KR102044402B1 - 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크, 및 위상 시프트 마스크의 제조 장치 - Google Patents

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101846065B1 (ko) * 2015-03-27 2018-04-05 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 이것을 사용한 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
US10233528B2 (en) * 2015-06-08 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Mask for deposition system and method for using the mask
JP6352224B2 (ja) * 2015-07-17 2018-07-04 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP6998181B2 (ja) * 2017-11-14 2022-02-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2865685B2 (ja) * 1988-03-16 1999-03-08 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3256345B2 (ja) * 1993-07-26 2002-02-12 アルバック成膜株式会社 フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
KR100329946B1 (ko) * 1993-04-09 2002-03-22 기타지마 요시토시 하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트포토마스크용 블랭크스 및 이들의 제조방법
JP2007233179A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスク

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2967150B2 (ja) * 1990-10-31 1999-10-25 ホーヤ株式会社 位相シフトマスク及びその製造方法並びに露光装置
JPH04254855A (ja) * 1991-02-07 1992-09-10 Hitachi Ltd ホトマスクおよびその製造方法
JPH05134389A (ja) * 1991-11-14 1993-05-28 Mitsubishi Electric Corp 露光用マスク
JPH08171197A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd エキシマレーザー加工用マスクとその製造方法
KR0166497B1 (ko) * 1995-03-24 1999-01-15 김주용 위상반전 마스크 및 그 제조방법
TW324071B (en) * 1996-11-11 1998-01-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Manufacturing method of phase shifting mask wiht multi-layer film structure (patent specification amendment of patent number 85113798)
JPH11184063A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクの製造方法並びにサイドエッチング量の制御方法
JP2000181048A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Sharp Corp フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法
JP2002244274A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
CN1742232A (zh) * 2002-11-25 2006-03-01 凸版光掩膜公司 光掩模以及在其上制造保护层的方法
JP2004333652A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク
US20040241556A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Bellman Robert A. Mask, mask blank, photosensitive film therefor and fabrication thereof
TWI269934B (en) * 2003-11-17 2007-01-01 Macronix Int Co Ltd Mask for improving lithography performance by using multi-transmittance photomask
US8173355B2 (en) * 2007-11-20 2012-05-08 Eastman Kodak Company Gradient colored mask
KR100940270B1 (ko) * 2008-03-11 2010-02-05 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그라피용 마스크 및 그 형성 방법.
JP5588633B2 (ja) * 2009-06-30 2014-09-10 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク
JP5644293B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2865685B2 (ja) * 1988-03-16 1999-03-08 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
KR100329946B1 (ko) * 1993-04-09 2002-03-22 기타지마 요시토시 하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트포토마스크용 블랭크스 및 이들의 제조방법
JP3256345B2 (ja) * 1993-07-26 2002-02-12 アルバック成膜株式会社 フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
JP2007233179A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスク

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