JP2007043079A - プラズマ発生装置、プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置を提供する。
【選択図】図1
Description
少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、
前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、
前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、
前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。
少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有する第一の空間領域を大気よりも減圧する工程と、
前記第一の空間領域の内部に還元性を有さないガスを導入する工程と、
前記誘電体を介して前記第一の空間領域の外部から内部にマイクロ波を導入する工程と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域の内部に還元性ガスを導入する工程と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生方法が提供される。
前記プラズマ発生装置を備え、
前記第二の空間領域に連接する処理室を内部に形成する処理チャンバと、
前記処理室の内部に設けられ、被処理物を保持するための載置台と、
を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
図1は、本発明の実施の形態にかかる概略手順を例示するフローチャートである。
すなわち、本発明においては、第一の空間領域で、還元性を有さないガスのプラズマを発生させる(ステップS100)。次に、第一の空間領域の下流側に位置する第二の空間領域において、この還元性を有さないガスのプラズマにより生成された活性種やイオン、荷電粒子などのエネルギー粒子に、還元性ガスまたは還元性ガスを含むガスを導入することにより、還元性ガスの活性種やイオン、荷電粒子などのエネルギー粒子を生成する(ステップS110)。そして、このようにして生成した還元性ガスのエネルギー粒子を、例えば、被処理物であるウェーハ表面まで到達させ、還元性ガスの活性種やイオン、荷電粒子などのエネルギー粒子によりアッシングやエッチングなどの各種処理を行う(ステップS120)。この際に、荷電粒子による被処理物へのダメージを軽減するため、例えば、ケミカルドライエッチングのように活性種を主体とする処理をすることもできるし、還元性を有さないガスと還元性ガスの双方の活性種や荷電粒子で被処理物を処理することとしても良い。
また、図3は、比較例のプラズマ発生装置を例示する模式図である。
なお、図2、図3はケミカルドライエッチング装置(CDE装置)のプラズマ発生装置に関するものであるが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、後述するようにダウンフロー型プラズマ処理装置、平行平板型のプラズマ処理装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置(ECR)、表面波プラズマ処理装置(SWP)、誘導結合プラズマ処理装置(ICP)、プラズマCVD装置などの各種のプラズマ発生装置を有する処理装置のプラズマ発生装置部分にも適応が可能である。
図3は、比較例のプラズマ発生装置の断面構造を模式化したものである。
プラズマ発生装置10は、誘電体(例えば、石英やアルミナなど)からなる放電管13を備えている。そして、放電管13に対して直交するようにマイクロ波導波管12が接続されている。マイクロ波導波管12の放電管13に面する部分には、マイクロ波Mを放電管13に向けて放射するスロット18が設けられている。放電管13の一端には継手14が気密に取り付けられ、継手14には放電管13と連通するようにガス導入管15が取り付けられている。放電管13の他端にはガス輸送管17が連結部材16により気密になるよう取り付けられている。
ガス輸送管17の先に設けられた図示しない真空ポンプなどの排気手段により、放電管13内が所定の圧力まで減圧される。一方、放電管13内にはガス導入管15を介して、図示しないガス供給手段から還元性ガスを含むプロセスガスG3が導入される。また、マイクロ波導波管12に接続された図示しないマイクロ波発生手段より発生させたマイクロ波Mは、マイクロ波導波管12により放電管13の方向に導かれた後、スロット18から放電管13内に放射される。このようにして放射されたマイクロ波MによりプラズマPが発生し、還元性ガスを含んだプロセスガスG3が分解、活性化されて活性種やイオン、荷電粒子などが生成される。生成された活性種やイオン、荷電粒子などはガス輸送管17を通り図示しない処理室に送られ、処理室に載置されている被処理物の処理がおこなわれる。なお、本例のケミカルドライエッチングの場合は、寿命の短い荷電粒子などは輸送途中で消失する。そのため、寿命の長い活性種やイオンなどのみが処理室まで到達し、この活性種などにより被処理物の処理がおこなわれる。ここで、プロセスガスG3は、還元性ガス(例えば、H2)と還元性を有さないガス(例えば、He)との混合ガスである。ガス種と成分比はプロセス条件により適宜変更されるが、還元性ガスの混合割合が多いほど、後述の不具合が発生しやすい。
プラズマ発生装置の部材である放電管13には、SiO2(石英)やAl2O3(アルミナ)で代表される誘電体材料がよく用いられる。ここで、放電管13内で還元性ガス(例えば、H2)のプラズマを発生させるとSiO2(石英)は還元されてSi(シリコン)となるが、Siは導電性が高いため、導波管12を介して供給されるマイクロ波Mを遮断してしまう。つまり、マイクロ波Mが放電管13内に効率的に導入されず、高密度のプラズマPを生成することが困難となる。また、還元により形成されたSiと還元性ガスより生成した活性種(例えば、水素ラジカルなど)とが接触すると、失活を生じることも判明した。そのため、アッシングや成膜などに使われるべき活性種の量が減じ、これらの処理の効率が非常に低下することがわかった。特に、水素の活性種(水素ラジカル)の失活が著しいことも判明した。
プラズマ発生装置1の構成要素であるマイクロ波導波管2、放電管3、継手4、ガス導入管5、連結部材6、ガス輸送管7、スロット8は、それぞれ図3の対応する部分のものと同様なので説明は省略する。ガス輸送管7には、これに連通するように還元性ガスG1を導入するためのガス導入管9が接続されている。ガス輸送管7は活性種などの失活が少なく耐熱性、耐化学性に優れた材料(例えば、フッ素樹脂など)からなる。
ガス輸送管7の先に設けられた図示しない真空ポンプなどの排気手段により、放電管3内が所定の圧力まで減圧される。一方、放電管3内にはガス導入管5を介して、図示しないガス供給手段から還元性を有さないガスG2が導入される。また、マイクロ波導波管2に接続された図示しないマイクロ波発生手段より発生させたマイクロ波Mは、マイクロ波導波管2により放電管3の方向に導かれた後、スロット8から放電管3内に放射される。このようにして放射されたマイクロ波MによりプラズマPが発生し、還元性を有さないガスG2が分解、活性化されて活性種、イオン、荷電粒子などが生成される。生成された活性種、イオン、荷電粒子などは、ガス輸送管7に向かって送られる。このようにして送られてくる活性種、イオン、荷電粒子などに向けて、ガス導入管9から還元性ガスG1が図示しないガス供給手段により導入される。導入された還元性ガスG1は、還元性を有さないガスG2の活性種や荷電粒子の有するエネルギーにより分解、活性化され、還元性ガスG1の活性種、イオン、荷電粒子(例えば、水素ラジカル、水素イオンなど)が生成される。なお、ガス導入管9から導入される還元性ガスG1は、還元性ガス単体のみならず、還元性ガスと還元性を有さないガスとの混合ガスでも良い。
プラズマPが発生する範囲を制限する手段の一つとして、永久磁石や電磁石のような磁界発生手段20がある。磁界発生手段20の発生する磁界によりプラズマPは所定の位置に閉じこめられるので、その分、還元性ガスG1が導入される位置をマイクロ波Mの導入部に近づけることができる。また、放電管3内に金属製のメッシュ21を設けることにより、プラズマPが発生する範囲を所定の位置に閉じこめることもできる。
還元性ガスG1がプラズマPの発生する範囲に混入することを防止する観点からは、図4に例示した如く、ガス導入管9の導入方向がガス流の下流側に向くよう傾斜して取り付け、還元性ガスG1の流れが上流側のプラズマPが発生する範囲に逆流しにくくするようにしても良い。なお、図4には便宜上、磁界発生手段20とメッシュ21とを組み合わせた具体例を表したが、これらの手段は単独で用いても良く、また、適宜組み合わせて用いても良い。
図5は、本発明のプラズマ発生装置を用い半導体装置上のレジストをアッシングした場合のアッシングレートの変化を示したグラフ図である。
また、図6は、比較例のプラズマ発生装置を用い半導体装置上のレジストをアッシングした場合のアッシングレートの変化を示したグラフ図である。
これら双方とも、アッシングにはケミカルドライエッチング装置を用い、放電管の材質としては、SiO2(石英)およびAl2O3(アルミナ)を使用している。アッシングの条件としては、還元性を有さないガスとしてヘリウムを6650sccm、還元性ガスとして水素を350sccm、マイクロ波パワー1000W(ワット)、被処理物の載置台温度350℃としている。なお、前述したように比較例のプラズマ発生装置では、ヘリウムと水素とを混合ガスとして第一の空間領域に導入し、本発明のプラズマ発生装置ではヘリウムを第一の空間領域に、水素を第二の空間領域に別々に導入している。
図7〜図12は、本発明にかかるプラズマ処理装置の構成を例示する模式図である。
また、図13及び図14は、比較例のプラズマ処理装置を例示する模式図である。
図13は、比較例のプラズマ処理装置の第一の例であるケミカルドライエッチング装置(CDE装置)を例示する模式図である。このケミカルドライエッチング装置(CDE装置)は、処理チャンバ110と、この上部天井部分に連通するように接続されたガス輸送管17が設けられている。このガス輸送管17にはプラズマ発生装置10が接続されているが、プラズマ発生装置10は図3に示したものと同内容のものであるため、同符号を付し、説明は省略する。処理チャンバ110の底部には排気管170が接続されており、排気管170の他端には真空ポンプなどの排気手段180が接続されている。この排気手段180により処理チャンバ110内を排気するとともに、これに連通するガス輸送管17や放電管13をも排気し、所定の減圧雰囲気を維持する。処理チャンバ110の内部の処理室110aには、半導体ウェーハなどの被処理物Wを載置するための載置台160が設けられている。
本実施形態のプラズマ発生装置をダウンフロー型プラズマ処理装置に適用した場合、マイクロ波の導入方向、誘電体の形状、ガスの導入方向、ガス輸送管がないことなどが前述のケミカルドライエッチング装置(CDE装置)の場合と異なるが、基本構成としては同等である。図11に表したように、第一の空間領域であるプラズマPの発生領域には還元性を有さないガスG2が導入され、プラズマにより分解、活性化されて、還元性を有さないガスG2の活性種や荷電粒子が生成される。生成された還元性を有さないガスG2の活性種や荷電粒子は下降することにより第二の空間領域に送られ、導入管90から導入される還元性ガスG1を分解、活性化することにより還元性ガスG1の活性種や荷電粒子が生成される。このようにして生成された活性種や荷電粒子が被処理物W上に供給され、アッシングやエッチングなどの処理が行われる。このとき、第二の空間領域と被処理物Wの距離が所定以上であれば、寿命の短い荷電粒子は下降途中で消滅し、寿命の長い活性種のみが被処理物W上に供給されるので、荷電粒子によるダメージを軽減した処理をすることができる。
2 導波管
3 放電管
5 ガス導入管
9 ガス導入管
31 透過窓
40 導波管
9a ガス導入口
9b ガス導入口
110 処理チャンバ
160 載置台
A 活性種
B 荷電粒子
G1 還元性ガス
G2 還元性を有さないガス
G3 プロセスガス
M マイクロ波
P プラズマ
R 活性種、荷電粒子の少なくとも一方が存在する範囲
W 被処理物
Claims (7)
- 少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、
前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、
前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、
前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 前記第一の空間領域では、前記マイクロ波によりプラズマを発生させ、前記プラズマにより前記第一のガスを活性化させることによりエネルギー粒子を生成し、
前記第二の空間領域では、前記第一の空間領域で生成された前記エネルギー粒子により前記第二のガスを活性化させることを特徴とする請求項1記載のプラズマ発生装置。 - 前記第一の空間領域で生成された前記エネルギー粒子は、前記第1のガスから生成された活性種、イオン及び荷電粒子の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ発生装置。
- 少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有する第一の空間領域を大気よりも減圧する工程と、
前記第一の空間領域の内部に還元性を有さないガスを導入する工程と、
前記誘電体を介して前記第一の空間領域の外部から内部にマイクロ波を導入する工程と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域の内部に還元性ガスを導入する工程と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生方法。 - 前記マイクロ波を導入する工程において、前記マイクロ波によりプラズマを発生させ、前記プラズマにより前記還元性を有さないガスを活性化させることによりエネルギー粒子を生成し、
前記還元性ガスを導入する工程において、前記第一の空間領域で生成された前記エネルギー粒子により前記還元性ガスを活性化させること特徴とする請求項4記載のプラズマ発生方法。 - 前記第一の空間領域で生成された前記エネルギー粒子は、前記還元性を有さないガスから生成された活性種、イオン及び荷電粒子の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項4または5記載のプラズマ発生方法。
- 請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ発生装置を備え、
前記第二の空間領域に連通する処理室を内部に有する処理チャンバと、
前記処理室の内部に設けられ、被処理物を保持するための載置台と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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JP2006115030A JP2007043079A (ja) | 2005-06-29 | 2006-04-18 | プラズマ発生装置、プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置 |
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2006
- 2006-04-18 JP JP2006115030A patent/JP2007043079A/ja active Pending
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