JP5911507B2 - プラズマまたはオゾンの生成システム、及びプラズマまたはオゾンの生成方法 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- 電子発生チャンバーを有し、電子ビームを放射するように構成され、電子発生チャンバーの一端に隔壁を有する電子ビームエミッタと;
電子ビームを受ける隔壁に近接して配置され、ガスを流すための通路を有する反応チャンバーと;
反応チャンバー内に入力ガスを導入するための入力ガス源と;
を備え、
隔壁は、電子透過性材料からなり、電子ビームが通過する窓を有し、
電子発生チャンバーから物質が流出するのを防止するために、隔壁により電子発生チャンバーが密閉され、
隔壁は、電子発生チャンバーの外部で隔壁と反応チャンバーとの間に配置される第二の電子発生域を有し、
隔壁により差圧および真空度が維持され、
入力ガスが反応チャンバー内において第二の電子と反応することで、プラズマの状態またはオゾンが濃縮された状態の反応ガスを含む出力ガスが生成され、
出力ガスが、反応チャンバーからウエハー処理チャンバーへ送られる、
プラズマまたはオゾンの生成システム。 - さらに、反応チャンバー内において選択されたエネルギー分布を達成するために、電子ビームエミッタの電流および加速電圧を制御して電子ビームの特性を調整するための制御装置を備えた、請求項1に記載のプラズマまたはオゾンの生成システム。
- さらに、第二の電子発生域は、反応チャンバー内へ進む第二の電子ビームを放射するように構成された、請求項1に記載のプラズマまたはオゾンの生成システム。
- さらに、反応チャンバー内の温度を調整するように構成された冷却流路を備えた、請求項1に記載のプラズマまたはオゾンの生成システム。
- さらに、第二の電子発生域は、電子ビームの進路を遮断し、第二の電子を発生させるように配置された、請求項1に記載のプラズマまたはオゾンの生成システム。
- 電子発生チャンバーを有する電子ビームエミッタにより、電子発生チャンバーの一端に配置された隔壁を横切って電子ビームを放射する工程と;
入力ガス源により、電子ビームを受ける隔壁に近接して配置された反応チャンバーに入力ガスを導入し、反応チャンバー内において入力ガスを第二の電子と反応させて、プラズマまたは濃縮されたオゾンを含む出力ガスを生成する工程と;
出力ガスを反応チャンバーからウエハー処理チャンバーへ送る工程と;
を含み、
隔壁は、
電子透過性材料からなり、
電子ビームが通過する窓を有し、
物質が電子発生チャンバーから流出するのを防止するために電子発生チャンバーを密閉し、
電子発生チャンバーの外部で隔壁と反応チャンバーとの間に配置される第二の電子発生域を有し、
差圧および真空度を維持する、
プラズマまたはオゾンの生成方法。 - さらに、反応チャンバー内において選択されたエネルギー分布を達成するために、制御装置により、電子ビームエミッタの電流および加速電圧を制御して、電子ビームの特性を調整する工程を含む、請求項6に記載のプラズマまたはオゾンの生成方法。
- さらに、第二の電子発生域により、反応チャンバー内へ進む第二の電子ビームを放射する工程を含む、請求項6に記載のプラズマまたはオゾンの生成方法。
- 冷却流路により反応チャンバー内の温度を調整する工程を含む、請求項6に記載のプラズマまたはオゾンの生成方法。
- 第二の電子発生域により電子ビームの進路を遮断し、それにより第二の電子を発生させる工程を含む、請求項6に記載のプラズマまたはオゾンの生成方法。
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