KR102173296B1 - 자기장 센서가 파워 오프 되는 시간 동안 측정 임계 값을 메모리 장치에 저장할 수 있는 자기장 센서 및 관련 방법 - Google Patents

자기장 센서가 파워 오프 되는 시간 동안 측정 임계 값을 메모리 장치에 저장할 수 있는 자기장 센서 및 관련 방법 Download PDF

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Abstract

자기장 센서는 측정 임계 값이 파워-다운 전에 저장되고 파워 업 시 비교기 검출기에 의해 이용되도록 리콜되는 비교기 검출기를 포함한다. 이러한 자기장 센서와 연관된 상응하는 방법이 개시된다.

Description

자기장 센서가 파워 오프 되는 시간 동안 측정 임계 값을 메모리 장치에 저장할 수 있는 자기장 센서 및 관련 방법{MAGNETIC FIELD SENSOR AND ASSOCIATED METHOD THAT CAN STORE A MEASURED THRESHOLD VALUE IN A MEMORY DEVICE DURING A TIME WHEN THE MAGNETIC FIELD SENSOR IS POWERED OFF}
본 발명은 일반적으로 물체의 회전 또는 이동을 감지하기 위한 자기장 센서들에 관한 것으로, 보다 구체적으로 메모리 장치에 저장될 수 있고 이 후에 리콜(recall)될 수 있는 측정 임계 값을 생성하는 자기장 센서에 관한 것이다.
홀 효과(Hall Effect) 소자들 및 자기저항(magnetoresistance) 소자들을 포함하여 다양한 종류의 자기장 감지 소자들이 알려져 있다. 자기장 센서들은 일반적으로 자기장 감지 소자 및 다른 전기 부품들을 포함한다. 일부 자기장 센서들은 고정된 영구 자석(fixed permanent magnet)을 더욱 포함한다.
자기장 센서들은 감지된 자기장을 나타내는 전기 신호, 또는 일부 실시예들에서, 상기 영구 자석에 연관된 자기장의 변동(fluctuations)을 나타내는 전기 신호를 제공한다. 운동 강자성체(moving ferromagnetic object)(예를 들어, 기어(gear), 링 자석(ring magnet), 또는 선형 다극 자석(linear multi-pole magnet))가 존재하는 경우, 자기장 센서에 의해 감지되는 자기장이 상기 운동 강자성체의 형태(shape) 또는 프로파일(profile)에 따라 다양할 수 있다.
자기장 센서들은 종종, 기어 톱니(gear teeth) 및/또는 기어 슬롯(gear slots)과 같은 강자성 기어의 피처(feature)들의 움직임을 검출하는 데에 이용된다. 이러한 응용의 자기장 센서는 보통 "기어 톱니(gear tooth)" 센서로 일컬어진다.
일부 구성들에서, 상기 기어는 목표 물체, 예를 들어 엔진 내에서 캠축(camshaft) 상에 놓이고, 이에 따라 상기 목표 물체(예를 들어, 캠축)의 회전이 상기 기어의 움직이는 피처들의 검출에 의해 감지된다. 기어 톱니 센서들은, 예를 들어 점화 시점 제어, 연료 관리, 및 다른 동작들을 위하여 엔진 제어 프로세서에 정보를 제공하도록 차량에 이용될 수 있다.
상기 기어 톱니 센서에 의해 상기 엔진 제어 프로세서에 제공되는 정보는, 이에 한정되지 않으나, 목표 물체(예를 들어, 캠축)가 회전함에 따른 이의 회전의 절대 각도, 및 회전 방향을 포함한다. 이러한 정보로, 상기 엔진 제어 프로세서는 점화 시스템(ignition system)의 발화 시점을 조절할 수 있고, 연료 주입 시스템(fuel injection system)에 의한 연료 주입 시점을 조절할 수 있다. 따라서, 상기 회전 각도에 대한 정확한 정보가 적절한 엔진 동작에 중요함을 이해할 수 있을 것이다.
기어 톱니 센서들은 또한, 이에 한정되지 않으나, 안티록 브레이크 시스템(anti-lock braking system) 및 트랜스미션(transmissions)을 포함하는 다른 응용들에 이용될 수 있다.
많은 종류의 자기장 센서들은 자기장 센서의 파워-업 직후, 및/또는 0의 회전 속도로부터 목표 물체가 움직인 직후, 및/또는 0의 회전 속도로 속도가 낮아지는 움직임 직후에 정확한 출력 신호(예를 들어, 물체의 회전의 절대 각도의 표시)를 제공하지 않을 수 있으나, 대신에 상기 자기장 센서가 파워-업 된 후 시간이 지나면, 또한 상기 목표 물체가 상당히 회전하였거나 상당한 속도로 이동하면, 정확한 출력 신호를 제공할 수 있다.
상술한 정확한 출력 신호는 상기 자기장 센서로부터의 출력 신호에서 (톱니 에지들, 링 자석 극 에지들, 또는 선형 다극 자석 극 에지들에 상응하는) 천이 에지들(transition edges)의 위치들의 정확성과 관련 있다.
일반적으로, 소위 "정밀(precision)" 회전 검출기는 자기장 센서의 파워-업으로부터 약간의 기간 후에만 또한 상기 기어가 회전한지 약간의 시간 후에만 정확한 출력 신호를 제공할 수 있다. 이와 달리, 일반적으로, 소위 "실 파워-온 상태(true power on state)" (TPOS) 검출기는, 상기 정밀 회전 검출기보다 덜 정확하나, 상기 자기장 센서의 파워-업 후 보다 빠른 시점에서 또한 상기 기어가 회전하기 시작한 후 보다 빠른 시점에서 상당히 정확한 출력 신호를 제공할 수 있다.
한 종류의 정밀 회전 검출기가 2003년 2월 25일 등록된 미국등록특허번호 제6,525,531호에 개시되어 있다. 이 정밀 회전 검출기는 임계 신호(threshold signal)를 생성함에 있어서 자기장 신호의 양 및 음의 피크들을 각각 추적(track)하는 양의 디지털-아날로그 변환기(PDAC) 및 음의 디지털-아날로그 변환기(NDAC)를 포함한다. 변경되는 자기장 신호가 상기 임계 신호와 비교된다. 다만, 상기 PDAC 및 상기 NDAC의 출력들은 상기 신호의 몇몇 사이클들(즉, 신호 피크들)이 발생할 때까지(즉, 몇몇의 기어 톱니들이 지나갈 때까지) 상기 자기장 신호의 상기 양 및 음의 피크들을 정확하게 나타내지 않을 수 있다. 다른 종류의 정밀 회전 검출기들이, 예를 들어, 2007년 4월 2일자로 등록된 미국등록특허번호 제7,199,579호, 2008년 4월 6일자로 등록된 미국등록특허번호 제7,368,904호, 2001년 10월 2일자로 등록된 미국등록특허번호 제6,297,627호, 및 1999년 1월 29일자로 등록된 미국등록특허번호 제5,917,320호에 개시되어 있고, 이들 각각은 본 발명의 출원인에게 양도되었고, 또한 이들 각각은 여기에 참조로서 포함된다.
종래의 TPOS 검출기가 2008년 4월 22일자로 등록된 미국등록특허번호 제7,362,094호에 개시되어 있다. 일부 종래의 TPOS 검출기들은 단순히 자기장 신호를 고정된, 미리 결정된, 또한 종종 트리밍된(trimmed) 임계치에 비교한다.
TPOS 검출기가 정밀 회전 검출기와 함께 이용될 수 있고, 이들 모두가 엔진 제어 프로세서에 정보를 제공할 수 있다. TPOS 검출기가 동일한 집적 회로 내에서 정밀 회전 검출기와 조합될 수 있고, 자기장 센서는 파워-업 후 우선 상기 TPOS 검출기를 이용할 수 있고, 이어서 상기 정밀 회전 검출기를 이용하도록 스위칭될 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래의 TPOS 검출기는, 정밀 회전 검출기가 정확한 출력 신호를 제공하기 전에, 목표 물체의 작은 초기 회전으로 상당히 정확한 출력 신호를 제공한다. 게다가, 상기 TPOS 검출기는, 파워-업 거의 즉시 기어 톱니 또는 기어 골(valley)에 근접한지 여부에 대한 정보를 제공할 수 있다.
TPOS 검출기는 엔진 제어 프로세서에 자기장 센서의 파워 업 시점에 근접한 시점들에서, 또한 목표 물체의 회전의 시작 및 종료(예를 들어, 엔진 및 캠축의 시작 및 종료) 시점에 근접한 시점들에서 정밀 회전 검출기보다 정확한 정보를 제공할 수 있다. 다만, TPOS 검출기는 자기장 센서가 파워-업 된 후 일정 시점에서, 또한 물체가 최대 속도로 회전하고 있을 때 정밀 회전 검출기보다 덜 정확할 수 있다. 상기 물체가 최대 속도로 회전하고 있을 때, 엔진 제어 프로세서는 정밀 회전 검출기에 의해 제공된 회전 정보를 우선적으로 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 정밀 회전 검출기와 달리, 종래의 TPOS 검출기는 자기장 신호가 비교되는 고정된 미리 결정된 임계치를 가진다. 종래의 TPOS 검출기로부터의 출력 신호는 목표 물체의 피처(feature)들에 따라 두 개의 상태들, 일반적으로 하이 및 로우 상태를 가진다.
다양한 파라미터들이 TPOS 자기장 센서에 의해 생성된 자기장 신호의 크기에 영향을 미치는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 온도가 홀 소자의 감도(sensitivity), 이에 따라 자기장 신호의 크기에 영향을 미치는 것이 알려져 있다. 자기장 센서와 TPOS 캠 또는 기어 사이의 공기 간극(air gap)의 크기의 변화 또한 자기장 신호의 크기에 영향을 미친다.
TPOS 검출기에서, 자기장 신호가 고정된 미리 결정된 임계치에 대하여 비교될 때, 온도, 공기 간극 등에 기인한 자기장 신호의 진폭(amplitude)의 변화는 상기 TPOS 검출기로부터의 상술한 출력 신호에서의 에지들의 위치들의 원치 않은 변화들을 유발할 수 있다.
종래의 TPOS 검출기는 내부에 비교기 검출기(comparator detector)로 동작하는 비교기를 가질 수 있다.
종래의 TPOS 검출기 또는 비교기 검출기보다 출력 신호의 에지들의 위치들이 덜 가변되는 TPOS 검출기, 또는 보다 일반적으로, 비교기 검출기를 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명은 종래의 TPOS 검출기 또는 비교기 검출기보다 출력 신호의 에지들의 위치들이 덜 가변되는 TPOS 검출기, 또는 보다 일반적으로, 비교기 검출기를 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명의 일 양상에 따라, 자기장 센서는 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들을 포함한다. 상기 자기장 센서는 상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로를 더 포함한다. 상기 자기장 센서는 저장 시점에서, 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관련된 측정 임계 값을 저장하는 메모리 장치를 더 포함한다. 상기 자기장 센서는 상기 저장된 측정 임계 값에 관련된 비교기 임계 값을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 상기 비교기 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하여 비교기 검출기 출력 신호를 생성하는 비교기 검출기(comparator detector)를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 자기장 센서는 임의의 조합의 하나 이상의 다음의 양상들을 포함할 수 있다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 비교기 검출기에 의해 수신된 상기 비교기 임계 값은 상기 저장된 측정 임계 값에 상응한다.
일부 실시예들에서, 상기 자기장 센서는 상기 자기장 신호의 양의 피크들 및 음의 피크들을 각각 나타내는 양의 피크 신호 또는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 양의 피크 신호 또는 상기 음의 피크 신호 중 상기 적어도 하나에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈을 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 자기장 센서는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 복수의 양의 피크 값들 및 상기 복수의 음의 피크 값들을 조합하여 상기 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈을 더 포함한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 측정 임계 모듈은 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최대 양의 피크 값, 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최소 양의 피크 값, 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최대 음의 피크 값, 또는 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최소 음의 피크 값 중 적어도 하나를 선택하고, 상기 적어도 하나의 선택된 값에 따라 상기 측정 임계 값을 생성한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 온도 보상 회로는, 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로, 각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리, 상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서, 및 상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 복수의 게인 교정 계수들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 게인 교정 계수들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 메모리 장치는 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관한 백업 측정 임계 값을 더 저장한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 측정 임계 값이 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 측정 임계 값이 상기 저장된 측정 임계 값으로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생한다.
상기 자기장 센서의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 비교기 검출기 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생한다.
일부 실시예들에서, 상기 자기장 센서는 상기 측정 임계 값과 상기 저장된 측정 임계 값을 비교하고, 상기 측정 임계 값과 상기 저장된 측정 임계 값이 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 진단 모듈을 더 포함한다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법은 상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 저장 시점에서, 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관련된 측정 임계 값을 메모리 장치에 저장하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 비교기 검출기(comparator detector)에서 상기 저장된 측정 임계 값에 관련된 비교기 임계 값 및 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 상기 비교기 검출기에서 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 비교기 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 임의의 조합의 하나 이상의 다음의 양상들을 포함할 수 있다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 비교기 검출기에 의해 수신된 상기 비교기 임계 값은 상기 저장된 측정 임계 값에 상응한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 상기 자기장 신호의 양의 피크들 및 음의 피크들을 각각 나타내는 양의 피크 신호 또는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하는 단계, 및 상기 양의 피크 신호 또는 상기 음의 피크 신호 중 상기 적어도 하나에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하는 단계, 및 상기 복수의 양의 피크 값들 또는 상기 복수의 음의 피크 값들 중 적어도 하나의 조합에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최대 양의 피크 값, 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최소 양의 피크 값, 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최대 음의 피크 값, 또는 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최소 음의 피크 값 중 적어도 하나를 선택하는 단계, 및 상기 적어도 하나의 선택된 값에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계, 각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계, 상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계, 상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 복수의 게인 교정 계수들을 수신하는 단계, 및 상기 온도 신호에 따라 상기 게인 교정 계수들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관한 백업 측정 임계 값을 상기 메모리 장치에 저장하는 단계를 더 포함한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 측정 임계 값이 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 측정 임계 값이 상기 저장된 측정 임계 값으로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생한다.
상기 방법의 일부 실시예들에서, 상기 저장 시점은 상기 비교기 검출기 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생한다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 상기 측정 임계 값과 상기 저장된 측정 임계 값을 비교하는 단계, 및 상기 측정 임계 값과 상기 저장된 측정 임계 값이 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따라, 자기장 센서는 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들을 포함한다. 상기 자기장 센서는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 복수의 양의 피크 값들 및 상기 복수의 음의 피크 값들을 조합하여 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따라, 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법은 상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 생성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 측정 임계 값을 생성하도록 상기 복수의 양의 피크 값들 또는 상기 복수의 음의 피크 값들 중 적어도 하나를 조합하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따라, 자기장 센서는 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들을 포함한다. 상기 자기장 센서는 상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 가지는 중간 신호(intermediate signal)를 생성하는 회로를 더 포함한다. 상기 자기장 센서는 저장 시점에서, 상기 중간 신호의 상기 신호 특징에 관련된 측정 임계 값을 저장하는 메모리 장치를 더 포함한다. 상기 자기장 센서는 온도 보상이 수행되지 않은 상기 저장된 측정 임계 값에 관련된 비교기 임계 값을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 상기 비교기 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하여 비교기 검출기 출력 신호를 생성하는 비교기 검출기(comparator detector)를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따라, 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법은 상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 자기장 신호에 관련된 중간 신호(intermediate signal)로서, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 포함하는 상기 중간 신호를 생성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은, 저장 시점에서, 상기 중간 신호의 상기 신호 특징에 관련된 측정 임계 값을 메모리 장치에 저장하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 비교기 검출기(comparator detector)에서 온도 보상이 수행되지 않은 상기 저장된 측정 임계 값에 관련된 비교기 임계 값 및 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 상기 비교기 검출기에서 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 비교기 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 종래의 TPOS 검출기 또는 비교기 검출기보다 출력 신호의 에지들의 위치들이 덜 가변되는 TPOS 검출기, 또는 보다 일반적으로, 비교기 검출기를 제공할 수 있다.
상술한 본 발명의 특징들이, 발명 그 자체뿐만 아니라, 첨부된 도면들의 후술되는 설명들로부터 보다 완전하게 이해될 수 있을 것이고, 첨부 도면들에 있어서,
도 1은 기어 피처(gear feature)들을 가지고, 회전하는 축(shaft), 즉 목표 물체 상에 배치된 기어에 근접한, "실 파워-온 상태(true power on state)" (TPOS) 검출기 및 "정밀 회전(precision rotation)" 검출기의 형태의 비교기 검출기(comparator detector)를 가지는 자기장 센서를 나타내는 블록도이고,
도 2는 자기장 신호를 나타내고, 도 1의 TPOS 검출기 내에서 상기 자기장 신호와 비교될 수 있는 예시적인 계산된 임계치 및 예시적인 미리 결정된 임계치를 나타내는 그래프이며,
도 3은 도 2의 비교 결과에 따른 신호들을 나타내는 그래프이고,
도 4는 기어의 회전을 감지하는 데에 이용되고, 온도에 대한 게인 및/또는 오프셋 변동을 정정하는 세그먼트 프로세서를 가지며, 상기 기어의 회전을 나타내는 신호를 제공 및 출력하는 회전 모듈을 더욱 가지는 자기장 센서를 나타내는 블록도이며,
도 5는 자기장 센서의 온도에 대한 감도의 예시적인 특징 커브를 나타내고, 게인 교정 계수들을 나타내는 그래프이고,
도 6은 자기장 센서의 온도에 대한 오프셋의 예시적인 특징 커브를 나타내고, 게인 교정 계수들을 나타내는 그래프이며,
도 7은 도 4의 자기장 센서의 온도에 대한 게인 및/또는 오프셋을 정정하는 과정을 나타내는 순서도이고,
도 8은 도 4의 자기장 센서의 회전 모듈을 보다 상세히 나타내고, 임계 모듈을 나타내는 블록도이며,
도 9는 도 8의 임계 모듈로 이용될 수 있고, 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈 및 상기 측정 임계 값을 저장하는 메모리 장치를 가지는 예시적인 임계 모듈을 나타내는 블록도이고,
도 10은 도 9의 임계 모듈을 가지는 자기장 센서를 이용하기 위한 예시적인 과정을 나타내는 순서도이며,
도 11은 도 9의 측정 임계 모듈의 기능들을 나타내는 그래프이다.
본 발명을 설명하기에 앞서, 일부 도입되는 개념들 및 용어들이 설명된다.
여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "자기장 감지 소자(magnetic field sensing element)"는 자기장을 감지할 수 있는 다양한 전기 소자들을 기술하는 데에 이용된다. 상기 자기장 감지 소자는, 이에 한정되지 않으나, 홀 효과(Hall Effect) 소자, 자기저항(magnetoresistance) 소자, 또는 자기트랜지스터(magnetotransistor)이다. 알려진 바와 같이, 서로 다른 종류의 홀 효과 소자들, 예를 들어, 평면(planar) 홀 소자, 수직(vertical) 홀 소자, 및 원형 수직 홀(Circular Vertical Hall, CVH) 소자 등이 있다. 또한 알려진 바와 같이, 서로 다른 종류의 자기저항 소자들, 예를 들어, 안티몬화 인듐(Indium Antimonide, InSb)과 같은 반도체 자기저항 소자, 거대 자기저항(giant magnetoresistance, GMR) 소자, 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistance, AMR) 소자, 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance, TMR) 소자, 및 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ) 등이 있다. 상기 자기장 감지 소자는 단일한 소자이거나, 또는 이와 달리 다양한 구성들, 예를 들어, 하프 브릿지(half bridge) 또는 풀 (휘트스톤(Wheatstone)) 브릿지로 배열된 2 이상의 자기장 감지 소자들을 포함할 수 있다. 장치 종류 및 다른 응용 요구들에 따라, 상기 자기장 감지 소자는 실리콘(Silicon, Si) 또는 게르마늄(Germanium, Ge)과 같은 IV족 반도체 물질로 형성되거나, 갈륨 비소(Gallium-Arsenide, GaAs) 또는 인듐 화합물, 예를 들어, 안티몬화 인듐(Indium-Antimonide, InSb)과 같은 III-V족 반도체 물질로 형성된 소자일 수 있다.
상술한 "원형 수직 홀(circular vertical Hall)" (CVH) 감지 소자, 또는 복수의 수직 자기장 감지 소자들을 포함하는 다른 종류의 자기장 감지 소자가 알려져 있고, 2008년 5월 28일 출원되고, PCT 공개 번호 제WO 2008/145662로 공개된 제목이 "Magnetic Field Sensor for Measuring Direction of a Magnetic Field in a Plane"인 PCT 특허 출원 번호 제PCT/EP2008056517호에 개시되어 있고, 이의 출원서 및 공개공보는 여기에 그 전체로서 참조로 포함된다. 상기 CVH 감지 소자는 기판 내의 공통 원형 임플란트 영역(예를 들어, 에피택셜 영역) 상에 배열된 수직 홀 소자들의 원형 배열을 포함한다. 상기 CVH 감지 소자는 기판 평면에서의 자기장의 방향(및 선택적으로 세기)을 감지하도록 이용될 수 있다.
알려진 바와 같이, 일부의 상술한 자기장 감지 소자들은 상기 자기장 감지 소자를 지지하는 기판에 평행한 최대 감도 축을 가지는 경향이 있고, 다른 상술한 자기장 감지 소자들은 상기 자기장 감지 소자를 지지하는 기판에 직교하는 최대 감도 축을 가지는 경향이 있다. 구체적으로, 평면 홀 소자들은 기판에 직교하는 최대 감도 축을 가지는 경향이 있으나, 금속 기반 또는 금속 자기저항 소자들(예를 들어, GMR, TMR, AMR) 및 수직 홀 소자들은 기판에 평행한 최대 감도 축을 가지는 경향이 있다.
여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "자기장 센서(magnetic field sensor)"는, 일반적으로 다른 회로들과 함께, 자기장 감지 소자를 이용하는 회로를 기술하도록 사용된다. 자기장 센서들은, 이에 한정되지 않으나, 자기장의 방향의 각도를 감지하는 각도 센서, 전류 운반 전도체에 의해 전송되는 전류에 의해 생성되는 자기장을 감지하는 전류 센서, 강자성 물체의 접근을 감지하는 자기 스위치, 통과하는 강자성 물품들, 예를 들어 링 자석의 자기 도메인들을 감지하는 회전 검출기, 및 자기장의 자기 밀도를 감지하는 자기장 센서를 포함하여 다양한 응용들에서 이용될 수 있다.
후술되는 예시적인 회로들 및 방법들은 홀 효과 소자를 이용하나, 다른 실시예들에서, 동일 또는 유사한 기술들이 다른 종류의 자기장 감지 소자와 함께 이용될 수 있다.
회전 검출기 종류의 자기장 센서들이 아래에 예시적으로 도시 및 기술되어 있다. 그러나, 동일 또는 유사한 기술들이 임의의 자기장 센서에, 바람직하게는 온도 편위(temperature excursions)를 겪고 자기장 센서가 파워-오프 될 때 임계치를 저장하는 것이 바람직한 임의의 자기장 센서에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 예시적인 자기장 센서 구성(10)은 자기장 센서(12)를 포함한다. 자기장 센서(12)는 전자 회로(18)에 연결된 자기장 감지 소자(16)를 가지는 자기장 감지 회로(14)를 포함한다. 전자 회로(18)는, 일부 실시예들에서, 보다 상세히 후술되는 실 파워-온 상태(true power on state, TPOS) 검출기(18a) 및 정밀 회전 검출기(18b)일 수 있는 비교기 검출기(18)를 포함할 수 있다.
자기장 센서(12)는 자석(20)을 더 포함할 수 있다. 자석(20)은 축(22)을 따라 자기장을 생성한다. 전자 회로(18)는 자기장 센서(12)의 스타트-업(start up) 부근의 시간 구간 동안 TPOS 검출기(18a)에 의해 생성되고, 이후에 정밀 회전 검출기에 의해 생성될 수 있는 출력 신호(24)를 생성한다.
자기장 센서 구성(10)은 또한 피처들(features)(26a, 26b, 26c, 26d)을 가지는 캠(cam)(26)(예를 들어, 기어)을 더 포함할 수 있다. 캠(26)은, 예를 들어 방향(32)으로 회전하는 축(shaft)(30)(즉, 목표 물체) 상에 배치될 수 있다.
구동 시, 캠(26)이 회전함에 따라, 캠 피처들(26a, 26b, 26c, 26d)은 자석(20)에 의해 생성되는 자기장을 방해한다. 자석(20)에 의해 생성되는 자기장의 방해가 자기장 감지 소자(16)에 의해 감지되어 출력 신호 24가 상태 천이(state transitions)될 수 있다.
캠 피처들(26a, 26b, 26c, 26d)의 특정한 배열 및 간격에 의해 TPOS 검출기(18a)가 TPOS 캠(26)의 작은 각도의 회전 후에 천이들을 가지는 TPOS 출력 신호(24)를 제공 가능하고, 일부 실시예들에서, 이는 엔진 제어 컴퓨터에 의해 해석되어 캠(26), 및 캠(26)이 배치된 축(30)의 회전의 절대 각도를 생성할 수 있다.
게다가, 후술되는 회로들 및 기술들에 의해, TPOS 검출기(18a)는 자기장 센서(12)의 파워-업(power up) 시 자기장 센서(12)가 기어 톱니(gear tooth) 또는 기어 골(gear valley)에 근접한지 여부의 표시를 제공할 수 있다.
이제 도 2를 참조하면, 그래프(50)는 목표 물체 회전 각도의 단위, 예를 들어 0도에서 360 도까지의 단위를 가지는 수평축을 가진다. 그래프(50)는 또한 임의의 단위의 볼트(volt) 단위를 가지는 수직축을 포함한다. 신호(52)는, 예를 들어 자기장 감지 소자(16)와 함께, 도 1의 자기장 센서(12) 내에서 생성된 자기장 신호와 동일 또는 유사할 수 있다. 신호(52)의 하이 상태 구간들이, 캠(26)이 회전함에 따라 도 1의 자기장 감지 소자(16)를 지나는 도 1의 캠(26)의 피처들(26a, 26b, 26c, 26d)에 상응하는 것을 이해할 수 있을 것이다.
자기장 신호(52)가 연속적인 아날로그 값들을 가지는 아날로그 형태로 도시되어 있으나, 이와 동등하게 상기 아날로그 값들의 샘플링된 값들과 유사한 이산 디지털 값들을 가지는 신호일 수 있다. 신호(52)가 전압 신호인 것으로 표시되어 있으나, 일부 다른 실시예들에서, 신호(52)는 전류 신호일 수 있다.
미리 결정된 임계치(54)가 도시되어 있고, 도 3을 참조하여 후술될 것이다. 미리 결정된 임계치(54)는 종래의 TPOS 검출기에서 이용되는 것과 유사하다. (서로 다른 각각의 시점들에서) 복수의 저장된 측정 임계 값들 중 하나에 따라 계산된 비교기 임계치(56)가 또한 도시되어 있고, 도 3을 참조하여 후술될 것이다. 상기 복수의 저장된 측정 임계 값들 중 하나에 따라 계산된 비교기 임계치(56)는 종래의 TPOS 검출기에서 이용되지 않는다.
여기에 사용되는 바와 같이, 용어들 "비교기 임계치(comparator threshold)" 및 "TPOS 임계치(TPOS threshold)"는 본질적으로 동일한 임계치를 의미하도록 사용된다.
이제 도 3을 참조하면, 그래프(70)는 목표 물체 회전 각도의 단위, 예를 들어 0도에서 360 도까지의 단위를 가지는 수평축을 가진다. 그래프(70)는 또한 임의의 단위의 볼트(volt) 단위를 가지는 수직축을 포함한다.
신호(74)는 도 2의 신호(52)가 미리 결정된 임계치(54)의 위 또는 아래로 지날 때에 천이되는 두 개의 상태들을 가진다. 신호(72)는 도 2의 신호(52)가 비교기 임계치(56)의 위 또는 아래로 지날 때에 천이되는 두 개의 상태들을 가진다. 이에 따라, 도 2의 신호(52)에 대하여 비교하는 데에 이용되는 상기 임계치의 위치, 즉 값의 변화가 결과적인 2 상태 신호의 천이 위치들, 즉 에지들에 영향을 미치는 것을 알 수 있다. 상술한 바와 같이, 이에 한정되지 않으나 차량 응용을 포함하여 많은 응용들에서 이용될 때, 상기 에지의 위치들이 차량의 정상적인 동작에 매우 중요할 수 있다.
상술한 바와 같이, 자기장 신호(52)는 다양한 환경적 및 전자적 요인들, 예를 들어, 온도, 및 자기장 센서와 감지되는 캠 또는 기어 사이의 공기 간극 등에 기인하여 진폭이 변경될 수 있다. 예를 들어 온도, 도 1의 자기장 감지 소자(16)와 캠(26) 사이의 공기 간극, 또는 다른 파라미터들에 기인하여 양 및 음의 피크들의 진폭이 변화하는 순간에 자기장 신호(52)의 양의 피크들 및 음의 피크들 사이의 바람직한 위치에 있는 도 2의 계산된 임계치(56)에 유사하게 임계 신호를 유지하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 구성으로, 자기장 신호(52)의 양 및 음의 피크들의 진폭들이 변경되고, 이들이 비대칭적으로 변경되더라도, 결과적인 2 상태 신호(72)의 에지들이 동일한 위치들에 유지될 수 있다.
도 4를 참조하면, 자기장 센서(400)는 전류 소스(404)에 의해 구동되는 홀 효과 소자(402)를 포함한다. 홀 효과 소자(402)는, 예를 들어 자기장 센서(400) 내에서 또는 이에 근접하여 배치된 자석(403)에 의해 생성될 수 있는 자기장에 반응한다. 기어(450)의 회전에 의해 상기 홀 효과 소자에 의해 감지되는 자기장이 변동되고, 또한 기어(450)가 회전할 때 자기장 신호(402a)가 AC 신호가 된다.
홀 효과 소자가 도시되어 있으나, 임의의 종류의 자기장 감지 소자가 이용될 수 있다. 또한, 하나의 자기장 감지 소자가 도시되어 있으나, 다른 실시예들에서, 예를 들어 차동 배열로 연결된 2 이상의 자기장 감지 소자들이 존재할 수 있다.
자기장 센서(400)는 증폭기(408), 프로그래머블 필터일 수 있는 필터(410), 합산 회로(412), 및 증폭기(414)로 구성된 (아날로그 또는 디지털 또는 혼합) 신호 경로를 포함한다. 홀 효과 소자(402)는 상기 자기장에 응답하여 자기장 신호(402a)를 생성한다. 증폭기(408)(예를 들어, 게인(gain) 조절 가능한 아날로그 회로)는 자기장 신호(402a)를 수신하고 게인 제어 신호(416a)를 수신하도록 연결되고, 게인 조절된 신호(408a)를 생성한다. 필터(410)는 게인 조절된 신호(408a)를 수신하도록 연결되고, 필터링된 신호(410a)를 생성한다. 합산 회로(412)(예를 들어, 오프셋(offset) 조절 가능한 아날로그 회로)는 필터링된 신호(410a)를 수신하고 오프셋 제어 신호(418a)를 수신하도록 연결되고, 오프셋 조절된 신호(412a)를 생성한다. 증폭기(414)는 오프셋 조절된 신호(412a)를 수신하도록 연결되고, 게인 및 오프셋 교정을 가진 출력 신호(414a)를 생성한다.
출력 신호(414a)가 자기장 센서(402)가 회전하는 기어(450)(또는 다른 움직이는 강자성 또는 자기 물체)가 존재하는 곳에 있을 때에 진폭을 가지는 것을 이해할 수 있을 것이다. 출력 신호(414a)는 또한 잔여 오프셋을 가질 수 있다.
증폭기들(408, 414)로 구체화된 회로 기능들의 순서가 여기에 개시된 일반적인 기능들을 변경하지 않으면서 임의의 순서일 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 회로 기능들이 아날로그 또는 디지털 도메인들 중 임의의 도메인들에서 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
일부 다른 실시예들에서, 오프셋 온도 보상이 수행되지 않을 수 있고, 이러한 경우에서, 온도 센서(420) 및 ADC(422)가 요구되지 않고, 오프셋 온도 교정 계수들이 EEPROM(442)에 저장될 필요가 없다.
일부 다른 실시예들에서, 게인 온도 보상이 수행되지 않을 수 있고, 이러한 경우에서, 온도 센서(420) 및 ADC(422)가 요구되지 않고, 게인 온도 교정 계수들이 EEPROM(442)에 저장될 필요가 없다.
일부 다른 실시예들에서, 오프셋 온도 보상 및 게인 온도 보상이 모두 수행되지 않을 수 있고, 이러한 경우에서, 적어도 세그먼트 프로세서(424), 계수 테이블 EEPROM(442), 온도 센서, 및 ADC(422)가 요구되지 않는다. 이러한 실시예들에서, 신호(414a)는 온도 보상을 가지지 않는 중간 신호이다.
자기장 센서(400)는 또한, 출력 신호(414a)를 수신하도록 연결되고, 적어도 기어(450)의 회전을 나타내고, 선택적으로 기어(450)의 회전 속도를 더욱 나타내며, 또한 선택적으로 기어(450)의 회전 방향을 더욱 나타내는 회전 출력 신호를 생성하는 회전 모듈(417)을 포함한다. 회전 모듈(417)은 도 8을 참조하여 후술된다. 여기서는 상기 회전 모듈이 비교기 검출기(예를 들어, TPOS 검출기) 및 정밀 회전 검출기의 적어도 일부를 포함한다는 설명만으로 충분할 것이다.
자기장 센서(400)는 또한, 바람직하게는 자기장 센서(400)의 다른 회로들과 동일한 기판에 배치된, 온도 센서(420)를 포함한다. 온도 센서(420)는 온도 센서(420)가 겪는 온도를 나타내는 온도 신호(420a)를 생성한다. 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter, ADC)(422)는 온도 신호(420a)를 수신하도록 연결되고, 온도 신호(420a)를 나타내는 디지털 온도 신호(422a)를 생성한다.
자기장 센서(400)는 디지털 온도 신호(422a)를 수신하도록 연결된 세그먼트 프로세서(424)를 포함할 수 있다. 세그먼트 프로세서(424)가 몇몇의 기능들을 수행하는 것이 후술되는 설명에 의해 명확하게 될 것이다. 세그먼트 프로세서(424)는 디지털 온도 신호(422a)(즉, 온도 신호(420a))가 놓인 온도 세그먼트를 식별한다. 세그먼트 프로세서(424)는 또한 상기 식별된 온도 세그먼트와 연관된 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)을 더욱 수신하도록 연결될 수 있다. 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)은 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 온도들과 연관된다. 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)은 세그먼트 프로세서(424)에 의해 제어 신호(426c)를 통하여 요청될 수 있다.
세그먼트 프로세서(424)는 디지털 온도 신호(422a)에 따라 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 사이에서 보간(interpolate)하여 센서 게인 교정 값(430a)을 생성할 수 있다. 게인 제어 신호(416a)는 센서 게인 교정 값(430a)에 관련되고 이에 의해 결정되는 아날로그 신호일 수 있다.
세그먼트 프로세서(424)는 또한 디지털 온도 신호(422a)에 따라 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b) 사이에서 보간하여 센서 오프셋 교정 값(432a)을 생성할 수 있다. 오프셋 제어 신호(418a)는 센서 오프셋 교정 값(432a)에 관련되고 이에 의해 결정되는 아날로그 신호일 수 있다.
세그먼트 프로세서(424)가 디지털 신호들 또는 값들을 처리하는 디지털 회로일 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 세그먼트 프로세서(424)는 상술한 바와 같이 아날로그 회로들의 게인 및/또는 오프셋을 제어할 수 있다.
자기장 센서(400)는, 복수의 온도 세그먼트들의 온도 경계들과 연관된 계수들로서 복수의 게인 교정 계수들 및/또는 복수의 오프셋 교정 계수들을 유지하는 EEPROM(442)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 다섯 개의 선택되는 온도 경계들이 있고, 각 온도 경계는 각각의 게인 교정 계수(TDSense) 및 각각의 오프셋 교정 계수(DQVO)와 연관된다.
상기 복수의 게인 교정 계수들 및 상기 복수의 오프셋 교정 계수들은 자기장 센서(400)의 제조 시에, 또는 이 후의 임의의 시점에, 직렬 통신 링크일 수 있는 통신 링크(438) 상의 신호(438a)를 통하여 EEPROM(442)에 저장될 수 있다. 상기 복수의 게인 교정 계수들 및 상기 복수의 오프셋 교정 계수들을 형성하는 방법이 도 7을 참조하여 후술된다.
자기장 센서(400)는 또한 세그먼트 프로세서(424)에 사용자 게인 교정 값(444a)을 제공하도록 연결된 사용자 게인 교정 EEPROM(444)을 포함할 수 있다. 자기장 센서(400)는 또한 세그먼트 프로세서(424)에 사용자 오프셋 교정 값(446a)을 제공하도록 연결된 사용자 오프셋 교정 EEPROM(446)을 포함할 수 있다. 사용자 게인 EEPROM(444)은 통신 링크(438) 상의 신호(438c)를 통하여 사용자 게인 교정 값(444a)을 수신할 수 있다. 사용자 오프셋 EEPROM(446)은 통신 링크(438) 상의 신호(438d)를 통하여 사용자 오프셋 교정 값(446a)을 수신할 수 있다.
자기장 센서(400)는 또한 세그먼트 프로세서(424)에 보간 제어 신호(440a)를 제공하도록 연결된 프로그램 제어 EEPROM(440)을 포함할 수 있다. 보간 제어는 보다 상세히 후술된다. 프로그램 제어 EEPROM(440)은 통신 링크(438) 상의 신호(438b)를 통하여 보간 제어 신호(440a)를 수신할 수 있다.
세그먼트 프로세서(424)는 디지털 온도 신호(422a)를 수신하도록 연결되고 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)을 수신하도록 연결된 보간 프로세서(426)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보간 프로세서(426)는 또한 제어 신호(440a)를 수신하도록 더욱 연결될 수 있다. 제어 신호(440a)는 보간 프로세서(426)에 의해 수행될 게인 및/또는 오프셋 보간의 종류를 결정할 수 있다. 보간의 종류들은 후술된다.
보간 프로세서(426)는 보간된 게인 교정 값(426a) 및/또는 보간된 오프셋 교정 값(426b)을 생성한다. 이를 위하여, 보간 프로세서(426)는 디지털 온도 신호(422a)(즉, 온도 신호(420a))가 놓인 상술한 온도 세그먼트를 식별한다. 보간 프로세서(426)는 또한 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 두 개의 온도들과 연관된 상술한 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 상술한 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)을 수신하도록 더욱 연결된다.
보간 프로세서(426)는 디지털 온도 신호(422a)를 이용하여 상기 측정된 온도가 상기 복수의 온도 세그먼트들 중 어느 것에 놓여있는지는 식별한다. 이에 따라, 적당한 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a) 및/또는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)이 보간 프로세서(426)에 의해 제어 신호(426c)로 요청될 수 있다.
자기장 센서(400)는 보간된 게인 교정 값(426a) 및/또는 보간된 오프셋 교정 값(426b)을 수신하도록 연결되고 사용자 게인 교정 값(444a) 및/또는 사용자 오프셋 교정 값(446a)을 수신하도록 연결된 조합 프로세서(combining processor)(428)를 포함할 수 있다. 조합 프로세서(428)는 보간된 게인 교정 값(426a)을 사용자 게인 교정 값(444a)과 조합하고, 또한/또는 보간된 오프셋 교정 값(426b)을 사용자 오프셋 교정 값(446a)과 조합한다. 이에 따라, 조합 프로세서(428)는 조합된 게인 교정 값(428a) 및/또는 조합된 오프셋 교정 값(428b)을 생성하고, 이들은 게인 조절 레지스터(430) 및 오프셋 조절 레지스터(432)에 각각 저장될 수 있다.
디지털-아날로그 변환기(digital-to-analog converter, DAC)(434)는 저장된 게인 교정 값(430a)을 수신하도록 연결되고, 게인 조절 회로(416)에서 수신되는 게인 교정 신호(434a)를 생성하여 이에 따라 게인 제어 신호(416a)를 생성하게 할 수 있다. DAC(436)는 저장된 오프셋 교정 값(432a)을 수신하도록 연결되고, 오프셋 조절 회로(418)에서 수신되는 오프셋 교정 신호(436a)를 생성하여 이에 따라 오프셋 제어 신호(418a)를 생성하게 할 수 있다.
여기에 DAC들(434, 436)이 도시되어 있으나, 다양한 회로 기능들이 디지털 도메인에서 구현된 상술한 실시예들에 대하여, DAC들(434, 436)은 생략될 수 있다.
하나의 특정한 실시예에서, 보간된 게인 교정 값(426a)을 생성하도록 보간 프로세서(426)에 의해 수행되는 게인 보간(gain interpolation)은 아래의 선형 보간일 수 있다.
Figure 112015099065649-pct00001
(1)
여기서, CoeffA 및 CoeffB는 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 한 쌍의 게인 교정 계수들(442a)이고, temp[4:0]은, 7비트 값일 수 있는 디지털 온도 신호(442a)의 다섯 개의 최하위 비트들을 나타낸다.
일부 실시예들에서, 보간 프로세서(426)는 복수의 게인 (감도) 처리 옵션들을 가지고, 상기 처리 옵션(보간 종류, 즉 상기 수식)은 제어 신호(440a)에 따라 선택된다.
일부 종류의 보간, 예를 들어 보다 상위 차수 보간들은 3 이상의 교정 계수들을 이용할 수 있고, 이에 따라, 일부 실시예들은 각 온도 세그먼트와 연관된 3 이상의 게인 및/또는 오프셋 교정 계수들을 저장 및 이용할 수 있다.
일부 실시예들에서, 조합 프로세서(428)는 조합된 게인 교정 값(428a)을 도출하도록 아래의 수식에 따라 보간된 게인 교정 값(426a)을 사용자 게인 교정 값(444a)과 조합한다.
Figure 112015099065649-pct00002
(2)
여기서, SENS FINE 은 사용자 게인 교정 값(444a)이고, K DEV 는 특정한 종류의 자기장 센서의 감도를 나타내는 장치 특정 상수(예를 들어, 십진법의 74 또는 십진법의 206)이다.
하나의 특정한 실시예에서, 보간된 오프셋 교정 값(426b)을 생성하도록 보간 프로세서(426)에 의해 수행되는 오프셋 보간(offset interpolation)은 아래의 선형 보간일 수 있다.
Figure 112015099065649-pct00003
(3)
여기서, CoeffA 및 CoeffB는 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 한 쌍의 오프셋 교정 계수들(442b)이고, temp[4:0]은, 7비트 값일 수 있는 디지털 온도 신호(442a)의 다섯 개의 최하위 비트들을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 일부 실시예들에서, 보간 프로세서(426)는 복수의 오프셋 처리 옵션들을 가지고, 상기 처리 옵션(보간 종류, 즉 상기 수식)은 제어 신호(440a)에 따라 선택된다. 일부 실시예들에서, 상기 선택은, 각각이 2의 배수(1 비트 쉬프트)로 달라지는 다음의 선행 보간 종류들 중에서 선택할 수 있다.
Figure 112015099065649-pct00004
(4)
Figure 112015099065649-pct00005
(5, 3과 동일)
Figure 112015099065649-pct00006
(6)
일부 실시예들에서, 조합 프로세서(428)는 조합된 오프셋 교정 값(428b)을 도출하도록 아래의 수식에 따라 보간된 오프셋 교정 값(426b)을 사용자 오프셋 교정 값(446a)과 조합한다.
Figure 112015099065649-pct00007
(7)
여기서, QVO는 사용자 오프셋 교정 값(446a)이다.
예상되는 바와 같이, 상술한 게인 및 오프셋 수식들로부터 사용자 게인 교정 값(444a)이 곱셈으로 적용되고, 사용자 오프셋 교정 값(446a)이 덧셈으로 적용되는 것이 명확하게 될 것이다.
이제 도 5를 참조하면, 그래프(500)는 퍼센트의 감도 변화의 단위를 가지는 수직축(508)을 가진다. 첫 번째 수평축(510)은 자기장 센서(즉, 도 4의 온도 센서(420))가 겪는 섭씨(Celsius) 온도 단위를 가지고, 두 번째 수평축(512)은 온도를 나타내는 7 비트 디지털 코드에 상응하는 단위이나, 십진법의 단위로 0에서 127의 단위를 가진다. 축(512)은 도 4의 디지털 온도 신호(422a)에 상응한다.
특징 커브(502)는 게인 교정 값들이 적용되지 않은 자기장 센서의 (실온(506)에서의 감도에 대한) 상대적 감도를 나타낸다. 특징 커브(502)가 나타내는 상기 상대적 감도가 낮은 온도에서 보다 낮고, 높은 온도에서 보다 높은 경향이 있는 것을 알 수 있다.
제1 온도, 즉 섭씨 -40도에서, 게인 교정 계수(504a)(도 4의 TDSense0)는 특징 커브(502)의 상대적 감도 강하(drop)에 반대 방향을 갖는다. 자기장 센서가 -40도의 온도를 가질 때, 게인 교정 계수(504a)가 상기 자기장 센서에 적용됨으로써, 실온(506)에서의 감도로부터 실질적인 감도 변화가 없음을 이해할 수 있을 것이다. 이와 유사하게, 다른 게인 교정 계수들(504b, 504c, 504d, 504e)(각각 도 4의 TDSense1, TDSense2, TDSense3, TDSense4)이 이들에 연관된 특정한 온도들(각각 섭씨 11.25도, 62.5도, 113.75도, 165.00도)에서 실온(506)에서의 감도로부터 감도 변화가 없도록 적용될 수 있다.
다섯 개의 온도 세그먼트들, 즉 섭씨 -40.00도 내지 11.25도, 섭씨 11.25도 내지 62.5도, 섭씨 62,5도 내지 113.75도, 섭씨 113.75도 내지 165.00도가 도시되어 있다.
도 4의 디지털 온도 신호(422a)가 나타내는 바와 같은 자기장 센서가 가지는 실제 측정된 온도에 따라 식별된 임의의 온도 세그먼트, 예를 들어, 11.25도 내지 62.5도내에서, (도 4의) 보간 프로세서(426)는 상기 특정한 측정된 온도에서 이용되기 위한 보간된 게인 교정 값(예를 들어, 도 4의 426a)을 형성하도록 상기 식별된 온도 세그먼트의 경계들과 연관된 게인 교정 계수들(예를 들어, 504b, 504c) 사이를 보간할 수 있다. 상기 보간된 게인 교정 값은 자기장 센서(400)에 적용되어 상기 자기장 센서의 감도가 실온(506)에서의 감도로부터 실질적으로 변경되지 않도록 할 수 있다.
도시 및 상술한 바와 같이, 상기 감도 보간은 선형 보간일 수 있다. 다만, 다른 실시예들에서, 상기 게인 보간은 다른 형태, 예를 들어, 이차 보간(quadratic interpolation)이거나, 비선형 보간의 임의의 다른 형태일 수 있다.
다섯 개의 게인 교정 계수들(504a-504e) 및 네 개의 연관된 온도 세그먼트들이 도시되어 있으나, 다른 실시예들에서, 다섯 개 이상 또는 이하의 게인 교정 계수들 및 네 개 이상 또는 이하의 연관된 온도 세그먼트들이 이용될 수 있다. 게인 교정 계수들 및 연관된 온도 세그먼트들의 개수는 원하는 정밀도 및 상기 게인 교정 계수들을 저장하는 (도 4의) EEPROM(442)의 원하는 최대 물리적 사이즈에 따라 선택될 수 있다. 일반적으로, EEPROM(442)에 저장된 게인 교정 계수들의 개수가 클수록, 보간된 게인 교정 계수들이 보다 정확하고, 자기장 센서의 상대적 감도가 보다 정확하게 교정될 수 있다.
상기 온도 세그먼트들이 동일한 온도의 범위를 가지는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예들에서, 상기 온도 세그먼트들은 불균일한 온도 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 실온(506)에 근접한 온도 세그먼트들은 실온(506)으로부터 떨어진 온도 세그먼트들보다 큰(또는 작은) 온도 간격을 가질 수 있다.
특정한 종류의 각 개별적인 자기장 센서에 대하여 도 7을 참조하여 보다 상세히 후술될 과정에 의해 생성되는 게인 교정 계수들(504a-504e)이 서로 다를 수 있다. 다만, 일부 실시예들에서, 특정한 종류의 자기장 센서 각각이 동일한 게인 교정 계수들(504a-504e)을 가질 수 있다.
도 7을 참조하여 후술될 바와 같이, 게인 교정 계수들(504a-504e)의 일부(또는 전부)가, 자기장 센서의 제조 시(또는 이후에) 자기장 센서들 중 특정한 하나에 대하여 특정한 게인 교정 계수들(504a-504e)이 저장되는 복수의 온도들에서의 상대적 감도의 직접 측정들에 의해 선택(즉, 측정)될 수 있다. 다만, 일부 실시예들에서, 모든 게인 교정 계수들(504a-504e) 중 일부가 상기 직접 측정들로부터 도출되고, 게인 교정 계수들(504a-504e) 중 나머지는 감도 특징 커브(502)의 형상으로부터 도출될 수 있다. 다시 말해서, 예를 들어, 게인 교정 계수(504a)는 -40.00도 및 실온(506)에서의 상대적 감도 측정에 의해 생성될 수 있고, 나머지 게인 교정 계수들(504b-504e)은 감도 특징 커브(502)의 이미 알고 있는 형상에 의해 도출될 수 있다.
도시된 특징 커브(502)는 복수의 동일한 종류의 자기장 센서들로부터의 평균 감도 특징을 나타낼 수 있다. 다른 종류의 자기장 센서들은 다른 형상을 가지는 특징 커브들을 가질 수 있다.
특정한 자기장 센서에 대한 게인 교정 계수들(504a-504e) 중 일부(또는 전부)를 도출하도록 특징 커브(502)를 이용함에 있어서, 특징 커브(502)가 동일한 종류의 자기장 센서들 모두에 대하여 공통된 동일한 형상을 유지할 수 있고, 다만 동일한 종류의 자기장 센서들 각각에 대하여 크기가 확대(scaled up) 또는 축소(scaled down)될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 하나의 자기장 센서의 상대적 감도가 실온 및 -40도에서 측정되고, 상기 -40도에서의 상대적 감도가 특징 커브(502)가 나타내는 상대적 감도에 비하여 낮은 경우, 상기 자기장 센서의 특징 커브는 -40도에서 보다 아래로 이동하고 165도에서 보다 위로 이동되어 측정되는 것으로 추정할 수 있고, 그밖에는 동일한 형상을 유지할 수 있다. 따라서, 실온 감도 측정 및 (실온에서의 감도에 대한) 임의의 다른 온도에서의 상대적 감도 측정만을 수행함으로써, 특징 커브(502)와 유사한(동일한) 특징 커브(다만 서로 다른 크기 조정(scaling)을 가질 수 있음)가 도출될 수 있고, 다른 게인 교정 계수들이 추정될 수 있다.
감도 특징 커브(502)의 특정한 형상이 특정 종류 자기장 센서에 의해 결정되는 것을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 특징 커브(502)가 상기 특정 종류 자기장 센서의 서로 다른 개별적인 각각에 대하여 조금씩 다를(크기 조정(scaling)) 수 있다. 그러므로, 상기 특정 종류 자기장 센서의 복수의 개별적인 각각에 대하여 측정하고, 이들의 평균을 취하여 특징 커브(502)의 형상을 확인하는 것이 바람직할 수 있고, 이는 이후에 상기 동일한 종류의 자기장 센서의 개별적인 각각에 적합하도록 크기가 확대(scaled up) 또는 축소(scaled down)될 수 있다.
이제 도 6을 참조하면, 그래프(600)는 9-비트 디지털 값으로 표현되는 선형 단위인 DC 오프셋 전압 차이의 단위를 가지는 수직축(608)을 가진다. 첫 번째 수평축(610)은 자기장 센서(즉, 도 4의 온도 센서(420))가 겪는 섭씨온도 단위를 가지고, 두 번째 수평축(612)은 온도를 나타내는 7-비트 디지털 코드에 상응하는 단위로서, 십진법 단위로 0에서 127의 범위를 가진다. 축(612)은 도 4의 디지털 온도 신호(422a)에 상응한다.
특징 커브(602)는 오프셋 교정 값들이 적용되지 않은 자기장 센서의 (실온(606)에서의 오프셋에 대한) 상대적 오프셋을 나타낸다. 특징 커브(602)가 나타내는 상기 상대적 오프셋이 실온에서의 오프셋(일반적으로, 0.0V)과 비교하여 낮은 온도에서 일 방향에 있고, 실온에서의 오프셋과 비교하여 높은 온도에서 반대 방향에 있는 것을 알 수 있다.
제1 온도, 즉 섭씨 -40도에서, 오프셋 교정 계수(604a)(도 4의 DQVO_0)는 특징 커브(602)의 상대적 오프셋 강하(drop)에 반대 방향을 갖는다. 자기장 센서가 -40도의 온도를 가질 때, 오프셋 교정 계수(604a)가 상기 자기장 센서에 적용됨으로써, 실온(606)에서의 오프셋으로부터 실질적인 오프셋 변화가 없음을 이해할 수 있을 것이다. 이와 유사하게, 다른 오프셋 교정 계수들(604b, 604c, 604d, 604e)(각각 도 4의 DQVO_1, DQVO_2, DQVO_3, DQVO_4)이 이들에 연관된 특정한 온도들(각각 섭씨 11.25도, 62.5도, 113.75도, 165.00도)에서 실온(606)에서의 오프셋으로부터 오프셋 변화가 없도록 적용될 수 있다.
도 5에서와 같이, 도 6에는 다섯 개의 온도 세그먼트들, 즉 섭씨 -40.00도 내지 11.25도, 섭씨 11.25도 내지 62.5도, 섭씨 62,5도 내지 113.75도, 섭씨 113.75도 내지 165.00도가 도시되어 있다.
도 4의 디지털 온도 신호(422a)가 나타내는 바와 같은 자기장 센서가 가지는 실제 측정된 온도에 따라 식별된 임의의 온도 세그먼트, 예를 들어, 11.25도 내지 62.5도내에서, (도 4의) 보간 프로세서(426)는 상기 특정한 측정된 온도에서 이용되기 위한 보간된 오프셋 교정 값(예를 들어, 도 4의 426b)을 형성하도록 상기 식별된 온도 세그먼트의 경계들과 연관된 오프셋 교정 계수들(예를 들어, 604b, 604c) 사이를 보간할 수 있다. 상기 보간된 오프셋 교정 값은 자기장 센서(400)에 적용되어 상기 자기장 센서의 오프셋이 실온(606)에서의 오프셋으로부터 실질적으로 변경되지 않도록 할 수 있다.
도시 및 상술한 바와 같이, 상기 오프셋 보간은 선형 보간일 수 있다. 다만, 다른 실시예들에서, 상기 오프셋 보간은 다른 형태, 예를 들어, 이차 보간(quadratic interpolation)이거나, 비선형 보간의 임의의 다른 형태일 수 있다.
다섯 개의 오프셋 교정 계수들(604a-604e) 및 네 개의 연관된 온도 세그먼트들이 도시되어 있으나, 다른 실시예들에서, 다섯 개 이상 또는 이하의 오프셋 교정 계수들 및 네 개 이상 또는 이하의 연관된 온도 세그먼트들이 이용될 수 있다. 오프셋 교정 계수들 및 연관된 온도 세그먼트들의 개수는 원하는 정밀도 및 상기 오프셋 교정 계수들을 저장하는 (도 4의) EEPROM(442)의 원하는 최대 물리적 사이즈에 따라 선택될 수 있다. 일반적으로, EEPROM(442)에 저장된 오프셋 교정 계수들의 개수가 클수록, 보간된 오프셋 교정 계수들이 보다 정확하고, 자기장 센서의 상대적 오프셋이 보다 정확하게 교정될 수 있다.
상기 온도 세그먼트들이 동일한 온도의 범위를 가지는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예들에서, 상기 온도 세그먼트들은 불균일한 온도 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 실온(606)에 근접한 온도 세그먼트들은 실온(606)으로부터 떨어진 온도 세그먼트들보다 큰(또는 작은) 온도 간격을 가질 수 있다.
특정한 종류의 각 개별적인 자기장 센서에 대하여 도 7을 참조하여 보다 상세히 후술될 과정에 의해 생성되는 오프셋 교정 계수들(604a-604e)이 서로 다를 수 있다. 다만, 일부 실시예들에서, 특정한 종류의 자기장 센서 각각이 동일한 오프셋 교정 계수들(604a-604e)을 가질 수 있다.
도 7을 참조하여 후술될 바와 같이, 오프셋 교정 계수들(604a-604e)의 일부(또는 전부)가, 자기장 센서의 제조 시(또는 이후에) 자기장 센서들 중 특정한 하나에 대하여 특정한 오프셋 교정 계수들(604a-604e)이 저장되는 복수의 온도들에서의 상대적 오프셋의 직접 측정들에 의해 선택(즉, 측정)될 수 있다. 다만, 일부 실시예들에서, 모든 오프셋 교정 계수들(604a-604e) 중 일부가 상기 직접 측정들로부터 도출되고, 오프셋 교정 계수들(604a-604e) 중 나머지는 오프셋 특징 커브(602)의 형상으로부터 도출될 수 있다. 다시 말해서, 예를 들어, 오프셋 교정 계수(604a)는 -40.00도 및 실온(606)에서의 상대적 오프셋 측정에 의해 생성될 수 있고, 나머지 오프셋 교정 계수들(604b-604e)은 오프셋 특징 커브(602)의 이미 알고 있는 형상에 의해 도출될 수 있다.
도시된 특징 커브(602)는 복수의 동일한 종류의 자기장 센서들로부터의 평균 오프셋 특징을 나타낼 수 있다. 다른 종류의 자기장 센서들은 다른 형상을 가지는 오프셋 특징 커브들을 가질 수 있다.
특정한 자기장 센서에 대한 오프셋 교정 계수들(604a-604e) 중 일부(또는 전부)를 도출하도록 오프셋 특징 커브(602)를 이용함에 있어서, 오프셋 특징 커브(602)가 동일한 종류의 자기장 센서들 모두에 대하여 공통된 동일한 형상을 유지할 수 있고, 다만 동일한 종류의 자기장 센서들 각각에 대하여 크기가 확대(scaled up) 또는 축소(scaled down)될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 하나의 자기장 센서의 상대적 오프셋이 실온 및 -40도에서 측정되고, 상기 -40도에서의 상대적 오프셋이 특징 커브(602)가 나타내는 상대적 오프셋에 비하여 낮은 경우, 상기 자기장 센서의 특징 커브는 -40도에서 보다 아래로 이동하고 165도에서 보다 위로 이동되어 측정되는 것으로 추정할 수 있고, 그밖에는 동일한 형상을 유지할 수 있다. 따라서, 실온 오프셋 측정 및 (실온에서의 오프셋에 대한) 임의의 다른 온도에서의 상대적 오프셋 측정만을 수행함으로써, 특징 커브(602)와 유사한(동일한) 특징 커브(다만 서로 다른 크기 조정(scaling)을 가질 수 있음)가 도출될 수 있고, 다른 오프셋 교정 계수들이 추정될 수 있다.
오프셋 특징 커브(602)의 특정한 형상이 특정 종류 자기장 센서에 의해 결정되는 것을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 특징 커브(602)가 상기 특정 종류 자기장 센서의 서로 다른 개별적인 각각에 대하여 조금씩 다를(크기 조정(scaling)) 수 있다. 그러므로, 상기 특정 종류 자기장 센서의 복수의 개별적인 각각에 대하여 측정하고, 이들의 평균을 취하여 오프셋 특징 커브(602)의 형상을 확인하는 것이 바람직할 수 있고, 이는 이후에 상기 동일한 종류의 자기장 센서의 개별적인 각각에 적합하도록 크기가 확대(scaled up) 또는 축소(scaled down)될 수 있다.
도 5 및 도 6의 예시들로부터, 일 실시예에서 다섯 개의 온도들과 연관된 다섯 개의 게인 교정 계수들, 및 동일한 다섯 개의 온도들과 연관된 다섯 개의 오프셋 교정 계수들이 존재함을 알 수 있다. 다만, 상기 게인 교정 계수들 및 상기 오프셋 교정 계수들이 동일한 온도들에 연관되는 것이 필요한 것은 아니다. 도 4의 EEPROM(442)은 상기 다섯 개의 예시적인 게인 교정 계수들(TDSense0 내지 TDSense4) 및 상기 다섯 개의 예시적인 오프셋 교정 계수들(DQVO_0 내지 DQVO_4)을 저장하는 것으로 도시되어 있다.
아래의 도 7 및 도 10이 (도 4의) 자기장 센서(400)에서 구현될 수 있는 아래에서 고려되는 기술들에 상응하는 순서도들을 나타내는 것을 이해할 수 있을 것이다. 여기에 "처리 블록들"로 표시되는, 사각형의 구성요소들(대표적으로 도 7의 구성요소(704))은 컴퓨터 소프트웨어 명령들 또는 명령들의 그룹들을 나타낸다. 여기에 "결정 블록들"로 표시되는, 마름모 형상의 구성요소들(대표적으로 도 10의 구성요소(1004))은 컴퓨터 소프트웨어 명령들 또는 명령들의 그룹들로서 상기 처리 블록들이 나타내는 상기 컴퓨터 소프트웨어 명령들의 실행에 영향을 미칠 수 있다.
이와 달리, 상기 처리 및 결정 블록들은, 디지털 신호 처리기 회로 또는 주문형 반도체 집적 회로(ASCI)와 같은 기능적으로 등가적인 회로들에 의해 수행되는 단계들을 나타낼 수 있다. 순서도들이 어떠한 특정한 프로그래밍 언어의 구문(syntax)을 묘사한 것은 아니다. 오히려, 순서도들은 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 회로들을 제작하거나 특정한 장치가 상기 처리를 수행하게 하는 컴퓨터 소프트웨어를 생성하는 데에 요구되는 기능적 정보를 나타낸다. 다수의 통상적인 프로그램 구성요소들, 예를 들어 루프 및 변수들의 초기화, 일시적인 변수들의 사용 등이 도시되지 않은 것을 알 수 있을 것이다. 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 여기에 특별히 표시되지 않는 한 서술된 특정한 순서의 블록들이 예시적인 것일 뿐이고, 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범우에서 변경될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 특별히 언급되지 않는 한 후술되는 블록들은 순서를 가지지 않고, 단계들은 가능한 범위에서 임의의 편리한 또는 원하는 순서로 수행될 수 있다.
이제 도 7을 참조하면, 예시적인 방법(700)은 도 1의 자기장 센서(10)의 제조 시에 공장에서 수행될 수 있는 블록들의 세트(702)에서 시작된다. 블록(704)에서, 한 세트의 조정(calibration) 온도들 및 연관된 온도 세그먼트들이 선택된다. 도 4-6을 참조하여 상술한 예시들에서, 다섯 개의 온도들, 예를 들어 섭씨 -40.00도, 11.25도, 62.5도, 113.75도, 및 165.00도, 및 상기 선택된 온도들의 인접한 쌍들에 의해 경계 지어지는 네 개의 연관된 온도 세그먼트들이 있다. 다만, 상술한 바와 같이, 다섯 개 이상 또는 이하의 온도들 및 네 개 이상 또는 이하의 연관된 온도 세그먼트들이 이용될 수 있고, 상기 선택된 온도들이 일정한 간격을 가질 필요 없다.
블록(706)에서, (실온에서의 게인 및 오프셋에 대한) 상대적 게인들 및 상대적 오프셋들은 상기 선택된 온도들 모두에서 측정되거나, 상기 선택된 온도들의 서브세트, 예를 들어 섭씨 -40.00도에서만 측정될 수 있다.
블록(708)에서, 상기 상대적 감도 측정(들)에 기초하여, 게인 및 오프셋 교정 계수들이 상기 측정들이 수행된 온도(들)에 대하여 형성된다. 상기 게인 및 오프셋 교정 계수들은 상기 측정된 상대적 감도 및 상대적 오프셋 편차들에 대하여 반대 방향일 수 있다.
블록(710)에서, 다른 게인 및 오프셋 교정 계수들이 검토 중인 특정한 자기장 센서에 대하여 상대적 감도 및 오프셋이 직접 측정되지 않은 선택된 온도들에 대하여 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 다른 게인 및 오프셋 교정 계수들의 형성은, 동일한 종류의 복수의 자기장 센서들의 측정들의 평균으로부터 도출된 감도 특징 커브 및/또는 오프셋 특징 커브의 알고 있는 형상을 이용하여 상기 감도 특징 커브 및/또는 상기 오프셋 특징 커브에 따라 수행될 수 있다. 동일한 형상을 이용하여, 상기 감도 (게인) 특징 커브 및 상기 오프셋 특징 커브가 상기 측정들의 평균과 동일한 형상을 가질 수 있으나, 블록(706)에서 수행된 상기 감도 및 오프셋 측정(들)에 따라 크기가 확대(scaled up) 또는 축소(scaled down)될 수 있다.
블록(712)에서, 상기 게인 및 오프셋 교정 계수들(예를 들어, 다섯 개의 게인 교정 계수들 및 다섯 개의 오프셋 교정 계수들)이 직렬 통신 링크, 예를 들어, 도 4의 통신 링크(438)를 통하여, 상기 자기장 센서 내에, 예를 들어 도 4의 EEPROM(442)내에 저장될 수 있다.
블록(714)에서, 일부 실시예들에서, 게인 보간 수식 및/또는 오프셋 보간 종류(수식)가 복수의 보간 종류들 중 선택될 수 있다. 상술한 수식들 (1), (3), (4), 및 (5)을 참조하라.
블록(716)에서, 보간 종류들의 선택이 하나의 값으로 직렬 통신 링크, 예를 들어, 도 4의 통신 링크(438)를 통하여 도 4의 EEPROM(442)내에 저장될 수 있다.
과정(700)의 나머지 블록들은 자기장 센서에 의해 현장에서 일반 동작 중 연속적으로 또는 때때로 수행될 수 있다.
블록(718)에서, 상기 자기장 센서는 이의 온도를, 예를 들어 도 4의 온도 센서(420)를 통하여, 측정한다.
블록(720)에서, 상기 자기장 센서는 블록(704)에서 선택된 온도 세그먼트들 중 어느 하나에 상기 측정된 온도가 존재하는지를 식별한다.
블록(722)에서, 상기 자기장 센서, 예를 들어, 도 4의 보간 프로세서(426)는 상기 측정된 온도에 따라 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 블록(712)에서 저장된 게인 교정 계수들 사이를 보간한다. 따라서, 보간된 게인 교정 값(예를 들어, 도 4의 426a)이 형성된다. 상기 보간은 상술한 수식 (1)에 따라 수행될 수 있다.
블록(724)에서 또는 이보다 이른 시점에서, 상기 자기장 센서는 사용자 게인 교정 값, 예를 들어 도 4의 통신 링크(438)를 통하여 도 4의 사용자 게인 교정 값 EEPROM(444)에 저장된 값(444a)을 수신할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 사용자 게인 교정 값은 단순히 자기장 센서의 감도를 사용자 선호에 따라 0.75 내지 1.25의 배수의 범위에서 조절하도록 이용될 수 있다.
블록(726)에서, 상기 보간된 게인 교정 값은 (예를 들어, 도 4의 조합 프로세서(428)에 의해) 상기 사용자 게인 교정 값과 조합되어 조합된 게인 교정 값(예를 들어, 도 4의 428a)을 형성할 수 있다.
블록(728)에서, 상기 조합된 게인 교정 값은, 예를 들어 도 4의 게인 조절 레지스터(430)에 저장될 수 있다.
블록(730)에서, 상기 저장된 게인 교정 값이 상기 자기장 센서에 도 4의 DAC(434) 및 게인 조절 회로(416)를 통하여 적용되어 이의 감도(즉, 게인)를 조절할 수 있다.
블록(732)에서, 상기 자기장 센서, 예를 들어, 도 4의 보간 프로세서(426)는, 측정된 온도에 따라, 상기 식별된 온도 세그먼트를 경계 짓는 블록(712)에서 저장된 오프셋 교정 계수들 사이를 보간한다. 이에 따라, 보간된 오프셋 교정 값(예를 들어, 도 4의 426b)이 형성된다. 상기 보간은 수식 (3)에 따라 수행될 수 있다.
블록(734)에서 또는 이보다 이른 시점에서, 상기 자기장 센서는 사용자 오프셋 교정 값, 예를 들어 도 4의 통신 링크(438)를 통하여 도 4의 사용자 오프셋 교정 값 EEPROM(446)에 저장된 값(446a)을 수신할 수 있다.
블록(736)에서, 상기 보간된 오프셋 교정 값은 (예를 들어, 도 4의 조합 프로세서(426)에 의해) 상기 사용자 오프셋 교정 값과 조합되어 조합된 오프셋 교정 값(예를 들어, 도 4의 428b)을 형성할 수 있다.
블록(738)에서, 상기 조합된 오프셋 교정 값은, 예를 들어 도 4의 오프셋 조절 레지스터(432)에 저장될 수 있다.
블록(740)에서, 상기 저장된 오프셋 교정 값이 상기 자기장 센서에 도 4의 DAC(436) 및 오프셋 조절 회로(418)를 통하여 적용되어 이의 오프셋을 조절할 수 있다.
상술한 기술로, 상기 자기장 센서는 상기 자기장 센서의 온도에 대하여 실온에서의 상기 자기장 센서의 감도 및 오프셋과 비교하여 변경되지 않았거나 거의 변경되지 않은 감도 및 오프셋을 유지할 수 있다.
상기 감도 및 상기 오프셋이 상술한 회로들 및 기술들에 의해 온도에 대하여 안정화 되었으므로, 도 4의 회전 모듈(417)에 의해 도 4의 신호(414a)로부터 도출되는 후술되는 임계치들이 또한 온도에 대하여 안정화된 것을 이해할 수 있을 것이다. 다만, 도 4의 자기장 센서(402)와 기어(450) 사이의 공기 간극이 설치 때마다 서로 다르거나, 시간에 따라, 예를 들어 기계적 마모 또는 이와 유사한 것에 기인하여 변경될 수 있다. 그러므로, 신호(414a)의 크기는 공기 간극 치수들에 대하여 여전히 변경될 수 있고, 신호(414a)로부터 도출되는 후술되는 임계치들이 여전히 변경되거나, 또는 공기 간극 변경들 또는 차이들에 기인하여 서로 다를 수 있다.
이제 도 8을 참조하면, 회전 모듈(800)은 도 4의 회전 모듈(417)과 동일 또는 유사할 수 있다. 회전 모듈(800)은 도 4의 신호(414a)와 동일 또는 유사할 수 있는 신호(818)를 수신하도록 연결된다. 상술한 바와 같이, 신호(414), 및 신호(818)의 크기는 온도에 대하여 안정화될 수 있으나, 기계적인 사항들, 예를 들어 공기 간극에 대하여 변경될 수 있다.
회전 모듈(800)은 두 개의 서로 다른 종류의 회전 검출기들, 예를 들어, 비교기 검출기(802) 및 정밀 회전 검출기(810)를 포함할 수 있다.
비교기 검출기(802)가, 일부 실시예들에서, 실 파워-온 상태(TPOS) 검출기로 동작함을 이해할 수 있을 것이다. 특히, 도 4를 참조하여 상술한 바와 같이 일반적으로 하나의 자기장 센서가 이용될 때, 비교기 검출기(802)는 (에지 검출기와 대조적으로) 톱니 검출기로 동작할 수 있고, 이에 따라 기어(450)가 회전하지 않을 때에도 골(valley)로부터 (도 4의) 기어(450)에서의 톱니를 식별할 수 있는 TPOS 기능을 제공할 수 있다.
다만, 다른 실시예들에서, 도 4의 자기장 센서(400)와 유사한 자기장 센서는 차동 구성으로 연결된 2 이상의 자기장 감지 소자들을 이용할 수 있다. 이러한 실시예들은 (톱니 검출기와 대조적으로) 에지 검출기를 제공할 수 있고, 이는 기어(450)가 회전하지 않을 때 골로부터 톱니를 구분할 수 없고, 이에 따라 TPOS 기능을 제공하지 못한다. 이러한 실시예들에 대하여, 비교기 검출기(802)는 TPOS 검출기가 아니나, 여전히 여기에 도시 및 개시된 형태일 수 있다.
상술한 관점에서, 비교기 검출기(802)가, 자기장 감지 소자(들)(예를 들어, 도 4의 402)의 배열에 따라, 톱니 검출기(예를 들어, TPOS 검출기)로 동작하거나 에지 검출기로 동작할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 여기에 사용되는 바와 같이, "비교기 검출기(comparator detector)"는 비교기 임계치를 수신하고 신호를 상기 비교기 임계치와 비교하도록 동작하는 비교기를 포함하는 회로 검출기를 기술하도록 사용된다.
비교기 검출기(802)는 실질적으로 정확한 비교기 검출기 출력 신호(806a)를 제공하는 신속한 스타트업을 가지는 반면, 정밀 회전 검출기(810)는 스타트업 및 정확한 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a)를 제공하는 데에 보다 긴 시간이 걸린다.
다양한 종류의 정밀 회전 검출기들이 알려져 있다. 일부 정밀 회전 검출기들은 내부적으로 신호(818)의 양의 피크들의 진폭들을 나태는 양의 피크 신호(810b) 및 신호(818)의 음의 피크들을 나타내는 음의 피크 신호(810c)를 제공한다. 상기 피크들 사이에서, 양의 피크 신호(810b) 및 음의 피크 신호(810c)는 상기 피크들의 진폭들을 나타내는 값들을 가질 수 있다. 따라서, 다수의 종래의 구성들에서, 양의 피크 신호(810b) 및 음의 피크 신호(810c)는 입력 신호(818)의 각각의 피크들에 도달하고 유지하는 계단형 특징들을 가질 수 있다.
비교기 검출기(802)는 아날로그 비교기 또는 디지털 비교기일 수 있는 비교기(806)를 포함할 수 있다. 비교기(806)는, 도 9를 참조하여 보다 상세히 후술될, 임계 모듈(816)에 의해 생성되는 비교기 임계치(816a)(예를 들어, TPOS 임계치)를 수신하도록 연결된다.
출력 스위치(812)는 비교기 검출기 출력 신호(806a) 및 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a)를 수신하도록 연결된다. 스위치 변경 로직 모듈(808)에 의해 생성되는 제어 신호(808a)에 의해, 회전 모듈(800)은 비교기 검출기 출력 신호(806a) 또는 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a) 중 선택된 하나를 나타내는 회전 출력 신호(812a)를 생성한다. 회전 출력 신호(812a)는 하이 상태가 도 4의 기어(450)의 톱니들 중 하나가 자기장 감지 소자(402)에 근접한 것을 나타내고, 로우 상태가 기어(450)의 골들 중 하나가 자기장 감지 소자(402)에 근접한 것을 나타내는 2-상태 출력 신호 일 수 있다. 다만, 다른 실시예들에서, 회전 출력 신호(812a)의 상태들은 상술한 것과 반대일 수 있다.
회전 출력 신호(812a)가 기어(450)의 회전을 나타내고, 또한 기어(450)의 회전 속도를 나타낼 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 회전 출력 신호(812a)는 기어(450)의 회전의 방향을 더욱 나타낼 수 있다. 회전의 방향을 더욱 나타내는 회전 출력 신호(812a)를 제공하는 자기장 센서들, 즉 회전 검출기들의 알려진 예시적인 구성들이 2004년 11월 9일자로 등록된 미국특허등록번호 제6,815,944호, 2006년 4월 11일자로 등록된 미국특허등록번호 제7,026,808호, 2008년 4월 29일자로 등록된 미국특허등록번호 제7,772,838호, 2009년 9월 22일자로 등록된 미국특허등록번호 제7,592,801호, 2009년 11월 24일자로 등록된 미국특허등록번호 제7,622,914호, 미국특허등록번호 제7,772,838호, 및 2007년 8월 7일자로 등록된 미국특허등록번호 제7,253,614호 등에 개시되어 있고, 이들은 모두 본 발명의 출원인에게 양도되었고, 이들 모두가 여기에 그 전체로서 참조로 포함된다.
회전 출력 신호(812a)는 도 4의 출력 신호(417a)와 동일 또는 유사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 회전 출력 신호(812a)는 도 4의 자기장 센서(400)로부터의 유일한 출력 신호일 수 있다.
일부 실시예들에서, 회전 모듈(800)은 회전 신호(812a)를 수신하도록 연결되고 형식화된 회전 출력 신호(814a)를 제공하는 출력 포맷 모듈(814)을 포함할 수 있다. 회전 출력 신호(812a)와 유사하게, 형식화된 회전 출력 신호(814a) 또한 도 4의 기어(450)의 회전, 회전 속도, 또는 회전 방향 중 적어도 하나를 나타낼 수 있다. 형식화된 회전 출력 신호(814a)는 다양한 형식들, 예를 들어, SENT 형식, CAN 형식, 또는 I2C 형식과 같은 다양한 형식으로 제공될 수 있다. 다른 형식들 또한 가능할 수 있다.
일부 다른 실시예들에서, 회전 모듈(800)은 스위치 변경 로직(808) 또는 출력 스위치(812)를 포함하지 않을 수 있고, 비교기 검출기 출력 신호(806a)가 항상 회전 모듈(800)로부터의 상기 회전 출력 신호로 이용될 수 있다. 이러한 실시예들에 대하여, 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a)가 생성되지 않을 수 있다. 다시 말해서, 정밀 회전 검출기(810)는 양 및 음의 피크 신호들(810b, 810c)만을 생성하거나, 양 및 음의 피크 신호들(810b, 810c) 중 하나만을 생성하도록 이용될 수 있다.
이제 도 9를 참조하면, 임계 모듈(900)은 도 8의 임계 모듈(816)과 동일 또는 유사할 수 있다. 임계 모듈(900)은 각각의 양 및 음의 피크 신호들(904a, 904b)을 각각 수신하도록 연결된 측정 임계 모듈(906)을 포함할 수 있다. 양 및 음의 피크 신호들(904a, 904b)은 도 8의 양 및 음의 피크 신호들(810b, 810c)과 동일 또는 유사할 수 있고, 또한 유사하게 도 4의 온도 제어된 신호(414a)의 양의 피크들(P+) 및 음의 피크들(P-)의 크기들을 나타낼 수 있다.
측정 임계 모듈(906)은 측정 임계 값(906a)을 생성한다. 도 4를 참조하여 상술한 이유들로, 측정 임계 값(906a)은 온도에 대하여 안정화되나, 예를 들어 전기적 잠음에 따라 및/또는 도 4의 기어(450)와 자기장 감지 소자(402) 사이의 공기 간극의 변화에 따라 여전히 변경될 수 있다.
여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "신호(signal)"는 아날로그 또는 디지털 전압 또는 전류 시간 파형을 기술하도록 사용된다. 여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "값(value)"은 일정 시점에서의 아날로그 또는 디지털 신호의 진폭 및/또는 오프셋 특징을 기술하도록 사용된다. 여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "값(value)"은 또한 일정 시점에서의 상기 아날로그 또는 디지털 신호의 상기 진폭 및/또는 오프셋 특징을 수반하는 계산의 결과를 기술하도록 사용된다.
측정 임계 모듈(906)은 양 및 음의 피크 신호들(904a, 904b)의 조합으로서 측정 임계 값(906a)을 계산할 수 있다. 예를 들어, 측정 임계 값(906a)은 양 및 음의 피크 신호들(904a, 904b) 사이의 전압 차의 소정의 퍼센티지, 예를 들어 70%를 나타내는 값일 수 있다. 새로운 측정 임계 값(906a)이 때때로 계산되거나, 양의 피크 신호(904a) 또는 음의 피크 신호(904b) 중 하나 또는 모두가 값이 변경될 때 계산될 수 있다.
일부 다른 실시예들에서, 측정 임계 모듈(906)은 양의 피크 신호(904a) 또는 음의 피크 신호(904b) 중 하나만을 수신하도록 연결되고, 이 경우 측정 임계 값(906a)은 상기 신호들 중 수신된 하나 만에 기초하여 계산된다. 예를 들어, 측정 임계 값(906a)은 양의 피크 신호(904a)의 소정의 퍼센티지, 예를 들어 10%를 나타내는 값일 수 있다.
임계 모듈(900)은 또한 비휘발성 메모리 장치, 예를 들어 EEPROM일 수 있는 메모리 장치(908)를 포함할 수 있다.
메모리 장치(908)는 측정 임계 값(906a)을 수신하고 저장하도록 연결된 저장된 임계치 메모리 영역(910)을 포함할 수 있다. 측정 임계 값(906a)은 복수의 저장 시점들에서 메모리 장치(908)에 저장될 수 있으나, 특히 도 4의 자기장 센서(400)의 파워-다운(power down) 시 또는 직전의 저장 시점에서 저장될 수 있다. 저장 및 저장 시점들이 보다 상세히 후술된다.
저장된 측정 임계 값(910a)이 저장된 임계치 메모리 영역(910)에 의해 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 다시 파워-업 될 때, 자기장 센서(400)는 파워-업 즉시 도 8의 비교기 검출기(802)에서 저장된 측정 임계 값(910a)을 이용할 수 있다.
백업 메모리 영역(912)은 측정 임계 값(906a)의 하나 이상의 백업 값들을 저장할 수 있다. 백업 메모리 영역(912)은 저장된 임계치 메모리 영역(910)이 측정 임계 값(906a)을 저장하는 것과 다른 시점들에서 측정 임계 값(906a)을 저장할 수 있다. 백업 구성으로, 임계 모듈(900)은 백업 메모리 영역(912) 또는 측정된 임계치 메모리 영역(910)에 상기 측정 임계 값을 신뢰성 있게 저장할 수 있고, 도 4의 자기장 센서(400)가 파워-다운 되는 시점에서 상기 메모리 영역들 중 적어도 하나에서 저장이 신뢰성 없게 되는 것을 방지할 수 있다.
메모리 장치(908)는 또한 미리 결정된 초기 임계 값을 저장하고 저장된 미리 결정된 초기 임계 값(916a)을 제공하는 초기 임계치 메모리 영역(916)을 포함할 수 있다. 도 4의 자기장 센서(400)가 자기장 센서(400)의 처음 파워-업 시 도 8읠 비교기 임계치(816a)에 대한 시작점을 가져야만 하는 것을 이해할 수 있을 것이다. 저장된 미리 결정된 초기 임계 값(916a)은 이러한 용도로 이용된다.
메모리 장치(908)는 또한 저장된 임계치 메모리 영역(910)에서 저장이 진행되는 시간을 나타내는 디지털 비트 또는 디지털 워드를 저장하는 안전 워드 저장 영역(914)을 포함할 수 있다. 상기 저장된 비트 또는 워드는 저장된 임계치 메모리 영역(910) 및 백업 저장된 임계치 영역(912) 중 표시된 하나로 현재 진행 중인 저장을 나타낼 수 있다.
임계치 선택 모듈(918)은 초기 임계 값(916a), 및 측정 임계 값(906a), 저장된 측정 임계 값(910a), 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a) 중 적어도 하나를 수신하도록 연결된다. 임계치 선택 모듈(918)은 초기 임계 값(916a), 측정 임계 값(906a), 저장된 측정 임계 값(910a), 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a) 중 선택된 하나로 비교기 임계 신호(918a)를 생성한다.
메모리/임계치 컨트롤러(920)는 제어 라인(920a)으로 메모리 장치(908)를 제어하도록 연결되고, 측정 임계 값(906a)의 저장이 언제 발생할지를 제어할 수 있다. 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 제어 라인(920c)을 또한 제공할 수 있고, 이는 비교기 임계 값(918a)으로서 초기 임계 값(916a), 저장된 측정 임계 값(910a), 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a) 중 어느 것이 선택되어 제공되는지를 제어할 수 있다.
메모리/임계치 컨트롤러(920)는 하나 이상의 다양한 신호들, 예를 들어 저장된 측정 임계 값(910a), 측정 임계 값(906a), 도 4의 자기장 센서(400)의 파워-온 또는 파워-오프를 나타내는 파워 온-오프 신호(922), 도 8의 비교기 검출기 출력 신호(806a)와 동일 또는 유사할 수 있는 비교기 검출기 출력 신호(902), 또는 도 8의 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a)와 동일 또는 유사할 수 있는 정밀 회전 검출기 출력 신호(903) 등을 수신하도록 연결될 수 있다.
구동 중, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 측정 임계 값(906a)의 메모리 장치(908)로의 저장을 제어하고, 임계치 선택 모듈(918)을 제어하도록 다양한 방식으로 다양한 입력 신호들을 이용할 수 있다.
측정 임계 값(906a)의 메모리 장치(908)에의 저장과 관련하여, 일 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 측정 임계 값(906a)이 0 이상일 수 있는 소정의 크기만큼 변경될 때에만 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다.
다른 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 측정 임계 값(906a)이 저장된 측정 임계 값(910a)으로부터 0 이상일 수 있는 소정의 크기만큼 다를 때에만 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 파워 온-오프 신호(922)가 도 4의 자기장 센서(400)의 파워 오프 조건을 우선 나타낼 때마다 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다. 이러한 실시예들에 대하여, 도 4의 자기장 센서(400)가 일부 전하 저장 장치, 예를 들어 커패시터에 연결됨으로써, 자기장 센서(400)가 즉각적으로 파워-오프 되지 않는 것이 전제될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 비교기 검출기 출력 신호(902)가 도 4의 자기장 센서(400)가 파워-온 된 후 소정의 횟수만큼 상태를 변경했을 때에만 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다. 이러한 실시예들은 도 8의 정밀 회전 검출기(810)가 안정적인 양의 피크 신호(810b) 및 안정적인 음의 피크 신호(810c)를 달성하게 할 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다.
또 다른 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 (도 4의) 비교기 검출기(802)에 의해 현재 사용되는 (도 4의) 이전에 저장된 임계치(816a)가 (도 4의) 비교기 검출기 출력 신호(806a)와 (도 4의) 정밀 회전 검출기 출력 신호(810a)의 스위칭 속도들의 차이에 의해 확인되어 부정확한 것 같을 때 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 도 4의 자기장 센서(400)가 파워-온 된 후 정밀 회전 검출기 출력 신호(903)가 소정의 횟수만큼 상태를 변경했을 때에만 상기 저장이 수행되도록 할 수 있다. 이러한 실시예들은 도 8의 정밀 회전 검출기(810)가 안정적인 양의 피크 신호(810b) 및 안정적인 음의 피크 신호(810c)를 달성하게 할 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다.
일부 종류의 정밀 회전 검출기들은 자기장 신호, 즉 도 4의 자기장 신호(414a)의 피크들을 검출하고, 상기 자기장 신호의 양의 피크들 또는 음의 피크들의 발생시 또는 발생과 근접하여 상태 천이들을 가지는 정밀 회전 검출기 출력 신호를 제공하도록 동작할 수 있다(예를 들어, 상술한 2007년 4월 2일자로 등록된 미국등록특허번호 제7,199,579호를 참조). 그러므로, 정밀 회전 검출기 출력 신호(903)가 소정의 회수만큼 상태를 변경한 때에만 상기 저장을 수행하는 상술한 실시예는, 일부 실시예들에서, 상기 자기장 신호에서 소정의 개수의 피크들이 발생한 때에만 상기 저장이 수행되는 것과 동일할 수 있다.
예시적은 실시예들로 상술한 메모리/임계치 컨트롤러(920)의 저장 동작은 또한 상술한 저장 구성들의 임의의 조합을 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 메모리/임계치 컨트롤러(920)에 의해 저장이 진행 중일 때마다, 메모리/임계치 컨트롤러(920)는 안전 워드 저장 영역(914)에 안전 워드를 저장할 수 있다.
임계 모듈(900)은 또한, 저장된 측정 임계 값(910a) 또는 측정 임계 값(906a) 중 하나 이상을 수신하도록 연결될 수 있는 진단 모듈(924)을 선택적으로 포함할 수 있다. 진단 모듈(924)은 패스 페일 신호 또는 값(924a)을 생성할 수 있다. 패스 페일 값(924a)은 저장된 측정 임계 값(910a)과 측정 임계 값(906a)이 소정의 크기 이상으로 다른 것을 나타낼 수 있고, 예를 들어 이는 도 4의 자기장 센서(400)가 소정의 시간 동안 파워-다운 되고 다시 파워-업 될 때 발생할 수 있다.
상술한 바와 같이, 도 4의 자기장 센서(400)의 처음 파워-업 시, 제어 신호(920c)가 자기장 센서(400)가 처음으로 파워-업 된 후 약간의 짧은 시간 동안 초기 임계 값(916a)이 비교기 임계 값(918a)이 되게 하도록 이용될 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 자기장 센서(400)는, 메모리/임계치 컨트롤러(920)에 의해 검출되는 안전 메모리 영역(914)에 저장된 워드의 조건에 따라, 비교기 임계치(918a)로서 저장된 측정 임계치(910a), 측정 임계치(906a) 또는 백업 측정 임계치(912a)중 하나를 이용할 수 있다.
상술한 구성으로, 측정 임계 값(906a)이, 그러므로 저장된 측정 임계 값(910a), 저장된 백업 측정 임계 값(912a), 및 비교기 임계치(918a)가 도 4를 참조하여 상술한 회로들의 동작에 의해 이미 게인 및/또는 오프셋 온도 보상된 것을 이해할 수 있을 것이다. 다만, 상술한 바와 같이, 상기 값들은 도 4의 기어(450)와 자기장 센서(402)의 공기 간극이 변경됨에 따라 또는 각각의 설치 시 달라짐에 따라 여전히 변경될 수 있다.
일부 실시예들에서, 선택적으로, 임계 모듈(900)은 크기 조정(scaling) 모듈(926) 및/또는 오프셋 모듈(928)을 포함할 수 있다. 비교기 임계치(918a)에 크기 조정 모듈(926)은 소정의 크기 조정을 적용하고, 오프셋 모듈(928)은 소정의 오프셋을 적용함으로써, 도 8의 비교기 검출기(802)의 일부 실시예들에서 사용되는 데에 적합한 대안적인 비교기 임계치(928a)를 제공할 수 있다. 물론, 상기 적용되는 크기 조정이 1이고, 상기 적용되는 오프셋이 0일 수 있다.
또한, 온도 보상을 가지지 않는(게인 온도 보상이 없거나, 오프셋 온도 보상이 없거나, 또는 둘 다 없는), 도 4를 참조하여 상술한 실시예들에 대하여, 여전히 초기 임계 값(916a), 측정 임계 값(906a), 저장된 측정 임계 값(910a), 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a)이, 이들이 도 8의 비교기 검출기(802)에 의해 이용되기 전에 실질적인 상기 값들의 변경 없이, 또는 상기 값들의 최소한의 변경으로, 비교기 임계 값(918a)으로 이용되도록 선택될 수 있다. 상기 최소한의 변경은, 예를 들어, 도 8의 비교기 검출기(802)의 일부 실시예들에서 사용되는 데에 적합한 대안적인 비교기 임계치(928a)를 제공하기 위한 상술한 소정의 크기 조정 및/또는 소정의 오프셋 조정을 포함할 수 있다. 물론, 상기 적용되는 크기 조정이 1이고, 상기 적용되는 오프셋이 0일 수 있다.
이제 도 10을 참조하면, 과정(1000)이 도 9의 임계 모듈(900)과 함께 이용될 수 있다. 과정(1000)은 블록(1002)에서 시작되고, 여기서 도 4의 자기장 센서(400)가 파워-온 된다. 블록(1004)에서, 자기장 센서(400)의 상기 파워-온이 맨 처음 파워-온인지 여부가 결정된다.
상기 파워-온이 처음 파워-온이 아닌 경우, 블록(1005)에서, (도 9의 안전 메모리 영역(914)에 저장된) 안전 워드가 판독된다. 상술된 설명으로부터, 안전 메모리 영역(914)에 저장된 상기 안전 워드가 저장된 임계치 메모리 영역(910)에 저장된 측정 임계 값(906a)이 정확히 저장된 것인지 또는 부정확하게 저장된 것인지를 나타내거나, 백업 저장된 임계치 메모리 영역(912)에 저장된 측정 임계 값(906a)이 정확히 저장된 것인지 또는 부정확하게 저장된 것인지를 나타내거나, 또는 이들 모두를 나타내는 것을 이해할 수 있을 것이다.
블록(1006)에서, 블록(1005)에서 판독된 상기 안전 워드의 상태에 따라, (도 9의) 저장된 측정 임계 값(910a) 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a)이 도 9의 메모리 장치(908)로부터 판독된다.
블록(1008)에서, 저장된 측정 임계 값(910a), 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a)이 도 8의 비교기 검출기(802)에 의해 비교기 임계 값(918a)으로 이용될 수 있다.
블록(1010)에서, 필요한 경우, 도 8의 정밀 회전 검출기(810)가 안정화된 (도 8의) 양 및 음의 피크 값들(810b, 810c)을 제공하는 동안 대기 시간이 수행될 수 있다.
블록(1012)에서, 소정의 조건이 만족되는지 여부가 판단된다. 상기 소정의 조건들은 도 9를 참조하여 상술하였다. 예를 들어, 하나의 소정의 조건은 도 9의 비교기 검출기 출력 신호(902)의 천이들이 소정의 횟수만큼 발생한 것이다. 다른 소정의 조건들이 상술되었고, 또한 이들의 임의의 조합이 이용될 수 있다.
상기 조건 또는 조건들이 만족되면, 과정(1000)은 블록들의 세트(1014-1032)를 진행하고, 여기서 도 9의 측정 임계 값(906a)이 저장된 임계치 메모리 영역(910) 및 백업 저장된 임계치 영역(912) 모두에 기입된다.
블록(1014)에서, 저장된 임계치 메모리 영역(910)으로의 저장이 진행되는 것을 나타내는 값이 도 9의 안전 저장 영역(914)에 기입된다.
블록(1016)에서, 측정 임계 값(906a)이 저장된 임계치 메모리 영역(910)에 기입된다.
블록(1018)에서, 안전 워드 저장 영역(914)에 기입된 상기 워드가 정확한 저장이 저장된 임계치 메모리 영역(910)에서 수행되었고, 백업 저장된 임계치 영역(912)으로의 저장이 진행 중임을 나타내도록 변경된다.
블록(1020)에서, 측정 임계 값(906a)이 백업 저장된 임계치 영역(912)에 기입된다.
블록(1032)에서, 안전 워드 저장 영역(914)에 기입된 상기 워드가 정확한 저장이 저장된 임계치 메모리 영역(910) 및 백업 저장된 임계치 영역(912)에서 수행되었음을 나타내도록 다시 변경된다.
블록(1034)에서, 안전 메모리 영역(914)의 상기 저장된 안전 워드가, 예를 들어 메모리/임계치 컨트롤러(920)에 의해 판독된다.
블록(1036)에서, 블록(1034)에서 판독된 상기 안전 워드의 값에 따라, 메모리 장치(908)로부터 저장된 측정 임계 값(910a) 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a)이 판독된다.
블록(1038)에서, 블록(1036)에서 판독된 저장된 측정 임계 값(910a) 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a)이 도 8의 비교기 검출기(802)에 의해 도 9의 비교기 임계 값(918a)으로 이용된다. 다만, 이에 대신하여, 일부 다른 실시예들에서, (블록(1038)에서 이용되는) 도 9의 비교기 임계 값(918a)은, 도 4의 자기장 센서(400)의 파워-업(블록(1002))에 근접한 시점들과 다른 시점들에서, 즉 블록(1010)의 임계치 학습이 안정화된 후의 시점들에서, 도 9의 측정 임계 값(906a)에 상응할 수 있다. 이러한 실시예들에 대하여, 블록들(1034, 1036)의 판독은 생략될 수 있다.
블록(1012)에서, 상기 소정의 조건이 만족되지 않은 경우, 과정(1000)은 상기 소정의 조건이 만족될 때까지 블록(1012)에서 루프를 수행할 수 있다.
블록(1004)에서, 상기 파워-온이 바로 첫 번째 파워-온인 경우, 상기 과정은 블록(1018)에서 도 9의 비교기 임계치(918a)로서 도 9의 초기 임계치 영역(916)에 저장된 초기 임계 값을 이용한다. 이어서 상기 과정은 블록(1010)으로 건너뛴다.
과정(1000)을 이용하는 도 4의 자기장 센서(400)의 파워-다운이 과정(1000) 도중 임의의 시점에서 발생할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 이러한 파워-다운은 유해하지 않을 수 있다. 특히, 블록들(1014-1032) 내에서 상기 안전 워드를 이용하는 상술한 구성으로, 항상 저장된 측정 임계 값(910a) 또는 저장된 백업 측정 임계 값(912a) 중 적어도 하나가 정확하게 저장될 수 있고, 안전 메모리 영역(914)에 저장된 상기 안전 워드를 이용하여, 상기 저장된 값들 중 허용되는 하나가 이용될 수 있다.
이제 도 11을 참조하면, 그래프(1100)는 도 2의 그래프(50)와 동일 또는 유사할 수 있다. 다만, 여기서, 신호(1102)의 양의 피크 값들(1108a, 1108b, 1108c, 1108d), 및 신호(1102)의 음의 피크 값들(1110a, 1110b, 1110c, 1110d)이 도시되어 있다. 양의 피크 값들(1108a, 1108b, 1108c, 1108d)은 도 9의 양의 피크 신호(904a)의 값들을 나타내고, 음의 피크 값들(1110a, 1110b, 1110c, 1110d)은 도 9의 음의 피크 신호(904b)의 값들을 나타낸다.
신호(1102)는 도 4의 기어(450)의 한 번의 완전한 회전을 나태내고, 따라서 네 개의 피크들 및 네 개의 골들을 가지는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 9를 참조하여 상술한 바와 같이, 측정 임계 모듈(906)은 다양한 방식들로 양의 피크 신호(904a) 및 음의 피크 신호(904b)를 조합할 수 있다. 일 실시예에서, 측정 임계 모듈(906)은 기어(450)의 한 번의 완전한 회전과 연관된 상기 양의 피크 값들 중 가장 작은 것, 예를 들어 1108c, 및 기어(450)의 동일한 한 번의 완전한 회전과 연관된 상기 음의 피크 값들 중 가장 큰 것, 예를 들어 1110d를 식별할 수 있다. 측정 임계 모듈(906)은 상기 두 개의 식별된 값들을 이용할 수 있고, 상기 두 개의 값들 사이의 차이의 소정의 퍼센티지에 따라 측정 임계 값(906a)을 설정할 수 있다.
다른 실시예에서, 도 9의 측정 임계 모듈(906)은 네 개의 서로 다른 임계 값들, 즉 양의 피크 값(1108a)과 음의 피크 값(1110a) 사이의 차이의 소정의 퍼센티지에 따른 제1 임계 값, 양의 피크 값(1108b)과 음의 피크 값(1110b) 사이의 차이의 소정의 퍼센티지에 따른 제2 임계 값, 양의 피크 값(1108c)과 음의 피크 값(1110c) 사이의 차이의 소정의 퍼센티지에 따른 제3 임계 값, 및 양의 피크 값(1108d)과 음의 피크 값(1110d) 사이의 차이의 소정의 퍼센티지에 따른 제4 임계 값을 계산할 수 있다. 측정 임계 모듈(906)은 네 개의 임계 값들의 평균을 계산하여 측정 임계 값(906a)을 생성할 수 있다. 다른 실시예에서, 측정 임계 모듈(906)은 상기 네 개의 임계 값들 중 가장 큰 것을 선택 할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 측정 임계 모듈(906)은 상기 네 개의 임계 값들 중 가장 작은 것을 선택 할 수 있다.
다른 실시예에서, 도 9의 측정 임계 모듈(906)은 (도 9의) 측정 임계 값(906a)으로서 양의 피크 값들(1108a-1108d) 중 선택된 하나, 음의 피크 값들(1110a-1110d) 중 선택된 하나, 양의 피크 값들(1108a-1108d) 의 평균, 음의 피크 값들(1110a-1110d)의 평균, 양의 피크 값들(1108a-1108d) 중 최대 값, 양의 피크 값들(1108a-1108d) 중 최소 값, 음의 피크 값들(1110a-1110d) 중 최대 값, 또는 음의 피크 값들(1110a-1110d) 중 최소 값을 제공할 수 있다.
상기 양의 피크 신호의 값들(1108a-1108d) 및 상기 음의 피크 신호의 값들(1110a-1110d)의 다른 조합들이 또한 이용될 수 있다. 또 다른 구성들에서, 도 4의 기어(450)의 보다 많은 수의 톱니들 또는 보다 많은 회전수에 기인한 보다 많은 수의 양의 피크 값들 및/또는 보다 많은 수의 음의 피크 값들이 상술한 방식들과 유산한 방식들로 조합되어 이용될 수 있다.
또 다른 실시예들에서, 저장되는 상기 측정 임계 값을 획득하도록 오프셋 값이 상술한 값들 중 임의의 하나에 가산 또는 감산될 수 있다.
일반적으로, 도 9의 측정 임계 모듈(906)은 양의 피크 신호(도 9의 904a)의 복수의 값들 중 최대 양의 피크 값, 양의 피크 신호(904a)의 복수의 값들 중 최소 양의 피크 값, 음의 피크 신호(도 9의 904b)의 복수의 값들 중 최대 음의 피크 값, 또는 음의 피크 신호(904b)의 복수의 값들 중 최소 음의 피크 값 중 적어도 하나를 선택하고, 상기 적어도 하나의 선택된 값에 따라 측정 임계 값(906a)을 생성할 수 있다.
신호(1102)가 개략적으로 동일한 양의 피크들 및 개략적으로 동일한 음의 피크들을 가지는 것으로 도시되어 있으나, 도 4의 기어(450)와 다른 기어들에 대하여, 특히 매우 좁은 톱니들 또는 매우 좁은 골들을 가지는 기어들에 대하여, 상기 기어의 회전에 의해 생성되는 신호의 양의 피크들 및/또는 음의 피크들은 상기 양의 피크들 및/또는 음의 피크들 중 다른 것들과 다른 값들을 가질 수 있다. 상술한 구성들은 궁극적으로 신호(1102)의 양에서 음으로의 또한 음에서 양으로의 모든 천이들이 지나는 비교기 임계치(1106)를 제공할 수 있다.
여기에 인용된 모든 참조문헌들은 여기에 그들의 전체로서 참조로 포함된다. 본 발명의 주제인 다양한 개념들, 구조들 및 기술들을 설명하기 위하여 바람직한 실시예들에 대하여 개시하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들에게 이러한 개념들, 구조들 및 기술들을 포괄하는 다른 실시예들이 이용될 수 있음이 명확하게 되었을 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위가 개시된 실시예들로 한정되지 않고, 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범위에 의해서만 한정되어야 할 것이다.

Claims (102)

  1. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관련된 복수의 측정 임계 값들을 저장하는 비휘발성 메모리 장치; 및
    상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서 상기 비휘발성 메모리 장치로부터 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하여 비교기 검출기 출력 신호를 생성하는 비교기 검출기(comparator detector)를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 자기장 신호의 양의 피크들 및 음의 피크들을 각각 나타내는 양의 피크 신호 또는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 양의 피크 신호 또는 상기 음의 피크 신호 중 상기 적어도 하나에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 복수의 양의 피크 값들 및 상기 복수의 음의 피크 값들을 조합하여 상기 측정 임계 값을 생성하는 측정 임계 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 측정 임계 모듈은 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최대 양의 피크 값, 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최소 양의 피크 값, 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최대 음의 피크 값, 또는 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최소 음의 피크 값 중 적어도 하나를 선택하고, 상기 적어도 하나의 선택된 값에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 온도 보상 회로는,
    상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 복수의 게인 교정 계수들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 게인 교정 계수들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관한 백업 측정 임계 값을 더 저장하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교기 검출기 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하고, 상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 진단 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  15. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관련된 복수의 측정 임계 값들을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    비교기 검출기(comparator detector)가 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하는 단계; 및
    상기 비교기 검출기에서 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  16. 삭제
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 자기장 신호의 양의 피크들 및 음의 피크들을 각각 나타내는 양의 피크 신호 또는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하는 단계; 및
    상기 양의 피크 신호 또는 상기 음의 피크 신호 중 상기 적어도 하나에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하는 단계; 및
    상기 복수의 양의 피크 값들 또는 상기 복수의 음의 피크 값들 중 적어도 하나의 조합에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최대 양의 피크 값, 상기 양의 피크 신호의 상기 복수의 양의 피크 값들 중 최소 양의 피크 값, 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최대 음의 피크 값, 또는 상기 음의 피크 신호의 상기 복수의 음의 피크 값들 중 최소 음의 피크 값 중 적어도 하나를 선택하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 선택된 값에 따라 상기 측정 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계;
    상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계;
    상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 복수의 게인 교정 계수들을 수신하는 단계; 및
    상기 온도 신호에 따라 상기 게인 교정 계수들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  21. 제15 항에 있어서,
    상기 온도 보상된 신호의 상기 신호 특징에 관한 백업 측정 임계 값을 상기 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  22. 제15 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제15 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  26. 제15 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  27. 제15 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교기 검출기 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  28. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하는 단계; 및
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 제1 항에 있어서, 상기 비교기 검출기는 상기 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 아날로그 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  34. 제15 항에 있어서, 상기 비교기 검출기는 상기 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 아날로그 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  35. 제1 항에 있어서, 상기 비교기 검출기는 상기 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 디지털 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  36. 제15 항에 있어서, 상기 비교기 검출기는 상기 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 디지털 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  37. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 수신하도록 연결되고, 상기 복수의 양의 피크 값들 또는 상기 복수의 음의 피크 값들을 이용하여 복수의 측정 임계 값들을 생성하는 측정 임계 모듈;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 저장하는 비휘발성 메모리 장치; 및
    상기 비휘발성 메모리 장치로부터, 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하여 비교 회로 출력 신호를 생성하는 비교 회로를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  38. 제37 항에 있어서,
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  39. 제38 항에 있어서, 상기 온도 보상 회로는,
    상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 복수의 저장된 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  40. 제37 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 제37 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  44. 제37 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  45. 제37 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교 회로 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  46. 제37 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하고, 상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 진단 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  47. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호, 또는 상기 자기장 신호의 서로 다른 각각의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 적어도 하나를 생성하는 단계;
    복수의 측정 임계 값들을 생성하도록 상기 복수의 양의 피크 값들 또는 상기 복수의 음의 피크 값들을 이용하는 단계;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    비교 회로에서 상기 비휘발성 메모리 장치로부터, 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하는 단계; 및
    상기 비교 회로에서 비교 회로 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  48. 제47 항에 있어서,
    상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 신호 특징(signal characteristic)을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  49. 제48 항에 있어서, 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계는,
    게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계;
    상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계;
    상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하는 단계; 및
    상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  50. 제47 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 제47 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  54. 제47 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  55. 제47 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교 회로 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  56. 제47 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하는 단계; 및
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  57. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징을 식별하는 검출기 회로;
    상기 식별된 신호 특징을 수신하도록 상기 검출기 회로에 연결되고, 상기 식별된 신호 특징에 기초하여 복수의 측정 임계 값들을 생성하는 임계 모듈;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 저장하는 비휘발성 메모리 장치; 및
    상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하여 비교 회로 출력 신호를 생성하는 비교 회로를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  58. 제57 항에 있어서,
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징(signal characteristic)을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  59. 제58 항에 있어서, 상기 온도 보상 회로는,
    상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  60. 제57 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  61. 삭제
  62. 제57 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  63. 제57 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  64. 제57 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교 회로 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  65. 제57 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하고, 상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 진단 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  66. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징으로서, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 식별하는 단계;
    상기 식별된 신호 특징에 기초하여 복수의 측정 임계 값들을 생성하는 단계;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    비교 회로에서 상기 비휘발성 메모리 장치로부터, 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하는 단계; 및
    상기 비교 회로에서 비교 회로 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  67. 제66 항에 있어서,
    상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 상기 진폭 또는 상기 오프셋 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  68. 제67 항에 있어서, 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계는,
    게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계;
    상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계;
    상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하는 단계; 및
    상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  69. 제66 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 자기장 센서가 파워-온 된 후 소정의 시간에 상응하는 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  70. 삭제
  71. 제66 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 소정의 크기보다 큰 크기만큼 변경된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  72. 제66 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나가 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나로부터 소정의 크기만큼 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  73. 제66 항에 있어서, 상기 복수의 저장 시점들 중 다른 하나는 상기 비교 회로 출력 신호의 상태 변경의 속도(rate)가 상기 자기장 센서에서 생성되는 다른 신호의 상태 변경의 속도와 다르게 된 시점에 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  74. 제66 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 하나를 비교하는 단계; 및
    상기 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나와 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 중 상기 하나가 소정의 크기 이상 다른 경우 페일(fail) 값을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  75. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징으로서 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 식별하는 회로;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 신호 특징에 관련된 복수의 측정 임계 값들을 저장하는 비휘발성 메모리 장치;
    상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하여 비교 회로 출력 신호를 생성하는 비교 회로; 및
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 진폭 또는 상기 오프셋 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로를 포함하고,
    상기 온도 보상 회로는,
    상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  76. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징으로서 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 식별하는 단계;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 신호 특징에 관련된 복수의 측정 임계 값들을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    비교 회로에서, 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하는 단계;
    상기 비교 회로에서 비교 회로 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 단계; 및
    상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 상기 진폭 또는 상기 오프셋 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계는,
    게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계;
    상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계;
    상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하는 단계; 및
    상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  77. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징을 식별하는 검출기 회로;
    상기 식별된 신호 특징을 수신하도록 상기 검출기 회로에 연결되고, 상기 식별된 신호 특징에 기초하여 복수의 측정 임계 값들을 생성하는 임계 모듈;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 저장하는 비휘발성 메모리 장치;
    상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하여 비교 회로 출력 신호를 생성하는 비교 회로; 및
    상기 자기장 신호를 수신하도록 연결되고, 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 가지는 온도 보상된 신호를 생성하는 온도 보상 회로를 포함하고,
    상기 온도 보상 회로는,
    상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 게인 제어 신호를 수신하도록 연결되며, 상기 게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 게인 조절가능 회로;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하며, 상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하도록 연결되고, 상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 세그먼트 프로세서를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  78. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    상기 자기장 신호에 관련된 신호 특징으로서 진폭(amplitude) 또는 오프셋(offset) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 식별하는 단계;
    상기 식별된 신호 특징에 기초하여 복수의 측정 임계 값들을 생성하는 단계;
    복수의 저장 시점들에서, 상기 복수의 측정 임계 값들을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    비교 회로에서, 상기 복수의 저장 시점들 중 적어도 하나 후의 복수의 수신 시점들에서, 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들 및 상기 자기장 신호를 수신하는 단계;
    상기 비교 회로에서 비교 회로 출력 신호를 생성하도록 상기 저장된 복수의 측정 임계 값들과 상기 자기장 신호를 비교하는 단계; 및
    상기 자기장 신호에 관련된 온도 보상된 신호로서, 상기 진폭 또는 상기 오프셋 중 적어도 하나를 포함하는 상기 신호 특징을 포함하는 상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 온도 보상된 신호를 생성하는 단계는,
    게인 제어 신호에 대응하는 게인을 가지는 게인 조절된 신호를 생성하는 단계;
    각 온도 세그먼트가 한 쌍의 온도들에 의해 경계 지어지는 복수의 온도 세그먼트들의 각각의 경계들에 연관된 복수의 교정 계수들을 저장하는 계수 테이블 메모리를 제공하는 단계;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 온도를 나타내는 신호를 수신하는 단계;
    상기 온도가 놓인 온도 세그먼트를 식별하는 단계;
    상기 식별된 온도 세그먼트에 연관된 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 선택된 것들을 수신하는 단계; 및
    상기 온도 신호에 따라 상기 저장된 복수의 게인 교정 계수들 중 상기 선택된 것들을 이용하여 보간하여 보간된 게인 교정 값에 따른 상기 게인 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제1 저장 시점은 상기 자기장 센서를 파워-오프하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 수신 시점들 중 하나는 상기 자기장 센서를 파워-온하는 시점에 근접한 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 제2 저장 시점은 회전 검출기 신호의 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 시점에 발생하고,
    상기 복수의 저장 시점들 중 상기 제2 저장 시점에 저장된 상기 복수의 측정 임계 값들 중 적어도 하나는 상기 회전 검출기 신호의 상기 소정의 개수의 에지(edge)들에 상응하는 상기 시점에 생성되는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  79. 자기장 센서에 있어서,
    자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 하나 이상의 자기장 감지 소자들;
    상기 자기장 신호에 대한 보간된 임계 값, 및 상기 자기장 신호를 나타내는 신호를 수신하도록 연결되고, 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 검출기;
    제1 온도에서의 상기 자기장 신호에 대한 임계 값을 나타내는 제1 임계 값 및 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서의 상기 자기장 신호에 대한 임계 값을 나타내는 제2 임계 값을 저장하는 메모리;
    상기 자기장 센서의 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 온도 센서; 및
    상기 메모리 및 상기 온도 센서에 연결되고, 상기 제1 및 제2 임계 값들 및 상기 온도 신호에 기초하여 상기 보간된 임계 값을 생성하는 임계 모듈을 포함하는 자기장 센서.
  80. 삭제
  81. 삭제
  82. 제79 항에 있어서, 상기 검출기 출력 신호는 상기 자기장 센서의 파워-온 시 상기 자기장 센서의 출력 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  83. 제79 항에 있어서, 상기 검출기는 제1 비교기 검출기를 포함하고, 상기 검출기 출력 신호는 제1 비교기 검출기 출력 신호를 포함하며, 상기 자기장 센서는,
    상기 보간된 임계 값을 수신하도록 연결되고, 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호를 수신하도록 더욱 연결되며, 제2 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 제2 비교기 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  84. 제83 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 비교기 검출기 출력 신호들에 응답하여 상기 자기장에 영향을 미치도록 위치한 목표의 움직임의 방향을 나타내는 초기 방향 신호를 생성하는 방향 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  85. 제84 항에 있어서,
    상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호를 수신하도록 연결되고, 제1 정밀 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호를 동적 임계 값에 비교하는 제1 정밀 검출기; 및
    상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호를 수신하도록 연결되고, 제2 정밀 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호를 상기 동적 임계 값에 비교하는 제2 정밀 검출기를 더 포함하고,
    상기 동적 임계 값은 상기 자기장 신호의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호 또는 상기 자기장 신호의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 하나 또는 모두에 기초한 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  86. 제85 항에 있어서, 상기 방향 검출기는 상기 제1 및 제2 정밀 검출기 출력 신호들에 응답하여 상기 자기장에 영향을 미치도록 위치한 상기 목표의 움직임의 방향을 나타내는 정밀 방향 신호를 더욱 생성하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  87. 제86 항에 있어서, 상기 초기 방향 신호는 상기 자기장 센서의 파워-온 후 제1 시간 동안 상기 자기장 센서의 방향 출력 신호를 생성하는 데에 이용되고, 상기 정밀 방향 신호는 상기 제1 시간 후 제2 시간 동안 상기 자기장 센서의 상기 방향 출력 신호를 생성하는 데에 이용되는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  88. 제79 항에 있어서, 상기 하나 이상의 자기장 감지 소자들은 적어도 세 개의 자기장 감지 소자들을 포함하고,
    상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호는 상기 적어도 세 개의 자기장 감지 소자들 중 제1 소자의 출력과 상기 적어도 세 개의 자기장 감지 소자들 중 제2 소자의 출력 사이의 차이로 생성된 제1 차동 신호, 및 상기 적어도 세 개의 자기장 감지 소자들 중 상기 제2 소자의 출력과 상기 적어도 세 개의 자기장 감지 소자들 중 제3 소자의 출력 사이의 차이로 생성된 제2 차동 신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  89. 제79 항에 있어서, 상기 임계 모듈은, 업데이트 시점에, 상기 제1 온도에서의 임계 값을 나타내는 제1 업데이트된 임계 값 및 상기 제2 온도에서의 임계 값을 나타내는 제2 업데이트된 임계 값을 생성하고,
    상기 메모리는 상기 제1 업데이트된 임계 값 및 상기 제2 업데이트된 임계 값을 저장하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  90. 제89 항에 있어서, 상기 업데이트 시점은 동적 임계 값이 상기 보간된 임계 값으로부터 소정의 크기만큼 달라질 때 발생하고,
    상기 동적 임계 값은 상기 자기장 신호의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호 또는 상기 자기장 신호의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 하나 또는 모두에 기초한 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  91. 제90 항에 있어서, 상기 제1 업데이트된 임계 값은 상기 동적 임계 값과 상기 제1 임계 값 사이의 차이에 기초하고, 상기 제2 업데이트된 임계 값은 상기 동적 임계 값과 상기 제2 임계 값 사이의 차이에 기초한 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  92. 제91 항에 있어서, 상기 제1 업데이트된 임계 값은 가중치 요인(weighting factor)에 더욱 기초하고, 상기 제2 업데이트된 임계 값은 상기 가중치 요인에 더욱 기초한 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  93. 제79 항에 있어서, 상기 메모리는 상기 제1 및 제2 온도들 사이의 제3 온도에서의 임계 값을 나타내는 적어도 제3 임계 값을 더욱 저장하고,
    상기 임계 모듈은 상기 저장된 제1, 제2 및 제3 임계 값들에 기초하여 상기 보간된 임계 값을 생성하는 것을 특징으로 하는 자기장 센서.
  94. 자기장 센서로 자기장을 감지하는 방법에 있어서,
    상기 자기장에 응답하여 자기장 신호를 생성하는 단계;
    제1 온도에서의 상기 자기장 신호에 대한 임계 값을 나타내는 제1 임계 값 및 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서의 상기 자기장 신호에 대한 임계 값을 나타내는 제2 임계 값을 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계;
    상기 자기장 센서의 현재 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하는 단계;
    상기 제1 저장된 임계 값, 상기 제2 저장된 임계 값 및 상기 온도 신호에 기초하여 상기 자기장 신호에 대한 보간된 임계 값을 생성하는 단계; 및
    검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 신호에 비교하는 단계를 포함하는 자기장 감지 방법.
  95. 삭제
  96. 제94 항에 있어서,
    상기 자기장 센서의 파워-온 시 상기 자기장 센서의 출력 신호로서 상기 검출기 출력 신호를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  97. 제94 항에 있어서, 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 단계는,
    제1 비교기 검출기에서 제1 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 단계; 및
    제2 비교기 검출기에서 제2 비교기 검출기 출력 신호를 생성하도록 상기 보간된 임계 값을 상기 자기장 신호를 나타내는 상기 신호에 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  98. 제97 항에 있어서,
    상기 자기장에 영향을 미치도록 위치한 목표의 움직임의 방향을 나타내는 방향 신호를 생성하도록 상기 제1 비교기 검출기 출력 신호의 위상을 상기 제2 비교기 검출기 출력 신호의 위상에 비교하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  99. 제94 항에 있어서,
    업데이트 시점에, 상기 제1 임계 값 및 상기 제2 임계 값을 업데이트하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 업데이트된 임계 값들을 상기 비휘발성 메모리 장치에 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  100. 제99 항에 있어서,
    상기 자기장 신호의 양의 피크들을 나타내는 복수의 양의 피크 값들을 가진 양의 피크 신호 또는 상기 자기장 신호의 음의 피크들을 나타내는 복수의 음의 피크 값들을 가지는 음의 피크 신호 중 하나 또는 모두에 기초하여 동적 임계 값을 생성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 업데이트 시점은 동적 임계 값이 상기 보간된 임계 값으로부터 소정의 크기만큼 달라질 때 발생하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  101. 제100 항에 있어서, 상기 제1 임계 값을 업데이트하는 단계는 상기 동적 임계 값과 상기 제1 임계 값 사이의 차이에 기초하여 제1 업데이트된 임계 값을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 임계 값을 업데이트하는 단계는 상기 동적 임계 값과 상기 제2 임계 값 사이의 차이에 기초하여 제2 업데이트된 임계 값을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
  102. 제101 항에 있어서, 상기 제1 업데이트된 임계 값을 생성하는 단계는 가중치 요인(weighting factor)에 더욱 기초하고, 상기 제2 업데이트된 임계 값을 생성하는 단계는 상기 가중치 요인에 더욱 기초한 것을 특징으로 하는 자기장 감지 방법.
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