KR102144488B1 - Ta/Nb 시트에 스크린 프린팅된 무변형 애노드 - Google Patents
Ta/Nb 시트에 스크린 프린팅된 무변형 애노드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102144488B1 KR102144488B1 KR1020147005090A KR20147005090A KR102144488B1 KR 102144488 B1 KR102144488 B1 KR 102144488B1 KR 1020147005090 A KR1020147005090 A KR 1020147005090A KR 20147005090 A KR20147005090 A KR 20147005090A KR 102144488 B1 KR102144488 B1 KR 102144488B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- foil
- anode
- oxidation
- paste
- powder
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 74
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 30
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 30
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Inorganic materials [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 1-hexadecanoyl-2-octadecanoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000008347 soybean phospholipid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N triacetin Chemical compound CC(=O)OCC(OC(C)=O)COC(C)=O URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCVAWLVWQDNEGS-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxypropylamino)propan-2-ol;thiolane 1,1-dioxide;hydrate Chemical compound O.O=S1(=O)CCCC1.CC(O)CNCC(C)O JCVAWLVWQDNEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMZHZAAOEWVPSE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxypropyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC(O)CO KMZHZAAOEWVPSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXDDRFCJKNROTO-UHFFFAOYSA-N Glycerol 1,2-diacetate Chemical compound CC(=O)OCC(CO)OC(C)=O UXDDRFCJKNROTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004348 Glyceryl diacetate Substances 0.000 description 1
- 239000004347 Glyceryl monoacetate Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 208000007976 Ketosis Diseases 0.000 description 1
- XQQPOQZGOKJHSN-UHFFFAOYSA-N N#[N+][O-].[Nb] Chemical compound N#[N+][O-].[Nb] XQQPOQZGOKJHSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001323 aldoses Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-NGQZWQHPSA-N d-xylitol Chemical compound OC[C@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-NGQZWQHPSA-N 0.000 description 1
- -1 dioxyacetone Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 235000019443 glyceryl diacetate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019442 glyceryl monoacetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001087 glyceryl triacetate Substances 0.000 description 1
- 235000013773 glyceryl triacetate Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002584 ketoses Chemical class 0.000 description 1
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical compound CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229960002622 triacetin Drugs 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Screen Printers (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
본 발명은 애노드의 제조 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 얇은 탄탈럼 또는 니오븀 호일에 스크린 또는 스텐실 프린팅 방법으로 무변형 애노드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있는 애노드에 관한 것이다.
Description
본 발명은 애노드의 제조 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 얇은 탄탈럼 또는 니오븀 호일에 스크린 또는 스텐실 프린팅 방법으로 무변형 애노드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 본 발명의 방법에 의하여 얻을 수 있는 애노드에 관한 것이다.
탄탈럼-고체 전해질 캐패시터는, 그 중에서도, 에너지 저장 밀도 때문에, 바람직하게는 모바일 전화, 랩탑(laptop), 팜탑(palmtop), 캠코더 등과 같은 휴대용 적용분야에 사용된다. 이들 Ta-고체 전해질 캐패시터의 주요 구성요소는 Ta 애노드이다. 휴대용 전자 장치는 부품의 집적도 증가에도 불구하고 훨씬 더 얇아질 것이 요구된다. 이러한 애노드는 보통 Ta 산화물 및/또는 니오븀 산화물 분말을 얇은 Ta 시트에 가압하고 그 다음 소결함으로써 제조된다. 그러나, 이런 통상적인 Ta 분말의 가압은 큰 종횡비를 생산하도록 하지 않는다, 즉, 낮은 구조물 높이를 가지는 편평한 Ta 캐패시터를 위한 애노드는 이러한 방법으로 제조될 수 없다.
기재로서 Ta 호일에 Ta 페이스트의 프린팅 및 이어서 바인더 제거/소결에 의해 만들어진 탄탈럼 애노드는 소결 후 Ta 기재의 심각한 변형을 자주 나타낸다. 그렇다면 애노드는 더 이상 편평하지 않으며, 먼저, 잘 가공될 수 없으며, 두번째로 애노드의 유효 높이가 변형이 일어나지 않은 경우보다 더 크다, 즉, 활성 조성물에 의해 채워질 수 있는 부피가 사용되지 않는다. 상대적으로 높은 정전용량 탄탈럼 분말 및 NbO 분말은 특히 변형을 촉진하며 얇은 Ta 호일은 특히 심한 변형을 특히 겪는다. 선행 기술에 따르면, 따라서 100 마이크로미터 이상의 두께를 가지는 더 두꺼운 Ta 호일 또는 시트가 사용된다. 이 결과는 스텐실 프린팅된 애노드가 수동형 Ta 조성물 (Ta 시트 기재)에 대하여 좋지 않은 비 (소결된 애노드 바디)를 가지고 따라서 압축된 애노드와 비교하여 더 높은 재료비를 가진다는 것이다.
따라서, 얇은 Ta 또는 Nb 호일 상에 높은 정전용량 분말에 기초한 애노드를 제조하는 방법 및 이 방법에 의해서 얻어질 수 있는, 감소된 왜곡(변형)을 가지는 애노드를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
놀랍게도, 이 목적은 호일의 특정 전처리에 의해 달성될 수 있다는 것이 발견되었다.
따라서 본 발명은:
a) 탄탈럼 또는 니오븀을 포함하는 호일 표면의 산화 단계;
b) 표면에 형성된 산화물이 호일로 확산하도록 하는 호일의 가열 단계;
c) 탄탈럼 분말, 니오븀 분말, 니오븀 산화물 분말 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 분말을 포함하는 페이스트의 도포 단계; 및
d) 도포된 페이스트의 소결 단계
를 포함하는, 애노드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 방법의 b) 단계는 a) 단계에서 표면에 형성된 산화물이 호일의 가열에 의하여 호일로 확산되는 것에 관한 것이다. 이론에 얽매이기를 바라지 않으면서, 표면에 형성된 산화물 층의 호일로의 확산이 틈새 산소의 혼입에 의하여 일종의 호일의 사전 팽창을 초래한다는 것을 가정한다. 이는 호일의 사전 팽창 때문에, d) 단계에서 일어나는 소결 단계가 더 낮은 변형과 관련되는 결과를 야기한다.
호일을 가열한 결과로서 표면에 형성된 산화물의 확산을 위한 조건은 적합한 온도 및 시간의 선택으로 달성될 수 있다. 그러나, 호일의 완전한 산화 또는 추가의 산화를 실질적으로 피하기 위하여 감압 하에서 또는 대안으로 불활성 기체 대기 하에서 b) 단계가 수행되는 것이 유리하다.
본 발명은 추가로:
a) 탄탈럼 또는 니오븀을 포함하는 호일 표면의 산화 단계;
b) 600 ℃ 초과 온도로, 바람직하게는 10 분 이상의 시간 동안 표면에서 산화된 호일의 가열 단계;
c) 탄탈럼 분말, 니오븀 분말, 니오븀 산화물 분말 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 분말을 포함하는 페이스트의 도포 단계; 및
d) 도포된 페이스트의 소결 단계
를 포함하는, 애노드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 방법은 탄탈럼 또는 니오븀을 포함하거나 본질적으로 탄탈럼 또는 니오븀으로 구성된 매우 얇은 호일의 용도에 특히 적합하다. 바람직한 실시양태에서, 호일은 100 ㎛ 미만, 바람직하게는 60 ㎛ 미만, 특히 10 내지 50 ㎛, 특별히 15 내지 < 30 ㎛ 범위의 평균 두께를 가진다.
본 발명에 따르면, 호일은 호일의 0.5 내지 100 ㎟, 바람직하게는 2 내지 40 ㎟의 부분면적이 단면 또는 양면에 소결된 바디가 제공되고, 3:1 내지 10:1 이상의 너비에 대한 길이 비를 가질 수 있다.
본 발명의 방법에 의하여 얻을 수 있는 애노드는 시트 유사 형태를 가지는 전해질 캐패시터에 특히 적합하다, 즉, 이차원에서의 기하학적 확장이 삼차원에서보다 더 크다.
본 발명의 애노드는 호일이 한 방향 이상에서 소결된 바디 너머로 돌출되도록 바람직하게 형성된다. 이는 더 향상되고 전기 접촉을 단순화하는 열 제거를 달성한다.
다수의 기술이 이론적으로 본 발명의 방법의 a) 단계에서 호일 표면의 의도된 산화에 적합하다. 본 발명의 방법의 바람직한 실시양태에서, 호일 표면의 산화는 열산화, 애노드 산화, 화학 산화 및 프린팅, 열 처리, 스퍼터링(sputtering), 물리적 증착(physical vapour deposition; PVD) 및 화학적 증착(chemical vapour deposition; CVD)에 의한 산화탄탈럼(V) 또는 NbO의 도포 중에서 선택된 방법에 의해 행해진다.
산화물 층이 a) 단계에서 프린팅, 열 처리, 스퍼터링, PVD 또는 CVD에 의하여 도포되는 경우에, Ta 호일은 단면 또는 양면 코팅될 수 있다. 예를 들어, 5 마이크로미터 이하의 두께로 페이스트 형태의 400 메쉬의 입자 크기를 가지는 Ta 산화물 분말의 프린팅에 의한 Ta 산화물 층의 도포가 수행될 수 있다.
애노드 산화가 마찬가지로 a) 단계에서 특히 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시양태에서, 산화물 층은 이런 두께의 Ta 시트 또는 Ta 호일에 적용되는 애노드 산화에 의하여 당업자에게 공지된 방법으로 도포된다.
호일 표면의 산화가 300 내지 800 ℃, 바람직하게는 350 내지 600 ℃, 특히 380 내지 550 ℃의 온도에서 열산화에 의해 특히 바람직하게 수행된다. 호일 표면의 열산화는 보통 10 내지 120 분 동안 수행된다.
본 발명의 b) 단계가 600 ℃ 초과, 바람직하게는 700 내지 2000 ℃, 특히 750 내지 1600 ℃, 특별히 900 내지 1300 ℃의 온도에서 바람직하게 수행된다.
열 처리 기간은 호일의 평균 두께에 따라 달라진다. 본 발명의 방법의 b) 단계에서 열 처리는 보통 10 분 이상, 바람직하게는 10 내지 240 분, 특히 20 내지 120 분 동안 수행된다.
호일의 추가적인 산화를 피하기 위하여, b) 단계를 감압 하에서 또는 대안으로 바람직하게는 0족 기체를 포함하고 본질적으로 산소가 없는 (특히 산소 10 부피% 미만, 특히 5 부피% 미만, 예를 들어 산소 2 부피% 미만) 불활성 기체 대기 하에서 수행하는 것이 유리하다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명의 방법의 b) 단계에서 열 처리는 10-2 bar 미만, 바람직하게는 10-4 bar 미만, 및 특히 10-6 bar 미만의 기체 압력에서 수행된다.
또한, 본 발명의 방법의 c) 단계에서 페이스트의 도포는 바람직한 실시양태에서 스크린 프린팅의 방법으로 및 다른 특히 바람직한 실시양태에서 스텐실 프린팅의 방법으로 수행된다.
여기서, 페이스트는 바람직하게는, 본질적으로 단지 탄소, 수소 및 산소 원자 (여기서 탄소 원자에 대한 산소의 비는 0.5 이상임)로 구성된 유기 화합물을 포함하는 연속 상 및 분리 상으로서 40 내지 92 %의 탄탈럼 또는 니오븀 또는 일산화 니오븀 (아산화 니오븀), 및 임의로 150 ℃ 미만에서 증발하는 용매를 포함한다. 니오븀, 일산화 니오븀, 또는 탄탈럼의 %는 특히 바람직하게 페이스트의 총 중량을 기준으로 50 내지 90 중량%이다.
실온에서 액체인 화합물은 바람직하게는 유기 화합물로 사용된다. 이러한 경우에, 연속 상은 바람직하게는 다른 용매가 없는 것이다. 적합한 액체 유기 화합물은 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 및 테트라에틸렌 글리콜 및 또한 그의 에스테르, 글리세롤, 글리세릴 모노아세테이트, 글리세릴 디아세테이트, 글리세릴 트리아세테이트, 디옥시아세톤, 프로판디올 또는 그의 혼합물이다. 또한 추가로 유기 바인더 시스템을 포함하는 연속 상이 바람직하다. 바인더는 연속 상을 기준으로 5 중량% 이하의 양으로 사용되어야 한다. 바람직한 바인더 시스템은 허큘레스(Hercules)로부터의 나트로졸(Natrosol) 플러스 331 또는 아크릴 폴리머, 예를 들어, 로옴(Rohm)으로부터의 로하지트(Rohagit) KF 720, 또는 히드록시프로필셀룰로스로 구성된다. 금속 분말의 더 좋은 습윤을 달성하기 위하여, 랭거(Langer)로부터의 콩 레시틴 및/또는 비스테르펠트(Biesterfeld)로부터의 설피놀(Surfinol)과 같은 습윤제를 사용하는 것이 바람직하다. 바인더가 단지 소량으로 사용된다면, 연속 상에서 탄소 원자에 대한 산소 원자의 비는 본질적으로 영향을 받지 않는다. 질소 및 콩 레시틴과 함께 연속 상으로 도입된 인은 유해함을 유발하지 않는데, 인 및 질소는 캐패시터에 사용될 수 있는 탄탈럼 분말 또는 니오븀 분말을 위한 일반적인 도핑 물질로 둘러싸이기 때문이다.
바인더 시스템은 바람직하게는 페이스트의 점도가 25 ℃에서 콘(4°)-평판(cone (4°)- and-plate) 시스템 (지름 20 mm)을 사용하여 보오린(Bohlin)으로부터의 제미니(Gemini) 200 HR 나노(NANO) 회전 점도계로 측정된 150 - 500 Pa s (1 s-1의 전단율에서)의 범위 및 20 - 75 Pa s (10 s-1의 전단율에서)의 범위이도록 조정된다. 본 발명의 추가적인 실시양태에서, 유기 화합물은 또한 고체 물질일 수 있다. 실온에서 고체인 적합한 유기 화합물은 에리스리톨, 펜타에리스리톨, 펜티톨, 3 내지 6개의 탄소 원자를 가지는 알도스 또는 케토스 또는 그의 혼합물이다. 당 또는 당 유사 화합물이 또한 적합하다. 고체 유기 화합물은 용매와 조합하여 사용되고, 용매는 150 ℃ 이하의 온도에서 증발해야 한다. 적합한 용매는, 예를 들어, 물, 에탄올, 프로판올 및 단쇄 글리콜이다.
상기 언급된 액체 유기 화합물은 또한, 고체 유기 화합물이 충분하게 그들에 녹는 한 용매로서 적합하다. 따라서, 액체 유기 화합물이 연속 상의 주성분으로서 사용되는 경우에, 고체 유기 화합물은 증점제로 사용될 수 있다.
본 발명의 목적에 유리하게 사용될 수 있는 페이스트는, 예를 들어, WO-A-00/16353에 서술되었다.
본 발명의 목적을 위하여, 스크린 프린팅은 당업자에게 공지된 작업이고, 여기서 전술한 페이스트는, 보편적으로 20 내지 100 ㎛ 범위의 메쉬 개구를 가지는 스크린을 통한 프린팅 스퀴지(squeegee)의 방법으로 Ta 호일에 도포된다. 첫번째 상에서, 스크린의 메쉬는 필링(filling) 스퀴지의 방법으로 페이스트로 채워진다. 이어서 두번째 상에서, 프린팅 스퀴지가 Ta 호일과 선형 접촉을 생성하고 이때, 스크린의 메쉬에서 페이스트를 압축하는 압력은 블레이드(blade) 속도, 스크린의 기하형태 및 페이스트 점조도와 함께 블레이드 각에 의하여 결정된다 . 따라서 압축된 Ta/Nb 페이스트는 블레이드 연부의 앞에서 스크린의 메쉬를 통하여 투과하고 Ta 호일에 부착력에 의해 유지된다. Ta 호일에 부착한 페이스트는 이어서 스크린의 메쉬로부터 떨어진다.
마찬가지로 당업자에게 공지되고 특히 바람직한 실시양태에서 사용되는 스텐실 프린팅 방법에서, 스크린은 스텐실로 대체된다.
유리한 실시양태에서, c) 단계에서 페이스트는 탄탈럼 분말을 포함한다. 15 000 내지 300 000 μFV/g의 정전용량을 가지는 Ta 분말의 사용이 특히 바람직하다.
페이스트로서 사용될 수 있는 적합한 분말은, 예를 들어, 체.하. 스타르크(H.C. Starck) (독일, 고슬라르)로부터 상품명 STA200KA, STA150K, STA100K, STA70KA, STA50KF, NbO80K 등의 하에서 얻을 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, 방법은:
a) 탄탈럼을 포함하는 호일 표면의 산화 단계이며, 호일의 평균 두께가 60 ㎛ 미만이고, 300 내지 800 ℃에서의 열산화에 의한 것인 산화 단계;
b) 표면에서 산화된 호일의, 900 내지 1600 ℃의 온도 및 10-2 bar 미만의 압력에서의 가열 단계;
c) 스텐실 프린팅 또는 스크린 프린팅에 의한, 탄탈럼 분말을 포함하는 페이스트, 바람직하게는 50 내지 90 중량%의 탄탈럼 분말을 포함하는 페이스트 도포 단계;
d) 도포된 페이스트의 소결 단계; 및
e) 임의로, 애노드의 파팅(parting) 단계
를 포함한다.
e) 단계에서 개별 애노드의 분리(파팅)을 당업자에게 공지된 방법, 예를 들어, 웨이퍼 톱으로 톱질, 펄스형 광섬유 레이저를 사용한 레이저 파팅에 의해 수행했다.
본 발명의 방법에 의한 초평탄, 무변형 애노드의 제조는 따라서 특히 바람직하게 a) 300 내지 800 ℃에서 10 내지 120 분 동안 25-50 마이크로미터의 두께 및 10 x 10 ㎠의 치수를 가지는 Ta 호일의 표면 산화, b) 이어서 감압하에서 1100 ℃에서 가열, c) Ta 호일 표면의 85 % 이하에 스텐실 프린팅의 방법으로 35 내지 150 마이크로미터 범위의 두께에서 80-90 중량%의 Ta 함량을 가지는 Ta 페이스트의 도포, 건조 및 이어서 d) 애노드의 소결 및 e) 개별의 애노드의 최종 분리를 포함한다.
본 발명은 추가로 본 발명의 방법에 의하여 얻어질 수 있는 애노드를 제공한다. 본 발명의 애노드의 바람직한 실시양태에서, 애노드는 1 내지 10 mm의 수평 치수 및 25 내지 250 마이크로미터의 수직 치수를 가진다.
본 발명은 추가로 고체 전해질 캐패시터 및 전자 부품, 특히 모바일 전기통신 장치, 랩탑, 팜탑 및 캠코더와 같은 휴대용 장치 내 캐패시터를 위한 본 발명의 애노드의 용도를 제공한다.
페이스트 또는 페이스트가 도포된 호일의 소결은 당업자가 익숙할 조건 하에서, 바람직하게는 800 내지 1500 ℃ 범위의 온도에서 수행된다.
실시예
50 ㎛의 평균 두께 및 5 cm x 5 cm의 크기를 가지는 8개 탄탈럼 호일을 테스트 목적으로 각각의 경우에 사용하였다.
실시예
1
8 cm x 5 cm의 치수를 가지는 호일을 애노드 산화의 방법으로 표면에서 산화시켰다. 125 V에서 3 시간 동안 매우 낮은 전류에서 처리함으로써 산화물 층을 얻었다. 산화물 층 두께는 이어서 95 nm로 측정되었고 호일을 5 cm x 5 cm의 크기로 절단했다.
실시예
2
5 cm x 5 cm의 치수를 가지는 호일을 400 ℃에서 나바섬(Nabertherm)으로부터의 오븐 (16 리터의 부피를 가지는 모델 HAT 16/17)에서 1 시간 동안 열산화에 의하여 표면에서 산화시켰다. 두개의 첨부된 호일은 언더레이로서 사용되었다.
실시예
3
호일 조각을 양면에 150KA 페이스트 (체.하. 스타르크)로 200 메쉬 스크린을 사용하여 약 10 마이크로미터의 두께로 프린팅하였다.
프린팅 파라미터:
실시예
4
호일을 오직 단면에 프린팅 하였고 0.090 - 0.097 g의 프린팅 조성물 질량을 사용하였다는 차이를 가지며 실시예 3과 같다.
실시예 1 내지 4에서, 이어서 호일 조각을 각각 최대의 1100 ℃에서 감압 (10-6 bar) 하에서 2 시간 동안 가열하였다 (가열 프로파일: 100 ℃로 10 K/분, 2 h 머무름 (머무름 = 유지 시간), 450 ℃로 25 K/분, 1 h 머무름, 1100 ℃로 25 K/분, 2 h 머무름). 50 ㎛의 두께를 가지고 표면에서 산화되거나 감압 하에서 가열되지 않은 Ta 호일을 비교 실시예 1로 사용하였다.
열 처리 (방법의 b) 단계에 상응함) 후, 애노드화된 호일 및 산화된 호일 모두는 그들의 색을 잃었다.
이어서 실시예 1 내지 4의 호일 및 비교 실시예 1의 호일에 스크린 프린팅에 의해 애노드 구조를 제공했다.
프린팅 파라미터 (EKRA 제조사로부터의 반자동 기계 모델 M2)
각각의 경우에서 프린팅 조성물의 질량은 약 0.8 g.
프린팅된 호일을 이어서 소결하고 (소결 프로그램: 100 ℃로 10 K/분, 2 h 머무름, 450 ℃로 25 K/분, 1 h 머무름, 1240 ℃로 25 K/분, 2 h 머무름) 파팅하였다.
이러한 방법으로 얻은 애노드를 그 다음에 변형, 부착 및 외관을 평가하였다. 실시예 1 내지 4로부터의 애노드는 변형되지 않았고, 그 밖에 또한 전자 부품에서 추가적인 가공에 매우 잘 적합했다. 다른 한편, 비교 실시예 1의 애노드는 심하게 변형되었고 전체적으로 사용이 불가능하였다.
미처리된 호일 및 단지 1100 ℃에서 감압 하에서 처리된 것이, 특히 연부에서 및 때때로 둘레에서 애노드들 사이에 심하게 휜 반면에, 본 발명에 따라서 처리된 호일은 둘레의 아치가 거의 없고 둘레에서 애노드들 사이에 휘지 않음을 보인다.
OPM으로부터의 레이저 스캐닝 장치로 레이저-간섭측정으로 측정된 프로파일 및 x-y 영역은 프린팅된 호일의 후측면의 중심에서 20 x 20 ㎟의 구역을 보인다 (최대 50 x 50 ㎟ 호일의 연부, 높이 차이는 때때로 > 1 mm이며 따라서 간섭계의 측정 범위 밖이다).
미처리된 Ta 호일에서 애노드의 경우에, 중심의 20 x 20 mm 구간에서 연부를 향해 x 방향 아치는 70 ㎛이고, 대각선으로 170 ㎛이다. 중심에서 애노드들 사이의 높이 차이는 20 ㎛이다.
단지 1100 ℃에서 감압 하에서 전처리되었으나 예비산화되지는 않은 호일에서 애노드의 경우에 동일한 사진을 얻었다.
열적 예비산화된 호일에서 애노드의 경우에, 중심의 20 x 20 mm 구간에서 연부를 향해 x 방향 아치는 < 20 ㎛이고, 대각선으로 < 90 ㎛이다. 중심에서 애노드들 사이의 높이 차이는 7 ㎛ 이하이다.
애노드에서 예비산화된 호일에서 애노드의 경우에, 중심의 20 x 20 mm 구간에서 연부를 향해 x 방향 아치는 < 25 ㎛이고, 대각선으로 < 60 ㎛이다. 중심에서 애노드들 사이의 높이 차이는 15 ㎛ 이하이다.
산업상 이용가능성
매우 얇은 Ta 시트 위에 무변형 초평탄 애노드가 본 발명의 방법에 의해 제공된다. 이들은 산업에서 많은 적용분야, 특히 상업적 및 개인 부분을 위한 휴대용 전자 및 마이크로전자 장치의 분야에 현저히 적합하다.
Claims (20)
- a) 탄탈럼 또는 니오븀을 포함하는 호일 표면의 산화 단계;
b) 표면에 형성된 산화물이 호일로 확산하도록 하는 호일의 가열 단계;
c) 스텐실 프린팅에 의한, 탄탈럼 분말, 니오븀 분말, 니오븀 산화물 분말 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 분말을 포함하는 페이스트의 도포 단계; 및
d) 도포된 페이스트의 소결 단계
를 포함하며, 표면에서 형성된 산화물은 본질적으로 산소가 없는 불활성 기체 대기 내에서 호일을 가열함으로써 확산되도록 하는 것을 특징으로 하는, 애노드의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 호일이 100 ㎛ 미만, 또는 60 ㎛ 미만, 또는 10 내지 50 ㎛, 또는 15 내지 < 30 ㎛ 범위의 평균 두께를 가지는 것인 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 호일 표면의 산화가 열산화, 애노드 산화, 화학 산화, 및 프린팅, 열 처리, 스퍼터링(Sputtering), PVD 및 CVD에 의한 산화탄탈럼(V) 또는 NbO의 도포 중에서 선택된 방법에 의해 행해지는 것인 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 호일 표면의 산화가 300 내지 800 ℃에서 열산화에 의해 수행되는 것인 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, b) 단계에서 호일로의 확산이 600 ℃ 초과, 또는 700 내지 2000 ℃, 또는 750 내지 1600 ℃, 또는 900 내지 1300 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제5항에 있어서, b) 단계에서 호일로의 확산이 10 분 이상, 또는 10 내지 240 분, 또는 20 내지 120 분 동안 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 표면에 형성된 산화물이 10-2 bar 미만, 또는 10-4 bar 미만, 또는 10-6 bar 미만의 기체 압력에서 확산되도록 하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항에 있어서, c) 단계에서 페이스트가 탄탈럼 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제5항에 있어서, c) 단계에서 페이스트가 탄탈럼 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 탄탈럼 분말이 15 000 내지 300 000 μFV/g 범위에서 비정전용량(specific capacitance)을 가지는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 탄탈럼 분말이 15 000 내지 300 000 μFV/g 범위에서 비정전용량을 가지는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
a) 탄탈럼을 포함하는 호일 표면의 산화 단계이며, 호일의 평균 두께가 60 ㎛ 미만이고, 300 내지 800 ℃에서의 열산화에 의한 것인 산화 단계;
b) 표면에서 산화된 호일의, 900 내지 1600 ℃의 온도 및 10-2 bar 미만의 압력에서의 가열 단계;
c) 스텐실 프린팅에 의한, 탄탈럼 분말을 포함하는 페이스트, 또는 50 내지 90 중량%의 탄탈럼 분말을 포함하는 페이스트의 도포 단계;
d) 도포된 페이스트의 소결 단계; 및
e) 임의로, 애노드의 파팅(parting) 단계
를 포함하는, 제조 방법. - 제1항, 제10항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해서 얻을 수 있는 애노드.
- 제11항에 따른 제조 방법에 의해서 얻을 수 있는 애노드.
- 제13항에 있어서, 2 내지 10 mm의 수평 치수 및 25 내지 250 마이크로미터의 수직 치수를 가지는 애노드.
- 제14항에 있어서, 2 내지 10 mm의 수평 치수 및 25 내지 250 마이크로미터의 수직 치수를 가지는 애노드.
- 고체 전해질 캐패시터 및 전자 부품, 또는 모바일 전기통신 장치, 랩탑(laptop), 팜탑(palmtop) 및 캠코더와 같은 휴대용 장치 내 캐패시터에 사용하기 위한, 제14항에 따른 애노드의 사용 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011116939A DE102011116939A1 (de) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | Verzugsfreie schablonengedruckte Anoden auf Ta-/Nb-Blech |
| DE102011116939.7 | 2011-10-26 | ||
| PCT/EP2012/071132 WO2013060768A2 (de) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | Verzugsfreie schablonengedruckte anoden auf ta-/nb-blech |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140094503A KR20140094503A (ko) | 2014-07-30 |
| KR102144488B1 true KR102144488B1 (ko) | 2020-08-14 |
Family
ID=47148740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147005090A KR102144488B1 (ko) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | Ta/Nb 시트에 스크린 프린팅된 무변형 애노드 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8992635B2 (ko) |
| EP (1) | EP2771895B1 (ko) |
| JP (1) | JP6058017B2 (ko) |
| KR (1) | KR102144488B1 (ko) |
| CN (1) | CN104025221B (ko) |
| DE (1) | DE102011116939A1 (ko) |
| HK (1) | HK1198396A1 (ko) |
| IL (1) | IL229946B (ko) |
| MX (1) | MX361023B (ko) |
| PT (1) | PT2771895T (ko) |
| TW (1) | TWI561489B (ko) |
| WO (1) | WO2013060768A2 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465104A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种超薄钽电容器阳极钽芯及其制造方法 |
| DE102016011098A1 (de) | 2016-09-15 | 2018-03-15 | H.C. Starck Tantalum and Niobium GmbH | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen mittels 3D-Druck |
| US11756741B2 (en) | 2020-07-30 | 2023-09-12 | Medtronic, Inc. | Electrical component and method of forming same |
| US11631549B2 (en) | 2020-07-30 | 2023-04-18 | Medtronic, Inc. | Electrical component and method of forming same |
| US12070609B2 (en) | 2020-07-30 | 2024-08-27 | Medtronic, Inc. | Electrical component and method of forming same |
| US11920253B2 (en) | 2021-05-17 | 2024-03-05 | Jefferson Science Associates, Llc | Methods of controllable interstitial oxygen doping in niobium |
| CN115331965B (zh) * | 2022-08-05 | 2024-07-23 | 新疆众和股份有限公司 | 电极箔及其制备方法、电容器 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2917419A (en) * | 1958-03-06 | 1959-12-15 | Sprague Electric Co | Method of forming an adherent oxide film on tantalum and niobium foil |
| DE3814730A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
| US6287673B1 (en) * | 1998-03-03 | 2001-09-11 | Acktar Ltd. | Method for producing high surface area foil electrodes |
| SG94706A1 (en) | 1998-07-01 | 2003-03-18 | Univ Singapore | Novel mechanochemical fabrication of electronceramics |
| BRPI9913540B1 (pt) | 1998-09-10 | 2016-04-19 | Starck H C Gmbh Co Kg | pasta para a produção de camadas sinterizadas de metal refratário e processo para a produção de anodos |
| DE19941094A1 (de) | 1999-08-30 | 2003-07-10 | Epcos Ag | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
| TW533440B (en) * | 2000-12-19 | 2003-05-21 | Toho Titanium Co Ltd | Method for forming titanium oxide film and titanium electrolytic capacitor |
| KR100603864B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2006-07-24 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 토산금속의 합금으로 이루어진 금속박 및 이것을 구비한콘덴서 |
| JP2003338433A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ用の陽極体、その製造方法及び固体電解コンデンサ |
| US7713466B2 (en) * | 2003-04-28 | 2010-05-11 | Showa Denko K.K. | Valve acting metal sintered body, production method therefor and solid electrolytic capacitor |
| CN1549286A (zh) * | 2003-05-08 | 2004-11-24 | 中南大学 | 一氧化铌电解电容器阳极及其制造方法 |
| US7445679B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| WO2005086193A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Rohm Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサに用いる陽極、およびそのような陽極の製造方法 |
| JP3875705B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2007-01-31 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4743507B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2011-08-10 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ |
| JP2006245149A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nec Tokin Corp | 湿式電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4454526B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-04-21 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4804235B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-11-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
| JP2008226971A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4931730B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-05-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE102008063853B4 (de) * | 2008-12-19 | 2012-08-30 | H.C. Starck Gmbh | Kondensatoranode |
-
2011
- 2011-10-26 DE DE102011116939A patent/DE102011116939A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-10-25 CN CN201280052592.0A patent/CN104025221B/zh active Active
- 2012-10-25 US US14/351,144 patent/US8992635B2/en active Active
- 2012-10-25 WO PCT/EP2012/071132 patent/WO2013060768A2/de active Application Filing
- 2012-10-25 EP EP12783919.9A patent/EP2771895B1/de active Active
- 2012-10-25 MX MX2014004348A patent/MX361023B/es active IP Right Grant
- 2012-10-25 PT PT12783919T patent/PT2771895T/pt unknown
- 2012-10-25 KR KR1020147005090A patent/KR102144488B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-25 TW TW101139401A patent/TWI561489B/zh active
- 2012-10-25 JP JP2014537607A patent/JP6058017B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-17 IL IL229946A patent/IL229946B/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-25 HK HK14111899A patent/HK1198396A1/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI561489B (en) | 2016-12-11 |
| WO2013060768A2 (de) | 2013-05-02 |
| IL229946B (en) | 2018-10-31 |
| WO2013060768A3 (de) | 2013-07-11 |
| EP2771895B1 (de) | 2018-10-03 |
| DE102011116939A1 (de) | 2013-05-02 |
| JP2014531139A (ja) | 2014-11-20 |
| KR20140094503A (ko) | 2014-07-30 |
| PT2771895T (pt) | 2018-12-28 |
| CN104025221A (zh) | 2014-09-03 |
| CN104025221B (zh) | 2017-03-01 |
| MX361023B (es) | 2018-11-26 |
| TW201323372A (zh) | 2013-06-16 |
| US8992635B2 (en) | 2015-03-31 |
| HK1198396A1 (en) | 2015-04-17 |
| US20140285952A1 (en) | 2014-09-25 |
| MX2014004348A (es) | 2014-08-01 |
| EP2771895A2 (de) | 2014-09-03 |
| JP6058017B2 (ja) | 2017-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102144488B1 (ko) | Ta/Nb 시트에 스크린 프린팅된 무변형 애노드 | |
| JP5769528B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| JP6165499B2 (ja) | 多孔質チタン薄膜の製造方法 | |
| KR101873922B1 (ko) | 알루미늄 전해 커패시터용 전극 재료 및 이의 제조 방법 | |
| US20110053764A1 (en) | Porous aluminum material having improved bending strength and production method therefor | |
| US6510044B1 (en) | Paste for producing sintered refractory metal layers, notably earth acid metal electrolytic capacitors or anodes | |
| JP2011142305A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| KR20120028376A (ko) | 알루미늄 전해 커패시터 전극 재료 및 그 제조 방법 | |
| JP5976354B2 (ja) | 多孔質焼結金属およびその製造方法 | |
| JP2012054448A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| JP4665866B2 (ja) | バルブ金属複合電極箔の製造方法 | |
| AU2022437514A1 (en) | Titanium porous body, and titanium porous body manufacturing method | |
| JPWO2016136804A1 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| WO2019073616A1 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| KR100492434B1 (ko) | 소결된 내화성 금속 층, 특히 산성 토금속의 전해 축전기또는 애노드 제조용 페이스트 | |
| JP4665854B2 (ja) | バルブ金属複合電極箔およびその製造方法 | |
| JP2022143009A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| JP2011044321A (ja) | 燃料電池用ガス拡散層付きセパレータの製造方法 | |
| JP2005263538A (ja) | 複合セラミックシートの製造方法およびこれを用いたセラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2011198873A (ja) | 多孔質バルブ金属電極の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |