KR102287519B1 - 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자 - Google Patents

전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102287519B1
KR102287519B1 KR1020197008194A KR20197008194A KR102287519B1 KR 102287519 B1 KR102287519 B1 KR 102287519B1 KR 1020197008194 A KR1020197008194 A KR 1020197008194A KR 20197008194 A KR20197008194 A KR 20197008194A KR 102287519 B1 KR102287519 B1 KR 102287519B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
optical scattering
scattering layer
resin
layer
Prior art date
Application number
KR1020197008194A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190044080A (ko
Inventor
야스노부 고바야시
다케시 하키이
슌 후루카와
šœ 후루카와
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20190044080A publication Critical patent/KR20190044080A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102287519B1 publication Critical patent/KR102287519B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/38—Esters containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F28/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur
    • C08F28/02—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur by a bond to sulfur
    • C08F28/04—Thioethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/14—Polycondensates modified by chemical after-treatment
    • C08G59/1433—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds
    • C08G59/1483—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C08G61/10—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aromatic carbon atoms, e.g. polyphenylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/02—Polythioethers
    • C08G75/06—Polythioethers from cyclic thioethers
    • C08G75/08—Polythioethers from cyclic thioethers from thiiranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/004—Reflecting paints; Signal paints
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/12—Copolymers
    • C08G2261/124—Copolymers alternating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/18—Definition of the polymer structure conjugated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/22—Molecular weight
    • C08G2261/226—Oligomers, i.e. up to 10 repeat units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/22—Molecular weight
    • C08G2261/228—Polymers, i.e. more than 10 repeat units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
    • C08G2261/3223—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. thiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/90—Applications
    • C08G2261/91—Photovoltaic applications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/90—Applications
    • C08G2261/95—Use in organic luminescent diodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D165/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0278—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

광학 특성이 우수함과 함께, 장기 보존성 및 스크래치 내성이 우수한 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공한다. 수지 기재 상에 적어도 하나의 기능층을 가진 전자 디바이스에 있어서, 상기 기능층에, 수지 성분으로서 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유하고, 상기 X 및 X'는 각각 독립적으로, 적어도 하기 식 (1) 내지 (7) 중 어느 구조를 갖고, 상기 Y는 적어도 하나의 S 원자와 하나의 방향환을 갖는 2가기인 전자 디바이스를 구성한다.
Figure 112019029028678-pct00015

Description

전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
본 발명은 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자에 관한 것이다.
수지 필름이나 유리판 상에 도전성 물질을 사용하여 형성된 도전층을 구비하는 투명 도전 부재는, 디스플레이나 조명 패널 등에 사용되는 유기 일렉트로루미네센스(OEL: Organic Electro Luminescence) 소자, 태양 전지, 전자 페이퍼 등의 박형의 전자 디바이스의 투명 전극으로서 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 유리판의 적어도 편면에 광산란 기능을 갖는 수지층을 적층한 플렉시블 기판이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-39135호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 수지층에 있어서는, 구체적으로 개시된 수지로는, 굴절률이 낮고, 광산란능도 낮다. 또한, 수지층의 표면의 공극이나, 아웃 가스의 발생 등에 의해, 수지층의 열화나 인접층에 대한 악영향이 발생한다. 그 때문에, 특허문헌 1에 기재된 플렉시블 기판을 사용한 전자 디바이스는, 장기 보존성이 저하된다는 문제가 있다. 또한, 전자 디바이스의 고효율화, 대면적화에는 고굴절률 수지가 필요한데, 소재의 성질 상, 고굴절률 수지를 사용한 수지층을 구비하는 전자 디바이스는, 장기 보존성에 문제가 있다. 또한, 종래의 플렉시블 기판 등을 전자 디바이스의 외측에 배치한 경우, 기판이 마찰되어 손상되기 쉬워, 스크래치 내성이 낮다는 문제가 있다.
본 발명은 광학 특성이 우수함과 함께, 장기 보존성 및 스크래치 내성이 우수한 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 상기 과제는, 이하의 수단에 의해 해결된다.
1. 수지 기재 상에 적어도 하나의 기능층을 가진 전자 디바이스에 있어서, 상기 기능층에, 수지 성분으로서 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유하고, 상기 X 및 X'는 각각 독립적으로, 적어도 하기 식 (1) 내지 (7) 중 어느 구조를 갖고, 상기 Y는 적어도 하나의 S 원자와 하나의 방향환을 갖는 2가기인 전자 디바이스.
Figure 112019029028678-pct00001
2. 상기 Y가, -R-R'-, -R-S-R'-, -R-S(O)-R'-, 및 -R-S(O)2-R'- 중 어느 구조이며, 상기 R 및 R'는 각각 독립적으로, 하기 식 (8) 내지 (12) 중 어느 구조인 상기 1에 기재된 전자 디바이스.
단, 상기 Y가, -R-R'-일 경우, 상기 R 및 R' 중 적어도 하나는 하기 식 (12)이다.
Figure 112019029028678-pct00002
3. 상기 1 또는 상기 2에 기재된 전자 디바이스가 유기 일렉트로루미네센스 소자인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
4. 광학 산란층이, 상기 기능층에 입자 및 바인더를 함유하는 광학 산란층인 상기 3에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
5. 상기 광학 산란층은, 상기 입자로서 애스펙트비가 2 이하인 구상 입자를 80개수％ 이상 포함하는 상기 4에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
6. 상기 광학 산란층의 두께가, 상기 입자의 평균 입자 직경보다도 두껍고, 상기 광학 산란층에 있어서, 두께 방향의 중심으로부터 상기 수지 기재측의 영역의 상기 입자의 입자 존재 체적 비율이, 두께 방향의 중심으로부터, 상기 광학 산란층 상에 형성된 투명 도전막측의 영역의 상기 입자의 입자 존재 체적 비율보다도 큰 상기 4 또는 상기 5에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
7. 상기 광학 산란층에 있어서의 상기 입자의 체적 비율이, 1체적％ 이상 40체적％ 이하인 상기 4 내지 상기 6 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
8. 상기 입자와 상기 바인더의 굴절률차가 0.20 이상 1.00 이하인 상기 4 내지 상기 7 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
9. 상기 구상 입자의 평균 입자 직경이, 200nm 이상 500nm 이하인 상기 5 내지 상기 8 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
10. 상기 광학 산란층의 두께가 250nm 이상 1000nm 이하인 상기 4 내지 상기 9 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네센스 소자.
본 발명에 따르면, 광학 특성이 우수함과 함께, 장기 보존성 및 스크래치 내성이 우수한 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 투명 도전 부재의 개략 단면도이다.
도 2는 유기 EL 소자의 개략 단면도이다.
도 3은 유기 박막 태양 전지의 개략도이다.
도 4는 확산 필름을 사용하고 있지 않은 발광 다이오드 및 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 확산 필름을 사용한 발광 다이오드의 개략 상면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원에 있어서, 「내지」는, 그 전후로 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미에서 사용한다.
《전자 디바이스》
전자 디바이스는, 수지 기재 상에 적어도 하나의 기능층을 갖는 것이다. 이하, 전자 디바이스의 일례로서, 유기 일렉트로루미네센스 소자(유기 EL 소자)에 대하여 설명한다.
유기 EL 소자는, 수지 기재와, 기능층과, 투명 도전막을 구비하는 투명 도전 부재를 적어도 갖는다.
먼저, 투명 도전 부재에 대하여 설명한 후, 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
<투명 도전 부재>
도 1에 도시한 바와 같이, 투명 도전 부재(10)는 수지 기재(11)와, 수지 기재(11) 상에 형성된 광학 산란층(12)과, 광학 산란층(12) 상에 형성된 투명 도전막(15)을 구비한다.
이하, 각 구성에 대하여 설명한다.
<수지 기재>
수지 기재(11)는 높은 광투과성을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없다. 예를 들어 수지 기판, 수지 필름 등을 적합하게 들 수 있는데, 생산성의 관점이나 경량성과 유연성과 같은 성능의 관점에서 투명 수지 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
수지 기재(11)로서 사용할 수 있는 수지로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 변성 폴리에스테르 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리에틸렌(PE) 수지, 폴리프로필렌(PP) 수지, 폴리스티렌 수지, 환상 올레핀계 수지 등의 폴리올레핀류 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 비닐계 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리술폰(PSF) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 폴리카르보네이트(PC) 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지를 단독으로 사용해도 되고, 복수를 병용해도 된다.
또한, 수지 기재(11)는 미연신 필름이어도 되고, 연신 필름이어도 된다.
수지 기재(11)는 투명성이 높으면, 투명 도전 부재(10)를 전자 디바이스의 투명 전극으로서 사용할 수 있기 때문에 바람직하다. 여기에서의 투명성이 높다란, JIS K 7361-1: 1997(플라스틱-투명 재료의 전체 광선 투과율의 시험 방법)에 준거한 방법으로 측정한 가시광 파장 영역에 있어서의 전체 광선 투과율이 50％ 이상인 것을 말하며, 80％ 이상이면 보다 바람직하다.
수지 기재(11)는 수지 기재(11) 상에 형성되는 광학 산란층(12)과의 밀착성을 높이기 위해서, 표면 활성화 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 내충격성을 높이기 위해서, 하드 코팅층이 마련되어 있어도 된다. 표면 활성화 처리로서는, 코로나 방전 처리, 화염 처리, 자외선 처리, 고주파 처리, 글로우 방전 처리, 활성 플라스마 처리, 레이저 처리 등을 들 수 있다. 하드 코팅층의 재료로서는, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 비닐계 공중합체, 부타디엔계 공중합체, 아크릴계 공중합체, 비닐리덴계 공중합체, 에폭시계 공중합체 등을 들 수 있고, 그 중에서도 자외선 경화형 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 광학 산란층(12)은 단층이어도 되지만, 다층 구조이면 밀착성이 보다 향상된다.
<기능층>
본 발명에 있어서 기능층이란, 다른 층에는 없는 기능인, 고굴절률, 광산란성이나 스크래치 내성의 기능을 갖는 층이며, 예를 들어 고굴절률층, 광학 산란층, 하드 코팅층 등의 기능을 갖는 층을 가리킨다.
<광학 산란층>
광학 산란층(12)은 광 취출 효율을 향상시키는 기능층이며, 입자(13)와, 바인더(14)를 포함한다.
바인더(14)는, 수지 성분으로서 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유한다.
여기서, X 및 X'는 각각 독립적으로, 적어도 하기 식 (1) 내지 (7) 중 어느 구조를 갖는다.
Figure 112019029028678-pct00003
또한, Y는 적어도 하나의 S 원자와 하나의 방향환을 갖는 2가기이다.
구체적으로는, 예를 들어, Y가, -R-R'-, -R-S-R'-, -R-S(O)-R'-, 및 -R-S(O)2-R'- 중 어느 구조이며, 상기 R 및 R'는 각각 독립적으로, 하기 식 (8) 내지 (12) 중 어느 구조이다.
단, Y가, -R-R'-일 경우, R 및 R' 중 적어도 하나는 하기 식 (12)이다.
Figure 112019029028678-pct00004
본 실시 형태에 있어서는, 바인더(14)가 수지 성분으로서 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유함으로써, 수지 자체에서의 고굴절률화, 스크래치 내성, 및 소자 내부에 성막했을 때에 유기층에 대한 영향 개선을 도모하는 것이다.
여기서, X-Y-X'의 구조의 성분에 있어서의 Y에 포함되는 S의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 C의 원자수에 대하여 2％ 이상 30％ 이하인 것이 바람직하다.
Y에 포함되는 S의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 C의 원자수에 대하여 2％ 이상이면, 굴절률이 보다 향상된다. 보다 바람직하게는 5％ 이상이다. 또한, Y에 포함되는 S의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 C의 원자수에 대하여 30％ 이하이면 황변의 정도가 경감된다. 보다 바람직하게는 25％ 이하이다.
또한, X-Y-X'의 구조의 성분에 있어서의 Y에 포함되는 방향환의 C의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 방향환의 기타의 원소의 원자수에 대하여 50％ 이상 80％ 이하인 것이 바람직하다.
Y에 포함되는 방향환의 C의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 방향환의 기타의 원소의 원자수에 대하여 50％ 이상이면, 굴절률이 보다 향상된다. 보다 바람직하게는 55％ 이상이다. 또한, Y에 포함되는 방향환의 C의 원자수의 비율이, Y에 포함되는 방향환의 기타의 원소의 원자량에 대하여 80％ 이하이면 소재의 안정성이 보다 향상된다. 보다 바람직하게는 70％ 이하이다.
또한, 수지 자체에서의 원하는 굴절률의 높이가 부족한 분은, 고굴 나노 입자를 첨가함으로써 보충할 수 있다.
X-Y-X'의 조합예로서, 표 1에 기재된 것을 들 수 있다. 또한 표 1에 기재가 없는 조합일지라도 전술한 조건을 만족시키는 것이기만하면, 본 발명에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 표 중의 X, X'의 숫자 및 Y 구성의 양단의 숫자((1) 등)는 본 명세서 중에 기재된 식 (1) 내지 (12)의 화합물에 대응한다.
Figure 112019029028678-pct00005
투명 도전 부재(10)에 있어서, 광학 산란층(12)에 포함되는 입자(13)에는, 애스펙트비가 2 이하인 구상 입자가 80개수％ 이상 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 광학 산란층(12)의 두께는, 입자(13)의 평균 입자 직경보다도 두꺼운 것이 바람직하다. 또한, 여기에서의 평균 입자 직경이란, 입자(13) 전부의 평균 입자 직경을 의미한다. 이와 같이, 입자(13)로서 애스펙트비 2 이하의 구상 입자를 80개수％ 이상 포함하고, 광학 산란층(12)의 두께가 입자(13)의 평균 입자 직경보다도 두꺼운 것에 의해, 광학 산란층(12)에 있어서 입자(13)를 광학 산란층(12)의 수지 기재(11)측의 영역에 편재되게 하기 쉬워진다. 입자(13)를 수지 기재(11)측의 영역에 편재되게 하는 방법으로서는, 예를 들어, 통상 도포하는 액 농도보다 희석하고, 희석분만큼 두껍게 도포하는 수단을 사용할 수 있다. 그렇게 함으로써, 도포 직후부터 도막의 건조가 종료될 때까지의 시간을 조절할 수 있고, 입자(13)가 수지 기재(11)측으로 가라앉기 쉬워진다. 그 때문에, 수지 기재(11)측의 입자(13)의 입자 존재 체적률을 조정할 수 있다. 또는, 입자 농도를 바꾼 도포액을 적층시키거나, 입자 함유 도포액을 도포하고, 그 위에 추가로 입자를 함유하지 않는 수지만의 도포액을 도설하거나 함으로써 편재시켜도 된다.
또한, 입자(13)의 편재란, 광학 산란층(12)에 있어서, 광학 산란층(12)의 수지 부분만의 두께 방향의 중심부터 양측으로 나누었을 때, 투명 도전막(15)측과 수지 기재(11)측에서, 입자(13)의 체적 비율이 상이한 상태로 한다. 투명 도전 부재(10)는 여기에서는, 광학 산란층(12)에 있어서, 두께 방향의 중심으로부터 수지 기재(11)측의 영역 입자(13)의 입자 존재 체적 비율이, 두께 방향의 중심으로부터 투명 도전막(15)측의 영역 입자(13)의 입자 존재 체적 비율보다도 큰 것이 바람직하다.
여기서, 입자 존재 체적률이란, 광학 산란층(12)에 포함되는 입자(13) 전체의 체적에 대한 광학 산란층(12)의 특정측에 존재하는 입자(13)의 체적이다. 즉, 예를 들어, 두께 방향의 중심으로부터 수지 기재(11)측의 영역 입자(13)의 입자 존재 체적 비율이란, 광학 산란층(12)에 포함되는 입자(13) 전체의 체적에 대한, 두께 방향의 중심으로부터 수지 기재(11)측의 영역 입자(13)의 체적을 의미한다.
수지 기재(11)측의 입자 존재 체적 비율의 산출법은, 광학 산란층(12)의 단면을 만들고, 두께 방향의 중심으로부터 수지 기재(11)측의 영역과 투명 도전막(15)측의 영역의 각각의 영역에 있어서, 그곳으로부터 임의의 5군데를 투과형 전자 현미경(TEM)으로 촬영하고, 광학 산란층(12)의 두께와 입자(13)의 단면적으로부터 수지 성분과 입자(13)의 면적을 산출한다. 본 발명에 있어서는, 산출한 입자(13)의 수지 기재(11)측에 있는 입자(13)의 비율을 입자 존재 체적 비율이라고 표현한다.
광학 산란층(12)의 수지 기재(11)측의 입자 존재 체적 비율은, 50％를 초과하는 것이 바람직하다. 또한, 광학 산란층(12)의 수지 기재(11)측의 입자 존재 체적 비율은, 60％ 이상인 것이 바람직하고, 65％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
이와 같이, 구상의 입자(13)를 수지 기재(11)측의 영역에 편재시킴으로써, 도 1에 도시한 바와 같이, 광학 산란층(12)에 있어서 입자(13)가 바인더(14)의 투명 도전막(15)측의 표면보다도 위(투명 도전막(15)측)로 돌출되지 않도록, 광학 산란층(12)을 구성하기 쉽다. 따라서, 입자(13)의 돌출에 의한 광학 산란층(12)의 표면의 요철의 발생을 억제하여, 광학 산란층(12)의 표면 평탄성을 높일 수 있다. 광학 산란층(12)의 표면 평탄성을 높이는 것에 의해, 유기층의 성막성이 향상된다. 광학 산란층(12)은 표면 조도는 산술 평균 조도 Ra(JIS B 0601:2001)가 작을수록 좋고, 바람직한 표면 조도로서는, 산술 평균 조도 Ra가 10nm 이하이고, 보다 바람직하게는 산술 평균 조도 Ra가 5nm 이하이다. 또한, 산술 평균 조도 Ra는, 예를 들어 원자간력 현미경(Digital Instruments사제)을 사용하여 측정한다.
또한, 광학 산란층(12)의 수지 기재(11)측의 입자 존재 체적 비율이 높아질 수록, 광산란량이 증가하여, 광 취출 효율이 향상되기 쉬워진다.
또한, 광학 산란층(12)에 있어서, 상술한 입자(13)와 수지의 체적 비율(이후PB비라고 한다)은 1체적％ 이상 40체적％ 이하인 것이 바람직하다. 체적 비율(PB비)은 광학 산란층(12)의 전체 체적 중에 있어서의, 바인더의 체적과 입자의 체적의 합계와, 입자의 체적과의 비율 [입자의 체적/(입자의 체적+바인더의 체적)]×100이다. PB비를 1체적％ 이상으로 함으로써, 광학 산란층(12)에 있어서의 광산란 효율이나 광 취출 효율이 향상되기 쉽다. 보다 바람직하게는 5체적％ 이상, 더욱 바람직하게는 10체적％ 이상, 특히 바람직하게는 15체적％ 이상이다. 또한 PB비가 40체적％ 이하이면, 수지 기재(11)측의 입자 존재 체적 비율을 크게 하기 쉬워져, 입자(13)의 과잉에 의한 광학 산란층(12)의 표면으로부터의 입자(13)의 돌출을 억제하기 쉬워지기 때문에, 광학 산란층(12)의 표면 평탄성이 향상되기 쉬워진다. 그 때문에, 바람직하게는 40체적％ 이하, 보다 바람직하게는 30체적％ 이하이다.
이어서, 바인더와 입자의 굴절률에 대하여 설명한다. 이하, 바인더, 입자의 굴절률은, 633nm의 파장에서의 측정값이다.
바인더(14)는, 광의 파장 633nm에 있어서의 굴절률 nb가 1.50 이상 2.00 미만인 것이 바람직하다. 바인더(14)의 굴절률 nb는, 단독의 소재로 형성되어 있는 경우에는, 단독의 소재의 굴절률이며, 혼합계의 경우에는, 각각의 소재 고유의 굴절률에 혼합 비율을 곱한 합산값에 의해 산출되는 계산 굴절률이다.
또한, 광학 산란층(12) 중의 입자(13)의 역할로서, 도파광의 산란 기능을 들 수 있다. 도파광의 산란 기능의 향상에는, 입자(13)에 의한 산란성을 향상시킬 필요가 있다. 산란성을 향상시키기 위해서는, 입자(13)와 바인더(14)의 굴절률차를 크게 하거나, 층 두께를 두껍게 하거나, 입자 밀도를 크게 하거나 하는 등의 방법이 생각된다. 이 중에서 가장 다른 성능에 대한 악영향이 작은 방법이, 입자(13)와 바인더(14)의 굴절률차를 크게 하는 것이다.
바인더(14)의 굴절률 nb와, 함유되는 입자(13)의 굴절률 np의 굴절률차 |nb-np|는, 0.20 이상 1.00 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.30 이상이다. 바인더(14)와 입자(13)의 굴절률차 |nb-np|가 0.20 이상이면, 바인더(14)와 입자(13)의 계면에서 산란 효과가 발생한다. 굴절률차 |nb-np|가 클수록, 계면에서의 굴절이 커져서, 산란 효과가 향상된다. 또한, 굴절률차 |nb-np|가 1.00 이하이면 난반사가 일어나기 어려워져, 효율의 저하가 작아진다.
굴절률차 |nb-np|를 발생시키기 위해서는, 입자(13)의 굴절률 np를 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 작게 하거나, 또는, 입자(13)의 굴절률 np를 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 크게 한다. 또한, 입자(13)의 굴절률 np란, 단독의 소재로 형성되어 있는 경우에는, 단독의 소재 굴절률이며, 혼합계의 경우에는, 각각의 소재 고유의 굴절률에 혼합 비율을 곱한 합산값에 의해 산출되는 계산 굴절률이다.
입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 작은 경우에는, 입자(13)로서, 굴절률 np가 1.50 미만인 저굴절률 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 바인더(14)로서, 굴절률 nb가 1.60 이상인 고굴절률 바인더를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 큰 경우에는, 입자(13)로서, 굴절률 np가 1.70 이상 3.00 이하인 고굴절률 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 바인더(14)로서, 굴절률 nb가 입자(13)의 굴절률 np보다 0.20 이상 작은 굴절률의 바인더를 사용하는 것이 바람직하다.
광학 산란층(12)은 상기한 바와 같이 바인더(14)와 입자(13)의 굴절률의 차에 의해 광을 확산시키는 작용을 갖는다. 이 때문에, 입자(13)는 다른층에 대한 악영향이 적고, 광을 산란하는 특성이 높을 것이 요구된다.
광학 산란층(12)의 층 두께는, 산란을 발생하기 위한 광로 길이를 확보하기 위하여 어느 정도 두꺼울 필요가 있지만, 한편 흡수에 의한 에너지 손실을 발생시키지 않을 정도로 얇을 필요가 있다. 이 때문에, 광학 산란층(12)의 두께는, 250nm 이상 1000nm 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 300nm 이상이며, 또한, 보다 바람직하게는 800nm 이하이다.
또한, 광학 산란층(12)의 단층에서의 헤이즈값은, 20％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25％ 이상, 더욱 바람직하게는 30％ 이상이다. 헤이즈값이 20％ 이상이면, 광산란성(광 취출 효율)을 향상시킬 수 있다.
이어서, 입자 및 바인더에 대해서, 상기한 사항 이외의 사항에 대하여 설명한다.
[입자]
상술한 바와 같이, 광학 산란층(12)에는 입자(13)로서, 애스펙트비가 2 이하인 구상 입자가 80개수％ 이상 포함되는 것이 바람직하다. 이 애스펙트비가 2 이하인 구상 입자는, 평균 입자 직경이 200nm 이상 500nm 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 230nm 이상, 더욱 바람직하게는 250nm 이상이다. 또한, 보다 바람직하게는 450nm 이하, 더욱 바람직하게는 400nm 미만이다.
여기에서 말하는 애스펙트비란, 입자(13)의 장축 길이와 단축 길이의 비[장축 길이/단축 길이]이다. 예를 들어, 주사형 전자 현미경(SEM)으로 랜덤하게 입자(13)를 촬영하여 화상을 얻고, 그 화상으로부터 입자(13)의 장축 길이와 단축 길이를 구하여 계산할 수 있다. 예를 들어, 입자를 배율 10만배로 촬영하고, 그 화상으로부터 입자 100개분의 애스펙트비를 확인하고, 비율을 구한다.
광학 산란층(12)에 있어서는, 예를 들어, 입자(13)의 평균 입자 직경이나 애스펙트비를 조정함으로써, 산란성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 가시광 영역의 Mie 산란을 발생시키는 영역 이상의 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 입자(13)를 수지 기재(11)측에 편재시키고, 광학 산란층(12)의 표면을 평탄화하기 위해서는, 평균 입자 직경을 광학 산란층(12)의 두께보다도 작게 할 필요가 있다.
입자(13)의 평균 입자 직경은, 전자 현미경 사진의 화상 처리에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 입자(13)를 배율 10만배로 촬영하고, 그 화상으로부터 입자(13)의 긴 변의 길이를 측정한다. 그리고, 입자 100개분의 평균을 취한 것을 입자(13)의 평균 입자 직경으로 한다.
입자(13)로서는, 특별히 제한은 없고, 상술한 저굴절률 입자 및 고굴절률 입자 중 어느 경우든, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 저굴절률 입자, 고굴절률 입자로서, 유기 미립자나, 무기 미립자를 사용할 수 있다.
입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 작은 구성의 광학 산란층(12)에 있어서는, 저굴절률 입자로서, 예를 들어, 아크릴 수지(1.49), PTFE(1.35), PFA(1.35), SiO2(1.46), 불화마그네슘(1.38), 불화리튬(1.392), 불화칼슘(1.399), 실리콘 고무(1.40), 불화비닐리덴(1.42), 실리콘 수지(1.43), 폴리프로필렌(1.48), 우레탄(1.49)을 들 수 있다. 또한, 괄호 내는 각 재료를 포함하는 입자의 대표적인 굴절률을 나타내고 있다.
입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 큰 구성의 광학 산란층(12)에 있어서는, 고굴절률 입자로서, 국제 공개 제2009/014707호나 미국 특허 제6608439호 명세서 등에 기재된 양자 도트도 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도 고굴절률을 갖는 무기 미립자인 것이 바람직하다.
또한, 고굴절률을 갖는 유기 미립자로서는, 예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트 비즈, 아크릴-스티렌 공중합체 비즈, 멜라민 비즈, 폴리카르보네이트 비즈, 스티렌 비즈, 가교 폴리스티렌 비즈, 폴리염화비닐 비즈, 벤조구아나민-멜라민포름알데히드 비즈 등을 들 수 있다.
고굴절률을 갖는 무기 미립자로서는, 예를 들어, 지르코늄, 티타늄, 알루미늄, 인듐, 아연, 주석, 안티몬 등 중에서 선택되는 적어도 하나의 산화물을 포함하는 무기 산화물 입자를 들 수 있다. 무기 산화물 입자로서는, 구체적으로는, ZrO2, TiO2, BaTiO3, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3, ITO(인듐·주석 산화물), SiO2, ZrSiO4, 제올라이트 등을 들 수 있고, 그 중에서도, TiO2, BaTiO3, ZrO2, ZnO, SnO2가 바람직하고, TiO2가 가장 바람직하다. 또한, TiO2 중에서도, 아나타아제형보다 루틸형쪽이, 촉매 활성이 낮기 때문에 광학 산란층(12)이나 인접한 층의 내후성이 높아지고, 또한 굴절률이 높은 점에서 바람직하다.
입자(13)는 광학 산란층(12)에 함유시키기 위해서, 후술하는 분산액으로 한 경우의 분산성이나 안정성 향상의 관점에서, 표면 처리를 실시하여 사용할지, 또는, 표면 처리를 실시하지 않고 사용할지를 선택할 수 있다.
표면 처리를 행하는 경우, 표면 처리의 구체적인 재료로서는, 산화규소나 산화지르코늄 등의 이종 무기 산화물, 수산화알루미늄 등의 금속 수산화물, 오르가노실록산, 스테아르산 등의 유기산 등을 들 수 있다. 이들 표면 처리재는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 복수종을 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 분산액의 안정성의 관점에서, 표면 처리재로서는, 이종 무기 산화물 및 금속 수산화물 중 1종 이상이 바람직하고, 금속 수산화물이 보다 바람직하다. 또한, 표면 처리를 행한 경우에는, 표면 처리 부분도 입자 체적에 포함한다.
무기 산화물 입자가, 표면 처리재로 표면 피복 처리되어 있는 경우, 그 피복량(일반적으로, 이 피복량은, 입자의 질량에 대한 당해 입자의 표면에 사용한 표면 처리재의 질량 비율로 나타난다.)은, 0.01질량％ 이상 99질량％ 이하인 것이 바람직하다. 당해 범위 내로 함으로써, 표면 처리에 의한 분산성이나 안정성의 향상 효과를 충분히 얻을 수 있다.
[바인더]
바인더(14)는, 수지 성분으로서, 상기 설명한 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유하는데, 수지 성분은, X-Y-X'의 구조의 성분만을 포함하는 것이어도 되고, 후술하는 다른 수지 성분을 함유해도 된다.
다른 수지 성분으로서는, 공지된 바인더를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 또한, 다른 수지 성분은, 복수 종류를 혼합하여 사용할 수도 있다.
여기서, X-Y-X'의 구조의 수지 성분과, 다른 수지 성분을 혼합한 바인더(14)의 경우, 전술한 바와 같이, 바인더(14)의 굴절률 nb와, 입자(13)의 굴절률 np의 굴절률차 |nb-np|는, 0.20 이상 1.00 이하인 것이 바람직하다. 그리고, 입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 작은 구성으로 하는 경우, 다른 수지 성분으로서는, 고굴절률 바인더를 사용하는 것이 바람직하다.
광학 산란층(12)에 있어서, 입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 작은 구성에 적용하는 고굴절률 바인더로서는, X-Y-X'의 구조의 수지 성분과, 다른 수지 성분을 혼합한 바인더(14)의 굴절률 nb가 1.60 이상이 되는 바인더를 사용하는 것이 바람직하다.
고굴절률 바인더로서는, 예를 들어, 리오듀라스(등록 상표) TYZ 시리즈, 리오듀라스 TYT 시리즈(도요 잉크사제), ZrO2 미립자 함유 수지 도료(Pixelligent Technologies사제), UR 시리즈(닛산 가가꾸사제), 오르가틱스(등록 상표) 시리즈(마쯔모토 파인케미컬사제), PIUVO 시리즈(케이에스엠사제), 아크릴계 수지 시리즈, 에폭시계 수지 시리즈(NTT 어드밴스 테크놀러지사제), 히타로이드(등록 상표) 시리즈(히따찌 가세이사제) 등을 사용할 수 있다.
또한, 입자(13)의 굴절률 np가 바인더(14)의 굴절률 nb보다도 큰 구성의 광학 산란층(12)에 있어서는, 다른 수지 성분으로서는, X-Y-X'의 구조의 수지 성분과, 다른 수지 성분을 혼합한 바인더(14)의 굴절률 nb가 입자(13)의 굴절률 np보다 0.20 이상 작아지는 굴절률의 바인더로 하고, 또한 가능한 한 고굴절률의 바인더를 사용하는 것이 바람직하다. 고굴절률 바인더로서는, 전술한 고굴절률 바인더를 사용할 수 있다.
이것은, X-Y-X'의 구조의 수지 성분과, 다른 수지 성분을 혼합한 바인더(14)가 저굴절의 바인더로 된 경우, 광학 산란층(12)측으로부터 온 광이 침입 각도에 따라서는 바인더 내에 진행할 수 없고, 반사되어버리기 때문이다.
또한, 광학 산란층(12)의 다른 수지 성분의 바인더로서는, 특정한 분위기 하에서 자외선 조사에 의해, 무기 재료 또는 금속의 산화물, 질화물 또는 산화질화물을 형성할 수 있는 화합물이 특히 적합하게 사용된다. 이러한 화합물로서는, 일본 특허 공개 평8-112879호 공보에 기재되어 있는 비교적 저온에서 개질 처리될 수 있는 화합물이 바람직하다.
구체적으로는, Si-O-Si 결합을 갖는 폴리실록산(폴리실세스퀴옥산을 포함한다), Si-N-Si 결합을 갖는 폴리실라잔, Si-O-Si 결합과 Si-N-Si 결합의 양쪽을 포함하는 폴리실록사잔 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
(폴리실록산)
광학 산란층(12)에서 사용되는 폴리실록산으로서는, 일반 구조 단위로서의 R3SiO1/2, R2SiO, RSiO3/2 및 SiO2를 포함할 수 있다. 여기서, R은, 수소 원자, 1 이상 20 이하의 탄소 원자를 포함하는 알킬기, 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필 등, 아릴기, 예를 들어, 페닐 등, 및 불포화 알킬기, 예를 들어, 비닐등으로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다. 특정한 폴리실록산기의 예로서는, PhSiO3 /2, MeSiO3/2, HSiO3/2, MePhSiO, Ph2SiO, PhViSiO, ViSiO3/2, MeHSiO, MeViSiO, Me2SiO, Me3SiO1/2 등을 들 수 있다. 또한, 폴리실록산의 혼합물이나 코폴리머도 사용 가능하다. 또한, Vi는 비닐기를 나타낸다.
(폴리실세스퀴옥산)
광학 산란층(12)에 있어서는, 상술한 폴리실록산 중에서도 폴리실세스퀴옥산을 사용하는 것이 바람직하다. 폴리실세스퀴옥산은, 실세스퀴옥산을 구조 단위에 포함하는 화합물이다. 「실세스퀴옥산」이란, RSiO3/2로 표시되는 화합물이며, 통상, RSiX3(R은, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아라알킬기(아랄킬기라고도 함) 등이며, X는, 할로겐, 알콕시기 등임).
폴리실세스퀴옥산의 분자 배열의 형상으로서는, 대표적으로는 무정형 구조, 래더상 구조, 바구니형 구조, 그의 부분 개열 구조체(바구니형 구조로부터 규소 원자가 1원자 부족한 구조나 바구니형 구조의 규소-산소 결합이 일부 절단된 구조) 등이 알려져 있다.
이들 폴리실세스퀴옥산 중에서도, 소위 수소 실세스퀴옥산 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다. 수소 실세스퀴옥산 폴리머로서는, HSi(OH)x(OR)yOz/2로 표시되는 히드리도실록산 폴리머를 들 수 있다. 각각의 R은, 유기기 또는 치환된 유기기이며, 산소 원자에 의해 규소에 결합한 경우, 가수분해성 치환기를 형성한다. x=0 내지 2, y=0 내지 2, z=1 내지 3, x+y+z=3이다. R로서는, 알킬기(예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 아릴기(예를 들어, 페닐기 등), 알케닐기(예를 들어, 알릴기, 비닐기 등)를 들 수 있다. 이들 수지는, 완전히 축합되거나(HSiO3/2)n, 또는, 부분적으로만 가수분해되거나(즉, 일부의 Si-OR을 포함한다), 부분적으로 축합되거나(즉, 일부의 Si-OH를 포함한다), 또는 양쪽으로 할 수 있다.
(폴리실라잔)
광학 산란층(12)에서 사용되는 폴리실라잔이란, 규소-질소 결합을 갖는 폴리머에서, Si-N, Si-H, N-H 등을 포함하는 SiO2, Si3N4 및 양쪽의 중간 고용체 SiOxNy(x=0.1 내지 1.9, y=0.1 내지 1.3) 등의 무기 전구체 폴리머이다.
광학 산란층(12)에 바람직하게 사용되는 폴리실라잔으로서는, 하기 식 (20)으로 표시되는 폴리실라잔을 사용할 수 있다.
Figure 112019029028678-pct00006
식 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 알킬실릴기, 알킬아미노기 또는 알콕시기를 나타낸다.
얻어지는 광학 산란층(12)의 막으로서의 치밀성의 관점에서는, 식 (20)의 R1, R2 및 R3의 모두가 수소 원자인 퍼히드로폴리실라잔(PHPS)이 특히 바람직하다. 퍼히드로폴리실라잔은, 직쇄 구조와 6원환 및 8원환을 중심으로 하는 환 구조가 존재한 구조라고 추정되고 있고, 그 분자량은, 수 평균 분자량(Mn)으로 약 600 이상 2000 이하 정도(겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산)이며, 액체 또는 고체의 물질이다.
폴리실라잔은, 유기 용매에 용해한 용액의 상태에서 시판되고 있고, 시판품을 그대로 폴리실라잔 함유 도포액으로서 사용할 수 있다. 폴리실라잔 용액의 시판품으로서는, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈 가부시키가이샤제의 NN120-20, NAX120-20, NL120-20 등을 들 수 있다.
또한, 수지 성분의 바인더로서 유기 티타늄 화합물을 첨가해도 된다. 특히 -OCnH2+1, -OCH=CH2, -OCOCH=CH2를 갖는 화합물이 바람직하다. 이들을 첨가함으로써, 다른 곳에 악영향을 미칠 일 없이 바인더(14)의 굴절률을 높일 수 있다. 첨가량으로서는, 바인더에 대하여 1질량％ 이상, 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 30질량％ 이하이다.
다른 수지 성분의 바인더로서, 전리 방사선 경화형 수지 조성물을 사용할 수 있지만, 전리 방사선 경화형 수지 조성물의 경화 방법으로서는, 전리 방사선 경화형 수지 조성물의 통상 경화 방법, 즉, 전자선 또는 자외선의 조사에 의해 경화할 수 있다.
예를 들어, 전자선 경화의 경우에는, 코크로프트-월턴형, 밴 더 그래프형, 공진 변압형, 절연 코어 변압기형, 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기로부터 방출되는 10keV 이상 1000keV 이하, 바람직하게는 30keV 이상 300keV 이하의 에너지를 갖는 전자선 등이 사용되고, 자외선 경화의 경우에는, 초고압 수은등, 고압 수은등, 저압 수은등, 카본 아크, 크세논 아크, 메탈 할라이드 램프 등의 광선으로부터 발하는 자외선 등을 이용할 수 있다.
(엑시머 램프를 갖는 진공 자외선 조사 장치)
자외선 조사 장치로서는, 예를 들어, 100nm 이상 230nm 이하의 범위 내에서 진공 자외선을 발하는 희가스 엑시머 램프를 들 수 있다.
크세논(Xe), 크립톤(Kr), 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 희가스의 원자는, 화학적으로 결합하여 분자를 만들지 않기 때문에, 불활성 가스라고 불린다. 그러나, 방전 등에 의해 에너지를 얻은 희가스의 원자(여기 원자)는 다른 원자와 결합하여 분자를 만들 수 있다.
예를 들어, 희가스가 Xe(크세논)인 경우에는, 하기 반응식에서 나타낸 바와 같이, 여기된 엑시머 분자인 Xe2 *이 기저상태로 천이할 때에, 172nm의 엑시머광을 발광한다.
e+Xe→Xe*
Xe*+2Xe→Xe2 *+Xe
Xe2 *→Xe+Xe+hν (172nm)
엑시머 램프의 특징으로서는, 방사가 하나의 파장에 집중하고, 필요한 광 이외가 거의 방사되지 않으므로 효율이 높은 점을 들 수 있다. 또한, 여분의 광이 방사되지 않으므로, 대상물의 온도를 비교적 낮게 유지할 수 있다. 나아가, 시동·재시동에 시간을 요하지 않으므로, 순시의 점등 점멸이 가능하다.
엑시머광을 효율적으로 조사하는 광원으로서는, 유전체 배리어 방전 램프를 들 수 있다.
유전체 배리어 방전 램프의 구성으로서는, 전극 간에 유전체를 통하여 방전을 일으키는 것이며, 일반적으로는, 유전체를 포함하는 방전 용기와 그 외부에 적어도 한쪽의 전극이 배치되어 있으면 된다. 유전체 배리어 방전 램프로서, 예를 들어, 석영 유리로 구성된 굵은 관과 가는 관을 포함하는 이중 원통상의 방전 용기 중에 크세논 등의 희가스가 봉입되고, 그 방전 용기의 외부에 망상의 제1 전극을 마련하고, 내부관의 내측에 다른 전극을 마련한 것이 있다. 유전체 배리어 방전 램프는, 전극 간에 고주파 전압 등을 가함으로써 방전 용기 내부에 유전체 배리어 방전을 발생시키고, 그 방전에 의해 생성된 크세논 등의 엑시머 분자가 해리하는 때에 엑시머광을 발생시킨다.
엑시머 램프는, 광의 발생 효율이 높기 때문에, 낮은 전력의 투입으로 점등시키는 것이 가능하다. 또한, 온도 상승의 요인이 되는 파장이 긴 광은 발하지 않고, 자외선 영역의 단일 파장으로 에너지를 조사하기 때문에, 조사광 자체에 의한 조사 대상물의 온도 상승이 억제되는 특징을 갖고 있다.
<투명 도전막>
투명 도전막(15)은 광학 산란층(12)의 면 상에 마련되어 있다. 투명 도전막(15)은 투명 도전 부재(10)에 있어서 전기를 도통시키기 위한 도전성 재료를 포함하는 층이다. 투명 도전막(15)으로서는, 예를 들어, Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, Cr 등의 금속 박막이나, In2O3, CdO, CdIn2O4, Cd2SnO4, TiO2, SnO2, ZnO, ITO, IZO(인듐·아연 산화물), IGO(인듐·갈륨 산화물), IWZO(인듐·텅스텐·아연 산화물), AZO(Al 도프 산화아연), GZO(Ga 도프 산화아연), ATO(안티몬·주석 산화물), FTO(F 도프 산화주석), TiN, ZrN, HfN, TiOx, VOx, CuI, InN, GaN, CuAlO2, CuGaO2, SrCu2O2, LaB6, RuO2 등의 금속 산화물이나 도전성 무기 화합물층을 들 수 있다. 이들 화합물은 결정성이어도 되고, 비결정성이어도 된다. 또한, IDIXO(In2O3-ZnO) 등의 비정질이며 투명 도전 부재(10)를 제작 가능한 재료를 사용해도 된다. 또한, 도전성 폴리머를 사용해도 되고, 예를 들어 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리(p-페닐렌술피드) 등을 들 수 있다. 투명 도전막(15)에는, 이들 도전성 재료가 1종만 포함되어도 되고, 2종 이상 포함되어도 된다.
투명 도전막(15)의 형성 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있다. 이 투명 도전막(15)의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 드라이 프로세스에 의한 CVD법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 등을 이용할 수 있다.
투명 도전막(15)은 체적 저항률이 1×101Ω·cm보다 낮은 도전성의 금속 산화물을 사용하여 형성되어 있는 것이 바람직하다. 체적 저항률은, JIS K 7194-1994의 도전성 플라스틱의 4탐침법에 의한 저항률 시험 방법에 준거하여 측정된 시트 저항과, 막 두께를 측정하여 구할 수 있다. 막 두께는 접촉식 표면 형상 측정기(예를 들어 DECTAK)나 광간섭 표면 형상 측정기(예를 들어 WYKO)를 사용하여 측정할 수 있다.
투명 도전막(15)은 투명 도전 부재(10)의 광학 산란층(12)을 구성하는 관점에서, 시트 저항이 10000Ω/sq. 이하인 것이 바람직하고, 2000Ω/sq. 이하인 것이 보다 바람직하다.
투명 도전막(15)의 두께는, 금속 박막을 사용하는 경우에는, 5nm 이상 15nm 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 산화물이나 도전성 무기 화합물을 사용하는 경우에는, 10nm 이상 500nm 이하의 범위 내로 할 수 있다. 도전성을 높이는 관점에서는, 두께가 100nm 이상 500nm 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 표면의 평활성을 높이는 관점에서는, 두께가 50nm 이상인 것이 바람직하다.
투명 도전막(15)에 있어서, 두께를 크게 한 경우에도, 높은 투명성을 확보할 수 있는 재료로서는, 상술한 재료 중에서도 금속 산화물을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 투명 도전막(15)을 150nm 정도 마련하면, 상술한 금속 및 ITO에서는 투명성을 확보하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 투명 도전막(15)에는, IZO, AZO, GZO, ATO, ZnO, SnO2, FTO를 사용하는 것이 바람직하다.
특히, 투명 도전막(15)에 사용할 수 있는 금속 산화물로서는, IZO, IGO, IWZO가 바람직하다. 그 중에서도, IZO로서는, 질량비 In2O3:ZnO=80 내지 95:5 내지 20으로 표시되는 조성이 바람직하다. IGO로서는, 질량비 In2O3:Ga2O3=70 내지 95:5 내지 30로 표시되는 조성이 바람직하다. IWZO로서는, 질량비 In2O3:WO3:ZnO=95 내지 99.8:0.1 내지 2.5:0.1 내지 2.5로 표시되는 조성이 바람직하다.
투명 도전막(15)은 산술 평균 조도 Ra(JIS B 0601: 2001)가 5nm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 산술 평균 조도 Ra가 3nm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 산술 평균 조도 Ra는, 예를 들어 원자간력 현미경(Digital Instruments사제)을 사용하여 측정한다.
<투명 도전 부재의 제조 방법>
이어서, 상술한 구성의 투명 도전 부재(10)의 제조 방법을 설명한다.
투명 도전 부재(10)의 제작에 있어서는, 먼저 수지 기재(11)를 준비한다. 수지 기재(11)에는, 필요에 따라 미리 가스 배리어층이 형성된 가스 배리어성 필름을 수지 기재(11)로서 준비해도 된다.
[광학 산란층의 형성 공정]
이어서, 준비한 수지 기재(11) 상에 광학 산란층(12)을 형성한다. 광학 산란층(12)의 형성은, 용매에 바인더(14)와, 입자(13)를 분산함으로써 광학 산란층 형성용 분산액을 제작하고, 이 분산액을 수지 기재(11) 상에 도포함으로써 형성한다.
분산액에 사용하는 분산 용매에는 특별히 제한은 없지만, 바인더(14)의 석출과 입자(13)의 응집이 일어나지 않는 용매를 선택하는 것이 바람직하다. 분산성의 관점에서는, 바인더(14)와 입자(13)를 혼합한 액을, 초음파 처리나 비즈 밀 처리와 같은 방법으로 분산시킨 후, 필터 등으로 여과하는 방법이 바람직하다.
광학 산란층 형성용 분산액의 도포법으로서는, 임의의 적절한 방법을 선택할 수 있고, 예를 들어, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 각종 인쇄 방법에 추가로, 롤 코팅법, 바 코팅법, 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 다이 코팅법, 블레이드 코팅법, 커튼 코팅법, 스프레이 코팅법, 닥터 코팅법 등의 각종 도포법을 사용할 수 있다.
광학 산란층(12)을 소정의 패턴으로 형성하는 경우에는, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 광학 산란층(12)은 광학 산란층 형성용 분산액을 도포 시공한 후, 형성한 도막을 온풍 건조나 적외선 건조 등의 공지된 가열 건조법, 또는, 자연 건조에 의해 건조시킨다. 가열 건조를 행하는 경우의 온도는, 사용하는 수지 기재(11)에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 가열 건조는, 200℃ 이하의 온도에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 사용한 바인더(14)의 재료에 따라서는, 자외선 등의 빛 에너지에 의한 경화나, 수지 기재(11)에 대한 대미지가 적은 열경화 등의 처리를 행해도 된다.
또한, 광학 산란층 형성용 분산액에 사용하는 분산 용매로서, 물 등의 히드록시기를 갖는 극성 용매나, 비점이 200℃ 이하인 저비점 용매를 선택하는 경우에는, 건조 방법으로서 광원의 필라멘트 온도가 1600℃ 이상 3000℃ 이하의 범위 내에 있는 적외선 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 히드록시기가 적외선 히터로부터 발해지는 특정한 파장에 흡수를 갖기 때문에, 용매의 건조가 가능하게 된다. 한편, 수지 기재(11)로서 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)에 대해서는, 적외선 히터로부터 발해지는 특정한 파장의 흡수가 적기 때문에, 수지 기재(11)에 대한 열 대미지가 적다.
적외선 히터로서는, 예를 들어, 파장 제어 IR(InfraRed)을 들 수 있다. 파장 제어 IR이란, 할로겐 히터에 장파장역을 커트하는 필터를 조합하여, 파장 3.0㎛의 분광 방사 휘도에 대한 파장 5.8㎛의 분광 방사 휘도의 비율이 5％ 이하인 적외선을 방사하는 IR 유닛이다. 이러한 광을 진공 하 또는 이너트 분위기 하에서 조사함으로써, 단시간에 원하는 막 중 함수량을 달성할 수 있다.
히드록시기를 갖는 극성 용매로서는, 물(증류수, 탈이온수 등의 순수가 바람직하다) 외에, 메탄올이나 에탄올 등의 알코올계 용매, 글리콜류, 글리콜에테르류, 및 물과 알코올의 혼합 용매 등을 들 수 있다. 글리콜에테르류계 유기 용매로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨 등을 들 수 있다. 또한, 알코올계 유기 용매로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 상술한 메탄올, 에탄올 외에, 1-프로판올, 2-프로판올, n-부탄올, 2-부탄올, 디아세톤알코올, 부톡시에탄올 등을 들 수 있다.
[투명 도전막의 형성 공정]
이어서, 광학 산란층(12)의 형성 영역의 전체면에 투명 도전막(15)을 형성한다. 투명 도전막(15)은 상술한 금속 산화물의 스퍼터링 타깃을 사용한 스퍼터링법이나 이온 플레이팅법 등에 의해 형성할 수 있다.
예를 들어, 투명 도전막(15)은 성막 장치 내의 온도를 200℃ 이하로 하는 이외에는, 종래의 금속 산화물층을 성막하는 경우와 동일하게 하여, 각종 스퍼터링법이나 이온 플레이팅법 등에 의해 성막할 수 있다. 성막 장치 내의 온도를 200℃ 이하로 함으로써, 금속 산화물층에 결정상이 발생하지 않고, 투명 도전막(15)을 제작할 수 있다.
특히, 성막 시의 기판 온도를 90℃ 이하, 특히 70℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 성막 시의 기판 온도를 90℃ 이하, 바람직하게는 70℃ 이하로 함으로써, 결정상을 발생시키지 않고 투명 도전막을 제작할 수 있음과 함께, 수지 기재(11)의 변형을 방지할 수 있다. 성막 시의 기판 온도를 70℃ 이하로 하기 위해서는, 성막 장치 내의 온도를 예를 들어 70℃ 이하로 설정한다. 또는, 기판측에 냉각 기구를 달아서, 기판 온도를 70℃ 이하로 한다.
투명 도전막(15)을 형성하는 스퍼터링법으로서는, 예를 들어, DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, AC 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, RF 마그네트론 스퍼터링, ECR 플라스마 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 투명 도전막(15)은 예를 들어, 스퍼터링 시의 타깃 기판간 거리를 50mm 이상 200mm 이하로 하고, 스퍼터링 가스압을 0.5Pa 이상 1.5Pa 이하로 하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다.
타깃 기판간 거리에 대해서는, 타깃 기판간 거리가 50mm보다도 짧아지면, 퇴적하는 스퍼터 입자의 운동 에너지가 커지기 때문에, 수지 기재(11)가 받는 대미지가 커져버린다. 또한, 막 두께도 불균일해져 막 두께 분포가 나빠진다. 타깃 기판 간 거리가 200mm보다 길면, 막 두께 분포는 좋아지지만, 퇴적되는 스퍼터 입자의 운동 에너지가 너무 낮아져서, 확산에 의한 치밀화가 일어나기 어려워, 투명 도전막(15)의 밀도가 낮아지기 때문에 바람직하지 않다.
스퍼터링 가스압에 대해서는, 스퍼터링 가스압이 0.5Pa보다 낮으면 퇴적되는 스퍼터 입자의 운동 에너지가 커지기 때문에, 수지 기재(11)가 받는 대미지가 커져버린다. 스퍼터링 가스압이 1.5Pa보다 높으면, 성막 속도가 느려질뿐만 아니라, 퇴적되는 스퍼터 입자의 운동 에너지가 너무 낮아져서, 확산에 의한 치밀화가 일어나지 않아, 투명 도전막(15)의 밀도가 낮아지기 때문에 바람직하지 않다.
《유기 일렉트로루미네센스 소자》
이어서, 상술한 투명 도전 부재를 사용한 유기 일렉트로루미네센스 소자(유기 EL 소자)의 실시 형태에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 유기 EL 소자는, 상술한 투명 도전 부재의 투명 도전막(15)을 제1 전극(투명 전극)으로 하고, 이 제1 전극 상에, 발광 유닛과 제2 전극(대향 전극)이 마련된 구성이다. 이 때문에, 이하의 유기 EL 소자의 설명에서는, 상술한 투명 도전 부재와 동일한 구성에 대해서는, 상세한 설명을 생략한다.
[유기 EL 소자의 구성]
본 발명의 유기 EL 소자의 구성, 재료는, 일본 특허 공개 제2013-89608호에 기재된 것을 사용할 수 있다.
[보호 부재]
또한, 유기 EL 소자를 기계적으로 보호하기 위해서, 보호막 또는 보호판 등의 보호 부재를 마련해도 된다. 보호 부재는, 유기 EL 소자 및 밀봉 부재를, 투명 도전 부재(10) 사이에 끼우는 위치에 배치된다. 특히 밀봉 부재가 밀봉막일 경우에는, 유기 EL 소자에 대한 기계적인 보호가 충분하지 않기 때문에, 이러한 보호 부재를 마련하는 것이 바람직하다.
이상과 같은 보호 부재는, 유리판, 폴리머판, 이것보다도 박형의 폴리머 필름, 금속판, 이것보다도 박형의 금속 필름, 또는 폴리머 재료막이나 금속 재료막이 적용된다. 이 중, 특히, 경량 또한 박막화라고 하는 것으로부터 폴리머 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
<유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법>
이어서, 도 2에 도시하는 유기 EL 소자(20)의 제조 방법 일례를 설명한다.
먼저, 상술한 제조 방법에 의해 투명 도전 부재(10)를 제작한다.
이어서, 투명 도전 부재(10) 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층의 순서로 성막하여, 발광 유닛(21)을 형성한다. 이들 각 층의 성막 방법으로서는, 스핀 코팅법, 캐스트법, 잉크젯법, 증착법, 인쇄법 등이 있는데, 균질한 막이 얻어지기 쉽고, 또한 핀 홀이 생성되기 어렵다는 등의 점에서, 진공 증착법 또는 스핀 코팅법이 특히 바람직하다. 또한, 층마다 상이한 성막법을 적용해도 된다. 이들 각 층의 성막에 증착법을 채용하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물의 종류 등에 따라 상이한데, 일반적으로 보트 가열 온도 50℃ 이상 450℃ 이하, 진공도 1×10-6Pa 이상 1×10-2Pa 이하, 증착 속도 0.01nm/초 이상 50nm/초 이하, 기판 온도 -50℃ 이상 300℃ 이하, 층 두께 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위 내에서, 각 조건을 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
발광 유닛(21)을 형성한 후, 이 상부에 제2 전극(22)을 증착법이나 스퍼터법 등의 적절한 성막법에 의해 형성한다. 이때, 제2 전극(22)은 발광 유닛(21)에 의해 투명 도전 부재(10)의 광학 산란층(12)에 대하여 절연 상태를 유지하면서, 발광 유닛(21)의 상방으로부터 수지 기재(11)의 주연에 단자 부분을 인출한 형상으로 패턴 형성한다. 이에 의해, 유기 EL 소자(20)가 얻어진다. 또한, 그 후에는, 유기 EL 소자(20)에 있어서의 취출 전극 및 제2 전극(22)의 단자 부분을 노출시킨 상태에서, 적어도 발광 유닛(21)을 덮는 밀봉 부재를 마련한다.
이상에 의해, 원하는 유기 EL 소자(20)가 얻어진다. 이러한 유기 EL 소자(20)의 제작에 있어서는, 1회의 진공화에서 일관하여 발광 유닛(21)으로부터 제2 전극(22)까지 제작하는 것이 바람직한데, 도중에 진공 분위기로부터 수지 기재(11)를 취출하여 다른 성막법을 실시해도 상관없다. 그 때, 작업을 건조 불활성 가스 분위기 하에서 행하거나 하는 등의 배려가 필요해진다.
<기타의 전자 디바이스>
전자 디바이스로서는, 유기 EL 소자 외에, 유기 박막 태양 전지(OPV: Organic Photovoltaics), 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode), 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode) 등, 광학 특성이 필요한 것을 들 수 있다.
이어서, 유기 EL 소자 이외의 전자 디바이스의 일례에 대하여 설명한다.
도 3은, 본 발명에서 규정하는 기능층을 갖는 유기 박막 태양 전지(OPV)의 구조를 도시하는 모식도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 유기 박막 태양 전지(30)는 기능층(투명 부재)(31)과, 투명 기재(수지 기재)(32)와, 투명 전극(애노드(ITO))(33)과, 정공 수송층(34)과, 유기 발전층(35)과, 전자 수송층(36)과, 전극(캐소드(Ca/Al))(37)이 이 순서대로 마련되어 있다. 도 3에 도시하는 유기 박막 태양 전지(30)는 본 발명에서 규정하는 기능층(31)이 투명 기재(32)의 하부에 마련되어 있기 때문에, 전력 변환 효율과 스크래치 내성이 향상된다.
도 4는, 확산 필름을 사용하고 있지 않은 발광 다이오드(LED) 및 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 확산 필름으로서 사용한 발광 다이오드의 개략 상면도이다. 또한, 확산 필름을 사용한 것은 발광 다이오드의 상면에 확산 필름이 마련되어 있다.
도 4에 있어서, (A)는 확산 필름이 없는 것, (B)는 일반적인 확산 시트를 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층으로 한 것으로, 투과율 90％의 확산 필름으로서 사용한 것, (C)는 나노버클링 시트(2매 크로스 배치)를 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층으로 한 것으로, 투과율 80％의 확산 필름으로서 사용한 것, (D)는 일반의 확산판을 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층으로 한 것으로, 투과율 65％의 확산 필름으로서 사용한 것이다.
또한, 도 4는, 편의상, 발광 다이오드의 상면에서 보아 상태를 간략화하여 도시한 것이며, (B), (C), (D)는 확산 필름을 마련한 것으로서, 편의상, 동일한 도면으로 하고 있다.
도 4의 (B), (C)에서는, 상대 직하 조도가 100이며, (D)에서는, 상대 직하 조도가 68이었다. 또한, 상대 직하 조도란, 각 광원을 수직 방향으로부터 본 상대적인 조도이며, 조도를 측정하여 최댓값의 것을 100으로 하여 비교한 것이다.
도 4의 (B), (C), (D)에 도시하는 발광 다이오드는, 본원 규정의 기능층이 확산 필름으로서 발광 다이오드의 상면에 마련되어 있기 때문에, 광 취출 효율과 스크래치 내성이 향상된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 유기 EL 소자는, 본 발명에서 규정하는 기능층을 갖는 투명 도전 부재를 갖는 것으로 했지만, 투명 도전 부재 이외의 부재에 적용해도 된다.
이상 설명한 대로, 본 실시 형태의 전자 디바이스에 의하면, 광학 특성이 우수하기 때문에, 예를 들어 전력 변환 효율이나 발광 효율이 향상된 것이 된다. 또한, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 갖는 부재를 전자 디바이스의 내부에 배치한 경우, 장기 보존성이 향상된다. 또한, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 갖는 부재를 전자 디바이스의 외측에 배치한 경우, 스크래치 내성이 향상된다. 또한, 여기에서의 장기 보존성이란, 전자 디바이스를 고온(예를 들어 85℃)에서 장시간 구동했을 때에 다크 스폿이 발생하지 않는 성능을 말한다. 또한, 스크래치 내성이란, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 갖는 면을 마찰시킨 때에, 전자 디바이스가 손상되기 어려운 성능을 말한다.
실시예
이하, 실시예를 들어서 본 발명을 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 표 중의 X, X'의 숫자 및 Y 구성의 양단 숫자((1) 등)는 본 명세서 중에 기재된 식 (1) 내지 (12)의 화합물에 대응한다. 또한, 표 중, PMMA는, 폴리메타크릴산메틸이며, P/B는, 바인더의 체적과 입자의 체적 합계와, 입자의 체적과의 비율 [입자의 체적/(입자의 체적+바인더의 체적)]×100이다. 또한, 표 중, 입자 직경은, 입자 전부의 평균 입자 직경이며, 기재측 존재율은, 기재측의 입자 존재 체적률이다.
실시예에 사용하는 화합물의 구조를 이하에 나타내었다.
Figure 112019029028678-pct00007
Figure 112019029028678-pct00008
[실시예 1]
실시예 1에서는, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 도설한 유기 박막 태양 전지(OPV) 소자에 대하여 특성을 평가하였다.
표 2에 기재된 조성이 되도록, No.101 이외에는, X, X', Y를 선택하고, 개시제 A를 첨가한 수지 구성으로 하였다. 또한, No.101은, 기능층을 도설하고 있지 않은, 후술하는 플라스틱 필름을 사용한 유기 박막 태양 전지로 한 것이다.
[No.102의 제작]
표 2에 기재된 수지 구성의 성분을 98질량％, 개시제 A를 2질량％ 함유하는 도포액을 잉크젯 도포법으로, 별도 준비한 편측에 점착제가 도설되어 있는 두께 38㎛의 플라스틱 필름(후지모리 고교(주)사제, 마스택 TFB ZBO-0421)의 점착제와 반대측에 도포하였다. 그 후, 간이 건조(70℃, 2분)하고, 또한, 후술하는 파장 제어 IR로 기재 온도 80℃ 미만의 출력 조건에서 5분간 건조 처리를 실행하였다.
파장 제어 IR로서는, 적외선 조사 장치(얼티메이트 히터/카본, 메이메이 고교 가부시키가이샤제)에, 파장 3.5㎛ 이상의 적외선을 흡수하는 석영 유리판 2매를 설치하고, 유리판 사이에 냉각 공기를 흘린 파장 제어 적외선 히터를 사용하였다.
이어서, 하기 개질 처리 조건으로 경화 반응을 촉진하여, 기능층(수지층)의 층 두께가 0.25㎛인 기능 필름을 얻었다.
(개질 처리 장치)
장치: 가부시키가이샤 엠디콤제 엑시머 조사 장치 MODEL MEIRH-M-1-200-222-H-KM-G
파장: 222nm
램프 봉입 가스: KrCl
(개질 처리 조건)
엑시머광 강도: 8J/㎠(222nm)
스테이지 가열 온도: 60℃
조사 장치 내의 산소 농도: 대기
제작한 기능 필름을 유기 박막 태양 전지의 수광면에 부착하여, 평가용 소자로 하였다.
[No.103의 제작]
상술한 시료 102의 제작에 있어서, 표 2에 기재된 수지 구성의 조건으로 변경한 것 이외에는, No.102와 동일한 방법으로 No.103의 유기 박막 태양 전지를 제작하였다.
[No.104의 제작]
상술한 시료 103의 제작에 있어서, 도포액의 수지 성분에 대하여 유기 티타늄 화합물(Ti-A)를 20질량％ 첨가한 것 이외에는, No.103과 동일한 방법으로 No.104의 유기 박막 태양 전지를 제작하였다.
제작한 유기 박막 태양 전지에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 또한, 실시예 1에서는, 기능 필름은 유기 박막 태양 전지의 외측에 배치되어 있기 때문에, 스크래치 내성에 대하여 평가하고, 내부에 배치된 경우에 영향을 받는 장기 보존성(85℃ 보존성)에 대해서는 평가하지 않았다.
[전력 변환 효율]
광을 비추는 것에 의해 만들어지는 전력을 전력 변환 효율로 하고, 전력 변환 효율은, No.101의 전력 변환 효율을 1.00으로 하는 상대값으로 구하고, 1.05배 이상의 것을 합격으로 하였다.
평가는 신에이 덴시 게이소쿠키(주)사제, 태양광 발전 어레이 테스터 SIV-600을 사용해서 행하였다.
[스크래치 내성]
가부시키가이샤 야스다 세끼 세이사꾸쇼제, No.650-F 트라이보테스터(왕복 마찰 마모 시험기)를 사용하여 찰과성을 평가하였다. SUS제 볼상 마찰자에 있어서, 마찰 속도 100mm/초, 하중 100gf로서, 10왕복했을 때의 흠집의 정도로 평가를 행하였다. 명백하게 흠집이 나타나는 것을 ×, 흠집이 보이지 않거나 또는 보기 어려운 것을 ○로 하였다.
사용한 수지의 구성 및 평가 결과를 표 2에 나타내었다. 또한, 표 중, 성분을 함유하지 않는 것은 「-」로 나타낸다.
Figure 112019029028678-pct00009
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 규정을 만족시키는 No.103, 104는, 모든 평가 결과가 우수하였다.
한편, No.101은, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 갖지 않기 때문에, 전력 변환 효율 및 스크래치 내성이 떨어졌다. 또한, No.102는, Y 구성에 S를 포함하지 않기 때문에, 전력 변환 효율이 떨어졌다.
[실시예 2]
실시예 2에서는, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능 필름을 부착한 LED 조명에 대하여 특성을 평가하였다.
표 3에 기재된 조성이 되도록, No.201, No.202 이외에는, X, X', Y를 선택하고, 개시제 A를 첨가한 수지 구성으로 하였다. 또한, No.201은, 기능 필름을 마련하고 있지 않은 LED 조명으로 한 것이다.
[No.202의 제작]
굴절률 2.30, 평균 입자 직경 290nm, 애스펙트비 2 이하의 입자 85개수％의 TiO2 입자(사까이 가가꾸 고교(주)제 R-42)와 수지 용액(도꾜 가세이 고교(주)사제 메타크릴산메틸))의 고형분 비율을 5체적％(입자)/95체적％(수지)로 한 액을 조제하였다. 이 액을, 별도 준비한, 편측에 점착제가 도설되어 있는 두께 38㎛의 플라스틱 필름(후지모리 고교(주)사제, 마스택 TFB ZBO-0421)의 점착제와 반대측에 도포하고, 기능 필름을 제작하였다.
구체적으로는, 상기 TiO2 입자와 용매 및 첨가제를, TiO2 입자에 대하여 10％의 질량비로 혼합하고, 상온(25℃)에서 냉각하면서, 초음파 분산기(에스엠티사제 UH-50)에, 마이크로칩 스텝(에스엠티사제 MS-3[3mmφ])의 표준 조건에서 10분간 분산을 첨가하여, TiO2의 분산액을 제작하였다.
이어서, TiO2 분산액을 100rpm으로 교반하면서, 수지 용액을 소량씩 혼합 첨가하고, 첨가 완료 후, 500rpm까지 교반 속도를 높이고, 10분간 혼합한 후, 소수성 PVDF 0.45㎛ 필터(와트만사제)로 여과하여, 목적으로 하는 기능 필름용 도포액을 얻었다.
상기 도포액을 잉크젯 도포법으로, 별도 준비한 편측에 점착제가 도설되어 있는 두께 38㎛의 플라스틱 필름의 점착제와 반대측에 도포한 후, 간이 건조(70℃, 2분)하고, 또한, 후술하는 파장 제어 IR로 기재 온도 80℃ 미만의 출력 조건에서 5분간 건조 처리를 실행하였다.
파장 제어 IR로서는, 적외선 조사 장치(얼티메이트 히터/카본, 메이메이 고교 가부시키가이샤제)에, 파장 3.5㎛ 이상의 적외선을 흡수하는 석영 유리판 2매를 설치하고, 유리판 사이에 냉각 공기를 흘린 파장 제어 적외선 히터를 사용하였다.
이어서, 하기 개질 처리 조건에서 경화 반응을 촉진하고, 기능층(광학 산란층)의 층 두께가 0.25㎛인 기능 필름을 얻었다.
(개질 처리 장치)
장치: 가부시키가이샤 엠디콤제 엑시머 조사 장치 MODEL MEIRH-M-1-200-222-H-KM-G
파장: 222nm
램프 봉입 가스: KrCl
(개질 처리 조건)
엑시머광 강도: 8J/㎠(222nm)
스테이지 가열 온도: 60℃
조사 장치 내의 산소 농도: 대기
제작한 기능 필름을 OptoSupply사제, 표면 실장용 백색 LED 소자(OSWT1608C1A-W25)의 표면에 부착하고, 평가용 소자로 하였다.
[No.203의 제작]
상술한 시료 202의 제작에 있어서, 표 3에 기재된 수지 구성의 성분을 98질량％, 개시제 A를 2질량％ 함유한 도포액으로 변경한 것 이외에는, No.202와 동일한 방법으로 No.203의 LED 조명을 제작하였다.
[No.204의 제작]
상술한 시료 203의 제작에 있어서, 표 3에 기재된 수지 구성의 조건으로 변경한 것 이외에는, No.203과 동일한 방법으로 No.204의 LED 조명을 제작하였다.
[No.205의 제작]
상술한 시료 204의 제작에 있어서, 수지 성분에 대하여 유기 티타늄 화합물 (Ti-A)를 20질량％ 첨가한 수지 구성으로 한 것 이외에는, No.204와 동일한 방법으로 No.205의 LED 조명을 제작하였다.
제작한 LED 조명에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 또한, 실시예 2에서는, 기능 필름은 LED 조명의 외측에 배치되어 있기 때문에, 스크래치 내성에 대하여 평가하고, 내부에 배치된 경우에 영향을 받는 장기 보존성(85℃ 보존성)에 대해서는 평가하지 않았다.
[발광 효율]
(전체 광속)
제작한 각 시료에 대하여 적분구를 사용하여 일정 전류에 있어서의 광속을 측정하였다. 구체적으로는, 5mA의 전류 밀도로 전체 광속을 측정하였다. 각 시료의 발광 효율은, No.201의 발광 효율을 1.00으로 하는 상대값으로 구하고, 1.20배 이상을 합격으로 하였다.
[스크래치 내성]
실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
사용한 기능 필름의 구성 및 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 표 중, 성분을 함유하지 않는 것은 「-」로 나타낸다.
Figure 112019029028678-pct00010
표 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 규정을 만족시키는 No.203 내지 205는 모든 평가 결과가 우수하였다.
한편, No.201은, 기능 필름을 갖지 않기 때문에, 발광 효율이 떨어졌다. 또한, No.202는, X-Y-X'의 구조의 수지 성분을 함유하지 않기 때문에, 발광 효율 및 스크래치 내성이 떨어졌다.
[실시예 3]
실시예 3에서는, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 옵티컬 필름(OCF: Out Coupling Film)으로서 사용한 유기 EL(OLED) 소자에 대하여 특성을 평가하였다.
《유기 EL 소자의 제작》
<필름의 제작>
[기재]
(기재 준비)
수지 기재로서, 두께 100㎛, 폭 350mm의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(도레이사제의 루미러(등록 상표) U48)을 준비하였다.
(프라이머층의 제작)
수지 기재의 접착 용이면에, JSR 가부시키가이샤제 UV 경화형 유기/무기 하이브리드 하드 코팅재 OPSTAR(등록 상표) Z7501을, 도포, 건조 후의 층 두께가 4㎛로 되도록 와이어-바로 도포한 후, 건조 조건: 80℃, 3분으로 건조 후, 공기 분위기 하에서, 고압 수은 램프를 사용하고, 경화 조건: 1.0J/㎠로 경화를 행하여, 프라이머층(하지층)을 형성하였다.
(가스 배리어층의 형성)
프라이머층을 형성한 PET 필름을 120mm×100mm의 크기로 잘라내고, 프라이머층 상에 규소 함유 폴리머 개질층을 이하와 같이 하여 형성하였다.
무촉매의 퍼히드로폴리실라잔의 20질량％ 디부틸에테르 용액(아쿠아미카(등록 상표) NN120-20, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제)과, 아민 촉매(N,N,N',N'-테트라메틸-1,6-디아미노헥산)를 고형분의 5질량％ 함유하는 퍼히드로폴리실라잔 20질량％ 디부틸에테르 용액(아쿠아미카 NAX120-20, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제)을 4:1의 비율로 혼합하고, 또한 두께의 조정을 위하여 디부틸에테르로 적절히 희석하여, 도포액을 조제하였다.
프라이머층 상에 조정한 도포액을 다이 코터로 건조 후의 두께가 100nm로 되도록 도포하고, 80℃에서 2분간 건조하였다. 진공 자외선 조사 장치에 파장 172nm의 Xe 엑시머 램프를 사용하여, 이 진공 자외선 조사 장치에 의해, 건조 후의 도막에, 2.5mJ/㎠의 진공 자외선을 조사하는 개질 처리를 실시하고, 규소 함유 폴리머 개질층을 형성하였다. 진공 자외선의 조사 시, 산소 농도가 0.1체적％의 분위기가 되도록, 질소에 의한 치환을 행하였다. 또한, PET 필름을 설치하는 스테이지의 온도를 80℃로 하고, 스테이지의 반송 속도를 0.5m/min으로 하였다.
계속해서, 두께 300nm의 규소 화합물층을 플라스마 CVD법에 의해 형성하여, 가스 배리어층 구비 지지 기판을 얻었다.
규소 화합물층의 성막 조건은, 이하와 같다.
원료 가스(헥사메틸디실록산: HMDSO)의 공급량: 50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
산소 가스(O2)의 공급량: 500sccm
진공 챔버 내의 진공도: 3Pa
플라스마 발생용 전원으로부터의 인가 전력: 1.2kW
플라스마 발생용 전원의 주파수: 80kHz
필름의 반송 속도: 0.5m/min
또한, 규소 함유 폴리머 개질층을 상기와 동일하게 하여, 300nm의 막 두께로 도포, 자외선 경화하였다.
(제1 전극의 형성)
시판하고 있는 스퍼터 장치에, In2O3:ZnO(90질량％: 10질량％)의 타깃을 설치하고, 이하의 조건에서, 두께 250nm의 IZO를 포함하는 양극을 형성하였다.
전압: 0.4MPa
아르곤 유량: 99sccm
산소 유량: 1sccm
출력: 5W/㎠
(발광층 유닛의 형성)
시판하고 있는 진공 증착 장치의 기재 홀더에 고정하고, 발광 유닛을 형성하는 하기의 화합물을 각각 텅스텐제의 저항 가열 보트에 넣고, 이들 기재 홀더와 각 가열 보트를 진공 증착 장치의 진공조 내에 설치하였다. 이어서, 진공 증착 장치의 진공조를 진공도 1×10-4Pa까지 감압한 후, 투명 도전 부재를 이동시키면서 화합물 HT-1을, 증착 속도 0.1nm/초로 증착하여, 20nm의 정공 수송층(HTL)을 마련하였다.
이어서, 화합물 A-3(청색 발광 도펀트), 화합물 A-1(녹색 발광 도펀트), 화합물 A-2(적색 발광 도펀트) 및 화합물 H-1(호스트 화합물)을 이하의 조건에서 발광층의 두께가 70nm가 되도록 공증착하여 발광층을 형성하였다.
화합물 A-3이 막 두께에 대하여 선형으로 5 내지 35질량％로 되도록 장소에 따라 증착 속도를 변화시켰다. 화합물 A-1과 화합물 A-2는 막 두께에 의존하지 않고 각각 0.2질량％의 농도가 되도록, 증착 속도 0.0002nm/초로 하였다. 화합물 H-1은 64.6 내지 94.6질량％로 되도록 장소에 따라 증착 속도를 변화시켰다.
그 후, 화합물 ET-1을 막 두께 30nm에 증착하여 전자 수송층을 형성하고, 또한 불화칼륨(KF)을 두께 2nm로 형성하였다. 또한, 알루미늄 110nm를 증착하여 대향 전극을 형성하였다.
(밀봉재의 형성)
[접착제 조성물의 조제]
폴리이소부틸렌계 수지 (A)로서 「오파놀(등록 상표) B50(BASF제, Mw: 34만)」 100질량부, 폴리부텐 수지 (B)로서 「닛세키 폴리부텐 그레이드 HV-1900(신일본 석유사제, Mw: 1900)」 30질량부, 힌더드 아민계 광안정제 (C)로서 「TINUVIN(등록 상표) 765(BASF·재팬제, 3급의 힌더드 아민기를 갖는다)」 0.5질량부, 힌더드 페놀계 산화 방지제 (D)로서 「IRGANOX(등록 상표) 1010(BASF·재팬제, 힌더드 페놀 기의 β위치가 2개 모두 tert-부틸기를 갖는다)」 0.5질량부, 및 환상 올레핀계 중합체 (E)로서 「Eastotac(등록 상표) H-100L Resin(이스트만 케미컬.Co.제)」 50질량부를, 톨루엔에 용해하여, 고형분 농도 약 25질량％의 접착제 조성물을 조제하였다.
(밀봉 기판의 제작)
상기에서 제작한 가스 배리어층 구비 지지 기판을 준비하고, 이것을 그대로, 후술하는 필름을 부착하기 전의 기판으로 하였다. 이어서, 조제한 상기 접착제 조성물의 용액을 건조 후에 형성되는 접착층의 두께가 20㎛가 되도록 밀봉 기판의 음극측(가스 배리어층측)으로 되는 표면에 도포 시공하고, 120℃에서 2분간 건조시켜서 접착층을 형성하였다. 이어서, 형성한 접착층면에 대하여 박리 시트로서, 두께 38㎛의 박리 처리를 한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 박리 처리면을 부착하여, 밀봉 기판을 제작하였다.
상술한 방법으로 제작한 밀봉 기판을, 질소 분위기 하 24시간 이상 방치하였다.
방치 후, 박리 시트를 제거하고, 80℃로 가열한 진공 라미네이터로 유기 발광 소자의 음극을 덮는 형으로 라미네이트하였다. 또한, 120℃에서 30분 가열하고 밀봉하여, 「No.301」을 제작하였다.
[No.302의 제작]
No.202와 동일한 방법으로, 기능층(광학 산란층)의 층 두께가 0.25㎛인 옵티컬 필름(OCF)을 얻었다.
그 후, 시료 301과 동일하게 소자 제작을 행하였다. 제작한 옵티컬 필름을 전술한 유기 EL 소자의 발광면에 부착하여, 평가용 소자로 하였다.
[No.303의 제작]
상술한 시료 302의 제작에 있어서, 표 4에 기재된 수지 구성의 성분을 98질량％, 개시제 A를 2질량％ 함유한 도포액으로 변경한 것 이외에는, No.302와 동일한 방법으로 No.303의 유기 EL 소자를 제작하였다.
[No.304의 제작]
상술한 시료 303의 제작에 있어서, 표 4의 수지 구성의 조건으로 변경한 것 이외에는, No.303과 동일한 방법으로 No.304의 유기 EL 소자를 제작하였다.
[No.305의 제작]
상술한 시료 304의 제작에 있어서, 수지 성분에 대하여 유기 티타늄 화합물 (Ti-A)를 20질량％ 첨가한 수지 구성으로 한 것 이외에는, No.304와 동일한 방법으로 No.305의 유기 EL 소자를 제작하였다.
제작한 유기 EL 소자에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 또한, 실시예 3에서는, OCF는 유기 EL 소자의 외측에 배치되어 있기 때문에, 스크래치 내성에 대하여 평가하고, 내부에 배치된 경우에 영향을 받는 장기 보존성(85℃ 보존성)에 대해서는 평가하지 않았다.
[발광 효율]
(전체 광속)
제작한 각 시료에 대하여 적분구를 사용하여 일정 전류에 있어서의 광속을 측정하였다. 구체적으로는, 20A/㎡의 정전류 밀도로 전체 광속을 측정하였다. 각 시료의 발광 효율은, No.301의 발광 효율을 1.00으로 하는 상대값으로 구하고, 1.20배 이상을 합격으로 하였다.
[스크래치 내성]
실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
사용한 OCF의 구성 및 평가 결과를 표 4에 나타내었다. 또한, 표 중, 성분을 함유하지 않는 것은 「-」로 나타낸다.
Figure 112019029028678-pct00011
표 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 규정을 만족시키는 No.303 내지 305는 모든 평가 결과가 우수하였다.
한편, No.301은, OCF를 갖지 않기 때문에, 발광 효율이 떨어졌다. 또한, No.302는, X-Y-X'의 구조의 수지 성분을 함유하지 않기 때문에, 발광 효율 및 스크래치 내성이 떨어졌다.
[실시예 4]
실시예 4에서는, 본원 규정의 수지 성분을 함유하는 기능층을 내부 광 취출 구조(IES: Internal light extraction structure)로서 사용한 유기 EL(OLED) 소자에 대하여 특성을 평가하였다.
[No.401의 제작]
No.401의 기재는 No.301과 동일 구성이기 때문에, No.301과 동일하게 제작하였다.
[No.402의 제작]
기재의 가스 배리어층까지는 No.401과 동일하게 제작하였다.
굴절률 2.30, 평균 입자 직경 290nm, 애스펙트비 2 이하의 입자 65개수％의 TiO2 입자(테이카(주)제 JR-805)와 수지 용액(도꾜 가세이 고교(주)사제 메타크릴산메틸))의 고형분 비율을 10체적％(입자)/90체적％(수지)로 한 액을 조제하고, 상기 기재 상(가스 배리어층 상)에 광학 산란층(IES)을 형성하였다.
구체적으로는, 상기 TiO2 입자와 용매 및 첨가제를, TiO2 입자에 대하여 10％의 질량비로 혼합하고, 상온(25℃)에서 냉각하면서, 초음파 분산기(에스엠티사제 UH-50)에, 마이크로칩 스텝(에스엠티사제 MS-3[3mmφ])의 표준 조건에서 10분간 분산을 첨가하여, TiO2의 분산액을 제작하였다.
이어서, TiO2 분산액을 100rpm으로 교반하면서, 수지 용액을 소량씩 혼합 첨가하고, 첨가 완료 후, 500rpm까지 교반 속도를 높이고, 10분간 혼합한 후, 소수성 PVDF 0.45㎛ 필터(와트만사제)로 여과하여, 목적으로 하는 광학 산란층용 도포액을 얻었다.
상기 도포액을 잉크젯 도포법으로, 플라스틱 필름 기판 상의 가스 배리어층측(가스 배리어층 상)에 도포한 후, 간이 건조(70℃, 2분)하고, 또한, 후술하는 파장 제어 IR로 기재 온도 80℃ 미만의 출력 조건에서 5분간 건조 처리를 실행하였다.
파장 제어 IR로서는, 적외선 조사 장치(얼티메이트 히터/카본, 메이메이 고교 가부시키가이샤제)에, 파장 3.5㎛ 이상의 적외선을 흡수하는 석영 유리판 2매를 설치하고, 유리판 사이에 냉각 공기를 흘린 파장 제어 적외선 히터를 사용하였다.
이어서, 하기 개질 처리 조건에서 경화 반응을 촉진하여, 층 두께 0.50㎛의 광학 산란층을 얻었다.
(개질 처리 장치)
장치: 가부시키가이샤 엠디콤제 엑시머 조사 장치 MODEL MEIRH-M-1-200-222-H-KM-G
파장: 222nm
램프 봉입 가스: KrCl
(개질 처리 조건)
엑시머광 강도: 8J/㎠(222nm)
스테이지 가열 온도: 60℃
조사 장치 내의 산소 농도: 대기
그 후, No.301과 동일하게, 발광층 유닛을 성막하였다.
[No.403의 제작]
상술한 시료 402의 제작에 있어서, 표 5의 조건으로 변경한 것 이외에는, No.402와 동일한 방법으로 No.403의 유기 EL 소자를 제작하였다.
[No.404 내지 415, 417 내지 429, 434의 제작]
상술한 시료 403의 제작에 있어서, 표 5에 기재된 수지 구성의 성분을 98질량％, 개시제 A를 2질량％ 함유한 도포액으로 변경한 것 이외에는, No.403과 동일한 방법으로 No.404 내지 415, 417 내지 429, 434의 유기 EL 소자를 제작하였다.
또한, 표 중의 입자에 대해서, B-34는, 굴절률 1.64, 평균 입자 직경 0.30㎛, 애스펙트비 2 이하의 비율 85개수％의 BaSO4 입자(사까이 가가꾸 고교(주)제), SG-TO100은, 굴절률 2.40, 평균 입자 직경 100nm, 애스펙트비 2 이하의 비율 90개수％의 TiO2 입자(Sukgyung AT Co.,Ltd.제), MP-6035는, 굴절률 1.48, 평균 입자 직경 450nm, 애스펙트비 2 이하의 비율 100개수％의 아크릴 입자(소껭 가가꾸(주)제), BT-HP9DX는, 굴절률 2.42, 평균 입자 직경 300nm, 애스펙트비 2 이하의 비율 85개수％의 BaTiO3((주)노리타케 컴퍼니 리미티드제)이다.
[No.416, 430 내지 433의 제작]
상술한 시료 415의 제작에 있어서, 수지 성분에 대하여 유기 티타늄 화합물 (Ti-A)를 20질량％ 첨가하고, 표 5의 조건으로 변경한 것 이외에는, No.415와 동일한 방법으로 No.416 및 430 내지 433의 유기 EL 소자를 제작하였다.
제작한 유기 EL 소자에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 또한, 실시예 4에서는, 광학 산란층은 유기 EL 소자의 내부에 배치되어 있기 때문에, 장기 보존성(85℃ 보존성)에 대하여 평가하고, 외측에 배치된 경우에 영향을 받는 스크래치 내성에 대해서는 평가하지 않았다.
[발광 효율]
(전체 광속)
실시예 3과 동일한 방법으로 전체 광속을 측정하였다. 각 시료의 발광 효율은, 시료 401의 발광 효율을 1.00으로 하는 상대값으로 구하고, 1.20배 이상을 합격으로 하였다.
[장기 보존성]
85℃(dry)의 항온조에 각 시료를 투입하고, 24시간마다 상기 발광 효율 평가와 동일한 정전류 밀도에 있어서의 보존 전과 보존 후의 전압 상승률을 평가하였다. 평가 개시 시보다 전압 상승이 1.0V를 초과한 소자, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿이 발생한 소자를 불가로 하고, 불가가 되는 기간(일수)을 5단계의 랭크로 하여 보존성이라고 정의하였다.
랭크5: 보존 후, 500시간 초과이며 1.0V 초과의 전압 상승이 없는 것, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿의 발생이 없는 것
랭크4: 보존 후, 300시간 초과 500시간 이내에 전압 상승이 1.0V를 초과한 것, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿이 발생한 것
랭크3: 보존 후, 100시간 초과 300시간 이내에 전압 상승이 1.0V를 초과한 것, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿이 발생한 것
랭크2: 보존 후, 24시간 초과 100시간 이내에 전압 상승이 1.0V를 초과한 것, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿이 발생한 것
랭크1: 보존 후, 24시간 이내에 전압 상승이 1.0V를 초과한 것, 또는, 0.5mm 이상의 다크 스폿이 발생한 것
또한, 랭크3 이상의 것을 합격으로 하였다.
사용한 IES의 구성 및 평가 결과를 표 5에 나타내었다. 또한, 표 중, 성분을 함유하지 않는 것은 「-」로 나타낸다.
Figure 112019029028678-pct00012
표 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 규정을 만족시키는 No.404 내지 423, 425 내지 434은 모든 평가 결과가 우수하였다.
한편, No.401은, IES를 갖지 않기 때문에, 발광 효율이 떨어졌다. 또한, No.402, No.403은, X-Y-X'의 구조의 수지 성분을 함유하지 않기 때문에, 발광 효율 및 장기 보존성이 떨어졌다. 또한, No.424는, Y 구성에 S를 포함하지 않기 때문에, 발광 효율 및 장기 보존성이 떨어졌다.
10: 투명 도전 부재
11: 수지 기재
12: 광학 산란층
13: 입자
14: 바인더
15: 투명 도전막
20: 유기 EL 소자
21: 발광층 유닛
22: 제2 전극
30: 유기 박막 태양 전지
31: 기능층
32: 투명 기재
33: 투명 전극
34: 정공 수송층
35: 유기 발전층
36: 전자 수송층
37: 전극

Claims (10)

  1. 수지 기재 상에 광학 산란층을 가진 전자 디바이스에 있어서,
    상기 광학 산란층은 입자 및 바인더를 포함하고, 상기 바인더는 수지 성분으로서 X-Y-X'의 구조의 성분을 함유하고,
    상기 X 및 X'는 각각 독립적으로, 적어도 하기 식 (1) 내지 (7) 중 어느 구조를 갖고,
    Figure 112021023022804-pct00020

    상기 Y는 적어도 하나의 S 원자와 하나의 방향환을 갖는 2가기로서, -R-R'-, -R-S-R'-, 및 -R-S(O)-R'- 중 어느 구조이며, 상기 R 및 R'는 각각 독립적으로, 하기 식 (8) 내지 (12) 중 어느 구조인데, 상기 Y가, -R-R'-일 경우, 상기 R 및 R' 중 적어도 하나는 하기 식 (12)이고, 또는
    Y는 -(8)-(12)-(8)-, -(8)-S(O)-(8)-, -(8)-S-(9)-, -(8)-S-(10)-, -(8)-S-(11)-, -(8)-S-(12)-, -(12)-(12)-, -(9)-S-(9)-, -(10)-S-(10)-, -(11)-S-(11)-, 및 -(12)-S-(12)- 중 어느 구조이며;
    Figure 112021023022804-pct00021

    상기 광학 산란층은, 상기 입자로서 애스펙트비가 2 이하인 구상 입자를 80개수％ 이상 포함하고,
    상기 입자는 TiO2, BaTiO3, ZrO2, 및 SnO2로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기 미립자를 포함하는, 전자 디바이스.
  2. 삭제
  3. 제1항에 기재된 전자 디바이스가 유기 일렉트로루미네센스 소자인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제3항에 있어서, 상기 광학 산란층의 두께가, 상기 입자의 평균 입자 직경보다도 두껍고, 상기 광학 산란층에 있어서, 두께 방향의 중심으로부터 상기 수지 기재측의 영역의 상기 입자의 입자 존재 체적 비율이, 두께 방향의 중심으로부터, 상기 광학 산란층 상에 형성된 투명 도전막측의 영역의 상기 입자의 입자 존재 체적 비율보다도 큰 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  7. 제3항에 있어서, 상기 광학 산란층에 있어서의 상기 입자의 체적 비율이, 1체적％ 이상 40체적％ 이하인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  8. 제3항에 있어서, 상기 입자와 상기 바인더의 굴절률차가 0.20 이상 1.00 이하인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  9. 제3항에 있어서, 상기 구상 입자의 평균 입자 직경이, 200nm 이상 500nm 이하인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  10. 제3항에 있어서, 상기 광학 산란층의 두께가 250nm 이상 1000nm 이하인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
KR1020197008194A 2016-11-08 2017-09-26 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자 KR102287519B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-218327 2016-11-08
JP2016218327 2016-11-08
PCT/JP2017/034804 WO2018088048A1 (ja) 2016-11-08 2017-09-26 電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190044080A KR20190044080A (ko) 2019-04-29
KR102287519B1 true KR102287519B1 (ko) 2021-08-10

Family

ID=62109714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197008194A KR102287519B1 (ko) 2016-11-08 2017-09-26 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11101448B2 (ko)
JP (1) JP7068182B2 (ko)
KR (1) KR102287519B1 (ko)
WO (1) WO2018088048A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7105252B2 (ja) * 2017-12-20 2022-07-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20230378403A1 (en) 2020-10-20 2023-11-23 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Surface-emitting device, display device, sealing member sheet for surface-emitting device, and method for producing surface-emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004109497A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Nitto Denko Corp 粒子分散系樹脂シート、画像表示装置用基板および画像表示装置
JP2015109202A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置の製造方法
JP2015156306A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3965989B2 (ja) * 2001-12-12 2007-08-29 三菱化学株式会社 ヘテロ環含有化合物およびこれを含む組成物
JP2003231682A (ja) * 2002-02-06 2003-08-19 Mitsubishi Chemicals Corp ヘテロ環含有化合物およびその組成物
JP2004035413A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Mitsubishi Chemicals Corp カルバミン酸エステル化合物
JP4391177B2 (ja) * 2003-09-17 2009-12-24 株式会社リコー 光硬化型表示素子用シール剤
JP2006193705A (ja) * 2004-12-17 2006-07-27 Seiko Epson Corp 導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器
JP2008221592A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 透明樹脂シート
US20090051278A1 (en) 2007-08-21 2009-02-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent display device having scattering member
JP2009070814A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Fujifilm Corp 散乱部材を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP5534682B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 積水化学工業株式会社 電子部品用熱硬化性接着剤及びこの接着剤を用いた電子部品内蔵基板の製造方法
JP2014071308A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、これを用いた硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
WO2014057968A1 (ja) * 2012-10-10 2014-04-17 コニカミノルタ株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP2016039135A (ja) 2014-08-06 2016-03-22 三菱化学株式会社 フレキシブル基板及びそれを用いた有機ｅｌ素子、有機ｅｌ照明装置
JPWO2016208237A1 (ja) * 2015-06-24 2018-04-12 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルム、透明導電部材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに、ガスバリアフィルムの製造方法、透明導電部材の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004109497A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Nitto Denko Corp 粒子分散系樹脂シート、画像表示装置用基板および画像表示装置
JP2015109202A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置の製造方法
JP2015156306A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018088048A1 (ja) 2019-09-26
US11101448B2 (en) 2021-08-24
WO2018088048A1 (ja) 2018-05-17
KR20190044080A (ko) 2019-04-29
US20200067023A1 (en) 2020-02-27
JP7068182B2 (ja) 2022-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5716752B2 (ja) ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
JP5888329B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、および電子デバイス
JP5445179B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、有機電子デバイス
TWI457232B (zh) 氣體阻絕膜及電子裝置
JP5540803B2 (ja) ガスバリア性フィルムの製造方法
JP2017079098A (ja) 光学基板、透明導電部材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2015141252A1 (ja) 有機電界発光装置
KR102287519B1 (ko) 전자 디바이스 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP2017077684A (ja) ガスバリアフィルム、透明導電部材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015156306A (ja) 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子
JP6185867B2 (ja) 機能性積層材料、機能性積層材料の製造方法、および機能性積層材料を含む有機電界発光装置
JPWO2016163215A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5552979B2 (ja) ガスバリアフィルムの製造方法、該ガスバリアフィルムを有する有機電子デバイス
KR102152159B1 (ko) 투명 도전 부재 및 유기 일렉트로 루미네센스 소자
JP7093725B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018198180A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6793654B2 (ja) 透明電極、及び、有機電子デバイス、並びに、透明電極の製造方法、及び、有機電子デバイスの製造方法
JP2016171038A (ja) 電子デバイスの製造方法
JP7105252B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6376134B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013226758A (ja) ガスバリア性フィルムの製造方法
JP2008238541A (ja) 透明導電膜付ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP6802842B2 (ja) 透明電極の製造方法
JP2016087951A (ja) ガスバリアーフィルム、ガスバリアーフィルムの製造方法及び電子デバイス
WO2016136843A1 (ja) ガスバリア性フィルムおよび該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant