JP4539521B2 - 回転検出装置 - Google Patents
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Description
この図11に示されるように、磁気抵抗素子対1および2は、電気的にはそれぞれ2つの磁気抵抗素子MRE1およびMRE2、あるいは磁気抵抗素子MRE3およびMRE4が各々直列接続されたハーフブリッジとして構成されている。そして、磁気抵抗素子MRE1およびMRE2の中点電位Vaが磁気抵抗素子対1の出力とされ、磁気抵抗素子MRE3およびMRE4の中点電位Vbが磁気抵抗素子対2の出力とされる。これら2つの出力は、それぞれ差動増幅器12aに入力され、上記中点電位Vaと中点電位Vbとの差動出力がさらに比較器12bに入力される。この比較器12bは、所定の閾値電圧Vthに基づいて上記差動増幅出力の2値化処理を行う部分であり、この2値化された信号(パルス信号)が出力端子T2から出力される。このように、上記回転検出装置では磁気抵抗素子対1および2の差動出力と、所定の閾値電圧Vthとの交点でセンサ出力の論理レベルが切り替わることに基づいて、ロータRTの回転角度等の検出が行われている。
以下、この発明にかかる回転検出装置の実施の形態の説明に先立ち、第1の比較例について、図1〜図4を参照して説明する。なお、先の図9〜図11に示した従来の回転検出装置の各要素と機能的に同一の要素については、便宜上、それぞれ同一の符号を付して示すこととする。
b.処理回路チップ12中に組み込まれる比較器12bの閾値電圧Vthを調整するためのデータ。c.処理回路チップ12中に組み込まれる回路全体の温度補償を行うためのデータ。
等々があるが、図3では便宜上、上記b.や上記c.のデータに基づく調整に関してはそのための詳細な図示を割愛している。
(1)磁気抵抗素子対1および2が磁石30の先端面33から突き出す態様でセンサチップ11が上記ケース本体20の舌部21に搭載されるときに、調整部材50を上記ケース本体20の舌部導出面22と磁石30の基端面32との間に介装することとした。これにより、調整部材50とケース本体20との線膨張差により温度が上昇したときに上記調整部材50の方がより大きく寸法変化することで、上記M−M距離の短縮、すなわち磁気抵抗素子における抵抗変化率の拡大(補償)が図られるようになる。また、上記M−M距離の調整は、回転検出装置を構成するセンサチップ11、ケース本体20、磁石30およびキャップ部材40といった各部品が一体に組み付けられた状態でいわば自動的に行われるため、その実現も容易である。
置決めすることができる。また、従来の回転検出装置のように、このセンサチップ11を樹脂モールドした場合には、モールド時の内部応力による応力歪みも無視できない。この点、この比較例のように、同センサチップ11をベアチップとして舌部21上に実装するようにしたことで、このような応力歪みに起因するセンシング特性への影響も回避されるようになる。
次に、この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態について、図5を参照して説明する。この実施の形態にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の第1の比較例と同様であるが、この回転検出装置は、前記調整部材、並びにその配設態様が第1の比較例とは異なる装置として構成されている。
L2が「20.0mm」に、また上記接合面から磁石30の先端と接合するキャップ部材40aの内底面43までの長さL3が「19.5mm」にそれぞれ設定されている。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「150℃」まで上昇したとすると、上記キャップ部材40aと上記ケース本体20の舌部21との線膨張差により、キャップ部材40aは舌部21の寸法変化に対しより大きく変化する。具体的には、上記長さL3が「19.695mm」と変化するのに対して、上記長さL2は「20.05mm」と変化し、このキャップ部材40aに接合されている磁石30がキャップ部材40の内底面43側に移動し、上記M−M距離dは「+0.355mm」に変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記M−M距離dが短縮されるように、すなわち「0mm」に近づくように自動調整されることで、磁気抵抗素子としての抵抗変化率が補償されるようになり、ひいては回転検出装置としてのセンシング感度も高く維持されるようになる。
次に、こうした回転検出装置の第2の比較例について、図6を参照して説明する。この比較例にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の比較例、実施の形態と同様であるが、この回転検出装置も、前記調整部材の形状、並びに配設態様が上記比較例、実施の形態とは異なる装置として構成されている。
される。
次に、こうした回転検出装置の第3の比較例について、図7を参照して説明する。この比較例にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の各比較例、実施の形態と同様であるが、この回転検出装置は、2つの調整部材を用いて前記M−M距離を調整する装置として構成されている。
と同様、例えばPA66(ポリアミド66)樹脂からなるが、この比較例では、それぞれにガラス繊維が含まれており、その含有率および形状および大きさおよびガラス繊維の種類の少なくとも1つを通じてそれらの線膨張係数が調整されている。具体的には、調整部材51としてはその線膨張係数が例えば「110×10−6/℃」あるポリアミド樹脂(PA66)を用い、調整部材61としてはその線膨張係数が例えば「80×10−6/℃」であるポリアミド樹脂(PA66)を用いている。また、ケース本体20は、先の第1の比較例と同様、PPS(ポリフェニレンスルフィド)樹脂からなり、その線膨張係数は例えば「20×10−6/℃」であるが、キャップ部材40は、やはりポリアミド樹脂(PA66)からなって、上記調整部材51および61の線膨張係数を吸収し得る線膨張係数に設定されているとする。そして、これらケース本体20、調整部材51および61は磁石30およびキャップ部材40共々、室温(例えば25℃)付近で一体に組み付けられ、この組付け時に上記磁気抵抗素子対1および2と上記磁石30の先端との距離であるM−M距離dが設定されて、これら磁石30と磁気抵抗素子対1および2との相対位置が位置決めされる。
上記第3の比較例にかかる回転検出装置では、上記磁気抵抗素子対1および2が上記磁
石30の先端面33から突き出す態様でセンサチップ11が上記ケース本体20の舌部21に搭載されることとした。これに代えて図8に示すように、上記磁気抵抗素子対1および2が上記磁石30の先端面33の内側に収まる態様で上記センサチップ11が搭載される装置に適用してもよい。この場合、第1の調整部材52の線膨張係数は第2の調整部材62の線膨張係数よりも小さくなるように設定する必要がある。具体的には、調整部材52としてはその線膨張係数が例えば「80×10−6/℃」であるポリアミド樹脂(PA66)を用い、調整部材62としてはその線膨張係数が例えば「110×10−6/℃」であるポリアミド樹脂(PA66)を用いている。また、キャップ部材40もポリアミド樹脂(PA66)からなって、これら調整部材52および62の線膨張係数を吸収し得る線膨張係数に設定されることは上記第3の比較例と同様である。そして、上記M−M距離dが例えば「−0.5mm」に設定されている状態でその最適化が図られているとする。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「150℃」まで上昇したとすると、上記調整部材52と調整部材62との線膨張差により調整部材62の長さL6が調整部材52の長さL5の寸法変化に対しより大きく変化する。これにより、これら調整部材52および62に接合されている磁石30がケース本体20側に移動し、上記M−M距離dが短縮されるように、すなわち「0mm」に近づくように変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記M−M距離dが短縮されることで、上記と同様の効果が得られるようになる。
その他、上記各比較例、実施の形態、ならびに上記変形例に共通して変更可能な要素としては以下のようなものがある。
Claims (3)
- 磁気抵抗素子を有するセンサチップと、該センサチップの前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とを備え、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記磁石から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子を通じて感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記センサチップはその給電端子および出力端子がリードフレームに接続された状態で非磁性体材料からなるケース本体の舌部に一体に配設されるとともに、前記磁石は筒状に形成されて前記センサチップ共々前記ケース本体の舌部を覆う態様で挿入され、有底筒状の非磁性体材料からなるキャップ部材が前記ケース本体の舌部導出面を塞ぐ態様で同キャップ部材の開口端が前記ケース本体に接合されることによって前記センサチップ共々前記舌部および前記磁石が外部雰囲気から保護される構造を有し、前記磁気抵抗素子は、前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記磁石の先端面は、前記ケース本体よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料によって前記キャップ部材として形成されて温度の上昇に伴い前記磁気抵抗素子と磁石先端との相対距離が短縮される方向に同磁石の位置を調整する調整部材に接合されてなる
ことを特徴とする回転検出装置。 - 前記非磁性体材料はポリアミド樹脂からなり、ガラス繊維の含有率および形状および大きさおよびガラス繊維の種類の少なくとも1つを通じて前記線膨張係数が調整されてなる
請求項1に記載の回転検出装置。 - 前記ケース本体の舌部には前記センサチップによる検出信号を電気的に処理するとともに調整用のデータを記憶する不揮発性メモリを有する処理回路チップが配設されてなり、前記不揮発性メモリに記憶されている調整用のデータに基づいて前記センサチップによる検出信号の出力波形を調整する
請求項1または2に記載の回転検出装置。
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