KR102101562B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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노부유키 미야지
마코토 다카오카
나오키 사와자키
츠요시 오쿠무라
아츠야스 미우라
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Abstract

기판 처리 방법은, 수평으로 기판을 유지하는 기판 유지 공정과, 물을 함유하는 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 처리액 공급 공정과, 물보다 낮은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써 상기 기판 상의 처리액을 상기 저표면 장력 액체로 치환함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 저표면 장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막의 중앙 영역에 기체를 공급시킴으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과, 상기 액막을 배제하기 위해서 상기 개구를 확대시키는 개구 확대 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 연직 방향을 따른 소정의 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 내측에 설정된 기체 공급 위치를 향해서 상기 기체를 내뿜고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 외측에 설정된 착액 위치를 향해서 상기 저표면 장력 액체를 공급하고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPRATUS}
이 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
매엽식 (枚葉式) 기판 처리 장치에 의한 기판 처리에서는, 기판이 1 매씩 처리된다. 상세하게는, 스핀 척에 의해 기판이 거의 수평으로 유지된다. 그리고, 기판의 상면이 약액에 의해 처리된 후, 린스액에 의해 기판의 상면이 린스된다. 그 후, 기판의 상면을 건조시키기 위해서 기판을 고속 회전시키는 스핀 드라이 공정이 실시된다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 기판의 표면에 미세한 패턴이 형성되어 있는 경우, 스핀 드라이 공정에서는, 패턴 내부에 들어간 린스액을 제거할 수 없을 우려가 있다. 그로 인해, 건조 불량이 생길 우려가 있다. 패턴 내부에 들어간 린스액의 액면 (공기와 액체의 계면) 은, 패턴 내에 형성된다. 그 때문에, 액면과 패턴의 접촉 위치에, 액체의 표면 장력이 작용한다. 이 표면 장력이 큰 경우에는, 패턴의 도괴가 일어나기 쉽다. 전형적인 린스액인 물은, 표면 장력이 크기 때문에, 스핀 드라이 공정에 있어서의 패턴의 도괴를 무시할 수 없다.
그래서, 물보다 표면 장력이 낮은 저표면 장력 액체인 이소프로필 알코올 (Isopropyl Alcohol:IPA) 을 사용하는 수법이 제안되어 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-21597호를 참조).
일본 공개특허공보 2016-21597호에 기재된 기판 처리에서는, 기판 상의 린스액을 IPA 로 치환한 후, 기판 상에 형성된 IPA 의 액막이, 원심력에 의해, 기판 외로 배제된다. 상세하게는, 기판 상의 IPA 의 액막의 중앙 영역에 원 형상의 개구가 형성되고, 이 개구가 넓어짐으로써, 기판 상으로부터 IPA 가 배제된다. IPA 의 휘발성이 비교적 높기 때문에, 증발에 의해, IPA 의 액막은 얇아지기 쉽다. IPA 의 액막이 개구 근방에서 얇아진 경우, 회전 방향의 전역에 있어서 개구가 균일한 속도로 (원 형상을 유지한 채로) 넓어지지 않는 경우가 있다. 상세하게는, 개구의 주연 (周緣) 의 일부가 기판의 주연을 향해서 방사상으로 연장됨으로써, 액막이 분열되는 경우가 있다. 이에 따라, 기판의 상면에 부분적으로 IPA 의 액적이 남는다. 이 액적은, 최종적으로 증발할 때까지, IPA (IPA 에 용해된 미량의 수분을 포함하는 경우가 있다) 의 액면이 패턴에 대해서 표면 장력을 계속 작용한다. 그에 따라, 패턴 도괴가 일어날 우려가 있다.
그래서, 이 발명의 목적은, 기판 상의 저표면 장력 액체를 양호하게 배제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명은, 수평으로 기판을 유지하는 기판 유지 공정과, 물을 함유하는 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 처리액 공급 공정과, 물보다 낮은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써 상기 기판 상의 처리액을 상기 저표면 장력 액체로 치환함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 저표면 장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막의 중앙 영역에 기체를 공급시킴으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과, 상기 액막을 배제하기 위해서 상기 개구를 확대시키는 개구 확대 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 연직 방향을 따른 소정의 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 내측에 설정된 기체 공급 위치를 향해서 상기 기체를 내뿜고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 외측에 설정된 착액 위치를 향해서 상기 저표면 장력 액체를 공급하고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 저표면 장력 액체의 액막에 형성된 개구를 확대시켜, 기판 상으로부터 액막을 배제할 때에, 기판 회전 공정과 기체 공급 위치 이동 공정과 착액 위치 이동 공정이 실행된다.
개구의 확대 중에 기판이 회전됨으로써, 액막에는 원심력이 작용하고, 액막이 기판 외로 밀려나온다. 기체 위치 이동 공정에서는, 개구의 주연보다 내측에 설정된 기체 공급 위치가 기판의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 개구의 확대 중에 있어서, 액막의 내주연 (內周緣) 에는, 기체의 분사력이 작용한다. 기체의 분사력이란, 기체의 내뿜음에 의해 작용하는 힘이다. 기체의 분사력이 액막의 내주연에 작용함으로써, 한층 확실하게 액막이 기판 외로 밀려나온다. 따라서, 개구의 주연보다 내측에 있어서의 저표면 장력 액체의 액적의 잔류가 억제된다. 요컨대, 개구의 주연보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다.
한편, 원심력 및 분사력에 의해 기판 외에 배출되는 저표면 장력 액체가 증대하고, 원심력 및 분사력에 의해 개구의 근방에서 액막이 얇아지는 경우가 있다. 착액 위치 이동 공정에서는, 개구의 주연보다 외측에 설정된 착액 위치가, 기판의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 액막의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 원심력 및 분사력에 의해 개구의 근방에서 액막이 얇아지는 것이 억제된다. 따라서, 회전 방향의 전역에 있어서 개구를 균일한 속도로 확대시킬 수 있다.
이상과 같이, 회전 방향의 전역에 있어서 개구를 균일한 속도로 확대시키면서, 개구의 주연보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다. 그 결과, 기판 상의 저표면 장력 액체를 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 착액 위치 이동 공정이, 상기 저표면 장력 액체의 공급에 의해 상기 액막의 내주연에 액마운팅을 형성하면서, 상기 착액 위치를 이동시키는 공정을 포함한다. 액마운팅이란, 액막에 있어서 다른 부분보다 두께가 두꺼운 부분이다.
이 방법에 의하면, 저표면 장력 액체의 공급에 의해 액막의 내주연에 액마운팅이 형성된 상태에서, 착액 위치가 이동한다. 그 때문에, 개구의 주연 근방에 있어서의 액막의 두께를 한층 충분히 확보할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 개구 형성 공정과 병행하여 상기 액막에 상기 저표면 장력 액체를 공급하는 저표면 장력 액체 공급 공정을 추가로 포함한다. 그 때문에, 개구의 형성시에, 개구의 주연의 근방에 있어서의 액막의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 개구 형성시의 기체의 공급에 의해, 개구의 주연 근방에 있어서의 저표면 장력 액체가 밀려났다고 해도, 개구의 주연 근방에 있어서의 액막의 두께가 충분히 유지된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 상기 기체의 공급을 계속하는 기체 공급 계속 공정을 추가로 포함한다. 그 때문에, 개구의 확대 중, 액막에 분사력을 계속 작용시킬 수 있다. 따라서, 개구의 주연보다 내측을 한층 양호하게 건조시킬 수 있다.
개구의 확대에 의해 개구의 주연이 기판의 상면의 주연에 가까워지면, 기판 상의 저표면 장력 액체의 전체 양이 적어진다. 그 때문에, 개구의 주연이 기판의 상면의 주연에 가까워지면, 액막의 온도가 저하되기 쉽다. 또, 액막의 온도가 저하됨으로써, 기판이 건조되기 어려워진다. 그 때문에, 기판의 상면의 주연 영역을 양호하게 건조시킬 수 없을 우려가 있다.
그래서, 이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 회전 공정이, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도보다 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도가 작아지도록, 상기 기판의 회전을 감속시키는 회전 감속 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워졌을 때에, 액막을 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는, 기판 상에 존재하는 저표면 장력 액체의 감소를 억제할 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 상면의 주연 영역을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 회전 감속 공정이, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연을 향함에 따라서 상기 기판의 회전 속도가 저하되도록, 상기 기판의 회전을 감속시키는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워짐에 따라서, 액막을 서서히 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 개구의 주연이, 중앙 영역과 주연 영역의 사이의 영역에 위치할 때에도, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는, 기판 상에 존재하는 저표면 장력 액체의 감소를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 상면의 어느 위치에 개구의 주연이 위치하는 경우이더라도, 액막의 온도 변화를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판의 상면의 전역에 있어서, 개구를 양호하게 확대시킬 수 있다. 나아가서는, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
액막에 저표면 장력 액체가 착액할 때, 저표면 장력 액체가 튀어 기판의 상면에 있어서 개구보다 내측에 부착될 우려가 있다.
그래서, 이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기체 공급 위치 이동 공정이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 기체 노즐로부터 상기 기체를 토출하는 기체 경사 토출 공정과, 상기 기체 노즐을 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 이동시킴으로써, 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 노즐 이동 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 기체 노즐로부터 기체가 토출된다. 그 때문에, 액막에 저표면 장력 액체가 착액할 때에 튄 저표면 장력 액체가, 기판의 상면에 있어서 개구보다 내측에 부착되기 전에, 기체에 의해 되돌려져 다시 액막에 착액한다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 공정을 추가로 포함하고, 상기 기판 가열 공정이, 상기 개구 확대 공정과 병행하여 실행된다. 이에 따라, 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 또는, 액막의 온도를 상승시킬 수 있다. 그 때문에, 기판의 상면의 건조 속도가 향상된다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 착액 위치 이동 공정이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향을 따라, 저표면 장력 액체 노즐로부터 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 경사 토출 공정과, 상기 저표면 장력 액체 노즐을 상기 기판의 주연을 향하여 이동시킴으로써, 상기 착액 위치를 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 저표면 장력 액체 노즐로부터 저표면 장력 액체가 토출된다. 그 때문에, 액막에 저표면 장력 액체가 착액할 때에 저표면 장력 액체가 튀는 방향을, 기판의 주연측으로 향하게 할 수 있다. 따라서, 액막으로부터 튄 저표면 장력 액체의, 기판의 상면에 있어서의 개구보다 내측의 부분으로의 부착이 억제된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 착액 위치 이동 공정이, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도보다, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도가 작아지도록, 상기 착액 위치의 이동을 감속시키는 이동 감속 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 개구의 주연이 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때에 액막에 공급되는 저표면 장력 액체의 총량을 증대시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 상의 액막의 열량이 기판에 의해 빼앗겼다고 해도, 새롭게 액막에 공급되는 저표면 장력 액체에 의해 열량을 보충할 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 물을 함유하는 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 처리액 공급 유닛과, 물보다 작은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급하는 저표면 장력 액체 공급 유닛과, 상기 기판의 상면에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛과, 연직 방향을 따른 소정의 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 유닛과, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 기체가 공급되는 위치인 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 유닛과, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체가 착액하는 위치인 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 유닛과, 상기 기판 유지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛, 상기 기체 공급 유닛, 상기 기판 회전 유닛, 상기 기체 공급 위치 이동 유닛 및 상기 착액 위치 이동 유닛을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 기판 유지 유닛에 의해 상기 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 공정과, 상기 기판의 상면을 향해서 상기 처리액 공급 유닛으로부터 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 기판의 상면을 향해서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급하여, 상기 저표면 장력 액체로 상기 처리액을 치환함으로써, 상기 기판의 상면에 상기 저표면 장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 액막의 중앙 영역에 상기 기체를 공급함으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과, 상기 액막을 배제하기 위해서 상기 개구를 확대시키는 개구 확대 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판 회전 유닛에 의해 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 내측에 설정된 상기 기체 공급 위치를 향해서 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 기체를 내뿜고, 상기 기체 공급 위치 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연의 외측에 위치하도록 설정된 상기 착액 위치를 향해서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급하고, 상기 착액 위치 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 저표면 장력 액체의 액막에 형성된 개구를 확대시켜, 기판 상으로부터 액막을 배제할 때에, 기판 회전 공정과 기체 공급 위치 이동 공정과 착액 위치 이동 공정이 실행된다.
개구의 확대 중에 기판이 회전됨으로써, 액막에는 원심력이 작용하고, 액막이 기판 외로 밀려나온다. 기체 위치 이동 공정에서는, 개구의 주연보다 내측에 설정된 기체 공급 위치가 기판의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 개구의 확대 중에 있어서, 액막의 내주연에는, 기체의 분사력이 작용한다. 기체의 분사력이 액막의 내주연에 작용함으로써, 한층 확실하게 액막이 기판 외로 밀려나온다. 따라서, 개구의 주연보다 내측에 있어서의 저표면 장력 액체의 액적의 잔류가 억제된다. 요컨대, 개구의 주연보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다.
한편, 원심력 및 분사력에 의해 기판 외에 배출되는 저표면 장력 액체가 증대하고, 원심력 및 분사력에 의해 개구의 근방에서 액막이 얇아지는 경우가 있다. 착액 위치 이동 공정에서는, 개구의 주연보다 외측에 설정된 착액 위치가, 기판의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 액막의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 원심력 및 분사력에 의해 개구의 근방에서 액막이 얇아지는 것이 억제된다. 따라서, 회전 방향의 전역에 있어서 개구를 균일한 속도로 확대시킬 수 있다.
이상과 같이, 회전 방향의 전역에 있어서 개구를 균일한 속도로 확대시키면서, 개구의 주연보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다. 그 결과, 기판 상의 저표면 장력 액체를 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급함으로써, 상기 액막의 내주연에 액마운팅을 형성하면서, 상기 착액 위치를 이동시키는 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 저표면 장력 액체의 공급에 의해 액막의 내주연에 액마운팅이 형성된 상태에서, 착액 위치가 이동한다. 그 때문에, 개구의 주연 근방에 있어서의 액막의 두께를 한층 충분히 확보할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 개구 형성 공정과 병행하여, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 액막에 상기 저표면 장력 액체를 공급하는 저표면 장력 액체 공급 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다. 그 때문에, 개구의 형성시에, 개구의 주연의 근방에 있어서의 액막의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 개구 형성시의 기체의 공급에 의해, 개구의 주연 근방에 있어서의 저표면 장력 액체가 밀려났다고 해도, 개구의 주연 근방에 있어서의 액막의 두께가 충분히 유지된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 기체의 공급을 계속하는 기체 공급 계속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다. 그 때문에, 개구의 확대 중, 액막에 분사력을 계속 작용시킬 수 있다. 따라서, 개구의 주연보다 내측을 한층 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 기판 회전 공정에 있어서, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도보다 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도가 작아지도록, 상기 기판 회전 유닛에 의해, 상기 기판의 회전을 감속시키는 회전 감속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워졌을 때에, 액막을 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는, 기판 상에 존재하는 저표면 장력 액체의 감소를 억제할 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는, 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 상면의 주연 영역을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 회전 감속 공정에 있어서, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연을 향함에 따라서 상기 기판의 회전 속도가 저하되도록, 상기 기판 회전 유닛에 의해, 상기 기판의 회전을 감속시키는 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워짐에 따라서, 액막을 서서히 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 개구의 주연이, 중앙 영역과 주연 영역의 사이의 영역에 위치할 때에도, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는, 기판 상에 존재하는 저표면 장력 액체의 감소를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 상면의 어느 위치에 개구의 주연이 위치하는 경우이더라도, 액막의 온도 변화를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판의 상면의 전역에 있어서, 개구를 양호하게 확대시킬 수 있다. 나아가서는, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기체 공급 유닛이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향으로 상기 기체를 토출하는 기체 노즐을 포함한다. 그리고, 상기 기체 공급 위치 이동 유닛이, 상기 기판의 상면을 따라 상기 기체 노즐을 이동시키는 기체 노즐 이동 유닛을 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 상기 기체 노즐로부터 상기 기체를 토출하는 기체 경사 토출 공정과, 상기 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 상기 기체 노즐 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 상기 기체 노즐을 이동시키는 기체 노즐 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 기체 노즐로부터 기체가 토출된다. 그 때문에, 액막에 저표면 장력 액체가 착액할 때에 튄 저표면 장력 액체가, 기판의 상면에 있어서 개구보다 내측에 부착되기 전에, 개구보다 외측으로 기체에 의해 되돌려진다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 유닛을 추가로 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 기판 가열 유닛에 의해 상기 기판을 가열하는 기판 가열 공정을, 상기 개구 확대 공정과 병행하여 실행하도록 프로그램 되어 있다. 이에 따라, 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 또는, 액막의 온도를 상승시킬 수 있다. 그 때문에, 기판의 상면의 건조 속도가 향상된다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향으로 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 노즐을 포함한다. 그리고, 상기 착액 위치 이동 유닛이, 상기 기판의 상면을 따라 상기 저표면 장력 액체 노즐을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 유닛을 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 저표면 장력 액체 노즐로부터 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 경사 토출 공정과, 상기 저표면 장력 액체 노즐 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 상기 저표면 장력 액체 노즐을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 저표면 장력 액체 노즐로부터 저표면 장력 액체가 토출된다. 그 때문에, 액막에 저표면 장력 액체가 착액할 때에 저표면 장력 액체가 튀는 방향을, 기판의 주연측으로 향하게 할 수 있다. 따라서, 액막으로부터 튄 저표면 장력 액체의, 기판의 상면에 있어서의 개구보다 내측의 부분으로의 부착이 억제된다.
이 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도보다, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도가 작아지도록, 상기 착액 위치 이동 유닛에 의해, 상기 착액 위치의 이동을 감속시키는 이동 감속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있다.
이 구성에 의하면, 개구의 주연이 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때에 액막에 공급되는 저표면 장력 액체의 총량을 증대시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 상의 액막의 열량이 기판에 의해 빼앗겼다고 해도, 새롭게 액막에 공급되는 저표면 장력 액체에 의해 열량을 보충할 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면의 주연에 개구의 주연이 가까워지는 것에서 기인하는 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판 상의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1 은, 이 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2 는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3 은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4 는, 상기 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5A ∼ 도 5E 는, 상기 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 6A 는, 상기 기판 처리의 개구 형성 공정에 있어서의 액막의 상태를 나타내는 평면도이다.
도 6B 는, 상기 개구 확대 공정에 있어서의 액막의 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7 은, 상기 개구 확대 공정에 있어서의 기판의 회전 속도의 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8 은, 상기 개구 확대 공정에 있어서의 유기 용제 공급 유닛 및 기체 공급 유닛의 모습을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9 는, 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 10A ∼ 도 10C 는, 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 11 은, 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 12 는, 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 13 은, 제 4 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 14 는, 표면 장력에 의한 패턴 도괴의 원리를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
<제 1 실시형태>
도 1 은, 이 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
기판 처리 장치 (1) 는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 을 1 매씩 처리하는 매엽식 장치이다. 이 실시형태에서는, 기판 (W) 은, 원판상의 기판이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 과, 처리 유닛 (2) 으로 처리되는 복수 매의 기판 (W) 을 수용하는 캐리어 (C) 가 재치 (載置) 되는 로드 포토 (LP) 와, 로드 포토 (LP) 와 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (IR 및 CR) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 컨트롤러 (3) 를 포함한다. 처리액에는, 후술하는 약액, 린스액, 유기 용제 등이 포함된다. 반송 로봇 (IR) 은, 캐리어 (C) 와 반송 로봇 (CR) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 반송 로봇 (CR) 은, 반송 로봇 (IR) 과 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 예를 들어, 동일한 구성을 가지고 있다.
도 2 는, 처리 유닛 (2) 의 구성 예를 설명하기 위한 모식도이다.
처리 유닛 (2) 은, 컵 (4) 과, 스핀 척 (5) 과, 대향 부재 (6) 와, 약액 공급 유닛 (7) 과, 린스액 공급 유닛 (8) 과, 유기 용제 공급 유닛 (9) 과, 기체 공급 유닛 (10) 과, 가열 유체 공급 유닛 (11) 을 포함한다.
스핀 척 (5) 은, 1 매의 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 지나는 연직인 회전축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시킨다. 컵 (4) 은, 통형상의 형태를 가지고 있고, 스핀 척 (5) 을 둘러싼다. 컵 (4) 은, 상향으로 열린 환상 (環狀) 의 홈을 가지고 있다. 컵 (4) 의 홈에는, 회수 배관 (도시하지 않음) 또는 배출 배관 (도시하지 않음) 이 접속되어 있다. 컵 (4) 은, 기판 (W) 으로부터 비산하는 처리액을 받는다. 컵 (4) 이 받은 처리액은, 회수 배관 또는 배출 배관을 통해서, 회수 또는 폐기된다.
처리 유닛 (2) 은, 컵 (4) 을 수용하는 챔버 (14) 를 추가로 포함한다. 챔버 (14) 에는, 챔버 (14) 의 내부 공간 (14A) 에 기판 (W) 을 반입하거나, 챔버 (14) 내로부터 기판 (W) 을 반출하거나 하기 위한 출입구 (14B) 가 형성되어 있다. 챔버 (14) 에는, 출입구 (14B) 를 개폐하는 셔터 유닛 (14C) 이 구비되어 있다.
스핀 척 (5) 은, 척 핀 (20) 과, 스핀 베이스 (21) 와, 회전축 (22) 과, 회전축 (22) 에 회전력을 부여하는 전동 모터 (23) 를 포함한다. 스핀 베이스 (21) 는, 수평 방향을 따른 원판 형상을 가지고 있다. 스핀 베이스 (21) 의 상면에는, 복수의 척 핀 (20) 이 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 복수의 척 핀 (20) 은, 개폐 유닛 (24) 에 의해 개폐된다. 복수의 척 핀 (20) 은, 개폐 유닛 (24) 에 의해 닫힌 상태가 됨으로써 기판 (W) 을 수평으로 유지 (협지 (挾持)) 한다. 복수의 척 핀 (20) 은, 개폐 유닛 (24) 에 의해 열린 상태가 됨으로써 기판 (W) 을 해방한다. 복수의 척 핀 (20) 및 스핀 베이스 (21) 는, 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛에 포함된다. 기판 유지 유닛은, 기판 홀더라고도 한다.
회전축 (22) 은, 회전축선 (A1) 을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 회전축 (22) 의 상단부는, 스핀 베이스 (21) 의 하면 중앙에 결합되어 있다. 평면에서 봤을 때의 스핀 베이스 (21) 의 중앙 영역에는, 스핀 베이스 (21) 를 상하로 관통하는 관통공 (21a) 이 형성되어 있다. 관통공 (21a) 은, 회전축 (22) 의 내부 공간 (22a) 과 연통되어 있다. 전동 모터 (23) 는, 회전축 (22) 에 회전력을 부여한다. 전동 모터 (23) 에 의해 회전축 (22) 이 회전됨으로써, 스핀 베이스 (21) 가 회전된다. 이에 따라, 기판 (W) 이 회전축선 (A1) 의 둘레로 회전된다. 이하에서는, 기판 (W) 의 회전 직경 방향 내방을 간단히 「직경 방향 내방」 이라고 하고, 기판 (W) 의 회전 직경 방향 외방을 간단히 「직경 방향 외방」 이라고 한다. 전동 모터 (23) 는, 기판 (W) 을 회전축선 (A1) 의 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛에 포함된다.
대향 부재 (6) 는, 기판 (W) 과 거의 동일한 직경 또는 그 이상의 직경을 갖는 원판상으로 형성되고, 스핀 척 (5) 의 상방에서 거의 수평으로 배치되어 있다. 대향 부재 (6) 는, 기판 (W) 의 상면에 대향하는 대향면 (6a) 을 갖는다. 대향 부재 (6) 에 있어서 대향면 (6a) 과는 반대측의 면에는, 중공축 (26) 이 고정되어 있다. 대향 부재 (6) 에 있어서 평면에서 봤을 때 회전축선 (A1) 과 겹치는 위치를 포함하는 부분에는, 대향 부재 (6) 를 상하로 관통하고, 중공축 (26) 의 내부 공간과 연통하는 연통공 (6b) 이 형성되어 있다.
처리 유닛 (2) 은, 대향 부재 (6) 의 승강을 구동하는 대향 부재 승강 유닛 (27) 과, 대향 부재 (6) 를 회전축선 (A1) 둘레로 회전시키는 대향 부재 회전 유닛 (28) 을 추가로 포함한다.
대향 부재 승강 유닛 (27) 은, 하위치로부터 상위치까지의 임의의 위치 (높이) 에 대향 부재 (6) 를 위치시킬 수 있다. 하위치란, 대향 부재 (6) 의 가동 범위에 있어서, 대향 부재 (6) 의 대향면 (6a) 이 기판 (W) 에 가장 근접하는 위치이다. 상위치란, 대향 부재 (6) 의 가동 범위에 있어서 대향 부재 (6) 의 대향면 (6a) 이 기판 (W) 으로부터 가장 이간하는 위치이다. 대향 부재 승강 유닛 (27) 은, 예를 들어, 볼나사 기구 (도시하지 않음) 와, 거기에 구동력을 부여하는 전동 모터 (도시하지 않음) 를 포함한다.
대향 부재 회전 유닛 (28) 은, 중공축 (26) 을 회전시킴으로써 대향 부재 (6) 를 회전시킨다. 대향 부재 회전 유닛 (28) 은, 중공축 (26) 에 구동력을 전달하는 전동 모터 (도시하지 않음) 를 포함한다.
약액 공급 유닛 (7) 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 약액을 공급하는 유닛이다. 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역은, 기판 (W) 의 상면과 회전축선 (A1) 의 교차 위치를 포함하는 기판 (W) 의 상면의 중앙 부근의 영역이다. 또, 기판 (W) 의 상면의 주연을 포함하는 기판 (W) 의 상면의 주연 부근의 영역을 주연 영역이라고 한다. 약액 공급 유닛 (7) 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역을 향해서 약액을 토출하는 약액 노즐 (30) 과, 약액 노즐 (30) 에 결합된 약액 공급관 (31) 과, 약액 공급관 (31) 에 개재 장착된 약액 밸브 (32) 를 포함한다. 약액 공급관 (31) 에는, 약액 공급원으로부터, 불산 (불화 수소수：HF) 등의 약액이 공급되고 있다. 약액 밸브 (32) 는, 약액 공급관 (31) 내의 유로를 개폐한다. 약액 노즐 (30) 은, 수평 방향 및 연직 방향에 있어서의 위치가 고정된 고정 노즐이다.
약액 노즐 (30) 로부터 토출되는 약액은, 불산에 한정되지 않는다. 약액 노즐 (30) 로부터 토출되는 약액은, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 버퍼드 불산 (BHF), 희불산 (DHF), 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어, 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH：테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 1 개를 포함하는 액이어도 된다. 이들을 혼합한 약액의 예로는, SPM (황산 과산화수소수 혼합액), SC1 (암모니아 과산화수소수 혼합액), SC2 (염산 과산화수소수 혼합액) 등을 들 수 있다.
린스액 공급 유닛 (8) 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 린스액을 공급하는 유닛이다. 린스액 공급 유닛 (8) 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역을 향해서 린스액을 토출하는 린스액 노즐 (40) 과, 린스액 노즐 (40) 에 결합된 린스액 공급관 (41) 과, 린스액 공급관 (41) 에 개재 장착된 린스액 밸브 (42) 를 포함한다. 린스액 공급관 (41) 에는, 린스액 공급원으로부터, 탈이온수 (Deionized Water:DIW) 등의 린스액이 공급되고 있다. 린스액 밸브 (42) 는, 린스액 공급관 (41) 내의 유로를 개폐한다. 린스액 노즐 (40) 은, 수평 방향 및 연직 방향에 있어서의 위치가 고정된 고정 노즐이다.
린스액 노즐 (40) 로부터 토출되는 린스액은, DIW 에 한정되지 않는다. 린스액 노즐 (40) 로부터 토출되는 린스액은, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 암모니아수, 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수, 환원수 (수소수) 여도 된다. 린스액 노즐 (40) 로부터 토출되는 린스액은, 고온의 DIW 여도 된다. 고온의 DIW 는, 예를 들어 80 ℃ ∼ 85 ℃ 의 DIW 이다. 이와 같이, 린스액 노즐 (40) 로부터 토출되는 린스액은, 수용액 또는 물이다. 요컨대, 린스액 노즐 (40) 로부터 토출되는 린스액은, 물을 함유한다. 린스액 노즐 (40) 을 구비하는 린스액 공급 유닛 (8) 은, 물을 함유하는 처리액을 기판 (W) 의 상면에 공급하는 처리액 공급 유닛의 일례이다.
유기 용제 공급 유닛 (9) 은, 기판 (W) 의 상면에 유기 용제를 공급하는 유닛이다. 유기 용제 공급 유닛 (9) 은, 기판 (W) 의 상면을 향해서 유기 용제를 토출하는 제 1 유기 용제 노즐 (50) 과, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 에 결합된 제 1 유기 용제 공급관 (51) 과, 제 1 유기 용제 공급관 (51) 에 개재 장착된 제 1 유기 용제 밸브 (52) 를 포함한다. 제 1 유기 용제 공급관 (51) 에는, 제 1 유기 용제 공급원으로부터, IPA 등의 유기 용제가 공급되고 있다. 제 1 유기 용제 밸브 (52) 는, 제 1 유기 용제 공급관 (51) 내의 유로를 개폐한다.
제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 경사 방향 (D1) 으로 유기 용제를 토출한다. 경사 방향 (D1) 은, 하방을 향함에 따라서, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 방향이다. 경사 방향 (D1) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도는, 예를 들어 5° ∼ 45° 이다. 도시의 편의상, 경사 방향 (D1) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도를 45° 보다 작은 각도로 도시하고 있지만, 이 교차 각도는, 45° 인 것이 바람직하다.
처리 유닛 (2) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 을 추가로 포함한다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 수평 방향으로의 이동에 의해, 중심 위치와 홈 위치 (퇴피 위치) 의 사이에서 기판 (W) 의 상면을 따라 이동된다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 중앙 위치에 위치할 때, 기판 (W) 의 상면의 회전 중심에 대향한다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 퇴피 위치에 위치할 때, 평면에서 봤을 때에, 컵 (4) 의 외방에 위치한다. 기판 (W) 의 상면의 회전 중심이란, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 회전축선 (A1) 과의 교차 위치이다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 연직 방향으로의 이동에 의해, 기판 (W) 의 상면에 접근하거나, 기판 (W) 의 상면으로부터 상방으로 퇴피하거나 할 수 있다.
유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 은, 예를 들어, 연직 방향을 따라 연장되는 회동축 (도시하지 않음) 과, 회동축에 결합되어 수평으로 연장되는 아암 (도시하지 않음) 과, 아암을 구동하는 아암 구동 기구 (도시하지 않음) 를 포함한다. 아암 구동 기구는, 회동축을 연직인 회동축선 둘레로 회동시킴으로써 아암을 요동시키고, 회동축을 연직 방향을 따라 승강함으로써, 아암을 상하동시킨다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은 아암에 고정된다. 아암의 요동 및 승강에 따라, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 이 수평 방향 및 연직 방향으로 이동한다.
유기 용제 공급 유닛 (9) 은, 기판 (W) 의 상면을 향해서 유기 용제를 토출하는 제 2 유기 용제 노즐 (60) 과, 제 2 유기 용제 노즐 (60) 에 결합된 제 2 유기 용제 공급관 (61) 과, 제 2 유기 용제 공급관 (61) 에 개재 장착된 제 2 유기 용제 밸브 (62) 를 추가로 포함한다. 제 2 유기 용제 공급관 (61) 에는, 제 2 유기 용제 공급원으로부터, IPA 등의 유기 용제가 공급되고 있다. 제 2 유기 용제 밸브 (62) 는, 제 2 유기 용제 공급관 (61) 내의 유로를 개폐한다.
제 2 유기 용제 노즐 (60) 은, 대향 부재 (6) 의 연통공 (6b) 에 삽입 통과 된 노즐 수용 부재 (29) 에 수용되어 있다. 노즐 수용 부재 (29) 의 하단부는, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 대향하고 있다. 제 2 유기 용제 노즐 (60) 은, 노즐 수용 부재 (29) 의 하단부로부터 노출되는 토출구 (60a) 를 갖는다.
유기 용제 공급 유닛 (9) 은, 본 실시형태에서는, IPA 등의 유기 용제를 공급하는 구성이다. 그러나, 유기 용제 공급 유닛 (9) 은, 물보다 표면 장력이 낮은 저표면 장력 액체를 기판 (W) 의 상면에 공급하는 저표면 장력 액체 공급 유닛으로서 기능하면 된다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 경사 방향 (D1) 으로 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 노즐로서 기능한다. 또, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 이, 기판 (W) 의 상면을 따라 저표면 장력 액체 노즐을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 유닛으로서 기능한다.
저표면 장력 액체는, IPA 에 한정되지 않는다. 저표면 장력 액체로는, 기판 (W) 의 상면 및 기판 (W) 에 형성된 패턴 (도 14 참조) 과 화학 반응하지 않는 (반응성이 부족하다) 유기 용제를 사용할 수 있다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출되는 유기 용제 및 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 토출되는 유기 용제는, IPA, HFE (하이드로플루오로에테르), 메탄올, 에탄올, 아세톤 및 Trans-1,2-디클로로에틸렌 중 적어도 1 개를 포함하는 유기 용제여도 된다.
제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출되는 유기 용제 및 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 토출되는 유기 용제는, 비점 또는 비점보다 약간 낮은 온도인 것이 바람직하다. 즉, 유기 용제가 IPA 인 경우, IPA 는, 76 ℃ ∼ 82.4 ℃ 인 것이 바람직하다.
기체 공급 유닛 (10) 은, 기판 (W) 의 상면에 기체를 공급하는 유닛이다. 기체 공급 유닛 (10) 은, 기판 (W) 의 상면을 향해서 기체를 토출하는 제 1 기체 노즐 (70) 과, 제 1 기체 노즐 (70) 에 결합된 제 1 기체 공급관 (71) 과, 제 1 기체 공급관 (71) 에 개재 장착된 제 1 기체 밸브 (72) 를 포함한다. 제 1 기체 공급관 (71) 에는, 제 1 기체 공급원으로부터, 질소 가스 (N2) 등의 기체가 공급되고 있다. 제 1 기체 밸브 (72) 는, 제 1 기체 공급관 (71) 내의 유로를 개폐한다.
제 1 기체 노즐 (70) 은, 경사 방향 (D2) 으로 기체를 토출한다. 경사 방향 (D2) 은, 하방을 향함에 따라서, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 방향이다. 경사 방향 (D2) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도는, 예를 들어 5° ∼ 45° 이다. 도시의 편의상, 경사 방향 (D2) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도를 45° 보다 작은 각도로 도시하고 있지만, 이 교차 각도는, 45° 인 것이 바람직하다.
처리 유닛 (2) 은, 제 1 기체 노즐 (70) 을 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 기체 노즐 이동 유닛 (16) 을 추가로 포함한다. 기체 노즐 이동 유닛 (16) 은, 기판 (W) 의 상면을 따라, 중심 위치와 홈 위치 (퇴피 위치) 의 사이에서, 제 1 기체 노즐 (70) 을 이동시킨다. 제 1 기체 노즐 (70) 은, 중앙 위치에 위치할 때, 기판 (W) 의 상면의 회전 중심에 대향한다. 퇴피 위치는, 컵 (4) 보다 직경 방향 외방의 위치이다. 제 1 기체 노즐 (70) 은, 연직 방향으로의 이동에 의해, 기판 (W) 의 상면에 접근하거나, 기판 (W) 의 상면으로부터 상방으로 퇴피하거나 할 수 있다.
기체 노즐 이동 유닛 (16) 은, 예를 들어, 연직 방향을 따라 연장되는 회동축 (도시하지 않음) 과, 회동축에 결합되어 수평으로 연장되는 아암 (도시하지 않음) 과, 아암을 구동하는 아암 구동 기구 (도시하지 않음) 를 포함한다. 아암 구동 기구는, 회동축을 연직인 회동축선 둘레로 회동시킴으로써 아암을 요동시키고, 회동축을 연직 방향을 따라 승강함으로써, 아암을 상하동시킨다. 제 1 기체 노즐 (70) 은 아암에 고정된다. 아암의 요동 및 승강에 따라, 제 1 기체 노즐 (70) 이 수평 방향 및 연직 방향으로 이동한다.
기체 공급 유닛 (10) 은, 기판 (W) 의 상면을 향해서 기체를 토출하는 제 2 기체 노즐 (80) 과, 제 2 기체 노즐 (80) 에 결합된 제 2 기체 공급관 (81) 과, 제 2 기체 공급관 (81) 에 개재 장착된 제 2 기체 밸브 (82) 를 추가로 포함한다. 제 2 기체 공급관 (81) 에는, 제 2 기체 공급원으로부터, 고온의 질소 가스 (N2 (Hot)) 등의 기체가 공급되고 있다. 제 2 기체 밸브 (82) 는, 제 2 기체 공급관 (81) 내의 유로를 개폐한다. 고온의 질소 가스는, 약 75 ℃ 로 가열된 질소 가스이다.
제 2 기체 노즐 (80) 은, 제 2 유기 용제 노즐 (60) 과 함께 노즐 수용 부재 (29) 에 수용되어 있다. 제 2 기체 노즐 (80) 의 선단은, 노즐 수용 부재 (29) 의 하단부로부터 노출되어 있다.
제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 기체 및 제 2 기체 노즐 (80) 노즐로부터 토출되는 기체는, 질소 가스에 한정되지 않는다. 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 기체 및 제 2 기체 노즐 (80) 노즐로부터 토출되는 기체는, 불활성 가스인 것이 바람직하다. 불활성 가스는, 기판 (W) 의 상면 및 패턴에 대해서 불활성인 가스를 말하며, 예를 들어 아르곤 등의 희가스류여도 된다. 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 기체는, 공기여도 된다.
가열 유체 공급 유닛 (11) 은, 기판 (W) 의 하면의 중앙 영역에 가열 유체를 공급하는 유닛이다. 기판 (W) 의 하면의 중앙 영역은, 기판 (W) 의 하면과 회전축선 (A1) 의 교차 위치를 포함하는 기판 (W) 의 하면의 중앙 부근의 영역이다. 가열 유체 공급 유닛 (11) 은, 기판 (W) 의 하면의 중앙 영역을 향해서 가열 유체를 토출하는 가열 유체 노즐 (90) 과, 가열 유체 노즐 (90) 에 결합된 가열 유체 공급관 (91) 과, 가열 유체 공급관 (91) 에 개재 장착된 가열 유체 밸브 (92) 를 포함한다. 가열 유체 공급관 (91) 에는, 가열 유체 공급원으로부터, 고온의 질소 가스 (N2 (Hot)) 등의 가열 유체가 공급되고 있다. 가열 유체 밸브 (92) 는, 가열 유체 공급관 (91) 내의 유로를 개폐한다. 가열 유체 노즐 (90) 은, 회전축 (22) 에 삽입 통과되어 있다. 가열 유체 노즐 (90) 은, 스핀 베이스 (21) 의 상면으로부터 노출되는 토출구 (90a) 를 갖는다.
가열 유체 노즐 (90) 로부터 토출되는 가열 유체는, 고온의 질소에 한정되지 않는다. 가열 유체 노즐 (90) 로부터 토출되는 가열 유체는, 기판 (W) 을 가열할 수 있는 유체이면 된다. 가열 유체 노즐 (90) 로부터 토출되는 가열 유체는, 예를 들어, 온수여도 된다. 온수는, 실온보다 고온의 물이며, 예를 들어 80 ℃ ∼ 85 ℃ 의 물이다. 가열 유체 노즐 (90) 로부터 토출되는 가열 유체는, 수증기여도 된다. 가열 유체가 수증기이면, 온수보다 고온의 유체로 기판 (W) 을 가열할 수 있다.
도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 컨트롤러 (3) 는, 마이크로 컴퓨터를 구비하고 있고, 소정의 프로그램에 따라서, 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 제어 대상을 제어한다. 보다 구체적으로는, 컨트롤러 (3) 는, 프로세서 (CPU) (3A) 와, 프로그램이 격납된 메모리 (3B) 를 포함하고, 프로세서 (3A) 가 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리를 위한 다양한 제어를 실행하도록 구성되어 있다. 특히, 컨트롤러 (3) 는, 반송 로봇 (IR, CR), 전동 모터 (23), 개폐 유닛 (24), 대향 부재 승강 유닛 (27), 대향 부재 회전 유닛 (28), 및 밸브류 (32, 42, 52, 62, 72, 82, 92) 등의 동작을 제어한다.
도 4 는, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이며, 주로, 컨트롤러 (3) 가 프로그램을 실행함으로써 실현되는 처리가 도시되어 있다. 도 5A ∼ 도 5E 는, 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리에서는, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기판 반입 (S1), 약액 처리 (S2), 린스 처리 (S3), 유기 용제 처리 (S4), 건조 처리 (S5) 및 기판 반출 (S6) 이 이 순번으로 실행된다.
먼저, 도 1 을 참조하여, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리에서는, 기판 (W) 이, 반송 로봇 (IR, CR) 에 의해 캐리어 (C) 로부터 처리 유닛 (2) 에 반입되고, 스핀 척 (5) 에 건네진다 (스텝 S1：기판 반입).
그리고, 도 2 를 참조하여, 개폐 유닛 (24) 이, 척 핀 (20) 을 닫힌 상태로 한다. 이 후, 기판 (W) 은, 반송 로봇 (CR) 에 의해 반출될 때까지의 동안, 척 핀 (20) 에 의해, 스핀 베이스 (21) 의 상면으로부터 상방에 간격을 두고 수평으로 유지된다 (기판 유지 공정). 그리고, 전동 모터 (23) 가 스핀 베이스 (21) 의 회전을 개시시킨다. 이에 따라, 기판 (W) 의 회전이 개시된다 (기판 회전 공정). 그리고, 대향 부재 승강 유닛 (27) 이 대향 부재 (6) 를 상위치에 위치시킨다. 그리고, 대향 부재 회전 유닛 (28) 이 대향 부재 (6) 를 기판 (W) 과 동기 회전시킨다. 동기 회전이란, 동일한 방향으로 동일한 회전 속도로 회전하는 것을 말한다. 기판 (W) 의 회전 중, 대향 부재 (6) 는, 항상 동기 회전하고 있어도 된다. 그리고, 제 2 기체 밸브 (82) 가 열린다. 이에 따라, 고온의 질소 가스에 의한 챔버 (14) 내의 분위기의 치환이 개시된다 (분위기 치환 공정).
그리고, 약액 처리 (S2) 가 개시된다. 약액 처리 (S2) 에서는, 기판 (W) 상에 약액으로서 불산 (HF) 을 공급함으로써, 기판 (W) 의 상면에 에칭 등의 처리가 실시된다.
구체적으로는, 약액 밸브 (32) 가 열린다. 이에 따라, 약액 공급 유닛 (7) 의 약액 노즐 (30) 로부터 회전 상태의 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 불산 (약액) 이 공급된다. 불산은 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면 전체에 널리 퍼진다. 불산은, 원심력에 의해 기판 (W) 으로부터 직경 방향 외방으로 비산한다. 약액 처리 (S2) 에서는, 전동 모터 (23) 가, 기판 (W) 을 예를 들어 1500 rpm 으로 회전시킨다.
일정 시간의 약액 처리 (S2) 후, 린스 처리 (S3) 가 실행된다. 린스 처리에서는, 기판 (W) 상의 불산 (약액) 을 DIW (린스액) 로 치환함으로써, 기판 (W) 의 상면이 린스 된다.
구체적으로는, 약액 밸브 (32) 가 닫힌다. 이에 따라, 약액 노즐 (30) 로부터의 불산의 토출이 정지된다. 그리고, 린스액 밸브 (42) 가 열린다. 이에 따라, 도 5A 에 나타내는 바와 같이, 린스액 공급 유닛 (8) 의 린스액 노즐 (40) 로부터 회전 상태의 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역을 향해서 린스액 (물을 함유하는 처리액) 으로서의 DIW 가 공급된다 (처리액 공급 공정). DIW 는 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면 전체에 널리 퍼진다. 이에 따라, 기판 (W) 상의 불산이 DIW 에 의해 치환된다. 불산 및 DIW 의 혼합액이나 DIW 는, 원심력에 의해 기판 (W) 으로부터 직경 방향 외방으로 비산한다. 린스 처리 (S3) 에서는, 전동 모터 (23) 가, 기판 (W) 을 예를 들어 1500 rpm 으로 회전시킨다.
일정 시간의 린스 처리 (S3) 후, 유기 용제 처리 (S4) 가 실행된다. 유기 용제 처리 (S4) 에서는, 기판 (W) 상의 DIW (린스액) 가 IPA (유기 용제) 로 치환된다.
구체적으로는, 린스액 밸브 (42) 가 닫힌다. 이에 따라, 린스액 노즐 (40) 로부터의 DIW 의 토출이 정지된다. 그리고, 전동 모터 (23) 가, 기판 (W) 의 회전을 감속하고, 기판 (W) 의 회전 속도를 저속도 (예를 들어, 10 rpm) 로 한다. 그리고, 제 1 유기 용제 밸브 (52) 가 열린다. 이에 따라, 도 5B 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 공급 유닛 (9) 의 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 회전 상태의 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역을 향해서 유기 용제 (저표면 장력 액체) 로서의 IPA 가 공급된다 (저표면 장력 액체 액 공급 공정). 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 공급되는 IPA 는, 76 ℃ ∼ 82.4 ℃ 이다. IPA 는 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면 전체에 널리 퍼진다. 이에 따라, 기판 (W) 상의 DIW 가 IPA 에 의해 치환된다. DIW 및 IPA 의 혼합액이나 IPA 는, 원심력에 의해 기판 (W) 으로부터 직경 방향 외방으로 비산한다.
그리고, 가열 유체 밸브 (92) 가 열린다. 이에 따라, 가열 유체 공급 유닛 (11) 의 가열 유체 노즐 (90) 로부터, 가열 유체로서의 고온의 질소 가스 (N2 (Hot)) 가 기판 (W) 의 하면의 중앙 영역을 향해서 토출된다. 이에 따라, 기판 (W) 의 가열이 개시된다 (기판 가열 공정). 이와 같이, 가열 유체 공급 유닛 (11) 은, 기판 (W) 을 가열하는 기판 가열 유닛으로서 기능한다.
기판 (W) 상의 린스액이 IPA 에 의해 완전히 치환된 후, 제 2 유기 용제 밸브 (62) 가 닫힌다. 기판 (W) 의 회전 속도가 저속도가 되어 있기 때문에, 원심력에 의한 IPA 의 비산이 억제되고 있다. 그 때문에, 도 5C 에 나타내는 바와 같이, IPA 의 두꺼운 액막 (100) 이 기판 (W) 상에 형성되고 기판 (W) 상에서 유지된다. 액막 (100) 은, 기판 (W) 상면을 덮고 있다. 이와 같이, 기판 (W) 의 상면에 IPA 를 공급함으로써 기판 (W) 상의 DIW 를 IPA 로 치환함으로써, 기판 (W) 상에 액막 (100) 이 형성된다 (액막 형성 공정). 고온의 질소 가스에 의한 챔버 (14) 의 내부 공간 (14A) 의 분위기의 치환은, 액막 (100) 의 형성까지 완료되어 있는 것이 바람직하다.
도 5C 에 나타내는 바와 같이, 액막 (100) 의 형성과 병행하여, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 이 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 소정의 처리 위치를 향해서 이동시킨다. 또, 기체 노즐 이동 유닛 (16) 이 제 1 기체 노즐 (70) 을 소정의 처리 위치를 향해서 이동시킨다. 제 1 기체 노즐 (70) 의 처리 위치는, 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 직경 방향 외방으로 약간 어긋난 위치이다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 의 처리 위치란, 제 1 기체 노즐 (70) 의 처리 위치보다 약간 직경 방향 외방의 위치이다.
기체 노즐 이동 유닛 (16) 은, 제 2 유기 용제 밸브 (62) 가 닫혀졌을 때에 제 1 기체 노즐 (70) 이 처리 위치에 도달하도록, 제 1 기체 노즐 (70) 을 이동시킨다. 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 은, 제 2 유기 용제 밸브 (62) 가 닫혀졌을 때에 제 1 유기 용제 노즐 (50) 이 처리 위치에 도달하도록, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 이동시킨다.
일정 시간의 유기 용제 처리 (S4) 후, 건조 처리 (S5) 가 실행된다. 건조 처리 (S5) 에서는, IPA 의 액막 (100) 이 기판 (W) 상으로부터 배제됨으로써 (액막 배제 공정), 기판 (W) 이 건조된다.
구체적으로는, 전동 모터 (23) 는, 기판 (W) 의 회전 속도가 예를 들어 1000 rpm 이 될 때까지 기판 (W) 의 회전을 가속시킨다. 그리고, 액막 (100) 의 중앙 영역에 기체가 내뿜어지도록, 제 2 기체 밸브 (82) 의 개도가 조정된다. 이에 따라, 제 2 기체 노즐 (80) 로부터 토출되는 기체의 유량이 크게 된다. 제 2 기체 노즐 (80) 로부터 토출되는 기체에 의해, 도 5D 에 나타내는 바와 같이, 액막 (100) 의 중앙 영역에 평면에서 봤을 때 원 형상의 개구 (101) 가 형성된다 (개구 형성 공정). 개구 (101) 의 직경은, 예를 들어 30 ㎜ 정도이다. 개구 (101) 가 형성되면, 액막 (100) 은, 환상이 된다 (도 6A 참조). 액막 (100) 의 중앙 영역이란, 평면에서 봤을 때 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역과 겹치는 영역을 말한다. 개구 (101) 가 형성되면, 제 2 기체 밸브 (82) 의 개도가 조정되어, 제 2 기체 노즐 (80) 로부터 토출되는 질소 가스의 유량이 작게 된다.
그리고, 도 5E 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력에 의해 개구 (101) 가 확대된다 (개구 확대 공정). 바꾸어 말하면, 개구 확대 공정에 있어서 기판 회전 공정이 실행된다. 개구 확대 공정이 개시되면, 제 1 기체 밸브 (72) 가 열린다. 이에 따라, 처리 위치에 위치하는 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 기판 (W) 의 상면에 질소 가스 (기체) 가 공급된다. 또, 개구 확대 공정이 개시되면, 제 1 유기 용제 밸브 (52) 가 열린다. 이에 따라, 처리 위치에 위치하는 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 기판 (W) 의 상면을 향해서 IPA (유기 용제) 가 공급된다.
유기 용제 처리 (S4) 에서 개시된, 가열 유체 노즐 (90) 로부터의 질소 가스의 공급은, 개구 확대 공정에 있어서도 계속되고 있다. 요컨대, 기판 가열 공정이 개구 확대 공정과 병행하여 실행되고 있다.
제 1 기체 노즐 (70) 의 처리 위치는, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출된 기체는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 내뿜어지도록 설정되어 있다. 요컨대, 기판 (W) 의 상면에 있어서 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출된 질소 가스 (기체) 가 공급되는 (내뿜어지는) 위치 (기체 공급 위치 (P2)) 는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 설정되어 있다. 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측이란, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 직경 방향 내방을 말하며, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 회전축선 (A1) 측을 말한다.
제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출된 질소 가스의 분사력에 의해, 개구 (101) 의 확대가 촉진된다. 개구 (101) 는, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력과 질소 가스의 분사력의 양방에 의해 확대되고 있다. 또, 기판 (W) 이 회전하기 때문에, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출된 질소 가스는 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 전역에 대해서 균등하게 내뿜어진다. 그 때문에, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출된 질소 가스의 분사력을, 개구 (101) 의 주연 (101a) (액막 (100) 의 내주연) 에 대해서 회전 방향에 있어서 균등하게 작용시킬 수 있다. 이에 따라, 도 6B 에 나타내는 바와 같이, 개구 (101) 는, 원 형상을 유지한 채로 확대된다.
한편, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 의 처리 위치는, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출된 IPA 가 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측에 착액하도록 설정되어 있다. 요컨대, 기판 (W) 의 상면에 있어서 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출된 유기 용제 (저표면 장력 액체) 로서의 IPA 가 착액하는 위치 (착액 위치 (P1)) 는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측에 설정되어 있다. 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측이란, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 직경 방향 외방을 말하며, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 기판 (W) 의 주연측을 말한다.
개구 확대 공정에 있어서, 기체 노즐 이동 유닛 (16) 은, 제 1 기체 노즐 (70) 을 기판 (W) 의 주연을 향해서 이동시킨다 (기체 노즐 이동 공정). 이에 따라, 도 6B 에 나타내는 바와 같이, 기체 공급 위치 (P2) 가, 기판 (W) 의 주연을 향해서 이동된다 (기체 공급 위치 이동 공정). 이와 같이, 기체 노즐 이동 유닛 (16) 은, 기체 공급 위치 이동 유닛으로서 기능한다. 또, 개구 확대 공정에 있어서, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) (저표면 장력 액체 노즐) 을 기판 (W) 의 주연을 향해서 이동시킨다 (저표면 장력 액체 노즐 이동 공정). 이에 따라, 도 6B 에 나타내는 바와 같이, 착액 위치 (P1) 가, 기판 (W) 의 주연을 향해서 이동된다 (착액 위치 이동 공정). 이와 같이, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 은, 착액 위치 이동 유닛으로서 기능한다. 상세하게는 후술하지만, 개구 확대 공정에서는, 개구 (101) 의 확대에 따라, 기판 (W) 의 회전 속도 및 착액 위치 (P1) 의 이동 속도가 변화된다.
개구 (101) 가 확대됨으로써, 액막 (100) 이 기판 (W) 의 상면으로부터 배제된다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터의 IPA 의 토출은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 이 기판 (W) 의 주연에 도달한 시점에서 종료한다. 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스 (기체) 의 토출은, 액막 (100) 이 기판 (W) 의 상면으로부터 완전하게 배제된 시점에서 종료된다. 요컨대, 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 공급은, 중단되는 일 없이 계속된다 (기체 공급 계속 공정).
액막 (100) 이 기판 (W) 의 상면으로부터 배제된 시점에서 가열 유체 노즐 (90) 로부터의 질소 가스 (가열 유체) 의 토출도 종료된다. 액막 (100) 이 기판 (W) 의 상면으로부터 배제된 시점에서 제 2 기체 노즐 (80) 로부터의 질소 가스 (기체) 의 토출도 종료된다.
기판 (W) 상으로부터 액막 (100) 이 배제되면, 기판 (W) 의 상면의 액 성분이 원심력에 의해 털어내어진다. 구체적으로는, 대향 부재 승강 유닛 (27) 이 대향 부재 (6) 를 하위치로 이동시킨다. 그리고, 전동 모터 (23) 가 기판 (W) 을, 예를 들어, 2000 rpm 으로 고속 회전시킨다. 이에 따라, 기판 (W) 이 건조된다.
그 후, 전동 모터 (23) 가 스핀 척 (5) 의 회전을 정지시킨다. 그리고, 대향 부재 승강 유닛 (27) 이 대향 부재 (6) 를 상위치로 이동시킨다. 그리고, 개폐 유닛 (24) 이, 척 핀 (20) 을 열린 상태로 한다. 그 후, 도 1 도 참조하여, 반송 로봇 (CR) 이, 처리 유닛 (2) 에 진입하여, 스핀 척 (5) 으로부터 처리가 끝난 기판 (W) 을 들어올려, 처리 유닛 (2) 외로 반출한다 (S7). 그 기판 (W) 은, 반송 로봇 (CR) 으로부터 반송 로봇 (IR) 으로 건네지고, 반송 로봇 (IR) 에 의해, 캐리어 (C) 에 수납된다.
다음으로, 개구 확대 공정의 상세한 내용에 대해서 설명한다. 전술한 바와 같이, 개구 확대 공정에서는, 개구 (101) 의 확대에 따라, 기판 (W) 의 회전 속도가 변화된다. 도 7 은, 개구 확대 공정에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도의 변화를 설명하기 위한 그래프이다. 도 7 에서는, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 위치를 가로축으로 한다. 가로축에서는, 회전축선 (A1) 의 위치를 원점으로 하고 있다. 도 7 에서는, 기판 (W) 의 회전 속도를 세로축으로 하고 있다. 개구 확대 공정의 개시시에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도를 제 1 회전 속도 (R1) 로 한다. 또, 개구 확대 공정의 종료시에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도를 제 2 회전 속도 (R2) 로 한다. 제 2 회전 속도 (R2) 는, 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작다. 상세하게는, 제 1 회전 속도 (R1) 는, 예를 들어, 1000 rpm 이고, 제 2 회전 속도 (R2) 는, 예를 들어, 400 rpm ∼ 500 rpm 이다.
개구 확대 공정에서는, 개구 (101) 의 확대에 따라, 기판 (W) 의 회전 속도가 제 2 회전 속도 (R2) 가 될 때까지 기판 (W) 의 회전을 감속시키고 있다. 구체적으로는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 특정한 위치에 도달한 시점 (일정 시간이 경과한 시점) 에서, 기판 (W) 의 회전을 급격하게 감속시키는 것은 아니다. 즉, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연을 향함에 따라서, 기판 (W) 의 회전 속도가 서서히 저하되도록, 기판 (W) 의 회전이 감속된다. 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역과 주연 영역의 사이의 영역 (외주 영역) 에 있어서도, 개구 (101) 의 확대에 따라 기판 (W) 의 회전 속도가 감속된다.
이와 같이, 기판 회전 공정에서는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 기판 (W) 의 회전 속도보다 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 기판 (W) 의 회전 속도가 작아지도록, 기판 (W) 의 회전을 감속하는 회전 감속 공정이 실행되고 있다. 본 실시형태와는 달리, 도 7 에 2 점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 특정한 위치 (예를 들어 회전 중심으로부터 120 ㎜ 의 위치) 에 도달한 시점에서, 기판 (W) 의 회전을 급격하게 감속시켜도 된다.
도 8 은, 개구 확대 공정에 있어서의 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 의 모습을 설명하기 위한 모식도이다.
기체 공급 위치 이동 공정에서는, 경사 방향 (D2) 을 향해서 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 기체가 토출된다 (기체 경사 토출 공정). 전술한 바와 같이 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 기체는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 공급된다. 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 기체는, 액막 (100) 의 기액 계면과 기판 (W) 의 상면의 교차 위치에 가까운 위치를 향해서 공급되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 액막 (100) 에 분사력을 충분히 작용시킬 수 있다. 또, 기판 (W) 의 상면에 있어서 액막 (100) 이 배제된 부분을 즉석에서 건조시킬 수 있다.
착액 위치 이동 공정에서는, 경사 방향 (D1) 을 향해서 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 IPA 가 토출된다 (저표면 장력 액체 경사 토출 공정). 전술한 바와 같이 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출되는 IPA 는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측에 공급된다. 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출되는 IPA 는, 액막 (100) 의 내주연을 향해서 공급되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 착액 위치 이동 공정에 있어서, 액막 (100) 의 내주연에 액마운팅 (102) 을 형성하면서 착액 위치 (P1) 를 이동시킬 수 있다 (도 6 도 참조). 특히, 기액 계면과 기판 (W) 의 상면의 교차 위치에 가까운 위치를 향해서 공급되는 것이 한층 바람직하다. 이에 따라, 액마운팅 (102) 을 개구 (101) 의 주연 (101a) 에 가까운 위치에 형성할 수 있다.
제 1 유기 용제 노즐 (50) 이 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역의 상방을 이동 할 때의 착액 위치 (P1) 의 이동 속도를, 제 1 이동 속도 (V1) 로 한다. 또, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 이 기판 (W) 의 상면의 주연 영역의 상방을 이동할 때의 착액 위치 (P1) 의 이동 속도를, 제 2 이동 속도 (V2) 로 한다. 기판 (W) 의 확대에 따라, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 이, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 의 이동 속도가 제 2 이동 속도 (V2) 가 될 때까지 제 1 유기 용제 노즐 (50) 의 이동을 감속시킨다. 이에 따라, 착액 위치 (P1) 의 이동 속도가 제 2 이동 속도 (V2) 가 될 때까지 착액 위치 (P1) 의 이동이 감속된다. 이와 같이, 착액 위치 이동 공정에서는, 착액 위치 (P1) 가 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 착액 위치 (P1) 의 이동 속도 (제 1 이동 속도 (V1)) 보다, 착액 위치 (P1) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 착액 위치 (P1) 의 이동 속도 (제 2 이동 속도 (V2)) 가 작아지도록, 착액 위치 (P1) 의 이동을 감속하는 착액 위치 이동 감속 공정이 실행되고 있다.
또, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 의 이동의 감속과 동시에, 제 1 기체 노즐 (70) 의 이동이 감속된다. 상세하게는, 기판 (W) 의 확대에 따라, 기체 노즐 이동 유닛 (16) 이, 제 1 기체 노즐 (70) 의 이동 속도가 제 2 이동 속도 (V2) 가 될 때까지 제 1 기체 노즐 (70) 의 이동을 감속시킨다. 이에 따라, 기체 공급 위치 (P2) 의 이동 속도가 제 2 이동 속도 (V2) 가 될 때까지 기체 공급 위치 (P2) 의 이동이 감속된다. 이와 같이, 기체 공급 위치 이동 공정에서는, 기체 공급 위치 (P2) 가 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 기체 공급 위치 (P2) 의 이동 속도 (제 1 이동 속도 (V1)) 보다 기체 공급 위치 (P2) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 기체 공급 위치 (P2) 의 이동 속도 (제 2 이동 속도 (V2)) 가 작아지도록, 기체 공급 위치 (P2) 의 이동 속도를 감속하는 기체 공급 위치 이동 감속 공정이 실행되고 있다.
또, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 유량 (단위시간당 공급량) 을 증대시킨다 (공급량 증대 공정). 상세하게는, 기판 (W) 의 확대에 따라, 제 1 기체 밸브 (72) 의 개도가 조정된다. 보다 상세하게는, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 토출되는 질소 가스의 유량이, 기판 (W) 의 확대에 따라, 제 1 유량 (F1) 으로부터 제 2 유량 (F2) 까지 증대된다. 이와 같이, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 유량보다, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 유량이 크게 된다.
제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 유량과 마찬가지로, 개구 확대 공정에 있어서, 가열 유체 노즐 (90) 로부터 공급되는 고온의 질소 가스의 유량이, 기판 (W) 의 확대에 따라 증대되어도 된다.
이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치 (1) 가, 복수의 척 핀 (20) 및 스핀 베이스 (21) (기판 유지 유닛) 와, 린스액 공급 유닛 (8) (처리액 공급 유닛) 과, 유기 용제 공급 유닛 (9) (저표면 장력 액체 공급 유닛) 과, 기체 공급 유닛 (10) 과, 전동 모터 (23) (기판 회전 유닛) 와, 기체 노즐 이동 유닛 (16) (기체 공급 위치 이동 유닛) 과, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) (착액 위치 이동 유닛) 과, 컨트롤러 (3) 를 포함한다.
복수의 척 핀 (20) 및 스핀 베이스 (21) 에 의해 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 기판 유지 공정과, 기판 (W) 의 상면을 향해서 린스액 공급 유닛 (8) 으로부터 린스액을 공급하는 린스액 공급 공정이 실행된다. 그리고, 기판 (W) 의 상면을 향해서 유기 용제 공급 유닛 (9) 으로부터 유기 용제를 공급하여, 유기 용제로 린스액을 치환함으로써, 기판 (W) 의 상면에 유기 용제의 액막 (100) 을 형성하는 액막 형성 공정이 실행된다. 그리고, 기체 공급 유닛 (10) 으로부터 액막 (100) 의 중앙 영역에 기체를 공급함으로써, 액막 (100) 의 중앙 영역에 개구 (101) 를 형성하는 개구 형성 공정이 실행된다. 그리고, 액막 (100) 을 배제하기 위해서 개구 (101) 를 확대시키는 개구 확대 공정이 실행된다.
개구 확대 공정에서는, 전동 모터 (23) 에 의해 기판 (W) 을 회전시키는 기판 회전 공정이 실행된다. 또, 기체 공급 위치 (P2) 를 향해서 기체 공급 유닛 (10) 으로부터 기체를 공급하고 (내뿜고), 기체 노즐 이동 유닛 (16) 에 의해, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향해서 기체 공급 위치 (P2) 를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정이 실행된다. 또, 착액 위치 (P1) 를 향해서 유기 용제 공급 유닛 (9) 으로부터 유기 용제를 공급하고, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 에 의해, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향해서 착액 위치 (P1) 를 이동시키는 착액 위치 이동 공정이 실행된다.
이 구성에 의하면, 액막 (100) 에 형성된 개구 (101) 를 확대시켜, 기판 (W) 상으로부터 액막 (100) 을 배제할 때에, 기판 회전 공정과 기체 공급 위치 이동 공정과 착액 위치 이동 공정이 실행된다.
개구 (101) 의 확대 중에 기판 (W) 이 회전됨으로써, 액막 (100) 에는 원심력이 작용하고, 액막 (100) 이 기판 (W) 으로 밀려나온다. 기체 위치 이동 공정에서는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 설정된 기체 공급 위치 (P2) 가 기판 (W) 의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 개구 (101) 의 확대 중에 있어서, 액막 (100) 의 내주연에는, 기체의 분사력이 작용한다. 기체의 분사력이 액막 (100) 의 내주연에 작용함으로써, 한층 확실하게 액막 (100) 이 기판 (W) 외로 밀려나온다. 따라서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 있어서의 유기 용제의 액적의 잔류가 억제된다. 요컨대, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다.
한편, 착액 위치 이동 공정에서는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측에 설정된 착액 위치 (P1) 가, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향해서 이동한다. 그 때문에, 액막 (100) 의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 원심력 및 분사력에 의해 개구 (101) 의 근방에서 액막 (100) 이 얇아지는 것이 억제된다. 따라서, 회전 방향의 전역에 있어서 개구 (101) 를 균일한 속도로 확대시킬 수 있다.
이상과 같이, 회전 방향의 전역에 있어서 개구 (101) 를 균일한 속도로 확대시키면서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측을 양호하게 건조시킬 수 있다. 그 결과, 기판 (W) 상의 유기 용제를 양호하게 배제할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 착액 위치 이동 공정에 있어서, 유기 용제 공급 유닛 (9) 으로부터 유기 용제가 공급된다. 이에 따라, 액막 (100) 의 내주연에 액마운팅 (102) 을 형성하면서, 착액 위치 (P1) 가 이동된다. 그 때문에, 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 근방에 있어서의 액막 (100) 의 두께를 한층 충분히 확보할 수 있다. 또, 액막 (100) 의 내주연에, 새로운 IPA 가 공급되므로, 액막 (100) 의 내주연의 온도 저하가 억제된다.
또 본 실시형태에서는, 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 기체 공급 유닛 (10) 으로부터 기체의 공급을 계속하는 기체 공급 계속 공정이 실행된다. 그 때문에, 개구 (101) 의 확대 중, 액막 (100) 에 분사력을 계속 작용시킬 수 있다. 따라서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측을 한층 양호하게 건조시킬 수 있다.
그런데, 개구 (101) 의 확대에 의해 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 (101a) 에 가까워지면, 기판 (W) 상의 IPA 의 전체 양이 적어진다. 그 때문에, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연에 가까워지면, 액막 (100) 의 온도가 저하되기 쉽다. IPA 가 기판 (W) 의 상면에 미치는 표면 장력은, 액막 (100) 의 내주연의 온도가 저하되면 커진다. 액막 (100) 의 온도가 저하되면, 기판 (W) 의 상면에 형성된 패턴 (도 14 참조) 에 작용하는 표면 장력이 증대하고, 패턴 붕괴가 발생하기 쉽다. 또, 액막 (100) 의 온도가 저하됨으로써, 기판 (W) 이 건조되기 어려워진다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 주연 영역을 양호하게 건조시킬 수 없을 우려가 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 전동 모터 (23) 에 의해, 기판 (W) 의 회전을 감속시키는 회전 감속 공정이 실행된다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워졌을 때에, 액막 (100) 을 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워지는 것에서 기인하는, 기판 (W) 상에 존재하는 IPA 의 감소를 억제할 수 있다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워지는 것에서 기인하는 액막 (100) 의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 상면의 주연 영역을 양호하게 건조시킬 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 회전 감속 공정에 있어서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연을 향함에 따라서 기판 (W) 의 회전 속도가 저하되도록, 전동 모터 (23) 에 의해, 기판 (W) 의 회전이 감속된다.
이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워짐에 따라서, 액막 (100) 을 서서히 두껍게 할 수 있다. 그 때문에, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 외주 영역에 위치할 때에도, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워지는 것에서 기인하는 기판 (W) 상에 존재하는 IPA 의 감소를 억제할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 상면의 어느 위치에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 위치하는 경우이더라도, 액막 (100) 의 온도 변화를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판 (W) 의 상면의 전역에 있어서, 기판 (W) 상의 액막 (100) 을 양호하게 배제할 수 있다.
그런데, 액막 (100) 에 IPA 가 착액할 때, IPA 가 튀어 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 보다 내측에 부착될 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 기체 공급 유닛 (10) 의 제 1 기체 노즐 (70) 이 경사 방향 (D2) 으로 기체를 토출하는 기체 경사 토출 공정이 실행된다. 그리고, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 기체 공급 유닛 (10) 의 기체 노즐 이동 유닛 (16) 이 제 1 기체 노즐 (70) 을 이동시키는 기체 노즐 이동 공정이 실행된다. 그 때문에, 액막 (100) 에 유기 용제가 착액할 때에 튄 IPA 가, 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 부착되기 전에, 기체에 의해 되돌려져 다시 액막 (100) 에 착액한다. 따라서, 기판 (W) 상의 액막 (100) 을 양호하게 배제할 수 있다.
액막 (100) 의 온도가 높을수록, 기판 (W) 의 상면에 형성된 패턴 (도 14 참조) 에 작용하는 표면 장력이 저하된다. 액막 (100) 의 온도가 높을수록, 기판 (W) 의 상면의 건조 속도가 향상된다. 그래서, 본 실시형태에서는, 기판 처리 장치 (1) 가, 가열 유체 공급 유닛 (11) (기판 가열 유닛) 을 추가로 포함한다. 그리고, 가열 유체 공급 유닛 (11) 에 의해 기판 (W) 을 가열하는 기판 가열 공정이, 개구 확대 공정과 병행하여 실행된다. 이에 따라, 액막 (100) 의 온도 저하를 억제할 수 있다. 또는, 액막 (100) 의 온도를 높게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 건조 속도가 향상된다. 나아가서는, 패턴 붕괴가 억제된다. 따라서, 기판 (W) 상의 액막 (100) 을 양호하게 배제할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 착액 위치 이동 공정에 있어서, 유기 용제 공급 유닛 (9) 의 제 1 유기 용제 노즐 (50) 이, 경사 방향 (D1) 으로 유기 용제 (저표면 장력 액체) 로서의 IPA 를 토출하는 저표면 장력 액체 경사 토출 공정이 실행된다. 그리고, 착액 위치 이동 공정에 있어서, 유기 용제 공급 유닛 (9) 의 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 이 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 공정이 실행된다. 그 때문에, 액막 (100) 에 유기 용제가 착액할 때에 IPA 가 튀는 방향을, 기판 (W) 의 주연측으로 향하게 할 수 있다. 액막 (100) 에 IPA 가 착액할 때에, IPA 가 튀어 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 보다 내측으로의 부착을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태에 의하면, 착액 위치 이동 공정에 있어서, 착액 위치 (P1) 의 이동을 감속시키는 착액 위치 이동 감속 공정이 실행된다. 이에 따라, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연 영역에 위치할 때에 액막 (100) 에 공급되는 IPA 의 총량을 증대시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 액막 (100) 의 열량이 기판 (W) 에 의해 빼앗겼다고 해도, 새롭게 액막 (100) 에 공급되는 IPA 에 의해 열량을 보충할 수 있다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 주연에 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 가까워지는 것에서 기인하는 액막 (100) 의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 상의 액막 (100) 을 양호하게 배제할 수 있다.
여기서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연을 향함에 따라서, 단위시간당, 기판 (W) 의 상면에 있어서 기체 공급 위치 (P2) 가 회전 방향으로 상대 이동하는 거리가 증대한다. 요컨대, 단위면적당 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 내뿜어지는 기체의 양이 저감된다. 따라서, 제 1 기체 노즐 (70) 을 기판 (W) 의 상면의 주연을 향해서 등속으로 이동시킨 경우, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 상면의 주연을 향함에 따라서, 기판 (W) 의 건조 효율이 저하된다.
그래서, 제 1 실시형태에서는, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 기체 공급 위치 (P2) 의 이동을 감속시키는 기체 공급 위치 이동 감속 공정이 실행된다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 주연 영역을 충분히 건조시킬 수 있다.
또, 제 1 실시형태에서는, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터의 질소 가스의 유량 (단위시간당 공급량) 을 증대시키는 공급량 증대 공정이 실행된다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 주연 영역을 충분히 건조시킬 수 있다.
또, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 주연을 향함에 따라서, 단위시간당 회전 방향에 있어서의 기판 (W) 에 대한 착액 위치 (P1) 의 상대 이동거리가 커진다. 따라서, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 기판 (W) 에 IPA 를 공급할 때에, 액막 (100) 으로부터 튀어오르는 IPA 의 기세 및 양이 증대한다. 그러나, 제 1 실시형태에서는, 공급량 증대 공정이 실행되기 때문에, 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 기판 (W) 의 주연로 이동하여 액막 (100) 으로부터 튀어 오르는 IPA 의 기세 및 양이 증대한 경우라도, 튀어 오른 IPA 를 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측으로 되돌릴 수 있다.
또, 제 1 실시형태에 의하면, 액막 (100) 이 형성되기 전에, 챔버 (14) 의 내부 공간 (14A) 이 질소 가스에 의해 치환되어 있다. 그 때문에, 내부 공간 (14A) 의 습도, 나아가서는 기판 (W) 의 상면의 근방의 분위기 내의 습도가 저감된다. 따라서, 개구 형성 공정 및 개구 확대 공정이 실행됨으로써, 노출된 기판 (W) 으로의 물의 부착을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 이 양호하게 건조된다.
유기 용제의 온도가 높을수록, 유기 용제에 의한 린스액의 치환 효율은 높다. 제 1 실시형태에 의하면, 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 토출되는 IPA 의 온도는, 비점이거나, 혹은, 비점보다 약간 낮다. 그 때문에, DIW (린스액) 를 IPA (유기 용제) 로 효율적으로 치환할 수 있다. 또, 가열 유체 공급 유닛 (11) 에 의한 가열에 의해 액막 (100) 을 승온시키기 위해서 필요한 시간이 단축된다. 요컨대, 충분히 온도가 높은 액막 (100) 이 단시간에 형성된다.
또, 유기 용제가 휘발할 때에 기화열이 발생하기 때문에, 기판 (W) 상의 액막 (100) 의 온도가 저하되기 쉽다. 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 토출되는 IPA 의 온도도, 비점이거나, 혹은, 비점보다 약간 낮다. 그 때문에, 개구 확대 공정에서는, 액막 (100) 에는, 비점 또는 비점보다 약간 낮은 IPA 가 항상 보충되어 있으므로, 휘발에 의한 액막 (100) 의 온도 저하를 억제할 수 있다.
이상과 같이, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 의 구성과 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리에 대해서 설명했지만, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 는, 이하와 같은 구성이어도 되고, 이하와 같은 기판 처리를 실행해도 된다.
예를 들어, 상기 서술한 기판 처리와는 달리, 린스액으로서 고온의 DIW 를 사용하는 경우, 제 2 유기 용제 노즐 (60) 로부터 기판 (W) 의 상면에 공급하여 린스액을 유기 용제로 치환할 때, 기판 (W) 상의 IPA 의 온도 저하를 억제할 수 있다. IPA 의 온도 저하가 억제됨으로써, DIW 를 IPA 로 효율적으로 치환할 수 있다. 따라서, DIW 를 IPA 로 치환할 때까지의 시간을 한층 단축할 수 있다.
제 1 실시형태에서는, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 유기 용제를 경사 방향 (D1) 으로 토출하는 것으로 하였다. 그러나, 제 1 실시형태와는 달리, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 은, 연직 방향으로 (하방으로) 유기 용제를 토출하도록 구성되어 있어도 된다. 또, 제 1 실시형태에서는, 제 1 기체 노즐 (70) 은, 기체를 경사 방향 (D2) 으로 토출하는 것으로 하였다. 그러나, 제 1 실시형태와는 달리, 제 1 기체 노즐 (70) 은, 연직 방향으로 (하방으로) 기체를 토출하도록 구성되어 있어도 된다.
또, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에 의해 기판 처리에서는, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 을 동시에 감속하는 것으로 하였다. 그러나, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 은, 상이한 타이밍으로 감속되어도 된다. 또, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 은, 이동 속도가 상이해도 된다.
또, 제 1 실시형태에서는, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 은, 서로 상이한 이동 유닛에 의해 이동되는 것으로 하였다. 그러나, 제 1 실시형태와는 달리, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 및 제 1 기체 노즐 (70) 이 공통의 노즐 이동 유닛에 의해 일체 이동되도록 구성되어 있어도 된다.
또, 도 5C 및 도 5D 에 나타내는 바와 같이, 개구 (101) 가 형성될 때, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 로부터 유기 용제가 토출되고 있어도 된다. 요컨대, 저표면 장력 액체 공급 공정은, 개구 형성 공정과 병행하여 실행되어도 된다. 이에 따라, 개구 (101) 의 형성시에, 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 근방에 있어서의 액막 (100) 의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 개구 형성시의 기체의 공급에 의해, 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 근방에 있어서의 IPA 가 밀려났다고 해도, 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 근방에 있어서의 액막 (100) 의 두께가 충분히 유지된다.
＜제 2 실시형태＞
도 9 는, 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1P) 에 구비된 처리 유닛 (2P) 의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 10A ∼ 도 10C 는, 기판 처리 장치 (1P) 에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 9 ∼ 도 10C 에서는, 지금까지 설명한 부재와 동일한 부재에는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
기판 처리 장치 (1P) 가 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) (도 2 참조) 와 주로 상이한 점은, 처리 유닛 (2P) 이, 가열 유체 공급 유닛 (11) 대신에, 기판 (W) 을 가열하는 적외선 히터 유닛 (12) 을 포함하는 점이다. 적외선 히터 유닛 (12) 은, 기판 가열 유닛의 일례이다.
적외선 히터 유닛 (12) 은, 적외선을 발하는 적외선 램프 (110) 와, 적외선 램프 (110) 를 수용하는 램프 하우징 (111) 을 포함한다. 적외선 램프 (110) 는, 램프 하우징 (111) 내에 배치되어 있다. 적외선 램프 (110) 는, 예를 들어, 필라멘트와, 필라멘트를 수용하는 석영관을 포함한다.
적외선 램프 (110) 는, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동된다. 상세하게는, 유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 지지하는 아암 (15A) 과, 아암 (15A) 을 구동하는 아암 구동 기구 (15B) 를 포함한다. 램프 하우징 (111) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 과 함께 아암 (15A) 에 의해 지지되어 있다.
유기 용제 노즐 이동 유닛 (15) 에 의해, 적외선 램프 (110) 는, 중심 위치와, 홈 위치 (퇴피 위치) 의 사이에서 수평 방향으로 이동시켜진다. 적외선 램프 (110) 는, 중심 위치에 위치할 때, 기판 (W) 의 상면에 대한 적외선의 조사 영역이 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 위치한다. 적외선 램프 (110) 는, 퇴피 위치에 위치할 때, 컵 (4) 보다 직경 방향 외방에 위치한다. 적외선 램프 (110) 는, 컨트롤러 (3) 에 의해 제어된다 (도 3 참조). 램프 하우징 (111) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 보다 직경 방향 외방에 위치하도록 아암 (15A) 에 의해 지지되어 있다.
기판 처리 장치 (1P) 에 의한 기판 처리에서는, 가열 유체 공급 유닛 (11) 대신에, 적외선 히터 유닛 (12) 이 사용된다. 도 10A 에 나타내는 바와 같이, 액막 (100) 의 형성 후에 제 1 유기 용제 노즐 (50) 을 처리 위치로 이동시킬 때에, 적외선 램프 (110) 에 의한 기판 (W) (액막 (100)) 의 가열이 개시된다.
그리고, 도 10B 에 나타내는 바와 같이, 개구 (101) 가 형성되면, 액막 (100) 내주연이 적외선 램프 (110) 로 가열된다 (내주연 가열 공정). 그리고, 램프 하우징 (111) 은, 제 1 유기 용제 노즐 (50) 보다 직경 방향 외방에 위치하기 때문에, 도 10C에 나타내는 바와 같이, 개구 확대 공정에 있어서, 적외선 램프 (110) 가 액막 (100) 에 대향한다.
제 2 실시형태와는 달리, 램프 하우징 (111) 이 제 1 유기 용제 노즐 (50) 보다 직경 방향 내방에 위치하는 경우, 개구 확대 공정에 있어서, 적외선 램프 (110) 가 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 보다 내측의 부분과 대향한다. 한편, 제 2 실시형태에서는, 램프 하우징 (111) 이 제 1 유기 용제 노즐 (50) 보다 직경 방향 외방에 위치한다. 그 때문에, 개구 확대 공정에 있어서 적외선 히터 유닛 (12) 에 의해 액막 (100) 을 직접 가열할 수 있다. 이에 따라, 액막 (100) 의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 액막 (100) 의 온도 저하를 한층 억제할 수 있다.
또, 제 2 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다.
제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1P) 는, 적외선 히터 유닛 (12) 에 더하여 가열 유체 공급 유닛 (11) 을 구비하고 있어도 된다. 적외선 히터 유닛 (12) 과 가열 유체 공급 유닛 (11) 을 병용함으로써, 기판 (W) 및 액막 (100) 을 충분히 가열할 수 있다.
＜제 3 실시형태＞
도 11 은, 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1Q) 에 구비된 처리 유닛 (2Q) 의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 12 는, 기판 처리 장치 (1Q) 에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 11 및 도 12 에서는, 지금까지 설명한 부재와 동일한 부재에는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
기판 처리 장치 (1Q) 가 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) (도 2 참조) 와 주로 상이한 점은, 기체 공급 유닛 (10) 의 제 1 기체 노즐 (70) 이, 연직 토출구 (70a) 및 경사 토출구 (70b) 를 갖는 점이다.
연직 토출구 (70a) 는, 하방을 향해서 기체를 토출하는 토출구이다. 경사 토출구 (70b) 는, 경사 방향 (D3) 으로 기체를 토출한다. 경사 방향 (D3) 은, 하방을 향함에 따라서, 기판 (W) 의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 방향이다. 경사 방향 (D3) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도는, 예를 들어 5° ∼ 45° 이다. 도시의 편의상, 경사 방향 (D3) 으로 연장되는 직선과 연직 방향으로 연장되는 직선의 교차 각도를 45° 보다 작은 각도로 도시하고 있지만, 이 교차 각도는, 45° 인 것이 바람직하다.
도 12 를 참조하여, 기판 처리 장치 (1Q) 에 의한 기판 처리에 있어서의 개구 확대 공정에서는, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터, 연직 방향 및 경사 방향 (D3) 의 양 방향을 향해서 기체가 토출된다 (기체 경사 토출 공정). 기판 (W) 의 상면에 있어서, 연직 토출구 (70a) 로부터 기체가 공급되는 위치를 제 1 기체 공급 위치 (P21) 라고 한다. 기판 (W) 의 상면에 있어서, 경사 토출구 (70b) 로부터 기체가 공급되는 위치를 제 2 기체 공급 위치 (P22) 라고 한다. 제 1 기체 공급 위치 (P21) 및 제 2 기체 공급 위치 (P22) 는, 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측에 설정된다. 기체 공급 위치 이동 공정에서는, 제 1 기체 공급 위치 (P21) 및 제 2 기체 공급 위치 (P22) 가 기판 (W) 의 주연을 향해서 이동한다.
제 1 기체 노즐 (70) 로부터 연직 방향을 향해서 토출되는 기체는, 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측으로 내뿜어진다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 내측이 한층 양호하게 건조된다. 한편, 제 1 기체 노즐 (70) 로부터 경사 방향 (D3) 으로 토출되는 기체는, 액막 (100) 에 IPA 가 착액할 때에 튄 IPA 를, 기판 (W) 의 상면에 있어서 개구 (101) 보다 내측에 부착되기 전에 되돌려진다. 경사 방향 (D3) 으로 토출된 기체에 의해 되돌려진 IPA 는, 다시 액막 (100) 에 착액한다. 따라서, 기판 (W) 상의 액막 (100) 을 양호하게 배제할 수 있다.
또, 제 3 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다.
제 3 실시형태와는 달리, 제 1 기체 노즐 (70) 은, 3 개 이상의 토출구를 가지고 있어도 된다. 제 1 기체 노즐 (70) 이, 샤워형상으로 기체를 토출하는 복수의 토출구를 갖는 샤워 노즐이어도 된다. 제 1 기체 노즐 (70) 이 샤워 노즐이면, 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 근방의 분위기를 질소 가스 등의 기체로 치환하면서 기판 (W) 의 상면을 건조시킬 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 상면을 한층 양호하게 건조시킬 수 있다.
＜제 4 실시형태＞
도 13 은, 제 4 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1R) 에 구비된 처리 유닛 (2R) 의 구성 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 13 에서는, 지금까지 설명한 부재와 동일한 부재에는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
기판 처리 장치 (1R) 가 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) (도 2 참조) 와 주로 상이한 점은, 가열 유체 공급 유닛 (11) 이, 가열 유체 노즐 (90) (도 2 참조) 대신에, 중심 유체 노즐 (120) 과 환상 유체 노즐 (121) 을 포함하는 점이다. 중심 유체 노즐 (120) 은, 기판 (W) 의 하면의 중앙 영역을 향해서 가열 유체를 공급한다. 환상 유체 노즐 (121) 은, 기판 (W) 의 하면의 환상 영역에 가열 유체를 공급한다. 기판 (W) 의 하면의 환상 영역이란, 기판 (W) 의 하면에 있어서 중앙 영역을 제외한 영역이다. 상세하게는, 기판 (W) 의 하면의 환상 영역은, 중앙 영역보다 외측의 소정 위치로부터 기판 (W) 의 하면의 주연까지의 범위에 걸친 영역이다.
중심 유체 노즐 (120) 은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다. 중심 유체 노즐 (120) 은, 회전축 (22) 에 삽입 통과되어 있다. 중심 유체 노즐 (120) 은, 기판 (W) 의 하면의 회전 중심에 임하는 토출구 (120a) 를 상단에 가지고 있다. 환상 유체 노즐 (121) 은, 중심 유체 노즐 (120) 의 선단으로부터 직경 방향으로 연장된 바 노즐의 형태를 가지고 있고, 기판 (W) 의 하면의 환상 영역에 임하는 복수의 토출구 (121a) 를 가지고 있다. 복수의 토출구 (121a) 는, 회전축선 (A1) 으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에 각각 배치되어 있다. 이들 복수의 토출구 (121a) 는, 기판 (W) 이 회전축선 (A1) 둘레로 회전됨으로써, 기판 (W) 의 하면의 환상 영역에 임하게 된다.
중심 유체 노즐 (120) 의 하단에는, 가열 유체 공급관 (91) 이 접속되어 있다. 중심 유체 노즐 (120) 및 환상 유체 노즐 (121) 에는, 가열 유체 공급관 (91) 을 통해서, 가열 유체 공급원으로부터 온수 등의 가열 유체가 공급된다. 중심 유체 노즐 (120) 의 토출구 (120a) 및 환상 유체 노즐 (121) 의 복수의 토출구 (121a) 로부터 토출되는 가열 유체는 온수에 한정되지 않는다. 중심 유체 노즐 (120) 의 토출구 (120a) 및 환상 유체 노즐 (121) 의 복수의 토출구 (121a) 로부터 토출되는 가열 유체는, 기판 (W) 을 가열할 수 있는 유체이면 된다. 예를 들어, 가열 유체는, 고온의 질소 가스여도 되고, 수증기여도 된다. 가열 유체가 수증기이면, 온수보다 고온의 유체로 기판 (W) 을 가열할 수 있다.
중심 유체 노즐 (120) 의 토출구 (120a) 및 환상 유체 노즐 (121) 의 복수의 토출구 (121a) 로부터 토출된 가열 유체는, 기판 (W) 의 하면을 타고, 원심력에 의해 외방으로 퍼져, 기판 (W) 의 하면을 덮는 액막을 형성한다. 복수의 토출구 (120a, 121a) 로부터 토출된 가열 유체는, 그것들이 대향하는 기판 (W) 의 하면의 각 위치에 도달하고, 그 도달 후에 가열 유체와 기판 (W) 의 열 교환이 시작된다. 따라서, 기판 (W) 의 전역을 균일하게 가열할 수 있다. 제 4 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다.
또, 가열 유체 공급 유닛 (11) 에 의해 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 주연까지를 모조리 가열할 수 있기 때문에 개구 (101) 가 기판 (W) 의 주연 영역에 도달한 경우에도 개구 (101) 의 주연 (101a) 의 유기 용제를 안정되게 증발시킬 수 있다. 이에 따라, 개구 (101) 의 확대를 기판 (W) 의 가열에 의해 양호하게 보조할 수 있다.
이 발명은, 이상으로 설명한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들어, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 와는 달리, 기체 공급 유닛이, 제 1 기체 노즐 (70) 대신에, 기판 (W) 의 상면의 일부와 대향하는 대향면을 갖는 기체 노즐을 포함하고 있어도 된다. 개구 (101) 의 주연 (101a) 에 이 기체 노즐을 근접시킨 상태에서, 이 기체 노즐로부터 질소 가스 (기체) 를 토출시킴으로써, 기판 (W) 에 있어서 개구 (101) 의 주연 (101a) 가 위치하는 부분과, 당해 대향면과의 사이로부터 외부를 향하는 기류가 형성된다. 따라서, 액막 (100) 으로부터 튀어오른 IPA 를 개구 (101) 의 주연 (101a) 보다 외측으로 용이하게 되돌릴 수 있다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정되어 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2017년 8월 31일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특허출원 2017-167680호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다.

Claims (22)

  1. 수평으로 기판을 유지하는 기판 유지 공정과,
    물을 함유하는 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 처리액 공급 공정과,
    물보다 낮은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써 상기 기판 상의 처리액을 상기 저표면 장력 액체로 치환함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 저표면 장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
    상기 기판의 상면의 중앙 영역을 향해서 중앙 노즐로부터 기체를 토출시킴으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과,
    상기 액막을 배제하기 위해서 상기 개구를 확대시키는 개구 확대 공정과,
    상기 개구 확대 공정에 있어서, 연직 방향을 따른 소정의 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 공정과,
    상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연 (周緣) 보다 내측에 설정된 기체 공급 위치를 향해서 이동 노즐로부터 상기 기체를 내뿜고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 이동 노즐을 이동시킴으로써 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정과,
    상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 외측에 설정된 착액 위치를 향해서 상기 저표면 장력 액체를 공급하고, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 공정을 포함하고,
    상기 기체 공급 위치 이동 공정의 실행 중에 있어서, 상기 중앙 노즐로부터 상기 기판의 상면의 중앙 영역으로의 상기 기체의 토출이 유지되고,
    상기 기판 회전 공정이, 상기 기판의 상면의 주연에 상기 개구의 주연이 가까워짐에 따라서 상기 액막이 두꺼워지도록, 상기 기판의 회전을 감속시키는 회전 감속 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 착액 위치 이동 공정이, 상기 저표면 장력 액체의 공급에 의해 상기 액막의 내주연 (內周緣) 에 액마운팅을 형성하면서, 상기 착액 위치를 이동시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 개구 형성 공정과 병행하여 상기 액막에 상기 저표면 장력 액체를 공급하는 저표면 장력 액체 공급 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 상기 이동 노즐로부터의 상기 기체의 토출을 계속하는 기체 공급 계속 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 감속 공정이, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도보다 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도가 작아지도록, 상기 기판의 회전을 감속시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기체 공급 위치 이동 공정이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사진 경사 방향을 따라 상기 이동 노즐로부터 상기 기체를 토출하는 기체 경사 토출 공정과, 상기 이동 노즐을 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 이동시킴으로써, 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 노즐 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 기판 가열 공정을 추가로 포함하고,
    상기 기판 가열 공정이, 상기 개구 확대 공정과 병행하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 착액 위치 이동 공정이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향을 따라, 저표면 장력 액체 노즐로부터 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 경사 토출 공정과, 상기 저표면 장력 액체 노즐을 상기 기판의 주연을 향하여 이동시킴으로써, 상기 착액 위치를 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 착액 위치 이동 공정이, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도보다, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도가 작아지도록, 상기 착액 위치의 이동을 감속시키는 이동 감속 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
    물을 함유하는 처리액을 상기 기판의 상면에 공급하는 처리액 공급 유닛과,
    물보다 작은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급하는 저표면 장력 액체 공급 유닛과,
    상기 기판의 상면의 중앙 영역을 향해서 기체를 토출하는 중앙 노즐과,
    연직 방향을 따른 소정의 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 유닛과,
    상기 기판의 상면을 향해서 상기 기체를 토출하고, 상기 기판의 상면을 따라 이동하는 이동 노즐과,
    상기 기판의 상면을 따라 상기 이동 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 이동 노즐로부터 상기 기체가 공급되는 위치인 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 유닛과,
    상기 기판의 상면에 있어서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체가 착액하는 위치인 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛, 상기 중앙 노즐, 상기 기판 회전 유닛, 상기 이동 노즐, 상기 기체 공급 위치 이동 유닛 및 상기 착액 위치 이동 유닛을 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기판 유지 유닛에 의해 상기 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 공정과, 상기 기판의 상면을 향해서 상기 처리액 공급 유닛으로부터 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 기판의 상면을 향해서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급하여, 상기 저표면 장력 액체로 상기 처리액을 치환함으로써, 상기 기판의 상면에 상기 저표면 장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 중앙 노즐로부터 상기 액막의 중앙 영역에 상기 기체를 공급함으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과, 상기 액막을 배제하기 위해서 상기 개구를 확대시키는 개구 확대 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판 회전 유닛에 의해 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연보다 내측에 설정된 상기 기체 공급 위치를 향해서 상기 이동 노즐로부터 상기 기체를 내뿜고, 상기 기체 공급 위치 이동 유닛에 의해 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 이동 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 기체 공급 위치를 이동시키는 기체 공급 위치 이동 공정과, 상기 개구 확대 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 있어서 상기 개구의 주연의 외측에 위치하도록 설정된 상기 착액 위치를 향해서 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급하고, 상기 착액 위치 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향해서 상기 착액 위치를 이동시키는 착액 위치 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기체 공급 위치 이동 공정의 실행 중에 있어서, 상기 중앙 노즐로부터 상기 기판의 상면의 중앙 영역으로의 상기 기체의 공급을 유지하도록 프로그램 되어 있고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기판 회전 공정에 있어서, 상기 기판의 상면의 주연에 상기 개구의 주연이 가까워짐에 따라서 상기 액막이 두꺼워지도록, 상기 기판 회전 유닛에 상기 기판의 회전을 감속시키는 회전 감속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 저표면 장력 액체를 공급함으로써, 상기 액막의 내주연에 액마운팅을 형성하면서, 상기 착액 위치를 이동시키는 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 개구 형성 공정과 병행하여, 상기 저표면 장력 액체 공급 유닛으로부터 상기 액막에 상기 저표면 장력 액체를 공급하는 저표면 장력 액체 공급 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 개구 확대 공정이 실행되고 있는 동안, 상기 이동 노즐로부터 상기 기체의 토출을 계속하는 기체 공급 계속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  15. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 회전 감속 공정에 있어서, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도보다 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 기판의 회전 속도가 작아지도록, 상기 기판 회전 유닛에 의해, 상기 기판의 회전을 감속시키는 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 삭제
  17. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 이동 노즐이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향으로 상기 기체를 토출하고,
    상기 기체 공급 위치 이동 유닛이, 상기 기판의 상면을 따라 상기 이동 노즐을 이동시키는 기체 노즐 이동 유닛을 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 상기 이동 노즐로부터 상기 기체를 토출하는 기체 경사 토출 공정과, 상기 기체 공급 위치 이동 공정에 있어서, 상기 기체 노즐 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 상기 이동 노즐을 이동시키는 기체 노즐 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  18. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 기판 가열 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기판 가열 유닛에 의해 상기 기판을 가열하는 기판 가열 공정을, 상기 개구 확대 공정과 병행하여 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  19. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 저표면 장력 액체 공급 유닛이, 하방을 향함에 따라서 상기 기판의 상면의 주연을 향하도록 연직 방향에 대해서 경사지는 경사 방향으로 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 노즐을 포함하고,
    상기 착액 위치 이동 유닛이, 상기 기판의 상면을 따라 상기 저표면 장력 액체 노즐을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 유닛을 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 저표면 장력 액체 노즐로부터 상기 저표면 장력 액체를 토출하는 저표면 장력 액체 경사 토출 공정과, 상기 저표면 장력 액체 노즐 이동 유닛에 의해, 상기 기판의 상면의 주연을 향하여 상기 저표면 장력 액체 노즐을 이동시키는 저표면 장력 액체 노즐 이동 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  20. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 착액 위치 이동 공정에 있어서, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 중앙 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도보다, 상기 개구의 주연이 상기 기판의 상면의 주연 영역에 위치할 때의 상기 착액 위치의 이동 속도가 작아지도록, 상기 착액 위치 이동 유닛에 의해, 상기 착액 위치의 이동을 감속시키는 이동 감속 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
  21. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 개구 확대 공정이 종료된 후, 상기 개구 확대 공정에 있어서의 상기 기판의 회전수보다 높은 회전수로 상기 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 고속 회전 공정을 추가로 포함하고,
    상기 개구 형성 공정 및 상기 개구 확대 공정이, 상기 기판의 상면의 전체에 대향하는 대향면을 갖는 대향 부재를, 상기 대향면과 상기 기판의 상면의 사이를 상기 이동 노즐이 이동할 수 있는 제 1 높이 위치에 배치한 상태에서 실시되고,
    상기 고속 회전 공정이, 상기 제 1 높이 위치보다 상기 기판의 상면에 근접하는 제 2 높이 위치에 상기 대향 부재를 배치한 상태에서 실시되는, 기판 처리 방법.
  22. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 기판의 상면의 전체에 대향하는 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 개구 확대 공정이 종료된 후, 상기 개구 확대 공정에 있어서의 상기 기판의 회전수보다 높은 회전수로 상기 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키는 고속 회전 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있고,
    상기 컨트롤러가, 상기 대향면과 상기 기판의 상면의 사이를 상기 이동 노즐이 이동할 수 있는 제 1 높이 위치에 상기 대향 부재를 배치한 상태에서, 상기 개구 형성 공정 및 상기 개구 확대 공정을 실행하고, 상기 제 1 높이 위치보다 상기 기판의 상면에 근접하는 제 2 높이 위치에 상기 대향 부재를 배치한 상태에서 상기 고속 회전 공정을 실행하도록 프로그램 되어 있는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7201494B2 (ja) * 2019-03-20 2023-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7233294B2 (ja) * 2019-04-25 2023-03-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置
KR102267912B1 (ko) * 2019-05-14 2021-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7285741B2 (ja) * 2019-08-30 2023-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7390837B2 (ja) * 2019-09-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR102357066B1 (ko) * 2019-10-31 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
TWI712122B (zh) * 2019-12-10 2020-12-01 樂盟科技有限公司 晶圓表面處理裝置及晶圓表面處理方法
JP7406404B2 (ja) * 2020-02-28 2023-12-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102553044B1 (ko) 2020-03-05 2023-07-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN113889405B (zh) 2020-07-02 2024-07-05 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法及形成方法
JP7411818B2 (ja) * 2020-07-02 2024-01-11 チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド 半導体構造の処理方法及び形成方法
JP7530846B2 (ja) 2021-02-19 2024-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015115584A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2017117954A (ja) 2015-12-24 2017-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000108024A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Toshiba Mach Co Ltd Ｃｍｐ研磨装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN101165854A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP5242242B2 (ja) 2007-10-17 2013-07-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
EP2051285B1 (en) 2007-10-17 2011-08-24 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus
JP4988510B2 (ja) 2007-10-31 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5114252B2 (ja) * 2008-03-06 2013-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5151629B2 (ja) 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5390873B2 (ja) 2009-01-28 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5503323B2 (ja) 2010-02-16 2014-05-28 株式会社荏原製作所 基板乾燥装置
US20110289795A1 (en) * 2010-02-16 2011-12-01 Tomoatsu Ishibashi Substrate drying apparatus, substrate drying method and control program
JP5820709B2 (ja) 2011-11-30 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP6017922B2 (ja) 2012-10-29 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法、液処理システムおよび記憶媒体
JP6007925B2 (ja) 2013-05-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
US9704730B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6379400B2 (ja) 2013-09-26 2018-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20150325458A1 (en) * 2014-05-12 2015-11-12 Tokyo Electron Limited Method and system to improve drying of flexible nano-structures
JP6273178B2 (ja) 2014-08-13 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6314779B2 (ja) 2014-10-01 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
JP6521242B2 (ja) 2015-06-16 2019-05-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI622091B (zh) * 2015-06-18 2018-04-21 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP6573520B2 (ja) 2015-09-29 2019-09-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2017054146A1 (en) * 2015-09-30 2017-04-06 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and methods for cleaning wafers
JP6046225B2 (ja) 2015-10-05 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP2017118049A (ja) 2015-12-25 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6586697B2 (ja) 2015-12-25 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6672023B2 (ja) * 2016-03-08 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7073658B2 (ja) * 2017-09-25 2022-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015115584A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2017117954A (ja) 2015-12-24 2017-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number Publication date
JP7034634B2 (ja) 2022-03-14
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KR20190024674A (ko) 2019-03-08
TWI666688B (zh) 2019-07-21
US10854481B2 (en) 2020-12-01
CN109427548B (zh) 2023-07-18

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