KR102305947B1 - 기체-방출-감소된 실리콘 겔 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리오르가노실록산, 히드로실릴화 촉매, 억제제 또는 조절제, 및 도핑된 발열성 이산화티타늄을 포함하는 조성물, 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하기 위한 그의 용도, 및 이와 같은 보호 코팅에 관한 것이다.

Description

기체-방출-감소된 실리콘 겔 {GAS-EMISSION-REDUCED SILICONE GEL}
본 발명은 폴리오르가노실록산, 히드로실릴화 촉매, 억제제 또는 조절제, 및 도핑된 발열성 이산화티타늄을 포함하는 조성물, 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하기 위한 그의 용도, 및 또한 보호된 코팅 그 자체에 관한 것이다.
알케닐 기를 함유하는 폴리오르가노실록산, 예를 들어 비닐-기-종결된 폴리디메틸실록산을 포함하고, 폴리오르가노히드로실록산을 포함하고, 히드로실릴화 촉매의 사용으로 가교된 실리콘 겔이 존재한다는 것이 오랫동안 공지되어 있었다.
그러나, 150℃ 초과의 온도에서 이러한 실리콘 겔은, 메틸 기를 함유하는 실록산 중합체의 경우에, 일산화탄소 및 포름알데히드를 포함하는 기체의 방출을 유발하는 산화성 분해의 대상이다.
US 5,571,853은, 탄성률이 낮고 그럼에도 불구하고 가요성이 우수한, 전기 및 전자 부품의 보호를 위한 실리콘 겔을 기재하고 있다. 상기 문헌에 기재된 실리콘 겔은 비닐-기-종결된 폴리디메틸실록산, 비관능화 디메틸실록산, 오르가노히드로폴리실록산 및 히드로실릴화 촉매를 포함한다.
US 7,829,648은 탄성률이 낮아서 흐르지 않는 소프트 실리콘 겔을 기재하고 있다. 이는 알케닐 기를 함유하는 폴리실록산, 오르가노히드로폴리실록산 및 백금 촉매를 포함한다.
현재까지도, 고온에서의 산화성 분해를 억제함으로써 기체 방출이 감소된 실리콘 겔은 공지된 것이 전혀 존재하지 않는다.
따라서 본 발명의 목적은 임의의 생성되는 해로운 기체상 분해 생성물의 유리 없이 현저하게 150℃ 초과의 온도에서 사용하기에 적합한 실리콘 겔 배합물을 제공하는 것이다.
상기 목적은
a) 성분 A로서 30 내지 99.799989 중량%의, 2개 이상의 알케닐 또는 알키닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
b) 성분 B로서 0.1 내지 30 중량%의, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
c) 성분 C로서 0.000001 내지 1 중량%의 1종 이상의 히드로실릴화 촉매;
d) 성분 D로서 0.00001 내지 5 중량%의, 하기 군 D1 및 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제:
D1: 1개 이상의 알키닐 기 및 1개 이상의 히드록시 기를 갖는 유기 화합물;
D2: 2개 이상의 알케닐 기를 포함하는, 1 내지 5개의 Si 원자를 갖는 비-시클릭 또는 시클릭 오르가노실록산;
e) 성분 E로서 0.1 내지 30 중량%의 1종 이상의 도핑된 발열성 이산화티타늄;
f) 성분 F로서 0 내지 69.799989 중량%의, 2개 이상의 말단 Si-H 기, 또는 1개 이상의 말단 Si-H 기 및 1개 이상의 말단 알케닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
g) 성분 G로서 0 내지 69.799989 중량%의 1종 이상의 다른 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
h) 성분 H로서 0 내지 10 중량%의 1종 이상의 첨가제
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체가 100 중량%를 제공하는 것인 조성물을 통해 달성된다.
놀랍게도, 도핑된 발열성 이산화티타늄, 특히 철-도핑된 발열성 이산화티타늄을, 경화되어 겔 또는 코팅을 제공할 수 있는 오르가노실록산 배합물에 첨가하는 것은 오르가노폴리실록산의 산화성 분해를 억제하고, 이에 따라 기체상 분해 생성물의 방출을 감소시키는 것으로 발견되었다.
놀랍게도, 기체상 분해 생성물의 유리는 성분 E의 함량을 증가시킴에 따라 증가하지만, 후반에는 기체상 분해 생성물의 유리를 억제하는 것으로 본원에서 또한 발견되었다. 따라서, 성분 E의 함량은 낮게 유지하는 것이 유리하다. 반대로, 비도핑된 발열성 이산화티타늄이 성분 E 대신에 사용되다면, 분해-억제 효과는 폴리오르가노실록산에 첨가된 양에 따라 증가한다.
폴리오르가노실록산 혼합물의 산화성 분해의 억제, 및 이에 따른 기체상 분해 생성물의 유리의 억제는 현저하게 150℃ 초과의 온도에서 저장하는 동안 실리콘 표면의 경화에서의 증가를 측정함으로써 결정되었다. 이는 폴리오르가노실록산 혼합물의 산화성 분해가 폴리오르가노실록산 혼합물보다 경도가 더 높은 무기 이산화규소를 생성하기 때문에 가능하다.
도 1은 206℃에서 저장하는 동안 본 발명의 실시예 1 및 비교 실시예 1에서의 질량 손실을 저장 시간에 대하여 플롯팅한 다이어그램이다.
도 2는 206℃에서 저장하는 동안 본 발명의 실시예 1 및 비교 실시예 2의 침투 깊이를 저장 시간에 대하여 플롯팅한 다이어그램이다.
도 3은 206℃에서 저장하는 동안 본 발명의 실시예 1 내지 3의 침투 깊이를 저장 시간에 대하여 플롯팅한 다이어그램이다.
한 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 50 내지 99.69899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 15 중량%의 성분 B;
c) 0.00001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.001 내지 3 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 10 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 49.69899 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 49.69899 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 80 내지 99.5899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 10 중량%의 성분 B;
c) 0.0001 내지 0.5 중량%의 성분 C;
d) 0.01 내지 2 중량%의 성분 D;
e) 0.2 내지 5 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 19.5899 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 19.5899 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
한 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 34 내지 99.799989 중량%의 성분 A, 0 내지 65.799989 중량%의 성분 F, 및 0 내지 65.799989 중량%의 성분 G를 포함한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 34 내지 99.799989 중량%의 성분 A, 0 중량%의 성분 F, 0 중량%의 성분 G, 및 0 중량%의 성분 H를 포함한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 성분 A, B, C, D 및 E로 이루어지고, 여기서 성분 A 내지 E의 전체는 100 중량%를 제공한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 34 내지 99.799989 중량%의 성분 A;
b) 0.1 내지 30 중량%의 성분 B;
c) 0.000001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.00001 내지 5 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 30 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 65.799989 중량%의 성분 F, 특히 0 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 65.799989 중량%의 성분 G, 특히 0 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H, 특히 0 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
추가로 주어진 특히 바람직한 한 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 71 내지 99.69899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 15 중량%의 성분 B;
c) 0.00001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.001 내지 3 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 10 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 28.69899 중량%의 성분 F, 특히 0 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 28.69899 중량%의 성분 G, 특히 0 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H, 특히 0 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
매우 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 82.5 내지 99.5899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 10 중량%의 성분 B;
c) 0.0001 내지 0.5 중량%의 성분 C;
d) 0.01 내지 2 중량%의 성분 D;
e) 0.2 내지 5 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 17.0899 중량%의 성분 F, 특히 0 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 17.0899 중량%의 성분 G, 특히 0 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H, 특히 0 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
한 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 85.5 내지 99.4899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 10 중량%의 성분 B;
c) 0.0001 내지 0.5 중량%의 성분 C;
d) 0.01 내지 2 중량%의 성분 D;
e) 0.3 내지 2 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 13.9899 중량%의 성분 F, 특히 0 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 13.9899 중량%의 성분 G, 특히 0 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H, 특히 0 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
또 다른 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 92.5 내지 99.4899 중량%의 성분 A;
b) 0.2 내지 3 중량%의 성분 B;
c) 0.0001 내지 0.5 중량%의 성분 C;
d) 0.01 내지 2 중량%의 성분 D;
e) 0.3 내지 2 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 6.9899 중량%의 성분 F, 특히 0 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 6.9899 중량%의 성분 G, 특히 0 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H, 특히 0 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
또 다른 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 30 내지 99.798989 중량%의 성분 A;
b) 0.1 내지 30 중량%의 성분 B;
c) 0.000001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.00001 내지 5 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 30 중량%의 성분 E;
f) 0.001 내지 69.799989 중량%의 성분 F;
g) 0 내지 69.798989 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
또 다른 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 30 내지 99.798989 중량%의 성분 A;
b) 0.1 내지 30 중량%의 성분 B;
c) 0.000001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.00001 내지 5 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 30 중량%의 성분 E;
f) 0 내지 69.798989 중량%의 성분 F;
g) 0.001 내지 69.799989 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
또 다른 실시양태에서 본 발명의 조성물은
a) 30 내지 99.797989 중량%의 성분 A;
b) 0.1 내지 30 중량%의 성분 B;
c) 0.000001 내지 1 중량%의 성분 C;
d) 0.00001 내지 5 중량%의 성분 D;
e) 0.1 내지 30 중량%의 성분 E;
f) 0.001 내지 69.798989 중량%의 성분 F;
g) 0.001 내지 69.798989 중량%의 성분 G;
h) 0 내지 10 중량%의 성분 H
를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체는 100 중량%를 제공한다.
본 발명의 조성물은, 성분 A로서, 2개 이상의 알케닐 또는 알키닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산을 포함한다.
본 발명의 조성물이, 성분 A로서, 2개 이상의 알케닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산을 포함하는 것이 바람직하다. 알케닐 기는 바람직하게는 비닐 기, 특히 바람직하게는 말단 비닐 기이다.
한 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 A로서, 하기 화학식 IV의 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산을 포함한다.
<화학식 IV>
Figure 112016017085934-pct00001
상기 식에서,
R8은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
n은 6 내지 1000의 수이다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 A로서, 화학식 IV의 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산을 포함하며, 여기서 R8은 메틸이고, n은 6 내지 1000의 수이다.
본 발명의 목적을 위해 표현 "C1-C6-알킬"은 하기 군의 알킬 기를 의미한다: 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, n-펜틸, 3-메틸부틸, 2-메틸부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, n-헥실, 4-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 1-메틸펜틸, 2-에틸부틸, 1-에틸부틸, 1,1-디메틸부틸, 1,2-디메틸부틸, 1,3-디메틸부틸, 2,2-디메틸부틸, 2,3-디메틸부틸, 3,3-디메틸부틸, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,2,2-트리메틸프로필, 1-에틸-1-메틸프로필, 1-에틸-2-메틸프로필.
성분 A인 폴리오르가노실록산의 점도는 일반적으로 1 내지 500 000 mPa·s, 바람직하게는 100 내지 100 000 mPa·s, 특히 바람직하게는 100 내지 10 000 mPa·s이다.
본 발명의 조성물은 30 내지 99.799989 중량%, 바람직하게는 50 내지 99.69899 중량%, 특히 바람직하게는 80 내지 99.5899 중량%의 성분 A를 포함한다.
한 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은 바람직하게는 34 내지 99.799989 중량%, 특히 71 내지 99.69899 중량%, 매우 특히 82.5 내지 99.5899 중량%의 성분 A를 포함한다.
본 발명의 조성물은, 성분 B로서, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산을 포함한다.
본 발명의 조성물이, 성분 B로서, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물이, 성분 B로서, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리디메틸실록산을 포함하는 것이 특히 바람직하다.
성분 B인 폴리오르가노실록산의 Si-H 함량은 일반적으로 0.5 내지 20 mmol/g, 바람직하게는 1 내지 10 mmol/g, 특히 바람직하게는 1 내지 8 mmol/g, 특히 4 내지 8 mmol/g이다.
본 발명의 조성물이, 성분 B로서, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리디메틸실록산을 포함하는 것이 매우 특히 바람직하며, 여기서 폴리디메틸실록산의 Si-H 함량은 4 내지 8 mmol/g이다.
성분 B인 폴리오르가노실록산의 점도는 일반적으로 1 내지 10 000 mPa·s, 바람직하게는 1 내지 1000 mPa·s, 특히 바람직하게는 5 내지 100 mPa·s이다.
본 발명의 조성물은 0.1 내지 30 중량%, 바람직하게는 0.2 내지 15 중량%, 특히 바람직하게는 0.2 내지 10 중량%의 성분 B를 포함한다.
본 발명의 조성물은, 성분 C로서, 1종 이상의 히드로실릴화 촉매를 포함한다.
본 발명의 조성물이, 성분 C로서, 백금-군 금속을 기반으로 하는 히드로실릴화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 목적을 위해, 표현 "백금-군 금속"은 금속 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 및 백금을 의미한다. 백금을 기반으로 하는 히드로실릴화 촉매가 바람직하다. 추가의 바람직한 히드로실릴화 촉매는 백금-알케닐실록산 착물이다. 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물 (카르스테트(Karstedt) 착물), 백금-1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물, 백금-1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산 착물, 백금-1,1,3,3-테트라페닐디실록산 착물 및 백금-1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 착물로 이루어진 군으로부터 선택된 히드로실릴화 촉매가 특히 바람직하다. 히드로실릴화 촉매가 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물 (카르스테트 착물)인 것이 매우 특히 바람직하다.
본 발명의 조성물은 0.000001 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.00001 내지 1 중량%, 특히 바람직하게는 0.0001 내지 0.5 중량%의 성분 C를 포함한다.
본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 하기 군 D1 및 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제를 포함한다:
D1: 1개 이상의 알키닐 기 및 1개 이상의 히드록시 기를 갖는 유기 화합물;
D2: 2개 이상의 알케닐 기를 포함하는, 1 내지 5개의 Si 원자를 갖는 비-시클릭 또는 시클릭 오르가노실록산.
군 D1로부터의 화합물은 바람직하게는 3 내지 18개의 C 원자, 특히 바람직하게는 4 내지 16개의 C 원자, 매우 특히 바람직하게는 4 내지 12개의 C 원자를 갖는다.
군 D1이 정확히 1개의 알키닐 기 및 정확히 1개의 히드록시 기를 갖는 유기 화합물로 이루어진 것이 바람직하다.
군 D1이 정확히 1개의 말단 알키닐 기 및 정확히 1개의 히드록시 기를 갖는 유기 화합물로 이루어진 것이 특히 바람직하다.
또 다른 특정한 실시양태에서 군 D1은 하기 화학식 I의 알킨올로 이루어진다.
<화학식 I>
Figure 112016017085934-pct00002
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 서로 독립적으로 H, C1-C6-알킬, 및 치환 또는 비치환된 C3-C6-시클로알킬로부터 선택되거나; 또는
R1은 H, C1-C6-알킬, 및 치환 또는 비치환된 C3-C6-시클로알킬로부터 선택되고, R2, R3은 서로 결합되어, 1개 이상의 C1-C3-알킬 기에 의한 치환을 가질 수 있는 3- 내지 8-원의 고리를 형성한다.
본 발명의 목적을 위해 표현 "C3-C6-시클로알킬"은 하기 군의 시클로알킬 기를 의미한다: 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실.
한 실시양태에서 C3-C6-시클로알킬은 비치환되거나 또는 1개 이상의 C1-C1-알킬 기에 의한 치환을 갖는다.
군 D1이 화학식 I의 알킨올로 이루어지며, 여기서 R1, R2 및 R3은 서로 독립적으로 H, C1-C6-알킬, 및 치환 또는 비치환된 C3-C6-시클로알킬로부터 선택된 것이 바람직하다.
군 D1이 화학식 I의 알킨올로 이루어지며, 여기서 R1은 H이고, R2는 메틸이고, R3은 C1-C6-알킬로부터 선택된 것이 특히 바람직하다.
군 D1이 알킨올 2-메틸-3-부틴-2-올 및 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 특히 알킨올 3,5-디메틸-1-헥신-3-올로 이루어진 것이 매우 특히 바람직하다.
군 D2가 2개 이상의 알케닐 기를 포함하는, 2 내지 4개의 Si 원자를 갖는 비-시클릭 또는 시클릭 오르가노실록산으로 이루어진 것이 바람직하다.
군 D2가 오르가노실록산 테트라메틸디비닐실록산, 트리메틸트리비닐시클로트리실록산 및 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산으로 이루어진 것이 특히 바람직하다.
군 D2가 오르가노실록산 테트라메틸디비닐실록산 및 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산, 특히 오르가노실록산 테트라메틸디비닐실록산으로 이루어진 것이 매우 특히 바람직하다.
화합물 테트라메틸디비닐실록산, 트리메틸트리비닐시클로트리실록산 및 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산은 하기 도시되어 있다:
Figure 112016017085934-pct00003
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1 및 D2로부터 선택된 정확히 1종의 억제제 또는 조절제를 포함한다.
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D2로부터의 어떠한 억제제 또는 조절제도 전혀 포함하지 않는다.
또 다른 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 정확히 1종의 억제제 또는 조절제를 포함하고, 이는 군 D1로부터 선택된 억제제 또는 조절제이다.
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1으로부터의 어떠한 억제제 또는 조절제도 전혀 포함하지 않는다.
또 다른 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 정확히 1종의 억제제 또는 조절제를 포함하고, 이는 군 D2로부터 선택된 억제제 또는 조절제이다.
한 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1 및 D2로부터 선택된 2종 이상의 억제제 또는 조절제를 포함한다.
또 다른 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1 및 D2로부터 선택된 정확히 2종의 억제제 또는 조절제를 포함한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제, 및 군 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제를 포함한다.
군 D1로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제의 중량부의 합계 대 군 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제의 중량부의 합계의 비가 1:1 내지 1:50의 범위, 특히 1:5 내지 1:20의 범위, 매우 특히 1:10 내지 1:15의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또 다른 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 D로서, 군 D1로부터 선택된 정확히 1종의 억제제 또는 조절제, 및 군 D2로부터 선택된 정확히 1종의 억제제 또는 조절제를 포함한다.
군 D1로부터 선택된 억제제 또는 조절제 대 군 D2로부터 선택된 억제제 또는 조절제의 중량비가 1:1 내지 1:50의 범위, 특히 1:5 내지 1:20의 범위, 매우 특히 1:10 내지 1:15의 범위에 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 0.00001 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.001 내지 3 중량%, 특히 바람직하게는 0.01 내지 2 중량%의 성분 D를 포함한다.
촉매의 활성은 성분 D의 농도를 통해 제어될 수 있다.
본 발명의 조성물은, 성분 E로서, 1종 이상의 도핑된 발열성 이산화티타늄을 포함한다.
표현 "발열성 이산화티타늄"은 통상의 기술자에게 공지되어 있다. 발열성 이산화티타늄은 예로서 사염화티타늄의 화염 가수분해에 의해 제조될 수 있다. 상업적으로 입수가능한 발열성 이산화티타늄의 예는 에보닉(Evonik)으로부터의 에어록시드(AEROXIDE)® TiO2 P 25이다.
표현 "도핑된 발열성 이산화티타늄"은 통상의 기술자에게 공지되어 있다. 도핑된 발열성 이산화티타늄은 예로서 사염화티타늄 및 (도핑에 따른) 또 다른 클로라이드의 화염 가수분해에 의해 제조될 수 있다. 예로서 삼염화철을, 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 제조를 위해 다른 클로라이드로서 사용하는 것이 가능하다. 상업적으로 입수가능한 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 예는 에보닉으로부터의 에어록시드® TiO2 PF 2이다.
한 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 E로서, 철-도핑된 발열성 이산화티타늄, 알루미늄-도핑된 발열성 이산화티타늄, 세륨-도핑된 발열성 이산화티타늄 및 지르코늄-도핑된 발열성 이산화티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 도핑된 발열성 이산화티타늄을 포함한다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 본 발명의 조성물은, 성분 E로서, 1종 이상의 철-도핑된 발열성 이산화티타늄을 포함한다.
철-도핑된 발열성 이산화티타늄은 예로서 사염화티타늄 및 삼염화철의 화염 가수분해에 의해 생산될 수 있다.
철-도핑된 발열성 이산화티타늄에서 티타늄에 대한 철의 중량비는 바람직하게는 0.0001 내지 0.1의 범위, 특히 바람직하게는 0.001 내지 0.1의 범위, 매우 특히 바람직하게는 0.01 내지 0.05의 범위에 있다.
한 바람직한 실시양태에서 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 철 함량은 0.01 내지 10 중량%, 특히 0.1 내지 10 중량%, 매우 특히 1 내지 5 중량%, 특히 1 내지 2 중량%이다.
또 다른 바람직한 실시양태에서 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 산화철 함량은 0.01 내지 10 중량%, 특히 0.1 내지 10 중량%, 매우 특히 1 내지 5 중량%, 특히 1 내지 3 중량%이다.
성분 E인 도핑된, 바람직하게는 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 비표면적 (BET 방법에 의해 결정됨)은 일반적으로 30 내지 400 m2/g, 바람직하게는 30 내지 200 m2/g, 특히 바람직하게는 35 내지 100 m2/g, 매우 특히 바람직하게는 35 내지 80 m2/g이다.
성분 E인 도핑된, 바람직하게는 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 평균 입자 크기는 일반적으로 10 내지 300 nm, 바람직하게는 10 내지 200 nm, 특히 바람직하게는 10 내지 100 nm, 매우 특히 바람직하게는 10 내지 50 nm이다.
성분 E인 도핑된, 바람직하게는 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 탬핑 밀도 (DIN EN ISO 787/11에 따라 결정됨)는 일반적으로 10 내지 500 g/l, 바람직하게는 30 내지 200 g/l, 특히 바람직하게는 50 내지 150 g/l, 매우 특히 바람직하게는 80 내지 120 g/l이다.
본 발명의 조성물은 0.1 내지 30 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%, 특히 바람직하게는 0.2 내지 5 중량%의 성분 E를 포함한다.
한 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은 0.3 내지 2 중량%의 성분 E를 포함한다.
본 발명의 조성물은, 성분 F로서, 2개의 말단 Si-H 기, 또는 1개의 말단 Si-H 기 및 1개의 말단 알케닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산을 임의로 포함한다.
성분 F가 2개의 말단 Si-H 기, 또는 1개의 말단 Si-H 기 및 1개의 말단 알케닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산인 것이 바람직하다.
한 바람직한 실시양태에서 성분 F는 하기 화학식 II의 1종 이상의 폴리오르가노실록산이다.
<화학식 II>
Figure 112016017085934-pct00004
상기 식에서,
R4는 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
R5는 H 및 C2-C6-알케닐로부터 선택되고;
m은 1 내지 400의 수이다.
R4는 바람직하게는 메틸이다.
R5는 바람직하게는 H 또는 비닐이다.
m은 바람직하게는 2 내지 400의 수이다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 성분 F는 화학식 II의 1종 이상의 폴리오르가노실록산이고, 여기서 R4는 메틸이고, R5는 H 또는 비닐이고, m은 2 내지 400의 수이다.
본 발명의 목적을 위해 표현 "C2-C6-알케닐"은 하기 군의 알케닐 기를 의미한다: 비닐, 알릴, 메트알릴, 1-메틸알릴, 호모알릴, 시스-부트-2-에닐, 트랜스-부트-2-에닐, 시스-펜트-1-에닐, 트랜스-펜트-1-에닐, 시스-펜트-2-에닐, 트랜스-펜트-2-에닐, 시스-펜트-3-에닐, 트랜스-펜트-3-에닐, 시스-1-메틸부트-1-에닐, 트랜스-1-메틸부트-1-에닐, 시스-2-메틸부트-1-에닐, 트랜스-2-메틸부트-1-에닐, 시스-3-메틸부트-1-에닐, 트랜스-3-메틸부트-1-에닐, 시스-1-메틸부트-2-에닐, 트랜스-1-메틸부트-2-에닐, 시스-2-메틸부트-2-에닐, 트랜스-2-메틸부트-2-에닐, 3-메틸부트-2-에닐, 1-메틸부트-3-에닐, 2-메틸부트-3-에닐, 3-메틸부트-3-에닐, 시스-1-에틸프로프-1-에닐, 트랜스-1-에틸프로프-1-에닐, 1-에틸프로프-2-에닐, 시스-헥스-1-에닐, 트랜스-헥스-1-에닐, 시스-헥스-2-에닐, 트랜스-헥스-2-에닐, 시스-헥스-3-에닐, 트랜스-헥스-3-에닐, 시스-헥스-4-에닐, 트랜스-헥스-4-에닐, 헥스-5-에닐, 시스-1-메틸펜트-1-에닐, 트랜스-1-메틸펜트-1-에닐, 시스-2-메틸펜트-1-에닐, 트랜스-2-메틸펜트-1-에닐, 시스-3-메틸펜트-1-에닐, 트랜스-3-메틸펜트-1-에닐, 시스-4-메틸펜트-1-에닐, 트랜스-4-메틸펜트-1-에닐, 시스-1-메틸펜트-2-에닐, 트랜스-1-메틸펜트-2-에닐, 시스-2-메틸펜트-2-에닐, 트랜스-2-메틸펜트-2-에닐, 시스-3-메틸펜트-2-에닐, 트랜스-3-메틸펜트-2-에닐, 시스-4-메틸펜트-2-에닐, 트랜스-4-메틸펜트-2-에닐, 시스-1-메틸펜트-3-에닐, 트랜스-1-메틸펜트-3-에닐, 시스-2-메틸펜트-3-에닐, 트랜스-2-메틸펜트-3-에닐, 시스-3-메틸펜트-3-에닐, 트랜스-3-메틸펜트-3-에닐, 4-메틸-펜트-3-에닐, 1-메틸펜트-4-에닐, 2-메틸펜트-4-에닐, 3-메틸펜트-4-에닐, 4-메틸펜트-4-에닐, 시스-1,2-디메틸부트-1-에닐, 트랜스-1,2-디메틸부트-1-에닐, 시스-1,3-디메틸부트-1-에닐, 트랜스-1,3-디메틸부트-1-에닐, 시스-3,3-디메틸부트-1-에닐, 트랜스-3,3-디메틸부트-1-에닐, 시스-1,1-디메틸부트-2-에닐, 트랜스-1,1-디메틸부트-2-에닐, 시스-1,2-디메틸부트-2-에닐, 트랜스-1,2-디메틸부트-2-에닐, 시스-1,3-디메틸부트-2-에닐, 트랜스-1,3-디메틸부트-2-에닐, 시스-2,3-디메틸부트-2-에닐, 트랜스-2,3-디메틸부트-2-에닐, 1,1-디메틸부트-3-에닐, 1,2-디메틸부트-3-에닐, 1,3-디메틸부트-3-에닐, 2,2-디메틸부트-3-에닐, 2,3-디메틸부트-3-에닐.
성분 F인 폴리오르가노실록산의 점도는 일반적으로 1 내지 10 000 mPa·s, 바람직하게는 10 내지 1000 mPa·s, 특히 바람직하게는 10 내지 50 mPa·s이다.
본 발명의 조성물은 0 내지 69.799989 중량%, 바람직하게는 0 내지 49.69899 중량%, 특히 바람직하게는 0 내지 19.5899 중량%의 성분 F를 포함한다.
한 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은 바람직하게는 0 내지 65.799989 중량%, 특히 0 내지 28.69899 중량%, 매우 특히 0 내지 17.0899 중량%의 성분 F를 포함한다.
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 0 중량%의 성분 F를 포함한다.
본 발명의 조성물은 성분 G로서 1종 이상의 다른 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산을 임의로 포함한다.
성분 G가 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산인 것이 바람직하다.
성분 G가 1종 이상의 선형 폴리디메틸실록산인 것이 특히 바람직하다.
한 바람직한 실시양태에서 성분 G는 하기 화학식 III의 1종 이상의 폴리오르가노실록산이다.
<화학식 III>
Figure 112016017085934-pct00005
상기 식에서,
R6은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
R7은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
p는 1 내지 2000의 수이다.
R6은 바람직하게는 메틸이다.
R7은 바람직하게는 메틸이다.
p는 바람직하게는 10 내지 1000의 수, 특히 10 내지 900의 수이다.
하나의 특히 바람직한 실시양태에서 성분 G는 화학식 II의 1종 이상의 폴리오르가노실록산이고, 여기서 R6은 메틸이고, R7은 메틸이고, p는 10 내지 900의 수이다.
성분 G의 폴리오르가노실록산의 점도는 일반적으로 1 내지 100 000 mPa·s, 바람직하게는 10 내지 10 000 mPa·s이다.
본 발명의 조성물은 0 내지 69.799989 중량%, 바람직하게는 0 내지 49.69899 중량%, 특히 바람직하게는 0 내지 19.5899 중량%의 성분 G를 포함한다.
한 구체적 실시양태에서 본 발명의 조성물은 바람직하게는 0 내지 65.799989 중량%, 특히 0 내지 28.69899 중량%, 매우 특히 0 내지 17.0899 중량%의 성분 G를 포함한다.
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 0 중량%의 성분 G를 포함한다.
본 발명의 조성물은 성분 H로서 1종 이상의 첨가제를 임의로 포함한다.
성분 H의 첨가제는 특히 통상의 첨가제이다.
성분 H가 안료, 염료, 접착 촉진제, 난연제, UV 안정화제 및 UV 형광 마커로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 첨가제인 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 0 내지 10 중량%, 특히 바람직하게는 0 내지 10 중량%의 성분 H를 포함한다.
한 실시양태에서 본 발명의 조성물은 0 중량%의 성분 H를 포함한다.
본 발명의 조성물의 Si-알케닐 기에 대한 Si-H 기의 몰비는 바람직하게는 0.3 내지 5의 범위, 특히 바람직하게는 0.3 내지 2, 매우 특히 바람직하게는 0.3 내지 1.5의 범위에 있다.
본 발명의 조성물의 전단 점도는 일반적으로 10 s-1의 전단율에서 최대 100 000 mPa·s이다. 본 발명의 조성물의 전단 점도가 10 s-1의 전단율에서 최대 10 000 mPa·s인 것이 바람직하다.
본 발명의 목적을 위해 용어 "점도"는 동적 점도 (η)를 의미하고, 이에 대한 단위는 N·s·m-2 = Pa·s 또는 mN·s·m-2 = mPa·s이다.
표현 "전단 점도"는 용어 "점도"와 동일한 것을 의미한다. 표현 "전단 점도"는 특히 언급된 점도가 특정한 전단율을 기반으로 할 때 용어 "점도" 대신에 사용된다. 이어서, 이것은 단지 점도가 전단율의 함수로서 변화한다는 것을 나타내기 위해 의도된다.
점도는 통상의 기술자에게 공지된 널리 다양한 방법에 의해 결정될 수 있다. 예로서, 동적 점도는 모세관 점도계, 낙하-공 점도계 또는 회전식 레오미터에 의해 결정될 수 있다. 점도 결정의 포괄적 설명은 문헌 [Meichsner, G./Mezger, T.G./Schroeder, J. (1997) Lackeigenschaften messen und steuern [Measurement and control of properties of coating materials], in Zorll, U. (ed.), Rheometrie [Rheometry] (pp. 50-81). Hanover: Vincenz]에서 발견된다. 명백히 달리 언급되지 않는 한, 본원에 언급된 점도는 진동/회전 레오미터 (안톤 파르(Anton Paar)로부터의 MCR-302)에서 결정되었다.
명백히 달리 언급되지 않는 한, 본원에 열거된 모든 점도는 실온 (23℃)을 기반으로 한다.
저장시에 본 발명의 조성물의 안정성에 있어서 추가적 개선을 달성하기 위해, 성분 A 내지 E, 및 적절한 경우에 F 내지 H를 두 부분적 혼합물로 분할하는 것이 가능하고, 여기서 성분 C는 성분 B, 및 적절한 경우에 성분 F가 첨가되어 있는 것과는 상이한 부분적 혼합물에 첨가된다. 두 부분적 혼합물은 예로서 그의 사용 전에 서로 간단하게 혼합될 수 있다.
본 발명은 또한
a) 본 발명에 따른 조성물의 제공 단계;
b) 전기 또는 전자 부품 또는 장치에의 조성물의 적용 단계; 및
c) 적용된 조성물의 경화, 이에 따른 보호 코팅의 형성 단계
를 포함하는, 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하는 방법을 제공한다
단계 b)에서의 적용은 일반적으로 통상의 기술자에게 공지된 통상의 방법을 통해 달성된다. 이러한 방법의 예는 진공 캐스팅 및 다른 캐스팅 방법이다.
단계 c)에서의 경화는 실온에서 발생할 수 있다. 단계 c)에서의 경화가 가열에 의해 달성되는 것이 바람직하다.
경화가 가열에 의해 달성되는 경우에, 이것은 일반적으로 통상의 기술자에게 공지된 통상의 방법에 의해 달성된다. 예를 들어 오븐 또는 전자기 방사선을 이용하는 것이 가능하다.
적용된 조성물이 실온 내지 250℃, 특히 실온 내지 150℃의 온도에서 경화되는 것이 바람직하다.
본 발명의 방법에 의해 적용된 보호 코팅의 층 두께는 일반적으로 0.01 내지 30 cm, 바람직하게는 0.1 내지 30 cm이다.
본 발명의 방법은 온도 ≥ 150℃에 장기 노출되는 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하는데 적합하다.
특히, 본 발명의 방법은 또한, 특히 자동차 부문 및 전력 전자 공학 부문에서, IGBT (절연 게이트 양극성 트랜지스터), 제어 모듈, 회로 기판 및 반도체에 보호 코팅을 적용하는데 적합하다. 본 발명의 방법은 또한 고-전압 적용에 이용될 수 있다.
본 발명은 추가로 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하기 위한 본 발명의 조성물의 용도를 제공한다.
본 발명은 또한 본 발명의 방법을 통해 수득가능한, 전기 또는 전자 부품 또는 장치 상의 보호 코팅을 제공한다.
본 발명은 추가로 본 발명의 보호 코팅 또는 본 발명의 방법을 통해 수득가능한 보호 코팅이 적용된 전기 또는 전자 부품 또는 장치를 제공한다.
하기 실시예는 본 발명을 추가로 설명한다.
실시예
하기 열거된 모든 혼합물을 알루미늄 디쉬에 채우고, 72시간 동안 120℃로 가열하여 완전 가교를 달성하였다. 이어서, 디쉬를 206℃에서 대류 오븐에 저장하였다. 기체 방출을 저장 시간 동안 여기서 모니터링하였다. 이 목적을 위해, 침투 경도 및/또는 질량 손실을 간격을 두고 결정하였다.
침투 경도는 DIN EN ISO 2137에 따라 PNR10 페트로테스트(Petrotest) 장치로 측정하였다. 투과 헤드는 1/4-규모 원뿔형이다.
한스 에보닉(Hanse Evonik)으로부터의 중합체 VS 2000을 본 발명의 실시예 및 비교 실시예에서 성분 A로서 사용하였다. 이는 양쪽 말단에 비닐 기를 갖는 선형 폴리디메틸실록산이다.
BRB 인터내셔널 B.V.(BRB International B.V.)로부터의 가교제 1595H7을 본 발명의 실시예 및 비교 실시예에서 성분 B로서 사용하였다. 이는 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 선형 폴리디메틸실록산이다.
본 발명의 실시예 1 내지 3은, 성분 E로서, 에보닉으로부터의 철-도핑된 발열성 이산화티타늄 에어록시드® TiO2 PF 2를 사용하였다.
비교 실시예 1
점도가 2000 mPa·s인 디비닐폴리디메틸실록산 (성분 A) 1985.42 중량부, 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 폴리디메틸실록산 (성분 B) 13.5 중량부, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 (성분 D) 0.08 중량부, 및 1,2-디비닐테트라메틸디실록산 (성분 D) 중 카르스테트 착물의 1% 용액 (성분 C) 1 중량부의 혼합물을 완전히 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 206℃에서 72시간 동안 가교시켰다. 질량 손실을 206℃에서 저장하는 동안 결정하였다.
본 발명의 실시예 1
점도가 2000 mPa·s인 디비닐폴리디메틸실록산 (성분 A) 1985.42 중량부, 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 폴리디메틸실록산 (성분 B) 13.5 중량부, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 (성분 D) 0.08 중량부, 1,2-디비닐테트라메틸디실록산 (성분 D) 중 카르스테트 착물의 1% 용액 (성분 C) 1 중량부, 및 철-도핑된 발열성 이산화티타늄 (성분 E) 10 중량부의 혼합물을 완전히 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 206℃에서 72시간 동안 가교시켰다. 침투 경도 및 질량 손실을 206℃에서 저장하는 동안 결정하였다.
도 1은 저장 시간 (일) (가로좌표)에 대한 206℃에서 저장하는 동안의 본 발명의 실시예 1 및 비교 실시예 1의 질량 손실 (%) (세로좌표)을 플롯팅하였다. 시점 x에서의 질량 손실은 시점 0, 즉 206℃에서의 저장이 시작하는 시점에서의 질량을 기준으로 하고, 다음과 같이 계산된다:
(시점 x에서의) 질량 손실 (%) =
{[(시점 0에서의) 질량 - (시점 x에서의) 질량]/(시점 0에서의) 질량}·100
도 1로부터 본 발명의 실시예 1에서의 질량 손실이 비교 실시예 1에서보다 현저하게 더 적으며, 즉 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 사용이 질량 손실을 현저하게 감소시킨다는 것이 보여질 수 있다.
비교 실시예 2
점도가 2000 mPa·s인 디비닐폴리디메틸실록산 (성분 A) 1985.42 중량부, 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 폴리디메틸실록산 (성분 B) 13.5 중량부, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 (성분 D) 0.08 중량부, 1,2-디비닐테트라메틸디실록산 (성분 D) 중 카르스테트 착물의 1% 용액 (성분 C) 1 중량부, 및 비도핑된 발열성 이산화티타늄 10 중량부의 혼합물을 완전히 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 206℃에서 72시간 동안 가교시켰다. 침투 경도를 206℃에서 저장하는 동안 결정하였다.
도 2는 저장 시간 (h) (가로좌표)에 대한 206℃에서 저장하는 동안의 본 발명의 실시예 1 및 비교 실시예 2의 침투 깊이 (mm) (세로좌표)를 플롯팅하였다.
도 2로부터 철-도핑된 발열성 이산화티타늄이 침투 경도의 증가를 방지하는데 있어서 비도핑된 발열성 이산화티타늄보다 더 효과적이라는 것이 보여질 수 있다.
본 발명의 실시예 2
점도가 2000 mPa·s인 디비닐폴리디메틸실록산 (성분 A) 1985.42 중량부, 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 폴리디메틸실록산 (성분 B) 13.5 중량부, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 (성분 D) 0.08 중량부, 1,2-디비닐테트라메틸디실록산 (성분 D) 중 카르스테트 착물의 1% 용액 (성분 C) 1 중량부, 및 철-도핑된 발열성 이산화티타늄 (성분 E) 20 중량부의 혼합물을 완전히 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 206℃에서 72시간 동안 가교시켰다. 침투 경도를 206℃에서 저장하는 동안 결정하였다.
본 발명의 실시예 3
점도가 2000 mPa·s인 디비닐폴리디메틸실록산 (성분 A) 1985.42 중량부, 7 mmol/g Si-H 함량을 갖는 폴리디메틸실록산 (성분 B) 13.5 중량부, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 (성분 D) 0.08 중량부, 1,2-디비닐테트라메틸디실록산 (성분 D) 중 카르스테트 착물의 1% 용액 (성분 C) 1 중량부, 및 철-도핑된 발열성 이산화티타늄 (성분 E) 30 중량부의 혼합물을 완전히 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 206℃에서 72시간 동안 가교시켰다. 침투 경도를 206℃에서 저장하는 동안 결정하였다.
도 3은 저장 시간 (h) (가로좌표)에 대한 206℃에서 저장하는 동안의 본 발명의 실시예 1 내지 3의 침투 깊이 (mm) (세로좌표)를 플롯팅하였다.
도 3으로부터 철-도핑된 발열성 이산화티타늄에 대한 이상적 농도가 존재한다는 것이 보여질 수 있다. 이를 초과하는 경우에, 산화성 분해가 증가되고, 경도가 증가한다. 이러한 거동은 놀라운 것이고, 예측할 수 없었다.

Claims (18)

  1. a) 성분 A로서 30 내지 99.799989 중량%의, 2개 이상의 알케닐 또는 알키닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
    b) 성분 B로서 0.1 내지 30 중량%의, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
    c) 성분 C로서 0.000001 내지 1 중량%의 1종 이상의 히드로실릴화 촉매;
    d) 성분 D로서 0.00001 내지 5 중량%의, 하기 군 D1 및 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제이며, 상기 군 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제를 포함하는, 억제제 또는 조절제:
    D1: 1개 이상의 알키닐 기 및 1개 이상의 히드록시 기를 갖는 유기 화합물;
    D2: 2개 이상의 알케닐 기를 포함하는, 1 내지 5개의 Si 원자를 갖는 비-시클릭 또는 시클릭 오르가노실록산;
    e) 성분 E로서 0.2 내지 5 중량%의 1종 이상의 철-도핑된 발열성 이산화티타늄 (여기서 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 철 함량은 0.1 내지 10 중량%임);
    f) 성분 F로서 0 내지 69.799989 중량%의, 2개의 말단 Si-H 기, 또는 1개의 말단 Si-H 기 및 1개의 말단 알케닐 기를 포함하는 1종 이상의 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
    g) 성분 G로서 0 내지 69.799989 중량%의 1종 이상의 다른 선형 또는 분지형 폴리오르가노실록산;
    h) 성분 H로서 0 내지 10 중량%의 1종 이상의 첨가제
    를 포함하며; 여기서 성분 A 내지 H의 전체가 100 중량%를 제공하는 것인 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 34 내지 99.799989 중량%의 성분 A, 0 내지 65.799989 중량%의 성분 F, 및 0 내지 65.799989 중량%의 성분 G를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 34 내지 99.799989 중량%의 성분 A, 0 중량%의 성분 F, 0 중량%의 성분 G, 및 0 중량%의 성분 H를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 성분 A, B, C, D 및 E로 이루어지고, 여기서 성분 A 내지 E의 전체가 100 중량%를 제공하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 성분 A로서, 하기 화학식 IV의 1종 이상의 선형 폴리오르가노실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 IV>
    Figure 112019083845068-pct00006

    상기 식에서,
    R8은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
    n은 6 내지 1000의 수이다.
  6. 제1항에 있어서, 성분 B로서, 3개 이상의 Si-H 기를 포함하는 1종 이상의 선형 폴리디메틸실록산을 포함하고, 여기서 폴리디메틸실록산의 Si-H 함량이 4 내지 8 mmol/g인 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 히드로실릴화 촉매가 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물 (카르스테트(Karstedt) 착물), 백금-1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물, 백금-1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산 착물, 백금-1,1,3,3-테트라페닐디실록산 착물 및 백금-1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 착물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 군 D1이 하기 화학식 I의 알킨올로 이루어진 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 I>
    Figure 112019083845068-pct00007

    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 서로 독립적으로 H, C1-C6-알킬, 및 치환 또는 비치환된 C3-C6-시클로알킬로부터 선택되거나; 또는
    R1은 H, C1-C6-알킬, 및 치환 또는 비치환된 C3-C6-시클로알킬로부터 선택되고, R2, R3은 서로 결합되어, 1개 이상의 C1-C3-알킬 기에 의한 치환을 가질 수 있는 3- 내지 8-원의 고리를 형성한다.
  9. 제1항에 있어서, 군 D2가 오르가노실록산 테트라메틸디비닐실록산, 트리메틸트리비닐시클로트리실록산 및 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산으로 이루어진 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 성분 D로서, 군 D1로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제, 및 군 D2로부터 선택된 1종 이상의 억제제 또는 조절제를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 철-도핑된 발열성 이산화티타늄의 산화철 함량이 1 내지 3 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 성분 F가 하기 화학식 II의 1종 이상의 폴리오르가노실록산인 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 II>
    Figure 112019083845068-pct00008

    상기 식에서,
    R4는 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
    R5는 H 및 C2-C6-알케닐로부터 선택되고;
    m은 1 내지 400의 수이다.
  13. 제1항에 있어서, 성분 G가 하기 화학식 III의 1종 이상의 폴리오르가노실록산인 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 III>
    Figure 112019083845068-pct00009

    상기 식에서,
    R6은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
    R7은 독립적으로 C1-C6-알킬로부터 선택되고;
    p는 1 내지 2000의 수이다.
  14. a) 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 청구된 바와 같은 조성물의 제공 단계;
    b) 전기 또는 전자 부품 또는 장치에의 조성물의 적용 단계; 및
    c) 적용된 조성물의 경화, 이에 따른 보호 코팅의 형성 단계
    를 포함하는, 전기 또는 전자 부품 또는 장치에 보호 코팅을 적용하는 방법.
  15. 제14항에 청구된 바와 같은 방법을 통해 수득가능한, 전기 또는 전자 부품 또는 장치 상의 보호 코팅.
  16. 제15항에 청구된 바와 같은 보호 코팅이 적용된 전기 또는 전자 부품.
  17. 제15항에 청구된 바와 같은 보호 코팅이 적용된 전기 또는 전자 장치.
  18. 삭제
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018051158A1 (en) * 2016-09-19 2018-03-22 Wacker Chemie Ag Thermally stable silicone potting compositions
CN109863207A (zh) * 2016-10-28 2019-06-07 信越化学工业株式会社 耐热性混炼型硅橡胶组合物
JP7102899B2 (ja) * 2018-04-24 2022-07-20 Ａｇｃ株式会社 積層体および電子デバイスの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010501644A (ja) * 2006-06-07 2010-01-21 ブルースター・シリコーン・フランス・エスアエス エラストマーフォーム用のオルガノポリシロキサン組成物
KR101334349B1 (ko) 2011-12-15 2013-11-29 한국과학기술연구원 가열 경화성 실록산 봉지재 조성물

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189545A (en) 1978-03-13 1980-02-19 General Electric Company Silicone foam composition which has burn resistant properties
CA2064989A1 (en) * 1991-04-23 1992-10-24 Dawn M. Houghtaling One part solventless conformal coatings
DE4235996A1 (de) * 1992-10-24 1994-04-28 Degussa Flammenhydrolytisch hergestelltes Titandioxid-Mischoxid, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung
JP2739407B2 (ja) 1993-02-09 1998-04-15 信越化学工業株式会社 低弾性率シリコーンゲル組成物及びそのゲル状硬化物
JP3540356B2 (ja) * 1994-03-14 2004-07-07 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 コンフォーマルコーティング剤
JP3466272B2 (ja) * 1994-04-27 2003-11-10 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
DE19531568A1 (de) * 1995-08-28 1997-03-06 Bayer Ag Flüssige Organopolysiloxan-Harze, ein Verfahren zu deren Herstellung, niedrigviskose Polydiorganosiloxan-Zusammensetzungen, enthaltend flüssige Organopolysiloxan-Harze und deren Verwendung
DE19848480A1 (de) * 1998-10-21 2000-05-04 Degussa Verfahren zur Verbesserung der Stabilität von Polymeren
DE10059003A1 (de) * 2000-11-28 2002-07-04 Degussa Verfahren zur Hitzestabilisierung von Polymeren
ES2321281T3 (es) * 2001-01-25 2009-06-04 KETTENBACH GMBH &amp; CO. KG Materiales miscibles en un mezclador y endurecibles en dos etapas.
DE20121446U1 (de) * 2001-01-25 2002-10-17 Kettenbach Gmbh & Co Kg Zweistufig härtbare mischergängige Materialien
JP4875251B2 (ja) * 2001-04-26 2012-02-15 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーンゲル組成物
JP4920147B2 (ja) * 2001-08-17 2012-04-18 信越化学工業株式会社 半導電ロール
JP2004031203A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電接点素子及び電気コネクタ
DE10235268A1 (de) * 2002-08-01 2004-02-12 Wacker-Chemie Gmbh Vernetzende Siliconelastomere, Verfahren zu deren Herstellung sowie die Verwendung der vernetzbaren Massen
US6838140B1 (en) * 2003-06-13 2005-01-04 Xerox Corporation Fuser member having platinum catalyzed addition cured silicone layer
CN100422264C (zh) * 2004-05-07 2008-10-01 信越化学工业株式会社 硅氧烷凝胶组合物
WO2007021493A2 (en) * 2005-07-29 2007-02-22 Aspen Aerogels, Inc. Coated aerogel composites
US7767754B2 (en) * 2005-11-08 2010-08-03 Momentive Performance Materials Inc. Silicone composition and process of making same
US8064808B2 (en) * 2008-08-25 2011-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Developing roller, and electrophotographic process cartridge and electrophotographic image forming apparatus comprising the developing roller
JP5587902B2 (ja) * 2008-11-25 2014-09-10 ブルースター・シリコーンズ・フランス・エスアエス グアニジン構造を有する化合物及びそのオルガノポリシロキサン重縮合触媒としての使用
WO2012017138A1 (fr) * 2010-07-19 2012-02-09 Bluestar Silicones France Nouveaux catalyseurs d'hydrosilylation
CN103013125B (zh) * 2011-09-26 2015-07-08 北京科化新材料科技有限公司 一种绝缘硅橡胶组合物
US20140291872A1 (en) * 2011-10-06 2014-10-02 Dow Corning Corporation Gel Having Improved Thermal Stability

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010501644A (ja) * 2006-06-07 2010-01-21 ブルースター・シリコーン・フランス・エスアエス エラストマーフォーム用のオルガノポリシロキサン組成物
KR101334349B1 (ko) 2011-12-15 2013-11-29 한국과학기술연구원 가열 경화성 실록산 봉지재 조성물

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