KR101976226B1 - 가스 스트림을 처리하기 위한 장치 - Google Patents

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Abstract

저감 장치(10)에서 DC 플라즈마 토치의 작동 가능한 범위를 증가시키기 위해서, 장치는 플라즈마 공급원 가스 흐름 조절기(24)의 선택적인 제어에 의해 플라즈마 토치의 전력을 제어하도록 구성된 전력 제어부를 포함한다.

Description

가스 스트림을 처리하기 위한 장치{APPARATUS FOR TREATING A GAS STREAM}
본 발명은 가스 스트림(gas stram)을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명은 특히 반도체 또는 평판 디스플레이 산업에서 사용되는 프로세스 챔버로부터의 가스 스트림 배기물의 처리의 분야에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조시의 최초의 단계는 증기 전구체들의 화학적 반응에 의해 반도체 기판상에 박막을 형성하는 것이다. 기판상에 박막을 증착시키는 하나의 공지된 기술은 통상적으로 플라즈마 성장인 화학 증착(CVD)이다. 이러한 기술에 있어서, 프로세스 가스들은 기판을 수용하는 프로세스 챔버에 공급되고 반응하여 기판의 표면상에 박막을 형성한다. 박막을 형성하기 위해 프로세스 챔버로 공급된 가스들의 예로는, 질화 규소 필름의 형성을 위한 실란 및 암모니아; SiON 필름의 형성을 위한 실란, 암모니아 및 아산화질소; 실리콘 산화물 필름의 형성을 위한 TEOS 및 산소 및 오존 중 하나; 알루미늄 산화물 필름의 형성을 위한 Al(CH3)3 및 수증기가 있지만, 이들로만 제한되지 않는다.
프로세싱 후에, 프로세싱 챔버로부터 배기된 가스들은 방출 또는 저장 이전에 처리되어야 한다. 프로세스 챔버로부터 배기된 가스들은 플라즈마 저감 장치를 이용하여 높은 효율로 그리고 상대적으로 낮은 비용으로 처리될 수 있다. 플라즈마 저감 프로세스에 있어서, 배기 가스 스트림은 주로 열의 공급원인 열적 대기압 플라즈마 방출부로 흐르게 된다. 플라즈마는 산소 또는 수소와 조합될 수 있는 반응 종으로의 가스 스트림의 분열을 야기시켜 상대적으로 안정된 부생성물을 생성한다.
프로세싱 챔버의 작동 사이클에서 사용된 상이한 가스들은 효율적인 처리를 위해 토치에 공급될 상이한 양의 전기적 전력을 요구한다. 통상적으로, 전기 에너지의 공급원의 전압은 일반적으로 일정하게 유지되며, 전력의 변화는 공급된 전류를 제어함으로써 조절된다. 전형적인 DC 플라즈마 토치는 최소 전류에 의해 규정된 하한 한계와 최대 전류에 의해 규정된 상한 한계 사이에서 규제된 전력 범위를 갖고 있으며, 상기 최소 전류에서 방출은 단금질이 없이 토치에 의해 지속될 수 있으며, 상기 최대 전류는 사용된 전력 공급물로 평가되거나 또는 토치 전극에 열적 손상을 야기시키지 않는다.
그러나, DC 플라즈마 토치의 전압-전류 특성은 전류가 증가시에 전압이 감소하고 그리고 반대로 나타난다. 따라서, 토치 전류의 한결같은 큰 변화는 전력의 상대적으로 작은 변동을 야기시킨다. 예를 들면, 20A에서 40A까지(즉, 100% 증가) 작동 전류를 변화시키면 적어도 약 60%까지 토치 전력을 증가시킨다.
본 발명의 목적은 처리 장치에서 DC 플라즈마 토치의 작동 가능한 전력 범위를 증가시키는 것이다.
본 발명은 가스 스트림(gas stream)을 처리하기 위한 장치를 제공하며, 이 장치는 전기 에너지의 공급원에 의해 에너지가 가해질 때 공급원 가스로부터 플라즈마 플레어(plasma flare)를 발생시키는 DC 플라즈마 토치와, 에너지가 가해질 토치에 공급된 공급원 가스의 흐름율을 조절하기 위한 흐름 조절기와, 흐름 조절기의 선택적인 제어에 의해 플라즈마 토치의 전력을 제어하도록 구성된 DC 플라즈마 토치 전력 제어부를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 및/또는 선택적인 특징부는 첨부된 청구항에 규정되어 있다.
본 발명이 잘 이해될 수 있도록, 단지 예로서 제공되는 본 발명의 일부 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 가스 스트림을 처리하기 위한 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 전력, 전력 및 흐름율 사이의 관계를 그래프로 도시한 도면이다.
도 3은 흐름율을 조절하기 위한 흐름 조절기를 도시한 도면이다.
도 4는 플라즈마 발생기의 상세도이다.
도 1을 참조하면, 가스 스트림(12)을 처리하기 위한 장치(10)가 도시되어 있다. 장치는 전기 에너지(20)의 공급원(전력 공급원)에 의해 에너지가 제공될 때 공급원 가스(18)로부터 플라즈마 플레어(16)를 발생하기 위한 DC 플라즈마 토치(14)를 포함한다. 전류 제어부(22)는 전력 공급원에 의해 토치에 공급된 전류의 양을 제어한다. 흐름 조절기(24)는 에너지가 가해질 토치에 공급된 공급원 가스(18)의 흐름율을 조절한다. 전력 제어부(26)는 전류 제어부(22) 및 흐름 조절기(24)의 선택적인 제어에 의해 플라즈마 토치의 전력을 제어하도록 구성되어 있다. 이하에 보다 상세하게 설명하는 바와 같이, 전류의 변화는 상대적으로 작은 전력의 변화를 발생하는 반면에, 흐름의 변화는 상대적으로 큰 전력의 변화를 발생한다. 그에 따른 하나의 구성에 있어서, 전류 제어부는 생략될 수 있어서, 전력은 흐름 조절기 단독으로 제어된다.
전기 에너지(20)의 공급원은 도 1에 상당히 개략적으로 도시된 플라즈마 토치의 전극들(32)에 전기 도체(28)에 의해 연결된다. 플라즈마 토치의 보다 상세한 설명은 도 4를 참조하여 제공된다. 전기 에너지가 전극들로 공급될 때, 전계는 플라즈마 토치로 운반된 공급원 가스(18)를 통해 통과되며, 이에 의해 플라즈마 플레어(16)를 발생하는 공급원 가스를 이온화시킨다. 플라즈마 플레어는 플라즈마 리액터 챔버(36) 내로 하류로 연장되며, 배기 가스 스트림(12)과의 반응이 상기 플라즈마 리액터 챔버에서 이뤄진다. 처리될 가스 스트림(12)은 유입구(38)를 통해 리액터 챔버 내로 운반된다. 전류 제어부(22)는 파선으로 개략적으로 도시된 제어 라인(40)을 따라서 전력 제어부(26)로부터 출력된 전류 제어 신호에 반응한다. 전력 제어부(26)에 반응하여, 전류 제어부(22)는 전기 에너지(20)의 공급원에 의해 전극에 공급된 전류를 제어한다.
흐름 조절기(24)는 파선으로 개략적으로 도시된 제어 라인(42)을 따라서 전력 제어부(26)로부터 출력된 흐름 제어 신호에 응답한다. 전력 제어부에 반응하여, 흐름 조절기는 공급원 가스의 공급부(44)로부터 플라즈마 장치까지 운반되어 플라즈마 플레어를 형성하도록 에너지가 가해진 공급원 가스의 흐름율을 제어한다. 공급원 가스는 전형적으로 질소이지만, 필요에 따라 다른 가스들이 사용될 수도 있다.
전력 제어부(26)는 전력, 전류 및 흐름율 사이의 사전결정된 관계에 따라서 전류 및 흐름율 양자를 변화시킴으로써 토치(14)에 공급된 전력을 변화시키도록 구성된다. 이 관계는 도 2에 도시되어 있으며, 도 2에서 전력(P)은 y-축에 도시되어 있으며, 전류(I)는 x-축에 도시되어 있으며, 공급원 가스 흐름율의 증가는 화살표(F)로 도시되어 있다. 그래프는 3개의 상이한 공급원 가스 흐름율을 나타내는 3개의 곡선(F1, F2, F3)을 도시하고 있다. 흐름율은 F1에서 F2로 F3으로 증가한다. 예를 들면, F1은 10 slm이며, F2는 20 slm이며, F3은 30 slm이다. 곡선(F1, F2, F3)은 상이한 흐름율을 위한 전력에 대한 전류의 관계를 도시한다. 일정한 흐름율에 있어서, 상대적으로 큰 전류의 변화는 전력의 상대적으로 작은 전력의 변화를 야기시키는 것을 알 수 있다.
따라서, 전력 제어부(26)는 복수의 상이한 전력 영역(power regime)(46, 48, 50)에서 토치의 전력을 제어하도록 구성되어 있다. 전력은, 토치에 공급된 전류를 제어함으로써 전력 영역 내에서 변화되며, 영역들 사이의 전환은 공급원 가스의 흐름을 조절함으로써 제어된다. 토치의 조작 가능한 전력 범위는 도 2에서 굵은 선으로 표시되어 있다. 전력의 단계적 변화(52)는 흐름율이 F1에서 F2로 증가될 때 영역(48)과 영역(50) 사이에서 발생된다. 전력의 추가 단계적 변화(54)는 흐름율이 F2에서 F3으로 증가될 때 발생된다.
따라서, 전력의 약간의 조정은 전류 제어에 의해 실행될 수 있다. 한편, 영역들 사이의 전력의 단계적 변화는 상기 토치의 전력 제어의 한계들과 비교하여 상대적으로 크며, 그 결과 전력의 큰 변화는 흐름율 제어에 의해 실행될 수 있다. 전력 제어의 한계들이 100%로 되는 것으로 고려되면, 전류 변화는 주어진 흐름 공급원 가스 흐름율에 대해서 약 10% 이하의 전력의 변화를 달성할 수 있는 반면에, 공급원 가스 흐름율 변화는 20% 또는 그 이상의 전력의 변화를 달성할 수 있다.
3개의 영역이 도 2에 도시되어 있을 지라도, 그 대신에 처리 장치의 요구조건에 따라서 2개의 전력 영역 또는 3개 이상의 전력 영역에서 토치가 작동하도록 제어부가 구성될 수도 있다.
종래 기술과 비교하여, 본 처리 장치의 작동 가능한 전력 범위는 토치 작동 전류의 변화를 공급 가스(N2) 흐름율과 조합하여 공지된 30% 내지 70%로부터 300% 내지 500%까지 많이 확대된다.
따라서, 플라즈마 토치는 처리를 위한 전력의 상이한 양을 필요로 하는 복수의 가스 스트림을 처리하도록 제어 가능하며, 이를 위해 이용된 복수의 전력 영역은 요구되는 전력의 각각의 상이한 양에 대응하도록 배열된다. 플라즈마 토치는 전기 에너지의 소비를 감소시키기 위한 이상적인 모드에서 작동하도록 추가적으로 또는 선택적으로 제어될 수 있으며, 전력 영역들 중 적어도 하나는 이상적인 모드에서 플라즈마 토치가 작동하는데 요구되는 전력에 대응하도록 배치된다. 즉, 토치는, 하나는 이상적인 모드를 위해 그리고 하나는 가스 처리를 위해, 또는 이상적인 모드가 없이 양자가 가스 처리를 위해, 2개의 전력 영역을 구비할 수 있다. 선택적으로, 토치는, 하나는 이상적인 모드를 위해 그리고 다른 것들은 상이한 배기 가스 조성물의 처리를 위해, 2개 이상의 전력 영역을 구비할 수 있다.
예의 방법으로, CVD 프로세스 사이클에서 사용된 전구체는 3개의 전력 밴드 요구조건을 가질 수 있다.
이상적인 모드에서, 0.5㎾ 내지 1㎾의 전력이 요구될 수 있다. 제 1 전력 영역, 예를 들면 도 2에서 도면부호(46)는 이러한 이상적인 모드에서 토치를 작동시키기 위해 배치된다. 10 slm일 수 있는 흐름율(F1)은 필요한 전력 범위를 달성하도록 선택될 수 있는 반면에 이 범위 내의 전류 제어는 전력의 보다 작은 조정을 허용한다. 이러한 영역은 배출물의 담금질을 회피하도록 전기 에너지의 최소 소비로 플라즈마 배출을 유지하도록 사용된다.
증착 모드에서, 2㎾ 내지 3㎾의 전력이 요구될 수 있다. 제 2 전력 영역, 예를 들면 도 2에서 도면부호(48)는 유전체 막 증착(예를 들면, 실란, 암모니아, TEOS 또는 4MS)을 위해 사용된 발화성 또는 가연성 전구체와 같은 증착 가스들을 처리하도록 토치를 작동시키도록 배치된다. 20 slm일 수 있는 흐름율(F2)은 필요한 전력 범위를 달성하도록 선택될 수 있는 반면에 이 범위 내의 전류 제어는 전력의 보다 작은 조정을 허용한다.
클리닝 모드에서, 2.5㎾ 내지 5㎾의 전력이 요구될 수 있다. 제 3 전력 영역, 예를 들면 도 2에서 도면부호(50)는 F2 또는 NF3과 같은 클리닝 가스들을 처리하도록 클리닝 모드에서 토치를 작동시키기 위해 배치된다. 30 slm일 수 있는 흐름율(F3)은 필요한 전력 범위를 달성하도록 선택될 수 있는 반면에 이 범위 내의 전류 제어는 전력의 보다 작은 조정을 허용한다.
다른 예시적인 구성에 있어서, 2개의 상이한 N2 흐름율이 고 및 저 전력 작동 영역을 위해 사용될 수 있다. F2 및 NF3을 위한 고 전력 작동 영역은 클리닝 단계 동안에 사용될 수도 있다. 이러한 영역은 3㎾ 내지 5㎾의 작동 전력을 위해 15 slm N2를 요구할 수 있다. 저 전력 작동 영역은 증착 단계 및 이상적인 모드를 위해 사용될 수 있다. 이러한 후자의 영역은 1.5㎾ 내지 2.5㎾의 작동 전력을 위해 5 slm N2를 요구할 수 있다. 이러한 전력 제어는 25A의 중간의 전류에서 이들 2개의 영역 사이에서 전환하도록 구성될 수도 있다.
흐름 조절기(24)는 질량 유량 제어기일 수 있으며, 이 제어기는 제로 또는 흐름없음과 100% 또는 최대 흐름 사이에서의 임의의 하나의 흐름율을 선택하기 위해 전력 제어부(26)에 의해 작동 가능하다. 질량 유량 제어기는 최대 흐름율과 최소 흐름율 사이에서 요구되는 임의의 흐름율에서 토치를 작동시키기 위한 양호한 설계 융통성 및 제어를 제공한다. 그러나, 질량 유량 제어기는 고가이며, 정기적인 유지보수를 필요로 한다.
도 3에 도시된 변형 구성에 있어서, 개략 도시된 흐름 조절기(56)가 도시되어 있으며, 이 조절기는 상이한 흐름율의 공급원 가스(18)가 관통하도록 배열된 복수의 가스 도관(58, 60)을 포함한다. 흐름 스위치(62)는 토치로의 흐름율을 조절하기 위해서 하나 또는 그 이상의 선택된 가스 도관을 통해 흐르도록 공급원 가스를 안내한다. 예를 들면, 가스 도관(58)은 제 1 가스 흐름율이 통과하도록 구성된다. 가스 도관(60)은 제 1 흐름율과 상이한 제 2 가스 흐름율이 통과하도록 구성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 흐름율은 F1이며, 예를 들면 10 slm일 수 있다. 제 2 흐름율은 F2이며, 예를 들면 20slm일 수 있다. 흐름 스위치(62)는 전력 제어부(26)에 의해 작동하도록 연결되며, 제어부는, 플라즈마 토치의 작동을 위해 요구되는 전력 영역에 따라서 선택된 하나 또는 그 이상의 가스 도관을 통해 공급원 가스가 운반되는 것을 제어하도록 구성되어 있다. 흐름을 제어하기 위해서 로타미터가 사용될 수 있다.
가스 도관은 필요한 흐름율에서 가스 흐름이 통과되게 허용하는 크기로 될 수 있거나, 선택적으로 도관을 통한 일정한 흐름율을 허용하도록 구성된 도시된 바와 같은 흐름 제어기(64, 66)를 구비할 수 있다. 이러한 일정한 흐름 제어기는 상술한 바와 같이 가변 질량 유량 제어기보다 저렴하다.
2개의 가스 도관(58, 60)이 도 3에 도시되어 있지만, 전력 제어부(26)에 의해 제어된 선택된 흐름율을 제공하도록 2개 이상의 가스 도관이 제공되고 개별적으로 또는 조합되어 사용될 수 있다.
플라즈마 발생기(14)는 일 예에 있어서 도 4에 도시된 DC 플라즈마 토치에 의해 형성될 수 있다. 토치는 캐소드 구성체(1) 및 애노드 구성체(2)를 포함한다. 캐소드 구성체는 실질적으로 원통형 본체(1a) 및 버튼-타입 캐소드(1b)를 포함한다. 냉각된(예를 들면 수냉된) 캐소드 본체(1a)는 버튼 캐소드(1b)의 열전자 재료의 것보다 높은 열 전도성 및 작동 기능을 갖는 도전 금속으로 형성되며, 예를 들면 구리 캐소드 본체 및 하프늄 버튼 캐소드를 사용하는 것이 통상적이다. 애노드 구성체는 통상적으로 구리로 형성된 중공형 본체(2a)를 포함하며, 이 중공형 본체는 애노드 스로트(2b)와, 스로트(2b)를 향해 수렴되고 스로트(2b)에서 종단되는 내부 절두원추형 표면 부분(2c)을 추가로 포함한다. 조립될 때, 캐소드 구성체(1)는 구리 애노드(2) 내에 적어도 부분적으로 그리고 구리 애노드(2)와 동심으로 위치된다. 애노드(2)와 캐소드(1) 사이에 갭이 존재하며, 그로 인해 애노드(2)의 외부 표면과 캐소드 조립체(1)의 내부 표면 사이에 도관(3)이 형성되며, 이 도관을 통해 공급원 가스가 플라즈마를 발생시키기 위해 운반된다. 캐소드(1)는 절두원추형 부분(2c) 내에서 종단되며 상기 절두원추형 부분(2c) 내에 플라즈마 생성 영역(4)을 형성한다.

Claims (11)

  1. 배기 가스 스트림 처리 장치에 있어서,
    전력 공급원에 의해 에너지가 가해질 때 공급원 가스부터 플라즈마 플레어(plasma flare)를 발생시키는 DC 플라즈마 토치와,
    에너지가 가해지는 공급원 가스의 흐름율을 조절하기 위한 흐름 조절기와,
    상기 전력 공급원으로부터 공급되는 전류를 제어하기 위한 전류 제어부와;
    상기 흐름 조절기 및 상기 전류 제어부의 선택적인 제어에 의해 플라즈마 토치의 전력을 제어하도록 구성된 전력 제어부를 포함하고;
    상기 전력 제어부는 상기 흐름율을 조절함으로써 전력을 단계적으로 변화시켜서 복수의 전력 영역 사이에서 전환시키고, 전류를 제어함으로써 상기 전력 영역 내에서 전력을 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 토치는 처리를 위한 상이한 전력 양을 필요로 하는 복수의 배기 가스 스트림을 처리하도록 구성되며,
    상기 복수의 전력 영역은 필요한 전력의 각 상이한 양에 대응하도록 배치되는 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 토치는 전기 에너지의 소비를 감소시키기 위한 이상적인 모드에서 작동하도록 구성되며,
    상기 복수의 전력 영역 중 적어도 하나는 상기 이상적인 모드에서 상기 플라즈마 토치를 작동시키는데 필요한 전력에 대응하도록 배치되는 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    하나의 영역 내에서, 상기 토치의 전력 제어의 한계와 비교하여 전류를 제어함으로써 상대적으로 작은 양으로 전력이 변화 가능한 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 영역 사이의 전력의 단계적 변화는 상기 토치의 전력 제어의 한계와 비교하여 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 조절기는 질량 유동 제어기인 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 조절기는 공급원 가스의 상이한 흐름율이 통과하게 허용하도록 배치되는 복수의 가스 도관과, 상기 토치로의 흐름율을 조절하기 위해 선택된 하나 또는 그 이상의 가스 도관을 통해 흐르도록 공급원 가스를 안내하기 위한 흐름 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 흐름 스위치는 전력 제어부에 의해 작동을 위해 연결되며, 상기 전력 제어부는, 플라즈마 토치의 작동을 위해 요구되는 전력 영역에 따라서 선택된 하나 또는 그 이상의 가스 도관을 통해 공급원 가스가 운반되는 것을 제어하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 가스 스트림 처리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102508350B1 (ko) * 2022-08-29 2023-03-13 주식회사 원익홀딩스 가스 처리 장치
KR102508351B1 (ko) * 2022-08-29 2023-03-13 주식회사 원익홀딩스 가스 처리 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2534890A (en) * 2015-02-03 2016-08-10 Edwards Ltd Thermal plasma torch
GB2535528A (en) * 2015-02-23 2016-08-24 Edwards Ltd Apparatus for treating gas
GB2540992A (en) * 2015-08-04 2017-02-08 Edwards Ltd Control of gas flow and power supplied to a plasma torch in a multiple process chamber gas treatment system
GB2540994A (en) * 2015-08-04 2017-02-08 Edwards Ltd Control of power supplied to a plasma torch to compensate for changes at an electrode

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006224066A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Kanken Techno Co Ltd プラズマ除害機の制御方法および該方法を用いた装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613792B2 (ja) 1988-07-29 1997-05-28 株式会社トキメック 空気調和制御装置
JPH0240441U (ko) * 1988-09-10 1990-03-19
US5506384A (en) * 1994-04-21 1996-04-09 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Plasma arc cutting machine with variable constant current source and variable resistor
US6723091B2 (en) * 2000-02-22 2004-04-20 Gyrus Medical Limited Tissue resurfacing
US6620394B2 (en) 2001-06-15 2003-09-16 Han Sup Uhm Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch
NZ536529A (en) * 2002-05-08 2008-11-28 Edmund Kin On Lau Hazardous waste treatment method and apparatus for disposing of gas with a plasma arc
JP4570506B2 (ja) * 2005-04-20 2010-10-27 カンケンテクノ株式会社 プラズマ除害機および当該プラズマ除害機を用いた排ガス処理システム
US20070079892A1 (en) * 2005-10-10 2007-04-12 Cohen Joseph P Gas filling system
JP2007196160A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Taiyo Nippon Sanso Corp 排ガスの処理装置
JPWO2008068917A1 (ja) * 2006-12-01 2010-03-18 カンケンテクノ株式会社 半導体製造排ガスの除害装置
TW200829325A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Kanken Techno Co Ltd Apparatus and method for processing gas
EP2259823A1 (en) * 2008-03-31 2010-12-15 Nellcor Puritan Bennett LLC Ventilator based on a fluid equivalent of the "digital to analog voltage" concept
JP2010142749A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Kanken Techno Co Ltd ガス処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006224066A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Kanken Techno Co Ltd プラズマ除害機の制御方法および該方法を用いた装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102508350B1 (ko) * 2022-08-29 2023-03-13 주식회사 원익홀딩스 가스 처리 장치
KR102508351B1 (ko) * 2022-08-29 2023-03-13 주식회사 원익홀딩스 가스 처리 장치

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