KR101868760B1 - Hall sensor manufacturing method, hall sensor, and lens module - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 7
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 6
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000784 Nomex Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004763 nomex Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01L43/04—
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- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
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- H01L43/065—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 박형이고 또한 소형이며, 자기 특성의 변동이 적은 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈에 관한 것이다. 리드 단자(21a 내지 21d)가 형성된 금속판을 기재(30) 위에 배치하고, 리드 단자로 둘러싸이는 영역에 홀 소자(10)를 배치하고, 전극부(13a 내지 13d)와 리드 단자를 도선으로 전기적으로 접속하고, 홀 소자와, 도선과, 리드 단자의 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면(M2)을 밀봉 부재로 밀봉하고, 기재(30)를 제거하고, 리드 단자의 제2 면과는 반대측의 제1 면(M1)을 밀봉 부재로부터 노출시켜서, 리드 단자는, 제2 면 위에서 홀 소자가 적재되는 위치를 중심으로 한 타원형 또는 다각형의 둘레 위에 단차(D)를 갖고, 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위(N1)를 갖고, 먼 측에 제2 부위(N2)를 갖고, 제1 부위에 있어서의 제2 면까지의 높이는, 제2 부위에 있어서의 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성한다.The present invention relates to a method of manufacturing a Hall sensor and a Hall sensor and a lens module which are thin and small and have small variations in magnetic characteristics. The metal plate on which the lead terminals 21a to 21d are formed is disposed on the substrate 30 and the Hall elements 10 are arranged in the region surrounded by the lead terminals and the electrode portions 13a to 13d and the lead terminals are electrically connected And the second surface (M2), which is a surface connected to the lead element, the lead wire and the lead terminal, is sealed with a sealing member, the base material (30) is removed, and the lead terminal The first surface M1 is exposed from the sealing member so that the lead terminal has a step D on the periphery of an ellipse or polygon centered on a position where the hall element is mounted on the second surface, And the second portion N2 on the far side, and the height to the second surface in the first portion is the height from the second surface N2 in the second portion to the height .
Description
본 발명은, 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an Hall sensor, and a Hall sensor and a lens module.
자계를 검출하는 센서로서, 홀 소자를 사용한 자기 센서가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 펠릿(홀 소자 등의 자기 센서 칩)을 사용한 아일랜드리스 구조의 자기 센서 및 그 제조 방법이 기재되어 있다.As a sensor for detecting a magnetic field, a magnetic sensor using a Hall element is known. For example, Patent Document 1 describes an islandless structure magnetic sensor using a pellet (a magnetic sensor chip such as a Hall element) and a manufacturing method thereof.
그런데, 최근의 전자 기기의 박형화, 소형화에 수반하여, 보다 박형이고 소형의 홀 센서가 요구되고 있다. 전술한 특허문헌 1의 자기 센서를 보다 얇게 하기 위해서는, 펠릿과 리드 단자를 접속하는 도선의 높이를 낮게 하는 것이 유효하다. 도선의 높이를 낮게 하기 위해서는, 펠릿과 리드 단자 중, 높은 위치에 있는 부재를 보다 낮게 하는 것이 유효하다. 특허문헌 1의 자기 센서의 경우, 펠릿을 보다 얇게 하는 것이 자기 센서 전체의 박형화에는 유효하다. 또한, 특허문헌 1의 자기 센서를 보다 소형으로 하기 위해서는, 펠릿과 리드 단자의 거리를 좁히는 것이 유효하다. 그러나, 펠릿을 얇게 하고, 또한 펠릿과 리드 단자의 거리를 좁히면 이하의 문제가 발생한다.However, with the recent trend toward thinner and smaller electronic devices, a thinner and smaller Hall sensor is required. In order to make the magnetic sensor of Patent Document 1 described above thinner, it is effective to lower the height of the conductor connecting the pellet and the lead terminal. In order to reduce the height of the lead wire, it is effective to lower the member located at the higher position among the pellet and the lead terminals. In the case of the magnetic sensor of Patent Document 1, thinning of the pellet is effective for reducing the thickness of the entire magnetic sensor. In order to make the magnetic sensor of Patent Document 1 smaller, it is effective to narrow the distance between the pellet and the lead terminal. However, if the pellet is made thinner and the distance between the pellet and the lead terminal is narrowed, the following problems arise.
도 1은, 본 발명에 따른 홀 센서의 과제를 설명하기 위한 단면 구성도이다. 도 1은, 홀 센서의 제조 공정의 일부를 나타낸 도면이며, 콜릿(600)을 사용해서 홀 소자(510)를 리드 단자(525, 527)로 둘러싸인 영역에 적재하는 공정을 나타내고 있다. 리드 단자(525, 527)는 기재(530) 위에 적재되어 있으며, 홀 소자(510)의 이면에는 절연층(540)이 형성되어 있다. 홀 소자(510)는, 감자부(512)와 전극부(513a, 513b)를 구비한다. 홀 소자(510)가 얇고, 또한 홀 소자(510)가 적재되는 위치와 리드 단자(525, 527)의 거리가 작은 경우, 콜릿(600)을 사용해서 홀 소자(510)를 적재할 때, 콜릿(600)이 리드 단자(525, 527)에 접촉할 우려가 있다. 콜릿(600)이 리드 단자(525, 527)에 접촉하면, 홀 소자(510)가 통상 적재되는 위치와 상이한 위치에 적재될 우려가 있다. 홀 소자(510)의 위치가 변동되는 것은 감자부(512)의 위치가 변동되는 것으로 이어지고, 최종적으로는 홀 센서의 자기 특성이 변동되는 것으로 이어진다. 또한, A는 콜릿과 리드 단자의 접촉 개소를 나타내고 있다.1 is a cross-sectional view for explaining a problem of the Hall sensor according to the present invention. 1 shows a part of a manufacturing process of a Hall sensor, and shows a process of stacking a
본 발명은, 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 박형이고 소형이며, 자기 특성의 변동이 적은 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a Hall sensor and a Hall sensor and a lens module which are thin and small and have little variation in magnetic characteristics.
본 발명의 일 형태에 의하면, 이하의 사항을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the following features are provided.
(1); 복수의 전극부를 갖는 홀 소자와, 상기 홀 소자의 주위에 배치된 복수의 외부 단자와, 상기 복수의 전극부의 각 전극부와 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선과, 상기 홀 소자와, 상기 복수의 도선과, 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉하는 밀봉 부재를 구비하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면은, 상기 밀봉 부재의 저면으로부터 노출되어 있으며, 상기 복수의 외부 단자는, 제1 외부 단자를 적어도 포함하고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자를 둘러싸는 영역의 둘레 위에 단차를 갖고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자에 가까운 측에 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자에 먼 측에 제2 부위를 갖고, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 하여, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이는, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있는 홀 센서이다.(One); A plurality of external terminals disposed around the Hall element; and a plurality of conductors for electrically connecting the respective electrode portions of the plurality of electrode portions and the external terminals of the plurality of external terminals, respectively, And a sealing member sealing the second surface, which is the surface connected to the lead of each of the external terminals, with the hole element, the plurality of conductors, and the sealing member which is located on the opposite side of the second surface Wherein the first surface is exposed from the bottom surface of the sealing member, and the plurality of external terminals include at least a first external terminal, and the first external terminal is disposed on the second surface, Wherein the first external terminal has a first portion on a side closer to the hole element with the step as a boundary and a second portion on a side farther from the hole element, Wherein a height of the first external terminal to the second surface of the first external terminal is lower than a height of the second surface of the first external terminal to the second surface with the bottom surface of the sealing member as a reference surface Is a Hall sensor.
(2); 상기 (1)에 있어서, 상기 홀 소자는, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 하여, 상기 홀 소자의 가장 높은 점이, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 높고, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 낮은 위치에 배치된다.(2); In the above-mentioned (1), the hole element has a bottom surface of the sealing member as a reference surface, the highest point of the hole element is higher than the second surface of the first portion of the first external terminal, Is disposed at a position lower than the second surface of the second portion.
(3); 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 홀 소자는, 상기 기준면으로부터 상기 홀 소자의 가장 높은 점까지의 높이를 T, 상기 기준면으로부터 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면의 높이를 p2로 하여, p2<T<1.5×p2로 되는 위치에 배치된다.(3); In the above-mentioned (1) or (2), it is preferable that a height from the reference surface to the highest point of the Hall element is T, a height of the second surface from the reference surface is p2 , And is arranged at a position where p2 < T < 1.5 x p2.
(4); 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 외부 단자는, 제2 내지 제4 외부 단자를 더 포함하고, 상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 제1 외부 단자와 상기 제3 외부 단자를 연결하는 가상 직선과 상기 제2 외부 단자와 상기 제4 외부 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있고, 상기 홀 소자는, 평면에서 볼 때 직사각 형상이며, 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자의 4개의 정점이, 상기 제1 외부 단자와 상기 제2 외부 단자 사이의 영역, 상기 제2 외부 단자와 상기 제3 외부 단자 사이의 영역, 상기 제3 외부 단자와 상기 제4 외부 단자 사이의 영역 및 상기 제4 외부 단자와 상기 제1 외부 단자 사이의 영역에 배치되는 위치에 배치되어 있다.(4); Wherein the plurality of external terminals further include second to fourth external terminals, and the first to fourth external terminals are connected to the first external terminal and the second external terminal, A virtual straight line connecting the third external terminal and a virtual straight line connecting the second external terminal and the fourth external terminal intersect when viewed from a plane, the hall element being rectangular in plan view, The four vertexes of the hall element are arranged in a region between the first external terminal and the second external terminal, a region between the second external terminal and the third external terminal, An area between the fourth external terminals, and a region disposed between the fourth external terminal and the first external terminal.
(5); 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 홀 소자의 상기 복수의 전극부가 배치되는 면과는 반대측의 면에 배치된 절연층을 구비하고, 상기 절연층은, 상기 밀봉 부재의 상기 저면으로부터 노출되어 있다.(5); The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (4), further comprising an insulating layer disposed on a surface of the hole element opposite to the surface on which the plurality of electrode sections are disposed, Exposed from the bottom.
(6); 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자는, 상기 제2 면 위에 상기 단차를 갖고, 상기 각 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자에 가까운 측에 상기 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자에 먼 측에 상기 제2 부위를 갖고, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 하여, 상기 각 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이는, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있다.(6); Wherein each of the external terminals of the plurality of external terminals has the step on the second surface and the external terminals of the plurality of external terminals are connected to each other through the step, And the second portion on a side farther from the hall element than the first portion on the side closer to the first portion of the first terminal, The height to the surface is formed to be lower than the height to the second surface in the second portion.
(7); 상기 (6)에 있어서, 각 외부 단자는, 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자를 중심으로 한 원 형상, 다각 형상, 또는 그들 조합의 형상의 영역의 둘레 위에 상기 단차가 형성되어 있다.(7); In the above (6), each stepped portion is formed on the periphery of a circle, a polygonal shape, or a combination of the shapes of the external terminals, centered on the hall element, in a plan view.
(8); 복수의 전극부를 갖는 홀 소자와, 상기 홀 소자의 주위에 배치된 복수의 외부 단자와, 상기 복수의 전극부의 각 전극부와 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선과, 상기 홀 소자, 상기 복수의 도선, 및 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉하는 밀봉 부재를 구비하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면은, 상기 밀봉 부재의 저면으로부터 노출되어 있으며, 상기 각 외부 단자는, 상기 복수의 도선이 접속되는 제2 부위로부터, 상기 제2 부위보다도 상기 홀 소자에 가까운 제1 부위에, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제2 부위에 있어서의 제2 면측의 높이가, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제1 부위에 있어서의 제2 면측의 높이보다도 높아지는 단차가 형성되는 홀 센서이다.(8); A plurality of external terminals disposed around the Hall element; and a plurality of conductors for electrically connecting the respective electrode portions of the plurality of electrode portions and the external terminals of the plurality of external terminals, respectively, And a sealing member for sealing the second surface, which is a surface connected to the conductor, of the hole element, the plurality of conductors, and the respective external terminals, The first surface is exposed from the bottom surface of the sealing member and each of the external terminals is connected to a first portion closer to the hall element than the second portion from a second portion to which the plurality of conductors are connected, The height of the second surface side of the second portion with the bottom surface of the sealing member as a reference surface is higher than the height of the second surface side of the first portion with the bottom surface of the sealing member serving as the reference surface Is a Hall sensor that is stepped to form.
(9); 상기 (8)에 있어서, 상기 밀봉 부재의 저면으로부터 상기 홀 소자의 상기 전극부와 상기 복수의 도선이 접촉하는 접촉점까지의 높이가, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제1 부위에 있어서의 제2 면측의 높이보다도 높다.(9); (8), the height from the bottom surface of the sealing member to the contact point at which the electrode portion of the hall element and the plurality of conductors contact with each other is larger than a height Is higher than the height of the second surface.
(10); 상기 (8) 또는 (9)에 있어서, 상기 단차는, 단면에서 볼 때, 경사면 형상, 또는 밀봉 부재의 저면측으로 오목해지는 곡선 형상을 갖는다.(10); In the above (8) or (9), the step has a curved shape which is inclined or concave toward the bottom surface of the sealing member when viewed in cross section.
(11); 상기 (8) 내지 (10) 중 어느 하나에 있어서, 상기 각 외부 단자는, 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자를 중심으로 한, 원 형상, 다각 형상, 또는 그들 조합의 형상의 영역의 둘레 위에 상기 단차가 형성된다.(11); Wherein each of the external terminals is formed on the periphery of an area of a circular shape, a polygonal shape, or a combination thereof, centered on the hall element, A step is formed.
(12); 상기 (8) 내지 (11) 중 어느 하나에 있어서, 상기 홀 소자는, 기판, 상기 기판 위 또는 기판 내에 설치된 감자부, 상기 감자부와 접속하는 상기 복수의 전극부를 갖고, 상기 홀 소자의 상기 복수의 전극부가 배치되는 면과는 반대측의 면에 배치된 절연층을 구비하고, 상기 절연층은, 상기 밀봉 부재의 상기 저면으로부터 노출되어 있다.(12); The Hall device according to any one of (8) to (11), wherein the Hall element has a potentiometer part provided on the substrate, the substrate or the substrate, and the plurality of electrode parts connected to the potentiometer part, And an insulating layer disposed on a surface opposite to a surface on which the electrode portion of the sealing member is disposed, wherein the insulating layer is exposed from the bottom surface of the sealing member.
(13); 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 홀 센서와, 자석이 부착된 렌즈 홀더와, 상기 홀 센서의 상기 외부 단자로부터의 출력 신호에 기초하여, 상기 자석을 이동시키는 구동 코일을 구비하는 렌즈 모듈이다.(13); A hall sensor according to any one of (1) to (12), a lens holder with a magnet, and a drive coil for moving the magnet based on an output signal from the external terminal of the hall sensor Lens module.
(14); 복수의 외부 단자와, 복수의 전극부를 갖는 홀 소자와, 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자와 상기 복수의 전극부의 각 전극부를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선을 구비하는 홀 센서의 제조 방법으로서, 상기 복수의 외부 단자가 형성된 금속판을 기재 위에 배치하는 외부 단자 배치 공정과, 상기 복수의 외부 단자로 둘러싸이는 영역에 상기 홀 소자를 배치하는 홀 소자 배치 공정과, 상기 복수의 전극부와 상기 복수의 외부 단자를 상기 복수의 도선으로 전기적으로 접속하는 도선 접속 공정과, 상기 홀 소자와, 상기 복수의 도선과, 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉 부재로 밀봉하는 밀봉 공정과, 상기 기재를 제거하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 노출 공정을 구비하고, 상기 복수의 외부 단자는, 제1 외부 단자를 적어도 포함하고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자가 적재되는 위치를 중심으로 한 타원 형상 또는 다각 형상의 영역의 둘레 위에 단차를 갖고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위를 갖고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 금속판을 상기 기재 위에 배치했을 때, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이가, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있는 홀 센서의 제조 방법이다.(14); A Hall sensor comprising a plurality of external terminals, a Hall element having a plurality of electrode portions, and a plurality of conductors for electrically connecting the respective external terminals of the plurality of external terminals to the respective electrode portions of the plurality of electrode portions An external terminal disposing step of disposing a metal plate on which the plurality of external terminals are formed on a base material; a hall element disposing step of disposing the hall element in an area surrounded by the plurality of external terminals; And a second surface, which is a surface of each of the external terminals connected to the lead, is sealed with a sealing member A sealing step of removing the substrate and exposing a first surface of the external terminals opposite to the second surface from the sealing member Wherein the plurality of external terminals include at least a first external terminal, and the first external terminal is disposed on the second surface, and in a plane view, Wherein the first external terminal has a first portion on a side close to a position where the hall element is loaded with the step difference as a boundary, Wherein the first external terminal has a surface on which the metal plate is disposed as a reference surface when the metal plate is disposed on the substrate, Wherein the height of the second surface of the second portion is lower than the height of the second surface of the second portion.
(15); 복수의 외부 단자와, 복수의 전극부를 갖는 홀 소자와, 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자와 상기 복수의 전극부의 각 전극부를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선을 구비하는 홀 센서의 제조 방법으로서, 상기 복수의 외부 단자가 형성된 금속판을 기재 위에 배치하는 외부 단자 배치 공정과, 상기 복수의 외부 단자로 둘러싸이는 영역에 상기 홀 소자를 배치하는 홀 소자 배치 공정과, 상기 복수의 전극부와 상기 복수의 외부 단자를 상기 복수의 도선으로 전기적으로 접속하는 도선 접속 공정과, 상기 홀 소자와, 상기 복수의 도선과, 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉 부재로 밀봉하는 밀봉 공정과, 상기 기재를 제거하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 노출 공정을 구비하고, 상기 복수의 외부 단자는, 제1 외부 단자를 적어도 포함하고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자가 적재되는 위치를 중심으로 하는 콜릿의 선단의 형상에 대응한 위치에 단차를 갖고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위를 갖고, 상기 제1 외부 단자는, 상기 금속판을 상기 기재 위에 배치했을 때, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이가, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있는 홀 센서의 제조 방법이다.(15); A Hall sensor comprising a plurality of external terminals, a Hall element having a plurality of electrode portions, and a plurality of conductors for electrically connecting the respective external terminals of the plurality of external terminals to the respective electrode portions of the plurality of electrode portions An external terminal disposing step of disposing a metal plate on which the plurality of external terminals are formed on a base material; a hall element disposing step of disposing the hall element in an area surrounded by the plurality of external terminals; And a second surface, which is a surface of each of the external terminals connected to the lead, is sealed with a sealing member A sealing step of removing the substrate and exposing a first surface of the external terminals opposite to the second surface from the sealing member Wherein the plurality of external terminals include at least a first external terminal, and the first external terminal is disposed on the second surface, and in a plane view, Wherein the first external terminal has a first portion on a side closer to a position where the hall element is stacked with the step difference as a boundary, Wherein the first external terminal has a surface on which the metal plate is disposed as a reference surface when the metal plate is disposed on the substrate, Wherein the height of the second surface of the second portion is lower than the height of the second surface of the second portion.
(16); 상기 (14) 또는 (15)에 있어서, 상기 홀 소자 배치 공정은, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 홀 소자를, 상기 홀 소자의 가장 높은 점이, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 높고, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 낮아지는 위치에 배치하는 공정을 포함한다.(16); The method of manufacturing a semiconductor device according to (14) or (15) above, wherein the step of arranging the Hall element comprises the step of arranging the Hall element on the surface of the substrate on which the metal plate is disposed, And a step of arranging the second portion at a position higher than the second surface in the first portion and lower than the second surface in the second portion.
(17); 상기 (14) 내지 (16) 중 어느 하나에 있어서, 상기 홀 소자 배치 공정은, 상기 기준면으로부터 상기 홀 소자의 가장 높은 점까지의 높이를 T, 상기 기준면으로부터 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면의 높이를 p2로 하여, 상기 홀 소자를, p2<T<1.5×p2로 되는 위치에 배치하는 공정을 포함한다.(17); The method according to any one of (14) to (16) above, wherein the step of arranging the Hall element comprises the steps of: setting a height from the reference plane to a highest point of the Hall element to T, And arranging the hole element at a position where p2 < T < 1.5 x p2, where p2 is the height of the surface.
(18); 상기 (14) 내지 (17) 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 외부 단자는, 제2 내지 제4 외부 단자를 더 포함하고, 상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 제1 외부 단자와 상기 제3 외부 단자를 연결하는 가상 직선과 상기 제2 외부 단자와 상기 제4 외부 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있으며, 상기 홀 소자는 평면에서 볼 때 직사각 형상이며, 상기 홀 소자 배치 공정은, 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자의 4개의 정점이, 상기 제1 외부 단자와 상기 제2 외부 단자 사이의 영역, 상기 제2 외부 단자와 상기 제3 외부 단자 사이의 영역, 상기 제3 외부 단자와 상기 제4 외부 단자 사이의 영역 및 상기 제4 외부 단자와 상기 제1 외부 단자 사이의 영역에 배치되도록 상기 홀 소자를 배치하는 공정을 포함한다.(18); The electronic device according to any one of (14) to (17), wherein the plurality of external terminals further include second to fourth external terminals, and the first to fourth external terminals are connected to the first external terminal A virtual straight line connecting the third external terminal and a virtual straight line connecting the second external terminal and the fourth external terminal intersect when viewed in a plan view, Wherein the four vertexes of the hall element are arranged in a region between the first external terminal and the second external terminal, a region between the second external terminal and the third external terminal, And disposing the Hall element in a region between the third external terminal and the fourth external terminal and in a region between the fourth external terminal and the first external terminal.
(19); 상기 (14) 내지 (18) 중 어느 하나에 있어서, 상기 기재와 상기 홀 소자의 사이에 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 포함하고, 상기 노출 공정은, 상기 절연층을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 공정을 포함한다.(19); The method according to any one of (14) to (18), further comprising an insulating layer forming step of forming an insulating layer between the base material and the hole element, wherein the exposing step comprises: .
(20); 상기 (14) 내지 (19) 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 외부 단자의 각 외부 단자는, 상기 제2 면 상에 상기 단차를 갖고, 상기 각 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 상기 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 먼 측에 상기 제2 부위를 갖고, 상기 각 외부 단자는, 상기 금속판을 상기 기재 위에 배치했을 때, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 각 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이가, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있다.(20); , Wherein each of the external terminals of the plurality of external terminals has the step on the second surface, and each of the external terminals is connected to the hole Wherein the first portion has the first portion on a side close to a position where the element is loaded and the second portion on a side far from the position where the hall element is loaded, and each of the external terminals, when the metal plate is arranged on the substrate, Wherein a height of each of the external terminals to the second surface of the first portion is greater than a height of the second surface of the second portion to the second surface, Respectively.
본 발명의 일 형태에 의하면, 박형이고 소형이며, 자기 특성의 변동이 적은 홀 센서의 제조 방법 및 홀 센서와 렌즈 모듈을 제공하는 것이 가능하게 된다.According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a hall sensor and a Hall sensor and a lens module that are thin and small and have little variation in magnetic characteristics.
도 1은, 본 발명에 따른 홀 센서의 과제를 설명하기 위한 단면 구성도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명에 따른 홀 센서의 실시 형태 1을 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은, 도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 홀 센서의 전체 사시도이다.
도 4의 (a) 및 (b)는, 구체적인 홀 소자의 구성도이다.
도 5는, 본 발명에 따른 홀 센서를 설명하기 위한 단면 구성도이다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 본 실시 형태 1의 홀 센서의 제조에 사용하는 금속판을 나타내는 도면이다.
도 7의 (a) 내지 (e)는, 홀 센서의 제조 방법의 공정을 나타내는 평면도이다.
도 8의 (a) 내지 (d)는, 홀 센서의 제조 방법의 공정을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a problem of the Hall sensor according to the present invention.
2 (a) to 2 (c) are diagrams for explaining a Hall sensor according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 3 is an entire perspective view of the hall sensor shown in Figs. 2 (a) to 2 (c).
4 (a) and 4 (b) are diagrams showing concrete Hall elements.
5 is a cross-sectional view illustrating a Hall sensor according to the present invention.
6 (a) and 6 (b) are views showing a metal plate used for manufacturing the Hall sensor according to the first embodiment.
7 (a) to 7 (e) are plan views showing steps of a method for manufacturing an Hall sensor.
8 (a) to 8 (d) are cross-sectional views showing the steps of a method of manufacturing the Hall sensor.
이하의 상세한 설명에서는, 본 발명의 실시 형태의 완전한 이해를 제공하도록 많은 특정한 세부에 대하여 기재된다. 그러나, 이러한 특정한 세부가 없더라도 하나 이상의 실시 형태를 실시할 수 있음은 명백할 것이다. 그 밖에도, 도면을 간결하게 하기 위해서, 주지의 구조 및 장치가 개략도로 도시되어 있다.In the following detailed description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of embodiments of the invention. However, it will be apparent that one or more embodiments may be practiced without these specific details. In addition, for the sake of brevity, well-known structures and devices are shown schematically.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 각 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
<실시 형태 1>≪ Embodiment 1 >
(구성)(Configuration)
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명에 따른 홀 센서의 실시 형태 1을 설명하기 위한 구성도이며, 도 2의 (a)는 도 2의 (b)에 있어서의 A-A선 단면도, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 평면도, 도 2의 (c)는 도 2의 (a)의 저면도, 도 3은 도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 홀 센서의 전체 사시도를 나타내고 있다. 또한, Ga는 표면의 하프 에칭, Gb는 이면의 하프 에칭이 실시된 부분을 나타내고 있다.2A to 2C are diagrams for explaining a Hall sensor according to a first embodiment of the present invention. Fig. 2A is a sectional view taken along the line AA in Fig. 2B, 2 (b) is a plan view of FIG. 2 (a), FIG. 2 (c) is a bottom view of FIG. 2 Showing the entire perspective view of the sensor. Ga denotes a half-etching of the surface, and Gb denotes a half-bottom of the backside.
본 실시 형태 1의 홀 센서(100)는, 홀 소자(10)와 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)(외부 단자)와 복수의 도선(31a 내지 31d)과 밀봉 부재(50)를 구비하고 있다.The
홀 소자(10)는, 기판(11)과, 이 기판(11) 위(또는 기판(11) 내)에 설치된 감자부(12)와, 이 감자부(12)와 접속하는 복수의 전극부(13a 내지 13d)를 갖고 있다. 또한, 도 2의 (a)에 있어서는, 감자부(12)가 기판(11) 위에 설치되어 있는 경우에 대하여 확대도로 나타내고 있다.The
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)는, 홀 소자(10)의 주위, 즉, 밀봉 부재(50)의 저면을 따라 홀 소자(10)의 네 코너를 둘러싸도록 하여 배치되어 있다.The plurality of
또한, 복수의 도선(31a 내지 31d)은, 복수의 전극부(13a 내지 13d)의 각 전극부(13a 내지 13d)의 각각과 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 각 리드 단자(21a 내지 21d)의 각각을 전기적으로 접속한다.The plurality of
또한, 밀봉 부재(50)는, 홀 소자(10)와 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)와 복수의 도선(31a 내지 31d)을 덮는다. 밀봉 부재(50)로서는 몰드 수지 등의 수지 부재가 바람직하다.The sealing
또한, 각 리드 단자(21a 내지 21d)는, 상기 각 도선(31a 내지 31d)과 접속하고 있는 제2 면 M2와, 이 제2 면 M2와는 반대측의 제1 면 M1을 갖고, 이 제1 면 M1은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 노출되어 있다.Each of the
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d) 중 적어도 하나의 리드 단자(21a 내지 21d) 중 어느 한 쪽에는, 제2 면 M2에서 단차 D를 갖고 있다. 즉, 리드 단자에 단차가 생겨 있다. 리드 단자(21a 내지 21d)의 모든 리드 단자에서 제2 면 M2에 단차 D를 갖는 것이 바람직하다.At least one of the
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)는, 단차 D를 경계로, 단차 D를 갖는 각 리드 단자(21a 내지 21d)의 홀 소자(10)에 가까운 측에 제1 부위 N1을 갖고, 홀 소자(10)에 먼 측에 제2 부위 N2를 갖고, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2보다도 낮게 구성되어 있다.The plurality of
즉, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2의 관계는, p1<p2의 관계를 갖고 있다. 또한, 각 도선(31a 내지 31d)은, 단차 D를 갖는 각 리드 단자(21a 내지 21d)의 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2에서 접속되어 있다.That is, the height p1 from the bottom surface E of the sealing
본 실시 형태에 있어서, 외부 단자(21a 내지 21d)는, 복수의 도선이 접속되는 제2 부위 N2로부터, 제2 부위 N2보다도 홀 소자에 가까운 제1 부위 N1로, 밀봉 부재의 저면 E를 기준면으로 한 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면측의 높이 p2가, 밀봉 부재의 저면 E를 기준면으로 한 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면측의 높이 p1보다도 높아지는 단차가 형성된다. 단차는, 단면에서 볼 때, 경사면 형상 또는 밀봉 부재의 저면측으로 오목해지는 곡선 형상을 갖는 형태인 것이 바람직하다. 단차 D는, 평탄한 상면과 하면을 갖고, 상면과 하면의 사이가 경사면 형상, 곡선 형상, 또는 그들 조합이어도 되고, 상면으로부터 경사면 형상, 곡선 형상, 또는 그들 조합으로 외부 단자의 단부까지 도달해도 된다.In the present embodiment, the
그런데, 일반적으로, 홀 소자(10)를 소정의 위치에 적재할 때에는 콜릿이 사용된다. 콜릿의 선단은, 타원 형상이나 다각 형상일 경우가 많으므로, 콜릿과 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 접촉을 방지하기 위해서, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)를 중심으로 한 타원 형상 또는 다각 형상의 영역의 둘레 위에 단차 D가 설정되어 있다. 즉, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)를 중심으로 하고, 홀 소자를 배치할 때 사용한 콜릿의 선단의 형상에 대응한 위치에 단차 D가 설정되어 있다. 또한, 콜릿의 선단은, 특히 원 형상일 경우가 많으므로, 콜릿의 접촉을 방지하기 위해서, 홀 소자(10)를 중심으로 한 원주 위에 단차 D를 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 단차 D는, 홀 소자(10)를 둘러싸는 영역의 둘레 위에 형성된다. 홀 소자(10)를 중심으로 하여, 평면에서 볼 때, 원 형상, 다각 형상, 또는 그들 조합의 형상의 영역의 둘레 위에 설치되어 있어도 된다. 구체적으로는, 정원 영역의 둘레 위, 타원 영역의 둘레 위, 다각형 영역의 둘레 위, 곡선과 직선을 조합한 형상의 영역의 둘레 위 등을 들 수 있다.In general, a collet is used when the
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d) 중 적어도 하나의 리드 단자가 단차 D를 갖고, 또한 p1<p2의 관계를 가짐으로써, 도선이 리드 단자의 에지에 접촉해서 단선해버리는 것을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 홀 센서 전체의 강도 면으로부터, 리드 단자 위의 제1 부위 N1의 면적은 가능한 한 작은 면적으로 하는 것이 바람직하다.In addition, since at least one lead terminal of the plurality of
리드 단자(21a)의 제2 면 M2에 복수의 단차가 있는 경우에는, 홀 소자(10)에 가장 가까운 단차를 단차 D라 하고, 단차 D를 경계로, 홀 소자(10)에 가까운 측을 제1 부위 N1, 홀 소자(10)에 먼 측을 제2 부위 N2라 한다. 리드 단자(21b 내지 21d)에 대해서도 마찬가지이다. 리드 단자(21a 내지 21d)의 제2 면 M2에 형성되어 있는 단차 D는, 밀봉 부재(50)로 밀봉되어 있다.When the second surface M2 of the
또한, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 가장 높은 점까지의 높이 h1보다도 낮게 구성되어 있다. 본 예의 경우, 홀 소자(10)의 가장 높은 점은 각 전극부(13a 내지 13d)이므로, 높이 p1은 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 각 전극부(13a 내지 13d)까지의 높이 h1보다도 낮게 구성되어 있다.The height p1 from the bottom surface E of the sealing
밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2와, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 가장 높은 점까지의 높이 h1은, p1<h1<p2의 관계를 갖고 있다. 즉, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자의 전극부와 복수의 도선이 접촉하는 접촉점까지의 높이 h1이, 밀봉 부재(50)의 저면 E를 기준면으로 한 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면측의 높이 p1보다도 높다.The height p1 from the bottom surface E of the sealing
홀 소자(10)가 얇고, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 가장 높은 점까지의 높이가 저면 E로부터 리드 단자(21a 내지 21d)의 가장 높은 점까지의 높이보다도 낮은 구성의 경우, 특히 콜릿의 선단이 리드 단자(21a 내지 21d)에 접촉하기 쉬우므로, 이와 같은 구성의 경우에 단차 D는 특히 유효하다.The height from the bottom surface E of the sealing
또한, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 각 전극부(13a 내지 13d)와 각 도선(31a 내지 31d)의 제1 접속점 a까지의 높이 h1은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 각 리드 단자(21a 내지 21d)와 각 도선(31a 내지 31d)의 제2 접속점 b까지의 높이 h2보다도 낮아지도록 구성되어 있다.The height h1 from the bottom surface E of the sealing
즉, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 접속점 a까지의 높이 h1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 접속점 b까지의 높이 h2는, h1<h2의 관계를 갖고 있다.That is, the height h1 from the bottom surface E of the sealing
본 실시 형태 1의 홀 센서는, h1<h2의 관계를 갖고 있으므로, 홀 소자의 기판(11)의 에지에 도선(31a 내지 31d)이 접촉하기 어려워, 누설 전류가 발생하기 어렵다. 이에 의해, 박형이며, 또한 자기를 정확하게 검출할 수 있는 홀 센서를 실현할 수 있다.Since the Hall sensor of the first embodiment has the relationship of h1 <h2, it is difficult for the
또한, 본 실시 형태 1의 홀 센서는, 리드 단자의 에지와 도선의 접촉이 발생하기 쉬운 구조로 되지만, 리드 단자의 에지 터치에 관해서는, 동전위의 리드 단자에 도선이 2군데 접속된 상태로 될뿐이므로, 특별히 문제는 없다.The edge sensor of the first embodiment has a structure in which contact between the edge of the lead terminal and the lead wire tends to occur easily. However, as for the edge touch of the lead terminal, in a state where two lead wires are connected to the lead terminal on the same potential There is no problem in particular.
또한, 각 리드 단자(21a 내지 21d)는, 밀봉 부재(50)의 측면 S로부터 노출되어 있다. 즉, 밀봉 부재(50)의 측면 S로부터 리드 단자(21a 내지 21d)가 노출되어 있으므로, 리드 단자(21a 내지 21d)의 저면에 노출되어 있는 부분(저면 전극) 외에, 측면에 노출되어 있는 부분(측면 전극)을 사용해서 실장 가능하다. 특히, 전체의 두께 중에서의 측면 전극의 비율을 높게 하는 것이 가능하므로, 실장이 용이하게 된다. 또한, 리드 단자와 땜납의 접촉이 나빠 도통이 취해지지 않게 되는 경우가 적어지게 되어, 실장 신뢰성이 높다. 또한, 땜납 실장 후의 외관 검사에 있어서의 시인성이 향상되어, 납땜을 문제없이 할 수 있는지 용이하게 확인할 수 있다.Each of the
또한, 복수의 도선(31a 내지 31d)은, 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 제1회째의 본딩이며, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2가 제2회째의 본딩으로 되도록 와이어 본딩되어 있다.The plurality of
이와 같이, 낮은 쪽으로부터 높은 쪽으로 와이어 본딩하므로, 와이어가 홀 소자의 에지에 접촉하기 어려워진다. 이에 의해, 홀 소자와 리드 단자 사이의 거리를 짧게 해도 에지 접촉이 일어나기 어려워진다. 이에 의해, 홀 소자와 리드 단자 사이의 거리를 짧게 하는 것이 가능하게 되어, 소형화가 가능하게 된다.Thus, wire bonding is performed from the low side to the high side, so that it is difficult for the wire to contact the edge of the Hall element. As a result, even if the distance between the Hall element and the lead terminal is shortened, it is difficult for edge contact to occur. As a result, the distance between the Hall element and the lead terminal can be shortened, and miniaturization becomes possible.
또는, 복수의 도선(31a 내지 31d)은, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2가 제1회째의 본딩이며, 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 제2회째의 본딩으로 되도록 와이어 본딩되어 있다. Alternatively, the plurality of
이와 같이, 높은 쪽으로부터 낮은 쪽으로 와이어 본딩하므로, 와이어 본딩의 정점을 낮게 할 수 있어, 박형화가 가능하게 된다.As described above, since wire bonding is carried out from the higher side to the lower side, the apex of the wire bonding can be lowered and thinning becomes possible.
또한, 복수의 도선(31a 내지 31d)은, 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 제1회째의 본딩이며, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2가 제2회째의 본딩으로 되도록 와이어 본딩해도 된다.The plurality of
또한, 복수의 도선(31a 내지 31d)은, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2가 제1회째의 본딩이며, 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 제2회째의 본딩으로 되도록 와이어 본딩해도 된다.The plurality of
또한, 기판(11)의 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 설치된 면과는 반대측의 면에 설치된 절연층(40)을 더 구비하고 있다. 이 절연층(40)은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 노출되어 있다.The
본 실시 형태 1에 있어서, 절연층(40)으로서는, 절연 수지층, 절연 시트 등을 들 수 있다. 절연층(40)으로서는, 홀 소자의 저항보다도 높은 저항이면 된다. 예를 들어, 절연층(40)의 체적 저항률이 108 내지 1020(Ω·cm)인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 절연층(40)의 체적 저항률이 1010 내지 1018(Ω·cm)이다. 절연층(40)이 수 ㎜ 사각형이며, 두께 수 ㎛의 경우, 절연층(40)의 저항은, 1010 내지 1018(Ω)으로 되고, 홀 소자의 저항은, 통상적으로 약 109Ω 이하이기 때문에, 충분한 절연성이 있다.In the first embodiment, the insulating
절연층(40)은, 그 성분으로서, 예를 들어 에폭시계의 열경화형 수지와, 필러로서 실리카(SiO2)를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 절연층(40)은, 홀 소자(10)의 이면, 즉, 감자부(12)를 갖는 면의 반대측 면에 접하고 있으며, 이 절연층(40)에 의해 홀 소자(10)의 이면이 덮여 있다. 홀 소자(10)의 이면 전체가 절연층(40)에 의해 덮여 있는 것이, 누설 전류의 발생 억제 관점에서 바람직하다. 절연층(40) 중, 홀 소자(10)의 이면을 덮고 있는 부분의 두께는, 필러 사이즈로 결정되며, 예를 들어 5㎛ 이상이다.More preferably, the insulating
홀 소자(10)는, 예를 들어 반절연성의 갈륨비소(GaAs) 기판(11)과, 이 GaAs 기판(11) 위에 형성된 반도체 박막을 포함하는 감자부(활성층)(12)와, 감자부(12)에 전기적으로 접속하는 전극부(13a 내지 13d)를 갖고 있다. 감자부(12)는, 예를 들어 평면에서 볼 때 십자(크로스)형이며, 크로스의 4개의 선단부 위에 각각 전극(13a 내지 13d)이 설치되어 있다. 평면에서 볼 때 대향하는 한 쌍의 전극(13a, 13c)이 감자부(12)에 전류를 흘리기 위한 입력 단자이며, 전극(13a, 13c)을 연결하는 선과 평면에서 볼 때 직교하는 방향에서 마주보는 다른 한 쌍의 전극(13b, 13d)이 감자부(12)로부터 전압을 출력하기 위한 출력 단자이다. 홀 소자(10)의 두께를 얇게 하기 위해서는, 기판(11)의 감자부(활성층)(12)가 설치되어 있는 면과는 반대측의 면을 연마하면 된다. 홀 소자(10)의 치수는, 예를 들어 세로가 0.1㎜ 이상 0.4㎜ 이하이고, 가로가 0.1㎜ 이상 0.4㎜ 이하이며, 두께가 0.05㎜ 이상 0.20㎜ 이하이다.The
홀 센서(100)는, 아일랜드리스 구조이며, 외부와의 전기적 접속을 얻기 위한 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)를 갖고 있다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 리드 단자(21a 내지 21d)는, 홀 소자(10)의 주위, 예를 들어 홀 센서(100)의 네 코너 근방에 배치되어 있다. 예를 들어, 리드 단자(21a)와 리드 단자(21c)가 홀 소자(10)를 사이에 두고 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 리드 단자(21b)와 리드 단자(21d)가 홀 소자(10)를 사이에 두고 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 리드 단자(21a)와 리드 단자(21c)를 연결하는 직선(가상선)과, 리드 단자(21b)와 리드 단자(21d)를 연결하는 직선(가상선)이 평면에서 볼 때 교차하도록, 리드 단자(21 내지 21d)는 각각 배치되어 있다.The
즉, 복수의 리드 단자는, 제1 내지 제4 리드 단자를 포함하고, 제1 내지 제4 리드 단자는, 제1 리드 단자와 제3 리드 단자를 연결하는 가상 직선과 제2 리드 단자와 제4 리드 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있다.That is, the plurality of lead terminals include first to fourth lead terminals, and the first to fourth lead terminals are connected to a virtual straight line connecting the first lead terminal and the third lead terminal, And the imaginary straight lines connecting the lead terminals are arranged so as to intersect in a plan view.
리드 단자(21a 내지 21d)는, 예를 들어 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진다. 또한, 리드 단자(21a 내지 21d)는, 그 면측 또는 이면의 일부가 에칭(즉, 하프 에칭)되어 있어도 된다.The
또한, 도시하지는 않았지만, 리드 단자(21a 내지 21d)의 표면에서(도 2의 (a)에 있어서의 상면측), 도선(31a 내지 31d)으로 접속되는 리드 단자(21a 내지 21d)의 표면에는, Ag 도금이 실시되어 있는 것이 전기적 접속의 관점에서 바람직하다.Although not shown, on the surfaces of the
또한, 리드 단자(21a 내지 21d)의 표면 및 이면에는, 외장 도금층(60)을 대신하여, 니켈(Ni)-팔라듐(Pd)-금(Au) 등의 도금이 실시되어 있어도 된다. 홀 센서이지만, 아일랜드리스이기 때문에, 자성체인 Ni 도금막의 영향을 받기 어려워 실시가 가능하게 된다.Plating of nickel (Ni) -Padadium (Pd) -gold (Au) or the like may be performed instead of the plating layer 60 on the front and back surfaces of the
도선(31a 내지 31d)은, 홀 소자(10)가 갖는 전극부(13a 내지 13d)와, 리드 단자(21a 내지 21d)를 각각 전기적으로 접속하는 도선이며, 예를 들어 금(Au)으로 이루어진다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 도선(31a)은, 리드 단자(21a)와 전극부(13a)를 접속하고, 도선(31b)은, 리드 단자(21b)와 전극부(13b)를 접속하고 있다. 또한, 도선(31c)은 리드 단자(21c)와 전극부(13c)를 접속하고, 도선(31d)은, 리드 단자(21d)와 전극(13d)을 접속하고 있다.The
밀봉 부재(50)는, 홀 소자(10)와, 리드 단자(21a 내지 21d)의 적어도 표면측, 즉, 도선과 접속하는 측의 면과, 도선(31a 내지 31d)을 수지 밀봉으로 덮어 보호하고 있다. 밀봉 부재(50)는, 예를 들어 에폭시계의 열경화형 수지로 이루어져서, 리플로우 시의 고열에 견딜 수 있게 되어 있다. 또한, 밀봉 부재(50)와 절연층(40)은, 예를 들어 동일한 에폭시계의 열경화형 수지의 경우에도, 그 재료는 서로 상이하다. 예를 들어, 함유하는 성분이 서로 다르거나, 또는 함유하는 성분이 동일하여도 함유비가 상이하다.The sealing
또한, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 홀 센서(100)의 저면측, 즉, 배선 기판에 실장하는 측에서는, 각 리드 단자(21a 내지 21d)의 이면의 적어도 일부와, 절연층(40)의 적어도 일부가, 밀봉 부재(50)로부터 각각 노출되어 있다.2 (c), at least a part of the back surface of each of the
또한, 외장 도금층(60)은, 밀봉 부재(50)로부터 노출되어 있는 리드 단자(21a 내지 21d)의 이면에 형성되어 있다. 외장 도금층(60)은, 예를 들어 주석(Sn) 등으로 이루어진다.The outer plating layer 60 is formed on the back surface of the
이와 같은 구성에 의해, 홀 센서(100)를 사용해서 자기(자계)를 검출하는 경우에는, 예를 들어 리드 단자(21a)를 전원 전위(+)에 접속함과 함께, 리드 단자(21c)를 접지 전위(GND)에 접속하여, 리드 단자(21a)로부터 리드 단자(21c)로 전류를 흘린다. 그리고, 리드 단자(21b, 21d) 간의 전위차 V1-V2(홀 출력 전압 VH)를 측정한다. 홀 출력 전압 VH의 크기로부터 자계의 크기를 검출하고, 홀 출력 전압 VH의 정부(正負)로부터 자계의 방향을 검출한다.With this configuration, when the magnetic sensor (magnetic field) is detected by using the
즉, 리드 단자(21a)는, 홀 소자(10)에 소정 전압을 공급하는 전원용 리드 단자이다. 리드 단자(21c)는, 홀 소자(10)에 접지 전위를 공급하는 접지용 리드 단자이다. 리드 단자(21b, 21d)는, 홀 소자(10)의 홀 기전력 신호를 취출하는 신호 취출용 리드 단자이다.That is, the
도 4의 (a) 및 (b)는, 구체적인 홀 소자의 구성도이며, 도 4의 (a)는 단면도, 도 4의 (b)는 상면도를 나타내고 있다. 단, 도선은 도시되어 있지 않다. 도면 중 부호 Ga는 표면의 하프 에칭, Gb는 이면의 하프 에칭이 실시된 부분을 나타내고 있다. 또한, 도 2의 (a)에 있어서의 단면도는 도 2의 (b)의 A-A선 단면도를 도시하고 있지만, 도 4 (a)의 단면도는 도 4의 (b)의 B-B선 단면도를 도시하고 있다.4 (a) and 4 (b) are structural diagrams of specific Hall elements. FIG. 4 (a) is a sectional view and FIG. 4 (b) is a top view. However, the conductors are not shown. In the figure, Ga denotes the half etching of the surface, and Gb denotes the half etching of the back side. 2 (a) is a cross-sectional view taken along the line AA of Fig. 2 (b), and Fig. 4 (a) is a cross-sectional view taken along the line BB of Fig. 4 .
도 4의 (a) 및 (b)에 도시한 홀 센서는, 콜릿과의 접촉이 가능한 한 적어지도록 설계된 리드 단자가 사용되어 있으며, 리드 단자의 표면이 하프 에칭되어 있다. 즉, 콜릿이 간섭하는 에리어가 하프 에칭되어 있다.The Hall sensors shown in Figs. 4 (a) and 4 (b) employ a lead terminal designed to have as little contact with the collet as possible, and the surface of the lead terminal is half-etched. That is, the area where the collet interferes is half-etched.
도 4의 (b)에 도시한 홀 센서의 홀 소자는, 도 2의 (b)에 도시한 홀 센서의 홀 소자에 대하여 45도 회전해서 배치되어 있다. 즉, 도 4의 (b)에 도시한 홀 센서의 홀 소자는 평면에서 볼 때 직사각 형상이며, 또한 그 직사각형의 4개의 정점이, 평면에서 볼 때, 각각 리드 단자(21a)와 리드 단자(21b) 사이의 영역, 리드 단자(21b)와 리드 단자(21c) 사이의 영역, 리드 단자(21c)와 리드 단자(21d) 사이의 영역, 리드 단자(21d)와 리드 단자(21a) 사이의 영역에 배치되도록, 홀 소자가 배치되어 있다.The Hall element of the Hall sensor shown in FIG. 4 (b) is arranged to rotate by 45 degrees with respect to the Hall element of the Hall sensor shown in FIG. 2 (b). That is, the Hall element of the Hall sensor shown in Fig. 4 (b) has a rectangular shape in plan view, and the four vertices of the rectangular shape are respectively connected to the
이와 같은 방향으로 홀 소자를 배치함으로써, 홀 센서 전체를 소형화하는 것이 가능해진다. 단, 이와 같이 홀 소자를 배치하면, 홀 소자의 적재 시에 콜릿이 리드 단자에 접촉하기 쉬워지므로, 이와 같이 홀 소자를 배치하는 경우, 리드 단자(21a 내지 21d)의 제2 면 M2에 단차 D를 설정하는 것은, 콜릿의 접촉 방지에 특히 유효하다. 또한, 상기의 직사각형에는 정사각형이 포함된다.By arranging the Hall elements in such a direction, it becomes possible to downsize the entire hall sensor. However, when the Hall elements are arranged as described above, the collets easily contact the lead terminals when the Hall elements are stacked. Thus, when the Hall elements are arranged as described above, the step difference D Is particularly effective for preventing the contact of the collet. In addition, the rectangle includes a square.
본 실시 형태 1에서는, 홀 소자(10)와 밀봉 부재(50)의 저면 E의 사이에 홀 소자(10)를 적재하기 위한 금속제의 아일랜드가 없는 아일랜드리스 구조를 중심으로 설명하였지만, 홀 소자(10)와 밀봉 부재(50)의 저면 E의 사이에 아일랜드를 설치해도 된다. 또한, 그 아일랜드는, 접지용 리드 단자(21c)와 전기적으로 접속하고 있어도 된다. 단, 박형화의 관점에서, 홀 소자(10)와 밀봉 부재(50)의 저면 E의 사이에 아일랜드를 설치하지 않는 것이 바람직하다.Although the island-less structure in which the metal element is not provided for loading the
또한, 본 실시 형태 1에서는, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 모두에서 단차 D를 갖는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 리드 단자(21a 내지 21d)가 모두 단차 D를 가질 필요는 없으며, 리드 단자(21a 내지 21d) 중 적어도 하나의 리드 단자가 단차 D를 갖고 있으면 된다.In the first embodiment, all of the plurality of
또한, 본 실시 형태 1에서는, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2와, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 가장 높은 점까지의 높이 h1의 관계가, p1<h1<p2의 관계를 갖고 있는 경우를 중심으로 설명하였지만, p2<h1이어도 된다. p2<h1이어도 단차 D는 콜릿의 접촉 방지에 유효하다. 예를 들어, p2<h1<1.5×p2인 경우나, p2<h1<1.3×p2인 경우, p2<h1<1.1×p2인 경우 등, p2와 h1이 그다지 변함이 없는 높이의 경우에 단차 D는 콜릿의 접촉 방지에 특히 유효하다. p2는, 예를 들어 0.05㎜ 이상 0.20㎜ 이하이고, h1은, 예를 들어 0.05㎜ 이상 0.20㎜ 이하이며, p1은, 예를 들어 0.02㎜ 이상 0.15㎜ 이하이다.In the first embodiment, the height p1 from the bottom surface E of the sealing
또한, 본 실시 형태 1에서는, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 접속점 a까지의 높이 h1이, 각 전극부(13a 내지 13d)에서 모두 동등한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 접속점 a까지의 높이 h1은, 전극부(13a 내지 13d)에서 상이해도 된다. 또한, 마찬가지로, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 접속점 b까지의 높이 h2가, 각 리드 단자(21a 내지 21d)에서 상이해도 된다. 1개의 공통의 도선에 접속하는 전극부와 리드 단자를 하나의 유닛으로 할 경우에, 적어도 하나의 유닛에서 높이 h1<h2를 만족하고 있으면 된다. 단, 모든 유닛에서 높이 h1<h2를 만족하고 있는 것이 바람직하다.In the first embodiment, the case where the height h1 from the bottom surface E of the sealing
도 5는, 본 발명에 따른 홀 센서를 설명하기 위한 단면 구성도이다. 후술하는 홀 센서의 제조 방법에 있어서의 홀 소자 배치 공정이기 때문에 기재(30)가 기재되어 있지만, 이 기재(30)는, 리드 단자(21a 내지 21d)의 제1 면 M1을 노출시키는 노출 공정 시에 제거된다.5 is a cross-sectional view illustrating a Hall sensor according to the present invention. The
홀 소자(10)는, 밀봉 부재(50)의 저면을 기준면 M으로 하여, 홀 소자(10)의 가장 높은 점 T가, 리드 단자의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2보다도 높고, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2보다도 낮은 위치에 배치되어 있다. 즉, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 홀 소자(10)의 가장 높은 점 T까지의 높이 t와, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2는, p1<t<p2의 관계를 갖고 있다.The
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)는, 제1 내지 제4 리드 단자를 포함하고, 제1 내지 제4 리드 단자는, 제1 리드 단자와 제3 리드 단자를 연결하는 가상 직선과 제2 리드 단자와 제4 리드 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있다. 홀 소자(10)는, 평면에서 볼 때 직사각 형상이며, 이 홀 소자(10)는, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)의 4개의 정점이, 제1 리드 단자와 제2 리드 단자 사이의 영역, 제2 리드 단자와 제3 리드 단자 사이의 영역, 제3 리드 단자와 제4 리드 단자 사이의 영역 및 제4 리드 단자와 제1 리드 단자 사이의 영역에 배치되는 위치에 배치되어 있다.The plurality of
또한, 홀 소자(10)의 복수의 전극부(13a 내지 13d)가 배치되는 면과는 반대측의 면에 배치된 절연층(40)을 구비하고, 이 절연층(40)은, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 노출되어 있다.The insulating
또한, 각 리드 단자는, 제2 면 M2 위에 단차 D를 갖고, 각 리드 단자는, 단차 D를 경계로, 홀 소자(10)에 가까운 측에 제1 부위 N1을 갖고, 홀 소자(10)에 먼 측에 제2 부위 N2를 갖고, 밀봉 부재(50)의 저면 E를 기준면 M으로 하여, 각 리드 단자의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1은, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2보다도 낮게 형성되어 있다. 즉, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 밀봉 부재(50)의 저면 E로부터 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2는, p1<p2의 관계를 갖고 있다.Each of the lead terminals has a step D on the second surface M2. Each lead terminal has a first portion N1 on the side near the
홀 센서(100)의 치수는, 예를 들어 세로가 0.2㎜ 이상 0.6㎜ 이하이고, 가로가 0.4㎜ 이상 1.2㎜ 이하이며, 두께가 0.1㎜ 이상 0.3㎜ 이하이다.The dimensions of the
(제조 방법)(Manufacturing method)
도 6의 (a) 및 (b)는, 본 실시 형태 1의 홀 센서의 제조에 사용하는 금속판을 나타내는 도면이다. 도 6의 (a)는 표면도, 도 6의 (b)는 이면도이다. 금속판(120)은 각 홀 센서의 리드 단자로 되는 부분이 연결된 구조로 되어 있다. 도면 중 부호 H는 구멍부를 나타내고 있으며, 해칭 부분은 하프 에칭 영역을 나타내고 있다. 점선으로 둘러싸인 영역은, 1개의 홀 센서에서 사용되는 영역이며, 또한 점선과 점선 사이의 영역은 다이싱 시에 다이싱의 톱니가 통과하는 영역 B(커프폭)이다.6 (a) and 6 (b) are views showing a metal plate used for manufacturing the Hall sensor according to the first embodiment. 6 (a) is a front view, and Fig. 6 (b) is a rear view. The
본 실시 형태 1의 홀 센서의 제조 방법은, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)와, 복수의 전극부(13a 내지 13d)를 갖는 홀 소자(10)와, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)의 각 리드 단자와 복수의 전극부(13a 내지 13d)의 각 전극부를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선(31a 내지 31d)을 구비하는 홀 센서의 제조 방법으로서, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)가 형성된 금속판(120)을 기재 위에 배치하는 리드 단자 배치 공정과, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)로 둘러싸이는 영역에 홀 소자(10)를 배치하는 홀 소자 배치 공정과, 복수의 전극부(13a 내지 13d)와 복수의 리드 단자를 복수의 도선(31a 내지 31d)으로 전기적으로 접속하는 접속 공정과, 홀 소자(10)와, 복수의 도선(31a 내지 31d)과, 각 리드 단자의 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면 M2를 밀봉 부재로 밀봉하는 밀봉 공정과, 기재를 제거하고, 각 리드 단자의 제2 면 M2와는 반대측의 제1 면 M1을 밀봉 부재(50)로부터 노출시키는 노출 공정을 갖는다.The Hall sensor manufacturing method of the first embodiment includes a plurality of
또한, 복수의 리드 단자는, 제1 리드 단자를 적어도 포함하고, 제1 리드 단자는, 제2 면 M2 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)가 적재되는 위치를 중심으로 한 타원 형상 또는 다각 형상의 영역의 둘레 위에 단차 D를 갖고, 제1 리드 단자는, 단차 D를 경계로, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위 N1을 갖고, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위 N2를 갖고, 제1 리드 단자는, 금속판을 기재 위에 배치했을 때, 기재의 금속판(120)이 배치되는 면을 기준면 M으로 하여, 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1이, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2보다도 낮다. 즉, 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1과, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2는, p1<p2의 관계를 갖고 있다.The plurality of lead terminals include at least a first lead terminal, and the first lead terminal is formed on the second surface M2 and in the shape of an ellipse centered on the position where the
또한, 제1 리드 단자는, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)가 적재되는 위치를 중심으로 한 타원 형상의 영역의 둘레 위에 단차 D를 갖는다. 또한, 리드 단자는, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)가 적재되는 위치를 중심으로 한 원주 위에 단차 D를 갖는다.The first lead terminal has a step D on the periphery of the elliptical region centered on the position where the
제1 리드 단자는, 제2 면 M2 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)가 적재되는 위치를 중심으로 하는 콜릿의 선단의 형상에 대응한 위치에 단차 D를 갖고, 리드 단자는, 단차 D를 경계로, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위 N1을 갖고, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위 N2를 갖고, 기재(30)의 금속판(120)이 배치되는 면을 기준면 M으로 하여, 리드 단자의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1은, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2보다도 낮게 형성한다.The first lead terminal has a step D on the second surface M2 and at a position corresponding to the shape of the tip of the collet about the position where the
또한, 홀 소자 배치 공정은, 기재(30)의 금속판(120)이 배치되는 면을 기준면 M으로 하여, 홀 소자(10)를, 이 홀 소자(10)의 가장 높은 점 T가, 리드 단자(21a 내지 21d)의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2보다도 높고, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2보다도 낮아지는 위치에 배치하는 공정을 포함하고 있다.The hole element arranging step is a step in which the surface on which the
또한, 홀 소자 배치 공정은, 홀 소자(10)의 가장 높은 점 T가 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2보다 높은 위치에 배치하는 공정을 포함하고 있어도 된다. p2<T이어도 단차 D는 콜릿의 접촉 방지에 유효하다. 예를 들어, p2<T<1.5×p2인 경우나, p2<T<1.3×p2인 경우, p2<T<1.1×p2인 경우 등, p2와 T가 그다지 변함이 없는 높이의 경우에 단차 D는 콜릿의 접촉 방지에 특히 유효하다.The hole element arranging step may include a step of disposing the highest point T of the
또한, 복수의 리드 단자(21a 내지 21d)는, 제1 내지 제4 리드 단자를 포함하고, 제1 내지 제4 리드 단자는, 제1 리드 단자와 제3 리드 단자를 연결하는 가상 직선과 제2 리드 단자와 제4 리드 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있고, 홀 소자(10)는 평면에서 볼 때 직사각 형상이며, 홀 소자 배치 공정은, 평면에서 볼 때, 홀 소자(10)의 4개의 정점이, 제1 리드 단자와 제2 리드 단자 사이의 영역, 제2 리드 단자와 제3 리드 단자 사이의 영역, 제3 리드 단자와 제4 리드 단자 사이의 영역 및 제4 리드 단자와 제1 리드 단자 사이의 영역에 배치되도록 홀 소자(10)를 배치하는 공정을 포함하고 있다.The plurality of
또한, 기재(30)와 홀 소자(10)의 사이에 절연층(40)을 형성하는 절연층 형성 공정을 포함하고, 노출 공정은, 절연층(40)을 밀봉 부재(50)로부터 노출시키는 공정을 포함하고 있다.The step of forming the insulating
또한, 복수의 리드 단자의 각 리드 단자는, 제2 면 위에 단차 D를 갖고, 각 리드 단자는, 단차 D를 경계로, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위 N1을 갖고, 홀 소자(10)가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위 N2를 갖고, 각 리드 단자는, 금속판을 기재 위에 배치했을 때, 기재(30)의 금속판(120)이 배치되는 면을 기준면 M으로 하여, 각 리드 단자의 제1 부위 N1에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p1은, 제2 부위 N2에 있어서의 제2 면 M2까지의 높이 p2보다도 낮게 형성되어 있다.Each of the lead terminals of the plurality of lead terminals has a step D on the second surface and each lead terminal has a first portion N1 on the side close to the position where the
도 7의 (a) 내지 (e)는, 홀 센서의 제조 방법의 공정을 나타내는 평면도이다. 또한, 도 7의 (a) 내지 (e)에 있어서, 점선과 점선 사이의 영역은 다이싱 시에 다이싱의 톱니가 통과하는 영역 B(커프폭)이다.7 (a) to 7 (e) are plan views showing steps of a method for manufacturing an Hall sensor. 7A to 7E, the area between the dotted line and the dotted line is the area B (cuff width) through which the teeth of dicing pass during dicing.
도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 우선, 전술한 리드 단자가 형성된 금속판(120)을 준비한다. 이 금속판(120)은, 도 2의 (b)에 도시한 리드 단자(21a 내지 21d)가 평면에서 볼 때 세로 방향 및 가로 방향으로 복수 연결되어 있는 구조를 갖고 있다. 금속판(120)의 재료는, 예를 들어 구리이다.As shown in Fig. 7 (a), first, the
다음으로, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 금속판(120)의 이면측에, 예를 들어 기재로서 내열성 필름(80)의 한쪽 면을 접착한다. 이 내열성 필름(80)의 한쪽 면에는, 예를 들어 절연성의 점착층이 도포되어 있다. 점착층은, 그 성분으로서, 예를 들어 실리콘 수지가 베이스로 되어 있다. 이 점착층에 의해, 내열성 필름(80)에 금속판(120)을 부착하기 쉬워지고 있다. 금속판(120)의 이면측에 내열성 필름(80)을 접착함으로써, 금속판(120)이 관통하고 있는 관통 영역을, 이면측으로부터 내열성 필름(80)으로 막은 상태로 된다.Next, as shown in Fig. 7 (b), one side of the heat
또한, 기재인 내열성 필름(80)으로서는, 점착성을 가짐과 함께, 내열성을 갖는 수지제의 테이프가 사용되는 것이 바람직하다.As the heat
점착성에 대해서는, 점착층의 풀 두께가 보다 얇은 쪽이 바람직하다. 또한, 내열성에 대해서는, 약 150℃ 내지 200℃의 온도에 견딜 수 있는 것이 필요해진다. 이와 같은 내열성 필름(80)으로서, 예를 들어 폴리이미드 테이프를 사용하고 있을 수 있다. 폴리이미드 테이프는, 약 280℃에 견딜 수 있는 내열성을 갖고 있다. 이와 같은 높은 내열성을 갖는 폴리이미드 테이프는, 후의 몰드나 와이어 본딩 시에 가해지는 고열에도 견디는 것이 가능하다. 또한, 내열성 필름(80)으로서는, 폴리이미드 테이프 외에, 이하의 테이프를 사용하는 것도 가능하다.As for the tackiness, it is preferable that the adhesive layer has a thinner pool thickness. Further, with respect to the heat resistance, it is necessary to be able to withstand a temperature of about 150 캜 to 200 캜. As such a heat
(1) 폴리에스테르 테이프; 내열 온도, 약 130℃(단 사용 조건 여하에 따라 내열 온도는 약 200℃까지에 달함)(1) a polyester tape; Heat-resistant temperature, about 130 ℃ (heat-resistant temperature up to about 200 ℃ depending on the use conditions)
(2) 테플론(등록상표) 테이프; 내열 온도: 약 180℃(2) Teflon (TM) tape; Heat temperature: about 180 ℃
(3) PPS(폴리페닐렌술피드); 내열 온도: 약 160℃(3) PPS (polyphenylene sulfide); Heat temperature: about 160 ℃
(4) 유리 섬유; 내열 온도: 약 200℃(4) glass fibers; Heat temperature: about 200 ℃
(5) 노멕스 페이퍼; 내열 온도: 약 150 내지 200℃(5) Nomex paper; Heat resistance temperature: about 150 to 200 DEG C
(6) 그 밖에, 아라미드, 크레이프지가 내열성 필름(80)으로서 이용될 수 있다.(6) In addition, aramid and crepe paper may be used as the heat
다음으로, 내열성 필름(80)의 점착층을 갖는 면 중, 리드 단자(21a 내지 21d)로 둘러싸인 영역에 절연 페이스트를 도포한다. 여기에서는, 완성 후의 홀 센서(100)에 있어서, 홀 소자(10)의 이면의 일부가 몰드 수지 등의 밀봉 부재(50)로부터 노출되는 일이 없도록, 절연 페이스트의 도포 조건(예를 들어, 도포하는 범위나 도포하는 두께 등)을 조정한다.Next, an insulating paste is applied to a region surrounded by the
다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 내열성 필름(80) 중, 절연 페이스트가 도포된 영역에 홀 소자(10)를 적재한다(즉, 다이 본딩을 행함). 그리고, 본딩 후에 열 처리(즉, 큐어)를 행하여, 절연 페이스트를 경화시켜서 절연층(40)으로 한다.Next, as shown in Fig. 7 (c), the
다음으로, 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이, 도선(31a 내지 31d)의 일단부를 각 리드 단자(21a 내지 21d)에 각각 접속하고, 도선(31a 내지 31d)의 타단부를 전극부(13a 내지 13d)에 각각 접속한다(즉, 와이어 본딩을 행함). 도 7의 (e)는 도 7의 (d)의 이면도이다.7D, one end of each of the
그리고, 몰드 수지(50)로 전체를 밀봉한다(즉, 수지 밀봉을 행함). 이 수지 밀봉은, 예를 들어 트랜스퍼 몰드 기술을 이용하여 행한다.Then, the whole is sealed with the mold resin 50 (that is, resin sealing is performed). This resin sealing is performed using, for example, a transfer mold technique.
도 8의 (a) 내지 (d)는, 홀 센서의 제조 방법의 공정을 나타내는 단면도이다. 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 하부 금형(91)과 상부 금형(92)을 구비하는 몰드 금형(90)을 준비하고, 이 몰드 금형(90)의 캐비티 내에 와이어 본딩 후의 금속판(120)을 배치한다. 이어서, 캐비티 내로서, 내열성 필름(80)의 점착층(130)을 갖는 면(즉, 금속판(120)과 접착하고 있는 면)의 측에 가열하여 용융한 몰드 수지(50)를 주입하고, 충전한다. 이에 의해, 홀 소자(10)와, 금속판(120)의 적어도 표면측과, 도선(31a 내지 31d)을 수지 밀봉한다. 몰드 수지(50)가 더 가열되어 경화되면, 이 몰드 수지(50)를 몰드 금형으로부터 취출한다. 또한, 수지 밀봉 후는 임의의 공정에서, 몰드 수지(50)의 표면에 예를 들어 부호 등(도시생략)을 마킹해도 된다.8 (a) to 8 (d) are cross-sectional views showing the steps of a method of manufacturing the Hall sensor. 8A, a
다음으로, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 절연층(40) 및 몰드 수지(50)로부터 내열성 필름(80)을 박리한다. 이에 의해, 홀 소자(10)의 이면에 절연층(40)을 남기면서, 절연층(40) 및 몰드 수지(50)로부터 내열성 필름(80)을 박리한다.Next, as shown in Fig. 8 (b), the heat
그리고, 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 금속판(120)의 몰드 수지(50)로부터 노출되어 있는 면(적어도, 각 리드 단자(21a 내지 21d)의 몰드 수지(50)로부터 노출되어 있는 이면)에 외장 도금을 실시하여, 외장 도금층(60a 내지 60d)을 형성한다.As shown in Fig. 8 (c), the surface exposed from the
다음으로, 도 8의 (d)에 도시한 바와 같이, 몰드 수지(50)의 상면(즉, 홀 센서(100)의 외장 도금층(60a 내지 60d)을 갖는 면의 반대측 면)에 다이싱 테이프(93)를 접착한다. 그리고, 예를 들어 도 7의 (e)에 도시한 가상의 2점 쇄선을 따라서, 금속판(120)에 대하여 블레이드를 상대적으로 이동시켜서, 몰드 수지(50) 및 금속판(120)을 절단한다(즉, 다이싱을 행함). 즉, 몰드 수지(50) 및 금속판(120)을 복수의 홀 소자(10)의 각각마다 다이싱하여 개편화한다. 다이싱된 금속판(120)은, 리드 단자(21a 내지 21d)로 된다.Next, as shown in Fig. 8 (d), a dicing tape (hereinafter referred to as " dicing tape ") is formed on the upper surface of the
이상의 공정을 거쳐, 도 2의 (a) 내지 (c)에 도시한 홀 센서(100)가 완성된다.Through the above steps, the
<실시 형태 2>≪ Embodiment 2 >
이하에, 실시 형태 2에 대하여 설명한다. 전술한 본 실시 형태 1에 있어서는, 홀 소자(10)의 이면을 덮는 절연층(40)으로서, 절연 페이스트를 사용하는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 실시 형태 2에 있어서, 절연층(40)은 절연 페이스트로 한정되는 것은 아니다. 절연층(40)으로서, 예를 들어 다이 어태치 필름, 즉, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 점착층을 사용해도 된다. The second embodiment will be described below. In the first embodiment described above, the case where the insulating paste is used as the insulating
이와 같은 구성에 의해, 이하와 같은 효과를 발휘한다. 즉, 홀 소자(10)의 이면을 덮는 절연층으로서, 다이 어태치 필름의 점착층을 사용한다. 이에 의해, 절연 페이스트의 도포 공정을 생략할 수 있으므로, 공정수의 삭감에 기여할 수 있다.With this configuration, the following effects are exhibited. That is, as the insulating layer covering the back surface of the
<실시 형태 3>≪ Embodiment 3 >
본 실시 형태의 렌즈 모듈은, 홀 센서와, 자석이 부착된 렌즈 홀더와, 홀 센서의 외부 단자로부터의 출력 신호인 홀 기전력 신호에 기초하여, 자석을 이동시키는 구동 코일을 구비한다. 본 실시 형태의 홀 센서는, 박형·소형이며, 또한 자기 특성의 변동이 작기 때문에 자장을 정확하게 검출할 수 있다. 그로 인해, 렌즈 모듈을 소형화할 수 있으며, 또한 정확한 위치 검출을 행하는 것이 가능하게 된다. 렌즈 홀더에 부착된 자석의 자장을, 본 실시 형태의 홀 센서에 의해 검지하고, 검지한 출력 신호에 기초하여, 구동 코일에 구동 전류를 흘림으로써, 오토 포커스 제어나 손 떨림 보정 제어를 정밀도 좋게 행할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 홀 센서는, 박형화·소형화하고 있기 때문에, 홀 센서 내부의 홀 소자와, 자석과의 위치를 접근하는 것이 가능하게 되어, 보다 정밀도가 좋은 자기 검지가 가능하다.The lens module of the present embodiment includes a Hall sensor, a lens holder with a magnet, and a drive coil for moving the magnet based on a hall electromotive force signal which is an output signal from an external terminal of the hall sensor. The hall sensor of the present embodiment is thin and compact, and the variation of magnetic characteristics is small, so that the magnetic field can be accurately detected. As a result, the lens module can be downsized and accurate position detection can be performed. The magnetic field of the magnet attached to the lens holder is detected by the hall sensor of the present embodiment and the driving current is supplied to the driving coil based on the detected output signal to perform the autofocus control and the hand shake correction control with high accuracy . Further, since the Hall sensor of the present embodiment is thinner and smaller, it is possible to approach the position of the Hall element in the hall sensor with the magnet, thereby enabling more accurate magnetic detection.
이상과 같이, 특정한 실시 형태를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 이들 설명에 의해 발명을 한정하는 것을 의도하는 것은 아니다. 본 발명의 설명을 참조함으로써, 당업자에게는, 개시된 실시 형태의 다양한 변형예와 함께 본 발명의 다른 실시 형태도 명백하다. 따라서, 청구범위는, 본 발명의 기술적 범위 및 요지에 포함되는 이들 변형예 또는 실시 형태도 망라한다고 이해해야 한다.While the present invention has been described with reference to particular embodiments, it is not intended to limit the invention to those embodiments. Other embodiments of the present invention will be apparent to those skilled in the art from the description of the present invention, along with various modifications of the disclosed embodiments. It is, therefore, to be understood that the appended claims are intended to cover all such modifications or embodiments as fall within the true spirit and scope of the invention.
10: 홀 소자
11: 기판
12: 감자부
13a 내지 13d: 전극부
21a 내지 21d: 리드 단자
30: 기재
31a 내지 31d: 도선
40: 절연층
50: 밀봉 부재
60a 내지 60d: 외장 도금층
80: 내열성 필름
90: 몰드 금형
91: 하부 금형
92: 상부 금형
93: 다이싱 테이프
100: 홀 센서
120: 금속판
130: 점착층
510: 홀 소자
512: 감자부
513a, 513b: 전극부
525, 527: 리드 단자
530: 기재
540: 절연층
600: 콜릿10: Hall element
11: substrate
12: Potato section
13a to 13d:
21a to 21d: lead terminals
30: substrate
31a to 31d:
40: Insulating layer
50: sealing member
60a to 60d: external plating layer
80: Heat resistant film
90: Mold mold
91: Lower mold
92: upper mold
93: Dicing tape
100: Hall sensor
120: metal plate
130: adhesive layer
510: Hall element
512: Potato portion
513a and 513b:
525, 527: Lead terminal
530: substrate
540: Insulating layer
600: Collet
Claims (20)
상기 홀 소자의 주위에 배치된 제1 내지 제4 외부 단자와,
상기 제1 내지 제4 전극부의 각 전극부와 상기 제1 내지 제4 외부 단자의 각 외부 단자를 각각 전기적으로 접속하는 제1 내지 제4 도선과,
상기 홀 소자, 상기 제1 내지 제4 도선, 및 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉하는 밀봉 부재를 구비하고,
상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면은, 상기 밀봉 부재의 저면으로부터 노출되어 있으며,
상기 각 외부 단자는, 제1 부위에서, 상기 제1 부위보다 상기 홀 소자에서 멀리 상기 제1 내지 제4 도선이 접속되는 제2 부위에, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제2 부위에 있어서의 제2 면측의 높이가, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제1 부위에 있어서의 제2 면측의 높이보다 높아지는 단차가 형성되어 있고,
상기 단차는 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자를 중심으로 한 타원 형상, 또는 타원 형상 및 다각 형상의 조합 형상의 영역 둘레 위에 형성되어 있고,
상기 밀봉 부재는 상기 각 외부 단자의, 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면 및 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면을 각각 밀봉하는, 홀 센서.A Hall element having first to fourth electrode portions,
First to fourth external terminals arranged around the Hall element,
First to fourth conductors for electrically connecting the respective electrode portions of the first to fourth electrode portions to respective external terminals of the first to fourth external terminals,
And a sealing member for sealing the second surface, which is the surface of the hall element, the first to fourth conductors, and the external terminals, which are connected to the conductors,
Wherein a first surface of each of the external terminals opposite to the second surface is exposed from a bottom surface of the sealing member,
Wherein each of the external terminals has a first portion and a second portion that are connected to the first to fourth conductors farther from the hall element than the first portion and that are connected to the second portion having the bottom surface of the sealing member as a reference surface Wherein a height of a second surface side of the sealing member is greater than a height of a second surface side of the first portion with the bottom surface of the sealing member as a reference surface,
Wherein the step is formed on the second surface and on the periphery of an elliptical shape centered on the hall element or a combination of elliptical and polygonal shapes when viewed in plan view,
And the sealing member seals each of the second surface of the first portion and the second surface of the second portion of each of the external terminals.
상기 밀봉 부재의 저면으로부터 상기 홀 소자의 상기 전극부와 상기 제1 내지 제4 도선이 접촉하는 접촉점까지의 높이가, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 한 상기 제1 부위에 있어서의 제2 면측의 높이보다 높은, 홀 센서.The method according to claim 1,
Wherein a height from a bottom surface of the sealing member to the contact point at which the electrode portion of the hall element and the first to fourth conductive wires are in contact with the bottom surface of the sealing member is larger than a height Higher than the height, Hall sensor.
상기 단차는, 단면에서 볼 때, 경사면 형상, 또는 밀봉 부재의 저면측으로 오목해지는 곡선 형상을 갖는, 홀 센서.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the step has a curved shape that is inclined or concave toward the bottom surface of the sealing member when viewed in cross section.
상기 홀 소자는, 기판, 상기 기판 위 또는 기판 내에 설치된 감자부, 상기 감자부와 접속하는 상기 제1 내지 제4 전극부를 갖고,
상기 홀 소자의 상기 제1 내지 제4 전극부가 배치되는 면과는 반대측의 면에 배치된 절연층을 구비하고,
상기 절연층은, 상기 밀봉 부재의 상기 저면으로부터 노출되어 있는, 홀 센서.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the Hall element includes a substrate, a potentiometer portion disposed on the substrate or within the substrate, and first to fourth electrode portions connected to the potentiometer portion,
And an insulating layer disposed on a surface of the Hall element opposite to a surface on which the first to fourth electrode portions are disposed,
And the insulating layer is exposed from the bottom surface of the sealing member.
상기 제1 내지 제4 외부 단자가 형성된 금속판을 기재 위에 배치하는 외부 단자 배치 공정과,
상기 제1 내지 제4 외부 단자로 둘러싸이는 영역에 상기 홀 소자를 배치하는 홀 소자 배치 공정과,
상기 제1 내지 제4 전극부와 상기 제1 내지 제4 외부 단자를 상기 제1 내지 제4 도선으로 각각 전기적으로 접속하는 도선 접속 공정과,
상기 홀 소자와, 상기 제1 내지 제4 도선과, 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉 부재로 밀봉하는 밀봉 공정과,
상기 기재를 제거하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 노출 공정을 구비하고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자가 적재되는 위치를 중심으로 한 타원 형상의 영역의 둘레 위에 단차를 갖고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위를 갖고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 금속판을 상기 기재 위에 배치했을 때, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이가, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있고,
상기 도선 접속 공정에 있어서, 상기 제1 도선은 상기 제1 외부 단자의 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면과 접속되고,
상기 밀봉 공정에 있어서, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면 및 상기 제1 외부 단자의 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면을 상기 밀봉 부재로 밀봉하는, 홀 센서의 제조 방법.The first to fourth external terminals, the Hall element having the first to fourth electrode portions, and the external terminals of the first to fourth external terminals and the respective electrode portions of the first to fourth electrode portions, respectively A method of manufacturing an Hall sensor including first to fourth conductors,
An external terminal disposing step of disposing a metal plate on which the first to fourth external terminals are formed on a substrate;
A hole element arranging step of arranging the hole elements in an area surrounded by the first to fourth external terminals,
A lead wire connecting step of electrically connecting the first to fourth electrode parts and the first to fourth external terminals to the first to fourth leads,
A sealing step of sealing the first surface, the second surface, and the second surface, which are surfaces of the external terminals, which are connected to the conductor, with a sealing member;
And an exposure step of removing the substrate and exposing a first surface of each external terminal opposite to the second surface from the sealing member,
Wherein the first to fourth external terminals have a step on the second surface and on the periphery of an elliptical region centered on a position at which the hall element is mounted when viewed from a plane,
Wherein the first to fourth external terminals have a first portion on a side closer to a position where the hall element is stacked and a second portion on a far side in a position where the hall element is stacked,
Wherein the first to fourth external terminals are formed so that the height of the first surface to the second surface of the first surface is larger than the height of the second surface of the first surface, And the second surface is lower than the height of the second surface,
In the wire connection step, the first conductor is connected to the second surface of the second portion of the first external terminal,
In the sealing step, the second surface of the first external terminal in the first portion and the second surface of the first external terminal in the second portion are sealed with the sealing member, A method of manufacturing a sensor.
상기 제1 내지 제4 외부 단자가 형성된 금속판을 기재 위에 배치하는 외부 단자 배치 공정과,
상기 제1 내지 제4 외부 단자로 둘러싸이는 영역에 상기 홀 소자를 배치하는 홀 소자 배치 공정과,
상기 제1 내지 제4 전극부와 상기 제1 내지 제4 외부 단자를 상기 제1 내지 제4 도선으로 각각 전기적으로 접속하는 도선 접속 공정과,
상기 홀 소자와, 상기 제1 내지 제4 도선과, 상기 각 외부 단자의 상기 도선과 접속하고 있는 면인 제2 면을 밀봉 부재로 밀봉하는 밀봉 공정과,
상기 기재를 제거하고, 상기 각 외부 단자의 상기 제2 면과는 반대측의 제1 면을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 노출 공정을 구비하고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 제2 면 위에서, 또한 평면에서 볼 때, 상기 홀 소자가 적재되는 위치를 중심으로 하는 콜릿의 선단의 형상에 대응한 위치에 단차를 갖고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 단차를 경계로, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 가까운 측에 제1 부위를 갖고, 상기 홀 소자가 적재되는 위치에 먼 측에 제2 부위를 갖고,
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 금속판을 상기 기재 위에 배치했을 때, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이가, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면까지의 높이보다도 낮게 형성되어 있고,
상기 도선 접속 공정에 있어서, 상기 제1 도선은 상기 제1 외부 단자의 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면과 접속되고,
상기 밀봉 공정에 있어서, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면 및 상기 제1 외부 단자의 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면을 상기 밀봉 부재로 밀봉하는, 홀 센서의 제조 방법.The first to fourth external terminals, the Hall element having the first to fourth electrode portions, and the external terminals of the first to fourth external terminals and the respective electrode portions of the first to fourth electrode portions, respectively A method of manufacturing an Hall sensor including first to fourth conductors,
An external terminal disposing step of disposing a metal plate on which the first to fourth external terminals are formed on a substrate;
A hole element arranging step of arranging the hole elements in an area surrounded by the first to fourth external terminals,
A lead wire connecting step of electrically connecting the first to fourth electrode parts and the first to fourth external terminals to the first to fourth leads,
A sealing step of sealing the first surface, the second surface, and the second surface, which are surfaces of the external terminals, which are connected to the conductor, with a sealing member;
And an exposure step of removing the substrate and exposing a first surface of each external terminal opposite to the second surface from the sealing member,
The first to fourth external terminals have a step at a position corresponding to the shape of the tip of the collet about the position on which the hall element is stacked on the second surface and in a plane view,
Wherein the first to fourth external terminals have a first portion on a side closer to a position where the hall element is stacked and a second portion on a far side in a position where the hall element is stacked,
Wherein the first to fourth external terminals are formed so that the height of the first surface to the second surface of the first surface is larger than the height of the second surface of the first surface, And the second surface is lower than the height of the second surface,
In the wire connection step, the first conductor is connected to the second surface of the second portion of the first external terminal,
In the sealing step, the second surface of the first external terminal in the first portion and the second surface of the first external terminal in the second portion are sealed with the sealing member, A method of manufacturing a sensor.
상기 홀 소자 배치 공정은, 상기 기재의 상기 금속판이 배치되는 면을 기준면으로 하여, 상기 홀 소자를, 상기 홀 소자의 가장 높은 점이, 상기 제1 외부 단자의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 높고, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면보다도 낮아지는 위치에 배치하는 공정을 포함하는, 홀 센서의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the hole element arranging step is a step of arranging the hole element in the base portion of the base member as a reference plane so that the highest point of the hall element is located at the second point of the second external terminal And a step of disposing the hole sensor at a position lower than the second surface in the second portion.
상기 홀 소자 배치 공정은, 상기 밀봉 부재의 저면을 기준면으로 하여, 상기 기준면으로부터 상기 홀 소자의 가장 높은 점까지의 높이를 T, 상기 기준면으로부터 상기 제2 부위에 있어서의 상기 제2 면의 높이를 p2로 하여, 상기 홀 소자를, p2<T<1.5×p2로 되는 위치에 배치하는 공정을 포함하는, 홀 센서의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the step of arranging the hole elements comprises the step of arranging the sealing member in a state that the height from the reference surface to the highest point of the hall element is T and the height of the second surface in the second portion is p2, and arranging the hall element at a position where p2 < T < 1.5 x p2.
상기 제1 내지 제4 외부 단자는, 상기 제1 외부 단자와 상기 제3 외부 단자를 연결하는 가상 직선과 상기 제2 외부 단자와 상기 제4 외부 단자를 연결하는 가상 직선이 평면에서 볼 때 교차하도록 배치되어 있으며,
상기 홀 소자는 평면에서 볼 때 직사각 형상이며,
상기 홀 소자 배치 공정은,
평면에서 볼 때, 상기 홀 소자의 4개의 정점이, 상기 제1 외부 단자와 상기 제2 외부 단자 사이의 영역, 상기 제2 외부 단자와 상기 제3 외부 단자 사이의 영역, 상기 제3 외부 단자와 상기 제4 외부 단자 사이의 영역 및 상기 제4 외부 단자와 상기 제1 외부 단자 사이의 영역에 배치되도록 상기 홀 소자를 배치하는 공정을 포함하는, 홀 센서의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the first to fourth external terminals are formed so that a virtual straight line connecting the first external terminal and the third external terminal and a virtual straight line connecting the second external terminal and the fourth external terminal cross Lt; / RTI >
The Hall element has a rectangular shape when seen in a plan view,
In the above-mentioned Hall element arranging step,
The four vertexes of the hall element are arranged in a region between the first external terminal and the second external terminal, a region between the second external terminal and the third external terminal, And arranging the hall element so as to be disposed in a region between the fourth external terminal and an area between the fourth external terminal and the first external terminal.
상기 기재와 상기 홀 소자의 사이에 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 포함하고, 상기 노출 공정은, 상기 절연층을 상기 밀봉 부재로부터 노출시키는 공정을 포함하는, 홀 센서의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
And an insulating layer forming step of forming an insulating layer between the substrate and the hole element, wherein the exposing step includes a step of exposing the insulating layer from the sealing member.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014204716 | 2014-10-03 | ||
JPJP-P-2014-204716 | 2014-10-03 | ||
PCT/JP2015/004807 WO2016051726A1 (en) | 2014-10-03 | 2015-09-18 | Hall sensor manufacturing method, hall sensor, and lens module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170028378A KR20170028378A (en) | 2017-03-13 |
KR101868760B1 true KR101868760B1 (en) | 2018-06-18 |
Family
ID=55629797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177002474A KR101868760B1 (en) | 2014-10-03 | 2015-09-18 | Hall sensor manufacturing method, hall sensor, and lens module |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6085726B2 (en) |
KR (1) | KR101868760B1 (en) |
CN (1) | CN206558553U (en) |
TW (1) | TWI555995B (en) |
WO (1) | WO2016051726A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2003002332A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Akio Kakehi | Data re-embodying system, its method, and measuring device |
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2015
- 2015-09-18 TW TW104131016A patent/TWI555995B/en active
- 2015-09-18 WO PCT/JP2015/004807 patent/WO2016051726A1/en active Application Filing
- 2015-09-18 CN CN201590001011.XU patent/CN206558553U/en active Active
- 2015-09-18 KR KR1020177002474A patent/KR101868760B1/en active IP Right Grant
- 2015-09-18 JP JP2016551521A patent/JP6085726B2/en active Active
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---|---|
KR20170028378A (en) | 2017-03-13 |
CN206558553U (en) | 2017-10-13 |
JPWO2016051726A1 (en) | 2017-04-27 |
WO2016051726A1 (en) | 2016-04-07 |
TWI555995B (en) | 2016-11-01 |
JP6085726B2 (en) | 2017-02-22 |
TW201617637A (en) | 2016-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |