JP6917714B2 - 半導体装置の検査装置、及び、半導体装置の検査方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体装置の検査装置、及び、半導体装置の検査方法に関する。

特許文献１には、ウェハ上に形成された複数の半導体素子に複数のコンタクトピン（測定子）を個別に接触させた状態で、複数の半導体素子の電気的特性（特に静特性）を検査する半導体検査装置が開示されている。この半導体検査装置において、一つの測定器で各半導体装置の検査を行う場合には、測定器に接続される半導体素子を切り換えるためのリレーを設ける必要がある。

特開２０１３―２００２６６号公報

ところで、電気的特性を検査する対象には、上記したような半導体素子に限らず、複数の半導体素子、及び、複数の半導体素子に接続された複数のリードを樹脂等のパッケージで一つにまとめた半導体装置もある。半導体装置では、各回路ユニットの静特性だけでなく、動特性も測定することがある。

しかしながら、上記の半導体装置の動特性の検査に際し、従来の半導体検査装置と同様に、半導体装置の全てのリードに測定子を接触させた上で、リレーによって測定器に接続される回路ユニットを切り換える方法を採用すると、測定経路上にリレーが介在することで測定子から測定器に至る配線のインダクタンスが大きくなってしまい、回路ユニットの動特性を正確に測定できない、という問題がある。

また、回路ユニットの数に応じてリレーの数が増えたり、検査時に流す電流の大きさに伴ってリレーのサイズが大きくなったりすると、これらを迂回するための配線の取り回しが長くなる。その結果、検査装置における配線が長くなってしまい、配線のインダクタンスが大きくなってしまう、という問題もある。
さらに、リレーを含む検査装置は高価である、という問題もある。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、インダクタンスを小さく抑えて半導体装置の動特性を正確に測定できる半導体装置の検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る半導体装置の検査装置は、半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置の検査に用いる検査装置であって、一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続される測定子を有し、前記回路ユニットと電気接続された状態で前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測器と、前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動手段と、を備え、前記回路ユニットが、前記半導体素子に接続された前記リードを複数有し、前記計測器が、一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに個別に電気接続される複数の前記測定子を有し、少なくとも第一回路ユニットにおける複数の前記リードの相対的な配列が、第二回路ユニットにおける複数の前記リードの相対的な配列と異なり、前記計測器と前記半導体装置との間に配され、前記測定子と前記リードとを電気的に接続させる中間コンタクタを、さらに備え、前記中間コンタクタは、複数の前記リードに個別に接触させる複数の接触ピンと、複数の前記測定子に個別に接触させる複数の中継端子と、複数の前記接触ピンと複数の前記中継端子とを個別に電気接続する複数の配線部と、を有し、前記第一回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第一接触ピンに接続された複数の第一中継端子の相対的な位置と、前記第二回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第二接触ピンに接続された複数の第二中継端子の相対的な位置とが、互いに等しく、前記移動手段は、前記接触ピンを前記リードに接触させた状態で、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを相対的に移動させる検査装置である。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の検査装置は、半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置の検査に用いる検査装置であって、一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続される測定子を有し、前記回路ユニットと電気接続された状態で前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測器と、前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動手段と、を備え、前記回路ユニットが、前記半導体素子に接続された前記リードを複数有し、一つの前記計測器が、一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに個別に接触して電気接続される複数の前記測定子を有し、前記半導体装置が、複数の前記リードの相対的な配列が互いに異なる複数種類の前記回路ユニットを有し、各種類の前記回路ユニットの複数の前記リードの配列パターンに対応する複数種類の前記計測器を備える検査装置である。

本発明の一態様に係る半導体装置の検査方法は、半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置を検査する半導体装置の検査方法であって、計測器の測定子を一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続させて、前記計測器により前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測工程と、前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させて、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動工程と、繰り返し実施し、前記計測工程及び前記移動工程の前に、前記半導体装置の複数の前記リードに個別に接触させる複数の接触ピンと、前記計測器の複数の前記測定子に個別に接触させる複数の中継端子と、複数の前記接触ピンと複数の前記中継端子とを個別に電気接続する複数の配線部と、を有し、前記半導体装置の第一回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第一接触ピンに接続された複数の第一中継端子の相対的な位置と、前記半導体装置の第二回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第二接触ピンに接続された複数の第二中継端子の相対的な位置とが、互いに等しい中間コンタクタを用意する準備工程と、前記中間コンタクタの複数の前記接触ピンを、前記半導体装置の複数の前記リードに接触させるコンタクタ接続工程と、を順番に実施し、前記計測工程において、前記計測器の複数の前記測定子を、前記中間コンタクタのうち一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに電気接続された複数の前記中継端子に接触させることで、複数の前記測定子を一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに電気接続させ、前記移動工程において、前記接触ピンを前記リードに接触させた状態で、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える検査方法である。

本発明によれば、計測器にリレーを設ける必要が無い。このため、リレー自体に起因するインダクタンスを無くすことができ、また、リレーに起因して配線が長くなることも抑制できる。これにより、計測器側でのインダクタンスを抑え、半導体装置の動特性を正確に測定できる。また、検査装置の製造コストを低く抑えることができる。

本発明の第一実施形態に係る検査装置及び検査対象である半導体装置を図２のＡ方向から見た側面図である。 本発明の第一実施形態に係る検査装置により半導体装置を検査する検査方法を示す平面図である。 本発明の第一実施形態に係る検査装置により半導体装置を検査する検査方法を示す平面図である。 図１〜３の半導体装置における回路モジュールの回路図である。 本発明の第二実施形態に係る検査装置及び検査対象である半導体装置を図６のＢ方向から見た側面図である。 本発明の第二実施形態に係る検査装置により半導体装置を検査する検査方法を示す平面図である。 本発明の第二実施形態に係る検査装置により半導体装置を検査する検査方法を示す平面図である。 本発明の第三実施形態に係る検査装置及び検査対象である半導体装置を図９のＣ方向から見た側面図である。 本発明の第三実施形態に係る検査装置により半導体装置を検査する検査方法を示す平面図である。

〔第一実施形態〕
以下、図１−３を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１，２に示すように、本実施形態に係る検査装置１は、半導体素子１０４，１０５及び半導体素子１０４，１０５に接続されたリード１０６−１１１を含む回路ユニット１０２，１０３を複数備える半導体装置１００の検査に用いられる。

はじめに、検査対象である半導体装置１００の構成について説明する。
本実施形態の半導体装置１００は、六つの回路ユニット１０２，１０３を備える。半導体装置１００の各回路ユニット１０２，１０３は、図２，４に示すように、一つの半導体素子１０４，１０５を有する。半導体素子１０４，１０５は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有するスイッチング素子である。

また、本実施形態の回路ユニット１０２，１０３は、半導体素子１０４，１０５に接続されたリード１０６−１１１を複数有する。複数のリード１０６−１１１には、半導体素子１０４，１０５のソース電極に接続されたソース用リード１０６，１０９と、半導体素子１０４，１０５のドレイン電極に接続されたドレイン用リード１０７，１１０と、半導体素子１０４，１０５のゲート電極に接続されたゲート用リード１０８，１１１と、が含まれている。

本実施形態の半導体装置１００では、二つの回路ユニット１０２，１０３（高圧側回路ユニット１０２（第一回路ユニット）、低圧側回路ユニット１０３（第二回路ユニット））によって一つの回路モジュール１０１が構成されている。具体的に、一つの回路モジュール１０１は、高圧側回路ユニット１０２の半導体素子１０４（高圧側半導体素子１０４）のソース電極と、低圧側回路ユニット１０３の半導体素子１０５（低圧側半導体素子１０５）のドレイン電極とが接続されることで、構成されている。このため、本実施形態では、高圧側半導体素子１０４のソース電極に接続されたソース用リード１０６と、低圧側半導体素子１０５のドレイン電極に接続されたドレイン用リード１１０とが、同一のリード１１２（共通リード１１２）で構成されている。すなわち、高圧側半導体素子１０４のソース電極及び低圧側半導体素子１０５のドレイン電極は、共通リード１１２に接続されている。

本実施形態の半導体装置１００は、上記構成の回路モジュール１０１を三つ有し、モータ（例えば、三相モータ）の動作制御に使用することができる。

また、本実施形態の半導体装置１００は、三つの回路モジュール１０１（六つの回路ユニット１０２，１０３）を構成する複数の半導体素子１０４，１０５を内蔵したパッケージ部１１５を有する。パッケージ部１１５は、例えば半導体素子１０４，１０５を埋設する樹脂であってよいし、例えば内部に空洞を有するケースであってもよい。三つの回路モジュール１０１を構成する複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２は、パッケージ部１１５から外部に露出している。本実施形態において、複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２はパッケージ部１１５から突出している。半導体素子１０４，１０５の電極とリード１０７−１０９，１１１，１１２とは、パッケージ部１１５の内部において電気接続されている。三つの回路モジュール１０１は、パッケージ部１１５の長手方向（Ｘ軸方向）に配列されている。

本実施形態の半導体装置１００では、同一の回路ユニット１０２（１０３）を構成する三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の相対的な配列が、同一の回路モジュール１０１を構成する二つの回路ユニット１０２，１０３の間で異なる。すなわち、本実施形態の半導体装置１００は、三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の相対的な配列が互いに異なる二種類の回路ユニット１０２，１０３を有する。以下、同一の回路モジュール１０１における五つのリード１０７−１０９，１１１，１１２の具体的な配列について説明する。

同一の回路モジュール１０１では、高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７及び低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９と、高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３のゲート用リード１０８，１１１、並びに、共通リード１１２とが、パッケージ部１１５の長手方向に直交する幅方向（Ｙ軸方向）において、パッケージ部１１５から互いに逆向きに突出している。

また、パッケージ部１１５から同じ方向に突出する低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０６と、高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７とは、パッケージ部１１５の長手方向（Ｘ軸正方向）に、この順で配列されている。同様にして、パッケージ部１１５から同じ方向に突出する共通リード１１２と、高圧側回路ユニット１０２のゲート用リード１０８と、低圧側回路ユニット１０３のゲート用リード１０８とは、パッケージ部１１５の長手方向（Ｘ軸正方向）に、この順で配列されている。

また、パッケージ部１１５から互いに逆向きに突出する低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９と、共通リード１１２とが、パッケージ部１１５の幅方向に配列されている。同様にして、パッケージ部１１５から互いに逆向きに突出する高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７と、高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３のゲート用リード１０８，１１１とが、パッケージ部１１５の幅方向に配列されている。
そして、同一の回路モジュール１０１における複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２の相対的な配列、及び、複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２の配列パターンの向きは、三つの回路モジュール１０１の間で互いに等しい。

図１〜３に示すように、本実施形態に係る検査装置１は、半導体装置１００の一つの回路ユニット１０２，１０３と電気接続された状態でこの回路ユニット１０２，１０３の電気的特性を計測する計測器２、及び、計測器２と半導体装置１００とを相対的に移動させることで、計測器２に接続される回路ユニット１０２，１０３を切り換える移動手段３、を備える。

計測器２は、一つの回路ユニット１０２（１０３）のリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）に電気接続される測定子１１，１２，１３を有する。測定子１１，１２，１３の数は、一つの回路ユニット１０２（１０３）を構成するリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の数に対応している。本実施形態の計測器２は、一つの回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）に個別に電気接続される三つの測定子１１，１２，１３を有する。三つの測定子１１，１２，１３は、それぞれソース用リード１０６（１０９）に接続されるソース用測定子１１、ドレイン用リード１０７（１１０）に接続されるドレイン用測定子１２、ゲート用リード１０８（１１１）に接続されるゲート用測定子１３である。各測定子１１，１２，１３は、図示例において一つだけ記載されているが、例えば印加点（フォース）及び測定点（センス）の二つを有してよい。
測定子１１，１２，１３は、測定子１１，１２，１３と共に計測器２を構成する計測器本体１４に固定されている。これにより、三つの測定子１１，１２，１３の相対的な配列が維持されている。図示例の測定子１１，１２，１３は、計測器本体１４から延びる針状に形成されているが、これに限ることはない。

また、計測器２は、回路ユニット１０２，１０３の電気的特性を計測するための計測回路部１５を備える。計測回路部１５は、例えば回路ユニット１０２，１０３の静特性を計測してもよいが、本実施形態では主に回路ユニット１０２，１０３の動特性を計測する。計測回路部１５は、配線１６によって各測定子１１，１２，１３と電気接続されている。本実施形態において、計測回路部１５及び配線１６は、計測器本体１４の内部に設けられている。

前述したように、本実施形態の半導体装置１００は、三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の相対的な配列が互いに異なる二種類の回路ユニット１０２，１０３を有する。このため、本実施形態の検査装置１は、図２，３に示すように、各種類の回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の配列パターンに対応する二種類の計測器２（２Ａ，２Ｂ）を有する。すなわち、計測器２の三つの測定子１１，１２，１３の配列は、二種類の計測器２Ａ，２Ｂの間で互いに異なっている。

本実施形態において、第一計測器２Ａの三つの測定子１１，１２，１３の配列は、高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０６（１１２），１０７，１０８の配列パターンに対応している。同様にして、第二計測器２Ｂの三つの測定子１１，１２，１３の配列は、低圧側回路ユニット１０３の三つのリード１０９，１１０（１１２），１１１の配列パターンに対応している。

また、本実施形態の半導体装置１００では、高圧側回路ユニット１０２と低圧側回路ユニット１０３とが電気接続されている（図４参照）。このため、本実施形態の検査装置１は、一方の回路ユニット１０２（１０３）の電気的特性を計測する際に、測定子１１，１２，１３が接続されていない他方の回路ユニット１０３（１０２）の残りの二つのリード１０９，１１１（１０７，１０８）に接続されて、これら二つのリード１０９，１１１（１０７，１０８）を電気的に短絡する短絡端子（不図示）を有する。

例えば、第一計測器２Ａにより高圧側回路ユニット１０２の電気的特性を計測する際には、短絡端子によって低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９とゲート用リード１１１とを短絡する。また、第二計測器２Ｂにより低圧側回路ユニット１０３の電気的特性を計測する際には、短絡端子によって高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７，１１０とゲート用リード１０８，１１１とを短絡する。短絡端子は、例えば計測器２に設けられてもよいし、計測器２と別個に設けられてもよい。

本実施形態の検査装置１では、上記した測定子１１，１２，１３や短絡端子を回路ユニット１０２，１０３のリード１０７−１０９，１１１，１１２に直接接触させることで、測定子１１，１２，１３や短絡端子がリード１０７−１０９，１１１，１１２に電気接続される。

本実施形態の移動手段３は、半導体装置１００を計測器２に対して移動させる。具体的に、本実施形態の移動手段３は、一つの回路ユニット１０２（１０３）のリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）が測定子１１，１２，１３に接触する位置（接触位置ＣＰ）と、リード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）が測定子１１，１２，１３から離れた位置（離間位置ＤＰ）との間で、半導体装置１００を第一方向（Ｚ軸方向）に移動させる。また、移動手段３は、半導体装置１００が離間位置ＤＰに配された状態で、半導体装置１００を第一方向と直交する直交方向（Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向）に移動させる。また、移動手段３は、例えば、第一方向を軸として、この軸を中心に半導体装置１００を回転させてもよい。
一方、計測器２の位置は、検査装置１のベース（不図示）等に固定されている。

移動手段３は、任意に構成されてよい。本実施形態の移動手段３は、半導体装置１００を下方（Ｚ軸負方向）側から支持する支持台１７を備える。支持台１７は、不図示の駆動源により、計測器２（及び検査装置１のベース）に対して第一方向及び直交方向に移動可能とされている。また、支持台１７は、第一方向を軸として、この軸を中心に計測器２（及び検査装置１のベース）に対して回転可能とされてもよい。
支持台１７は、例えば個々の計測器２Ａ，２Ｂに対して一つずつ設けられてもよいし、例えば二つの計測器２Ａ，２Ｂに対して一つだけ設けられてもよい。

次に、本実施形態に係る半導体装置１００の検査方法について説明する。
本実施形態の検査方法では、計測工程と移動工程とを繰り返し実施する。計測工程では、計測器２の三つの測定子１１，１２，１３を一つの回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）に電気接続させて、計測器２により一つの回路ユニット１０２（１０３）の電気的特性を計測する。移動工程では、計測器２と半導体装置１００とを相対的に移動させて、計測器２に接続される回路ユニット１０２，１０３を切り換える。

以下、本実施形態の検査装置１を用いて半導体装置１００を検査する手順について具体的に説明する。
本実施形態では、はじめに、図２に示すように、第一計測器２Ａにより、三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性（特に動特性）を順番に（図２において左から順番に）計測する。

この計測の際には、はじめに、第一計測器２Ａにより第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施する。この計測工程では、第一計測器２Ａの三つの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に接触させて電気接続する。また、不図示の短絡端子によって、第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９とゲート用リード１１１とを短絡させる。この状態で、第一計測器２Ａにより第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性を計測する。
第一計測器２Ａの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に接触させる際には、図１に示すように、移動手段３によって半導体装置１００を離間位置ＤＰから接触位置ＣＰまで移動させればよい。

次に、移動手段３によって、半導体装置１００を第一計測器２Ａに対して移動させ、第一計測器２Ａに接続される高圧側回路ユニット１０２を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２から第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に切り換える移動工程を実施する。
この移動工程では、はじめに、図１に示すように、移動手段３によって半導体装置１００を接触位置ＣＰから離間位置ＤＰに移動させる。これにより、第一計測器２Ａと第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２との接続が解除される。次いで、図２に示すように、第一計測器２Ａの三つの測定子１１，１２，１３が、第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２とＺ軸方向に重なるように、移動手段３によって半導体装置１００をパッケージ部１１５の長手方向（Ｘ軸負方向）に移動させる。最後に、図１に示すように、移動手段３によって半導体装置１００を離間位置ＤＰから接触位置ＣＰに移動させる。これにより、第一計測器２Ａと第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２とが電気接続され、移動工程が完了する。

上記の移動工程後には、第一回路モジュール１０１Ａの場合と同様に、第一計測器２Ａにより第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施する。すなわち、第一計測器２Ａの三つの測定子１１，１２，１３を第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に接触させて電気接続し、第一計測器２Ａにより第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性を計測する。

この計測工程後には、前述の移動工程と同様に、半導体装置１００を第一計測器２Ａに対して移動させ、第一計測器２Ａに接続される高圧側回路ユニット１０２を第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２から第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２に切り換える移動工程を実施する。
最後に、第一、第二回路モジュール１０１Ａ，１０１Ｂの場合と同様に、第一計測器２Ａにより第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施することで、三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測が完了する。

第一計測器２Ａによる三つの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測が終了した後には、移動手段３によって半導体装置１００を第一計測器２Ａから図３に示す第二計測器２Ｂに移動させる移動工程等を実施した上で、第二計測器２Ｂにより、三つの回路モジュール１０１の低圧側回路ユニット１０３の電気的特性（特に動特性）を順番に（図３において左から順番に）計測する。

この計測の際には、前述した三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測手順と同様に行えばよい。
すなわち、はじめに、第二計測器２Ｂにより第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３に対して計測工程を実施すればよい。この計測工程では、第二計測器２Ｂの三つの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３の三つのリード１０９，１１１，１１２に接触させて電気接続し、第二計測器２Ｂにより第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３の電気的特性を計測すればよい。また、この計測工程では、不図示の短絡端子によって第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７とゲート用リード１０８とを短絡させておけばよい。

次に、移動手段３によって、半導体装置１００を第二計測器２Ｂに対して移動させ、第二計測器２Ｂに接続される低圧側回路ユニット１０３を第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３から第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３に切り換える移動工程を実施すればよい。

その後は、第一回路モジュール１０１Ａの場合と同様にして、第二計測器２Ｂによる第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３に対する計測工程、半導体装置１００を第二計測器２Ｂに対して移動させて第二計測器２Ｂに接続される低圧側回路ユニット１０３を第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３から第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に切り換える移動工程、第二計測器２Ｂによる第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に対する計測工程、を順番に実施すればよい。これにより、三つの回路モジュール１０１の低圧側回路ユニット１０３の電気的特性の計測が完了する。
以上により、本実施形態の検査装置１による半導体装置１００を検査が完了する。

本実施形態の検査装置１により電気的特性（特に動特性）を計測する回路ユニット１０２，１０３の順番は、上記に限らず任意であってよい。

以上説明したように、本実施形態の検査装置１及び検査方法によれば、計測器２が、一つの回路ユニット１０２（１０３）だけに電気接続された状態で、当該回路ユニット１０２（１０３）の電気的特性を計測するように構成されている。また、計測器２と半導体装置１００とを相対的に移動させることで、計測器２に接続される回路ユニット１０２，１０３が切り換えられる。
このため、計測器２に従来のようなリレーを設ける必要が無くなる。これにより、リレー自体に起因するインダクタンスを無くすことができ、また、リレーに起因して配線が長くなることも抑制できる。
したがって、計測器２側でのインダクタンスを抑え、半導体装置１００の動特性を正確に測定できる。また、リレーが不要となることで、検査装置１の製造コストを低く抑えることができる。

また、本実施形態の検査装置１は、各種類の回路ユニット１０２（１０３）の複数のリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の配列パターンに対応する複数種類の計測器２Ａ，２Ｂを備える。このように、回路ユニット１０２，１０３の種類（リード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）の配列パターンの種類）毎に、計測器２を用意する場合には、一つの計測器２だけを用意する場合と比較して、移動手段３による計測器２と半導体装置１００との相対的な移動を単純化できる。本実施形態では、移動手段３による計測器２と半導体装置１００との相対的な移動方向が、リード１０７−１０９，１１１，１１２と測定子１１，１２，１３とを接触／離間させるための第一方向（Ｚ軸方向）と、第一方向に直交する直交方向（Ｘ軸方向）の二つだけであり、単純である。これにより、半導体装置１００の検査を素早く、効率よく行うことができる。

また、本実施形態の検査装置１によれば、移動手段３は半導体装置１００を移動させ、計測器２の位置は固定されている。この場合には、移動手段３が計測器２を移動させる場合と比較して、計測器２における配線を短く設定できる。すなわち、計測器２側でのインダクタンスをより小さく抑えることができる。また、計測器２において配線を撓ませる必要もなくなる。したがって、半導体装置１００の動特性をより正確に測定することが可能となる。

〔第二実施形態〕
次に、図５−７を参照して本発明の第二実施形態について説明する。本実施形態の構成のうち第一実施形態と同じ構成については、同一符号を付す等して、その説明を省略する。

図５，６に示すように、本実施形態の検査装置１Ｄは、第一実施形態と同様の半導体装置１００の検査に用いられる。ただし、本実施形態における半導体装置１００では、高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３のゲート用リード１０８，１１１の配置が第一実施形態と逆になっている。
本実施形態の検査装置１Ｄは、第一実施形態と同様の計測器２Ｄ、移動手段３Ｄを備える。また、本実施形態の検査装置１Ｄは、第一実施形態と同様の短絡端子（不図示）も有する。

計測器２Ｄは、第一実施形態と同様に、一つの回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）に個別に電気接続される三つの測定子１１，１２，１３を有する。ただし、本実施形態の計測器２Ｄでは、三つの測定子１１，１２，１３の相対的な位置が、第一実施形態の計測器２Ｄと異なる。また、本実施形態における計測器２Ｄの数は、一つである。

そして、本実施形態の検査装置１Ｄは、計測器２Ｄと半導体装置１００との間に配され、測定子１１，１２，１３とリード１０７−１０９，１１１，１１２とを電気的に接続させる中間コンタクタ４をさらに備える。中間コンタクタ４は、複数の接触ピン２２−２７と、複数の中継端子３２−３７と、これら複数の接触ピン２２−２７と複数の中継端子３２−３７とを個別に電気接続する複数の配線部４１と、を有する。

複数の接触ピン２２−２７は、半導体装置１００の複数のリード１０６−１１１１に個別に接触させるピンである。接触ピン２２−２７の数は、例えばリード１０６−１１１の数よりも少なくてもよいが、本実施形態ではリード１０６−１１１の数と同じである。すなわち、複数の接触ピン２２−２７は、半導体装置１００の全てのリード１０６−１１１に個別に接触する。
複数の中継端子３２−３７は、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３に個別に接触させるための端子である。中継端子３２−３７の数は、接触ピン２２−２７の数と同じであってよいが、本実施形態では後述するように異なる。

本実施形態において、複数の接触ピン２２−２７には、半導体装置１００の高圧側回路ユニット１０２のソース用リード１０６、ドレイン用リード１０７、ゲート用リード１０８にそれぞれ接触させる高圧側回路ユニット１０２用のソース用接触ピン２２、ドレイン用接触ピン２３、ゲート用接触ピン２４（三つの高圧側接触ピン２２−２４（第一接触ピン））がある。また、複数の接触ピン２２−２７には、低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９、ドレイン用リード１１０、ゲート用リード１１１にそれぞれ接触させる低圧側回路ユニット１０３用のソース用接触ピン２５、ドレイン用接触ピン２６、ゲート用接触ピン２７（三つの低圧側接触ピン２５−２７（第二接触ピン））がある。
ただし、本実施形態の半導体装置１００では、高圧側回路ユニット１０２のソース用リード１０６と低圧側回路ユニット１０３のドレイン用リード１１０とが共通リード１１２によって構成されている。このため、高圧側回路ユニット１０２用のソース用接触ピン２２と、低圧側回路ユニット１０３用のドレイン用接触ピン２６とが同一の接触ピン２８（共通接触ピン２８）によって構成されている。

また、本実施形態の半導体装置１００には、五つのリード１０７−１０９，１１１，１１２を有する回路モジュール１０１が三つある。このため、中間コンタクタ４は、一つの回路モジュール１０１に対応する五つの接触ピン２３−２５，２７，２８を一組の接触ピンユニット２１として、三組の接触ピンユニット２１を有する。同一の接触ピンユニット２１における五つの接触ピン２３−２５，２７，２８の相対的な配列、及び、五つの接触ピン２３−２５，２７，２８の配列パターンの向きは、三組の接触ピンユニット２１の間で互いに等しい。

本実施形態において、複数の中継端子３２−３７には、計測器２Ｄのソース用測定子１１を接触させるソース用中継端子３２，３５と、ドレイン用測定子１２を接触させるドレイン用中継端子３３，３６と、ゲート用測定子１３を接触させるゲート用中継端子３４，３７とがある。
より具体的に、複数の中継端子３２−３７には、高圧側回路ユニット１０２用のソース用接触ピン２２、ドレイン用接触ピン２３、ゲート用接触ピン２４に個別に接続されたソース用中継端子３２、ドレイン用中継端子３３、ゲート用中継端子３４、及び、低圧側回路ユニット１０３用のソース用接触ピン２５、ドレイン用接触ピン２６、ゲート用接触ピン２７に個別に接続されたソース用中継端子３５、ドレイン用中継端子３６、ゲート用中継端子３７がある。

ただし、本実施形態では、高圧側回路ユニット１０２用のソース用接触ピン２２と、低圧側回路ユニット１０３用のドレイン用接触ピン２６とが共通接触ピン２８によって構成されている。このため、高圧側回路ユニット１０２用のソース用中継端子３２、及び、低圧側回路ユニット１０３用のドレイン用中継端子３６は、同一の共通接触ピン２８に接続されている。高圧側回路ユニット１０２用のソース用中継端子３２と、低圧側回路ユニット１０３用のドレイン用中継端子３６とは、例えば共通接触ピン２８と同様に同一の中継端子によって構成されてもよいが、本実施形態では、別個に形成されている。

本実施形態の中間コンタクタ４では、高圧側回路ユニット１０２用の三つの中継端子３２−３４（高圧側中継端子３２−３４（第一中継端子））の相対的な位置と、低圧側回路ユニット１０３用の三つの中継端子３５−３７（低圧側中継端子３５−３７（第二中継端子））の相対的な位置とが、互いに等しい。各回路ユニット１０２（１０３）用の三つの中継端子３２−３４（３５−３７）の相対的な位置は、図示例に限らず、任意であってよい。
各回路ユニット１０２（１０３）用の三つの中継端子３２−３４（３５−３７）の配列は、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３の配列と等しい。

本実施形態においては、三つの高圧側中継端子３２−３４の配列パターンの向きが、三つの低圧側中継端子３５−３７の配列パターンの向きに対して、計測器２Ｄ、中間コンタクタ４及び半導体装置１００の配列方向（Ｚ軸方向）を軸として所定角度だけ異なっている。本実施形態における所定角度は１８０°である。

本実施形態の中間コンタクタ４は、前述した接触ピン２３−２５，２７，２８の場合と同様に、一つの回路モジュール１０１（一組の接触ピンユニット２１）に対応する六つの中継端子３２−３７を一組の中継端子ユニット３１として、三組の中継端子ユニット３１を有する。六つの中継端子３２−３７の相対的な配列、及び、六つの中継端子３２−３７の配列パターンの向きは、三組の中継端子ユニット３１の間で互いに等しい。

本実施形態において、上記した接触ピン２３−２５，２７，２８、中継端子３２−３７、配線部４１が配置される中間コンタクタ４の本体部４２は、板状に形成されている。本実施形態の中間コンタクタ４は、例えば回路基板によって構成することができる。
中間コンタクタ４は、その板厚方向が計測器２Ｄ及び半導体装置１００の配列方向（Ｚ軸方向）に一致するように、計測器２Ｄと半導体装置１００との間に配されている。

複数の接触ピン２３−２５，２７，２８は、中間コンタクタ４の本体部４２のうち半導体装置１００側に向く一方の主面から突出するように、本体部４２に設けられている。複数の接触ピン２３−２５，２７，２８は、計測器２Ｄ及び半導体装置１００の配列方向（Ｚ軸方向）から見て、半導体装置１００の複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２にあわせて配列されている。
複数の中継端子３２−３７は、中間コンタクタ４の本体部４２のうち計測器２Ｄ側に向く他方の主面に形成されている。

本実施形態の移動手段３Ｄは、中間コンタクタ４の接触ピン２３−２５，２７，２８を半導体装置１００のリード１０７−１０９，１１１，１１２に接触させた状態で、計測器２Ｄと中間コンタクタ４及び半導体装置１００を相対的に移動させることで、計測器２Ｄに接続される回路ユニット１０２，１０３を切り換える。
本実施形態の移動手段３Ｄは、第一実施形態と同様に、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させる。具体的に、本実施形態の移動手段３Ｄは、一つの回路ユニット１０２（１０３）に対応する中継端子３２−３４（３５−３７）が測定子１１，１２，１３に接触する位置（接触位置ＣＰ）と、中継端子３２−３４（３５−３７）が測定子１１，１２，１３から離れた位置（離間位置ＤＰ）との間で、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を第一方向（Ｚ軸方向）に移動させる。また、移動手段３Ｄは、中間コンタクタ４及び半導体装置１００が離間位置ＤＰに配された状態で、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を第一方向と直交する直交方向（Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向）に移動させる。また、移動手段３Ｄは、第一方向を軸とし、この軸を中心とした回転方向（図５におけるθ方向）に中間コンタクタ４及び半導体装置１００を回転させる。
一方、計測器２Ｄの位置は、検査装置１Ｄのベース（不図示）等に固定されている。

次に、本実施形態に係る半導体装置１００の検査方法について説明する。
本実施形態の検査方法では、第一実施形態と同様に、計測工程と移動工程とを繰り返し実施する。ただし、本実施形態の検査方法では、計測工程及び移動工程の前に、前述した構成の中間コンタクタ４を用意する準備工程と、図５に示すように中間コンタクタ４の複数の接触ピン２３−２５，２７，２８を、半導体装置１００の複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２に接触させるコンタクタ接続工程と、を順番に実施する。コンタクタ接続工程後の状態では、複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２が中間コンタクタ４の複数の中継端子３２−３７とそれぞれ電気接続されている。

また、本実施形態の計測工程では、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を、中間コンタクタ４のうち一つの回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）に電気接続された三つの中継端子３２−３４（３５−３７）に接触させる。これにより、一つの回路ユニット１０２（１０３）の三つのリード１０７，１０８，１１２（１０９，１１１，１１２）が計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３に個別に電気接続される。

また、本実施形態の移動工程では、中間コンタクタ４の複数の接触ピン２３−２５，２７，２８を半導体装置１００の複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２にそれぞれ接触させた状態で、計測器２Ｄと中間コンタクタ４及び半導体装置１００とを相対的に移動させることで、計測器２Ｄに接続される回路ユニット１０２，１０３を切り換える。

また、本実施形態の中間コンタクタ４では、高圧側回路ユニット１０２用の三つの中継端子３２−３４の配列パターンの向きが、低圧側回路ユニット１０３用の三つの中継端子３５−３７の配列パターンの向きに対して、計測器２Ｄ、中間コンタクタ４及び半導体装置１００の配列方向を軸として１８０°（所定角度）だけ異なっている。このため、本実施形態の移動工程では、高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３の一方の回路ユニット１０２（１０３）の電気的特性を計測した後に、他方の回路ユニット１０３（１０２）の電気的特性を計測するために、計測器２Ｄと中間コンタクタ４及び半導体装置１００とを相対的に１８０°（所定角度）回転させる。

以下、本実施形態の検査装置１Ｄを用いて半導体装置１００を検査する手順について具体的に説明する。
本実施形態では、はじめに、前述した準備工程及びコンタクタ接続工程を実施する。次いで、図６に示すように、計測器２Ｄにより、三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性（特に動特性）を順番に（図６において左から順番に）計測する。

この計測の際には、はじめに、計測器２Ｄにより第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施する。この計測工程では、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２に対応する三つの高圧側中継端子３２−３４に接触させることで、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に電気接続する。計測器２Ｄの測定子１１，１２，１３を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に接触させる際には、図５に示すように、移動手段３Ｄによって中間コンタクタ４及び半導体装置１００を離間位置ＤＰから接触位置ＣＰまで移動させればよい。また、不図示の短絡端子を、第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３に対応するソース用中継端子３５、ゲート用中継端子３７に接触させる等して、第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３のソース用リード１０９とゲート用リード１１１とを短絡させる。この状態で、計測器２Ｄにより第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性を計測する。

次に、移動手段３Ｄによって、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させ、計測器２Ｄに接続される高圧側回路ユニット１０２を第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２から第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に切り換える移動工程を実施する。
この移動工程では、はじめに、図５に示すように、移動手段３Ｄによって中間コンタクタ４及び半導体装置１００を接触位置ＣＰから離間位置ＤＰに移動させる。これにより、計測器２Ｄと第一回路モジュール１０１Ａの高圧側回路ユニット１０２との接続が解除される。次いで、図６に示すように、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３が、第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に対応する三つの高圧側中継端子３２−３４とＺ軸方向に重なるように、移動手段３Ｄによって中間コンタクタ４及び半導体装置１００をパッケージ部１１５の長手方向（Ｘ軸負方向）に移動させる。最後に、図５に示すように、移動手段３Ｄによって中間コンタクタ４及び半導体装置１００を離間位置ＤＰから接触位置ＣＰに移動させる。これにより、第一計測器２Ａと第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２とが中間コンタクタ４を介して電気接続される。以上により、移動工程が完了する。

上記の移動工程後には、第一回路モジュール１０１Ａの場合と同様に、計測器２Ｄにより第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施する。すなわち、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２に対応する三つの高圧側中継端子３２−３４に接触させることで、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２の三つのリード１０７，１０８，１１２に電気接続し、計測器２Ｄにより第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性を計測する。

この計測工程後には、前述の移動工程と同様に、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させ、計測器２Ｄに接続される高圧側回路ユニット１０２を第二回路モジュール１０１Ｂの高圧側回路ユニット１０２から第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２に切り換える移動工程を実施する。
最後に、第一、第二回路モジュール１０１Ａ，１０１Ｂの場合と同様に、計測器２Ｄにより第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２に対して計測工程を実施することで、三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測が完了する。

三つの高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測が終了した後には、図７に示すように、三つの回路モジュール１０１の低圧側回路ユニット１０３の電気的特性（特に動特性）を順番に（図６において左から順番に）計測する。この計測の前には、図６，７に示すように、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させて、計測器２Ｄに接続される回路ユニット１０２，１０３を、第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２から第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に切り換える移動工程を実施する。この移動工程では、低圧側回路ユニット１０３に対応する三つの低圧側中継端子３５−３７の配列パターンの向きが、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３の配列パターンの向きと一致するように、移動手段３Ｄによって中間コンタクタ４及び半導体装置１００を、Ｚ軸方向を軸に１８０°回転させる。また、この移動工程では、Ｚ軸方向から見て、第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に対応する三つの低圧側中継端子３５−３７が計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３とそれぞれ重なるように、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対してＸ軸方向やＹ軸方向に適宜移動させてもよい。

三つの回路モジュール１０１の低圧側回路ユニット１０３の電気的特性の計測手順は、前述した三つの回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２の電気的特性の計測手順と同様であってよい。
すなわち、はじめに、計測器２Ｄにより第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に対して計測工程を実施すればよい。この計測工程では、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３に対応する三つの低圧側中継端子３５−３７に接触させることで、計測器２Ｄの三つの測定子１１，１２，１３を第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３の三つのリード１０９，１１１，１１２に電気接続した上で、計測器２Ｄにより第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３の電気的特性を計測すればよい。また、この計測工程では、不図示の短絡端子によって第三回路モジュール１０１Ｃの高圧側回路ユニット１０２のドレイン用リード１０７とゲート用リード１０８とを短絡させておけばよい。

次に、移動手段３Ｄによって、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させ、計測器２Ｄに接続される低圧側回路ユニット１０３を第三回路モジュール１０１Ｃの低圧側回路ユニット１０３から第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３に切り換える移動工程を実施すればよい。

その後は、第三回路モジュール１０１Ｃの場合と同様にして、計測器２Ｄによる第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３に対する計測工程、中間コンタクタ４及び半導体装置１００を計測器２Ｄに対して移動させて計測器２Ｄに接続される低圧側回路ユニット１０３を第二回路モジュール１０１Ｂの低圧側回路ユニット１０３から第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３に切り換える移動工程、計測器２Ｄによる第一回路モジュール１０１Ａの低圧側回路ユニット１０３に対する計測工程、を順番に実施すればよい。これにより、三つの回路モジュール１０１の低圧側回路ユニット１０３の電気的特性の計測が完了する。
以上により、本実施形態の検査装置１Ｄによる半導体装置１００を検査が完了する。

本実施形態の検査装置１Ｄにより複数の回路ユニット１０２，１０３の電気的特性を計測する順番は、上記した順番に限らない。例えば、一の回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３の電気的特性を計測した後に、他の回路モジュール１０１の高圧側回路ユニット１０２及び低圧側回路ユニット１０３の電気的特性を計測してもよい。

本実施形態の半導体装置１００の検査装置１Ｄ及び検査方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の検査装置１Ｄ及び検査方法によれば、計測器２Ｄと半導体装置１００との間に中間コンタクタ４が配される。また、中間コンタクタ４において、高圧側回路ユニット１０２の複数のリード１０７，１０８，１１２に電気接続される複数の高圧側中継端子３２−３４の相対的な位置と、低圧側回路ユニット１０３の複数のリード１０９，１１１，１１２に電気接続される複数の低圧側中継端子３５−３７の相対的な位置とが、互いに等しい。このため、複数の回路ユニット１０２，１０３（高圧側回路ユニット１０２、低圧側回路ユニット１０３）の間で、複数のリード１０７−１０９，１１１，１１２の相対的な配列が異なる半導体装置１００であっても、半導体装置１００の検査に用いる計測器２Ｄの数（種類）を一つとすることができる。また、仮に半導体装置１００が、高圧側回路ユニット１０２、低圧側回路ユニット１０３とは別の種類の回路ユニット（リードの相対的な配列がさらに異なる回路ユニット）を有していても、計測器２Ｄの数を減らすことができる。

また、本実施形態の検査装置１Ｄ及び検査方法によれば、計測器２Ｄ、中間コンタクタ４及び半導体装置１００の配列方向（Ｚ軸方向）を軸として、計測器２Ｄと中間コンタクタ４及び半導体装置１００とを相対的に回転させる。このため、一つの高圧側回路ユニット１０２に接続される複数の高圧側中継端子３２−３４の配列パターンの向きが、一つの低圧側回路ユニット１０３に接続される複数の低圧側中継端子３５−３７の配列パターンの向きと所定角度だけ異なっていても、同一の計測器２Ｄで、高圧側回路ユニット１０２、低圧側回路ユニット１０３（複数の回路ユニット１０２，１０３）の電気的特性を計測することができる。

また、複数の高圧側中継端子３２−３４の配列パターンの向きと、複数の低圧側中継端子３５−３７の配列パターンの向きを異ならせることは、これら二つの配列パターンの向きを同じとする場合と比較して、同一の回路ユニット１０２（１０３）に接続される複数の中継端子３２−３４（３５−３７）の相対的な配置の自由度が高い。このため、中間コンタクタ４の接触ピン２３−２５，２７，２８と中継端子３２−３７とを接続する配線部４１を短く設定することが可能となる。これにより、配線部４１におけるインダクタンスを小さく抑えることができ、半導体装置１００の動特性をより正確に測定できる。

〔第三実施形態〕
次に、図８，９を参照して本発明の第三実施形態について説明する。本実施形態の構成のうち第一、第二実施形態と同じ構成については、同一符号を付す等して、その説明を省略する。

図８，９に示すように、本実施形態に係る検査装置１Ｅは、半導体素子２０４，２０５及び半導体素子２０４，２０５に接続されたリード２０６−２１１を含む複数の回路ユニット２０２，２０３を有する半導体装置２００の検査に用いられる。本実施形態の検査装置１Ｅで検査される半導体装置２００は、第一、第二実施形態と異なる。

はじめに、検査対象である半導体装置２００の構成について説明する。
図９に示すように、本実施形態における半導体装置２００は、第一、第二実施形態と同様に、六つの回路ユニット２０２，２０３を備える。各回路ユニット２０２，２０３は、一つの半導体素子２０４，２０５を有する。半導体素子２０４，２０５は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有するスイッチング素子である。各回路ユニット２０２（２０３）は、半導体素子２０４（２０５）の三つの電極に接続された三つのリード２０６−２０８（２０９−２１１）を有する。各回路ユニット２０２（２０３）の三つのリード２０６−２０８（２０９−２１１）は、ソース用リード２０６（２０９）、ドレイン用リード２０７（２１０）、ゲート用リード２０８（２１１）である。

本実施形態の半導体装置２００では、第一、第二実施形態と同様に、二つの回路ユニット２０２，２０３（第一回路ユニット２０２、第二回路ユニット２０３）によって一つの回路モジュール２０１が構成されている。ただし、本実施形態の半導体装置２００では、同一の回路モジュール２０１の二つの回路ユニット２０２，２０３が互いに電気的に独立している。

本実施形態の半導体装置２００は、第一実施形態と同様に、三つの回路モジュール２０１（六つの回路ユニット２０２，２０３）を構成する複数の半導体素子２０４，２０５を内蔵したパッケージ部２１５を有する。また、三つの回路モジュール２０１を構成する複数のリード２０６−２１１は、パッケージ部２１５から突出している。半導体素子２０４，２０５の電極とリード２０６−２１１とは、パッケージ部２１５の内部において電気接続されている。三つの回路モジュール２０１は、パッケージ部２１５の長手方向（Ｘ軸方向）に配列されている。

本実施形態の半導体装置２００では、同一の回路ユニット２０２（２０３）を構成する三つのリード２０６−２０８（２０９−２１１）の相対的な配列が、同一の回路モジュール２０１を構成する二つの回路ユニット２０２，２０３の間で異なる。すなわち、本実施形態の半導体装置２００は、三つのリード２０６−２０８（２０９−２１１）の相対的な配列が互いに異なる二種類の回路ユニット２０２，２０３を有する。以下、同一の回路モジュール２０１における六つのリード２０６−２１１の具体的な配列について説明する。

同一の回路モジュール２０１では、第一回路ユニット２０２のソース用リード２０６及びゲート用リード２０８、並びに、第二回路ユニット２０３のドレイン用リード２１０と、第一回路ユニット２０２のドレイン用リード２０７、並びに、第二回路ユニット２０３のソース用リード２０９及びゲート用リード２１１とが、パッケージ部２１５の幅方向（Ｙ軸方向）において、パッケージ部２１５から互いに逆向きに突出している。

また、パッケージ部２１５から同じ方向（Ｙ軸負方向）に突出する第一回路ユニット２０２のソース用リード２０６及びゲート用リード２０８、並びに、第二回路ユニット２０３のドレイン用リード２１０は、パッケージ部２１５の長手方向（Ｘ軸正方向）に、この順で配列されている。同様にして、パッケージ部２１５から同じ方向（Ｙ軸正方向）に突出する第一回路ユニット２０２のドレイン用リード２０７、並びに、第二回路ユニット２０３のソース用リード２０９及びゲート用リード２１１は、パッケージ部２１５の長手方向（Ｘ軸正方向）に、この順で配列されている。
そして、同一の回路モジュール２０１における複数のリード２０６−２１１の相対的な配列、及び、複数のリード２０６−２１１の配列パターンの向きは、三つの回路モジュール２０１の間で互いに等しい。

本実施形態に係る検査装置１Ｅは、第二実施形態と同様の計測器２Ｅ、移動手段３Ｅ、中間コンタクタ４Ｅを備える。また、本実施形態の検査装置１Ｅは、第二実施形態と同様の短絡端子（不図示）を有する。
計測器２Ｅは、第二実施形態と同様に、一つの回路ユニット２０２（２０３）の三つのリード２０６−２０８（２０９−２１１）に個別に電気接続される三つの測定子１１，１２，１３を有する。また、計測器２Ｅの数は、一つである。ただし、本実施形態の計測器２Ｅでは、三つの測定子１１，１２，１３の相対的な位置が、第二実施形態の計測器２Ｅと異なる。

中間コンタクタ４Ｅは、第二実施形態と同様に、計測器２Ｅと半導体装置２００との間に配され、測定子１１，１２，１３とリード２０６−２１１とを電気的に接続させる。中間コンタクタ４Ｅは、複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅと、複数の中継端子３２Ｅ−３７Ｅと、これら複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅと複数の中継端子３２Ｅ−３７Ｅとを個別に電気接続する複数の配線部４１Ｅと、を有する。

複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅは、半導体装置２００の複数のリード２０６−２１１に個別に接触させるピンである。接触ピン２２Ｅ−２７Ｅの数は、例えばリード２０６−２１１の数よりも少なくてもよいが、本実施形態ではリード２０６−２１１の数と同じである。すなわち、複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅは、半導体装置２００の全てのリード２０６−２１１に個別に接触する。
複数の中継端子３２Ｅ−３７Ｅは、計測器２Ｅの三つの測定子１１，１２，１３に個別に接触させるための端子である。本実施形態において、中継端子３２Ｅ−３７Ｅの数は、接触ピン２２Ｅ−２７Ｅの数と同じである。

本実施形態において、複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅには、半導体装置２００の第一回路ユニット２０２のソース用リード２０６、ドレイン用リード２０７、ゲート用リード２０８にそれぞれ接触させる第一回路ユニット２０２用のソース用接触ピン２２Ｅ、ドレイン用接触ピン２３Ｅ、ゲート用接触ピン２４Ｅ（三つの第一接触ピン２２Ｅ−２４Ｅ）がある。また、複数の接触ピン２２Ｅ−２７Ｅには、第二回路ユニット２０３のソース用リード２０９、ドレイン用リード２１０、ゲート用リード２１１にそれぞれ接触させる第二回路ユニット２０３用のソース用接触ピン２５Ｅ、ドレイン用接触ピン２６Ｅ、ゲート用接触ピン２７Ｅ（三つの第二接触ピン２５Ｅ−２７Ｅ）がある。

また、本実施形態の半導体装置２００には、六つのリード２０６−２１１を有する回路モジュール２０１が三つある。このため、中間コンタクタ４Ｅは、一つの回路モジュール２０１に対応する六つの接触ピン２２Ｅ−２７Ｅを一組の接触ピンユニット２１Ｅとして、三組の接触ピンユニット２１Ｅを有する。同一の接触ピンユニット２１Ｅにおける六つの接触ピン２２Ｅ−２７Ｅの相対的な配列、及び、六つの接触ピン２２Ｅ−２７Ｅの配列パターンの向きは、三組の接触ピンユニット２１Ｅの間で互いに等しい。

本実施形態において、複数の中継端子３２Ｅ−３７Ｅには、計測器２Ｅのソース用測定子１１を接触させるソース用中継端子３２Ｅ，３５Ｅと、ドレイン用測定子１２を接触させるドレイン用中継端子３３Ｅ，３６Ｅと、ゲート用測定子１３を接触させるゲート用中継端子３４Ｅ，３７Ｅとがある。
より具体的に、複数の中継端子３２Ｅ−３７Ｅには、第一回路ユニット２０２用のソース用接触ピン２２Ｅ、ドレイン用接触ピン２３Ｅ、ゲート用接触ピン２４Ｅに個別に接続されたソース用中継端子３２Ｅ、ドレイン用中継端子３３Ｅ、ゲート用中継端子３４Ｅ、及び、第二回路ユニット２０３用のソース用接触ピン２５Ｅ、ドレイン用接触ピン２６Ｅ、ゲート用接触ピン２７Ｅに個別に接続されたソース用中継端子３５Ｅ、ドレイン用中継端子３６Ｅ、ゲート用中継端子３７Ｅがある。

本実施形態の中間コンタクタ４Ｅでは、第一回路ユニット２０２用の三つの中継端子３２Ｅ−３４Ｅ（第一中継端子３２Ｅ−３４Ｅ）の相対的な位置と、第二回路ユニット２０３用の三つの中継端子３２Ｅ−３７Ｅ（第二中継端子３５Ｅ−３７Ｅ）の相対的な位置とが、互いに等しい。各回路ユニット２０２（２０３）用の三つの中継端子３２Ｅ−３４Ｅ（３５Ｅ−３７Ｅ）の相対的な位置は、図示例に限らず、任意であってよい。
各回路ユニット２０２（２０３）用の三つの中継端子３２Ｅ−３４Ｅ（３５Ｅ−３７Ｅ）の配列は、計測器２Ｅの三つの測定子１１，１２，１３の配列と等しい。

本実施形態においては、三つの第一中継端子３２Ｅ−３４Ｅの配列パターンの向きが、三つの第二中継端子３５Ｅ−３７Ｅの配列パターンの向きと等しい。

本実施形態の中間コンタクタ４Ｅは、前述した接触ピン２２Ｅ−２７Ｅの場合と同様に、一つの回路モジュール２０１（一組の接触ピンユニット２１Ｅ）に対応する六つの中継端子３２Ｅ−３７Ｅを一組の中継端子ユニット３１Ｅとして、三組の中継端子ユニット３１Ｅを有する。六つの中継端子３２Ｅ−３７Ｅの相対的な配列、及び、六つの中継端子３２Ｅ−３７Ｅの配列パターンの向きは、三組の中継端子ユニット３１Ｅの間で互いに等しい。

中間コンタクタ４Ｅの具体的な構成は、第二実施形態と同様である。すなわち、上記した接触ピン２２Ｅ−２７Ｅ、中継端子３２Ｅ−３７Ｅ、配線部４１Ｅが配置される中間コンタクタ４Ｅの本体部４２Ｅは、板状に形成されている。本実施形態の中間コンタクタ４Ｅは、例えば回路基板によって構成することができる。

本実施形態の移動手段３Ｅは、第二実施形態と同様に、中間コンタクタ４Ｅの接触ピン２２Ｅ−２７Ｅを半導体装置２００のリード２０６−２１１に接触させた状態で、計測器２Ｅと中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００を相対的に移動させることで、計測器２Ｅに接続される回路ユニット２０２，２０３を切り換える。

本実施形態の移動手段３Ｅは、第一、第二実施形態と同様に、一つの回路ユニット２０２，２０３に対応する中継端子３２Ｅ−３７Ｅが測定子１１，１２，１３に接触する位置（接触位置ＣＰ）と、中継端子３２Ｅ−３７Ｅが測定子１１，１２，１３から離れた位置（離間位置ＤＰ）との間で、中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００を第一方向（Ｚ軸方向）に移動させる。また、移動手段３Ｅは、中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００が離間位置ＤＰに配された状態で、中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００を第一方向と直交する直交方向（Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向）に移動させる。また、移動手段３Ｅは、第一方向を軸として中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００を回転させてもよい。
計測器２Ｅの位置は、検査装置１Ｅのベース（不図示）等に固定されている。

次に、本実施形態に係る半導体装置２００の検査方法について説明する。
本実施形態の検査方法では、第二実施形態と同様に、本実施形態の中間コンタクタ４Ｅを用意する準備工程と、中間コンタクタ４Ｅの接触ピン２２Ｅ−２７Ｅを半導体装置２００のリード２０６−２１１に接触させるコンタクタ接続工程と、を順番に実施した後に、計測工程と移動工程とを繰り返し実施すればよい。
ただし、本実施形態の中間コンタクタ４Ｅでは、複数の第一中継端子３２Ｅ−３４Ｅの配列パターンの向きが、複数の第二中継端子３５Ｅ−３７Ｅの配列パターンの向きと等しい。このため、本実施形態の移動工程では、計測器２Ｅと中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００とを相対的に回転させる必要はなく、第一実施形態の場合と同様に、計測器２Ｅと中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００とをＺ軸方向やＸ軸方向、Ｙ軸方向に相対的に移動させればよい。

本実施形態の検査装置１Ｅにより電気的特性（特に動特性）を計測する回路ユニット２０２，２０３の順番は、任意であってよい。例えば、第一回路モジュール２０１Ａの第一回路ユニット２０２、第二回路モジュール２０１Ｂの第一回路ユニット２０２、第三回路モジュール２０１Ｃの第一回路ユニット２０２、第三回路モジュール２０１Ｃの第二回路ユニット２０３、第二回路モジュール２０１Ｂの第二回路ユニット２０３、第一回路モジュール２０１Ａの第二回路ユニット２０３の順番で計測してもよい。この場合には、計測器２Ｅと中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００との相対的な移動距離を短くすることができる。

本実施形態の半導体装置２００の検査装置１Ｅ及び検査方法によれば、第二実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の検査装置１Ｅ及び検査方法によれば、中間コンタクタ４Ｅにおいて、複数の第一中継端子３２Ｅ−３４Ｅの配列パターンの向きが、複数の第二中継端子３５Ｅ−３７Ｅの配列パターンの向きと等しい。このため、移動手段３Ｅは、第二実施形態のように、中間コンタクタ４Ｅ及び半導体装置２００と計測器２Ｅとを相対的に回転させる機構（回転機構）を備えなくても、同一の計測器２Ｅによって第一回路ユニット２０２及び第二回路ユニット２０３の電気的特性を計測することができる。すなわち、移動手段３Ｅの構成の簡素化及び低コスト化を図ることができる。
また、移動手段３Ｅが回転機構を備える場合と比較して、計測器２Ｅに接続される回路ユニット２０２，２０３の切り換えを素早く行うことができる。これにより、半導体装置２００の検査を短時間で行うことができる。

以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。

例えば、第三実施形態における検査装置１Ｅは、第一、第二実施形態の半導体装置１００の検査にも適用できる。同様にして、第一、第二実施形態の検査装置１，１Ｄは、第三実施形態の半導体装置２００の検査にも適用できる。

本発明の検査装置の検査対象は、上記実施形態の半導体装置に限らず、少なくとも複数の回路ユニットを備える半導体装置であってよい。すなわち、半導体装置の半導体素子は、例えばアノード電極、カソード電極を有するダイオードなどであってもよい。また、半導体装置における回路ユニットは、例えば複数の半導体素子を含んでもよい。また、同一の回路ユニットを構成するリードの数は、任意であってよい。また、複数のリードの相対的な配列が互いに異なる回路ユニットの種類の数は、二つに限らず、三つ以上であってもよい。

１，１Ｄ，１Ｅ 検査装置
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｄ，２Ｅ 計測器
１１，１２，１３ 測定子
３，３Ｄ，３Ｅ 移動手段
４，４Ｅ 中間コンタクタ
２１，２１Ｅ 接触ピンユニット
２２，２３，２４ 高圧側接触ピン（第一接触ピン）
２２Ｅ，２３Ｅ，２４Ｅ 第一接触ピン
２５，２６，２７ 低圧側接触ピン（第二接触ピン）
２５Ｅ，２６Ｅ，２７Ｅ 第二接触ピン
３１，３１Ｅ 中継端子ユニット
３２，３３，３４ 高圧側中継端子（第一中継端子）
３２Ｅ，３３Ｅ，３４Ｅ 第一中継端子
３５，３６，３７ 低圧側中継端子（第二中継端子）
３５Ｅ，３６Ｅ，３７Ｅ 第二中継端子
４１，４１Ｅ 配線部
１００ 半導体装置
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ 回路モジュール
１０２ 高圧側回路ユニット（第一回路ユニット）
１０３ 低圧側回路ユニット（第二回路ユニット）
１０４，１０５ 半導体素子
１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１，１１２ リード
２００ 半導体装置
２０１，２０１Ａ，２０１Ｂ，２０１Ｃ 回路モジュール
２０２ 第一回路ユニット
２０３ 第二回路ユニット
２０４，２０５ 半導体素子
２０６，２０７，２０８，２０９，２１０，２１１，２１２ リード

Claims (7)

1. 半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置の検査に用いる検査装置であって、
   一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続される測定子を有し、前記回路ユニットと電気接続された状態で前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測器と、
   前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動手段と、
   を備え、
   前記回路ユニットが、前記半導体素子に接続された前記リードを複数有し、
   前記計測器が、一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに個別に電気接続される複数の前記測定子を有し、
   少なくとも第一回路ユニットにおける複数の前記リードの相対的な配列が、第二回路ユニットにおける複数の前記リードの相対的な配列と異なり、
   前記計測器と前記半導体装置との間に配され、前記測定子と前記リードとを電気的に接続させる中間コンタクタを、さらに備え、
   前記中間コンタクタは、複数の前記リードに個別に接触させる複数の接触ピンと、複数の前記測定子に個別に接触させる複数の中継端子と、複数の前記接触ピンと複数の前記中継端子とを個別に電気接続する複数の配線部と、を有し、
   前記第一回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第一接触ピンに接続された複数の第一中継端子の相対的な位置と、前記第二回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第二接触ピンに接続された複数の第二中継端子の相対的な位置とが、互いに等しく、
   前記移動手段は、前記接触ピンを前記リードに接触させた状態で、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを相対的に移動させる半導体装置の検査装置。
2. 前記複数の第一中継端子の配列パターンの向きが、前記複数の第二中継端子の配列パターンの向きに対して、前記計測器、前記中間コンタクタ及び前記半導体装置の配列方向を軸として所定角度だけ異なっており、
   前記移動手段は、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを、前記軸を中心に相対的に回転させる請求項１に記載の半導体装置の検査装置。
3. 前記複数の第一中継端子の配列パターンの向きが、前記複数の第二中継端子の配列パターンの向きと等しい請求項１に記載の半導体装置の検査装置。
4. 半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置の検査に用いる検査装置であって、
   一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続される測定子を有し、前記回路ユニットと電気接続された状態で前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測器と、
   前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動手段と、
   を備え、
   前記回路ユニットが、前記半導体素子に接続された前記リードを複数有し、
   一つの前記計測器が、一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに個別に接触して電気接続される複数の前記測定子を有し、
   前記半導体装置が、複数の前記リードの相対的な配列が互いに異なる複数種類の前記回路ユニットを有し、
   各種類の前記回路ユニットの複数の前記リードの配列パターンに対応する複数種類の前記計測器を備える半導体装置の検査装置。
5. 前記移動手段は、前記半導体装置を移動させ、
   前記計測器の位置は、固定されている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の検査装置。
6. 半導体素子及び前記半導体素子に接続されたリードを含む回路ユニットを複数備える半導体装置を検査する半導体装置の検査方法であって、
   計測器の測定子を一つの前記回路ユニットの前記リードに電気接続させて、前記計測器により前記回路ユニットの電気的特性を計測する計測工程と、
   前記計測器と前記半導体装置とを相対的に移動させて、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える移動工程と、繰り返し実施し、
   前記計測工程及び前記移動工程の前に、
   前記半導体装置の複数の前記リードに個別に接触させる複数の接触ピンと、前記計測器の複数の前記測定子に個別に接触させる複数の中継端子と、複数の前記接触ピンと複数の前記中継端子とを個別に電気接続する複数の配線部と、を有し、前記半導体装置の第一回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第一接触ピンに接続された複数の第一中継端子の相対的な位置と、前記半導体装置の第二回路ユニットの複数の前記リードに接触させる複数の第二接触ピンに接続された複数の第二中継端子の相対的な位置とが、互いに等しい中間コンタクタを用意する準備工程と、
   前記中間コンタクタの複数の前記接触ピンを、前記半導体装置の複数の前記リードに接触させるコンタクタ接続工程と、を順番に実施し、
   前記計測工程において、前記計測器の複数の前記測定子を、前記中間コンタクタのうち一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに電気接続された複数の前記中継端子に接触させることで、複数の前記測定子を一つの前記回路ユニットの複数の前記リードに電気接続させ、
   前記移動工程において、前記接触ピンを前記リードに接触させた状態で、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを相対的に移動させることで、前記計測器に接続される前記回路ユニットを切り換える半導体装置の検査方法。
7. 前記複数の第一中継端子の配列パターンの向きが、前記複数の第二中継端子の配列パターンの向きに対して、前記計測器、前記中間コンタクタ及び前記半導体装置の配列方向を軸として所定角度だけ異なっており、
   前記移動工程において、前記計測器と前記中間コンタクタ及び前記半導体装置とを、前記軸を中心に相対的に回転させる請求項６に記載の半導体装置の検査方法。

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