KR101926256B1 - 반도체 검사 장치 - Google Patents

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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 본 발명은 반도체 검사 장치에 관한 것이며, 일괄 컨택트 방식의 반도체 웨이퍼 측정 장치에의 이용에 매우 적합한 반도체 검사 장치에 관한 것이며, 복수의 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드를 이용하면서, 장치의 소형화가 가능한 반도체 검사 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 반도체 웨이퍼를 검사하기 위한 신호를 발하는 제어부와, 상기 제어부에 접속된 접촉 단자를 구비한 컨택트부와, 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 반도체 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드와, 구동부를 구비하고, 상기 접촉 단자는 상기 프로브 카드가 구비하는 전극 패드의 일부와 접촉 가능하고, 상기 구동부는 상기 접촉 단자와 접촉하는 전극 패드를 전환하도록 상기 컨택트부를 구동시킨다.

Description

반도체 검사 장치{SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE}
본 발명은 반도체 검사 장치에 관한 것이며, 일괄 컨택트 방식의 반도체 웨이퍼 측정 장치에의 이용에 적합한 반도체 검사 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 복수의 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드를 이용한 반도체 검사 장치가 개시되어 있다.
일본 공개 특허 공보 제 2005-317561 호
복수의 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드를 구비한 반도체 검사 장치에서는, 복수의 칩을 검사하기 위해서 다수의 신호를 제어할 필요가 있다. 이 때문에, 반도체 검사 장치는 신호를 제어하기 위한 부품을 많이 탑재하게 되어, 장치가 대형화한다.
본 발명은 상술의 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적은 복수의 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드를 이용하면서, 장치의 소형화가 가능한 반도체 검사 장치를 얻는 것이다.
반도체 웨이퍼를 검사하기 위한 신호를 발하는 제어부와, 상기 제어부에 접속된 접촉 단자를 구비한 컨택트부와, 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 반도체 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드와, 구동부를 구비하고, 상기 접촉 단자는 상기 프로브 카드가 구비하는 전극 패드의 일부와 접촉 가능하고, 상기 구동부는 상기 접촉 단자와 접촉하는 전극 패드를 전환하도록 상기 컨택트부를 구동시킨다.
본 발명에 있어서의 웨이퍼의 검사 장치에서는, 프로브 카드가 구비하는 전극 패드의 일부와 접촉 단자가 접촉함으로써, 제어부와 프로브 카드가 도통 가능한 상태로 된다. 또, 구동부에 의해 접촉 단자와 접촉하는 전극 패드가 전환된다. 이 구성에서는, 프로브 카드가 구비하는 모든 전극 패드와 제어부를 접속하는 것보다도, 한 번의 접촉으로 처리를 행하는 신호가 적게 된다. 이 때문에, 적은 부품으로 장치를 구성하는 것이 가능해진다. 따라서, 장치를 소형화하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태 1의 변형예에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 1의 변형예에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 구동부 및 청소 툴의 사시도이다.
본 발명의 실시의 형태에 따른 반도체 검사 장치에 대해 도면을 참조해서 설명한다. 동일 또는 대응하는 구성 요소에는 동일 부호를 부여하고, 설명의 반복을 생략하는 경우가 있다.
실시의 형태 1.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 반도체 검사 장치(100)의 모식도이다. 척 스테이지(12)의 상면에 반도체 웨이퍼(10)가 배치된다. 반도체 웨이퍼(10)에는 반도체 칩(34)이 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(10)의 상부에는 프로브 카드(16)가 배치된다. 프로브 카드(16)는 프로브 카드 지지부(14)에 의해 고정된다. 또, 프로브 카드(16)는 반도체 칩(34)과 접촉하기 위한 컨택트 프로브(18)를 구비한다. 컨택트 프로브(18)는 반도체 웨이퍼(10)에 형성되는 모든 반도체 칩(34)과 동시에 접촉 가능하도록 바늘 꽂이되어 있다. 또, 프로브 카드(16)는 상면에 전극 패드(20)를 구비한다. 각각의 컨택트 프로브(18)는 대응하는 전극 패드(20)와 접속되어 있다. 또, 도 1에서는, 1개의 전극 패드(20)에 2개의 컨택트 프로브(18)가 접속되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 전극 패드(20)에 접속하는 컨택트 프로브(18)의 수는 설계 요소이다.
프로브 카드(16)의 상부에는, 컨택트부(22)가 배치된다. 컨택트부(22)는 구동부(26)에 의해 지지되어 있다. 또, 컨택트부(22)는 접촉 단자(24)를 구비한다. 접촉 단자(24)는 반도체 칩(34) 중 1 칩을 측정하기 위한 전극 패드(20)와 동시에 접촉 가능하게 마련된다. 또, 구동부(26)는 컨택트부(22)를 X, Y, Z축 방향으로 구동시킨다. 또, X 및 Z축은 도 1에 나타내는 좌표축이다. 또, Y축은 X 및 Z축에 수직인 좌표축이다. 또, 구동부(26)는 Z축을 중심으로 컨택트부(22)를 회전시킬 수 있다.
접촉 단자(24)는 컨택트부(22), 접속부(28) 및 신호선(31)을 통해서, 테스트 헤드(30)에 접속된다. 또, 척 스테이지(12)는 접속부(29) 및 신호선(33)을 통해서 테스트 헤드(30)에 접속된다. 테스트 헤드(30)는 신호선(35)을 통해서 제어부(32)에 접속된다. 테스트 헤드(30)는 접촉 단자(24)와 제어부(32) 및 척 스테이지(12)와 제어부(32)의 사이의 신호선(31, 33, 35)을 접속하기 위한 기구이다. 또, 제어부(32)는 반도체 테스터의 본체 부분이며, 반도체 웨이퍼(10)를 검사하기 위한 신호를 발한다.
척 스테이지(12), 프로브 카드 지지부(14) 및 프로브 카드(16)는 웨이퍼 프로버를 구성한다. 또, 컨택트부(22), 구동부(26), 신호선(31, 33, 35), 접속부(28, 29), 테스트 헤드(30) 및 제어부(32)는 반도체 테스터를 구성한다.
검사시에는, 척 스테이지(12)의 상면에 반도체 웨이퍼(10)가 배치된다. 다음으로, 웨이퍼 프로버에 의해, 반도체 웨이퍼(10)가 프로브 카드(16)와 접촉한다. 이때, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되는 모든 반도체 칩(34)이 측정 가능해지도록, 반도체 칩(34)과 컨택트 프로브(18)가 접촉한다. 다음으로, 구동부(26)에 의해 컨택트부(22)가 구동한다. 이 결과, 접촉 단자(24)는 반도체 칩(34) 중 1 칩을 측정하기 위한 전극 패드(20)와 접촉한다.
이상으로부터, 반도체 웨이퍼(10)의 전기 특성을 측정하기 위한 도통 경로가 형성된다. 도통 경로는, 반도체 웨이퍼(10)의 상면을 기점으로 해서, 컨택트 프로브(18), 전극 패드(20), 접촉 단자(24), 접속부(28), 신호선(31), 테스트 헤드(30), 신호선(33), 접속부(29), 척 스테이지(12), 반도체 웨이퍼(10)의 이면의 순서로 형성된다. 또, 테스트 헤드(30)로부터, 신호선(35), 제어부(32)의 순서로 도통 경로가 형성된다. 또, 본 실시의 형태에 있어서의 도통 경로는, 반도체 칩(34)이 IGBT와 같은 종형 반도체인 경우를 상정하고 있다. 본 실시의 형태의 변형예로서, 반도체 칩(34)은 횡형 반도체라도 좋다. 이 경우, 웨이퍼 이면으로부터의 신호를 취출할 필요가 없어지는 경우가 있다.
1개의 측정 칩의 측정이 종료되면, 구동부(26)에 의해 컨택트부(22)가 이동한다. 이 결과, 접촉 단자(24)는 다음의 측정 칩에 대응하는 전극 패드(20)와 접촉한다. 이때, 반도체 웨이퍼(10)와 컨택트 프로브(18)는 접촉한 상태가 유지된다. 따라서, 반도체 웨이퍼(10)와 컨택트 프로브(18)의 접촉이 유지된 상태로, 측정 칩을 전환하는 것이 가능해진다.
복수의 반도체 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드를 이용해서 반도체 검사 장치를 구성하는 경우, 프로브 카드가 구비하는 모든 전극 패드와 제어부를 동시에 접속하는 방법이 고려된다. 이때, 반도체 검사 장치는 다수의 신호를 제어할 필요가 있다. 이 때문에, 신호 접속 기구인 테스트 헤드에, 신호를 전환하기 위한 릴레이를 다수 구비할 필요가 있다. 따라서, 장치가 대형화된다. 또, 테스트 헤드가 다수의 릴레이를 구비하기 때문에, 릴레이에 문제가 생겼을 때에, 문제 개소의 특정이 곤란해진다.
이것에 대해, 본 실시의 형태에서는, 접촉 단자(24)와 전극 패드(20)의 한 번의 접촉에 의해 측정되는 반도체 칩(34)은 1 칩이다. 이 때문에, 테스트 헤드(30)는 1 칩을 측정하기 위한 신호를 처리할 수 있으면 좋다. 따라서, 프로브 카드(16)가 구비하는 모든 전극 패드(20)와 제어부(32)를 접속하는 것보다도, 적은 부품수로 장치를 구성하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 반도체 검사 장치(100)를 소형화하는 것이 가능해진다. 또, 장치에 문제가 생겼을 때에, 고장 개소의 특정이 용이해진다. 또, 저비용으로 반도체 검사 장치(100)를 구성할 수 있다.
반도체 검사 장치를 소형화하는 다른 방법으로서, 동시에 1 칩과만 접촉하는 타입의 소형의 프로브 카드를 이용하는 것이 생각된다. 이 경우, 측정 칩을 전환하기 위해서, 1 칩마다 반도체 웨이퍼와 프로브 카드가 컨택트를 반복하게 된다. 반도체 웨이퍼와 프로브 카드가 컨택트하면, 컨택트 프로브 측에 반도체 웨이퍼의 표면 열이 흡착된다. 이 때문에, 웨이퍼 표면의 온도가 변화되어, 특성치가 변동된다. 특성치의 변동을 막기 위해서는, 컨택트마다 온도 안정을 위한 대기 시간을 마련하는 것이 생각된다. 1 칩을 측정할 때마다 대기 시간을 마련하면, 테스트 시간이 길어진다.
이것에 대해, 본 실시의 형태에서는, 컨택트부(22)가 이동함으로써 측정 칩이 전환된다. 측정 칩의 전환 시에, 반도체 웨이퍼(10)와 프로브 카드(16)의 접촉은 유지된다. 따라서, 측정 칩을 전환할 때에, 반도체 웨이퍼(10)의 근방의 공간의 기류 및 열 평형의 변화가 억제된다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(10)의 온도 변화가 억제된다. 이것에 의해, 온도 안정을 위한 대기 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 따라서, 테스트 시간을 단축할 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼(10)의 온도 변화가 억제되기 때문에, 척 스테이지(12)가 구비하는 온도 조정 기능을 간이화하는 것이 가능해진다. 따라서, 장치를 소형화하는 것이 가능해진다. 또, 반도체 웨이퍼(10)의 온도 변화가 억제되기 때문에, 특성치가 안정화된다. 따라서, 측정 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 1 칩마다 반도체 웨이퍼(10)의 위치를 전환함으로써 측정 칩을 전환하는 경우, 높은 컨택트 정밀도가 필요하게 된다. 이것에 대해, 본 실시의 형태에서는 소형의 컨택트부(22)의 이동에 의해 측정 칩을 전환할 수 있다. 따라서, 컨택트 정밀도를 완화하는 것이 가능하다.
본 실시의 형태에 있어서의 접촉 단자(24)로서, 스프링 프로브, 와이어 프로브, 적층 프로브, 캔틸레버식 프로브, 볼 그리드를 사용할 수 있다. 스프링 프로브 또는 캔틸레버식 프로브를 이용하면, 접촉 단자(24)를 저비용으로 구성할 수 있다. 와이어 프로브 또는 적층 프로브를 이용하면, 접촉 단자(24)를 장기 수명화할 수 있다. 또, 적층 프로브를 이용하면, 접촉 단자(24)를 흐르는 전류를 고전류 밀도화할 수 있다. 볼 그리드를 이용하면, 접촉 단자(24)와 전극 패드(20)의 접촉에 있어서 요구되는 컨택트 정밀도가 완화된다. 이외에도 전극 패드(20)와의 접촉에 의해 도통을 확보할 수 있는 것이면, 접촉 단자(24)로서 사용 가능하다.
본 실시의 형태에서는, 접촉 단자(24)와 전극 패드(20)의 1회의 접촉에 의해 1 칩이 측정되는 것으로 했다. 이 변형예로서, 1회의 접촉으로 복수의 칩이 측정되는 것으로 해도 좋다. 본 변형예에서는, 접촉 단자(24)는 측정 대상인 복수의 반도체 칩(34)을 측정하기 위한 전극 패드(20)와 동시에 접촉한다. 측정시에는, 테스트 헤드(30)가 구비하는 릴레이에 의해 측정 회로를 전환해서, 복수의 칩을 측정한다.
접촉 단자(24)와 전극 패드(20)의 1회의 접촉으로 측정되는 칩 수는 반도체 칩(34)의 일부이면, 몇 개이어도 좋다. 또, 1회의 접촉으로 측정되는 칩 수가 4 칩 이하인 경우는, 테스트 헤드(30)로서 시판 제품을 사용하는 것이 가능하고, 저비용으로 반도체 검사 장치(100)를 구성할 수 있다. 본 변형예에 따르면, 측정 칩의 전환 회수를 줄이는 것이 가능하게 되어, 테스트 시간을 단축할 수 있다.
또, 본 실시의 형태에 있어서 프로브 카드(16)는 반도체 웨이퍼(10)에 형성되는 모든 반도체 칩(34)과 동시에 접촉 가능한 것으로 했다. 이 변형예로서, 프로브 카드(16)는 반도체 칩(34) 중 일부의 칩과 동시에 접촉하는 것으로 해도 좋다. 본 변형예에서는, 프로브 카드(16)가 모든 반도체 칩(34)과 동시에 접촉 가능한 경우와 비교해서, 프로브 카드(16)를 소형화하는 것이 가능해진다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태 1의 변형예에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다. 도 3은 본 발명의 실시의 형태 1의 변형예에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다. 반도체 검사 장치(100)에서는, 컨택트부(22)와 테스트 헤드(30)는 독립된 구성으로 했다. 이것에 대해, 본 변형예에 있어서의 반도체 검사 장치(200)에서는, 테스트 헤드(230)는 컨택트부(222)에 마련된다. 컨택트부(222)와 테스트 헤드(230)는 일체화되어 있다. 따라서, 구동부(226)는 컨택트부(222)와 함께 테스트 헤드(230)를 구동시킨다.
본 변형예에 따르면, 컨택트부(222)와 테스트 헤드(230)를 별개로 마련할 필요가 없다. 따라서, 장치의 구성이 단순화된다. 또, 본 변형예에서는 컨택트부(222)와 테스트 헤드(230)는 일체화되어 있는 것으로 했다. 이것에 대해, 테스트 헤드(230)는 컨택트부(222)에 착탈 가능하게 고정된 것으로 해도 좋다. 또, 본 변형예에 있어서 접촉 단자(224)는 테스트 헤드(230)에 마련된 것으로 해도 좋다.
실시의 형태 2.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다. 도 5는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다. 본 실시의 형태에 있어서의 반도체 검사 장치(300)는 컨택트부(322)를 구비한다. 컨택트부(322)는 원통형의 롤러(336)를 구비한다. 롤러(336)의 표면에는, 접촉 단자(324)가 마련된다. 또, 구동부(326)는 롤러(336)를 회전시킨다. 본 실시의 형태에서는, 롤러(336)가 회전함으로써, 접촉 단자(324)와 접촉하는 전극 패드(20)가 전환된다. 따라서, 롤러(336)가 회전함으로써, 측정 칩이 전환된다.
실시의 형태 1에 있어서, 측정 칩을 전환하기 위해서 다음의 수순이 실행된다. 우선, 컨택트부(22)를 전극 패드(20)으로부터 분리하도록 들어 올린다. 다음으로, 다음의 측정 칩에 대응하는 전극 패드(20)의 상부까지 컨택트부(22)를 이동시킨다. 다음으로, 다시 전극 패드(20)와 접촉하도록 컨택트부(22)를 하강시킨다. 이것에 대해, 본 실시의 형태에서는, 롤러(336)가 회전함으로써, 측정 칩이 전환된다. 이 때문에, 측정 칩의 전환 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 본 실시의 형태에서는, 접촉 단자(324)는 볼 그리드이다.
실시의 형태 3.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 반도체 검사 장치의 모식도이다. 도 7은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 컨택트부 및 프로브 카드의 확대도이다. 본 실시의 형태에 따른 반도체 검사 장치(400)는 접촉 단자(324) 또는 전극 패드(20)의 표면을 클리닝하기 위한 청소 툴(438)을 구비한다. 본 실시의 형태에서는 청소 툴(438)은 브러쉬를 구비한다. 브러쉬의 재료로서는 수지 및 금속을 사용할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 구동부 및 청소 툴의 사시도이다. 브러쉬는 롤러(336)의 상부에 배치된다. 롤러(336)가 회전함으로써, 접촉 단자(324)가 브러쉬에 의해 클리닝된다. 브러쉬 이외에, 프로브 카드용 연마 시트, 흡착 테이프, 에어 커터, 와이퍼가 청소 툴(438)로서 사용 가능하다. 이외에도, 표면 청소가 가능한 것이면 사용할 수 있다. 또, 청소 툴(438)은 집진 노즐(440)을 구비한다.
청소 툴(438)에 의해 접촉 단자(324) 또는 전극 패드(20)의 표면이 청소된다. 이것에 의해, 접촉 단자(324)와 전극 패드(20)의 접촉 불량을 억제할 수 있다. 또, 집진 노즐(440)에 의해, 청소에 의해 발생한 티끌이 빨아 들여진다. 이 때문에, 장치를 클린하게 유지할 수 있다. 본 실시의 형태의 변형예로서, 브러쉬를 롤러(336)의 측면에 배치해도 좋다. 이때, 집진 노즐(440)은 브러쉬 또는 롤러(336)의 하부에 배치한다. 이 구성에 의하면, 집진 노즐(440)은 청소에 의해 발생한 티끌을 브러쉬 또는 롤러(336)의 하부에서 받도록 해서 회수하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 티끌을 효율적으로 회수하는 것이 가능해진다.
본 실시의 형태에서는, 반도체 검사 장치(400)는 컨택트부(322)를 구비하는 것으로 했다. 이것에 대해, 반도체 검사 장치(400)는 실시의 형태 1에서 나타낸 컨택트부(22) 또는 컨택트부(222)를 구비하는 것으로 해도 좋다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 구동부(326)는 X축 구동부(326a), Y축 구동부(326b), Z축 구동부(326c) 및 θ축 구동부(326d)를 구비한다. X축 구동부(326a)는 컨택트부(322)를 X축 방향으로 구동시킨다. Y축 구동부(326b)는 컨택트부(322)를 Y축 방향으로 구동시킨다. Z축 구동부(326c)는 컨택트부(322)를 Z축 방향으로 구동시킨다. θ축 구동부(326d)는 컨택트부(322)를, Z축을 중심으로 회전시킨다. X, Y 및 Z축은 도 8에 나타나는 좌표축이다. 구동부(326)가 컨택트부(322)를 X, Y 및 Z축 방향으로 이동 및 Z축을 중심으로 회전시킴으로써, 전극 패드(20)와 접촉 단자(324)를 접촉시킨다. 도 8에 나타내는 구성은 구동부(326)의 일례이며, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 또, 구동부(326)의 구성은 실시의 형태 1에 나타내는 구동부(26, 226)에 적용할 수도 있다.
100, 200, 300, 400 : 반도체 검사 장치
10 : 반도체 웨이퍼 16 : 프로브 카드
20 : 전극 패드 22, 222, 322 : 컨택트부
24, 224, 324 : 접촉 단자 30 : 테스트 헤드
31, 33, 35 : 신호선 32 : 제어부
34 : 반도체 칩 26, 226, 326 : 구동부
336 : 롤러 438 : 청소 툴

Claims (12)

  1. 반도체 웨이퍼를 검사하기 위한 신호를 발하는 제어부와,
    상기 제어부에 접속된 접촉 단자를 구비한 컨택트부와,
    상기 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 반도체 칩과 동시에 접촉 가능한 프로브 카드와,
    구동부
    를 구비하고,
    상기 접촉 단자는 상기 프로브 카드가 구비하는 전극 패드의 일부와 접촉 가능하고,
    상기 구동부는 상기 접촉 단자와 접촉하는 전극 패드를 전환하도록 상기 컨택트부를 구동시켜 이동시키는
    것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 모든 반도체 칩과 동시에 접촉이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택트부는 상기 접촉 단자와 상기 제어부의 사이의 신호선을 접속하기 위한 테스트 헤드를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 1개의 반도체 칩을 측정하기 위한 전극 패드와 동시에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 복수의 반도체 칩을 측정하기 위한 전극 패드와 동시에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 스프링 프로브인 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 와이어 프로브인 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 적층 프로브인 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 캔틸레버식 프로브인 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자는 볼 그리드인 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택트부는 표면에 접촉 단자를 구비한 롤러를 구비하고,
    상기 구동부는 상기 접촉 단자와 접촉하는 전극 패드를 전환하도록 상기 롤러를 회전시키는
    것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 단자 또는 상기 전극 패드를 클리닝하기 위한 청소 툴을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
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