JP2003231682A - ヘテロ環含有化合物およびその組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高屈折率でありまた光、熱硬化性を有する樹
脂材料を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）で表されるヘテロ環
含有化合物。 【化１】 （式中、R¹〜R⁴はそれぞれ独立して炭素数1〜10の２価
の炭化水素基を表す。X¹〜X⁴はそれぞれ独立してOまた
はSを表す。Y¹およびY²はそれぞれ独立してOまたはSを
表す。m、n、p、qはそれぞれ独立して0〜10の整数を表
す。rは0〜10の整数を表す。Z¹、Z²は、それぞれ独立し
て置換基を有していてもよい２価のアリール基を表す。
但し、p=q=r=0、Y¹=Y²=OまたはＳ、かつZ²=C₆H₄の場合
を除く。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、分子内にヘテロ環
を含む化合物およびこれを含む組成物ならびに該組成物
を硬化して得られる硬化物に関する。詳しくは、接着
剤、コーティング剤、樹脂成形体などに好適に用いられ
る化合物、組成物、および、光学部材に好適に用いられ
る硬化物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、レンズなどの光学素子は、素子形
状、素子表面の形状などの複雑な成形が求められてい
る。樹脂材料は、種々の成型法で成形することができる
ので、比較的複雑な形状の素子なども容易に成形できる
という利点がある。さらに、樹脂材料は、ガラスに比べ
軽量であり、靱性を有し、割れにくいなどの特長があ
る。一方、例えば、光学素子、具体的にはレンズを作成
した場合、同じ焦点距離のレンズでも、屈折率の高い材
料を用いて製造すると、レンズを薄肉化することが可能
となり、軽量化、光学経路の設計の自由度が向上すると
いう利点がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂材
料は化学構造が制約されるため、通常は、屈折率がそれ
ほど高くないという問題がある。そこで、構造中に芳香
環、ハロゲン原子、硫黄原子を導入することにより屈折
率の高い樹脂材料を得ることが提案されている（特公平
4-30947号公報、特公平6-76370号公報参照）。しかし、
さらに屈折率の高い樹脂材料が求められている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、高屈折率
でありまた光、熱硬化性を有する樹脂材料を得るために
鋭意検討した結果、特定の新規なヘテロ環含有化合物
は、高い屈折率を有することを見出し本発明に到達し
た。すなわち、本発明の要旨は、下記一般式（１）で表
されるヘテロ環含有化合物に存する。

【０００５】

【化２】 （式中、R¹〜R⁴はそれぞれ独立して炭素数1〜10の２価
の炭化水素基を表す。X¹〜X⁴はそれぞれ独立してOまた
はSを表す。Y¹およびY²はそれぞれ独立してOまたはSを
表す。m、n、p、qはそれぞれ独立して0〜10の整数を表
す。rは0〜10の整数を表す。Z¹、Z²は、それぞれ独立し
て置換基を有していてもよい２価のアリール基を表す。
但し、p=q=r=0、Y¹=Y²=OまたはＳ、かつZ²=C₆H₄の場合
を除く。）

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のヘテロ環含有化合物は、前記一般式（Ｉ）にて
表されるものである。

【０００７】Ｒ¹〜Ｒ⁴は、炭素数１〜１０、好ましくは
炭素数１〜６、特に好ましくは１〜４の２価の炭化水素
基である。炭化水素基は、炭素原子および水素原子より
構成され、構成炭素原子の数が１〜１０の２価のもので
あれば特に制限はされない。具体的には、メチレン基、
エチレン基、１，３−プロピレン基、１，１−プロピレ
ン基、１，２−プロピレン基、１，４−ブチレン基、
１，１−ブチレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブ
チレン基、１，５−ペンチレン基、１，１−ペンチレン
基、１，２−ペンチレン基、１，３−ペンチレン基、
１，４−ペンチレン基、１，６−へキシレン基、１，１
−へキシレン基、１，２−へキシレン基、１，３−へキ
シレン基、１，４−へキシレン基、１，５−へキシレン
基、１，７−へプチレン基、１，８−オクチレン基、
１，６−（２−エチル）へキシレン基、１，９−ノニレ
ン基、１，１０−デシレン基等の鎖状脂肪族炭化水素
基；１，４−シクロヘキシレン基、１，３−シクロヘキ
シレン基、１，２−シクロヘキシレン基等の環状脂肪族
炭化水素基；１，４−フェニレン基、１，３−フェニレ
ン基、１，４−フェニレン基、１，４−キシリレン基、
１，３−キシリレン基、１，２−キシリレン基等の芳香
族炭化水素基等が挙げられる。好ましくは脂肪族炭化水
素基、特に好ましくは直鎖状脂肪族炭化水素、更に好ま
しくはメチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン
基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，
６−へキシレン基等の炭素数１〜６の直鎖鎖状脂肪族炭
化水素基が用いられる。

【０００８】X¹〜X⁴はそれぞれ独立してOまたはSを表
す。Y¹およびY²はそれぞれ独立してOまたはS、好ましく
はＳを表す。m、n、p、qはそれぞれ独立して0〜10、好
ましくは０〜５の整数を表す。rは0〜10、好ましくは０
〜５の整数を表す。

【０００９】Z¹、Z²は、それぞれ独立して置換基を有し
ていてもよい２価のアリール基を表す。かかるアリール
基としては特に制限されないが、１，４−フェニレン
基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、
１，４−キシリレン基、１，３−キシリレン基、１，２
−キシリレン基等の炭素数６〜１０の２価のアリール基
が挙げられる。本発明のヘテロ環含有化合物は、アリー
ル基を有することにより、高屈折率、かつ、アッベ数が
小さくなるようにすることができる。

【００１０】かかるアリール基は、その芳香環上に置換
基を有していてもよく、かかる置換基は特に制限されな
い。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜１
０の鎖状脂肪族炭化水素基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の
炭素数５〜１０の環状脂肪族炭化水素基、フェニル基、
キシリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基等
の炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オ
クチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子等が
挙げられ、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基、炭素
数１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。

【００１１】なお、一般式（Ｉ）において、p=q=r=0、Y
¹=Y²=OまたはＳ、かつZ²=C₆H₄の化合物は除くものとす
る。本発明のヘテロ環含有化合物は、特に、Ｙ¹、Ｙ²の
ヘテロ原子としてイオウなどを含むことにより、エポキ
シ化合物に比べ、硬化温度を低下させることもでき、硬
化速度も増大させることができる。

【００１２】本発明のヘテロ環含有化合物の製造方法
は、目的化合物が合成できる方法であれば、特に限定さ
れない。Y¹およびY²がＯである化合物は、例えば、次の
ように合成される。ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）
p-キシリレンとエピクロルヒドリンを塩基存在下で反応
させて、（II）などのような化合物を得る方法が挙げら
れる。エピクロルヒドリンは、ビス（２−ヒドロキシエ
チルチオ）p-キシリレンに対して、通常2〜20モル倍、
好ましくは4〜10モル倍の割合で使用される。塩基とし
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが好適に
用いられる。反応時、溶媒は必要に応じて用いられる
が、溶媒を用いる場合はトルエン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、イソプロピルアルコールな
どのアルコール系溶媒などが好適に用いられる。溶媒は
単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。反応
温度は、通常−20〜200℃、好ましくは0〜150℃の範囲
である。反応が終了した後は、水で洗浄した後、溶媒と
残存しているエピクロルヒドリンなどを留去して目的物
を得る。

【００１３】

【化３】 Y¹および／またはY²がＳである化合物は、例えば、ヘテ
ロ環含有化合物において、三員環のヘテロ原子が酸素原
子である化合物（以下「対応エポキシ化合物」と略記す
る）を原料として、硫化剤を用いる公知のオキシラン環
をチイラン環に変換する方法により合成される。硫化剤
としては、チオ尿素類、チオシアン酸塩類等が挙げら
れ、好ましくは、チオ尿素、及びチオシアン酸カリウム
が用いられる。例えば、J. M. Charlesworth, J. Poly
m. Sci. Polym. Phys., 17, 329 (1979)に記載のチオシ
アン酸塩を用いる方法が、また、R. D. Schuetz et al,
J. Org. Chem., 26, 3467 (1961) に記載のチオ尿素を
用いる方法が記載されている。対応エポキシ化合物は、
上記（１）および（２）の方法で得ることができる。

【００１４】本発明の一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環
含有化合物を含む組成物は、光、熱などにより重合・硬
化することができる硬化性組成物であり、一般式（Ｉ）
で表されるヘテロ環含有化合物の他に、通常、上記一般
式（Ｉ）で表される化合物と反応しうる官能基を有する
化合物およびラジカル重合性化合物から選ばれる化合物
を含有する。さらに、本発明の組成物は、これに加えて
硬化助剤を含有することが好ましい。硬化助剤として
は、通常、光開始剤、硬化剤等が挙げられる。

【００１５】本発明の組成物中の一般式（Ｉ）で表され
る化合物の含有量は、硬化性組成物に対して、通常１重
量パーセントから１００重量パーセント、好ましくは２
０重量パーセントから１００重量パーセントである。

【００１６】一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環含有化合
物と反応しうる官能基を有する化合物としては、（ｉ）
カチオン重合可能な化合物、（ii）アニオン重合可能な
化合物などが好ましく用いられる。その他に、水酸基、
メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、イソシアネ
ート基およびチオイソシアネート基などの官能基を有す
る化合物、環状カーボネート、環状チオカーボネート、
環状エーテル、環状チオエーテルなどが挙げられる。

【００１７】一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環含有化合
物と反応しうる官能基を有する化合物の添加量は、硬化
性組成物に対して、通常０〜９５重量％、好ましくは０
〜８０重量％である。一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環
含有化合物と反応しうる官能基を有する化合物と混合す
ることにより、粘度調整、屈折率調整等が可能となる利
点がある。

【００１８】（i）カチオン重合可能な化合物とは、カ
チオン重合可能な官能基を有する化合物を指し、例えば
ビニルエーテル、アリル化合物、エポキシ化合物、オキ
セタン類などの環状エーテル類、チイラン環含有化合
物、チエタン類などの環状チオエーテル類、カーボネー
ト類、チオカーボネート類などが挙げられる。

【００１９】（ii）アニオン重合可能な化合物とは、ア
ニオン重合可能な官能基を有する化合物を指し、例えば
ビニルエーテル、アリル化合物、エポキシ化合物、オキ
セタン類などの環状エーテル類、チイラン環含有化合
物、チエタン類などの環状チオエーテル類、カーボネー
ト類、チオカーボネート類などが挙げられる。

【００２０】ラジカル重合性化合物とは、分子内に少な
くとも一つのラジカル重合性エチレン性不飽和結合を有
する化合物であり、ラジカル反応により重合可能な化合
物をさす。ラジカル重合性不飽和結合含有化合物中のエ
チレン性不飽和結合の数に特に制限はないが、通常1〜2
0個、好ましくは2〜20個、より好ましくは2〜10の範囲
である。具体的には、スチレンまたはその誘導体；ビニ
ルエステル類、ビニルエーテル類などのビニル化合物；
（メタ）アクリレート類、などが挙げられる。ラジカル
重合性化合物の添加量は、硬化性組成物に対して、通常
０〜９５重量％、好ましくは０〜８０重量％である。ラ
ジカル重合性化合物を添加することにより、

【００２１】スチレンまたはその誘導体としては、例え
ば、スチレン、インデン、ｐ−メチルスチレン、α−メ
チルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−
ブトキシスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−ア
セトキシスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。ビニルエステル類としては、例えば、酢酸ビニル、
プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、
珪皮酸ビニルなどが挙げられる。

【００２２】ビニルエーテル類としては、エチルビニル
エーテル、n-プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエ
ーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ブタ
ンジオールジビニルエーテル、エチレングリコールジビ
ニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテ
ル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、4,
4-ビス（ビニロキシエチルオキシ）ビフェニル、1,4-ビ
ス（ビニロキシエチルオキシ）ベンゼン、4,4-ビス（ビ
ニロキシエチルオキシ）ジフェニルスルフィド、4,4-ビ
ス（ビニロキシエチルオキシ）ジフェニルスルホン、エ
チルビニルスルフィド、n-プロピルビニルスルフィド、
シクロヘキシルビニルスルフィド、エチレングリコール
モノビニルスルフィド、エチレングリコールジビニルス
ルフィド、ジエチレングリコールジビニルスルフィド、
フェニルビニルスルフィドなどが挙げられる。

【００２３】ビニル化合物としては、これらの他に、Ｎ
−ビニルピロリドン、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、
Ｎ−ビニルカプロラクトン、Ｎ−ビニルピペリジン、N-
ビニルホルムアミド、ビニルノルボルネン、ビニルメタ
クリレートなどの化合物も挙げられる。

【００２４】（メタ）アクリレート類としては、単官能
（メタ）アクリレート類、多官能（メタ）アクリレート
類、硫黄含有（メタ）アクリレート類、ハロゲンを含む
メタアクリレート類などが挙げられる。

【００２５】単官能（メタ）アクリレートとしては、例
えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）ア
クリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチ
ル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）ア
クリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２
−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル
（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレ
ート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソミリスチ
ル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレ
ート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル
（メタ）アクリレート、２−ブトキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレー
ト、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフ
ルフリル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレン
グリコール（メタ）アクリレート、n-ブトキシエチル
（メタ）アクリレート、3-クロロ-2-ヒドロキシプロピ
ル（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）ア
クリレート、2,2,3,3-テトラフロロプロピル（メタ）ア
クリレート、2,2,3,4,4,4-ヘキサフロロブチル（メタ）
アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アク
リレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４
−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロ
キシブチル（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシペン
チル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル
（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシ−３−メチルブ
チル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェ
ノキシプロピル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノ
エチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、2-
（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、2-（メタ）
アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-（メ
タ）アクリロイロキシエチル-2-ヒドロキシプロピルフ
タレート、2-（メタ）アクリロイロキシエチルアシッド
ホスフェートなどが挙げられる。

【００２６】多官能（メタ）アクリレート類としては、
1,3-プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、1,3-ブ
タンジオールジ（メタ）アクリレート、1,4-ブタンジオ
ール（メタ）アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ
（メタ）アクリレート、1,9-ノナンジオールジ（メタ）
アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポ
リプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）ア
クリレート、2-ヒドロキシ-3-（メタ）アクリロイロキ
シプロピル（メタ）アクリレート、ビス（オキシメチ
ル）トリシクロ[5.2.0^2,6]デカン=ジ（メタ）アクリレ
ート、ビス（オキシメチル）ペンタシクロ[6.5.1.1^3,6.
0^{2, 7}.0^9,13]ペンタデカン=ジ（メタ）アクリレートなど
が挙げられる。

【００２７】硫黄含有メタアクリレート化合物として
は、（ビス2-（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）
エタン、1,1,1-トリス（（メタ）アクリロイルチオメチ
ル）エタン、4,4-ジメルカプトジフェニルジ（メタ）ア
クリレート、4,4'-ビス（β-（メタ）アクリロイルオキ
シエチルチオ）ジフェニルスルホン、p-ビス（β-（メ
タ）アクリロイルオキシエチルチオ）キシリレン、m-ビ
ス（β-（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）キシ
リレン、p-ビス-（β-（メタ）アクリロイルオキシエチ
ルオキシエチルチオ）キシリレン、m-ビス-（β-（メ
タ）アクリロイルオキシエチルオキシエチルチオ）キシ
リレンα,α-ビス（β-（メタ）アクリロイルオキシエ
チルチオ）-2,3,5,6-テトラクロロ-p-キシリレンなどが
挙げられる。

【００２８】アリル化合物としては、例えば、コハク酸
ジアリル、フタル酸ジアリル、マロン酸ジエチルアリ
ル、p-ビス（β-アリルオキシエチルチオ）キシリレ
ン、p-ビス（β-アリルチオエチルチオ）キシリレンな
どが挙げられる。

【００２９】本発明で用いられる光開始剤としては、光
塩基発生剤、光酸発生剤、光ラジカル発生剤などが挙げ
られる。光塩基発生剤は、可視光、紫外線、電子線など
の活性エネルギー線の照射によって、塩基を生成する化
合物である。光塩基発生剤として、たとえば、非イオン
性光塩基発生剤、イオン性光塩基発生剤などが挙げられ
る。非イオン性光塩基発生剤としては、オキシム類、カ
ルバミン酸エステル類などが挙げられ、イオン性光塩基
発生剤としてはアンモニウム塩類などが挙げられる。光
塩基発生剤は単独で使用しても、２種以上を混合して使
用してもよい。以下に合成法を挙げるが、これらに制限
されるものではない。

【００３０】オキシム類としては、Ｏ−フェニルアセチ
ルアセトフェノンオキシム、Ｏ−ベンゾイルアセトフェ
ノンオキシム、Ｏ，Ｏ'−スクシニルジアセトフェノン
オキシム、Ｏ，Ｏ'−グルタニルジアセトフェノンオキ
シム、Ｏ，Ｏ'−ピバロイルアセトフェノンオキシム、
ジメチルグリオキシムジエチルカーボネート、ビアセチ
ルモノキシムエチルカーボネート、アセトンオキシムエ
チルカーボネート、ベンゾフェノンオキシムエチルカー
ボネート、ビアセチルモノオキシムフェニルウレタン、
ビアセチルモノオキシムフェニルエステル、ビアセチル
モノオキシムアセチルエステル、アセトンオキシムフェ
ニルエステル、ベンゾフェノンオキシムフェニルエステ
ル、ベンゾフェノンエステルアセチルエステル、２，３
−ブタンジオン−Ｏ−メタクリロイルオキシム、２，３
−ブタンジオン−Ｏ−ビニルベンゾイルオキシム、２−
プロパノン−Ｏ−メタクリロイルオキシム等が挙げられ
る。これらには、ラジカル開始剤にもなり得るものも含
まれる。

【００３１】これらのオキシム類光塩基発生剤の製造法
としては、公知の手法が使用可能で、例えば、酸塩化物
を原料としてオキシムと反応させることにより合成が可
能である。具体的には、例えば、Sung Il Hong. et al,
J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed.,12, 2553(1974)に
記載の方法に準じて製造することができる。

【００３２】カルバミン酸エステル類は、ニトロベンジ
ルアルコール類とカルボニルジイミダゾール類、ニトロ
ベンジルアルコール類とイソシアネート、ベンゾイン類
とイソシアネートなどから合成される。ニトロベンジル
アルコール類とカルボニルジイミダゾール類から合成さ
れるものとしては、例えば、Ｎ−（２−ニトロベンジル
オキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ−（３−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ−（４−ニ
トロベンジルオキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ−
（４−クロロ−２−ニトロベンジルオキシカルボニル）
イミダゾール、Ｎ−（５−メチル−２−ニトロベンジル
オキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ−（４，５−ジメ
チル−２−ニトロベンジルオキシカルボニル）イミダゾ
ール、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカルボニル）−
２−メチルイミダゾール、Ｎ−（３−ニトロベンジルオ
キシカルボニル）−２−メチルイミダゾール、Ｎ−（４
−ニトロベンジルオキシカルボニル）−２−メチルイミ
ダゾール、Ｎ−（４−クロロ−２−ニトロベンジルオキ
シカルボニル）−２−メチルイミダゾール、Ｎ−（５−
メチル−２−ニトロベンジルオキシカルボニル）−２−
メチルイミダゾール、Ｎ−（４，５−ジメチル−２−ニ
トロベンジルオキシカルボニル）−２−メチルイミダゾ
ール、Ｎ−（２−メチル−２−フェニルプロピル）−Ｎ
−シクロヘキシルアミンなどが挙げられる。ニトロベン
ジルアルコール類とイソシアネートから合成されるもの
としては、たとえば、シクロヘキシルカルバミン酸−２
−ニトロベンジルエステル、シクロヘキシルカルバミン
酸−３−ニトロベンジルエステル、シクロヘキシルカル
バミン酸−４−ニトロベンジルエステル、シクロヘキシ
ルカルバミン酸−４−クロロ−２−ニトロベンジルエス
テル、シクロヘキシルカルバミン酸−５−メチル−２−
ニトロベンジルエステル、シクロヘキシルカルバミン酸
−４，５―ジメトキシ―２−ニトロベンジルエステルな
どが挙げられる。ベンジルアルコール類とイソシアネー
トから合成されるシクロヘキシルカルバミン酸−１−メ
チル−１−フェニルエチルエーテル、シクロヘキシルカ
ルバミン酸ベンゾヒドリルエステル等が挙げられる。ベ
ンゾイン類とイソシアネートから合成されるものとして
は、たとえば、シクロヘキシルカルバミン酸−２−オキ
ソ−１，２―ジフェニルエチルエステル、シクロヘキシ
ルカルバミン酸−２−（３，５−ジメトキシフェニル）
−２−オキソ−１−フェニルエチルエステル、シクロヘ
キシルカルバミン酸−１，２−ビス（３，５−ジメトキ
シフェニル）−２−オキソ−エチルエステルなどが挙げ
られる。

【００３３】イソシアネートとしては、脂肪族イソシア
ネート、芳香族イソシアネートが挙げられる。脂肪族イ
ソシアネートとしては、例えば、メチルイソシアネー
ト、クロロメチルイソシアネート、エチルイソシアネー
ト、２−ブロモエチルイソシアネート、ｎ−プロピルイ
ソシアネート、ｎ−ブチルイソシアネート、ｔ−ブチル
イソシアネート、ペンチルイソシアネート、ヘプチルイ
ソシアネート、エチルイソシアネートアセテート、オク
タデシルイソシアネート、アリルイソシアネート、シク
ロヘキシシルイソシアネート、トリクロロメチルイソシ
アネート、クロロスルフォニルイソシアネート、３−イ
ソシアネートプロピルジメチルクロロシラン、オクチル
イソシアネート、３−ヨードプロピルイソシアネート、
ヘキシルイソシアネート、メチルイソシアネートクロロ
フォルメート、テトラヒドロ−２−ピラニルイソシアネ
ート、ウンデシルイソシアネート、エチル−３−イソシ
アネートプロピオナート、エチル−２−イソシアネート
−３−メチルブチラート、シクロプロピルイソシアネー
ト、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキサ
メタン−４，４―ジイソシアネート、１，１２−ジシク
ロシアネートドデカン、トリメチルヘキサメチレンジア
ミンジソシアネート、テトライソシアネートシラン、ブ
トキシシラントリイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、
１，５−ジイソシアネート−２−メチルペンタン、１，
４−ジイソシアネートブタン、１，３−ビス（イソシア
ネートメチル）シクロヘキサン、メタンジイソシアネー
ト、トリメチル−１，６−ジイソシアネートヘキサン、
１，８−ジイソシアネートオクタン、ジメリルジイソシ
アネートなどが挙げられる。

【００３４】芳香族イソシアネートとしては、例えば、
フェニルイソシアネート、２−フルオロフェニルイソシ
アネート、２，５−ジフルオロフェニルイソシアネー
ト、２−クロロイソシアネート、２，３−ジクロロフェ
ニルイソシアネート、２，５−ジクロロフェニルイソシ
アネート、２−メトキシフェニルイソシアネート、２，
４−ジメトキシフェニルイソシアネート、２，５−ジメ
トキシフェニルイソシアネート、２−トリフルオロフェ
ニルイソシアネート、２，５−ジメチルフェニルイソシ
アネート、３−ブロモイソシアネート、３−クロロフェ
ニルイソシアネート、３，４−ジクロロフェニルイソシ
アネート、３−トリフルオロフェニルイソシアネート、
４−ブロモフェニルイソシアネート、４−フルオロフェ
ニルイソシアネート、４−メトキシフェニルイソシアネ
ート、ｐ−トリルイソシアネート、ｐ−トルエンスルフ
ォニルイソシアネート、ベンゾイルイソシアネート、１
−フェニルエチルイソシアネート、１−ナフチルイソシ
アネート、１−（１−ナフチル）エチルイソシアネー
ト、２−ニトロフェニルイソシアネート、ベンゼンスル
フォニルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、４
−クロロベンジルスルフォニルイソシアネート、３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニルイソシアネー
ト、２，４，６−トリブロモフェニルイソシアネート、
２，５−ジフルオロフェニルイソシアネート、メチルー
２−イソシアネートベンゾエート、２，３−ジメチルフ
ェニルイソシアネート、２−エチル−５−エチルフェニ
ルイソシアネート、５−クロロ−２，４−ジメトキシフ
ェニルイソシアネート、３−（メチルチオ）フェニルイ
ソシアネート、エチル−３−イソシアネートベンゾエー
ト、３−アセチルフェニルイソシアネート、４−ヨード
フェニルイソシアネート、４−メチル−３−ニトロフェ
ニルイソシアネート、トリフェニルメチルイソシアネー
ト、４−シアノフェニルイソシアネート、フェネチルイ
ソシアネート、ジメチル−５−イソシアネートイソフタ
レート、フェニルイソシアネートフォルメート、２−ビ
フェニリルイソシアネート、３−イソプロペンチル−
α、α―ジメチルベンジルイソシアネート、トリフェニ
ルシリルイソシアネート、３，５−ジメチルイソキサゾ
ール−４−イソシアネート、１−アダマンチルイソシア
ネート、ＰＭＰＩ、４−（６−メチル−２−ベンゾチア
ゾイル）フェニルイソシアネート、３−メチルベンジル
イソシアネート、９Ｈ−フルオレン−９−イル−イソシ
アネート、トリレン−２，６−ジイソシアネート、トリ
レン−２，４−ジイソシアネート、１，３−フェニレン
ジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネー
ト、４−クロロ−６−メチル−１，３−フェニレンジイ
ソシアネート、３，３’−ジメトキシ− ４，４’−ビ
フェニレンジイソシアネート、３，３’−ビトリレン−
４，４’−ビフェニレンジイソシアネート、４，４’
−ジイソシアネート −３，３’−ジメチルジフェニル
メタン、α，α−ジメチル−α，４−フェネチルジイソ
シアネート、４−ブロモ−６−メチル−１，３−フェニ
レンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、トリレン−２，５−ジイソシアネー
ト、４，４’−メチレンビス（２−クロロフェニルイソ
シアネート）、１，５−ナフタレンジイソシアネート、
メチルイジントリ−ｐ−フェニレントリイソシアネー
ト、３，３’−ジクロロジフェニル− ４，４’−ジイ
ソシアネート、２−フルオロ−１，３−ジイソシアネー
トベンゼン、１−クロロメチルー２，４―ジイソシアネ
ートベンゼン、４，４’−メチレンビス（２，６−ジエ
チルフェニル）イソシアネート、２，２−ビス（４−イ
ソシアネートフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，
４’−オキシビス（フェニルイソシアネート）、２，
４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジイソシアネ
ート、トリス（ｐ−イソシアネートフェニル）アミン、
α，４−トリレンジイソシアネート、ｍ−キシリレンジ
イソシアネート、１，３−ビス（２−イソシアネート−
２−プロピル）ベンゼンなどが挙げられる。

【００３５】これらのカルバミン酸エステル類光塩基発
生剤の製造法としては、公知の手法が使用可能である。
具体的には、例えば、Nishikubo,T. et al, Polym. J.,
26(7), 864 (1994)、Nishikubo,T. et al, Polym. J.,
29(5), 450 (1997) J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1,
2429(1997)に記載の方法に準じて製造することができ
る。

【００３６】アンモニウム塩類としては、ヨードジフェ
ニルエタンとトリエチルアミンからなる塩、a−ブロモ
フェナシル類とトリエチレンジアミンからなる塩、a−
ブロモナフチル類とトリエチレンジアミンからなる塩、
ヘキサアミンコバルトテトラフェニルホウ素塩などが挙
げられる。

【００３７】これらのアンモニウム塩類光塩基発生剤の
製造法としては、公知の手法が使用可能で、例えば、a
−ブロモフェナシル類やa−ブロモナフチル類を原料と
してトリエチレンジアミンを反応させることにより合成
が可能である。具体的には、例えば、Tachi, H. et al,
J. Photopolym. Sci. Technol.,12,313(1999)に記載の
方法に準じて製造することができる。

【００３８】光酸発生剤は、可視光、紫外線、電子線な
どの活性エネルギー線の照射によって、酸を生成する化
合物である。光酸発生剤としては、例えば、一般式（I
V）などの鉄−アレーン錯体化合物、芳香族ジアゾニウ
ム塩、一般式（Ｖ）〜（VIII）などの芳香族ヨードニウ
ム塩、一般式（IX）〜（XIII）などの芳香族スルホニウ
ム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩、芳香族シラノ
ール・アルミニウム錯体などが挙げられる。光酸発生剤
は単独で使用しても、２種以上を混合して使用してもよ
い。

【００３９】

【化４】

【化５】

【００４０】光ラジカル発生剤は、可視光、紫外線、電
子線などの活性エネルギー線の照射によって、ラジカル
を発生する化合物であればよく、一般にラジカル重合性
モノマーの光開始剤として公知とされているものが用い
られる。光ラジカル発生剤としては、例えば、（ビス）
アシルホスフィンオキシドおよびそのエステル類、アセ
トフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾ
インエーテル系化合物、ケタール誘導体化合物、チオキ
サントン化合物、２−メチル−１−〔４−（メチルチ
オ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オ
ン、２−ベンジル−２−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−１−
（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン、芳香族
ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨード
ニウム塩、メタロセン化合物等が挙げられる。好ましく
は、ベンゾフェノン誘導体、ホスフィンオキシド誘導
体、チオキサントン類が用いられる。

【００４１】（ビス）アシルホスフィンオキシドとして
は、２，６−ジメチルベンゾイルジフェニルホスフィン
オキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニ
ルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾ
イルフェニルホスフィン酸メチルエステル、２，６−ジ
クロルベンゾイルフェニルホスフィンオキシド、２，６
−ジメチトキシベンゾイルジフェニルホスフィンオキシ
ド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，
４−トリメチル−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス
（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホス
フィンオキサイド等が挙げられる。

【００４２】アセトフェノン系化合物としては、アセト
フェノン、メトキシアセトフェノン、１−フェニル−２
−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−ヒ
ドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−ジフェノ
キシジクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノ
ン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロパン−１−オン等が挙げられる。

【００４３】ベンゾフェノン系化合物としては、ベンゾ
フェノン、４−フェニルベンゾフェノン、ベンゾイル安
息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキ
シベンゾフェノン、３，３′−ジメチル−４−メトキシ
ベンゾフェノン、ジフェノキシベンゾフェノン等が挙げ
られる。

【００４４】ベンゾインエーテル系化合物としては、ベ
ンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル
等が挙げられる。ケタール誘導体化合物としては、ベン
ジルジメチルケタール等が挙げられる。チオキサントン
化合物としては、２−クロロチオキサントン、２，４−
ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサン
トン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、イソプ
ロピルチオキサントン等が挙げられる。光ラジカル発生
剤は単独で使用しても、２種以上を混合して使用しても
よい。

【００４５】これら光酸発生剤、光塩基発生剤、光ラジ
カル発生剤などの開始剤は、用途によって単独で使用し
ても、複数の種類を組み合わせて使用してもよい。好ま
しくは、それぞれ単独、光塩基発生剤と光ラジカル発生
剤の組合せ、光酸発生剤と光ラジカル発生剤の組み合わ
せなどで用いられる。組成物の安定性、作業性を考慮す
ると、可視光による分解が穏やかで、紫外線や赤外線に
よる分解が速やかに起こる、Ｎ−（２−ニトロベンジル
オキシ）カルボニルイミダゾール、１−ヒドロキシシク
ロヘキシルフェニルケトン、１−ヒドロキシ−２−メチ
ル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを使用するこ
とが好ましい。

【００４６】光開始剤は、活性エネルギー線を用いて硬
化性樹脂組成物を硬化させる場合には、添加することが
好ましい。光開始剤を用いる場合の光開始剤の添加量
は、硬化性組成物が良好に硬化して、硬化物が得られる
範囲であればよい。具体的には、一般式（Ｉ）で表され
る化合物およびそれと反応しうる官能基を有する化合物
およびラジカル重合性化合物から選ばれる１以上の化合
物の総量100重量部に対して、光開始剤の総量が、通常
0.001重量部以上、好ましくは0.05重量部以上であり、
通常10重量部以下、好ましくは５重量部以下である。開
始剤の添加量が少なすぎる場合は、組成物の硬化が十分
に行えず、一方、添加量が多すぎる場合は、硬化物の機
械的強度が低下するなどその物性に悪い影響を与える可
能性がある。

【００４７】本発明で用いられる硬化剤としては、アミ
ン類、4級アンモニウム塩類、ホスフィン類、有機酸
類、ルイス酸類、過酸化物、アゾ化合物などのいわゆる
硬化剤が挙げられる。アミン類としては、１級アミン、
１級ポリアミン、２級アミン、２級ポリアミン、３級ア
ミン、３級ポリアミン、イミダゾール類、アミジン類な
どが挙げられる。

【００４８】１級アミンとしては、エチルアミン、ｎ−
プロピルアミン、ｓｅｃ−プロピルアミン、ｎ−ブチル
アミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｉ−ブチルアミン、ｔ
ｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミ
ン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、
ラウリルアミン、ミスチリルアミン、１，２−ジメチル
ヘキシルアミン、３−ペンチルアミン、２−エチルヘキ
シルアミン、アリルアミン、アミノエタノール、１−ア
ミノプロパノール、２−アミノプロパノール、アミノブ
タノール、アミノペンタノール、アミノヘキサノール、
３−エトキシプロピルアミン、３−プロポキシプロピル
アミン、３−イソプロポキシプロピルアミン、３−ブト
キシプロピルアミン、３−イソブトキシプロピルアミ
ン、３−（２−エチルヘキシロキシ）プロピルアミン、
アミノシクロペンタン、アミノシクロヘキサン、アミノ
ノルボルネン、アミノメチルシクロヘキサン、ベンジル
アミン、フェネチルアミン、α−フェニルエチルアミ
ン、ナフチルアミン、フルフリルアミン等が挙げられ
る。

【００４９】１級ポリアミンとしては、エチレンジアミ
ン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロ
パン、１，２−ジアミノブタン、１，３−ジアミノブタ
ン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタ
ン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプ
タン、１，８−ジアミノオクタン、ジメチルアミノプロ
ピルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、ビス（３
−アミノプロピル）エーテル、１，２−ビス（３−アミ
ノプロポキシ）エタン、１，３−ビス（３−アミノプロ
ポキシ）−２，２’−ジメチルプロパン、アミノエチル
エタノールアミン、１，２−、１，３−あるいは１，４
−ビスアミノシクロヘキサン、１，３−ビスアミノメチ
ルシクロヘ、１，４−ビスアミノメチルシクロヘキサ
ン、１，３−ビスアミノエチルシクロヘキサン、１，４
−ビスアミノエチルシクロヘキサン、水添４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、２−アミノピペリジン、４−
アミノピペリジン、２−アミノメチルピペリジン、４−
アミノメチルピペリジン、２−アミノエチルピペリジ
ン、４−アミノエチルピペリジン、Ｎ−アミノエチルピ
ペリジン、Ｎ−アミノプロピルピペリジン、Ｎ−アミノ
エチルモルホリン、Ｎ−アミノプロピルモルホリン、イ
ソホロンジアミン、メンタンジアミン、１，４−ビスア
ミノプロピルピペラジン、ｏ−、ｍ−、あるいはｐ−フ
ェニレンジアミン、２，４−トリレンジアミン、２，６
−トリレンジアミン、２，４−トルエンジアミン、ｍ−
アミノベンジルアミン、４−クロロ−ｏ−フェニレンジ
アミン、テトラクロロ−ｐ−キシリレンジアミン、４−
メトキシ−６−メチル−ｍ−フェニレンジアミン、ｍ
−、あるいはｐ−キシリレンジアミン、２，６−ナフタ
レンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
２，２−（４，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジトリ
ルスルホン、メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）、
３，９−ビス（３−アミノプロピル）２，４，８，１０
−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、ジエチレ
ントリアミン、イミノビスプロピルアミン、メチルイミ
ノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリア
ミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタ
ミン、ペンタエチレンヘキサミン、Ｎ−アミノエチルピ
ペラジン、Ｎ−アミノプロピルピペラジン、１，４−ビ
ス（アミノエチルピペラジン）、１，４−ビス（アミノ
プロピルピペラジン）、２，６−ジアミノピリジン、ビ
ス（３，４−ジアミノフェニル）スルホン等が挙げられ
る。

【００５０】２級アミンとしては、ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−
ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチル
アミン、ジ−３−ペンチルアミン、ジヘキシルアミン、
オクチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、メ
チルヘキシルアミン、ジアリルアミン、ピロリジン、ピ
ペリジン、２−、３−、４−ピコリン、２，４−、２，
６−、３，５−ルペチジン、ジフェニルアミン、Ｎ−メ
チルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、ジベンジルアミ
ン、メチルベンジルアミン、ジナフチルアミン、ピロー
ル、インドリン、インドール、モルホリン等が挙げられ
る。

【００５１】２級ポリアミンとしては、Ｎ，Ｎ’−ジメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，２−
ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−ジア
ミノプロパン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，２−ジアミノ
ブタン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−ジアミノブタ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−ジアミノブタン、
Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，５−ジアミノペンタン、Ｎ，
Ｎ’−ジメチル−１，６−ジアミノヘキサン、Ｎ，Ｎ’
−ジメチル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ
エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，２
−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，３−ジ
アミノプロパン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，２−ジアミ
ノブタン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，３−ジアミノブタ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，４−ジアミノブタン、
Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，６−ジアミノヘキサン、ピペ
ラジン、２−メチルピペラジン、２，５−あるいは２，
６−ジメチルピペラジン、ホモピペラジン、１，１−ジ
−（４−ピペリジル）メタン、１，２−ジ−（４−ピペ
リジル）エタン、１，３−ジ−（４−ピペリジル）プロ
パン、１，４−ジ−（４−ピペリジル）ブタン、テトラ
メチルグアニジン等が挙げられる。

【００５２】３級アミンとしては、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−
ｉｓｏ−プロピルアミン、トリ−１，２−ジメチルプロ
ピルアミン、トリ−３−メトキシプロピルアミン、トリ
−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｉｓｏ−ブチルアミン、ト
リ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリ−ペンチルアミン、ト
リ−３−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−２−エチルヘキシル
アミン、トリ−ドデシルアミン、トリ−ラウリルアミ
ン、ジシクロヘキシルエチルアミン、シクロヘキシルジ
エチルアミン、トリ−シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルジヘキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−メチ
ルジシクロヘキシルアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチルエタノー
ルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−エ
チルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリ
ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、ジ
エチルベンジルアミン、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノ−ｐ−クレゾール、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノメチルフェノール、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
メチル）フェノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアニリン、ピリジン、キノリン、Ｎ−メチ
ルモルホリン、Ｎ−メチルピペリジン、２−（２−ジメ
チルアミノエトキシ）−４−メチル−１，３，２−ジオ
キサボルナン等が挙げられる。

【００５３】３級ポリアミンとしては、テトラメチルエ
チレンジアミン、ピラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラ
ジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（（２−ヒドロキシ）プロピル）
ピペラジン、ヘキサメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ブタンアミン、２
−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシプロパン、ジエチル
アミノエタノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス（３−ジメチル
アミノプロピル）アミン、２，４，６−トリス（Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノメチル）フェノール、ヘプタメチルイ
ソビグアニド等が挙げられる。イミダゾール類として
は、イミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−エチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、４−エチルイ
ミダゾール、Ｎ−ブチルイミダゾール、２−ブチルイミ
ダゾール、Ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−ウンデシ
ルイミダゾール、Ｎ−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニルイミダゾール、Ｎ−ベンジルイミダゾール、２−ベ
ンジルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダ
ゾール、Ｎ−（２’−シアノエチル）−２−メチルイミ
ダゾール、Ｎ−（２’−シアノエチル）−２−ウンデシ
ルイミダゾール、Ｎ−（２’−シアノエチル）−２−フ
ェニルイミダゾール、３，３−ビス−（２−エチル−４
−メチルイミダゾリル）メタン、アルキルイミダゾール
とイソシアヌール酸の付加物、アルキルイミダゾールと
ホルムアルデヒドの縮合物等が挙げられる。

【００５４】アミジン類としては、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビ
シクロ（４，３，０）ノネン−５、６−ジブチルアミノ
−１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−
７、１，４−ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン等
が挙げられる。

【００５５】４級アンモニウム塩類としては、テトラメ
チルアンモニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムヘキサフルオロホスファイト、トリメチルベン
ジルアンモニウムクロライド等が挙げられる。

【００５６】ホスフィン類としては、トリメチルフォス
フィン、トリエチルフォスフィン、トリ−ｉｓｏ−プロ
ピルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ト
リ−ｎ−ヘキシルフォスフィン、トリ−ｎ−オクチルフ
ォスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェ
ニルフォスフィン、トリベンジルホスフィン、トリス
（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（３−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリス（ジエチルアミノ）ホスフィ
ン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジメチ
ルフェニルフォスフィン、ジエチルフェニルフォスフィ
ン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、エチルジフ
ェニルフォスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフ
ィン、クロロジフェニルフォスフィン等が挙げられる。

【００５７】硬化剤としては、好ましくは、アミン類、
４級アンモニウム塩類またはフォスフィン類が、特に好
ましくは、２級モノアミン、３級モノアミン、３級ポリ
アミン、イミダゾール類、アミジン類、４級アンモニウ
ム塩類またはフォスフィン類が用いられる。これらの硬
化剤は単独で使用しても、２種以上を混合して使用して
もよい。

【００５８】硬化剤を添加する場合、硬化剤の添加量
は、本発明の組成物が良好に硬化して、硬化物が得られ
る範囲であればよい。具体的には、一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物およびそれと反応しうる官能基を有する化合
物、並びにそれと反応しうる官能基を有する化合物およ
びラジカル重合性化合物から選ばれる１以上の化合物の
総量100重量部に対して、硬化剤の総量が、通常0.001重
量部以上、好ましくは0.05重量部以上であり、通常10重
量部以下、好ましくは５重量部以下である。開始剤の添
加量が少なすぎる場合は、組成物の硬化が十分に行え
ず、一方、添加量が多すぎる場合は、硬化物の機械的強
度が低下するなどその物性に悪い影響を与える可能性が
ある。

【００５９】開始剤、硬化剤が、光および／または熱な
どの刺激により発生した酸、塩基が触媒作用をし、さら
に酸、塩基を生成し、酸、塩基の発生効率が上がる化合
物がある。この化合物には、光塩基発生剤、光酸発生剤
自体が、そのような現象を示すものを含む。

【００６０】このような化合物としては、ｐ−トルエン
スルホン酸エステル類やカルバミン酸エステル類などが
挙げられる。２，４，６−トリス［２−（ｐ−トルエン
スルフォニルオキシ）エチル］−１，３，５−トリオキ
シラン、３−フェニル−３，３’−エチレンジオキシ−
１−プロピルｐ−トルエンスルホネート、３−フェニル
−３，３’−エチレンジオキシ−１−プロピルメシチレ
ンスルホネート、２−フェニル−２−プロピル−２−メ
チル−２（ヒドロキシメチル）−３−ケトブタノエー
ト、ｔ−ブチル−２−メチル−２（（ｐ−トルエンスル
ホニルオキシ）メチル）−３−ケトブタノエート、１−
（９−フルオレニルメトキシカルボニル）ピペリジン、
１，３−ビス［（２−ニトロベンジル）−オキシカルボ
ニル−４−ピペリジル］プロパノン、シクロヘキシルカ
ルバミン酸−２−オキソ−１，２―ジフェニルエチルエ
ステル、シクロヘキシルカルバミン酸−２−（３，５−
ジメトキシフェニル）−２−オキソ−１−フェニルエチ
ルエステル、シクロヘキシルカルバミン酸−１，２−ビ
ス（３，５−ジメトキシフェニル）−２−オキソ−エチ
ルエステルなどが挙げられる。このような化合物を酸、
塩基の拮抗作用によって触媒を失活させない範囲で、必
要に応じて添加することができる。

【００６１】本発明の組成物には、本発明の効果を損ね
ない範囲で、上記の他に公知の重合禁止剤、酸化防止
剤、紫外線吸収剤、光増感剤、連鎖移動剤、半導体微粒
子、溶剤、離型剤、可塑剤、処理剤、柔軟性、保形性付
与剤、充填剤等の各種添加剤を添加しても良い。重合禁
止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤を添加することによ
り、組成物の安定性を向上させることができる。また、
光増感剤、連鎖移動剤を添加することにより硬化を効率
的に行うことができる。

【００６２】半導体微粒子を配合させることによりその
組成物および/または硬化物は、耐熱性の向上、機械物
性の向上、特定波長の光線吸収、屈折率制御、線膨張率
の改善などが可能となる。本発明で使用する半導体微粒
子は、半導体結晶を含む粒子である。半導体微粒子の粒
径は、数平均粒径として通常0.1nm〜5μm、吸発光等の
電磁気学的特性の点で好ましくは0.5〜15ｎｍ、更に好
ましくは２〜１２ｎｍ、最も好ましくは２〜１０ｎｍで
ある。組成物もしくは硬化物の透明性が重要な場合は、
粒子粒径は小さい方が望ましいが、耐熱性や機械物性向
上を意図する場合は得られる特性に適した粒径を選ぶこ
とが出来る。

【００６３】半導体微粒子の粒径分布に制限はないが、
半導体微粒子の量子効果による吸発光特性を利用する場
合、かかる分布を変えることで必要とする吸発光波長幅
を変化させることができる。なお、吸発光波長幅を狭く
する必要がある場合には、粒径分布を狭くするのが好ま
しいが、通常、標準偏差として±４０％以内、好ましく
は±３０％以内、更に好ましくは±２０％以内、最も好
ましくは±１０％以内である。

【００６４】本発明における半導体超微粒子を構成する
半導体結晶の組成には、特に制限はない。具体的な半導
体結晶の組成としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等の周期
表第１４族元素の単体；Ｐ（黒リン）等の周期表第１５
族元素の単体；ＳｅやＴｅ等の周期表第１６族元素の単
体；ＳｉＣ等の複数の周期表第１４族元素からなる化合
物；ＴｌＣｌ、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ等の周期表第１３族元
素と周期表第１７族元素との化合物；ＣｕＣｌ、ＣｕＢ
ｒ、ＣｕＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ等の周期表第１１族元
素と周期表第１７族元素との化合物；Ａｓ₂Ｓ₃、Ａｓ₂
Ｓｅ₃、Ａｓ₂Ｔｅ₃、Ｓｂ₂Ｓ₃、Ｓｂ₂Ｓｅ₃、Ｓｂ₂Ｔｅ
₃、Ｂｉ₂Ｓ₃、Ｂｉ₂Ｓｅ₃、Ｂｉ₂Ｔｅ₃等の周期表第１
５族元素と周期表第１６族元素との化合物；ＺｎＯ、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳ
ｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＳｎＯ₂、Ｓｎ(ＩＩ)Ｓｎ(Ｉ
Ｖ)Ｓ３、ＳｎＳ₂、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、Ｐｂ
Ｓ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等の周期表第１４族元素と周期
表第１６族元素との化合物；Ａｌ₂Ｓ₃、Ａｌ₂Ｓｅ₃、Ｇ
ａ₂Ｓ₃、Ｇａ₂Ｓｅ₃、Ｇａ₂Ｔｅ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｉｎ
₂Ｓ₃、Ｉｎ ₂Ｓｅ₃、Ｉｎ₂Ｔｅ₃等の周期表第１３族元素
と周期表第１６族元素との化合物；ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ
等の周期表第１２族元素と周期表第１６族元素との化合
物（あるいはII−VI族化合物半導体）；Ｃｕ₂Ｏ、Ｃｕ₂
Ｓｅ等の周期表第１１族元素と周期表第１６族元素との
化合物；ＮｉＯ等の周期表第１０族元素と周期表第１６
族元素との化合物；ＣｏＯ、ＣｏＳ等の周期表第９族元
素と周期表第１６族元素との化合物；Ｆｅ₃Ｏ₄等の酸化
鉄類、ＦｅＳ等の周期表第８族元素と周期表第１６族元
素との化合物；ＭｎＯ等の周期表第７族元素と周期表第
１６族元素との化合物；ＭｏＳ₂、ＷＯ₂等の周期表第６
族元素と周期表第１６族元素との化合物；ＶＯ、Ｖ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の周期表第５族元素と周期表第１６族
元素との化合物；ＴｉＯ₂、Ｔｉ₂Ｏ₅、Ｔｉ₂Ｏ₃、Ｔｉ₅
Ｏ₉等の酸化チタン類（結晶型はルチル型、ルチル／ア
ナターゼの混晶型、アナターゼ型のいずれでも構わな
い）、ＺｒＯ₂等の周期表第４族元素と周期表第１６族
元素との化合物；ＭｇＳ、ＭｇＳｅ等の周期表第２族元
素と周期表第１６族元素との化合物；ＢＮ、ＢＰ、ＢＡ
ｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、Ｇ
ａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡ
ｓ、ＩｎＳｂ等の周期表第１３族元素と周期表第１５族
元素との化合物（あるいはIII−Ｖ族化合物半導体）；
ＣｄＣｒ₂Ｏ₄、ＣｄＣｒ₂Ｓｅ₄、ＣｕＣｒ₂Ｓ₄、ＨｇＣ
ｒ₂Ｓｅ₄等のカルコゲンスピネル類；ＢａＴｉＯ₃等が
挙げられる。

【００６５】なお、Ｇ．Ｓｃｈｍｉｄら（Ａｄｖ．Ｍａ
ｔｅｒ．，４巻，４９４頁（１９９１））に報告されて
いる（ＢＮ）７５（ＢＦ２）１５Ｆ１５や、Ｄ．Ｆｅｎ
ｓｋｅら（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎ
ｇｌ．，２９巻，１４５２頁（１９９０））などに報告
されているＣｕ₁₄₆Ｓｅ₇₃（トリエチルホスフィン）２
２のように構造の確定されている半導体クラスターも同
様に用いることができる。

【００６６】これらのうち、周期表第１５族元素と周期
表第１６族元素との化合物、周期表第１４族元素と周期
表第１６族元素との化合物、周期表第１３族元素と周期
表第１６族元素との化合物、II−VI族化合物半導体（周
期表第１２族元素と周期表第１６族元素との化合物）、
周期表第８族元素と周期表第１６族元素との化合物、周
期表第４族元素と周期表第１６族元素との化合物、周期
表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物、III−
Ｖ族化合物半導体（周期表第１３族元素と周期表第１５
族元素との化合物）などが好ましく用いられる。

【００６７】高い屈折率を有し、しかも毒性の高い陰性
元素を含まないので、耐環境汚染性や生物への安全性の
点で、好ましくは、ＳｎＯ₂、ＧａＮ、ＧａＰ、Ｉｎ₂Ｏ
₃、ＩｎＮ、ＩｎＰ、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｓ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、
Ｉｎ₂Ｓ₃、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、酸化チタ
ン類、ＺｒＯ₂、ＭｇＳが挙げられる。毒性の高い陽性
元素を含まないので、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｚ
ｎＳ、酸化チタン類、ＺｒＯ₂等が更に好ましく、Ｚｎ
Ｏ、酸化チタン類、ＺｒＯ₂等の酸化物半導体結晶は最
も好ましい。酸化チタン類のなかでは、高屈折率性を有
する組成物を与えるためには、ルチル型結晶が好まし
い。

【００６８】また、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｓ₃等が性能制御の
容易さの点から好ましく用いられ、中でも半導体結晶の
粒径の制御性などからＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であ
り、特にＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等がこの目的では
更に好適に用いられる。これらの半導体結晶の組成に
は、必要に応じて微量のドープ物質（故意に添加する不
純物の意味）として例えばＡｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａ
ｇ、Ｃｌ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ等の元素を加えても
よい。

【００６９】溶剤としては、溶剤は必須成分が溶けるよ
うな種類であれば特に制限はない。具体的にはトルエン
などの芳香族炭化水素類、ヘキサンなどのような脂肪族
炭化水素類、エーテルやテトラヒドロフランのようなエ
ーテル類、アセトンやメチルエチルケトンのようなケト
ン類、酢酸エチルのようなエステル類、イソプロピルア
ルコールのようなアルコール類などを挙げることができ
る。溶剤を添加することにより、本発明の組成物の粘度
を調整することができる。可塑剤としては、例えば、フ
タル酸ジブチル、d4シリコーン等が挙げられる。

【００７０】柔軟性および保形性付与剤としては、例え
ば、ポリビニルブチラール、アクリルポリマー、ポリフ
ェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリスルホ
ン、トリアセチルセルロース（TAC）等を使用すること
ができる。

【００７１】離型剤、可塑剤、処理剤、柔軟性および保
形性付与剤など過剰に添加すると、硬化物のガラス転移
点温度が下がったり、比誘電率が上がる傾向にあるの
で、これらの添加量は、本発明の一般式（Ｉ）で表され
る化合物を含む組成物100グラムに対して通常0〜20グラ
ムの範囲から選ばれる。

【００７２】充填剤としては、例えば、シリカ、アルミ
ナ、炭酸カルシウム等のフィラー、銅、銀、金等の金属
粒子、繊維状物質等が挙げられる。本発明の組成物は、
一般式（Ｉ）の化合物、これと反応しうる官能基を有す
る化合物、ラジカル重合開始剤、硬化助剤および必要に
応じて添加剤を混合することにより得ることができる。

【００７３】本発明の組成物は、適宜な形状に賦形した
後、硬化することにより、硬化物を得ることができる。
本発明の組成物を硬化させる方法としては、硬化剤を添
加して硬化させる方法、加熱により硬化させる方法、光
を照射することにより硬化させる方法が挙げられる。硬
化剤を添加して硬化させる方法の場合、硬化は、通常５
０℃以上、２００℃以下で行うことができる。

【００７４】加熱により硬化させる方法の場合、通常５
０℃以上、好ましくは１００℃以上、通常２００℃以
下、好ましくは１８０℃以下の温度に通常０．５〜３６
時間保持される。光を照射することにより硬化させる方
法の場合、光の波長としては単一波長である必要はな
く、使用する光開始剤の特性に依存し、該光開始剤の分
解が効率的に起こる波長を含む活性エネルギー線が選ば
れる。具体的には、可視光、紫外線、近赤外線、遠赤外
線、電子線等が使用可能であり、高圧水銀灯、低圧水銀
灯、メタルハロゲンランプ等から発せられる紫外線が好
ましい。

【００７５】これらの硬化方法は単独で行っても、併用
してもよい。併用する場合としては、例えば、光照射を
行った後に加熱処理をする方法、硬化剤による硬化と光
照射による方法を併用する方法などが挙げられる。

【００７６】本発明の組成物を賦形する方法としては、
型を用いて成形する方法、基材上に塗布する方法などが
挙げられる。型を用いて成形する方法としては、成形型
内に本発明の組成物を注入した後、上述の方法により硬
化し、脱型することにより、本発明の組成物からなる成
形体を得ることができる。

【００７７】型を用いて成形し、かつ、硬化を光硬化に
より行う場合は、エネルギー線に対して透明な部分を有
する成形型に本発明の組成物を注入し、成形型の透明な
側からエネルギー線を照射して硬化させ、成型体を得る
ことができる。型を用いて成形すると、型の表面形状を
転写させた成形体を得ることもできる。この際、成型時
に液状である本発明の組成物を用いれば、精密成形を行
うことができる。このようにして得られた成形体は、屈
折率が通常１．５以上、好ましくは１．６以上であり、
レンズ、プリズム、導波路、基板などの光学部品として
用いることができる。

【００７８】また、基材上に塗布する方法としては、基
材上に本発明の組成物を塗布した後に、乾燥、および硬
化することにより、本発明の組成物が硬化した硬化物か
らなる層と基材層とを有する積層体を得ることができ
る。基材上に塗布して成形する方法において、基材とし
ては、ガラス、銅箔などの無機材料でも、PETフィル
ム、ポリカーボネートシート、TACフィルムなどの有機
材料でもよい。本発明の組成物は、基材上に通常１μｍ
〜２ｍｍの厚さとなるように塗布される。本発明の組成
物は、基材へ塗布された後、通常、組成物中の溶剤を揮
発させるために、通風乾燥、加熱乾燥等が行われ、その
後、上述の方法により硬化される。この方法により基材
上に本発明の組成物が硬化した層を有する積層体が得ら
れる。

【００７９】また、基材上に本発明の組成物を塗布した
後に、部分的に活性エネルギー線を照射することによっ
て、本発明の組成物からなる層の任意の部分を位置選択
的に硬化させることができる。硬化させる位置を選ぶ方
法としては、硬化させたくない部分にのみ活性エネルギ
ー線が届かないようにマスクをかける方法、レーザーの
ようにエネルギー密度が高く幅の狭い活性エネルギー線
を硬化させたい部分にのみ照射する方法などが挙げられ
る。活性エネルギー線が照射されず未硬化の部分は、溶
剤によって、除去することができるので、フォトレジス
トとして使用することも可能である。

【００８０】溶剤としては、未硬化の組成物層を構成す
る成分が溶けるような種類であれば特に制限はない。具
体的にはトルエンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサンな
どのような脂肪族炭化水素類、エーテルやテトラヒドロ
フランのようなエーテル類、アセトンやメチルエチルケ
トンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル
類、イソプロピルアルコールのようなアルコール類など
を挙げることができる。

【００８１】本発明の組成物の用途としては、反射防止
や保護を目的としたコーティング剤、接着剤、封止材
料、あるいは、部品、シート、積層板、複合材等の成形
体の原料などが挙げられる。また、本発明の組成物が硬
化することにより得られる硬化物の用途としては、レン
ズ、プリズム、導波路、基板などの光学部品、積層材、
複合材、電子部品の材料としての使用が例示される。特
に、得られた硬化物の透明性、高屈折性などの特性を生
かし、レンズ、導波路などの光学部品、およびそれらの
接着剤、封止剤などに用いることもできる。また、活性
エネルギー線を照射した部分を選択的に硬化させ、未硬
化の部分を溶剤で除去する方法を用いて、フォトレジス
ト等の用途も挙げられる。

【００８２】

【発明の効果】本発明の化合物を含む組成物からなる硬
化体は、レンズ、プリズム、導波路、基板などの光学部
品、積層材、複合材、電子部品の材料として好適に用い
ることができる。

【００８３】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００８４】実施例1 攪拌機を取り付けた四つ口フラスコに、ジチオエチルヒ
ドロキシp-キシリレン100 gを入れ、これにエピクロロ
ヒドリン（東京化成工業製）716 g、ジメチルスルホキ
シド（和光純薬工業製）716 gを入れ、室温で溶解させ
た。氷浴下で、40%水酸化カリウム水溶液（水酸化カリ
ウム（和光純薬工業製）102 g、蒸留水153 g）を滴下
し、徐々に室温に戻しながら6時間攪拌した。得られた
反応溶液に蒸留水とトルエンを加え有機相を分取した。
有機相を温水(60℃)で一回洗浄した後、溶媒とエピクロ
ロヒドリンを減圧留去し、淡黄色粘ちょう液体136 gを
得た。 得られた粘ちょう液体の構造は次の通りであっ
た。

【００８５】

【化６】 プロトンＮＭＲのケミカルシフト（ppm）：2.5-2.9（オ
キシラン環のメチレン水素） （Ｐｈ−ＣＨ ₂ＳＣＨ ₂） 3.2-3.8（オキシラン環のメチン水素） （Ｐｈ−ＣＨ ₂ＳＣＨ ₂） （Ｐｈ−ＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＨ ₂Ｏ−） （−ＣＨ ₂ＣＨ（Ｓ）ＣＨ₂） 7.2-7.3（芳香環の水素）

【００８６】実施例２ 攪拌機を取り付けた500 ml四つ口フラスコに、実施例１
で得られたジチオエチルヒドロキシp-キシリレンのエポ
キシ化合物80 g、トルエン(200 g)を入れ溶解させた。
そこへ、チオ尿素（和光純薬工業製）39.4 g、メタノー
ル80 mlを加え、6時間還流した。得られた反応溶液に蒸
留水を加え有機相を分取した。有機相を蒸留水で五回洗
浄後、溶媒を減圧留去し淡黄色粘ちょう液体32.3 gを得
た。得られた粘ちょう液体の構造は次の通りであった。

【００８７】

【化７】 プロトンＮＭＲのケミカルシフト（ppm）：2.1-2.7（チ
イラン環のメチレン水素） （−ＳＣＨ ₂ＣＨ₂Ｏ） 3.0-3.2（チイラン環のメチン水素） 3.4-3.8（Ｐｈ−ＣＨ ₂ＳＣＨ ₂） （Ｐｈ−ＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＨ ₂Ｏ−） （−ＣＨ ₂ＣＨ（Ｓ）ＣＨ₂） 7.2-7.3（芳香環の水素）

【００８８】実施例３ 実施例2で得られた化合物12 gとアデカオプトマーSP-17
0（旭電化工業製、光酸発生剤） 0.48 gを混合し、1ｍ
ｍ厚スペーサーを備えたガラス板の間に注型し、20 mW/
cm²の高圧水銀灯で両面から計25 J/cm²のUV光を照射し
た。型をはずさずに、80℃で30分、100℃、120℃、140
℃、160℃で1時間加熱した後、型をはずして硬化物を得
た。

【００８９】実施例４ 実施例２で得られた化合物12 gとサンエイドSI-100L
（三新化学工業製、酸発生剤）0.48 gを混合し、1ｍｍ
厚スペーサーを備えたガラス板の間に注型し、20mW/cm²
の高圧水銀灯で25 J/cm²のUV光を照射した。型をはずさ
ずに、50℃、８0℃で30分、100℃、120℃、140℃で1時
間ずつ加熱した後、型をはずして硬化物を得た。得られ
た硬化物の屈折率は1.63であった。

【００９０】実施例５ 実施例２で得られた化合物12 gとサンエイドSI-100L
（三新化学工業製、酸発生剤）0.48 gを混合し、1ｍｍ
厚スペーサーを備えたガラス板の間に注型した。50℃、
８0℃で30分、100℃で2.5時間加熱した後、型をはずし
て硬化物を得た。得られた硬化物の屈折率は1.62であっ
た。

【００９１】実施例６ 実施例２で得られた化合物7 gとN-（2-ニトロベンジル
オキシカルボニル）イミダゾール（光塩基発生剤）0.07
gを混合し、1ｍｍ厚スペーサーを備えたガラス板の間に
注型し、20 mW/cm²の高圧水銀灯で25 J/cm²のUV光を照
射した。型をはずさずに、50℃、８0℃で1時間、100℃
で2.5時間加熱した後、型をはずして硬化物を得た。得
られた硬化物の屈折率は1.64であった。なお、光塩基発
生剤であるN-（2-ニトロベンジルオキシカルボニル）イ
ミダゾールは、 Polymer Journal, Vol.26, No.7, pp.
864-867 (1994) に記載の方法に従って製造した。

【００９２】実施例７ 実施例２で得られた化合物7 gとイミダゾール0.07 gを
混合し、1ｍｍ厚スペーサーを備えたガラス板の間に注
型した。型をはずさずに、50℃、８0℃で1時間、100℃
で2.5時間加熱した後、型をはずして硬化物を得た。得
られた硬化物の屈折率は1.64であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三木 康彰 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱化学株式会社内 Ｆターム(参考） 4C048 AA01 BB08 CC02 UU03 4J036 AC01 AC10 AC11 AC19 CA20 CA21 CA28 CB08 CB09 CB13 CB22 CC01 DA01 DA02 DA04 DA05 DB28 DC03 DC04 DC05 DC27 DC31 DC41 DC46 DD07 FA01 FA03 FA04 GA01 GA02 GA21 GA22 GA24 GA26 HA01 HA02 HA03 JA01 JA05 JA06 JA07 JA08 JA15

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】 下記一般式（１）で表されるヘテロ環含
   有化合物。 【化１】 （式中、R¹〜R⁴はそれぞれ独立して炭素数1〜10の２価
   の炭化水素基を表す。X¹〜X⁴はそれぞれ独立してOまた
   はSを表す。Y¹およびY²はそれぞれ独立してOまたはSを
   表す。m、n、p、qはそれぞれ独立して0〜10の整数を表
   す。rは0〜10の整数を表す。Z¹、Z²は、それぞれ独立し
   て置換基を有していてもよい２価のアリール基を表す。
   但し、p=q=r=0、Y¹=Y²=OまたはＳ、かつZ²=C₆H₄の場合
   を除く。）
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環含有化
   合物を含むことを特徴とする組成物。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環含有化
   合物と、一般式（Ｉ）で表される化合物と反応しうる官
   能基を有する化合物およびラジカル重合性化合物から選
   ばれる１以上の化合物を含むことを特徴とする請求項２
   に記載の組成物。
4. 【請求項４】 さらに硬化助剤を含み、重合可能である
   ことを特徴とする請求項３に記載の組成物
5. 【請求項５】 硬化助剤が、光開始剤および硬化剤から
   選ばれる化合物であることを特徴とする請求項４に記載
   の組成物
6. 【請求項６】 一般式（Ｉ）で表されるヘテロ環含有化
   合物と半導体微粒子を含むことを特徴とする請求項２に
   記載の組成物。
7. 【請求項７】 請求項２〜６のいずれか１項に記載の組
   成物を重合硬化させて得られる硬化物。
8. 【請求項８】 請求項２〜６のいずれか１項に記載の組
   成物からなる封止用材料。
9. 【請求項９】 請求項２〜６のいずれか１項に記載の組
   成物からなる接着剤。
10. 【請求項１０】 請求項７に記載の硬化物からなる光学
    用部材。
11. 【請求項１１】 請求項７に記載の硬化物からなる層お
    よび基材層を有する積層体。