시하고, 1회째와 동일하게 하여, 착화한 불이 꺼지기까지의 시간을 측정했다. 또한, 낙하하는 불씨에 의해, 시험편 아래에 둔 면(綿)이 착화하는지 아닌지에 관하여도 동시에 평가했다.
1회째와 2번째의 연소시간, 면 착화의 유무 등으로부터 UL-94V 규격에 따라 연소 랭크를 평가했다. 연소 랭크는 V-0이 최고이며, V-1, V-2가 됨에 따라 난연성은 저하한다. 단, V-0∼V-2의 랭크의 어느 쪽에도 해당하지 않는 것은 NR로 했다.
경화물의 유리 전위 온도는 TMA(열기계 분석 장치, 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스제, EXSTAR TMA/SS-6100)을 사용하여 측정했다. 또한, 구리박의 박리 강도는 JIS C 6481 5.7에 준하여 측정했다.
＜제조예 1：인 함유 화합물(I-1)의 합성＞
교반 날개, 환류관, 온도계, 적하 깔때기 및 셉텀(septum)을 구비한 500mL의 5구 플라스크를, 충분히 건조·질소 치환하여, 4,4'-비페놀 29.8g(0.16mol), 트리에틸아민 34.4g(0.34mol), 및 초탈수 테트라하이드로푸란 300mL를 넣었다. 적하 깔때기에 디에틸포스핀산 클로라이드 47.8g(0.34mol)를 넣고, 반응 온도가 50℃를 초과하지 않게 적하했다. 적하 종료 후, 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 클로로포름 500mL 및 포화 탄산수소나트륨 수용액 300mL를 가하여 잘 교반하고, 유수(油水) 분리한 후, 수층을 제거했다. 유기층을 증류수 200mL로 2회 수세하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 증발기로 용매를 제거하여, 인 함유 화합물(I-1) 60.6g(수율 96.1%)를 얻었다.
＜제조예 2：인 함유 화합물(I-2)의 합성＞
교반 날개, 환류관, 온도계, 적하 깔때기 및 셉텀을 구비한 500mL의 5구 플라스크를, 충분히 건조·질소 치환하여, HF-1M(페놀 노볼락 수지, 메이와카에시 가부시키가이샤제) 34.2g(0.16mol), 트리에틸아민 34.4g(0.34mol), 및 초탈수 테트라하이드로푸란 300mL를 넣었다. 적하 깔때기에 디에틸포스핀산 클로라이드 47.8g(0.34mol)를 넣고, 반응 온도가 50℃를 초과하지 않게 적하했다. 적하 종료 후, 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 클로로포름 500mL 및 포화 탄산수소나트륨 수용액 300mL를 가하여 잘 교반하고, 유수 분리한 후, 수층을 제거했다. 유기층을 증류수 200mL로 2회 수세하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 증발기로 용매를 제거하여, 인 함유 화합물(I-2) 66.4g(수율 98. 3%)를 얻었다.
＜제조예 3：인 함유 화합물(I-3)의 합성＞
교반 날개, 환류관, 온도계, 적하 깔때기 및 셉텀을 구비한 500mL의 5구 플라스크를, 충분히 건조·질소 치환하여, 비스페놀 A 45.7g(0.20mol), 트리에틸아민 42.5g(0.42mol), 및 초탈수 테트라하이드로푸란 300mL를 넣었다. 적하 깔때기에 디에틸포스핀산 클로라이드 59.0g(0.42mol)를 넣고, 반응 온도가 50℃를 초과하지 않게 적하했다. 적하 종료 후, 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 클로로포름 500mL 및 포화 탄산수소나트륨 수용액 300mL를 가하여 잘 교반하고, 유수 분리한 후, 수층을 제거했다. 유기층을 증류수 200mL로 2회 수세하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 증발기로 용매를 제거하여, 인 함유 화합물(I-3) 78.1g(수율 89. 4%)를 얻었다.
＜제조예 4：인 함유 화합물(I-4)의 합성＞
교반 날개, 환류관, 온도계, 적하 깔때기 및 셉텀을 구비한 500mL의 5구 플라스크를, 충분히 건조·질소 치환하여, 비스페놀 F 32.0g(0.16mol), 트리에틸아민 34.4g(0.34mol), 및 초탈수 테트라하이드로푸란 300mL를 넣었다. 적하 깔때기에 디에틸포스핀산 클로라이드 47.8g(0.34mol)를 넣고, 반응 온도가 50℃를 초과하지 않게 적하했다. 적하 종료 후, 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 클로로포름 500mL 및 포화 탄산수소나트륨 수용액 300mL를 가하여 잘 교반하고, 유수 분리한 후 수층을 제거했다. 유기층을 증류수 200mL로 2회 수세하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 증발기로 용매를 제거하여, 인 함유 화합물(I-4) 60.9g(수율 93.2%)를 얻었다.
[실시예 1]
EOCN-104S(크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 니뽄카야쿠 가부시키가이샤제) 49.1g, HP-350(수산화알루미늄, 쇼와덴코 가부시키가이샤제) 60.1g 및 SFP-130 MC(구상 실리카, 덴키가가쿠고교 가부시키가이샤제) 60.1g를 메틸에틸케톤 100g에 가하여, 3본 롤로 분산시켰다. 이어서, 제조예 1에서 얻어진 인 함유 화합물(I-1) 15.3g을, 메탄올 3g에 용해하여 첨가했다. 또한, EOCN-104S 50.9g, 아데카하드너 EH-3636AS(디시안디아미드형 잠재성 경화제, 가부시키가이샤 아데카제) 5g(5phr), 및 메틸에틸케톤 100g를 추가하여 디스퍼저로 분산하여, 수지 바니스를 제작했다.
얻어진 수지 바니스를 글래스 클로스(닛토호우세키 가부시키가이샤제, #7628)에 함침시켜, 120℃의 열풍 순환로에서 10분간 가열 건조하여 프리프레그를 제작했다. 이때의 프리프레그 중의 수지량은, 프리프레그 전체의 40∼50질량%였다. 또한, 제작한 프리프레그를 4매 겹쳐, 그 양측으로 두께 35μm의 구리박(후쿠다긴조쿠하쿠훈고교 가부시키가이샤제)을 배치하고, 190℃의 온도, 10kg/cm2의 압력 조건에서 120분간 열압착하여, 양면 동장적층판을 얻었다. 상기와 같이 하여 얻어진 양면 동장적층판의 물성을 표 1에 나타냈다.
＜제조예 5：인 함유 화합물(I-5)의 합성＞
회전자, 환류관, 셉텀을 구비한 100mL 3구 플라스크를 충분히 건조, 질소 치환하여, 페놀 28.2g(0.30mol), 트리에틸아민 32.4g(0.32mol), 초탈수 테트라하이드로푸란 300mL를 넣었다. 적하 깔때기에 디에틸포스핀산 클로라이드 45.0g(0.32mol)를 넣고, 반응 온도가 50℃를 초과하지 않게 적하했다. 적하 종료 후, 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 클로로포름 500mL 및 포화 탄산수소나트륨 수용액 300mL를 가하여 잘 교반하고, 유수 분리 후, 수층을 제거했다. 유기층을 증류수 200mL로 2회 수세하고, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후 증발기로 용매를 제거하여, 인 함유 화합물(I-5) 50.7g(수율 85.3%)를 얻었다.
＜실시예 2∼4, 비교예 1∼4＞
표 1에 기재한 조성으로 배합한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 양면 동장적층판을 제작하여 각종 평가를 실시했다. 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
Figure 112017072810369-pct00015
*1 HCA-HQ: 하기 구조식(6)으로 표시되는 화합물, 산코 가부시키가이샤제
Figure 112017072810369-pct00016
*2 FP-600: 하기 구조식(7)으로 표시되는 화합물, 가부시키가이샤 아데카제
Figure 112017072810369-pct00017
비교예 1에서는 프리프레그의 제작시에, 사용한 인 함유 화합물이 결정화했으므로, 균일한 프리프레그를 얻을 수 없고, 그 후의 평가도 실시할 수 없었다. 비교예 2에서는, 양면 동장적층판 제작시의 가압 경화시에, 일부 FP-600이라고 생각되는 성분이 분리되어, 균일한 적층판을 얻을 수 없었다.
표 1의 결과로부터, 본 발명의 난연성 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층판은, 양호한 난연성을 나타내는 것이 확인되었다.
산업상의 사용 가능성
본 발명의 난연성 에폭시 수지 조성물은, 할로겐을 사용하지 않기 때문에 환경 적정이 뛰어날 뿐만 아니라, 에폭시 수지가 가지는 에폭시기와의 반응점을 2개소 이상 가지는 인계 난연제를 사용하기 때문에, 작업성이 뛰어남과 동시에 경화시에 난연제의 블리드 현상이 발생하지 않고, 경화물의 물성도 저하하지 않는다. 특히, 본 발명의 난연성 에폭시 수지 조성물을 사용하여 제조한 적층판 등은, 난연성이 뛰어날 뿐만 아니라, 제조 적정, 환경 적정 및 물성도 우수하므로, 본 발명은 산업상 지극히 유용하다.

Claims (6)

  1. 에폭시 수지(A), 경화제(B), 및, 하기 일반식(1)으로 표시되는 인 함유 화합물(C)을 함유하는 것을 특징으로 하는, 난연성 에폭시 수지 조성물;
    Figure 112017072810369-pct00018

    단, 상기 식(1) 중의 m은 2∼10의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내고, R3는, 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 포함해도 되는 탄화수소기, X는 산소 원자 또는 황 원자, Y는, 산소 원자, 황 원자, 또는 -NR4-를 나타내고, 여기서 R4는, 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 식(1) 중의 R3가, 방향환을 적어도 1개 가지는 탄화수소기인, 에폭시 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 식(1) 중의 X 및 Y가 모두 산소 원자이고, R1 및 R2가, 각각 독립적으로 탄소수 1∼4인 알킬기이며, R3가 하기 일반식(2-1)∼(2-6)으로부터 선택되는 어느 하나의 구조를 가지는 기인, 에폭시 수지 조성물;
    Figure 112017072810369-pct00019

    단, 상기 식(2-1) 중의 R5는, 수소 원자 또는 탄소수가 1∼4인 알킬기를 나타낸다;
    Figure 112017072810369-pct00020

    단, 상기 식(2-2) 중의 n은 0∼3인 정수, o는 0∼50인 정수를 나타내고, R6는, 수소 원자 또는 탄소수가 1∼4인 알킬기, R7는, 산소 원자 또는 황 원자를 포함해도 되는 탄화수소기를 나타내고, Z는 수산기 또는 하기 일반식(2-3)으로 표시되는 관능기이다;
    Figure 112017072810369-pct00021

    단, 상기 식(2-3) 중의 R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다;
    Figure 112017072810369-pct00022

    Figure 112017072810369-pct00023

    Figure 112017072810369-pct00024
  4. 무기 섬유 및 유기 섬유로부터 선택되어 얻은 적어도 1종의 섬유로 이루어지는 시트 형상 기재와, 청구항 1에 기재된 에폭시 수지 조성물로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  5. 청구항 4에 기재된 프리프레그 또는 2 이상의 그 프리프레그를 적층하여 이루어지는 적층체의 적어도 일방의 표면에 금속박을 배치하여 적층하고, 열압착하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 적층판의 제조 방법.
  6. 청구항 5에 기재된 방법에 의해 제조되어 이루어지는 에폭시 수지 적층판.
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