CN109427548A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理方法及装置，该方法包括将基板保持为水平的基板保持工序、向基板的上表面供给含水的处理液的处理液供给工序、向上表面供给低表面张力液体来用低表面张力液体置换处理液形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序、通过向液膜的中央区域供给气体在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序、使开口扩大排除液膜的开口扩大工序、在开口扩大工序中使基板以铅垂方向的旋转轴线为中心旋转的基板旋转工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的内侧的气体供给位置吹送气体使气体供给位置向周缘移动的气体供给位置移动工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的外侧的着落位置供给低表面张力液体来使着落位置向周缘移动的着落位置移动工序。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在单张式的基板处理装置进行的基板处理中，逐张地对基板进行处理。详细而言，利用旋转夹具将基板保持为大致水平。并且，在利用药液对基板的上表面进行处理之后，利用冲洗液冲洗基板的上表面。然后，为了对基板的上表面进行干燥，进行使基板进行高速旋转的旋转干燥工序。
如图14所示，在基板的表面形成有微细的图案的情况下，在旋转干燥工序中，可能无法除去进入图案内部的冲洗液。这样，存在产生干燥不良的担忧。进入图案内部的冲洗液的液面(空气与液体之间的界面)，形成在图案内。因此，液体的表面张力作用于液面与图案之间的接触位置。在该表面张力大的情况下，容易引起图案的倒塌。作为典型的冲洗液的水的表面张力大，因此不能忽视旋转干燥工序中的图案的倒塌。
因此，提出了利用作为表面张力低于水的表面张力的低表面张力液体的异丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)的方法(例如，参照日本特开2016-21597号公报)。
在日本特开2016-21597号公报所记载的基板处理中，在利用IPA置换基板上的冲洗液之后，形成在基板上的IPA的液膜借助离心力向基板外排除。详细而言，在基板上的IPA的液膜的中央区域形成圆形的开口，使该开口扩大，由此从基板上排除IPA。由于IPA的挥发性比较高，因此容易通过蒸发使IPA的液膜变薄。在IPA的液膜在开口附近变薄的情况下，在旋转方向的整个区域上，开口可能不以均匀的速度(保持圆形的状态下)扩大。详细而言，开口的周缘的一部分朝向基板的周缘呈放射状延伸，由此可能使液膜分裂。由此，在基板的上表面局部地残留有IPA的液滴。在该液滴最终蒸发之前，IPA(有时包含溶解于IPA的微量的水分)的液面对图案继续作用表面张力。这样，存在产生图案倒塌的担忧。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够良好地排除基板上的低表面张力液体的基板处理方法以及基板处理装置。
本发明提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；处理液供给工序，向所述基板的上表面供给含有水的处理液；液膜形成工序，通过向所述基板的上表面供给表面张力低于水的表面张力的低表面张力液体，来利用所述低表面张力液体置换所述基板上的处理液，从而形成覆盖所述基板的上表面的所述低表面张力液体的液膜；开口形成工序，通过向所述液膜的中央区域供给气体，在所述液膜的中央区域形成开口；开口扩大工序，使所述开口扩大，以排除所述液膜；基板旋转工序，在所述开口扩大工序中，使所述基板以沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线为中心旋转；气体供给位置移动工序，在所述开口扩大工序中，朝向气体供给位置吹送所述气体，使所述气体供给位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述气体供给位置设定为，在所述基板的上表面上比所述开口的周缘更靠内侧；以及着落位置移动工序，在所述开口扩大工序中，朝向着落位置供给所述低表面张力液体，使所述着落位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述着落位置设定为，在所述基板的上表面上比所述开口的周缘更靠外侧。
根据该方法，在使形成于低表面张力液体的液膜的开口扩大，来从基板上排除液膜时，执行基板旋转工序、气体供给位置移动工序以及着落位置移动工序。
通过在开口扩大的过程中使基板旋转，使离心力作用于液膜，向基板外推出液膜。在气体位置移动工序中，设定为比开口的周缘更靠内侧的气体供给位置朝向基板的上表面的周缘移动。因此，在开口扩大的过程中，气体的吹送力作用于液膜的内周缘。气体的吹送力指，通过吹送气体而作用的力。通过使气体的吹送力作用于液膜的内周缘，能够更可靠地向基板外推出液膜。因此，抑制低表面张力液体的液滴残留于比开口的周缘更靠内侧的位置。即，能够良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。
另一方面，借助离心力以及吹送力向基板外排出的低表面张力液体增加，有时由于离心力以及吹送力而使开口的附近的液膜变薄。在着落位置移动工序中，设定为比开口的周缘更靠外侧的着落位置朝向基板的上表面的周缘移动。因此，能够充分地确保液膜的厚度。因此，能够抑制因离心力以及吹送力而使开口的附近的液膜变薄。因此，能够使开口在旋转方向的整个区域上以均匀的速度扩大。
如上所述，能够使开口在旋转方向的整个区域上以均匀的速度扩大，并且良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。结果，能够良好地排除基板上的低表面张力液体。
在本发明的一实施方式中，所述着落位置移动工序包括：一边通过供给所述低表面张力液体来在所述液膜的内周缘形成液体隆起部，一边使所述着落位置移动的工序。液体隆起部为，液膜中的与其他部分相比厚度更厚的部分。
根据该方法，在通过供给低表面张力液体在液膜的内周缘形成液体隆起部的状态下，使着落位置移动。因此，能够更充分地确保开口的周缘附近的液膜的厚度。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括低表面张力液体供给工序，所述低表面张力液体供给工序与所述开口形成工序并行地进行，在所述低表面张力液体供给工序中，向所述液膜供给所述低表面张力液体。因此，在形成开口时，能够充分地确保开口的周缘附近的液膜的厚度。因此，通过在形成开口时供给气体，即使开口的周缘附近的低表面张力液体被推开，也能够充分地确保开口的周缘附近的液膜的厚度。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括在执行所述开口扩大工序的期间持续供给所述气体的气体供给持续工序。因此，在开口扩大的过程中，能够使吹送力持续作用于液膜。因此，能够更良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。
当随着开口扩大而开口的周缘接近基板的上表面的周缘时，基板上的低表面张力液体的总量变少。因此，当开口的周缘接近基板的上表面的周缘时，液膜的温度容易降低。另外，由于液膜的温度降低，难以对基板进行干燥。因此，存在如下担忧，即，无法良好地对基板的上表面的周缘区域进行干燥。
因此，在本发明的一实施方式中，所述基板旋转工序包括旋转减速工序，在所述旋转减速工序中，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述基板的转速比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述基板的转速更小的方式，使所述基板的旋转减速。
根据该方法，能够在开口的周缘接近基板的上表面的周缘时，使液膜变厚。因此，能够抑制因开口的周缘接近基板的上表面的周缘、而使在基板上存在的低表面张力液体减少。由此，能够抑制：因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而引起的液膜的温度降低。因此，能够良好地对基板的上表面的周缘区域进行干燥。
在本发明的一实施方式中，所述旋转减速工序包括：以所述开口的周缘越接近所述基板的上表面的周缘则所述基板的转速越降低的方式，使所述基板的旋转减速的工序。
根据该方法，能够随着开口的周缘接近基板的上表面的周缘，而使液膜逐渐地变厚。因此，即使在开口的周缘位于中央区域与周缘区域之间的区域时，也能够抑制：因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而引起的在基板上存在的低表面张力液体减少。因此，在开口的周缘位于基板的上表面的任意的位置的情况下，都能够抑制液膜的温度变化。结果，能够在基板的上表面的整个区域使开口良好地扩大。进而，能够良好地排除基板上的液膜。
在低表面张力液体着落至液膜时，存在如下担忧，即，低表面张力液体溅起来附着于基板的上表面的比开口更靠内侧的位置。
因此，在本发明的一实施方式中，所述气体供给位置移动工序包括：气体倾斜喷出工序，从气体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述气体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向；以及气体喷嘴移动工序，通过使所述气体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动，来使所述气体供给位置移动。
根据该方法，从气体喷嘴向倾斜方向喷出气体，所述倾斜方向为，以越朝向下方越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向。因此，就低表面张力液体着落至液膜时溅起的低表面张力液体而言，在附着于基板的上表面的比开口更靠内侧的位置之前，被气体推回而再次着落于液膜。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括加热所述基板的基板加热工序；所述基板加热工序与所述开口扩大工序并行地执行。由此，能够抑制液膜的温度降低。或者，能够使液膜的温度上升。因此，提高基板的上表面的干燥速度。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述着落位置移动工序包括：低表面张力液体倾斜喷出工序，从低表面张力液体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向；以及低表面张力液体喷嘴移动工序，通过使所述低表面张力液体喷嘴朝向所述基板的周缘移动，来使所述着落位置移动。
根据该方法，从低表面张力液体喷嘴向倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越朝向下方而越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向。因此，能够使低表面张力液体着落至液膜时低表面张力液体溅起的方向，朝向基板的周缘侧。因此，抑制从液膜溅起的低表面张力液体附着于基板的上表面的比开口更靠内侧的部分。
在本发明的一实施方式中，所述着落位置移动工序包括移动减速工序，在所述移动减速工序中，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述着落位置的移动速度比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述着落位置的移动速度更小的方式，使所述着落位置的移动减速。
根据该方法，能够使在开口的周缘位于基板的上表面的周缘区域时供给至液膜的低表面张力液体的总量增加。因此，即使基板上的液膜的热量被基板夺取，也能够利用新供给至液膜的低表面张力液体来补充热量。由此，能够抑制因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而使液膜的温度降低。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，将基板保持为水平；处理液供给单元，向所述基板的上表面供给含有水的处理液；低表面张力液体供给单元，向所述基板的上表面供给表面张力低于水的表面张力的低表面张力液体；气体供给单元，向所述基板的上表面供给气体；基板旋转单元，使所述基板以沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线为中心旋转；气体供给位置移动单元，使气体供给位置移动，所述气体供给位置为，所述基板的上表面的被供给来自所述气体供给单元的所述气体的位置；着落位置移动单元，使着落位置移动，所述着落位置为，所述基板的上表面的来自所述低表面张力液体供给单元的所述低表面张力液体着落的位置；以及控制器，控制所述基板保持单元、所述处理液供给单元、所述低表面张力液体供给单元、所述气体供给单元、所述基板旋转单元、所述气体供给位置移动单元以及所述着落位置移动单元。
并且，所述控制器设定为执行：基板保持工序，通过所述基板保持单元将所述基板保持为水平；处理液供给工序，从所述处理液供给单元朝向所述基板的上表面供给所述处理液；液膜形成工序，从所述低表面张力液体供给单元朝向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，来利用所述低表面张力液体置换所述处理液，从而在所述基板的上表面形成所述低表面张力液体的液膜；开口形成工序，通过从所述气体供给单元向所述液膜的中央区域供给所述供给气体，来在所述液膜的中央区域形成开口；开口扩大工序，使所述开口扩大，以排除所述液膜；基板旋转工序，在所述开口扩大工序中，通过所述基板旋转单元使所述基板旋转；气体供给位置移动工序，在所述开口扩大工序中，从所述气体供给单元朝向所述气体供给位置吹送所述气体，通过所述气体供给位置移动单元，使所述气体供给位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述气体供给位置设定为，在所述基板的上表面上位于比所述开口的周缘更靠内侧的位置；以及着落位置移动工序，在所述开口扩大工序中，从所述低表面张力液体供给单元朝向所述着落位置供给所述低表面张力液体，通过所述着落位置移动单元，使所述着落位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述着落位置设定为，在所述基板的上表面上位于所述开口的周缘的外侧。
根据该结构，在使形成于低表面张力液体的液膜的开口扩大，来从基板上排除液膜时，执行基板旋转工序、气体供给位置移动工序以及着落位置移动工序。
通过在开口扩大的过程中使基板旋转，使离心力作用于液膜，向基板外推出液膜。在气体位置移动工序中，设定为比开口的周缘更靠内侧的气体供给位置朝向基板的上表面的周缘移动。因此，在开口扩大的过程中，气体的吹送力作用于液膜的内周缘。通过使气体的吹送力作用于液膜的内周缘，能够更可靠地向基板外推出液膜。因此，抑制低表面张力液体的液滴残留于比开口的周缘更靠内侧的位置。即，能够良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。
另一方面，借助离心力以及吹送力向基板外排出的低表面张力液体增加，有时由于离心力以及吹送力而使开口的附近的液膜变薄。在着落位置移动工序中，设定为比开口的周缘更靠外侧的着落位置朝向基板的上表面的周缘移动。因此，能够充分地确保液膜的厚度。因此，能够抑制因离心力以及吹送力而使开口的附近的液膜变薄。因此，能够使开口在旋转方向的整个区域上以均匀的速度扩大。
如上所述，能够使开口在旋转方向的整个区域上以均匀的速度扩大，并且良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。结果，能够良好地排除基板上的低表面张力液体。
在本发明的一实施方式中，所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行：一边通过从所述低表面张力液体供给单元供给所述低表面张力液体，来在所述液膜的内周缘形成液体隆起部，一边使所述着落位置移动的工序。
根据该结构，在通过供给低表面张力液体来在液膜的内周缘形成液体隆起部的状态下，使着落位置移动。因此，能够更充分地确保开口的周缘附近的液膜的厚度。
在本发明的一实施方式中，所述控制器设定为，与所述开口形成工序并行地执行低表面张力液体供给工序，在所述低表面张力液体供给工序中，从所述低表面张力液体供给单元向所述液膜供给所述低表面张力液体。因此，在形成开口时，能够充分地确保开口的周缘的附近的液膜的厚度。因此，通过在形成开口时供给气体，即使开口的周缘附近的低表面张力液体被推开，也能够充分地确保开口的周缘附近的液膜的厚度。
在本发明的一实施方式中，所述控制器设定为，执行在执行所述开口扩大工序的期间从所述气体供给单元持续供给所述气体的气体供给持续工序。因此，在开口扩大的过程中，能够使吹送力持续作用于液膜。因此，能够更良好地对比开口的周缘更靠内侧的位置进行干燥。
在本发明的一实施方式中，所述控制器设定为，在所述基板旋转工序中执行旋转减速工序，在所述旋转减速工序中，通过所述基板旋转单元，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述基板的转速比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述基板的转速更小的方式，使所述基板的旋转减速。
根据该结构，能够在开口的周缘接近基板的上表面的周缘时，使液膜变厚。因此，能够抑制因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而引起的在基板上存在的低表面张力液体减少。由此，能够抑制：因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而引起的液膜的温度降低。因此，能够良好地对基板的上表面的周缘区域进行干燥。
在本发明的一实施方式中，所述控制器设定为，在所述旋转减速工序中执行：通过所述基板旋转单元，以所述开口的周缘越接近所述基板的上表面的周缘则所述基板的转速越降低的方式，使所述基板的旋转减速的工序。
根据该结构，能够随着开口的周缘接近基板的上表面的周缘，而使液膜逐渐地变厚。因此，即使在开口的周缘位于中央区域与周缘区域之间的区域时，也能够抑制：因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而以引起的使在基板上存在的低表面张力液体减少。因此，在开口的周缘位于基板的上表面的任意的位置的情况下，都能够抑制液膜的温度变化。结果，能够在基板的上表面的整个区域使开口良好地扩大。进而，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述气体供给单元包括气体喷嘴，所述气体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述气体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向，所述气体供给位置移动单元包括气体喷嘴移动单元，所述气体喷嘴移动单元使所述气体喷嘴沿着所述基板的上表面移动，所述控制器设定为，在所述气体供给位置移动工序执行：气体倾斜喷出工序，从所述气体喷嘴喷出所述气体；以及气体喷嘴移动工序，通过所述气体喷嘴移动单元，使所述气体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动。
根据该结构，根据该方法，从气体喷嘴向倾斜方向喷出气体，所述倾斜方向为，以朝向下方而朝向所述基板的上表面的周缘的方式，相对于铅垂方向倾斜的方向。因此，就低表面张力液体着落至液膜时溅起的低表面张力液体而言，在附着于基板的上表面的比开口更靠内侧的位置之前，被气体推回到比开口更靠外侧的位置。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括加热所述基板的基板加热单元，所述控制器设定为，与所述开口扩大工序并行地执行通过所述基板加热单元加热所述基板的基板加热工序。由此，能够抑制液膜的温度降低。或者，能够使液膜的温度上升。因此，提高基板的上表面的干燥速度。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述低表面张力液体供给单元包括低表面张力液体喷嘴，所述低表面张力液体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向，所述着落位置移动单元包括低表面张力液体喷嘴移动单元，所述低表面张力液体喷嘴移动单元使所述低表面张力液体喷嘴沿着所述基板的上表面移动，所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行：低表面张力液体倾斜喷出工序，从所述低表面张力液体喷嘴喷出所述低表面张力液体；以及低表面张力液体喷嘴移动工序，通过所述低表面张力液体喷嘴移动单元，使所述低表面张力液体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动。
根据该结构，从低表面张力液体喷嘴向倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越朝向下方越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向。因此，能够使低表面张力液体着落至液膜时低表面张力液体溅起的方向，朝向基板的周缘侧。因此，抑制从液膜溅起的低表面张力液体附着于基板的上表面的比开口更靠内侧的部分。
根据本发明的一实施方式，所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行移动减速工序，在所述移动减速工序中，通过所述着落位置移动单元，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述着落位置的移动速度比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述着落位置的移动速度更小的方式，使所述着落位置的移动减速。
根据该结构，能够使在开口的周缘位于基板的上表面的周缘区域时供给至液膜的低表面张力液体的总量增加。因此，即使基板上的液膜的热量被基板夺取，也能够利用新供给至液膜的低表面张力液体来补充热量。由此，能够抑制因开口的周缘接近基板的上表面的周缘而使液膜的温度降低。因此，能够良好地排除基板上的液膜。
参照附图并通过下面的实施方式的说明，明确本发明的上述的或者其他目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的结构的俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图4是用于说明所述基板处理装置所进行的基板处理的一例的流程图。
图5A至图5E是用于说明所述基板处理的一例的图解性的剖视图。
图6A是示出所述基板处理的开口形成工序中的液膜的状态的俯视图。
图6B是示出所述开口扩大工序中的液膜的状态的俯视图。
图7是用于说明所述开口扩大工序中的基板的转速的变化的曲线图。
图8是用于说明所述开口扩大工序中的有机溶剂供给单元以及气体供给单元的情况的示意图。
图9是用于说明第二实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图10A至图10C是用于说明第二实施方式的基板处理装置所进行的基板处理的一例的图解性的剖视图。
图11是用于说明第三实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图12是用于说明第三实施方式的基板处理装置所进行的基板处理的一例的图解性的剖视图。
图13是用于说明第四实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图14是用于说明因表面张力引起的图案倒塌的原理的图解性的剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性的俯视图。
基板处理装置1是对硅晶片等基板W逐张地进行处理的单张式装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，利用处理液处理基板W；加载端口LP，载置用于容纳处理单元2所处理的多张基板W的搬运器C；搬运机械手IR以及CR，在加载端口LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，控制基板处理装置1。处理液包括后述的药液、冲洗液以及有机溶剂等。搬运机械手IR在搬运器C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的示意图。
处理单元2包括罩部4、旋转夹具5、相向构件6、药液供给单元7、冲洗液供给单元8、有机溶剂供给单元9、气体供给单元10以及加热流体供给单元11。
旋转夹具5一边将一张基板W保持为水平的姿势，一边使基板W以穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转。罩部4形成为筒状的形态，而且包围旋转夹具5。罩部4具有朝上打开的环状的槽。在罩部4的槽连接有回收配管(未图示)或者排出配管(未图示)。罩部4接收从基板W飞散的处理液。将罩部4所接收的处理液经由回收配管或者排出配管回收或者废弃。
处理单元2还包括用于容纳罩部4的腔室14。在腔室14上形成有出入口14B，该出入口14B用于向腔室14的内部空间14A搬入基板W，或者从腔室14内搬出基板W。腔室14具有用于对出入口14B进行开闭的挡板单元14C。
旋转夹具5包括夹具销20、旋转基座21、旋转轴22以及向旋转轴22提供旋转力的电动马达23。旋转基座21形成为沿着水平方向延伸的圆板形状。多个夹具销20以在周向上隔开间隔的方式配置于旋转基座21的上表面。利用开闭单元24，使多个夹具销20开闭。利用开闭单元24使多个夹具销20处于关闭状态，从而将基板W保持(夹持)为水平。利用开闭单元24使多个夹具销20处于打开状态，从而释放基板W。多个夹具销20以及旋转基座21属于用于将基板W保持为水平的基板保持单元。基板保持单元还称为基板支架。
旋转轴22沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。旋转轴22的上端部与旋转基座21的下表面的中央结合。在俯视观察时，在旋转基座21的中央区域形成有在上下方向上贯通旋转基座21的贯通孔21a。贯通孔21a与旋转轴22的内部空间22a连通。电动马达23向旋转轴22提供旋转力。通过电动马达23使旋转轴22旋转，从而使旋转基座21旋转。由此，使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。下面，将基板W的旋转径向内侧仅称为“径向内侧”，将基板W的旋转径向外侧仅称为“径向外侧”。电动马达23属于用于使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板旋转单元。
相向构件6形成为圆板状，相向构件6的直径与基板W的直径大致相同或者大于基板W的直径，该相向构件6在旋转夹具5的上方大致水平地配置。相向构件6具有与基板W的上表面相向的相向面6a。在相向构件6中的与相向面6a一侧相反的一侧的面，固定有中空轴26。在相向构件6中的包括在俯视观察时与旋转轴线A1重叠的位置的部分，形成有连通孔6b，该连通孔6b在上下方向上贯通相向构件6，而且与中空轴26的内部空间连通。
处理单元2还包括：相向构件升降单元27，驱动相向构件6的升降；以及相向构件旋转单元28，使相向构件6以旋转轴线A1为中心旋转。
相向构件升降单元27能够使相向构件6位于从下位置到上位置为止的任意的位置(高度)。下位置指，在相向构件6的可动范围内，使相向构件6的相向面6a最接近基板W的位置。上位置指，在相向构件6的可动范围内，使相向构件6的相向面6a最远离基板W的位置。相向构件升降单元27例如包括滚珠螺杆机构(未图示)以及向该滚珠螺杆机构提供驱动力的电动马达(未图示)。
相向构件旋转单元28通过使中空轴26旋转，来使相向构件6旋转。相向构件旋转单元28包括用于向中空轴26传递驱动力的电动马达(未图示)。
药液供给单元7是用于向基板W的上表面的中央区域供给药液的单元。基板W的上表面的中央区域为，包括基板W的上表面与旋转轴线A1交叉的交叉位置在内的基板W的上表面的中央附近的区域。另外，将包括基板W的上表面的周缘在内的基板W的上表面的周缘附近的区域称为周缘区域。药液供给单元包括：药液喷嘴30，朝向基板W的上表面的中央区域喷出药液；药液供给管31，与药液喷嘴30结合；以及药液阀32，设置于药液供给管31。从药液供给源向药液供给管31供给氢氟酸(氟化氢水：HF)等药液。药液阀32使药液供给管31内的流路开闭。药液喷嘴30为水平方向以及铅垂方向上的位置被固定的固定喷嘴。
从药液喷嘴30喷出的药液并不限定于氢氟酸。从药液喷嘴30喷出的药液也可以是包括硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF)，稀氢氟酸(DHF)、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide)：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐蚀剂中的至少一种的液体。作为混合这些的药液的例子可以例举SPM(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture：硫酸-过氧化氢溶液混合液)、SC1(Ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨-过氧化氢溶液混合液)、SC2(盐酸-过氧化氢溶液混合液)等等。
冲洗液供给单元8是向基板W的上表面的中央区域供给冲洗液的单元。冲洗液供给单元8包括：冲洗液喷嘴40，朝向基板W的上表面的中央区域喷出冲洗液；冲洗液供给管41，与冲洗液喷嘴40结合；以及冲洗液阀42，设置于冲洗液供给管41。从冲洗液供给源向冲洗液供给管41供给去离子水(Deionized Water：DIW)等冲洗液。冲洗液阀42使冲洗液供给管41内的流路开闭。冲洗液喷嘴40是水平方向以及铅垂方向上的位置被固定的固定喷嘴。
从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液并不限定于DIW。从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液也可以是苏打水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水或还原水(含氢水)。从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液也可以是高温的DIW。高温的DIW例如为80℃～85℃的DIW。这样，从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液为水溶液或者水。即，从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液含有水。具有冲洗液喷嘴40的冲洗液供给单元8为，将含有水的处理液供给至基板W的上表面的处理液供给单元的一例。
有机溶剂供给单元9为向基板W的上表面供给有机溶剂的单元。有机溶剂供给单元9包括：第一有机溶剂喷嘴50，朝向基板W的上表面喷出有机溶剂；第一有机溶剂供给管51，与第一有机溶剂喷嘴50结合；以及第一有机溶剂阀52，设置于第一有机溶剂供给管51。从第一有机溶剂供给源向第一有机溶剂供给管51供给IPA等有机溶剂。第一有机溶剂阀52使第一有机溶剂供给管51内的流路开闭。
第一有机溶剂喷嘴50向倾斜方向D1喷出有机溶剂。倾斜方向D1为，以越朝向下方越接近基板W的上表面的周缘的方式，相对于铅垂方向倾斜的方向。沿着倾斜方向D1延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度例如为5°～45°。为了便于图示，将沿着倾斜方向D1延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度图示为小于45°的角度，但是优选该交叉角度为45°。
处理单元2还包括有机溶剂喷嘴移动单元15，该有机溶剂喷嘴移动单元15使第一有机溶剂喷嘴50沿着水平方向以及铅垂方向移动。第一有机溶剂喷嘴50通过向水平方向移动，来在中心位置与原始(home)位置(退避位置)之间沿着基板W的上表面移动。在第一有机溶剂喷嘴50位于中央位置时，该第一有机溶剂喷嘴50与基板W的上表面的旋转中心相向。在第一有机溶剂喷嘴50位于退避位置时，在俯视观察时，该第一有机溶剂喷嘴50位于罩部4的外侧。基板W的上表面的旋转中心为，基板W的上表面中的与旋转轴线A1交叉的交叉位置。第一有机溶剂喷嘴50通过向铅垂方向移动，来接近基板W的上表面，或者从基板W的上表面向上方退避。
有机溶剂喷嘴移动单元15例如包括：转动轴(未图示)，沿着铅垂方向延伸；臂(未图示)，与转动轴结合，并水平地延伸；以及臂驱动机构(未图示)，驱动臂。臂驱动机构通过使转动轴以铅垂的转动轴线为中心转动，来使臂摆动，通过使转动轴沿着铅垂方向升降，来使臂上下移动。第一有机溶剂喷嘴50固定于臂。与臂的摆动以及升降对应地，第一有机溶剂喷嘴50向水平方向以及铅垂方向移动。
有机溶剂供给单元9包括：第二有机溶剂喷嘴60，朝向基板W的上表面喷出有机溶剂；第二有机溶剂供给管61，与第二有机溶剂喷嘴60结合；以及第二有机溶剂阀62，设置于第二有机溶剂供给管61。从第二有机溶剂供给源向第二有机溶剂供给管61供给IPA等有机溶剂。第二有机溶剂阀62使第二有机溶剂供给管61内的流路开闭。
第二有机溶剂喷嘴60容纳于喷嘴容纳构件29，该喷嘴容纳构件29插入相向构件6的连通孔6b。喷嘴容纳构件29的下端部与基板W的上表面的中央区域相向。第二有机溶剂喷嘴60具有从喷嘴容纳构件29的下端部露出的喷出口60a。
在本实施方式中，有机溶剂供给单元9为供给IPA等有机溶剂的结构。但是，有机溶剂供给单元9只要发挥将表面张力比水的表面张力低的低表面张力液体供给至基板W的上表面的低表面张力液体供给单元的功能即可。第一有机溶剂喷嘴50发挥向倾斜方向D1喷出低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴的功能。另外，有机溶剂喷嘴移动单元15发挥使低表面张力液体喷嘴沿着基板W的上表面移动的低表面张力液体喷嘴移动单元的功能。
低表面张力液体并不限定于IPA。作为低表面张力液体，能够利用不与基板W的上表面以及形成于基板W的图案(参照图14)发生化学反应(缺乏反应性)的有机溶剂。从第一有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂以及从第二有机溶剂喷嘴60喷出的有机溶剂，可以是包含IPA、HFE(hydro fluoro ether，氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮和反式-1,2二氯乙烯(trans-1,2-Dichloroethylene)中的至少一种的有机溶剂。
优选从第一有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂以及从第二有机溶剂喷嘴60喷出的有机溶剂的温度为沸点或者比沸点稍微低。即，在有机溶剂为IPA的情况下，优选IPA为76℃～82.4℃。
气体供给单元10为向基板W的上表面供给气体的单元。气体供给单元10包括：第一气体喷嘴70，朝向基板W的上表面喷出气体；第一气体供给管71，与第一气体喷嘴70结合；以及第一气体阀72，设置于第一气体供给管71。从第一气体供给源向第一气体供给管71供给氮气(N2)等气体。第一气体阀72使第一气体供给管71内的流路开闭。
第一气体喷嘴70向倾斜方向D2喷出气体。倾斜方向D2为，以越朝向下方越接近基板W的上表面的周缘的方式，相对于铅垂方向倾斜的方向。沿着倾斜方向D2延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度例如为5°～45°。为了便于图示，将沿着倾斜方向D2延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度图示为小于45°的角度，但是优选该交叉角度为45°。
处理单元2还包括气体喷嘴移动单元16，该气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70沿着水平方向以及铅垂方向移动。气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70沿着基板W的上表面在中心位置与原始位置(退避位置)之间移动。在第一气体喷嘴70位于中央位置时，该第一气体喷嘴70与基板W的上表面的旋转中心相向。退避位置为比罩部4更靠径向外侧的位置。第一气体喷嘴70通过向铅垂方向移动，来接近基板W的上表面，或者从基板W的上表面向上方退避。
气体喷嘴移动单元16例如包括：转动轴(未图示)，沿着铅垂方向延伸；臂(未图示)，与转动轴结合，并水平地延伸；以及臂驱动机构(未图示)，驱动臂。臂驱动机构通过使转动轴以铅垂的转动轴线为中心转动，来使臂摆动，通过使转动轴沿着铅垂方向升降，来使臂进行上下移动。第一气体喷嘴70固定于臂。与臂的摆动以及升降对应地，第一气体喷嘴70沿着水平方向以及铅垂方向移动。
气体供给单元10还包括：第二气体喷嘴80，朝向基板W的上表面喷出气体；第二气体供给管81，与第二气体喷嘴80结合；以及第二气体阀82，设置于第二气体供给管81。从第二气体供给源向第二气体供给管81供给高温的氮气(N2(热))等气体。第二气体阀82使第二气体供给管81内的流路开闭。高温的氮气为加热至大约75℃的氮气。
第二气体喷嘴80与第二有机溶剂喷嘴60一起容纳于喷嘴容纳构件29。第二气体喷嘴80的前端从喷嘴容纳构件29的下端部露出。
从第一气体喷嘴70喷出的气体以及从第二气体喷嘴80喷出的气体并不限定于氮气。优选从第一气体喷嘴70喷出的气体以及从第二气体喷嘴80喷出的气体为非活性气体。非活性气体为对于基板W的上表面以及图案为非活性的气体，例如也可以是氩气等稀有气体类。从第一气体喷嘴70喷出的气体也可以是空气。
加热流体供给单元11为向基板W的下表面的中央区域供给加热流体的单元。基板W的下表面的中央区域为，包括基板W的下表面与旋转轴线A1交叉的交叉位置在内的基板W的下表面的中央附近的区域。加热流体供给单元11包括：加热流体喷嘴90，朝向基板W的下表面的中央区域喷出加热流体；加热流体供给管91，与加热流体喷嘴90结合；以及加热流体阀92，设置于加热流体供给管91。从加热流体供给源向加热流体供给管91供给高温的氮气(N2(热))等加热流体。加热流体阀92使加热流体供给管91内的流路开闭。加热流体喷嘴90插入旋转轴22。加热流体喷嘴90具有从旋转基座21的上表面露出的喷出口90a。
从加热流体喷嘴90喷出的加热流体并不限定于高温的氮。从加热流体喷嘴90喷出的加热流体只要是能够加热基板W的流体即可。从加热流体喷嘴90喷出的加热流体例如也可以是温水。温水为比室温相比温度更高的水，例如为80℃～85℃的水。从加热流体喷嘴90喷出的加热流体也可以是水蒸气。若加热流体为水蒸气，能够利用比温水的温度更高的流体加热基板W。
图3是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具有微型计算机，按照规定的程序控制基板处理装置1所具有的控制对象。更具体地说，控制器3包括处理器(CPU)3A以及存储有程序的存储器3B，通过使处理器3A执行程序，来执行用于基板处理的各种控制。尤其，控制器3控制搬运机械手IR、CR、电动马达23、开闭单元24、相向构件升降单元27、相向构件旋转单元28以及阀类32、42、52、62、72、82、92等的动作。
图4为用于说明基板处理装置1进行的基板处理的一例的流程图，主要示出了通过使控制器3执行程序来实现的处理。图5A至图5E是用于说明基板处理的一例的图解性的剖视图。
在基板处理装置1进行的基板处理中，例如，如图4所示，依次执行基板搬入(S1)、药液处理(S2)、冲洗处理(S3)、有机溶剂处理(S4)、干燥处理(S5)以及基板搬出(S6)。
首先，参照图1，在基板处理装置1进行的基板处理中，利用搬运机械手IR、CR从搬运器C向处理单元2搬入基板W，交至旋转夹具5(步骤S1：基板搬入)。
并且，参照图2，开闭单元24使夹具销20处于关闭状态。然后，在利用搬运机械手CR搬出基板W为止的期间，利用夹具销20，以从旋转基座21的上表面向上方隔开间隔的方式，将基板W保持为水平(基板保持工序)。并且，电动马达23开始使旋转基座21旋转。由此，使基板W开始旋转(基板旋转工序)。并且，相向构件升降单元27使相向构件6位于上位置。并且，相向构件旋转单元28使相向构件6与基板W进行同步旋转。同步旋转指，向相同的方向以相同的转速旋转。也可以在基板W旋转的过程中，使相向构件6总是进行同步旋转。并且，打开第二气体阀82。由此，利用高温的氮气，开始置换腔室14内的环境气体的置换(环境气体置换工序)。
并且，开始进行药液处理(S2)。在药液处理(S2)中，向基板W上供给氢氟酸(HF)来作为药液，由此对基板W的上表面进行蚀刻等处理。
具体地说，打开药液阀32。由此，从药液供给单元7的药液喷嘴30向处于旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给氢氟酸(药液)。氢氟酸借助离心力遍及基板W的整个上表面。氢氟酸借助离心力从基板W向径向外侧飞散。在药液处理(S2)中，电动马达23使基板W例如以1500rpm旋转。
在执行规定时间的药液处理(S2)之后，执行冲洗处理(S3)。在冲洗处理中，将基板W上的氢氟酸(药液)置换为DIW(冲洗液)，由此冲洗基板W的上表面。
具体地说，关闭药液阀32。由此，停止从药液喷嘴30喷出氢氟酸。并且，打开冲洗液阀42。由此，如图5A所示，从冲洗液供给单元8的冲洗液喷嘴40朝向处于旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给作为冲洗液(含有水的处理液)的DIW(处理液供给工序)。DIW借助离心力遍及基板W的整个上表面。由此，利用DIW置换基板W上的氢氟酸。氢氟酸以及DIW的混合液或DIW借助离心力从基板W向径向外侧飞散。在冲洗处理(S3)中，电动马达23使基板W例如以1500rpm旋转。
在执行规定时间的冲洗处理(S3)之后，执行有机溶剂处理(S4)。在有机溶剂处理(S4)中，利用IPA(有机溶剂)置换基板W上的DIW(冲洗液)。
具体地说，关闭冲洗液阀42。由此，停止从冲洗液喷嘴40喷出DIW。并且，电动马达23使基板W的旋转减速，使基板W的转速变成低速(例如，10rpm)。并且，打开第一有机溶剂阀52。由此，如图5B所示，从有机溶剂供给单元9的第二有机溶剂喷嘴60朝向处于旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给作为有机溶剂(低表面张力液体)的IPA(低表面张力液体液供给工序)。从第二有机溶剂喷嘴60供给的IPA为76℃～82.4℃。IPA借助离心力遍及基板W的整个上表面。由此，利用IPA置换基板W上的DIW。DIW以及IPA的混合液或IPA借助离心力从基板W向径向外侧飞散。
并且，打开加热流体阀92。由此，从加热流体供给单元11的加热流体喷嘴90朝向基板W的下表面的中央区域喷出作为加热流体的高温的氮气(N2(热))。由此，开始加热基板W(基板加热工序)。这样，加热流体供给单元11发挥用于加热基板W的基板加热单元的功能。
在利用IPA将基板W上的冲洗液完全地置换之后，关闭第二有机溶剂阀62。由于基板W的转速为低速，抑制了IPA因离心力而飞散。因此，如图5C所示，在基板W上形成IPA厚的液膜100并保持在基板W上。液膜100覆盖基板W的上表面。这样，通过向基板W的上表面供给IPA，来利用IPA置换基板W上的DIW，由此在基板W上形成液膜100(液膜形成工序)。优选，在形成液膜100之前，结束利用高温的氮气置换腔室14的内部空间14A的环境气体。
如图5C所示，与液膜100的形成并行地，有机溶剂喷嘴移动单元15使第一有机溶剂喷嘴50朝向规定的处理位置移动。另外，气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70朝向规定的处理位置移动。第一气体喷嘴70的处理位置指，从基板W的旋转中心向径向外侧稍微错开的位置。第一有机溶剂喷嘴50的处理位置指，与第一气体喷嘴70的处理位置相比，稍微靠径向外侧的位置。
气体喷嘴移动单元16以在第二有机溶剂阀62关闭时，使第一气体喷嘴70到达处理位置的方式，使第一气体喷嘴70移动。有机溶剂喷嘴移动单元15以在第二有机溶剂阀62关闭时，使第一有机溶剂喷嘴50到达处理位置的方式，使第一有机溶剂喷嘴50移动。
在执行规定时间的有机溶剂处理(S4)之后，执行干燥处理(S5)。在干燥处理(S5)中，通过从基板W上排除IPA的液膜100(液膜排除工序)，对基板W进行干燥。
具体地说，电动马达23使基板W的旋转加速，直到基板W的转速成为例如1000rpm。并且，以向液膜100的中央区域吹送气体的方式，调整第二气体阀82的开度。由此，从第二气体喷嘴80喷出的气体的流量变大。如图5D所示，通过从第二气体喷嘴80喷出的气体，在液膜100的中央区域形成俯视呈圆形的开口101(开口形成工序)。开口101的直径例如为30mm左右。当形成开口101时，液膜100成为环状(参照图6A)。液膜100的中央区域指，俯视与基板W的上表面的中央区域重叠的区域。当形成开口101时，调整第二气体阀82的开度，使从第二气体喷嘴80喷出的氮气的流量变小。
并且，如图5E所示，开口101借助基板W旋转而产生的离心力，扩大(开口扩大工序)。换言之，在开口扩大工序中，执行基板旋转工序。当开始执行开口扩大工序时，打开第一气体阀72。由此，从位于处理位置的第一气体喷嘴70向基板W的上表面供给氮气(气体)。另外，当开始执行开口扩大工序时，打开第一有机溶剂阀52。由此，从位于处理位置的第一有机溶剂喷嘴50朝向基板W的上表面供给IPA(有机溶剂)。
就在有机溶剂处理(S4)中开始进行的、来自加热流体喷嘴90的氮气的供给动作而言，在开口扩大工序中也继续进行。即，基板加热工序与开口扩大工序并行地执行。
第一气体喷嘴70的处理位置以使从第一气体喷嘴70喷出的气体吹送至比开口101的周缘101a更靠内侧的位置的方式设置。即，在基板W的上表面中，被供给从第一气体喷嘴70喷出的氮气(气体)的(吹送)位置(气体供给位置P2)设定在比开口101的周缘101a更靠内侧的位置。比开口101的周缘101a更靠内侧指，比开口101的周缘101a更靠径向内侧，还是指比开口101的周缘101a更靠旋转轴线A1侧。
借助从第一气体喷嘴70喷出的氮气的吹送力，促进开口101的扩大。开口101借助因基板W旋转而产生的离心力与氮气的吹送力这两者扩大。另外，由于基板W旋转，因此从第一气体喷嘴70喷出的氮气均匀地吹送至开口101的周缘101a的整个区域。因此，从第一气体喷嘴70喷出的氮气的吹送力在旋转方向上均匀地作用于开口101的周缘101a(液膜100的内周缘)。由此，如图6B所示，开口101在保持圆形的状态下扩大。
另一方面，第一有机溶剂喷嘴50的处理位置以使从第一有机溶剂喷嘴50喷出的IPA着落至比开口101的周缘101a更靠外侧的位置的方式设定。即，在基板W的上表面中，从第一有机溶剂喷嘴50喷出的作为有机溶剂(低表面张力液体)的IPA着落的位置(着落位置P1)设定在比开口101的周缘101a更靠外侧的位置。比开口101的周缘101a更靠外侧指，比开口101的周缘101a更靠径向外侧，还是指比开口101的周缘101a更靠基板W的周缘侧。
在开口扩大工序中，气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70朝向基板W的周缘移动(气体喷嘴移动工序)。由此，如图6B所示，气体供给位置P2朝向基板W的周缘移动(气体供给位置移动工序)。这样，气体喷嘴移动单元16发挥气体供给位置移动单元的功能。另外，在开口扩大工序中，有机溶剂喷嘴移动单元15使第一有机溶剂喷嘴50(低表面张力液体喷嘴)朝向基板W的周缘移动(低表面张力液体喷嘴移动工序)。由此，如图6B所示，着落位置P1朝向基板W的周缘移动(着落位置移动工序)。这样，有机溶剂喷嘴移动单元15发挥着落位置移动单元的功能。后面进行详细说明，在开口扩大工序中，按照开口101的扩大，基板W的转速以及着落位置P1的移动速度发生变化。
通过使开口101扩大，从基板W的上表面排除液膜100。在第一有机溶剂喷嘴50到达基板W的周缘的时刻，来自第一有机溶剂喷嘴50的IPA的喷出动作结束。在从基板W的上表面完全地排除液膜100的时刻，结束来自第一气体喷嘴70的氮气(气体)的喷出动作。即，在执行开口扩大工序的期间，来自第一气体喷嘴70的氮气的供给动作并不中断而持续(气体供给持续工序)。
在从基板W的上表面排除了液膜100的时刻，来自加热流体喷嘴90的氮气(加热流体)的喷出动作也结束。在从基板W的上表面排除了液膜100的时刻，来自第二气体喷嘴80的氮气(气体)的喷出动作也结束。
当从基板W上排除液膜100时，借助离心力甩出基板W的上表面的液体成分。具体地说，相向构件升降单元27使相向构件6移动至下位置。并且，电动马达23使基板W例如以2000rpm进行高速旋转。由此，对基板W进行干燥。
然后，电动马达23使旋转夹具5停止旋转。并且，相向构件升降单元27使相向构件6移动至上位置。并且，开闭单元24使夹具销20处于打开状态。然后，还参照图1，搬运机械手CR进入处理单元2，从旋转夹具5提起已处理的基板W，来向处理单元2外搬出(S7)。该基板W从搬运机械手CR交至搬运机械手IR，利用搬运机械手IR收纳于搬运器C。
接着，对于开口扩大工序进行详细说明。如上所述，在开口扩大工序中，按照开口101的扩大，使基板W的转速发生变化。图7是用于说明开口扩大工序中的基板W的转速的变化的曲线图。在图7中，将基板W的上表面中的开口101的周缘101a的位置设为横轴。在横轴中，将旋转轴线A1的位置设为原点。在图7中，将基板W的转速设为纵轴。将开始执行开口扩大工序时的基板W的转速设为第一转速R1。另外，将结束开口扩大工序时的基板W的转速设为第二转速R2。第二转速R2小于第一转速R1。详细而言，第一转速R1例如为1000rpm，第二转速R2例如为400rpm～500rpm。
在开口扩大工序中，按照开口101的扩大，使基板W的旋转进行减速，直到基板W的转速成为第二转速R2。具体地说，并不是在开口101的周缘101a到达基板W的上表面的特定位置的时刻(经过了规定时间的时刻)，使基板W的旋转急剧地进行减速。即，以随着开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘而使基板W的转速逐渐地降低的方式，对基板W的旋转进行减速。在基板W的上表面的中央区域与周缘区域之间的区域(外周区域)，也按照开口101的扩大，对基板W的转速进行减速。
这样，在基板旋转工序中，执行旋转减速工序，在该旋转减速工序中，以与开口101的周缘101a位于基板W的上表面的中央区域时的基板W的转速相比，开口101的周缘101a位于基板W的上表面的周缘区域时的基板W的转速更小的方式，使基板W的旋转减速。也可以与本实施方式不同地，如图7的双点划线所示那样，在开口101的周缘101a到达基板W的上表面的特定的位置(例如距旋转中心的距离为120mm的位置)的时刻，使基板W的旋转急剧地减速。
图8是用于说明开口扩大工序中的第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70的情况的示意图。
在气体供给位置移动工序中，从第一气体喷嘴70朝向倾斜方向D2喷出气体(气体倾斜喷出工序)。如上所述，从第一气体喷嘴70喷出的气体供给至比开口101的周缘101a更靠内侧的位置。优选从第一气体喷嘴70喷出的气体朝向接近液膜100的气液界面与基板W的上表面之间的交叉位置的位置供给。由此，能够在气体供给位置移动工序中，使吹送力充分地作用于液膜100。另外，能够立即使基板W的上表面中的液膜100被排除的部分干燥。
在着落位置移动工序中，从第一有机溶剂喷嘴50朝向倾斜方向D1喷出IPA(低表面张力液体倾斜喷出工序)。如上所述，从第一有机溶剂喷嘴50喷出的IPA供给至比开口101的周缘101a更靠外侧的位置。优选朝向液膜100的内周缘供给从第一有机溶剂喷嘴50喷出的IPA。由此，在着落位置移动工序中，能够一边在液膜100的内周缘形成液体隆起部102，一边使着落位置P1移动(还参照图6B)。尤其，更优选朝向接近气液界面与基板W的上表面之间的交叉位置的位置供给。由此，能够在接近开口101的周缘101a的位置形成液体隆起部102。
将第一有机溶剂喷嘴50在基板W的上表面的中央区域的上方移动时的着落位置P1的移动速度设为第一移动速度V1。另外，将第一有机溶剂喷嘴50在基板W的上表面的周缘区域的上方移动时的着落位置P1的移动速度设为第二移动速度V2。按照基板W的扩大，有机溶剂喷嘴移动单元15使第一有机溶剂喷嘴50的移动减速，直到第一有机溶剂喷嘴50的移动速度成为第二移动速度V2。由此，使着落位置P1的移动减速，直到着落位置P1的移动速度成为第二移动速度V2。这样，在着落位置移动工序中，执行着落位置移动减速工序，在该着落位置移动减速工序中，以与着落位置P1位于基板W的上表面的中央区域时的着落位置P1的移动速度(第一移动速度V1)相比，着落位置P1位于基板W的上表面的周缘区域时的着落位置P1的移动速度(第二移动速度V2)更小的方式，对着落位置P1的移动进行减速。
另外，在使第一有机溶剂喷嘴50的移动减速的同时，使第一气体喷嘴70的移动减速。详细而言，按照基板W的扩大，气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70的移动减速，直到第一气体喷嘴70的移动速度成为第二移动速度V2。由此，对气体供给位置P2的移动进行减速，直到气体供给位置P2的移动速度成为第二移动速度V2。这样，在气体供给位置移动工序中，执行气体供给位置移动减速工序，在该气体供给位置移动减速工序中，以与气体供给位置P2位于基板W的上表面的中央区域时的气体供给位置P2的移动速度(第一移动速度V1)相比，气体供给位置P2位于基板W的上表面的周缘区域时的气体供给位置P2的移动速度(第二移动速度V2)更小的方式，使气体供给位置P2的移动速度减速。
另外，在气体供给位置移动工序中，增加来自第一气体喷嘴70的氮气的流量(单位时间内的供给量)(供给量增加工序)。详细而言，按照基板W的扩大，调整第一气体阀72的开度。更详细而言，就从第一气体喷嘴70喷出的氮气的流量而言，按照基板W的扩大，从第一流量F1增加至第二流量F2。这样，在气体供给位置移动工序中，与开口101的周缘101a位于基板W的上表面的中央区域时的、来自第一气体喷嘴70的氮气的流量相比，开口101的周缘101a位于基板W的上表面的周缘区域时的、来自第一气体喷嘴70的氮气的流量更大。
与来自第一气体喷嘴70的氮气的流量同样地，在开口扩大工序中，从加热流体喷嘴90供给的高温的氮气的流量也可以与基板W的扩大对应地增加。
如上所述，根据本实施方式，基板处理装置1包括多个夹具销20以及旋转基座21(基板保持单元)、冲洗液供给单元8(处理液供给单元)、有机溶剂供给单元9(低表面张力液体供给单元)、气体供给单元10、电动马达23(基板旋转单元)、气体喷嘴移动单元16(气体供给位置移动单元)、有机溶剂喷嘴移动单元15(着落位置移动单元)以及控制器3。
执行：基板保持工序，利用多个夹具销20以及旋转基座21，将基板W保持为水平；以及冲洗液供给工序，从冲洗液供给单元8朝向基板W的上表面供给冲洗液。并且，执行液膜形成工序，在该液膜形成工序中，从有机溶剂供给单元9朝向基板W的上表面供给有机溶剂，来利用有机溶剂置换冲洗液，从而在基板W的上表面形成有机溶剂的液膜100。并且，执行开口形成工序，在该开口形成工序中，从气体供给单元10向液膜100的中央区域供给气体，从而在液膜100的中央区域形成开口101。并且，执行开口扩大工序，在该开口扩大工序中，为了排除液膜100，而使开口101扩大。
在开口扩大工序中，执行基板旋转工序，在该基板旋转工序中，利用电动马达23使基板W旋转。另外，执行气体供给位置移动工序，在该气体供给位置移动工序中，从气体供给单元10朝向气体供给位置P2供给(吹送)气体，利用气体喷嘴移动单元16，使气体供给位置P2朝向基板W的上表面的周缘移动。另外，执行着落位置移动工序，在该着落位置移动工序中，从有机溶剂供给单元9朝向着落位置P1供给有机溶剂，利用有机溶剂喷嘴移动单元15，使着落位置P1朝向基板W的上表面的周缘移动。
根据该结构，在使形成于液膜100的开口101扩大，来从基板W上排除液膜100时，执行基板旋转工序、气体供给位置移动工序以及着落位置移动工序。
通过在开口101扩大的过程中使基板W旋转，使离心力作用于液膜100，向基板W推出液膜100。在气体位置移动工序中，设定为比开口101的周缘101a更靠内侧的气体供给位置P2，朝向基板W的上表面的周缘移动。因此，在开口101扩大的过程中，气体的吹送力作用于液膜100的内周缘。通过使气体的吹送力作用于液膜100的内周缘，能够更可靠地向基板W外推出液膜100。因此，抑制有机溶剂的液滴残留于比开口101的周缘101a更靠内侧的位置。即，能够良好地对比开口101的周缘101a更靠内侧的位置进行干燥。
另一方面，在着落位置移动工序中，设定在比开口101的周缘101a更靠外侧的位置的着落位置P1，朝向基板W的上表面的周缘移动。因此，能够充分地确保液膜100的厚度。因此，抑制因离心力以及吹送力而使开口101的附近的液膜100变薄。因此，能够使开口101在旋转方向的整个区域以均匀的速度扩大。
如上所述，能够使开口101在旋转方向的整个区域以均匀的速度扩大，并且能够对比开口101的周缘101a更靠内侧的位置良好地进行干燥。结果，能够良好地排除基板W上的有机溶剂。
另外，在本实施方式中，在着落位置移动工序中，从有机溶剂供给单元9供给有机溶剂。由此，一边在液膜100的内周缘形成液体隆起部102，一边使着落位置P1移动。因此，能够更充分地确保开口101的周缘101a附近的液膜100的厚度。另外，向液膜100的内周缘供给新的IPA，因此抑制液膜100的内周缘的温度降低。
另外，在本实施方式中，在执行开口扩大工序的期间，执行从气体供给单元10持续供给气体的气体供给持续工序。因此，在开口101扩大的过程中，使吹送力持续作用于液膜100。因此，能够更良好地使比开口101的周缘101a更靠内侧的位置干燥。
但是，当开口101扩大而使开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘时，基板W上的IPA的总量变少。因此，当开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘时，液膜100的温度容易降低。当液膜100的内周缘的温度降低时，IPA对基板W的上表面带来的表面张力变大。当液膜100的温度降低时，作用于形成于基板W的上表面的图案(参照图14)的表面张力变大，容易产生图案倒塌。另外，由于液膜100的温度降低，难以对基板W进行干燥。因此，存在如下担忧，即，无法良好地对基板W的上表面的周缘区域进行干燥。
因此，在本实施方式中，执行旋转减速工序，在该旋转减速工序中，利用电动马达23使基板W的旋转减速。由此，在开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘时，能够使液膜100变厚。因此，能够抑制：因开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘、而在基板W上存在的IPA减少。由此，能够抑制：因开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘而使液膜100的温度降低。因此，能够良好地对基板W的上表面的周缘区域进行干燥。
另外，在本实施方式中，在旋转减速工序中，以随着开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘而使基板W的转速降低的方式，利用电动马达23对基板W的旋转进行减速。
根据该结构，随着开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘，使液膜100逐渐地变厚。因此，即使在开口101的周缘101a位于外周区域时，也能够抑制：因开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘而在基板W上存在的IPA减少。因此，在开口101的周缘101a位于基板W的上表面的任意位置的情况下，都能够抑制液膜100的温度变化。结果，能够在基板W的上表面的整个区域良好地排除基板W上的液膜100。
但是，存在如下担忧，即，在IPA着落至液膜100时，IPA溅起来附着于基板W的上表面的比开口101更靠内侧的位置。因此，在本实施方式中，在气体供给位置移动工序中，执行气体倾斜喷出工序，在该气体倾斜喷出工序中，气体供给单元10的第一气体喷嘴70向倾斜方向D2喷出气体。并且，在气体供给位置移动工序中，执行气体喷嘴移动工序，在该气体喷嘴移动工序中，气体供给单元10的气体喷嘴移动单元16使第一气体喷嘴70移动。因此，就有机溶剂着落至液膜100时溅起的IPA而言，在附着于基板W的上表面的比开口101的周缘101a更靠内侧的位置之前，被气体推回而再次着落至液膜100。因此，能够良好地排除基板W上的液膜100。
液膜100的温度越高，作用于形成于基板W的上表面的图案(参照图14)的表面张力越小。液膜100的温度越高，越提高基板W的上表面的干燥速度。因此，在本实施方式中，基板处理装置1还包括加热流体供给单元11(基板加热单元)。并且，利用加热流体供给单元11加热基板W的基板加热工序与开口扩大工序并行地执行。由此，能够抑制液膜100的温度降低。或者，能够使液膜100的温度变高。因此，能够提高基板W的上表面的干燥速度。而且，抑制图案倒塌。因此，能够良好地排除基板W上的液膜100。
另外，在本实施方式中，在着落位置移动工序中，执行低表面张力液体倾斜喷出工序，在该低表面张力液体倾斜喷出工序中，有机溶剂供给单元9的第一有机溶剂喷嘴50向倾斜方向D1喷出作为有机溶剂(低表面张力液体)的IPA。并且，在着落位置移动工序中，执行低表面张力液体喷嘴移动工序，在该低表面张力液体喷嘴移动工序中，有机溶剂供给单元9的有机溶剂喷嘴移动单元15使第一有机溶剂喷嘴50移动。因此，能够将在有机溶剂着落至液膜100时IPA溅起的方向，朝向基板W的周缘侧。能够抑制：在IPA着落至液膜100时，IPA溅起来附着于基板W的上表面的比开口101更靠内侧的位置。
另外，根据本实施方式，在着落位置移动工序中，执行对着落位置P1的移动进行减速的着落位置移动减速工序。由此，能够增加：在开口101的周缘101a位于基板W的上表面的周缘区域时、供给至液膜100的IPA的总量。因此，即使基板W上的液膜100的热量被基板W夺取，也能够利用新供给至液膜100的IPA来补充热量。由此，能够抑制因开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘而引起的液膜100的温度降低。因此，能够良好地排除基板W上的液膜100。
在此，随着开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘，在单位时间内，在基板W的上表面上气体供给位置P2向旋转方向进行相对移动的距离增加。即，在单位面积内从第一气体喷嘴70吹送的气体的量减少。因此，在使第一气体喷嘴70匀速地朝向基板W的上表面的周缘移动的情况下，随着开口101的周缘101a接近基板W的上表面的周缘，基板W的干燥效率降低。
因此，在第一实施方式中，在气体供给位置移动工序中，执行使气体供给位置P2的移动减速的气体供给位置移动减速工序。由此，能够充分地对基板W的上表面的周缘区域进行干燥。
另外，在第一实施方式中，在气体供给位置移动工序中，执行使来自第一气体喷嘴70的氮气的流量(单位时间内的供给量)增加的供给量增加工序。由此，能够充分地对基板W的上表面的周缘区域进行干燥。
另外，随着开口101的周缘101a接近基板W的周缘，在单位时间内，在旋转方向上着落位置P1相对于基板W的相对移动距离变大。因此，在从第一有机溶剂喷嘴50向基板W供给IPA时，从液膜100溅回的IPA的流势以及量增加。但是，在第一实施方式中，执行供给量增加工序，因此即使在开口101的周缘101a向基板W的周缘移动而从液膜100溅回的IPA的流势以及量增加，也能够将溅回的IPA推回比开口101的周缘101a更靠外侧的位置。
另外，根据第一实施方式，在形成液膜100之前，利用氮气对腔室14的内部空间14A进行置换。因此，能够降低内部空间14A的湿度，进而降低基板W的上表面附近的环境气体内的湿度。因此，通过执行开口形成工序以及开口扩大工序，能够抑制水附着于露出的基板W。因此，能够良好地对基板W进行干燥。
有机溶剂的温度越高，利用有机溶剂置换冲洗液的置换效率越高。根据第一实施方式，从第二有机溶剂喷嘴60喷出的IPA的温度为沸点，或者稍微低于沸点。因此，能够利用IPA(有机溶剂)高效地置换DIW(冲洗液)。另外，能够缩短在利用加热流体供给单元11加热来使液膜100的温度上升时所需的时间。即，能够在短时间内形成温度充分高的液膜100。
另外，在有机溶剂挥发时，产生气化热，因此基板W上的液膜100的温度容易降低。根据第一实施方式，从第一有机溶剂喷嘴50喷出的IPA的温度也是沸点，或者稍微低于沸点。因此，在开口扩大工序中，向液膜100总是补充沸点或者稍微低于沸点的IPA，因此能够抑制因挥发而使液膜100的温度降低。
如上所述，对于第一实施方式的基板处理装置1的结构与第一实施方式的基板处理装置1所进行的基板处理进行了说明，但是第一实施方式的基板处理装置1也可以是下面那样的结构，也可以执行下面那样的基板处理。
例如，与上述的基板处理不同地，在利用高温的DIW来作为冲洗液的情况下，在从第二有机溶剂喷嘴60向基板W的上表面供给有机溶剂来利用有机溶剂置换冲洗液时，能够抑制基板W上的IPA的温度降低。通过抑制IPA的温度降低，能够高效地利用IPA置换DIW。因此，能够进一步缩短利用IPA置换DIW为止的时间。
在第一实施方式中，第一有机溶剂喷嘴50向倾斜方向D1喷出有机溶剂。但是，与第一实施方式不同地，第一有机溶剂喷嘴50也可以向铅垂方向(下方)喷出有机溶剂。另外，在第一实施方式中，第一气体喷嘴70向倾斜方向D2喷出气体。但是，与第一实施方式不同地，第一气体喷嘴70也可以向铅垂方向(下方)喷出气体。
另外，在利用第一实施方式的基板处理装置1进行的基板处理中，使第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70同时减速。但是，第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70也可以在不同的时刻进行减速。另外，第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70的移动速度也可以不同。
另外，在第一实施方式中，利用彼此不同的移动单元，使第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70移动。但是，与第一实施方式不同地，也可以使第一有机溶剂喷嘴50以及第一气体喷嘴70利用共用的喷嘴移动单元一体地移动。
另外，如图5C以及图5D所示，也可以在形成开口101时，从第一有机溶剂喷嘴50喷出有机溶剂。即，也可以使低表面张力液体供给工序与开口形成工序并行地执行。由此，在形成开口101时，能够充分地确保开口101的周缘101a附近的液膜100的厚度。因此，即使在形成开口时供给气体，而开口101的周缘101a的附近的IPA被推开，也能够充分地确保开口101的周缘101a的附近的液膜100的厚度。
＜第二实施方式＞
图9是用于说明第二实施方式的基板处理装置1P所具有的处理单元2P的结构例的图解性的剖视图。图10A至图10C是用于说明基板处理装置1P所进行的基板处理的一例的图解性的剖视图。在图9至图10C中，对于与之前说明的构件相同的构件，标注相同的附图标记，并省略说明。
基板处理装置1P与第一实施方式的基板处理装置1(参照图2)的主要的不同点在于，处理单元2P包括用于加热基板W的红外线加热器单元12，来代替加热流体供给单元11。红外线加热器单元12为基板加热单元的一例。
红外线加热器单元12包括：红外线灯110，产生红外线；以及灯壳体111，容纳红外线灯110。红外线灯110配置于灯壳体111内。红外线灯110例如包括灯丝以及用于容纳灯丝的石英管。
利用有机溶剂喷嘴移动单元15使红外线灯110沿着水平方向以及铅垂方向移动。详细而言，有机溶剂喷嘴移动单元15包括：臂15A，支撑第一有机溶剂喷嘴50；以及臂驱动机构15B，驱动臂15A。灯壳体111与第一有机溶剂喷嘴50一起支撑于臂15A。
利用有机溶剂喷嘴移动单元15，使红外线灯110沿着水平方向在中心位置与原始位置(退避位置)之间移动。在红外线灯110位于中心位置时，红外线照射基板W的上表面的照射区域位于基板W的上表面的中央区域。在红外线灯110位于退避位置时，该红外线灯110位于比罩部4更靠径向外侧的位置。红外线灯110被控制器3控制(参照图3)。灯壳体111以位于比第一有机溶剂喷嘴50更靠径向外侧的位置的方式，支撑于臂15A。
在基板处理装置1P所进行的基板处理中，利用红外线加热器单元12，来代替加热流体供给单元11。如图10A所示，在形成液膜100之后使第一有机溶剂喷嘴50移动至处理位置时，开始利用红外线灯110加热基板W(液膜100)。
并且，如图10B所示，当形成开口101时，利用红外线灯110加热液膜100内周缘(内周缘加热工序)。并且，灯壳体111位于比第一有机溶剂喷嘴50更靠径向外侧的位置，因此如图10C所示，在开口扩大工序中，红外线灯110与液膜100相向。
与第一实施方式不同地，在灯壳体111位于比第一有机溶剂喷嘴50更靠径向内侧的位置的情况下，在开口扩大工序中，红外线灯110与基板W的上表面的比开口101更靠内侧的部分相向。另一方面，在第二实施方式中，灯壳体111位于比第一有机溶剂喷嘴50更靠径向外侧的位置。因此，在开口扩大工序中，能够利用红外线加热器单元12直接加热液膜100。由此，能够抑制液膜100的温度降低。因此，能够进一步抑制液膜100的温度降低。
另外，根据第二实施方式，获得与第一实施方式同样的效果。
第二实施方式的基板处理装置1P也可以在红外线加热器单元12的基础上具有加热流体供给单元11。通过并用红外线加热器单元12与加热流体供给单元11，能够充分地加热基板W以及液膜100。
＜第三实施方式＞
图11是用于说明第三实施方式的基板处理装置1Q所具有的处理单元2Q的结构例的图解性的剖视图。图12是用于说明基板处理装置1Q所进行的基板处理的一例的图解性的剖视图。在图11以及图12中，对于与之前说明的构件相同的构件，标注相同的附图标记，并省略说明。
基板处理装置1Q与第一实施方式的基板处理装置1(参照图2)的主要的不同点在于，气体供给单元10的第一气体喷嘴70具有铅垂喷出口70a以及倾斜喷出口70b。
铅垂喷出口70a为朝向下方喷出气体的喷出口。倾斜喷出口70b朝向倾斜方向D3喷出气体。倾斜方向D3是以越朝向下方越接近基板W的上表面的周缘的方式，相对于铅垂方向倾斜的方向。沿着倾斜方向D3延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度例如为5°～45°。为了便于图示，将沿着倾斜方向D3延伸的直线与沿着铅垂方向延伸的直线交叉的交叉角度图示为小于45°的角度，但是优选该交叉角度为45°。
参照图12，在基板处理装置1Q所进行的基板处理的开口扩大工序中，从第一气体喷嘴70朝向铅垂方向以及倾斜方向D3这两个方向喷出气体(气体倾斜喷出工序)。将基板W的上表面中的、从铅垂喷出口70a供给气体的位置称为第一气体供给位置P21。将基板W的上表面中的、从倾斜喷出口70b供给气体的位置称为第二气体供给位置P22。第一气体供给位置P21以及第二气体供给位置P22设定为比开口101的周缘101a更靠内侧。在气体供给位置移动工序中，第一气体供给位置P21以及第二气体供给位置P22朝向基板W的周缘移动。
就从第一气体喷嘴70朝向铅垂方向喷出的气体而言，吹送至基板W的上表面的比开口101的周缘101a更靠内侧的位置。由此，能够更良好地对基板W的上表面的比开口101的周缘101a更靠内侧的位置进行干燥。另一方面，就从第一气体喷嘴70向倾斜方向D3喷出的气体而言，在IPA着落至液膜100时溅起的IPA附着于基板W的上表面的比开口101更靠内侧的位置之前，推回该溅起的IPA。被向倾斜方向D3喷出的气体推回的IPA会再次着落至液膜100。因此，能够良好地排除基板W上的液膜100。
另外，根据第三实施方式，能够获得与第一实施方式同样的效果。
与第三实施方式不同地，第一气体喷嘴70也可以具有3个以上的喷出口。第一气体喷嘴70也可以是具有呈喷淋状喷出气体的多个喷出口的喷淋喷嘴。若第一气体喷嘴70为喷淋喷嘴，则在气体供给位置移动工序中，能够一边利用氮气等气体置换开口101的周缘101a的附近的环境气体，一边对基板W的上表面进行干燥。因此，能够更良好地对基板W的上表面进行干燥。
＜第四实施方式＞
图13是用于说明第四实施方式的基板处理装置1R所具有的处理单元2R的结构例的图解性的剖视图。在图13中，对于与之前说明的构件相同的构件，标注相同的附图标记，并省略说明。
基板处理装置1R与第一实施方式的基板处理装置1(参照图2)的主要的不同点在于，加热流体供给单元11包括中心流体喷嘴120与环状流体喷嘴121，来代替加热流体喷嘴90(参照图2)。中心流体喷嘴120朝向基板W的下表面的中央区域供给加热流体。环状流体喷嘴121向基板W的下表面的环状区域供给加热流体。基板W的下表面的环状区域指，基板W的下表面中的除了中央区域之外的区域。详细而言，基板W的下表面的环状区域为，从比中央区域更靠外侧的规定位置到基板W的下表面的周缘为止的范围内的区域。
中心流体喷嘴120沿着铅垂方向延伸。中心流体喷嘴120插入旋转轴22。在中心流体喷嘴120的上端具有与基板W的下表面的旋转中心相面对的喷出口120a。环状流体喷嘴121形成为从中心流体喷嘴120的前端向径向延伸的杆喷嘴的形态，具有与基板W的下表面的环状区域相面对的多个喷出口121a。多个喷出口121a分别配置于距旋转轴线A1的距离不同的多个位置。通过使基板W以旋转轴线A1为中心旋转，使这些多个喷出口121a与基板W的下表面的环状区域相面对。
在中心流体喷嘴120的下端连接有加热流体供给管91。从加热流体供给源经由加热流体供给管91向中心流体喷嘴120以及环状流体喷嘴121供给温水等加热流体。从中心流体喷嘴120的喷出口120a以及环状流体喷嘴121的多个喷出口121a喷出的加热流体并不限定于温水。从中心流体喷嘴120的喷出口120a以及环状流体喷嘴121的多个喷出口121a喷出的加热流体，只要是能够加热基板W的流体即可。例如，加热流体可以是高温的氮气，也可以是水蒸气。若加热流体为水蒸气，则能够利用温度比温水的温度更高的流体加热基板W。
就从中心流体喷嘴120的喷出口120a以及环状流体喷嘴121的多个喷出口121a喷出的加热流体而言，借助离心力沿着基板W的下表面向外侧扩散，从而形成用于覆盖基板W的下表面的液膜。从多个喷出口120a、121a喷出的加热流体到达各自相向的基板W的下表面的各位置，在到达之后开始进行加热流体与基板W之间的热交换。因此，能够均匀地对基板W的整个区域进行加热。根据第四实施方式，能够获得与第一实施方式同样的效果。
另外，能够利用加热流体供给单元11彻底地加热从基板W的旋转中心到周缘为止的部位，因此即使在开口101到达基板W的周缘区域的情况下，也能够稳定地使开口101的周缘101a的有机溶剂蒸发。由此，能够通过加热基板W来良好地辅助开口101的扩大。
本发明并不限定于上面说明的实施方式，还可以以其它方式实施。
例如，与第一实施方式的基板处理装置1不同地，气体供给单元也可以包括具有与基板W的上表面的一部分相向的相向面的气体喷嘴，来代替第一气体喷嘴70。在使该气体喷嘴接近开口101的周缘101a的状态下，从该气体喷嘴喷出氮气(气体)，从而形成从基板W的开口101的周缘101a所位于的部分与该相向面之间朝向外部的气流。因此，能够容易地将从液膜100溅回的IPA推回比开口101的周缘101a更靠外侧的位置。
对于本发明的实施方式进行了详细说明，但是这些仅仅是用于明确本发明的技术内容的具体例，本发明并不限定于这些具体例，本发明的范围仅由权利要求书决定。
本申请与2017年8月31日向日本专利局提出的特愿2017-167680号对应，将该申请的全部公开内容通过引用编入于此。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，
包括：
基板保持工序，将基板保持为水平；
处理液供给工序，向所述基板的上表面供给含有水的处理液；
液膜形成工序，通过向所述基板的上表面供给表面张力低于水的表面张力的低表面张力液体，来利用所述低表面张力液体置换所述基板上的处理液，从而形成覆盖所述基板的上表面的所述低表面张力液体的液膜；
开口形成工序，通过向所述液膜的中央区域供给气体，在所述液膜的中央区域形成开口；
开口扩大工序，使所述开口扩大，以排除所述液膜；
基板旋转工序，在所述开口扩大工序中，使所述基板以沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线为中心旋转；
气体供给位置移动工序，在所述开口扩大工序中，朝向气体供给位置吹送所述气体，使所述气体供给位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述气体供给位置设定为，在所述基板的上表面上比所述开口的周缘更靠内侧；以及
着落位置移动工序，在所述开口扩大工序中，朝向着落位置供给所述低表面张力液体，使所述着落位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述着落位置设定为，在所述基板的上表面上比所述开口的周缘更靠外侧。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述着落位置移动工序包括：一边通过供给所述低表面张力液体来在所述液膜的内周缘形成液体隆起部，一边使所述着落位置移动的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
还包括低表面张力液体供给工序，所述低表面张力液体供给工序与所述开口形成工序并行地进行，在所述低表面张力液体供给工序中，向所述液膜供给所述低表面张力液体。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
还包括在执行所述开口扩大工序的期间持续供给所述气体的气体供给持续工序。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述基板旋转工序包括旋转减速工序，在所述旋转减速工序中，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述基板的转速比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述基板的转速更小的方式，使所述基板的旋转减速。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述旋转减速工序包括：以所述开口的周缘越接近所述基板的上表面的周缘则所述基板的转速越降低的方式，使所述基板的旋转减速的工序。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述气体供给位置移动工序包括：
气体倾斜喷出工序，从气体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述气体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向；以及
气体喷嘴移动工序，通过使所述气体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动，来使所述气体供给位置移动。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
还包括加热所述基板的基板加热工序，
所述基板加热工序与所述开口扩大工序并行地执行。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述着落位置移动工序包括：
低表面张力液体倾斜喷出工序，从低表面张力液体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向；以及
低表面张力液体喷嘴移动工序，通过使所述低表面张力液体喷嘴朝向所述基板的周缘移动，来使所述着落位置移动。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述着落位置移动工序包括移动减速工序，在所述移动减速工序中，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述着落位置的移动速度比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述着落位置的移动速度更小的方式，使所述着落位置的移动减速。
11.一种基板处理装置，
包括：
基板保持单元，将基板保持为水平；
处理液供给单元，向所述基板的上表面供给含有水的处理液；
低表面张力液体供给单元，向所述基板的上表面供给表面张力低于水的表面张力的低表面张力液体；
气体供给单元，向所述基板的上表面供给气体；
基板旋转单元，使所述基板以沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线为中心旋转；
气体供给位置移动单元，使气体供给位置移动，所述气体供给位置为，所述基板的上表面的被供给来自所述气体供给单元的所述气体的位置；
着落位置移动单元，使着落位置移动，所述着落位置为，所述基板的上表面的来自所述低表面张力液体供给单元的所述低表面张力液体着落的位置；以及
控制器，控制所述基板保持单元、所述处理液供给单元、所述低表面张力液体供给单元、所述气体供给单元、所述基板旋转单元、所述气体供给位置移动单元以及所述着落位置移动单元，
所述控制器设定为执行：
基板保持工序，通过所述基板保持单元将所述基板保持为水平；
处理液供给工序，从所述处理液供给单元朝向所述基板的上表面供给所述处理液；
液膜形成工序，从所述低表面张力液体供给单元朝向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，来利用所述低表面张力液体置换所述处理液，从而在所述基板的上表面形成所述低表面张力液体的液膜；
开口形成工序，通过从所述气体供给单元向所述液膜的中央区域供给所述供给气体，来在所述液膜的中央区域形成开口；
开口扩大工序，使所述开口扩大，以排除所述液膜；
基板旋转工序，在所述开口扩大工序中，通过所述基板旋转单元使所述基板旋转；
气体供给位置移动工序，在所述开口扩大工序中，从所述气体供给单元朝向所述气体供给位置吹送所述气体，通过所述气体供给位置移动单元，使所述气体供给位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述气体供给位置设定为，在所述基板的上表面上位于比所述开口的周缘更靠内侧的位置；以及
着落位置移动工序，在所述开口扩大工序中，从所述低表面张力液体供给单元朝向所述着落位置供给所述低表面张力液体，通过所述着落位置移动单元，使所述着落位置朝向所述基板的上表面的周缘移动，所述着落位置设定为，在所述基板的上表面上位于所述开口的周缘的外侧。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行：一边通过从所述低表面张力液体供给单元供给所述低表面张力液体，来在所述液膜的内周缘形成液体隆起部，一边使所述着落位置移动的工序。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，与所述开口形成工序并行地执行低表面张力液体供给工序，在所述低表面张力液体供给工序中，从所述低表面张力液体供给单元向所述液膜供给所述低表面张力液体。
14.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，执行在执行所述开口扩大工序的期间从所述气体供给单元持续供给所述气体的气体供给持续工序。
15.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，在所述基板旋转工序中执行旋转减速工序，在所述旋转减速工序中，通过所述基板旋转单元，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述基板的转速比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述基板的转速更小的方式，使所述基板的旋转减速。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，在所述旋转减速工序中执行：通过所述基板旋转单元，以所述开口的周缘越接近所述基板的上表面的周缘则所述基板的转速越降低的方式，使所述基板的旋转减速的工序。
17.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给单元包括气体喷嘴，所述气体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述气体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向，
所述气体供给位置移动单元包括气体喷嘴移动单元，所述气体喷嘴移动单元使所述气体喷嘴沿着所述基板的上表面移动，
所述控制器设定为，在所述气体供给位置移动工序执行：
气体倾斜喷出工序，从所述气体喷嘴喷出所述气体；以及
气体喷嘴移动工序，通过所述气体喷嘴移动单元，使所述气体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动。
18.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
还包括加热所述基板的基板加热单元，
所述控制器设定为，与所述开口扩大工序并行地执行通过所述基板加热单元加热所述基板的基板加热工序。
19.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述低表面张力液体供给单元包括低表面张力液体喷嘴，所述低表面张力液体喷嘴沿着倾斜方向喷出所述低表面张力液体，所述倾斜方向为，以越接近下方则越接近所述基板的上表面的周缘的方式相对于铅垂方向倾斜的方向，
所述着落位置移动单元包括低表面张力液体喷嘴移动单元，所述低表面张力液体喷嘴移动单元使所述低表面张力液体喷嘴沿着所述基板的上表面移动，
所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行：
低表面张力液体倾斜喷出工序，从所述低表面张力液体喷嘴喷出所述低表面张力液体；以及
低表面张力液体喷嘴移动工序，通过所述低表面张力液体喷嘴移动单元，使所述低表面张力液体喷嘴朝向所述基板的上表面的周缘移动。
20.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述控制器设定为，在所述着落位置移动工序中执行移动减速工序，在所述移动减速工序中，通过所述着落位置移动单元，以使所述开口的周缘位于所述基板的上表面的周缘区域时的所述着落位置的移动速度比所述开口的周缘位于所述基板的上表面的中央区域时的所述着落位置的移动速度更小的方式，使所述着落位置的移动减速。
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