KR101945141B1 - 변성 아크릴 수지 경화물, 및 그 적층체, 그리고 이것들의 제조 방법 - Google Patents

변성 아크릴 수지 경화물, 및 그 적층체, 그리고 이것들의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은, 미끄럼성이 우수하고, 투명성도 우수한 변성 아크릴 수지 경화물, 특히, 변성 아크릴 수지막, 및 당해 변성 아크릴 수지막이 적층된 적층체를 제공하는 데 있다. 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어진다.

Description

변성 아크릴 수지 경화물, 및 그 적층체, 그리고 이것들의 제조 방법
본 발명은 미끄럼성이 우수하고, 투명성도 우수한 변성 아크릴 수지 경화물, 특히, 변성 아크릴 수지막, 및 당해 변성 아크릴 수지막이 적층된 적층체에 관한 것이다.
최근, 플라스틱 등의 유기 재료, 및 유리 등의 무기 재료로 형성되는 기재의 김서림, 오염에 대한 개선 요구가 높아지고 있다.
김서림의 문제를 해결하는 방법으로서, 반응성 계면 활성제, 아크릴계 올리고머를 포함하는 방담(防曇) 도료에 의해, 친수성, 흡수성을 향상시키는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 비특허문헌 1 참조). 또한, 오염의 문제를 해결하는 수단으로서, 재료 표면의 친수성을 향상시킴으로써, 외벽 등에 부착된 외기 소수성 물질 등의 오염을 살수 또는 강우에 의해 들뜨게 하여 제거하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 비특허문헌 2 및 3 참조).
또한, 기재의 표면에 가교 중합성 단량체 조성물을 도포해서 자외선 조사량을 컨트롤하여 불완전하게 중합한 가교 중합체를 형성시키고, 이어서 친수성 단량체를 도포해 다시 자외선을 조사함으로써 친수 단량체를 가교 중합체의 표면에 블록 또는 그래프트 중합시키는 친수성 재료가 제안되어 있다(특허문헌 1 및 특허문헌 2).
그러나, 상기한 단순히 기재 표면에 친수성 단량체를 블록 또는 그래프트 중합시키는 방법은, 친수성기가 표면 밖에는 존재하지 않지만 표면 에너지는 높기 때문에, 미끄러지기 어려워 마찰에 의해 용이하게 친수성이 절단·탈락되기 때문에, 단기간에 친수성이 저하되어서 김서림 방지성 및 오염 제거성(방오성)을 장기간 유지할 수 없다는 문제를 안고 있었다.
본 발명자들은, 상기 문제를 해결하는 수단으로서, 특정한 음이온성 친수기가 막 내부로부터 막 표면으로 경사져(편석되어), 표면 부근에 음이온성 친수기가 고농도로 존재하는 단층막을 앞서 제안하였다(특허문헌 3 및 특허문헌 4). 본 발명에 의해 얻어지는 막은, 내부에도 친수기를 갖는 성분 경사막이며, 내구성이 우수하고, 투명하며 친수성이 매우 높고, 방담성, 방오성, 대전 방지성, 속건성(부착수의 건조 속도가 빠른지 여부), 그리고 내약품성이 우수하고, 게다가 단단하여 내찰상성도 우수한 것이다.
일본 특허 공개 제2001-98007호 공보 일본 특허 공개 제2011-229734호 공보 국제 공개 제2007/064003호 공보 국제 공개 제2012/014829호 공보
도아 고세이 연구 연보, TREND 1999년 2월호, 39 내지 44페이지 고분자, 44(5), 307페이지 미래 재료, 2(1), 36-41페이지
상기 특허문헌 3에 기재된 막과 같이, 투명하며 친수성이 높고 내찰상성도 우수한 막은, 안경 렌즈 등의 광학 부품에 적용되는 경우, 오염물을 닦아내야 하는 경우가 있다. 그러한 막에는, 오염물을 원활하게 닦아낼 수 있도록 미끄럼성이 높을 것도 요구되는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 미끄럼성이 우수하고, 투명성도 우수한 변성 아크릴 수지 경화물, 특히, 변성 아크릴 수지막, 및 당해 변성 아크릴 수지막이 적층된 적층체를 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 검토를 거듭한 결과, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물의 표면을, 특정한 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로 처리함으로써, 높은 미끄럼성을 갖는 경화물, 특히 막을 제공할 수 있음을 알아내어, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 다음 [1] 내지 [14]에 관한 것이다.
[1] 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로,
아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[2]
상기 아미노 실리콘의 분자량이 100 내지 1,000,000인 상기 [1]에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[3]
상기 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 상기 [2]에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C);
일반식 (a1):
Figure 112017087260803-pct00001
(상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
일반식 (a2):
Figure 112017087260803-pct00002
(상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
일반식 (a3):
Figure 112017087260803-pct00003
(상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함).
[4]
수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A')
의 공존 하에서, 상기 표면 처리가 행해지는 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[5]
상기 화합물 (A)가 일반식 (A1) 내지 (A6)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C);
일반식 (A1):
Figure 112017087260803-pct00004
(상기 식 (A1) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A2):
Figure 112017087260803-pct00005
(상기 식 (A2) 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R끼리는 동일해도 되고 상이해도 됨. R16은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. n110은 1 내지 10의 정수를 나타냄);
일반식 (A3):
Figure 112017087260803-pct00006
(상기 식 (A3) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A4):
Figure 112017087260803-pct00007
(상기 식 (A4) 중, D2는 (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일티오기, (메트)아크릴아미드기, 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. a 및 b는 각각 독립적으로 1 또는 2의 정수를 나타내고, a+b=3을 만족함. a가 2일 경우, D2끼리, R끼리는 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. b가 2일 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A5):
Figure 112017087260803-pct00008
(상기 식 (A5) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. k는 0 내지 10의 정수, l 및 m은 독립적으로 1 내지 11의 정수를 나타냄. 단 k+l+m=6+2n임. n은 0 내지 3의 정수를 나타냄. l이 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, k가 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, m이 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨);
일반식 (A6):
Figure 112017087260803-pct00009
(상기 식 (A6) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. r은 0 내지 6의 정수, q 및 p는 독립적으로 1 내지 7의 정수를 나타내지만, p+q+r=8의 정수임. p가 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, r이 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, q가 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨).
[6]
일반식 (A1)로 표시되는 화합물이, 일반식 (A7)
Figure 112017087260803-pct00010
(상기 식 (A7) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴로일티오기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴아미드기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타냄. X는 산소 원자, 황 원자, -NH-, 및 -NCH3-을 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. v 및 y는, 독립적으로 0 내지 10의 정수를 나타내고, w는 0 또는 1을 나타냄(단, v 또는 y 중 어느 것이 0인 경우, w도 0임). x는 0 내지 10의 정수를 나타냄. v가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, y가 2 이상인 경우, R3끼리, R4끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. x가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 상이해도 됨)
로 표시되는 화합물인 상기 [5]에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[7]
변성 아크릴 수지막인, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[8]
상기 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)가,
음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)인
상기 [7]에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
[9]
기재와, 상기 [7] 또는 [8]에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C)를 포함하는 적층체.
[10]
하기 공정 (S1)을 포함하는, 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조 방법:
공정 (S1): 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로
처리하는 공정.
[11]
하기 공정 (S1)을 포함하는, 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조 방법:
공정 (S1): 음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)의, 당해 표면을,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로
처리하는 공정.
[12]
하기 공정 (S0) 및 (S1)을 포함하는, 기재와 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는 적층체의 제조 방법:
공정 (S0): 아크릴 수지막 (Xm)을 기재 상에 형성하는 공정;
공정 (S1): 상기 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로
처리함으로써, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 형성하는 공정.
[13]
하기 공정 (S0-1) 및 (S1-1)을 포함하는, 기재와 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는 적층체의 제조 방법:
공정 (S0-1): 음이온성 친수기를 갖고,
표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)을 기재 상에 형성하는 공정;
공정 (S1-1): 상기 아크릴 수지막 (Xm1)의, 상기 표면을,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로
처리함으로써, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 형성하는 공정.
[14]
상기 아크릴 수지막 (Xm1)이,
상기 적층체를 구성하는 기재와 접하고 있는 측과 반대측의 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 당해 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것인 상기 [13]에 기재된 적층체 제조 방법.
본 발명에 따르면, 미끄럼성이 우수하고, 투명성도 우수한 경화물, 특히 막을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 막을 기재 등에 적층하여 이루어지는 각종 적층체도 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 있어서의 시료 조제를 설명하기 위한 도면이다.
[변성 아크릴 수지 경화물 (C)]
본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 후술하는 화합물 (A)로, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어지는 경화물이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「경화물」이란 용어는, 연화 유동된 상태가 아니라, 고화되어 있는 상태에 있는 것을 말한다. 또한, 「경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어진다」라는 기재로부터 명백하듯이, 경화물 (X) 및 본 발명에 따른 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는, 모두 표면 및 어떠한 형상을 갖고 있다.
<아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)>
본 발명에 있어서, 후술하는 화합물 (A)에 의한 표면 처리에 제공되는 경화물은, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)(이하, 간단히 「경화물 (X)」라고 부르는 경우가 있음)이다. 즉, 본 발명에 있어서, 이 경화물 (X)는 본 발명에 따른 변성 아크릴 수지 경화물 (C)를 얻기 위한 바탕이 되는 것이다.
여기서, 본 발명에서 사용되는 경화물 (X)를 구성하는 아크릴 수지는, 특별히 한정은 되지 않고, 공지된 아크릴계 수지여도 된다. 단, 본 발명의 전형적인 형태에 있어서, 경화물 (X)를 구성하는 아크릴 수지로서, 음이온성 친수기를 갖는 구성 단위를 포함하는 것을 적합하게 사용할 수 있다. 여기서, 음이온성 친수기로서, 술포기, 카르복실기 또는 인산기로부터 선택되는 친수성의 관능기를 들 수 있고, 이들 중에서는, 표면의 친수성이 높아지는 술포기가 특히 바람직하다.
한편, 경화물 (X)의 형상에 대하여 보면, 경화물 (X)는 후술하는 화합물 (A)에 의한 표면 처리가 이루어지는 대상이 되는 점에서, 스스로, 그러한 표면 처리가 행해져야 할 적어도 하나의 표면을 갖게 된다. 그러한 한, 경화물 (X)의 구체적인 형상에는 특별히 한정은 없고, 막상이어도 되고, 판상이어도 되며, 또는, 덩어리 형상이어도 된다. 또한, 변성 아크릴 수지 경화물 (C)가, 경화물 (X)의 표면을 화합물 (A)로 처리함으로써 얻어지는 것을 고려하면, 경화물 (X)는, 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C)가 최종적인 성형물로서 가져야 할 형상을 갖고 있어도 된다. 단, 본 발명의 전형적인 형태에 있어서, 경화물 (X) 중 막상의 형상인 것이 적합하게 채용된다. 환언하면, 본 발명의 적합한 형태에 있어서, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)는 아크릴 수지로 이루어지는 막상의 경화물, 즉, 아크릴 수지막(이하, 「아크릴 수지막 (Xm)」)이다. 이것은, 경화물 (X)로부터 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C)가 본 발명의 적합한 형태에 있어서, 변성 아크릴 수지막, 환언하면, 구체적으로는 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을 화합물 (A)로 처리함으로써 얻어지는 변성 아크릴 수지막 (Cm)인 것을 의미한다. 이러한 변성 아크릴 수지 경화물 (C) 및 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 설명은 나중에 행한다.
여기서, 이러한 아크릴 수지막 (Xm)을 구성하는 아크릴 수지는, 음이온성 친수기를 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 된다. 또한, 아크릴 수지막 (Xm)에 있어서, 음이온성 친수기의 분포가 균일해도 되고, 편재되어 있어도 된다. 단, 본 발명에서 사용되는, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)로서의 아크릴 수지막 (Xm)은 음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)(이하, 「아크릴 수지막 (Xm1)」이라고도 부르는 경우가 있음)인 것이 특히 바람직하다.
이하, 이러한 「아크릴 수지막 (Xm1)」에 대하여 설명한다. 또한, 경화물 (X)가 될 수 있는 아크릴 수지막 (Xm) 중 「아크릴 수지막 (Xm1)」에 해당하지 않는 것에 대해서는, 후기 「아크릴 수지막 (Xm0)」의 항에서 후술한다.
≪아크릴 수지막 (Xm1)≫
본 발명에 있어서, 후술하는 화합물 (A)에 의한 표면 처리에 특히 적합하게 제공되는 경화물 (X)의 예로서, 음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에서는, 아크릴 수지막 (Xm1)을 「음이온성의 친수기가 경사진 막(경사막)」 또는 간단히 「경사막」이라고 하는 경우가 있다.
본 발명에 사용되는, 아크릴 수지막 (Xm1)의 음이온성 친수기는, TOF-SIMS에 의해 분석된다. 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것을 통상 이하와 같이 하여 나타낸다. 즉, 음이온 농도비(표면으로부터 막 두께의 1/2의 깊이 지점의 음이온 농도 Da에 대한 막 표면의 음이온 농도 Sa의 농도비) Sa/Da를 사용하여, Sa/Da가 1.0을 초과하는 경우에, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것으로 한다. 상기 Sa/Da를 음이온성 친수기의 경사도라고 하는 경우가 있다.
여기서, 아크릴 수지막 (Xm1)로서, 음이온성 친수기의 경사도(Sa/Da)가 1.1 이상인 아크릴 수지계의 친수성 경사막이 바람직하게 사용된다. 또한 아크릴 수지막 (Xm1)의 표면의 친수성은 높은 편이 바람직하고, 수접촉각으로 나타내면 30° 이하가 바람직하고, 20° 이하이면 보다 바람직하고, 10° 이하이면 더욱 바람직하다.
본 발명에 사용되는 아크릴 수지막 (Xm1)은 표면 및 표면 부근 내부에 음이온성 친수기가 고농도로 존재하고 있기 때문에, 친수성인 후술하는 화합물 (A)로 처리한 경우에, 친수성인 화합물 (A)와 친숙해지기 쉽고, 표면에서는 결손 없이 처리가 행해져서 많은 음이온성 친수기가 그래프트됨과 함께, 표면 부근의 막 내부까지 침투하여 처리되기 쉬워 막 내부까지 음이온성 친수기가 그래프트된다고 상정된다. 따라서, 타재료를 친수성인 화합물 (A)로 처리한 막에 비하여, 아크릴 수지막 (Xm1)을 화합물 (A)로 처리한 막 쪽이, 표면 및 표면 부근의 음이온성 친수기의 농도가 높아지기 쉽고, 이에 의해 보다 친수성이 비약적으로 높아짐과 함께, 표면이 다소 열화·분해되어도, 표면 부근 내부의 음이온성 친수기가 표면의 백업을 하기 때문에 친수성의 저하가 억제된다(내구성 향상)고 생각된다. 또한 친수성과 투명성 등의 물성과의 밸런스도 좋을 것으로 생각된다. 또한 화합물 (A)로부터 얻어진 부분과, 상기 아크릴 수지막 (Xm1)의 밀착성도 우수하다.
(아크릴 수지막 (Xm1)의 제조 방법)
본 발명에 사용되는 아크릴 수지막 (Xm1)은 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 구조, 즉, 표면에 음이온성 친수기를 경사지게 한 막 구조를 형성할 수 있는 적당한 방법을 사용하여 얻을 수 있다. 여기서, 본 발명에 있어서, 그러한 막 구조를 형성하기 위한 구체적인 방법에 특별히 한정은 없지만, 그 중 특히 적합한 것으로서, 예를 들어 하기에 나타내는 제1 방법 및 제2 방법을 들 수 있다.
이하에, 이 「제1 방법」 및 「제2 방법」, 그리고, 이들 방법에 의해 각각 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm1-1) 및 (Xm1-2)에 대하여 설명한다.
제1 방법 및 아크릴 수지막 (Xm1-1)
본 발명에 있어서, 아크릴 수지막 (Xm1)의 제조 방법으로서 적합하게 채용되는 제1 방법으로서, 용제의 증발을 이용하여 표면에 음이온성 친수기를 집중시키는 방법을 들 수 있다. 이 방법은, 가교 단량체와, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체와, 고극성 용제를 포함하는 혼합물과, 외계로 구성되는 기액계에 있어서, 고극성 용제가 외계를 향하여 증발할 때, 혼합물 내부에 있는 고극성 용제의 분자가 표면(외계와의 기액 계면)을 향하여 이동하는 것에 기초하고 있다. 그리고, 이 방법에 의하면, 고극성 용제에 부수되는 형태로, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체가 표면(외계와의 기액 계면)을 향하여 이동하고, 그 결과로서 표면에 있어서의 친수성 단량체의 농도가 높아진 혼합물을 중합(또는 가교)시킴으로써, 경사막이 얻어지는 것이다.
관점을 바꾸면, 본 발명에서 적합하게 채용되는 아크릴 수지막 (Xm1)의 하나로서,
가교 단량체와, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체와, 고극성 용제를 포함하는 혼합물을 기재에 도포하고, 당해 고극성 용제의 적어도 일부를 증발시켜, 그 후 얻어지는 혼합물을 중합함으로써 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm1-1)을 들 수 있게 된다.
이와 같이, 제1 방법은, 구체적으로는,
음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과, 가교 단량체 (II)와, 고극성 용제를 포함하는 혼합물을, 기재 표면에 도포하는 공정과,
도포한 혼합물로부터, 상기 고극성 용제의 적어도 일부를 증발시키는 공정과,
상기 증발에 의해 얻어진 혼합물을 중합하는 공정
을 포함하는 것이며, 이러한 제1 방법에 의해 아크릴 수지막 (Xm1-1)이 얻어지게 된다. 이러한 제조 방법의 구체적인 형태는, 특허문헌 3이나 4에 기재되어 있다.
·음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)
본 발명에 있어서 아크릴 수지막 (Xm1-1)을 얻기 위해 사용되는 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)은 아크릴 수지막 (Xm1-1)을 구성하는 친수성 구성 단위를 부여하는 것이다. 여기서, 「음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)」로서, 구체적으로는, 음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물이 사용된다.
「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」을 구성하는 음이온성 친수기로서는, 예를 들어 술폰산기, 카르복실기, 인산기, O-황산기(-O-SO3 -), 및 N-황산기(-NH-SO3 -) 등을 들 수 있다. 이들 음이온성 친수기 중에서도, 술폰산기, 카르복실기, 및 인산기가 바람직하다.
상기 음이온성 친수기는 염의 형태가 되어 「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」에 포함되어 있어도 된다.
따라서, 전형적으로는, 술폰산기는 하기 식 (α), 카르복실기는 하기 식 (β), 인산기는 하기 식 (γ1) 또는 (γ2)의 형태로 「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」에 포함되어 있으면 된다.
-SO3Z (α)
-COOZ (β)
-OP=O(OZ)2 (γ1)
(-O)2P=O(OZ)1 (γ2)
상기 식 (α) 내지 (γ2) 중, Z는, 수소 이온, 암모늄 이온, 알칼리 금속 이온, 및 1/2 원자의 알칼리 토류 금속으로부터 선택되는 적어도 하나의 1가 양이온이다.
또한, 「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」을 구성하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기로서는, 그 관능기가 라디칼 중합 또는 이온 중합 가능하면 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일티오기, 메타크릴로일티오기, 아크릴아미드기, 메타크릴아미드기, 알릴기, 비닐기, 이소프로페닐기, 말레일기(-CO-CH=CH-CO-), 이타코닐기(-CO-CH2-C(=CH2)-CO-), 및 스티릴기 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서 중, 아크릴로일과 메타크릴로일을 총칭해서 (메트)아크릴로일, 아크릴로일옥시와 메타크릴로일옥시를 총칭해서 (메트)아크릴로일옥시, 아크릴로일티오와 메타크릴로일티오를 총칭해서 (메트)아크릴로일티오, 아크릴아미드와 메타크릴아미드를 총칭해서 (메트)아크릴아미드라고 칭하기도 한다.
상기 「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 상기 「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」은, 공지된 방법, 또는 공지된 방법에 준하는 방법에 의해 제조된 것이어도 되고, 또는, 시판품으로서 입수할 수도 있다.
「음이온성 친수기와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 적어도 하나의 관능기를 갖는 화합물」의 구체예로서는, 특허문헌 3에 화합물 (I)로서 예시되어 있는 각종 화합물이나, 특허문헌 4에 화합물 (IV)로서 예시되어 있는 각종 화합물을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
·가교 단량체 (II)
본 발명에 있어서 아크릴 수지막 (Xm1-1)을 얻기 위하여 사용되는 가교 단량체 (II)는, 아크릴 수지막 (Xm1-1)의 골격을 이루는 구성 단위를 부여하는 것이다. 여기서, 「가교 단량체 (II)」로서, 구체적으로는, 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖지만 음이온성 친수기를 갖지 않는 다가 단량체가 사용된다. 이러한 다가 단량체를 구성하는 (메트)아크릴로일기를 갖는 관능기로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일티오기, 메타크릴로일티오기, 아크릴아미드기, 메타크릴아미드기를 들 수 있다.
상기 다가 단량체 중에서도, 1개 이상의 수산기와 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 에테르 결합 및 티오에테르 결합으로부터 선택되는 1개 이상의 결합과 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 1개 이상의 에스테르 결합(단, (메트)아크릴로일기와 직접 결합된 부분의 에스테르 결합을 제외함)과 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 지환족기 및 방향족기로부터 선택되는 1개 이상의 기와 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 1개 이상의 헤테로환과 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 바람직하다.
상기 다가 단량체는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 상기 다가 단량체는, 공지된 방법 또는 공지된 방법에 준하는 방법에 의해 제조된 것이어도 되고, 또는, 시판품으로서 입수할 수도 있다.
상기 다가 단량체의 구체예로서는, 특허문헌 3에 화합물 (II)로서 예시되어 있는 각종 화합물이나, 특허문헌 4에 화합물 (II)로서 예시되어 있는 각종 화합물을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과 가교 단량체 (II)의 비율은, 특허문헌 3 및 4의 기재를 바탕으로 적절히 설정할 수 있다.
·고극성 용제
본 발명에 있어서 고극성 용제는, 아크릴 수지막 (Xm1-1)을 제조할 때, 표면에 음이온성 친수기를 경사지게 한 막 구조를 형성시키기 위해 사용된다. 이러한 「고극성 용제」로서, 예를 들어 용해도 파라미터 σ(cal/㎤)가 9.3 이상, 바람직하게는 9.5 이상의 화합물을 함유하는 용제를 들 수 있다. 이러한 바람직한 용해도 파라미터의 범위에 있는 용제로서는, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 이소프로판올(IPA), 1-부탄올, 이소부탄올, 1-펜탄올(1-아밀알코올), 시클로헥산올; 시클로헥사논; 2-메톡시-1-프로판올(메톡시프로판올), 2-메톡시-1-에탄올(메톡시에탄올), 2-에톡시-1-에탄올(에톡시에탄올); DMF(N,N'-디메틸포름아미드); 아세토니트릴; 물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 용제가 2 이상의 화합물을 포함하는 혼합 용제일 경우에는, 적어도 그 하나가, 상기 용해도 파라미터의 조건을 만족하고 있으면 된다.
또한, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I) 및 가교 단량체 (II)에 대한 고극성 용제의 비율은, 특허문헌 4 등의 기재를 바탕으로 적절히 설정할 수 있다.
·그 밖의 성분
상기 제1 방법에서 사용되는 혼합물에는, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I), 상기 가교 단량체 (II) 및 상기 고극성 용매에 더하여, 또한 필요에 따라, 실리카 입자, 중합 개시제, 중합 촉진제, 자외선 흡수제, 힌더드 아민계 광안정제(HALS), 용제, 촉매, 적외선 흡수제, 라디칼 포착제, 내부 이형제, 산화 방지제,
중합 금지제, 색소, 바인더, 분산제, 레벨링제 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 또한, 가열에 의해 중합을 행하는 경우에는, 유기 과산화물 등의 열라디칼 발생제가 더 포함되어 있어도 되고, 방사선 조사에 의해 중합을 행하는 경우에는, 광 라디칼 중합 개시제 등의 광중합 개시제가 더 포함되어 있어도 된다.
상기 제1 방법에서는, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I), 상기 가교 단량체 (II) 및 상기 고극성 용매 등을 포함하는 혼합물을, 기재에 도포하는 공정이 행해진다.
이 도포에 제공되는 기재의 구체예로서, 예를 들어 후술하는 「기재」의 항에 기재되어 있는 것과 동일한 것을 들 수 있다.
도포의 방법 및 조건에 대해서는, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
또한, 계속되는 고극성 용매의 증발을 행하는 조건에 대해서도, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
상기 제1 방법에 의한 상기 아크릴 수지막 (Xm1-1)의 제조에 있어서, 중합은, 예를 들어 가열이나, 광 등의 방사선 조사 등에 의해 행할 수 있다. 중합을 행하는 구체적인 조건에 대해서는, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
제2 방법 및 아크릴 수지막 ( Xm1 -2)
본 발명에 있어서, 아크릴 수지막 (Xm1)의 제조 방법으로서 적합하게 채용되는 제2 방법으로서, 계면 활성제와 외계의 상호 작용을 이용하여 표면에 음이온성 친수기를 집중시키는 방법을 들 수 있다. 이 방법은, 외계를 구성하는 공기가 소수성을 갖는 것, 그리고, 가교 단량체와, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체와, 계면 활성제를 포함하는 혼합물과, 외계로 구성되는 기액계에 있어서, 소수성 부분이 외계측을 향하고 친수성 부분이 혼합물의 내측을 향하는 형태로 계면 활성제가 표면(외계와의 기액 계면)에 모이는 것에 기초하고 있다. 그리고, 이 방법에 의하면, 표면(외계와의 기액 계면)에 모인 계면 활성제의 친수성 부분에 끌려가는 형태로, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체가 표면을 향하여 이동하고, 그 결과로서 표면에 있어서의 친수성 단량체의 농도가 높아진 혼합물을 중합(또는 가교)시킴으로써, 경사막이 얻어지는 것이다.
관점을 바꾸면, 본 발명에서 적합하게 채용되는 또 하나의 아크릴 수지막 (Xm1)로서, 가교 단량체와, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체와, 계면 활성제를 포함하는 혼합물을 기재에 도포하고, 중합함으로써 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm1-2)를 들 수 있다.
이와 같이, 제2 방법은, 구체적으로는,
음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과, 가교 단량체 (II)와, 계면 활성제 (III)을 포함하는 혼합물을, 기재 표면에 도포하는 공정과,
도포한 혼합물을 중합하는 공정
을 포함하는 것이며, 이러한 제2 방법에 의해 아크릴 수지막 (Xm1-2)가 얻어지게 된다. 즉, 아크릴 수지막 (Xm1) 중, 이 제2 방법에 의해 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm1-2)에는, 중합 혼합물에 계면 활성제가 포함되는 결과로서, 계면 활성제 (III)이 포함되게 된다.
이 제2 방법에 의하면, 상기 제1 방법과는 상이하게, 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체를 표면에 모으는 것을 용제의 증발에 의지할 필요가 없다. 따라서, 이 방법을 실시하는 데 있어서, 용제의 사용을 필수로 하지 않아도 되고, 또한, 용제를 병용하는 경우에 있어서도, 가교 단량체 및 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 등을 용해할 수 있으면 반드시 고극성 용제가 아니어도 되며, 용제 선택의 폭이 넓어진다는 이점이 있다. 또한, 이 제2 방법에는, 아크릴 수지막 (Xm1)의 형성을 안정되게 행할 수 있다는 이점도 있다. 따라서, 본 발명에 있어서는, 아크릴 수지막 (Xm1) 중, 이 제2 방법에 의해 얻어지는 아크릴성 수지막, 즉, 상기 아크릴 수지막 (Xm1-2)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
여기서, 아크릴 수지막 (Xm1-2)를 얻기 위하여 사용되는 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I) 및 가교 단량체 (II)로서, 각각, 상기 제1 방법에서 사용되는 친수성 단량체 (I) 및 가교 단량체 (II)와 동일한 것을 들 수 있고, 그 사용 비율에 대해서도, 상기 제1 방법의 경우와 마찬가지로 할 수 있다.
·계면 활성제 (III)
본 발명에 있어서 계면 활성제 (III)은 아크릴 수지막 (Xm1-2)를 제조할 때, 표면에 음이온성 친수기를 경사지게 한 막 구조를 형성시키기 위해 사용된다. 이러한 「계면 활성제 (III)」으로서는, 하기 일반식 (300)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure 112017087260803-pct00011
상기 식 (300) 중, R은 탄소수 4 내지 100의 유기 잔기를 나타내고, FG는 음이온성 친수기, 양이온성 친수기, 및 수산기로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 포함하는 친수기를 나타내고, n은 FG에 결합하는 R의 수이며, 1 또는 2를 나타내고, n0은 R에 결합하는 FG의 수이며, 1 내지 5의 정수를 나타내고, FG가 수산기를 하나 포함하는 기인 경우에는 n0은 2 내지 5의 정수를 나타낸다.
상기 FG가 되는, 음이온성 친수기를 포함하는 기로서는, 예를 들어 하기 일반식 (301) 내지 (308)로 표시되는 친수기를 들 수 있다.
Figure 112017087260803-pct00012
상기 식 (301) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00013
상기 식 (302) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00014
상기 식 (303) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00015
상기 식 (304) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00016
상기 식 (305) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00017
상기 식 (306) 중, r5 및 r6은, 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 수산기를 나타내고, n50은 0 내지 5의 정수를 나타내고, X는, -O-, -S-, -NH-, 또는 -NCH3-을 나타내고, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00018
상기 식 (307) 중, X는, -O-, -S-, -NH-, 또는 -NCH3-을 나타내고, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00019
상기 식 (308) 중, M은 수소 원자, 알칼리 금속, 1/2 원자의 알칼리 토류 금속, 또는 암모늄 이온을 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
FG가 상기 일반식 (301)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 알킬술폰산계 계면 활성제, 알케닐술폰산계 계면 활성제(단, 그 계면 활성제에 포함되는 알케닐기는 중합성이 아님), 알킬아세트산 술폰산계 계면 활성제, N-아실화 술폰산계 계면 활성제, 히드록시알칸술폰산계 계면 활성제, 아릴술폰산계 계면 활성제, 술포숙신산 에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
알킬술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸술폰산 나트륨, 펜틸술폰산 나트륨, 헥실술폰산 나트륨, 헵틸술폰산 나트륨, 옥틸술폰산, 옥틸술폰산 나트륨, 옥틸술폰산 칼륨, 옥틸술폰산 암모늄, 옥틸술폰산 마그네슘, 옥틸술폰산 칼슘, 노닐술폰산, 노닐술폰산 나트륨, 노닐술폰산 칼륨, 노닐술폰산 암모늄, 노닐술폰산 마그네슘, 노닐술폰산 칼슘, 데실술폰산, 데실술폰산 나트륨, 데실술폰산 칼륨, 데실술폰산 암모늄, 데실술폰산 마그네슘, 데실술폰산 칼슘, 운데실술폰산 나트륨, 도데실술폰산, 도데실술폰산 나트륨, 도데실술폰산 칼륨, 도데실술폰산 암모늄, 도데실술폰산 마그네슘, 도데실술폰산 칼슘, 트리데실술폰산 나트륨, 테트라데실술폰산, 테트라데실술폰산 나트륨, 테트라데실술폰산 칼륨, 테트라데실술폰산 암모늄, 테트라데실술폰산 마그네슘, 테트라데실술폰산 칼슘, 펜타데실술폰산 나트륨, 헥사데실술폰산, 헥사데실술폰산 나트륨, 헥사데실술폰산 칼륨, 헥사데실술폰산 암모늄, 헥사데실술폰산 마그네슘, 헥사데실술폰산 칼슘, 헥사데실술폰산 나트륨, 헵타데실술폰산 나트륨, 옥타데실술폰산, 옥타데실술폰산 나트륨, 옥타데실술폰산 칼륨, 옥타데실술폰산 암모늄, 옥타데실술폰산 마그네슘, 옥타데실술폰산 칼슘, 노나데실술폰산 나트륨, 이코사닐술폰산 나트륨 등을 들 수 있다.
알케닐술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티닐술폰산, 헥시닐술폰산, 옥티닐술폰산, 데시닐술폰산, 도데시닐술폰산, 테트라데시닐술폰산, 헥사데시닐술폰산, 옥타데시닐술폰산, 이코사닐술폰산,
부티닐옥시술폰산, 헥시닐옥시술폰산, 옥티닐옥시술폰산, 데시닐옥시술폰산, 도데시닐옥시술폰산, 테트라데시닐옥시술폰산, 헥사데시닐옥시술폰산, 옥타데시닐옥시술폰산, 이코사닐옥시술폰산,
부티닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 헥시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 옥티닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 데시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 도데시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 테트라데시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 헥사데시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 옥타데시닐옥시-3-옥사펜틸술폰산, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸술폰산,
부티닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 헥시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 옥티닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산,
데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 도데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 테트라데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 헥사데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 옥타데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸술폰산,
부티닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 헥시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 옥티닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 도데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 테트라데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 헥사데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 옥타데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 이코사닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실술폰산, 및 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알킬아세트산 술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 α-술포아세트산 에틸·나트륨, α-술포아세트산 프로필·나트륨, α-술포아세트산 부틸, α-술포아세트산 부틸·나트륨, α-술포아세트산 부틸·칼륨염, α-술포아세트산 부틸·암모늄, α-술포아세트산 부틸·마그네슘, α-술포아세트산 부틸·칼슘, α-술포아세트산 펜틸, α-술포아세트산 펜틸·나트륨, α-술포아세트산 펜틸·칼륨염, α-술포아세트산 펜틸·암모늄, α-술포아세트산 펜틸·마그네슘, α-술포아세트산 펜틸·칼슘, α-술포아세트산 헥실, α-술포아세트산 헥실·나트륨, α-술포아세트산 헥실·칼륨염, α-술포아세트산 헥실·암모늄, α-술포아세트산 헥실·마그네슘, α-술포아세트산 헥실·칼슘, α-술포아세트산 헵틸, α-술포아세트산 헵틸·나트륨, α-술포아세트산 헵틸·칼륨염, α-술포아세트산 헵틸·암모늄, α-술포아세트산 헵틸·마그네슘, α-술포아세트산 헵틸·칼슘, α-술포아세트산 옥틸, α-술포아세트산 옥틸·나트륨, α-술포아세트산 옥틸·칼륨염, α-술포아세트산 옥틸·암모늄, α-술포아세트산 옥틸·마그네슘, α-술포아세트산 옥틸·칼슘, α-술포아세트산 노닐, α-술포아세트산 노닐·나트륨, α-술포아세트산 노닐·칼륨염, α-술포아세트산 노닐·암모늄, α-술포아세트산 노닐·마그네슘, α-술포아세트산 노닐·칼슘, α-술포아세트산 데실, α-술포아세트산 데실·나트륨, α-술포아세트산 데실·칼륨염, α-술포아세트산 데실·암모늄, α-술포아세트산 데실·마그네슘, α-술포아세트산 데실·칼슘, α-술포아세트산 도데실, α-술포아세트산 도데실·나트륨, α-술포아세트산 도데실·칼륨염, α-술포아세트산 도데실·암모늄, α-술포아세트산 도데실·마그네슘, α-술포아세트산 도데실·칼슘, α-술포아세트산 테트라데실, α-술포아세트산 테트라데실·나트륨, α-술포아세트산 테트라데실·칼륨염, α-술포아세트산 테트라데실·암모늄, α-술포아세트산 테트라데실·마그네슘, α-술포아세트산 테트라데실·칼슘, α-술포아세트산 헥사데실, α-술포아세트산 헥사데실·나트륨, α-술포아세트산 헥사데실·칼륨염, α-술포아세트산 헥사데실·암모늄, α-술포아세트산 헥사데실·마그네슘, α-술포아세트산 헥사데실·칼슘, α-술포아세트산 옥타데실, α-술포아세트산 옥타데실·나트륨, α-술포아세트산 옥타데실·칼륨염, α-술포아세트산 옥타데실·암모늄, α-술포아세트산 옥타데실·마그네슘, α-술포아세트산 옥타데실·칼슘, α-술포아세트산 이코실, α-술포아세트산 이코실·나트륨, α-술포아세트산 이코실·칼륨염, α-술포아세트산 이코실·암모늄, α-술포아세트산 이코실·마그네슘, α-술포아세트산 이코실·칼슘 등을 들 수 있다.
N-아실화 술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 2-헥실산 아미드-에탄술폰산, 2-옥틸산 아미드-에탄술폰산, 2-라우르산 아미드-에탄술폰산, 2-미리스트산 아미드-에탄술폰산, 2-팔미트산 아미드-에탄술폰산, 2-스테아르산 아미드-에탄술폰산, 2-올레산 아미드-에탄술폰산, 2-베헨산 아미드-에탄술폰산,
N-메틸-2-헥실산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-옥틸산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-라우르산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-미리스트산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-팔미트산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-스테아르산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-올레산 아미드-에탄술폰산, N-메틸-2-베헨산 아미드-에탄술폰산,
3-헥실산 아미드-프로판술폰산, 3-옥틸산 아미드-프로판술폰산, 3-라우르산 아미드-프로판술폰산, 3-미리스트산 아미드-프로판술폰산, 3-팔미트산 아미드-프로판술폰산, 3-스테아르산 아미드-프로판술폰산, 3-올레산 아미드-프로판술폰산, 3-베헨산 아미드-프로판술폰산, 및 그것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
히드록시알칸술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 2-히드록시부틸술폰산 나트륨, 2-히드록시펜틸술폰산 나트륨, 2-히드록시헥실술폰산 나트륨, 2-히드록시헵틸술폰산 나트륨, 2-히드록시옥틸술폰산 나트륨, 2-히드록시노닐술폰산 나트륨, 2-히드록시데실술폰산 나트륨, 2-히드록시운데실술폰산 나트륨, 2-히드록시도데실술폰산 나트륨, 2-히드록시트리데실술폰산 나트륨, 2-히드록시테트라데실술폰산 나트륨, 2-히드록시펜타데실술폰산 나트륨, 2-히드록시헥사데실술폰산 나트륨, 2-히드록시헵타데실술폰산 나트륨, 2-히드록시옥타데실술폰산, 2-히드록시옥타데실술폰산 나트륨, 2-히드록시옥타데실술폰산 칼륨, 2-히드록시옥타데실술폰산 암모늄, 2-히드록시옥타데실술폰산 마그네슘, 2-히드록시옥타데실술폰산 칼슘, 2-히드록시노나데실술폰산 나트륨, 2-히드록시이코사닐술폰산 나트륨,
3-히드록시부틸술폰산 나트륨, 3-히드록시펜틸술폰산 나트륨, 3-히드록시헥실술폰산 나트륨, 3-히드록시헵틸술폰산 나트륨, 3-히드록시옥틸술폰산 나트륨, 3-히드록시노닐술폰산 나트륨, 3-히드록시데실술폰산 나트륨, 3-히드록시운데실술폰산 나트륨, 3-히드록시도데실술폰산 나트륨, 3-히드록시트리데실술폰산 나트륨, 3-히드록시테트라데실술폰산 나트륨, 3-히드록시펜타데실술폰산 나트륨, 3-히드록시헥사데실술폰산 나트륨, 3-히드록시헵타데실술폰산 나트륨, 3-히드록시옥타데실술폰산, 3-히드록시옥타데실술폰산 나트륨, 3-히드록시옥타데실술폰산 칼륨, 3-히드록시옥타데실술폰산 암모늄, 3-히드록시옥타데실술폰산 마그네슘, 3-히드록시옥타데실술폰산 칼슘, 3-히드록시노나데실술폰산 나트륨, 3-히드록시이코사닐술폰산 나트륨,
4-히드록시부틸술폰산 나트륨, 4-히드록시펜틸술폰산 나트륨, 4-히드록시헥실술폰산 나트륨, 4-히드록시헵틸술폰산 나트륨, 4-히드록시옥틸술폰산 나트륨, 4-히드록시노닐술폰산 나트륨, 4-히드록시데실술폰산 나트륨, 4-히드록시운데실술폰산 나트륨, 4-히드록시도데실술폰산 나트륨, 4-히드록시트리데실술폰산 나트륨, 4-히드록시테트라데실술폰산 나트륨, 4-히드록시펜타데실술폰산 나트륨, 4-히드록시헥사데실술폰산 나트륨, 4-히드록시헵타데실술폰산 나트륨, 4-히드록시옥타데실술폰산, 4-히드록시옥타데실술폰산 나트륨, 4-히드록시옥타데실술폰산 칼륨, 4-히드록시옥타데실술폰산 암모늄, 4-히드록시옥타데실술폰산 마그네슘, 4-히드록시옥타데실술폰산 칼슘, 4-히드록시노나데실술폰산 나트륨, 4-히드록시이코사닐술폰산 나트륨 등을 들 수 있다.
아릴술폰산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 페닐술폰산 나트륨, 메틸벤젠술폰산 나트륨, 에틸벤젠술폰산 나트륨, 프로필벤젠술폰산 나트륨, 부틸벤젠술폰산 나트륨, 펜틸벤젠술폰산 나트륨, 헥실벤젠술폰산 나트륨, 헵틸벤젠술폰산 나트륨, 옥틸벤젠술폰산 나트륨, 노닐벤젠술폰산, 노닐벤젠술폰산 나트륨, 노닐벤젠술폰산 칼륨, 노닐벤젠술폰산 암모늄, 노닐벤젠술폰산 마그네슘, 노닐벤젠술폰산 칼슘, 데실벤젠술폰산 나트륨, 운데실벤젠술폰산 나트륨, 도데실벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산 나트륨, 도데실벤젠술폰산 칼륨, 도데실벤젠술폰산 암모늄, 도데실벤젠술폰산 마그네슘, 도데실벤젠술폰산 칼슘, 트리데실벤젠술폰산 나트륨, 테트라데실벤젠술폰산 나트륨, 펜타데실벤젠술폰산 나트륨, 헥사데실벤젠술폰산 나트륨, 헵타데실벤젠술폰산 나트륨, 옥타데실벤젠술폰산 나트륨, 노나데실벤젠술폰산 나트륨, 이코사닐벤젠술폰산 나트륨,
디(메틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(에틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(프로필)벤젠술폰산 나트륨, 디(부틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(펜틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(헥실)벤젠술폰산 나트륨, 디(헵틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(옥틸)벤젠술폰산 나트륨, 디(노닐)벤젠술폰산 나트륨, 디(데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(운데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(도데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(트리데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(테트라데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(펜타데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(헥사데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(헵타데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(옥타데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(노나데실)벤젠술폰산 나트륨, 디(이코사닐)벤젠술폰산 나트륨,
트리(메틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(에틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(프로필)벤젠술폰산 나트륨, 트리(부틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(펜틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(헥실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(헵틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(옥틸)벤젠술폰산 나트륨, 트리(노닐)벤젠술폰산 나트륨, 트리(데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(운데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(도데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(트리데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(테트라데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(펜타데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(헥사데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(헵타데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(옥타데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(노나데실)벤젠술폰산 나트륨, 트리(이코사닐)벤젠술폰산 나트륨,
나프탈렌술폰산 나트륨, 메틸나프탈렌술폰산 나트륨, 에틸나프탈렌술폰산 나트륨, 프로필나프탈렌술폰산 나트륨, 부틸나프탈렌술폰산 나트륨, 펜틸나프탈렌술폰산 나트륨, 헥실나프탈렌술폰산 나트륨, 헵틸나프탈렌술폰산 나트륨, 옥틸나프탈렌술폰산 나트륨, 노닐나프탈렌술폰산 나트륨, 데실나프탈렌술폰산 나트륨, 운데실나프탈렌술폰산 나트륨, 도데실나프탈렌술폰산 나트륨, 트리데실나프탈렌술폰산 나트륨, 테트라데실나프탈렌술폰산 나트륨, 펜타데실나프탈렌술폰산 나트륨, 헥사데실나프탈렌술폰산 나트륨, 헵타데실나프탈렌술폰산 나트륨, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산), 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 나트륨, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 칼륨, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 암모늄, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 마그네슘, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 칼슘, 노나데실나프탈렌술폰산 나트륨, 이코사닐나프탈렌술폰산 나트륨,
디(메틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(에틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(프로필)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(부틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(펜틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(헥실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(헵틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(옥틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(노닐)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(운데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(도데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(트리데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(테트라데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(펜타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(헥사데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(헵타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(옥타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(노나데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 디(이코사닐)나프탈렌술폰산 나트륨,
트리(메틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(에틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(프로필)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(부틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(펜틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(헥실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(헵틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(옥틸)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(노닐)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(운데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(도데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(트리데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(테트라데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(펜타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(헥사데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(헵타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(옥타데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(노나데실)나프탈렌술폰산 나트륨, 트리(이코사닐)나프탈렌술폰산 나트륨,
나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 메틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 에틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 프로필나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 부틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 펜틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 헥실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 헵틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 옥틸나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 노닐나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 운데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 도데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 테트라데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 펜타데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 헥사데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 헵타데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 나트륨포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 칼륨포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 암모늄포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 마그네슘포르말린 축합물, 옥타데실나프탈렌술폰산(스테아릴나프탈렌술폰산) 칼슘포르말린 축합물, 노나데실나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 이코사닐나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물,
디(메틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(에틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(프로필)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(부틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(펜틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(헥실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(헵틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(옥틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(노닐)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(운데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(도데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(트리데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(테트라데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(펜타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(헥사데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(헵타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(옥타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(노나데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 디(이코사닐)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물,
트리(메틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(에틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(프로필)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(부틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(펜틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(헥실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(헵틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(옥틸)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(노닐)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(운데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(도데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(트리데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(테트라데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(펜타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(헥사데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(헵타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(옥타데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(노나데실)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물, 트리(이코사닐)나프탈렌술폰산 나트륨포르말린 축합물,
디페닐에테르술폰산 나트륨, 메틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 에틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 프로필디페닐에테르술폰산 나트륨, 부틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 펜틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 헥실디페닐에테르술폰산 나트륨, 헵틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 옥틸디페닐에테르술폰산 나트륨, 노닐디페닐에테르술폰산, 노닐디페닐에테르술폰산 나트륨, 노닐디페닐에테르술폰산 칼륨, 노닐디페닐에테르술폰산 암모늄, 노닐디페닐에테르술폰산 마그네슘, 노닐디페닐에테르술폰산 칼슘, 데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 운데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 도데실디페닐에테르술폰산, 도데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 도데실디페닐에테르술폰산 칼륨, 도데실디페닐에테르술폰산 암모늄, 도데실디페닐에테르술폰산 마그네슘, 도데실디페닐에테르술폰산 칼슘, 트리데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 테트라데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 펜타데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 헥사데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 헵타데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 옥타데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 노나데실디페닐에테르술폰산 나트륨, 이코사닐디페닐에테르술폰산 나트륨,
디페닐에테르디술폰산 나트륨, 메틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 에틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 프로필디페닐에테르디술폰산 나트륨, 부틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 펜틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 헥실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 헵틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 옥틸디페닐에테르디술폰산 나트륨, 노닐디페닐에테르디술폰산, 노닐디페닐에테르디술폰산 나트륨, 노닐디페닐에테르디술폰산 칼륨, 노닐디페닐에테르디술폰산 암모늄, 노닐디페닐에테르디술폰산 마그네슘, 노닐디페닐에테르디술폰산 칼슘, 데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 운데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 도데실디페닐에테르디술폰산, 도데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 도데실디페닐에테르디술폰산 칼륨, 도데실디페닐에테르디술폰산 암모늄, 도데실디페닐에테르디술폰산 마그네슘, 도데실디페닐에테르디술폰산 칼슘, 트리데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 테트라데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 펜타데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 헥사데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 헵타데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 옥타데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 노나데실디페닐에테르디술폰산 나트륨, 이코사닐디페닐에테르디술폰산 나트륨 등을 들 수 있다.
술포숙신산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 모노(메틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(프로필)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(부틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(펜틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헥실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헵틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(옥틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, (노닐)술포숙신산 에스테르, 모노(노닐)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(노닐)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(노닐)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(노닐)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(노닐)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(운데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(도데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(트리데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(테트라데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(펜타데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(헥사데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(헵타데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 모노(옥타데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(노나데실)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(이코사닐)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(벤질)술포숙신산 에스테르·디나트륨,
모노(부톡시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헥실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥틸옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(노닐옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(운데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(도데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(트리데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(테트라데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(펜타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헥사데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(헵타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·칼륨, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디칼륨, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·암모늄, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디암모늄, 모노(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, 모노(노나데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨, 모노(이코사놀옥시에틸)술포숙신산 에스테르·디나트륨,
디(메틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(프로필)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(부틸)술포숙신산 에스테르, 디(부틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(부틸)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(부틸)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(부틸)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(부틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(펜틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헥실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헵틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(옥틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, (노닐)술포숙신산 에스테르, 디(노닐)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(노닐)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(노닐)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(노닐)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(노닐)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(운데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(도데실)술포숙신산 에스테르, 디(도데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(도데실)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(도데실)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(도데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(도데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(트리데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(테트라데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(펜타데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(헥사데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(헵타데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(옥타데실)술포숙신산 에스테르·칼슘, 디(노나데실)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(이코사닐)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디벤질술포숙신산 에스테르·나트륨,
디(부톡시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헥실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥틸옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(노닐옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(운데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(도데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(트리데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(테트라데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(펜타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(헥사데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·칼륨, 디(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·암모늄, 디(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·마그네슘, 디(옥타데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·칼슘, (노나데실옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨, (이코사놀옥시에틸)술포숙신산 에스테르·나트륨 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (301)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다. 또한, 상기 계면 활성제 중에서는, 술포숙신산 에스테르계 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (302)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 알코올 황산 에스테르 염계 계면 활성제, 아릴 황산 에스테르 염계 계면 활성제, 알케닐 황산 염계 계면 활성제(단, 그 계면 활성제에 포함되는 알케닐기는 중합성이 아님) 등을 들 수 있다.
알코올 황산 에스테르 염계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸 황산 에스테르·나트륨, 펜틸 황산 에스테르·나트륨, 헥실 황산 에스테르·나트륨, 헵틸 황산 에스테르·나트륨, 옥틸 황산 에스테르·나트륨, 노닐 황산 에스테르·나트륨, 데실 황산 에스테르·나트륨, 운데실 황산 에스테르·나트륨, 도데실 황산 에스테르·트리에탄올아민염, 도데실 황산 에스테르·암모늄, 도데실 황산 에스테르·나트륨, 도데실 황산 에스테르·칼륨, 도데실 황산 에스테르·마그네슘, 도데실 황산 에스테르·칼슘, 트리데실 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실 황산 에스테르·나트륨, 노나데실 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐 황산 에스테르·나트륨,
3-라우르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-라우르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-라우르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-라우르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-라우르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
3-미리스트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-미리스트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-미리스트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-미리스트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-미리스트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
3-팔미트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-팔미트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-팔미트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-팔미트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-팔미트산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
3-스테아르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-스테아르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-스테아르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-스테아르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-스테아르산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
3-올레산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-올레산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-올레산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-올레산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-올레산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
3-베헨산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·나트륨, 3-베헨산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼륨, 3-베헨산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·암모늄, 3-베헨산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·마그네슘, 3-베헨산-2-히드록시-프로필 황산 에스테르·칼슘,
에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
디에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 디에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 디에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 디에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 디에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
트리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 트리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 트리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 트리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 트리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
테트라에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 테트라에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 테트라에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 테트라에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 테트라에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
폴리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 폴리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 폴리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 폴리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 폴리에틸렌글리콜모노(옥틸페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
디에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 디에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 디에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 디에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 디에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
트리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 트리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 트리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 트리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 트리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
테트라에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 테트라에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 테트라에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 테트라에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 테트라에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
폴리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·나트륨, 폴리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼륨, 폴리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·암모늄, 폴리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·마그네슘, 폴리에틸렌글리콜모노(노닐페닐)에테르 황산 에스테르·칼슘,
부틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 이소부틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, t-부틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 펜틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 헥실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 헵틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 옥틸옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 노닐옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 운데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)트리에탄올아민, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)나트륨, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)칼륨, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)암모늄, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)마그네슘, 도데실옥시에틸 황산 에스테르·(라우릴옥시에틸 황산 에스테르·)칼슘, 트리데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 노나데실옥시에틸 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐옥시에틸 황산 에스테르·나트륨,
부틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 이소부틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, t-부틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 펜틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 헥실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 헵틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 옥틸옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 노닐옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 운데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르), 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르·)나트륨, 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르·)칼륨, 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르·)암모늄, 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르·)마그네슘, 도데실옥시프로필-2-황산 에스테르·(라우릴옥시프로필-2-황산 에스테르·)칼슘, 트리데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 테트라데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 펜타데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 헥사데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 헵타데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 옥타데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 노나데실옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨, 이코사닐옥시프로필-2-황산 에스테르·나트륨,
부틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 이소부틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, t-부틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 펜틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 헥실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 헵틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 옥틸옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 노닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 운데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)트리에탄올아민, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)나트륨, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)칼륨, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)암모늄, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)마그네슘, 도데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·)칼슘, 트리데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 노나데실옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르·나트륨,
부틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 이소부틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, t-부틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 펜틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 헥실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 헵틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 옥틸옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 노닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 운데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·), 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·)나트륨, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·)칼륨, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·)암모늄, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·)마그네슘, 트리데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 노나데실옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르·나트륨 등을 들 수 있다.
아릴 황산 에스테르 염계 계면 활성제로서는, 예를 들어 페닐 황산 에스테르·나트륨, 메틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 에틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 프로필벤젠 황산 에스테르·나트륨, 부틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 펜틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 헥실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 헵틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 옥틸벤젠 황산 에스테르·나트륨, 노닐벤젠 황산 에스테르·나트륨, 데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 운데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 도데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 노나데실벤젠 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐벤젠 황산 에스테르·나트륨, 7-에틸-2-메틸-운데칸-4-황산 에스테르·나트륨,
디(메틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(에틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(프로필)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(부틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(펜틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(헥실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(헵틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(옥틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(노닐)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(운데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(도데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(트리데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(테트라데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(펜타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(헥사데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(헵타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(노나데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 디(이코사닐)벤젠 황산 에스테르·나트륨,
트리(메틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(에틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(프로필)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(부틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(펜틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(헥실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(헵틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(옥틸)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(노닐)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(운데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(도데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(트리데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(테트라데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(펜타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(헥사데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(헵타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(옥타데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(노나데실)벤젠 황산 에스테르·나트륨, 트리(이코사닐)벤젠 황산 에스테르·나트륨,
나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 메틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 에틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 프로필나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 부틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 펜틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 헥실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 헵틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 옥틸나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 노닐나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 운데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 도데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 테트라데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 펜타데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 헥사데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 헵타데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 옥타데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 노나데실나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 이코사닐나프탈렌 황산 에스테르·나트륨,
디(메틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(에틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(프로필)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(부틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(펜틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(헥실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(헵틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(옥틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(노닐)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(운데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(도데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(트리데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(테트라데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(펜타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(헥사데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(헵타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(옥타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(노나데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 디(이코사닐)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨,
트리(메틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(에틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(프로필)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(부틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(펜틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(헥실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(헵틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(옥틸)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(노닐)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(운데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(도데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(트리데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(테트라데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(펜타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(헥사데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(헵타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(옥타데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(노나데실)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨, 트리(이코사닐)나프탈렌 황산 에스테르·나트륨 등을 들 수 있다.
알케닐 황산염계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티닐 황산 에스테르, 헥시닐 황산 에스테르, 옥티닐 황산 에스테르, 데시닐 황산 에스테르, 도데시닐 황산 에스테르, 테트라데시닐 황산 에스테르, 헥사데시닐 황산 에스테르, 옥타데시닐 황산 에스테르, 이코사닐 황산 에스테르,
부티닐옥시 황산 에스테르, 헥시닐옥시 황산 에스테르, 옥티닐옥시 황산 에스테르, 데시닐옥시 황산 에스테르, 도데시닐옥시 황산 에스테르, 테트라데시닐옥시 황산 에스테르, 헥사데시닐옥시 황산 에스테르, 옥타데시닐옥시 황산 에스테르, 이코사닐옥시 황산 에스테르,
부티닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 헥시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 옥티닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 데시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 도데시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 테트라데시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 헥사데시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 옥타데시닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸 황산 에스테르,
부티닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 헥시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 옥티닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 도데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 테트라데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 헥사데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 옥타데시닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸 황산 에스테르,
부티닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 헥시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 옥티닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 도데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 테트라데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 헥사데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 옥타데시닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 이코사닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 황산 에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (302)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다. 또한 상기 계면 활성제 중에서는, 알코올 황산 에스테르 염계 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (303)으로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 알킬 인산 에스테르계 계면 활성제, 알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제, 아릴 인산 에스테르계 계면 활성제, 아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸 인산 모노에스테르, 펜틸 인산 모노에스테르, 헥실 인산 모노에스테르, 헵틸 인산 모노에스테르, 옥틸 인산 모노에스테르, 노닐 인산 모노에스테르, 데실 인산 모노에스테르, 운데실 인산 모노에스테르, 도데실 인산 모노에스테르(라우릴 인산 모노에스테르), 트리데실 인산 모노에스테르, 테트라데실 인산 모노에스테르, 펜타데실 인산 모노에스테르, 헥사데실 인산 모노에스테르, 헵타데실 인산 모노에스테르, 옥타데실 인산 모노에스테르, 노나데실 인산 모노에스테르, 이코사닐 인산 모노에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 마그네슘염 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸옥시에틸 인산 모노에스테르, 펜틸옥시에틸 인산 모노에스테르, 헥실옥시에틸 인산 모노에스테르, 헵틸옥시에틸 인산 모노에스테르, 옥틸옥시에틸 인산 모노에스테르, 노닐옥시에틸 인산 모노에스테르, 데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 운데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 도데실옥시에틸 인산 모노에스테르(라우릴옥시에틸 인산 모노에스테르), 트리데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 테트라데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 펜타데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 헥사데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 헵타데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 옥타데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 노나데실옥시에틸 인산 모노에스테르, 이코사닐옥시에틸 인산 모노에스테르,
부틸옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜틸옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵틸옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥틸옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노닐옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 운데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 도데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르(라우릴옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르), 트리데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 테트라데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥사데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노나데실옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 부틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헵틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노닐옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 운데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르), 트리데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 테트라데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥사데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헵타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노나데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
아릴 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 메틸페닐 인산 모노에스테르, 에틸페닐 인산 모노에스테르, 프로필페닐 인산 모노에스테르, 부틸페닐 인산 모노에스테르, 펜틸페닐 인산 모노에스테르, 헥실페닐 인산 모노에스테르, 헵틸페닐 인산 모노에스테르, 옥틸페닐 인산 모노에스테르, 노닐페닐 인산 모노에스테르, 데실페닐 인산 모노에스테르, 운데실페닐 인산 모노에스테르, 도데실페닐 인산 모노에스테르(라우릴페닐 인산 모노에스테르), 트리데실페닐 인산 모노에스테르, 테트라데실페닐 인산 모노에스테르, 펜타데실페닐 인산 모노에스테르, 헥사데실페닐 인산 모노에스테르, 헵타데실페닐 인산 모노에스테르, 옥타데실페닐 인산 모노에스테르, 노나데실페닐 인산 모노에스테르, 이코사닐페닐 인산 모노에스테르,
부틸페닐 인산 디에스테르, 펜틸페닐 인산 디에스테르, 헥실페닐 인산 디에스테르, 헵틸페닐 인산 디에스테르, 옥틸페닐 인산 디에스테르, 노닐페닐 인산 디에스테르, 데실페닐 인산 디에스테르, 운데실페닐 인산 디에스테르, 도데실페닐 인산 디에스테르(라우릴페닐 인산 디에스테르), 트리데실페닐 인산 디에스테르, 테트라데실페닐 인산 디에스테르, 펜타데실페닐 인산 디에스테르, 헥사데실페닐 인산 디에스테르, 헵타데실페닐 인산 디에스테르, 옥타데실페닐 인산 디에스테르, 노나데실페닐 인산 디에스테르, 이코사닐페닐 인산 디에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 메틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 에틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 프로필페녹시에틸 인산 모노에스테르, 부틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 펜틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 헥실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 헵틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 옥틸페녹시에틸 인산 모노에스테르, 노닐페녹시에틸 인산 모노에스테르, 데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 운데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 도데실페녹시에틸 인산 모노에스테르(라우릴페녹시에틸 인산 모노에스테르), 트리데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 테트라데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 펜타데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 헥사데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 헵타데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 옥타데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 노나데실페녹시에틸 인산 모노에스테르, 이코사닐페녹시에틸 인산 모노에스테르, 부틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노닐페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 운데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 도데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르(라우릴페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르), 트리데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 테트라데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥사데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노나데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 이코사닐페녹시-3-옥사펜틸 인산 모노에스테르,
부틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헵틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노닐페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 운데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 도데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르(라우릴페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르), 트리데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 테트라데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥사데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르,
헵타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노나데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 이코사닐페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르,
부틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 펜틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헥실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헵틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 옥틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 노닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 운데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 도데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르(라우릴페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르), 트리데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 테트라데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 펜타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헥사데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헵타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 옥타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 노나데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 이코사닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르,
메틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 에틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 프로필나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 부틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 펜틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 헥실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 헵틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 옥틸나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 노닐나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 운데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 도데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르(라우릴나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르), 트리데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 노나데실나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시에틸 인산 모노에스테르,
부틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노닐나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 운데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 도데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르(라우릴나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르), 트리데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 노나데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 모노에스테르,
부틸나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜틸나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헵틸나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥틸나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노닐나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 운데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 도데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르(라우릴나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르), 트리데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 노나데실나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시3,6-디옥사옥틸 인산 모노에스테르,
부틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 펜틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헥실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헵틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 옥틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 노닐나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 운데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 도데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르(라우릴나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르), 트리데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 노나데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 모노에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (303)으로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다. 또한, 상기 계면 활성제 중에서는, 알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제 및 아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (304)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 알킬 인산 에스테르계 계면 활성제, 알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제, 아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸 인산 디에스테르, 펜틸 인산 디에스테르, 헥실 인산 디에스테르, 헵틸 인산 디에스테르, 옥틸 인산 디에스테르, 노닐 인산 디에스테르, 데실 인산 디에스테르, 운데실 인산 디에스테르, 도데실 인산 디에스테르(라우릴 인산 디에스테르), 트리데실 인산 디에스테르, 테트라데실 인산 디에스테르, 펜타데실 인산 디에스테르, 헥사데실 인산 디에스테르, 헵타데실 인산 디에스테르, 옥타데실 인산 디에스테르, 노나데실 인산 디에스테르, 이코사닐 인산 디에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸옥시에틸 인산 디에스테르, 펜틸옥시에틸 인산 디에스테르, 헥실옥시에틸 인산 디에스테르, 헵틸옥시에틸 인산 디에스테르, 옥틸옥시에틸 인산 디에스테르, 노닐옥시에틸 인산 디에스테르, 데실옥시에틸 인산 디에스테르, 운데실옥시에틸 인산 디에스테르, 도데실옥시에틸 인산 디에스테르, 트리데실옥시에틸 인산 디에스테르, 테트라데실옥시에틸 인산 디에스테르, 펜타데실옥시에틸 인산 디에스테르, 헥사데실옥시에틸 인산 디에스테르, 헵타데실옥시에틸 인산 디에스테르, 옥타데실옥시에틸 인산 디에스테르, 노나데실옥시에틸 인산 디에스테르, 이코사닐옥시에틸 인산 디에스테르,
부틸옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜틸옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵틸옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥틸옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노닐옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 운데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 도데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 트리데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 테트라데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥사데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥타데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노나데실옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르,
부틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 펜틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헥실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헵틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 옥틸옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 노닐옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 운데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르(라우릴옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르), 트리데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 테트라데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 펜타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헥사데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헵타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 옥타데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 노나데실옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르,
부틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 운데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 도데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르(라우릴옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르), 트리데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 테트라데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥사데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노나데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 이코사닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸페녹시에틸 인산 디에스테르, 펜틸페녹시에틸 인산 디에스테르, 헥실페녹시에틸 인산 디에스테르, 헵틸페녹시에틸 인산 디에스테르, 옥틸페녹시에틸 인산 디에스테르, 노닐페녹시에틸 인산 디에스테르, 데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 운데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 도데실페녹시에틸 인산 디에스테르(라우릴페녹시에틸 인산 디에스테르), 트리데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 테트라데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 펜타데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 헥사데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 헵타데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 옥타데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 노나데실페녹시에틸 인산 디에스테르, 이코사닐페녹시에틸 인산 디에스테르, 부틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥틸페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노닐페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 운데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 도데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르(라우릴페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르), 트리데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 테트라데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥사데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥타데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노나데실페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 이코사닐페녹시-3-옥사펜틸 인산 디에스테르,
부틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 펜틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헥실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헵틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 옥틸페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 노닐페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 운데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 도데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르(라우릴페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르), 트리데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 테트라데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 펜타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헥사데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 헵타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 옥타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 노나데실페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르, 이코사닐페녹시-3,6-디옥사옥틸 인산 디에스테르,
부틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 운데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 도데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르(라우릴페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르), 트리데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 테트라데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥사데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노나데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 이코사닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르,
부틸나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 펜틸나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 헥실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 헵틸나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 옥틸나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 노닐나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 운데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 도데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르(라우릴나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르), 트리데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 노나데실나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시에틸 인산 디에스테르,
부틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥틸나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노닐나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 운데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 도데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르(라우릴나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르), 트리데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 노나데실나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시3-옥사펜틸 인산 디에스테르,
부틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥틸나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노닐나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 운데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 도데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르(라우릴나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르), 트리데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 테트라데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 펜타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헥사데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 헵타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 옥타데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 노나데실나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 이코사닐나프탈렌옥시3,6,9-트리옥사운데실 인산 디에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (304)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다. 또한, 상기 계면 활성제 중에서는, 알콕시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제 및 아릴옥시알킬 인산 에스테르계 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (305)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 지방족 카르복실산계 계면 활성제, 알킬옥시 지방족 카르복실산계 계면 활성제, 아릴옥시 지방족 카르복실산계 계면 활성제, 방향족 카르복실산계 계면 활성제, N-아실아미노산계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
지방족 카르복실산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산, 발레르산, 카프로산, 카프릴산, 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 이소스테아르산, 올레산, 베헨산, 시클로헥산카르복실산, 페닐아세트산, 대두유, 야자유, 팜유, 아마인유, 면실유, 유채씨유, 동백유, 피마자유, 폴리아크릴산, 아크릴산과 메틸메타크릴레이트 공중합체, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알킬옥시 지방족 카르복실산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부톡시에틸옥시아세트산, 펜틸옥시에틸옥시아세트산, 헥실옥시에틸옥시아세트산, 헵틸옥시에틸옥시아세트산, 옥틸옥시에틸옥시아세트산, 노닐옥시에틸옥시아세트산, 데실옥시에틸옥시아세트산, 운데실옥시에틸옥시아세트산, 도데실옥시에틸옥시아세트산, 트리데실옥시에틸옥시아세트산, 테트라데실옥시에틸옥시아세트산, 펜타데실옥시에틸옥시아세트산, 헥사데실옥시에틸옥시아세트산, 헵타데실옥시에틸옥시아세트산, 옥타데실옥시에틸옥시아세트산, 노나데실옥시에틸옥시아세트산, 이코사닐옥시에틸옥시아세트산,
부톡시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 펜틸옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헥실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헵틸옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 옥틸옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 노닐옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 운데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 도데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 트리데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 테트라데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 펜타데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헥사데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헵타데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 옥타데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 노나데실옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 이코사닐옥시-3-옥사펜틸옥시아세트산,
부톡시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 펜틸옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헥실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헵틸옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 옥틸옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 노닐옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 운데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 트리데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 테트라데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 펜타데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헥사데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헵타데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 옥타데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 노나데실옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산,
부톡시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 펜틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헥실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헵틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 옥틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 노닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 운데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 도데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 트리데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 테트라데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 펜타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헥사데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헵타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 옥타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 노나데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 이코사닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
아릴옥시 지방족 카르복실산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸페녹시에틸옥시아세트산, 펜틸페녹시에틸옥시아세트산, 헥실페녹시에틸옥시아세트산, 헵틸페녹시에틸옥시아세트산, 옥틸페녹시에틸옥시아세트산, 노닐페녹시에틸옥시아세트산, 데실페녹시에틸옥시아세트산, 운데실페녹시에틸옥시아세트산, 도데실페녹시에틸옥시아세트산, 트리데실페녹시에틸옥시아세트산, 테트라데실페녹시에틸옥시아세트산, 펜타데실페녹시에틸옥시아세트산, 헥사데실페녹시에틸옥시아세트산, 헵타데실페녹시에틸옥시아세트산, 옥타데실페녹시에틸옥시아세트산, 노나데실페녹시에틸옥시아세트산, 이코사닐페녹시에틸옥시아세트산,
부틸페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 펜틸페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헥실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헵틸페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 옥틸페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 노닐페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 도데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 트리데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 테트라데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 펜타데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헥사데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 헵타데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 옥타데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 노나데실페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산, 이코사닐페녹시-3-옥사펜틸옥시아세트산,
부틸페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 펜틸페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헥실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헵틸페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 옥틸페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 노닐페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 운데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 도데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산(라우릴페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산), 트리데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 테트라데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 펜타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헥사데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 헵타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 옥타데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 노나데실페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산, 이코사닐페녹시-3,6-디옥사옥틸옥시아세트산,
부틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 펜틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헥실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헵틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 옥틸페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 노닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 운데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 도데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산(라우릴페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산), 트리데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 테트라데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 펜타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헥사데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 헵타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 옥타데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 노나데실페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 이코사닐페녹시-3,6,9-트리옥사운데실옥시아세트산, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
방향족 카르복실산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 벤조산, 톨루일산, 클로로벤조산, 니트로벤조산, 히드록시벤조산, 메톡시벤조산, 부톡시벤조산, 펜틸옥시벤조산, 헥실옥시벤조산, 헵틸옥시벤조산, 옥틸옥시벤조산, 노닐옥시벤조산, 데실옥시벤조산, 운데실옥시벤조산, 도데실옥시벤조산, 트리데실옥시벤조산, 테트라데실옥시벤조산, 펜타데실옥시벤조산, 헥사데실옥시벤조산, 헵타데실옥시벤조산, 옥타데실옥시벤조산, 노나데실옥시벤조산, 이코사닐옥시벤조산, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
N-아실아미노산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 발레르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 카프로산과 글리신의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 글리신의 -N-아실에스테르, 카프르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 라우르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 글리신의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 글리신의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 글리신의 -N-아실에스테르, 올레산과 글리신의 -N-아실에스테르, 베헨산과 글리신의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 글리신의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 글리신의 -N-아실에스테르,
부티르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 발레르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 카프로산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 카프르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 라우르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 올레산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 베헨산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 N-메틸글리신의 -N-아실에스테르,
부티르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 발레르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 카프로산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 카프르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 라우르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 올레산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 베헨산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 알라닌의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 알라닌의 -N-아실에스테르,
부티르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 발레르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 카프로산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 카프르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 라우르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 올레산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 베헨산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 N-메틸알라닌의 -N-아실에스테르,
부티르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 발레르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 카프로산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 카프르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 라우르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 올레산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 베헨산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 콜라겐펩티드와의 -N-아실에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (305)로 표시되는 계면 활성제 중에서는 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다. 또한 상기 계면 활성제 중에서는, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 카프릴산, 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 이소스테아르산, 올레산, 시클로헥산카르복실산 등의 지방족 카르복실산과 글리신의 -N-아실에스테르가 비교적 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (306)으로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 알킬 숙신산계 계면 활성제, 알킬에테르 숙신산계 계면 활성제, 알킬에스테르 숙신산계 계면 활성제, 숙신산 티오에스테르계 계면 활성제, N-아실아미노 숙신산 에스테르계 계면 활성제, N-아실글루탐산 에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
알킬 숙신산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸숙신산, 펜틸숙신산, 헥실숙신산, 헵틸숙신산, 옥틸숙신산, 노닐숙신산, 데실숙신산, 운데실숙신산, 도데실숙신산, 트리데실숙신산, 테트라데실숙신산, 펜타데실숙신산, 헥사데실숙신산, 헵타데실숙신산, 옥타데실숙신산, 노나데실숙신산, 이코사닐숙신산, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알킬에테르 숙신산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸옥시숙신산, 펜틸옥시숙신산, 헥실옥시숙신산, 헵틸옥시숙신산, 옥틸옥시숙신산, 노닐옥시숙신산, 데실옥시숙신산, 운데실옥시숙신산, 도데실옥시숙신산, 트리데실옥시숙신산, 테트라데실옥시숙신산, 펜타데실옥시숙신산, 헥사데실옥시숙신산, 헵타데실옥시숙신산, 옥타데실옥시숙신산, 노나데실옥시숙신산, 이코사닐옥시숙신산, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
알킬에스테르 숙신산계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 발레르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 카프로산과 히드록시숙신산의 에스테르, 카프릴산과 히드록시숙신산의 에스테르, 카프르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 라우르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 미리스트산과 히드록시숙신산의 에스테르, 팔미트산과 히드록시숙신산의 에스테르, 스테아르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 이소스테아르산과 히드록시숙신산의 에스테르, 올레산과 히드록시숙신산의 에스테르, 베헨산과 히드록시숙신산의 에스테르, 시클로헥산카르복실산과 히드록시숙신산의 에스테르, 페닐아세트산과 히드록시숙신산의 에스테르 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
숙신산 티오에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 발레르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 카프로산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 카프릴산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 카프르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 라우르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 미리스트산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 팔미트산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 스테아르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 이소스테아르산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 올레산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 베헨산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 시클로헥산카르복실산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르, 페닐아세트산과 머캅토 숙신산의 티오에스테르 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
N-아실아미노 숙신산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 발레르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 카프로산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 카프릴산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 카프르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 라우르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 미리스트산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 팔미트산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 스테아르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 이소스테아르산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 올레산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 베헨산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 페닐아세트산과 아미노 숙신산의 N-아실에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
N-아실글루탐산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 발레르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 카프로산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 카프릴산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 카프르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 라우르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 미리스트산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 팔미트산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 스테아르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 이소스테아르산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 올레산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 베헨산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 페닐아세트산과 글루탐산의 N-아실에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (306)으로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (307)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 프탈산 에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
프탈산 에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 프탈산 부틸, 프탈산 펜틸, 프탈산 헥실, 프탈산 헵틸, 프탈산 옥틸, 프탈산 노닐, 프탈산 데실, 프탈산 운데실, 프탈산 도데실(라우릴), 프탈산 트리데실, 프탈산 테트라데실, 프탈산 펜타데실, 프탈산 헥사데실, 프탈산 헵타데실, 프탈산 옥타데실, 프탈산 노나데실, 프탈산 이코사닐,
프탈산 부틸옥시, 프탈산 헥실옥시, 프탈산 옥틸옥시, 프탈산 데실옥시, 프탈산 도데실옥시, 프탈산 테트라데실옥시, 프탈산 헥사데실옥시, 프탈산 옥타데실옥시, 프탈산 이코사닐옥시,
프탈산 부틸옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 헥실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 옥틸옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 데실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 도데실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 테트라데실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 헥사데실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 옥타데실옥시-3-옥사펜틸, 프탈산 이코사닐옥시-3-옥사펜틸,
프탈산 부틸옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 헥실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 옥틸옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 데실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 도데실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 테트라데실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 헥사데실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 옥타데실옥시-3,6-디옥사옥틸, 프탈산 이코사닐옥시-3,6-디옥사옥틸,
프탈산 부틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 헥실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 옥틸옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 도데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 테트라데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 헥사데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 옥타데실옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 프탈산 이코사닐옥시-3,6,9-트리옥사운데실, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (307)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (308)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 이미노 이아세트산-N-아실에스테르계 계면 활성제 등을 들 수 있다.
이미노 이아세트산-N-아실에스테르계 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 발레르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 카프로산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 카프릴산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 카프르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 라우르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 미리스트산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 팔미트산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 스테아르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 이소스테아르산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 올레산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 베헨산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 시클로헥산카르복실산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 페닐아세트산과 이미노 이아세트산의 -N-아실에스테르, 그리고 이것들의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 트리에탄올아민염, 마그네슘염, 및 칼슘염 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (308)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
상기 FG가 되는, 수산기를 포함하는 기로서는, 예를 들어 하기 일반식 (309), (310), (312), 및 (313)으로 표시되는 친수기를 들 수 있다.
Figure 112017087260803-pct00020
상기 식 (309) 중, r1 및 r2는, 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 수산기를 나타내고, n1은 0 내지 100의 정수를 나타낸다. #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다. 또한, 식 (309)로 표시되는 기가 수산기를 하나 포함하는 기인 경우, 식 (300)에 있어서의 n0은 2 내지 5의 정수를 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00021
상기 식 (310) 중, X는, -O-, -S-, -NH-, 또는 -NCH3-을 나타내고,
X끼리는 동일해도 되고 상이해도 되며, m1은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n20은 2 내지 100의 정수를 나타내고, r1 내지 r4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 수산기를 나타내고, X끼리, r1끼리, r2끼리, r3끼리, 및 r4끼리는 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다. 또한, 식 (310)으로 표시되는 기가 수산기를 하나 포함하는 기인 경우에는, 식 (300)에 있어서의 n0은 2 내지 5의 정수를 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00022
상기 식 (312) 중, X3 및 X4는, 독립적으로 -CH2-, -CH(OH)-, 또는 -CO-를 나타내고, n30은 0 내지 3의 정수를 나타내고, n50은 0 내지 5의 정수를 나타내고, n30이 2 이상인 경우, X3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, n50이 2 이상인 경우, X4끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00023
상기 식 (313) 중, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타내고, U1 내지 U2는, 각각 독립적으로 수산기 또는 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 산소 원자(O-#3)를 나타낸다.
FG가 상기 일반식 (309)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 발레르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 카프로산 트리메틸올프로판모노에스테르, 카프릴산 트리메틸올프로판모노에스테르, 카프르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 라우르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 미리스트산 트리메틸올프로판모노에스테르, 팔미트산 트리메틸올프로판모노에스테르, 스테아르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 이소스테아르산 트리메틸올프로판모노에스테르, 올레산 트리메틸올프로판모노에스테르, 베헨산 트리메틸올프로판모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 트리메틸올프로판모노에스테르, 페닐아세트산 트리메틸올프로판모노에스테르,
부티르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 발레르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 카프로산 펜타에리트리톨모노에스테르, 카프릴산 펜타에리트리톨모노에스테르, 카프르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 라우르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 미리스트산 펜타에리트리톨모노에스테르, 팔미트산 펜타에리트리톨모노에스테르, 스테아르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 이소스테아르산 펜타에리트리톨모노에스테르, 올레산 펜타에리트리톨모노에스테르, 베헨산 펜타에리트리톨모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 펜타에리트리톨모노에스테르, 페닐아세트산 펜타에리트리톨모노에스테르,
부티르산 펜타에리트리톨디에스테르, 발레르산 펜타에리트리톨디에스테르, 카프로산 펜타에리트리톨디에스테르, 카프릴산 펜타에리트리톨디에스테르, 카프르산 펜타에리트리톨디에스테르, 라우르산 펜타에리트리톨디에스테르, 미리스트산 펜타에리트리톨디에스테르, 팔미트산 펜타에리트리톨디에스테르, 스테아르산 펜타에리트리톨디에스테르, 이소스테아르산 펜타에리트리톨디에스테르, 올레산 펜타에리트리톨디에스테르, 베헨산 펜타에리트리톨디에스테르, 시클로헥산카르복실산 펜타에리트리톨디에스테르, 페닐아세트산 펜타에리트리톨디에스테르,
부티르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 발레르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 카프로산 디펜타에리트리톨디에스테르, 카프릴산 디펜타에리트리톨디에스테르, 카프르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 라우르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 미리스트산 디펜타에리트리톨디에스테르, 팔미트산 디펜타에리트리톨디에스테르, 스테아르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 이소스테아르산 디펜타에리트리톨디에스테르, 올레산 디펜타에리트리톨디에스테르, 베헨산 디펜타에리트리톨디에스테르, 시클로헥산카르복실산 디펜타에리트리톨디에스테르, 페닐아세트산 디펜타에리트리톨디에스테르,
부티르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 발레르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 카프로산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 카프릴산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 카프르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 라우르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 미리스트산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 팔미트산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 스테아르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 이소스테아르산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 올레산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 베헨산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 시클로헥산카르복실산 디펜타에리트리톨트리에스테르, 페닐아세트산 디펜타에리트리톨트리에스테르,
부티르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 발레르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 카프로산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 카프릴산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 카프르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 라우르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 미리스트산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 팔미트산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 스테아르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 이소스테아르산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 올레산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 베헨산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 시클로헥산카르복실산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 페닐아세트산 디펜타에리트리톨테트라에스테르, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 및 부티로락톤 부가물 등을 들 수 있다.
FG가 상기 일반식 (309)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (310)으로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산 글리세린모노에스테르, 발레르산 글리세린모노에스테르, 카프로산 글리세린모노에스테르, 카프릴산 글리세린모노에스테르, 카프르산 글리세린모노에스테르, 라우르산 글리세린모노에스테르, 미리스트산 글리세린모노에스테르, 팔미트산 글리세린모노에스테르, 스테아르산 글리세린모노에스테르, 이소스테아르산 글리세린모노에스테르, 올레산 글리세린모노에스테르, 베헨산 글리세린모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 글리세린모노에스테르, 페닐아세트산 글리세린모노에스테르,
글리세린부틸에테르, 글리세린펜틸에테르, 글리세린헥실에테르, 글리세린헵틸에테르, 글리세린옥틸에테르, 글리세린노닐에테르, 글리세린데실에테르, 글리세린운데실에테르, 글리세린도데실에테르, 글리세린트리데실에테르, 글리세린테트라데실에테르, 글리세린펜타데실에테르, 글리세린헥사데실에테르, 글리세린헵타데실에테르, 글리세린옥타데실에테르, 글리세린노나데실에테르, 글리세린이코사닐에테르,
글리세린-부틸옥시에틸에테르, 글리세린-펜틸옥시에틸에테르, 글리세린-헥실옥시에틸에테르, 글리세린-헵틸옥시에틸에테르, 글리세린-옥틸옥시에틸에테르, 글리세린-노닐옥시에틸에테르, 글리세린-데실옥시에틸에테르, 글리세린-운데실옥시에틸에테르, 글리세린-도데실옥시에틸에테르, 글리세린-트리데실옥시에틸에테르, 글리세린-테트라데실옥시에틸에테르, 글리세린-펜타데실옥시에틸에테르, 글리세린-헥사데실옥시에틸에테르, 글리세린-헵타데실옥시에틸에테르, 글리세린-옥타데실옥시에틸에테르, 글리세린-노나데실옥시에틸에테르, 글리세린-이코사닐옥시에틸에테르,
부티르산 디글리세린모노에스테르, 발레르산 디글리세린모노에스테르, 카프로산 디글리세린모노에스테르, 카프릴산 디글리세린모노에스테르, 카프르산 디글리세린모노에스테르, 라우르산 디글리세린모노에스테르, 미리스트산 디글리세린모노에스테르, 팔미트산 디글리세린모노에스테르, 스테아르산 디글리세린모노에스테르,
이소스테아르산 디글리세린모노에스테르, 올레산 디글리세린모노에스테르, 베헨산 디글리세린모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 디글리세린모노에스테르, 페닐아세트산 디글리세린모노에스테르,
부티르산 티오글리세린모노티오에스테르, 발레르산 티오글리세린모노티오에스테르, 카프로산 티오글리세린모노티오에스테르, 카프릴산 티오글리세린모노티오에스테르, 카프르산 티오글리세린모노티오에스테르, 라우르산 티오글리세린모노티오에스테르, 미리스트산 티오글리세린모노티오에스테르, 팔미트산 티오글리세린모노티오에스테르, 스테아르산 티오글리세린모노티오에스테르, 이소스테아르산 티오글리세린모노티오에스테르, 올레산 티오글리세린모노티오에스테르, 베헨산 티오글리세린모노티오에스테르, 시클로헥산카르복실산 티오글리세린모노티오에스테르, 페닐아세트산 티오글리세린모노티오에스테르,
1-부티르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-발레르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-카프로산 아미드-2,3-프로판디올, 1-카프릴산 아미드-2,3-프로판디올, 1-카프르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-라우르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-미리스트산 아미드-2,3-프로판디올, 1-팔미트산 아미드-2,3-프로판디올, 1-스테아르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-이소스테아르산 아미드-2,3-프로판디올, 1-올레산 아미드-2,3-프로판디올, 1-베헨산 아미드-2,3-프로판디올, 1-시클로헥산카르복실산 아미드-2,3-프로판디올, 1-페닐아세트산 아미드-2,3-프로판디올,
부티르산 소르비톨모노에스테르, 발레르산 소르비톨모노에스테르, 카프로산 소르비톨모노에스테르, 카프릴산 소르비톨모노에스테르, 카프르산 소르비톨모노에스테르, 라우르산 소르비톨모노에스테르, 미리스트산 소르비톨모노에스테르, 팔미트산 소르비톨모노에스테르, 스테아르산 소르비톨모노에스테르, 이소스테아르산 소르비톨모노에스테르, 올레산 소르비톨모노에스테르, 베헨산 소르비톨모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 소르비톨모노에스테르, 페닐아세트산 소르비톨모노에스테르,
부티르산 소르비톨디에스테르, 발레르산 소르비톨디에스테르, 카프로산 소르비톨디에스테르, 카프릴산 소르비톨디에스테르, 카프르산 소르비톨디에스테르, 라우르산 소르비톨디에스테르, 미리스트산 소르비톨디에스테르, 팔미트산 소르비톨디에스테르, 스테아르산 소르비톨디에스테르, 이소스테아르산 소르비톨디에스테르, 올레산 소르비톨디에스테르, 베헨산 소르비톨디에스테르, 시클로헥산카르복실산 소르비톨디에스테르, 페닐아세트산 소르비톨디에스테르,
부티르산 만니톨모노에스테르, 발레르산 만니톨모노에스테르, 카프로산 만니톨모노에스테르, 카프릴산 만니톨모노에스테르, 카프르산 만니톨모노에스테르, 라우르산 만니톨모노에스테르, 미리스트산 만니톨모노에스테르, 팔미트산 만니톨모노에스테르, 스테아르산 만니톨모노에스테르, 이소스테아르산 만니톨모노에스테르, 올레산 만니톨모노에스테르, 베헨산 만니톨모노에스테르, 시클로헥산카르복실산 만니톨모노에스테르, 페닐아세트산 만니톨모노에스테르,
부티르산 만니톨디에스테르, 발레르산 만니톨디에스테르, 카프로산 만니톨디에스테르, 카프릴산 만니톨디에스테르, 카프르산 만니톨디에스테르, 라우르산 만니톨디에스테르, 미리스트산 만니톨디에스테르, 팔미트산 만니톨디에스테르, 스테아르산 만니톨디에스테르, 이소스테아르산 만니톨디에스테르, 올레산 만니톨디에스테르, 베헨산 만니톨디에스테르, 시클로헥산카르복실산 만니톨디에스테르, 페닐아세트산 만니톨디에스테르,
부티르산 만니톨트리에스테르, 발레르산 만니톨트리에스테르, 카프로산 만니톨트리에스테르, 카프릴산 만니톨트리에스테르, 카프르산 만니톨트리에스테르, 라우르산 만니톨트리에스테르, 미리스트산 만니톨트리에스테르, 팔미트산 만니톨트리에스테르, 스테아르산 만니톨트리에스테르, 이소스테아르산 만니톨트리에스테르, 올레산 만니톨트리에스테르, 베헨산 만니톨트리에스테르, 시클로헥산카르복실산 만니톨트리에스테르, 페닐아세트산 만니톨트리에스테르,
부티르산 만니톨테트라에스테르, 발레르산 만니톨테트라에스테르, 카프로산 만니톨테트라에스테르, 카프릴산 만니톨테트라에스테르, 카프르산 만니톨테트라에스테르, 라우르산 만니톨테트라에스테르, 미리스트산 만니톨테트라에스테르, 팔미트산 만니톨테트라에스테르, 스테아르산 만니톨테트라에스테르, 이소스테아르산 만니톨테트라에스테르, 올레산 만니톨테트라에스테르, 베헨산 만니톨테트라에스테르, 시클로헥산카르복실산 만니톨테트라에스테르, 페닐아세트산 만니톨테트라에스테르, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 및 부티로락톤 부가물 등을 들 수 있다.
FG가 상기 일반식 (310)으로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (312)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산 리보오스, 발레르산 리보오스, 카프로산 리보오스, 카프릴산 리보오스, 카프르산 리보오스, 라우르산 리보오스, 미리스트산 리보오스, 팔미트산 리보오스, 스테아르산 리보오스, 이소스테아르산 리보오스, 올레산 리보오스, 베헨산 리보오스, 시클로헥산카르복실산 리보오스, 페닐아세트산 리보오스,
부티르산 아스코르브산, 발레르산 아스코르브산, 카프로산 아스코르브산, 카프릴산 아스코르브산, 카프르산 아스코르브산, 라우르산 아스코르브산, 미리스트산 아스코르브산, 팔미트산 아스코르브산, 스테아르산 아스코르브산, 이소스테아르산 아스코르브산, 올레산 아스코르브산, 베헨산 아스코르브산, 시클로헥산카르복실산 아스코르브산, 페닐아세트산 아스코르브산,
부티르산 자이롤, 발레르산 자이롤, 카프로산 자이롤, 카프릴산 자이롤, 카프르산 자이롤, 라우르산 자이롤, 미리스트산 자이롤, 팔미트산 자이롤, 스테아르산 자이롤, 이소스테아르산 자이롤, 올레산 자이롤, 베헨산 자이롤, 시클로헥산카르복실산 자이롤, 페닐아세트산 자이롤,
부티르산 소르비탄, 발레르산 소르비탄, 카프로산 소르비탄, 카프릴산 소르비탄, 카프르산 소르비탄, 라우르산 소르비탄, 미리스트산 소르비탄, 팔미트산 소르비탄, 스테아르산 소르비탄, 이소스테아르산 소르비탄, 올레산 소르비탄, 베헨산 소르비탄, 시클로헥산카르복실산 소르비탄, 페닐아세트산 소르비탄,
부티르산 글루코오스, 발레르산 글루코오스, 카프로산 글루코오스, 카프릴산 글루코오스, 카프르산 글루코오스, 라우르산 글루코오스, 미리스트산 글루코오스, 팔미트산 글루코오스, 스테아르산 글루코오스, 이소스테아르산 글루코오스, 올레산 글루코오스, 베헨산 글루코오스, 시클로헥산카르복실산 글루코오스, 페닐아세트산 글루코오스,
부티르산 글루코노-1,5-락톤, 발레르산 글루코노-1,5-락톤, 카프로산 글루코노-1,5-락톤, 카프릴산 글루코노-1,5-락톤, 카프르산 글루코노-1,5-락톤, 라우르산 글루코노-1,5-락톤, 미리스트산 글루코노-1,5-락톤, 팔미트산 글루코노-1,5-락톤, 스테아르산 글루코노-1,5-락톤, 이소스테아르산 글루코노-1,5-락톤, 올레산 글루코노-1,5-락톤, 베헨산 글루코노-1,5-락톤, 시클로헥산카르복실산 글루코노-1,5-락톤, 페닐아세트산 글루코노-1,5-락톤, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 부티로락톤 부가물, 및 이것들을 탈수 축합한 다량체 등을 들 수 있다.
FG가 상기 일반식 (312)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (313)으로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부티르산 자당, 발레르산 자당, 카프로산 자당, 카프릴산 자당, 카프르산 자당, 라우르산 자당, 미리스트산 자당, 팔미트산 자당, 스테아르산 자당, 이소스테아르산 자당, 올레산 자당, 베헨산 자당, 시클로헥산카르복실산 자당, 페닐아세트산 자당, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 부티로락톤 부가물, 및 이것들을 탈수 축합한 다량체 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (313)으로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 일반식 (309) 내지 (313)으로 표시되는 수산기를 2개 이상 갖는 계면 활성제 중에서는, FG가 일반식 (310) 및 (312)로 표시되는 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
상기 FG가 되는, 양이온성 친수기를 포함하는 기로서는, 예를 들어 하기 일반식 (314) 내지 (319)로 표시되는 친수기를 들 수 있다.
Figure 112017087260803-pct00024
상기 식 (314) 중, A(-)는 할로겐 이온, 포름산 이온, 아세트산 이온, 황산 이온, 황산 수소 이온, 인산 이온, 또는 인산 수소 이온을 나타내고, R10 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 수산기, 또는 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00025
상기 식 (315) 중, R10은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 수산기, 또는 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00026
상기 식 (316) 중, A(-)는 할로겐 이온, 포름산 이온, 아세트산 이온, 황산 이온, 황산 수소 이온, 인산 이온, 또는 인산 수소 이온을 나타내고, R6 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬아릴기, 알킬벤질기, 알킬시클로알킬기, 알킬시클로알킬메틸기, 시클로알킬기, 페닐기, 또는 벤질기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00027
상기 식 (317) 중, A(-)는 할로겐 이온, 포름산 이온, 아세트산 이온, 황산 이온, 황산 수소 이온, 인산 이온, 또는 인산 수소 이온을 나타내고, R6 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬아릴기, 알킬벤질기, 알킬시클로알킬기, 알킬시클로알킬메틸기, 시클로알킬기, 페닐기, 또는 벤질기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00028
상기 식 (318) 중, R6 및 R7은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬아릴기, 알킬벤질기, 알킬시클로알킬기, 알킬시클로알킬메틸기, 시클로알킬기, 페닐기, 또는 벤질기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자)에 결합하는 결합손을 나타낸다.
Figure 112017087260803-pct00029
상기 식 (319) 중, R6 및 R7은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬아릴기, 알킬벤질기, 알킬시클로알킬기, 알킬시클로알킬메틸기, 시클로알킬기, 페닐기, 또는 벤질기를 나타내고, #3은 식 (300)의 R에 포함되는 탄소 원자에 결합하는 결합손을 나타낸다. 또한, 상기 식 (319) 중, N→O는 N+-O-, 또는 N=O라고도 표기되는 기이다.
FG가 상기 일반식 (314)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-데실-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-데실-N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-도데실-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-도데실-N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-테트라데실N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-옥타데실N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-이코사닐N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린클로라이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸이미다졸린클로라이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린클로라이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린클로라이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린클로라이드,
2-옥틸-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-옥틸-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드,
2-데실-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드, 2-데실-N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-데실-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드,
2-도데실-N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드, 2-도데실-N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-도데실-N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드, 2-도데실N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드,
2-테트라데실N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-테트라데실N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드,
2-옥타데실N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-옥타데실N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드,
2-이코사닐N-히드록시에틸-N-메틸-이미다졸린브로마이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸이미다졸린브로마이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-에틸-이미다졸린브로마이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-프로필-이미다졸린브로마이드, 2-이코사닐N-히드록시에틸-N-부틸-이미다졸린브로마이드, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 및 카프로락톤 부가물 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (314)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (315)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-옥틸-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-노닐-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-노닐-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-데실-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-데실-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-도데실-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-도데실-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-테트라데실-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-헥사데실-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인,
2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-에틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-프로필-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-부틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-히드록시-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-히드록시메틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-히드록시프로필-이미다졸리늄베타인, 2-옥타데실-N-카르복시메틸-N-히드록시부틸-이미다졸리늄베타인, 그리고 이것들의 에틸렌옥사이드 부가물, 프로필렌옥사이드 부가물, 카프로락톤 부가물, 할로겐화수소 부가물, 카르복실산 부가물, 암모니아 부가물, 아민 부가물, 알칼리 금속 수산화물 부가물, 및 알칼리 토류 금속 수산화물 부가물 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (315)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (316)으로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 옥틸-트리메틸암모늄클로라이드, 노닐-트리메틸암모늄클로라이드, 데실-트리메틸암모늄클로라이드, 도데실-트리메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-트리메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-트리메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-트리메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-트리메틸암모늄클로라이드,
옥틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 노닐-벤질디메틸암모늄클로라이드, 데실-벤질디메틸암모늄클로라이드, 도데실-벤질디메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-벤질디메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-벤질디메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-벤질디메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-벤질디메틸암모늄클로라이드,
옥틸-도데실디메틸암모늄클로라이드, 노닐-도데실디메틸암모늄클로라이드, 데실-도데실디메틸암모늄클로라이드, 도데실-도데실디메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-도데실디메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-도데실디메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-도데실디메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-도데실디메틸암모늄클로라이드, 옥틸-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 노닐-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 데실-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 도데실-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-옥타데실디메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-옥타데실디메틸암모늄클로라이드,
옥틸-트리메틸암모늄브로마이드, 노닐-트리메틸암모늄브로마이드, 데실-트리메틸암모늄브로마이드, 도데실-트리메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-트리메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-트리메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-트리메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-트리메틸암모늄브로마이드,
옥틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 노닐-벤질디메틸암모늄브로마이드, 데실-벤질디메틸암모늄브로마이드, 도데실-벤질디메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-벤질디메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-벤질디메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-벤질디메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-벤질디메틸암모늄브로마이드,
옥틸-도데실디메틸암모늄브로마이드, 노닐-도데실디메틸암모늄브로마이드, 데실-도데실디메틸암모늄브로마이드, 도데실-도데실디메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-도데실디메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-도데실디메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-도데실디메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-도데실디메틸암모늄브로마이드,
옥틸-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 노닐-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 데실-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 도데실-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-옥타데실디메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-옥타데실디메틸암모늄브로마이드,
디부틸-디메틸-암모늄클로라이드, 디펜틸-디메틸-암모늄클로라이드, 디헥실-디메틸-암모늄클로라이드, 디헵틸-디메틸-암모늄클로라이드, 디옥틸-디메틸-암모늄클로라이드, 디노닐-디메틸-암모늄클로라이드, 디데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디운데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디트리데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디테트라데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디펜타데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디헥사데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디헵타데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디옥타데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디노나데실-디메틸-암모늄클로라이드, 디이코사닐-디메틸-암모늄클로라이드,
디부틸-디메틸-암모늄브로마이드, 디펜틸-디메틸-암모늄브로마이드, 디헥실-디메틸-암모늄브로마이드, 디헵틸-디메틸-암모늄브로마이드, 디옥틸-디메틸-암모늄브로마이드, 디노닐-디메틸-암모늄브로마이드, 디데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디운데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디트리데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디테트라데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디펜타데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디헥사데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디헵타데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디옥타데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디노나데실-디메틸-암모늄브로마이드, 디이코사닐-디메틸-암모늄브로마이드 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (316)으로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (317)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 옥틸-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 노닐-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 도데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄클로라이드,
옥틸-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 노닐-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 도데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄클로라이드, 옥틸-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 노닐-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 도데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄클로라이드,
옥틸-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 노닐-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 도데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-트리메틸암모늄브로마이드,
옥틸-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 노닐-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 도데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-벤질디메틸암모늄브로마이드,
옥틸-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 노닐-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 도데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 테트라데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 헥사데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 옥타데실-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드, 이코사닐-2-히드록시에틸-시클로헥실디메틸암모늄브로마이드 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (317)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (318)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸-디메틸베타인, 펜틸-디메틸베타인, 헥실-디메틸베타인, 헵틸-디메틸베타인, 옥틸-디메틸베타인, 노닐-디메틸베타인, 데실-디메틸베타인, 운데실-디메틸베타인, 도데실-디메틸베타인, 테트라데실-디메틸베타인, 트리데실-디메틸베타인, 펜타데실-디메틸베타인, 헥사데실-디메틸베타인, 헵타데실-디메틸베타인, 옥타데실-디메틸베타인, 노나데실-디메틸베타인, 이코사닐-디메틸베타인,
부틸-벤질메틸베타인, 펜틸-벤질메틸베타인, 헥실-벤질메틸베타인, 헵틸-벤질메틸베타인, 옥틸-벤질메틸베타인, 노닐-벤질메틸베타인, 데실-벤질메틸베타인, 운데실-벤질메틸베타인, 도데실-벤질메틸베타인, 트리데실벤질메틸베타인, 테트라데실벤질메틸베타인, 펜타데실-벤질메틸베타인, 헥사데실-벤질메틸베타인, 헵타데실-벤질메틸베타인, 옥타데실-벤질메틸베타인, 노나데실-벤질메틸베타인, 이코사닐-벤질메틸베타인,
부틸-시클로헥실메틸베타인, 펜틸-시클로헥실메틸베타인, 헥실-시클로헥실메틸베타인, 헵틸-시클로헥실메틸베타인, 옥틸-시클로헥실메틸베타인, 노닐-시클로헥실메틸베타인, 데실-시클로헥실메틸베타인, 운데실-시클로헥실메틸베타인, 도데실-시클로헥실메틸베타인, 트리데실시클로헥실메틸베타인, 테트라데실시클로헥실메틸베타인, 펜타데실-시클로헥실메틸베타인, 헥사데실-시클로헥실메틸베타인, 헵타데실-시클로헥실메틸베타인, 옥타데실-시클로헥실메틸베타인, 노나데실-시클로헥실메틸베타인, 이코사닐-시클로헥실메틸베타인,
부틸-도데실메틸베타인, 펜틸-도데실메틸베타인, 헥실-도데실메틸베타인, 헵틸-도데실메틸베타인, 옥틸-도데실메틸베타인, 노닐-도데실메틸베타인, 데실-도데실메틸베타인, 운데실-도데실메틸베타인, 도데실-도데실메틸베타인, 트리데실도데실메틸베타인, 테트라데실도데실메틸베타인, 펜타데실-도데실메틸베타인, 헥사데실-도데실메틸베타인, 헵타데실-도데실메틸베타인, 옥타데실-도데실메틸베타인, 노나데실-도데실메틸베타인, 이코사닐-도데실메틸베타인, 그리고 이것들의 할로겐화수소 부가물, 카르복실산 부가물, 암모니아 부가물, 아민 부가물, 알칼리 금속 수산화물 부가물, 및 알칼리 토류 금속 수산화물 부가물 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (318)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 상기 일반식 (319)로 표시되는 계면 활성제로서는, 예를 들어 부틸-디메틸아민옥사이드, 펜틸-디메틸아민옥사이드, 헥실-디메틸아민옥사이드, 헵틸-디메틸아민옥사이드, 옥틸-디메틸아민옥사이드, 노닐-디메틸아민옥사이드, 데실-디메틸아민옥사이드, 운데실-디메틸아민옥사이드, 도데실-디메틸아민옥사이드, 테트라데실-디메틸아민옥사이드, 트리데실-디메틸아민옥사이드, 펜타데실-디메틸아민옥사이드, 헥사데실-디메틸아민옥사이드, 헵타데실-디메틸아민옥사이드, 옥타데실-디메틸아민옥사이드, 노나데실-디메틸아민옥사이드, 이코사닐-디메틸아민옥사이드,
부틸-벤질메틸아민옥사이드, 펜틸-벤질메틸아민옥사이드, 헥실-벤질메틸아민옥사이드, 헵틸-벤질메틸아민옥사이드, 옥틸-벤질메틸아민옥사이드, 노닐-벤질메틸아민옥사이드, 데실-벤질메틸아민옥사이드, 운데실-벤질메틸아민옥사이드, 도데실-벤질메틸아민옥사이드, 트리데실벤질메틸아민옥사이드, 테트라데실벤질메틸아민옥사이드, 펜타데실-벤질메틸아민옥사이드, 헥사데실-벤질메틸아민옥사이드, 헵타데실-벤질메틸아민옥사이드, 옥타데실-벤질메틸아민옥사이드, 노나데실-벤질메틸아민옥사이드, 이코사닐-벤질메틸아민옥사이드,
부틸-시클로헥실메틸아민옥사이드, 펜틸-시클로헥실메틸아민옥사이드, 헥실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 헵틸-시클로헥실메틸아민옥사이드, 옥틸-시클로헥실메틸아민옥사이드, 노닐-시클로헥실메틸아민옥사이드, 데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 운데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 도데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 트리데실시클로헥실메틸아민옥사이드, 테트라데실시클로헥실메틸아민옥사이드, 펜타데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 헥사데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 헵타데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 옥타데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 노나데실-시클로헥실메틸아민옥사이드, 이코사닐-시클로헥실메틸아민옥사이드,
부틸-도데실메틸아민옥사이드, 펜틸-도데실메틸아민옥사이드, 헥실-도데실메틸아민옥사이드, 헵틸-도데실메틸아민옥사이드, 옥틸-도데실메틸아민옥사이드, 노닐-도데실메틸아민옥사이드, 데실-도데실메틸아민옥사이드, 운데실-도데실메틸아민옥사이드, 도데실-도데실메틸아민옥사이드, 트리데실도데실메틸아민옥사이드, 테트라데실도데실메틸아민옥사이드, 펜타데실-도데실메틸아민옥사이드, 헥사데실-도데실메틸아민옥사이드, 헵타데실-도데실메틸아민옥사이드, 옥타데실-도데실메틸아민옥사이드, 노나데실-도데실메틸아민옥사이드, 이코사닐-도데실메틸아민옥사이드 등을 들 수 있다.
FG가 일반식 (319)로 표시되는 계면 활성제 중에서는, 탄소수 6 내지 100의 유기 잔기를 갖는 화합물이 바람직하고, 탄소수 8 내지 60의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 보다 바람직하고, 탄소수 10 내지 40의 유기 잔기를 갖는 화합물이면 더욱 바람직하다.
FG가 일반식 (314) 내지 (319)로 표시되는 양이온성 계면 활성제 중에서는, FG가 일반식 (316) 및 (318)로 표시되는 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
본 발명의 조성물 중, 상기 화합물 (III)은, 화합물 (I) 및 화합물 (II)의 합계에 대하여, 통상 0.0001 내지 50중량％의 범위로 포함되고, 바람직하게는 0.001 내지 20중량％의 범위, 보다 바람직하게는 0.01 내지 10중량％의 범위로 포함된다. 이러한 범위로 화합물 (III)이 포함된 조성물을 중합함으로써, 상기 화합물 (I)에서 유래되는 친수기가 경화물의 표면에 농축되기 쉬워져, 예를 들어 경화물이 단층막일 경우에는, 그 표면에 친수기가 경사지기 쉬워진다.
·그 밖의 성분
상기 제2 방법에서 사용되는 혼합물에는, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I), 상기 가교 단량체 (II), 상기 계면 활성제 (III)에 더하여, 필요에 따라, 실록산 결합을 갖고, 또한 그 분자량이 200 내지 1000,000인 화합물 (IV)(단, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖지 않고, 화합물 (I) 및 (II)와는 상이함)를 병용해도 된다. 조성물 중에 이러한 화합물 (IV)가 포함됨으로써, 조성물의 외기에 접하는 표면에 있어서의 표면 에너지가 저하되고, 조성물로부터 얻어지는 경화물, 예를 들어 단층막의 레벨링성(표면 평활성)을 향상시킬 수 있다.
상기 화합물 (IV) 중에서도, 하기 일반식 (200)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure 112017087260803-pct00030
상기 식 (200) 중, L과 M은 유닛비(몰비)이며, L은 0 내지 0.99를 나타내고, M은 0.01 내지 1.00을 나타냄과 함께, L+M=1.00을 만족한다. N은 첨자 L 및 M이 부여된 대괄호로 묶인 2개의 기의 총 수이며, 1 내지 10000의 정수를 나타낸다. p는 1 내지 30의 정수를 나타낸다. q 및 r은, 각각 독립적으로 0 내지 10000의 정수를 나타낸다. R4 내지 R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 페닐기를 나타낸다.
상기 식 (200) 중, a1, a2 및 a4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, a5와 결합하는 결합손, 또는 a3과 결합하는 결합손을 나타내지만, a1, a2 및 a4가 화합물 (IV)의 말단일 경우에는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 페닐기를 나타낸다.
상기 식 (200) 중, a3 및 a5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 페닐옥시기, a1과 결합하는 결합손, a2와 결합하는 결합손 또는 a4와 결합하는 결합손을 나타내지만, a3 및 a5가 화합물 (IV)의 말단일 경우에는, 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 페닐옥시기를 나타낸다.
상기 일반식 (200)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디에톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-메틸-디에톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-메틸-디에톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-메틸-디에톡시실란과의 축중합물, 디에틸디에톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디에톡시실란과의 축중합물;
페닐메틸디메톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 페닐메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 페닐메틸디메톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 페닐메틸디메톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물, 페닐메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-메틸-디메톡시실란과의 축중합물;
디메틸디메톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-페닐디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-페닐디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-페닐디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-페닐디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-페닐디메톡시실란과의 축중합물;
디메틸디메톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)에틸-메틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)에틸-메틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)에틸-메틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)에틸-메틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)에틸-메틸디메톡시실란과의 축중합물;
디메틸디메톡시실란과 폴리(에틸렌옥시)프로필-부틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)프로필-부틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(부틸렌옥시)프로필-부틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(헥실렌옥시)프로필-부틸디메톡시실란과의 축중합물, 디메틸디메톡시실란과 폴리(프로필렌옥시)폴리(에틸렌옥시)프로필-부틸디메톡시실란과의 축중합물 등을 들 수 있다.
상기 화합물 (IV)는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
본 발명의 조성물 중, 상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물은, 화합물 (I) 및 화합물 (II)의 합계에 대하여, 통상 0.0001 내지 50중량％의 범위로 포함된다. 이러한 범위로 화합물 (III) 또는 화합물 (IV)가 포함됨으로써, 조성물로부터 얻어지는 경화물의 친수성을 높이고, 레벨링성(표면 평활성)을 향상시킬 수 있다.
상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)는 첨가량이 많을수록 레벨링성은 향상되는 경향이 있지만, 너무 많으면 얻어지는 경화물의 투명성이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 높은 투명성을 유지한 채 레벨링성을 향상시키는 점에서는, 상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물은, 화합물 (I) 및 화합물 (II)의 합계에 대하여, 바람직하게는 0.001 내지 20중량％의 범위, 보다 바람직하게는 0.01 내지 10중량％의 범위로 포함된다.
본 발명의 조성물에서는, 친수성과 투명성을 유지하면서 레벨링성을 향상시키는 점에서, 상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)를 병용하는 것도 바람직한 일 형태이다.
상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)가 모두 본 발명의 조성물에 포함되어 있는 경우에는, 상기 화합물 (III)은 화합물 (I) 및 화합물 (II)의 합계에 대하여 바람직하게는 0.001 내지 20중량％의 범위, 보다 바람직하게는 0.01 내지 10중량％의 범위로 포함된다.
상기 화합물 (III) 및 화합물 (IV)가 모두 본 발명의 조성물에 포함되어 있는 경우에는, 상기 화합물 (IV)는 화합물 (I) 및 화합물 (II)의 합계에 대하여 바람직하게는 0.001 내지 10중량％의 범위, 보다 바람직하게는 0.005 내지 5중량％의 범위로 포함된다.
상기 제2 방법에서 사용되는 혼합물에는, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I), 상기 가교 단량체 (II), 상기 계면 활성제 (III) 및 옵션 성분으로서의 상기 화합물 (IV)에 더하여, 또한 필요에 따라, 상기 제1 방법에서 사용할 수 있는 것과 동일한 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다.
또한, 상기 제2 방법에서 사용되는 상기 혼합물은, 화합물 (I) 및 화합물 (II)에 더하여 화합물 (III)을 포함하기 때문에, 그 혼합물에 용제를 포함하지 않는 경우에도, 친수기가 표면에 편석된 경화물의 형태로 아크릴 수지막 (Xm1)이 얻어진다. 그러나, 혼합물로부터 경화물, 예를 들어 단층막을 제작할 때의 작업성 등을 고려하면, 상기 제2 방법에서 사용되는 상기 혼합물에는 용제를 포함하고 있어도 된다.
여기서, 상기 제2 방법에서 사용할 수 있는 용제로서는, 표면이 친수성인 경화물이 얻어지는 한 특별히 제한은 없고, 상기 제1 방법에서 사용되는 것과 동일한 고극성 용제여도 되고, 또는, 그러한 고극성 용제와 저극성의 용제의 혼합물이어도 되고, 화합물 (I), 화합물 (II) 및 화합물 (III)의 용해성 등을 고려하여 적절한 용매를 사용할 수 있다.
단, 본 발명에서 사용하는 단량체 조성물에 포함되는 구성 성분에 대하여 반응하거나, 당해 구성 성분과 염을 형성하거나 하는 등 상호 작용이 너무 강한 용제, 및 비점이 너무 높은 용제, 예를 들어 비점이 200℃를 초과하는 용제는 바람직하지 않다. 예를 들어, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-에틸-에탄올아민, N-(2-에틸헥실)에탄올아민, N-부틸-디에탄올아민, N-헥실-디에탄올아민, N-라우릴-디에탄올아민, N-세틸-디에탄올아민 등의 히드록시에틸아미노 구조를 갖는 에탄올아민계 화합물[NRaRb(CH2CH2OH): Ra 및 Rb는 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 15의 알킬기, 또는 CH2CH2OH기임]은, 화합물 (I)에 포함되는 친수기와 상호 작용, 예를 들어 술폰산기로 대표되는 음이온성 친수기와는 염 또는 염에 가까운 형태를 형성하기 쉽고, 또한 증발되기 어렵기 때문에, 도포한 혼합물로부터 용제를 제거하려고 하더라도, 외기에 접하는 표면으로 이동하기 어려워 내부에 잔류되는 경향이 있다. 따라서, 화합물 (I)에 포함되는 친수기가, 도포물의 외기에 접하는 표면에 대한 경사(집중화)가 일어나기 어려운 경향이 있다. 그로 인해, 상기 에탄올아민계 화합물은 용제로서는 바람직하지 않다.
상기 제2 방법에서는, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I), 상기 가교 단량체 (II) 및 상기 계면 활성제 (III) 등을 포함하는 혼합물을, 기재에 도포하는 공정이 행해진다.
이 도포에 제공되는 기재로서, 상기 제1 방법에서 사용할 수 있는 것과 동일한 기재, 즉, 예를 들어 후술하는 「기재」의 항에 기재되어 있는 것과 동일한 것을 들 수 있다.
도포의 방법 및 조건에 대해서는, 상기 제1 방법의 경우와 마찬가지로, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
또한, 상기 용제를 포함하는 상기 혼합물을 기재에 도포한 경우에는, 기재에 대한 도포 후, 용제의 증발을 행하는 경우가 있지만, 그때의 증발을 행하는 조건에 대해서도, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
상기 제2 방법에 의한 상기 아크릴 수지막 (Xm1-2)의 제조에 있어서, 중합은, 상기 제1 방법과 마찬가지로, 예를 들어 가열이나, 광 등의 방사선 조사 등에 의해 행할 수 있다. 중합을 행하는 구체적인 조건에 대해서는, 종래 공지된 것을 적절히 적용할 수 있다.
≪아크릴 수지막 (Xm0)≫
이상과 같이, 본 발명에서는, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)로서, 상기 아크릴 수지막 (Xm1-1) 및 (Xm1-2) 등, 음이온성 친수기가 경사진 막인 「아크릴 수지막 (Xm1)」이 특히 적합하게 사용되지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 다른 형태에서는, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)는 상기 「아크릴 수지막 (Xm1)」 이외의 아크릴 수지막(이하, 아크릴 수지막 (Xm0))이다. 아크릴 수지막 (Xm0)의 전형례로서는, 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터의 깊이에 관계없이 균일한 아크릴 수지막(이하, 「균일 아크릴 수지막」이라고도 부르는 경우가 있음) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 후술하는 실시예 3-1 내지 3-3에 나타난 바와 같이, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)로서 이러한 아크릴 수지막 (Xm0)을 사용한 경우에도, 화합물 (A)에 의한 표면 처리에 의해 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C), 실제로는 변성 아크릴 수지막이 우수한 미끄럼성을 가질 수 있다.
여기서, 아크릴 수지막 (Xm0)은 상기 「아크릴 수지막 (Xm1)」에 해당하지 않는 한 어떠한 것이어도 되고, 예를 들어 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과 상기 가교 단량체 (II) 중 어느 한쪽과, 고극성 용제를 포함하는 혼합물을 기재에 도포하고, 당해 고극성 용제의 적어도 일부를 증발시켜, 그 후 얻어지는 혼합물을 중합함으로써 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm0-1)이나, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과 상기 가교 단량체 (II) 중 어느 한쪽과, 계면 활성제를 포함하는 혼합물을 기재에 도포하고, 중합함으로써 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm0-2)여도 된다.
또한, 본 명세서에서는, 「아크릴 수지막 (Xm1)」과의 구별을 위해, 이러한 아크릴 수지막 (Xm0)을 상기 「균일 아크릴 수지막」에 해당하지 않는 것도 포괄한 형태로 「비경사 아크릴 수지막」이라고 부르는 경우가 있다. 여기서, 「비경사 아크릴 수지막」의 전형례로서 상기 「균일 아크릴 수지막」을 들 수 있는 것은 물론이다.
<화합물 (A)>
본 발명에서 사용되는 화합물 (A)는,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물이다.
즉, 화합물 (A)는,
음이온성 친수기 1개 이상과, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상을 1분자 내에 갖는 화합물 (A0)과, 아미노 실리콘으로 형성되는 오늄 화합물이며, 화합물 (A0) 유래의 당해 음이온성 친수기 1개 이상이, 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성하고 있는 화합물이라고 볼 수도 있다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「아미노 실리콘의 오늄 이온」이란, 아미노 실리콘의 대응 오늄 이온, 구체적으로는, 아미노 실리콘을 구성하는 아미노기의 일부 또는 전부가 프로톤화되어서 발생하는 오늄 이온을 가리킨다.
상기 「아크릴 수지막 (Xm1)」 등 상기 「아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)」에 대한 표면 처리를, 이러한, 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기를 갖는 화합물 (A)를 사용하여 행함으로써, 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C)에 있어서의 미끄럼성이 우수하다. 환언하면, 본 발명에 있어서, 「화합물 (A)」는, 상기 「아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)」에, 미끄럼성 등의 특성을 부여하기 위한 표면 처리제로서 기능하는 것이다.
또한, 화합물 (A)가 1분자 내에 복수의 음이온성 친수기를 갖는 경우, 그 음이온성 친수기의 적어도 일부, 바람직하게는 전부가, 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성하고 있다.
여기서, 화합물 (A)가 갖는 음이온성 친수기로서, 술포기, 카르복실기 또는 인산기로부터 선택되는 친수성의 관능기를 들 수 있고, 이들 중에서는, 표면의 친수성이 높아지는 술포기가 특히 바람직하다.
또한, 화합물 (A)가 가질 수 있는 중합성 탄소-탄소 이중 결합으로서, 예를 들어 (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일티오기, (메트)아크릴아미드기, 알릴기, 비닐기, 또는 이소프로페닐기로부터 선택되는 라디칼 중합성의 관능기를 들 수 있다.
아미노 실리콘
본 발명에 있어서, 화합물 (A)를 구성하는 아미노 실리콘은, 실리콘 중 아미노기를 갖는 것이며, 화합물 (A)에 있어서, 음이온성 친수기와의 오늄 이온염을 형성한 상태로 존재하고 있다.
여기서, 본 발명에 있어서는, 아미노 실리콘은, 분자량이 100 내지 1,000,000의 범위에 있으면 바람직하고, 분자량이 200 내지 100,000의 범위에 있으면 보다 바람직하다. 또한 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘 중에서도, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물이면 더욱 바람직하다.
일반식 (a1):
Figure 112017087260803-pct00031
(상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
일반식 (a2):
Figure 112017087260803-pct00032
(상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
일반식 (a3):
Figure 112017087260803-pct00033
(상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함).
이들 화합물은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
적합한 화합물 (A)의 예
화합물 (A)의 중에서, 비교적 바람직한 화합물로서, 하기 일반식 (A1) 내지 (A6)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
일반식 (A1):
Figure 112017087260803-pct00034
(상기 식 (A1) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A2):
Figure 112017087260803-pct00035
(상기 식 (A2) 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R끼리는 동일해도 되고 상이해도 됨. R16은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. n110은 1 내지 10의 정수를 나타냄);
일반식 (A3):
Figure 112017087260803-pct00036
(상기 식 (A3) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A4):
Figure 112017087260803-pct00037
(상기 식 (A4) 중, D2는 (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일티오기, (메트)아크릴아미드기, 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. a 및 b는 각각 독립적으로 1 또는 2의 정수를 나타내고, a+b=3을 만족함. a가 2일 경우, D2끼리, R끼리는 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. b가 2일 경우, OSiA끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
일반식 (A5):
Figure 112017087260803-pct00038
(상기 식 (A5) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. k는 0 내지 10의 정수, l 및 m은 독립적으로 1 내지 11의 정수를 나타냄. 단 k+l+m=6+2n임. n은 0 내지 3의 정수를 나타냄. l이 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, k가 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, m이 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨);
일반식 (A6):
Figure 112017087260803-pct00039
(상기 식 (A6) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. r은 0 내지 6의 정수, q 및 p는 독립적으로 1 내지 7의 정수를 나타내지만, p+q+r=8의 정수임. p가 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, r이 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, q가 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨).
여기서, 상기 화합물 (A1)로서, 하기 일반식 (A7)로 표시되는 화합물을 적합하게 들 수 있다:
Figure 112017087260803-pct00040
(상기 식 (A7) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴로일티오기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴아미드기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타냄. X는 산소 원자, 황 원자, -NH-, 및 -NCH3-을 나타내고, SiA는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. v 및 y는, 독립적으로 0 내지 10의 정수를 나타내고, w는 0 또는 1을 나타냄(단, v 또는 y 중 어느 것이 0인 경우, w도 0임). x는 0 내지 10의 정수를 나타냄. v가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, y가 2 이상인 경우, R3끼리, R4끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. x가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 상이해도 됨).
이들 화합물은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
<화합물 (A')>
본 발명에 있어서, 화합물 (A)에 의한 표면 처리는,
수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A')의 공존 하에서 행해지는 것이어도 된다.
여기서, 화합물 (A)에 의한 표면 처리를 화합물 (A')의 공존 하에서 행하여 얻어지는 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 방오성이나, 방담성이 우수한 경우가 있다.
이, 화합물 (A')는
음이온성 친수기 1개 이상과, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상을 1분자 내에 갖는 화합물 (A0')의 대응 음이온과,
수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 양이온
이 이온쌍을 형성하여 이루어지는 화합물이며, 당해 음이온성 친수기 1개 이상이, 당해 양이온과의 이온쌍을 형성하고 있는 화합물이라고 볼 수도 있다.
또 다른 관점에서 보면, 화합물 (A')는, 화합물 (A)에 있어서의 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 대신에 수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 양이온과의 이온쌍을 이루고 있는 것을 제외하고는 화합물 (A)에 대응하는 화합물이라고도 할 수 있다. 이러한, 화합물 (A')의 구체예로서, 상기 식 (A1) 내지 (A6)에 있어서 SiA로 나타나는 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온 대신에, 수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 양이온을 갖는 대응 화합물을 들 수 있다.
여기서, 본 명세서에 있어서, 「아민 이온」이란 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민에서 유래되는 1가의 양이온이다.
또한, 「상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온」이란, 이러한 「아민 이온」 중, 상기 「화합물 (A)」의 항에서 상술한 「아미노 실리콘의 오늄 이온」에 해당하지 않는 것을 말한다.
본 발명에 있어서, 화합물 (A')를 구성하는 화합물 (A0')와, 상기 화합물 (A)를 구성하는 화합물 (A0)은, 동일 화합물이어도 되고, 또는, 서로 상이해도 된다.
화합물 (A)에 의한 표면 처리를 화합물 (A')의 공존 하에서 행하는 경우, 화합물 (A)에 대한 화합물 (A')의 비율은, 화합물 (A)가 포함되며 또한 본 발명의 효과를 충분히 발휘 가능한 한에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 화합물 (A')의 양은, 화합물 (A)의 중량에 대하여, 예를 들어 100배 이하이고, 10배 이하가 바람직하고, 4배 이하가 보다 바람직하다. 본 발명의 전형적인 형태에 있어서, 화합물 (A)와 화합물 (A')의 배합비는, 중량비로 대략 99:1 내지 1:99의 범위이고, 바람직하게는 80:20 내지 10:90의 범위이며, 더욱 바람직하게는 60:40 내지 20:80의 범위, 가장 바람직하게는 50:50 내지 20:80의 범위이다.
<변성 아크릴 수지 경화물 (C)의 형태>
본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 상기 화합물 (A)로 상기 경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어지는 것인 점에서, 기가 되는 경화물 (X)의 형상에 대응한 형상을 갖게 된다. 즉, 경화물 (X)와 마찬가지로, 변성 아크릴 수지 경화물 (C)도 또한, 적어도 하나의 표면을 갖는 한에 있어서 구체적인 형상에 특별히 한정은 없고, 막상이어도 되고, 판상이어도 되며, 또는, 덩어리 형상이어도 상관없다. 또한, 최종적인 성형물로서 가져야 할 소정의 형상이어도 된다. 단, 본 발명의 전형적인 형태에 있어서, 변성 아크릴 수지 경화물 (C)가 형상으로서 적합하게 채용되는 것은, 막상의 형태이다. 즉, 본 발명의 적합한 형태에 있어서, 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 변성 아크릴 수지막, 즉, 구체적으로는, 상기 화합물 (A)로 상기 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을 처리하여 얻어지는 변성 아크릴 수지막 (Cm)(본 명세서에 있어서, 「변성 아크릴 수지막 (Cm)」이라고도 부름)이다. 그 중에서도, 원료가 되는 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)로서 상기 아크릴 수지막 (Xm1)을 채용하여 얻어지는 변성 아크릴 수지막(이하, 「변성 아크릴 수지막 (Cm1)」)이 특히 적합하다. 이와 같이, 본 발명의 가장 적합한 형태에 있어서, 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 변성 아크릴 수지막으로서의 형태를 갖는다.
본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 상기와 같은 화합물 (A)에 의한 표면 처리에 의해, 표면의 미끄럼성 등이 우수하다. 이러한 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 그 자체로 단독으로 사용할 수도 있지만, 적당한 기재와 조합하여 적층체로 할 수도 있다.
즉, 본 발명의 적층체는, 기재와, 상술한 변성 아크릴 수지 경화물 (C)를 포함한다.
기재
본 발명에서 사용할 수 있는 기재로서, 예를 들어 유리, 실리카, 금속, 금속 산화물 등의 무기 재료로 이루어지는 기재, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 염화비닐 수지, 실리콘 수지, 종이, 펄프 등의 유기 재료로 이루어지는 기재, 및 이것들의 무기 재료 또는 유기 재료로 이루어지는 기재의 표면에 도장이 실시된, 도료 경화물층을 갖는 기재 등을 들 수 있다.
또한, 이들 기재 표면은 필요에 따라, 기재 표면을 활성화시킬 것을 목적으로, 코로나 처리, 오존 처리, 산소 가스 또는 질소 가스 등을 사용한 저온 플라즈마 처리, 글로우 방전 처리, 화학 약품 등에 의한 산화 처리, 화염 처리 등의 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수도 있다. 또한 이들 처리 대신에, 또는 이들 처리에 더하여 프라이머 처리, 언더코팅 처리, 앵커 코팅 처리를 실시해도 된다.
상기 프라이머 처리, 언더코팅 처리, 앵커 코팅 처리에 사용하는 코팅제로서는, 예를 들어 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에폭시 수지, 페놀계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리아세트산 비닐계 수지, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 또는 그 공중합체 내지 변성 수지, 셀룰로오스계 수지 등의 수지를 비히클의 주성분으로 하는 코팅제를 사용할 수 있다. 상기 코팅제로서는, 용제형 코팅제, 수성형 코팅제 중 어느 것이어도 된다.
이들 코팅제 중에서도, 변성 폴리올레핀계 코팅제, 에틸비닐알코올계 코팅제, 폴리에틸렌이민계 코팅제, 폴리부타디엔계 코팅제, 폴리우레탄계 코팅제;
폴리에스테르계 폴리우레탄에멀전 코팅제, 폴리염화비닐에멀션 코팅제, 폴리우레탄에멀전 코팅제, 실리콘아크릴에멀전 코팅제, 아세트산 비닐아크릴에멀전 코팅제, 아크릴에멀전 코팅제;
스티렌-부타디엔 공중합체 라텍스 코팅제, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 라텍스 코팅제, 메틸메타크릴레이트-부타디엔 공중합체 라텍스 코팅제, 클로로프렌 라텍스 코팅제, 폴리부타디엔 라텍스의 고무계 라텍스 코팅제, 폴리아크릴산 에스테르 라텍스 코팅제, 폴리염화비닐리덴 라텍스 코팅제, 폴리부타디엔 라텍스 코팅제, 또는 이들 라텍스 코팅제에 포함되는 수지의 카르복실산 변성물 라텍스 또는 디스퍼젼으로 이루어지는 코팅제가 바람직하다.
이들 코팅제는, 예를 들어 그라비아 코팅법, 리버스 롤 코팅법, 나이프 코팅법, 키스 코팅법 등에 의해 도포할 수 있고, 기재에 대한 도포량은, 건조 상태에서, 통상 0.05g/㎡ 내지 5g/㎡이다.
이들 코팅제 중에서는, 폴리우레탄계 코팅제가 보다 바람직하다. 폴리우레탄계의 코팅제는, 그 코팅제에 포함되는 수지의 주쇄 또는 측쇄에 우레탄 결합을 갖는 것이다. 폴리우레탄계 코팅제는, 예를 들어 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 또는 아크릴폴리올 등의 폴리올과 이소시아네이트 화합물을 반응시켜서 얻어지는 폴리우레탄을 포함하는 코팅제이다.
이들 폴리우레탄계 코팅제 중에서도, 축합계 폴리에스테르 폴리올, 락톤계 폴리에스테르 폴리올 등의 폴리에스테르 폴리올과 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물을 혼합하여 얻어지는 폴리우레탄계 코팅제가, 밀착성이 우수하기 때문에 바람직하다.
폴리올 화합물과 이소시아네이트 화합물을 혼합하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 또한 배합비도 특별히 제한되지 않지만, 이소시아네이트 화합물이 너무 적으면 경화 불량을 야기하는 경우가 있기 때문에 폴리올 화합물의 OH기와 이소시아네이트 화합물의 NCO기가 당량 환산으로 2/1 내지 1/40의 범위인 것이 적합하다.
본 발명에 있어서의 기재에서는, 상기 표면 활성화 처리된 기재면을 포함해도 된다.
[제조 방법]
상술한 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 표면을, 상기 화합물 (A)로 처리함으로써 얻어진다. 이러한 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 예로서, 상기 「아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)」의 항에서 상술한 것을 들 수 있다.
여기서, 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)가 변성 아크릴 수지막으로서의 형태를 갖는 경우, 즉, 상기 변성 아크릴 수지막 (Cm)일 경우, 그러한 변성 아크릴 수지막은, 아크릴 수지막 (Xm)(즉, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X) 중 막상인 것)의 표면을, 상기 화합물 (A)로 처리함으로써 얻어진다.
여기서, 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)로서 아크릴 수지막 (Xm)을 채용하는 경우, 상기 변성 아크릴 수지막 (Cm)은, 예를 들어 하기 공정 (S1)을 포함하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다:
(S1) 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을, 상기 화합물 (A)로 처리하는 공정.
이것은, 아크릴 수지막 (Xm)으로서, 상기 아크릴 수지막 (Xm1) 및 상기 아크릴 수지막 (Xm0) 중 어느 것을 채용하는 경우도 마찬가지이다.
단, 본 발명에 있어서는, 상기 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조법은, 하기 공정 (S0) 및 (S2)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
(S0) 상기 아크릴 수지막 (Xm)을 기재 상에 형성하는 공정;
(S2) 상기 공정 (S1)에 의해 얻어진 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 상기 기재로부터 박리하는 공정.
즉, 본 발명에 있어서의 바람직한 형태에서는, 상기 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조 방법은, 상기 공정 (S0), (S1) 및 (S2)를 포함한다. 특히, 아크릴 수지막 (Xm)으로서 상기 아크릴 수지막 (Xm1)이 사용되는 경우, 이렇게 공정 (S0), (S1) 및 (S2)를 포함함으로써, 보다 확실하게, 상기 아크릴 수지막 (Xm1)을 상기 기재와 접하고 있는 측과 반대측의 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 당해 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것으로 할 수 있어, 바람직하다. 여기서, 공정 (S2)는 종래 공지된 수법에 의해 적절히 행할 수 있다.
한편, 기재와 상기 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는 적층체는, 상기 공정 (S0) 및 (S1)을 포함하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 이 경우, 상기 공정 (S0) 및 (S1)은 포함하지만, 상기 공정 (S2)를 행하지 않는 제조 방법에 의해, 적층체를 얻어도 되고, 또는, 상기 공정 (S0), (S1) 및 (S2)를 행한 다음, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 다른 기재에 부착 또는 적층함으로써, 적층체를 얻어도 된다. 즉, 상기 적층체를 구성하는 기재를 기재 (Sb1)이라 하고, 상기 공정 (S0)에서 아크릴 수지막 (Xm)의 형성에 사용되는 기재를 기재 (Sb0)이라 했을 때, 기재 (Sb1)은 기재 (Sb0) 그 자체여도 되고, 또는 기재 (Sb0)과는 상이해도 된다.
이하, 공정 (S0) 및 (S1)에 대해서, 더욱 구체적으로 설명한다.
공정 (S0)
본 발명에 있어서, 공정 (S0)은 아크릴 수지막 (Xm)을 기재 상에 형성하는 공정이다. 여기서, 본 발명의 변성 아크릴 수지막의 제조 방법에 있어서, 공정 (S0)은 필수적인 공정은 아니지만, 공정 (S0)을 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 본 발명에 있어서, 특히 적합한 아크릴 수지막 (Xm)으로서, 상기 아크릴 수지막 (Xm1)을 들 수 있다. 이러한 아크릴 수지막 (Xm1)은 상기 「아크릴 수지막 (Xm1)」의 항에서 상술한 방법에 의해 형성할 수 있다.
이 형태에서는, 공정 (S0)은 구체적으로는,
공정 (S0-1): 음이온성 친수기를 갖고,
표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은
아크릴 수지막 (Xm1)을 기재 상에 형성하는 공정
으로서 행해지게 된다.
즉, 얻어지는 아크릴 수지막 (Xm1)은 당해 기재(즉, 기재 (Sb0))와 접하고 있는 측과 반대측의 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 당해 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것이 된다.
여기서, 아크릴 수지막 (Xm1)의 제조는, 상기 제1 방법에 따라서 행해도 되고, 또는, 상기 제2 방법에 따라서 행해도 된다. 단, 상술한 바와 같이, 용제의 사용을 필수로 하지 않아도 되고, 또한, 아크릴 수지막 (Xm1)의 형성을 안정되게 행할 수 있다는 점에서, 상기 제2 방법에 따라서 행하는 것이 바람직하다.
아크릴 수지막 (Xm)의 형성에 사용할 수 있는 기재의 구체예로서, 상기 「아크릴 수지막 (Xm1)」의 항에서 상술한 바와 같이, 상기 「기재」의 항에서 상술한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
한편, 상기 아크릴 수지막 (Xm1) 이외의 아크릴 수지막(즉, 아크릴 수지막 (Xm0))은 아크릴 수지막 (Xm1)에 해당하는 아크릴 수지막이 생성되지 않는 한에 있어서, 종래 공지된 적당한 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들어, 상기 음이온성 친수기를 갖는 친수성 단량체 (I)과, 상기 가교 단량체 (II) 중, 어느 한쪽만을 사용하는 것 이외에는 상기 아크릴 수지막 (Xm1)과 동일한 제조 방법을 사용하여 얻을 수 있다.
공정 (S1)
본 발명에 있어서, 공정 (S1)은 아크릴 수지막 (Xm)(상기 아크릴 수지막 (Xm1)이어도 되고 상기 아크릴 수지막 (Xm0)이어도 됨)의 표면을, 상기 화합물 (A)로 처리하는 공정이다. 이 공정 (S1)에 의해, 아크릴 수지막 (Xm)을 구성하는 아크릴 수지에 대하여 화합물 (A)에 의한 그래프트 반응이 일어나고, 변성 아크릴 수지막 (Cm)이 형성되는 것이다. 여기서, 본 발명에 있어서, 공정 (S1)에 앞서, 상기 공정 (S0)이 행해지는 것이 바람직하다.
여기서, 본 발명에 있어서, 특히 적합한 아크릴 수지막 (Xm)으로서, 상기 아크릴 수지막 (Xm1)을 들 수 있다. 아크릴 수지막 (Xm1)은 음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막이다. 따라서, 아크릴 수지막으로서 아크릴 수지막 (Xm1)이 사용되는 경우, 공정 (S1)에 있어서의 상기 화합물 (A)에 의한 처리는, 아크릴 수지막 (Xm1)에 있어서의, 음이온성 친수기의 농도가 높은 당해 표면에 대하여 행해진다.
환언하면, 이 형태에서는, 공정 (S1)은 구체적으로는,
공정 (S1-1): 아크릴 수지막 (Xm1)의, 상기 표면을,
아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
을 1분자 내에 갖는 화합물 (A)로
처리함으로써, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 형성하는 공정
으로서 행해지게 된다.
여기서, 공정 (S1)에 제공되는 아크릴 수지막 (Xm1)에 있어서, 상기 Sa/Da는, 1.2 이상이 바람직하고, 1.3 이상이 보다 바람직하다. 상한에 제한은 없고, 통상은 20 이하이다. 또한 본 발명에 있어서 아크릴 수지막 (Xm1)의 Sa/Da는, 화합물 (A)에 의한 처리를 행하기 전의 값이다. 후술하는 바와 같이 중합을 완결하지 않은 상태에서 화합물 (A)에 의한 처리를 행하는 경우에는, Sa/Da는 당해 중합을 완결하지 않은 상태에서의 값이다.
본 발명에서 행해지는 공정 (S1)의 처리는, 아크릴 수지막 (Xm)으로서 상기 아크릴 수지막 (Xm1) 및 상기 아크릴 수지막 (Xm0) 중 어느 것을 사용하는 경우에도, 통상, 아크릴 수지막 (Xm) 표면에, 화합물 (A), 용제 및 필요에 따라 계면 활성제(레벨링제)가 첨가된 용액을 도포하고, 용제 건조 후, 방사선 조사 또는 가열하여 그래프트화 반응을 행하고, 마지막으로 그래프트 반응에 관여하지 않은 화합물 (A)를 세정 등에 의해 제거함으로써 행해진다. 상기 용액의 도포 시에는, 미리 상기 아크릴 수지막 (Xm)에, 방사선 등을 조사하여 라디칼을 발생시키고 나서 상기 용액을 도포해도 되고, 상기 아크릴 수지막 (Xm)의 제조 시에, 중합을 완결시키지 않은 상태로 해 두고, 다음으로 상기 용액을 도포해도 된다. 중합을 완결시키지 않은 상태로 하기 위해서는, 예를 들어 방사선량을, 완전히 경화시킨 경우보다도 적절히 적게 억제함으로써 달성할 수 있다.
통상, (메트)아크릴 수지의 중합도는 잔존 (메트)아크릴기의 양으로부터 계산되고, 잔존 (메트)아크릴기는 IR에 의해 >C=CH2 피크(808㎝-1의)를 분석함으로써 정량 가능하다.
일반적으로, (메트)아크릴 수지의 중합도가 대략 10mol％ 이하, 특히 3mol％의 현저하게 낮은 상태의 막에서는, 그래프트 처리 시에 처리되는 아크릴 수지막 (Xm)이 깨지는 경우가 있고, 또한/또는, 그래프트 처리액에 의해 막 표면 및 막 표면 부근 내부에 경사진 음이온성 친수기를 갖는 친수성의 (메트)아크릴레이트가 용출되는 경우가 있는 등 바람직하지 않은 경향이 있다. 반대로, 통상의 방사선 중합과 동일 정도로 중합을 행하고, 중합도가 예를 들어 60mol％를 초과하여 높아진 상태의 막에서는, 표면 및 표면 부근 내부의 중합체 라디칼 농도가 저하됨에 따라 그래프트화율이 저하되는(그래프트양의 저하) 경향이 있어, 바람직하지 않다.
따라서, 그래프트 처리가 행해지는 아크릴 수지막 (Xm)을 구성하는 (메트)아크릴 수지의 중합도, 즉, 그래프트 처리가 행해지는 아크릴 수지막 (Xm)의 (메트)아크릴기 중합도는, 대략 3 내지 60mol％가 바람직하고, 20 내지 60mol％이면 보다 바람직하고, 35 내지 55mol％이면 더욱 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 용제로서는, 용해성의 면에서, 극성이 높은 용제가 바람직하고, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 이소프로판올(IPA), n-프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르(EGM), 1,2-프로필렌글리콜모노메틸에테르(EGM) 등의 알코올, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드(DMF) 등의 질소 함유 용제, 디메틸술폭시드(DMSO), 술포란 등의 황 함유 용제, 물, 및 그것들의 혼합 용제 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 용해성이 비교적 높은 알코올, 물, 및 이것들의 혼합 용제가 바람직하게 사용된다. 또한 안전성의 면도 고려하면, 에탄올, 물, 및 그것들의 혼합 용제가 보다 바람직하다.
용제에 용해되는 화합물 (A)의 농도는, 선택한 용제에 따라 상이하지만, 대략 0.001wt％ 내지 포화 용해도이다. 바람직하게는 0.01 내지 50wt％가 바람직하고, 0.01 내지 20wt％가 보다 바람직하고, 0.1 내지 10wt％이면 더욱 바람직하다.
여기서, 화합물 (A)를 포함하는 용액에는, 필요에 따라, 상기 화합물 (A')가 배합되어 있어도 된다. 화합물 (A)에 의한 표면 처리를 행할 때, 화합물 (A)를 포함하는 용액으로서 상기 화합물 (A')를 포함하는 용액을 사용하면, 방오성이나, 방담성이 우수한 변성 아크릴 수지 경화물 (C)를 얻는 것도 가능하게 된다. 이 경우, 화합물 (A)와 화합물 (A')의 배합비는, 상기 「화합물 (A')」의 항에서 상술한 비율로 할 수 있다.
필요에 따라 사용되는 계면 활성제(레벨링제)는 주로 도액의 크레이터링을 방지할 목적으로 첨가된다. 예를 들어, 알킬카르복실산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르카르복실산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 등의 카르복실산염류, 알킬벤젠술폰산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 알킬나프탈렌술폰산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 알킬나프탈렌술폰산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 포르말린 중축합물, 멜라민술폰산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 포르말린 중축합물, 디알킬술포숙신산 에스테르 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, α-올레핀술폰산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, N-아실술폰산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 등의 술폰산염류, 황산화유, 알킬 황산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 알킬에테르 황산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 황산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 알킬아미드 황산의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 등의 황산에스테르 염류, 알킬 인산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 인산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염, 알킬아릴에테르 인산 및 그의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속염 등의 인산에스테르 염류, 지방족 아민염, 4급 암모늄염, 염화벤잘코늄, 염화벤제토늄, 피리디늄염, 이미다졸리늄염 등의 음이온 계면 활성제류, 카르복시베타인, 아미노카르본산염, 이미다졸리늄베타인, 레시틴, 알킬아민옥사이드 등의 양성 계면 활성제류,
폴리옥시에틸렌알킬 및 아릴에테르, 폴리옥시프로필렌알킬 및 아릴에테르, 다가 알코올에스테르의 폴리옥시에틸렌알킬 및 아릴에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 지방족 알칸올 아미드, 폴리옥시에틸렌 지방족 아미드 등의 비이온 계면 활성제, DIC사 제조 메가페이스, 미쓰비시 매터리얼 덴시 가세이사 제조 에프톱, 아사히 글래스사 제조 서플론, 네오스사 제조 프터젠트, 다이킨 고교사 제조 유니다임, 스미토모 쓰리엠사 제조 플로우 라드, 듀폰사 제조 조닐 등의 불소계 계면 활성제, 교에샤 가가쿠 제조 아쿠알렌 8020, 아쿠알렌 HS-01, 아쿠알렌 SB-630, 폴리플로우 KL-100, 폴리플로우 KL-800, 폴리플로우 WS-30 등의 실리콘계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 실리콘계 계면 활성제가 비교적 바람직하다.
필요에 따라 첨가되는 계면 활성제의 첨가량은, 화합물 (A)와 용제의 합계량에 대하여 대략 0.0001 내지 20wt％, 바람직하게는 0.001 내지 10wt％, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 5wt％의 범위이다.
화합물 (A)가 포함되는 본 발명의 처리액은, 화합물 (A), 용제, 및 계면 활성제(레벨링제) 이외에, 예를 들어 UV 중합 개시제, 라디칼(열) 중합 개시제, UV 흡수제, HALS, 필러 등의 다양한 유기 화합물 그리고 무기 화합물을 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 포함해도 된다.
화합물 (A)가 포함되는 본 발명의 처리액을 도포하는 방법으로서는, 예를 들어, 딥 코팅법, 흘려 보냄식 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 그라비아 코팅법, 리버스 롤 코팅법, 나이프 코팅법, 키스 코팅법, 스핀 코팅법 등 다양한 방법을 들 수 있고, 형상 등에 따라 적절히 선택된다.
도포 후의 용제 건조는, 자연 건조, 에어건, 선풍기, 드라이어, 또는 오븐 등 다양한 방법이 가능하지만, 오븐이 바람직하게 사용되는 경향이 있다. 오븐을 사용한 경우의 건조 조건은 대략 30 내지 120℃의 범위에서 예를 들어 1분 내지 10시간이다. 단 용제 건조는 필수는 아니며, 예를 들어 용제 건조와 그래프트화 반응을 동시에 행해도 되고, 용제 건조 없이 그래프트화 반응을 행해도 된다.
아크릴 수지막에 화합물 (A)를 방사선 조사에 의해 그래프트할 경우, 전자선 또는 200 내지 400㎚의 범위의 UV(자외선)가 바람직하게 사용되고, 대략 100 내지 5000mJ/㎠의 조사 에너지양으로 그래프트화된다.
그래프트화 반응을 열로 행하는 경우, 대략 30 내지 250℃의 범위에서 0.1 내지 24시간 가열하여 행해진다.
그래프트 반응 후에 행해지는 처리막(변성 아크릴 수지막)의 세정은, 그래프트 반응에 관여하지 않은 화합물 (A)를 처리막(변성 아크릴 수지막)으로부터 제거할 목적으로 행해지고, 물 또는 알코올 등의 고극성 용제가 바람직하게 사용된다.
이상과 같이, 아크릴 수지막 (Xm)을 화합물 (A)로 그래프트 처리함으로써, 미끄럼성 및 투명성이 우수한 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 얻을 수 있다. 특히, 아크릴 수지막 (Xm)으로서 아크릴 수지막 (Xm1)을 사용했을 때에는, 변성 아크릴 수지막 (Cm1)의 형태로 얻어지는 변성 아크릴 수지막 (Cm)이 일정한 친수성을 가질 수도 있다. 또한, 화합물 (A)에 의한 표면 처리를 상기 화합물 (A') 공존 하에서 행함으로써, 얻어지는 변성 아크릴 수지막 (Cm)이 방오성 등도 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 적층체에 대해서도, 이러한 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는 점에서, 마찬가지로, 우수한 미끄럼성 및 투명성 등을 가질 수 있다. 여기서, 아크릴 수지막 (Xm)으로서 아크릴 수지막 (Xm1)을 갖는 적층체를 얻을 때에는, 우수한 미끄럼성 및 투명성, 그리고 일정한 친수성을 갖는다는 등의 효과를 충분히 가질 수 있도록, 적층체를 구성하는 아크릴 수지막 (Xm1)이,
적층체를 구성하는 기재(즉, 기재 (Sb1))와 접하고 있는 측과 반대측의 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 당해 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것
임이 바람직하다.
이러한 적층체는, 상기 공정 (S2)를 행한 후에, 아크릴 수지막 (Xm1)에 있어서의 기재 (Sb0)이 존재하고 있었던 면에 기재 (Sb0)과는 다른 기재 (Sb1)을 부착 또는 적층함으로써 얻어도 되고, 또는, 상기 공정 (S2)를 행하지 않는 제조 방법에 의해 얻어도 된다. 본 발명에서는, 상기 공정 (S2)를 행하지 않는 제조 방법에 의한 것이 바람직하고, 이 경우, 기재 (Sb0)이 그대로 기재 (Sb1)을 구성하게 된다.
[용도]
상술한 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C), 특히, 본 발명의 변성 아크릴 수지막 (Cm)은 미끄럼성이 우수하다. 따라서, 본 발명의 변성 아크릴 수지 경화물 (C)는 변성 아크릴 수지막 (Cm)이나 그 적층체의 형태로, 안경 렌즈, 선글라스, 보호 안경, 카메라 렌즈, 픽업 렌즈, 프레넬 렌즈, 프리즘 렌즈, 및 렌티큘러 렌즈 등의 렌즈 용도 터치 패널, 표시 패널 등의 디스플레이 용도, 비산 방지 필름, 쇼케이스용 필름, 장식 필름, 윈도우 필름 등의 필름 용도, 거울, 유리판, 투명 플라스틱판 등의 투명 재료 용도 등의 다양한 용도에 적합하게 제공할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 있어서 피막의 물성 평가는, 하기와 같이 행했다.
<아크릴 수지막(그래프트되는 수지막)의 중합도의 측정>
우선, 고형분 20wt％로 조제한 아크릴 수지계 코팅액을 기재 실리콘 웨이퍼에 바 코터 #02 도포하고, 60℃ 온풍 건조기로 2분간 건조한다. 이어서 UV 조사 전후의 측정 샘플을 FT-IR로 분석하고, 기준 피크(1730㎝-1)에 대한 UV 조사 전후의 808㎝-1의 >C=CH2 피크 강도비(베이스 라인법)를 이하의 계산식에 대입함으로써 중합도를 산출하였다.
중합도(mol％)=(UV 조사 전의 피크 강도비-UV 조사 후의 피크 강도비)/UV 조사 전의 피크 강도비×100
<음이온 및 양이온 농도비의 측정>
도 1에 도시하는 시료 조제와 같이 샘플을 비스듬히 절단하고, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(TOF-SIMS)를 사용하여, 상기 외표면의 음이온 농도(Sa)와 상기 중간 지점의 음이온 농도(Da)를 측정하고, 그 값으로부터 외기에 접하는 막의 외표면과 막의 내표면과 외표면 사이의 중간 지점의 음이온 농도비(Sa/Da)를 구하였다.
(분석 장치와 측정 조건)
TOF-SIMS; ION·TOF사 제조 TOF-SIMS5
1차 이온; Bi3 2 +(가속 전압 25kV)
측정 면적; 400㎛2
측정에는 대전 보정용 중화 총을 사용
(시료 조제 등)
도 1에 도시하는 바와 같이, 기재(10)의 표면에 코팅층(20)이 형성된 샘플을 절삭 방향(30)을 향하여, 정밀 경사 절삭을 행한 후, 10㎜×10㎜ 정도의 크기로 잘라내고, 측정면에 메쉬를 대고, 샘플 홀더에 고정하고, 외기와 접하는 코팅층 표면(40) 및 막의 내부인 코팅층 내부(50)(막 두께 1/2의 지점, 기재(10)에 접하는 코팅층의 내표면)에서 비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(TOF-SIMS)를 사용하여 음이온 농도를 측정하였다.
(평가)
평가는 이하의 계산식으로 행하였다. 또한, 각 측정점의 이온 농도는, 상대 강도(토탈 검출 이온에 대한)를 사용하였다.
Sa/Da(음이온 농도비, 경사도)=코팅층 표면(40)에서의 음이온 농도/코팅층(20)의 막 두께 1/2의 지점에서의 음이온 농도
<수접촉각의 측정>
교와 가이멘 가가쿠사 제조의 수접촉각 측정 장치 CA-V형을 사용하여, 1샘플에 대하여 3군데 측정하고, 이들 값의 평균값을 수접촉각의 값으로 하였다.
<헤이즈의 측정>
닛본 덴쇼쿠 고교사 제조의 헤이즈 미터 NDH2000을 사용하여, 1샘플에 대하여 4군데 측정하고, 이들 값의 평균값을 헤이즈의 값으로 하였다.
<밀착성의 평가>
바둑판 눈 박리 시험에 의해 평가하였다.
<방오성의 평가>
제브라(주) 제조의 유성 마커 「막키 고쿠보소」(흑색, 제품 번호 MO-120-MC-BK)로 마크하고, 그 위에 물방울을 떨어뜨려 30초간 방치하고, 티슈 페이퍼로 닦아낸다. 마크가 닦인 경우를 ○, 닦이지 않고 남은 경우를 ×라 하였다.
<호기(呼氣) 방담성의 평가>
호기에 의해 흐려지지 않은 경우를 ○, 흐려진 경우를 ×라 하였다.
<동마찰 계수의 측정>
추와 시험 샘플 표면의 사이에, 천(도레이(주) 제조의 도레이씨, 또는 아사히 가세이(주) 제조의 BEMCOT(등록 상표) M-3II 중 어느 하나)을 깔고, ASTM D1894에 따라 평가 시험을 행하였다.
·하중: 199g
·시험 폭: 30㎜
·시험속도: 200㎜/분
·시험 환경: 23℃-50％RH
[실시예 1-1]
(중합성 조성물 1의 조제)
하기 표 1의 배합비에 따라, 고형분 80wt％의 균일한 중합성 조성물 1을 조제하였다. 또한, 이 중합성 조성물 1의 조제에 사용된 하기 계면 활성제(펠렉스 TR)는 디알킬술포숙신산 나트륨을 주성분으로 하는 것이다.
[표 1]
Figure 112017087260803-pct00041
Figure 112017087260803-pct00042
(코팅 용액 1의 조제)
하기 표 2에 따라, 고형분 40wt％의 코팅 용액 1을 조제하였다.
[표 2]
Figure 112017087260803-pct00043
(그래프트용 경사막의 형성: 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이(이하 「심부」라고 하는 경우가 있음)에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 막의 형성)
코팅 용액 1을 기재가 되는 폴리카르보네이트제 시트(이하 PC판이라고 약칭함)에, 실온(26℃-20％RH)에서, 스핀 코터(500rpm으로 적하, 4000rpm×40초로 연신, 2㎛ as dry)로 도포하고, 60℃의 온풍 건조기에서 2분간 건조하였다.
이어서, UV 컨베이어(퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사, 무전극 방전 램프 H 밸브 240W/㎝, 출력 30％, 높이 65㎜, 컨베이어 속도 30m/분)를 1회 통과(조도 25mW/㎠, 적산 광량 6mJ/㎠, 250 내지 445㎚ UV 측정기 UV Power Puck)시켜서, PC판 위에 막 두께 2㎛의 경사막을 형성시켰다. 이 코팅막의 아크릴기의 중합도는 46mol％이고, 기타 물성 측정 및 TOF-SIMS에 의한 분석을 하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
또한, 이 경사막은, 본 발명에서 말하는 아크릴 수지막 (Xm1)에 상당한다.
[표 3]
Figure 112017087260803-pct00044
(그래프트 처리액의 조제)
그래프트 처리하기 위한 혼합액으로서, 그래프트 처리액 ATBS-1, ATBS-2, ATBS-n을 각각 표 4-1 내지 표 4-3에 기재된 배합을 따라 조제하였다.
또한, 그래프트 처리액 ATBS-1 및 ATBS-2는 본 발명에서 말하는 화합물 (A)에 상당하고, 그래프트 처리액 ATBS-n은 본 발명에서 말하는 화합물 (A')에 상당한다.
[표 4-1]
Figure 112017087260803-pct00045
Figure 112017087260803-pct00046
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00047
[표 4-2]
Figure 112017087260803-pct00048
Figure 112017087260803-pct00049
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00050
[표 4-3]
Figure 112017087260803-pct00051
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00052
(그래프트 처리)
상기에서 얻어진 그래프트용 경사막의 표면에, 그래프트 처리액 ATBS-1을 스프레이건(공기압 1.5Kgf/㎠)으로 도포하고, 실온에서 1분간 정치한 후, UV 컨베이어(퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사, 무전극 방전 램프 H 밸브, 출력 100％, 높이 65㎜, 컨베이어 속도 5m/분)를 1회 통과시켜서(조도 1400mW/㎠, 적산 광량 1800mJ/㎠, 250 내지 445㎚ UV 측정기 UV Power Puck), 코팅막 표면의 그래프트 처리를 행함과 함께 완전히 막을 경화시켰다. 마지막으로, 유수 하에서 표면을 문질러 씻고, 에어건으로 건조한 후, 도레이씨(도레이)로 표면을 가볍게 닦아, 피막(측정 샘플)을 완성시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 측정 샘플을, 각종 시험에 제공하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 1-2 내지 1-3]
그래프트 처리액을, ATBS-1로부터, ATBS-1과 ATBS-n의 혼합물(ATBS-1과 ATBS-n의 배합비는 표 5에 기재)로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 마찬가지로 시험을 행하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 1-4]
그래프트 처리액을 ATBS-1로부터 ATBS-2로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 마찬가지로 시험을 행하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 1-5 내지 1-6]
그래프트 처리액을, ATBS-1로부터, ATBS-2와 ATBS-n의 혼합물(ATBS-2와 ATBS-n의 배합비는 표 5에 기재)로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 마찬가지로 시험을 행하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[비교예 1-1]
그래프트 처리액을, ATBS-1로부터, ATBS-n으로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 마찬가지로 시험을 행하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[비교예 1-2]
그래프트 처리액의 도포를 행하지 않고, 실시예 1-1과 마찬가지로 다시 UV 조사를 행하였다. 즉, 본 비교예에서는, 기재 PC(폴리카르보네이트)에 대하여 그래프트용 경사막의 형성만이 행해지고, 그래프트 처리는 행해져 있지 않다.
결과를 표 5에 나타낸다.
[비교예 1-3]
기재 PC(폴리카르보네이트)에서의 시험 결과를 표 5에 나타낸다.
[표 5]
Figure 112017087260803-pct00053
[실시예 2-1 내지 2-9]
(그래프트 용액의 조제)
실시예 2-1부터 2-9에서는, 각각, 표 6-1 내지 6-9에 기재된 배합에 따라서 반응 혼합액의 조제를 행하고, 마지막으로 5㎛의 필터로 여과하여, 여과액을 그래프트 처리액으로서 사용하였다.
[표 6-1]
Figure 112017087260803-pct00054
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00055
[표 6-2]
Figure 112017087260803-pct00056
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00057
[표 6-3]
Figure 112017087260803-pct00058
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00059
[표 6-4]
Figure 112017087260803-pct00060
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00061
[표 6-5]
Figure 112017087260803-pct00062
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00063
[표 6-6]
Figure 112017087260803-pct00064
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00065
[표 6-7]
Figure 112017087260803-pct00066
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00067
[표 6-8]
Figure 112017087260803-pct00068
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00069
[표 6-9]
Figure 112017087260803-pct00070
또한, 상기 그래프트 처리액의 조제에 의해, 계 내에서 생성되고 있는 화합물은 이하와 같다.
Figure 112017087260803-pct00071
(그래프트 처리)
표 6-1 내지 6-9에 기재된 배합에 따라서 각각 조제된 그래프트 처리액을 사용하여, 실시예 1-1과 마찬가지로 시험하였다. 결과를 표 7에 게재한다.
[표 7]
Figure 112017087260803-pct00072
[실시예 3-1 내지 3-3]
디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(A-9530이라 약기함) 8.0g, UV 중합 개시제로서 다로큐어 1173(BASF) 0.24g, 및 용제로서 PGM 12.0g을 첨가해서 혼합 용해하여, 고형분 40wt％의 코팅 용액 2를 얻었다.
얻어진 코팅 용액 2를 실시예 1-1과 마찬가지로 도포, 건조 및 UV 조사하고, 기재 PC판 위에 막 두께 2㎛의 비경사 아크릴 수지막을 형성시켰다(반응률 12mol％). 이 비경사 아크릴 수지막은, 본 발명에서 말하는 아크릴 수지막 (Xm0)에 상당한다.
이어서, 상기 비경사 아크릴 수지막을 실시예 1-1 내지 1-3과 마찬가지로 그래프트 처리하였다. 즉, 실시예 3-1부터 3-3에서는, 실시예 1-1에서 얻어진 그래프트용 경사막 대신에 상기 비경사 아크릴 수지막을 사용한 것을 제외하고는, 각각, 실시예 1-1 내지 1-3과 마찬가지로 그래프트 처리하였다.
결과를 표 8에 게재한다.
[비교예 3-1]
그래프트 처리액의 도포를 행하지 않고, 실시예 1-1과 마찬가지로 다시 UV 조사를 행하였다. 결과를 표 8에 나타낸다.
[표 8]
Figure 112017087260803-pct00073
[제조예 4-1]
안경 렌즈의 제작
미쓰이 가가쿠 제조 MR-8ATM 50.6g, MR-8B1TM 23.9g, MR-8B2TM 25.5g, 디부틸틴디클로리드 0.035g, 자외선 흡수제(교도 야쿠힌사 제조, 상품명 바이오솔브583) 1.5g, 내부 이형제(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 MR용 내부 이형제) 0.1g을 혼합 용해하여, 균일 용액으로 하였다.
이 균일 용액을 400㎩의 감압 하에서 1시간에 걸쳐 탈포를 행한 후, 1㎛ PTFE제 필터로 여과하고, 여과액을 유리 몰드와 테이프로 이루어지는 몰드형에 주입하였다. 액이 주입된 몰드형을 중합 오븐에 투입하고, 25℃ 내지 120℃까지 21시간에 걸쳐 서서히 승온하여 경화시켰다.
실온까지 냉각 후, 몰드형으로부터 테이프와 유리 몰드를 박리하여, 내부의 플라스틱 렌즈를 취출하고, 더욱 변형을 제거할 목적으로, 다시 120℃에서 2시간의 가열을 행하여 실온까지 서랭하였다. 이렇게 하여 얻어진 MR-8TM 플라스틱 렌즈의 굴절률(ne)은 1.60, 아베수(νe)는 40, 비중은 1.29, 내열성은 90℃ 이상이고, 안경용 플라스틱 렌즈로서 적합한 물성을 갖고 있었다.
[실시예 4-1]
프라이머용 조성물-100의 조제
타케락 A315(미쓰이 가가쿠 제조) 40g, 타케네이트 A10(미쓰이 가가쿠 제조) 4.0g, 2-펜타논 836g, 디옥틸틴디라울레이트 132mg을 혼합하여, 프라이머용 조성물-100을 얻었다.
코팅용 조성물-101의 조제
중합성 조성물 1(고형분 80wt％) 225g, 1-메톡시-2-프로판올 100g, 메탄올 125g, 다로큐어 1173 5.0g을 혼합하여, 코팅용 조성물-101을 얻었다.
그래프트 처리액-102의 조제
고형분 25wt％의 그래프트 처리액 ATBS-n 9.0g에 고형분 25wt％의 그래프트 처리액 ATBS-1 1.0g을 첨가하여 교반하고, 25wt％의 ATBS-1/ATBS-n =1/9의 그래프트 처리액-102를 얻었다.
기재에 대한 도포 시공
상기 제조예 4-1에서 얻어진 MR-8TM 안경 렌즈의 표면 상에, 상기에서 얻어진 프라이머용 조성물-100을 딥 코터에 의해 인상 속도(1.0㎜/s)로 도포하고, 110℃의 오븐에서 1시간 경화하였다. 이어서 프라이머용 조성물-100을 경화한 MR-8TM 안경 렌즈에 코팅용 조성물-101을 딥 코터에 의해 인상 속도(10㎜/s)로 도포하고, 60℃의 오븐에서 3분간 건조시켰다. 그 후, 적산 광량 22mJ/㎠, 조도 96mW/㎠의 자외선(조도 30％, 컨베이어 속도 30m, 높이 70㎜)을 안경 렌즈의 편면씩(계 2회) 조사해 코팅용 조성물-101을 반경화시켰다. 또한 반경화시킨 코팅용 조성물-101 표면에, 그래프트 처리액-102를 0.1㎫의 압력으로 스프레이 도포 시공하고, 1분간 정치 후, 적산 광량 789mJ/㎠, 조도 721mW/㎠의 자외선(조도 100％, 컨베이어 속도 5m, 높이 70mm)을 안경 렌즈의 편면씩(계 2회) 조사하여 도막 경화하였다. 마지막으로 도포 시공 표면을, 유수 하에서 문질러 씻고, 에어건으로 건조하여, 도레이씨(도레이(주))로 표면을 가볍게 닦아, 미끄럼성이 우수한 방담 안경 렌즈를 얻었다.
얻어진 친수 코팅 MR-8TM 안경 렌즈(적층체)는 투명하며, 친수성이 높고, 방담 및 방오성, 미끄럼성이 우수했다.
결과를 표 9에 게재한다.
[표 9]
Figure 112017087260803-pct00074
10: 기재
20: 코팅층
30: 절삭 방향
40: 코팅층 표면
50: 코팅층 내부

Claims (14)

  1. 아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖고,
    상기 아미노 실리콘의 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000,000이고,
    상기 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 화합물 (A)로,
    아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)의 표면을 처리하여 얻어지는, 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
    일반식 (a1):
    Figure 112018084726066-pct00086

    (상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
    일반식 (a2):
    Figure 112018084726066-pct00087

    (상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
    일반식 (a3):
    Figure 112018084726066-pct00088

    (상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함)
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    수소 이온, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 암모늄 이온, 및 상기 아미노 실리콘의 오늄 이온 이외의 아민 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖는 화합물 (A')
    의 공존 하에서, 상기 표면 처리가 행해지는, 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화합물 (A)가 일반식 (A1) 내지 (A6)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 변성 아크릴 수지 경화물 (C);
    일반식 (A1):
    Figure 112018084726066-pct00078

    (상기 식 (A1) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
    일반식 (A2):
    Figure 112018084726066-pct00079

    (상기 식 (A2) 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R끼리는 동일해도 되고 상이해도 됨. R16은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. n110은 1 내지 10의 정수를 나타냄);
    일반식 (A3):
    Figure 112018084726066-pct00080

    (상기 식 (A3) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴로일티오기(q가 1인 경우만), (메트)아크릴아미드기(q가 1인 경우만), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
    일반식 (A4):
    Figure 112018084726066-pct00081

    (상기 식 (A4) 중, D2는 (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일티오기, (메트)아크릴아미드기, 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R은 탄소수 1 내지 100의 주쇄이며, 그 안에 방향환, 지방족 환상기, 에테르기, 및 에스테르기로부터 선택되는 1개 이상의 기를 포함하고 있어도 됨. a 및 b는 각각 독립적으로 1 또는 2의 정수를 나타내고, a+b=3을 만족함. a가 2일 경우, D2끼리, R끼리는 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. b가 2일 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. q는 0 또는 1을 나타냄);
    일반식 (A5):
    Figure 112018084726066-pct00082

    (상기 식 (A5) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. k는 0 내지 10의 정수, l 및 m은 독립적으로 1 내지 11의 정수를 나타냄. 단 k+l+m=6+2n임. n은 0 내지 3의 정수를 나타냄. l이 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, k가 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, m이 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨);
    일반식 (A6):
    Figure 112018084726066-pct00083

    (상기 식 (A6) 중, D3, R3 및 SO3SiA는 상기 식 중에 포함되는 환 상의 탄소에 결합하는 기이며, D3은, 각각 독립적으로 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 또는 수산기를 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타냄. r은 0 내지 6의 정수, q 및 p는 독립적으로 1 내지 7의 정수를 나타내지만, p+q+r=8의 정수임. p가 2 이상인 경우, D3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, r이 2 이상인 경우, R3끼리는 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, q가 2 이상인 경우, SiA끼리는 서로 동일해도 상이해도 됨).
  6. 제5항에 있어서,
    일반식 (A1)로 표시되는 화합물이, 일반식 (A7)
    Figure 112018084726066-pct00084

    (상기 식 (A7) 중, D1은 (메트)아크릴로일옥시기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴로일티오기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), (메트)아크릴아미드기(x 또는 y 중 어느 것이 1 이상인 경우), 비닐기, 이소프로페닐기, (메트)알릴기, 스티릴기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 또는 에틸아미노기를 나타냄. X는 산소 원자, 황 원자, -NH-, 및 -NCH3-을 나타내고, SiA는 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘의 오늄 이온임. R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. v 및 y는, 독립적으로 0 내지 10의 정수를 나타내고, w는 0 또는 1을 나타냄(단, v 또는 y 중 어느 것이 0인 경우, w도 0임). x는 0 내지 10의 정수를 나타냄. v가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, y가 2 이상인 경우, R3끼리, R4끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. x가 2 이상인 경우, R1끼리, R2끼리는, 각각 서로 동일해도 상이해도 됨)
    로 표시되는 화합물인, 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
  7. 제1항에 있어서,
    변성 아크릴 수지막인, 변성 아크릴 수지 경화물 (C).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 아크릴 수지로 이루어지는 경화물 (X)가,
    음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 아크릴 수지막 (Xm1)인,
    변성 아크릴 수지 경화물 (C).
  9. 기재와, 제7항에 기재된 변성 아크릴 수지 경화물 (C)를 포함하는, 적층체.
  10. 하기 공정 (S1)을 포함하는, 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조 방법:
    공정 (S1): 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을,
    아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖고,
    상기 아미노 실리콘의 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000,000이고,
    상기 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 화합물 (A)로
    처리하는 공정.
    일반식 (a1):
    Figure 112018084726066-pct00089

    (상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
    일반식 (a2):
    Figure 112018084726066-pct00090

    (상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
    일반식 (a3):
    Figure 112018084726066-pct00091

    (상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함)
  11. 하기 공정 (S1)을 포함하는, 변성 아크릴 수지막 (Cm)의 제조 방법:
    공정 (S1): 음이온성 친수기를 갖고, 또한, 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은
    아크릴 수지막 (Xm1)의, 당해 표면을,
    아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖고,
    상기 아미노 실리콘의 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000,000이고,
    상기 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 화합물 (A)로
    처리하는 공정.
    일반식 (a1):
    Figure 112018084726066-pct00092

    (상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
    일반식 (a2):
    Figure 112018084726066-pct00093

    (상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
    일반식 (a3):
    Figure 112018084726066-pct00094

    (상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함)
  12. 하기 공정 (S0) 및 (S1)을 포함하는, 기재와 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는, 적층체의 제조 방법:
    공정 (S0): 아크릴 수지막 (Xm)을 기재 상에 형성하는 공정;
    공정 (S1): 상기 아크릴 수지막 (Xm)의 표면을,
    아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖고,
    상기 아미노 실리콘의 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000,000이고,
    상기 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 화합물 (A)로
    처리함으로써, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 형성하는 공정.
    일반식 (a1):
    Figure 112018084726066-pct00095

    (상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
    일반식 (a2):
    Figure 112018084726066-pct00096

    (상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
    일반식 (a3):
    Figure 112018084726066-pct00097

    (상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함)
  13. 하기 공정 (S0-1) 및 (S1-1)을 포함하는, 기재와 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 포함하는, 적층체의 제조 방법:
    공정 (S0-1): 음이온성 친수기를 갖고,
    표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은
    아크릴 수지막 (Xm1)을 기재 상에 형성하는 공정;
    공정 (S1-1): 상기 아크릴 수지막 (Xm1)의, 상기 표면을,
    아미노 실리콘의 오늄 이온과의 이온쌍을 형성한 음이온성 친수기 1개 이상과,
    중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기, 아미노기, 머캅토기, 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기 1개 이상
    을 1분자 내에 갖고,
    상기 아미노 실리콘의 중량 평균 분자량이 100 내지 1,000,000이고,
    상기 중량 평균 분자량 100 내지 1,000,000의 아미노 실리콘이, 하기 일반식 (a1) 내지 (a3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인, 화합물 (A)로
    처리함으로써, 변성 아크릴 수지막 (Cm)을 형성하는 공정.
    일반식 (a1):
    Figure 112018084726066-pct00098

    (상기 식 (a1) 중, R1 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n010은 0 내지 10의 정수를 나타내고, n0100은 0 내지 100의 정수를 나타냄. n02는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n13은 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n02+n13=3을 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함);
    일반식 (a2):
    Figure 112018084726066-pct00099

    (상기 식 (a2) 중, R1 내지 R11은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n110은 1 내지 10의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n12는 1 내지 2의 정수를 나타내고, n01은 0 내지 1의 정수를 나타내지만, n01+n12=2를 만족함. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함. 또한 상기 식 (a2)로 표시되는 화합물은, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하지 않음);
    일반식 (a3):
    Figure 112018084726066-pct00100

    (상기 식 (a3) 중, R1 내지 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄. n01000은 0 내지 1000의 정수를 나타내고, n010은 0 내지 10의 정수를 나타냄. n01은 0 내지 2의 정수를 나타내고, n12는 1 내지 3의 정수를 나타내지만, n01+n12=3을 만족함. 또한 n01끼리 및 n12끼리는, 각각 서로 동일해도 되고 상이해도 됨. #1 및 #2는 결합손을 나타내지만, #1과 #2가 결합함)
  14. 제13항에 있어서,
    상기 아크릴 수지막 (Xm1)이,
    상기 적층체를 구성하는 기재와 접하고 있는 측과 반대측의 표면에 있어서의 음이온성 친수기의 농도가, 당해 표면으로부터 막 두께 1/2의 깊이에 있어서의 음이온성 친수기의 농도보다도 높은 것인, 적층체의 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6154053B2 (ja) * 2015-10-27 2017-06-28 デクセリアルズ株式会社 防曇積層体、物品、及びその製造方法、並びに防曇方法
US11149142B2 (en) 2017-06-27 2021-10-19 Mitsubishi Chemical Corporation Thermoplastic resin composition and thermoplastic resin molded body
DE102018213856A1 (de) * 2018-08-17 2020-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Modifikation und Beschichtung von Oberflächen von Polymermaterialien, Polymermaterial und Vorrichtung
CN109589945B (zh) * 2018-12-26 2021-12-14 郑州绿佳环保科技有限公司 一种甲醛清除剂及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187311A1 (ja) * 2012-06-12 2013-12-19 三井化学株式会社 親水性の変性アクリル樹脂膜

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406639B2 (ja) * 1993-05-24 2003-05-12 株式会社リコー 樹脂の製造方法
JP3569584B2 (ja) * 1995-12-22 2004-09-22 日本ペイント株式会社 水分散性樹脂組成物およびその製造方法
JP3644177B2 (ja) * 1997-01-31 2005-04-27 東レ株式会社 プラスチック成形品
CN1192961A (zh) 1996-12-06 1998-09-16 东丽株式会社 医用塑料物品
JP2001098007A (ja) 1999-09-29 2001-04-10 Kawamura Inst Of Chem Res 親水性成形物およびその製造法
JP4578177B2 (ja) * 2004-02-17 2010-11-10 株式会社フジシールインターナショナル 耐熱性及び滑り性に優れたコーティング剤、プラスチックラベル及びラベル付き容器
JP4163160B2 (ja) * 2004-08-11 2008-10-08 三菱樹脂株式会社 防曇性樹脂シート
US7267881B2 (en) * 2005-05-19 2007-09-11 Rolf Thomas Weberg Protective surface modification system and application to substrates
KR101015722B1 (ko) 2005-12-02 2011-02-22 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 단층막 및 이것으로 이루어지는 친수성 재료
JP2007331154A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Mitsubishi Plastics Ind Ltd ポリ乳酸系２軸延伸フィルムおよびその製造方法
KR101345170B1 (ko) * 2006-07-13 2013-12-26 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 필름 적층체 및 그 제조 방법
BRPI0906434B1 (pt) 2008-02-08 2019-11-19 Asahi Kasei Aime Co Ltd macromonômero de polissiloxano hidrofílico purificado, método de produzir o mesmo, homopolímero, material de lente oftálmica, lente oftálmica e lente de contato
JP2011229734A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Sekisui Home Techno Kk 浴槽及び浴槽の製造方法
JP2012007073A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Health Company:Kk 表面改質処理剤及び表面改質処理方法
TWI501982B (zh) 2010-07-29 2015-10-01 Mitsui Chemicals Inc Monolayer and hydrophilic material made of it
CN103260874A (zh) * 2010-12-21 2013-08-21 旭硝子株式会社 带硬涂膜的树脂基板及其制造方法
EP2767552A4 (en) * 2011-10-14 2015-05-27 Mitsui Chemicals Inc COMPOSITION AND FILM CONTAINING IT
US9243142B2 (en) 2011-11-16 2016-01-26 Momentive Performance Materials Inc. Association product of amino functional hydrophobic polymers with hydrophilic polymers containing acid groups, methods of preparation, and applications for employing the same
WO2013103536A1 (en) 2012-01-04 2013-07-11 Momentive Performance Materials Inc. Polymer composites of silicone ionomers
WO2013128697A1 (ja) * 2012-02-28 2013-09-06 三菱樹脂株式会社 耐擦傷性樹脂積層体、ディスプレイのフロントカバー材及び画像表示装置
CN107043440A (zh) 2013-04-12 2017-08-15 三井化学株式会社 共聚物及包含该共聚物的亲水性材料
JP5915715B2 (ja) * 2013-10-18 2016-05-11 ダイキン工業株式会社 表面処理組成物
MX2017000617A (es) * 2014-07-16 2017-12-04 Vitner Asher Laminado de polimero-vidrio-polimero como barrera contra gases.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187311A1 (ja) * 2012-06-12 2013-12-19 三井化学株式会社 親水性の変性アクリル樹脂膜

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