KR101942137B1 - 포지티브 감광성 재료 - Google Patents

포지티브 감광성 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR101942137B1
KR101942137B1 KR1020147031611A KR20147031611A KR101942137B1 KR 101942137 B1 KR101942137 B1 KR 101942137B1 KR 1020147031611 A KR1020147031611 A KR 1020147031611A KR 20147031611 A KR20147031611 A KR 20147031611A KR 101942137 B1 KR101942137 B1 KR 101942137B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
mol
polymer
derivative
cresol
Prior art date
Application number
KR1020147031611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150032523A (ko
Inventor
웨이홍 리우
핑훙 루
천웨이 첸
스테판 메이어
메드햇 에이. 터키
숙미 라이
Original Assignee
에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. filed Critical 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘.
Publication of KR20150032523A publication Critical patent/KR20150032523A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101942137B1 publication Critical patent/KR101942137B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

본 발명은 1 이상의 광산 발생제; 1 이상의 노볼락 중합체; 1 이상의, 중합체 주쇄를 갖는 중합체로서, 상기 중합체는 하기 화학식의 구조를 포함하는 중합체를 갖는 신규한 포지티브 작용성 감광성 조성물에 관한 것이다:
Figure 112014108297590-pct00016

상기 화학식에서, R1-R5는 독립적으로 -H 또는 -CH3이고, A는 직쇄형 또는 분지쇄형 C1-C10 알킬렌기이며, B는 C1-C12 알킬 또는 지환식 기이며, D는 화학적 결합일 수 있는 연결기, 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 카르복실레이트기, 또는 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 -COOCH2-기이며, Ar은 치환 또는 비치환 방향족기 또는 헤테로방향족기이고, E는 직쇄형 또는 분지쇄형 C2-C10 알킬렌기이며, G는 산 분해성 기이다. 본 발명은 또한 이미지의 형성에 상기 신규 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다.

Description

포지티브 감광성 재료{POSITIVE PHOTOSENSITIVE MATERIAL}
본 특허 출원은 특히 두꺼운 필름의 이미지화에 유용한 감광성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트 조성물은 집적 회로 소자의 제작과 같은 소형화 전자 부품의 제조를 위한 마이크로리소그래피 공정에 사용된다. 일반적으로, 이들 공정에서는, 포토레지스트 조성물의 코팅된 필름이 집적 회로, 회로 기판 및 평판 디스플레이 기판의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 도포된다. 그 다음, 코팅된 기판이 소성되어 포토레지스트 조성물 중 용매를 증발시키고 기판에 코팅을 고정시킨다. 소성된 기판의 코팅된 표면을 그 다음 화학 방사선에 이미지 형성 방식으로 노광시킨다.
이 화학 방사선 노광은 코팅된 표면의 노광 영역에서 화학적 변형을 일으킨다. 가시광선, 자외선(UV) 광, 초적외선(EUV), 전자선 및 X선 방사 에너지는 마이크로리소그래피 공정에서 현재 흔히 사용되는 방사선 유형이다. 이 이미지 형성 방식 노광 후, 코팅된 기판을 현상제 용액으로 처리하여 기판의 코팅된 표면의 (포지티브형 포토레지스트에 대해) 방사선 노광 영역 또는 (네거티브형 포토레지스트에 대해) 비노광 영역을 용해 및 제거한다.
이 현상 조작 후, 이제 부분적으로 비보호된 기판을 기판-에칭제 용액, 플라즈마 가스 또는 반응성 이온으로 처리할 수 있거나, 또는 이 기판은 포토레지스트 코팅이 현상 동안 제거된 기판의 공간에 침착된 금속 또는 금속 복합물을 가질 수 있다. 포토레지스트 코팅이 여전히 남아 있는 기판의 영역은 보호된다. 나중에, 포토레지스트 코팅의 나머지 영역을 스트리핑 조작 동안 제거하여 패턴화된 기판 표면을 남길 수 있다. 일부 경우, 하지층 기판에의 부착을 증가시키기 위해, 현상 단계 후 및 에칭 단계 전, 나머지 포토레지스트층을 열 처리하는 것이 바람직하다.
웨이퍼 수준 패키징, 디스플레이, 발광 다이오드 용도 또는 마이크로전자기계 시스템과 같은 패턴화된 구조의 제조에서, 상호연결부 밀도가 증가하므로, 전기 상호연결부의 전자화학적 침착물이 사용되어 왔다. 예컨대, 문헌(Solomon, Electrochemically Deposited Solder Bumps for Wafer-Level Packaging, Packaging/Assembly, Solid State Technology, pages 84-88, April 2001)을 참조하라. 고등(advanced) 상호연결부 기술에서는, 웨이퍼 수준 패키징에서 재분포를 위한 금 범프, 구리 또는 다른 금속 포스트 및 구리 미량(trace)은 나중에 전기 도금되어 최종 금속 구조를 형성하는 포토레지스트 주형을 필요로 한다. 포토레지스트층은 임계층의 IC 제조에서 사용되는 포토레지스트에 비해 매우 두껍다. 피쳐(feature) 크기 및 포토레지스트 두께 모두 통상적으로 2 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위여서, 높은 종횡비(포토레지스트 두께 대 라인 크기)로 포토레지스트에 패턴화되어야 한다.
광활성 화합물로서 노볼락 중합체 및 퀴논-디아지드 화합물을 포함하는 포지티브 작용성 포토레지스트는 당업계에 잘 알려져 있다. 노볼락 중합체는 또한 퀴논 디아지드와 반응하고 중합체와 합해질 수 있다. 노볼락/디아지드만을 주성분으로 하는 포토레지스트는 특히 매우 얇은 막을 위한 특정 유형의 공정에 필요한 측벽의 가파름 또는 감광성을 가질 필요가 없음이 밝혀졌다. 또한, 현상제에서 암색 필름(dark-film)의 큰 손실이 종종 관찰된다.
공지된 화학적으로 증폭된 포토레지스트, 예컨대 블록형 폴리-4-히드록시스티렌(PHOST), 히드록시 스티렌을 포함하는 블록형 공중합체, 및 블록형 (메트)아크릴산 반복 단위, 예컨대 tert-부틸 (메트)아크릴레이트, 또는 지환식 기, 산 분해성 기 및 용해 개질 기, 예컨대 무수물 또는 락톤을 포함하는 (메트)아크릴 재료는 필요한 감광성을 나타낼 수 있지만, 또한 도금 및 에칭과 같은 후속 유닛 조작 동안 부착 실패를 나타낼 수 있다. 이러한 실패는 거칠고 언더컷되거나 금속 피쳐의 어느 부분에서의 돌출부를 갖는 피쳐 측벽을 생성시킬 수 있다. 또한, 이들 포토레지스트는 엄청나게 고가일 수 있다.
따라서, 두꺼운 필름 용도에서조차 고감광성을 나타내고, 현상 시간에 알맞는 공정을 필요로 하며, 현상제 및 염기성 도금액에서의 암색 필름 손실이 적고, 매끈한 측벽을 갖는 피쳐를 제조하기 위한 습윤 도금 및 에칭 조작에 견디는 포지티브 포토레지스트 재료에 대한 요구가 남아 있다. 본 개시 및 첨부 도면은 이 요구를 해결한다.
본 발명은 1 이상의 광산 발생제; 1 이상의 노볼락 중합체; 1 이상의, 중합체 주쇄를 갖는 중합체로서, 하기 화학식의 구조를 포함하는 중합체를 갖는 신규한 포지티브 작용성 감광성 조성물에 관한 것이다:
Figure 112014108297590-pct00001
상기 화학식에서, R1-R5는 독립적으로 -H, F 또는 -CH3이고, A는 직쇄형 또는 분지쇄형 C1-C10 알킬렌기이며, B는 C1-C12 알킬 또는 지환식 기이며, D는 화학적 결합일 수 있는 연결기, 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 카르복실레이트기, 또는 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 -COOCH2-기이며, Ar은 치환 또는 비치환 방향족기 또는 헤테로방향족기이고, E는 직쇄형 또는 분지쇄형 C2-C10 알킬렌기이며, G는 산 분해성 기이며, v는 0 몰% 내지 10 몰%이며, w는 0 몰% 내지 20 몰%이고, x는 14 몰% 내지 80 몰%이고, y는 0 몰% 내지 40 몰%이며, z는 20 몰% 내지 50 몰%이다. 본 발명은 또한 상기 신규 조성물을 사용하는 포지티브 릴리프 이미지의 형성 방법에 관한 것이다.
상세한 설명
달리 지시하지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 바의 접속사 "및"은 포함적인 것을 의도하고, 접속사 "또는"은 배제적인 것을 의도하지 않는다. 예컨대 용어 "또는, 대안적으로"는 배제적인 것을 의도한다. 접속사 "또는"은 또한 분자 또는 분자 분절 상의 지점에서의 화학적 치환을 설명시 배제적일 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바의 지칭 (메트)아크릴, (메트)아크릴레이트 등은 메타크릴 또는 아크릴을 지칭하고자 한다. 본 명세서에서 사용된 바의 노볼락 중합체는 페놀계 화합물과 알데히드, 예컨대 포름알데히드, 아세트알데히드 또는 치환 또는 비치환 벤즈알데히드의 축합 생성물, 또는 페놀계 화합물과 치환 또는 비치환 메틸올 화합물의 축합 생성물이다. 본 명세서에서 사용된 바의 크레졸계 노볼락 중합체는 크레졸 반복 단위를 포함하는 노볼락 중합체이다. 본 명세서에서 사용된 바의 형용사 "예시적인"은 예를 지칭하고자 하며 선호를 지칭하는 것은 아니다.
본 명세서에 1 이상의 광산 발생제; 1 이상의 노볼락 중합체; 1 이상의, 중합체 주쇄를 갖는 중합체로서, 하기 화학식의 구조를 포함하는 중합체를 갖는 신규한 포지티브 작용성 감광성 조성물이 개시 또는 청구된다:
Figure 112014108297590-pct00002
상기 화학식에서, R1-R5는 독립적으로 -H, F 또는 -CH3이고, A는 직쇄형 또는 분지쇄형 C1-C10 알킬렌기이며, B는 C1-C12 알킬 또는 지환식 기이며, D는 화학적 결합일 수 있는 연결기, 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 카르복실레이트기, 또는 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 -COOCH2-기이며, Ar은 치환 또는 비치환 방향족기 또는 헤테로방향족기이고, E는 직쇄형 또는 분지쇄형 C2-C10 알킬렌기이며, G는 산 분해성 기이며, v는 0 몰% 내지 10 몰%이며, w는 0 몰% 내지 20 몰%이고, x는 14 몰% 내지 80 몰%이고, y는 0 몰% 내지 40 몰%이며, z는 20 몰% 내지 50 몰%이다. 치환되는 Ar은 히드록실기로 치환된 방향족기를 포함할 수 있다. Ar은 페닐 또는 히드록시페닐일 수 있다. 상기 일반식은 중합체의 성분 부분의 정확한 위치를 나타내고자 하는 것이 아니어서 상기 부분이 랜덤하게 함께 존재할 수도 있고, 또한 2 이상의 동일한 성분 부분이 중합체에 사이드바이사이드형으로 존재할 수도 있다.
포지티브 작용성 감광성 조성물을 기판에 도포하여 감광층을 형성시키는 단계; 감광층을 화학 방사선에 이미지 형성 방식으로 노광시켜 잠상을 형성시키는 단계; 현상제 중에서 잠상을 현상시키는 단계를 포함하며, 여기서 이미지 형성 방식으로 노광된 감광층은 임의로 열 처리되며, 상기 포지티브 감광성 조성물은 1 이상의 광산 발생제; 1 이상의 노볼락 중합체; 1 이상의, 중합체 주쇄를 갖는 중합체로서, 하기 화학식의 구조를 포함하는 중합체를 포함하는 포지티브 릴리프 이미지의 형성 방법도 본 명세서에 또한 개시 및 청구된다:
Figure 112014108297590-pct00003
상기 화학식에서, R1-R5는 독립적으로 -H, F 또는 -CH3이고, A는 직쇄형 또는 분지쇄형 C1-C10 알킬렌기이며, B는 C1-C12 알킬 또는 지환식 기이며, D는 화학적 결합일 수 있는 연결기, 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 카르복실레이트기, 또는 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 -COOCH2-기이며, Ar은 치환 또는 비치환 방향족기 또는 헤테로방향족기이고, E는 직쇄형 또는 분지쇄형 C2-C10 알킬렌기이며, G는 산 분해성 기이며, v는 0 몰% 내지 10 몰%이며, w는 0 몰% 내지 20 몰%이고, x는 14 몰% 내지 80 몰%이고, y는 0 몰% 내지 40 몰%이며, z는 20 몰% 내지 50 몰%이다.
상기 구체예에 따르면, (I)에 대한 지칭에 있어서, v에 대한 예시적인 몰% 범위는 0-10%일 수 있다. v에 대한 추가의 예시적인 몰% 범위는 3-8%일 수 있다. v에 대한 더욱 추가의 예시적인 몰% 범위는 4-6%일 수 있다. w에 대한 예시적인 몰% 범위는 0-20%일 수 있다. w에 대한 추가의 예시적인 몰% 범위는 7-15%일 수 있다. w에 대한 더욱 추가의 예시적인 몰% 범위는 9-12%일 수 있다. x에 대한 예시적인 몰% 범위는 14-80%일 수 있다. x에 대한 추가의 예시적인 몰% 범위는 15-30%일 수 있다. x에 대한 더욱 추가의 예시적인 몰% 범위는 16-20%일 수 있다. y에 대한 예시적인 몰% 범위는 0-40%일 수 있다. y에 대한 추가의 예시적인 몰% 범위는 25-35%일 수 있다. y에 대한 더욱 추가의 예시적인 몰% 범위는 28-33%일 수 있다. z에 대한 예시적인 몰% 범위는 20-50%일 수 있다. z에 대한 추가의 예시적인 몰% 범위는 25-40%일 수 있다. z에 대한 더욱 추가의 예시적인 몰% 범위는 29-36%일 수 있다. 몰%는 이것이 합하여 100%여야 한다는 것과는 독립적이다.
상기 구체예에 따르면, (I)은 기재된 단량체의 1 이상의 공급물을 사용하여 합성할 수 있다. 단량체 중 적어도 일부를 중합 반응의 시작시에 전부 또는 일부를 도입할 수 있다. 또한, 상이한 단량체 공반응성을 촉진하기 위해 또는 분자량 또는 용해도와 같은 다른 중합체 특성을 제어하기 위해, 반응 동안 선택된 공급 속도로 단량체 공급을 달성할 수 있다. 중합은 유리 라디칼 개시제, 양이온 중합 개시제, 음이온 중합 개시제 또는 킬레이트화 촉매에 의해 개시될 수 있다.
상기 구체예에 따르면, 광산 발생제는 화학선 조사시 산을 발생시키기 위해 존재한다. 이러한 광산 발생제는 단독으로 또는 혼합물로서 존재할 수 있으며, 특정 파장, 파장 범위, 에너지 또는 에너지 범위의 방사선을 이용하여 산을 발생시키는 능력에 따라 선택될 수 있다. 이론에 구속시키려는 것은 아니지만, 광산 발생제는 상이한 기전에 의해 산을 생성시키는 것으로 여겨진다. 따라서, 광산 발생제는 선택된 화학선 조사 형태에 대한 산 출력을 최적화하기 위해, 단독으로 또는 혼합물로, 선택된 농도로 존재할 수 있다.
예컨대, 광산 발생제는 약 1 μmole/g의 포토레지스트 고체 내지 약 300 μmole/g의 포토레지스트 고체의 농도로 고체 포토레지스트 필름에 존재할 수 있다. 추가의 예로서, 광산 발생제는 약 5 μmole/g의 포토레지스트 고체 내지 약 150 μmole/g의 포토레지스트 고체의 농도로 고체 포토레지스트 필름에 존재할 수 있다. 더욱 추가의 예시로서, 광산 발생제는 약 10 μmole/g의 포토레지스트 고체 내지 약 75 μmole/g의 포토레지스트 고체의 농도로 고체 포토레지스트 필름에 존재할 수 있다. 더욱 추가의 예로서, 광산 발생제는 약 15 μmole/g의 포토레지스트 고체 내지 약 50 μmole/g의 포토레지스트 고체의 농도로 고체 포토레지스트 필름에 존재할 수 있다.
광산 발생제는 상이한 화학적 조성물을 가질 수 있다. 예컨대, 제한 없이, 적절한 광산 발생제는 오늄염, 디카르복시미딜 설포네이트 에스테르, 옥심 설포네이트 에스테르, 디아조(설포닐 메틸) 화합물, 디설포닐 메틸렌 히드라진 화합물, 니트로벤질 설포네이트 에스테르, 비이미다졸 화합물, 디아조메탄 유도체, 글리옥심 유도체, β-케토설폰 유도체, 디설폰 유도체, 니트로벤질설포네이트 유도체, 설폰산 에스테르 유도체, 이미도일 설포네이트 유도체, 할로겐화 트리아진 화합물, 이의 등가물 또는 이의 조합일 수 있다.
오늄염 광산 발생제는 제한 없이, 알킬 설포네이트 음이온, 치환 및 비치환 아릴 설포네이트 음이온, 플루오로알킬 설포네이트 음이온, 플루오아릴알킬 설포네이트 음이온, 플루오르화 아릴알킬 설포네이트 음이온, 헥사플루오로포스페이트 음이온, 헥사플루오로아르세네이트 음이온, 헥사플루오로안티모네이트 음이온, 테트라플루오로보레이트 음이온, 이의 등가물 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 구체적으로는, 제한 없이, 적절한 광산 발생제는 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 트리페닐설포늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 및 트리페닐설포늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 4-시클로헥실페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-시클로헥실페닐디페닐설포늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 4-시클로헥실페닐디페닐설포늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 4-시클로헥실페닐디페닐설포늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 4-메탄설포닐페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메탄설포닐페닐디페닐설포늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 4-메탄설포닐페닐디페닐설포늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트 및 4-메탄설포닐페닐디페닐설포늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐요오도늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 디페닐요오도늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 디페닐요오도늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄 트리플루오로메탄설포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 1-(6-n-부톡시나프탈렌-2-일)테트라히드로티오페늄 트리플루오로메탄설포네이트, 1-(6-n-부톡시나프탈렌-2-일)테트라히드로티오페늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 1-(6-n-부톡시나프탈렌-2-일)테트라히드로티오페늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1-(6-n-부톡시나프탈렌-2-일)테트라히드로티오페늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오페늄 트리플루오로메탄설포네이트, 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오페늄 노나플루오로-n-부탄설포네이트, 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오페늄 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오페늄 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트 N-(트리플루오로메탄설포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시미드, N-(노나플루오로-n-부탄설포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(퍼플루오로-n-옥탄설포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-[2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포닐옥시]비시클로[2.2.1] 헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포닐옥시]비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 트리플루오로메탄설포네이트, 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 노나플루오로-n-부탄 설포네이트, 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 퍼플루오로-n-옥탄 설포네이트, 3-디옥소이소인돌린-2-일 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 3-디옥소이소인돌린-2-일 N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 트리플루오로메탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 노나플루오로-n-부탄 설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 또는 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포네이트, (E)-2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(메톡시페닐)-4,6-비스-(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 이의 등가물 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 적절한 광산 발생제는 또한 상기에 나타내지 않은 음이온 및 양이온을 함께 포함하는 오늄염을 포함할 수 있다.
본 명세서에 개시되고 청구된 감광성 조성물은 또한 유효 파장 및/또는 에너지 범위를 연장하는 감광제를 포함할 수 있다. 이러한 감광제는 제한 없이, 치환 및 비치환 안트라센, 치환 및 비치환 페노티아진, 치환 및 비치환 페릴렌, 치환 및 비치환 피렌, 및 방향족 카르보닐 화합물, 예컨대 벤조페논 및 티옥산톤, 플루오렌, 카르바졸, 인돌, 벤조카르바졸, 아크리돈 클로르프롬아진 등, 또는 상기 중 임의의 것의 조합일 수 있다.
노볼락 중합체는 페놀계 화합물 및 브릿지를 갖는 반복 단위를 포함한다. 적절한 페놀계 화합물은 제한 없이, 페놀, 크레졸, 치환 및 비치환 레조르시놀, 크실레놀, 치환 및 비치환 벤젠 트리올 및 이의 조합을 포함한다. 노볼락 중합체는 일반적으로 페놀계 화합물과 알데히드, 예컨대 포름알데히드, 아세트알데히드 또는 치환 또는 비치환 벤즈알데히드의 축합 생성물, 또는 페놀계 화합물과 치환 또는 비치환 메틸올 화합물의 중축합에 의해 산 촉매를 사용하여 제조된다. 상기 기재된 브릿지는 메틸렌기 또는 메틴기를 포함할 수 있다. 노볼락 중합체는 또한 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 아세토페논 등과 같은 케톤의 축합 생성물로서 제조될 수 있다. 촉매는 루이스산, 브뢴스테드산, 이양이온 및 삼양이온 금속 이온 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 제한 없이, 염화알루미늄, 염화칼슘, 염화망간, 옥살산, 염산, 황산, 메탄 설폰산 트리플루오로메탄 설폰산 또는 상기 중 임의의 것을 포함하는 조합을 사용할 수 있다.
적절한 노볼락 중합체의 예는 산 또는 다가 금속 이온 촉매의 존재 하에서 페놀계 화합물, 예컨대 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2-5-크실레놀 등과 알데히드 화합물, 예컨대 포름알데히드 사이의 축합 반응에 의해 얻어진 것들을 포함한다. 알칼리 가용성 노볼락 중합체의 예시적인 중량 평균 분자량은 1,000~30,000 달톤 범위일 수 있다. 추가의 예시적인 중량 평균 분자량은 1,000~20,000 달톤일 수 있다. 더욱 추가의 예시적인 중량 평균 분자량은 1,500~10,000 달톤일 수 있다. 2.38% 수성 수산화테트라메틸암모늄 중에서의 노볼락 중합체에 대한 예시적인 벌크 용해 속도는 10 Å/초(초당 옹스트롬 단위) 내지 15,000 Å/초이다. 추가의 예시적인 벌크 용해 속도는 100 Å/초 내지 10,000 Å/초이다. 더욱 추가의 예시적인 벌크 용해 속도는 200 Å/초 내지 5,000 Å/초이다. 1,000 Å/초의 더욱 추가의 예시적인 벌크 용해 속도를 단일 노볼락 중합체 또는 각각 m-크레졸 반복 단위를 포함하는 노볼락 중합체의 블렌드로부터 얻을 수 있다.
예시적인 크레졸계 노볼락 중합체는 크레졸 몰% 기준으로, 0%-60% p-크레졸, 0%-20% o-크레졸, 및 0%-80% m-크레졸을 포함할 수 있다. 추가의 예시적인 크레졸계 노볼락 중합체는 0%-50% p-크레졸, 0%-20% o-크레졸, 및 50%-100% m-크레졸을 포함할 수 있다. 노볼락 중합체 중 반복 단위는, 예컨대, p-크레졸이 알데히드와의 중합에 의해 디메틸올-p-크레존에 의해 도입될 수 있는 중합체의 조성으로 정의된다. 또한, 크레졸계 노볼락 중합체는 페놀, 크실레놀, 레조르시놀, 벤젠 트리올 등과 같은 다른 페놀계 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 노볼락 중합체는 분지쇄형 또는 직쇄형일 수 있으며, 선택된 반복 단위 몰% 또는 용해 속도를 달성하기 위해 블렌딩될 수 있다. 벌크 용해 속도는 하기 절차에 의해 측정할 수 있다: (1) 노볼락 수지의 1-3 ㎛ 필름을 실리콘 웨이퍼 상에서 용액으로부터 스핀 코팅하고, 접촉 핫 플레이트 상에서 120 초 동안 110℃에서 연질 소성시킨다. (2) 간섭법 또는 타원법 또는 기계적 프로필로미터(profilometer)와 같은 광학적 방법을 이용하여 필름 두께를 측정한다. (3) 코팅된 웨이퍼를 TMAH 현상제의 용액에 침지하고, 노볼락 필름을 완전히 용해시키기 위한 시간(tc)을 육안으로 또는 광학 간섭법(예컨대 용해 속도 모니터)에 의해 검출한다. 필름 두께를 tc로 나누어 벌크 용해 속도를 산출한다.
일반 조성 (I)을 갖는 중합체는 치환 또는 비치환 스티렌 단위 뿐 아니라 (메트)아크릴 반복 단위를 포함할 수 있다. 따라서, R1-R5은 독립적으로 -H 또는 -CH3일 수 있다.
상기 (I)에서, A에 대한 예시적인 기는 제한 없이, 메틸렌, 메틸메틸렌, 에틸렌, 1,2-프로필렌, 2,1-프로필렌 등일 수 있다. B에 대한 예시적인 기는 제한 없이, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸 등일 수 있다. E에 대한 예시적인 기는 제한 없이, 메틸렌, 메틸메틸렌, 에틸렌, 1,2-프로필렌, 2,1-프로필렌 등일 수 있다. D에 대한 예시적인 기는, 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄, 화학적 결합 또는 -COO-기(여기서 카르보닐 탄소는 중합체 주쇄에 결합됨)에 결합된 -COOCH2-일 수 있다. -Ar에 대한 예시적인 기는 제한 없이, 페닐, 2-, 3-, 또는 4-메틸페닐, 2-, 3-, 또는 4-히드록시페닐, 1-, 2-, 또는 3-나프틸 등일 수 있다. 상기 (I)에서, G에 대한 예시적인 산 분해성 기는 제한 없이, t-부틸기, 테트라히드로피란-2-일기, 테트라히드로푸란-2-일기, 4-메톡시테트라히드로피란-4-일기, 1-에톡시에틸기, 1-부톡시에틸기, 1-프로폭시에틸기, 3-옥소시클로헥실기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.0 2,6]데실기, 1,2,7,7-테트라메틸-2-노르보닐기, 2-아세톡시멘틸기, 2-히드록시메틸기, 1-메틸-1-시클로헥실에틸기, 4-메틸-2-옥소테트라히드로-2H-피란-4-일기, 2,3-디메틸부탄-2-일기, 2,3,3-트리메틸부탄-2-일기, 1-메틸 시클로펜틸기, 1-에틸 시클로펜틸기, 1-메틸 시클로헥실기, 1-에틸 시클로헥실기, 1,2,3,3-테트라메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2-에틸-1,3,3-트리메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2,6,6-트리메틸비시클로[3.1.1]헵탄-2-일기, 2,3-디메틸펜탄-3-일기, 또는 3-에틸-2-메틸펜탄-3-일기일 수 있다.
구조 (I)의 예시적인 중량 평균 분자량은 제한 없이, 800 달톤 내지 30,000 달톤 범위일 수 있다. 구조 (I)의 추가의 예시적인 중량 평균 분자량은 제한 없이, 1,500 달톤 내지 20,000 달톤 범위일 수 있다. 구조 (I)의 더욱 추가의 예시적인 중량 평균 분자량은 제한 없이, 2,500 달톤 내지 20,000 달톤 범위일 수 있다.
본 명세서에 개시되고 청구된 제제는 노볼락 중합체 및 화학식 (I)을 갖는 중합체 모두를 포함한다. 예로서 그리고 제한 없이, 노볼락 중합체는 20% 내지 80% w/w의 총 중합체 로딩을 포함할 수 있다. 추가의 예로서 그리고 제한 없이, 노볼락 중합체는 30% 내지 75% w/w의 총 중합체 로딩을 포함할 수 있다. 더욱 추가의 예로서 그리고 제한 없이, 노볼락 중합체는 40% 내지 65% w/w의 총 중합체 로딩을 포함할 수 있다.
본 명세서에 개시되고 청구된 감광성 수지 조성물은 적절한 유기 용매에 상기 기재된 성분을 용해시켜 제조된 용액의 형태로 사용될 수 있다. 적절한 유기 용매의 예는 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸 이소아밀 케톤, 메틸 아밀 케톤, 등, 다가 알콜 및 이의 유도체, 예컨대 에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 디프로필렌글리콜 또는 디프로필렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸, 모노에틸, 모노프로필, 모노부틸 및 모노페닐 에테르 등, 환형 에테르, 예컨대 디옥산, 테트라히드로푸란 등, 에스테르, 예컨대 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트 등 및 방향족기를 갖는 용매, 예컨대 아니솔, 에틸 벤젠, 크실렌, 클로로벤젠, 톨루엔 등을 포함한다. 예는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 에틸 락테이트이다. 이들 용매는 단독으로 또는 필요에 따라 혼합물로 사용될 수 있다.
필요에 따라, 본 명세서에 개시되고 청구된 조성물과 상용성이 있고 이에 첨가될 수 있는 다른 임의의 첨가제는 보조 수지, 가소화제, 표면 평활제 및 포토레지스트의 특성을 개선시키기 위한 안정화제, 현상에 의해 형성된 패턴화된 포토레지스트층의 시인성을 증가시키기 위한 착색제, 헐레이션 방지(antihalation) 염료 등을 포함한다.
본 명세서에 개시되고 청구된 감광성 조성물을 사용하여 패턴화된 포토레지스트층을 제조하는 절차는 종래의 것일 수 있다. 예컨대, 반도체 실리콘 웨이퍼와 같은 기판을 스핀 코터와 같은 적절한 코팅기를 이용하여 용액 형태의 감광성 조성물로 균일하게 코팅한 후, 대류 오븐에서 또는 핫 플레이트 상에서 소성하여 포토레지스트층을 형성시킨 후, 소정 패턴에 따라 주사된 전자선 및 소형화 광 투영 노출 장치 상에 소정 패턴을 보유하는 포토마스크를 통해, 저온, 고압 및 초고압 수은 램프, 아크 램프, 크세톤 램프 등으로부터 방출된 심적외선광, 근적외선광 또는 가시광과 같은 화학 방사선에 패턴 방식으로(pattern-wise) 노광시켜 포토레지스트층의 패턴의 잠상을 확립한다. 그 다음, 포토레지스트층의 잠상을 대류 오븐 내에서 또는 핫 플레이트 상에서 임의로 소성하고, 알칼리 현상제 용액, 예컨대 1~10% w/w의 농도의 수산화테트라 (C1-C4 알킬)암모늄, 수산화콜린, 수산화리튬, 수산화나트륨, 또는 수산화칼륨, 예컨대, 수산화테트라메틸 암모늄의 수용액을 사용하여 현상하여, 포토마스크의 패턴에 대해 양호한 충실도(fidelity)를 갖는 패턴화된 포토레지스트를 얻는다.
두께는 20 nm~100 ㎛ 범위일 수 있다. 이 두께를 달성하기 위해, 상이한 스핀 속도 및 총 고형분 농도의 조합을 채용할 수 있다. 기판의 크기에 따라, 500 rpm 내지 10,000 rpm의 스핀 속도를 이용할 수 있다. 농도는 감광성 조성물 중 총 고형분의 % w/w로 표시할 수 있다. 제한 없이, 예시적인 총 고형분 % w/w는 0.05%~65%이다. 제한 없이, 추가의 예시적인 총 고형분 % w/w는 20%~60%이다. 제한 없이, 추가의 예시적인 총 고형분 % w/w는 40%~55%이다.
상기 언급한 문헌 각각은 모든 목적을 위해 그 전체를 참고로 본 명세서에서 인용한다. 하기 특정 실시예는 본 발명의 조성물을 제조 및 사용하는 방법의 상세한 예시를 제공할 것이다. 하지만, 이들 실시예는 본 발명의 범위를 어떠한 방식으로든 제한 또는 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시를 위해 배제적으로 이용해야 하는 조건, 변수 또는 값을 제공하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예
합성예 1:
Figure 112014108297590-pct00004
1.8 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 35.2 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 16.5 g의 아다만틸 메타크릴레이트를 190.6 g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME) 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 80℃에서 3.3 g의 아조비스이소부티로니트릴[AIBN]의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 탈이온(DI)수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 18,885 달톤인 81.6 g(>99% 수율)을 얻었다.
합성예 2:
Figure 112014108297590-pct00005
6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 39.7 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 16.5 g의 아다만틸 메타크릴레이트를 190.6 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 80℃에서 3.3 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 DI수 중에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 10,269 달톤인 84.3 g(96% 수율)을 얻었다.
합성예 3:
Figure 112014108297590-pct00006
1.8 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 22.0 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 21.3 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 179.6 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 80℃에서 3.3 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 11,868 달톤인 73.5 g(>99% 수율)을 얻었다.
합성예 4:
Figure 112014108297590-pct00007
1.8 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 17.6 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 24.9 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 172.9 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 17,205 달톤인 71.6 g(99% 수율)을 얻었다.
합성예 5:
Figure 112014108297590-pct00008
2.7 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 15.4 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 24.9 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 135.2 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 17,153 달톤인 70.3 g(99% 수율)을 얻었다.
합성예 6:
Figure 112014108297590-pct00009
3.6 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 13.2 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 24.9 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 135.8 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 3.3 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 11,913 달톤인 70.8 g(>99% 수율)을 얻었다.
합성예 7:
Figure 112014108297590-pct00010
5.4 g의 아크릴산, 10.4 g의 스티렌, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 24.9 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 118.7 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 14,503 달톤인 63.0 g(99% 수율)을 얻었다.
합성예 8:
Figure 112014108297590-pct00011
1.8 g의 아크릴산, 10.0 g의 메틸 메타크릴레이트, 28.8 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 24.9 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 124.7 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 16,650 달톤인 64.4 g(98% 수율)을 얻었다.
합성예 9:
Figure 112014108297590-pct00012
1.8 g의 아크릴산, 3.3 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 17.6 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 28.4 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 138.2 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 15,843 달톤인 71.9 g(99% 수율)을 얻었다.
합성예 10:
Figure 112014108297590-pct00013
6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 15.4 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 30.2 g의 tert-부틸 메타크릴레이트를 140.0 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.6 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 17,525 달톤인 72.45 g(98% 수율)을 얻었다.
합성예 11:
Figure 112014108297590-pct00014
2.7 g의 아크릴산, 6.5 g의 메톡시에틸 아크릴레이트, 15.4 g의 벤질 메타크릴레이트, 21.6 g의 히드록시프로필 메타크릴레이트, 31.9 g의 1-에틸시클로펜틸 메타크릴레이트를 147.0 g의 PGME 용매 중에 혼합하였다. 18 시간 동안 질소 분위기 하에서 90℃에서 1.2 g의 AIBN의 존재 하에서 중합 반응을 진행시켰다. 실온으로의 냉각 후, 반응 혼합물을 DI수에 침전화시켰다. 백색 중합체 고체를 세정하고, 45℃에서 진공 하에서 건조시켜 중량 평균 분자량이 16,390 달톤인 76.33 g(98% 수율)을 얻었다.
노볼락 중합체: 하기 제제예에 대해, 3종의 노볼락 중합체를 사용하였다. 노볼락-1은 m-크레졸 및 포름알데히드로부터 합성하였고, 2.38% 수성 TMAH 현상제 중에서의 벌크 용해 속도가 700 Å/초였다. 노볼락-2는 m-크레졸 및 포름알데히드로부터 합성하였고, 2.38% 수성 TMAH 현상제 중에서의 벌크 용해 속도가 1,600 Å/초였다. 노볼락-3은 노볼락-1 및 노볼락-2의 1/1 블렌드였고, 2.38% 수성 TMAH 현상제 중에서의 벌크 용해 속도가 1,000 Å/초였다.
포토레지스트 가공:
코팅: 모든 제제를 8" 직경의 Si 및 Cu 웨이퍼 상에서 시험하였다. Si 웨이퍼를 탈수 소성하고, 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 증기 프라이밍(priming)하였다. Cu 웨이퍼는 5,000 옹스트롬의 이산화규소, 250 옹스트롬의 질화탄탈, 및 3,500 옹스트롬의 Cu(PVD 침착됨)로 코팅된 실리콘 웨이퍼였다.
포토레지스트 샘플을 스핀 코팅하고 접촉 모드에서 표준 웨이퍼 트랙 핫 플레이트 상에서 130℃에서 300 초 동안 연질 소성(soft bake)을 적용하여 포토레지스트 코팅을 제조하였다. 40 미크론 두께의 포토레지스트 필름이 얻어지도록 스핀 속도를 조정하였다. 모든 필름 두께 측정은 광학 측정을 이용하여 Si 웨이퍼 상에서 수행하였다.
이미지화: 웨이퍼를 SUSS MA200 CC Mask Aligner 상에서 노광시켰다. 포토레지스트를 100 초 동안 100℃에서 노광후 소성시키고, 23℃에서 AZ 300 MIF(테트라메틸 암모늄히드록시드=TMAH의 0.26N 수용액) 중에서 240 초 동안 퍼들 현상시켰다. 현상된 포토레지스트 이미지를 Hitachi S4700 또는 AMRAY 4200L 전자 현미경을 이용하여 검사하였다.
제제예 1: 10.8 g의 합성예 1의 중합체, 16.3 g의 노볼락-3 및 0.34 g의 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 트리플루오로메탄설포네이트[나프탈렌 디카르복시미딜 트리플레이트, NIT로도 지칭됨] PAG를 28.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 포토레지스트 패턴이 완전히 개구되지 않았음을 보여주었다. 아다만틸기가 100℃의 소성 온도에서 분해되지 않은 것으로 여겨진다.
제제예 2: 10.8 g의 합성예 2의 중합체, 16.3 g의 노볼락-3 및 0.34 g의 NIT PAG를 28.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 포토레지스트 패턴이 완전히 개구되지 않았음을 보여주었다. 아다만틸기가 100℃의 소성 온도에서 분해되지 않은 것으로 여겨진다.
제제예 3: 10.8 g의 합성예 3의 중합체, 16.3 g의 노볼락-2 및 0.34 g의 NIT PAG를 28.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 4: 10.8 g의 합성예 4의 중합체, 16.3 g의 노볼락-2 및 0.34 g의 NIT PAG를 28.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 5: 10.8 g의 합성예 5의 중합체, 16.3 g의 노볼락-3 및 0.34 g의 NIT PAG를 28.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 6: 10.0 g의 합성예 6의 중합체, 15.0 g의 노볼락-3, 0.18 g의 NIT PAG 및 0.043 g의 테트라부틸 암모늄 옥살레이트를 27.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 7: 10.0 g의 합성예 7의 중합체, 15.0 g의 노볼락-3, 0.18 g의 NIT PAG 및 0.043 g의 TBA 옥살레이트를 27.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다. 그러나, 이 제제로 코팅된 웨이퍼는 코팅된 필름에 크랙을 나타냈다.
제제예 8: 10.0 g의 합성예 8의 중합체, 15.0 g의 노볼락-3, 0.15 g의 NIT PAG 및 0.020 g의 TBA 옥살레이트를 27.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 9: 10.0 g의 합성예 9의 중합체, 15.0 g의 노볼락-3, 0.15 g의 NIT PAG 및 0.020 g의 TBA 옥살레이트를 27.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는, 직선형 수직 벽을 가지며 언터컷이 없는 양호한 프로필을 나타냈다.
제제예 10: 10.0 g의 합성예 10의 중합체, 15.0 g의 노볼락-3, 0.15 g의 NIT PAG 및 0.020 g의 TBA 옥살레이트를 27.4 g의 PGMEA 용매에 용해시켜 용액을 제조하였다. 리소그래피 시험을 위해 용액을 실리콘 및 구리 웨이퍼 상에서 코팅하였다. 리소그래피 결과는 경사진 벽 프로필을 갖는 개구된 피쳐를 나타냈다.
특정 실시예를 참고하여 본 발명을 나타내고 설명하였지만, 본 발명이 관련된 분야의 당업자에게는 명백한 다양한 변화 및 변경이 청구 범위에 기재된 주제의 사상, 범위 및 고려 내에 있는 것으로 간주된다.

Claims (18)

  1. 하기를 포함하는 포지티브 작용성 감광성 조성물:
    a) 1 이상의 광산 발생제;
    b) o-크레졸, p-크레졸 또는 m-크레졸에서 선택되는 1 이상의 크레졸계 반복 단위를 포함하는 1 이상의 노볼락 중합체;
    c) 중합체 주쇄를 갖는 1 이상의 중합체로서, 하기 화학식의 구조로 이루어진 중합체:
    Figure 112018096664161-pct00015

    상기 화학식에서, R1-R5는 독립적으로 -H, F 또는 -CH3이고, A는 에틸렌기 또는 1,2-프로필렌기이며, B는 C1-C12 알킬 또는 지환식 기이며, D는 카르보닐 탄소가 중합체 주쇄에 결합된 -COOCH2-기 또는 -COO-기이며, Ar은 페닐기이고, E는 직쇄형 또는 분지쇄형 C2-C10 알킬렌기이며, G는 산 분해성(cleavable) 기이며, v는 0 몰% 내지 10 몰%이며, w는 7 몰% 내지 15 몰%이고, x는 14 몰% 내지 30 몰%이고, y는 25 몰% 내지 35 몰%이며, z는 20 몰% 내지 50 몰%이다.
  2. 제1항에 있어서, 1 이상의 광산 발생제는 오늄염, 디카르복시미딜 설포네이트 에스테르, 옥심 설포네이트 에스테르, 디아조(설포닐 메틸) 화합물, 디설포닐 메틸렌 히드라진 화합물, 니트로벤질 설포네이트 에스테르, 비이미다졸 화합물, 디아조메탄 유도체, 글리옥심 유도체, β-케토설폰 유도체, 디설폰 유도체, 설폰산 에스테르 유도체, 이미도일 설포네이트 유도체 또는 할로겐화 트리아진 화합물인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 1 이상의 노볼락 중합체는 p-크레졸 또는 m-크레졸에서 선택되는 1 이상의 크레졸계 반복 단위를 포함하는 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 1 이상의 노볼락 중합체는 80 몰% 이상의 m-크레졸을 포함하는 크레졸계 노볼락인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, A는 에틸렌기이고, B는 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  6. 제1항에 있어서, G는 t-부틸기, 테트라히드로피란-2-일기, 테트라히드로푸란-2-일기, 4-메톡시테트라히드로피란-4-일기, 1-에톡시에틸기, 1-부톡시에틸기, 1-프로폭시에틸기, 3-옥소시클로헥실기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.0 2,6]데실기, 1,2,7,7-테트라메틸-2-노르보닐기, 2-아세톡시멘틸기, 2-히드록시메틸기, 1-메틸-1-시클로헥실에틸기, 4-메틸-2-옥소테트라히드로-2H-피란-4-일기, 2,3-디메틸부탄-2-일기, 2,3,3-트리메틸부탄-2-일기, 1-메틸 시클로펜틸기, 1-에틸 시클로펜틸기, 1-메틸 시클로헥실기, 1-에틸 시클로헥실기, 1,2,3,3-테트라메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2-에틸-1,3,3-트리메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2,6,6-트리메틸비시클로[3.1.1]헵탄-2-일기, 2,3-디메틸펜탄-3-일기 및 3-에틸-2-메틸펜탄-3-일기로 이루어진 군에서 선택되는 산분해성 기인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  7. 제1항에 있어서, G는 t-부틸기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.0 2,6]데실기, 1,2,7,7-테트라메틸-2-노르보닐기, 2-아세톡시멘틸기, 1-메틸-1-시클로헥실에틸기, 2,3-디메틸부탄-2-일기, 2,3,3-트리메틸부탄-2-일기, 1-메틸 시클로펜틸기, 1-에틸 시클로펜틸기, 1-메틸 시클로헥실기, 1-에틸 시클로헥실기, 1,2,3,3-테트라메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2-에틸-1,3,3-트리메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 2,6,6-트리메틸비시클로[3.1.1]헵탄-2-일기, 2,3-디메틸펜탄-3-일기 또는 3-에틸-2-메틸펜탄-3-일기에서 선택되는 산분해성 기인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, A는 에틸렌기이고, D는 -COOCH2-인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  9. 제8항에 있어서, y>0 몰%일 때, E는 1,2-프로필렌기인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  10. 포지티브 릴리프(relief) 이미지의 형성 방법으로서,
    a) 제1항의 포지티브 작용성 감광성 조성물을 기판에 도포하여 감광층을 형성시키는 단계;
    b) 감광층을 화학 방사선에 이미지 형성 방식으로 노광시켜 잠상을 형성시키는 단계;
    c) 현상제 중에서 잠상을 현상시키는 단계
    를 포함하며,
    d) 여기서, 이미지 형성 방식으로 노광된 감광층은 임의로 열 처리하는 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서, 현상제는 수산화테트라 (C1-C4 알킬)암모늄, 수산화콜린, 수산화리튬, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨에서 선택되는 1 이상의 화합물을 포함하는 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서, 화학 방사선의 파장은 240 nm 내지 450 nm인 형성 방법.
  13. 제1항에 있어서, 중합체의 구조식에 있어서, v는 3 몰% 내지 8 몰%인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 중합체의 구조식에 있어서, v는 4 몰% 내지 6 몰%이고, w는 9 몰% 내지 12 몰%이며, y는 28 몰% 내지 33 몰%이며, z는 20 몰% 내지 40 몰%인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 중합체의 구조식에 있어서, w는 9 몰% 내지 12 몰%이고, y는 28 몰% 내지 33 몰%이고, z는 20 몰% 내지 40 몰%인 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 광산 발생제는 디카르복시미딜 설포네이트 에스테르, 옥심 설포네이트 에스테르, 디아조(설포닐 메틸) 화합물, 디설포닐 메틸렌 히드라진 화합물, 니트로벤질 설포네이트 에스테르, 비이미다졸 화합물, 디아조메탄 유도체, 글리옥심 유도체, β-케토설폰 유도체, 디설폰 유도체, 설폰산 에스테르 유도체, 이미도일 설포네이트 유도체 및 할로겐화 트리아진 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 이미도일 설포네이트 유도체는 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 트리플루오로메탄설포네이트, 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 노나플루오로-n-부탄 설포네이트, 1,3-디옥소이소인돌린-2-일 퍼플루오로-n-옥탄 설포네이트, 3-디옥소이소인돌린-2-일 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트, 3-디옥소이소인돌린-2-일 N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 트리플루오로메탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 노나플루오로-n-부탄 설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트 및 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 포지티브 작용성 감광성 조성물.
  18. 제16항에 있어서, 이미도일 설포네이트 유도체는 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 트리플루오로메탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 노나플루오로-n-부탄 설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 퍼플루오로-n-옥탄설포네이트, 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설포네이트 및 1,3-디옥소-1H-벤조[데]이소퀴놀린-2(3H)-일 N-[2-(테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일)-1,1-디플루오로에탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 포지티브 작용성 감광성 조성물.
KR1020147031611A 2012-06-15 2013-05-13 포지티브 감광성 재료 KR101942137B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/524,790 US9012126B2 (en) 2012-06-15 2012-06-15 Positive photosensitive material
US13/524,790 2012-06-15
PCT/EP2013/059771 WO2013185989A1 (en) 2012-06-15 2013-05-13 Positive photosensitive material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150032523A KR20150032523A (ko) 2015-03-26
KR101942137B1 true KR101942137B1 (ko) 2019-01-24

Family

ID=48444373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147031611A KR101942137B1 (ko) 2012-06-15 2013-05-13 포지티브 감광성 재료

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9012126B2 (ko)
EP (1) EP2862024B1 (ko)
JP (1) JP6157605B2 (ko)
KR (1) KR101942137B1 (ko)
CN (1) CN104380198B (ko)
SG (1) SG11201407090XA (ko)
TW (1) TWI569102B (ko)
WO (1) WO2013185989A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8906594B2 (en) 2012-06-15 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working thick film photoresist
JP6175226B2 (ja) * 2012-09-28 2017-08-02 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、半導体製造用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び電子デバイスの製造方法
JP6778989B2 (ja) * 2015-03-31 2020-11-04 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物
US20170176856A1 (en) * 2015-12-21 2017-06-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working photoresist compositions for laser ablation and use thereof
TWI731961B (zh) * 2016-04-19 2021-07-01 德商馬克專利公司 正向感光材料及形成正向凸紋影像之方法
WO2019054805A1 (ko) * 2017-09-15 2019-03-21 주식회사 엘지화학 화학증폭형 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 패턴, 및 포토레지스트 패턴 제조방법
KR102146095B1 (ko) 2017-09-15 2020-08-19 주식회사 엘지화학 화학증폭형 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 패턴, 및 포토레지스트 패턴 제조방법
WO2020048957A1 (en) * 2018-09-05 2020-03-12 Merck Patent Gmbh Positive working photosensitive material
JP7475111B2 (ja) 2018-11-14 2024-04-26 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法、レジスト組成物及びその製造方法
WO2021094350A1 (en) * 2019-11-13 2021-05-20 Merck Patent Gmbh Positive working photosensitive material
KR20220101662A (ko) 2019-11-14 2022-07-19 메르크 파텐트 게엠베하 알칼리-가용성 아크릴 수지를 포함하는 dnq-타입 포토레지스트 조성물
TW202336531A (zh) 2021-11-17 2023-09-16 德商馬克專利公司 藉濕式化學蝕刻以改善金屬結構製造的組合物和方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156849A (ja) 2001-09-06 2003-05-30 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2003287890A (ja) 2002-01-23 2003-10-10 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2009063823A (ja) 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法
JP2011501815A (ja) 2007-09-25 2011-01-13 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション 厚膜レジスト

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3953408A (en) 1970-12-26 1976-04-27 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Addition polymerizable polymeric compounds
US4251665A (en) 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
DE3619130A1 (de) 1986-06-06 1987-12-10 Basf Ag Lichtempfindliches aufzeichnungselement
US5187019A (en) 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
JPH0878318A (ja) 1994-09-08 1996-03-22 Japan Synthetic Rubber Co Ltd アルカリ現像型フォトレジスト組成物
KR100256392B1 (ko) 1996-09-30 2000-05-15 겐지 아이다 칼라필터용 감광성 수지 착색 조성물 및 이로부터 형성된 칼라필터 및 그 제조방법
SG85613A1 (en) 1998-02-06 2002-01-15 Morton Int Inc Photoimageable compositions having hydrophilic binder polymers and hydrophilic monomers
US6210846B1 (en) 1999-08-13 2001-04-03 Advanced Micro Devices, Inc. Exposure during rework for enhanced resist removal
EP1150165A1 (en) 2000-04-25 2001-10-31 JSR Corporation Radiation sensitive resin composition for forming barrier ribs for an el display element, barrier ribs and el display element
AU2001287147A1 (en) * 2000-09-08 2002-03-22 Shipley Company, L.L.C. Fluorinated phenolic polymers and photoresist compositions comprising same
JP4190167B2 (ja) 2000-09-26 2008-12-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6800422B2 (en) 2001-05-11 2004-10-05 Shipley Company, L.L.C. Thick film photoresists and methods for use thereof
JP2003114520A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 光重合性組成物及びそれを用いた記録材料
JP4048791B2 (ja) 2002-02-18 2008-02-20 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4184813B2 (ja) 2002-02-19 2008-11-19 コダックグラフィックコミュニケーションズ株式会社 感光性組成物、感光性平版印刷版およびこれを用いた平版印刷版の作製方法
US20030235775A1 (en) 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
US7083892B2 (en) * 2002-06-28 2006-08-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Resist composition
JP3895269B2 (ja) 2002-12-09 2007-03-22 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法並びに半導体装置及びその製造方法
JP4393861B2 (ja) 2003-03-14 2010-01-06 東京応化工業株式会社 磁性膜のパターン形成方法
US7358408B2 (en) 2003-05-16 2008-04-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
US20040265733A1 (en) 2003-06-30 2004-12-30 Houlihan Francis M. Photoacid generators
TW589516B (en) * 2003-07-22 2004-06-01 Ind Tech Res Inst Positive photo resist with uniform reactivity and patterning process using the same
JP4384570B2 (ja) 2003-12-01 2009-12-16 東京応化工業株式会社 厚膜用ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR100564597B1 (ko) 2003-12-20 2006-03-28 삼성전자주식회사 포토마스크 및 그 제조 방법
WO2005091074A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Jsr Corporation ポジ型感放射線性樹脂組成物
US20050271974A1 (en) 2004-06-08 2005-12-08 Rahman M D Photoactive compounds
US7255970B2 (en) * 2005-07-12 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for imaging thick films
US7601482B2 (en) 2006-03-28 2009-10-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Negative photoresist compositions
US8197994B2 (en) 2006-09-27 2012-06-12 Fujifilm Corporation Compound or its tautomer, metal complex compound, colored photosensitive curing composition, color filter, and production
KR101242332B1 (ko) * 2006-10-17 2013-03-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101423801B1 (ko) 2006-11-28 2014-07-25 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 후막용 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물, 후막용 화학증폭형 드라이 필름 및 후막 레지스트 패턴의 제조 방법
JP4547448B2 (ja) * 2007-08-10 2010-09-22 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2009063824A (ja) 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法
KR101430533B1 (ko) 2008-01-04 2014-08-22 솔브레인 주식회사 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이기판의 제조 방법
WO2009110848A1 (en) 2008-03-04 2009-09-11 Agency For Science, Technology And Research Low shrinkage multifunctional ssq resins
JP5216573B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-19 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5721992B2 (ja) 2009-10-14 2015-05-20 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、レジスト液、インクジェット用インク、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイ、画像表示デバイス、及び色素化合物
JP2012014021A (ja) 2010-07-01 2012-01-19 Fujifilm Corp 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス
JP2012012602A (ja) 2010-07-05 2012-01-19 Lg Chem Ltd アルカリ可溶性樹脂重合体およびこれを含むネガ型感光性樹脂組成物
JP5749631B2 (ja) * 2010-12-07 2015-07-15 東京応化工業株式会社 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
JP6195445B2 (ja) * 2012-02-27 2017-09-13 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト積層体、ホトレジストパターンの製造方法、及び接続端子の製造方法
US8906594B2 (en) 2012-06-15 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working thick film photoresist

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156849A (ja) 2001-09-06 2003-05-30 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2003287890A (ja) 2002-01-23 2003-10-10 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2009063823A (ja) 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法
JP2011501815A (ja) 2007-09-25 2011-01-13 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション 厚膜レジスト

Also Published As

Publication number Publication date
US9012126B2 (en) 2015-04-21
TW201403240A (zh) 2014-01-16
EP2862024B1 (en) 2021-12-01
CN104380198A (zh) 2015-02-25
JP2015526752A (ja) 2015-09-10
JP6157605B2 (ja) 2017-07-05
KR20150032523A (ko) 2015-03-26
EP2862024A1 (en) 2015-04-22
CN104380198B (zh) 2018-09-21
US20130337380A1 (en) 2013-12-19
WO2013185989A1 (en) 2013-12-19
SG11201407090XA (en) 2014-11-27
TWI569102B (zh) 2017-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101942137B1 (ko) 포지티브 감광성 재료
CN108885396B (zh) 正性工作光敏材料
KR101828137B1 (ko) 포지티브형 감광성 재료
KR102261808B1 (ko) 환경적으로 안정한 후막성 화학증폭형 레지스트
WO2010087516A1 (en) Negative resist pattern forming method, developer and negative chemical-amplification resist composition used therefor, and resist pattern
TWI641647B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、感光化射線性或感放射線性膜、具有感光化射線性或感放射線性膜的空白罩幕、圖案形成方法、電子元件的製造方法以及電子元件
KR101429596B1 (ko) 화학증폭형 레지스트 조성물, 및 그것을 사용한 레지스트막, 레지스트 도포 마스크 블랭크, 레지스트 패턴 형성 방법 및 포토마스크
JP6225044B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
CN114651212A (zh) 正型光敏材料
US20190339613A1 (en) Photosensitive Material For Lift-Off Applications

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right