KR101921234B1 - 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 변형시킨 상태를 유지하는 한편 변형 전의 본래 형상으로 회복시키는 것이 가능한 플렉서블 디스플레이를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는, Ttrans가 실온보다 높은 형상 기억 수지 기판(2)과 전열 변환 소자(4)를 구비한다. 이 플렉서블 디스플레이(1)에서는, 전열 변환 소자(4)에 전압을 인가함으로써 형상 기억 수지 기판(2)이 가열된다. 형상 기억 수지 기판(2)은, Ttrans 이상의 온도에서 형상 변형되고, Ttrans 미만의 온도에서 형상 유지를 할 수 있다.

Description

플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법{Flexible Display and Method for Using Thereof}
본 발명은 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법에 관한 것이다.
최근 액정 디스플레이, 유기EL 디스플레이 등 각종 디스플레이 중에서도 얇고 가벼우며, 유연해서 변형 가능한 플렉서블 디스플레이가 주목을 받고 있다. 이와 같은 플렉서블 디스플레이로서는 종래 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등으로부터 형성되는 플라스틱 필름을 기판으로서 사용한 플렉서블 디스플레이가 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1).
특허문헌 1 : 일본공개특허공보 2006-73636 호
플렉서블 디스플레이는 변형시킨 상태(예를 들면 곡면 형상 등)로 사용하거나, 컴팩트한 상태로 변형시켜서 운반 또는 반송하는 일이 있는 점으로부터, 변형시킨 상태를 유지할 수 있는 플렉서블 디스플레이에 대한 요구가 있다.
그러나 종래의 플렉서블 디스플레이는, 외력을 부여함으로써 변형되고 외력을 제거하면 본래 형상(예를 들면 평탄한 형상 등)으로 대체로 회복시킬 수 있지만, 외력를 부여하지 않으면 변형시킨 상태를 유지할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 변형시킨 상태를 유지하는 한편 변형 전의 본래 형상으로 회복시키는 것이 가능한 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의 연구를 계속한 결과, 고화-연화 전이가 일어나는 온도(Ttrans)가 실온보다 높은 형상 기억 수지를 기판으로서 사용하고 이 기판을 전열 변환 소자와 조합함으로써, 상기 문제를 해결할 수 있는 점을 발견하고 본 발명을 완성하는데 이르렀다.
즉, 본 발명은 Ttrans가 실온보다 높은 형상 기억 수지 기판과 전열 변환 소자를 구비하고, 상기 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 상기 형상 기억 수지 기판이 가열되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이이다.
또한 본 발명은, 상기 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 상기 형상 기억 수지 기판을 Ttrans 이상의 온도로 가열하고, 상기 플렉서블 디스플레이를 기억된 본래 형상으로 회복시키는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이의 사용 방법이다.
본 발명에 의하면 변형시킨 상태를 유지하는 한편 변형 전의 본래 형상으로 회복시키는 것이 가능한 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 플렉서블 디스플레이의 단면 모식도이다.
본 발명의 플렉서블 디스플레이는, Ttrans가 실온보다 높은 형상 기억 수지 기판과 전열 변환 소자를 구비하고, 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 변형 기억 수지 기판이 가열되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법의 바람직한 실시 형태에 대해서 도면을 가지고 설명한다.
도 1은 본 발명의 플렉서블 디스플레이의 단면 모식도이다. 도 1에서 플렉서블 디스플레이(1)는, 형상 기억 수지 기판(2)과, 형상 기억 수지 기판(2) 상에 설치된 전열 변환 소자(4)와, 전열 변환 소자(4) 상에 설치된 표시 소자(3)로부터 구성되어 있다.
본 명세서에서 '형상 기억 수지 기판(2)'이란, 형상 기억 수지로부터 형성된 기판을 의미한다. 또한 형상 기억 수지라는 것은, 원래의 형상(영구 형상)으로부터 다른 일시적 형상으로 변형 및 고정이 가능하고, 통상적으로는 일시적 형상을 유지하고 있지만 열 등의 자극에 의해 영구 형상으로 자발적으로 회복되는 특성을 갖는 수지를 의미한다. 형상 기억 수지의 영구 형상은 고분자 사슬을 가교함으로써 부여된다. 가교 구조는, 반드시 화학 가교일 필요는 없고, 완화 시간이 충분히 길면 물리적 상호 작용에 의한 유사(pseudo) 가교여도 된다. 이와 같은 가교 구조를 갖는 수지를 Ttrans 이상의 온도, 즉 분자 사슬의 세그먼트(segment) 운동이 가능한 온도에서 외력을 부여해서 변형시킨 후, Ttrans 보다 낮은 온도로 냉각해서 세그먼트 운동을 동결함으로써 일시적 형상이 고정화된다. 형상 기억 수지가 Ttrans 이상의 온도로 가열되고 세그먼트 운동이 다시 가능해지면, 본래의 영구 형상으로 자발적으로 회복된다. 형상 기억 수지가 고화-연화되는 온도(Ttrans)는 가교 사슬이 고화되는 온도이고, 유리상 고분자에서는 유리전이온도(Tg)에, 결정성 고분자에서는 용융온도(Tm)에 상당한다. 또한 형상 기억 수지는 형상 기억 폴리머로도 불린다.
형상 기억 수지 기판(2)은, Ttrans가 실온보다 높고 바람직하게는 40 ℃ ~ 80 ℃이다.
본 명세서에서 ‘실온’이란 일반적으로 25 ℃를 의미한다.
또한 본 명세서에서 ‘Ttrans’란, JIS K7121의 ‘플라스틱의 전이온도 측정 방법’을 바탕으로 한 시차주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정되는 값을 의미한다.
형상 기억 수지 기판(2)은, 형상 기억 수지 기판(2)을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하여 소망하는 형상으로 변형시킨 후, Ttrans보다 낮은 온도로 냉각함으로써 소망하는 형상으로 변형시킨 상태를 유지할 수 있다. 또한 이와 같은 Ttrans보다 높은 온도에서 부여한 형상을 유지한 상태에서 Ttrans보다 낮은 온도로 냉각함으로써 그 형상이 유지되는 특성을, 이하에서는 ‘형상 고정성’이라고 한다.
또한 변형된 상태로 형상 고정시킨 형상 기억 수지 기판(2)은, Ttrans보다 높은 온도로 가열함으로써, 기억시킨 형상(변형 전의 본래 형상)으로 회복시킬 수도 있다. 또한 이와 같은 Ttrans보다 높은 온도로 가열함으로써, 기억시킨 형상으로 돌아가는 특성을 이하에서는 ‘형상 회복성’이라고 한다.
형상 기억 수지 기판(2)의 두께는, 유연성을 저하시키지 않는 범위라면 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 20 ㎛ ~ 2000 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ ~ 1500 ㎛, 더욱 바람직하게는 40 ㎛ ~ 1000 ㎛이다.
형상 기억 수지 기판(2)에 사용되는 형상 기억 수지의 종류는, Ttrans가 실온보다 높으면 특별히 한정되지 않지만, 폴리노보넨, 트랜스 폴리이소프렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리우레탄, 아크릴계 가교체 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도 아크릴계 가교체는 형상 기억 특성 및 투명성도 뛰어나기 때문에 본 발명의 용도에 적합한 재료라고 할 수 있다. 아크릴계 가교체는, 당해 기술 분야에서 공지된 방법에 의해 제조해도 되고 시판품을 사용해도 된다.
아크릴계 가교체는, 일반적으로 (메타)아크릴산 알킬에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체이다.
본 명세서에서 ‘(메타)아크릴산 알킬에스테르’는, 아크릴산 알킬에스테르 및 메타크릴산 알킬에스테르, 둘 다 의미한다.
아크릴산 알킬에스테르로는 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, n-헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-데실아크릴레이트, n-도데실아크릴레이트, n-라우릴아크릴레이트, n-옥타데실아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
메타크릴산 알킬에스테르로는 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, n-펜틸메타크릴레이트, n-헥실메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, n-데실메타크릴레이트, n-도데실메타크릴레이트, n-라우릴메타크릴레이트, n-옥타데실메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
(메타)아크릴산 알킬에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체 중에서도 실온보다 높은 Ttrans(=Tg)를 안정적으로 얻는 관점에서, 메타크릴산 알킬에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체인 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산 알킬에스테르의 공중합체의 경우, 그 종류는 특별히 한정되지 않고 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체일 수 있다.
형상 기억 수지 기판(2)은, 형상 기억 수지 기판(2)을 표시 소자(3)의 표시면 측에 배치하는 경우 또는 투명 디스플레이에 적용하는 경우에는 투명인 것이 바람직하다.
본 명세서에서 '투명'이란, 가시광에 대하여 투명인 것을 의미한다.
(메타)아크릴산 알킬에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체는, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 함께 가교제 및 중합 개시제를 원료로서 사용하고, 유화중합, 현탁중합, 용액중합, 괴상중합(벌크중합) 등 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면 (메타)아크릴산 알킬에스테르, 가교제 및 중합 개시제를 혼합한 후 혼합물을 소정의 틀에 부어 넣거나 지지체 상에 도포해서 필름상으로 형성하고 중합 및 가교시키면 된다.
중합 조건은 사용하는 원료의 종류 등에 따라서 적절히 조정하면 되고 특별히 한정되지 않지만, 중합 온도는 일반적으로 50 ℃ ~ 200 ℃, 바람직하게는 60 ℃ ~ 150 ℃, 중합 시간은 일반적으로 0.5 시간 ~ 48 시간, 바람직하게는 1 시간 ~ 24 시간이다.
또한 중합체 가교는 중합 후 또는 중합과 동시에 수행된다. 중합 후에 가교를 수행할 경우, 소정의 온도로 가열하면 된다. 가교 시간 및 가교 온도는 사용하는 가교제 종류에 따라서 적절히 조정하면 되고 특별히 한정되지 않지만, 가교 온도는 일반적으로 100 ℃ ~ 250 ℃, 가교 시간은 일반적으로 0.5 시간 ~ 5 시간이다.
가교제로서는 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 가교제의 배합 비율은, 사용하는 (메타)아크릴산 알킬에스테르의 종류에 따라서 적절히 조정하면 되고 특별히 한정되지 않지만, (메타)아크릴산 알킬에스테르에 대하여 일반적으로 0.1 mol% ~ 20 mol%, 바람직하게는 0.3 mol% ~ 15 mol%, 더욱 바람직하게는 0.5 mol% ~ 10 mol%이다. 예를 들어, (메타)아크릴산 알킬에스테르 100 mol에 대하여 가교제는 0.1 mol ~ 20 mol, 바람직하게는 0.3 mol ~ 15 mol, 더욱 바람직하게는 0.5 mol ~ 10 mol일 수 있다.
중합 개시제로는 과산화벤조일, 메틸시클로헥사논퍼옥사이드, 쿠멘히드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디이소프로필퍼옥시카보네이트, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트 등의 유기 과산화물, 2, 2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등의 아조 화합물 등 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 중합 개시제의 배합 비율은 사용하는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 가교제의 종류에 따라서 적절히 조정하면 되고 특별히 한정되지 않지만, (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 가교제의 합계에 대하여 외할로, 일반적으로 0.01 mol% ~ 10 mol%, 바람직하게는 0.03 mol% ~ 5 mol%, 더욱 바람직하게는 0.05 mol% ~ 3 mol%이다.
또한 (메타)아크릴산 알킬에스테르의 공중합체를 제조할 경우, 각 (메타)아크릴산 알킬에스테르의 배합 비율은, 공중합체의 Ttrans(=Tg)가 실온보다 높아지는 비율로 하면 되고 특별히 한정되지 않는다.
표시 소자(3)는 특별히 한정되지 않고, 당해 기술 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있다. 표시 소자(3)의 예로서는 유기EL 표시 소자, 액정 표시 소자, 전자 종이 등을 들 수 있다.
전열 변환 소자(4)는, 형상 기억 수지 기판(2)을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하기 위한 부재이다. 전열 변환 소자(4)로는, 전압 인가에 의해 발열이 가능한 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 또한 전열 변환 소자(4)의 형상도 특별히 한정되지 않지만, 형상 기억 수지 기판(2)을 균일하게 가열하는 관점에서, 유연성을 갖는 필름상인 것이 바람직하다. 이와 같은 전열 변환 소자(4)는, 일반적으로 필름 히터, 시트 히터, 패널 히터 등의 명칭으로 시판되고 있고, 이들 시판품을 사용할 수 있다.
또한 전열 변환 소자(4)는, 전열 변환 소자(4)를 표시 소자(3)의 표시면 측에 배치하는 경우 또는 투명 디스플레이에 적용하는 경우에는 투명한 것이 바람직하다. 투명한 전열 변환 소자(4)로는 PET와 PEN 등의 투명 수지 필름과, 투명 수지 필름 상에 형성된 ITO막을 포함하는 것을 들 수 있다.
본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는, 형상 고정성과 형상 회복성을 겸비한 형상 기억 수지 기판(2)을 가지고 있기 때문에 변형시킨 상태를 유지하는 한편 변형 전의 본래 형상으로 회복시키는 것이 가능하다.
또한 도 1의 플렉서블 디스플레이(1)에서는 1개의 형상 기억 수지 기판(2)을 형성한 예를 도시했지만, 형상 기억 수지 기판(2)에 의한 형상 고정성 및 형상 회복성이 불충분한 경우, 형상 기억 수지 기판(2)의 개수는 특별히 한정되지 않고 복수개 있어도 상관없다. 또한 도 1의 플렉서블 디스플레이(1)에서는 전열 변환 소자(4)가 형상 기억 수지 기판(2)과 인접하여 설치된 예를 도시했지만, 전열 변환 소자(4)로부터의 열을 형상 기억 수지 기판(2)에 전달할 수 있으면 전열 변환 소자(4)와 형상 기억 수지 기판(2)이 인접해 있지 않아도 된다. 또한 도 1의 플렉서블 디스플레이(1)에서는 표시 소자(3)와는 별개의 부재로서 형상 기억 수지 기판(2)을 설치한 예를 도시했지만, 표시 소자(3)의 기판으로서 형상 기억 수지 기판(2)을 사용해도 상관없다.
본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는, 전열 변환 소자(4)에 전압을 인가함으로써 형상 기억 수지 기판(2)을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하여 변형시킨 후, 변형시킨 상태를 유지한 상태에서 형상 기억 수지 기판(2)을 Ttrans보다 낮은 온도로 냉각함으로써 그 형상을 고정화 할 수 있다. 따라서 본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는, 변형시킨 상태로 사용하거나 운반 또는 반송 등을 수행할 수 있다.
또한 본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는, 전열 변환 소자(4)에 전압을 인가함으로써 형상 기억 수지 기판(2)을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하고, 기억된 본래 형상으로 회복시킬 수 있다. 따라서 본 발명의 플렉서블 디스플레이(1)는 다양한 형상으로 변형시켜도 본래 형상으로 회복시킬 수 있다.
<실시예>
이하의 실험에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 이들에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
(1) 샘플 A: 폴리부틸메타크릴레이트(PBMA) 조제
부틸메타크릴레이트(BMA)를 플라스크에 넣고, 가교제로서 에틸렌글리콜디메타크릴레이트(EGDMA)를 첨가했다. 가교제의 배합 비율은, BMA에 대하여 외할 1.0 mol%로 했다. 다음으로 중합 개시제로서 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 첨가했다. 여기서 중합 개시제의 배합 비율은, 부틸메타크릴레이트 및 EGDMA의 합계에 대하여 외할 0.1 mol%로 했다. 다음으로 10 분간 플라스크 내를 질소 버블링하여 산소를 제거한 후 틀에 부어 넣고, 85 ℃의 항온조에 넣어서 24 시간 중합시켰다. 그 후 온도를 120 ℃로 올려서 1 시간 가교시킴으로써 두께 1 ㎜의 판상 폴리부틸메타크릴레이트를 얻었다. 얻은 폴리부틸메타크릴레이트의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 36 ℃였다.
(2) 샘플 B: 부틸메타크릴레이트(BMA)와 메틸메타크릴레이트(MMA)의 랜덤 공중합체 조제
BMA 및 MMA를 플라스크에 넣고, 가교제로서 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(EGDMA)를 첨가했다. 여기서 MMA의 배합 비율은, BMA 및 MMA의 합계에 대한 MMA의 몰비율을 9 mol%로 하고, 가교제의 배합 비율은, BMA 및 MMA의 합계에 대하여 외할 1.0 mol%로 했다. 다음으로 10 분간 플라스크 내를 질소 버블링하여 산소를 제거한 후 틀에 부어 넣고, 85 ℃의 항온조에 넣어서 24 시간 중합시켰다. 그 후 온도를 120 ℃로 올려서 1 시간 가교시킴으로써 두께가 1 ㎜인 판상의 랜덤 공중합체를 얻었다. 얻은 공중합체의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 47 ℃였다.
(3) 샘플 C: 부틸메타크릴레이트(BMA)와 메틸메타크릴레이트(MMA)의 랜덤 공중합체 조제
MMA의 배합 비율에 관하여, BMA 및 MMA의 합계에 대한 MMA의 몰비율을 17 mol%로 변경한 점 이외에는 샘플 B와 동일하게 해서 두께가 1 ㎜인 판상의 랜덤 공중합체를 얻었다. 얻은 공중합체의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 53 ℃였다.
(4) 샘플 D: 부틸메타크릴레이트(BMA)와 메틸메타크릴레이트(MMA)의 랜덤 공중합체 조제
가교제의 배합 비율을, BMA 및 MMA의 합계에 대하여 외할 3.0 mol%로 변경한 점 이외에는 샘플 C와 동일하게 해서 두께가 1 ㎜인 판상의 랜덤 공중합체를 얻었다. 얻은 공중합체의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 59 ℃였다.
(5) 샘플 E: 부틸메타크릴레이트(BMA)와 메틸메타크릴레이트(MMA)의 랜덤 공중합체 조제
가교제의 배합 비율을, BMA 및 MMA의 합계에 대하여 외할 5.0 mol%로 변경한 점 이외에는 샘플 C와 동일하게 해서 두께가 1 ㎜인 판상의 랜덤 공중합체를 얻었다. 얻은 공중합체의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 66 ℃였다.
(6) 샘플 F: 부틸메타크릴레이트(BMA)와 메틸메타크릴레이트(MMA)의 랜덤 공중합체 조제
MMA의 배합 비율에 관하여, BMA 및 MMA의 합계에 대한 MMA의 몰비율을 33 mol%로 변경한 점 이외에는 샘플 B와 동일하게 해서 두께가 1 ㎜인 판상의 랜덤 공중합체를 얻었다. 얻은 공중합체의 Tg를 상기 방법에 의해 측정한 결과 64 ℃였다.
상기에서 얻은 각 샘플에 대하여 형상 고정성 및 형상 회복성을 평가했다. 평가는 다음 순서에 따라서 수행했다.
(i) 각 샘플로부터 50 ㎜ × 3 ㎜ × 1 ㎜의 시편을 잘라냈다.
(ii) 일축 연신기에 시편을 부착하고, 시편의 처음 길이 L0를 측정했다.
(iii) 시편을 각 변형 온도(Tdef)로 설정한 항온조에 넣고, 10 분간 가열했다. 또한 Tdef는 샘플마다 Tg + 10 ℃로 설정했다.
(iv) 정속도 45 ㎜/분으로 신장 변형을 시편에 부여하고, 이 때의 길이 L1을 측정했다.
(v) 시편에 (iv)의 응력을 부여한 상태에서, 고정 온도(Tfix)에서 30 분간 냉각했다.
(vi) 응력을 제거하고 시편을 테프론(등록상표) 샬레에 넣고, Tfix에서 30 분간 가만히 둔 후 시편의 길이 L2를 측정했다.
(vii) Tfix로 설정한 항온조에 넣고 일정한 승온 속도로 승온시켰다. 항온조의 온도가 5 ℃ 상승할 때마다 시편을 꺼내고 길이 L3를 측정했다.
형상 고정성 평가 지표인 형상 고정율(Rf) 및 형상 회복성 평가 지표인 형상 회복율(Rr)은, 다음 식에 의해 산출했다.
Figure 112016119150604-pat00001
이 평가에서 형상 고정율(Rf)은, 실용성 관점에서 85 % 이상인 것이 필요하고, 바람직하게는 90 %, 더욱 바람직하게는 92 % 이상이다. 또한 형상 회복율(Rr)은, 실용성 관점에서 90 % 이상인 것이 필요하고, 바람직하게는 92 %, 더욱 바람직하게는 93 %이다. 상기의 평가 결과를 표 1에 도시한다.
<표 1>
Figure 112016119150604-pat00002
표 1에 도시된 것과 같이 각 샘플은 모두 형상 고정율(Rf) 및 형상 회복율(Rr)이 높았다.
이상의 결과로부터 알 수 있듯이 본 발명에 의하면, 변형 시킨 상태를 유지하는 한편 변형 전의 본래 형상으로 회복시키는 것이 가능한 플렉서블 디스플레이 및 그 사용 방법을 제공할 수 있다.
1: 플렉서블 디스플레이 2: 형상 기억 수지 기판
3: 표시 소자 4: 전열 변환 소자

Claims (11)

  1. Ttrans가 실온보다 높은 형상 기억 수지 기판과 전열 변환 소자를 구비하고, 상기 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 상기 형상 기억 수지 기판이 가열되며,
    상기 형상 기억 수지 기판이 아크릴계 가교체이고, 상기 아크릴계 가교체가 메타크릴산 알킬에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체인 플렉서블 디스플레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 수지 기판의 Ttrans가 40 ℃ ~ 80 ℃인 플렉서블 디스플레이.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형상 기억 수지 기판 및 상기 전열 변환 소자가 투명한 플렉서블 디스플레이.


  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전열 변환 소자가, 투명 수지 필름과 상기 투명 수지 필름 상에 형성된 ITO막을 포함하는 플렉서블 디스플레이.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재한 플렉서블 디스플레이의 사용 방법으로서,
    상기 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 상기 형상 기억 수지 기판을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하여 상기 플렉서블 디스플레이를 변형시킨 후, 변형시킨 상태를 유지한 상태에서 상기 형상 기억 수지 기판을 Ttrans보다 낮은 온도로 냉각함으로써 플렉서블 디스플레이의 형상을 고정화하는 플렉서블 디스플레이의 사용 방법.
  9. 제 1 또는 제 2 항에 기재한 플렉서블 디스플레이의 사용 방법으로서,
    상기 전열 변환 소자에 전압을 인가함으로써 상기 형상 기억 수지 기판을 Ttrans보다 높은 온도로 가열하고, 기억된 본래 형상으로 회복시키는 플렉서블 디스플레이의 사용 방법.
  10. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 메타크릴산 알킬에스테르는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, n-펜틸메타크릴레이트, n-헥실메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, n-데실메타크릴레이트, n-도데실메타크릴레이트, n-라우릴메타크릴레이트, n-옥타데실메타크릴레이트 중 어느 하나인 플렉서블 디스플레이.
  11. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형상 기억 수지 기판은 가교제 및 중합 개시제를 더 포함하고,
    상기 가교제는 상기 메타크릴산 알킬에스테르에 대하여 0.1 mol% ~ 20 mol% 포함되고, 상기 중합 개시제는 상기 메타크릴산 알킬에스테르와 상기 가교제의 합계에 대하여 외할로 0.01 mol% ~ 10 mol% 포함되는 플렉서블 디스플레이.
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