JP2018021801A - 半導体素子の検査装置 - Google Patents
半導体素子の検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018021801A JP2018021801A JP2016152230A JP2016152230A JP2018021801A JP 2018021801 A JP2018021801 A JP 2018021801A JP 2016152230 A JP2016152230 A JP 2016152230A JP 2016152230 A JP2016152230 A JP 2016152230A JP 2018021801 A JP2018021801 A JP 2018021801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin
- back surface
- pins
- semiconductor element
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
【課題】検査精度を向上させる半導体素子の検査装置を提供する。【解決手段】裏面が電極とされた基板21を備える半導体素子の検査装置であって、半導体素子が載置されるステージ11と、ステージ11に形成された孔112、112a、112bを通って裏面に接触する第1ピンおよび第2ピンを含む複数のピン12と、裏面から出力される信号を複数のピン12を介して検出する検出部13と、を備え、検出部13は、裏面のうち第1ピンが接触する部分から出力される信号と、第2ピンが接触する部分から出力される信号とを個別に検出する。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子の検査装置に関するものである。
裏面が電極とされた縦型半導体素子の検査装置として、例えば特許文献1では、半導体素子の裏面に複数のセンスピンが接触し、半導体素子に電圧が印加されたときの電流信号がセンスピンを介してテスターに送信される検査装置が提案されている。この検査装置では、センスステージの上面に複数のセンスピンが固定されており、センスステージを押し上げることにより、複数のセンスピンがステージの上面側に押し出され、半導体素子の裏面の外周部に接触する。また、複数のセンスピンは、センスピンとテスターとの間に配置されたセンスブロックを介して互いに電気的に接続されている。
しかしながら、特許文献1に記載の検査装置のように、センスステージの上面に複数のセンスピンが固定された構成では、複数のセンスピンはステージの上面側にまとめて押し出され、半導体素子の裏面に同時に接触する。そして、複数のセンスピンが半導体素子の裏面に同時に接触するように配置され、かつ、センスブロックを介して互いに電気的に接続された構成では、半導体素子の裏面のうち各センスピンが接触する部分の電位等を個別に検出することができない。そのため、このような構成では、裏面の一部において酸化や異物の付着などにより表面状態が変化した場合や、センスピンの接触状態にばらつきが生じた場合に異常を検出することが困難であり、検査精度が低下する。
また、例えば三相モータの駆動に用いられるインバータ回路等では、各相を構成する複数の半導体素子の特性にばらつきがあると、回路の発振によって半導体素子が破壊されるおそれがある。したがって、半導体素子の破壊を抑制するために、半導体素子の特性の検査において検査精度を向上させて、各相を構成する複数の半導体素子の特性を揃える必要がある。
しかしながら、半導体素子の裏面の外周部にセンスピンを接触させて電位等を検出する場合、中央部にセンスピンを接触させる場合に比べて裏面の電位等の検出精度が低下し、半導体素子の特性の検査において検査精度が低下する。
本発明は上記点に鑑みて、検査精度を向上させる半導体素子の検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、裏面(212)が電極とされた基板(21)を備える半導体素子の検査装置であって、半導体素子が載置されるステージ(11)と、ステージに形成された孔(112、112a、112b)を通って裏面に接触する第1ピン(12e)および第2ピン(12f)を含む複数のピン(12)と、裏面から出力される信号を複数のピンを介して検出する検出部(13)と、を備え、検出部は、裏面のうち第1ピンが接触する部分から出力される信号と、第2ピンが接触する部分から出力される信号とを個別に検出する。
これによれば、検出部が、半導体素子のうち各ピンが接触する部分から出力される信号を個別に検出するので、表面状態の異常、および、ピンの接触状態のばらつきの検出が容易になり、検査精度を向上させることができる。
例えば、請求項2に記載したように、位置調整部(14)により第1ピンと第2ピンとを個別に変位させることで、第1ピンが接触する部分から出力される信号と、第2ピンが接触する部分から出力される信号とを個別に検出することができる。
また、請求項7に記載の発明では、裏面(212)が電極とされた基板(21)を備える半導体素子の検査装置であって、半導体素子が載置されるステージ(11)と、ステージに形成された孔(112、112a、112b)を通って裏面に接触する第1ピン(12a)および第2ピン(12b)を含む複数のピン(12)と、裏面から出力される信号を複数のピンを介して検出する検出部(13)と、を備え、第1ピンは裏面の中央部に接触し、第2ピンは裏面の外周部に接触する。
これによれば、第1ピンを介して裏面の中央部から出力される信号を検出し、第2ピンを介して裏面の外周部から出力される信号を検出することができるので、検査精度を向上させることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態の半導体素子の検査装置は、裏面が電極とされた縦型半導体素子の検査に用いられるものである。
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態の半導体素子の検査装置は、裏面が電極とされた縦型半導体素子の検査に用いられるものである。
図1〜3に示すように、本実施形態の半導体装置の検査装置10(以下、単に検査装置10という)は、ステージ11と、ピン12と、検出部13と、位置調整部14とを備えている。
ステージ11は、検査対象である半導体素子20が載置されるものである。半導体素子20は、Si等で構成された基板21を備えるパワーデバイス等の縦型半導体素子であり、基板21の表面211には電極および制御用のパッドが形成され、裏面212は電極とされている。
半導体素子20は、基板21の裏面212がステージ11に接するように載置される。半導体素子20を検査する際には、基板21の表面211に形成されたパッドに、図示しないプローブ針が接触する。このプローブ針およびステージ11は図示しない電源に接続されており、この電源からプローブ針およびステージ11を介して半導体素子20に電圧が印加される。
本実施形態では、半導体素子20は矩形板状とされており、ステージ11のうち半導体素子20が載置される領域111は、基板21の裏面212の形状に対応して、矩形状とされている。
ステージ11には、ステージ11を貫通する複数の孔112が形成されており、孔112は図示しない真空ポンプに連結されている。そして、半導体素子20がステージ11に載置された状態で真空ポンプが起動すると、孔112を介して半導体素子20が真空吸着され、ステージ11に固定される。
本実施形態では、孔112は、ステージ11のうち裏面212の中央部に対応する位置、すなわち、領域111の中央部と、裏面212の外周部に対応する位置、すなわち、領域111の外周部に形成されている。孔112のうち、領域111の中央部に形成されたものを孔112a、領域111の外周部に形成されたものを孔112bとする。孔112aは1つ形成されており、孔112bは領域111の4つの角部それぞれに形成されている。
孔112の内部には、棒状のピン12が配置されている。検査装置10は複数のピン12を備えており、それぞれの孔112に1つのピン12が配置されている。ピン12のうち、孔112aの内部に配置されたものをピン12a、孔112bの内部に配置されたものをピン12bとする。ピン12a、12bはそれぞれ第1ピン、第2ピンに相当する。
ピン12は、検出部13に接続されており、検出部13は、ピン12を介して、裏面212から出力される信号を検出する。本実施形態では、検出部13は裏面212の電位を検出する。また、ピン12は、ステージ11の下方に配置された位置調整部14に接続されており、位置調整部14は、図示しないモータ等によってピン12を孔112の内部においてステージ11の厚み方向に変位させる。
本実施形態では、位置調整部14は、各ピン12を個別に変位させる。したがって、裏面212に接触するピン12を切り替え、裏面212のうち検出部13に電位が入力される部分を切り替えることが可能となる。これにより、検出部13は、裏面212のうち各ピン12が接触する部分の電位を個別に検出することができる。
検査装置10を用いた半導体素子20の検査方法について説明する。まず、半導体素子20が領域111に載置され、図示しない真空ポンプが孔112を介して半導体素子20を真空吸着し、ステージ11に固定する。また、表面211に形成されたパッドに図示しないプローブ針が接触し、このプローブ針とステージ11を介して、図示しない電源から半導体素子20に電圧が印加される。
そして、位置調整部14が孔112の内部に配置された複数のピン12を変位させ、1つのピン12を裏面212に接触させ、他のピン12を裏面212から離す。検出部13は、裏面212に接触しているピン12を介して裏面212の電位を検出し、半導体素子20の評価を行う。
位置調整部14は、各ピン12を交互に裏面212に接触させ、検出部13は、各ピン12を介して入力される信号に基づいて裏面212の電位を検出する。検出部13は、入力されたすべての信号が所定の範囲内にある場合に、検査中の半導体素子20が良チップであると判定し、少なくとも1つの入力信号が所定の範囲内にない場合に、検査中の半導体素子20が不良チップであると判定する。
裏面212の一部において酸化や異物の付着などにより表面状態が変化した場合や、ピン12の接触状態にばらつきが生じた場合、裏面212からピン12を介して検出部13に出力される信号にばらつきが生じることがある。このとき、例えば複数のピン12が短絡され、かつ、裏面212に同時に接触するように配置されていると、各ピン12が接触する部分の電位を個別に検出することができないため、表面状態の異常や、ピン12の接触状態のばらつきを検出することが困難である。
これに対して、本実施形態では、上記のように複数のピン12および位置調整部14を配置して、半導体素子20のうち各ピン12が接触する部分の電位を個別に検出している。これにより、出力信号のばらつきから表面状態の異常、および、ピン12の接触状態のばらつきを検出することが容易になり、検査精度を向上させることができる。
また、半導体素子20に使用時と同様の電流を流して検査を行うことが好ましく、例えば使用時に数百Aの大電流が流されるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のパワーデバイスについては、大電流を流して検査を行うことが好ましい。このような大電流を用いる場合に、裏面212の中央部から離れた外周部でのみ電位を検出すると、測定値のばらつきが大きくなる。これに対して、本実施形態では、ピン12aを介して裏面212の中央部の電位を検出しているので、測定値のばらつきを抑制し、検査精度をさらに向上させることができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してピン12の配置を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してピン12の配置を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図4に示すように、本実施形態では、ピン12は、ステージ11のうち、基板21のアクティブ領域213に対応する部分に配置されている。具体的には、この部分の4つの角部にそれぞれピン12が配置されている。アクティブ領域213には複数のセルが形成されており、アクティブ領域213の外側の領域においては、表面211にパッド22が形成されている。
このようにピン12を配置し、アクティブ領域213における裏面212の電位を検出することにより、半導体素子20の単位セル当たりの特性を高精度に測定することができる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してピン12の配置を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してピン12の配置を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図5に示すように、本実施形態では、ピン12は、ステージ11のうち、アクティブ領域213に対応する部分に加え、アクティブ領域213の外側の領域に対応する部分にも配置されている。
ステージ11のうちアクティブ領域213に対応する部分に配置されたピン12をピン12cとし、ステージ11のうちアクティブ領域213の外側の領域に対応する部分に配置されたピン12をピン12dとする。本実施形態では、ピン12cおよびピン12dがそれぞれ複数配置されている。検出部13は、ピン12cを介してアクティブ領域213の電位を検出し、ピン12dを介してアクティブ領域213の外側の領域の電位を検出する。
このようにピン12を配置して裏面212の電位を検出することにより、アクティブ領域213の外側の領域を含む半導体素子20全体の特性を測定することができる。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して半導体素子20の構成、および、ピン12の配置を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して半導体素子20の構成、および、ピン12の配置を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本実施形態では、半導体素子20は、複数の機能、および、複数の機能に対応した複数の領域を有している。具体的には、基板21にIGBTとFWD(Free Wheeling Diode)とが形成されており、図6に示すように、基板21には、IGBTが形成されたIGBT領域214と、FWDが形成されたFWD領域215とが、それぞれ複数形成されている。IGBT領域214、FWD領域215は、それぞれ直線状とされ、ストライプ状に交互に並んでいる。
ピン12は、ステージ11のうち、IGBT領域214、FWD領域215に対応する部分に、それぞれ配置されている。ステージ11のうちIGBT領域214に対応する部分に配置されたピン12をピン12eとし、ステージ11のうちFWD領域215に対応する部分に配置されたピン12をピン12fとする。本実施形態では、1つのIGBT領域214に対して複数のピン12eが配置され、1つのFWD領域215に対して複数のピン12fが配置されている。
検出部13は、ピン12eから入力された信号に基づいてIGBT領域214のオン電圧、ゲート電圧を検出し、ピン12fから入力された信号に基づいてFWD領域215のオン電圧を検出する。ピン12e、12fはそれぞれ第1ピン、第2ピンに相当し、IGBT領域214、FWD領域215はそれぞれ第1領域、第2領域に相当する。
このようにピン12を配置することにより、IGBT領域214とFWD領域215から出力される信号を個別に検出し、各領域の特性を個別に測定することができる。
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してピン12と検出部13との接続方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してピン12と検出部13との接続方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図7に示すように、本実施形態では、検査装置10はスイッチ部15を備えており、複数のピン12と検出部13はスイッチ部15を介して接続されている。そして、スイッチ部15は、検出部13に接続されるピン12を切り替える。具体的には、複数のピン12のうち、1つのピン12が検出部13に接続されているとき、他のピン12は検出部13と電気的に絶縁される。
本実施形態では、検出部13に接続されるピン12をスイッチ部15によって切り替えることにより、裏面212のうち各ピン12が接触する部分の電位を個別に検出し、第1実施形態と同様に検査精度を向上させることができる。
(他の実施形態)
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、検出部13に複数の入力端子を設け、各入力端子にピン12を接続するとともに、複数のピン12が互いに電気的に絶縁された状態とすることにより、裏面212のうち各ピン12が接触する部分の電位を個別に検出してもよい。なお、複数のピン12が互いに電気的に絶縁された状態とは、ここでは、1つのピン12が裏面212から離されたとき、このピン12が他のピン12と電気的に絶縁される状態をいう。
また、上記第1実施形態において、検査装置10がピン12aを備えず、ピン12が領域111の外周部にのみ配置されていてもよい。
また、上記第1実施形態において、複数のピン12が、裏面212に接触する先端部とは反対側において短絡されていてもよい。さらに、位置調整部14が複数のピン12を同時に裏面212に接触させてもよい。このような構成においても、ピン12a、12bを介して裏面212の中央部、外周部の電位が検出部13に入力されるため、裏面212の電位を従来よりも高精度に検出することができる。したがって、検査精度を向上させることができる。
また、複数のピン12のうち、一部のピン12が、半導体素子20に接触する先端部とは反対側において短絡されていてもよい。例えば、上記第4実施形態において、複数のピン12eが短絡されていてもよく、複数のピン12fが短絡されていてもよい。また、検出部13が、裏面212のうち、一部のピン12が接触する部分の電位のみを個別に検出してもよい。
また、半導体素子20が複数形成されたウェハをステージ11に載置して、半導体素子20の検査を行ってもよい。また、一部の孔112にのみピン12が配置されていてもよい。また、ステージ11に孔112とは別の孔を形成し、この孔の内部にピン12を配置してもよい。
11 ステージ
12 ピン
13 検出部
21 基板
212 裏面
12 ピン
13 検出部
21 基板
212 裏面
Claims (9)
- 裏面(212)が電極とされた基板(21)を備える半導体素子の検査装置であって、
前記半導体素子が載置されるステージ(11)と、
前記ステージに形成された孔(112、112a、112b)を通って前記裏面に接触する第1ピン(12e)および第2ピン(12f)を含む複数のピン(12)と、
前記裏面から出力される信号を前記複数のピンを介して検出する検出部(13)と、を備え、
前記検出部は、前記裏面のうち前記第1ピンが接触する部分から出力される信号と、前記第2ピンが接触する部分から出力される信号とを個別に検出する半導体素子の検査装置。 - 前記複数のピンを前記孔の内部において前記ステージの厚み方向に変位させる位置調整部(14)を備え、
前記位置調整部は、前記第1ピンと前記第2ピンとを個別に変位させる請求項1に記載の半導体素子の検査装置。 - 前記複数のピンのうち前記検出部に接続されるピンを切り替えるスイッチ部(15)を備える請求項1または2に記載の半導体素子の検査装置。
- 前記第1ピンおよび前記第2ピンのいずれか一方が前記裏面から離された状態では、前記第1ピンおよび前記第2ピンは、互いに電気的に絶縁されている請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。
- 前記半導体素子は、複数の機能、および、前記複数の機能に対応した複数の領域を有しており、
前記第1ピンは、前記複数の領域の1つである第1領域(214)に接触し、
前記第2ピンは、前記複数の領域のうち前記第1領域とは異なる第2領域(215)に接触する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。 - 前記第1ピンまたは前記第2ピンを複数備える請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。
- 裏面(212)が電極とされた基板(21)を備える半導体素子の検査装置であって、
前記半導体素子が載置されるステージ(11)と、
前記ステージに形成された孔(112、112a、112b)を通って前記裏面に接触する第1ピン(12a)および第2ピン(12b)を含む複数のピン(12)と、
前記裏面から出力される信号を前記複数のピンを介して検出する検出部(13)と、を備え、
前記第1ピンは前記裏面の中央部に接触し、
前記第2ピンは前記裏面の外周部に接触する半導体素子の検査装置。 - 前記検出部は、前記裏面のうち前記第1ピンが接触する部分から出力される信号と、前記第2ピンが接触する部分から出力される信号とを個別に検出する請求項7に記載の半導体素子の検査装置。
- 前記第1ピンと前記第2ピンとが短絡されている請求項7に記載の半導体素子の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016152230A JP2018021801A (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 半導体素子の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016152230A JP2018021801A (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 半導体素子の検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018021801A true JP2018021801A (ja) | 2018-02-08 |
Family
ID=61165557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016152230A Pending JP2018021801A (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 半導体素子の検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018021801A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54146581A (en) * | 1978-05-09 | 1979-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | Electric chracteristic measuring device for semiconductor chip |
JPS5883153U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | ウエ−ハ検査装置 |
JPH0233437U (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | ||
JP2002164394A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Umc Japan | 半導体用プローブおよびプローブカード |
JP2004184249A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
JP2012163515A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | 半導体検査装置 |
JP2014013181A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Nidec-Read Corp | 配線構造及び基板検査装置 |
JP2016029710A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-03-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-08-02 JP JP2016152230A patent/JP2018021801A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54146581A (en) * | 1978-05-09 | 1979-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | Electric chracteristic measuring device for semiconductor chip |
JPS5883153U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | ウエ−ハ検査装置 |
JPH0233437U (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | ||
JP2002164394A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Umc Japan | 半導体用プローブおよびプローブカード |
JP2004184249A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
JP2012163515A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | 半導体検査装置 |
JP2014013181A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Nidec-Read Corp | 配線構造及び基板検査装置 |
JP2016029710A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-03-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101389251B1 (ko) | 프로브 장치 | |
US8159245B2 (en) | Holding member for inspection, inspection device and inspecting method | |
JP5947647B2 (ja) | プローブカード、及び検査装置 | |
KR100810550B1 (ko) | 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 검사 방법 및 검사장치 | |
JP6520356B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
CN109557376B (zh) | 电阻测定装置、基板检查装置以及电阻测定方法 | |
JP2007040926A (ja) | プローバ | |
CN113539870B (zh) | 测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法 | |
US10068815B2 (en) | Test structure for testing via resistance and method | |
JP2018021801A (ja) | 半導体素子の検査装置 | |
CN110023768B (zh) | 电阻测量装置和电阻测量方法 | |
JP2018146444A (ja) | プローバ | |
JP2021056100A (ja) | 半導体試験装置、半導体装置の試験方法および半導体装置の製造方法 | |
JP5444731B2 (ja) | 半導体装置とその検査方法 | |
CN107068738B (zh) | 电装置及用于制造电装置的方法以及用于车辆的控制装置 | |
JP4983174B2 (ja) | ダイオード素子およびダイオード素子の検査方法 | |
KR20090068602A (ko) | Eds 장치 및 니들 평탄도 측정 방법 | |
JP6007507B2 (ja) | トレンチゲート型mos半導体装置のトレンチ平均深さおよびスイッチング特性の評価方法および半導体チップの選別方法 | |
JP2018198512A (ja) | 検査システム | |
JP2002100776A (ja) | 電圧駆動型パワー素子 | |
CN113341294A (zh) | 晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置 | |
US9410921B2 (en) | Method for testing a CMOS transistor | |
CN105304515A (zh) | 用于测试半导体管芯的方法和测试装置 | |
JP2015121450A (ja) | 治具 | |
JP6201383B2 (ja) | 半導体測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200317 |