JPS58133817A - 廃棄物処理装置 - Google Patents
廃棄物処理装置Info
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- JPS58133817A JPS58133817A JP57015133A JP1513382A JPS58133817A JP S58133817 A JPS58133817 A JP S58133817A JP 57015133 A JP57015133 A JP 57015133A JP 1513382 A JP1513382 A JP 1513382A JP S58133817 A JPS58133817 A JP S58133817A
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- heating furnace
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Links
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- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は種々の廃棄物を悪臭を発生することなく焼却処
理する装置に関する。
理する装置に関する。
種々の産業廃棄物、特に病院や各種研究所から排出され
る有機性廃棄物は病原菌などが含まれていることもあり
、その性質上取り扱いに注意を要するものであり、また
焼却時に、は悪臭が発生し、公害問題となることがあっ
た。
る有機性廃棄物は病原菌などが含まれていることもあり
、その性質上取り扱いに注意を要するものであり、また
焼却時に、は悪臭が発生し、公害問題となることがあっ
た。
本発明は上記のような廃棄物を有害物質を残すことなく
完全に焼却し、排出ガスも無色、無実にし、しかも本体
＠置から有臭気体が洩れ出ることのない装置を提供しよ
うとするものであり、以下に図面を自照してこの発明の
一実施例を詳細に説明する。
完全に焼却し、排出ガスも無色、無実にし、しかも本体
＠置から有臭気体が洩れ出ることのない装置を提供しよ
うとするものであり、以下に図面を自照してこの発明の
一実施例を詳細に説明する。
第１図において、１は金属性の加熱炉であり、上部に被
処理物２を加熱炉内に挿入するための開閉可ｉな蓋体３
が設けられている。この蓋体３と加熱炉１本体との間に
は図示されていないが蓋体３の開閉状態を検出するセン
サと、加熱炉１の濃度が所定温度（例えば５０℃）以上
のとき蓋体３が＃ｌＩ放できないようにするためのイン
ターロック機構が設けられている。 加熱炉１の側壁に
は開口４が形成され、その開口４には導波管５の開放端
が固定されている。導波管５の他端部外壁には第１のマ
グネトロン６が固定され、そのマグネトロン６のアンテ
ナが導波管５内に突設されている。
処理物２を加熱炉内に挿入するための開閉可ｉな蓋体３
が設けられている。この蓋体３と加熱炉１本体との間に
は図示されていないが蓋体３の開閉状態を検出するセン
サと、加熱炉１の濃度が所定温度（例えば５０℃）以上
のとき蓋体３が＃ｌＩ放できないようにするためのイン
ターロック機構が設けられている。 加熱炉１の側壁に
は開口４が形成され、その開口４には導波管５の開放端
が固定されている。導波管５の他端部外壁には第１のマ
グネトロン６が固定され、そのマグネトロン６のアンテ
ナが導波管５内に突設されている。
マグネトロン６は電源回路を含む制御１ｉ１ｆ７に接続
されている。また、開口４には耐熱ガラス８が嵌められ
、被処理物２より発生したガス体が導波管５内に入るの
を防止している。
されている。また、開口４には耐熱ガラス８が嵌められ
、被処理物２より発生したガス体が導波管５内に入るの
を防止している。
前記加熱炉１の前記開口４の上方には送風口９が形成さ
れている。この送風口９の外側には送風管１０が固定さ
れている。送風管１０内にはブロア１１が配置され、こ
のブロア１１はモータ１２により回転駆動される。この
モータ１２は前記制御装置７に接続されて被処理物２の
処理状況に応じて可変速制御されている。前記送風口９
には第１のマグネトロン６により発生されたマイクロ波
が送風管１０を通って外部へ漏洩するのを防止するため
の金網１３が設けられている。また、送風口９の加熱炉
内側には風向板１４が配置され、ブロア１１による空気
流の方向を被処理物２に向けている。
れている。この送風口９の外側には送風管１０が固定さ
れている。送風管１０内にはブロア１１が配置され、こ
のブロア１１はモータ１２により回転駆動される。この
モータ１２は前記制御装置７に接続されて被処理物２の
処理状況に応じて可変速制御されている。前記送風口９
には第１のマグネトロン６により発生されたマイクロ波
が送風管１０を通って外部へ漏洩するのを防止するため
の金網１３が設けられている。また、送風口９の加熱炉
内側には風向板１４が配置され、ブロア１１による空気
流の方向を被処理物２に向けている。
加熱炉１の底壁には加熱炉１の温度を検出する温度セン
サ１５が配置され、その検出信号は前記制御袋［７に供
給されている。また、加熱炉１の前記送風口９と対抗す
る側壁には被処理物２より生成したガス体を排出する排
出口１６が形成されている。この排出口１６には生成し
たガス体をマイクロプラズマ発生装置１７へ案内する排
気管１８が連結されている。その排気管１８の排気口１
６近傍には生成したガス体の濃度を検出し、その検出信
号を前記制御袋［７に供給するガスセンサ１９が配置さ
れている。
サ１５が配置され、その検出信号は前記制御袋［７に供
給されている。また、加熱炉１の前記送風口９と対抗す
る側壁には被処理物２より生成したガス体を排出する排
出口１６が形成されている。この排出口１６には生成し
たガス体をマイクロプラズマ発生装置１７へ案内する排
気管１８が連結されている。その排気管１８の排気口１
６近傍には生成したガス体の濃度を検出し、その検出信
号を前記制御袋［７に供給するガスセンサ１９が配置さ
れている。
マイクロプラズマ発生装Ｗ１１７は下部に導波管２０を
その導波管２０の第１図において右端部外壁には第２の
マグネト０ン２１が固定され、イのマグネトロン２１の
アンテナが導波管２０内に突設されている。導波管２０
の他端部にはマグネトロン２１により発生されたマイク
ロ波を整合する整合部２２が形成されている。導波管２
０左端にはその導波管２０と連続するとともに上方へ延
びた垂直導波管２３が形成され、整合部２２から垂直導
波管２３ヘアンテナ３５が延びている。垂直導波管２３
の内面には一対のプラズマポスト２４がアンテナ３５に
近接して配置されている。プラズマポスト２４の一方は
図示しない強制プラズマ発生装置によりアンテナ３５に
接近し得るように構成されている。このプラズマポスト
２４は第２のマグネトロン２１がマイクロ波を発生した
とき、アンテナ３５からのマイクロ波放電を励起させ、
その電界内の気体を電離させてマイクロプラズマを発生
させるものである。また、導波管２０の下部には前記制
御袋＠７により駆動制御されるモータ２５に連結された
送風機２６が設けられており、外気を導波管２０内へ導
入するとともにその空気流によりアンテナ３５から発生
したプラズマを上方の反応筒２８内へ吹き上げてプラズ
マトーチ２７を生成させている。垂直導波管２３の外壁
にはプラズマポスト２４の上部位置にホトセンサ３４が
設けられている。このホトセンサ３４は透視窓を通して
プラズマの生成状態を検出して制御装置７にその検出信
号を供給するものである。
その導波管２０の第１図において右端部外壁には第２の
マグネト０ン２１が固定され、イのマグネトロン２１の
アンテナが導波管２０内に突設されている。導波管２０
の他端部にはマグネトロン２１により発生されたマイク
ロ波を整合する整合部２２が形成されている。導波管２
０左端にはその導波管２０と連続するとともに上方へ延
びた垂直導波管２３が形成され、整合部２２から垂直導
波管２３ヘアンテナ３５が延びている。垂直導波管２３
の内面には一対のプラズマポスト２４がアンテナ３５に
近接して配置されている。プラズマポスト２４の一方は
図示しない強制プラズマ発生装置によりアンテナ３５に
接近し得るように構成されている。このプラズマポスト
２４は第２のマグネトロン２１がマイクロ波を発生した
とき、アンテナ３５からのマイクロ波放電を励起させ、
その電界内の気体を電離させてマイクロプラズマを発生
させるものである。また、導波管２０の下部には前記制
御袋＠７により駆動制御されるモータ２５に連結された
送風機２６が設けられており、外気を導波管２０内へ導
入するとともにその空気流によりアンテナ３５から発生
したプラズマを上方の反応筒２８内へ吹き上げてプラズ
マトーチ２７を生成させている。垂直導波管２３の外壁
にはプラズマポスト２４の上部位置にホトセンサ３４が
設けられている。このホトセンサ３４は透視窓を通して
プラズマの生成状態を検出して制御装置７にその検出信
号を供給するものである。
マイクロプラズマ発生装＠１７はさらに、垂直導波管２
３の上部に反応筒２８とその反応筒２８を囲む外筒２９
とが配置されている。加熱炉１で生成された有臭気体を
含むガス体は反応筒２８と外筒２９との問を通って反応
筒２８下端から反応筒２８内へ導入される構成となって
いる。反応筒２８の上部には金網３０が配置され第１及
び第２のマグネト０ン６．２１からのマイクロ波が排気
筒３１を通って外部に漏洩するのを防止するとともに、
煤などが排出されるのを防止している。
３の上部に反応筒２８とその反応筒２８を囲む外筒２９
とが配置されている。加熱炉１で生成された有臭気体を
含むガス体は反応筒２８と外筒２９との問を通って反応
筒２８下端から反応筒２８内へ導入される構成となって
いる。反応筒２８の上部には金網３０が配置され第１及
び第２のマグネト０ン６．２１からのマイクロ波が排気
筒３１を通って外部に漏洩するのを防止するとともに、
煤などが排出されるのを防止している。
反応筒２８の上方に連結された排気筒３１には、その中
間部に排気装Ｗ１３２が設けられている。この排気＠＠
３２を駆動する排気用モータ３３は前記制御装置７によ
り制御されている。この排気装置３２はブロア１１より
も十分に大きな送風能力を有するものである。
間部に排気装Ｗ１３２が設けられている。この排気＠＠
３２を駆動する排気用モータ３３は前記制御装置７によ
り制御されている。この排気装置３２はブロア１１より
も十分に大きな送風能力を有するものである。
以上のような構成において、次にこの装置の動作を第２
図を参照して説明する。操作者はまず、蓋体３を開けて
加熱炉１内に被処理物２を投入して蓋体３を閉じ、つぎ
に、１ｌＪＩＩｌｉ！１７の運転スタ−トスイッチを投
入する。以後の処理は制御装置７により自動的に行なわ
れる。制御装置Ｆ７は蓋体３が閉じられていることを確
認するとインターロック機構を動作させて蓋体３を開放
できないようにする。つぎに、プラズマ発生回路を動作
させて第２のマグネトロン２１を発振させるとともに、
送風機２６を駆動する。それによってアンテナ３５から
発生したプラズマは送風機２６による空気流により反応
筒２８内にプラズマトーチ２７を生成させる。このプラ
ズマ発生装置１７の動作開始とともに、第１のマグネト
ロン６、ブロア１１及び排気装置３２が駆動される。
図を参照して説明する。操作者はまず、蓋体３を開けて
加熱炉１内に被処理物２を投入して蓋体３を閉じ、つぎ
に、１ｌＪＩＩｌｉ！１７の運転スタ−トスイッチを投
入する。以後の処理は制御装置７により自動的に行なわ
れる。制御装置Ｆ７は蓋体３が閉じられていることを確
認するとインターロック機構を動作させて蓋体３を開放
できないようにする。つぎに、プラズマ発生回路を動作
させて第２のマグネトロン２１を発振させるとともに、
送風機２６を駆動する。それによってアンテナ３５から
発生したプラズマは送風機２６による空気流により反応
筒２８内にプラズマトーチ２７を生成させる。このプラ
ズマ発生装置１７の動作開始とともに、第１のマグネト
ロン６、ブロア１１及び排気装置３２が駆動される。
加熱炉１内の被処理物２は第１のマグネトロン６による
マイクロ波エネルギーにより誘電加熱される。被処理物
２から発生する水蒸気や有機分子を含む有臭気体は主と
して排気装＠３２及びマイクロプラズマ発生装置１１７
の煙突効果により排気管１８を介して反応筒２８内へ導
入され、プラズマにより加熱されるとともに、プラズマ
により生成されたオゾンにより悪臭の原因となる有機分
子を解離、酸化させて無臭、無害な気体にしてから排気
筒３１から強制的に排気される。
マイクロ波エネルギーにより誘電加熱される。被処理物
２から発生する水蒸気や有機分子を含む有臭気体は主と
して排気装＠３２及びマイクロプラズマ発生装置１１７
の煙突効果により排気管１８を介して反応筒２８内へ導
入され、プラズマにより加熱されるとともに、プラズマ
により生成されたオゾンにより悪臭の原因となる有機分
子を解離、酸化させて無臭、無害な気体にしてから排気
筒３１から強制的に排気される。
運転中のプラズマはホトセンサ３４により常時監視され
、プラズマが消滅したときには、制御装置１７により第
１のマグネトロン６の発振が停止されるとともにブロア
１１及び排気装置１３２が停止卜される。それと同時に
強制プラズマ発生装置により可動側のプラズマボスト２
４をアンテナ３５に接近させて強制的にプラズマを生成
する。ホトセンサ３４によりプラズマの生成が確認され
ると再び第１のマグネトロン６等が作動再開し被処理物
２の処理が再開される。
、プラズマが消滅したときには、制御装置１７により第
１のマグネトロン６の発振が停止されるとともにブロア
１１及び排気装置１３２が停止卜される。それと同時に
強制プラズマ発生装置により可動側のプラズマボスト２
４をアンテナ３５に接近させて強制的にプラズマを生成
する。ホトセンサ３４によりプラズマの生成が確認され
ると再び第１のマグネトロン６等が作動再開し被処理物
２の処理が再開される。
被処理物２の誘電加熱処理が進行して被処理物２の水分
が少なくなってくると、被処理物２の温度は急激に１袢
し始め、発生する有臭気体も増加する。ガスセンサ１９
は発生するガスの濃度を検出し、発生するガス量が多く
なったとき制御装置７は第１のマグネトロン６を間欠運
転もしくは停」ｌ−Ｌ、、またブロア１１の回転速度を
遅くして有臭気体がプラズマ発生装置１１７の脱臭処理
能力以上に発生することを防止する。
が少なくなってくると、被処理物２の温度は急激に１袢
し始め、発生する有臭気体も増加する。ガスセンサ１９
は発生するガスの濃度を検出し、発生するガス量が多く
なったとき制御装置７は第１のマグネトロン６を間欠運
転もしくは停」ｌ−Ｌ、、またブロア１１の回転速度を
遅くして有臭気体がプラズマ発生装置１１７の脱臭処理
能力以上に発生することを防止する。
被処理物２が炭化するまでに処理が進むと有臭気体の発
生はほとんどなくなり、このとき加熱炉１内はほぼ５０
０℃程度まで加熱されている。炉１十部の温度センサ１
５により加熱炉内ｍ痩が５００℃になったことを検出す
ると制御装置７は第１、第２のマグネトロン６．２１の
発振を停止する。ブロア１１、送風機２６および排気装
置ｆ３２により加熱炉１及びマイクロプラズマ発生＠１
１１７が冷却され、温度センサ１５が加熱炉１の炉内１
ｍが５０℃まで下がったことを検出すると、ブロア１１
、送風機２６および排気装置３２の駆動が停止されると
ともにインターロック機構が解除される。従って蓋体３
が開放可能となるため、加熱炉１の底に残った滓を取り
出すことができる。
生はほとんどなくなり、このとき加熱炉１内はほぼ５０
０℃程度まで加熱されている。炉１十部の温度センサ１
５により加熱炉内ｍ痩が５００℃になったことを検出す
ると制御装置７は第１、第２のマグネトロン６．２１の
発振を停止する。ブロア１１、送風機２６および排気装
置ｆ３２により加熱炉１及びマイクロプラズマ発生＠１
１１７が冷却され、温度センサ１５が加熱炉１の炉内１
ｍが５０℃まで下がったことを検出すると、ブロア１１
、送風機２６および排気装置３２の駆動が停止されると
ともにインターロック機構が解除される。従って蓋体３
が開放可能となるため、加熱炉１の底に残った滓を取り
出すことができる。
以上詳述したように、この発明の廃棄物処理装置は被処
理物から発生する有臭気体を主として排気筒部に設けら
れた排気装置によりプラズマ発生装瞳内へ導入し、プラ
ズマによる脱臭処理後、排出する機構としたため、加熱
炉内及び加熱炉とマイクロプラズマ発生ｔｉｌＩｌとを
連接する排気管内が外気に対して負圧となるため、有臭
気体の通路中にある装置各部の継目から有臭気体が洩れ
出ることはない。
理物から発生する有臭気体を主として排気筒部に設けら
れた排気装置によりプラズマ発生装瞳内へ導入し、プラ
ズマによる脱臭処理後、排出する機構としたため、加熱
炉内及び加熱炉とマイクロプラズマ発生ｔｉｌＩｌとを
連接する排気管内が外気に対して負圧となるため、有臭
気体の通路中にある装置各部の継目から有臭気体が洩れ
出ることはない。
第１図はこの発明の一実′施例を示す縦断面図、第２図
はこの装置の処理過程を示すフローチャートである。図
中、１は加熱炉、６は第１のマグネトロン、７は制御装
置、１７はプラズマ発生装置、２１は第２のマグネトロ
ン、２７はプラズマトーチ、３２は排気装置である。 特許出願人
はこの装置の処理過程を示すフローチャートである。図
中、１は加熱炉、６は第１のマグネトロン、７は制御装
置、１７はプラズマ発生装置、２１は第２のマグネトロ
ン、２７はプラズマトーチ、３２は排気装置である。 特許出願人
Claims (1)
- １、加熱炉内に収納された被処理物にマイクロ波エネル
ギーを供給してその被処理物を加熱焼却し、その被処理
物から発生する有臭気体をマイクロプラズマ発生装置に
より生成されたプラズマ中に導入し、脱臭とともに、前
記プラズマ発生＠置土方に配置された排気装置により脱
臭気体を強制排気するようにしたことを特徴とする廃棄
物処理＠置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015133A JPS58133817A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 廃棄物処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015133A JPS58133817A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 廃棄物処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133817A true JPS58133817A (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=11880318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015133A Pending JPS58133817A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 廃棄物処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133817A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196128U (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-27 | 株式会社荏原製作所 | マイクロ波焼却炉におけるフイルタ装置 |
| JPS6294715A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-05-01 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理機 |
| JPS6294717A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-05-01 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理機 |
| JPS6294716A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-05-01 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理機 |
| JPS62218711A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 生ごみ処理装置 |
| JPS62218719A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理装置 |
| JPS62288410A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理装置 |
| JPS6349146U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-02 | ||
| JPS6380115A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-11 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理装置の運転方法 |
| JPS63247523A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | Matsushita Seiko Co Ltd | 厨芥処理装置 |
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| KR100510634B1 (ko) * | 1998-05-27 | 2005-10-24 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로파음식물쓰레기처리기 |
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