KR102094573B1 - 전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법 및 시스템 - Google Patents

전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법 및 시스템 Download PDF

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Abstract

적응적 전자 빔 스캐닝 시스템은 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔을 스캔하도록 구성된 검사 서브 시스템을 포함할 수 있다. 검사 서브 시스템은 전자 빔 소스, 샘플 스테이지, 전자 광학 소자들의 세트, 검출기 어셈블리 및 검사 서브 시스템의 하나 이상의 부분들에 통신 가능하게 결합된 제어기를 포함할 수 있다. 제어기는 검사를 위한 샘플의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하고, 평가된 하나 이상의 특성에 응답하여, 검사 서브 시스템의 하나 이상의 파라미터들 조정할 수 있다.

Description

전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR ADAPTIVELY SCANNING A SAMPLE DURING ELECTRON BEAM INSPECTION}
관련 출원의 상호 참조
본원은 다음에 기재된 출원(들)("관련 출원들")과 관련되고 그것의 가장 빠른 때의 가능한 유효 출원일(들)의 우선권을 주장한다(예를 들어, 임시 특허 출원들 이외의 것에 대한 가장 빠른 때의 가능한 우선일들을 주장하거나 또는 관련 출원(들)의 임의의 그리고 모든 모, 조, 증조 등의 출원들에 대한, 임시 특허 출원들을 위한 35 USC § 119(2) 하에서의 우선권을 주장함).
관련 출원들:
USPTO의 추가의 법정 요건들의 목적들을 위해, 본 출원은 METHODS OF IMPROVING OF THROUGHOUT AND SENSITIVITY OF E-BEAM INSPECTION SYSTEM이라고 하고, 발명자가 Gary Fan, David Chen, Vivekanand Kini 및 Hong Xiao인, 2013년 4월 27일자 출원된 출원 번호 61/816,720인 미국 임시 특허 출원의 정규(비임시) 특허 출원을 이룬다.
본 발명은 일반적으로 전자 빔 샘플 검사, 및 특히, 전자 빔 검사 중에 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 것에 관한 것이다.
전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하기 위한 시스템이 개시된다. 한 예시적인 실시예에서, 상기 시스템은 상기 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔을 스캔하도록 구성되고, 전자 빔을 발생시키도록 구성된 전자 빔 소스, 상기 샘플을 고정하도록 구성된 샘플 스테이지, 상기 전자 빔을 상기 샘플 상으로 지향시키도록 구성된 전자 광학 소자들의 세트, 및 적어도 전자 수집기와 상기 샘플의 표면으로부터 전자들을 검출하도록 구성된 검출기를 포함하는 검출기 어셈블리를 포함하는 검사 서브 시스템; 및 상기 검사 서브 시스템의 하나 이상의 부분에 통신 가능하게 결합된 제어기를 포함하지만, 이들에 제한되지 않고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서로 하여금, 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하고, 상기 평가된 하나 이상의 특성에 응답하여, 상기 검사 서브 시스템의 하나 이상의 스캔 파라미터를 조정하게 하도록 구성된 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함한다.
전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법이 제공된다. 한 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 상기 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔을 스캐닝하는 단계; 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하는 단계; 및 검사를 위한 상기 영역 중 상기 하나 이상의 부분의 상기 하나 이상의 평가된 특성에 기초하여 상기 샘플의 상기 표면을 가로질러 상기 전자 빔의 상기 스캐닝과 관련된 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터의 인라인 조정을 수행하는 단계를 포함하지만, 이들에 제한되지 않는다.
전술한 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명 모두는 예시적이고 단지 설명하기 위함이고 청구된 발명을 반드시 제한하는 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다. 본 명세서 내에 포함되고 그 일부를 이루는 첨부 도면은 본 발명의 실시예들을 도시하고 일반적인 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하는 역할을 한다.
본 개시의 많은 장점들은 다음의 첨부 도면을 참조하여 본 기술의 통상의 기술자에 의해 보다 잘 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따라, 전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 시스템의 하이 레벨 개략도.
도 2a-2e는 본 발명의 실시예들에 따라, 일련의 적응적 전자 빔 스캐닝 시나리오들의 개념도.
도 3a-3b는 본 발명의 실시예들에 따라, 선택된 방향을 따르는 화소들의 연장을 포함하는 일련의 적응적 전자 빔 스캐닝 시나리오들의 개념도.
도 4a-4b는 본 발명의 실시예들에 따라, 선택된 방향을 따르는 화소들의 연장을 포함하는 일련의 적응적 전자 빔 스캐닝 시나리오들의 개념도.
도 5a-5c는 본 발명의 실시예들에 따라, 선택된 방향을 따르는 화소들의 연장을 포함하는 일련의 적응적 전자 빔 스캐닝 시나리오들의 개념도.
도 6은 본 발명의 한 실시예들에 따라, 전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법을 도시하는 공정 흐름도.
첨부 도면에 도시된, 개시된 주제를 이제부터 상세히 참조한다.
도 1 내지 도 6을 일반적으로 참조하면, 전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법 및 시스템이 본 개시에 따라 설명된다. 본 개시의 실시예들은 전자 빔 검사 동안, 반도체 웨이퍼와 같은, 샘플의 적응적 스캐닝에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 주어진 스캐닝 시나리오에 관련된 하나 이상의 스캔 파라미터가 하나 이상의 스캐닝 특징을 개선하기 위한 노력으로, 인라인 조정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 스캔 파라미터들의 인라인 조정은 검사될 샘플의 영역 또는 서브 영역의 하나 이상의 평가된 특성에 응답하여 수행될 수 있다. 이들 특성은 패턴 밀도, 패턴 복잡도, 우세한 구조적 배향, 결함(들) 사이즈, 결함 밀도, 결함 깊이 및 결함 유형을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되지 않는다. 추가 실시예들에서, 특성들의 평가는 검사 레시피 셋업 동안, 검사 전 셋업 런 동안 또는 검사 런타임 동안 수행될 수 있다. 하나 이상의 스캔 파라미터의 인라인 조정은 개선된 검사 속도, 개선된 검사 감도, 단일 검사에서의 다수 유형들의 결함들의 검출, 감소된 불량률, 감소된 공해율, 샘플 상의 감소된 도즈 등에 이르게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따라, 전자 빔 검사 동안 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 시스템(100)을 도시한다. 한 실시예에서, 시스템(100)은 검사 서브 시스템(101)을 포함한다. 한 실시예에서, 검사 서브 시스템(101)은 샘플(106)의 선택된 영역을 가로질러 전자 빔을 스캐닝하기에 적합한 전자 빔 기반 검사 서브 시스템(101)이다. 한 실시예에서, 샘플(106)은 웨이퍼(예를 들어, 반도체 웨이퍼)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 검사 서브 시스템의 하나 이상의 부분은 전자 빔(104)으로 샘플(106)을 적응적으로 스캔하기 위해 선택적으로 제어가능하다. 한 실시예에서, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 부분, 소자가 검사를 위한 샘플(106)의 영역(또는 서브 영역들)의 하나 이상의 특성에 기초하여 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 스캔 파라미터들을 인라인 변화시키기 위해, 하나 이상의 다른 소자와 독립적으로 또는 함께, 선택적으로 제어가능할 수 있다. 예를 들어, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 조정가능한 스캔 파라미터는 하나 이상의 전자 소스 파라미터(예를 들어, 빔 전류)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 조정가능한 스캔 파라미터는 하나 이상의 스테이지 파라미터(예를 들어, 스테이지 스캐닝 속도 또는 샘플 바이어스 전압)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예로서, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 조정가능한 스캔 파라미터는 하나 이상의 전자 광학 초점 파라미터 또는 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터(예를 들어, 스캐닝 패턴, 스캔 라인 밀도, 스캔 라인 간격, 전자 빔 스캐닝 속도, 스캐닝 범위 또는 스캐닝의 거리)와 같은, 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 조정가능한 스캔 파라미터는 하나 이상의 이미지 형성 파라미터(예를 들어, 여기 전압, 2차 전자들을 위한 여기 전계 강도 또는 전자 랜딩 에너지)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예로서, 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 조정가능한 스캔 파라미터는 하나 이상의 전자 광학 초점 파라미터 또는 하나 이상의 디지털화 파라미터(예를 들어, 디지털화 또는 화소 데이터 레이트)와 같은 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 포함하지만, 이제 제한되지 않는다.
다른 실시예에서, 스캐닝 파라미터 조정이 기초할 수 있는 샘플의 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 샘플의 하나 이상의 패턴의 복잡도를 포함한다. 예를 들어, 복잡도 마커(예를 들어, 라인 스캔 밀도의 변화)는 여기에 더 설명되는 바와 같이, 검사를 위한 영역의 다양한 패펀들의 복잡도를 랭크하도록 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 영역(서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 샘플의 하나 이상의 패턴의 하나 이상의 구조적 특성을 포함한다. 다른 실시예에서, 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 샘플의 하나 이상의 결함 특성을 포함한다. 예를 들어, 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 밀도를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 사이즈를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성들은 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 유형을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
검사 서브 시스템(101)은 본 기술에 공지된 임의의 스캐닝 모드에서 동작할 수 있다는 점이 여기에 주목된다. 예를 들어, 검사 서브 시스템(101)은 샘플(106)의 표면을 가로질러 전자 빔(104)을 스캐닝할 때 스와씽(swathing) 모드에서 동작할 수 있다. 이와 관련하여, 검사 서브 시스템(101)은 샘플이 이동하는 동안, 샘플(106)을 가로질러 전자 빔(104)을 스캔할 수 있고, 스캐닝의 방향은 샘플 움직임의 방향에 명목상 수직이다. 다른 예를 들면, 검사 서브 시스템(101)은 샘플(106)의 표면을 가로질러 전자 빔(104)을 스캔할 때 스텝 앤 스캔(step and scan) 모드에서 동작할 수 있다. 이와 관련하여, 검사 서브 시스템(101)은 빔이 스캔될 때 명목상 고정인, 샘플(106)을 가로질러 전자 빔(104)을 스캔할 수 있다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 제어기(102)를 포함한다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 부분에 통신 가능하게 결합된다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하도록 구성된다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 검사 레시피 셋업 동안, 검사 전 셋업 런 동안 또는 검사 런타임 동안 하나 이상의 특성을 평가할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 평가된 하나 이상의 특성에 응답하여, 검사 서브 시스템의 하나 이상의 스캔 파라미터를 조정하도록 구성된다.
한 실시예에서, 제어기(102)는 샘플(106)의 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 특성을 평가 또는 측정할 수 있다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 샘플(106)의 하나 이상의 패턴의 복잡도, 또는 복잡도 마커 또는 메트릭을 평가할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 샘플(106)의 하나 이상의 패턴의 하나 이상의 구조적 특성을 평가할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 샘플(106)의 하나 이상의 결함 특성을 평가할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 밀도를 평가 또는 측정할 수 있다. 다른 예를 들면, 제어기(102)는 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 사이즈를 평가 또는 측정할 수 있다. 다른 예를 들면, 제어기(102)는 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분 내의 결함 유형을 평가 또는 측정할 수 있다.
한 실시예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 전자 소스 파라미터(예를 들어, 빔 전류)를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 스테이지 파라미터(예를 들어, 스테이지 스캐닝 속도 또는 샘플 바이어스 전압)를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 전자 광학 초점 파라미터(예를 들어, 초점) 또는 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터(예를 들어, 스캐닝 패턴, 스캔 라인 밀도, 스캔 라인 간격, 전자 빔 스캐닝 밀도, 스캐닝 범위 또는 스캐닝의 거리)와 같은, 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 이미지 형성 파라미터(예를 들어, 추출 전압, 2차 전자를 위한 추출 전계 강도 또는 전자 랜딩 에너지)를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 각 서브 영역 내의 결함 신호를 향상시키기 위해 또는 각 서브 영역 내의 관심 결함을 용이하게 검출 가능하게 하기 위해 전자 빔 랜딩 에너지를 한 서브 영역으로부터 다른 서브 영역으로 변화시킬 수 있다. 다른 예를 들면, 제어기(102)는 각 서브 영역 내의 결함 신호를 향상시키기 위해 또는 각 서브 영역 내의 관심 결함을 용이하게 검출 가능하게 하기 위해 이미징 전자들을 제어하는 추출 전계 또는 전압을 한 서브 영역으로부터 다른 서브 영역으로 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 디지털화 파라미터(예를 들어, 디지털화 또는 화소 데이터 레이트)를 조정할 수 있다.
한 실시예에서, 검사 서브 시스템(101)은 하나 이상의 전자 빔(104)을 발생시키는 전자 빔 소스(120)를 포함한다. 전자 빔 소스(120)는 본 기술에 공지된 임의의 전자 소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 빔 소스(120)는 하나 이상의 전자 건을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 전자 소스(120)에 통신 가능하게 결합된다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 전자 소스(120)에의 제어 신호를 통해 하나 이상의 전자 소스 파라미터를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기는 검사를 위한 샘플의 영역의 하나 이상의 평가된 특성에 응답하여 하나 이상의 전자 소스 파라미터를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 전자 빔 소스(120)의 제어 회로에 전송된 제어 신호를 통해 소스(120)에 의해 방출된 전자 빔(104)을 위한 빔 전류를 변화시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 샘플(106)은 스캐닝 동안 샘플(106)을 고정하기에 적합한 샘플 스테이지(108) 상에 배치된다. 다른 실시예에서, 샘플 스테이지(108)는 작동가능한 스테이지이다. 예를 들어, 샘플 스테이지(108)는 하나 이상의 선형 방향(예를 들어, x 방향, y 방향 및/또는 z 방향)을 따라 샘플(106)을 선택 가능하게 병진시키기에 적합한 하나 이상의 병진 스테이지를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 샘플 스테이지(108)는 회전 방향을 따라 샘플(106)을 선택 가능하게 회전시키기에 적합한 하나 이상의 회전 스테이지를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 샘플 스테이지(108)는 선형 방향을 따라 샘플을 선택 가능하게 병진시키고/시키거나 회전 방향을 따라 샘플(106)을 선택 가능하게 회전시키기에 적합한 회전 스테이지 및 병진 스테이지를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
한 실시예에서, 제어기(102)는 샘플 스테이지(108)에 통신 가능하게 결합된다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 샘플 스테이지(108)에 전송된 제어 신호를 통해 하나 이상의 스테이지 파라미터를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 검사를 위한 샘플의 영역의 하나 이상의 평가된 특성에 응답하여 하나 이상의 스테이지 파라미터를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 샘플 스테이지(108)의 제어 회로에 전송된 제어 신호를 통해 샘플 스캐닝 속도를 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 샘플(106)이 전자 빔(104)에 대해 선형으로(예를 들어, x 방향 또는 y 방향) 병진되는 속도를 변화시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 검사 서브 시스템(101)은 전자 광학 소자들(103)의 세트를 포함한다. 전자 광학 소자들의 세트는 전자 빔(104)을 샘플(106)의 선택된 부분 상으로 집속 및/또는 지향시키기에 적합한 본 기술에 공지된 임의의 전자 광학 소자들을 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 전자 광학 소자들의 세트는 하나 이상의 전자 광학 렌즈를 포함한다. 예를 들어, 전자 광학 렌즈는 전자 빔 소스로부터 전자들을 수집하기 위한 하나 이상의 집광 렌즈(112)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예를 들면, 전자 광학 렌즈는 샘플(106)의 선택된 영역 상으로 전자 빔을 집속하기 위한 하나 이상의 대물 렌즈(114)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예에서, 전자 광학 소자들의 세트는 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 소자를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 소자(111)는 샘플(106)의 표면에 대한 빔의 위치를 제어하기에 적합한 하나 이상의 스캐닝 코일 또는 편향기를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 이와 관련하여, 하나 이상의 스캐닝 소자(111)는 선택된 패턴 내의 샘플(106)을 가로질러 전자 빔(104)을 스캔하기 위해 이용될 수 있다.
한 실시예에서, 제어기(102)는 전자 광학 소자들(103)의 세트에 통신 가능하게 결합된다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 전자 광학 소자들(103)의 세트 중 하나 이상에 전송된 제어 신호를 통해 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 검사를 위한 샘플의 영역의 하나 이상의 평가된 특성에 응답하여 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 조정할 수 있다.
한 실시예에서, 제어기(102)는 전자 광학 소자들(103)의 세트의 하나 이상의 전자 광학 렌즈(112, 114)에 통신 가능하게 결합되고 하나 이상의 전자 광학 초점 파라미터(예를 들어, 전자 광학 초점)를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 제어기(102)는 전자 광학 렌즈(112 또는 114)에 전송된 제어 신호를 통해 전자 빔(104)의 초점을 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 전자 광학 소자들(103)의 세트의 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 소자들(111)에 통신 가능하게 결합되고 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 제어기(102)는 전자 빔 스캐닝 소자들(111)에 전송된 하나 이상의 제어 신호를 통해 전자 빔 스캔 속도, 스캔 범위, 스캐닝의 거리, 스캔 라인 밀도 또는 스캔 간격을 변화시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 검사 서브 시스템은 검출기 어셈블리(118)를 포함한다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 검출기 어셈블리(118)의 하나 이상의 부분에 전송된 제어 신호를 통해 하나 이상의 디지털화 파라미터를 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 검사를 위한 샘플의 영역의 하나 이상의 평가된 특성에 응답하여 하나 이상의 디지털화 파라미터를 조정할 수 있다.
한 실시예에서, 검출기 어셈블리(118)는 전자 수집기(117)(예를 들어, 2차 전자 수집기)를 포함한다. 다른 실시예에서, 검출기 어셈블리(118)는 샘플 표면으로부터의 전자들(예를 들어, 2차 전자들)을 검출하기 위한 검출기(119)(예를 들어, 섬광 소자 및 PMT 검출기(119))를 포함한다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 전자 수집기(117)에 통신 가능하게 결합된다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 수집기(117)에 전송된 제어 신호를 통해 하나 이상의 이미지 형성 파라미터를 조정할 수 있다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 2차 전자들을 위한 여기 전압 또는 여기 전계 강도를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 각 서브 영역 내의 결함 신호를 향상시키기 위해 또는 각 서브 영역 내의 관심 결함을 보다 쉽게 검출 가능하게 하기 위해 전자 빔 랜딩 에너지를 한 서브 영역으로부터 다른 서브 영역으로 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 샘플(106) 상의 전자 랜딩 에너지를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 각 서브 영역 내의 결함 신호를 향상시키기 위해 또는 각 서브 영역 내의 관심 결함을 보다 쉽게 검출 가능하게 하기 위해 이미징 전자들을 제어하는 추출 전계 또는 전압을 한 서브 영역으로부터 다른 서브 영역으로 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 샘플 바이어스 전압을 조정할 수 있다.
전술한 설명은 2차 전자들의 수집의 맥락에서 검출기 어셈블리(118)에 중점을 두었지만, 이것이 본 발명의 제한으로서 해석되어서는 안된다. 검출기 어셈블리(118)는 전자 빔(104)으로 샘플 표면 또는 벌크의 특징을 나타내기 위해 본 기술에 공지된 임의의 장치 또는 장치들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검출기 어셈블리(118)는 후방 산란된 전자들, 오거(Auger) 전자들, 전송된 전자들 또는 광자들(예를 들어, 입사 전자들에 응답하여 표면에 의해 방출된 X 레이)을 수집하도록 구성된 본 기술에 공지된 임의의 입자 검출기를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 제어기(102)는 검출기 어셈블리(118)의 검출기(119)에 통신 가능하게 결합된다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 검출기(119)에 전송된 제어 신호를 통해 하나 이상의 디지털화 파라미터를 조정할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 검출기(119)에 전송된 제어 신호를 통해 검출기(119)의 디지털화 또는 화소 데이터 레이트를 조정할 수 있다.
다른 실시예에서, 검출기 어셈블리(118)의 검출기는 광 검출기를 포함한다. 예를 들어, 검출기(119)의 PMT 검출기의 양극은 양극에 의해 흡수된 PMT 검출기의 캐스케이드된 전자들에 의해 활성화되고 후속하여 광을 방출하는 인광체 양극으로 구성될 수 있다. 결국, 광 검출기는 샘플(106)을 이미징하기 위해 인광체 양극에 의해 방출된 광을 수집할 수 있다. 광 검출기는 CCD 검출기 또는 CCD-TDI 검출기와 같은, 본 기술에 공지된 임의의 광 검출기를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
도 2a-2e는 본 개시의 실시예에 따라, 시스템(100) 및/또는 방법(600)의 구현들의 일련의 개념도를 도시한다. 도 2a 및 2b는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라, 샘플(106)의 국소 패턴 복잡도에 따른 스캔 라인 밀도의 변화를 도시한다. 한 실시예에서, 시스템(100)은 도면부호 202 및 도면부호 204로 도시한 바와 같은, 동일 간격 스캔 패턴들을 이용할 수 있다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 반복 샘플 패턴들(200) 간의 영역들이 관심이 없는 경우에, 시스템(100)은 스캐닝할 때 이들 중간 영역들을 건너뛸 수 있다. 이 구성의 스캔된 이미지은 206으로 표시된다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 패턴들(200) 간의 영역들이 관심이 있지만, 패턴들(200) 간의 더 드문 샘플링을 가능하게 하는 팩터가 존재하는 경우에, 시스템(100)은 이들 영역을 스캐닝할 때 수정된 스캐닝 패턴(204)를 적용할 수 있다. 예를 들어, 204로 도시한 것과 같은, 수정된 스캐닝 패턴은 이들 영역 내의 결함 사이즈들이 더 큰 것으로 예상될 때 구현될 수 있다. 이 구성의 스캔된 이미지은 208로 표시된다.
도 2c 및 2d는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라, 샘플(106)의 패턴 복잡도에 따른 스캔 라인 밀도의 변화를 도시한다. 한 실시예에서, 시스템(100)은 212 및 214로 도시한 바와 같이, 가변 간격 스캔 패턴들을 이용할 수 있다. 도 2c에 도시한 바와 같이, 반복 샘플 패턴들(210) 간의 영역들이 관심이 없는 경우에, 시스템(100)은 스캐닝할 때, 이들 중간 영역들을 건너뛸 수 있다. 이 구성의 스캔된 이미지은 216으로 표시된다. 도 2d에 도시한 바와 같이, 패턴들(210) 간의 영역들이 관심이 있지만, 패턴들(210) 간의 더 드문 샘플링을 가능하게 하는 팩터가 존재하는 경우에, 시스템(100)은 이들 영역을 스캐닝할 때 수정된 스캐닝 패턴(214)를 적용할 수 있다. 예를 들어, 214로 도시한 것과 같은, 수정된 스캐닝 패턴은 이들 영역 내의 결함 사이즈들이 더 큰 것으로 예상될 때 구현될 수 있다. 이 구성의 스캔된 이미지은 218로 표시된다.
도 2e는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라, 시스템(100) 및/또는 방법(600)에 의해 구현된 스캔 패턴 및/또는 이미징 파라미터들의 변화를 도시한다. 한 실시예에서, 시스템(100)에 의해 변화된 스캔 패턴 및/또는 이미징 파라미터들은 샘플 상의 전자 랜딩 에너지, 전자들을 이미징하기 위한 추출 전계 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 스캔 패턴 및/또는 이미징 파라미터들은 결함 신호 레벨을 향상시키고 또는 그렇지 않으면 관심의 하나 이상의 결함이 각 서브 영역에 대해 보다 쉽게 검출 가능하게 하기 위해 시스템(100)에 의해 변화될 수 있다. 결과적으로, 영역-특정될 수 있는, 다른 유형의 관심의 결함들은 동일한 검사 중에 콘트라스트 향상되고 캡쳐될 수 있다. 예를 들어, 도 2e의 220은 2개 이상의 영역들을 각각 포함할 수 있는 반복 패턴(220)을 표시하고, 각 영역은 다른 결함 유형을 갖는다. 스캐닝 패턴(220)은 이러한 반복 패턴을 스캔하기 위해 이용될 수 있고, 여기서 이미징 파라미터들은 한 검사에서 다른 영역들 내에 2개 이상의 결함 유형들을 검출하는 목적을 위해 동적으로 변화된다. 이미지(224)은 영역 특정 콘트라스트 향상을 표시하는, 시스템(100)으로 캡쳐된 결과 이미지을 표시한다.
도 3a-3b는 본 개시에 따라, 시스템(100) 및/또는 방법(600)으로 구현된 화소들의 연장의 일련의 개념도를 도시한다. 한 실시예에서, 제어기(102)는 선택된 방향을 따라 하나 이상의 화소를 연장할 수 있다.
한 실시예에서, 도 3a의 이미지(300 및 302)에 도시한 바와 같이, 제어기(102)는 스캔 범위를 선택된 팩터 E(예를 들어, E=1-10)만큼 증가시키고 스테이지 속도 및 화소 데이터 레이트를 유지함으로써 전자 빔 스캔 방향을 따라 하나 이상의 화소를 연장할 수 있다. 이 연장은 이미지(302)에 표시된 것과 같은 직사각형 화소들에 이르게 할 수 있다는 점에 주목한다. 다른 실시예에서, 제어기(102)는 스캔 전압을 선택 팩터 E만큼 증가시킴으로써 전자 빔 스캔 반향을 따라 하나 이상의 화소를 연장할 수 있다.
소정의 샘플 층 기하구조에 대해, 전술한 방식은 검사 감도의 상당한 손실 없이 검사 속도를 상당히 올릴 수 있다는 점이 여기서 주목된다. 이와 관련하여, 효과적인 직사각형 빔 형태가 달성될 수 있다. 빔 스캔 방향이 이미지(302)으로 도시한 바와 같이, 하나 이상의 구조 라인을 따르는 경우에, 개선된 신호 대 잡읍비가 빔 형태가 화소 형태와 일치함에 따라 달성될 수 있다는 점이 더 주목된다. 빔 스캔 방향이 이미지들(304 및 306)로 도시한 바와 같이, 수직(또는 일반적으로 비평행)인 경우에, 상당한 언더 샘플링이 달성된다.
다른 실시예에서, 도 3b의 이미지들(310 및 312)로 도시한 바와 같이, 제어기(102)는 스테이지 속도를 선택된 팩터 E만큼 증가시키고 빔 스캔 범위 및 화소 데이터 레이트를 유지함으로써 전자 빔 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 하나 이상의 화소를 연장할 수 있다. 이와 관련하여, 이미지(310)의 정사각형 화소들은 312로 도시한 바와 같이 직사각형 화소들로 된다. 빔 스캔 방향이 이미지들(314 및 316)로 도시한 바와 같이, 하나 이상의 구조 라인을 따르는 경우에, 상당한 언더 샘플링이 달성된다.
도 4a-4b는 본 개시에 따라, 시스템(100) 및/또는 방법(600)을 이용하는 화소들의 연장의 일련의 개념도를 도시한다. 이전의 스캐닝 방법들은 샘플의 모든 영역들을 효과적으로 스캔하지 못하고 파국적 결함을 놓칠 우려가 있다는 점이 여기서 주목된다. 또한, 느린 스캐닝 방향으로 적응적 스캐닝 능력들을 갖는 전자 빔 검사는 전압 콘트라스트(VC) 결함 검사에 특히 유용하지 않다.
다른 실시예에서, 제어기(102)는 스캔 전압을 선택 팩터 E만큼 증가시킴으로써 빠른 전자 빔 스캔 방향을 따라 하나 이상의 화소를 연장할 수 있다. 스캐닝 전압을 팩터 E만큼 증가시키면, 시스템(100)은 정상(비스케일된 전압)에 대한 전자들의 편향을 팩터 E에 비례하게 증가할 수 있다는 점이 여기서 주목된다. 다른 실시예에서, 스와쓰(swath) 폭의 화소 수가 감소될 수 있고(예를 들어, 256 화소 폭), 팩터 E가 극적으로 증가된다(예를 들어, E>10).
이러한 능력은 상당한 수율 개선을 제공한다는 점이 여기서 주목된다. 이러한 방식은 직선 도전성 라인들 내의 VC 결함들을 검출하는데 특히 유용하다는 것이 인식된다. 예를 들어, 도 4a의 이미지(402)으로 도시한 바와 같이, 정사각형 비연장 화소(404)가 표시된다. 도 4b의 이미지(406)으로 도시한 바와 같이, 연장된 화소(408)가 스캔 전압을 선택 팩터 E만큼 증가시킴으로써 제어기(102)에 의해 생성될 수 있다. 도 4b에 도시된 예에서, 팩터는 E=7에 대응한다. 한 실시예에서, 시스템(100)은 도전성 라인을 충전하고 전기적 결함들(예를 들어, 파선들, 선들 사이의 단락 및 도전성 라인들의 개방 회로를 접지시키는 비개방된 접촉 플러그들)에 의해 유발된 VC 변화들을 캡쳐할 수 있는, 연장 팩터 E로, 도전성 라인을 따라 빠른 스캔을 수행할 수 있다. 연장 팩터 E를 위한 상기 값들은 제한되는 것이 아니고 단지 예시적인 것으로 해석되어야 한다는 점이 여기서 주목된다. 예를 들어, 연장 팩터는 1-10의 범위 및 나아가 범위 10-100에 있을 수 있다.
도 5a-5c는 본 개시에 따라, 시스템(100) 및/또는 방법(600)을 이용하는 화소들의 연장의 일련의 개념도를 도시한다. 도 5a는 정상적 정사각형 화소 스캔으로 캡쳐된 SEM 이미지(502)의 개념도를 도시한다. 도 5b는 E=7을 갖는 연장된 화소의 개념도를 도시한다. 도 5c는 E=7의 연장된 화소로 캡쳐된 SEM 이미지(502)의 개념도를 도시한다.
한 실시예에서. 제어기(102)는 하나 이상의 프로세서로 하여금 본 개시에서 설명된 하나 이상의 단계를 실행하게 하기에 적합한 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서(도시 안됨)를 포함한다. 한 실시예에서, 제어기(102)의 하나 이상의 프로세서는 제어기(102)의 하나 이상의 프로세서로 하여금 본 개시를 통해 설명된 다양한 단계들을 수행하게 하도록 구성된 프로그램 명령어들을 포함하는 전달 매체(예를 들어, 비일시적인 저장 매체(즉, 메모리 매체))와 통신할 수 있다. 본 개시에 걸쳐 설명된 다양한 단계들은 단일 컴퓨팅 시스템 또는 대안적으로, 다중 컴퓨팅 시스템에 의해 수행될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 제어기(102)는 퍼스널 컴퓨터 시스템, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 또는 본 기술에 공지된 다른 장치를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되지 않는다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은 메모리 매체로부터의 명령어들을 실행하는, 하나 이상의 프로세서를 갖는 어떤 장치를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 또한, 시스템(100)의 다른 서브시스템들은 위에 설명된 단계들의 적어도 일부를 수행하기에 적합한 컴퓨터 시스템 또는 논리 소자들을 포함할 수 있다. 그러므로, 상기 설명은 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안되고 단지 예시이다.
제어기(102)는 본 기술에 공지된 어떤 전송 매체를 통해 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 부분에 통신 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 유선 전송 링크 또는 무선 전송 링크를 통해 검사 서브 시스템(101)의 하나 이상의 부분에 통신 가능하게 결합될 수 있다. 이 방식으로, 전송 매체는 제어기(102)와 시스템(100)의 다른 서브시스템들 간의 데이터 링크로서 기능할 수 있다.
도 1에 도시된 시스템(100)의 실시예들은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 또한, 시스템(100)은 여기에 설명된 방법 실시예(들)의 어떤 것의 다른 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다.
도 6은 전자 빔 검사 중에 샘플을 적응적으로 스캐닝하는 방법에서 수행되는 단계들을 도시한 흐름도이다. 공정 흐름(600)의 단계들은 제어기(102)의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행된 사전 프로그램된 명령어들을 통해 수행될 수 있다는 것이 인식된다. 그러나, 시스템(100)은 다양한 시스템 구성이 공정 흐름(600)을 달성할 수 있다는 것이 고려됨에 따라 공정(600)에 대한 제한으로서 해석되어서는 안된다는 것이 본 기술의 통상의 기술자에 의해 인식되어야 한다.
제 1 단계 602에서, 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔을 스캔한다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 전자 빔(104)은 스와쓰 모드 검사 절차 또는 스텝 앤드 스캔 모드 검사 절차에 따라 스캔될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 스캐닝 소자(111) 및/또는 스테이지(108)는 샘플(106)의 표면을 가로질러 선택된 패턴을 따라 전자 빔(104)을 병진시키기 위해 이용될 수 있다.
제 2 단계 604에서, 검사를 위한 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성이 평가될 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 검사를 위한 영역(또는 서브 영역)의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가(또는 결정 또는 측정)할 수 있다. 예를 들어, 제어기(102)는 검사를 위한 영역(또는 서브 영역)과 관련된 검출기 어셈블리(118)에 의해 획득된 패턴 데이터를 분석할 수 있다. 다른 예에서, 제어기(102)는 하나 이상의 예상된 장치 특징들(예를 들어, 반복 구조들 등)에 기초하여 예측된 패턴 데이터를 분석할 수 있다.
제 3 단계 606에서, 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔의 스캐닝과 관련된 하나 이상의 스캔 파라미터의 인라인 조정이 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성에 기초하여 수행된다. 예를 들어, 제어기(102)는 검사를 위한 영역 중 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성에 기초하여 샘플의 표면을 가로질러 전자 빔의 스캐닝과 관련된 하나 이상의 스캔 파라미터의 인라인 조정을 수행할 수 있다.
여기에 설명된 방법들 모두는 저장 매체 내에 방법 실시예들의 하나 이상의 단계의 결과들을 저장하는 것을 포함할 수 있다. 이 결과들은 여기에 설명된 결과들 중 어느 것을 포함할 수 있고 본 기술에 공지된 어떤 공지된 방식으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 여기에 설명된 어떤 저장 매체 또는 본 기술에 공지된 어떤 다른 적합한 저장 매체를 포함할 수 있다. 그 결과들이 저장된 후에, 그 결과들은 저장 매체에서 평가될 수 있고 여기에 설명된 방법 또는 시스템 실시예들 중 어느 것에 의해 사용되고, 사용자에 디스플레이하기 위해 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다. 또한, 그 결과들은 "영구적으로", "반영구적으로", 일시적으로, 또는 일부 시간 주기 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 저장 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수 있고, 그 결과들은 저장 매체에 반드시 무한으로 지속될 필요는 없다.
위에 설명된 방법의 실시예들 각각은 여기에 설명된 어떤 다른 방법(들)의 어떤 다른 단계(들)를 포함할 수 있다는 것이 더 숙고된다. 또한, 위에 설명된 방법의 실시예들 각각은 여기에 설명된 시스템들 중 어느 것에 의해 수행될 수 있다.
본 기술의 통상의 기술자는 기술 수준이 시스템들의 양상들의 하드웨어 구현과 소프트웨어 구현 간에 구별이 없는 정도까지 진전되었고; 하드웨어 또는 소프트웨어의 사용은 일반적으로 비용과 효율 간 절충을 나타내는 설계 선택이다(그러나, 항상 그렇지는 않는데, 특정 맥락에서 하드웨어와 소프트웨어 간의 선택은 중요할 수 있다). 본 기술의 통상의 기술자는 여기에 설명된 공정들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술들이 행해질 수 있는 다양한 수단(예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어, 및/또는 펌웨어)이 있고, 양호한 수단은 공정들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술 등이 이용되는 맥락에 따라 변화할 것이라는 것을 알 것이다. 예를 들어, 구현자가 속도 및 정확도가 중요하다고 결정하면, 구현자는 주로 하드웨어 및/또는 펌웨어 수단을 선택할 수 있고; 대안적으로, 융통성이 중요하면, 구현자는 주로 소프트웨어 구현을 선택할 수 있고; 또는 또 다시 대안적으로, 구현자는 하드웨어, 소프트웨어, 및/또는 펌웨어의 어떤 조합을 선택할 수 있다. 그러므로, 여기에 설명된 공정들 및/또는 장치들 및/또는 다른 기술이 행해질 수 있는 여러 가능한 수단들이 있는데, 그 중 어느 것도 이용될 어떤 수단이 그 수단이 이용되는 맥락 및 구현자의 특정한 관심(예를 들어, 속도, 융통성, 또는 예측가능성)에 따른 선택이라는 점에서 다른 것보다 본질적으로 우수하지는 않고, 이들 중 어떤 것은 변화할 수 있다. 본 기술의 통상의 기술자는 구현들의 광학적 양태들이 전형적으로 광학 배향 하드웨어, 소프트웨어, 및/또는 펌웨어를 채용할 것이라는 것을 인식할 것이다.
본 기술의 통상의 기술자는 여기에 기술된 방식으로 장치들 및/또는 공정들을 설명하는 것은 본 기술 내에서 일반적이고, 그후 이러한 설명된 장치들 및/또는 공정들을 데이터 프로세싱 시스템들 내로 통합시키기 위해 공학 실무를 사용하는 것을 인식할 것이다. 즉, 여기에 설명된 장치들 및/또는 공정들의 적어도 일부는 합리적인 양의 실험을 통해 데이터 프로세싱 시스템 내로 통합될 수 있다. 본 기술의 통상의 기술자는 전형적인 데이터 프로세싱 시스템은 일반적으로 시스템 유닛 하우징, 비디오 디스플레이 장치, 휘발성 및 비휘발성 메모리와 같은 메모리, 마이크로프로세서들 및 디지털 신호 프로세서들과 같은 프로세서들, 운영 체제들과 같은 계산적 실체들, 드라이버들, 그래픽 유저 인터페이스들, 및 응용 프로그램들, 터치 패드 또는 스크린과 같은 하나 이상의 상호 작용 장치들, 및/또는 피드백 루프들 및 제어 모터를 포함하는 제어 시스템들(예를 들어, 위치 및/또는 속도를 감지하는 피드백; 소자들 및/또는 양들을 이동 및/또는 조정하는 제어 모터들)을 포함한다는 것을 인식할 것이다. 전형적인 데이터 프로세싱 시스템은 데이터 컴퓨팅/통신 및/또는 네트워크 컴퓨팅/통신 시스템들에서 전형적으로 발견되는 것과 같은 어떤 적합한 상용화 가능한 소자들을 이용하여 구현될 수 있다.
본 개시 및 그것의 부수적인 장점들 중 많은 것은 다음의 설명에 의해 이해될 것이고, 개시된 주제로부터 벗어나지 않고서 또는 그것의 본질적인 장점들의 모두를 희생하지 않고서 다양한 변화들이 형태, 구성, 및 소자들의 배열에서 이루어질 수 있는 것은 분명할 것이다. 설명된 형태는 단지 설명적이고, 이러한 변화들을 포괄하고 포함하는 것이 다음의 청구범위의 의도이다.

Claims (36)

  1. 시스템에 있어서,
    검사 서브 시스템(inspection sub-system)으로서,
    하나 이상의 전자 빔을 생성하도록 구성된 전자 빔 소스,
    샘플을 고정하도록 구성된 샘플 스테이지;
    상기 하나 이상의 전자 빔을 상기 샘플에 지향시키도록 구성된 한 세트의 전자 광학 소자(electron-optic element)들; 및
    적어도 전자 수집기와, 상기 샘플의 표면으로부터 전자들을 검출하도록 구성된 검출기를 포함하는 검출기 어셈블리를 포함하는, 상기 검사 서브 시스템; 및
    상기 검사 서브 시스템의 하나 이상의 부분에 통신 가능하게(communicatively) 결합되는 제어기
    를 포함하고,
    상기 제어기는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하며, 상기 프로그램 명령어들은, 상기 하나 이상의 프로세서가 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된(assessed) 특성에 응답하여, 상기 검사 서브 시스템의 하나 이상의 파라미터를 조정하게 하도록 구성되고,
    상기 하나 이상의 파라미터는 하나 이상의 스테이지 파라미터, 하나 이상의 전자 광학 파라미터, 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터, 추출 전압, 2차 전자(secondary electron)들에 대한 추출 필드 강도(extraction field strength), 전자 랜딩 에너지(electron landing energy), 및 하나 이상의 디지털화 파라미터(digitization parameter) 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 하나 이상의 파라미터는 빔 스캔 범위, 스테이지 속도, 및 화소 데이터 레이트인 3개의 파라미터들이고, 상기 화소 데이터 레이트 및 상기 스테이지 속도를 유지하고 상기 빔 스캔 범위의 파라미터를 조정하여 상기 빔 스캔 범위를 증가시킴으로써 하나 이상의 화소가 전자 빔 스캔 방향을 따라 연장되거나, 또는 화소 데이터 레이트 및 빔 스캔 범위를 유지하고 상기 스테이지 속도의 파라미터를 조정하여 상기 스테이지 속도를 증가시킴으로써 하나 이상의 화소가 상기 전자 빔 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 연장되는 것인, 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 검사 서브 시스템은, 하나 이상의 웨이퍼의 표면을 검사하도록 구성되는 것인, 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전자 빔 소스는 하나 이상의 전자 건(electron gun)을 포함하는 것인, 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 샘플 스테이지는,
    선형 샘플 스테이지 및 회전형 샘플 스테이지 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성은,
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분 내의 하나 이상의 패턴의 복잡도 메트릭(complexity metric)을 포함하는 것인, 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성은,
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분 내의 하나 이상의 패턴의 구조적 특성을 포함하는 것인, 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성은,
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분 내의 결함 밀도를 포함하는 것인, 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성은,
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분 내의 결함 사이즈를 포함하는 것인, 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성은,
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분 내의 결함 유형을 포함하는 것인, 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 검사 레시피 셋업 동안 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하도록 구성되는 것인, 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 검사 전에 실행되는 셋업 검사 동안 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하도록 구성되는 것인, 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 검사 런타임 동안 상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 특성을 평가하도록 구성되는 것인, 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 전자 소스에 통신 가능하게 결합되고, 하나 이상의 전자 소스 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 샘플 스테이지에 통신 가능하게 결합되고, 상기 샘플 스테이지에 배치된 상기 샘플의 하나 이상의 스테이지 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 한 세트의 전자 광학 소자들 중 하나 이상의 전자 광학 소자에 통신 가능하게 결합되고, 하나 이상의 전자 광학 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 한 세트의 전자 광학 소자들은, 상기 하나 이상의 전자 빔을 상기 샘플의 표면에 포커싱(focusing)하기 위한 하나 이상의 전자 광학 렌즈를 포함하는 것인, 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 한 세트의 전자 광학 소자들의 하나 이상의 전자 광학 렌즈에 통신 가능하게 결합되고, 하나 이상의 전자 광학 포커스 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 한 세트의 전자 광학 소자들은, 상기 샘플의 표면에 걸쳐 상기 하나 이상의 전자 빔을 스캐닝하도록 구성된 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 소자를 포함하는 것인, 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 소자에 통신 가능하게 결합되고, 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터를 전자 빔 스캐닝 코일들로 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 검출기 어셈블리의 일부분에 통신 가능하게 결합되는 것인, 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 검출기 어셈블리의 전자 수집기에 통신 가능하게 결합되고, 하나 이상의 이미지 형성 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  22. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 상기 검출기 어셈블리에 통신 가능하게 결합되고, 상기 검출기 어셈블리의 적어도 하나의 디지털화 파라미터를 제어하도록 구성되는 것인, 시스템.
  23. 제 1 항에 있어서, 상기 검출기 어셈블리는 섬광 소자(scintillating element) 및 광전증배관(photomultiplier tube)을 더 포함하는 것인, 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 검출기 어셈블리는 광 검출기를 더 포함하는 것인, 시스템.
  25. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는, 선택된 방향을 따라 하나 이상의 화소를 연장시키도록(elongate) 구성되는 것인, 시스템.
  26. 방법에 있어서,
    하나 이상의 전자 빔을 샘플의 표면에 지향시키는 단계;
    검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분들의 하나 이상의 특성들을 평가하는 단계; 및
    상기 검사를 위한 영역의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 평가된 특성에 기초하여, 상기 샘플의 표면 상에 지향된 상기 하나 이상의 전자 빔과 연관된 하나 이상의 파라미터의 인라인 조정(inline adjustment)을 수행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 하나 이상의 파라미터는 하나 이상의 스테이지 파라미터, 하나 이상의 전자 광학 파라미터, 하나 이상의 전자 빔 스캐닝 파라미터, 추출 전압, 2차 전자(secondary electron)들에 대한 추출 필드 강도(extraction field strength), 전자 랜딩 에너지(electron landing energy), 및 하나 이상의 디지털화 파라미터(digitization parameter) 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 하나 이상의 파라미터는 빔 스캔 범위, 스테이지 속도, 및 화소 데이터 레이트인 3개의 파라미터들이고, 상기 화소 데이터 레이트 및 상기 스테이지 속도를 유지하고 상기 빔 스캔 범위의 파라미터를 조정하여 상기 빔 스캔 범위를 증가시킴으로써 하나 이상의 화소가 전자 빔 스캔 방향을 따라 연장되거나, 또는 화소 데이터 레이트 및 빔 스캔 범위를 유지하고 상기 스테이지 속도의 파라미터를 조정하여 상기 스테이지 속도를 증가시킴으로써 하나 이상의 화소가 상기 전자 빔 스캔 방향에 수직인 방향을 따라 연장되는 것인, 방법.
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