KR102096527B1 - 실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름 - Google Patents

실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름 Download PDF

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Abstract

실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름이 개시된다. 상기 실리콘 이형 필름은 시간 또는 온도 변화와 같은 외부 환경 변화에 무관하게 다양한 박리속도 범위에서 우수한 박리 특성을 제공할 수 있다.

Description

실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름{Silicone release film, protective film for adhesive film and adhesive tape including the same}
실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름에 관한 것이다.
이형 필름은 점착성분에 잘 붙지 않는 이형성을 갖는 필름을 의미하며, 점착 필름 또는 점착 테이프 등에 사용되는 보호 필름으로 부착될 수 있다. 이형 필름은 예를 들어, 점착제가 사용되기 전, 의도하지 않게 피착물에 피착되거나 또는 이물 등에 의한 오염을 방지하는 용도로 사용되고 있고, 상기 이형 필름은 점착제를 사용하기 전에 제거되고 있다.
이러한 이형 필름은 일반적으로 폴리실록산을 주성분으로 하는 실리콘 이형 조성물을 도포하여 실리콘 이형층이 형성된 실리콘 이형 필름이 사용되고 있다.
최근, 기술발전으로 인한 제품의 경박단소 경향에 따라 얇은 두께를 갖는 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착 필름에 대한 요구가 점차 증가하고 있으며, 상기 점착 필름을 구성함에 있어 기재의 두께가 감소하거나 또는 기재 없이 상기 점착 필름을 구성하는 방법이 채용되고 있는 추세이다. 또한 생산성 향상을 위하여 상기 점착 필름에서 실리콘 이형 필름을 박리하는 속도가 더욱 빨라지는 추세를 보이고 있다.
이에 따라 고속의 박리 속도에서 박리성이 악화되어 점착층이 찢어지거나 또는 박리력이 낮은 경박리 이형 필름과 박리력이 높은 중박리 이형 필름 사이에 압착된 양면 점착 필름에서 경박리 이형 필름을 먼저 박리하는 경우에 고속의 박리 속도에서 경박리 이형 필름이 중박리화되면서 점착층이 함께 박리되는 문제가 발생하고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 박리성이 개선된 신규한 실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름에 대한 요구가 여전히 있다.
일 측면은 박리성이 개선된 실리콘 이형 필름을 제공하는 것이다.
다른 측면은 상기 실리콘 이형필름을 포함하는 점착 필름용 보호 필름을 제공하는 것이다.
또다른 측면은 상기 실리콘 이형필름을 포함하는 점착 테이프용 보호 필름을 제공하는 것이다.
일 측면에 따라,
기재필름; 및
상기 기재필름의 적어도 일면에 배치된 실리콘 이형 조성물을 포함하는 이형층;을 포함하며,
상기 이형층은 하기 수학식 1 내지 3을 동시에 만족하는 실리콘 이형 필름이 제공된다:
<수학식 1>
10 ≤ L ≤ 25
<수학식 2>
10 ≤ H ≤ 40
<수학식 3>
1 ≤ H/L ≤ 2
상기 수학식 1 내지 3에서,
L (gram/inch)은 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
H (gram/inch)는 30 m/분의 박리속도에서 측정한 고속 박리력값이며,
상기 저속 박리력값과 상기 고속 박리력값은 각각 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 측정한 값이다.
다른 측면에 따라,
전술한 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착 필름용 보호 필름이 제공된다.
또다른 측면에 따라,
전술한 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착 테이프용 보호 필름이 제공된다.
일 측면에 따른 실리콘 이형 필름은, 다양한 박리 속도 범위에서 우수한 박리성을 유지할 수 있으며, 시간경과 또는 온도변화 등 외부환경의 변화에 따른 박리성 악화 문제를 억제하여 가공시 문제를 방지할 수 있는 실리콘 이형 필름을 제공하는 것이다.
도 1은 일 구현예에 따른 실리콘 이형 필름의 단면도를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 실리콘 이형 필름, 이를 포함하는 점착 필름용 및 점착 테이프용 보호 필름에 관해 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.
본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.
본 명세서의 도면은 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
본 명세서에서 "위에(또는 상에)"라는 용어는 다른 부분 "직접 위에(또는 직접 상에)" 위치하고 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 반대로, "직접 위에(또는 직접 상에)"라는 용어는 중간에 다른 부분이 개재되어 있지 않은 것을 의미한다.
본 명세서에서 "포함"이라는 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 추가 또는/및 개재할 수 있음을 나타내도록 사용된다. 이하, 도 1을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 이형 필름에 대해서 상세하게 설명한다.
최근, 점착 필름을 구성함에 있어 실리콘 이형 필름 위에 점착 조성물을 도포하는 방식이 적용되고 있다. 이러한 도포된 점착 조성물은 건조 및 경화공정을 통해 점착층이 형성되는 과정에서 시간경과 또는 온도변화 등으로 실리콘 이형 필름의 박리성이 악화되는 문제가 발생할 수 있다. 또한 생산성 향상을 위해 실리콘 이형 필름이 박리되는 속도가 빨라짐에 따라 박리성이 악화되어 점착층이 찢어지거나 또는 원하지 않은 상황에서 점착층이 박리되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 발명자들은 상기 문제를 해결하고자 다음과 같이 박리성이 개선된 실리콘 이형 필름을 제안하고자 한다.
도 1은 일 구현예에 따른 실리콘 이형 필름의 단면도를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 실리콘 이형 필름(100)은 기재필름(110) 및 기재필름(110)의 적어도 일면에 배치된 실리콘 이형 조성물을 포함하는 이형층(120)을 포함한다. 상기 실리콘 이형 조성물을 포함하는 이형층(120)은 기재필름(110)의 일면에만 배치될 수도 있고, 기재필름(110)의 양면에 배치될 수도 있다.
일 구현예에 따른 실리콘 이형 필름(100)은 기재필름(110) 및 상기 기재필름(110)의 적어도 일면에 배치된 실리콘 이형 조성물을 포함하는 이형층(120)을 포함하며, 상기 이형층(120)은 하기 수학식 1 내지 3을 동시에 만족할 수 있다:
<수학식 1>
10 ≤ L ≤ 25
<수학식 2>
10 ≤ H ≤ 40
<수학식 3>
1 ≤ H/L ≤ 2
상기 수학식 1 내지 3에서,
L (gram/inch)은 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
H (gram/inch)는 30 m/분의 박리속도에서 측정한 고속 박리력값이며,
상기 저속 박리력값과 상기 고속 박리력값은 각각 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 측정한 값이다.
일반적으로 사용되는 실리콘 이형 필름은 0.3 m/분의 박리속도에서 측정되는 박리력인 저속 박리력의 물성을 만족하기 위하여 이형층에 포함된 실리콘 이형 조성물을 설계하기 때문에 수학식 1에서 제시된 바와 같은 낮은 박리력을 구현하기 위하여 높은 분자량을 갖는 폴리실록산을 적용하는 경우가 있다. 이러한 경우에 실리콘 이형 필름의 이형층은 알케닐기 함유 유기폴리실록산과 수소 함유 유기폴리실록산의 반응으로 형성되는 가교점 개수가 분자량 대비 적게 형성될 수 있다. 예를 들어, 가교화된 실리콘의 분자량이 4,000 내지 100,000당 가교점이 하나 생성되도록 분자를 설계하고 합성하여 실리콘 이형 조성물에 적용하는 경우가 있다. 이에 따라 0.3 m/분의 박리속도에서 측정되는 저속 박리력은 낮게 유지할 수 있으나, 박리속도에 따른 박리력의 의존성이 크게 나타나는 까닭에 30 m/분의 박리속도에서 측정되는 고속 박리력이 크게 증가할 수 있다. 이러한 경우에는 생산성 향상을 위하여 점착제를 박리하는 속도를 증가시킬 때, 박리성이 악화되어 상기 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착층이 찢어지는 문제가 발생하거나 또는 상기 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착층이 함께 박리되는 문제가 발생할 수 있다.
일 구현예에 따른 실리콘 이형 필름(100)은 상기 수학식 1 내지 3을 동시에 만족하여, 상기 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착층의 찢어짐 또는 점착층의 선박리의 문제도 발생하지 않을 수 있다.
상기 이형층(120)은 하기 수학식 4 및 5를 동시에 만족할 수 있다:
<수학식 4>
1.0 ≤ R14/R1 ≤ 1.5
<수학식 5>
1.0 ≤ P80/P25 ≤ 1.5
상기 수학식 4 및 5에서,
R1(gram/inch)은 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
R14(gram/inch)는 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 14일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
P25(gram/inch)는 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
P80(gram/inch)은 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 80℃에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이다.
상기 이형층(120)을 포함하는 실리콘 이형 필름은 수학식 4 및 5를 만족함으로써 온도변화에 따른 박리력 변화 및 시간경과에 따른 박리력 변화가 억제될 수 있다. 이를 통해, 시간경과 또는 온도변화에 대해서도 박리력이 일정하게 유지되는 박리성이 개선된 실리콘 이형 필름을 제공할 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기를 갖는 알케닐기 함유 유기폴리실록산, 수소 함유 유기폴리실록산, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112018060642225-pat00001
<화학식 2>
Figure 112018060642225-pat00002
<화학식 3>
Figure 112018060642225-pat00003
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1, R2, R3, R4, R5는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환의 C1-C12 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기일 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 화학식 1로 표시되는 구조단위를 적어도 하나 포함할 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 적어도 넷 포함할 수 있다. 또한 상기 실리콘 이형 조성물은 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 적어도 하나 포함할 수 있다.
이를 통해, 상기 알케닐 함유 유기폴리실록산은 분자 내에 추가적으로 하나의 가교점을 가지게 되고, 이를 포함하는 실리콘 이형 필름은 이형층을 구성하는 가교화된 실리콘의 분자량 4000 미만마다 하나 이상의 가교점이 생성되도록 분자를 설계하여 합성할 수 있다.
상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산은 하기 화학식 4로 표시되는 유기폴리실록산을 포함할 수 있다:
<화학식 4>
{R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
상기 화학식 4에서,
n은 4 내지 10의 정수일 수 있으며,
m은 10 내지 200의 정수일 수 있으며,
l은 0일 수 있으며,
k는 1 내지 4의 정수일 수 있으며,
R'1 , R'2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환의 C1-C12 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기일 수 있으며,
R'3은 치환 또는 비치환의 메틸기일 수 있으며,
단, R'1 , R'2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기일 수 있다.
상기 n, m, l, k는 블록결합을 의미하는 것이 아니라, 이들은 각각 반복단위의 총합을 의미한다. 상기 식에서 n, m, l, k에 해당되는 반복단위는 랜덤결합 또는 블록결합하고 있을 수 있다.
상기 실리콘 이형 필름이 이형층에 상기 화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산을 포함하는 경우, 상기 실리콘 이형 필름은 이형층을 구성하는 가교화된 실리콘 분자량 4000 미만마다 하나 이상의 가교점이 생성될 수 있으며, 이를 통해 박리력의 박리속도 의존성을 줄일 수 있으며, 저속 박리력 대비 고속 박리력의 증가폭이 적어 우수한 박리성을 가질 수 있다.
상기 수소 함유 유기폴리실록산은 하기 화학식 5로 표시되는 유기폴리실록산을 추가로 포함할 수 있다:
<화학식 5>
{R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2 R"3SiO2 / 2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
상기 화학식 5에서,
z는 2 내지 10의 정수일 수 있으며,
x, y는 각각 1 내지 50의 정수일 수 있으며,
x + y는 2 내지 80의 정수일 수 있으며,
w는 0일 수 있고 v는 0 내지 4의 정수일 수 있으며,
R"1은 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기일 수 있으며,
R"2는 수소 또는 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기일 수 있으며,
R"3은 메틸기일 수 있다.
상기 v, w, x, y, z는 블록결합을 의미하는 것이 아니라, 이들은 각각 반복단위의 총합을 의미한다. 상기 식에서 v, w, x, y, z에 해당되는 반복단위는 랜덤결합 또는 블록결합하고 있을 수 있다.
상기 실리콘 이형 필름이 이형층에 상기 화학식 5로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산을 포함하는 경우, 상기 실리콘 이형 필름은 이형층을 구성하는 가교화된 실리콘의 가교점이 보다 치밀하게 생성될 수 있으며, 이를 통해 박리력의 박리속도 의존성을 보다 줄일 수 있으므로 저속 박리력 대비 고속 박리력의 증가폭이 적어 우수한 박리성을 가질 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 예를 들어, 하기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산을 포함할 수 있다:
<화학식 6>
Figure 112018060642225-pat00004
화학식 6에서,
a, b, c, d는 서로 독립적으로 1 내지 100의 정수일 수 있고 a+b+c+d는 10 내지 200의 정수일 수 있으며,
e, f, g, h는 서로 독립적으로 0 내지 10의 정수일 수 있고 e+f+g+h는 0 내지 20의 정수일 수 있으며,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기일 수 있으며,
단, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기일 수 있다.
상기 a, b, c, d, e, f, g, h는 블록결합을 의미하는 것이 아니라, 이들은 각각 반복단위의 총합을 의미한다. 상기 식에서 a, b, c, d, e, f, g, h에 해당되는 반복단위는 랜덤결합 또는 블록결합하고 있을 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 예를 들어, 하기 화학식 7로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산을 포함할 수 있다:
<화학식 7>
Figure 112018060642225-pat00005
상기 화학식 7에서,
o, p, q, r은 서로 독립적으로 1 내지 20의 정수일 수 있으며,
o+p+q+r은 4 내지 50의 정수일 수 있으며,
s, t, u, v는 서로 독립적으로 1 내지 20의 정수일 수 있으며,
s+t+u+v는 4 내지 50의 정수일 수 있다.
상기 o, p, q, r, s, t, u, v는 블록결합을 의미하는 것이 아니라, 이들은 각각 반복단위의 총합을 의미한다. 상기 식에서 o, p, q, r, s, t, u, v에 해당되는 단위는 랜덤결합 또는 블록결합하고 있을 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 하기 수학식 6을 만족할 수 있다:
<수학식 6>
1.5 ≤ S/T ≤ 2.5
상기 수학식 6에서,
S는 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합이고,
T는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합이다.
상기 실리콘 이형 조성물은 예를 들어, 상기 알케닐기의 총합에 대한 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합의 비율은 1.7 내지 2.4일 수 있고, 예를 들어 2.0 내지 2.2일 수 있다. 상기 실리콘 이형 조성물에 포함된 상기 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합과 상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합의 비율이 상기 범위라면, 상기 실리콘 이형 필름은 미반응 유기폴리실록산이 이형층 내에 잔존하지 않아 균일한 이형 특성을 가질 수 있으며, 이로 인해 우수한 박리성을 가질 수 있다.
상기 이형층은 하기 수학식 7을 만족할 수 있다:
<수학식 7>
90 ≤ Q ≤ 100
상기 수학식 7에서,
Q(%)는 이형층의 잔류 접착률을 나타낸다.
상기 실리콘 이형 필름은 이형층에 대하여 측정한 잔류 접착률을 상기 범위 내로 가짐으로써 실리콘 전사 문제를 방지할 수 있으며, 이를 통해 점착제의 오염을 방지할 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 백금 킬레이트 촉매, 바인더, 및 잔량의 용매를 더 포함할 수 있다.
상기 백금 킬레이트 촉매의 함량은 5 ppm 내지 500 ppm일 수 있다. 상기 백금 킬레이트 촉매의 함량이 상기 범위 내에서 사용된다면, 알케닐기 함유 유기폴리실록산과 수소 함유 유기폴리실록산의 부가반응을 돕는 역할을 하며, 반응속도를 촉진시켜 이형층 내의 가교화된 실리콘을 형성할 수 있다.
상기 바인더는 상기 실리콘 이형 조성물과 상용성이 양호한 실란계 화합물일 수 있다. 상기 바인더는 예를 들어, 에폭시 실란계 화합물, 아미노 실란계 화합물, 비닐 실란계 화합물, 메타크릴옥시 실란계 화합물, 및 이소시아네이트 실란계 화합물로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 바인더는 예를 들어, 에폭시 실란계 화합물을 주성분으로 하는 실란계 화합물의 혼합물일 수 있다.
상기 바인더를 포함하는 실리콘 이형 조성물은 가교밀도를 조절하여 안정적인 이형물성을 도출할 수 있으며, 이형층의 내용제성 및 내구성을 향상할 수 있고 상기 이형층과 상기 기재필름과의 부착력을 향상시킬 수 있다.
상기 잔량의 용매는 실리콘 이형 조성물의 고형분을 분산시켜 기재필름에 도포시킬 수 있는 것이면 제한은 없으나, 예를 들어 물을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 이형 조성물은 예를 들어, 물을 주성분으로 하는 용매에 분산한 수계 에멀젼 상태로 희석하여 상기 기재필름에 도포할 수 있다.
상기 실리콘 이형 조성물은 고형분 함량이 1 내지 10 중량%일 수 있다. 상기 실리콘 이형 조성물을 상기 고형분 함량의 범위로 희석한 후, 기재필름에 도포할 수 있다. 상기 실리콘 이형 조성물의 고형분 함량이 1 중량% 미만이라면, 미코팅이 발생하는 등 균일한 코팅층을 얻을 수가 없으므로 박리력이 상승하는 등 박리성이 불안정해질 수 있다. 상기 실리콘 이형 조성물의 고형분 함량이 10 중량% 초과한다면, 코팅외관이 불량해질 수 있고, 이형층과 기재필름과의 밀착성이 저하될 수 있다. 따라서 이형층의 내구성이 약해지고 이형층이 마찰 등의 외부 자극에 의해 벗겨질 수 있다.
상기 이형층의 두께는 0.01 내지 10㎛일 수 있다. 상기 이형층이 상기 범위 내의 두께를 갖는 경우 균일한 이형층이 형성될 수 있다.
상기 기재필름은 폴리이미드계 필름, 폴리올레핀계 필름, 폴리에스테르계 필름, 폴리아세탈계 필름, 및 폴리카보네이트계 필름 중에서 적어도 1종일 수 있다. 상기 기재필름은 예를 들어, 폴리에스테르계 필름일 수 있다. 상기 기재필름은 예를 들어, 공정의 편의성을 위해 입자를 포함하는 폴리에스테르계 필름일 수 있다.
다른 일 구현예에 따른 점착 필름용 보호 필름은 전술한 실리콘 이형 필름을 포함할 수 있다.
또다른 일 구현예에 따른 점착 테이프용 보호 필름은 전술한 실리콘 이형 필름을 포함할 수 있다.
상기 점착 필름용 또는/및 점착 테이프용 이형 필름은 광학용 표시장치의 부재로 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 당해 기술분야에서 사용될 수 있는 모든 기술분야에 적용이 가능하다.
본 명세서에서, "치환"이라는 용어는 작용기에 포함된 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기(예: CCF3, CHCF2, CH2F, CCl3 등), C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로의 치환을 말한다.
"할로겐 원자"는 불소, 브롬, 염소, 요오드 등을 포함한다.
"알킬"은 완전 포화된 분지형 또는 비분지형 (또는 직쇄 또는 선형) 탄화수소를 말한다. “알킬”의 비제한적인 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, iso-아밀, n-헥실, 3-메틸헥실, 2,2-디메틸펜틸, 2,3-디메틸펜틸, 또는 n-헵틸 등을 들 수 있다.
"알콕시" 및 "아릴옥시"는 각각 산소 원자에 결합된 알킬 또는 아릴을 의미한다.
"알케닐"은 적어도 하나의 탄소-탄소 이중결합을 갖는 분지형 또는 비분지형 탄화수소를 말한다. 알케닐기의 비제한적인 예로는 비닐, 알릴, 부테닐, 이소프로페닐, 또는 이소부테닐 등을 들 수 있다.
"알키닐"은 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중결합을 갖는 분지형 또는 비분지형 탄화수소를 말한다. 상기 “알키닐”의 비제한적인 예로는 에티닐, 부티닐, 이소부티닐, 이소프로피닐 등을 들 수 있다.
"아릴"은 방향족 고리가 하나 이상의 탄소고리고리에 융합된 그룹도 포함한다. “아릴”의 비제한적인 예로는, 페닐, 나프틸, 또는 테트라히드로나프틸 등을 들 수 있다.
"헤테로아릴" 은 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 고리원자가 탄소인 모노시클릭(monocyclic) 또는 바이시클릭(bicyclic) 유기 화합물을 의미한다. 상기 헤테로아릴기는 예를 들어 1-5개의 헤테로원자를 포함할 수 있고, 5-10 고리 멤버(ring member)를 포함할 수 있다. 상기 S 또는 N은 산화되어 여러가지 산화 상태를 가질 수 있다.
“헤테로아릴”의 비제한적인 예로는, 티에닐, 푸릴, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 1,2,3-옥사디아졸릴, 1,2,4-옥사디아졸릴, 1,2,5-옥사디아졸릴, 1,3,4-옥사디아졸릴기, 1,2,3-티아디아졸릴, 1,2,4-티아디아졸릴, 1,2,5-티아디아졸릴, 1,3,4-티아디아졸릴, 이소티아졸-3-일, 이소티아졸-4-일, 이소티아졸-5-일, 옥사졸-2-일, 옥사졸-4-일, 옥사졸-5-일, 이소옥사졸-3-일, 이소옥사졸-4-일, 이소옥사졸-5-일, 1,2,4-트리아졸-3-일, 1,2,4-트리아졸-5-일, 1,2,3-트리아졸-4-일, 1,2,3-트리아졸-5-일, 테트라졸릴, 피리드-2-일, 피리드-3-일, 2-피라진-2일, 피라진-4-일, 피라진-5-일, 2- 피리미딘-2-일, 4- 피리미딘-2-일, 또는 5-피리미딘-2-일 등을 들 수 있다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되지 않는다는 것은 자명한 사실일 것이다.
[실시예]
실시예 1: 실리콘 이형 필름의 제조
화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산(다우코닝사 제조) 및 화학식 5로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산(다우코닝사 제조)을 혼합하였다. 상기 혼합한 유기폴리실록산에 에폭시 실란계 화합물 (다우코닝사 제조, CAS 2530-83-8) 1중량% 및 백금 킬레이트 촉매 (다우코닝사 제조) 25 ppm을 첨가하여 실리콘 이형 조성물을 얻었다. 이 때, 상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합(T)에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합(S)의 비(S/T)가 2.1이 되도록 함량을 조절하였다.
그리고나서 상기 실리콘 이형 조성물은 고형분 함량이 5 중량%가 되도록 잔량의 물에 수계 에멀젼 상태로 희석하였고, 코로나 처리된 이축 연신 폴리에스테르 기재 필름(도레이첨단소재, Excell-50㎛)의 일면에 실리콘 이형 조성물을 도포하였다. 상기 도포된 실리콘 이형 조성물을 180℃에서 50초 동안 건조하여 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
<화학식 4>
{R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
상기 화학식 4에서,
n은 4이고 m은 120이고 l은 0이고 k는 1이며,
R'1은 비닐기이고, R'2, R'3은 메틸기이다.
<화학식 5>
{R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2 R"3SiO2 / 2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
화학식 5에서,
z는 2이고 y는 10이고 x는 20이고 w, v는 각각 0이며,
R"1은 메틸기이고, R"2는 수소이며, R"3은 메틸기이다.
실시예 2: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산(다우코닝사 제조)에서 R'1은 비닐기 대신 헥세닐기인 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 3: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산 대신 하기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
<화학식 6>
Figure 112018060642225-pat00006
상기 화학식 6에서,
a, b, c, d는 각각 30이고 e, f, g, h는 각각 2이며,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh는 각각 비닐기이다.
실시예 4: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합(T)에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합(S)의 비(S/T)가 2.1인 대신 1.7이 되도록 함량을 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 5: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합(T)에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합(S)의 비(S/T)가 2.1인 대신 2.4가 되도록 함량을 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 6: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에서 a, b, c, d는 각각 30인 대신 a, b는 각각 60이고 c, d는 각각 30인 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 7: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에서 a, b, c, d는 각각 30인 대신 a는 90이고 b, c, d는 각각 30인 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 8: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에서 a, b, c, d는 각각 30인 대신 a, b, c, d는 각각 10인 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
실시예 9: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 5로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산(다우코닝사 제조) 대신 하기 화학식 7로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
<화학식 7>
Figure 112018060642225-pat00007
상기 화학식 7에서,
o, p, q, r은 각각 5이고 s, t, u, v는 각각 10이다.
실시예 10: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 코로나 처리된 이축 연신 폴리에스테르 기재 필름(도레이첨단소재, Excell-50㎛) 대신 폴리이미드 기재 필름(듀폰, Kapton-50㎛)의 일면에 실리콘 이형 조성물을 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
비교예 1: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산(다우코닝사 제조)에서 R'1은 비닐기인 대신 메틸기인 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
비교예 ２: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에서 a, b, c, d는 각각 30인 대신 a는 120이고 b, c, d는 각각 60인 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
비교예 ３: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합(T)에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합(S)의 비(S/T)가 2.1인 대신 1.3이 되도록 함량을 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
비교예 ４: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합(T)에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합(S)의 비(S/T)가 2.1인 대신 2.8이 되도록 함량을 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
비교예 ５: 실리콘 이형 필름의 제조
상기 화학식 4로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에서 n은 4인 대신 2이고, m은 120인 대신 100이고, k는 1대신 0인 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 이형 필름을 제조하였다.
평가예 1: 실리콘 이형 필름의 물성 평가
실시예 1-10 및 비교예 1-5에 의해 제조된 실리콘 이형 필름의 물성을 다음과 같은 방법으로 평가하였다. 그 결과를 하기［표 1］및［표２]에 각각　나타내었다.
(1) 박리력 평가
실시예 1-10 및 비교예 1-5에 의해 제조된 실리콘 이형 필름의 실리콘 이형층이 위에 오도록 하여 냉간　압연 스테인레스 판에 양면 점착테이프로 실리콘 이형 필름을 부착하였다. 실리콘 이형 필름의 실리콘 이형층 위에 폭 1 inch, 길이 30㎝의 표준 점착 테이프 (TESA 7475)를 얹고 2kg의 압착 롤러로 압착하여 박리력 측정용 샘플을 준비하였다.
(1-1) 박리력 측정 (상온 보관, 저속 박리)
상기　박리력 측정용 샘플을 상온에서 1일간 보관한 후, AR-1000 (Chem-Instrument사　제조) 장비를 사용하여 180°의 박리각도로 설정하고 0.3ｍ／분의 박리속도　하에 측정하였고, 5회 측정하여 평균값을 구하였다. 이 때, 얻은 저속　박리력값을 L, R1, 혹은 P25로 하였다.
(1-2) 박리력 측정 (상온 보관, 고속 박리)
상기　박리력 측정용 샘플을 상온에서 1일간 보관한 후, AR-1000 (Chem-Instrument사　제조) 장비를 사용하여 180°의 박리각도로 설정하고 30ｍ／분의 박리속도 하에　측정하였고, 5회 측정하여 평균값을 구하였다. 이 때，얻은 고속　박리력값을 H로 하여, 저속　박리력값 L과 비교하여 박리력 상승비율을 계산하였다.
(1-3) 박리력 측정 (고온 또는 장시간 보관)
상기　박리력 측정용 샘플을 상온에서 14일간 보관하거나　또는 80℃에서 1일간 보관한 후, AR-1000 (Chem-Instrument사　제조) 장비를 사용하여 180°의 박리각도로 설정하고 0.3ｍ／분의 박리속도 하에 측정하였고, 5회 측정하여 평균값을 구하였다. 이 때，얻은 저속　박리력값을 상온에서 14일간 보관한 경우 R14로 하고, 80℃에서 1일간 보관한 경우 P80으로 하여, 저속　박리력값 R1 또는 P25와　비교하여 박리력 상승비율을 계산하였다.
(2) 잔류 접착률 평가
실시예 1-10 및 비교예 1-5에 의해 제조된 실리콘 이형 필름의 실리콘 이형층 위에 폭 1 inch, 길이 30㎝의 표준 점착테이프 (Nitto 31B)를 얹고 2kg의 압착 롤러로 압착하여 30분간 상온에서 방치한 후, 표준 점착테이프를 실리콘 이형층으로부터 박리하였다. 박리된 표준 점착테이프를 다시 깨끗하게 세척된 냉간　압연 스테인레스 판에 붙이고 2kg의 압착 롤러로 압착한 후 박리력을 측정하였다.
또한, 비교를 위해 사용한 적이　없는 표준 점착테이프(Nitto 31B)를 폭 1 inch, 길이 30㎝의 크기로 잘라 깨끗하게 세척된 냉간　압연 스테인레스 판에 붙이고 2kｇ의 압착 롤러로 압착한 후 박리력을 측정하였다.
박리력 측정은 AR-1000　(Chem-Instrument사　제조) 장비를 사용하였고, 180°의 박리각도로 설정하고 0.3 m／분의 박리속도　하에 측정하였고, 5회 측정하여 평균값을 구하였다.
잔류 접착률은 하기 ＜수학식 8＞에 따라 구하였다.
　　　＜수학식 8＞
잔류 접착률（％）＝　［(이형층으로부터 박리한 표준 점착테이프의 박리력) / (사용한　적이　없는 표준 점착테이프의 박리력)］ｘ100
(3) 밀림　특성（육안　관찰）평가
엄지손가락으로 힘을 주어, 이형층을 10회 왕복하여 문지른 후의 이형층 표면이 변화되는 정도를 육안으로 관찰하였다．　그　결과，　밀림　특성을　다음과　같이　평가하였다．　
　　　　◎：　평가 후 변화가 없는 경우
　　　　○：　미세하게 밀리지만 사용 상에 문제가 없는 경우
　　　　△：　이형층의 표면이 뿌옇게 흐려진 경우
　　　　Ｘ：　이형층이 벗겨져 나간 경우
실
시
예
1		 실
시
예
2		 실
시
예
3		 실
시
예
4		 실
시
예
5		 실
시
예
6		 실
시
예
7		 실
시
예
8		 실
시
예
9		 실
시
예
10
L (R1，P25
R1＝P25)		 18 19 20 13 23 16 15 24 18 21
H 29 31 27 25 33 31 29 27 23 36
H/L 1.61 1.63 1.35 1.92 1.43 1.94 1.93 1.13 1.28 1.71
R14 20 18 24 14 30 18 18 29 21 26
R14/R1 1.11 1.06 1.20 1.08 1.30 1.13 1.20 1.21 1.17 1.24
P80 22 19 27 14 34 20 20 34 23 28
P80/P25 1.22 1.12 1.35 1.08 1.48 1.25 1.33 1.42 1.28 1.33
잔류 접착률 94 97 96 91 99 93 91 91 99 97
밀림　특성
（육안관찰）		 ◎ ◎ ◎ O ◎ ◎ O O ◎ ◎
비교예　1 비교예　２ 비교예　３ 비교예　４ 비교예　５
L
(R1，P25
R1＝P25)		 7 15 9 30 17
H 9 33 20 44 44
H/L 1.28 2.20 2.22 1.47 2.59
R14 9 20 11 52 19
R14/R1 1.28 1.33 1.22 1.73 1.12
P80 11 25 10 73 20
P80/P25 1.57 1.67 1.11 2.43 1.18
잔류 접착률 41 88 73 99 91
밀림　특성
（육안관찰）		 X O △ ◎ △
[표 1]을　참조하면，실시예 1-10에　의해　제조된　실리콘　이형　필름은,　0.3　ｍ/분의 박리속도로　박리하는 경우 10 gram/inch 내지 25 gram/inch의 저속　박리력값을 가지기 때문에 상기　실리콘　이형　필름이　점착층의　보호필름으로　사용될　경우 상기 점착층과의 부착상태를 유지하면서도 박리시 가볍게 떨어지는 것을 확인할 수 있다.　
또한　실시예　1-10에　의해　제조된　실리콘　이형　필름은,　30　m/분의 박리속도로　박리하는 경우 10 gram/inch 내지 40 gram/inch의 고속　박리력값을 가지며, 저속 대비 고속으로 박리할　때 박리력의 상승폭을 2배 이하로 억제하기 때문에 고속으로 박리하는 경우에도 가볍게 떨어짐을 확인할 수 있다.　이로　인해，상기　실리콘　이형　필름이　점착층의　보호필름으로　사용될　경우　상기　점착층이 찢어지거나 또는　점착층이 함께 박리되는 등의 문제를 방지할　수　있다．
이는　실시예 1-10에 의해 제조된 실리콘 이형 필름은 가교화된 이형층에서 가교점 사이에 존재하는 실리콘 고분자 사슬의 중량평균분자량(Mw)이 4000 미만으로 조정되어 있고　가교화된 실리콘을 형성하기 위한 알케닐기 및 수소원자를　갖는 실록산　반복단위는 최적범위의 함량을 갖는다. 상기　알케닐기 및 수소원자를　갖는 실록산　반복단위는　분자 내에 적절한 밀도로 분포되어 있기에 이형층 내에 미반응 작용기가 남아있지 않아, 점착상태에서 장시간 경과하는 경우 고온에 노출되거나　또는 시간경과 혹은 온도변화 등 외부환경의 변화에 대해서도 박리력 상승 정도가 작기 때문에 물성변화가 억제될　수　있음에　기인하는　것으로　여겨진다．
또한 실시예 1-10에 의해 제조된 실리콘 이형 필름의　잔류 접착률이 90% 이상으로 유지되고 있어　실리콘 전사에 따른 문제를 방지할 수 있다. 이로　인해，점착층의 오염을 예방할 수 있고　마찰 등에 의해서도 이형층이 탈락하지 않는　등　우수한 내구성도 갖추고 있기 때문에 점착층의 보호 필름의 용도로 사용할 수 있다.
이와 비교하여, 비교예 1에 의해 제조된 실리콘 이형 필름은 실록산들 간에 가교반응이 진행되지 않아 0.3 m/분의 박리속도로 박리하는 경우 박리력값이 지나치게 낮아 점착층과의 부착상태를 유지할 수 없으며, 잔류 접착률도 지나치게 낮아 실리콘 전사에 따른 점착층이 오염될 수 있으므로 이형 필름으로 사용하기에 적합하지 않다.
비교예 2에 의해 제조된 실리콘 이형 필름은 알케닐기 함유 유기폴리실록산의 분자량이 증가함에 따라 가교화된 이형층에서 가교점 사이에 존재하는 실리콘 고분자 사슬의 중량평균분자량(Mw)이 4000 이상으로 되어 있어, 저속으로 박리하는 경우 대비 고속으로 박리하는 경우의 박리력 상승의 억제 효과가 부족하여 박리 속도에 따른 박리력 상승 폭이 커지는 것을 확인할 수 있다. 이로 인해, 고속으로 박리하는 경우에 박리성이 악화되어 상기　실리콘　이형　필름이　점착층의　보호필름으로　사용될　경우 점착층이 찢어지거나 또는 점착층이 함께 박리될 수 있는 문제가 있으므로 이형 필름으로 사용하기에 적합하지 않다.
비교예 3 또는 비교예 4에 의해 제조된 실리콘 이형 필름은 실리콘 이형 조성물에 포함된 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합의 비율이 1.3 또는 2.8에 해당되어 적정범위인 1.5 내지 2.5의 범위를 벗어난다.
상기 실리콘 이형 조성물에 포함된 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합의 비율(S/T)이 1.3으로 부족한 경우에는 반응에 참여하지 못한 알케닐기 함유 유기폴리실록산이 이형층에 남아있어 잔류 접착률을 저하하기에 실리콘 전사문제를 유발할 수 있으므로 이형 필름으로서 사용하기에 적합하지 않다.
상기 실리콘 이형 조성물에 포함된 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합에 대한 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합의 비율(S/T) 2.8로 과다한 경우에는 반응에 참여하지 못한 수소 함유 유기폴리실록산으로 말미암아 시간경과 또는 온도변화에 따른 박리력이 지나치게 상승하여 박리성이 악화될 수 있으므로 이형 필름으로서 사용하기에 적합하지 않다.
비교예 5에 의해 제조된 실리콘 이형 필름은 박리 속도에 따른 박리력의 상승정도가 커지게 되어 고속으로 박리하는 경우에는 박리성이 악화되어 점착층이 찢어질 수 있거나 또는 상기　실리콘　이형　필름이　점착층의　보호필름으로　사용될　경우　점착층이 함께 박리되는 문제가 있으므로 이형 필름으로서 사용하기에 적합하지 않다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것이 아니고, 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 실리콘 이형 필름, 110: 기재필름, 120: 이형층

Claims (20)

  1. 기재필름; 및
    상기 기재필름의 적어도 일면에 배치된 실리콘 이형 조성물을 포함하는 이형층;을 포함하며,
    상기 이형층은 하기 수학식 1 내지 5를 동시에 만족하는 실리콘 이형 필름:
    <수학식 1>
    10 ≤ L ≤ 25
    <수학식 2>
    10 ≤ H ≤ 40
    <수학식 3>
    1 ≤ H/L ≤ 2
    <수학식 4>
    1.0 ≤ R14/R1 ≤ 1.5
    <수학식 5>
    1.0 ≤ P80/P25 ≤ 1.5
    상기 수학식 1 내지 5에서,
    L (gram/inch)은 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
    H (gram/inch)는 30 m/분의 박리속도에서 측정한 고속 박리력값이며,
    상기 저속 박리력값과 상기 고속 박리력값은 각각 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 측정한 값이며,
    R1(gram/inch)은 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
    R14(gram/inch)는 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 14일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
    P25(gram/inch)는 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 상온에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이며,
    P80(gram/inch)은 TESA7475 테이프를 왕복 압착하고 80℃에서 1일 경과한 후에 0.3 m/분의 박리속도에서 측정한 저속 박리력값이다.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기를 갖는 알케닐기 함유 유기폴리실록산, 수소 함유 유기폴리실록산, 또는 이들 조합을 포함하는 실리콘 이형 필름.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 실리콘 이형 필름:
    <화학식 1>
    Figure 112019110050023-pat00008

    <화학식 2>
    Figure 112019110050023-pat00009

    <화학식 3>
    Figure 112019110050023-pat00010

    상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
    R1, R2, R3, R4, R5는 서로 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기이다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 화학식 1로 표시되는 구조단위를 적어도 하나 포함하고, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 적어도 넷 포함하는 실리콘 이형 필름.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 알케닐기 함유 유기폴리실록산은 하기 화학식 4로 표시되는 유기폴리실록산을 포함하는 실리콘 이형 필름:
    <화학식 4>
    {R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
    상기 화학식 4에서,
    n은 4 내지 10의 정수이며,
    m은 10 내지 200의 정수이며,
    l은 0이며,
    k는 1 내지 4의 정수이며,
    R'1, R'2는 서로 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12 알킬기 또는 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기이며,
    R'3은 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 메틸기이며,
    단, R'1, R'2 중 적어도 하나는 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기이다.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 수소 함유 유기폴리실록산은 하기 화학식 5로 표시되는 유기폴리실록산을 추가로 포함하는 실리콘 이형 필름:
    <화학식 5>
    {R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2 R"3SiO2/2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
    상기 화학식 5에서,
    z는 2 내지 10의 정수이며,
    x, y는 각각 1 내지 50의 정수이며,
    x + y는 2 내지 80의 정수이며,
    w는 0이고 v는 0 내지 4의 정수이며,
    R"1은 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기이며,
    R"2는 수소 또는 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기이며,
    R"3은 메틸기이다.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 알케닐기 함유 유기폴리실록산을 포함하는 실리콘 이형 필름:
    <화학식 6>
    Figure 112019110050023-pat00011

    화학식 6에서,
    a, b, c, d는 서로 독립적으로 1 내지 100의 정수이고 a+b+c+d는 10 내지 200의 정수이며,
    e, f, g, h는 서로 독립적으로 0 내지 10의 정수이고 e+f+g+h는 0 내지 20의 정수이며,
    Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh는 서로 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C1-C12의 알킬기, 또는 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기이며,
    단, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh 중 적어도 하나는 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 C1-C10의 알킬기, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술포닐기, 설파모일(sulfamoyl)기, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1-C10의 알킬기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, C7-C20의 헤테로아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴옥시기, C6-C20의 헤테로아릴옥시알킬기 또는 C6-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환의 C2-C12의 알케닐기이다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 수소 함유 유기폴리실록산을 포함하는 실리콘 이형 필름:
    <화학식 7>
    Figure 112018060642225-pat00012

    상기 화학식 7에서,
    o, p, q, r은 서로 독립적으로 1 내지 20의 정수이며,
    o+p+q+r은 4 내지 50의 정수이며,
    s, t, u, v는 서로 독립적으로 1 내지 20의 정수이며,
    s+t+u+v는 4 내지 50의 정수이다.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 하기 수학식 6을 만족하는 실리콘 이형 필름:
    <수학식 6>
    1.5 ≤ S/T ≤ 2.5
    상기 수학식 6에서,
    S는 수소 함유 유기폴리실록산에 포함된 수소원자를 갖는 실록산 반복단위의 총합이고,
    T는 알케닐기 함유 유기폴리실록산에 포함된 알케닐기의 총합이다.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 이형층은 하기 수학식 7을 만족하는 실리콘 이형 필름:
    <수학식 7>
    90 ≤ Q ≤ 100
    상기 수학식 7에서,
    Q(%)는 이형층의 잔류 접착률을 나타낸다.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 백금 킬레이트 촉매, 바인더, 및 잔량의 용매를 더 포함하는 실리콘 이형 필름.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 백금 킬레이트 촉매의 함량은 5 ppm 내지 500 ppm인 실리콘 이형 필름.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 바인더는 에폭시 실란계 화합물, 아미노 실란계 화합물, 비닐 실란계 화합물, 메타크릴옥시 실란계 화합물, 및 이소시아네이트 실란계 화합물로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘 이형 필름.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 잔량의 용매는 물을 포함하는 실리콘 이형 필름.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 이형 조성물은 고형분 함량이 1 내지 10 중량%인 실리콘 이형 필름.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 이형층의 두께는 0.01 내지 10㎛인 실리콘 이형 필름.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름은 폴리이미드계 필름, 폴리올레핀계 필름, 폴리에스테르계 필름, 폴리아세탈계 필름, 및 폴리카보네이트계 필름 중에서 적어도 1종인 실리콘 이형 필름.
  19. 제1항, 제3항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착 필름용 보호 필름.
  20. 제1항, 제3항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 이형 필름을 포함하는 점착 테이프용 보호 필름.
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