CN1742232A - 光掩模以及在其上制造保护层的方法 - Google Patents

Abstract

公开了光掩模和用于在光掩模上制造保护层的方法。该方法包括将包含在衬底的至少一部分上形成的图形化层的光掩模置于一个腔内。将氧气引入该腔并使其靠近该图形化层，并将该光掩模暴露于辐射能量，该辐射能量可引起氧气和图形化层之间的反应以钝化该图形化层并防止清洗过程改变该图形化层的光学特性。

Description

光掩模以及在其上制造保护层的方法

相关申请

本申请主张2002年11月25日Laurent Dieu等提出的名称为“Photomask and Method for Creating a Protective Layer on theSame”的美国临时申请序列号No.60/428,999以及2003年3月25日Laurent Dieu等人提出的标题为“Photomask and Method for Creatinga Protective Layer on the same”的美国临时申请序列号No.60/457,400的利益。

技术领域

本发明通常涉及光刻，更为特别地涉及光掩模以及在其上制造保护层的方法。

背景技术

随着半导体制造商不断地制作更小的器件，对制作这些器件中所使用的光掩模的要求不断变得苛刻。光掩模也称为光刻板或掩模，其通常包括衬底，在该衬底的表面上形成非透射或者部分透射的层。该非透射或部分透射的层通常包括代表在光刻系统中可被传递到半导体晶片上的图像的图形。随着半导体器件的特征尺寸的减小，光掩模上的相应图像也变得更小和更复杂。因此，光掩模的质量成为建立坚固可靠的半导体制作工艺中最为关键的要素之一。

定义质量的光掩模特征包括相关衬底的平整度、相关非透射或部分透射层所形成的特征的均匀尺寸、以及衬底和非透射或者部分透射层的透射性能。在光掩模制作中，各种工艺会改变这些特性，这会降低光掩模的质量。例如在制作过程中，光掩模通常至少被清洗一次以清除被暴露表面上可能存在的任何污染物。每个清洗过程可能改变衬底、部分透射层与/或非透射层的透射性能。如果透射性能被改变，光掩模上形成的图形可能无法精确地从光掩模传递到半导体晶片，从而导致在晶片上形成的微电子器件有缺陷或误差。

减少清洗古城对光掩模的透射性能的潜在的有害影响的一个技术为改变该清洗过程。例如，传统的清洗过程可能涉及将光掩模浸于碱性溶液中，例如氨水/过氧化氢。然而，由于这种清洗溶液会与部分透射材料反应，引起物理变化，故这种溶液会导致用于形成部分透射层的特定材料(例如嵌入式相移光掩模上使用的MoSiON)的透射与/或相位角显著变化。该物理变化可包括增加部分透射材料的表面粗糙度与/或降低该材料的厚度。因此，包含部分透射层的光掩模通常用纯水清洗以避免可能由碱性溶液导致的透射性能的改变。然而，使用纯水清洗通常并不清除光掩模表面上的所有污染物，这会降低投影到半导体晶片上的图像的质量。

发明内容

根据本发明的示范，已经相当大程度地减少或消除了和清洗光掩模相关的缺点和问题。在一个特别实施例中，在光掩模上制造保护层的方法包含将光掩模暴露于辐射能量，该辐射能量使得氧气和图形化层之间发生反应，目的是钝化图形化层并防止清洗过程改变图形化层的光学特性。

根据本发明的另一个实施例，在光掩模上制造保护层的方法包括将包含在衬底的至少一部分上形成的图形化层的光掩模置于一个腔内。将氧气引入该腔内并贴近该光掩模。光掩模暴露于辐射能量，该辐射能量引起氧气与图形化层反应，从而钝化图形化层的暴露表面。光掩模暴露于使得氧气和图形化层反应的辐射能量，目的是钝化该图形化层并防止清洗过程改变图形化层的光学特性。

根据本发明的另一个实施例，光掩模包含在衬底的至少一部分上形成的图形化层。通过将图形化层暴露于辐射能量和氧气，在图形化层上形成保护层。该保护层防止清洗过程改变图形化层的光学特性。

根据本发明的又一个实施例，光掩模包含在衬底的至少一部分上形成的部分透射层。通过钝化该部分透射层的暴露表面而在该图形化层的至少一部分上形成保护层。该保护层防止清洗过程改变该部分透射层的光学特性。在该保护层的至少一部分上形成抗蚀剂层。

本发明的特定实施例的重要技术优点包括在光掩模上的部分透射层的暴露表面上形成保护层的钝化过程。在对光掩模进行清洗之前，部分透射层可暴露于氧气和辐射能量，使得氧气和部分透射层反应。该反应优选钝化部分透射层的暴露表面，并使该部分透射层对侵蚀性清洗可能引起的改变具有更强的抵抗力。

本发明的特定实施例的另一个重要技术优点包含钝化过程，该过程使得侵蚀性清洗过程对光掩模的部分透射层的影响最小化。在该钝化过程之后，在部分透射层上形成保护层。该保护层防止侵蚀性清洗技术显著改变部分透射层的表面粗糙度或者厚度。此外，该部分透射层的光学特性基本未被改变，因为该清洗过程只将很少量的材料从部分透射层清除。

本发明的各种实施例中可能体现这些技术优点的全部或部分，或者根本不体现这些优点。通过下述附图、描述、和权利要求，其它技术优点对于本领域技术人员是显而易见的。

附图说明

通过参考结合附图进行的下述描述，可以更加全面和彻底地了解本实施例及其优点，其中相同的参考数字表示相同的特征，附图中：

图1示出了包含根据本发明示范的保护层的光掩模组件的截面视图；

图2示出了包含根据本发明示范的保护层的光掩模坯体的截面视图；

图3A和图3B分别示出了根据本发明示范的光掩模经历多次清洗过程之后，光掩模上的吸收层的透射率和相位的曲线图；

图4A和图4B分别示出了根据本发明示范的光掩模经历多次清洗过程之后，光掩模上的SiN-TiN层的透射率和相位的曲线图；

图5A和图5B分别示出了根据本发明示范的光掩模经历多次清洗过程之后，光掩模上的MoSiON层的透射率和相位的曲线图；以及

图6示出了用于在根据本发明示范的光掩模上制作保护层的方法的流程图。

具体实施方式

参考图1至图6，可以最佳地了解本发明的优选实施例及其优点，其中相同的数字用于表示相同或相应的部分。

图1示出了可以通过从检查系统向数据库自动传送缺陷图像而被检查的光掩模组件10的截面视图。光掩模组件10包含被耦合到薄膜组件14的光掩模12。衬底16和图形化层18共同形成光掩模12的部分。光掩模12也可以被描述为掩模或者光刻板，其可具有各种尺寸和形状，包括但不限于大致圆形、圆形、矩形、或方形。光掩模12也可以为任何类型的光掩模类型，包括但不限于一次性底版、5英寸光刻板、6英寸光刻板、9英寸光刻板、或者可用于将电路图形的图像投影到半导体晶片上的任何其它尺寸适当的光刻板。光掩模12还可以是二进制掩模、相移掩模(PSM)、光学邻近校正(OPC)掩模、或者适用于光刻系统的任何其它类型的掩模。

光掩模12包含形成在衬底16上的图形化层18，当暴露在光刻系统中的电磁能量下时，该图形化层18将图形投影到半导体晶片的表面上(未明显示出)。衬底16可以为透明材料，例如石英、人造石英、熔融硅石、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、或者对波长为约10纳米(nm)到约450nm之间的入射光能透射至少百分之七十五(75％)的任何其它适合的材料。在可供选择的实施例中，衬底16为反射材料，例如硅或者对波长为约10nm到约450nm之间的入射光能反射大于约百分五十(50％)的任何其它适合的材料。

图形化层18可以为例如铬的金属材料、氮化铬、金属的氧化-碳化-氮化物(例如MOCN，其中M从包含铬、钴、铁、锌、钼、铌、钽、钛、钨、铝、镁、和硅的组中选择)、或者吸收波长位于紫外(UV)范围、深紫外(DUV)范围、真空紫外(VUV)范围和极紫外范围(EUV)的电磁能量的任何其它适合的材料。在一个可供选择的实施例中，图形化层18可以是部分透射的材料，例如硅化钼(MoSi)，该材料在UV、DUV、VUV和EUV范围内的透射率为约百分之一(1％)到约百分之三十(30％)。

框架20和薄膜22可形成薄膜组件14。框架20通常由阳极氧化铝制成，尽管其可以选择由不锈钢、塑料、或者在光刻系统中暴露于电磁能量时不退化或排气的其它适合的材料。薄膜22可以是由如下材料形成的薄膜隔膜(membrane)：硝化纤维、乙酸纤维素酯、非晶含氟聚合物(例如由E.I.du Pont de Nemours and Company生产的TEFLON^或者是由Asahi Glass生产的CYTOP^)、或者对于UV、DUV、EUV、与/或VUV范围内的波长为透明的其它适合的薄膜。可以通过诸如旋转浇铸的传统技术制备薄膜22。

通过确保污染物与光掩模12保持规定的距离，薄膜22保护光掩模12免受诸如灰尘颗粒的污染物沾染。这在光刻系统中是特别重要的。在光刻工艺中，光掩模组件10暴露于光刻系统内辐射能量源所产生的电磁能量。该电磁能量可包含各种波长的光，例如波长大约在水银弧灯的I线和G线之间的光，或者DUV、VUV、或EUV光线。薄膜22优选地被设计成允许大部分电磁能量穿过。薄膜22上收集到的污染物将可能不被聚焦到正被处理的晶片表面，因此晶片上的曝光图像通常没有与薄膜22相关的任何缺陷。薄膜22和光掩模12可以令人满意地用于所有类型的电磁能量，其并不限于本申请中所描述的光波。

可以使用标准的光刻工艺由光掩模坯体制作光掩模12。在光刻工艺中，可由掩模布局文件产生包括用于图形化层18的数据的掩模图形文件。该掩模布局文件可包含代表集成电路的晶体管和电学连接的多边形。当在半导体晶片上制作集成电路时，掩模布局文件中的多边形可进一步代表集成电路的不同层。例如，晶体管可以形成在具有扩散层和多晶硅层的半导体晶片上。该掩模布局文件可包含绘制在扩散层上的一个或多个多边形以及绘制在多晶硅层上的一个或多个多边形。每个层的多边形可被转换成代表集成电路的一个层的掩模图形文件。每个掩模图形文件可用于产生该特定层的光掩模。

可使用激光、电子束、或X射线光刻系统将所要求的图形成像到光掩模坯体的抗蚀剂层内。在一个实施例中，激光光刻系统使用发射光线的波长约为364纳米(nm)的氩离子激光器。在可供选择的实施例中，激光光刻系统可使用发射光线的波长约为150nm到约300nm的激光。通过下述步骤可制作光掩模12：显影和刻蚀抗蚀剂层的被曝光区域以产生图形、刻蚀图形化层18未被抗蚀剂覆盖的部分、并除去任何未显影的抗蚀剂以在衬底16上产生图形化层18。

光掩模12可以是相移掩模(PSM)，包含但不限于交变PSM、衰减PSM、以及多频声(multitone)PSM。在一个实施例中，可由嵌入式衰减相移掩模(EAPSM)坯体(未明确示出)制成光掩模12。对于某些应用，该光掩模坯体通常被描述成具有部分透射层以及在该部分透射层的至少一部分上形成的非透射层的EAPSM坯体。EAPSM通常允许在半导体晶片上制作更小的特征，因为光掩模上图形的特定部分被相移以提供更清晰的特征边缘。

光掩模12的图形化层18可由均匀的、渐变的、或者多层材料制成，只要光掩模12满足提供期望的透射和相移特性的半透明媒质的光学特性。在一个实施例中，图形化层18由具有结构式为M_x[Si]_(1-x)O_yN_(1-y)的材料制成，其中M为从IV、V和VI族中选择的金属，x从0变化到1，y从0变化到1-x。在另一个实施例中，图形化层18可由诸如SiN-TiN的多层材料制成。在其它实施例中，图形化层18由可部分透射UV、DUV、EUV或者VUV范围内波长的任何适当材料制成。当用于光刻系统中时，产生的结构能够在小于约400纳米的选定曝光波长下产生大约180度的相移。

通过钝化图形化层18以形成保护层24，诸如侵蚀性清洗的传统清洗工艺可用于将污染物从包含部分透射材料的光掩模12除去。在一个实施例中，通过在富氧环境中将图形化层18暴露于辐射能量，可钝化图形化层18。该辐射能量用于使氧气和图形化层18的暴露表面之间发生反应。在一个实施例中，该辐射能量的波长可小于约300纳米。在光掩模制作过程中，在图形化层18的至少一部分被暴露的任何时刻都可进行钝化过程。该钝化过程可进一步用于包含多层部分透射材料或者不使用保护涂层时会受侵蚀性清洗损伤的任何其它材料的光掩模。在UV-氧气处理之后，图形化层18可包含保护层24，使得清洗过程并不影响图形化层18的表面特性、厚度、与/或光学特性。

图2示出了包含形成在部分透射层上的保护层的光掩模坯体30的截面视图。光掩模坯体30可包含衬底16、部分透射层32、保护层34和抗蚀剂层36。在一个实施例中，部分透射层32可由M_x[Si]_(1-x)O_yN_(1-y)的均匀或渐变层制成，其中M为从IV、V和VI族中选择的金属，x从0变化到1，y从0变化到1-x。在另一个实施例中，部分透射层32可由诸如SiN-TiN的多层材料制成。在光掩模制作过程中，可在部分透射层32中形成图形以创建图形化层(例如，如图1中所示的图形化层18)。抗蚀剂层36可为任何正的或者负的抗蚀剂。尽管未明确示出，光掩模坯体30还可包括位于保护层34和抗蚀剂层36之间的非透射层(例如铬)。

可通过钝化部分透射层32的暴露表面形成保护层34，使得清洗过程中使用的清洗溶液不和部分透射层32发生反应且不改变与部分透射层32相关的光学特性。在一个实施例中，可在沉积部分透射层32时，通过在沉积过程接近结束时(例如在沉积过程的最后5到10秒期间)大幅增大沉积腔内氧气或者臭氧的浓度，形成保护层34。当氧气和正在沉积的部分透射材料发生反应时可形成保护层34。

在另一个实施例中，可以在部分透射层32已经沉积之后的退火步骤中形成保护层34。在该退火期间，可将氧气或者臭氧引入到部分透射层32的表面附近。来自退火的热能可引起部分透射层32的暴露表面与氧气或者臭氧发生反应以形成保护层34。

在又一个实施例中，可以通过在部分透射层32的表面附近引入氧气或臭氧并将部分透射层32暴露于辐射能量而形成保护层34。该辐射能量可引起氧气和部分透射层32之间发生反应。该反应可钝化部分透射层32的暴露表面以形成保护层34。在一个实施例中，氧气或者臭氧可与部分透射层反应，从而由二氧化硅(SiO₂)形成保护层34。保护层32的确切厚度取决于所要求的光学特性与/或钝化过程的持续时间。

图3A和图3B分别示出了当光掩模12上的图形化层18暴露于辐射能量和氧气时，图形化层18的相位角和透射率的变化的曲线图。如图2A所示，图形化层18具有一初始相位角。在一个实施例中，该初始相位角由图形化层18的厚度和光刻系统的曝光波长之间关系确定。当光掩模12在富氧环境中暴露于辐射能量时，辐射能量会引起氧气和图形化层18之间发生反应。该反应可通过在图形化层18的表面上形成保护层24钝化图形化层18。保护层24起着保护图形化层18的作用，使得图形化层18对于诸如包含硫酸与/或过氧化物的清洗溶液的侵蚀性清洗具有更强的抵抗力。在一个实施例中，该相位角可减小大约1度。对于任何随后的UV-氧气处理，该相位角基本上保持不变。

如图3B所示，图形化层18可透射初始百分比的辐射能量。在一个实施例中，该初始透射百分比由图形化层18的厚度和光刻系统的曝光波长之间关系确定。当光掩模12最初受到UV-氧气处理时，图形化层18所透射的辐射能量的初始百分比会增大。在一个实施例中，该初始百分比可增加大约百分之0.06。同样，对于随后的UV-氧气处理过程，该透射率可基本上保持不变。

如图3A和3B所示，该钝化过程可改变图形化层18的光学特性。为了获得期望的最终相位和透射值，可调整图形化层18的化学性质与/或厚度，以补偿由于暴露于辐射能量和氧气而发生的变化。例如，可由如下公式定义部分透射层的相位角：

$\mathrm{\φ}=\frac{2\mathrm{\π}}{\mathrm{\λ}}(n-1)d$

其中λ为光刻系统的曝光波长，n为部分透射层的折射率，d为部分透射材料的厚度。因此，为了补偿由于UV-氧气处理引起的相位角减小，由部分透射材料制成的图形化层18可具有稍微更大的折射率并且/或者图形化层18可以稍微更厚。

图4A和图4B分别示出了由SiN-TiN制成的图形化层未处理时以及UV处理之后的相位角和透射的变化的曲线图。在所示实施例中，在约248nm的波长下测量相位角和透射，且相位角被转换成约193nm的波长下的对应值。

如图4A所示，图形化层18可由SiN-TiN制成，且其初始相位角大约为179度。如果图形化层18未经处理(例如，在第一次清洗过程之前未进行UV-氧气处理)，每个清洗过程会改变图形化层18的相位角。在所示的实施例中，每个清洗过程使未处理的图形化层的相位角减小大约1度。如果在初始清洗过程之前进行UV-氧气处理，则UV-氧气处理会略微减小图形化层18的相位角。然而，在UV-氧气处理时在图形化层18上形成的保护层24可防止初始清洗过程改变相位角。

在所示的实施例中，可在第一清洗过程之前进行UV-氧气处理。该UV-氧气处理使相位角减小大约1度(1°)。如图进一步所示，如果进行第二UV-氧气处理，相位角会略微降低但保护层24可防止该清洗过程引起相位角的任何改变。任何进一步的UV-氧气处理不再有效果，使得图形化层18的相位角在随后的清洗过程中基本上保持不变。在一个实施例中，可使用约为172nm的波长进行该UV-氧气处理，处理时间约为20分钟。在其它实施例中，可以依据辐射能量以及图形化层18表面附近的氧气浓度的影响而改变UV-氧气处理的时间量。

如图4B所示，未处理的图形化层的初始透射率约为26％，且包含保护层24的图形化层18的初始透射率约为28％。如果图形化层18保持未被处理，则每次清洗过程会改变该透射率，使得该透射率在每次清洗之后减小。然而，当在初始清洗过程之前对图形化层18进行UV-氧气处理时，该UV-氧气处理可能略微增大图形化层18的透射率。然而，通过UV-氧气处理在图形化层18上形成的保护层24可防止初始清洗过程引起透射率的任何变化。

在所示的实施例中，第一UV-氧气处理可使得图形化层18透射率增加小于约0.2％。如图进一步所示，如果进行第二UV-氧气处理，该透射率可略微增大，但保护层24同样可防止清洗过程改变该透射率。对图形化层18进行的任何进一步的UV-氧气处理不会改变该透射率。另外，保护层24防止随后的清洗过程改变图形化层18的特性，且图形化层18的透射率可保持基本上不变。

图5A和5B分别示出了由MoSiON制成的未处理的图形化层和经UV处理的图形化层的相位角和透射的变化的曲线图。在所示实施例中，相位和透射是在约248nm的波长下测量的，且被转换成约193nm的波长下的对应值。

如图5A所示，未钝化的图形化层的初始透射率约为6.8％，包含钝化层24的已钝化的图形化层18的初始透射率约为百分之七(7％)。如果图形化层18未经处理(例如，在第一清洗过程之前未进行UV-氧气处理)，每个清洗过程会改变图形化层18的透射率。如果在初始清洗过程之前进行UV-氧气处理，该UV-氧气处理会略微增加图形化层18的透射率。然而，UV-氧气处理期间在图形化层18上形成的保护层24可防止该初始清洗过程改变透射率。

在所示实施例中，可在第一和第二清洗过程之前进行UV-氧气处理。两次UV-氧气处理使透射率增大约0.6％。如图进一步所示，如果进行进一步的UV-氧气处理，图形化层的透射率可基本上保持不变，且保护层24可防止清洗过程引起图形化层18的透射率的任何改变。在一个实施例中，可使用约为172nm的波长进行UV-氧气处理约三十分钟。在其它实施例中，可以依据辐射能量与/或图形化层18表面附近的氧气浓度的影响改变UV-氧气处理的总时间。

如图5B所示，由MoSiON制成的图形化层18的初始相位角约为182度。如果图形化层18保持未被处理，则每次清洗过程会改变该相位角，使得该相位角在每次清洗之后减小。然而，当在初始清洗过程之前对图形化层18进行UV-氧气处理时，该UV-氧气处理可略微增大图形化层18的相位角。然而，通过UV-氧气处理在图形化层18上形成的保护层24可防止初始清洗过程引起相位角的任何变化。

在所示的实施例中，第一UV-氧气处理可使得图形化层18相位角减小约1度(1°)。如图进一步所示，如果进行第二UV-氧气处理，该相位角会略微减小，但保护层24同样可防止清洗工艺改变该相位角。对图形化层18进行的任何更多的UV-氧气处理不会改变该相位角。另外，保护层24防止清洗过程改变图形化层18的特性，且图形化层18的相位角可保持基本上不变。

图6示出了在用于制作EAPSM的光掩模坯体上制造保护涂层的方法的流程图。通常，可在衬底上沉积部分透射层。该部分透射材料可在存在氧气时暴露于辐射能量以钝化该部分透射层，并使该部分透射层对侵蚀性清洗过程具有更强的抵抗性。

在步骤40，可在衬底(例如如图1和2所示的衬底16)上沉积部分透射层。在一个实施例中，该部分透射层可由M_x[Si]_(1-x)O_yN_(1-y)的均匀或渐变层制成，其中M为从IV、V和VI族中选择的金属，x在0到1之间变化，y在0到1-x之间变化。在另一个实施例中，该部分透射层可由SiN-TiN的多层材料制成。可基于暴露于辐射能量和氧气对材料光学特性(例如相位角和透射)的影响，确定该部分透射层的厚度和确切的化学性质。

一旦已经在衬底上沉积该部分透射层并且在对光掩模进行清洗过程之前，该衬底可在步骤42被置于一个腔内。在步骤44可将氧气或者臭氧引入到该部分透射层的表面附近，且波长小于约300纳米的辐射能量被导向该部分透射层的表面，以便钝化该部分透射层的表面。在操作中，步骤42和44可选择发生在步骤48之后。

该辐射能量可引起氧气和该部分透射层之间的反应，这会钝化该部分透射层并形成保护层。在一个实施例中，可由二氧化硅(SiO₂)形成该保护层。该钝化过程使得部分透射层对清洗过程具有抵抗性，使得清洗过程基本上不改变部分透射层的物理和光学特性。在一个实施例中，可在每个清洗过程之前对衬底进行钝化。在另一个实施例中，可在初始清洗过程之前进行钝化。

可依据UV辐射与/或氧气浓度的影响改变对部分透射层进行UV-氧气处理的时间量。在处理过程中可改变腔内的氧气浓度以在部分透射层上提供预期的流量。在一个实施例中，氧气含量可低于或者高于空气中约为百分之二十的氧气浓度。在另一个实施例中，可以调整导向该部分透射层的辐射能量的量和该部分透射辐射表面附近的氧气浓度，从而在约2秒到约30分钟的时间段内产生适当的保护层。

在步骤46，可在该部分透射层上沉积例如铬的非透射层。在步骤48，可通过将图形成像到该部分透射和非透射层而随后形成EAPSM。形成这些图形之后，可在步骤50清洗光掩模。该清洗过程可从衬底、部分透射层、和非透射层的暴露表面清除污染物。在清洗过程中，该部分透射层的相位角会略微减小，且该部分透射层的透射率会略微增大。在一个实施例中，在初始清洗过程中，相位减小约1度，透射率增大约0.06％，且在随后的清洗过程中保持稳定。

在步骤52，该EAPSM可用于将图像投影到半导体晶片上。在半导体制作工艺中使用许多次后，污染物会积聚在光掩模的表面上。为了保持该光掩模的质量，可使用清洗过程清除这些污染物。通过钝化部分透射层以形成保护层，部分透射层的光学特性在第一清洗过程之后保持不变。因此，可对光掩模进行适当清洗而不影响投影图像的质量。

尽管已经结合特定的优选实施例描述了本发明，但是本领域技术人员会想到各种变化和修改，本发明包含落在所附权利要求的范围内的这些变化和修改。

Claims (28)

1、用于在光掩模上制造保护层的方法，包含：

将包含在衬底的至少一部分上形成的图形化层的光掩模置于一个腔内；

将氧气引入该腔并使其靠近该图形化层；

将该光掩模暴露于辐射能量，该辐射能量可引起氧气和图形化层之间的反应，以钝化该图形化层并防止清洗过程改变该图形化层的光学特性。

2、权利要求1的方法，其中该图形化层包含M_xSi_(1-x)O_yN_(1-y)，其中M从包括IV族、V族、和VI族金属的组中进行选择。

3、权利要求1的方法，进一步包括：包含小于约300纳米的波长的辐射能量。

4、权利要求1的方法，进一步包括：辐射能量和在图形化层上形成保护层的氧气之间的反应。

5、权利要求1的方法，进一步包括：包含侵蚀性清洗的清洗过程。

6、权利要求1的方法，其中该光掩模包含嵌入式衰减相移光掩模。

7、权利要求1的方法，进一步包括：包含相位角和透射率的该图形化层的光学特性。

8、权利要求7的方法，其中该光掩模暴露于辐射能量和氧气之后，相位角减小不到约1度。

9、权利要求7的方法，其中该光掩模暴露于辐射能量和氧气之后，透射率增加不到约0.06％。

10、权利要求1的方法，进一步包含将该光掩模暴露于辐射能量约两秒到约三十分钟的时间段。

11、光掩模，包含：

衬底；

在该衬底的至少一部分上形成的图形化层；以及

通过将图形化层暴露于辐射能量和氧气而在该图形化层上形成的保护层，该保护层可防止清洗过程改变该图形化层的光学特性。

12、权利要求11的光掩模，其中该图形化层包含M_xSi_(1-x)O_yN_(1-y)，其中M从包括IV族、V族、和VI族金属的组中进行选择。

13、权利要求11的光掩模，其中该图形化层包含至少一层SiN和至少一层TiN。

14、权利要求11的光掩模，进一步包括：包含小于约300纳米的波长的辐射能量。

15、权利要求11的光掩模，进一步包括：包含相位角和透射率的该图形化层的光学特性。

16、权利要求15的光掩模，其中该光掩模暴露于辐射能量和氧气之后，相位角减小不到约1度。

17、权利要求15的光掩模，其中该光掩模暴露于辐射能量和氧气之后，透射率增加不到约0.06％。

18、权利要求11的光掩模，进一步包括：其厚度可调以在曝光波长下具有大于期望透射率的透射率且小于期望相位角的相位角的图形化层。

19、权利要求11的光掩模，其中该保护层包含SiO₂。

20、光掩模坯体，包含：

衬底；

在该衬底的至少一部分上形成的部分透射层；

在该衬底的至少一部分上形成的保护层，通过钝化该部分透射层的暴露表面形成该保护层；

该保护层可防止清洗过程改变该部分透射层的光学特性；以及

在该保护层的至少一部分上形成的抗蚀剂层。

21、权利要求20的光掩模坯体，进一步包含通过在沉积该部分透射层时增大氧气浓度而形成的保护层。

22、权利要求20的光掩模坯体，进一步包含通过在该部分透射层的退火期间引入氧气而形成的保护层。

23、权利要求20的光掩模坯体，进一步包含通过存在辐射能量时氧气和该部分透射层之间反应而形成的保护层。

24、权利要求20的光掩模坯体，进一步包括：包含小于约300纳米的波长的辐射能量。

25、权利要求20的光掩模坯体，进一步包括：包含相位角和透射率的该部分透射层的光学特性。

26、权利要求25的光掩模坯体，其中形成该保护层之后，相位角减小不到约1度。

27、权利要求25的光掩模坯体，其中形成该保护层之后，透射率增加不到约0.06％。

28、权利要求20的光掩模坯体，进一步包括：其厚度可调以在曝光波长下具有大于期望透射率的透射率且小于期望相位角的相位角的部分透射层。

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