KR101389251B1 - 프로브 장치 - Google Patents

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Abstract

파워 디바이스의 정특성 및 동특성(스위칭 특성)을 웨이퍼 레벨에서 확실하게 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. 본 발명의 프로브 장치(10)는, 다이오드를 포함하는 파워 디바이스가 복수 형성된 반도체 웨이퍼 W를 탑재하는 이동 가능한 탑재대(12)와, 탑재대(12)의 위쪽에 배치된 프로브 카드(13)와, 적어도 탑재대(12)의 윗면에 형성된 도체막과 반도체 웨이퍼 W의 이면에 형성된 도체층이 도통하는 상태에서 반도체 웨이퍼 W에 프로브(13A)를 전기적으로 접촉시켜 파워 디바이스의 전기적 특성을 웨이퍼 레벨에서 측정하는 테스터(15)를 구비하고, 프로브 카드(13)의 외주연부에 도통핀(14)을 마련하고, 파워 디바이스의 전기적 특성을 웨이퍼 레벨에서 측정시에, 도통핀(14)을 통해 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극)과 테스터(15)를 전기적으로 접속한다.

Description

프로브 장치{PROBE APPARATUS}
본 발명은, 파워 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 프로브 장치에 관한 것이고, 더 자세하게는, 예컨대 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT), 다이오드로 대표되는 파워 디바이스의 전기적 특성을 웨이퍼 레벨에서 측정할 수 있는 프로브 장치에 관한 것이다.
파워 디바이스는, 다양한 전원이나 자동차의 전자 장치 관련의 스위칭 소자 등으로서, 혹은 산업 기기의 전자 장치 관련의 스위칭 소자 등으로서의 범용성이 높아지고 있다. 파워 디바이스는, 통상의 반도체 소자와 비교하여 내압이 높고, 전류가 크고, 고속이며, 주파수가 높다. 파워 디바이스로서는, IGBT, 다이오드, 파워 트랜지스터, 파워 MOS-FET, 사이리스터 등이 있다. 이러한 파워 디바이스는, 각각의 정특성이나 동특성(스위칭 특성)에 대한 전기적 특성 검사가 행해진 후, 각각 용도에 따라 전자 부품으로서 실장된다.
다이오드는, 예컨대 파워 MOS-FET와 병렬 접속하여 모터 등의 스위칭 소자로서 이용된다. 다이오드는, 애노드와 캐소드의 접합부에 공핍층이 있고, 이 공핍층에 의해 다이오드의 본래의 스위치 기능이 저하되는 경우가 있다. 특히, 다이오드는, 전류 IF가 흐르고 있을 때에 역전압을 인가하면, 예컨대 도 13에 실선(이상치)으로 나타내는 바와 같이 전류가 급격하게 내려가 0점에 달한다. 그러나, 실제로는 공핍층에 소량의 캐리어가 잔존하고 있기 때문에, 이 상태에서 전압을 인가하면 도 13에 실선으로 나타내는 바와 같이 큰 역전류 IR이 흘러 최대의 역전류치 Irp에 달한 후, 0점까지 복귀한다. 최대의 역전류치 Irp로부터 그 1/10의 전류치로 회복될 때까지의 시간이 역회복 시간(Reverse-Recovery-Time) trr로서 정의되고 있다. 다이오드의 스위칭 특성으로서는 역회복 시간이 짧은 쪽이 바람직하다. 또한, 역회복 시간이 긴 경우에는, 사용 조건에 따라 다이오드가 파괴되는 경우가 있다. 또한, 역전류의 전류 변화(di/dt)가 급격할수록 전류도 커져, 다이오드가 파괴되기 쉽고, 이러한 파괴가 di/dt 파괴라고 칭해지고 있다. 이러한 것으로부터 전류 전환시에 발생하는 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 전용 측정기에 다이오드를 하나씩 장착하여 측정하고, 개개의 스위칭 소자로서의 다이오드의 신뢰성을 평가하고 있다.
그래서, 본 출원인은, 예컨대 도 14에 나타내는 프로브 장치를 이용하여 복수의 파워 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼를, 웨이퍼 상태인 채로 개개의 파워 디바이스에 포함되는 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정하는 방법에 대해 다양하게 검토했다. 도 14에 나타내는 프로브 장치(110)는, 반도체 웨이퍼를 반송하는 로더실(도시하지 않음)과, 로더실로부터 반송된 반도체 웨이퍼의 전기적 특성 검사를 행하는 프로버실(111)을 구비하고, 파워 디바이스의 전기적 특성 검사를 웨이퍼 상태에서 행하도록 구성되어 있다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 프로버실(111)에는 반도체 웨이퍼 W를 탑재하는 이동 가능한 탑재대(112)와, 탑재대(112)의 위쪽에 배치된 프로브 카드(113)를 구비하고 있다. 탑재대(112)의 표면에는 금 등의 도전성 금속으로 이루어지는 도체막 전극이 형성되고, 이 도체막 전극이 케이블(114)을 통해 테스터(115)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 프로브 카드(113)는, 반도체 웨이퍼 W의 전극 패드 각각에 있어서 켈빈 접속되는 복수의 프로브쌍(113A)을 갖고, 프로브쌍(113A)이 각각의 포스선(116F)과 센스선(116S)을 통해 테스터(115)에 전기적으로 접속되어 있다. 프로브쌍(113A)이 켈빈 접속되는 것에 의해, 전극 패드와의 접촉 저항이나 각 선(116F, 116S)의 내부 저항에 의한 측정 오차를 해소할 수 있다.
반도체 웨이퍼 W에는 상술한 바와 같이 복수의 파워 디바이스가 형성되어 있다. 복수의 파워 디바이스는 각각 예컨대 병렬 접속된 MOS-FET(혹은 IGBT)와 다이오드를 갖고, 스위칭 소자로서 사용되고 있다. 반도체 웨이퍼 W의 윗면에는 MOS-FET의 게이트 전극과 소스 전극이 형성되고, 아랫면에는 드레인 전극이 형성되어 있다. 이 드레인 전극과 접촉하는 탑재대(112)의 도체막 전극도 드레인 전극이 된다. 이 드레인 전극에 접속되어 있는 케이블(114)은, 포스선(114F) 및 센스선(114S)을 갖고, 탑재대(112)의 도체막 전극에 있어서 켈빈 접속된 상태로 테스터(115)에 접속되어 있다. 또, IGBT의 경우에는, 각 전극이 게이트 전극, 콜렉터 전극 및 이미터 전극으로서 구성되어 있다.
프로브 장치(110)를 이용하여 파워 디바이스의 스위치 특성을 웨이퍼 상태에서 측정할 때에는, 반도체 웨이퍼 W가 탑재된 탑재대(112)를 이동시켜, 탑재대(112)상의 반도체 웨이퍼 W와 복수의 프로브쌍(113A)을 전기적으로 접촉시키고, 게이트 G측의 프로브쌍(113A)을 통해 파워 디바이스를 온하면, 파워 디바이스의 게이트 전극에 대한 인가 전압에 근거하여 드레인 전극(콜렉터 전극)의 케이블(114)로부터 소스 전극(이미터 전극)으로 전류가 흐른다.
그런데, 탑재대(112)의 드레인 전극(콜렉터 전극)과 테스터(115)를 접속하는 케이블(114)이 길어서, 케이블(114)에서의 인덕턴스가 커지고, 예컨대, 케이블 10㎝당 100nH의 인덕턴스가 증가하기 때문에, 프로브 장치(110)를 이용한 마이크로세컨드 단위로 전류 변화(di/dt)를 측정하면, 도 13에 파선(현재치)으로 나타내는 바와 같이 전류 변화가 작고 이상치로부터 크게 벗어나, 종래의 프로브 장치(110)에서는 다이오드의 본래의 전류 변화(di/dt)를 정확하게 측정하는 것이 곤란하고, 경우에 따라서는 파손되는 경우조차 있는 것을 알았다. 또한, 파워 디바이스의 턴오프시에 드레인 전극(콜렉터 전극)과 소스 전극(이미터 전극) 사이에 비정상적인 서지 전압이 걸려, 파워 디바이스를 파손하는 경우도 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 파워 디바이스의 정특성 및 동특성(스위칭 특성)을 웨이퍼 레벨에서 확실하게 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 1에 기재된 프로브 장치는, 다이오드를 포함하는 파워 디바이스가 복수 형성된 피검사체를 탑재하는 이동 가능한 탑재대와, 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 복수의 프로브를 갖는 프로브 카드와, 적어도 상기 탑재대의 탑재면에 형성된 도체막 전극과 이것에 탑재된 상기 피검사체의 이면에 형성된 도체층이 도통하는 상태에서 상기 피검사체에 상기 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하는 측정부를 구비한 프로브 장치로서, 상기 파워 디바이스의 전기적 특성의 측정시에, 상기 탑재대의 상기 도체막 전극과 상기 측정부를 전기적으로 접속하는 도통 부재를 상기 프로브 카드의 외주연부와 상기 탑재대의 외주연부에 개재시킨 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 2에 기재된 프로브 장치는, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 부재가 상기 프로브 카드에 마련되고, 상기 탑재대의 상기 도체막 전극과 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 3에 기재된 프로브 장치는, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 부재는 탄력을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 4에 기재된 프로브 장치는, 청구항 1~청구항 3에 기재된 발명에 있어서, 상기 프로브 및 상기 도통 부재는, 모두 상기 측정부에 대하여 켈빈 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 5에 기재된 프로브 장치는, 청구항 1~청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 탑재대의 상기 도체막 전극이 측정 전극으로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 6에 기재된 프로브 장치는, 청구항 1~청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 탑재대는, 온도 조절 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 청구항 7에 기재된 프로브 장치는, 다이오드를 포함하는 파워 디바이스가 복수 형성된 피검사체를 탑재하는 이동 가능한 탑재대와, 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 복수의 프로브를 갖는 프로브 카드와, 상기 탑재대의 탑재면 및 주면(周面)에 형성된 도체막 전극과 이것에 탑재된 상기 피검사체의 이면에 형성된 도체층이 도통하는 상태에서 상기 피검사체에 상기 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하는 측정부를 구비한 프로브 장치로서, 상기 파워 디바이스의 전기적 특성의 측정시에, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극과 상기 측정부를 전기적으로 접속하는 도통 기구를 마련한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 8에 기재된 프로브 장치는, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 기단부(基端部)가 접속된 리드 도체와, 상기 리드 도체의 선단부(先端部)에 도통 가능하게 형성된 접속 단자와, 상기 프로브 카드와 상기 탑재대의 사이에 개재되는 도체와, 상기 도체에 대하여 상기 접속 단자를 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 9에 기재된 프로브 장치는, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 기단부가 접속되고 상기 탑재대의 상기 주면을 따라 복수 마련된 리드 도체와, 상기 복수의 리드 도체 각각의 선단부에 도통 가능하게 형성된 복수의 접속 단자와, 상기 프로브 카드와 상기 탑재대의 사이에 개재되는 링 형상의 도체와, 상기 링 형상의 도체에 대하여 상기 복수의 접속 단자를 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 복수의 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 10에 기재된 프로브 장치는, 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 발명에 있어서, 상기 액추에이터는, 상기 접속 단자를 요동시키는 요동 기구로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 11에 기재된 프로브 장치는, 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 발명에 있어서, 상기 액추에이터는, 상기 접속 단자를 승강시키는 승강 기구로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 12에 기재된 프로브 장치는, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에, 상기 도체막 전극과 도통 가능하게 승강하는 원통형 도체와, 상기 원통형 도체에 둘레 방향으로 소정 간격을 두고 복수 마련된 접속 단자와, 상기 원통형 도체와 상기 프로브 카드의 사이에 개재되는 링 형상의 도체와, 상기 링 형상의 도체에 대하여 상기 원통형 도체를 승강시켜 상기 복수의 접속 단자를 각각 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 13에 기재된 프로브 장치는, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 전기적으로 접속되고 상기 탑재대의 둘레 방향으로 서로 180° 거리를 둔 위치에 마련된 한 쌍의 접촉자와, 상기 한 쌍의 접촉자가 전기적으로 접촉하도록 상기 탑재대와 상기 프로브 카드 사이에 개재되는 한 쌍의 분할 도체를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 14에 기재된 프로브 장치는, 청구항 13에 기재된 발명에 있어서, 상기 접촉자는, 인가 전압에 따라 조정 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 의하면, 파워 디바이스의 정특성 및 동특성(스위칭 특성)을 웨이퍼 레벨에서 확실하게 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 프로브 장치의 일 실시 형태를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 프로브 장치를 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 프로브 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 도 2에 상당하는 개념도이다.
도 4의 (a), (b)는 각각 도 3에 나타내는 프로브 장치의 요부인 도통 기구를 구체적으로 나타내는 도면으로, (a)는 검사 전의 상태를 나타내는 측면도, (b)는 검사시 상태를 나타내는 측면도이다.
도 5의 (a)~(d)는 모두 도 4에 나타내는 도통 기구의 변형예를 나타내는 도 4에 상당하는 측면도이다.
도 6은 본 발명의 프로브 장치의 또 다른 실시 형태의 요부를 나타내는 측면도이다.
도 7의 (a), (b)는 각각 본 발명의 프로브 장치의 또 다른 실시 형태의 요부를 나타내는 측면도로, (a)는 검사 전의 상태를 나타내는 측면도, (b)는 검사시의 상태를 나타내는 측면도이다.
도 8의 (a), (b)는 각각 본 발명의 프로브 장치의 또 다른 실시 형태의 요부를 나타내는 측면도로, (a)는 검사 전의 상태를 나타내는 측면도, (b)는 검사시의 상태를 나타내는 측면도이다.
도 9는 본 발명의 프로브 장치의 또 다른 실시 형태의 요부를 나타내는 측면도이다.
도 10의 (a), (b)는 각각 도 9에 나타내는 프로브 장치의 접속 단자를 나타내는 도면으로, (a)는 측면도, (b)는 정면도이다.
도 11의 (a)~(c)는 각각 도 9에 나타내는 프로브 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼의 전기적 특성 검사를 설명하기 위한 측면도이다.
도 12의 (a), (b)는 도 9에 나타내는 프로브 장치를 이용하여 파워 디바이스의 스위칭 특성을 나타내는 전압 및 전류의 측정치를 나타내는 그래프로, (a)는 도 9에 나타내는 프로브 장치에 의한 측정치, (b)는 도 14에 나타내는 프로브 장치에 의한 계산치이다.
도 13은 다이오드의 전류 전환시에 발생하는 전류 변화를 나타내는 전류 파형도로, 실선은 전류 변화의 이상치의 그래프를 나타내고, 파선은 도 14에 나타내는 프로브 장치를 이용하여 측정한 현재치를 나타내는 그래프이다.
도 14는 다이오드의 전류 변화를 측정하기 위해 적용된 종래의 프로브 장치의 일례를 나타내는 구성도이다.
이하, 도 1~도 12에 나타내는 실시 형태에 근거하여 본 발명을 설명한다. 본 발명의 프로브 장치는, 탑재대와 테스터를 접속하는 케이블 대신에 도통 부재 또는 도통 기구를 마련하여, 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 파워 디바이스의 전기적 특성인 동특성을 웨이퍼 상태인 채로 측정할 수 있도록 구성되어 있다.
제 1 실시 형태
본 실시 형태의 프로브 장치(10)는, 예컨대 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 로더실(도시하지 않음)로부터 프로버실(11) 내에서 반도체 웨이퍼 W를 받아, 프로버실(11) 내에서 반도체 웨이퍼 W에 형성된 복수의 파워 디바이스(예컨대 IGBT) 각각에 포함되는 다이오드의 전류 변화를 측정하도록 구성되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 프로버실(11)에는 반도체 웨이퍼 W를 탑재하는 탑재대(12)가 X 방향, Y 방향, Z 방향 및 θ 방향으로 이동 가능하게 마련되고, 탑재대(12)의 적어도 윗면에는 금 등의 도전성 금속으로 이루어지는 도체막 전극(도시하지 않음)이 콜렉터 전극으로서 형성되어 있다. 탑재대(12)에는 진공 흡착 수단이 형성되고, 반도체 웨이퍼 W를 탑재대(12)의 탑재면에 진공 흡착하도록 구성되어 있다. 또한, 탑재대(12)는, 온도 조절 기구를 내장하고, 반도체 웨이퍼 W를 소정의 온도로 가열하거나 혹은 냉각하여 파워 디바이스에 포함되는 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정하도록 되어 있다.
탑재대(12)의 위쪽에는 복수의 프로브(13A)를 갖는 프로브 카드(13)가 카드 홀더를 통해 프로버실(11)의 윗면을 형성하는 헤드 플레이트(11A)에 고정되고, 복수의 프로브(13A)를 파워 디바이스의 전극 패드에 전기적으로 접속시켜, 파워 디바이스에 포함되어 있는 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정하도록 되어 있다. 프로브 카드(13)의 윗면에는 복수의 프로브(13A)에 대응하는 단자 전극이 소정의 패턴으로 형성되고, 복수의 프로브(13A)는, 각각의 단자 전극을 통해 후술하는 테스터와 전기적으로 접속된다.
또한, 프로브 카드(13)의 외주연부에는 복수의 도통핀(14)이 둘레 방향으로 소정의 간격을 두고 마련되고, 이러한 도통핀(14)은 탑재대(12)가 승강하여 탑재대(12)의 윗면에 형성된 도체막 전극(콜렉터 전극)과 전기적으로 접속 및 분리하도록 구성되어 있다. 이러한 도통핀(14)은 탄력을 갖고, 도체막 전극과 탄력적으로 접촉하고, 도체막 전극(콜렉터 전극)과 전기적으로 확실하게 접촉하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 도통핀(14)은, 프로브 카드(13)의 외주연부에 소정의 간격을 두고 복수의 부분에 마련되어 있는 것이 바람직하지만, 한 부분에만 마련된 것이더라도 좋다.
프로버실(11) 내에는 도시하지 않는 얼라인먼트 기구가 마련되고, 얼라인먼트 기구를 통해 반도체 웨이퍼 W, 즉 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극과 프로브 카드(13)의 프로브(13A)의 위치 맞춤을 행하도록 구성되어 있다. 얼라인먼트 후, 탑재대(12)가 측정해야 할 최초의 파워 디바이스의 직하로 이동하고, 그 위치로부터 탑재대(12)가 상승하여 반도체 웨이퍼 W의 소정의 전극 패드와 복수의 프로브(13A)가 전기적으로 접촉함과 아울러, 복수의 도통핀(14)과 탑재대(12)의 도체막 전극이 전기적으로 접촉하게 되어 있다. 복수의 도통핀(14)은, 복수의 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하는 경우에 탑재대(12)가 어떤 위치에 있더라도, 적어도 어느 하나의 도통핀(14)이 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극)과 전기적으로 접촉하게 되어 있다.
그리하여, 프로브 카드(13)의 복수의 프로브(13A) 및 복수의 도통핀(14)과 테스터(15)를 접속하기 위한 회선은, 예컨대 도 2에 나타내는 바와 같이, 각각 켈빈 접속되어 있다.
프로브(13A)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 한 쌍의 제 1, 제 2 프로브(13A1, 13A2)로 구성되어 있다. 그래서, 이하에서는, 프로브(13A)를 프로브쌍(13A)으로서 설명한다. 프로브쌍(13A)은, 제 1, 제 2 프로브(13A1, 13A2)가 반도체 웨이퍼 W의 전극 패드에 있어서 켈빈 접속되도록 형성되어 있다. 제 1 프로브(13A1)는 포스선(16F)을 통해 테스터(15)에 접속되고, 제 2 프로브(13A2)는 센스선(16S)을 통해 테스터(15)에 접속되어 있다. 프로브쌍(13A)이 켈빈 접속하는 것에 의해, 제 1, 제 2 프로브(13A1, 13A2)와 반도체 웨이퍼 W의 전극 패드의 접촉 저항 및 제 1, 제 2 프로브(13A1, 13A2)와 테스터(15)를 접속하는 포스선(16F) 및 센스선(16S)의 내부 저항 등에 의한 측정 오차를 해소할 수 있다.
도 2에 있어서, 좌우 한 쌍의 프로브쌍(13A, 13A) 중, 한쪽(좌측)의 프로브쌍(13A)이 IGBT의 게이트 전극과 접촉하고, 다른 쪽(우측)의 프로브쌍(13A)이 파워 디바이스를 구성하는 IGBT의 이미터 전극과 접촉하도록 구성되어 있다.
또한, 도통핀(14)은, 프로브쌍(13A)과 같이 제 1, 제 2 도통핀(14A, 14B)으로 이루어지는 도통핀쌍(14)으로서 구성되어 있다. 도통핀쌍(14)은, 제 1, 제 2 도통핀(14A, 14B)이 각각 접속된 프로브 카드(13)의 외주연부의 이면측의 단자 전극을 통해 켈빈 접속되어 있다. 제 1, 제 2 도통핀(14A, 14B)은, 포스선(17F) 및 센스선(17S)을 통해 테스터(15)에 접속되어 있다. 도통핀쌍(14)은, 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극)과 전기적으로 접촉하는 콜렉터핀으로서 구성되어 있다. 이와 같이 도통핀쌍(14)은, 프로브쌍(13A)과 같이 프로브 카드(13)를 통해 테스터(15)에 전기적으로 접속되어 있어, 탑재대(12)의 콜렉터 전극으로부터 테스터(15)에 이르기까지의 전기 회로 길이가 프로브 카드(13)와 같이 매우 짧기 때문에, 도 10에 나타내는 프로브 장치(110)에 이용되고 있는 케이블(114)과 비교하여 인덕턴스를 현격하게 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 프로브 장치(10)는, 파워 디바이스에 포함되는 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 마이크로세컨드 단위로 확실하게 측정할 수 있다.
프로브쌍(13A) 및 도통핀쌍(14)은 상술한 바와 같이 테스터(15)에 접속된다. 이 테스터(15)는, 헤드 플레이트(11)의 윗면에 착탈 가능하게 배치되고, 예컨대 포고핀 등의 도통 수단을 통해 프로브 카드(13)의 윗면에 형성된 프로브쌍(13A)용의 단자 전극 및 도통핀쌍(14)용의 단자 전극과 전기적으로 접촉하고, 복수의 프로브쌍(13A) 및 복수의 도통핀쌍(14)과 전기적으로 접속된다.
테스터(15)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1, 제 2 전원(15A, 15B), 제 1, 제 2 전류계(15C, 15D) 및 제 1, 제 2 전압계(15E, 15F)를 구비하고, IGBT를 통해 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정하도록 구성되어 있다. 제 1 전원(15A) 및 제 1 전류계(15C)는, 각각 포스선(16F)을 통해 제 1 프로브(13A1)에 접속되고, 제 2 전원(15B) 및 제 2 전류계(15D)는, 포스선(17F)을 통해 제 1 도통핀(14A)에 접속되어 있다. 제 1 전압계(15E)는 센스선(16S)을 통해 제 2 프로브(13A2)에 접속되고, 제 2 전압계(15F)는 센스선(17S)을 통해 제 2 도통핀(14B)에 접속되어 있다.
다음으로, 전류 변화(di/dt) 측정에 대하여 설명한다. 우선, 로더실로부터 반도체 웨이퍼 W를 반송하고, 탑재대(12)상에서 반도체 웨이퍼 W를 받아, 그 탑재면에 반도체 웨이퍼 W를 흡착 고정한다. 이어서, 탑재대(12)가 이동하여 얼라인먼트 기구와 협동하여 반도체 웨이퍼 W의 복수의 전극 패드와 복수의 프로브쌍(13A)의 위치 맞춤을 행한다. 그 후, 탑재대(12)가 이동하여 최초로 측정해야 할 파워 디바이스를 프로브쌍(13A)의 직하에 위치시키고, 또한, 그 위치로부터 탑재대(12)가 상승하여 파워 디바이스의 복수의 전극 패드와 복수의 프로브쌍(13A)이 전기적으로 접촉한다.
이때, 프로브 카드(13)에서는 아랫면으로부터 돌출된 도통핀쌍(14)이 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극)과 탄력적으로 접촉한다. 이에 의해, 파워 디바이스의 IGBT의 게이트 전극 및 이미터 전극이 각각에 대응하는 프로브쌍(13A)을 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속됨과 아울러, 파워 디바이스의 IGBT의 콜렉터 전극이 탑재대(12)의 콜렉터 전극 및 복수의 도통핀쌍(14)을 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속된다.
그 후, 테스터(15)의 제 1 전원(15A)의 전압을 드라이버(도시하지 않음)에 인가하여 게이트 G측의 프로브쌍(13A)에 온 신호를 송신하면, 파워 디바이스의 IGBT의 게이트 전극이 온이 되어, 제 2 전원(15B)으로부터 인가된 전압에 근거하여 콜렉터 C측의 도통핀쌍(14)을 통해 콜렉터 전극으로부터 이미터 전극을 향해 전류가 흐른다. 이어서, 게이트 G측의 프로브쌍(13A)에 오프 신호를 송신하면 IGBT가 오프가 되어, 콜렉터 전극으로부터 이미터 전극으로의 전류가 정지된다.
이때, 테스터(15) 내의 코일에 근거하여 회생 전류가 발생하여 다이오드에 역전류가 흐른다. 이 상태에서 게이트 G측의 프로브쌍(13A)을 통해 IGBT를 온하면, 다이오드는 도 9에 실선으로 나타내는 이상치에 가까운 역회복 시간의 도통 상태가 된다. 이 사이의 전류 변화(di/dt)를 측정하고, 그 결과를 오실로스코프(도시하지 않음)에 전류 파형으로서 표시한다. 이때에 얻어진 전류 변화(di/dt)에 근거하여 다이오드의 di/dt 내성을 평가할 수 있다.
다이오드의 di/dt 파괴는, 80℃ 이상의 고온에서 발생하기 쉽기 때문에, 탑재대(12)를 80℃ 이상의 고온으로 가열하고, 고온 하에서 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정하는 것에 의해 다이오드의 di/dt 내성과 온도의 관계를 평가할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 의하면, 프로브 장치(10)를 이용하는 것에 의해, 복수의 파워 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼 W를 웨이퍼 상태인 채로 파워 디바이스에 포함되는 다이오드의 전류 전환시에 발생하는 전류 변화(di/dt)를 측정할 수 있어, 파워 디바이스로서의 다이오드의 di/dt 파괴에 대한 평가, 나아가서는 파워 디바이스를 구성하는 IGBT의 스위칭 특성의 평가를 행할 수 있다. 또한, 80℃ 이상의 고온에 대한 다이오드의 di/dt 파괴에 대한 내성을 평가할 수도 있다.
제 2 실시 형태
본 실시 형태의 프로브 장치는, 제 1 실시 형태에서 이용되고 있는 도통핀쌍(14) 대신에 도통 기구를 마련하고 있는 것 이외는 제 1 실시 형태에 준하여 구성되어 있다. 그래서, 이하에서는, 제 1 실시 형태의 프로브 장치(10)와 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고 본 실시 형태의 프로브 장치의 특징을 중심으로 설명한다.
본 실시 형태의 프로브 장치(10)는, 예컨대 도 3에 나타내는 바와 같이, 다이오드를 포함하는 파워 디바이스가 복수 형성된 반도체 웨이퍼를 반송하는 로더실(도시하지 않음)에 인접하는 프로버실(11) 내에서 반도체 웨이퍼 W를 받아, 웨이퍼 상태인 채로 개개의 파워 디바이스에 포함되어 있는 다이오드의 전류 변화를 측정하도록 구성되고, 도통 기구(14) 이외에는 제 1 실시 형태와 같게 구성되어 있다.
본 실시 형태에 이용되는 도통 기구(14)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 탑재대(12)의 주면에 형성된 도체막 전극에 기단부가 접속된 리드 도체(14A)와, 리드 도체(14A)의 선단부에 도통 가능하게 형성된 접속 단자(14B)(도 3에서는 흰색의 화살표로서 나타내고 있다)와, 프로브 카드(13)와 탑재대(12)의 사이에 배치된 링 형상의 도체(이하, 링 도체라고 칭한다)(14C)와, 링 도체(14C)에 대하여 접속 단자(14B)를 전기적으로 접속하거나 혹은 접속을 해제하는 액추에이터(14D)를 구비하고, 탑재대(12)의 윗면 및 주면에 형성된 도체막 전극과 테스터(15)를 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다. 또한, 도 3에 나타내는 바와 같이 링 도체(14C)의 윗면에는 포스선(17F) 및 센스선(17S)을 통해 테스터(15)에 켈빈 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는 링 도체(14C)가 독자적으로 마련되어 탑재대(12)와 프로브 카드(13)의 사이에 개재되어 있지만, 프로브 카드를 유지하는 카드 홀더(도시하지 않음)나 프로브 카드가 고정되는 헤드 플레이트를 링 도체(14C)로서 이용할 수도 있다. 본 실시 형태에서는 링 도체(14C)에 대하여 설명하고 있지만, 접속 단자(14B)가 전기적으로 이접하는 도체는 링 형상으로 한정되는 것이 아니고, 후술하는 바와 같이 예컨대 2개로 분할된 분할 도체를 접속 단자(14B)가 이접하는 도체로서 이용할 수도 있다.
도 3에 나타내는 도통 기구(14)를 더 구체적으로 나타낸 것이 도 4의 (a), (b)이다. 도체 기구(14)를 구성하는 리드 도체(14A)는, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예컨대 띠 모양으로 형성되고, 일단부가 탑재대(12)의 주면에 형성된 도체막 전극에 나사로 고정되어 있다. 리드 도체(14A)의 선단부에는 복수의 접속 단자(14B)가 고정되고, 이러한 접속 단자(14B)의 고정부(14A1)가 꺾어 구부러져 형성되어 있다. 또한, 리드 도체(14A)의 탑재대(12)와의 접속부와 고정부(14A1)의 사이에는 측면 형상이 구불구불하게(meander) 꺾어 구부러진 굴곡부(14A2)가 형성되고, 리드 도체(14A)가 굴곡부(14A2)를 통해 용이하게 굽혀지고 펴지게 되어 있다. 또한, 액추에이터(14D)는, 회전 구동부(14D1)와, 회전 구동부(14D1)로부터 연장되어 고정부(14A1)의 근방에서 연결된 요동체(14D2)를 갖고 있다. 따라서, 액추에이터(14D)가 구동하여, 회전 구동부(14D1) 및 요동체(14D2)를 통해 리드 도체(14A)의 고정부(14A1)를 요동시켜 접속 단자(14B)를 링 도체(14C)의 아랫면에 대하여 전기적으로 접속하거나 혹은 접속을 해제할 수 있다.
다음으로, 도 3, 도 4를 참조하면서 동작에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는 도통 기구(14)가 다른 것 이외에는 제 1 실시 형태와 같게 구성되어 있기 때문에, 도통 기구(14) 이외에는 제 1 실시 형태와 동일하기 때문에, 도통 기구(14)의 동작을 중심으로 설명한다.
제 1 실시 형태와 같게 반도체 웨이퍼 W와 프로브 카드(13)의 얼라인먼트를 행한 후, 최초의 파워 디바이스의 직하에서 탑재대(12)가 도 4의 (a)에 나타내는 위치로부터 상승하고, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 파워 디바이스의 전극 패드와 프로브 카드(13)의 프로브(13A)가 전기적으로 접촉한다. 이때, 도통 기구(14)의 액추에이터(14D)가 구동하여, 회전 구동부(14D1) 및 요동체(14D2)를 통해 접속 단자(14B)가 리드 도체(14A)의 굴곡부(14A2)를 통해 반시계방향으로 요동하고, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)의 아랫면과 전기적으로 접촉한다. 이에 의해, 파워 디바이스를 구성하는 IGBT의 게이트 전극 및 이미터 전극이 각각에 대응하는 프로브쌍(13A)을 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속됨과 아울러, IGBT 아랫면의 콜렉터 전극이 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극) 및 복수의 도통 기구(14)를 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속된다.
그 후, 도 3에 나타내는 바와 같이 테스터(15)의 제 1 전원(15A)의 전압을 드라이버(도시하지 않음)에 인가하여 게이트 G측의 프로브쌍(13A)에 온 신호를 송신하면, 파워 디바이스의 IGBT의 게이트 전극이 온이 되어, 제 2 전원(15B)으로부터 인가된 전압에 근거하여 도통 기구(14)의 링 도체(14C), 접속 단자(14B) 및 굴곡부(14A)를 통해 콜렉터 전극으로부터 이미터 전극을 향해 전류가 흐른다. 이어서, 게이트 G측의 프로브쌍(13A)에 오프 신호를 송신하면 IGBT가 오프가 되어, 콜렉터 전극으로부터 이미터 전극으로의 전류가 정지된다.
이때, 테스터(15) 내의 코일에 근거하여 회생 전류가 발생하여 다이오드에 역전류가 흐른다. 이 상태에서 게이트 G측의 프로브쌍(13A)을 통해 IGBT를 온하면, 다이오드는 역회복 시간의 도통 상태가 되고, 이 사이의 전압을 제 2 전압계(15F)에 있어서 검출하고, 이때의 전압에 근거하여 전류 변화(di/dt)를 측정하고, 이때에 얻어진 전류 변화(di/dt)에 근거하여 다이오드의 di/dt 내성을 평가할 수 있다. 80℃ 이상의 고온에서 다이오드의 di/dt 파괴를 측정할 때에는, 탑재대(12)를 80℃ 이상의 고온으로 가열하고, 고온 하에서 다이오드의 전류 변화(di/dt)를 측정할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 의하면, 도통 기구(14)를 통해 탑재대(12)의 콜렉터 전극과 테스터(15)를 접속할 수 있어, 제 1 실시 형태와 같이 파워 디바이스에 포함되는 다이오드의 전류 전환시에 발생하는 전류 변화(di/dt)를 측정할 수 있어, 다이오드의 di/dt 파괴에 대한 평가를 행할 수 있음과 아울러 IGBT의 스위칭 특성의 평가를 행할 수 있고, 또한, 80℃ 이상의 고온에 대한 다이오드의 di/dt 파괴에 대한 내성을 평가할 수도 있다.
제 3 실시 형태
또한, 도 4에 나타내는 도통 기구(14)는, 예컨대 도 5의 (a)~(d)의 도통 기구(14)로서 구성할 수 있다. 도 5의 (a)~(d)에 나타내는 도통 기구(14)이더라도 도 3, 도 4에 나타내는 프로브 장치(10)와 실질적으로 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
도 5의 (a)에 나타내는 도통 기구(14)에서는, 도 4의 (a), (b)에 나타내는 리드 도체(14A)가 리드선(14A)으로서 구성되고, 또한, 액추에이터(14D)가 에어 실린더 등의 실린더 기구에 의해 구성되어 있다. 액추에이터(14D)는, 압축 공기를 구동원으로 하는 실린더(14D1)와, 로드(14D2)를 갖고 있다. 로드(14D2)의 선단에 접속 단자(14B)가 부착되고, 로드가 승강하는 것에 의해 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)에 대하여 전기적으로 접속되고, 접속이 해제된다. 접속 단자(14B)에는 리드선(14A)이 접속되고, 리드선(14A), 접속 단자(14B)를 통해 탑재대(12)와 테스터(15)가 전기적으로 접속되고, 접속이 해제되게 되어 있다.
따라서, 검사시, 도통 기구(14)의 액추에이터(14D)가 구동하면, 로드(14D2)가 화살표 방향으로 상승하고, 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)의 아랫면과 전기적으로 접촉한다. 이에 의해, 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극이 각각에 대응하는 프로브쌍(13A)을 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속됨과 아울러, 파워 디바이스 아랫면의 콜렉터 전극이 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극) 및 도통 기구(14)를 통해 테스터(15)와 전기적으로 접속되어, 파워 디바이스의 전기적 특성 검사를 행할 수 있다.
도 5의 (b)에 나타내는 도통 기구(14)에서는, 액추에이터(14D)의 구동원으로서 전자 솔레노이드(14D1)가 이용되고 있다. 전자 솔레노이드(14D1)가 실린더 기구의 로드(14D2)를 통해 접속 단자(14B)를 승강시키고, 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)와 전기적으로 접촉하고, 접속이 해제되게 되어 있다. 도 5의 (b)에서는 링 도체(14C)가 생략되어 있지만, 도통 기구(14)의 다른 부재는, 도 5의 (a)에 나타내는 도통 기구(14)에 준하여 구성되어 있다.
또한, 도 5의 (c)에 나타내는 도통 기구(14)에서는, 액추에이터(14D)가 도 4의 도통 기구(14)와 같이 회전 구동부(14D1)와 요동체(14D2)를 갖고, 요동체(14D2)의 선단에 접속 단자(14B)가 마련되어 있다. 그리고, 도 4의 리드 도체(14A) 대신에 리드선(14A)이 이용되고, 탑재대(12)의 도체막 전극과 요동체(14D2)가 리드선(14A)을 통해 접속되어 있다. 이 경우에도 도 4의 경우와 같이 액추에이터(14D)가 구동하는 것에 의해 접속 단자(14B)가 요동체(14D2)를 통해 요동하여 링 도체(14C)와 전기적으로 접촉하고, 접속이 해제되게 되어 있다. 도 5의 (c)에서는 링 도체(14C)가 생략되어 있지만, 도통 기구(14)의 다른 부재는, 도 4에 나타내는 도통 기구(14)에 준하여 구성되어 있다.
또한, 도 5의 (d)에 나타내는 도통 기구(14)에서는, 액추에이터(14D)가 슬라이드형 모터에 의해 구성되어 있다. 이 액추에이터(14D)는, 경사면을 갖는 모터를 내장하는 기대(基臺)(14D1)와, 경사면을 갖는 승강체(14D2)를 갖고, 기대(14D1)의 경사면과 승강체(14D2)의 경사면이 맞대어지고, 승강체(14D2)가 기대(14D1)의 경사면을 따라 승강하게 되어 있다. 기대(14D1)의 경사면에는 모터에 의해 진퇴 운동하는 직동(直動) 부품(도시하지 않음)이 마련되고, 이 직동 부품에 대하여 승강체가 연결 부재(도시하지 않음)를 통해 연결되어 있다. 승강체(14D2)의 수평면(윗면)에는 접속 단자(14B)가 마련되어 있다. 따라서, 액추에이터(14D)가 구동하면, 기대(14D1) 내의 모터가 구동하고, 직동 부품을 통해 승강체(14D2)가 승강하고, 접속 단자(14B)가 링 도체(도시하지 않음)의 아랫면에 전기적으로 접촉하고, 접속을 해제하게 되어 있다. 도 5의 (d)에서는 링 도체가 생략되어 있지만, 도통 기구(14)의 다른 부재는, 도 4에 나타내는 도통 기구(14)에 준하여 구성되어 있다.
도 5의 (a)~(d)에서는, 도통 기구(14)가 한 부분에 마련된 경우에 대하여 설명했지만, 복수의 도통 기구(14)를 탑재대(12)의 모든 둘레에 걸쳐 소정 간격을 두고 마련하더라도 좋다. 또한, 한 쌍의 도통 기구(14)를 둘레 방향으로 180° 거리를 두고 마련하더라도 좋다. 후자의 경우에는, 링 형상 도체(14C) 대신에 2부분의 도통 기구(14)가 전기적으로 접촉하는 분할 도체(예컨대 도 9 참조)이더라도 좋다. 분할 도체의 형상은, 특별히 제한되는 것은 아니다.
도 3~도 5에 나타내는 도통 기구(14)는, 탑재대(12)와 링 도체(14C)를 한 부분에서 접속하도록 구성되어 있다. 도통 기구(14)는, 도 6~도 8에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)와 링 도체(14C)의 모든 둘레에 걸쳐 복수 부분에서 전기적으로 접속하도록 구성할 수 있다. 도 6~도 8에 나타내는 도통 기구(14)이더라도 도 3~도 5에 나타내는 프로브 장치(10)와 실질적으로 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
도 6에 나타내는 도통 기구(14)는, 도면에 나타내는 바와 같이, 탑재대(12)의 주면에 형성된 도체막 전극에 둘레 방향 모든 둘레에 걸쳐 소정 간격을 두고 일단이 접속된 복수의 리드선(14A)과, 복수의 리드선(14A)의 다른 단에 각각 접속된 복수의 접속 단자(14B)와, 복수의 접속 단자(14B)가 둘레 방향 일정 간격을 두고 모든 둘레에 걸쳐 접촉하는 링 도체(도시하지 않음)와, 복수의 접속 단자(14B)를 각각 승강시키는 복수의 액추에이터(14D)를 구비하고 있다. 리드선(14A), 접속 단자(14B), 액추에이터(14D)는, 모두 도 5의 (a)에 나타내는 도통 기구(14)의 것과 같게 구성되어 있다. 복수의 액추에이터(14D)는, 개별적으로 구동하도록 하더라도 좋고, 모두가 동시에 구동하도록 하더라도 좋다. 이와 같이 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)의 모든 둘레에 걸쳐 전기적으로 접촉하는 것에 의해, 파워 디바이스의 전기적 특성 검사를 보다 확실하게 행할 수 있다. 도통 기구(14)의 다른 구성 부재는, 도 3에 나타내는 프로브 장치(10)와 같게 구성되어 있다.
도 7의 (a), (b)에 나타내는 도통 기구(14)는, 도면에 나타내는 바와 같이, 탑재대(12)의 주면에 형성된 도체막 전극과 접하는 원통형 도체(14A)와, 원통형 도체(14A)의 상단면 모든 둘레에 걸쳐 소정 간격을 두고 세워져 도체막 전극에 각각 접속된 복수의 접속 단자(14B)와, 복수의 접속 단자(14B)가 둘레 방향 일정 간격을 두고 모든 둘레에 걸쳐 접촉하는 링 도체(14C)와, 원통형 도체(14A)를 승강시키는 액추에이터(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 도통 기구(14)에서는, 액추에이터의 구동에 의해, 원통형 도체(14A)가 탑재대(12)의 도체막 전극에 접하면서 승강하고, 원통형 도체(14A)의 윗면의 복수의 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)의 아랫면에 대하여 전기적으로 접촉하거나, 혹은 접속이 해제되게 되어 있다. 따라서, 비검사시에는, 원통형 도체(14A)가 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)의 탑재면으로부터 아래쪽에서 대기하고 있고, 검사시에는 원통형 도체(14A)가 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이 액추에이터를 사이에 두고 탑재대(12)의 외주면을 따라 상승하고, 복수의 접속 단자(14B)가 링 도체(14C)와 전기적으로 접속하고, 접속을 해제할 수 있다. 복수의 접속 단자(14B)가 링 도체의 모든 둘레에 걸쳐 전기적으로 접촉하는 것에 의해, 파워 디바이스의 전기적 특성 검사를 보다 확실하게 행할 수 있다.
도 8의 (a), (b)에 나타내는 도통 기구(14)는, 도면에 나타내는 바와 같이, 도 7의 (a), (b)에 나타내는 것과 같게 원통형 도체(14A), 복수의 접속 단자(14B), 링 도체(14C) 및 액추에이터(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 도통 기구(14)에서는, 원통 도체(14A)와 복수의 접속 단자(14B)가 도 7에 나타내는 것과 다르다. 도 8에 나타내는 복수의 접속 단자(14B)는, 원통형 도체(14A)의 상단부에 승강 가능하게 마련되어 있다. 그 때문에, 도통 기구(14)는, 원통형 도체(14A)가 탑재대(12)에 대하여 승강함과 아울러 복수의 접속 단자(14B)가 원통형 도체(14A)의 상단부에서 승강하여, 복수의 접속 단자(14B)가 2단계로 승강하여 링 도체(14C)의 아랫면에 대하여 전기적으로 접촉하거나, 혹은 접속이 해제되게 되어 있다. 따라서, 비검사시에는, 원통형 도체(14A)가 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)의 탑재면으로부터 아래쪽에서 대기하고 있고, 검사시에는 원통형 도체(14A)가 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이 액추에이터를 사이에 두고 탑재대(12)의 외주면을 따라 상승하여 링 도체(14C)의 모든 둘레에 걸쳐 전기적으로 접촉하고, 또한, 복수의 접속 단자(14B)가 원통형 도체(14A)로부터 상승한다. 이 경우에도 도 7에 나타내는 도통 기구(14)에 준한 접촉 동작을 할 수 있다.
제 4 실시 형태
본 실시 형태의 프로브 장치는, 도 4에 나타내는 도통 기구(14) 대신에 도 9, 도 10에 나타내는 접속 단자 및 분할 도체를 이용하고 있는 것 이외에는, 도 4에 나타내는 프로브 장치(10)에 준하여 구성되어 있다. 그래서, 이하에서는, 도 4에 나타내는 도통 기구(14)와 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙여 본 실시 형태의 도통 기구에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 이용되는 도통 기구(14)는, 상기의 각 실시 형태와 같게 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 파워 디바이스의 전기적 특성을 웨이퍼 상태인 채 측정하도록 구성되어 있다. 즉, 본 실시 형태의 도통 기구(14)는, 도 9의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 탑재대(12)의 주면의 서로 대향하도록 설치된 한 쌍의 접속 단자(14B)와, 한 쌍의 접속 단자(14B)에 대응하여 탑재대(12)와 프로브 카드(13)의 사이에 개재시켜 마련된 한 쌍의 분할 도체(14C)를 구비하고 있다. 한 쌍의 접속 단자(14B)는, 각 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하기 위해 탑재대(12)가 어떤 장소에 이동하더라도 각각이 대응하는 어느 하나의 분할 도체(14C)와 탄력적으로 접촉하여 도체막 전극(콜렉터 전극)과 테스터(도시하지 않음)를 전기적으로 접속하도록 되어 있다.
접속 단자(14B)는, 도 10의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 금속판이 일체화되어 있는 접촉자(14B1)와, 이 접촉자(14B1)를 지지하는 좌우 한 쌍의 지지체(14B2)를 갖고, 지지체(14B2)를 통해 탑재대(12)의 상부에 고정되어 있다. 접촉자(14B1)는, 탑재대(12)의 주면에 형성된 도체막 전극에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접촉자(14B1)에는 탑재대(12)의 돌출 단면으로부터 탑재대(12)측을 향해 절결부(14B3)가 형성되고, 이 절결부(14B3)를 통해 접촉자(14B1)가 분할 도체(14C)에 대하여 탄력적으로 접촉하도록 되어 있다. 접촉자(14B1)는, 측정하는 전류치의 크기에 따라 금속판의 적층 매수를 조정할 수 있게 되어 있다.
한 쌍의 분할 도체(14C)는, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 좌우 대칭으로 형성되고, 예컨대 프로브 카드(13)를 유지하는 카드 홀더(13B)에 연결, 고정되어 있다. 이 분할 도체(14C)는, 도면에 나타내는 바와 같이, 각각 프로브(13A)측에 위치하는 제 1 변이 이것과 대향하는 제 2 변보다 짧게 형성되어 있음과 아울러 제 2 변과 양단에서 직각을 이루는 한 쌍의 제 3 변이 형성되어 있다. 또한, 제 3 변과 제 1 변의 사이에 한 쌍의 제 4 변이 형성되고, 한 쌍의 제 4 변은 제 1 변을 향해 서서히 좁아지고 있다. 다시 말해, 분할 도체(14C)는 육각형으로 형성되어 있다. 한 쌍의 분할 도체(14C)는, 상술한 바와 같이 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하기 위해 탑재대(12)가 프로버실 내에서 어떤 장소에 이동하더라도 대응하는 접속 단자(14B)가 접촉하는 크기로 형성되어 있다.
다시 말해, 반도체 웨이퍼 W의 중앙부에 있는 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 때에는, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)가 프로브 카드(13)의 중심의 직하로 이동하고, 그 위치로부터 상승하면, 한 쌍의 프로브(13A)가 중앙부의 IGBT에 형성된 게이트 전극 및 이미터 전극과 각각 전기적으로 접촉함과 아울러 좌우 한 쌍의 접속 단자(14B)의 접촉자(14B1)가 좌우 한 쌍의 분할 도체(14C)와 각각 전기적으로 접촉하여 콜렉터 전극이 되어, 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 수 있다.
반도체 웨이퍼 W의 우단의 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 때에는, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)가 이동하고, 우단의 파워 디바이스가 프로브 카드(13)의 중심의 직하에 이르고, 그 위치로부터 상승하면, 한 쌍의 프로브(13A)가 우단의 IGBT에 형성된 게이트 전극 및 이미터 전극과 각각 전기적으로 접촉함과 아울러 우측의 접속 단자(14B)의 접촉자(14B1)만이 우측의 분할 도체(14C)와 전기적으로 접촉하여 콜렉터 전극이 되어 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 좌측의 접속 단자(14B)는, 좌측의 분할 도체(14C)와는 비접촉 상태가 된다.
반도체 웨이퍼 W의 좌단의 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 때에는, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이 탑재대(12)가 이동하고, 좌단의 파워 디바이스가 프로브 카드(13)의 중심의 직하에 이르고, 그 위치로부터 상승하면, 한 쌍의 프로브(13A)가 좌단의 IGBT에 형성된 게이트 전극 및 이미터 전극과 각각 전기적으로 접촉함과 아울러 좌측의 접속 단자(14B)의 접촉자(14B1)만이 좌측의 분할 도체(14C)와 전기적으로 접촉하여 콜렉터 전극이 되어 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 우측의 접속 단자(14B)는, 우측의 분할 도체(14C)와는 비접촉 상태가 된다.
상술한 바와 같이 각 파워 디바이스의 전기적 특성으로서 IGBT의 스위칭 특성을 측정할 때에는, 도체막 전극(콜렉터 전극)과 테스터 사이의 선로 길이가 예컨대 10㎝ 전후로 짧아 인덕턴스가 작기 때문에, 우수한 스위칭 특성을 나타내고, 턴오프 시간이 짧아, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이 턴오프시의 콜렉터 이미터 사이의 서지 전압을, IGBT(파워 디바이스)의 한계 전압보다 현격히 작은 전압치로 억제할 수 있어, 파워 디바이스의 동특성을 확실하고 정확하게 측정할 수 있다. 또, 턴오프 시간이란, 콜렉터 전류가 90%로부터 5%까지 저하되는 시간을 말한다.
이에 비하여, 종래의 프로브 장치와 같이 케이블이 있는 경우에는, 케이블에 있어서의 인덕턴스가 크고, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이 IGBT의 턴오프시에 컬렉터 이미터 사이에 IGBT의 한계 전압을 넘는 비정상적인 서지 전압이 인가되어 IGBT를 파손한다. 파워 디바이스의 전기적 특성의 측정시에는 정격 전압 및 정격 전류보다 큰 전압, 전류를 인가하는 것이 바람직하지만, 종래의 프로브 장치에서는 정격 전압을 인가하더라도 한계치를 넘을 우려가 있기 때문에, 정격 전압조차 인가할 수 없는 경우도 있어, 실질적으로 파워 디바이스의 동특성의 측정을 행할 수 없었다. 도 12의 (b)의 서지 전압은, 실측치가 아니고 계산치이다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 있어서도 제 1, 제 2 실시 형태와 같이 파워 디바이스의 동특성을 확실하고 정확하게 측정할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 조금도 제한되는 것이 아니고, 필요에 따라 각 구성 요소를 설계 변경할 수 있다. 제 1 실시 형태에서는, 도통핀(14)을 프로브 카드(13)의 외주연부에 마련한 경우에 대하여 설명했지만, 예컨대 탑재대(12)의 외주연부 모든 둘레에 걸쳐 소정의 간격을 두고 마련할 수도 있다. 이러한 도통핀(14)은 탑재대(12)의 도체막 전극(콜렉터 전극)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이러한 도통핀(14)은, 탑재대(12)의 윗면에 세워져 마련되어 있더라도 좋지만, 탑재대(12)에 있어서 출몰 가능하게 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도통핀(14)이 출몰하는 구멍의 내주면에 도체막 전극이 형성되고, 도통핀(14)이 도체막 전극에 접하고, 돌출 위치에서 도통핀(14)이 도체막 전극과 전기적인 접속을 유지하도록 할 수도 있다.
10 : 프로브 장치 12 : 탑재대
13 : 프로브 카드 13A : 프로브
14 : 도통핀(도통 부재) 15 : 테스터
14 : 도통 기구 14A : 리드 도체
14A : 리드선 14B : 접속 단자
14C : 링 도체 14D : 액추에이터
W : 반도체 웨이퍼

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  7. 다이오드를 포함하는 파워 디바이스가 복수 형성된 피검사체를 탑재하는 이동 가능한 탑재대와,
    상기 탑재대의 위쪽에 배치된 복수의 프로브를 갖는 프로브 카드와,
    상기 탑재대의 탑재면 및 주면(周面)에 형성된 도체막 전극과 이것에 탑재된 상기 피검사체의 이면에 형성된 도체층이 도통하는 상태에서 상기 피검사체에 상기 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하는 측정부
    를 구비한 프로브 장치로서,
    상기 파워 디바이스의 전기적 특성의 측정시에, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극과 상기 측정부를 전기적으로 접속하는 도통 기구를 마련한
    것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 기단부(基端部)가 접속된 리드 도체와, 상기 리드 도체의 선단부(先端部)에 도통 가능하게 형성된 접속 단자와, 상기 프로브 카드와 상기 탑재대의 사이에 개재되는 도체와, 상기 도체에 대하여 상기 접속 단자를 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 기단부가 접속되고, 상기 탑재대의 상기 주면을 따라 복수 마련된 리드 도체와, 상기 복수의 리드 도체 각각의 선단부에 도통 가능하게 형성된 복수의 접속 단자와, 상기 프로브 카드와 상기 탑재대의 사이에 개재되는 링 형상의 도체와, 상기 링 형상의 도체에 대하여 상기 복수의 접속 단자를 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 복수의 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 액추에이터는, 상기 접속 단자를 요동시키는 요동 기구로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 액추에이터는, 상기 접속 단자를 승강시키는 승강 기구로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.

  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에, 상기 도체막 전극과 도통 가능하게 승강하는 원통형 도체와, 상기 원통형 도체에 둘레 방향으로 소정 간격을 두고 복수 마련된 접속 단자와, 상기 원통형 도체와 상기 프로브 카드의 사이에 개재되는 링 형상의 도체와, 상기 링 형상의 도체에 대하여 상기 원통형 도체를 승강시켜 상기 복수의 접속 단자를 각각 전기적으로 접속하고, 접속을 해제하는 액추에이터를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 도통 기구는, 상기 탑재대의 상기 주면에 형성된 상기 도체막 전극에 전기적으로 접속되고 상기 탑재대의 둘레 방향으로 서로 180° 거리를 둔 위치에 마련된 한 쌍의 접촉자와, 상기 한 쌍의 접촉자가 전기적으로 접촉하도록 상기 탑재대와 상기 프로브 카드의 사이에 개재되는 한 쌍의 분할 도체를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 접촉자는, 인가 전압에 따라 조정 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5291157B2 (ja) 2011-08-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 パワーデバイス用のプローブカード
JP5265746B2 (ja) 2011-09-22 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP5796870B2 (ja) * 2011-12-05 2015-10-21 株式会社日本マイクロニクス 半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ
US9030219B2 (en) * 2012-03-01 2015-05-12 Kla-Tencor Corporation Variable pressure four-point coated probe pin device and method
CA2877821C (en) * 2012-06-29 2018-01-09 Hydrovision Asia Pte Ltd An improved suspended sediment meter
JP5929612B2 (ja) * 2012-08-08 2016-06-08 三菱電機株式会社 半導体装置の測定方法、測定器
JP5504546B1 (ja) * 2012-12-04 2014-05-28 株式会社東京精密 プローバ
JP6013250B2 (ja) * 2013-03-27 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6042761B2 (ja) * 2013-03-28 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6042760B2 (ja) * 2013-03-28 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
KR101520611B1 (ko) 2013-04-30 2015-05-21 동부대우전자 주식회사 조리장치
JP6045993B2 (ja) * 2013-07-08 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6289962B2 (ja) * 2013-07-11 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
IN2013MU02485A (ko) * 2013-07-26 2015-09-25 Tektronix Inc
JP6072638B2 (ja) * 2013-07-29 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP2015055575A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社村田製作所 電子部品の電気特性測定装置
JP5737536B2 (ja) * 2013-11-21 2015-06-17 株式会社東京精密 プローバ
CN104808126B (zh) * 2014-01-28 2018-02-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的测试结构及测试方法
US10281518B2 (en) 2014-02-25 2019-05-07 Formfactor Beaverton, Inc. Systems and methods for on-wafer dynamic testing of electronic devices
WO2015137023A1 (ja) * 2014-03-11 2015-09-17 新東工業株式会社 被試験デバイスの検査システム、及びその操作方法
JP6250449B2 (ja) * 2014-03-25 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体検査装置
JP6318911B2 (ja) * 2014-06-26 2018-05-09 株式会社デンソー 半導体素子の検査回路および検査方法
JP6265872B2 (ja) * 2014-09-22 2018-01-24 三菱電機株式会社 半導体試験装置及び半導体試験方法
TWI560795B (en) * 2015-06-01 2016-12-01 Mpi Corp Wafer probing device
CN105137296A (zh) * 2015-07-17 2015-12-09 西安永电电气有限责任公司 一种用于igbt模块的绝缘测试工装
CN108122796B (zh) * 2016-11-28 2020-06-23 无锡华润华晶微电子有限公司 键合损伤的检测系统
CN106526252B (zh) * 2016-12-14 2023-03-03 云南电网有限责任公司电力科学研究院 一种晶闸管级测量手柄装置的使用方法
CN107543942B (zh) * 2017-08-18 2024-04-12 浙江科技学院（浙江中德科技促进中心） 膜电极的测试夹具以及测试方法
CN108535521B (zh) * 2018-05-10 2021-05-28 中国振华集团云科电子有限公司 四线调阻探针卡
CN111665428B (zh) * 2019-03-08 2023-03-31 致茂电子(苏州)有限公司 电子组件测试方法以及测试探针
JP7308660B2 (ja) * 2019-05-27 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 中間接続部材及び検査装置
CN111106040B (zh) * 2019-12-06 2022-06-10 福建省福联集成电路有限公司 精准控制金属下沉的设备
JP7308792B2 (ja) * 2020-05-19 2023-07-14 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置および半導体装置の評価方法
TWI738449B (zh) * 2020-08-03 2021-09-01 致茂電子股份有限公司 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備
CN112098799B (zh) * 2020-11-09 2021-02-12 四川立泰电子有限公司 Mosfet器件交流动态参数测试校准装置及方法
EP4027150A1 (en) * 2021-01-07 2022-07-13 Afore Oy Testing device and method for reducing vibration in a testing device
DE102022106418A1 (de) * 2021-03-22 2022-09-22 Mpi Corporation Wafer-prüfsystem
CN113539870A (zh) * 2021-06-24 2021-10-22 浙江大学绍兴微电子研究中心 测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法
IT202200006356A1 (it) * 2022-03-31 2023-10-01 Crea Collaudi Elettr Automatizzati S R L Sistema di test per il test ad alta tensione ed alta corrente su una pluralità di dispositivi a semiconduttore di potenza compresi in un wafer, e sistema di contattazione

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344662A (ja) 2005-06-07 2006-12-21 Mitsubishi Electric Corp プローブカード、およびこれを用いた直流特性測定方法、および半導体装置
JP2007040926A (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2007123430A (ja) 2005-10-26 2007-05-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウエハ及び半導体検査方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62291937A (ja) * 1986-06-12 1987-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd プロ−バ
US5550482A (en) * 1993-07-20 1996-08-27 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe device
US5828225A (en) 1995-07-05 1998-10-27 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer probing apparatus
US5830565A (en) * 1996-11-08 1998-11-03 W. L. Gore & Associates, Inc. High planarity and low thermal coefficient of expansion base for semi-conductor reliability screening
JPH11162601A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Texas Instr Japan Ltd ソケット
US6100815A (en) * 1997-12-24 2000-08-08 Electro Scientific Industries, Inc. Compound switching matrix for probing and interconnecting devices under test to measurement equipment
US6166553A (en) * 1998-06-29 2000-12-26 Xandex, Inc. Prober-tester electrical interface for semiconductor test
JP2000206146A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp プロ―ブ針
JP2002075572A (ja) * 2000-08-29 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 電気的接触装置とそれを用いた半導体デバイスのテストソケットおよび半導体モジュールならびに半導体デバイスのテスト方法
JP2002176142A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003066109A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Fujitsu Ltd 半導体試験装置及び半導体試験方法
US7250779B2 (en) * 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
JP4387125B2 (ja) * 2003-06-09 2009-12-16 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
US7330041B2 (en) * 2004-06-14 2008-02-12 Cascade Microtech, Inc. Localizing a temperature of a device for testing
JP4566072B2 (ja) * 2005-06-21 2010-10-20 富士通セミコンダクター株式会社 基板試験方法及び装置
JP5016892B2 (ja) 2006-10-17 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査方法
KR100868635B1 (ko) * 2007-05-16 2008-11-12 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 검사 장치
JP5356769B2 (ja) * 2008-10-15 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 載置台

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344662A (ja) 2005-06-07 2006-12-21 Mitsubishi Electric Corp プローブカード、およびこれを用いた直流特性測定方法、および半導体装置
JP2007040926A (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2007123430A (ja) 2005-10-26 2007-05-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウエハ及び半導体検査方法

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