CN112262039B - 有机硅离型膜，包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜 - Google Patents

有机硅离型膜，包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜 Download PDF

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Abstract

公开了一种有机硅离型膜、包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜。所述有机硅离型膜可以与时间或温度变化等外部环境变化无关地在多种剥离速度范围内提供优秀的剥离特性。

Description

有机硅离型膜，包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜
技术领域
本公开涉及有机硅离型膜，包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜。
背景技术
离型膜指具有不易粘接于粘合成分的离型性的膜，其可以以用于粘合膜或粘合胶带等的保护膜附着。离型膜用于例如使用胶粘剂前，防止其无意地粘合于被粘物上或被异物等污染，并且所述离型膜在使用胶粘剂前被除去。
这种离型膜通常使用涂覆主要成分为聚硅氧烷的有机硅离型组合物而形成有机硅离型层的有机硅离型膜。
近年来，随着技术的发展，产品也呈现轻薄短小化的趋势，因此对包括厚度薄的有机硅离型膜的粘合膜的需求日益加大，构成所述粘合膜时的趋势是，减少基材的厚度或不使用基材的方法。另外，为提高生产率，从所述粘合膜中剥离有机硅离型膜的速度呈现出越来越快的趋势。
由此，在高速的剥离速度下剥离能力劣化，导致粘合层被撕裂，或者先从被按压在剥离力低的轻剥离离型膜与剥离力高的重剥离离型膜之间的双面粘合膜中剥离轻剥离离型膜时，在高速的剥离速度下轻剥离离型膜重剥离化，从而发生粘合层一起被剥离的问题。
为解决上述问题，仍然需要剥离能力得到改善的新型有机硅离型膜，以及包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜。
发明内容
技术问题
一方面是提供剥离能力得到改善的有机硅离型膜。
另一方面是提供包括所述有机硅离型膜的用于粘合膜的保护膜。
其它另一方面是提供包括所述有机硅离型膜的用于粘合胶带的保护膜。
技术方案
根据一方面，
提供一种有机硅离型膜，其包括：基底膜；以及
一种离型层，其包括配置于所述基底膜的至少一面的有机硅离型组合物，
所述离型层同时满足以下数学式1至3：
<数学式1>
10≤L≤25
<数学式2>
10≤H≤40
<数学式3>
1≤H/L≤2，
在所述数学式1至3中，
L(克/英寸)为在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力值，
H(克/英寸)为在30米/分的剥离速度下测量的高速剥离力值，
所述低速剥离力值与所述高速剥离力值是，各自将TESA7475胶带往复按压并在常温下经过1天后测量的值。
根据另一方面，
提供一种用于粘合膜的保护膜，其包括上述的有机硅离型膜。
根据其它另一方面，
提供一种用于粘合胶带的保护膜，其包括上述的有机硅离型膜。
发明效果
根据一方面的有机硅离型膜，其可以在多种剥离速度范围内保持优秀的剥离能力，并且抑制由时间或温度变化等外部环境引起的剥离能力劣化问题，提供加工时可以防止发生问题的有机硅离型膜。
附图说明
图1显示根据本公开一个实施方式的有机硅离型膜的剖面图。
具体实施方式
以下将参照本公开的实施例和附图，详细说明有机硅离型膜与包括该膜的用于粘合膜与粘合胶带的保护膜。对本领域技术人员显而易见的是，这些实施例仅是为了更详细地说明本公开而示例性地提出的，而不是用这些实施例来限制本发公开的范围。
除非另有定义，否则本说明书中使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。在有冲突的情况下，以本说明书包括的定义为准。
与本说明书中描述的类似或等同的方法和材料可以用于本公开的实施或实验中，但是适合的方法与材料记载于本说明书。
本说明书的附图，为了更加清楚地表示多个层与区域，放大了厚度。对于整个说明书中类似的部分，附上了相同的附图编号。
本说明书中，术语“在上(或之上)”不仅包括一部分是“直接在上(或直接之上)”的情况，还包括其中间夹置另一部分的情况。相反地，术语“直接在上(或直接之上)”指没有其他部分夹置。
本说明书中，术语“包括”除非有相反的说明，否则意指可以添加或/和夹置其它组件，而非排除其它组件。以下将参考图1，详细说明根据本发明实施例的有机硅离型膜。
近年来，构造粘合膜时利用的方式为将粘合组合物涂覆在有机硅离型膜上。这种被涂覆的粘合组合物在通过干燥和固化工艺形成粘合层的过程中，由于时间或温度变化等，可能发生有机硅离型膜的剥离能力劣化的问题。另外为提高生产率，随着有机硅离型膜被剥离的速度加快，其剥离能力劣化，由此可能发生粘合层被撕裂或在不希望的情况下粘合层被剥离的问题。
为了解决上述问题，本公开的发明人愿提出如下剥离能力得到改善的有机机硅离型膜。
图1显示根据本公开一个实施方式的有机硅离型膜的剖面图。
参照图1，有机硅离型膜100包括基底膜110与离型层120，所述离型层120包括配备于基底膜110的至少一面的有机硅离型组合物。包括所述有机硅离型组合物的离型层120，可以仅配备于基底膜110的一面，也可以配备于基底膜110的两面。
根据一个实施方式的有机硅离型膜100包括，基底膜110与离型层120，所述离型层120包括配备于所述基底膜110的至少一面的有机硅离型组合物，所述离型层120可以同时满足以下数学式1至3。
<数学式1>
10≤L≤25
<数学式2>
10≤H≤40
<数学式3>
1≤H/L≤2，
在所述数学式1至3中，
L(克/英寸)为在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力值，
H(克/英寸)为在30米/分的剥离速度下测量的高速剥离力值，
所述低速剥离力值与所述高速剥离力值是，各自将TESA7475胶带往复按压并在常温下经过1天后测量的值。
通常使用的有机硅离型膜为了满足低速剥离力(在0.3米/分的剥离速度下测量的剥离力)的物理性质，而设计包括在离型层的有机硅离型组合物，因此为实现如数学式1的低剥离力，有时会使用具有高分子量的聚硅氧烷。在这种情况下，相对于分子量，有机硅离型膜的离型层可以具有较少的，通过含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的反应形成的交联点。例如，可以设计、合成分子，以使交联的有机硅分子量每4000至100000产生一个交联点，并将其应用于有机硅离型组合物。由此，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力可以保持较低，但是由于剥离力对剥离速度的依赖大幅度增加，因此在30米/分的剥离速度下测量的高速剥离力可能会显著增加。在这种情况下，当提高胶粘剂的剥离速度以提高生产率时，会导致剥离能力劣化，从而可能发生包含所述有机硅离型膜的粘合层被撕裂，或包括所述有机硅离型膜的粘合层一起被剥离的问题。
根据一个实施方式的有机硅离型膜100同时满足数学式1至3，可以避免包括所述有机硅离型膜的粘合层被撕裂或粘合层先被剥离的问题发生。
所述离型层120可以同时满足以下数学式4与5：
<数学式4>
1.0≤R14/R1≤1.5
<数学式5>
1.0≤P80/P25≤1.5
在所述数学式4与5中，
R1(克/英寸)是将TESA7475胶带往复按压并常温经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，
R14(克/英寸)是将TESA7475胶带往复按压并常温经过十四天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，
P25(克/英寸)是将TESA7475胶带往复按压并常温经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，
P80(克/英寸)是将TESA7475胶带往复按压并在80℃经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值。
包括所述离型层120的有机硅离型膜满足数学式4与5，从而可以抑制由于温度与时间变化，剥离力发生变化的情况。由此，可以提供剥离能力得到改善的有机硅离型膜，其即使时间或温度变化也能保持恒定剥离力。
所述有机硅离型组合物可以包括，具有取代或未取代C2-C12链烯基的含链烯基的有机聚硅氧烷、含氢的有机聚硅氧烷，或两者的组合。
所述有机硅离型组合物可以包括由以下化学式1至3表示的结构单元：
<化学式1>
Figure BDA0002827666610000051
<化学式2>
Figure BDA0002827666610000052
<化学式3>
Figure BDA0002827666610000053
在所述化学式1至3中，
R1、R2、R3、R4、R5各自独立地可以是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基。
所述有机硅离型组合物可以包括至少一个由化学式1表示的结构单元，并且可以包括至少四个由化学式2表示的结构单元。另外，所述有机硅离型组合物可以包括至少一个由化学式3表示的结构单元。
由此，所述含链烯基的有机聚硅氧烷可以在分子内额外具有一个交联点，并且包括其的有机硅离型膜可以设计、合成分子，使得构成离型层的交联的有机硅分子量每不足4000时产生一个或多个交联点。
所述含链烯基的有机聚硅氧烷可以包括由以下化学式4表示的有机聚硅氧烷：
<化学式4>
{R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
在所述化学式4中，
n可以是4至10之间的整数，
m可以是10至200之间的整数，
l可以是0，
k可以是1至4之间的整数，
R'1、R'2各自独立地可以是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基，
R'3可以是取代或未取代的甲基，
然而，R'1、R'2中的至少一个可以是取代或未取代的C2-C12链烯基。
所述n、m、l、k不表示嵌段结合，它们各自表示重复单元的总和。在所述式中，对应于n、m、l、k的重复单元可以通过无规结合或嵌段结合而形成。
当所述有机硅离型膜在离型层中包括所述化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷时，所述有机硅离型膜可以在构成离型层的交联的有机硅分子量每不足4000时产生一个或多个交联点，通过此降低剥离力对剥离速度的依赖，并且相比于低速剥离力，高速剥离力的增加幅度减少，从而可以具有优秀的剥离能力。
所述含氢的有机聚硅氧烷可进一步包括由以下化学式5表示的有机聚硅氧烷：
<化学式5>
{R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2R"3SiO2/2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
在所述化学式5中，
z可以是2至10之间的整数，
x、y可以各自为1到50之间的整数，
x+y可以是2至80之间的整数，
w可以是0，v可以是0至4之间的整数，
R"1可以是取代或未取代的C1-C12的烷基，
R"2可以是氢或取代或未取代的C1-C12的烷基，
R"3可以是甲基。
所述v、w、x、y、z不表示嵌段结合，它们各自表示重复单元的总和。在所述式中，对应于v、w、x、y、z的重复单元可以通过无规结合或嵌段结合而形成。
当所述有机硅离型膜在离型层中包括由所述化学式5表示的含氢的有机聚硅氧烷时，所述有机硅离型膜可以更密集地产生构成离型层的交联的有机硅的交联点，通过此可以进一步降低剥离力对剥离速度的依赖，因此相比于低速剥离力，高速剥离力的增加幅度减少，从而可以具有优秀的剥离能力。
所述有机硅离型组合物可以包括，例如，由以下化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷：
<化学式6>
Figure BDA0002827666610000071
在所述化学式6中，
a、b、c、d各自独立地可以是1至100之间的整数，a+b+c+d可以是10至200之间的整数，
e、f、g、h各自独立地可以是0至10之间的整数，e+f+g+h可以是0至20之间的整数，
Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh各自独立地可以是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基，
然而，Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh中的至少一个可以是取代或未取代的C2-C12链烯基。
所述a、b、c、d、e、f、g、h不表示嵌段结合，它们各自表示重复单元的总和。在所述式中，对应于a、b、c、d、e、f、g、h的重复单元可以通过无规结合或嵌段结合而形成。
所述有机硅离型组合物可以包括，例如，由以下化学式7表示的含氢的有机聚硅氧烷：
<化学式7>
Figure BDA0002827666610000081
在所述化学式7中，
o、p、q、r各自独立地可以是1至20之间的整数，
o+p+q+r可以是4至50之间的整数，
s、t、u、v各自独立地可以是1至20之间的整数，
s+t+u+v可以是4至50之间的整数。
所述o、p、q、r、s、t、u、v不表示嵌段结合，它们各自表示重复单元的总和。在所述式中，对应于o、p、q、r、s、t、u、v的单元可以通过无规结合或嵌段结合而形成。
所述有机硅离型组合物可以满足以下数学式6：
<数学式6>
1.5≤S/T≤2.5
在所述数学式6中，
S为具有包括在含氢有机聚硅氧烷的氢原子的硅氧烷重复单元的总和，
T为包括在含链烯基的有机聚硅氧烷的链烯基总和。
所述有机硅离型组合物中，例如，所述具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和与所述包括在含链烯基的有机聚硅氧烷的链烯基的总和之比可以是1.7至2.4，例如可以是2.0至2.2。如果具有包括在所述有机硅离型组合物的包括在所述含氢的有机聚硅氧烷的氢原子的硅氧烷重复单元的总和，与所述包括在含链烯基的有机聚硅氧烷的链烯基总和之比是所述范围，所述有机硅离型膜的离型层中就不会残留未反应的有机聚硅氧烷，从而具有均匀的离型特性，因此可以具有优秀的剥离能力。
所述离型层可以满足以下数学式7：
<数学式7>
90≤Q≤100
在所述数学式7中，
Q(％)表示离型层的残留粘附率。
所述有机硅离型膜可以通过对离型层具有所述范围内的测量的残留粘附率，防止有机硅的转移问题，从而防止胶粘剂的污染。
所述有机硅离型组合物可以进一步包括，铂螯合物催化剂、粘合剂(binder)和残余的溶剂。
所述铂螯合物催化剂的含量可以是5ppm至500ppm。如果所述铂螯合物催化剂的含量在所述范围内使用，其可以有助于含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的加成反应，由此提高反应速度，从而形成离型层内交联的有机硅。
所述粘合剂(binder)可以是与所述有机硅离型组合物的相容性良好的硅烷类化合物。所述粘合剂例如可以包括选自环氧硅烷类化合物、氨基硅烷类化合物、乙烯基硅烷类化合物、甲基丙烯酰氧基硅烷化合物以及异氰酸酯硅烷类化合物的一种或多中。所述粘合剂例如可以是以环氧硅烷类化合物作为主要成分的硅烷类化合物的混合物。
包括所述粘合剂的有机硅离型组合物可以调节交联密度，从而得到稳定的离型性能，提高离型层耐溶剂性和耐用性，改善所述离型层与所述基底膜的附着力。
所述残余的溶剂没有限制，只要能分散有机硅离型组合物的固体物质，将其涂覆于基底膜上即可，例如可以包括水。所述有机硅离型组合物可以通过例如主要成分为水的溶剂分散，以水性乳液状态稀释后，涂覆于所述基底膜。
所述有机硅离型组合物可以具有1至10重量％的固体物质含量。可以将所述有机硅离型组合物稀释至所述固体物质含量范围内后，涂覆于基底膜上。如果所述有机硅离型组合物的固体物质含量小于1重量％，发生未涂覆等，因而无法获得均匀的涂层，因此剥离能力可能不稳定，如剥离力上升等。如果所述有机硅离型组合物的固体物质含量大于10重量％，有可能涂层的外观变差，离型层与基底膜间的附着力会下降。因此，离型层的耐用性减弱，并且离型层可能由于摩擦等外部刺激而脱落。
所述离型层的厚度可以是0.01μm至10μm。所述离型层具有所述范围内的厚度时，可以形成均匀的离型层。
所述基底膜可以是聚酰亚胺类膜、聚烯烃类膜、聚酯类膜、聚缩醛类膜、聚碳酸酯类膜中的至少一种。所述基底膜可以是例如聚酯类膜。所述基底膜可以是例如，为了工艺的便利性，所述基底膜可以是包括颗粒的聚酯类膜。
根据另一个实施方式的用于粘合膜的保护膜，可以包括上述有机硅离型膜。
根据其它另一个实施方式的用于粘合胶带的保护膜，可以包括上述有机硅离型膜。
所述用于粘合膜或/与粘合胶带的离型膜可以用作光学显示装置的构建，但并非限定于此，其可以用于本领域中可以使用的所有技术领域。
在本说明书中，术语“取代”是指包括在官能团的一个或多个氢原子被以下物质取代：卤素原子、被卤素原子取代的C1-C10的烷基(例如，CCF3、CHCF2、CH2F、CCl3等)、C1-C10的烷氧基，C2-C10的烷氧基烷基、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酰基、氨磺酰(sulfamoyl)基、磺酸基或其盐、磷酸或其盐，或C1-C10的烷基、C2-C10的链烯基、C2-C10的炔基、C1-C10的杂烷基、C6-C20的芳基、C6-C20的芳烷基、C6-C20的杂芳基、C7-C20的杂芳基烷基、C6-C20的杂芳基氧基、C6-C20的杂芳基氧基烷基或C6-C20的杂芳基烷基。
“卤素原子”包括氟、溴、氯、碘等。
“烷基”是指完全饱和的支链或非支链(或直链或线性)烃。“烷基”的非限制性示例包括甲基、乙基、正丙、异丙、正丁、异丁基、仲丁基、正戊基、异戊基、新戊基、异戊基、正己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、正庚基等。
“烷氧基”与“芳氧基”是指每个结合至氧原子的烷基或芳基。
“链烯基”是指具有至少一个碳-碳双键的支链或非支链烃。链烯基的非限制性示例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、异丙烯基或异丁烯基等。
“炔基”是指具有至少一个碳-碳三键的支链或非支链烃。所述“炔基”的非限制性示例包括乙炔基、丁炔基、异丁炔基、异丙炔基等。
“芳基”还包括其中芳族环融合至一个或多个碳环的组合。“芳基”的非限制性示例包括苯基、萘基、四氢萘基等。
“杂芳基”是指包括一个或多个选自N、O、P或S的杂原子，并且其余的环原子为碳的单环(monocyclic)或双环(bicyclic)有机化合物。所述杂芳基可以包括例如1-5个杂原子，并且可以包括5-10个环成员(ring member)。所述S或N可以被氧化以具有各种氧化态。
“杂芳基”的非限制性示例包括，噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、1,2,3-恶二唑基、1,2,4-恶二唑基、1,2,5-恶二唑基、1,3,4-恶二唑基、1,2,3-噻二唑基、1,2,4-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基、1,3,4-噻二唑基、异噻唑-3-基、异噻唑-4-基、异噻唑-5-基、恶唑-2-基、恶唑-4-基、恶唑-5-基、异恶唑-3-基、异恶唑-4-基、异恶唑-5-基、1,2,4-三唑-3-基、1,2,4-三唑-5-基、1,2,3-三唑-4-基、1,2,3-三唑-5-基、四唑基、吡啶-2-基、吡啶-3-基、2-吡嗪-2-基、吡嗪-4-基、吡嗪-5-基、2-嘧啶-2-基、4-嘧啶-2-基，或5-嘧啶-2-基等。
以下，将参照实施例与比较例，更详细地说明本公开的技术特征与效果。但是，本实施例旨在更详细地说明本公开，因此显而易见的是，本公开的范围不限于这些实施例。
[实施例]
实施例1：有机硅离型膜的制备
混合了由化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷(道康宁公司制造)与由化学式5表示的含氢的有机聚硅氧烷(道康宁公司制造)。向所述混合的有机聚硅氧烷中，添加1重量％的环氧硅烷类化合物(道康宁公司制造，CAS 2530-83-8)与25ppm的铂螯合物催化剂(道康宁公司制造)，获得了有机硅离型组合物。此时，通过调节含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的含量,将所述含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和(S)与所述含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和(T)之比(S/T)达到2.1。
然后，将有机硅离型组合物用残余的水稀释至水性乳液状态，以使固体物质含量达到5重量％，并且在经电晕处理的双轴拉伸聚酯基底膜(TORAY Innovation byChemistry，Excell-50μm)的一面上涂覆了有机硅离型组合物。将所述涂覆的有机硅离型组合物，在180℃下干燥50秒，从而制备了有机硅离型膜。
<化学式4>
{R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
在所述化学式4中，
n为4，m为120，l为0，k为1，
R'1为乙烯基，R'2、R'3为甲基。
<化学式5>
{R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2R"3SiO2/2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
在化学式5中，
Z为2，y为10，x为20，w、v各为0，
R"1为甲基，R'2为氢，R'3为甲基。
实施例2：有机硅离型膜的制备
在由化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷(道康宁公司制造)中，除R'1为己烯基而不是乙烯基外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例3：有机硅离型膜的制备
除了用以下由化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷替代所述由化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
<化学式6>
Figure BDA0002827666610000121
在所述化学式6中，
a、b、c、d各为30，e、f、g、h各为2，
Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh各为乙烯基。
实施例4：有机硅离型膜的制备
通过调节含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的含量，将所述含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和(S)与所述含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和(T)之比(S/T)达到1.7而不是2.1。除此之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例5：有机硅离型膜的制备
通过调节含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的含量,将所述含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和(S)与所述含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和(T)之比(S/T)达到2.4而不是2.1。除此之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例6：有机硅离型膜的制备
由所述化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷中，a、b各为60，c、d各为30，而不是a、b、c、d各为30，除此之外与实施例3相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例7：有机硅离型膜的制备
由所述化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷中，a为90，b、c、d各为30，而不是a、b、c、d各为30，除此之外与实施例3相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例8：有机硅离型膜的制备
由所述化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷中，a、b、c、d各为10，而不是a、b、c、d各为30，除此之外与实施例3相同的方法制备了有机硅离型膜。
实施例9：有机硅离型膜的制备
除了用以下由化学式7表示的含氢的有机聚硅氧烷替代所述由化学式5表示的含氢的有机聚硅氧烷(道康宁公司制造)之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
<化学式7>
Figure BDA0002827666610000141
在所述化学式7中，
o、p、q、r各为5，s、t、u、v各为10。
实施例10：有机硅离型膜的制备
除了将有机硅离型组合物涂覆在聚酰亚胺基底膜(杜邦，Kapton-50μm)的一面上，而不是所述经电晕处理的双轴拉伸聚酯基底膜(TORAY Innovation by Chemistry，Excell-50μm)之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
比较例1：有机硅离型膜的制备
在由所述化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷(道康宁公司制造)中，除R'1为甲基而不是乙烯基外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
比较例2：有机硅离型膜的制备
由所述化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷中，a为120，b、c、d各为60，而不是a、b、c、d各为30，除此之外与实施例3相同的方法制备了有机硅离型膜。
比较例3：有机硅离型膜的制备
通过调节含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的含量，将所述含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和(S)与所述含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和(T)之比(S/T)达到1.3而不是2.1。除此之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
比较例4：有机硅离型膜的制备
通过调节含链烯基的有机聚硅氧烷和含氢的有机聚硅氧烷的含量，将所述含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和(S)与所述含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和(T)之比(S/T)达到2.8而不是2.1。除此之外，与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
比较例5：有机硅离型膜的制备
由所述化学式4表示的含链烯基的有机聚硅氧烷中，n为2而不是4，m为100而不是120，k为0而不是1，除此之外与实施例1相同的方法制备了有机硅离型膜。
评价例1：有机硅离型膜的物理性质评价
对根据实施例1至10以及比较例1至5而制备的有机硅离型膜，以以下方式评价了其物理性质。其结果各示于[表1]与[表2]。
(1)剥离力的评价
用双面粘合胶带在冷轧不锈钢板上附着有机硅离型膜，其中根据实施例1至10以及比较例1至5而制备的有机硅离型膜的有机硅离型层在顶部。将宽度为1英寸、长度为30厘米的标准粘合胶带(TESA 7475)放置在有机硅离型膜的有机硅离型层上，然后用2公斤加压辊按压，从而制备用于测量剥离力的样品。
(1-1)剥离力的测量(常温保管、低速剥离)
将所述用于测量剥离力的样品在常温下保管1天后，利用AR-1000(Chem-Instrument公司制造)设备，设定180°的剥离角度，在0.3米/分的剥离速度下进行测量，共测量5次后得出平均值。此时，将得出的低速剥离力值定为L、R1或P25。
(1-2)剥离力的测量(常温保管、高速剥离)
将所述用于测量剥离力的样品在常温下保管1天后，利用AR-1000(Chem-Instrument制造)设备，设定180°的剥离角度，在30米/分的剥离速度下进行测量，共测量5次后得出平均值。此时，将得出的高速剥离力值定为H，并与低速剥离力值L进行比较，算出剥离力上升率。
(1-3)剥离力测量(高温或长时间保管)
将所述用于测量剥离力的样品在常温下保管14天或在80℃下保管1天后，利用AR-1000(Chem-Instrument公司制造)设备，设定180°的剥离角度，在0.3米/分的剥离速度下进行测量，共测量5次后得出平均值。此时，得出的低速剥离力值，如果在常温下保管14天时定为R14，如果在80℃下保管1天时则定为P80，然后将其与低速剥离力值R1或P25进行比较，算出剥离力上升率。
(2)残留粘附率评价
将宽度为1英寸、长度为30厘米的标准粘合胶带(Nitto 31B)放置在，根据实施例1至10以及比较例1至5而制备的有机硅离型膜的有机硅离型层上，然后用2公斤加压辊按压，并在常温下放置30分后，将标准粘合胶带从有机硅离型层剥离。将剥离的标准粘合胶带附着至清洗干净的冷轧不锈钢板上，用2公斤加压辊按压后测量剥离力。
另外为了比较，将未使用过的标准粘合胶带(Nitto 31B)切割成1英寸宽、30厘米长的尺寸后，附着至清洗干净的冷轧不锈钢板上，用用2公斤加压辊按压后测量剥离力。
剥离力的测量使用了AR-1000(Chem-Instrument制造)设备，剥离角度设定为180°，在30米/分的剥离速度下进行测量，共测量5次后得出平均值。
残留粘附率根据以下<数学式8>的得出。
<数学式8>
残留粘附率(％)＝[(从离型层剥离的标准粘合胶带的剥离力)/(未使用过的标准粘合胶带的剥离力)]×100
(3)擦掉特性(肉眼观察)评价
用肉眼观察，通过大拇指使离型层往复运动10次而摩擦后的离型层表面的变化程度。结果，如下评价了擦掉特性。
◎：评价后没有变化
○：有轻微的擦掉，但是使用上没有问题
△：离型层表面变浑浊
×：离型层被擦掉
[表1]
Figure BDA0002827666610000161
[表2]
Figure BDA0002827666610000171
参见表1，当以0.3米/分的剥离速率剥离时，根据实施例1至10制备的有机硅离型膜具有10克/英寸至25克/英寸的低速剥离力值，因此所述有机硅离型膜用作粘合层的保护膜时，可以确认在保持与粘合层的附着状态的同时也可以轻易剥离。
另外，当以30米/分的剥离速率剥离时，根据实施例1至10制备的有机硅离型膜具有10克/英寸至40克/英寸的高速剥离力值，并且比起低速，高速剥离时的剥离力上升幅度被抑制为小于或等于2倍，因此可以确认在高速剥离时也可以轻易剥离。由此，所述有机硅离型膜用作粘合层的保护膜时，可以防止粘合层被撕裂或粘合层一起被剥离的问题。
这是根据实施例1至10制备的有机硅离型膜，存在于交联的离型层与交联点之间的有机硅聚合物链的重均分子量(Mw)被调节为小于4000，包含用于形成交联的有机硅的含链烯基以及含氢原子的硅氧烷重复单元具有最佳的含量范围。由于具有链烯基与氢原子的所述硅氧烷重复单元以适当的密度分布在分子中，因此未反应的官能团不会残留在离型层中，并且长时间处于粘合状态时，对暴露于高温或时间流逝、温度变化等外部环境的变化，剥离力的上升程度小，因此物理性质可以被抑制的原因也在于此。
另外，由于根据实施例1至10制备的有机硅离型膜的残留粘附率保持在90％以上，因此可以防止硅转移而引起的问题。由此，可以防止粘合层的污染，离型层不会因摩擦等而脱落等，具有优秀的耐用性，因此可以用于粘合层的保护膜的用途。
相比之下，根据比较例1制备的有机硅离型膜，由于硅氧烷之间未进行交联反应，当以0.3米/分的剥离速度剥离时，因剥离力值过低无法保持与粘合层的附着状态，并且由于残留粘附率极低，随有机硅转移，粘合层可能被污染，因此不适合用作离型膜。
根据比较例2制备的有机硅离型膜，随着含链烯基的有机聚硅氧烷的分子量增加，在交联的离型层上存在于交联点之间的有机硅聚合物链的重均分子量(Mw)大于或等于4000，相比于低速剥离时，高速剥离时的剥离力上升抑制效果不足，因此可以确认随着剥离速度而增加的剥离力的上升幅度大。由此，当高速剥离时剥离能力劣化，所述有机硅离型膜用作粘合层的保护摸时，可能会出现粘合层被撕裂或粘合层一起被剥离的问题，因此不适合用作离型膜。
根据比较例3或比较例4制备的有机硅离型膜，包括在有机硅离型组合物的含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和，与含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和之比对应于1.3或2.8，超出作为适当范围的1.5至2.5的范围。
包括在所述有机硅离型组合物的含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和，与含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和之比(S/T)为1.3而不足时，未参与反应的含链烯基的有机聚硅氧烷残留在离型层中而降低残留粘附率，由此可能引发有机硅转移问题，因此不适合用作离型膜。
包括在所述有机硅离型组合物的含氢的有机聚硅氧烷中所含的具有氢原子的硅氧烷重复单元的总和，与含链烯基的有机聚硅氧烷中所含的链烯基的总和之比(S/T)为2.8而过多时，由于未参与反应的含氢的有机聚硅氧烷，随时间流逝或温度变化的剥离力过度上升，由此可能使剥离能力劣化，因此不适合用作离型膜。
根据比较例5制备的有机硅离型膜，随剥离速度的剥离力上升程度增加，由此高速剥离时剥离能力劣化，可能使粘合层被撕裂，或所述有机硅离型膜用作粘合层的保护膜时，可能出现粘合层一起被剥离的问题，因此不适合用作离型膜。
尽管已经详细说明了本公开的优选实施例，但是本公开的权利范围不限于此，所属领域技术人员利用权利要求书中定义的本公开的基本概念进行各种修改与改进，也属于本公开的权利范围。

Claims (19)

1.一种有机硅离型膜，包括：基底膜；以及
离型层，所述离型层包括配置于所述基底膜的至少一面的有机硅离型组合物，
其中，所述离型层同时满足以下数学式1至5：
<数学式1>
10≤L≤25
<数学式2>
10≤H≤40
<数学式3>
1≤H/L≤2，
在所述数学式1至3中，
L为在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力值，以克/英寸计，
H为在30米/分的剥离速度下测量的高速剥离力值，以克/英寸计，
所述低速剥离力值与所述高速剥离力值是，各自将TESA7475胶带往复按压并在常温下经过1天后测量的值，
<数学式4>
1.0≤R14/R1≤1.5
<数学式5>
1.0≤P80/P25≤1.5
在所述数学式4与5中，
R1是将TESA7475胶带往复按压并常温经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，以克/英寸计，
R14是将TESA7475胶带往复按压并常温经过十四天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，以克/英寸计，
P25是将TESA7475胶带往复按压并常温经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，以克/英寸计，
P80是将TESA7475胶带往复按压并在80℃经过一天之后，在0.3米/分的剥离速度下测量的低速剥离力的值，以克/英寸计。
2.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物包括，具有取代或未取代的C2-C12链烯基的含链烯基的有机聚硅氧烷、含氢的有机聚硅氧烷，或两者的组合。
3.根据权利要求2所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物包括由以下化学式1至3表示的结构单元：
<化学式1>
Figure FDA0003969021910000021
<化学式2>
Figure FDA0003969021910000022
<化学式3>
Figure FDA0003969021910000023
在所述化学式1至3中，
R1、R2、R3、R4、R5各自独立地是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基。
4.根据权利要求3所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物包括至少一个由化学式1表示的结构单元，并且包括至少四个由化学式2表示的结构单元。
5.根据权利要求2所述的有机硅离型膜，其中，
所述含链烯基的有机聚硅氧烷包括由以下化学式4表示的有机聚硅氧烷：
<化学式4>
{R'1R'2R'3SiO1/2}n{R'2R'3SiO2/2}m{R'3SiO3/2}l{SiO4/2}k
在所述化学式4中，
n是4至10之间的整数，
m是10至200之间的整数，
l为0，
k是1至4之间的整数，
R'1、R'2各自独立地是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基，
R'3是取代或未取代的甲基，
然而，R'1、R'2中的至少一个是取代或未取代的C2-C12链烯基。
6.根据权利要求2所述的有机硅离型膜，其中，
所述含氢的有机聚硅氧烷进一步包括由以下化学式5表示的有机聚硅氧烷：
<化学式5>
{R"1R"2R"3SiO1/2}z{R"1R"3SiO2/2}y{R"2R"3SiO2/2}x{R"3SiO3/2}w{SiO4/2}v
在所述化学式5中，
z是2至10之间的整数，
x、y各自为1到50之间的整数，
x+y是2至80之间的整数，
w是0，v是0至4之间的整数，
R"1是取代或未取代的C1-C12的烷基，
R"2是氢或取代或未取代的C1-C12的烷基，并且{R"1R"2R"3SiO1/2}z中的R"2和{R"2R"3SiO2/2}x中的R"2中至少有一个是氢，
R"3是甲基。
7.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物包括由以下化学式6表示的含链烯基的有机聚硅氧烷：
<化学式6>
Figure FDA0003969021910000041
在所述化学式6中，
a、b、c、d各自独立地是1至100之间的整数，a+b+c+d是10至200之间的整数，
e、f、g、h各自独立地是0至10之间的整数，e+f+g+h是0至20之间的整数，
Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh各自独立地是取代或未取代的C1-C12烷基或取代或未取代的C2-C12链烯基，然而，Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh中的至少一个是取代或未取代的C2-C12链烯基。
8.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物包括由以下化学式7表示的含氢的有机聚硅氧烷：
<化学式7>
Figure FDA0003969021910000042
在所述化学式7中，
o、p、q、r各自独立地是1至20之间的整数，
o+p+q+r是4至50之间的整数，
s、t、u、v各自独立地是1至20之间的整数，
s+t+u+v是4至50之间的整数。
9.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物满足以下数学式6：
<数学式6>
1.5≤S/T≤2.5
在所述数学式6中，
S为具有包括在含氢有机聚硅氧烷的氢原子的硅氧烷重复单元的总和，
T为包括在含链烯基的有机聚硅氧烷的链烯基总和。
10.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述离型层满足以下数学式7：
<数学式7>
90≤Q≤100
在所述数学式7中，
Q％表示离型层的残留粘附率。
11.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物进一步包括，铂螯合物催化剂、粘合剂以及残余量的溶剂。
12.根据权利要求11所述的有机硅离型膜，其中，
所述铂螯合物催化剂的含量是5ppm至500ppm。
13.根据权利要求11所述的有机硅离型膜，其中，
所述粘合剂包括选自环氧硅烷类化合物、氨基硅烷类化合物、乙烯基硅烷类化合物、甲基丙烯酰氧基硅烷类化合物以及异氰酸酯硅烷类化合物的一种或多种。
14.根据权利要求11所述的有机硅离型膜，其中，
所述残余量的溶剂包括水。
15.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述有机硅离型组合物具有1至10重量％的固体物质含量。
16.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述离型层的厚度为0.01μm至10μm。
17.根据权利要求1所述的有机硅离型膜，其中，
所述基底膜是聚酰亚胺类膜、聚烯烃类膜、聚酯类膜、聚缩醛类膜、聚碳酸酯类膜中的至少一种。
18.一种用于粘合膜的保护膜，其包括根据权利要求1至17中任何一项的有机硅离型膜。
19.一种用于粘合胶带的保护膜，其包括根据权利要求1至17中的任何一项的有机硅离型膜。
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