JP4570506B2 - プラズマ除害機および当該プラズマ除害機を用いた排ガス処理システム - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマジェットを用いてＰＦＣｓ等を含む排ガスを除害するプラズマ除害機並びに当該除害機を用いた排ガス処理システムに関する。
半導体や液晶等の製造プロセスでは、クリーニングガスやエッチングガスなどとして様々な種類のフッ素化合物のガスが使用されている。このようなフッ素化合物は「ＰＦＣｓ等」と称されており、代表的なものとして、ＣＦ4,Ｃ2Ｆ6,Ｃ3Ｆ8,Ｃ4Ｆ8,Ｃ5Ｆ8などのパーフルオロカーボン、ＣＨＦ3などのハイドロフルオロカーボンおよびＳＦ6やＮＦ3などの無機含フッ素化合物等が挙げられる。
そして、半導体や液晶等の製造プロセスで使用された様々な種類のＰＦＣｓ等は、キャリアガスやパージガス等として使用されたＮ2やＡｒ或いは添加ガスとして使用されたＯ2，Ｈ2やＮＨ3,ＣＨ4などと共に排ガスとして排出される。
ここで、前記排ガスにおけるＰＦＣｓ等の占める割合はＮ2やＡｒなどの他のガスに比べてわずかではあるが、このＰＦＣｓ等は地球温暖化係数(ＧＷＰ)がＣＯ2に比べて数千〜数万倍と非常に大きく、大気寿命もＣＯ2に比べて数千〜数万年と長いことから、大気中へ少量排出した場合であっても、その影響は甚大なものとなる。さらに、ＣＦ4やＣ2Ｆ6を代表とするパーフルオロカーボンはＣ−Ｆ結合が安定であるため(結合エネルギーが１３０ｋｃａｌ／ｍｏｌと大きく)、分解が容易でないことが知られている。このため、使用済みとなったＰＦＣｓ等を排ガス中から除害する様々な技術の開発が行われている。
このような難分解性のＰＦＣs等を含むガス(以下、単に「排ガス」という。)を除害する技術として、図４に示すように、プラズマジェットトーチ１の電極１ａ，１ｂ間に作動ガスＧを送給すると共に、電極１ａ，１ｂ間に放電電圧を印加して反応筒２内にプラズマジェットＰを噴出させ、このプラズマジェットＰに向けて排ガスＦを供給して当該排ガスＦを熱分解するプラズマ除害機３が提案されている(例えば、特許文献１参照。)。
このプラズマジェットＰを用いたプラズマ除害機３では、作動ガスＧとして窒素ガスや水素ガスなどの二原子分子ガスを用いることにより、プラズマジェットＰの温度が概ね数千〜数万℃前後(この場合、プラズマジェットＰの雰囲気温度も数千℃となる)の超高温となり、ＰＦＣｓ等、とりわけパーフルオロカーボンなどの難分解性の排ガスＦを瞬時に熱分解して除害することができる。
特開２０００−３３４２９４号公報（第２図）
しかしながら、このようなプラズマ除害機３では、超高温のプラズマジェットＰによって難分解性の排ガスＦを除害することができるものの、処理すべき排ガスＦの量が増え、プラズマジェットＰに向けて供給される排ガスＦの流速が著しく上昇した場合には、プラズマジェットＰ内或いはその周囲に形成される高温領域での排ガスＦの滞留時間が短くなる。このため、分解に必要な熱エネルギーが十分に与えられないまま排ガスＦがプラズマジェットＰおよびこの周囲に形成される高温領域を通過するようになり、排ガスＦの一部が熱分解しないまま排出されるという問題があった。つまり、大流量の排ガスＦには対応できなかった。
また、かかるプラズマ除害機３では、超高温のプラズマジェットＰが多量の熱エネルギーを放出するが、当該熱エネルギーのうち排ガスＦの熱分解に寄与しているのは、排ガスＦがプラズマジェットＰおよびこの周囲に形成される高温領域を通過する際に与えられる極く一部であり、排ガスＦの分解に寄与しなかった大部分の熱エネルギーは廃熱となっていた。このため、パーフルオロカーボンなどの難分解性の排ガスＦを除害するには、プラズマジェットＰの周囲に形成される高温領域の温度(すなわち雰囲気温度)を１５００℃前後の高温にしなければならず、エネルギー消費量が増えて効率的でなくなるのと同時に、プラズマジェットトーチ１や反応筒２が比較的短期間のうちに熱劣化するようになるという問題があった。
それゆえに、本発明の主たる課題は、ＰＦＣｓ等を含む大流量の排ガスを確実に且つ効率的に除害できると共に、プラズマジェットの出力を低減することが可能なプラズマ除害機を提供することである。
請求項１に記載した発明は、「ノズルからなるアノード１２ｂおよびアノード１２ｂ内に配設されたカソード１２ｃを有するプラズマジェットトーチ１２と、アノード１２ｂとカソード１２ｃとの間に放電電圧を印加する電源ユニット１４と、アノード１２ｂ内に作動ガスＧを送給する作動ガス送給ユニット１６と、プラズマジェットトーチ１２のプラズマジェットＰ噴出側に取り付けられ、プラズマジェットＰおよびこのプラズマジェットＰに向けて供給される排ガスＦを囲繞し、その内部にて排ガスＦの熱分解を行なう反応筒１８とを具備するプラズマ除害機１０であって、反応筒１８が二重管で構成されており、その外管２２のプラズマジェットトーチ１２から最も離間した端部に排ガス導入口２６が設けられると共に、その内管２４のプラズマジェットトーチ１２に最も近接した端部にプラズマジェットＰへ向けて排ガスＦを吹き込む排ガス送給口２８が設けられており、更に、反応筒１８は、内部に噴出させたプラズマジェットＰの下流側先端に対応する位置に設けられた段部３０を介してプラズマジェットトーチ１２側が拡径した拡径部分Ｌを有しており、当該拡径部分Ｌの内面にキャスタブルからなる耐火壁３２が交換可能に取り付けられている」ことを特徴とするプラズマ除害機１０である。
この発明では、反応筒１８が二重管で構成されると共に、外管２２のプラズマジェットトーチ１２から最も離間した端部に排ガス導入口２６が設けられ、内管２４のプラズマジェットトーチ１２に最も近接した端部に排ガス送給口２８が設けられているので、排ガスＦは、外管２２と内管２４との間の空間ＳをプラズマジェットＰの下流側から上流側に向けて通流した後、プラズマジェットＰに送給される。このため、前記空間Ｓを通流する未処理の排ガスＦに内管２４を介して反応筒１８内部の熱が与えられるようになり、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦを予熱することができる。さらに、プラズマジェットＰによる排ガスＦの熱分解開始後においては、高温の処理済排ガスＦと低温の未処理排ガスＦとの間で熱交換が行なわれるようになり、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦの予熱と処理済排ガスＦの冷却とを同時に実行することができる。
そして、反応筒１８内面のプラズマジェットＰに対面する拡径部分Ｌにキャスタブルからなる耐火壁３２が設けられているので、プラズマジェットＰによる反応筒１８の熱劣化を防止して反応筒１８の耐久性を向上させることができる。また、反応筒１８の耐火壁３２よりも下流側では、高温の処理済排ガスＦと低温の未処理排ガスＦとの間で十分に熱交換することができる。さらに、反応筒１８に段部３０を設けることによって、外管２２と内管２４との間の空間Ｓを通流する排ガスＦの流れに乱流を生じさせ、前記空間Ｓでの滞留時間を長くとることができるので、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦをより効果的に予熱することができる。そして、耐火壁３２が交換可能に取り付けられているので、プラズマジェットＰの熱で耐火壁３２が熱劣化したとしても、この部分だけを交換すればよく、メンテナンス時の停止時間を短縮してプラズマ除害機１０の稼働率を向上させることができる。
請求項２に記載した発明は、「請求項１に記載のプラズマ除害機１０と、プラズマ除害機１０に導入する排ガスＦを予め水洗する入口スクラバ又はプラズマ除害機１０にて除害した排ガスＦを水洗する出口スクラバの少なくとも一方とを具備する」ことを特徴とする排ガス処理システムである。
この発明では、上述した各発明のプラズマ除害機１０に、入口スクラバ又は出口スクラバの少なくとも一方を加えて排ガス処理システムを構成するようにしているので、例えばプラズマ除害機１０に導入する排ガスＦを予め水洗して粉塵や水溶性成分を除去する入口スクラバを加えた場合には、排ガス通流路の目詰まり等を防止し、より安定してプラズマ除害機１０を連続運転でき、プラズマ除害機１０にて除害した排ガスＦを水洗して粉塵や水溶性成分を除去する出口スクラバを加えた場合には、除害後の排ガスＦの清浄度を向上させることができると共に、高温の処理済排ガスＦを冷却することができる。また、入口スクラバ及び出口スクラバの両方を加えた場合には、両スクラバの効果が発揮されることになる。
本発明によれば、反応筒が二重管で構成され、対向流式の熱交換器として機能しているので、プラズマジェットに送給する排ガスを十分に予熱することが可能であり、同時に熱分解後の高温の処理済排ガスを冷却することができる。また、反応筒内面のプラズマジェットに対面する拡径部分にキャスタブルからなる耐火壁が交換可能に設けられているので、プラズマジェットの熱で耐火壁が熱劣化したとしても、この部分だけを交換すればよく、メンテナンス時の停止時間を短縮してプラズマ除害機の稼働率を向上させることができる。
したがって、プラズマジェットの出力を低減できると共に、大流量の排ガスを確実に且つ効率的に熱分解して除害することができ、更に熱分解後の処理済排ガスの冷却負担を低減することが可能なプラズマ除害機を提供することができる。
以下、本発明を図示実施例に従って説明する。図１は本実施例のプラズマ除害機１０の概要を示した構成図である。この図が示すように、本実施例のプラズマ除害機１０は、大略、プラズマジェットトーチ１２、電源ユニット１４、作動ガス送給ユニット１６、反応筒１８などで構成されている。
プラズマジェットトーチ１２は、高温のプラズマジェットＰを生成するものであり、黄銅などの金属材料からなり上下両面が開口した短筒状のトーチボディ１２ａを有する。このトーチボディ１２ａの先端にはアノード１２ｂが連設されており、その内部には棒状のカソード１２ｃが取着されている。
アノード１２ｂは、銅またはタングステンなどの高い導電性を有する高融点金属で構成され、内部にプラズマ発生室１２ｄが凹設された円筒状のノズルである。このアノード１２ｂの下面中心部には前記プラズマ発生室１２ｄ内で生成したプラズマジェットＰを噴出させるプラズマジェット噴出孔１２ｅが貫設されており、アノード１２ｂ側面の上部には作動ガス送給口１２ｆが設けられている。
カソード１２ｃは、銅などの高い導電性を有する高融点金属からなる本体部と、トリウム或いはランタンを混入させたタングステンからなり先端に向けてその外径が紡錘状に縮径した先端部とで構成された棒状の部材である。このカソード１２ｃの先端部分は、アノード１２ｂ内に凹設されたプラズマ発生室１２ｄに配設されている。
なお、アノード１２ｂとカソード１２ｃとの間には、トーチボディ１２ａを介してこれらの間で通電(短絡)しないように四フッ化エチレン樹脂やセラミックなどの絶縁材料(図示せず)が介装されている。また、アノード１２ｂおよびカソード１２ｃの内部には、冷却水通流路(図示せず)が設けられており、これらの部材を冷却するようにしている。
そして、以上のように構成されたアノード１２ｂおよびカソード１２ｃには、所定の放電電圧を印加してアノード１２ｂとカソード１２ｃとの間にアークを生起する電源ユニット１４が接続されている。
電源ユニット１４は、上述したアノード１２ｂおよびカソード１２ｃに所定の放電電圧を印加してプラズマアークを生起させるものである。この電源ユニット１４としては、所謂スイッチング方式の直流電源装置が好適である。
作動ガス送給ユニット１６は、アノード１２ｂのプラズマ発生室１２ｄ内に窒素や水素或いはアルゴンなどの作動ガスＧを送給するものであり、作動ガスＧを貯蔵する貯蔵タンク１６ａと、この貯蔵タンク１６ａとアノード１２ｂに設けられた作動ガス送給口１２ｆとを連通する作動ガス送給配管１６ｂとを有する。
本実施例のプラズマ除害機１０では、前記作動ガス送給配管１６ｂに質量流量制御手段２０が取り付けられている。この質量流量制御手段２０は、作動ガス送給配管１６ｂを介してプラズマ発生室１２ｄ内に送給する作動ガスＧの量を制御するもので、具体的には、後述する温度検出手段３４の出力する流量設定信号に基づいてプラズマ発生室１２ｄ内に送給する作動ガスＧの量を制御するマスフローコントローラである。
反応筒１８は、外管２２および内管２４を備えた二重管で構成された本体１８ａを有する(図２参照)。この本体１８ａを構成する外管２２および内管２４は、ＳＵＳ３０４やハステロイなどの耐蝕性を有する金属材料で形成された直管型の部材であり、これらの長手方向両端部を互いに連結することによって外管２２と内管２４との間に所定の密閉空間Ｓが形成されている。なお、本体１８ａを構成する材料は、内管２４の内面と密閉空間Ｓとの間の熱伝導性を考慮した場合、上述したように金属材料が好適であるが、例えば、処理すべき排ガスＦの腐蝕性が極めて強く、耐蝕性の金属材料をも腐蝕するような場合には、本体１８ａをキャスタブルやセラミックなどの材料で構成するようにしてもよい。つまり、本体１８ａを構成する材料は金属材料に限定されるものではない。
また、外管２２の下部(すなわちプラズマジェットトーチ１２から最も離間した端部)には、半導体製造装置などから排出される排ガスＦを前記密閉空間Ｓに導入するための排ガス導入口２６が貫設されており、内管２４の上部(すなわちプラズマジェットトーチ１２に最も近接した端部)には、密閉空間Ｓ内に導入した排ガスＦをプラズマジェットＰに向けてスパイラル状に吹き込む複数の排ガス送給口２８が貫設されている(図３参照)。このため、排ガスＦは、外管２２と内管２４との間の空間Ｓを下から上(すなわちプラズマジェットＰの下流側から上流側)に向けて通流した後、プラズマジェットＰに送給されることとなる。
そして、本体１８ａには、内部に噴出させたプラズマジェットＰの下流側先端に対応する位置に段部３０が設けられており、当該段部３０より上側のプラズマジェットＰに対面する部分Ｌの径が拡大されると共に、当該拡径部分Ｌの内面には、キャスタブルからなり拡径部分Ｌの内径と略同等の外径を有する円筒状の耐火壁３２が交換可能に嵌挿されている。
この反応筒１８は上端がプラズマジェットトーチ１２のプラズマジェットＰ噴出側に連結されており、下端に設けられた開口１８ｂが反応筒１８内で分解処理した排ガスＦの排出端となっている。また、プラズマジェットＰ並びに排ガスＦを囲繞するこの反応筒１８では、その内部空間に、高温のプラズマジェットＰによって温められた高温領域が形成されることになる。そして、本実施例では、この反応筒１８に、反応筒１８内の温度を検出する温度検出手段３４が取り付けられている。
温度検出手段３４は、反応筒１８の内表面側と外表面側とを連通するようにして取り付けられた１乃至複数の長ニップル３６(本実施例の場合は１つ)の夫々に挿入され、反応筒１８の内面とプラズマジェットＰとの隙間(すなわち上述した高温領域)の温度を検出する熱電対３４ａと、配線Ｌ１を介して熱電対３４ａおよび質量流量制御手段２０に接続され、熱電対３４ａより入力される温度検出信号が予め設定する設定温度と一致するように質量流量制御手段２０に所定の信号(本実施例の場合は「流量設定信号」)を出力するコントローラ３４ｂとで構成されている。図１および図２に示す例では、熱電対３４ａで反応筒１８の内表面近傍の温度(すなわち高温領域のうちプラズマジェットＰの外縁から水平方向に最も離間し、且つ最も低温となる位置の温度)を検出するようにしているので、高温領域全体が難分解性のパーフルオロカーボンを容易に熱分解できる温度となるように制御することが可能である。
以上のように構成された本実施例のプラズマ除害機１０においては、入口スクラバ(図示せず)、又は、出口スクラバ(図示せず)の少なくとも一方を加えて排ガス処理システムを構成するようにしてもよい。このようなシステムを構成することによって、例えば、プラズマ除害機１０に導入する排ガスＦを予め水洗して粉塵や水溶性成分を除去する入口スクラバを加えた場合には、排ガス通流路の目詰まり等を防止し、より安定してプラズマ除害機１０を連続運転でき、逆に、プラズマ除害機１０にて除害した排ガスＦを水洗して粉塵や水溶性成分を除去する出口スクラバを加えた場合には、除害後の排ガスＦの清浄度を向上させることができると共に、高温の処理済排ガスＦを冷却することができる。そして、入口スクラバ及び出口スクラバの両方を加えた場合には、上述した両スクラバの効果が発揮されることになる。
次に、本実施例のプラズマ除害機１０を用いて排ガスＦを除害する際には、まず、図示しないプラズマ除害機１０の電源をオンにして、コントローラ３４ｂの設定温度をパーフルオロカーボンが容易に熱分解する所定の温度に設定した温度検出手段３４を作動させると共に、質量流量制御手段２０を作動させてプラズマ発生室１２ｄ内に作動ガスＧを送給する。
続いて、電源ユニット１４を作動させると共に、プラズマ除害機１０のプラズマジェット点火スイッチ(図示せず)をオンにしてプラズマジェットトーチ１２の電極１２ｂ，１２ｃ間に電圧を印加し、プラズマジェット噴出孔１２ｅからプラズマジェットＰを噴出させる。
そして、温度検出手段３４にて検出される反応筒１８内の温度が所定の設定温度に達すると、プラズマジェットＰを囲繞するようスパイラル状に排ガスＦが供給され、反応筒１８内で排ガスＦの除害が開始される。
ここで、本実施例によれば、反応筒１８が二重管で構成されると共に、外管２２の下部に排ガス導入口２６が設けられ、内管２４の上部に排ガス送給口２８が設けられているので、排ガスＦは、外管２２と内管２４との間の空間Ｓを下から上に向けて通流した後、プラズマジェットＰに送給される。この際、前記空間Ｓを通流する未処理の排ガスＦに内管２４を介して反応筒１８内部の熱が与えられるようになり、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦを予熱することができる。具体的には、反応筒１８内の設定温度を１１００℃〜１３００℃の範囲の所定温度とした場合、密閉空間Ｓを通過して排ガス送給口２８からプラズマジェットＰに向けて送給される排ガスＦの温度を、概ね８００〜１０００℃程度まで昇温させることができる。その結果、プラズマジェットＰに排ガスＦを送給する際には、すでに低温分解性の排ガスＦは分解されており、パーフルオロカーボンのような難分解性の排ガスＦにも十分な熱エネルギーが与えられている。このため、プラズマジェットＰの出力を低減して反応筒１８内の温度を１１００℃〜１３００℃の範囲に設定した場合であっても、難分解性の排ガスＦを十分に分解することができると共に、大流量の排ガスＦを処理することも可能となる。また、このようにプラズマジェットＰの出力を低減することによって、プラズマジェットトーチ１２や反応筒１８の熱劣化による損傷を遅延させることができる。
さらに、プラズマジェットＰによる排ガスＦの熱分解開始後においては、高温の処理済排ガスＦと低温の未処理排ガスＦとの間で熱交換が行なわれるようになり、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦの予熱と処理済排ガスＦの冷却とを同時に実行することができる。このため、処理済排ガスＦの冷却負担を低減することも可能となる。
そして、反応筒１８内面のプラズマジェットＰに対面する位置にキャスタブルからなる耐火壁３２が設けられているので、プラズマジェットＰによる反応筒１８の熱劣化を防止して反応筒１８の耐久性を向上させることができると共に、反応筒１８の耐火壁３２よりも下流側では、高温の処理済排ガスＦと低温の未処理排ガスＦとの間で十分に熱交換することができる。また、反応筒１８に段部３０を設けることによって、外管２２と内管２４との間の空間Ｓを通流する排ガスＦの流れに乱流を生じさせ、前記空間Ｓでの滞留時間を長くすることができるので、プラズマジェットＰに送給する排ガスＦをより効果的に予熱することができる。さらに、耐火壁３２が交換可能に取り付けられているので、プラズマジェットＰの熱で耐火壁３２が熱劣化したとしても、この部分だけを交換すればよく、メンテナンス時の停止時間を短縮してプラズマ除害機１０の稼働率を向上させることができる。
なお、上述の実施例では、反応筒１８の所定位置に段部３０を設け、当該段部３０より上方に耐火壁３２を設ける場合を示したが、このような段部３０を設けずに反応筒１８の本体１８ａをストレートな直管とし、その内周面全面或いは上方側のみに耐火壁３２を設けるようにしてもよい。但し、反応筒１８の内周面全面に耐火壁３２を設けた場合には、空間Ｓを通る未処理排ガスＦの予熱効果が低下するようになる。
また、上述の実施例では、図１および図２に示すように、プラズマジェットトーチ１２と反応筒１８とを上下に配設してプラズマジェットＰを垂直方向に噴出させる場合を示したが、プラズマジェットトーチ１２と反応筒１８とを水平方向に配設すると共に、プラズマジェットＰを水平方向に噴出させるようにしてもよい。
さらに、上述の実施例では、反応筒１８として二重管で構成されているものを示したが、反応筒１８を三重管以上の多重管（図示せず）とし、管壁を介して径方向にて互いに隣接する密閉空間を通流する排ガスＦどうしが向流し、且つ反応筒１８内に噴出させたプラズマジェットＰの噴出方向と反応筒１８内部に最も近い密閉空間を通流する排ガスＦの通流方向とが向流するようにしてもよい。つまり、反応筒１８の内部に最も近い二重管部分においてプラズマジェットＰの噴出方向と当該二重管部分の密閉空間を通流する排ガスＦの通流方向とが向流するようにしていれば、その外側を通流する排ガスＦの流路はいかなるものであってもよい。なお、上述したように三重管以上の多重管を用いれば、反応筒１８の管壁を通して外部へと放散される熱をより効果的に排ガスＦの予熱に利用することができる。また、反応筒１８を二重管で構成した場合であっても外管２２の外周を断熱材（図示せず）で囲繞することによって、反応筒１８を三重管以上の多重管で構成した場合と同様の作用・効果を奏することができる。
そして、上述の実施例では、温度検出手段３４の出力する信号を質量流量制御手段２０に与え、作動ガスＧの送給量を制御してプラズマジェットＰの出力を調節する場合を示したが、これに替えて作動ガスＧの送給量を一定にすると共に、新たに電力制御手段(図示せず)を設け、この電力制御手段に温度検出手段３４の出力する信号を与え、電力量を制御してプラズマジェットＰの出力を調節するようにしてもよい。
１０…プラズマ除害機
１２…プラズマジェットトーチ
１２ｂ…アノード(電極)
１２ｃ…カソード(電極)
１４…電源ユニット
１６…作動ガス送給ユニット
１８…反応筒
１８ａ…本体
２２…外管
２４…内管
２６…排ガス導入口
２８…排ガス送給口
３０…段部
３２…耐火壁
Ｐ…プラズマジェット
Ｆ…排ガス
Ｇ…作動ガス
Ｓ…(反応筒管壁内の)空間
１２…プラズマジェットトーチ
１２ｂ…アノード(電極)
１２ｃ…カソード(電極)
１４…電源ユニット
１６…作動ガス送給ユニット
１８…反応筒
１８ａ…本体
２２…外管
２４…内管
２６…排ガス導入口
２８…排ガス送給口
３０…段部
３２…耐火壁
Ｐ…プラズマジェット
Ｆ…排ガス
Ｇ…作動ガス
Ｓ…(反応筒管壁内の)空間
Claims (2)
- ノズルからなるアノードおよび前記アノード内に配設されたカソードを有するプラズマジェットトーチと、前記アノードと前記カソードとの間に放電電圧を印加する電源ユニットと、前記アノード内に作動ガスを送給する作動ガス送給ユニットと、前記プラズマジェットトーチのプラズマジェット噴出側に取り付けられ、プラズマジェットおよびこのプラズマジェットに向けて供給される排ガスを囲繞し、その内部にて前記排ガスの熱分解を行なう反応筒とを具備するプラズマ除害機であって、
前記反応筒が二重管で構成されており、その外管のプラズマジェットトーチから最も離間した端部に排ガス導入口が設けられると共に、その内管のプラズマジェットトーチに最も近接した端部にプラズマジェットへ向けて排ガスを吹き込む排ガス送給口が設けられており、
更に、前記反応筒は、内部に噴出させたプラズマジェットの下流側先端に対応する位置に設けられた段部を介してプラズマジェットトーチ側が拡径した拡径部分を有しており、当該拡径部分の内面にキャスタブルからなる耐火壁が交換可能に取り付けられていることを特徴とするプラズマ除害機。 - 請求項１に記載のプラズマ除害機と、前記プラズマ除害機に導入する排ガスを予め水洗する入口スクラバ又は前記プラズマ除害機にて除害した排ガスを水洗する出口スクラバの少なくとも一方とを具備することを特徴とする排ガス処理システム。
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