KR102161328B1 - 기판 액 처리 장치 - Google Patents

기판 액 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102161328B1
KR102161328B1 KR1020140119027A KR20140119027A KR102161328B1 KR 102161328 B1 KR102161328 B1 KR 102161328B1 KR 1020140119027 A KR1020140119027 A KR 1020140119027A KR 20140119027 A KR20140119027 A KR 20140119027A KR 102161328 B1 KR102161328 B1 KR 102161328B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
annular wall
wafer
exhaust port
cup
Prior art date
Application number
KR1020140119027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150031184A (ko
Inventor
고키 요시무라
나오후미 기시타
야스시 다키구치
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150031184A publication Critical patent/KR20150031184A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102161328B1 publication Critical patent/KR102161328B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있는 기판 액 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판 액 처리 장치인 현상 처리 유닛(U1)은 웨이퍼(W)를 보유 지지함과 함께 회전시키기 위한 기판 회전 기구(20)와, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 현상액 공급 기구(23) 및 린스액 공급 기구(24)와, 기판 회전 기구(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 둘러싸는 컵(30)과, 컵(30) 내의 기체를 배출하는 배기 기구(42)와, 컵(30)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측에 형성된 배기구(31b)와, 컵(30) 내에 있어서 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 형성되어, 표면(Wa)측으로부터 이면(Wb)측으로 기체를 유도하는 유로 FP를 구비한다. 유로 FP는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있다.

Description

기판 액 처리 장치{SUBSTRATE FLUID PROCESSING DEVICE}
본 발명은 기판 액 처리 장치에 관한 것이다.
반도체의 제조 공정에서는 웨이퍼(기판)에 다양한 액 처리가 실시된다. 예를 들어, 레지스트막을 형성하는 공정에서는 웨이퍼의 표면에 레지스트제를 도포하는 액 처리가 행해진다. 레지스트막에 노광 처리를 실시한 후의 현상 공정에서는 웨이퍼의 표면에 현상액을 도포한 후에, 현상액 및 용해물을 린스액으로 씻어내는 액 처리가 행해진다. 이와 같은 액 처리에 사용되는 장치는, 예를 들어 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 보유지지함과 함께 당해 기판을 회전시키기 위한 기판 회전 기구와, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 회전 기구에 보유 지지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구를 구비한다. 컵의 저부에는 배기구가 형성된다. 이로 인해, 컵의 상부로부터 도입된 기체가 기판의 표면을 통과하여 기판의 이면측으로 돌아 들어가, 배기구로부터 배출된다. 이 기류에 의해, 기판의 표면 상에서 휘발한 처리액 등을 계속적으로 배출할 수 있다.
일본 특허 출원 공개 제2002-208560호 공보
휘발한 처리액 등을 확실히 배출하기 위해서는, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 필요가 있다. 또한, 통기 유량은 처리액의 막 두께 등에도 영향을 미치므로, 액 처리의 안정화의 관점에서도, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시키는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명은 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있는 기판 액 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 기판 액 처리 장치는 기판을 보유지지함과 함께 당해 기판을 회전시키기 위한 기판 회전 기구와, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 회전 기구에 보유 지지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구와, 컵에 있어서의 기판의 이면측에 형성된 배기구와, 컵 내에 있어서 기판의 주연을 따라서 형성되어, 기판의 표면측으로부터 이면측으로 기체를 유도하는 유로를 구비하고, 유로는 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있다.
컵 외부의 기체는 기판의 표면측으로부터 컵 내로 유도되고, 유로를 통해 기판의 표면측으로부터 이면측으로 유도되고, 배기구를 통해 배출된다. 유로는 기판의 주연을 따라서 형성되어 있으므로, 기판의 표면 상에는 기판의 주연을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 휘발한 처리액 등이 계속적으로 배출된다. 가령, 유로의 통기 저항이 기판의 주위 방향에 있어서 균일하면, 기체는 배기구에 가까운 유로를 통과하기 쉬워진다. 기판의 표면 상에서는, 배기구에 가까운 유로를 향하는 기체의 양이, 배기구로부터 먼 유로를 향하는 기체의 양에 비해 커지므로, 통기 유량의 편차가 발생한다. 이에 대해, 유로는 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있으므로, 배기구로부터 이격된 유로에도 기체가 돌아 들어가기 쉬워진다. 따라서, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.
컵은 기판의 이면에 대향하는 저부와, 기판의 주연을 따름과 함께 저부로부터 기판측으로 돌출된 제1 환상벽과, 제1 환상벽과 기판의 이면 사이에 위치함과 함께, 제1 환상벽보다 외측으로 돌출되는 우산 형상부와, 우산 형상부의 주연부로부터 저부측으로 돌출되어 제1 환상벽을 둘러싸고, 제1 환상벽과의 사이에 유로의 일부를 구성하는 제2 환상벽을 갖고, 배기구는 저부 중 제1 환상벽보다 내측의 영역에 형성되고, 유로는 제1 환상벽 및 제2 환상벽의 배치에 의해, 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 구성되어 있어도 된다.
이 경우, 액체는 우산 형상부 및 제2 환상벽에 의해 제1 환상벽의 외측의 영역으로 유도되고, 기체는 제1 환상벽의 내측으로 유도된다. 즉, 제1 환상벽 및 제2 환상벽은 컵 내를 액체 도입 영역과 기체 도입 영역으로 구획하는 요소로서 기능한다. 한편, 제1 환상벽 및 제2 환상벽은 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 유로를 구성하는 부재로서도 기능한다. 이와 같이, 액체 도입 영역과 기체 도입 영역을 구획하는 부재를 유로의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.
제1 환상벽과 제2 환상벽의 간격이 배기구로부터 이격됨에 따라서 크게 되어 있어도 된다. 이에 의해, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다. 저부와 기판이 대향하는 방향에 있어서 제1 환상벽과 제2 환상벽이 중첩되는 길이가 배기구로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있어도 된다. 이에 의해서도, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다.
컵은 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 유로를 상류측과 하류측으로 구획하도록 설치된 구획 부재와, 기판의 주연을 따라서 점재하도록 구획 부재에 형성된 복수의 통기 구멍을 갖고, 통기 구멍은 배기구로부터 이격됨에 따라서 개구 면적이 커지도록 형성되어 있어도 된다. 이에 의해서도, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다.
배기구는 기판의 주연 근처에 위치하여, 당해 주연의 일부를 따라서 연장된 형상을 이루어도 된다. 이 경우, 배기구가 연장되는 범위에 있어서는 배기구가 유로의 배치를 따르므로, 유로의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 배기구가 연장되는 범위 이외에서는, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아짐으로써, 유로의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 이 시너지 효과에 의해 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 더욱 저감시킬 수 있다. 또한, 기판의 주연을 따라서 배기구를 연장시키는 것은, 배기구의 개구 면적의 확대에도 기여한다. 배기구의 개구 면적을 확대함으로써, 컵 내의 기체를 보다 확실히 배출할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 액 처리 장치를 구비하는 도포ㆍ현상 시스템의 사시도.
도 2는 도 1 중 Ⅱ-Ⅱ선을 따르는 단면도.
도 3은 도 2 중 Ⅲ-Ⅲ선을 따르는 단면도.
도 4는 기판 액 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 기판 액 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도.
도 6은 도 4 중 Ⅵ-Ⅵ선을 따르는 단면도.
도 7은 현상 처리 공정을 도시하는 모식도.
도 8은 컵 내에 발생하는 기류를 도시하는 모식도.
도 9는 기판 액 처리 장치의 변형예를 도시하는 단면도.
도 10은 기판 액 처리 장치의 다른 변형예를 도시하는 단면도.
도 11은 기판 액 처리 장치의 또 다른 변형예를 도시하는 단면도.
도 12는 도 11 중 XⅡ-XⅡ선을 따르는 단면도.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 도포ㆍ현상 장치(1)는 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(기판)의 표면에 레지스트제를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 후에, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 도포ㆍ현상 장치(1)는 캐리어 블록 S1과, 캐리어 블록 S1에 인접하는 처리 블록 S2와, 처리 블록 S2에 인접하는 인터페이스 블록 S3을 구비한다. 이하, 도포ㆍ현상 장치(1)의 설명에 있어서의 「전후 좌우」는 인터페이스 블록 S3측을 전방측, 캐리어 블록 S1측을 후방측으로 한 방향을 의미하는 것으로 한다.
캐리어 블록 S1은 캐리어 스테이션(12)과, 반입ㆍ반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는 복수매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용하고, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 일측면(11a)측에 갖는다. 캐리어(11)는 측면(11a)이 반입ㆍ반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.
반입ㆍ반출부(13)는 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 개폐 도어(13a)를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입ㆍ반출부(13) 내가 연통한다. 반입ㆍ반출부(13)는 전달 아암 A1을 내장하고 있다. 전달 아암 A1은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록 S2에 전달하고, 처리 블록 S2로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.
처리 블록 S2는 하층 반사 방지막 형성(BCT) 블록(14)과, 레지스트막 형성(COT) 블록(15)과, 상층 반사 방지막 형성(TCT) 블록(16)과, 현상 처리(DEV) 블록(17)을 갖는다. 이들 블록은 저면측으로부터 DEV 블록(17), BCT 블록(14), COT 블록(15), TCT 블록(16)의 순으로 적층되어 있다.
BCT 블록(14)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A2를 내장하고 있다. 도포 유닛은 반사 방지막 형성용 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 약액을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 약액의 경화 등을 위한 열처리를 행한다.
COT 블록(15)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A3을 내장하고 있다. 도포 유닛은 레지스트막 형성용 약액(레지스트제)을 하층 반사 방지막 상에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 레지스트제를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 레지스트제의 경화 등을 위한 열처리를 행한다. 레지스트제는 포지티브형이어도 되고, 네거티브형이어도 된다.
TCT 블록(16)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A4를 내장하고 있다. 도포 유닛은 반사 방지막 형성용 약액을 레지스트막 상에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 약액을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 약액의 경화 등을 위한 열처리를 행한다.
도 3에 도시한 바와 같이, DEV 블록(17)은 복수의 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)(U1)과, 복수의 가열ㆍ냉각 유닛(열처리부)(U2)과, 이 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A5와, 이들 유닛을 거치지 않고 처리 블록 S2의 전후 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암 A6을 내장하고 있다.
현상 처리 유닛(U1)은, 후술하는 바와 같이 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 가열ㆍ냉각 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열함으로써 레지스트막을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각한다. 가열ㆍ냉각 유닛(U2)은 포스트 익스포저 베이크(PEB), 포스트 베이크(PB) 등의 가열 처리를 행한다. PEB는 현상 처리 전에 레지스트막을 가열하는 처리이다. PB는 현상 처리 후에 레지스트막을 가열하는 처리이다.
처리 블록 S2의 후방측에는 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은 저면으로부터 TCT 블록(16)에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀 C30 내지 C38로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암 A7이 설치되어 있다. 승강 아암 A7은 셀 C30 내지 C38 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 처리 블록 S2의 전방측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은 저면으로부터 DEV 블록(17)의 상부에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀 C40 내지 C42로 구획되어 있다.
인터페이스 블록 S3은 노광 장치 E1에 접속된다. 인터페이스 블록 S3은 전달 아암 A8을 내장하고 있다. 전달 아암 A8은 처리 블록 S2의 선반 유닛(U11)으로부터 노광 장치 E1로 웨이퍼(W)를 전달하고, 노광 장치 E1로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시킨다.
이와 같은 도포ㆍ현상 장치(1)에서는, 우선 캐리어(11)가 캐리어 스테이션(12)에 설치된다. 이때, 캐리어(11)의 일측면(11a)은 반입ㆍ반출부(13)의 개폐 도어(13a)를 향하게 된다. 다음에, 캐리어(11)의 개폐 도어와 반입ㆍ반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 모두 개방되어, 전달 아암 A1에 의해, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)가 취출되고, 처리 블록 S2의 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀로 순차 반송된다.
전달 아암 A1에 의해 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, BCT 블록(14)에 대응하는 셀 C33으로 순차 반송된다. 셀 C33으로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A2에 의해 BCT 블록(14) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.
하층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A2에 의해 셀 C33 위의 셀 C34로 반송된다. 셀 C34로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, COT 블록(15)에 대응하는 셀 C35로 반송된다. 셀 C35로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A3에 의해 COT 블록(15) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A3에 의해 셀 C35 위의 셀 C36으로 반송된다. 셀 C36으로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, TCT 블록(16)에 대응하는 셀 C37로 반송된다. 셀 C37로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A4에 의해 TCT 블록(16) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.
상층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A4에 의해 셀 C37 위의 셀 C38로 반송된다. 셀 C38로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해 직접 반송 아암 A6에 대응하는 셀 C32로 반송되고, 직접 반송 아암 A6에 의해 선반 유닛(U11)의 셀 C42로 반송된다. 셀 C42로 반송된 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록 S3의 전달 아암 A8에 의해 노광 장치 E1에 전달되어, 노광 장치 E1에 있어서 레지스트막의 노광 처리가 행해진다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 전달 아암 A8에 의해 셀 C42 아래의 셀 C40, C41로 반송된다.
셀 C40, C41로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A5에 의해, DEV 블록(17) 내의 각 유닛으로 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상에 레지스트 패턴이 형성된다. 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A5에 의해 선반 유닛(U10) 중 DEV 블록(17)에 대응한 셀 C30, C31로 반송된다. 셀 C30, C31로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, 전달 아암 A1이 액세스 가능한 셀로 반송되고, 전달 아암 A1에 의해, 캐리어(11) 내로 복귀된다.
또한, 도포ㆍ현상 장치(1)의 구성은 일례에 지나지 않는다. 도포ㆍ현상 장치는 도포 유닛이나 현상 처리 유닛 등의 액 처리 유닛과, 가열ㆍ냉각 유닛 등의 전처리ㆍ후처리 유닛과, 반송 장치를 구비하는 것이면 되고, 이들 각 유닛의 개수나 종류, 레이아웃 등은 적절히 변경 가능하다.
계속해서, 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)(U1)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 현상 처리 유닛(U1)은 기판 회전 기구(20)와, 승강 장치(22)와, 현상액 공급 기구(처리액 공급 기구)(23)와, 린스액 공급 기구(처리액 공급 기구)(24)와, 컵(30)과, 배기 기구(42)와, 제어부(27)를 구비한다.
기판 회전 기구(20)는 전동 모터 등의 동력원을 내장한 본체부(20a)와, 본체부(20a)로부터 연직 상방으로 돌출되는 회전축(20b)과, 회전축(20b)의 선단부에 설치된 척(20c)을 갖는다. 본체부(20a)는 동력원에 의해 회전축(20b) 및 척(20c)을 회전시킨다. 척(20c)은 대략 수평으로 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 예를 들어 흡착에 의해 보유 지지한다. 즉, 기판 회전 기구(20)는 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하고, 연직인 축선을 중심으로 회전시킨다.
승강 장치(22)는 기판 회전 기구(20)에 인접하도록 설치되어, 기판 회전 기구(20)를 승강시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 높이와, 현상 처리를 행하는 현상 높이 사이에서 척(20c)을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 현상액 공급 기구(23)는 현상액(처리액)의 공급원(23a)과, 현상액 노즐(23c)과, 이동체(23d)를 갖고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 현상액을 공급한다. 공급원(23a)은 현상액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 현상액 노즐(23c)은 공급관(23b)을 통해 공급원(23a)에 접속되어, 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액을 토출한다. 이동체(23d)는 아암(23e)을 통해 현상액 노즐(23c)에 접속되어 있다. 이동체(23d)는 기판 회전 기구(20)의 주위에 수평으로 설치된 가이드 레일(43)을 따라서 이동함으로써, 현상액 노즐(23c)을 수평 방향으로 이송한다. 현상액 노즐(23c)은 가이드 레일(43)의 연장 방향(도시 우측 방향 또는 좌측 방향)에서 볼 때, 척(20c)의 중심의 상방에 위치한다. 현상액 노즐(23c)의 토출 구멍 h1은 하방으로 개방된다. 토출 구멍 h1은 가이드 레일(43)의 연장 방향을 따른 슬릿 형상을 이루고 있다.
웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 현상액을 공급할 때에는, 이동체(23d)에 의해 현상액 노즐(23c)이 이송되어, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 그리고, 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액이 현상액 노즐(23c)로부터 하방으로 토출되어, 표면(Wa)에 공급된다.
린스액 공급 기구(24)는 린스액(처리액)의 공급원(24a)과, 린스액 노즐(24c)과, 이동체(24d)를 갖고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급한다. 린스액은, 예를 들어 순수 또는 DIW(Deionized Water) 등이다. 공급원(24a)은 린스액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 린스액 노즐(24c)은 공급관(24b)을 통해 공급원(24a)에 접속되어, 공급원(24a)으로부터 공급된 린스액을 토출한다. 이동체(24d)는 아암(24e)을 통해 린스액 노즐(24c)에 접속되어 있다. 이동체(24d)는 상기 가이드 레일(43)을 따라서 이동함으로써, 린스액 노즐(24c)을 수평 방향으로 이송한다. 아암(24e)에 지지된 린스액 노즐(24c)은 가이드 레일(43)의 연장 방향(도시 우측 방향 또는 좌측 방향)에서 볼 때, 척(20c)의 중심의 상방에 위치한다. 린스액 노즐(24c)의 토출 구멍 h2는 하방으로 개방된다.
웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급할 때에는, 이동체(24d)에 의해 린스액 노즐(24c)이 이송되어, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 그리고, 공급원(24a)으로부터 공급된 린스액이 린스액 노즐(24c)로부터 하방으로 토출되어, 표면(Wa)에 공급된다.
컵(30)은 기판 회전 기구(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 수용한다. 즉, 기판 회전 기구(20)는 컵(30) 내에 수용된 웨이퍼(W)를 보유 지지한다. 또한, 가이드 레일(43)은 컵(30)의 외측에 배치된다. 컵(30)은 기판 회전 기구(20)를 둘러싸는 원환 형상의 저판(저부)(31)과, 저판(31)의 외측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 외벽(32)과, 저판(31)의 내측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 내벽(33)을 갖는다. 저판(31)은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 대향한다.
외벽(32)의 전체 부분은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연(Wc)보다 외측에 위치한다. 외벽(32)의 상단부는 개방되어, 흡기구(32a)를 구성한다. 흡기구(32a)는 상기 현상 높이의 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다 상방에 위치한다. 외벽(32)의 흡기구(32a)측의 부분에는 내측으로 기울어진 경사벽부(32b)가 형성되어 있다.
내벽(33)의 전체 부분은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연(Wc)보다 내측에 위치한다. 내벽(33)의 상단부(33a)는 상기 현상 높이의 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다 하방에 위치한다.
내벽(33)과 외벽(32) 사이에는 내벽(33)을 둘러싸도록 저판(31)의 상면으로부터 연직 상방으로 돌출된 제1 환상벽(34)이 설치되어 있다. 제1 환상벽(34)은 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따름과 함께, 저판(31)으로부터 웨이퍼(W)측으로 돌출된다. 저판(31) 중, 외벽(32)과 제1 환상벽(34) 사이의 부분에는 배액구(31a)가 형성되어 있고, 배액구(31a)에는 배액관(41)이 접속되어 있다. 저판(31) 중, 제1 환상벽(34)과 내벽(33) 사이의 부분에는 배기구(31b)가 형성되어 있다.
배기 기구(42)는 본체부(42a)와 배기 덕트(42b)를 갖는다. 배기 덕트(42b)는 본체부(42a)와 배기구(31b)를 접속한다. 본체부(42a)는 펌프 및 필터 등(도시하지 않음)을 갖고, 배기 덕트(42b) 및 배기구(31b)를 통해 컵(30) 내의 기체를 흡인한다.
내벽(33) 상에는 우산 형상부(35)가 설치되어 있다. 우산 형상부(35)는 제1 환상벽(34)과 웨이퍼(W)의 이면(Wb) 사이에 위치함과 함께, 제1 환상벽(34)보다 외측으로 돌출된다. 우산 형상부(35)의 주연부에는 제2 환상벽(36)이 설치되어 있다. 제2 환상벽(36)은 저판(31)측으로 돌출되어 제1 환상벽(34)을 둘러싼다.
내벽(33)에 둘러싸이는 공간의 상부는 덮개 부재(38)에 의해 막혀 있다. 기판 회전 기구(20)의 본체부(20a)는 덮개 부재(38)의 하방에 위치하고, 척(20c)은 덮개 부재(38)의 상방에 위치하고, 회전축(20b)은 덮개 부재(38)를 관통하고 있다.
컵(30) 내에 있어서, 웨이퍼(W) 상으로부터 낙하한 현상액 또는 린스액은 우산 형상부(35) 및 제2 환상벽(36)에 의해 제1 환상벽(34)의 외측 영역 P1로 유도된다. 영역 P1로 유도된 현상액 또는 린스액은 배액구(31a)로부터 배액관(41)으로 배출된다.
컵(30)의 흡기구(32a)에는 컵(30) 외부의 기체가 진입한다. 흡기구(32a)에 진입한 기체는 우산 형상부(35)와 경사벽부(32b) 사이 및 외벽(32)과 제2 환상벽(36) 사이를 거쳐서 제1 환상벽(34)의 내측 영역 P2로 유도된다. 영역 P2로 유도된 기체는 배기구(31b)로부터 배기 덕트(42b)로 배출된다. 흡기구(32a)는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측에 형성되고, 배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측에 형성되어 있으므로, 우산 형상부(35)와 경사벽부(32b) 사이, 외벽(32)과 제2 환상벽(36) 사이 및 영역 P2는 기체를 표면(Wa)측으로부터 이면(Wb)측으로 유도하는 유로 FP를 구성한다. 유로 FP는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 형성된다.
여기서, 도 6에 도시한 바와 같이, 배액구(31a) 및 배기구(31b)는 각각 저판(31)의 1개소에 형성되어 있다. 배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 주연(Wc) 근처에 위치하여, 주연(Wc)의 일부분을 따라서 원호 형상으로 연장된 형상을 이루고 있다. 이에 대응하여, 배기 덕트(42b)와 배기구(31b)의 접속부도 주연(Wc)을 따라서 연장되어 있다. 배기 덕트(42b)는 평면에서 볼 때에 있어서 배기구(31b)의 일단부로부터 외벽(32)의 외측으로 연장되어, 본체부(42a)에 연결되어 있다.
제2 환상벽(36)의 중심축과 내벽(33)의 중심축은 대략 일치하고 있다. 한편, 제1 환상벽(34)의 중심축은 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)측으로 어긋나 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격은 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 크게 되어 있다. 이로 인해, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작게 되어 있다.
또한, 제1 환상벽(34)의 중심축과 내벽(33)의 중심축이 대략 일치하고, 제2 환상벽(36)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)의 반대측으로 어긋나 있어도 된다. 제1 환상벽(34)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)측으로 어긋남과 함께, 제2 환상벽(36)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)의 반대측으로 어긋나 있어도 된다. 이들의 경우도, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격이 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 커지므로, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작아진다.
제어부(27)는 제어용 컴퓨터이고, 현상 처리 조건의 설정 화면을 표시하는 표시부(도시하지 않음)와, 현상 처리 조건을 입력하는 입력부(도시하지 않음)와, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로부터 프로그램을 판독하는 판독부(도시하지 않음)를 갖는다. 기록 매체에는 본 실시 형태에 관한 현상 처리 방법(기판 처리 방법)을 현상 처리 유닛(U1)에 실행시키기 위한 프로그램이 기록되어 있다. 기록 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크 또는 메모리 카드 등을 들 수 있다. 제어부(27)는 입력부에 입력된 현상 처리 조건과, 판독부에 의해 판독된 프로그램에 따라서, 기판 회전 기구(20), 승강 장치(22), 현상액 공급 기구(23), 린스액 공급 기구(24)를 제어하여, 현상 처리를 실행한다. 이하, 제어부(27)의 제어 수순에 대해 설명한다.
우선, 제어부(27)는 척(20c)을 상기 전달 높이까지 상승시키도록 승강 장치(22)를 제어한 상태로 대기한다. 이 상태에서, 상술한 반송 아암 A5에 의해, 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내로 반입된다. 웨이퍼(W)에는 레지스트막 R이 형성되고, 레지스트막 R에는 노광 장치 E1에 의해 노광 처리가 실시되어 있다. 웨이퍼(W)는 레지스트막 R을 위로 한 상태에서 척(20c) 상에 수평으로 배치된다. 웨이퍼(W)가 배치되면, 제어부(27)는 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 척(20c)을 제어하고, 척(20c)을 상기 현상 높이까지 하강시키도록 승강 장치(22)를 제어한다.
다음에, 제어부(27)는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 회전시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이것과 함께, 현상액 노즐(23c)을 웨이퍼(W)의 외주부터 중심을 향해 이동시키면서, 현상액 노즐(23c)로부터 현상액(L1)을 토출하도록 현상액 공급 기구(23)를 제어한다. 이에 의해, 소용돌이 형상의 선을 따라서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체에 현상액(L1)이 공급되고, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 현상액(L1)의 패들이 표면(Wa) 상에 형성된다. 웨이퍼(W)의 회전을 멈추도록 기판 회전 기구(20)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 정지 상태로 한다. 그 사이에, 레지스트막 R의 가용 부분의 용해가 진행된다.
다음에, 제어부(27)는 현상액 노즐(23c)을 웨이퍼(W) 상으로부터 후퇴시키도록 현상액 공급 기구(23)를 제어하고, 그 대신에 린스액 노즐(24c)을 웨이퍼(W)의 중심 상방으로 이동시키도록 린스액 공급 기구(24)를 제어한다. 이 상태에서, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이것과 함께, 린스액 노즐(24c)로부터 린스액(L2)을 토출하도록 린스액 공급 기구(24)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액(L2)이 공급된다. 현상액(L1)에 의해 용해된 레지스트막 R의 성분이 현상액(L1)과 함께 린스액(L2)에 씻겨 내어짐으로써, 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴 Rp가 형성된다.
다음에, 제어부(27)는 린스액(L2)의 공급을 정지시키도록 린스액 공급 기구(24)를 제어함과 함께, 그 후에도 웨이퍼(W)의 회전을 계속시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이에 의해, 린스액(L2)이 웨이퍼(W)의 주위로 떨쳐 내어진 후에, 제어부(27)는 웨이퍼(W)의 회전을 멈추도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이상으로 현상 처리가 완료된다.
현상 처리 중에 있어서, 컵(30) 외부의 기체는, 도 8에 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 흡기구(32a)를 통해 컵(30) 내로 유도되고, 유로 FP를 통해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 이면(Wb)측으로 유도되어, 배기구(31b)를 통해 배출된다. 유로 FP는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 형성되어 있으므로, 표면(Wa) 상에는 주연(Wc)을 향하는 기류 SF가 형성된다. 이 기류 SF에 의해, 휘발한 현상액(L1) 또는 린스액(L2) 등이 계속적으로 배출된다. 가령, 유로 FP의 통기 저항이 웨이퍼(W)의 주위 방향에 있어서 균일하면, 기체는 배기구(31b)에 가까운 유로 FP를 통하기 쉬워진다. 표면(Wa) 상에서는 배기구(31b)에 가까운 유로 FP를 향하는 기체의 양이, 배기구(31b)로부터 먼 유로 FP를 향하는 기체의 양에 비해 커지므로, 통기 유량의 편차가 발생한다. 이에 대해, 유로 FP는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있으므로, 배기구(31b)로부터 이격된 유로 FP에도 기체가 돌아 들어가기 쉽다. 따라서, 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.
표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킴으로써, 휘발한 현상액(L1) 또는 린스액(L2) 등을 확실히 배출할 수 있다. 또한, 표면(Wa) 상에 형성되는 액막의 두께의 균일성을 향상시켜, 액 처리의 안정성을 향상시키는 것도 기대된다. 이와 같은 효과는 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 패들을 형성한 후와 같이, 웨이퍼(W)를 정지시키는 처리에 있어서 보다 현저해진다.
한편, 유로 FP의 통기 저항에 의해 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킴으로써, 배기구(31b)를 편재시키기 쉬워진다. 예를 들어, 상술한 현상 처리 유닛(U1)에 있어서, 배기구(31b)는 저판(31)의 주위 방향에 있어서 1개소에만 형성되어 있다. 이에 의해, 배기 덕트(42b)의 배관 스페이스를 확보하기 쉬워져, 장치 전체의 소형화가 기대된다.
제1 환상벽(34) 및 제2 환상벽(36)은 컵(30) 내를 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2로 구획하는 요소로서 기능하는 한편, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 유로 FP를 구성하는 부재로서도 기능한다. 이와 같이, 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2를 구획하는 부재를 유로 FP의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.
배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 주연(Wc) 근처에 위치하여, 주연(Wc)의 일부를 따라서 연장된 형상을 이루고 있다. 이로 인해, 배기구(31b)가 연장되는 범위에 있어서는 배기구(31b)가 유로 FP의 배치를 따르므로, 유로 FP의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 배기구(31b)가 연장되는 범위 이외에서는, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작아짐으로써, 유로 FP의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 이들의 상승 효과에 의해 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 더욱 저감시킬 수 있다.
또한, 주연(Wc)을 따라서 배기구(31b)를 연장시키는 것은, 배기구(31b)의 개구 면적의 확대에도 기여한다. 배기구(31b)의 개구 면적을 확대함으로써, 컵(30) 내의 기체를 보다 확실히 배출할 수 있다. 상술한 바와 같이, 배기구(31b)는 저판(31)의 주위 방향에 있어서 1개소에만 형성되어 있으므로, 이 효과가 보다 현저해진다.
배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 하는 구성은 상술한 것으로 한정되지 않는다. 도 9에 도시하는 현상 처리 유닛(U3)의 컵(30A)은 저판(31)과 웨이퍼(W)가 대향하는 방향(연직 방향)에 있어서, 제1 환상벽(34A)과 제2 환상벽(36A)이 겹치는 길이(이하, 「중복 길이」라고 함)를 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 한 것이다. 구체적으로, 제1 환상벽(34A) 및 제2 환상벽(36A)의 중심축은 모두 내벽(33)의 중심축에 대략 일치하고 있다. 제2 환상벽(36A)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 한편, 제1 환상벽(34A)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34A)과 제2 환상벽(36A)의 중복 길이가 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다.
도 10에 도시하는 현상 처리 유닛(U4)의 컵(30B)은 컵(30A)에 있어서의 제1 환상벽(34A)의 높이와 제2 환상벽(36A)의 높이의 관계를 반대로 한 것이다. 구체적으로, 컵(30B)의 제1 환상벽(34B)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이는 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 한편, 제2 환상벽(36B)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34B)과 제2 환상벽(36B)의 중복 길이가 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다.
컵(30A) 및 컵(30B)의 구성에 의해서도, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 할 수 있다. 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2를 구획하는 제1 환상벽(34A, 34B) 및 제2 환상벽(36A, 36B)을 유로 FP의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.
또한, 컵(30A)의 제1 환상벽(34A)과 컵(30B)의 제2 환상벽(36B)을 조합해도 된다. 또한, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격을 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 크게 하는 컵(30)의 구성과, 제1 환상벽(34A, 34B)과 제2 환상벽(36A, 36B)의 중복 길이를 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 하는 컵(30A, 30B)의 구성을 조합해도 된다. 제1 환상벽(34, 34A, 34B) 또는 제2 환상벽(36, 36A, 36B)을 연직 방향에 대해 경사지게 함으로써, 제1 환상벽(34, 34A, 34B)과 제2 환상벽(36, 36A, 36B)의 간격 또는 중복 길이를 조절해도 된다.
도 11 및 도 12에 도시하는 현상 처리 유닛(U5)의 컵(30C)은 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐서 유로 FP를 상류측과 하류측으로 구획하는 구획판(구획 부재)(37)에 의해, 유로 FP의 통기 저항을 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 한 것이다. 컵(30C)의 제1 환상벽(34C) 및 제2 환상벽(36C)의 중심축은 모두 내벽(33)의 중심축에 대략 일치하고 있다. 제1 환상벽(34C)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이와, 제2 환상벽(36C)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 모두 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 구획판(37)은 제1 환상벽(34C)의 상단부에 있어서, 제1 환상벽(34C)과 내벽(33) 사이를 막도록 형성되어 있다.
구획판(37)에는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 점재하는 복수의 통기 구멍(37a)이 형성되어 있다. 즉, 컵(30C)은 구획판(37)과, 구획판(37)에 형성된 복수의 통기 구멍(37a)을 갖는다. 통기 구멍(37a)은 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 개구 면적이 커지도록 형성되어 있다. 일례로서, 통기 구멍(37a)은 원형을 이루고 있고, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 그 직경이 크게 되어 있다. 이와 같은 구성에 의해서도, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 할 수 있다.
이상, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상술한 구성을 BCT 블록(14), COT 블록(15) 또는 TCT 블록(16)의 도포 유닛에 적용해도 된다. 즉, 상술한 구성을 반사 방지막 형성용 약액 또는 레지스트막 형성용 약액의 도포 장치에 적용해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)를 접착하기 위한 접착제 도포 장치 등에 적용해도 된다.
20 : 기판 회전 기구
23 : 현상액 공급 기구(처리액 공급 기구)
24 : 린스액 공급 기구(처리액 공급 기구)
30, 30A, 30B, 30C : 컵
31b : 배기구
32a : 흡기구
34, 34A, 34B : 제1 환상벽
35 : 우산 형상부
36, 36A, 36B : 제2 환상벽
37 : 구획판(구획 부재)
37a : 통기 구멍, 배기 기구
42, FP : 유로
L1 : 현상액(처리액)
L2 : 린스액(처리액)
U1, U3, U4, U5 : 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)
Wa : 표면
Wb : 이면
Wc : 주연

Claims (6)

  1. 기판을 보유지지함과 함께 당해 기판을 회전시키기 위한 기판 회전 기구와,
    상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와,
    상기 기판을 둘러싸는 컵과,
    상기 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구와,
    상기 컵에 있어서의 상기 기판의 이면측에 형성된 배기구와,
    상기 컵 내에 있어서 상기 기판의 주연을 따라서 형성되어, 상기 기판의 표면측으로부터 이면측으로 기체를 유도하는 유로를 구비하고,
    상기 컵은,
    상기 기판의 이면에 대향하는 저부와,
    상기 기판의 주연을 따름과 함께 상기 저부로부터 상기 기판측으로 돌출된 제1 환상벽과,
    상기 제1 환상벽과 상기 기판의 이면 사이에 위치함과 함께, 상기 제1 환상벽보다 외측으로 돌출되는 우산 형상부와,
    상기 우산 형상부의 주연부로부터 상기 저부측으로 돌출되어 상기 제1 환상벽을 둘러싸고, 상기 제1 환상벽과의 사이에 상기 유로의 일부를 구성하는 제2 환상벽을 갖고,
    상기 배기구는 상기 저부 중 상기 제1 환상벽보다 내측의 영역에 형성되고,
    상기 유로는 상기 제1 환상벽 및 상기 제2 환상벽의 배치에 의해, 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있는, 기판 액 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 환상벽과 상기 제2 환상벽의 간격이 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 크게 되어 있는, 기판 액 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저부와 상기 기판이 대향하는 방향에 있어서 상기 제1 환상벽과 상기 제2 환상벽이 겹치는 길이가 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있는, 기판 액 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배기구는 상기 기판의 주연 근처에 위치하여, 당해 주연의 일부를 따라서 연장된 형상을 이루는, 기판 액 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020140119027A 2013-09-13 2014-09-05 기판 액 처리 장치 KR102161328B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-190984 2013-09-13
JP2013190984A JP5909218B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 基板液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150031184A KR20150031184A (ko) 2015-03-23
KR102161328B1 true KR102161328B1 (ko) 2020-09-29

Family

ID=52820769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140119027A KR102161328B1 (ko) 2013-09-13 2014-09-05 기판 액 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5909218B2 (ko)
KR (1) KR102161328B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016198255A1 (en) 2015-06-11 2016-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for loading a substrate
JP6824773B2 (ja) * 2017-02-20 2021-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7178177B2 (ja) * 2018-03-22 2022-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5990928A (ja) * 1982-11-16 1984-05-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式表面処理装置
JPS63173328A (ja) * 1987-01-13 1988-07-16 Fujitsu Ltd 現像装置
JPS63260130A (ja) * 1987-04-17 1988-10-27 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH01139172A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH02252232A (ja) * 1989-03-25 1990-10-11 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
JP2964113B2 (ja) * 1992-07-20 1999-10-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3581274B2 (ja) * 1999-08-18 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3599323B2 (ja) * 1999-10-19 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3721320B2 (ja) 2000-11-01 2005-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4180304B2 (ja) * 2002-05-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2005158862A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Seiko Epson Corp 回転式処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4830523B2 (ja) * 2006-02-08 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。
JP4900116B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5006274B2 (ja) * 2008-06-25 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4788785B2 (ja) * 2009-02-06 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体
JP4862902B2 (ja) * 2009-03-04 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5584176B2 (ja) * 2011-07-07 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP5909218B2 (ja) 2016-04-26
KR20150031184A (ko) 2015-03-23
JP2015056626A (ja) 2015-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102047310B1 (ko) 주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 주연부 도포용 기록 매체
CN102193342B (zh) 涂覆-显影装置和显影方法
KR102271777B1 (ko) 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR102161328B1 (ko) 기판 액 처리 장치
KR101970844B1 (ko) 액 처리 장치
KR101522437B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
US9217922B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium for liquid processing
JP5941023B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20120025413A (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
TWI679065B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2021166309A (ja) 基板処理装置
KR20200001481A (ko) 처리액 온도 조정 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
KR100602108B1 (ko) 처리시스템
JP6793048B2 (ja) 基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4294837B2 (ja) 処理システム
JP2015179728A (ja) 流路切替装置、液供給システム、液供給方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US9776199B2 (en) Coating apparatus, coating method and storage medium
TWI702113B (zh) 基板保持模組、基板處理裝置、及基板處理方法
JP5937028B2 (ja) 現像処理方法、現像処理装置及び現像処理用記録媒体
KR101608142B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6123880B2 (ja) 液処理装置
JP6312615B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6101228B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007277014A (ja) 処理システム
JP2018195671A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant