KR101994516B1 - 정전 척 - Google Patents

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Abstract

(과제) 공동에 가까운 세라믹스 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제한다.
(해결수단) 정전 척의 베이스판에는 제 1 방향에서 보았을 때 냉매 유로와는 다른 위치에 공동이 형성되어 있고, 히터는 세라믹스판의 중심과 공동을 통과하는 가상 직선과 겹치는 부분인 중복히터부분을 복수 포함하며, 복수의 중복히터부분 중 제 1 방향에서 보았을 때, 공동에 가장 가까운 제 1 중복히터부분을 포함하는 제 1 히터층과; 제 1 히터층의 적어도 일부에 전기적으로 접속됨과 아울러 일방의 면으로부터의 거리가 제 1 히터층과는 다른 제 2 히터층으로서, 복수의 중복히터부분 중 제 1 방향에서 보았을 때, 가상 직선과 평행한 제 2 방향에 있어서 공동에 대해서 제 1 중복히터부분과 같은 측에 위치하고 또한 제 1 중복히터부분의 다음으로 공동에 가까운 제 2 중복히터부분을 포함하는 제 2 히터층;을 구비한다.

Description

정전 척{ELECTROSTATIC CHUCK}
본 명세서에 개시되는 기술은 정전 척에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 제조장치에 있어서, 웨이퍼를 정전 인력(引力)에 의해서 흡착하여 고정하는 정전 척이 이용된다. 정전 척의 종류의 하나로서 세라믹스에 의해서 형성된 판형상의 세라믹스판과, 세라믹스판의 제 1 방향에 있어서의 일방의 면 측에 배치되는 베이스판을 구비하는 정전 척이 알려져 있다. 세라믹스판의 제 1 방향에 있어서의 일방의 면과는 반대측의 면(이하 "흡착면"이라 한다)에 웨이퍼가 배치된다.
세라믹스판에는 저항 발열체로 구성된 히터가 설치되어 있으며, 히터에 의해서 세라믹스판이 따뜻하게 되고, 세라믹스판의 흡착면에 배치되어 있는 웨이퍼가 따뜻하게 된다. 또, 세라믹스판의 흡착면의 온도가 면(面)방향에 있어서 불균일하게 되는 것을 억제하기 위해서, 히터는 제 1 방향에서 보았을 때에 세라믹스판의 중심과 주연(周緣)의 사이에 서로 간격을 두고서 늘어선 복수의 히터 부분을 포함하고 있다.
베이스판의 내부에는 냉매 유로가 형성되어 있으며, 냉매 유로에 냉매가 흐름으로써 베이스판이 냉각되고, 베이스판에 전열(傳熱) 가능하게 배치된 세라믹스판이 냉각된다. 또, 베이스판에는 제 1 방향에서 보았을 때에 냉매 유로와는 다른 위치에 공동(空洞)이 형성되어 있다. 이 공동은 예를 들면 세라믹스판 상에 배치된 웨이퍼를 세라믹스판으로부터 이간시키기 위한 리프트 핀이 삽입되는 핀 관통구멍이나, 웨이퍼와 세라믹스판의 사이로 흐르게 하여 웨이퍼를 냉각하기 위한 불활성 가스(예를 들면 헬륨 가스)의 유로이다.
특허문헌 1 : 일본국 실용신안등록 제3182120호 공보
베이스판의 공동에는 냉매 유로가 형성되어 있지 않기 때문에, 세라믹스판의 공동에 가까운 부분에서는 냉매에 의한 냉각 효과가 낮다. 이 때문에, 세라믹스판에 있어서, 공동에 가까운 부분에 이것 이외의 부분과 마찬가지로 히터 부분을 배치하면, 공동에 가까운 부분이 고온으로 되어 세라믹스판의 흡착면의 온도가 면방향에 있어서 불균일하게 될 우려가 있다.
본 명세서에서는 상기한 과제를 해결하는 것이 가능한 기술을 개시한다.
본 명세서에 개시되는 기술은 이하의 형태로서 실현되는 것이 가능하다.
(1) 본 명세서에 개시되는 정전 척은, 저항 발열체로 구성된 히터가 설치되며, 세라믹스에 의해서 형성된 판형상의 세라믹스판과, 상기 세라믹스판의 제 1 방향에 있어서의 일방의 면 측에 배치되며, 내부에 냉매 유로가 형성된 베이스판을 구비하는 정전 척에 있어서, 상기 베이스판에는 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 냉매 유로와는 다른 위치에 공동이 형성되어 있고, 상기 히터는 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 세라믹스판의 중심과 상기 공동을 통과하는 가상 직선과 겹치는 부분인 중복히터부분을 복수 포함하며, 상기 복수의 중복히터부분 중, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 공동에 가장 가까운 제 1 중복히터부분을 포함하는 제 1 히터층과, 상기 제 1 히터층의 적어도 일부에 전기적으로 접속됨과 아울러 상기 일방의 면으로부터의 거리가 상기 제 1 히터층과는 다른 제 2 히터층으로서, 상기 복수의 중복히터부분 중, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 가상 직선과 평행한 제 2 방향에 있어서 상기 공동에 대해서 상기 제 1 중복히터부분과 같은 측에 위치하고 또한 상기 제 1 중복히터부분의 다음으로 상기 공동에 가까운 제 2 중복히터부분을 포함하는 제 2 히터층을 구비한다.
본 정전 척에 의하면, 히터는 세라믹스판의 중심과 공동을 통과하는 가상 직선과 겹치는 부분인 중복히터부분을 복수 포함하며, 또한 공동에 가장 가까운 제 1 중복히터부분을 포함하는 제 1 히터층과, 공동에 대해서 제 1 중복히터부분과 같은 측에 위치하고 또한 제 1 중복히터부분의 다음으로 공동에 가까운 제 2 중복히터부분을 포함하는 제 2 히터층을 구비한다. 그리고, 제 1 히터층과 제 2 히터층은 일방의 면으로부터의 거리가 서로 다르다. 이것에 의해서, 제 1 히터층과 제 2 히터층이 일방의 면으로부터 같은 거리의 위치에 형성된 경우에 비해서, 제 1 중복히터부분과 제 2 중복히터부분의 거리가 길어지기 때문에, 공동에 가까운 세라믹스 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일이 되는 것을 억제할 수 있다.
(2) 상기 정전 척에 있어서, 상기 제 1 히터층은 상기 제 2 히터층에 비해서 상기 세라믹스판의 상기 일방의 면과는 반대측의 타방의 면으로부터 떨어져 있는 구성으로 하여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 제 1 히터층이 제 2 히터층에 비해 세라믹스판의 일방의 면에 가까운 경우에 비해서, 세라믹스판에 있어서 공동에 가까운 부분이 고온으로 되는 것이 억제되기 때문에, 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
(3) 상기 정전 척에 있어서, 상기 제 2 히터층은, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 세라믹스판의 중심 주위의 방향을 따라서 원호형상으로 연장되어 있는 원호히터부분으로서, 상기 가상 직선에 직교하는 방향에 있어서, 상기 공동을 사이에 두고서 배치되어 있는 1쌍의 히터 단부를 가지는 원호히터부분을 더 포함하고, 상기 제 1 중복히터부분은, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 공동을 회피하면서 상기 1쌍의 히터 단부의 일방에서 타방으로 연장되어 있으며, 또한 상기 1쌍의 히터 단부에 전기적으로 접속되어 있는 구성으로 하여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 세라믹 절연체의 중심 주위의 방향에 있어서, 제 1 히터층과 인접하는 원호히터부분이, 제 2 중복히터부분과 같은 제 2 히터층에 포함되어 있는 구성으로 하여도 좋다. 이 때문에, 원호히터부분이 제 1 히터층에 형성되어 있는 경우에 비해서, 히터를 공동으로부터 떼어 놓으면서 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
(4) 상기 정전 척에 있어서, 상기 세라믹스판에는 상기 제 1 방향으로 관통하고 있는 제 1 핀 관통구멍이 형성되어 있고, 상기 공동은 상기 제 1 방향으로 상기 베이스판을 관통하고 있는 제 2 핀 관통구멍이고, 상기 제 1 핀 관통구멍과 제 2 핀 관통구멍은 상기 제 1 방향으로 연통하여 상기 세라믹스판에서 상기 베이스판에 걸쳐서 연장되는 핀 관통구멍이 되는 구성으로 하여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 세라믹스판에 있어서, 리프트 핀의 핀 관통구멍에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
(5) 상기 정전 척에 있어서, 상기 세라믹스판에는 상기 제 1 방향을 따라서 가스배출구멍이 형성되어 있고, 상기 공동은 상기 제 1 방향으로 상기 베이스판을 관통하고 있으며, 상기 가스배출구멍에 연통하고 있는 가스 유로인 구성으로 하여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 세라믹스판에 있어서, 가스 유로에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
(6) 상기 정전 척에 있어서, 상기 세라믹스판의 내부에 설치되어 있는 전극을 더 구비하며, 상기 공동은 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 접속단자가 수용되는 수용구멍인 구성으로 하여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 세라믹스판에 있어서, 접속단자의 수용구멍에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
(7) 상기 정전 척에 있어서, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 제 2 히터층은 상기 공동과 겹쳐지지 않는 구성으로 허여도 좋다.
본 정전 척에 의하면, 제 2 히터층이 공동과 겹쳐지는 경우에 비해서, 세라믹스판에 있어서, 공동에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
본 명세서에 의해서 개시되는 기술은 여러 가지 형태로 실현하는 것이 가능하며, 예를 들면 정전 척의 히터의 배치방법 및 정전 척을 구비하는 반도체 장치 등의 형태로 실현하는 것이 가능하다.
도 1은 제 1 실시형태에서의 정전 척(10)의 외관 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 정전 척(10)의 상측의 XY 평면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 위치에서의 정전 척(10)의 XZ단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 6은 도 3의 Ⅵ-Ⅵ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.　
도 7은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 8은 도 3의 Ⅷ-Ⅷ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 9는 도 3의 Ⅸ-Ⅸ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 10은 도 3의 Ⅹ-Ⅹ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 11은 도 2의 XI-XI 위치에서의 정전 척(10)의 XZ단면 구성을 나타내는 설명도이다.
도 12는 제 2 실시형태에서의 정전 척(10A)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다.
A. 제 1 실시형태:
A-1. 정전 척(10)의 구성:
도 1은 본 실시형태에서의 정전 척(10)의 외관 구성을 나타내는 사시도이고, 도 2는 정전 척(10)의 상측의 XY평면 구성을 나타내는 설명도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 위치에서의 정전 척(10)의 XZ단면 구성을 나타내는 설명도이다. 각 도면에는 방향을 특정하기 위한 서로 직교하는 XYZ축이 도시되어 있다. 본 명세서에서는 편의적으로 Z축 정방향을 '상측방향'이라 하고, Z축 부방향을 '하측방향'이라 하는 것이지만, 정전 척(10)은 실제로는 이와 같은 방향과는 다른 방향으로 설치되어도 좋다. 도 4 이후에 대해서도 같다.
정전 척(10)은 대상물{예를 들면 웨이퍼(W)}을 정전 인력에 의해서 흡착하여 고정하는 장치이다. 정전 척(10)은 세라믹스판(100)과 베이스판(200)과 접착층(300)을 구비한다. 세라믹스판(100)과 베이스판(200)은 소정의 배열방향{본 실시형태에서는 상하방향(Z축방향)}으로 나란히 배치되어 있다. 접착층(300)은 세라믹스판(100)의 하면{이하 "제 1 접합면(102)"이라 한다}과 베이스판(200)의 상면(이하 "제 2 접합면(202)"이라 한다}의 사이에 배치되어 세라믹스판(100)과 베이스판(200)을 접착하고 있다. 접착층(300)은 예를 들면 열경화형 접착제로 형성되어 있다. 세라믹스판(100)의 베이스판(200)과는 반대측의 표면(상면){이하 "흡착면(104)"이라 한다}에 웨이퍼(W)가 배치된다. 또한, 상기 배열방향(상하방향)은 특허청구범위에의 '제 1 방향'에 상당한다. 이하, 베이스판(200)의 세라믹스판(100)과는 반대측의 표면(하면)을 "저면(204)"이라 한다.
세라믹스판(100)은 원형의 평판형상 부재이며, 세라믹스(예를 들면, 알루미나나 질화알루미늄)에 의해서 형성되어 있다. 세라믹스판(100)의 내부에는 전극(400)과 히터(500)가 설치되어 있다. 전극(400)은 예를 들면 텅스텐이나 몰리브덴 등에 의해서 형성되어 있다. 전극(400)에 전원(도시생략)으로부터 전압이 인가되면, 전극(400)에 정전 인력이 발생하고, 이 정전 인력에 의해서 웨이퍼(W)가 흡착면(104)에 흡착되어 고정된다. 히터(500)는 예를 들면 텅스텐이나 몰리브덴 등의 저항 발열체로 구성되어 있으며, 히터(500)에 의해서 세라믹스판(100)이 따뜻하게 되고, 세라믹스판(100)의 흡착면(104)에 배치되어 있는 웨이퍼(W)가 따뜻하게 된다.
베이스판(200)은 세라믹스판(100)보다 직경이 큰 원형의 평판형상 부재이며, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속에 의해서 형성되어 있다. 베이스판(200)의 내부에는 냉매 유로(210)가 형성되어 있으며, 냉매 유로(210)에 냉매(CF)가 흐름으로써 베이스판(200)이 냉각되고, 베이스판(200)에서 접착층(300)을 통해서 세라믹스판(100)으로 전열됨에 의해서 세라믹스판(100)이 냉각된다.
정전 척(10)에는 세라믹스판(100)에서부터 베이스판(200)에 걸쳐서 상하방향으로 연장되어 있는 복수(본 실시형태에서는 3개)의 핀 관통구멍(12)이 형성되어 있다. 각 핀 관통구멍(12)에는 세라믹스판(100) 상에 배치된 웨이퍼(W)를 밀어올려서 세라믹스판(100)의 흡착면(104)으로부터 이간시키기 위한 리프트 핀(도시생략)이 이동 가능하게 삽입된다. 3개의 핀 관통구멍(12)은 Z방향으로 평행하며, 정전 척(10)의 중심위치를 통과하는 중심축을 중심으로 하는 가상원 상에 등간격으로 배열되어 있다. 정전 척(10)을 구성하는 각 층{세라믹스판(100), 베이스판(200), 접착층(300)}에는 상하방향으로 관통하는 3개의 구멍이 형성되어 있으며, 각 층에 형성되어 서로 대응하는 구멍끼리는 상하방향으로 연통하여 각 핀 관통구멍(12)을 구성하고 있다. 이하의 설명에서는, 핀 관통구멍(12)을 구성하기 위해서 정전 척(10)의 각 층에 형성된 구멍도 핀 관통구멍(12)이라 하는 일이 있다. 또한, '핀 관통구멍(12)'은 특허청구범위에서의 '제 1 핀 관통구멍' 및 '제 2 핀 관통구멍'에 상당한다.
A-2. 세라믹스판(100)의 상세 구성:
도 1 내지 도 3에 나타내는 바와 같이, 세라믹스판(100)은 원반형상의 복수(본 실시형태에서는 7개)의 세라믹스층(110∼170)이 상기 배열방향으로 나란히 배치된 세라믹스 소결체이다. 이하, 7개의 세라믹스층(110∼170)을 상측에서부터 순차적으로 "제 1 세라믹스층(110)", "제 2 세라믹스층(120)" … "제 7 세라믹스층(170)"이라 한다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 2 세라믹스층(120)의 상면(121)이 나타나 있다. 도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 3 세라믹스층(130)의 상면(131)이 나타나 있다. 도 6은 도 3의 Ⅵ-Ⅵ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 4 세라믹스층(140)의 상면(141)이 나타나 있다. 도 7은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 5 세라믹스층(150)의 상면(151)이 나타나 있다. 도 8은 도 3의 Ⅷ-Ⅷ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 6 세라믹스층(160)의 상면(161)이 나타나 있다. 도 9는 도 3의 Ⅸ-Ⅸ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 제 7 세라믹스층(170)의 상면(171)이 나타나 있다.
도 2 내지 도 5에 나타내는 바와 같이, 세라믹스판(100)에는 제 1 세라믹스층(110)에서부터 제 3 세라믹스층(130)에 걸쳐서 상하방향으로 연장되어 있는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 제 1 가스구멍(14)이 형성되어 있다. 각 제 1 가스구멍(14)은 웨이퍼(W)와 세라믹스판(100)의 흡착면(104)의 사이로 흐르게 하여 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 불활성 가스(예를 들면 헬륨 가스)의 유로를 구성한다. 4개의 제 1 가스구멍(14)은 상기한 중심축을 중심으로 하여 3개의 핀 관통구멍(12)이 배열된 가상원보다 직경이 작은 가상원 상에 등간격으로 배열되어 있다. 각 세라믹스층(110∼130)에는 상하방향으로 관통하는 4개의 구멍이 형성되어 있으며, 각 층에 형성되어 서로 대응하는 구멍끼리는 상하방향으로 연통하여 제 1 가스구멍(14)을 구성하고 있다. 이하의 설명에서는, 제 1 가스구멍(14)을 구성하기 위해서 각 세라믹스층(110∼130)에 형성된 구멍도 제 1 가스구멍(14)이라 하는 일이 있다. 제 1 가스구멍(14)은 특허청구범위에서의 '가스배출구멍'에 상당한다.
또한, 세라믹스판(100)에는 제 1 세라믹스층(110)에서부터 제 3 세라믹스층(130)에 걸쳐서 상하방향으로 연장되는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 제 2 가스구멍(16)이 형성되어 있다. 각 제 2 가스구멍(16)도 제 1 가스구멍(14)과 마찬가지로 상기한 불활성 가스의 유로를 구성한다. 4개의 제 2 가스구멍(16)은 상기한 중심축을 중심으로 하여 3개의 핀 관통구멍(12)이 배열된 가상원보다 직경이 큰 가상원 상에 등간격으로 배열되어 있다. 각 세라믹스층(110∼130)에 형성되어 서로 대응하는 구멍끼리는 상하방향으로 연통하여 제 2 가스구멍(16)을 구성하고 있다. 이하의 설명에서는 제 2 가스구멍(16)을 구성하기 위해서 각 세라믹스층(110∼130)에 형성된 구멍도 제 2 가스구멍(16)이라 하는 일이 있다. 제 2 가스구멍(16)은 특허청구범위에서의 '가스배출구멍'에 상당한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제 2 세라믹스층(120)의 상면(121)에는 평판형상의 전극(400)이 배치되어 있다. 전극(400)은 상기한 중심축을 중심으로 하여 3개의 핀 관통구멍(12)이 배열된 가상원보다 직경이 크고, 4개의 제 2 가스구멍(16)이 배열된 가상원보다 직경이 작은 원형형상이다. 전극(400)에는 상하방향으로 관통하여 제 1 가스구멍(14) 및 핀 관통구멍(12)을 각각 구성하는 구멍이 형성되어 있다. 또, 도 3 내지 도 8에 나타내는 바와 같이, 전극(400)의 하면에는 제 2 세라믹스층(120)에서부터 제 6 세라믹스층(160)에 걸쳐서 상하방향으로 관통하는 전극용 비아(132)의 상단이 전기적으로 접속되어 있다.　
도 6에 나타내는 바와 같이, 제 4 세라믹스층(140)의 상면(141)에는, Z방향에서 보았을 때, 4개의 제 1 가스구멍(14)이 배열된 가상원에 겹쳐지는 환형상의 제 1 가스홈(142)이 형성되어 있으며, 각 제 1 가스구멍(14)에 연통하여 있다(도 3 참조). 도 3, 도 6 내지 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 가스홈(142)은 제 4 세라믹스층(140)에서부터 제 7 세라믹스층(170), 접착층(300) 및 베이스판(200)에 걸쳐서 상하방향으로 관통하는 제 1 가스유입구멍(143)에 연통하여 있다. 또한, 제 4 세라믹스층(140)의 상면(141)에는, Z방향에서 보았을 때, 4개의 제 2 가스구멍(16)이 배열된 가상원에 겹쳐지는 환형상의 제 2 가스홈(144)이 형성되어 있으며, 각 제 2 가스구멍(16)에 연통하여 있다(도 3 참조). 도 6 내지 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 2 가스홈(144)은 제 4 세라믹스층(140)에서부터 제 7 세라믹스층(170), 접착층(300) 및 베이스판(200)에 걸쳐서 상하방향으로 관통하는 제 2 가스유입구멍(145)에 연통하여 있다. 베이스판(200)에 형성된 제 1 가스유입구멍(143) 및 제 2 가스유입구멍(145)은 특허청구범위에서의 '가스 유로'에 상당한다.
도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 제 5 세라믹스층(150) 및 제 6 세라믹스층(160)에는 히터(500)가 형성되어 있다. 히터(500)의 구성에 대해서는 후술한다.
도 3 및 도 9에 나타내는 바와 같이 제 7 세라믹스층(170), 접착층(300) 및 베이스판(200)의 전극용 비아(132)에 대응하는 위치에는 상하방향으로 관통하는 전극용 단자구멍(172)이 형성되어 있다. 전극용 단자구멍(172) 내에는 전극용 단자(174)가 수용되어 있으며, 전극용 단자(174)의 상단은 제 1 메탈라이즈층(176)을 통해서 전극용 비아(132)의 하단에 전기적으로 접속되어 있다. 전극용 단자구멍(172)은 특허청구범위에서의 '수용구멍'에 상당하고, 전극용 단자(174)는 특허청구범위에서의 '접속단자'에 상당한다. 또, 제 7 세라믹스층(170), 접착층(300) 및 베이스판(200)의 후술하는 히터용 비아(156)에 대응하는 위치에는 상하방향으로 관통하는 히터용 단자구멍(182)이 형성되어 있다. 히터용 단자구멍(182) 내에는 히터용 단자(184)가 수용되어 있으며, 히터용 단자(184)의 상단은 제 2 메탈라이즈층(186)을 통해서 히터용 비아(156)의 하단에 전기적으로 접속되어 있다.
A-3. 베이스판(200)의 상세 구성:
도 10은 도 3의 Ⅹ-Ⅹ 위치에서의 정전 척(10)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이며, 베이스판(200)의 내부 구조가 나타나 있다. 베이스판(200)은 제 2 접합면(202)을 구성하는 상벽과, 저면(204)을 구성하는 하벽과, 환형상의 둘레벽(206)을 구비한다. 베이스판(200)의 상벽과 하벽과 둘레벽(206)에 의해서 내부 공간이 형성되어 있다. 베이스판(200)의 내부 공간에는 중심위치에 위치하는 지지부(208)와, 베이스판(200)에 관통 형성된 각 구멍(12, 143, 145, 172, 182){이하 "공동(空洞)"이라 한다}을 각각 구성하는 복수의 통형상부(209)가 베이스판(200)의 상벽에서부터 하벽에 걸쳐서 연장되어 있다. 둘레벽(206)과 통형상부(209)에 의해서 형성되는 공간이 냉매 유로(210)이다. 또, 베이스판(200)의 하벽에는 외부에서 냉매 유로(210) 내로 냉매(CF)를 공급하는 냉매공급구멍(212)과 냉매 유로(210) 내에서 외부로 냉매(CF)를 배출하는 냉매배출구멍(214)이 형성되어 있다.
A-4. 히터(500)의 상세 구성:
도 11은 도 2 등의 XI-XI 위치에서의 정전 척(10)의 XZ단면 구성을 나타내는 설명도이다. 도 7, 도 8 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 히터(500)는 메인 히터층(510)과 서브 히터층(520)을 구비한다. 메인 히터층(510)은 특허청구범위에서의 '제 2 히터층'에 상당하고, 서브 히터층(520)은 특허청구범위에서의 '제 1 히터층'에 상당한다. 도 3, 도 7 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 메인 히터층(510)은 제 5 세라믹스층(150)의 상면(151)에 배치되어 있다. 메인 히터층(510)은 복수개(본 실시형태에서는 10개)의 메인 히터선(512)을 구비한다.
10개의 메인 히터선(512)은 제 5 세라믹스층(150)의 중심 측에서부터 순차적으로 대략 동심원 상에 늘어서도록 배치되어 있다. 복수의 메인 히터선(512)은 세라믹스판(100)의 직경방향(이하 간단히 "직경방향"이라 하는 일이 있다)에 있어서, 대략 동일 간격으로 늘어서 있다. 또한, 직경방향은 특허청구범위에서의 '제 2 방향'에 상당한다. 또, 직경방향에 있어서 서로 인접하는 메인 히터선(512)끼리의 거리는 전 둘레에 걸쳐서 거의 균일하다. 또, 세라믹스판(100)의 둘레방향(이하 간단히 "둘레방향"이라 하는 일이 있다)에 있어서, 서로 인접하는 메인 히터선(512)끼리는 간격을 두고서 배치되어 있다. 이하, 10개의 메인 히터선(512)을 "제 1 메인 히터선(512A)", "제 2 메인 히터선(512B)" … "제 10 메인 히터선(512J)"이라 한다. 또한, 메인 히터선(512)은 특허청구범위에서의 '중복히터부분', '원호히터부분'에 상당하고, 메인 히터선(512)의 양 단부가 특허청구범위에서의 '히터 단부'에 상당한다.
Z방향에서 보았을 때, 제 5 세라믹스층(150)에 형성되어 있는 상기한 3개의 핀 관통구멍(12), 제 1 가스유입구멍(143), 제 2 가스유입구멍(145) 및 전극용 비아(132)는 둘레방향에 있어서 서로 인접하는 메인 히터선(512)끼리의 사이에 위치하고 있다. 구체적으로는, X축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)은 제 4 메인 히터선(512D)과 제 5 메인 히터선(512E)의 사이와 제 8 메인 히터선(512H)과 제 9 메인 히터선(512I)의 사이에 위치하고 있다. Y축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)은 제 2 메인 히터선(512B)과 제 3 메인 히터선(512C)의 사이와 제 5 메인 히터선(512E)과 제 6 메인 히터선(512F)의 사이에 위치하고 있다. Y축 부방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)은 제 3 메인 히터선(512C)과 제 4 메인 히터선(512D)의 사이와 제 7 메인 히터선(512G)과 제 8 메인 히터선(512H)의 사이에 위치하고 있다. 제 1 가스유입구멍(143)은 제 1 메인 히터선(512A)과 제 2 메인 히터선(512B)의 사이에 위치하고 있다. 제 2 가스유입구멍(145)은 제 9 메인 히터선(512I)과 제 10 메인 히터선(512J)의 사이에 위치하고 있다. 전극용 비아(132)는 제 6 메인 히터선(512F)과 제 7 메인 히터선(512G)의 사이에 위치하고 있다. 이상과 같이 메인 히터선(512)은 각 구멍(12, 143, 145) 및 전극용 비아(132)의 형성위치를 회피하도록 배치되어 있다.
또, 제 1 메인 히터선(512A)의 일단과 제 10 메인 히터선(512J)의 일단에는 제 5 세라믹스층(150)에서부터 제 6 세라믹스층(160)에 걸쳐서 상하방향으로 관통하는 히터용 비아(156)의 상단이 전기적으로 접속되어 있다(도 3 참조).
도 3, 도 7, 도 8 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 서브 히터층(520)은 제 6 세라믹스층(160)의 상면(161)에 배치되어 있다. 서브 히터층(520)은 복수개(본 실시형태에서는 9개)의 서브 히터선(522)을 구비한다. 각 서브 히터선(522)은 Z방향에서 보았을 때, 둘레방향에 있어서 서로 인접하는 메인 히터선(512)끼리의 단(端)을 연결함과 동시에, 각 구멍(12, 143, 145) 및 전극용 비아(132)의 형성 위치를 회피하도록 형성되어 있다. 이하, 9개의 서브 히터선(522)을 "제 1 서브 히터선(522A)", "제 2 서브 히터선(522B)" … "제 9 서브 히터선(522I)"이라 한다. 또한, 서브 히터선(522)은 세라믹스판(100)의 중심과 공동을 통과하는 가상 직선에 겹쳐지고, 또한 공동에 가장 가깝기 때문에, 특허청구범위에서의 '중복히터부분', '제 1 중복히터부분'에 상당한다. 또, 직경방향에 있어서 서브 히터선(522)과 인접하는 메인 히터선(512)은 특허청구범위에서의 '제 2 중복히터부분'에 상당한다.
구체적으로는, 제 1 가스유입구멍(143)의 근방에 배치되어 있는 제 1 서브 히터선(522A)은 제 1 메인 히터선(512A)의 일단과 제 2 메인 히터선(512B)의 일단을 연결함과 동시에, 제 1 가스유입구멍(143)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 중심 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. X축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 4 서브 히터선(522D)은 제 4 메인 히터선(512D)의 일단과 제 5 메인 히터선(512E)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 중심 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. X축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 8 서브 히터선(522H)은 제 8 메인 히터선(512H)의 일단과 제 9 메인 히터선(512I)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 주연(周緣) 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다.
Y축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 2 서브 히터선(522B)은 제 2 메인 히터선(512B)의 일단과 제 3 메인 히터선(512C)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 중심 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. Y축 정방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 5 서브 히터선(522E)은 제 5 메인 히터선(512E)의 일단과 제 6 메인 히터선(512F)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 주연 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. 전극용 비아(132)의 근방에 배치되어 있는 제 6 서브 히터선(522F)은 제 6 메인 히터선(512F)의 일단과 제 7 메인 히터선(512G)의 일단을 연결함과 동시에, 전극용 비아(132)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 주연 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다.
Y축 부방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 3 서브 히터선(522C)은 제 3 메인 히터선(512C)의 일단과 제 4 메인 히터선(512D)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 중심 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. Y축 부방향 측에 위치하는 핀 관통구멍(12)의 근방에 위치하는 제 7 서브 히터선(522G)은 제 7 메인 히터선(512G)의 일단과 제 8 메인 히터선(512H)의 일단을 연결함과 동시에, 핀 관통구멍(12)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 주연 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다. 제 2 가스유입구멍(145)의 근방에 배치되어 있는 제 9 서브 히터선(522I)은 제 9 메인 히터선(512I)의 일단과 제 10 메인 히터선(512J)의 일단을 연결함과 동시에, 제 2 가스유입구멍(145)을 중심으로 하여 제 5 세라믹스층(150)의 주연 측으로 돌출되는 원호형상으로 형성되어 있다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 각 서브 히터선(522)의 양단은 히터용 비아(156)를 통해서 둘레방향에 있어서 인접하는 1쌍의 메인 히터선(512)의 각각에 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이, 메인 히터선(512)과 서브 히터선(522)은 히터용 비아(156)를 통해서 직렬로 접속되어 있다. 구체적으로는 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 9 서브 히터선(522I)의 일단은 히터용 비아(156)를 통해서 제 9 메인 히터선(512I)의 일단에 전기적으로 접속되고, 제 9 서브 히터선(522I)의 타단은 히터용 비아(156)를 통해서 제 10 메인 히터선(512J)의 일단에 전기적으로 접속되어 있다.
A-5. 본 실시형태의 효과:
상기한 바와 같이, 베이스판(200)에는 공동{구멍(12, 143, 145, 172, 182)}이 형성되어 있으며, 각 공동이 형성된 부분에는 냉매 유로(210)를 형성할 수 없다. 따라서, 세라믹스판(100)에 있어서, 공동에 가까운 부분에서는 냉매에 의한 냉각 효과가 낮다. 이 때문에, 세라믹스판(100)에 있어서, 공동에 가까운 부분에, 공동에서 떨어진 부분과 마찬가지로 히터선을 직경방향으로 등간격으로 배치하면, 공동에 가까운 부분이 고온으로 되어, 세라믹스판(100)의 흡착면(104)의 온도가 면방향에 있어서 불균일하게 될 우려가 있다.
이것에 대해서, 본 실시형태에 의하면, 직경방향에 있어서 공동에 가장 가까운 부분에 위치하는 서브 히터선(522)은 제 6 세라믹스층(160)에 배치되고, 당해 서브 히터선(522)의 다음으로 공동에 가까운 메인 히터선(512)은 제 6 세라믹스층(160)과는 다른 제 5 세라믹스층(150)에 배치되어 있다. 따라서, 서브 히터선(522)과 메인 히터선(512)이 동일층{제 5 세라믹스층(150)}에 형성되어 있는 경우에 비해서 서브 히터선(522)과 메인 히터선(512)의 거리가 길어지게 된다. 또, 흡착면(104)에서 서브 히터선(522)까지의 거리와 흡착면(104)에서 메인 히터선(512)까지의 거리가 다르기 때문에, 서브 히터선(522) 및 메인 히터선(512)에서 흡착면(104)으로의 총 전열량을 저감할 수 있다. 따라서, 공동에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판(100)의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
또, Z방향에서 보았을 때, 공동을 회피하도록 히터(500)를 배치하려고 하면, 메인 히터선(512)과 서브 히터선(522)이 가깝게 되어 고온으로 될 우려가 있다. 예를 들면, 제 8 서브 히터선(522H)과 제 9 메인 히터선(512I)은 다른 부분보다 가깝게 되어 있다. 그러나, 본 실시형태에서는, 메인 히터선(512)과 서브 히터선(522)은 서로 다른 층에 배치되어 있다. 따라서, 메인 히터선(512)과 서브 히터선(522)이 같은 층에 배치되는 경우에 비해서, Z방향에서 보았을 때, 메인 히터선(512)과 서브 히터선(522)을 가깝게 배치하면서 세라믹스판(100)이 부분적으로 고온으로 되는 것을 억제할 수 있다.
또, 서브 히터선(522)에 대해서, 둘레방향으로 인접하는 메인 히터선(512)(원호히터부분)과 직경방향으로 인접하는 메인 히터선(512)이 같은 제 5 세라믹스층(150)에 배치되어 있다. 예를 들면, 제 6 서브 히터선(522F)에 대해서, 둘레방향으로 인접하는 제 6 메인 히터선(512F) 등과 직경방향으로 인접하는 제 9 메인 히터선(512I)이 제 5 세라믹스층(150)에 배치되어 있다. 이 때문에, 원호히터부분이 제 1 히터층에 형성되어 있는 경우에 비해서, 히터(500)를 공동으로부터 떼어 놓으면서 세라믹스판(100)의 온도가 불균일하게 되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 도 3 및 도 7에 나타내는 바와 같이, Z방향에서 보았을 때, 메인 히터선(512)은 베이스판(200)의 공동과 겹쳐지지 않는다. 이것에 의해서, 메인 히터선(512)이 베이스판(200)의 공동과 겹쳐지는 경우에 비해서, 세라믹스판(100)에 있어서 공동에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판(100)의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
또, 공동에 가장 가까운 서브 히터선(522)은, 당해 서브 히터선(522)의 다음으로 공동에 가까운 메인 히터선(512)에 비해서, 흡착면(104)으로부터 먼 세라믹스층에 배치되어 있다. 따라서, 서브 히터선(522)이 메인 히터선(512)에 비해 흡착면(104)에 가까운 세라믹스층에 배치되어 있는 경우에 비해서, 세라믹스판(100)에 있어서 공동에 가까운 부분이 고온으로 되는 것이 억제되기 때문에, 세라믹스판(100)의 온도가 불균일하게 되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또, Z방향에서 보았을 때, 메인 히터선(512) 전체의 배치면적은 서브 히터선(522) 전체의 배치면적보다 넓다. 이 때문에, 본 실시형태와 같이 배치면적이 상대적으로 넓은 메인 히터선(512)을 배치면적이 상대적으로 좁은 서브 히터선(522)보다 흡착면(104)에 가까운 위치에 배치하면, 히터(500) 전체의 발열량을 효율 좋게 흡착면(104)으로 전할 수 있다.
B. 제 2 실시형태:
도 12는 제 2 실시형태의 정전 척(10A)의 XY단면 구성을 나타내는 설명도이다. 제 2 실시형태의 정전 척(10A)의 구성 중 제 1 실시형태의 정전 척(10)과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.
정전 척(10A)에 구비되어 있는 세라믹스판(100A)의 내부에는 히터(500A)가 설치되어 있으며, 히터(500)는 메인 히터층(530)과 서브 히터층(540)을 구비한다. 메인 히터층(530)은 특허청구범위에서의 제 2 히터층에 상당하고, 서브 히터층(540)은 특허청구범위에서의 제 1 히터층에 상당한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 메인 히터층(530)은 제 5 세라믹스층(150A)의 상면(151A)에 배치되어 있다. 메인 히터층(530)은 서로 전기적으로 접속되어 있지 않고 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 메인 히터선(532)을 구비한다. 제 5 세라믹스층(150A)의 주연 측에 위치하는 제 1 메인 히터선(532A)의 양단은 각각 히터용 비아(156A)에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 제 5 세라믹스층(150A)의 중앙 측에 위치하는 제 2 메인 히터선(532B)의 일단도 히터용 비아(156A)의 상단에 전기적으로 접속되어 있다.
각 히터용 비아(156A)의 하단은 제 5 세라믹스층(150A)의 아래에 위치하는 제 6 세라믹스층(도시생략)에 형성된 3개의 도통 패턴(544)의 각각의 일단에 전기적으로 접속되어 있다. 각 도통 패턴(544)의 타단은 제 6 세라믹스층의 중앙 측에 위치하며, 비아(도시생략)를 통해서 베이스판(200)에 형성된 4개의 히터용 단자구멍(552) 내의 1개에 수용된 히터용 단자(도시생략)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 4개의 히터용 단자구멍(552)은, Z방향에서 보았을 때, 상기한 중심축을 중심으로 하는 가상원 상에 등간격으로 배열되어 있다.
서브 히터층(540)은 제 6 세라믹스층의 상면에 배치되어 있는 서브 히터선(542)을 구비한다. 서브 히터선(542)은 Z방향에서 보았을 때 세라믹스판(100A)의 중앙 측에 위치하며, 4개의 히터용 단자구멍(552)을 회피하도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 서브 히터선(542)은 4개의 히터용 단자구멍(552)과 메인 히터선(532)의 사이의 영역에 환형상으로 배치되어 있다. 서브 히터선(542)의 일단은 히터용 비아(154A)를 통해서 제 2 메인 히터선(532B)에 전기적으로 접속되어 있고, 타단은 비아(도시생략)를 통해서 히터용 단자구멍(552) 내에 수용된 히터용 단자에 전기적으로 접속되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 4개의 히터용 단자구멍(552)에 가장 가까운 서브 히터선(542)은 제 6 세라믹스층에 배치되고, 4개의 히터용 단자구멍(552)에 다음으로 가까운 제 2 메인 히터선(532B)은 제 5 세라믹스층(150A)에 배치되어 있다. 따라서, 서브 히터선(542)과 제 2 메인 히터선(532B)이 동일층에 형성되어 있는 경우에 비해서 서브 히터선(542)과 제 2 메인 히터선(532B)의 거리가 길어지게 된다. 또, 흡착면(104)에서 서브 히터선(542)까지의 거리와 흡착면(104)에서 제 2 메인 히터선(532B)까지의 거리가 다르기 때문에, 서브 히터선(542) 및 메인 히터선(532B)에서 흡착면(104)으로의 총 전열량을 저감할 수 있다. 따라서, 4개의 히터용 단자구멍(552)에 가까운 부분의 고온화에 기인하여 세라믹스판(100)의 온도가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
C. 변형예:
본 명세서에서 개시되는 기술은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 예를 들면 다음과 같은 변형도 가능하다.
상기 실시형태에서는, 서브 히터선(522)은 메인 히터선(512)에 비해서 흡착면(104)에서부터 먼 세라믹스층에 배치되어 있는 것으로 하고 있으나, 서브 히터선(522)이 메인 히터선(512)에 비해서 흡착면(104)에 가까운 세라믹스층에 배치되어 있는 것으로 하여도 좋다.
상기 실시형태에 있어서, Z방향에서 보았을 때에 메인 히터선(512)의 일부가 베이스판(200)의 공동과 겹쳐져 있어도 좋다.
상기 실시형태에서는, 히터(500, 500A) 전체가 세라믹스판(100)의 내부에 설치되어 있는 것으로 하고 있으나, 히터(510, 530)의 적어도 일부가 세라믹스판(100)의 외부{예를 들면 세라믹스판(100)의 하면}에 설치되어 있는 것으로 하여도 좋다.
상기 실시형태에서는, 베이스판(200)의 공동으로서 베이스판을 관통하는 구멍{핀 관통구멍(12) 등}을 예시하였으나, 이것에 한정하지 않고, 베이스판(200)을 관통하지 않는 오목부(바닥부를 가지는 구멍, 예를 들면 온도센서의 수용공간)이어도 좋다.
상기 실시형태에서는, 세라믹스판(100)은 단극(單極) 방식이 채용되어 1개의 전극(400)을 구비하는 것으로 하고 있으나, 쌍극(雙極) 방식이 채용되어 1쌍의 전극을 구비하는 것으로 하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에 있어서, 세라믹스판(100)을 구성하는 세라믹스층의 개수는 어디까지나 일례이며, 세라믹스층의 개수는 세라믹스판(100)에 요구되는 기능 등에 따라서 적절하게 결정할 수 있다.
10,10A - 정전 척 12 - 핀 관통구멍
14 - 제 1 가스구멍 16 - 제 2 가스구멍
100,100A - 세라믹스판 102 - 접합면
104 - 흡착면 110∼170 - 세라믹스층
132 - 전극용 비아 142 - 제 1 가스홈
143 - 제 1 가스유입구멍 144 - 제 2 가스홈
145 - 제 2 가스유입구멍 154A,156,156A - 히터용 비아
172 - 전극용 단자구멍 174 - 전극용 단자
176,186 - 메탈라이즈층 182,552 - 히터용 단자구멍
184 - 히터용 단자 200 - 베이스판
202 - 접합면 204 - 저면
206 - 둘레벽 208 - 지지부
209 - 통형상부 210 - 냉매 유로
212 - 냉매공급구멍 214 - 냉매배출구멍
300 - 접착층 400 - 전극
500,500A - 히터 510,530 - 메인 히터층
512(512A∼512J),532(532A,532B) - 메인 히터선
520,540 - 서브 히터층 522(522A∼522I),542 - 서브 히터선
544 - 도통 패턴 CF - 냉매
W - 웨이퍼

Claims (7)

  1. 저항 발열체로 구성된 히터(500, 500A)가 설치되며, 세라믹스에 의해서 형성된 판형상의 세라믹스판(100, 100A)과, 상기 세라믹스판(100, 100A)의 제 1 방향에 있어서의 일방의 면 측에 배치되며, 내부에 냉매 유로(210)가 형성된 베이스판(200)을 구비하는 정전 척(10, 10A)에 있어서,
    상기 베이스판(200)에는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 냉매 유로(210)와는 다른 위치에 공동(12, 143, 145, 172, 182)이 형성되어 있고,
    상기 히터(500, 500A)는,
    상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 세라믹스판(100, 100A)의 중심과 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)을 통과하는 가상 직선과 겹치는 부분인 중복히터부분(512, 532, 522, 542)을 복수 포함하며,
    상기 복수의 중복히터부분(512, 532, 522, 542) 중, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)에 가장 가까운 제 1 중복히터부분(522, 542)을 포함하는 제 1 히터층(520, 540)과,
    상기 제 1 히터층(520, 540)의 적어도 일부에 전기적으로 접속됨과 아울러 상기 일방의 면으로부터의 거리가 상기 제 1 히터층(520, 540)과는 다른 제 2 히터층(510, 530)으로서, 상기 복수의 중복히터부분(512, 532, 522, 542) 중, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 가상 직선과 평행한 제 2 방향에 있어서 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)에 대해서 상기 제 1 중복히터부분(522, 542)과 같은 측에 위치하고, 또한 상기 제 1 중복히터부분(522, 542)의 다음으로 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)에 가까운 제 2 중복히터부분(512, 532)을 포함하는 제 2 히터층(510, 530)을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 히터층(520, 540)은 상기 제 2 히터층(510, 530)에 비해서 상기 세라믹스판(100, 100A)의 상기 일방의 면과는 반대측의 타방의 면으로부터 떨어져 있는 것을 특징 하는 정전 척.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제 2 히터층(510, 530)은, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 세라믹스판(100, 100A)의 중심 주위의 방향을 따라서 원호형상으로 연장되어 있는 원호히터부분(512)으로서, 상기 가상 직선에 직교하는 방향에 있어서, 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)을 사이에 두고서 배치되어 있는 1쌍의 히터 단부를 가지는 원호히터부분(512)을 더 포함하고,
    상기 제 1 중복히터부분(522, 542)은, 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)을 회피하면서 상기 1쌍의 히터 단부의 일방에서 타방으로 연장되어 있으며, 또한 상기 1쌍의 히터 단부에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹스판(100, 100A)에는 상기 제 1 방향으로 관통하고 있는 제 1 핀 관통구멍이 형성되어 있고,
    상기 공동(12)은 상기 제 1 방향으로 상기 베이스판(200)을 관통하고 있는 제 2 핀 관통구멍이고,
    상기 제 1 핀 관통구멍과 제 2 핀 관통구멍은 상기 제 1 방향으로 연통하여 상기 세라믹스판(100, 100A)에서 상기 베이스판(200)에 걸쳐서 연장되는 핀 관통구멍이 되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹스판(100, 100A)에는 상기 제 1 방향을 따라서 가스배출구멍(14, 16)이 형성되어 있고,
    상기 공동(143, 145)은 상기 제 1 방향으로 상기 베이스판(200)을 관통하고 있으며, 상기 가스배출구멍(14, 16)에 연통하고 있는 가스 유로인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹스판(100, 100A)의 내부에 설치되어 있는 전극(400)을 더 구비하며,
    상기 공동(172)은 상기 전극(400)에 전기적으로 접속되어 있는 접속단자(174)가 수용되는 수용구멍(172)인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 방향에서 보았을 때, 상기 제 2 히터층(510, 530)은 상기 공동(12, 143, 145, 172, 182)과 겹쳐지지 않는 것을 특징으로 하는 정전 척.
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