JP2016206150A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パワー半導体モジュール等のデバイスの検査精度を向上させることを可能とする。【解決手段】検査装置１０１は、ＤＵＴ６０が載置されるステージ１１と、ＤＵＴ６０の電極７０を、動特性試験機に電気的に接続するためのプローブ２１〜２３と、電極７５を、静特性試験機に電気的に接続するためのプローブ３１〜３３と、ステージ１１、プローブ２１〜２３、およびプローブ３１〜３３の少なくとも１つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置４０と、を備える。制御装置４０は、動特性試験が実施されるときにはプローブ２１〜２３が電極７０に接触するように位置制御を実行し、静特性試験が実施されるときにはプローブ２１〜２３が電極７０から離間する一方でプローブ３１〜３３が電極７０に接触するように、位置制御を実行する。【選択図】図４

Description

本発明は、検査装置および検査方法に関する。

パワー半導体モジュール等のようなデバイスの検査は、動特性（ＡＣ：Alternating Current）試験および静特性（ＤＣ：Direct Current）試験を含む。検査においては、動特性試験機および静特性試験機の２種類の試験機が用いられる。

たとえば特許文献１は、動特性試験機および静特性試験機を備えた統合試験装置を開示する。この統合試験装置は、動特性試験機および静特性試験機と、被試験デバイス（ＤＵＴ：Device Under Test）の電極とを、中間電極板を介して電気的に接続する。これにより、一つの統合試験装置によって、動特性試験および静特性試験の両方の試験が実施される。

特開２０１２−７８１７４号公報

デバイスの性能の向上に伴い、検査精度の向上が望まれている。特許文献１に記載された統合試験装置では、中間電極板を介して動特性試験および静特性試験を行っているので、試験機の測定結果が中間電極板のインダクタンスの影響を受けるおそれがある。たとえば、被試験デバイスのスイッチングタイムの測定等を含む動特性試験では、中間電極板のインダクタンスの影響が大きくなることによって、検査精度が低下するおそれがある。

本発明は、パワー半導体モジュール等のデバイスの検査精度を向上させることが可能な、検査装置および検査方法を提供する。

本発明の一態様に係る検査装置は、被試験デバイスが載置されるステージと、被試験デバイスの電極を、動特性試験を実施するための動特性試験機に電気的に接続するための動特性試験プローブと、電極を、静特性試験を実施するための静特性試験機に電気的に接続するための静特性試験プローブと、ステージ、動特性試験プローブ、および静特性試験プローブの少なくとも１つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置と、を備える。制御装置は、動特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極に接触する動特性試験状態となるように位置制御を実行し、静特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極から離間する一方で静特性試験プローブが電極に接触する静特性試験状態となるように、位置制御を実行する。

本発明の別の態様に係る検査方法は、動特性試験プローブを被試験デバイスの電極に接触させて動特性試験を実施する動特性試験工程と、静特性試験プローブを電極に接触させて静特性試験を実施する静特性試験工程と、を含む。静特性試験工程では、動特性試験プローブが電極から離間するように、被試験デバイスが載置されたステージ、動特性試験プローブ、および静特性試験プローブの少なくとも１つを移動させることによる位置制御が実行される。

上記検査システムおよび検査方法によれば、動特性試験プローブと被試験デバイスの電極とが接触した状態で、動特性試験機による動特性試験が実施される。また、静特性試験プローブと被試験デバイスの電極とが接触した状態で、静特性試験機による静特性試験が実施される。ここでの「接触」とは、各プローブと電極とが、他の要素（たとえば従来用いられていた中間電極板など）を介さずに接触（つまり各プローブと電極とが物理的に接触）することを意味する。このため、たとえば従来のように各試験機と被試験デバイスの電極とを中間電極を介して接続する構成と比較して、より小さいインダクタンス成分でもって、各試験機と被試験デバイスとを電気的に接続することができる。その結果、とくに、インダクタンス成分の影響を受けやすい動特性試験の測定精度を向上させることができる。さらに、上記検査システムおよび検査方法によれば、静特性試験が実施されているときは、動特性試験プローブが被試験デバイスの電極から離間される。たとえば、動特性試験プローブを被試験デバイスの電極から離間させることに代えて、動特性試験プローブと動特性試験機との間にリレーを設けて動特性試験機を電気的に切り離すことも考えられる。しかしながら、その場合には、リレーのインダクタンス成分の影響によって、動特性試験の測定精度が低下してしまう。上記のように動特性試験プローブを被試験デバイスの電極から物理的に離間させるようにすれば、動特性試験プローブと動特性試験機との間にリレーを設けない構成とすることができるので、リレーのインダクタンス成分による動特性試験の測定精度の低下を防ぐことができる。よって、被試験デバイスの検査精度を向上させることが可能となる。

上記検査装置は、静特性試験プローブと静特性試験機とを電気的に切り離す切離し回路をさらに備え、制御装置は、動特性試験状態として、動特性試験プローブおよび静特性試験プローブがいずれも電極に接触している状態となるように位置制御を実行し、切離し回路は、動特性試験が実施されるときに静特性試験プローブと静特性試験機とを電気的に切り離してよい。たとえば静特性試験プローブを移動させて静特性試験機を被試験デバイスの電極から電気的に切り離すことも考えられるが、その場合には、静特性試験プローブを移動させるための移動機構が別途必要になり、また、そのための機械設計なども必要になる。上記のように静特性試験プローブと静特性試験機とを切離し回路によって電気的に切り離す構成とすれば、そのような移動機構および機械設計を不要とすることができる。

動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、制御装置は、動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても、上述した位置制御を実現することができる。この場合、静特性試験プローブ、動特性試験プローブなど、検査装置に含まれる要素を、検査装置の下方の部分（たとえばステージよりも下側の部分）に集約して配置することができる。これにより、検査装置をコンパクトにすることができる。

動特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、静特性試験プローブおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。

動特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。

動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。

静特性試験プローブは、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブであって、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、動特性試験プローブは、動特性試験プローブの先端が静特性試験プローブの先端よりも上方に位置し、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。

動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、動特性試験プローブおよび静特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。

本発明によれば、パワー半導体モジュール等のデバイスの検査精度を向上させることが可能になる。

直進タイプの検査システムを模式的に示す図である。 回転タイプの検査システムを模式的に示す図である。 各実施形態に共通する検査装置における測定回路を示す図である。 第１実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係る検査装置の正面図である。 第１実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第２実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第２実施形態に係る検査装置の正面図である。 第２実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第３実施形態に係る検査装置の正面図である。 第３実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第４実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第４実施形態に係る検査装置の平面図である。 第４実施形態に係る検査装置の正面図である。 第４実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第５実施形態に係る検査装置の正面図である。 第５実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第６実施形態に係る検査装置の正面図である。 第６実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 切離し回路の詳細構成を示す図である。 切離し回路による電流経路を示す図である。 切離し回路の各スイッチのＯＮ・ＯＦＦとＤＵＴのトランジスタおよびダイオードのＯＮ電圧との関係を示すタイミングチャートである。 切替え回路の詳細構成を示す図である。 切替え回路の各スイッチのＯＮ・ＯＦＦと、動特性試験機の駆動回路および静特性試験機の駆動回路の動作状態との関係を示すタイミングチャートである。

以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。また、各図面における寸法および形状は実際のものとは必ずしも同一ではない。

はじめに、各実施形態の主な共通部分について説明する。各実施形態に係る検査装置では、パワー半導体モジュール等のようなデバイスを被試験デバイス（ＤＵＴ）とし、ＤＵＴに対して動特性試験および静特性試験が実施される。たとえば図１に模式的に示される直進タイプの検査システムでは、検査前のＤＵＴ６０の搬入およびＤＵＴ６０のステージ１１への載置を行う工程Ｓ１、動特性試験および静特性試験を実施する工程Ｓ２、および、検査後のＤＵＴ６０を搬出する工程Ｓ３が、ステージ１１の直線移動に伴って実行される。なお、工程Ｓ３が完了した後は、ステージ１１を再び工程Ｓ１で利用するために、工程Ｓ１の処理が実行される位置にステージ１１を移動させる戻り工程Ｓ４も実行される。図２に模式的に示される回転タイプの検査システムでは、上述の工程Ｓ１〜Ｓ３が、ステージ１１の回転移動に伴って実行される。

図３は、上述の工程Ｓ２で用いられる動特性試験機および静特性試験機の回路構成の一例を示す図である。図３に示される例では、ＤＵＴ６０は、トランジスタＱ１，Ｑ２と、ダイオードＤ１，Ｄ２と、Ｐ極電極７１と、出力電極７２と、Ｎ極電極７３と、複数の制御電極８１と、複数の制御電極８２とを含むパワーモジュールである。図３に示される例では、トランジスタＱ１，Ｑ２はＩＧＢＴ（Gate Insulated Bipolar Transistor）であるが、トランジスタＱ１，Ｑ２は、たとえばＦＥＴ（Field Effect Transistor）であってもよい。トランジスタＱ１は一相のインバータ回路の上アームに用いられ、トランジスタＱ２は下アームに用いられ得る。ダイオードＤ１，Ｄ２の各々は、トランジスタＱ１，Ｑ２にそれぞれ接続される還流ダイオードである。Ｐ極電極７１は、トランジスタＱ１のコレクタに接続される。出力電極７２は、トランジスタＱ１のエミッタおよびトランジスタＱ２のコレクタに接続される。Ｎ極電極７３は、トランジスタＱ２のエミッタに接続される。なお、区別しやすいように、図３において、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３には、括弧書きでＰ，ＯおよびＮの符号を付している。制御電極８１は、トランジスタＱ１のゲートに接続される部分（制御電極８１（Ｇ）として図示される）と、トランジスタＱ１のエミッタに接続される部分（制御電極８１（Ｅ）として図示される）とを含む。制御電極８２は、トランジスタＱ２のゲートに接続される部分（制御電極８２（Ｇ）として図示される）と、トランジスタＱ２のエミッタに接続される部分（制御電極８２（Ｅ）として図示される）とを含む。

検査装置１００は、プローブ２１〜２３と、プローブ３１〜３３と、プローブ５１，５２と、切離し回路１３６と、切替え回路１５０とを含む。プローブ２１〜２３は、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３を、動特性試験機１２０に電気的に接続するための、動特性試験プローブ（第１プローブ）である。プローブ３１〜３３は、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３を、静特性試験機１３０に電気的に接続するための、静特性試験プローブ（第２プローブ）である。プローブ５１，５２は、制御電極８１，８２を、後述の動特性試験機１２０の駆動回路１２５または静特性試験機１３０の駆動回路１３５に電気的に接続するための、プローブ（第３プローブ）である。

動特性試験機１２０は、ＤＵＴ６０の動特性試験を実施する。たとえば、動特性試験機１２０は、駆動回路１２５と、コンデンサ１２１、トランジスタ１２２〜１２４およびリアクトル１２６を含む試験回路とを用いて、ＤＵＴ６０に含まれるトランジスタＱ１，Ｑ２のスイッチングタイムの測定等を実施する。それ以外にも、動特性試験機１２０によって実施される動特性試験には、短絡安全動作領域の測定およびアバランシェ測定等、種々の試験が含まれる。

静特性試験機１３０は、ＤＵＴ６０の静特性試験を実施する。たとえば、静特性試験機１３０は、駆動回路１３５と、高電圧源１３１、トランジスタ１３２、電流測定回路１３３および電流検出抵抗１３４を含む試験回路とを用いて、ＤＵＴ６０に含まれるトランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２のＯＮ電圧の測定等を実施する。それ以外にも、静特性試験機１３０によって実施される静特性試験には、リーク電流の測定および遮断電圧の測定等、種々の試験が含まれる。

切離し回路１３６は、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とを電気的に切り離す。切替え回路１５０は、プローブ５１，５２と、動特性試験機１２０の駆動回路１２５および静特性試験機１３０の駆動回路１３５との電気的な接続を切り替える。切離し回路１３６および切替え回路１５０の詳細については、後に図２０〜２４を参照して説明する。

検査装置１００において実行される検査方法によると、動特性試験機１２０によって動特性試験が実施されるときには、プローブ２１〜２３の各々がＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３のそれぞれに接触する状態（動特性試験状態）となるように、位置制御が行われる。また、検査装置１００では、静特性試験機１３０によって静特性試験が実施されるときには、プローブ２１〜２３の各々がＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３のそれぞれから離間する一方で、プローブ３１〜３３の各々がＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３にそれぞれ接触する状態（静特性試験状態）となるように、位置制御が行われる。なお、位置制御は後述の制御装置４０（図４等）によって実行される。

制御装置４０は、動特性試験状態として、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３がいずれもＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３に接触している状態となるように位置制御を実行してよい。その場合、動特性試験機１２０によって動特性試験が実施されるときには、切離し回路１３６がプローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とを電気的に切り離す。

以下、各実施形態に係る検査装置について順に説明する。

［第１実施形態］
図４は、第１実施形態に係る検査装置１０１の概略構成を示す斜視図である。図５は、図１に示される検査装置１０１の正面図である。なお、検査装置１０１に含まれる要素のうち、制御装置４０、切離し回路１３６および切替え回路１５０については模式的に示されたものであり、制御装置４０、切離し回路１３６および切替え回路１５０の位置および大きさなどを正確に示すものではない。動特性試験機１２０および静特性試験機１３０についても同様である。

図４および図５に示されるように、ＤＵＴ６０は、本体６１と、電極７０と、電極８０とを含む。本体６１は、板形状を有する。本体６１は、トランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２（図３）を含む。本体６１は、たとえば樹脂でモールドされている。電極７０は、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３からなる。電極７０は、本体６１の４つの側面のうちの１つの側面から、その側面と垂直に本体６１の外部に向かって延びる電極である。その側面に沿って、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３は、この順に並んで配置される。電極８０は、制御電極８１および制御電極８２からなる。電極８０は、電極７０とは本体６１を挟んで反対側の本体６１の側面から、その側面と垂直に本体６１の外部に向かって延びる電極である。その側面に沿って、制御電極８１および制御電極８２は、この順に並んで配置される。なお、図４に示される例では、制御電極８１および制御電極８２の数はそれぞれ５個となっているが、制御電極８１および制御電極８２の数はこれに限定されるものではない。制御電極８１は、少なくとも図３に示される制御電極８１（Ｇ）、制御電極８１（Ｅ）を含んでいればよく、制御電極８２は少なくとも制御電極８２（Ｇ）および制御電極８２（Ｅ）を含んでいればよい。

検査装置１０１は、固定部１と、載置部１０と、動特性試験プローブユニット２０と、静特性試験プローブユニット３０と、制御装置４０と、プローブユニット５０と、切離し回路１３６と、切替え回路１５０とを含む。

載置部１０は、ステージ１１と、絶縁ベース１２とを含む。ステージ１１は、絶縁ベース１２上に設けられた絶縁ステージである。ステージ１１には、ＤＵＴ６０が載置される。ステージ１１は、載置面１１ａを有する。載置面１１ａは、ＤＵＴ６０の本体６１を支持する。載置面１１ａを平面視した場合、ＤＵＴ６０の電極７０の少なくとも一部および電極８０の少なくとも一部は、載置面１１ａの外側に位置する。

なお、図中、検査装置１０１の各方向を説明するため、ＸＹＺ座標系を設定している。このＸＹＺ座標系は、ステージ１１の載置面１１ａをＸＹ面として設定される。Ｘ軸とＹ軸とは互い直交し、Ｚ軸はＸＹ面と直交する。つまり、Ｚ軸は、ステージ１１の載置面１１ａに直交する方向である。本明細書において、とくに説明がない場合は、Ｚ軸正方向を「上」方向とし、Ｚ軸負方向を「下」方向とする。ただし、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、Ｚ軸正方向を下方向とし、Ｚ軸負方向を上方向として読み替えてもよい。

動特性試験プローブユニット２０は、プローブ２１〜２３と、可動ベース２４と、プローブホルダ２５とを含む。プローブ２１は、低インダクタンス特性であり、かつ、大電流（たとえば１００Ａ〜１０ｋＡ程度の電流）を許容するように構成される。具体的に、プローブ２１は、複数（たとえば数本〜百本程度）の短小プローブで構成される。各短小プローブの長さは、たとえば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。プローブ２１が短小プローブによって構成されることで、プローブ２１の低インダクタンス特性が実現される。また、プローブ２１が複数の短小プローブによって構成されることで、プローブ２１は大電流を許容することができる。プローブ２２およびプローブ２３についても、プローブ２１と同様に、複数の短小プローブで構成される。各プローブは、たとえば、スクラブ式のプローブであってもよいし、スプリング式のプローブであってもよい。スクラブ式のプローブの場合、各プローブの先端部分が、電極７０の表面をスクラブしながら電極７０に接触する。スプリング式のプローブの場合、各プローブの先端部分が、スプリングの伸縮を利用して電極７０に接触する。スプリング式のプローブは、スクラブ式のプローブよりも汎用的で安価である。プローブホルダ２５は、プローブ２１〜２３の先端部分がプローブホルダ２５から上方に突出するように、プローブ２１〜２３を収容する。可動ベース２４は、プローブホルダ２５を支持する部分である。可動ベース２４は、後述の上下駆動ユニット４１によって上下方向に駆動される。プローブ２１〜２３の各々は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、ＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３の下方にそれぞれ位置する。

静特性試験プローブユニット３０は、プローブ３１〜３３と、プローブホルダ３４とを含む。プローブ３１〜３３の各々は、プローブ２１〜プローブ２３と同様に、たとえば複数の接触針によってそれぞれ構成されている。プローブホルダ３４は、プローブ３１〜３３の先端部分がプローブホルダ３４から上方に突出するように、プローブ３１〜３３を収容する。プローブ３１〜３３は、プローブ２１〜２３と同様に、複数の短小プローブによって構成される。プローブホルダ３４は、絶縁ベース１２に固定される。プローブ３１〜３３の先端部分は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で電極７０に接触するように、ステージ１１の載置面１１ａよりも上方に位置する。プローブ３１〜３３の各々は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、ＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３の下方にそれぞれ位置する。

検査装置１０１では、プローブ２１およびプローブ３１の各々は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０のＰ極電極７１の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ２２およびプローブ３２の各々は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の出力電極７２の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ２３およびプローブ３３の各々は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０のＮ極電極７３の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の電極７０の異なる部分にそれぞれ接触するように、ＸＹ面方向において並設される。

プローブユニット５０は、プローブ５１，５２と、プローブホルダ５３とを含む。プローブ５１，５２の各々は、複数のピンによってそれぞれ構成されている。プローブ５１を構成するピンの数はＤＵＴ６０の制御電極８１の数と同じとされ、プローブ５２を構成するピンの数はＤＵＴ６０の制御電極８２の数を同じとされる。プローブ５１，５２は、たとえば、プローブホルダ５３内において図示されないスプリングによって支持され、当該スプリングの伸縮によって上下方向に伸縮可能な、スプリング式のプローブである。プローブホルダ５３は、プローブ５１，５２の先端部分がプローブホルダ５３から上方に突出するように、プローブ５１，５２を収容する。プローブホルダ５３は、絶縁ベース１２に固定される。プローブ５１，５２の各々は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、ＤＵＴ６０の制御電極８１，８２の下方にそれぞれ位置する。プローブ５１，５２の先端部分は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、たとえば前述のスプリングの伸縮を利用して電極８０に接触するように、ステージ１１の載置面１１ａよりも上方に位置する。

プローブ５１，５２は、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３と比較してほとんど電流が流れない。このため、プローブ５１，５２を構成するピンの数およびピンの径の大きさは、プローブ５１、５２と電極８０との電気的な接続を確保する観点で適切に定められる。

固定部１は、押さえベース２と、押さえブロック３，４とを含む。押さえベース２は、ステージ１１と対向するように配置された板状のブロックである。押さえブロック３は、押さえベース２の下面に設けられ、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３と対向するように配置される絶縁ブロックである。押さえブロック４は、押さえベース２の下面に設けられ、プローブ５１，５２と対向するように配置される絶縁ブロックである。

制御装置４０は、上下駆動ユニット４１と、上下駆動ユニット４２と、制御部４５とを含む。上下駆動ユニット４１は、可動ベース２４が上下方向に移動するように、可動ベース２４を駆動する。上下駆動ユニット４２は、押さえベース２が上下方向に移動するように、押さえベース２を駆動する。上下駆動ユニット４１および上下駆動ユニット４２による駆動には、たとえば、ソレノイド機構を用いた電動シリンダが用いられる。制御部４５は、上下駆動ユニット４１および上下駆動ユニット４２を制御する。この制御は、たとえば電気信号を用いて行われる。制御部４５による制御は、たとえば、所定のコンピュータソフトウェア（プログラム）を用いてコンピュータに実行させることによって実現してもよいし、専用のハードウェアを用いて実現してもよい。以上の構成により、制御装置４０は、上下駆動ユニット４１を制御することによって、可動ベース２４（つまり動特性試験プローブユニット２０）を上下方向に移動させる。また、制御装置４０は、上下駆動ユニット４２を制御することによって、押さえベース２とともに押さえブロック３，４を上下方向に移動させる。

検査装置１０１では、制御装置４０による制御が実行されていない初期状態（つまり制御装置４０による制御が開始される前の状態）において、プローブ２１〜２３の先端、プローブ３１〜プローブ３３の先端およびプローブ５１，５２の先端は、同じ高さに位置している。

図６は、検査装置１０１の動作例を示す図である。図６の（ａ）に示されるように、ステージ１１にＤＵＴ６０が載置された状態で、制御部４５は、上下駆動ユニット４２を制御することによって押さえベース２を下方に移動させる。これにより、押さえブロック３，４がＤＵＴ６０の電極７０，８０を下方に押さえつける。プローブ３１〜３３はＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で電極７０に接触するように配置されているので、プローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極７０に接触する。また、プローブ５１，５２はＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で電極８０に接触するように配置されているので、プローブ５１，５２は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極８０に接触する。

このとき、制御部４５は、上下駆動ユニット４１を制御することによって、プローブ２１〜２３をＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極７０に接触させる。このようにして、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。動特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６によって、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離されている。

続いて、図６の（ｂ）に示されるように、制御部４５は、上下駆動ユニット４１を制御することによって可動ベース２４とともにプローブ２１〜２３を下方に移動させ、プローブ２１〜２３をＤＵＴ６０の電極７０から離間させる。このようにして、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

以上説明した検査装置１０１では、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の下側から電極７０に接触するように配置される。そして、制御部４５は、上下駆動ユニット４１によりプローブ２１〜２３を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態（プローブ２１〜２３が電極７０に接触する状態、あるいはプローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３がいずれも電極７０に接触する状態）および静特性試験状態（プローブ２１〜２３が電極７０から離間する一方でプローブ３１〜３３が電極７０に接触する状態）の間で切り替える。

検査装置１０１によれば、プローブ２１〜２３とＤＵＴ６０の電極７０とが接触した状態で、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される。また、プローブ３１〜３３とＤＵＴ６０の電極７０とが接触した状態で、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される。このため、たとえば従来のように各試験機と被試験デバイスの電極とを中間電極を介して接続する構成と比較して、より小さいインダクタンス成分でもって、各試験機と被試験デバイスとを電気的に接続することができる。その結果、とくに、インダクタンス成分の影響を受けやすい動特性試験の測定精度を向上させることができる。さらに、検査装置１０１によれば、静特性試験が実施されているときは、プローブ２１〜２３がＤＵＴ６０の電極７０から離間される。たとえば、プローブ２１〜２３をＤＵＴ６０の電極７０から離間させることに代えて、プローブ２１〜２３と動特性試験機１２０との間にリレーを設けて動特性試験機１２０を電気的に切り離すことも考えられる。しかしながら、その場合には、リレーのインダクタンス成分の影響によって、動特性試験の測定精度が低下してしまう。検査装置１０１のようにプローブ２１〜２３をＤＵＴ６０の電極７０から物理的に離間させるようにすれば、プローブ２１〜２３と動特性試験機１２０との間にリレーを設けない構成とすることができるので、リレーのインダクタンス成分による動特性試験の測定精度の低下を防ぐことができる。よって、検査装置１０１によれば、パワー半導体モジュール等のＤＵＴ６０の検査精度を向上させることが可能となる。

また、動特性試験が実施されるときには、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３がいずれもＤＵＴ６０の電極７０に接触した状態となる。この場合でも、切離し回路１３６によってプローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離される。たとえばプローブ３１〜３３を（下方向に）移動させて静特性試験機１３０をＤＵＴ６０の電極７０から電気的に切り離すことも考えられるが、その場合には、プローブ３１〜３３を移動させるための移動機構が別途必要になり、また、そのための機械設計なども必要になる。検査装置１０１のようにプローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とを切離し回路１３６によって電気的に切り離す構成とすれば、そのような移動機構および機械設計を不要とすることができる。なお、切離し回路１３６を設けたことによってたとえばインダクタンス成分が生じ得るが、それによる静特性試験への影響はほとんどない。これは、先に説明したように、静特性試験はトランジスタおよびダイオードのＯＮ電圧の測定等を実施する試験であるので、トランジスタのスイッチングタイムのような非常に短い時間変化の測定を実施する動特性試験と比較して、インダクタンス成分による影響が小さいためである。

また、検査装置１０１では、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびプローブ５１，５２は、ＤＵＴ６０の下側から電極７０，８０に接触するように配置されている。このため、検査装置１０１によれば、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３、プローブ５１，５２、切離し回路１３６および切替え回路１５０など、検査装置１０１に含まれる要素を、検査装置１０１の下方の部分（たとえばステージ１１よりも下側の部分）に集約して配置することができる。これにより、検査装置１０１をコンパクトにすることができる。また、各要素を接続するための配線を短くすることもできる。

［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係る検査装置１０２の概略構成を示す斜視図である。図８は、検査装置１０２の正面図である。検査装置１０２は、検査装置１０１と比較して、とくに、プローブ３１〜３３が設けられる位置、および制御装置４０による制御内容において相違する。

検査装置１０２では、プローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の上側からＤＵＴ６０の電極７０に接触するように配置される。具体的に、プローブ３１〜３３は、押さえブロック３に設けられた図示されないプローブホルダに収容される。プローブ３１〜３３は、プローブ３１〜３３の先端部分が当該プローブホルダから下方に突出するように、当該プローブホルダに収容される。プローブ３１〜３３の各々は、プローブ２１〜２３にそれぞれ対向している。プローブ３１〜３３の各々は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、ＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３の上方にそれぞれ位置する。

検査装置１０２では、制御装置４０は、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。

検査装置１０２では、初期状態において、プローブ２１〜２３の先端およびプローブ５１，５２の先端は、同じ高さに位置している。

図９は、検査装置１０２の動作例を示す図である。図９の（ａ）に示されるように、ステージ１１にＤＵＴ６０が載置された状態で、制御部４５は、上下駆動ユニット４２を制御することによって押さえベース２を下方に移動させる。これにより、プローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の上側からＤＵＴ６０の電極７０に接触する。また、プローブ２１〜２３はＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極７０に接触し、プローブ５１，５２は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極８０に接触する。このようにして、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。動特性試験が実施されている間、切離し回路１３６によって、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離されている。

続いて、図９の（ｂ）に示されるように、制御装置４０は、上下駆動ユニット４１を制御することによって可動ベース２４とともにプローブ２１〜２３を下方に移動させ、プローブ２１〜２３をＤＵＴ６０の電極７０から離間させる。これにより、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

このような検査装置１０２の動作によっても、検査装置１０１と同様に、制御装置４０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびＤＵＴ６０の電極７０の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、ＤＵＴ６０の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置１０２によれば、プローブ２１〜２３は電極７０の上面に接触し、プローブ３１〜３３は電極７０の下面に接触する。これにより、たとえば、電極７０の面積が小さく、電極７０の一方の面のみにプローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３をいずれも接触させることが困難な場合でも、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３を電極７０の両面からそれぞれ接触させることによって、ＤＵＴ６０の検査を行うことができる。

［第３実施形態］
図１０は、第３実施形態に係る検査装置１０３の正面図である。検査装置１０３は、検査装置１０２と比較して、とくに、制御装置４０が上下駆動ユニット４３を含む点、プローブ５１，５２が設けられる位置、および制御装置４０による制御内容において相違する。なお、検査装置１０３においては、制御装置４０は、上下駆動ユニット４１，４２を含んでいなくてもよい。

上下駆動ユニット４３は、絶縁ベース１２が上下方向に移動するように、絶縁ベース１２を駆動する。上下駆動ユニット４３は、上下駆動ユニット４１，４２と同様に、制御部４５によって制御される。

検査装置１０３では、プローブ５１，５２（ただしプローブ５１は、正面図である図１０には図示されない）は、ＤＵＴ６０の上側からも、ＤＵＴ６０の電極７０に接触するように配置される。具体的に、プローブ５１，５２は、押さえブロック４に設けられた図示されないプローブホルダに収容される。プローブ５１，５２は、プローブ５１，５２の先端部分が当該プローブホルダから下方に突出するように、当該プローブホルダに収容される。押さえブロック４側に設けられたこれらのプローブ５１，プローブ５２の各々は、絶縁ベース１２側に設けられたプローブ５１，５２にそれぞれ対向している。押さえブロック４側に設けられたプローブ５１，５２の各々は、ＤＵＴ６０がステージ１１に載置された状態で、ＤＵＴ６０の制御電極８１，８２の上方にそれぞれ位置する。

検査装置１０３では、制御装置４０は、ステージ１１を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。

検査装置１０３では、初期状態において、プローブ２１〜２３の先端および絶縁ベース１２側のプローブ５１，５２の先端は、同じ高さに位置している。また、プローブ３１〜３３の先端および押さえブロック４側のプローブ５１，５２の先端は、同じ高さに位置している。

図１１は、検査装置１０３の動作例を示す図である。図１１の（ａ）に示されるように、ステージ１１にＤＵＴ６０が載置された状態で、制御部４５は、上下駆動ユニット４３を制御することによって、絶縁ベース１２を上方に移動させる。これにより、プローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６０の上側からＤＵＴ６０の電極７０に接触する。また、押さえブロック４側に設けられたプローブ５１，５２は、ＤＵＴ６０の上側からＤＵＴ６０の電極８０に接触する。このようにして、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

また、制御部４５は、上下駆動ユニット４３を制御することによって、絶縁ベース１２を下方に移動させる。これにより、プローブ２１〜２３は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極７０に接触する。また、絶縁ベース１２側に設けられたプローブ５１，５２は、ＤＵＴ６０の下側からＤＵＴ６０の電極７０に接触する。このようにして、制御装置４０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７０の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。なお、検査装置１０３においては、動特性試験が実施されている間、プローブ３１〜３３はＤＵＴ６０の電極７０から離間しているので、切離し回路１３６によってプローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とを電気的に切り離さなくてもよい。このため、プローブ２１〜２３と静特性試験機１３０とは、切離し回路１３６を介さずに電気的に接続されてもよく、その場合には、検査装置１０３は、切離し回路１３６を含まない構成とされる。

このような検査装置１０３の動作によっても、検査装置１０１と同様に、制御装置４０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびＤＵＴ６０の電極７０の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、ＤＵＴ６０の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置１０２と同様に、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３を電極７０の両面からそれぞれ接触させることによって、ＤＵＴ６０の検査を行うことができる。また、検査装置１０３によれば、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびプローブ５１，５２の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット４１，４２を不要とすることができる。

［第４実施形態］
図１２は、第４実施形態に係る検査装置１０４の概略構成を示す斜視図である。図１３は、検査装置１０４の平面図である。図１４は、検査装置１０４の正面図である。検査装置１０４では、ＤＵＴ６５の検査が行われる。ＤＵＴ６５は、ＤＵＴ６０と同様の機能を有するが、ＤＵＴ６０とは異なる形状を有する。

ＤＵＴ６５は、本体６６と、電極７５と、電極８５とを含む。本体６６は、トランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２（図３）を含む。本体６６は、第１部分６７と、第２部分６８とを有する。第１部分６７および第２部分６８はいずれも板形状を有する。第２部分６８は、ＸＹ面で見た場合、第１部分６７よりも小さい面積を有する。第２部分６８は、第１部分６７上に設けられる。

電極７５は、Ｐ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８からなる。Ｐ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８は、第２部分６８上に設けられる。これらの電極は、第２部分６８の上面に、Ｘ軸正方向に沿って出力電極７７、Ｎ極電極７８、Ｐ極電極７６の順に配置される。Ｐ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８の用途については、Ｐ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３と同様であるので、ここでは説明を省略する。電極８５は、制御電極８６、８７からなる。制御電極８６，８７は、第１部分６７上のうち第２部分６８が設けられていない部分に設けられる。これらの電極は、第１部分６７の上面に、Ｙ軸正方向に沿って制御電極８７、制御電極８６の順に配置される。制御電極８６および制御電極８７の用途については、制御電極８１および制御電極８２と同様であるので、ここでは説明を省略する。

検査装置１０４も、検査装置１０１と同様に、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびプローブ５１，５２を含む。ただし、検査装置１０４におけるプローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３の具体的な構成は、ＤＵＴ６５の検査を行うために適宜変更される。また、検査装置１０４において、動特性試験プローブユニット２０は、Ｘ軸方向に延びる支持バー２６を含む。動特性試験プローブユニット２０において、プローブ２１〜２３は、先端部分が支持バー２６から下方に向かって延びるように、支持バー２６に固定されている。プローブ２１〜プローブ２３の各々は、ＤＵＴ６５がステージ１６に載置された状態で、ＤＵＴ６５のＰ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８の上方にそれぞれ位置する。静特性試験プローブユニット３０は、Ｘ軸方向に延びる支持バー３６を含む。支持バー３６は、支持バー２６と同じ高さに位置し、Ｙ軸方向において支持バー２６と並設される。静特性試験プローブユニット３０において、プローブ３１〜３３は、先端部分が支持バー３６から下方に向かって延びるように、支持バー３６に固定されている。プローブ３１〜３３の各々は、ＤＵＴ６５がステージ１６に載置された状態で、ＤＵＴ６５のＰ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８の上方にそれぞれ位置する。プローブユニット５０は、Ｙ軸方向に延びる支持バー５６を含む。プローブユニット５０において、プローブ５１，５２は、先端部分が支持バー５６から下方に向かって延びるように、支持バー５６に固定されている。プローブ５１，５２の各々は、ＤＵＴ６５がステージ１６に載置された状態で、ＤＵＴ６５の制御電極８７，８６の上方にそれぞれ位置する。

なお、図１２において、動特性試験機１２０、静特性試験機１３０および切離し回路１３６が一つのユニットとして上方に配置されている。ただし、各要素は分離して配置されていてもよい。検査装置１０４において、プローブ２１およびプローブ２３と動特性試験機１２０とを接続する配線（つまりＰ極電極７６およびＮ極電極７８とを接続する配線）Ｗ１は、絶縁体を挟んだ平編導線によって形成された平行平板として構成される。絶縁体は、たとえば、絶縁紙または絶縁性熱収縮チューブである。この場合、平行平板の各平板には逆方向の電流が流れるので、配線のインダクタンスを低減することができる。さらに、配線Ｗ１の可撓性を実現することもできる。プローブ３１およびプローブ３３と静特性試験機１３０（より具体的には切離し回路１３６）とを接続する配線Ｗ２についても、Ｗ１と同様の構成を採用してもよい。

また、検査装置１０４は、検査装置１０１と比較して、とくに、載置部１０に代えて載置部１５を含み、制御装置４０に代えて制御装置９０を含む点において相違する。

載置部１５は、ステージ１６と、絶縁ベース１７とを含む。ステージ１６は、絶縁ベース１７上に設けられた絶縁ステージである。ステージ１６には、ＤＵＴ６５が載置される。ステージ１６は、載置面１６ａを有する。載置面１６ａは、ＤＵＴ６５の本体６６（の第１部分６７）を支持する。ＤＵＴ６５を平面視した場合、ＤＵＴ６５の本体６６は、載置面１６ａの内側に位置する。

制御装置９０は、上下駆動ユニット９１〜９４と、制御部９５とを含む。上下駆動ユニット９１は、支持バー２６の両端に接続され、支持バー２６が上下方向に移動するように支持バー２６を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット９２は、支持バー３６の両端に接続され、支持バー３６が上下方向に移動するように支持バー３６を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット９３は、支持バー５６の両端に接続され、支持バー５６が上下方向に移動するように支持バー５６を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット９４は、絶縁ベース１７が上下方向に移動するように、絶縁ベース１７を駆動する。上下駆動ユニット９１〜９４による駆動には、たとえば、ソレノイド機構を用いた電動シリンダが用いられる。制御部９５は、上下駆動ユニット９１〜９４を制御する。以上の構成により、制御部９５は、上下駆動ユニット９１を制御することによって支持バー２６（つまりプローブ２１〜２３）を上下方向に移動させる。また、制御部９５は、上下駆動ユニット９２を制御することによって、支持バー３６（つまりプローブ３１〜３３）を上下方向に移動させる。また、制御部９５は、上下駆動ユニット９３を制御することによって、支持バー５６（つまりプローブ５１，５２）を上下方向に移動させる。また、制御部９５は、上下駆動ユニット９４を制御することによって、絶縁ベース１７とともにステージ１６を上下方向に移動させる。

なお、検査装置１０４においては、上述の上下駆動ユニット９１〜９４がすべて用いられる必要はない。後述する検査装置１０４の動作の一例においては、上下駆動ユニット９１および上下駆動ユニット９４が用いられる。このため、図１４および後述の図１５においては、上下駆動ユニット９１〜９４のうち、上下駆動ユニット９１，９４のみが図示される。

検査装置１０４では、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３は、ＤＵＴ６５の上側からＤＵＴ６５の電極７５に接触するように配置される。そして、制御装置９０は、ステージ１６およびプローブ２１〜２３を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。ここでの動特性試験状態は、プローブ２１〜２３の各々がＤＵＴ６５のＰ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８のそれぞれに接触する状態である。ここでの静特性試験状態は、プローブ２１〜２３の各々がＤＵＴ６５のＰ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８のそれぞれから離間する一方で、プローブ３１〜３３の各々がＤＵＴ６５のＰ極電極７６、出力電極７７およびＮ極電極７８にそれぞれ接触する状態である。

検査装置１０４では、制御装置９０による制御が実行されていない初期状態（つまり制御装置９０による制御が開始される前の状態）において、プローブ２１〜２３の先端およびプローブ３１〜３３の先端は同じ高さに位置している。プローブ５１，５２の先端は、プローブ２１〜２３の先端およびプローブ３１〜３３の先端よりも下方に位置している。高さ方向におけるプローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３の先端と、プローブ５１，５２の先端との距離は、高さ方向（Ｚ軸方向）における電極７５の表面と電極８５の表面との距離にほぼ等しい。

図１５は、検査装置１０４の動作例を示す図である。図１５の（ａ）に示されるように、ステージ１６にＤＵＴ６５が載置された状態で、制御部９５は、上下駆動ユニット９４を制御することによって、ステージ１６を上方に移動させる。これにより、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。また、プローブ５１，５２が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極８５に接触する。このようにして、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。動特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６によって、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離されている。

続いて、制御部９５は、上下駆動ユニット９１を制御することによってプローブ２１〜２３を上方に移動させる。これにより、図１５の（ｂ）に示されるように、プローブ２１〜２３をＤＵＴ６５の電極７５から離間させる。これにより、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

検査装置１０４によれば、制御装置９０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびＤＵＴ６５の電極７５の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、検査装置１０１と同様の原理により、ＤＵＴ６５の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置１０４によれば、プローブ３１〜３３およびプローブ５１，５２の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット９２および上下駆動ユニット９３を不要とすることができる。

［第５実施形態］
図１６は、第５実施形態に係る検査装置１０５の正面図である。検査装置１０５は、検査装置１０４と比較して、とくに、プローブ３１〜３３の具体的な構成、プローブ２１〜２３とプローブ３１〜３３との位置関係、および制御装置９０による制御内容において相違する。なお、後述の検査装置１０５の動作の一例においては、上下駆動ユニット９４が用いられる。このため、図１６および後述の図１７においては、上下駆動ユニット９１〜９４のうち、上下駆動ユニット９４のみが図示される。

検査装置１０５では、プローブ３１〜３３は、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブである。そのため、プローブ３１〜３３は、たとえば、図示されないスプリングによって支持され、当該スプリングの伸縮によって上下方向に伸縮可能とされる。

検査装置１０５では、制御装置９０は、ステージ１６を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態及び静特性試験状態の間で切り替える。

検査装置１０５では、初期状態において、プローブ２１〜２３の先端の高さＺ２は、プローブ３１〜３３の先端の高さＺ１よりも上方に位置している。

図１７は、検査装置１０５の動作例を示す図である。図１７の（ａ）に示されるように、ステージ１６にＤＵＴ６５が載置された状態で、制御部９５は、上下駆動ユニット９４を制御することによって、ステージ１６を上方に移動させる。このとき、制御装置９０は、ＤＵＴ６５の電極７５の表面の位置が高さＺ１に位置するように、ステージ１６を上方に移動させる。これにより、プローブ３１〜３３の先端がＤＵＴ６５の電極７５に当接し、プローブ５１，５２の先端がＤＵＴ６５の制御電極８１，８２に当接する。すなわち、プローブ２１〜２３のＤＵＴ６５の電極７５から離間する一方で、プローブ３１〜３３がＤＵＴ６５の上側からＤＵＴ６５の電極７５に接触する。また、プローブ５１，５２が、ＤＵＴ６５の上側からＤＵＴ６５の制御電極８１，８２に接触する。このようにして、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

続いて、図１７の（ｂ）に示されるように、制御装置９０は、ＤＵＴ６５の電極７５の表面の位置が高さＺ２に位置するように、ステージ１６をさらに上方に移動させる。プローブ３１〜３３は、スプリング式のプローブであるので、ＤＵＴ６５の電極７５により上方に押し縮められる。同様に、プローブ５１，５２は、ＤＵＴ６５の電極８５により上方に押し縮められる。また、プローブ２１〜２３の先端がＤＵＴ６５の電極７５に当接する。これにより、プローブ３１〜３３に加えて、プローブ２１〜２３も、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。このようにして、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。動特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６によって、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離されている。

このような検査装置１０５の動作によっても、検査装置１０４と同様に、制御装置９０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびＤＵＴ６５の電極７５の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、ＤＵＴ６５の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置１０５によれば、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびプローブ５１，５２の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット９１〜９３を不要とすることができる。

［第６実施形態］
図１８は、第６実施形態に係る検査装置１０６の正面図である。検査装置１０６は、検査装置１０４と比較して、とくに、制御装置９０による制御内容において相違する。なお、後述の検査装置１０６の動作の一例においては、上下駆動ユニット９１〜９３が用いられる。このため、図１８および後述の図１９においては、上下駆動ユニット９１〜９４のうち、上下駆動ユニット９１〜９３のみが図示される。

検査装置１０６では、制御装置９０は、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３を上下方向に移動させることによって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態及び静特性試験状態の間で切り替える。

検査装置１０６では、初期状態において、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびプローブ５１、５２は、ＤＵＴ６５の電極７５から離間している。

図１９は、検査装置１０６の動作例を示す図である。図１９の（ａ）に示されるように、ステージ１６にＤＵＴ６５が載置された初期状態から、制御部９５は、上下駆動ユニット９１を制御することによって、プローブ２１〜２３を下方に移動させる。これにより、プローブ２１〜２３が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。また、制御部９５は、上下駆動ユニット９３を制御することによって、プローブ５１，５２を下方に移動させる。これにより、プローブ５１，５２が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。プローブ３１〜３３については、初期状態（つまりＤＵＴ６５の電極７５から離間した状態）が維持される。このようにして、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機１２０による動特性試験が実施される（動特性試験工程）。

また、制御装置９０は、図１９の（ｂ）に示されるように、初期状態から、制御装置９０は、上下駆動ユニット９１を制御することによって、プローブ３１〜３３を下方に移動させる。これにより、プローブ３１〜３３が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。また、制御部９５は、上下駆動ユニット９３を駆動することによって、プローブ５１，５２を下方に移動させる。これにより、プローブ５１，５２が、ＤＵＴ６５の上側から、ＤＵＴ６５の電極７５に接触する。プローブ２１〜２３については、初期状態（つまりＤＵＴ６５の電極７５から離間した状態）が維持される。このようにして、制御装置９０は、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３および電極７５の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機１３０による静特性試験が実施される（静特性試験工程）。静特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６による切り離しは行われず、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に接続されている。

このような検査装置１０６の動作によっても、検査装置１０４と同様に、制御装置９０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３およびＤＵＴ６５の電極７５の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、ＤＵＴ６５の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置１０６によれば、ステージ１６の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット９４を不要とすることができる。

なお、検査装置１０６においては、動特性試験が実施されている間、プローブ３１〜３３はＤＵＴ６５の電極７５から離間しているので、切離し回路１３６によってプローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とを電気的に切り離さなくてもよい。このため、プローブ２１〜２３と静特性試験機１３０とは、切離し回路１３６を介さずに電気的に接続されてもよく、その場合には、検査装置１０６は、切離し回路１３６を含まない構成とされる。もちろん、検査装置１０６において、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３をいずれもＤＵＴ６５の電極７５に接触させた状態で、動特性試験が実施されてもよく、その場合には、動特性試験が実施されている間は、切離し回路１３６によって、プローブ３１〜３３と静特性試験機１３０とが電気的に切り離される。

［切離し回路の詳細構成］
次に、切離し回路１３６の詳細構成について、図２０を参照して説明する。図２０に示されるように、切離し回路１３６は、複数のスイッチ素子を含む。スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐは、主に、静特性試験機１３０の正極側の端子と切離し回路１３６との電気的な接続・非接続を切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｎは、主に、静特性試験機１３０の負極側の端子と切離し回路１３６との電気的な接続・非接続を切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿ＰおよびＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿Ｐの各々は、主に、静特性試験機１３０の正極側の端子と、ＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿Ｎ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿ＮおよびスイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿Ｎの各々は、主に、静特性試験機１３０の負極側の端子と、ＤＵＴ６０のＰ極電極７１、出力電極７２およびＮ極電極７３との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。各スイッチは、たとえば、切離し回路１３６に含まれる図示しない制御回路によって制御される。制御回路は、たとえば、制御部４５（または制御部９５）からの制御信号を受けて、各スイッチを制御する。これにより、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３、プローブ５１，５２の動作と、切離し回路１３６の動作とが連動する。

図２１は、切離し回路１３６による電流経路を示す図である。図２１に示されるように、切離し回路１３６によれば、経路Ｐ１〜Ｐ４の４通りの電流経路が実現される。

経路Ｐ１は、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿Ｐ、ＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿ＮおよびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｎが導通状態（ＯＮ）であり、他のスイッチが非導通状態（ＯＦＦ）のときに実現される電流経路である。電流が経路Ｐ１を流れることによって、たとえば、上アームのトランジスタＱ１のＯＮ電圧の測定が行われる。

経路Ｐ２は、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿ＮおよびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿ＮがＯＮであり、他のスイッチがＯＦＦのときに実現される電流経路である。電流が経路Ｐ２を流れることによって、たとえば、上アームのダイオードＤ１のＯＮ電圧の測定が行われる。

経路Ｐ３は、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿ＮおよびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿ＮがＯＮであり、他のスイッチがＯＦＦのときに実現される電流経路である。電流が経路Ｐ３を流れることによって、たとえば、下アームのトランジスタＱ２のＯＮ電圧の測定が行われる。

経路Ｐ４は、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿Ｐ、スイッチＤＵＴ＿Ｏ＿ＮおよびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿ＮがＯＮであり、他のスイッチがＯＦＦのときに実現される電流経路である。電流が経路Ｐ４を流れることによって、たとえば、下アームのダイオードＤ２のＯＮ電圧の測定が行われる。

図２２は、切離し回路１３６の各スイッチのＯＮ・ＯＦＦと、ＤＵＴ６０のトランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２のＯＮ電圧との関係を示すタイミングチャートである。

ステップＳ１１においては、各スイッチはＯＦＦとされており、トランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２には電圧は発生していない。

ステップＳ１２において、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ，Ｎ（ＳＷ＿ＤＣ＿ＰおよびＳＷ＿ＤＣ＿Ｎ）と、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿Ｐと、スイッチＤＵＴ＿Ｏ＿ＮとがＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされることよって経路Ｐ１が実現されると、トランジスタＱ１に電圧が発生する。これにより、トランジスタＱ１のＯＮ電圧を測定することができる。

ステップＳ１３において、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ，Ｎと、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｐ＿Ｎと、スイッチＤＵＴ＿Ｏ＿ＰとがＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされることによって経路Ｐ２が実現されると、ダイオードＤ１に電圧が発生する。これにより、ダイオードＤ１のＯＮ電圧を測定することができる。

ステップＳ１４において、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ，Ｎと、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｏ＿Ｐと、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿ＮとがＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされることによって経路Ｐ３が実現されると、トランジスタＱ２に電圧が発生する。これにより、トランジスタＱ２のＯＮ電圧を測定することができる。

ステップＳ１５において、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｐ，Ｎと、スイッチＤＵＴ＿Ｏ＿Ｎと、スイッチＳＷ＿ＤＵＴ＿Ｎ＿ＰとがＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされることによって経路Ｐ４が実現されると、ダイオードＤ２に電圧が発生する。これにより、ダイオードＤ２のＯＮ電圧を測定することができる。

ステップＳ１６において、全てのスイッチがＯＦＦとされる。

以上説明したように、切離し回路１３６によれば、各スイッチを切り替えることによって、トランジスタＱ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２の全ての素子のＯＮ電圧を測定することができる。

［切替え回路の詳細構成］
次に、切替え回路１５０の詳細構成について、図２３を参照して説明する。図２３に示されるように、切替え回路１５０は、複数のスイッチを含む。スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｇ１およびスイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｅ１の各々は、主に、トランジスタＱ１のゲートおよびエミッタ（制御電極８１（Ｇ），８１（Ｅ））と駆動回路１２５との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｇ２およびスイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｅ２の各々は、主に、トランジスタＱ２のゲートおよびエミッタ（制御電極８２（Ｇ），８２（Ｅ））と駆動回路１２５との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｇ１およびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｅ１の各々は、主に、トランジスタＱ１のゲートおよびエミッタと駆動回路１３５との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｇ２およびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｅ２の各々は、主に、トランジスタＱ２のゲートおよびエミッタと駆動回路１３５との電気的な接続・非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。各スイッチは、たとえば、切替え回路１５０に含まれる図示しない制御回路によって制御される。制御回路は、たとえば、制御部４５（または制御部９５）からの制御信号を受けて、各スイッチを制御する。これにより、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３、プローブ５１，５２の動作と、切替え回路１５０の動作とが連動する。

図２４は、切替え回路１５０の各スイッチのＯＮ・ＯＦＦと、動特性試験機１２０の駆動回路１２５および静特性試験機１３０の駆動回路１３５の動作状態との関係を示すタイミングチャートである。

ステップＳ２１においては、動特性試験および静特性試験による測定が開始される前の状態であり、各スイッチは非導通状態（ＯＦＦ）とされており、駆動回路１２５および駆動回路１３５は動作していない。

ステップＳ２２において、スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｇ１、スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｅ１、スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｇ２およびスイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｅ２（スイッチＳＷ＿ＡＣ＿Ｇ１，Ｅ１，Ｇ２，Ｅ２）がＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされる。また、駆動回路１２５が動作する。これにより、動特性試験が実施される。

ステップＳ２３において、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｇ１、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｅ１、スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｇ２およびスイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｅ２（スイッチＳＷ＿ＤＣ＿Ｇ１，Ｅ１，Ｇ２，Ｅ２）がＯＮとされ、他のスイッチがＯＦＦとされる。また、駆動回路１３５が動作する。これにより静特性試験が実施される。

ステップＳ２４において、動特性試験および静特性試験による測定が終了したことに応じて、全てのスイッチがＯＦＦとされる。また、駆動回路１２５および駆動回路１３５は動作していない。

以上説明したように、切替え回路１５０によれば、駆動回路１２５および駆動回路１３５と、ＤＵＴ６０との接続を切り替えることによって、動特性試験および静特性試験を連続して実施することができる。なお、動特性試験および静特性試験が実施される順序はとくに限定されるものではない。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、制御装置４０，９０によって、プローブ２１〜２３、プローブ３１〜３３、プローブ５１，５２およびステージ１１，１６の各要素を上下方向に移動させるものとして説明したが、制御装置４０，９０による各要素の移動方向は上下方向に限定されるものではない。各要素の移動方向は、プローブ２１〜２３およびプローブ３１〜３３と、電極７０，７５との距離を変えることによって動特性試験状態と静特性試験状態を切り替えることが可能な方向であればよい。同様の趣旨を逸脱しない範囲において、プローブ２１〜２３の位置と、プローブ３１〜３３の位置とは、互いに入れ替えられていてもよい。たとえば、ＤＵＴに対する各プローブの位置が上下に反転されてもよい。

また、上記実施形態では、ＤＵＴ６０，６５が、一相のインバータ回路の上下アームとしてのパワーモジュールである場合について説明したが、被試験デバイスは、そのようなパワーモジュールに限定されるものではない。たとえば、二相以上のインバータ回路の上下アームとしてのパワーモジュールについても、それに合わせてプローブの数および形状等を変更することによって、検査、つまり動特性試験および静特性試験を実施することが可能である。

２１〜２３…プローブ（第１プローブ）、３１〜３３…プローブ（第２プローブ）、４０，９０…制御装置、６０，６５…ＤＵＴ（被試験デバイス）、７０、７５…電極、１００〜１０６…検査装置、１２０…動特性試験機、１３０…静特性試験機、１３６…切離し回路。

Claims (9)

1. 被試験デバイスが載置されるステージと、
   前記被試験デバイスの電極を、動特性試験を実施するための動特性試験機に電気的に接続するための動特性試験プローブと、
   前記電極を、静特性試験を実施するための静特性試験機に電気的に接続するための静特性試験プローブと、
   前記ステージ、前記動特性試験プローブ、および前記静特性試験プローブの少なくとも１つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置と、
   を備え、
   前記制御装置は、前記動特性試験が実施されるときには前記動特性試験プローブが前記電極に接触する動特性試験状態となるように前記位置制御を実行し、前記静特性試験が実施されるときには前記動特性試験プローブが前記電極から離間する一方で前記静特性試験プローブが前記電極に接触する静特性試験状態となるように、前記位置制御を実行する、検査装置。
2. 前記静特性試験プローブと前記静特性試験機とを電気的に切り離す切離し回路をさらに備え、
   前記制御装置は、前記動特性試験状態として、前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブがいずれも前記電極に接触している状態となるように前記位置制御を実行し、
   前記切離し回路は、前記動特性試験が実施されるときに前記静特性試験プローブと前記静特性試験機とを電気的に切り離す、請求項１に記載の検査装置。
3. 前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記動特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
   前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記静特性試験プローブおよび前記動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
5. 前記動特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
   前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記ステージを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
6. 前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記ステージおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
7. 前記静特性試験プローブは、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブであって、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記動特性試験プローブは、前記動特性試験プローブの先端が前記静特性試験プローブの先端よりも上方に位置し、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記ステージを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
8. 前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
   前記制御装置は、前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項１または２に記載の検査装置。
9. 動特性試験プローブを被試験デバイスの電極に接触させて動特性試験を実施する動特性試験工程と、
   静特性試験プローブを前記電極に接触させて静特性試験を実施する静特性試験工程と、
   を含み、
   前記静特性試験工程では、前記動特性試験プローブが前記電極から離間するように、前記被試験デバイスが載置されたステージ、前記動特性試験プローブ、および前記静特性試験プローブの少なくとも１つを移動させることによる位置制御が実行される、検査方法。
   

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