KR101019241B1 - 검사 장치, 프로브 카드 및 검사 방법 - Google Patents

검사 장치, 프로브 카드 및 검사 방법 Download PDF

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Abstract

검사 전에 프리팅 현상을 이용하여, 프로브와 웨이퍼 상의 전극과의 사이의 전기전인 도통을 도모하는 검사 장치에 있어서, 단순한 회로 구성으로 짧은 검사 시간을 실현한다. 검사 장치의 프로브 카드에 2 개가 한 조(組)인 각 프로브 쌍(10a, 10b)마다에 프리팅 회로(30)를 형성한다. 각 프리팅 회로(30)에는 컨덴서(31)를 접속한다. 각 프리팅 회로(30)는 챠지용 전원(41)을 갖는 전력 공급 회로(40)에 병렬적으로 접속된다. 전력 공급 회로(40)에 의하여 각 컨덴서(31)에 일괄적으로 축전한다. 프로브 쌍(10a, 10b)을 웨이퍼(W)의 전극(P)에 접촉시키고, 컨덴서(31)에 축전된 전력에 의해 프로브 쌍(10a, 10b)에 고전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 각 프로브와 전극(P)과의 사이의 전기적인 도통을 도모한다. 그 후, 각 프로브로 보내진 검사용의 전기 신호에 의하여 전기적 특성의 검사가 실시된다.

Description

검사 장치, 프로브 카드 및 검사 방법{INSPECTION APPARATUS, PROBE CARD AND INSPECTION METHOD}
본 발명은, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 검사 장치와, 프로브 카드와, 그 검사 장치 또는 프로브 카드를 이용하여 실시되는 피검사체의 검사 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 IC, LSI 등의 전자 회로의 전기적 특성의 검사는 검사 장치를 이용하여 실시되고 있다. 검사 장치는, 테스터에 전기적으로 접속된 프로브 카드를 가지며, 그 프로브 카드의 하면에는 다수의 프로브가 장착되어 있다. 그리고, 전자 회로의 검사는, 프로브를 웨이퍼 상의 전자 회로의 각 전극에 접촉시켜, 전극에 전기 신호를 흐르게 함으로써 실시되고 있다.
그러나, 전극 표면에 산화막이 형성되어 있으면, 전기 신호가 흐르기 어려워지고, 검사가 적정하게 실시되지 않게 된다. 또한, 도통을 도모하기 위하여 프로브를 전극 표면으로 강하게 누르면 프로브 또는 전자 회로가 파손될 우려가 있다. 이 때문에, 검사 전에 2 개가 한 조(組)인 한 쌍의 프로브(프로브 쌍)를 전극에 저(低)압력으로 접촉시켜, 프로브 쌍의 사이로 고전압을 인가함으로써, 프리팅 현상 을 일으켜서 전극 표면에 절연 파괴를 발생시켜, 프로브와 전극의 사이에 전기적으로 양호한 도통을 도모하는 것(이하, 「프리팅」이라고 함)이 제안되어져 있다(특허 문헌 1 ~ 3참조). 또한, 프리팅 현상이란, 산화막이 형성된 금속 표면에 105 ~ 106 V/cm 정도의 전위 경도(傾度)를 인가함으로써, 산화막이 절연 파괴되어, 금속 표면에 전류가 흐르는 현상을 말한다.
그런데, 검사되는 웨이퍼 상에는, 매우 많은 전극이 형성되어 있다. 이 때문에, 프로브 카드에는, 수 백 ~ 수 천 개의 프로브 쌍이 장착되어 있다. 그리고 프리팅을 실시할 때는, 이들 프로브 쌍에 고전압이 되는 전력을 공급할 필요가 있다.
종래에, 프로브 쌍으로의 전력 공급은, 각 프로브 쌍마다에 전원을 설치하거나, 또는 하나의 전원에 다수의 프로브 쌍을 접속하여, 검사 시에 전원과 각 프로브 쌍과의 접속을 순차적으로 전환하는 것이 실시되고 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2005-5331호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 2002-139542호 공보
[특허 문헌 3] 특허 제3642456호
그러나, 전자(前者)의 경우, 수 백을 넘는 프로브 쌍마다에 전원을 설치할 필요가 있으므로, 프리팅을 위한 회로 구성이 대규모화되고, 또한, 가격이 매우 고가(高價)가 된다. 후자의 경우, 다수의 프로브 쌍을 순차적으로 전원에 접속할 필요가 있으므로, 검사에 시간이 매우 소요된다.
본 발명은, 이러한 점에 비추어 보아 이루어진 것이며, 프리팅을 위한 회로 구성을 단순화하고, 또한, 검사 시간을 단축시키는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 피검사체의 단자에 프로브를 접촉시켜, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 검사 장치로서, 2 개가 한 조인 프로브 쌍과, 그 프로브 쌍에 접속되는 충방전부를 가지고, 상기 프로브 쌍이 피검사체의 단자에 접촉한 상태에서, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 단자의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 복수의 프리팅 회로와, 상기 복수의 프리팅 회로가 접속되어, 상기 각 프리팅 회로의 충방전부에 축전(蓄電)하는 전력 공급 회로를 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 충방전부는 컨덴서여도 좋다.
본 발명에 의하면, 전력 공급 회로에 의하여 복수의 프리팅 회로의 각 충방전부에 일괄적으로 축전하고, 그 각 충방전부의 전력에 의하여 각 프로브 쌍으로 고전압을 인가하여 프리팅을 실시할 수 있다. 이 경우, 각 프리팅 회로 마다에 전 원을 장착할 필요가 없으므로, 프리팅을 위한 회로 구성을 단순화할 수 있다. 또한, 각 충방전부에 일괄적으로 축전하고, 또한, 각 프리팅 회로에서 동시기에 프리팅을 실시할 수 있으므로, 검사 시간을 단축시킬 수 있다.
상기 전력 공급 회로에는 전력 공급용 전원에 대하여 상기 복수의 프리팅 회로가 병렬적으로 접속되어 있고, 상기 전력 공급 회로에는 프리팅 회로 상호 간의 통전을 억제하는 저항이 설치되어 있어도 좋다.
상기 각 프리팅 회로에는 상기 충방전부와 프로브 쌍과의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 접속되어 있어도 좋다.
상기 각 프리팅 회로에는 검사용의 전기 신호를 프로브로 송신하는 검사 회로가 접속되어 있고, 그 접속부에는 상기 각 프리팅 회로와 상기 검사 회로와의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 설치되어 있어도 좋다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 복수의 프로브를 피검사체측의 면에 지지시키고, 해당 프로브를 피검사체의 단자에 접촉시킴으로써, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 프로브 카드로서, 2 개가 한 조인 프로브 쌍과, 그 프로브 쌍에 접속되는 충방전부를 가지고, 상기 프로브 쌍이 피검사체의 단자에 접촉한 상태에서, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 단자의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 복수의 프리팅 회로와, 상기 복수의 프리팅 회로가 접속되어, 상기 각 프리팅 회로의 충방전부에 축전하는 전력 공급 회로를 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 충방전부는 컨덴서여도 좋다.
상기 전력 공급 회로에는 전력 공급용 전원에 대하여 상기 복수의 프리팅 회로가 병렬적으로 접속되어 있고, 상기 전력 공급 회로에는 프리팅 회로 상호 간의 통전을 억제하는 저항이 설치되어 있어도 좋다.
상기 각 프리팅 회로에는 상기 충방전부와 프로브 쌍과의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 접속되어 있어도 좋다.
상기 각 프리팅 회로에는 검사용의 전기 신호를 프로브로 송신하는 검사 회로가 접속되어 있고, 그 접속부에는 상기 각 프리팅 회로와 상기 검사 회로와의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 설치되어 있어도 좋다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 상술한 검사 장치 또는 프로브 카드를 이용하여 실시되는 피검사체의 전기적 특성의 검사 방법으로서, 전력 공급 회로에 의하여 복수의 프리팅 회로의 각 충방전부에 축전하는 공정과, 상기 각 프리팅 회로의 프로브 쌍을 피검사체의 단자에 접촉시켜, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 피검사체의 단자와의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 공정과, 그 후, 프로브를 단자에 접촉시킨 상태에서, 프로브로 검사용의 전기 신호를 보내어, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 검사용의 전기 신호를 이용한 하나의 검사를 실시하고 나서, 다음의 검사를 실시할 때까지의 사이에 상기 충방전부의 축전을 실시해도 좋다.
본 발명에 의하면, 프리팅을 위한 회로 구성이 단순화되고 가격이 저렴하게 된다. 또한, 피검사체의 다수의 단자에 대하여 동시기에 프리팅을 실시할 수 있으므로, 검사 시간도 단축할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시예에 따른 검사 장치(1)의 구성을 나타내는 설명도이다.
검사 장치(1)는, 예를 들면, 프로브 카드(2)와 피검사체로서의 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 척(3)과, 척(3)을 이동시키는 이동 기구(4)와 테스터(5) 등을 구비하고 있다.
프로브 카드(2)는, 예를 들면, 수백 이상의 다수의 프로브(10)를 하면에 지지시킨 컨택터(11)와, 그 컨택터(11)의 상면측에 장착된 프린트 배선 기판(12)과, 그 프린트 배선 기판(12)의 상면측에 장착된 전력 공급 기판(13)을 구비하고 있다. 각 프로브(10)는 컨택터(11)의 본체를 통하여 프린트 배선 기판(12)에 전기적으로 접속되어 있다. 프로브 카드(2)에는 테스터(5)가 전기적으로 접속되어 있고, 테스터(5)로부터 프로브 카드(2)를 거쳐 각 프로브(10)로 전기적 특성의 검사를 위한 전기 신호를 송수신할 수 있다. 프린트 배선 기판(12)과 전력 공급 기판(13)의 구체적인 회로 구성에 대해서는 후술한다.
척(3)은 수평한 상면을 갖는 대략 원반 형상으로 형성되어 있다. 척(3)의 상면에는 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 흡인구(吸引口)(3a)가 설치되어 있다. 흡인구(3a)에는, 예를 들면, 척(3)의 내부를 통하여 외부의 부압 발생 장치(14)로 통하는 흡인관(3b)이 접속되어 있다.
이동 기구(4)는, 예를 들면, 척(3)을 승강하는 실린더 등의 승강 구동부(20)와, 승강 구동부(20)를 수평 방향의 직교하는 두 방향(Ⅹ 방향과 Y 방향)으로 이동시키는 Ⅹ - Y 스테이지(21)를 구비하고 있다. 이에 의해, 척(3)에 유지된 웨이퍼(W)를 삼차원 이동시켜, 웨이퍼(W)의 표면의 각 전극에, 상방에 있는 특정 프로브(10)를 접촉시킬 수 있다.
이어서, 상술한 프린트 배선 기판(12)과 전력 공급 기판(13)의 회로 구조에 대하여 설명한다. 도 2는 프린트 배선 기판(12)과 전력 공급 기판(13)의 회로 구조의 일례를 나타내는 설명도이다.
상술한 프로브 카드(2)의 다수의 프로브(10)는, 서로 근접한 프로브끼리에서 2 개가 한 조인 프로브 쌍(10a, 10b)을 구성하고 있다. 프린트 배선 기판(12)에는, 예를 들면, 복수의 각 프로브 쌍(10a, 10b)마다에 프리팅 회로(30)가 형성되어 있다. 프리팅 회로(30)는, 예를 들면, 양단에 프로브 쌍(10a, 10b)이 접속되어 있고, 그 프로브 쌍(10a, 10b)의 사이에 컨덴서(31), 스위칭 소자(32) 및 다이오드(33)가 직렬적으로 접속되어 구성되어 있다.
컨덴서(31)에는 프로브 쌍(10a, 10b) 간에 3 V 이상의 고전압을 인가하기 위한 전력을 축전할 수 있다. 이 컨덴서 용량은 10 ㎌ ~ 470 ㎌ 정도이다. 스위칭 소자(32)는 컨덴서(31)와 프로브 쌍(10a, 10b)과의 전기적인 접속을 온오프할 수 있다. 이 스위칭 소자(32)의 동작은, 예를 들면, 테스터(5)로부터의 프리팅 개시·정지 신호에 의하여 제어할 수 있다. 이 프리팅 회로(30)는 프로브 카드(2)에 있는 다수의 프로브 쌍(10a, 10b)마다에 형성되어 있으며, 따라서, 프린트 배선 기 판(12)에는 다수의 프리팅 회로(30)가 형성되어 있다.
상술한 다수의 프리팅 회로(30)는 모두 전력 공급 기판(13)의 전력 공급 회로(40)에 접속되어 있다. 전력 공급 회로(40)는, 예를 들면, 하나의 챠지용 전원(41)을 가지며, 각 프리팅 회로(30)의 컨덴서(31)는, 이 챠지용 전원(41)에 대하여 병렬적으로 접속되어 있다. 이 전력 공급 회로(40)의 챠지용 전원(41)에 의하여, 복수의 프리팅 회로(30)의 각 컨덴서(31)에 일괄적으로 축전할 수 있다. 또한, 전력 공급 회로(40)와 컨덴서(31)를 접속하는 접속선(40a)에는, 1 kΩ ~ 20 kΩ 정도의 저항(42)이 설치되어 있다. 이 저항(42)에 의하여, 전력 공급 회로(40)를 통해 프리팅 회로(30) 상호 간에서 통전되는 것을 억제할 수 있다.
각 프리팅 회로(30)에는, 테스터(5)로 통하는 검사 회로(50)가 접속되어 있다. 검사 회로(50)는 테스터(5)로부터의 검사용 전기 신호를 프리팅 회로(30)를 통하여 각 프로브(10a, 10b)로 보낼 수 있다. 검사 회로(50)와 프리팅 회로(30)의 접속선(50a)에는, 검사 회로(50)와 프리팅 회로(30)의 각 프로브(10a, 10b)와의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자(51)가 설치되어 있다. 스위칭 소자(51)의 동작은, 예를 들면, 테스터(5)로부터의 테스트 개시?정지 신호에 의하여 제어할 수 있다.
이어서, 이상과 같이 구성된 검사 장치(1)에서 실시되는 웨이퍼(W)의 전기적 특성의 검사 프로세스에 대하여 설명한다.
먼저, 전력 공급 회로(40)의 챠지용 전원(41)이 작동하고, 예를 들면, 프로브 카드(2)의 모든 프리팅 회로(30)의 각 컨덴서(31)에 축전된다. 이어서, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 척(3) 상에 흡착 유지되어, 이동 기구(4)에 의해 척(3) 상의 웨이퍼(W)가 상승되고, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 각 전극(P)에 각 프로브 쌍(10a, 10b)이 접촉된다. 이 때, 예를 들면, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 일부의 제 1 영역(R1)의 각 전극(P)에 각 프로브 쌍(10a, 10b)이 접촉된다.
제 1 영역(R1)의 각 전극(P)에 프로브 쌍(10a, 10b)이 접촉되면, 도 2에 도시한 스위칭 소자(32)가 온으로 전환되어, 프로브 쌍(10a, 10b)과 컨덴서(31)가 전기적으로 접속된다. 이에 의해, 컨덴서(31)에 축전된 전력에 의하여, 프로브 쌍(10a, 10b) 사이로 고전압이 인가된다. 이로 인해, 전극(P)의 표면으로 고전압이 인가되어, 프리팅 현상에 의해 전극(P) 표면의 산화막에 절연 파괴가 일어나서, 프로브(10a, 10b)와 전극(P)과의 전기적인 도통이 도모된다.
그 후, 예를 들면, 스위칭 소자(32)가 오프로 전환되고, 그 대신에 스위칭 소자(51)가 온으로 전환되어, 검사 회로(50)와 프로브(10a, 10b)가 전기적으로 접속된다. 그 후, 테스터(5)로부터의 검사용 전기 신호가 검사 회로(50)를 통하여 각 프로브(10a, 10b)로 보내져, 웨이퍼(W) 상의 제 1 영역(R1)의 전자 회로의 전기적 특성 검사가 실시된다.
제 1 영역(R1)의 전기적 특성 검사가 종료되면 스위칭 소자(51)가 오프로 전환되고, 그 후, 척(3)에 의해 웨이퍼(W)가 이동되고, 각 프로브 쌍(10a, 10b)이, 예를 들면, 도 3에 도시한 다음의 제 2 영역(R2)의 각 전극(P)에 접촉된다. 예를 들면, 이 검사 영역 사이를 이동하는 동안에 전력 공급 회로(40)의 챠지용 전 원(41)에 의하여 각 프리팅 회로(30)의 컨덴서(31)에 축전된다. 그 후, 상술한 바와 같이, 각 컨덴서(31)의 전력에 의해 각 프로브 쌍(10a, 10b)으로 고전압이 인가되어, 제 2 영역(R2)의 전극(P)에서 프리팅이 실시된다. 이어서, 검사 회로(50)를 통하여 각 프로브(10a, 10b)로 검사용의 전기 신호가 보내져, 제 2 영역의 전자 회로의 전기적 특성 검사가 실시된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 상의 복수의 영역(R1 ~ R4)의 전자 회로 검사가 순차적으로 실시되고, 각 영역을 검사하는 동안에 그 때마다 각 컨덴서(31)의 축전이 실시된다. 그리고, 모든 영역(R1 ~ R4)의 전자 회로의 검사가 종료되면, 웨이퍼(W)가 척(3)으로부터 분리되어 일련의 검사 프로세스가 종료된다.
이상의 실시예에 의하면, 검사 장치(1)가 다수 있는 프로브 쌍(10a, 10b)마다에 프리팅 회로(30)를 형성하고, 각 프리팅 회로(30)에 컨덴서(31)를 설치하고, 또한, 전력 공급 회로(40)에 이들 프리팅 회로(30)를 접속했다. 이에 의해, 하나의 전력 공급 회로(40)에 의하여 각 프리팅 회로(30)의 컨덴서(31)에 축전하고, 이 컨덴서(31)의 전력에 의하여 프로브 쌍(10a, 10b)에 의한 프리팅을 실시할 수 있으므로, 프리팅을 실시하는 회로 구성을 단순화할 수 있다. 또한, 전력 공급 회로(40)에 의하여 다수의 컨덴서(31)의 축전을 동시기에 실시하고, 또한, 각 프로브 쌍(10a, 10b)에 의한 프리팅도 동시기에 실시할 수 있으므로, 단시간에 검사를 실시할 수 있다.
전력 공급 회로(40)의 접속선(40a)에 저항(42)을 접속하였으므로, 예를 들면, 프리팅 시의 각 프리팅 회로(30)의 전류가 접속선(40a)을 통하여 다른 프리팅 회로(30)로 유출되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 각 프리팅 회로(30)에서의 전압을 안정시킬 수 있다. 또한, 검사 회로(50)로부터 특정 프리팅 회로(30)로의 검사용 전기 신호가 접속선(40a)를 통하여 다른 프리팅 회로(30)로 유입되는 것도 억제할 수 있다. 그 결과, 각 프리팅 회로(30)에서의 프리팅과 검사용의 전기 신호에 의한 검사를 적정하게 실시할 수 있다.
각 프리팅 회로(30)에 스위칭 소자(32)를 설치하였으므로, 각 컨덴서(31)로부터 각 프로브 쌍(10a, 10b)으로의 전력 공급에 의해 실시되는 프리팅을 소정의 타이밍으로 실시할 수 있다. 또한, 검사 회로(50)와 각 프리팅 회로(30)와의 접속선(50a)에 스위칭 소자(51)를 설치하였으므로, 프리팅과 검사와의 전환을 적정하게 실시할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 웨이퍼(W) 상의 각 영역(R1 ~ R4)마다에 순차적으로 검사를 실시하고, 프로브(10a, 10b)를 그 영역(R1 ~ R4) 사이에서 이동시키는 동안에 컨덴서(31)에 축전하였으므로, 축전을 위한 대기 시간이 없으며, 검사 시간을 더 단축시킬 수 있다. 또한, 상기 실시예에서의 웨이퍼(W) 상의 검사 영역(R1 ~ R4)은 이러한 예에 한정되지 않는다. 또한, 상기 실시예에서, 웨이퍼(W)가 다이싱된 후의 칩 단위로 전기적 특성의 검사를 실시해도 좋고, 이 경우에는, 예를 들면, 칩을 교환하는 동안에 컨덴서(31)에 축전해도 좋다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예를 도출해낼 수 있음은 자명하 며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 예를 들면, 이상의 실시예에서 기재한 전력 공급 회로(40)는, 프린트 배선 기판(12) 상의 전력 공급 기판(13)에 형성되어 있었으나, 검사 장치(1) 내의 다른 부분, 예를 들면, 프린트 배선 기판(12) 내에 형성되어 있어도 좋다. 또한, 이상의 실시예에서 기재한 검사 장치(1)에서 검사되는 피검사체는, 트랜지스터 등의 일반적인 반도체 디바이스가 형성된 것이어도 좋고, 파워 트랜지스터, 파워 MOSFET(광전 효과 트랜지스터), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 파워 디바이스가 형성된 것이어도 좋다.
본 발명은, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 검사 장치에서, 단순한 회로 구성을 갖고, 검사 시간을 단축시킬 때에 유용하다.
도 1은 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 2는 프리팅 회로, 전력 공급 회로 및 검사 회로의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 3은 웨이퍼의 검사 영역의 일례를 나타내는 평면도이다.
*부호의 설명*
1 : 검사 장치
2 : 프로브 카드
3 : 척
5 : 테스터
10a, 10b : 프로브
12 : 프린트 배선 기판
13 : 전력 공급 기판
30 : 프리팅 회로
31: 컨덴서
40 : 전력 공급 회로
41 : 챠지용 전원
50 : 검사 회로
P : 전극
W : 웨이퍼

Claims (12)

  1. 피검사체의 단자에 프로브를 접촉시켜, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 검사 장치로서,
    2 개가 한 조인 프로브 쌍과,
    상기 프로브 쌍에 접속되는 충방전부를 가지고, 상기 프로브 쌍이 피검사체의 단자에 접촉한 상태에서, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 단자의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 복수의 프리팅 회로와,
    상기 복수의 프리팅 회로가 접속되어, 상기 각 프리팅 회로의 충방전부에 축전하는 전력 공급 회로를 가지며,
    상기 각 프리팅 회로에는 검사용의 전기 신호를 프로브로 송신하는 검사 회로가 접속되어 있고, 그 접속부에는 상기 각 프리팅 회로와 상기 검사 회로와의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 충방전부는 컨덴서인 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전력 공급 회로에는 전력 공급용 전원에 대하여 상기 복수의 프리팅 회로가 병렬적으로 접속되어 있고,
    상기 전력 공급 회로에는 프리팅 회로 상호 간의 통전을 억제하는 저항이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 각 프리팅 회로에는 상기 충방전부와 프로브 쌍과의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  5. 삭제
  6. 복수의 프로브를 피검사체측의 면에 지지시키고, 해당 프로브를 피검사체의 단자에 접촉시킴으로써, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 프로브 카드로서,
    2 개가 한 조인 프로브 쌍과,
    상기 프로브 쌍에 접속되는 충방전부를 가지고, 상기 프로브 쌍이 피검사체의 단자에 접촉한 상태에서, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 단자의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 복수의 프리팅 회로와,
    상기 복수의 프리팅 회로가 접속되어, 상기 각 프리팅 회로의 충방전부에 축전하는 전력 공급 회로를 가지며,
    상기 각 프리팅 회로에는 검사용의 전기 신호를 프로브로 송신하는 검사 회로가 접속되어 있고, 그 접속부에는 상기 각 프리팅 회로와 상기 검사 회로와의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 충방전부는 컨덴서인 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 전력 공급 회로에는 전력 공급용 전원에 대하여 상기 복수의 프리팅 회로가 병렬적으로 접속되어 있고,
    상기 전력 공급 회로에는 프리팅 회로 상호 간의 통전을 억제하는 저항이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 각 프리팅 회로에는 상기 충방전부와 프로브 쌍과의 전기적인 접속을 온오프하는 스위칭 소자가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  10. 삭제
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재한 검사 장치, 또는 제 6 항 또는 제 7 항에 기재한 프로브 카드를 이용하여 실시되는 피검사체의 전기적 특성의 검사 방법으로서,
    전력 공급 회로에 의하여 복수의 프리팅 회로의 각 충방전부에 축전하는 공정과,
    상기 각 프리팅 회로의 프로브 쌍을 피검사체의 단자에 접촉시켜, 상기 충방전부의 전력에 의하여 상기 프로브 쌍으로 전압을 인가하고, 프리팅 현상을 이용하여 프로브와 피검사체의 단자와의 사이의 전기적인 도통을 도모하는 공정과,
    그 후, 프로브를 단자에 접촉시킨 상태에서, 프로브로 검사용의 전기 신호를 보내어, 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 검사용의 전기 신호를 이용한 하나의 검사를 실시하고 나서, 다음의 검사를 실시할 때까지의 사이에 상기 충방전부의 축전을 실시하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG153689A1 (en) * 2007-12-17 2009-07-29 Test Max Mfg Pte Ltd Contactor assembly for integrated circuit testing
JP5312227B2 (ja) * 2009-06-29 2013-10-09 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及び検査装置
DE102009050279B4 (de) * 2009-10-21 2017-12-14 Metrawatt International Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Überprüfung des Widerstandes elektrischer Erdungsverbindungen
JP6155725B2 (ja) * 2013-03-19 2017-07-05 富士電機株式会社 半導体装置の検査方法及びその方法を用いた半導体装置の製造方法
JP2015001470A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 日本電産リード株式会社 基板検査装置
CN103439582A (zh) * 2013-08-28 2013-12-11 三星高新电机(天津)有限公司 检测块的测试装置
JP6267928B2 (ja) * 2013-10-29 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置の整備用台車及びウエハ検査装置の整備方法
FI3396395T3 (fi) * 2015-12-21 2023-11-17 Toshiba Mitsubishi Elec Ind Sähköpuun testausmenetelmä, elektrodin rakenne ja elektrodin asetuskokoonpano

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620005B2 (ja) * 1989-12-07 1994-03-16 ローム株式会社 抵抗体のトリミング装置
JPH11242062A (ja) 1998-02-24 1999-09-07 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の検査方法および装置
US20040174177A1 (en) * 2000-08-21 2004-09-09 Tokyo Electron Limited Inspection method and inspection apparatus
KR20050085594A (ko) * 2002-12-12 2005-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 검사 방법 및 검사 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2788132B2 (ja) * 1991-02-23 1998-08-20 ローム株式会社 サーマルプリントヘッドにおけるパルストリミング装置
JPH0673325B2 (ja) * 1992-01-28 1994-09-14 ローム株式会社 抵抗体のトリミング装置
JP4387125B2 (ja) 2003-06-09 2009-12-16 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
CN2854830Y (zh) * 2005-12-13 2007-01-03 罗贯诚 单排式的充电器探针模块
JP2008157818A (ja) 2006-12-25 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd 検査方法、検査装置及びプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620005B2 (ja) * 1989-12-07 1994-03-16 ローム株式会社 抵抗体のトリミング装置
JPH11242062A (ja) 1998-02-24 1999-09-07 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の検査方法および装置
US20040174177A1 (en) * 2000-08-21 2004-09-09 Tokyo Electron Limited Inspection method and inspection apparatus
KR20050085594A (ko) * 2002-12-12 2005-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 검사 방법 및 검사 장치

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