JP2010283252A - Semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents

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重信 稲葉
Yukihiro Maeda
幸宏 前田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately prevent disconnections of wires due to peeling of a lead from a molding resin, in a semiconductor device formed by connecting a semiconductor element mounted on a die pad and the lead with wires and then sealing with the molding resin. <P>SOLUTION: In a portion of the lead 30 located inside the molding resin 50, a region of the lead 30 where the wires 40 are connected is a projection 32, that has a step and projects from the top face 31 of one side and the other side of the region of the lead 30 where the wires 40 are connected, and the wires 40 are connected to a projecting face 33, that is the top face of the projection 32, and a step surface 34 of the projection 32 is formed tilting toward the top face 31 so as to cover the portions of the top face 31 adjacent to the projection 32. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをワイヤで結線したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置、および、そのような半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element mounted on a die pad and a lead are connected with a wire and sealed with a mold resin, and a method for manufacturing such a semiconductor device.

従来より、この種の半導体装置としては、ダイパッドの上面に半導体素子を搭載し、細長板状をなす複数本のリードを、一端側がダイパッドに対向し他端側がダイパッドから離れる方向に延びるように配置し、リードの上面と半導体素子との間でワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤで結線し、リードの他端側を露出させつつ、ダイパッド、半導体素子、リードおよびワイヤをモールド樹脂で封止してなるものが一般的である。   Conventionally, this type of semiconductor device has a semiconductor element mounted on the upper surface of a die pad, and a plurality of elongated plate-like leads are arranged so that one end faces the die pad and the other end extends in a direction away from the die pad. Then, wire bonding is performed between the upper surface of the lead and the semiconductor element, and the gap is connected with a wire, and the other end side of the lead is exposed, and the die pad, the semiconductor element, the lead, and the wire are sealed with a mold resin. What is formed is common.

このような半導体装置においては、たとえば、はんだリフロー時に発生する応力や、冷熱サイクル時に発生する応力等により、モールド樹脂とリードとの剥離が生じ、その剥離が進行することによってモールド樹脂内部のワイヤが断線するという問題があった。   In such a semiconductor device, for example, peeling between the mold resin and the lead occurs due to stress generated at the time of solder reflow, stress generated at the time of the thermal cycle, and the wire inside the mold resin is caused by the progress of the peeling. There was a problem of disconnection.

この問題に対して、従来では、リードのうちワイヤが接続されている部位、すなわちリードのワイヤ接続部の近くに窪みを設けることによって、当該リードのワイヤ接続部近辺のモールド樹脂とリードとの密着強度を上げるようにしたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   Conventionally, in order to solve this problem, by providing a depression near the wire connecting portion of the lead, that is, near the wire connecting portion of the lead, the mold resin and the lead in the vicinity of the wire connecting portion of the lead are closely attached. The thing which raised intensity | strength is proposed (for example, refer patent document 1).

特開平６−２１３０４号公報JP-A-6-21304

本発明者は、上記特許文献１について、試作検討を行った。図１７は、本発明者の試作品としての半導体装置の要部構成を示す概略断面図である。   The present inventor conducted a trial production of Patent Document 1 described above. FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a main configuration of a semiconductor device as a prototype of the present inventor.

この試作品においては、図１７に示されるように、リード３０のうちワイヤボンディングを行うインナーリードの近傍に窪みＫを作ることで、モールド樹脂５０と当該インナーリードと密着強度を上げて、剥離発生を防止している。   In this prototype, as shown in FIG. 17, by forming a depression K in the vicinity of the inner lead of the lead 30 where wire bonding is performed, the adhesion strength between the mold resin 50 and the inner lead is increased, and peeling occurs. Is preventing.

この試作品の構造では、図１７中の矢印Ｙに示されるように、たとえばモールド樹脂５０の外部からモールド樹脂５０の剥離が進展してきた場合、その剥離の進展は図１７中の剥離進展停止点Ｐにて停止すると考えられる。しかし、この構造では、剥離進展停止点Ｐがモールド樹脂５０であるため、その箇所Ｐで当該剥離の進展が止まったとしても、応力により樹脂割れＷが発生する可能性がある。   In the structure of this prototype, as shown by an arrow Y in FIG. 17, for example, when the peeling of the mold resin 50 has progressed from the outside of the mold resin 50, the progress of the peeling is the peeling progress stop point in FIG. It is considered to stop at P. However, in this structure, since the peeling progress stop point P is the mold resin 50, even if the progress of the peeling stops at the portion P, there is a possibility that the resin crack W may occur due to stress.

そして、この樹脂割れＷが窪みＫを縦断した場合、再度、剥離の進展が進行してワイヤ接続部まで到達するため、ワイヤ４０の断線が防止できないという問題がある。つまり、上記特許文献１に準拠する試作品の構造では、あくまでも、窪みＫによってモールド樹脂５０とインナーリードとの密着力を増強させることによるモールド樹脂５０の剥離防止を行っているのみであり、当該剥離の進行を停止させるという点では不十分であると推定される。   And when this resin crack W cuts the hollow K longitudinally, since progress of peeling again advances and reaches a wire connection part, there exists a problem that the disconnection of the wire 40 cannot be prevented. That is, in the structure of the prototype conforming to the above-mentioned Patent Document 1, the mold resin 50 is only prevented from being peeled off by increasing the adhesion between the mold resin 50 and the inner lead by the depression K. It is estimated that it is insufficient in terms of stopping the progress of peeling.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをワイヤで結線したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、リードとモールド樹脂の剥離によるワイヤの断線を適切に防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a semiconductor device in which a semiconductor element mounted on a die pad and a lead are connected with a wire and sealed with a mold resin, the lead and the mold resin It aims at preventing the disconnection of the wire by peeling appropriately.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側および他端側の上面（３１）に対して段差を有して突出する突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, in the first aspect of the invention, in the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (40) is connected is the wire (40). ) To the upper surface (31) on one end side and the other end side of the lead (30) with respect to the portion to which the lead (30) is connected. ) Is connected to the protruding surface (33) which is the upper surface of the protrusion (32), and the stepped surface (34) of the protruding portion (32) is a portion of the lead (30) adjacent to the protruding portion (32). It is configured as a surface inclined toward the upper surface (31) so as to cover the upper surface (31).

それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離は、インナーリードにおけるリード（３０）の一端側または他端側からワイヤ（４０）が接続されている部位すなわちワイヤ接続部に進行してくるが、どちら側から進行してきたとしても当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出面（３３）とその隣の部位の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。   According to this, the peeling between the upper surface (31) of the lead (30) and the mold resin (50) is caused by the part where the wire (40) is connected from one end side or the other end side of the lead (30) in the inner lead, that is, Although it progresses to the wire connecting portion, the progress of the peeling, regardless of which side it progresses, constitutes the boundary between the protruding surface (33) as the wire connecting portion and the upper surface (31) of the adjacent portion. Since it stops by the level | step difference surface (34), it does not progress to a protrusion surface (33).

また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂（５０）に対する楔効果が発揮されるから、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が適切に防止される。   Further, since the stepped surface (34) is inclined as described above, a wedge effect is exerted on the mold resin (50), so that the mold resin (50) can be peeled off from the projecting surface (33). It will be strong against it. Therefore, according to the present invention, disconnection of the wire (40) due to peeling of the lead (30) and the mold resin (50) is appropriately prevented.

請求項２に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の一端側の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。   In the invention according to claim 2, in the lead (30) located inside the mold resin (50), the part to which the wire (40) is connected is one end side of the lead (30) from the part. The protrusion (32) protrudes from the upper surface (31) with a step, and the wire (40) is connected to the protrusion surface (33) which is the upper surface of the protrusion (32). The step surface (34) of the protrusion (32) is configured as a surface inclined toward the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the portion adjacent to the protrusion (32) in the lead (30). It is characterized by being.

それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離が、インナーリードにおけるリード（３０）の一端側からワイヤ接続部に進行してきたとしても、当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出部（３２）とその隣の部位の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。   According to this, even if the peeling between the upper surface (31) of the lead (30) and the mold resin (50) proceeds from one end side of the lead (30) in the inner lead to the wire connecting portion, the progress of the peeling does not occur. Since it stops by the level | step difference surface (34) which comprises the boundary of the protrusion part (32) as a wire connection part, and the upper surface (31) of the adjacent site | part, it does not progress to a protrusion surface (33).

また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることで、上記同様に、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。   Moreover, by making the said level | step difference surface (34) into the surface inclined as mentioned above, it becomes strong with respect to the peeling of mold resin (50) in the protrusion surface (33) like the above. Therefore, according to the present invention, disconnection of the wire (40) due to peeling of the lead (30) and the mold resin (50) is prevented.

請求項３に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）においては、ワイヤ（３０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の他端側の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、この突出部（３２）の上面である突出面（３３）にワイヤ（４０）が接続されており、突出部（３２）の段差面（３４）は、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴としている。   In the invention according to claim 3, in the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (30) is connected is the other end of the lead (30) rather than the portion. The protrusion (32) protrudes with a step from the upper surface (31) on the side, and the wire (40) is connected to the protrusion surface (33) which is the upper surface of the protrusion (32). The step surface (34) of the protrusion (32) is a surface inclined toward the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the portion adjacent to the protrusion (32) in the lead (30). It is characterized by being composed.

それによれば、リード（３０）の上面（３１）とモールド樹脂（５０）との剥離が、インナーリードにおけるリード（３０）の他端側からワイヤ接続部に進行してきたとしても、当該剥離の進行は、ワイヤ接続部としての突出部（３２）とその隣の上面（３１）との境界を構成する段差面（３４）によって止められるから、突出面（３３）まで進行することはない。   According to this, even if the peeling between the upper surface (31) of the lead (30) and the mold resin (50) proceeds from the other end side of the lead (30) in the inner lead to the wire connecting portion, the progress of the peeling is performed. Is stopped by the stepped surface (34) constituting the boundary between the protruding portion (32) as the wire connecting portion and the adjacent upper surface (31), and therefore does not travel to the protruding surface (33).

また、当該段差面（３４）を上記のように傾斜した面とすることで、上記同様に、突出面（３３）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなる。よって、本発明によれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）の剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。   Moreover, by making the said level | step difference surface (34) into the surface inclined as mentioned above, it becomes strong with respect to the peeling of mold resin (50) in the protrusion surface (33) like the above. Therefore, according to the present invention, disconnection of the wire (40) due to peeling of the lead (30) and the mold resin (50) is prevented.

ここで、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置においては、段差面（３４）は、当該段差面（３４）における突出面（３３）側に位置する部位が、リード（３０）のうち突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように凹形状に湾曲した面であるものにできる。   Here, as in the invention according to claim 4, in the semiconductor device according to claims 1 to 3, the step surface (34) is on the protruding surface (33) side of the step surface (34). The part located can be a surface curved in a concave shape so as to cover the upper surface (31) of the part adjacent to the protrusion (32) in the lead (30).

また、請求項５に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置においては、突出部（３２）のうちリード（３０）の長手方向の端部寄りの部位には、当該長手方向に沿い且つ突出面（３３）に直交する断面が突出面（３３）側に広がるＶ字形状をなす溝（３５）が設けられることにより、当該端部に位置する段差面（３４）の傾斜角度は、溝（３５）のＶ字における傾斜角度を承継したものとされているものとしてもよい。上記楔効果を発揮する段差面（３４）としてはこういうものにできる。   Further, as in the invention described in claim 5, in the semiconductor device described in claims 1 to 3, the protrusion (32) has a portion near the end in the longitudinal direction of the lead (30). A step surface (34) located at the end is provided by providing a groove (35) having a V-shaped section extending along the longitudinal direction and perpendicular to the projecting surface (33) toward the projecting surface (33). The inclination angle of) may be the one inherited from the inclination angle in the V-shape of the groove (35). Such a stepped surface (34) that exhibits the wedge effect can be formed as described above.

請求項６に記載の発明においては、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）の上面（３１）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりもリード（３０）の一端側および他端側の上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされており、この凹部（３６）の底部にワイヤ（４０）が接続されていることを特徴としている。   In the invention according to claim 6, in the upper surface (31) of the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (40) is connected is more lead ( 30) is formed as a recess (36) having a step with respect to the upper surface (31) on one end side and the other end side, and a wire (40) is connected to the bottom of the recess (36). It is characterized by that.

それによれば、ワイヤ（４０）は、ワイヤ接続部としての凹部（３６）の底部に接続されるが、凹部（３６）の底部はそもそも剥離が進行しにくい場所であるので、リード（３０）とモールド樹脂（５０）との剥離によるワイヤ（４０）の断線が防止される。   According to this, the wire (40) is connected to the bottom of the recess (36) as a wire connecting portion, but the bottom of the recess (36) is a place where peeling does not easily proceed in the first place. Disconnection of the wire (40) due to peeling from the mold resin (50) is prevented.

ここで、請求項７に記載の発明のように、請求項６に記載の半導体装置においては、リード（３０）において、凹部（３６）の底部とリード（３０）における凹部（３６）に隣り合う部位の上面（３１）との間に位置する段差面（３７）は、凹部（３６）の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されていてもよい。   Here, as in the invention described in claim 7, in the semiconductor device described in claim 6, in the lead (30), the bottom of the recess (36) and the recess (36) in the lead (30) are adjacent to each other. The step surface (37) positioned between the upper surface (31) of the part may be configured as a surface inclined toward the bottom so as to cover the bottom of the recess (36).

この凹部（３６）の段差面（３７）を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂（５０）に対する楔効果が発揮されるから、当該凹部（３６）においてはモールド樹脂（５０）の引きはがしに対して強いものとなり、好ましい。   Since the stepped surface (37) of the recess (36) is inclined as described above, a wedge effect on the mold resin (50) is exhibited. Therefore, in the recess (36), the mold resin (50) This is preferable because it is strong against peeling.

また、請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７に記載の半導体装置において、モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側に位置する部位の表面は、凹凸形状とされており、この凹凸部がモールド樹脂（５０）に食い込んでいることを特徴としている。それによれば、リード（３０）とモールド樹脂（５０）との密着力が向上し、好ましい。   According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first to seventh aspects, a wire (40) is connected to the lead (30) located inside the mold resin (50). The surface of the part located on the one end side of the lead (30) with respect to the part being formed has a concavo-convex shape, and this concavo-convex part bites into the mold resin (50). According to this, the adhesive force between the lead (30) and the mold resin (50) is improved, which is preferable.

また、請求項９に記載の発明では、請求項１〜請求項８に記載の半導体装置において、モールド樹脂（５０）の内部に位置するリード（３０）のうち、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりもリード（３０）の一端側に位置する部位は、ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも表面粗度が小さく、前記モールド樹脂（５０）との密着性が小さいものとされていることを特徴としている。   Moreover, in the semiconductor device according to the ninth aspect, in the semiconductor device according to the first to eighth aspects, the wire (40) is connected among the leads (30) positioned inside the mold resin (50). The part located on one end side of the lead (30) from the part where the wire (40) is located has a smaller surface roughness than the part to which the wire (40) is connected, and the adhesiveness to the mold resin (50) is small. It is characterized by having.

それによれば、インナーリードのうちワイヤ接続部よりもモールド樹脂（５０）の内部側に位置する部位が、当該ワイヤ接続部よりもモールド樹脂（５０）の剥離が発生しやすくなるが、この部位が優先的に剥離することで、発生する応力を開放することが可能となる。また、この部位は、ワイヤ断線や水分侵入とは無縁の場所であり、剥離が発生しても、その影響は小さい。   According to this, a part of the inner lead located on the inner side of the mold resin (50) with respect to the wire connection part is more likely to peel off the mold resin (50) than the wire connection part. By preferentially peeling, the generated stress can be released. Moreover, this part is a place unrelated to wire breakage or moisture intrusion, and even if peeling occurs, the influence is small.

請求項１０に記載の発明は、ダイパッド（１０）の上面（１１）に半導体素子（２０）を搭載し、細長板状をなす複数本のリード（３０）を、一端側がダイパッド（１０）に対向し他端側がダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置し、リード（３０）の上面（３１）と半導体素子（２０）との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ（４０）で結線し、リード（３０）の他端側を露出させつつ、ダイパッド（１０）、半導体素子（２０）、リード（３０）およびワイヤ（４０）を、モールド樹脂（５０）で封止するようにした半導体装置の製造方法において、次の点を特徴とするものである。   According to the tenth aspect of the present invention, the semiconductor element (20) is mounted on the upper surface (11) of the die pad (10), a plurality of elongated plates (30) are arranged, and one end side faces the die pad (10). The other end side extends in a direction away from the die pad (10), wire bonding is performed between the upper surface (31) of the lead (30) and the semiconductor element (20), and a wire (40 The die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) are sealed with the mold resin (50) while exposing the other end of the lead (30). The semiconductor device manufacturing method described above is characterized by the following points.

・複数本のリード（３０）として、ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも一端側および他端側に位置する部位の上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされ、且つ、突出部（３２）の段差面（３４）が、突出部（３２）に隣り合う部位の上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されている第１のリード（３０ａ）と、記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも一端側および他端側に位置する部位の上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされている第２のリード（３０ｂ）とを用いること。   -As a plurality of leads (30), the part to which the wire (40) is connected protruded with a step from the upper surface (31) of the part located on one end side and the other end side from the part The step (34) of the protrusion (32) is inclined to the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the portion adjacent to the protrusion (32). The part where the first lead (30a) configured as a surface and the wire (40) are connected is a step with respect to the upper surface (31) of the part located on one end side and the other end side of the part. And a second lead (30b) which is a concave recess (36).

・さらに、第１のリード（３０ａ）と第２のリード（３０ｂ）とを交互に隣り合って配置すること。   Further, the first leads (30a) and the second leads (30b) are alternately arranged adjacent to each other.

・その後、ワイヤボンディング工程では、半導体素子（２０）に１次ボンディングを行った後に、第１のリード（３０ａ）における突出部（３２）の上面である突出面（３３）に２次ボンディングを行ってワイヤ（４０）の結線を行い、続いて、当該結線が行われた第１のリード（３０ａ）の隣に位置する第２のリード（３０ｂ）における凹部（３６）の底部に１次ボンディングを行った後に、当該半導体素子（２０）に２次ボンディングを行うことによりワイヤ（４０）の結線を行うこと。本製造方法はこれらの点を特徴としている。   Thereafter, in the wire bonding step, after the primary bonding is performed on the semiconductor element (20), the secondary bonding is performed on the protruding surface (33) which is the upper surface of the protruding portion (32) of the first lead (30a). Then, the wire (40) is connected, and then primary bonding is performed on the bottom of the recess (36) in the second lead (30b) located next to the first lead (30a) where the connection is made. After performing, the wire (40) is connected by performing secondary bonding to the semiconductor element (20). This manufacturing method is characterized by these points.

つまり、本発明の製造方法は、上記請求項１のリードを第１のリード（３０ａ）とし、上記請求項６のリードを第２のリード（３０ｂ）として、これらを交互に配置した状態で上記のようにワイヤボンディングを行うものである。   That is, in the manufacturing method of the present invention, the lead of claim 1 is a first lead (30a), the lead of claim 6 is a second lead (30b), and the leads are alternately arranged. In this way, wire bonding is performed.

それによれば、ボンディングツールの動きは、半導体素子（２０）のパッド（２１）→第１のリード（３０ａ）→その隣の第２のリード（３０ｂ）→半導体素子（２０）のパッド（２１）→同じ半導体素子（２０）におけるその隣のパッド（２１）→第１のリード（３０ａ）・・・、というようになり、一般の場合に比べて移動距離が短くなるので、ワイヤボンディング作業時間の短縮が図れるとともに、ワイヤ角度が直交に近い１次ボンディングによって凹部（３６）の底部への結線が容易になる。   According to this, the movement of the bonding tool is as follows: the pad (21) of the semiconductor element (20) → the first lead (30a) → the second lead (30b) next to it → the pad (21) of the semiconductor element (20). → The next pad (21) in the same semiconductor element (20) → the first lead (30a)..., And the movement distance is shorter than in the general case. Shortening can be achieved, and wire connection to the bottom of the recess (36) is facilitated by primary bonding in which the wire angle is nearly orthogonal.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, (b) is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in (a), and (c) is an outline of the main part of the inner lead in the semiconductor device. It is sectional drawing. 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 第４実施形態のリードにおける傾斜した段差面の形成方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the formation method of the inclined level | step difference surface in the lead | lead of 4th Embodiment. （ａ）は本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。(A) is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 5th Embodiment of this invention, (b) is a principal part schematic sectional drawing of the inner lead in the semiconductor device. （ａ）は本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるインナーリードの要部概略断面図である。(A) is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 6th Embodiment of this invention, (b) is a principal part schematic sectional drawing of the inner lead in the semiconductor device. 本発明の第７実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the semiconductor device which concerns on 8th Embodiment of this invention. 本発明の第９実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the semiconductor device which concerns on 9th Embodiment of this invention. 本発明の第１０実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、（ａ）はリードの一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the semiconductor device which concerns on 10th Embodiment of this invention, (a) is a top view of the one end side of a lead | read | reed, (b) is a BB schematic sectional drawing in (a). is there. 第１０実施形態の他の例を示す概略断面図であり、（ａ）はリードの一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of 10th Embodiment, (a) is a top view of the one end side of a lead | read | reed, (b) is CC schematic sectional drawing in (a). 従来方法に基づく本発明者の試作におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のワイヤ接続部の概略断面図である。It is process drawing which shows the wire bonding process in this inventor's trial manufacture based on the conventional method, (a) is a top view, (b) is a schematic sectional drawing of the wire connection part in (a). 本発明の第１１実施形態に係るワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の第１のリードにおけるワイヤ接続部の概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の第２のリードにおけるワイヤ接続部の概略断面図である。It is process drawing which shows the wire bonding process which concerns on 11th Embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is a schematic sectional drawing of the wire connection part in the 1st lead | lead in (a), (c) ) Is a schematic cross-sectional view of a wire connecting portion in a second lead in FIG. 本発明の第１２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 12th Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面図であり、（ａ）はＱＦＪパッケージの例、（ｂ）はＱＦＮパッケージの例を示す。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on other embodiment of this invention, (a) shows the example of a QFJ package, (b) shows the example of a QFN package. 本発明者の試作品としての半導体装置の要部構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part structure of the semiconductor device as a prototype of this inventor.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１の概略平面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った同半導体装置１の概略断面図であり、（ｃ）は、同半導体装置１におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。なお、図１（ａ）では、半導体装置１のうちモールド樹脂５０で封止されている構成要素を示してある。 (First embodiment)
FIG. 1A is a diagram showing a schematic plan configuration of the semiconductor device 1 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a diagram along the alternate long and short dash line AA in FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device 1, and FIG. 3C is a schematic cross-sectional view showing a main part of an inner lead in the semiconductor device 1. FIG. 1A shows components of the semiconductor device 1 that are sealed with the mold resin 50.

本実施形態の半導体装置１は、大きくは、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の上面１１に搭載された半導体素子２０と、ダイパッド１０の周囲に設けられたリード３０と、リード３０の上面３１側と半導体素子２０とを結線するワイヤ４０と、これらを封止するモールド樹脂５０とを備えて構成されている。   The semiconductor device 1 of the present embodiment is roughly divided into a die pad 10, a semiconductor element 20 mounted on the upper surface 11 of the die pad 10, a lead 30 provided around the die pad 10, an upper surface 31 side of the lead 30, and a semiconductor. A wire 40 that connects the element 20 and a mold resin 50 that seals the wire 40 are provided.

ダイパッド１０は、Ｃｕや４２アロイなどよりなるリードフレームのアイランドや、Ｃｕや鉄またはアルミニウムなどよりなるヒートシンクなどとして構成されるものであり、板状をなす。ここでは、ダイパッド１０は矩形板状をなしている。   The die pad 10 is configured as a lead frame island made of Cu or 42 alloy, a heat sink made of Cu, iron, aluminum, or the like, and has a plate shape. Here, the die pad 10 has a rectangular plate shape.

半導体素子２０は、半導体プロセスで形成されたシリコン半導体チップなどであり、具体的には、ＩＣチップやトランジスタ素子、ダイオードなどよりなる。また、この半導体素子２０は、図示しないはんだや接着剤などのダイボンド材によりダイパッド１０の上面１１に接合され、固定されている。   The semiconductor element 20 is a silicon semiconductor chip or the like formed by a semiconductor process, and specifically includes an IC chip, a transistor element, a diode, or the like. The semiconductor element 20 is bonded and fixed to the upper surface 11 of the die pad 10 by a die bonding material such as solder or adhesive (not shown).

リード３０は、Ｃｕや４２アロイなどの一般的なリードフレームのリードを用いて、後述する突出部３２を加工したものである。そして、複数個のリード３０がダイパッド１０の周囲に配置されている。個々のリード３０は細長板状をなしており、その長手方向の一端側をダイパッド１０に対向させ他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるように配置されている。   The lead 30 is obtained by processing a protrusion 32 described later using a lead of a general lead frame such as Cu or 42 alloy. A plurality of leads 30 are arranged around the die pad 10. Each lead 30 has an elongated plate shape, and is disposed so that one end side in the longitudinal direction faces the die pad 10 and the other end side extends in a direction away from the die pad 10.

そして、モールド樹脂５０の内部にて、リード３０の長手方向の両端の中間に位置する部位の上面３１側と半導体素子２０のパッド２１（図１（ａ）参照）とがワイヤ４０で結線されている。つまり、リード３０の一端側であってモールド樹脂５０で封止されている部位、すなわちインナーリードの上面３１側と半導体素子２０とがワイヤ４０で結線されている。   Then, inside the mold resin 50, the upper surface 31 side of the portion located in the middle between both ends in the longitudinal direction of the lead 30 and the pad 21 (see FIG. 1A) of the semiconductor element 20 are connected by the wire 40. Yes. That is, a portion of one end of the lead 30 that is sealed with the mold resin 50, that is, the upper surface 31 side of the inner lead and the semiconductor element 20 are connected by the wire 40.

なお、リード３０の上面３１とは、リード３０の両板面のうちのダイパッド１０の上面（つまり、ダイパッド１０における半導体素子２０の搭載面）１１と同一方向を向いている面である。   The upper surface 31 of the lead 30 is a surface facing the same direction as the upper surface of the die pad 10 (that is, the mounting surface of the semiconductor element 20 in the die pad 10) of both plate surfaces of the lead 30.

ここで、ワイヤ４０は金やアルミニウムなどよりなり、一般的なワイヤボンディング方法により形成されたものである。そして、このワイヤ４０によって、半導体素子２０とリード３０とが電気的に接続されている。   Here, the wire 40 is made of gold or aluminum, and is formed by a general wire bonding method. The semiconductor element 20 and the lead 30 are electrically connected by the wire 40.

また、モールド樹脂５０はエポキシ樹脂などの一般のモールド材料よりなるもので、トランスファーモールド法などにより形成されるものである。このモールド樹脂５０は、リード３０の他端側をモールド樹脂５０より露出させつつ、ダイパッド１０、半導体素子２０、リード３０およびワイヤ４０を封止し、これら封止された部位を保護している。   The mold resin 50 is made of a general mold material such as an epoxy resin, and is formed by a transfer mold method or the like. The mold resin 50 seals the die pad 10, the semiconductor element 20, the lead 30 and the wire 40 while protecting the sealed portion while exposing the other end side of the lead 30 from the mold resin 50.

このように、本実施形態の半導体装置１は、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載し、ダイパッド１０側に一端側が位置し他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるリード３０をダイパッド１０の周囲に配置し、このリード３０の他端側が露出するように、これらをモールド樹脂５０で封止した樹脂封止型の半導体装置１を構成している。   As described above, the semiconductor device 1 according to the present embodiment has the semiconductor element 20 mounted on the upper surface 11 of the die pad 10, and the lead 30 that extends in the direction in which one end side is located on the die pad 10 side and the other end side is away from the die pad 10. A resin-encapsulated semiconductor device 1 is configured in which the lead 30 is sealed with a mold resin 50 so that the other end of the lead 30 is exposed.

さらに、本実施形態の半導体装置１においては、図１に示されるように、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０すなわちインナーリードにおいて、その上面３１側に、当該上面３１より突出する突出部３２が形成されている。そして、この突出部３２の上面である突出面３３にワイヤ４０が接続されている。   Furthermore, in the semiconductor device 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 1, in the lead 30 positioned inside the mold resin 50, that is, the inner lead, the protruding portion 32 that protrudes from the upper surface 31 on the upper surface 31 side. Is formed. The wire 40 is connected to the protruding surface 33 that is the upper surface of the protruding portion 32.

このように突出部３２は、リード３０におけるワイヤ４０が接続されている部位、つまりワイヤ接続部である。そして、この突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の部位の上面３１に対して、段差を有して突出したものである。   As described above, the protruding portion 32 is a portion of the lead 30 to which the wire 40 is connected, that is, a wire connecting portion. The protruding portion 32 protrudes with a step from the upper surface 31 of the portion on one end side and the other end side of the lead 30 with respect to the protruding portion 32 in the mold resin 50.

また、突出部３２の段差面３４は、突出面３３と、リード３０における突出部３２に隣り合う部位の上面３１との間に位置するものである。言い換えれば、突出部３２の突出面３３は、モールド樹脂５０内のリード３０における突出部３２以外の上面３１に対して、段差面３４の分、高くなっているものである。   Further, the step surface 34 of the protruding portion 32 is located between the protruding surface 33 and the upper surface 31 of a portion of the lead 30 adjacent to the protruding portion 32. In other words, the protruding surface 33 of the protruding portion 32 is higher than the upper surface 31 of the lead 30 in the mold resin 50 other than the protruding portion 32 by the level difference surface 34.

そして、本実施形態では、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、この突出部３２の段差面３４は、リード３０における突出部３２に隣り合う部位の上面３１を覆うように当該上面３１側に傾斜した面として構成されている。   In this embodiment, as shown in FIGS. 1B and 1C, the stepped surface 34 of the protrusion 32 covers the upper surface 31 of the portion adjacent to the protrusion 32 in the lead 30. It is comprised as a surface inclined toward the upper surface 31 side.

具体的には、この段差面３４は凹形状に湾曲した面であり、当該段差面３４における突出面３３側に位置する部位が、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１側に傾斜し、当該上面３１を覆う形とされている。   Specifically, the step surface 34 is a concave curved surface, and a portion of the step surface 34 located on the protruding surface 33 side is inclined toward the upper surface 31 side of the portion adjacent to the step surface 34. The upper surface 31 is covered.

つまり、図１（ｃ）に示されるように、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位と、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１とのなす角度θが鋭角となっており、このような鋭角を形成するように、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位が傾斜した面とされている。さらに言うならば、段差面３４のうち突出面３３寄りの部位は、当該段差面３４に隣り合う部位の上面３１と直角な方向に対して当該上面３１側に傾いた面とされている。   That is, as shown in FIG. 1C, the angle θ formed by the portion of the step surface 34 near the protruding surface 33 and the upper surface 31 of the portion adjacent to the step surface 34 is an acute angle. In order to form such an acute angle, a portion of the step surface 34 near the protruding surface 33 is inclined. In other words, a portion of the step surface 34 near the protruding surface 33 is a surface inclined toward the upper surface 31 with respect to a direction perpendicular to the upper surface 31 of the portion adjacent to the step surface 34.

なお、本実施形態では、段差面３４は、突出部３２におけるリード３０の一端側の端部および突出部３２におけるリード３０の他端側の端部の両方に設けられているが、これら両方の段差面３４の構成は同じである。このような段差面３４を持って突出する突出部３２を有するリード３０は、プレス加工やエッチング加工などにより形成される。   In the present embodiment, the step surface 34 is provided at both the end of the lead 30 at the one end side of the protrusion 32 and the end of the protrusion 32 at the other end of the lead 30. The configuration of the step surface 34 is the same. The lead 30 having the protruding portion 32 protruding with such a stepped surface 34 is formed by pressing or etching.

そして、本実施形態の半導体装置１は、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載・固定し、複数本のリード３０をダイパッド１０の周囲に配置し、リード３０の上面３１と半導体素子２０との間でワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ４０で結線した後、このものを、金型などに設置して、リード３０の他端側を露出させつつモールド樹脂５０で封止することにより、製造される。   In the semiconductor device 1 of the present embodiment, the semiconductor element 20 is mounted and fixed on the upper surface 11 of the die pad 10, a plurality of leads 30 are arranged around the die pad 10, and the upper surface 31 of the lead 30, the semiconductor element 20, Wire bonding is performed between the wires, and the wires 40 are connected with the wires 40, which are then placed in a mold and sealed with the mold resin 50 while the other end of the lead 30 is exposed. Manufactured.

ところで、本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離は、インナーリードにおけるリード３０の一端側または他端側からワイヤ接続部に進行してくるが、どちら側から進行してきたとしても当該剥離の進行は、段差面３４によって止められるから、ワイヤ接続部である突出面３３まで進行することはない。   By the way, according to the present embodiment, the peeling between the upper surface 31 of the lead 30 and the mold resin 50 proceeds from one end side or the other end side of the lead 30 to the wire connecting portion in the inner lead, but proceeds from either side. Even if it does, since the progress of the peeling is stopped by the step surface 34, it does not proceed to the protruding surface 33 which is a wire connecting portion.

つまり、本実施形態によれば、リード３０のインナーリードに突出部３２を設け、この突出部３２の突出面３３にワイヤ４０を接続することにより、ワイヤ接続部の周囲からのモールド樹脂５０の剥離進行が、突出部３２の段差面３４によって止められるから、従来のように、当該剥離がワイヤ接続部まで進行するのを防止できる。   That is, according to the present embodiment, the protruding portion 32 is provided on the inner lead of the lead 30 and the wire 40 is connected to the protruding surface 33 of the protruding portion 32 so that the mold resin 50 is peeled from the periphery of the wire connecting portion. Since the progress is stopped by the stepped surface 34 of the protruding portion 32, it is possible to prevent the peeling from proceeding to the wire connecting portion as in the prior art.

ちなみに、従来では、上記図１７に示したように、剥離停止点が樹脂であるため、樹脂割れにより、再び剥離が進行する恐れがあったが、本実施形態ではそのような懸念はなくなる。   Incidentally, conventionally, as shown in FIG. 17 above, since the peeling stop point is a resin, there is a possibility that the peeling may proceed again due to a resin crack. However, in this embodiment, there is no such concern.

また、リード３０の上面３１からのモールド樹脂５０の剥離は、当該剥離の進行方向に発生するせん断応力と、当該剥離の進行方向と直交する方向（つまり、リード３０の厚さ方向）に発生する引きはがし応力との２つの応力により発生する。ここで、上記段差面３４による剥離進行の停止は、せん断応力に対しては効果がある。   Further, the peeling of the mold resin 50 from the upper surface 31 of the lead 30 occurs in a direction perpendicular to the peeling progress direction (that is, the thickness direction of the lead 30) and the shear stress generated in the peeling progress direction. It is generated by two stresses, the peeling stress. Here, the stop of the peeling progress by the stepped surface 34 is effective for the shear stress.

そして、本実施形態では、さらに、段差面３４を上記のように傾斜した面とすることでモールド樹脂５０に対する楔効果が発揮されるから、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがし応力に対して強いものとなる。   In this embodiment, since the stepped surface 34 is inclined as described above, a wedge effect is exerted on the mold resin 50, so that the protruding surface 33 against the peeling stress of the mold resin 50. And strong.

つまり、本実施形態では、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成となっている。よって、本実施形態によれば、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が適切に防止される。   That is, in this embodiment, it has a configuration that is resistant to both of the two stresses that cause peeling of the mold resin 50. Therefore, according to the present embodiment, disconnection of the wire 40 due to peeling of the lead 30 and the mold resin 50 is appropriately prevented.

（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Second Embodiment)
FIG. 2 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the semiconductor device 2 according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the configuration of the protruding portion 32 is partially changed compared to the first embodiment, and here, differences from the first embodiment will be mainly described.

上記第１実施形態では、ワイヤ接続部である突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の両方の端部側の部位の上面３１に対して、段差を有して突出したものであった。   In the first embodiment, the protruding portion 32 that is a wire connecting portion is in the mold resin 50 with respect to the upper surface 31 of the portion on the one end side and the other end side of the lead 30 than the protruding portion 32. , Protruding with a step.

それに対して、図２に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の一端側（つまりモールド樹脂５０の内部側）の上面３１に対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。   On the other hand, as shown in FIG. 2, in the present embodiment, in the lead 30 positioned inside the mold resin 50, the protruding portion 32 that is a wire connecting portion is one end side of the lead 30 relative to the protruding portion 32. That is, it protrudes with a step with respect to the upper surface 31 (that is, the inside of the mold resin 50), and does not protrude with respect to the upper surface 31 on the other end side.

つまり、本実施形態のワイヤ接続部は、当該ワイヤ接続部よりもインナーリードの一端側の上面３１のみに対して段差を有して突出した突出部３２として構成され、その突出面３３にワイヤ４０が接続されている。また、この場合、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記同様の傾斜面として構成されている。   That is, the wire connection portion of the present embodiment is configured as a protrusion 32 protruding with a step with respect to only the upper surface 31 on one end side of the inner lead from the wire connection portion, and the wire 40 is formed on the protrusion surface 33. Is connected. In this case, the step surface 34 located on one end side of the lead 30 is configured as an inclined surface similar to the above.

本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離が、インナーリードにおけるリード３０の一端側からワイヤ接続部に向かって進行しやすい場合に効果がある。つまり、当該剥離が、インナーリードにおけるリード３０の一端側から進行してきたとしても、当該剥離の進行は段差面３４によって止められるから、突出面３３まで進行することはない。   According to the present embodiment, there is an effect when peeling between the upper surface 31 of the lead 30 and the mold resin 50 easily proceeds from one end side of the lead 30 to the wire connecting portion in the inner lead. That is, even if the separation proceeds from one end side of the lead 30 in the inner lead, the progress of the separation is stopped by the step surface 34 and therefore does not proceed to the protruding surface 33.

また、本実施形態においても、段差面３４を上記傾斜面とすることで、上記同様に、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがしに対して強いものとなる。つまり、本実施形態によっても、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成が実現され、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。   Also in the present embodiment, by setting the step surface 34 to the inclined surface, similarly to the above, the protruding surface 33 is strong against peeling of the mold resin 50. That is, according to the present embodiment, a configuration that is resistant to both of the two stresses that cause peeling of the mold resin 50 is realized, and disconnection of the wire 40 due to peeling of the lead 30 and the mold resin 50 is prevented.

（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Third embodiment)
FIG. 3 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the semiconductor device 3 according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, the configuration of the protruding portion 32 is partially changed compared to the first embodiment, and here, differences from the first embodiment will be mainly described.

図３に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の他端側（つまりモールド樹脂５０の外部側）の上面３１に対して段差を有して突出し、一端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。   As shown in FIG. 3, in the present embodiment, in the lead 30 positioned inside the mold resin 50, the protruding portion 32 that is a wire connecting portion is located on the other end side of the lead 30 (that is, the mold side) from the protruding portion 32. The upper surface 31 on the outer side of the resin 50 protrudes with a step, and does not protrude on the upper surface 31 on one end side and is made the same surface.

つまり、本実施形態のワイヤ接続部は、当該ワイヤ接続部よりもインナーリードの他端側の上面３１のみに対して段差を有して突出した突出部３２として構成され、その突出面３３にワイヤ４０が接続されている。また、この場合、リード３０の他端側に位置する段差面３４は、上記同様の傾斜面として構成されている。   That is, the wire connection portion of the present embodiment is configured as a protrusion 32 protruding with a step with respect to only the upper surface 31 on the other end side of the inner lead from the wire connection portion. 40 is connected. In this case, the step surface 34 located on the other end side of the lead 30 is configured as an inclined surface similar to the above.

本実施形態によれば、リード３０の上面３１とモールド樹脂５０との剥離が、インナーリードにおけるリード３０の他端側からワイヤ接続部に向かって進行しやすい場合に効果がある。つまり、当該剥離が、インナーリードにおけるリード３０の他端側から進行してきたとしても、当該剥離の進行は段差面３４によって止められるから、突出面３３まで進行することはない。   According to the present embodiment, there is an effect when the peeling between the upper surface 31 of the lead 30 and the mold resin 50 easily proceeds from the other end side of the lead 30 to the wire connecting portion in the inner lead. That is, even if the peeling proceeds from the other end side of the lead 30 in the inner lead, the progress of the peeling is stopped by the stepped surface 34 and therefore does not proceed to the protruding surface 33.

また、本実施形態においても、段差面３４を上記傾斜面とすることで、上記同様に、突出面３３においてはモールド樹脂５０の引きはがしに対して強いものとなる。つまり、本実施形態によっても、モールド樹脂５０の剥離を発生させる上記２つの応力の両方に耐性を有する構成が実現され、リード３０とモールド樹脂５０の剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。   Also in the present embodiment, by setting the step surface 34 to the inclined surface, similarly to the above, the protruding surface 33 is strong against peeling of the mold resin 50. That is, according to the present embodiment, a configuration that is resistant to both of the two stresses that cause peeling of the mold resin 50 is realized, and disconnection of the wire 40 due to peeling of the lead 30 and the mold resin 50 is prevented.

（第４実施形態）
図４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置４の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部３２の段差面３４の構成を変更したことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Fourth embodiment)
FIG. 4 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device 4 according to the fourth embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the first embodiment in that the configuration of the stepped surface 34 of the projecting portion 32 is changed, and here, the difference will be mainly described.

上記第１実施形態では、段差面３４をエッチングなどにより凹状に湾曲した面とすることで上記傾斜面を構成していた。   In the said 1st Embodiment, the said inclined surface was comprised by making the level | step difference surface 34 into the surface curved concavely by the etching.

それに対して、図４に示されるように、本実施形態では、突出部３２のうちリード３０の長手方向（図4中の左右方向）に沿った端部寄りの部位に、溝３５を設けている。この溝３５においては、リード３０の長手方向に沿い且つ突出面３３に直交する断面形状が、突出面３３側に広がるＶ字形状をなすものとされている。   On the other hand, as shown in FIG. 4, in the present embodiment, a groove 35 is provided in a portion of the protrusion 32 that is closer to the end along the longitudinal direction of the lead 30 (left and right direction in FIG. 4). Yes. In the groove 35, a cross-sectional shape along the longitudinal direction of the lead 30 and perpendicular to the protruding surface 33 is a V-shape that extends toward the protruding surface 33.

それにより、突出部３２のうちリード３０の長手方向の端部に位置する段差面３４の傾斜角度は、溝３５のＶ字における傾斜角度を承継したものとされている。ここで、当該Ｖ字の傾斜角度とは、当該Ｖ字を構成する溝３５の２つの側面と、突出部３２に隣り合う上面３１とのなす角度であり、この角度は上記第１実施形態の角度θ（上記図１（ｃ）参照）と同様に、鋭角をなしている。   As a result, the inclination angle of the stepped surface 34 located at the end portion in the longitudinal direction of the lead 30 in the protrusion 32 is assumed to be inherited from the inclination angle in the V-shape of the groove 35. Here, the inclination angle of the V-shape is an angle formed between the two side surfaces of the groove 35 constituting the V-shape and the upper surface 31 adjacent to the protrusion 32, and this angle is the same as that of the first embodiment. Similar to the angle θ (see FIG. 1C), an acute angle is formed.

このように本実施形態では、突出部３２の端部寄りの部分に溝３５を設け、当該端部を押し広げる形で傾斜させることにより、段差面３４と当該突出部３２に隣り合う部位の上面３１とのなす角度が鋭角となるように傾斜した面として、当該段差面３４を構成している。   As described above, in the present embodiment, the groove 35 is provided in the portion near the end of the protruding portion 32 and the end portion is inclined so as to expand the end portion, whereby the step surface 34 and the upper surface of the portion adjacent to the protruding portion 32 are provided. The step surface 34 is configured as a surface that is inclined so that the angle formed with the angle 31 is an acute angle.

次に、この溝３５の形成方法について、図５を参照して述べる。図５は、本実施形態のリード３０における傾斜した段差面３４の形成方法を示す工程図であり、上記図４に対応した断面にてワークを示している。   Next, a method for forming the groove 35 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a process diagram showing a method of forming the inclined step surface 34 in the lead 30 of the present embodiment, and shows the workpiece in a cross section corresponding to FIG.

まず、図５（ａ）に示されるように、リード３０に対して、エッチングやプレス加工を施すことにより、突出部３２を形成する。次に、上記溝３５に対応した凸形状の突起Ｔ２を有する金型Ｔ１を用いて、プレス加工を行うことにより、図５（ｂ）に示されるように、突出部３２の端部寄りの部位に上記溝３５を形成する。   First, as shown in FIG. 5A, the protrusions 32 are formed by etching or pressing the leads 30. Next, as shown in FIG. 5B, a portion near the end of the protruding portion 32 is formed by performing press working using a mold T1 having a convex protrusion T2 corresponding to the groove 35. The groove 35 is formed.

この溝３５の形成により、溝３５の外側に位置する突出部３２の端部が押し広げられ、段差面３４が傾斜する。こうして溝３５が形成され、本実施形態のリード３０における傾斜した段差面３４ができあがる。   Due to the formation of the groove 35, the end portion of the protruding portion 32 located outside the groove 35 is expanded, and the step surface 34 is inclined. Thus, the groove 35 is formed, and the inclined step surface 34 in the lead 30 of this embodiment is completed.

そして、本実施形態によっても、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の一端側および他端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。   Also in this embodiment, the inclined stepped surface 34 stops the peeling of the mold resin 50 from the one end side and the other end side of the lead 30, and against the peeling stress of the mold resin 50 due to the wedge effect. Tolerance is ensured.

ここで、上記図５（ａ）に示される突出部３２の突出面３３に対して、ワイヤボンディングのコイニング工程を行い、その後、上記溝３５の形成を行ってもよいが、このコイニング工程における金型を上記図５（ａ）に示される形状の金型Ｔ１とすれば、コイニング工程において同時に溝３５を形成することも可能である。この場合、追加工としての溝３５の形成工程を増加することがなくなる。   Here, a coining process of wire bonding may be performed on the projecting surface 33 of the projecting portion 32 shown in FIG. 5A, and then the groove 35 may be formed. If the mold is the mold T1 having the shape shown in FIG. 5A, the grooves 35 can be formed simultaneously in the coining process. In this case, the process for forming the groove 35 as an additional process is not increased.

（第５実施形態）
図６（ａ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置５の概略断面構成を示す図であり、図６（ｂ）は、同半導体装置５におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第４実施形態に示した溝３５を有する突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Fifth embodiment)
FIG. 6A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the semiconductor device 5 according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view showing the main part of the inner lead in the semiconductor device 5. FIG. In the present embodiment, the configuration of the protruding portion 32 having the groove 35 shown in the fourth embodiment is partially changed, and here, the difference from the fourth embodiment will be mainly described. .

上記第４実施形態では、突出部３２は、モールド樹脂５０内において突出部３２よりもリード３０の一端側および他端側の両方の端部側の部位の上面３１に対して、段差面３４を有して突出していた。   In the fourth embodiment, the protrusion 32 has a stepped surface 34 with respect to the upper surface 31 of the end portion side of both the one end side and the other end side of the lead 30 relative to the protrusion portion 32 in the mold resin 50. Had and protruded.

それに対して、図６に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の一端側（つまりモールド樹脂５０の内部側）の上面３１のみに対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。そして、この場合も、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記第４実施形態と同様、溝３５による傾斜面として構成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 6, in the present embodiment, in the lead 30 located inside the mold resin 50, the protruding portion 32 that is a wire connecting portion is one end side of the lead 30 relative to the protruding portion 32. In other words, it protrudes with a step with respect to only the upper surface 31 (that is, the inside of the mold resin 50), and does not protrude with respect to the upper surface 31 on the other end side. Also in this case, the step surface 34 located on one end side of the lead 30 is configured as an inclined surface by the groove 35 as in the fourth embodiment.

そして、本実施形態によれば、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の一端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。   According to the present embodiment, the inclined stepped surface 34 stops the progress of the peeling of the mold resin 50 from one end of the lead 30 and ensures the resistance to the peeling stress of the mold resin 50 due to the wedge effect. Is made.

（第６実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置６の概略断面構成を示す図である。図７（ｂ）は、同半導体装置６におけるインナーリードの要部を示す概略断面図である。本実施形態も、上記第４実施形態に示した溝３５を有する突出部３２の構成を一部変更したものであり、ここでは、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Sixth embodiment)
FIG. 7A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device 6 according to the sixth embodiment of the present invention. FIG. 7B is a schematic cross-sectional view showing the main part of the inner lead in the semiconductor device 6. This embodiment is also a partial modification of the configuration of the protruding portion 32 having the groove 35 shown in the fourth embodiment, and here, the difference from the fourth embodiment will be mainly described. .

図７に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０においては、ワイヤ接続部である突出部３２は、突出部３２よりもリード３０の他端側（つまりモールド樹脂５０の外部側）の上面３１のみに対して段差を有して突出し、他端側の上面３１に対しては突出せず同一面とされたものとしている。そして、この場合も、リード３０の一端側に位置する段差面３４は、上記第４実施形態と同様、溝３５による傾斜面として構成されている。   As shown in FIG. 7, in the present embodiment, in the lead 30 located inside the mold resin 50, the protruding portion 32 that is a wire connecting portion is located on the other end side of the lead 30 (that is, the mold side) from the protruding portion 32. It is assumed that it protrudes with a step with respect to only the upper surface 31 on the outer side of the resin 50 and does not protrude with respect to the upper surface 31 on the other end side. Also in this case, the step surface 34 located on one end side of the lead 30 is configured as an inclined surface by the groove 35 as in the fourth embodiment.

そして、本実施形態によれば、この傾斜した段差面３４によって、リード３０の他端側からのモールド樹脂５０の剥離進行の停止、および、上記楔効果によるモールド樹脂５０の引きはがし応力に対する耐性の確保がなされる。   According to the present embodiment, the inclined step surface 34 is used to stop the peeling of the mold resin 50 from the other end side of the lead 30 and to withstand the peeling stress of the mold resin 50 due to the wedge effect. Secured.

（第７実施形態）
図８は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置７の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード３０におけるワイヤ接続部を上記突出部ではなく、凹部３６としたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Seventh embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device 7 according to the seventh embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the first embodiment in that the wire connecting portion of the lead 30 is not the protruding portion but the recessed portion 36, and here, the difference will be mainly described. And

図８に示されるように、本実施形態の半導体装置７においては、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０すなわちインナーリードにおいて、その上面３１側には、当該上面３１よりも凹んだ凹部３６が形成されている。   As shown in FIG. 8, in the semiconductor device 7 of the present embodiment, in the lead 30 that is located inside the mold resin 50, that is, the inner lead, a concave portion 36 that is recessed from the upper surface 31 is formed on the upper surface 31 side. Is formed.

この凹部３６は、リード３０の一端側および他端側の上面３１に対して段差を有して凹んだものであり、この凹部３６の底部にワイヤ４０が接続されている。つまり、この凹部３６は、リード３０のワイヤ接続部として構成されている。このような凹部３６はエッチングやプレス加工などにより形成される。   The recess 36 is recessed with a step with respect to the upper surface 31 on one end side and the other end side of the lead 30, and a wire 40 is connected to the bottom of the recess 36. That is, the recess 36 is configured as a wire connection portion of the lead 30. Such a recess 36 is formed by etching or pressing.

本実施形態によれば、ワイヤ４０は、ワイヤ接続部としての凹部３６の底部に接続されるが、凹部３６の底部はそもそも剥離が進行しにくい場所である。そのため、リード３０とモールド樹脂５０との剥離によるワイヤ４０の断線が防止される。   According to the present embodiment, the wire 40 is connected to the bottom of the recess 36 as a wire connection part, but the bottom of the recess 36 is a place where peeling is unlikely to proceed in the first place. Therefore, disconnection of the wire 40 due to peeling between the lead 30 and the mold resin 50 is prevented.

（第８実施形態）
図９は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第７実施形態において、さらに凹部３６の段差面３７を変更したものであり、ここでは、その変更点を中心に述べることとする。 (Eighth embodiment)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention. In this embodiment, the step surface 37 of the recess 36 is further changed in the seventh embodiment, and here, the change will be mainly described.

図９に示されるように、凹部３６の段差面３７は、リード３０において、凹部３６の底部とリード３０における凹部３６に隣り合う部位の上面３１との間に位置する面であり、この段差面３７は、凹部３６の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されている。ここでは、上記第１実施形態に示したようなエッチングなどにより凹状に湾曲した面として、段差面３４を傾斜面として構成している。   As shown in FIG. 9, the step surface 37 of the recess 36 is a surface of the lead 30 that is located between the bottom of the recess 36 and the upper surface 31 of the portion adjacent to the recess 36 in the lead 30. Reference numeral 37 denotes a surface inclined toward the bottom so as to cover the bottom of the recess 36. Here, the step surface 34 is formed as an inclined surface as a surface curved in a concave shape by etching or the like as shown in the first embodiment.

それによれば、この凹部３６の段差面３７を上記傾斜面とすることでモールド樹脂５０に対する楔効果が発揮されるから、当該凹部３６においてはモールド樹脂５０の引きはがし応力に対しても耐性を有するため、好ましい。   According to this, since the stepped surface 37 of the recess 36 has the inclined surface, a wedge effect is exerted on the mold resin 50. Therefore, the recess 36 has resistance to the peeling stress of the mold resin 50. Therefore, it is preferable.

（第９実施形態）
図１０は、本発明の第９実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、ワイヤ接続部の種々の例を示すものである。 (Ninth embodiment)
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the semiconductor device according to the ninth embodiment of the present invention, and shows various examples of the wire connection part.

上記各実施形態においては、リード３０におけるワイヤ接続部としての突出部３２や凹部３６を、エッチングやプレス加工により形成していたが、本実施形態では、これら突出部３２や凹部３６を、リード３０の折り曲げ加工により形成するものである。   In each of the above embodiments, the protrusions 32 and the recesses 36 as the wire connection portions in the lead 30 are formed by etching or pressing. However, in the present embodiment, these protrusions 32 and the recesses 36 are formed by the leads 30. It is formed by bending process.

図１０において、（ａ）に示される例は、折り曲げ加工により凹部３６を形成した例であり、（ｂ）および（ｃ）に示される例は、折り曲げ加工により突出部３２を形成した例である。なお、突出部３２の場合は、折り曲げ加工後にエッチングや切削などにより、段差面３４を上記傾斜面に加工すればよい。   In FIG. 10, the example shown in (a) is an example in which the concave portion 36 is formed by bending, and the examples shown in (b) and (c) are examples in which the protruding portion 32 is formed by bending. . In the case of the protrusion 32, the stepped surface 34 may be processed into the inclined surface by etching or cutting after bending.

この折り曲げ加工によれば、上記突出部３２や凹部３６による効果に加えて、次のような効果が期待される。   According to this bending process, the following effects are expected in addition to the effects of the protrusions 32 and the recesses 36.

すなわち、本実施形態のような折り曲げ加工されたリード３０によれば、リード３０とモールド樹脂５０との界面の距離について、インナーリードにおけるリード３０の一端側からワイヤ接続部までの距離、および、インナーリードにおけるリード３０の他端側からワイヤ接続部までの距離を、長くとることができるというメリットがある。この距離が長いほど、モールド樹脂５０の剥離がワイヤ接続部に到達するまでの時間が長くなり、好ましい。   That is, according to the bent lead 30 as in the present embodiment, the distance between the lead 30 and the mold resin 50 at the interface between the one end side of the lead 30 and the wire connecting portion in the inner lead, and the inner There is an advantage that the distance from the other end side of the lead 30 to the wire connecting portion in the lead can be increased. The longer this distance is, the longer it takes for the peeling of the mold resin 50 to reach the wire connection portion, which is preferable.

（第１０実施形態）
図１１は、本発明の第１０実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略断面図であり、（ａ）はリード３０の一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記した各実施形態と組み合わせて適用されるものである。 (10th Embodiment)
11A and 11B are schematic cross-sectional views showing the main part of the semiconductor device according to the tenth embodiment of the present invention. FIG. 11A is a top view of one end side of the lead 30, and FIG. It is a figure which shows schematic sectional structure along BB. The present embodiment is applied in combination with the above-described embodiments.

すなわち、本実施形態では、図１１に示されるように、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードにおいて、上記実施形態のような突出部３２や凹部３６のようなワイヤ接続部よりもリード３０の一端側（つまりリード３０におけるモールド樹脂５０の内部側）に位置する部位の表面を、凹凸形状としている。   That is, in this embodiment, as shown in FIG. 11, in the lead 30 located inside the mold resin 50, that is, the inner lead, from the wire connection portion such as the protruding portion 32 and the recessed portion 36 as in the above embodiment. Also, the surface of the portion located on one end side of the lead 30 (that is, the inner side of the mold resin 50 in the lead 30) has an uneven shape.

図１１では、当該ワイヤ接続部よりもリード３０の一端側に位置する部位に、凹みを設けて凹凸形状を構成している。そして、半導体装置においては、この凹凸部がモールド樹脂５０に食い込んでいるため、リード３０とモールド樹脂５０との密着力が向上し、好ましい。   In FIG. 11, a recess is provided in a portion located on one end side of the lead 30 with respect to the wire connection portion to form an uneven shape. And in a semiconductor device, since this uneven | corrugated | grooved part bites into the mold resin 50, the adhesive force of the lead | read | reed 30 and the mold resin 50 improves, and it is preferable.

また、図１２は、本第１０実施形態の他の例を示す概略断面図であり、（ａ）はリード３０の一端側の上面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面構成を示す図である。この図１２の例では、当該ワイヤ接続部よりもリード３０の一端側に位置する部位に、上記図１１とは逆に凸部を設けて凹凸形状を構成しており、その効果は、上記図１１と同様である。   FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing another example of the tenth embodiment, in which (a) is a top view on one end side of the lead 30 and (b) is an alternate long and short dash line CC in (a). FIG. In the example of FIG. 12, a convex portion is provided opposite to FIG. 11 in a portion located on one end side of the lead 30 with respect to the wire connection portion, and the concave and convex shape is configured. 11 is the same.

（第１１実施形態）
図１３は、従来方法に基づいて本発明者が試作を行った半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のワイヤ接続部の概略断面図である。 (Eleventh embodiment)
FIGS. 13A and 13B are process diagrams showing a wire bonding process in a method of manufacturing a semiconductor device that the present inventors have made a prototype based on a conventional method, where FIG. 13A is a plan view and FIG. It is a schematic sectional drawing of a connection part.

図１３を参照して、従来のこの種の半導体装置における一般的なワイヤボンディング方法について、説明する。   Referring to FIG. 13, a general wire bonding method in this type of conventional semiconductor device will be described.

従来では、ダイパッド１０に搭載・固定された半導体素子２０と、その周囲に配置された複数のリード３０との間でワイヤボンディングを行う。この場合、一般に半導体素子２０を１次ボンディング側、リード３０を２次ボンディング側とする。   Conventionally, wire bonding is performed between the semiconductor element 20 mounted and fixed on the die pad 10 and a plurality of leads 30 arranged around the semiconductor element 20. In this case, the semiconductor element 20 is generally the primary bonding side and the lead 30 is the secondary bonding side.

そして、この場合、ボンディングツールの動きは、図１３（ａ）中の矢印に示されるように、半導体素子２０の１番目のパッド２１→１番目のリード３０→半導体素子２０の２番目のパッド２１→２番目のリード３０→半導体素子２０の３番目のパッド２１→３番目のリード３０・・・、というようになる。つまり、各パッド２１とリード３０とのボンディングについて、リード３０から半導体素子２０までボンディングツールを戻す動作が必要となる。   In this case, the bonding tool moves as shown by an arrow in FIG. 13A. First pad 21 of semiconductor element 20 → first lead 30 → second pad 21 of semiconductor element 20 → the second lead 30 → the third pad 21 of the semiconductor element 20 → the third lead 30... That is, for bonding each pad 21 and the lead 30, an operation of returning the bonding tool from the lead 30 to the semiconductor element 20 is required.

このような従来のワイヤボンディング方法に対して、本発明の第１１実施形態では、独自のワイヤボンディング方法を提供する。   In contrast to such a conventional wire bonding method, the eleventh embodiment of the present invention provides a unique wire bonding method.

図１４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中の第１のリード３０ａにおけるワイヤ接続部の概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の第２のリード３０ｂにおけるワイヤ接続部の概略断面図である。   14A and 14B are process diagrams showing a wire bonding process in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, where FIG. 14A is a plan view, and FIG. 14B is a wire connection portion of the first lead 30a in FIG. (C) is a schematic sectional drawing of the wire connection part in the 2nd lead | read | reed 30b in (a).

本製造方法の概略の流れは、ダイパッド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載し、複数本のリード３０を、一端側がダイパッド１０に対向し他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるように配置し、リード３０の上面３１と半導体素子２０との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ４０で結線し、リード３０の他端側を露出させつつ、ダイパッド１０、半導体素子２０、リード３０およびワイヤ４０を、モールド樹脂５０で封止するものである。   The general flow of this manufacturing method is that the semiconductor element 20 is mounted on the upper surface 11 of the die pad 10, and a plurality of leads 30 are arranged so that one end faces the die pad 10 and the other end extends in a direction away from the die pad 10. Wire bonding is performed between the upper surface 31 of the lead 30 and the semiconductor element 20, and the gap is connected by the wire 40, and the other end side of the lead 30 is exposed, while the die pad 10, the semiconductor element 20, and the lead 30 are exposed. The wire 40 is sealed with the mold resin 50.

ここで、本実施形態の製造方法では、複数本のリード３０として、上記第１実施形態に示したリードと同様の突出部３２を有する第１のリード３０ａと、上記第７実施形態や第８実施形態に示したリードと同様の凹部３６を有する第２のリード３０ｂとを用いる。   Here, in the manufacturing method of the present embodiment, as the plurality of leads 30, the first lead 30a having the same protrusion 32 as the lead shown in the first embodiment, the seventh embodiment, and the eighth embodiment. A second lead 30b having a recess 36 similar to the lead shown in the embodiment is used.

第１のリード３０ａは、上記図１に示したものと同様に、ワイヤ接続部が上記突出部３２とされ、且つ、当該突出部３２の段差面３４が上記傾斜した面として構成されているものである。第２のリード３０ｂは、上記図９に示したものと同様に、ワイヤ接続部が上記凹部３６とされているものである。そして、図１４（ａ）に示されるように、これら第１のリード３０ａと第２のリード３０ｂとを交互に隣り合って配置する。   As with the first lead 30a shown in FIG. 1, the wire connecting portion is the protruding portion 32, and the step surface 34 of the protruding portion 32 is configured as the inclined surface. It is. Similarly to the second lead 30b shown in FIG. 9 described above, the wire connecting portion is the concave portion 36. Then, as shown in FIG. 14A, the first leads 30a and the second leads 30b are alternately arranged adjacent to each other.

その後、ワイヤボンディング工程では、まず、図１４（ａ）中の矢印に示されるように、半導体素子２０に１次ボンディングを行った後に、第１のリード３０ａにおける突出部３２の突出面３３に２次ボンディングを行ってワイヤ４０の結線を行う。続いて、当該結線が行われた第１のリード３０ａの隣に位置する第２のリード３０ｂにおける凹部３６の底部に１次ボンディングを行った後に、半導体素子２０に２次ボンディングを行うことによりワイヤ４０の結線を行う。   Thereafter, in the wire bonding step, first, as shown by an arrow in FIG. 14A, after the primary bonding is performed on the semiconductor element 20, the protrusion surface 33 of the protrusion 32 in the first lead 30a is subjected to 2 Next, the wire 40 is connected by bonding. Subsequently, the primary bonding is performed on the bottom of the recess 36 in the second lead 30b located next to the first lead 30a to which the connection is made, and then the second bonding is performed on the semiconductor element 20, thereby performing the wire bonding. 40 connections are made.

つまり、第１のリード３０ａのボンディングについては、半導体素子２０を１次ボンディング側、第１のリード３０ａを２次ボンディング側とし、第２のリード３０ｂのボンディングについては、第２のリード３０ｂを１次ボンディング側、半導体素子２０を２次ボンディング側とする。そして、この第１のリード３０ａと半導体素子２０とのワイヤボンディング、第２のリード３０ｂと半導体素子２０とのワイヤボンディングを交互に繰り返して行う。   That is, for bonding the first lead 30a, the semiconductor element 20 is the primary bonding side, the first lead 30a is the secondary bonding side, and for bonding the second lead 30b, the second lead 30b is 1 The secondary bonding side, the semiconductor element 20 is the secondary bonding side. Then, the wire bonding between the first lead 30a and the semiconductor element 20 and the wire bonding between the second lead 30b and the semiconductor element 20 are alternately repeated.

それによれば、ボンディングツールの動きは、半導体素子２０のパッド２１→第１のリード３０ａ→その隣の第２のリード３０ｂ→半導体素子２０のパッド２１→同じ半導体素子２０におけるその隣のパッド２１→第１のリード３０ａ・・・、というようになり、上記図１３に示した一般的な方法に比べて移動距離が短くなる。   According to this, the movement of the bonding tool is as follows: the pad 21 of the semiconductor element 20 → the first lead 30 a → the second lead 30 b adjacent to it → the pad 21 of the semiconductor element 20 → the adjacent pad 21 in the same semiconductor element 20 → The first leads 30a, and so on become shorter, and the movement distance becomes shorter than the general method shown in FIG.

このように、本実施形態の製造方法によれば、上述ボンディングツールが戻る動作を最低限の距離にすることができるため、ワイヤボンディング作業時間の短縮が図れ、生産性の向上、コスト低減などが期待できる。   As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, since the operation of returning the bonding tool can be made the minimum distance, the wire bonding work time can be shortened, productivity can be improved, and cost can be reduced. I can expect.

また、図１４（ｃ）に示されるように、第２のリード３０ｂの凹部３６の底部にワイヤボンディングを行う場合、２次ボンディングに比べてワイヤ角度が直交に近い１次ボンディングによって凹部３６の底部への結線を行うため、ワイヤ４０と第２のリード３０との干渉を回避しつつボンディングを行いやすい。   Further, as shown in FIG. 14C, when wire bonding is performed on the bottom of the recess 36 of the second lead 30b, the bottom of the recess 36 is formed by primary bonding whose wire angle is close to orthogonal as compared to secondary bonding. Therefore, bonding can be easily performed while avoiding interference between the wire 40 and the second lead 30.

（第１２実施形態）
図１５は、本発明の第１２実施形態に係る半導体装置８の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード３０におけるインナーリードの表面粗度を部分的に異ならせたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Twelfth embodiment)
FIG. 15 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device 8 according to the twelfth embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that the surface roughness of the inner lead in the lead 30 is partially different, and here, the difference will be mainly described. To do.

図１５に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードのうち、ワイヤ接続部である突出部３２よりもリード３０の一端側に位置する部位を、突出部３２よりも表面粗度が小さく、モールド樹脂５０との密着性が小さいものとしている。   As shown in FIG. 15, in the present embodiment, a portion of the lead 30 positioned inside the mold resin 50, that is, an inner lead, is located closer to one end of the lead 30 than the protruding portion 32 that is a wire connecting portion. The surface roughness is smaller than that of the protrusion 32 and the adhesiveness with the mold resin 50 is small.

つまり、具体的には、リード３０の表面のうち突出部３２および突出部３２よりもリード３０の他端側の部位に対して、ニッケル粗化メッキやサンドブラストあるいはエッチングなどの粗化処理を施し、突出部３２よりもリードの一端側の部位には、当該粗化処理を行わないものとしている。   Specifically, the surface of the lead 30 is subjected to a roughening treatment such as nickel roughening plating, sandblasting or etching on the protruding portion 32 and the portion of the lead 30 on the other end side of the protruding portion 32, The roughening process is not performed on the one end side of the lead from the protrusion 32.

図１５では、粗化処理された部分である粗化部３０ｃを太い実線３０ｃで表している。なお、図１５に示される例では、リード３０のアウターリードの表面までも粗化部３０ｃとされているが、当該アウターリードの表面については、粗化処理されていないものであってもよい。   In FIG. 15, the roughening part 30c which is the part by which the roughening process was carried out is represented by the thick continuous line 30c. In the example shown in FIG. 15, the surface of the outer lead of the lead 30 is also the roughened portion 30 c, but the surface of the outer lead may not be roughened.

本実施形態によれば、インナーリードのうちワイヤ接続部である突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位において、突出部３２の突出面３３よりもモールド樹脂５０の剥離が発生しやすくなる。   According to the present embodiment, the mold resin 50 is peeled off from the projecting surface 33 of the projecting portion 32 in a portion of the inner lead that is located on the inner side of the projecting portion 32 that is the wire connecting portion. It becomes easy.

そして、この突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位が突出面３３よりも優先的に剥離することで、モールド樹脂５０に発生する応力を開放することが可能となる。そのため、かえって突出面３３におけるモールド樹脂５０の剥離を発生しにくいものにできる。   Then, a portion located on the inner side of the mold resin 50 with respect to the protruding portion 32 is peeled off more preferentially than the protruding surface 33, so that the stress generated in the mold resin 50 can be released. Therefore, it is possible to make it difficult for the mold resin 50 to peel off from the protruding surface 33.

また、この突出部３２よりもモールド樹脂５０の内部側に位置する部位は、ワイヤ断線や水分侵入とは無縁の箇所であり、仮に剥離が発生しても、その影響は小さい。また、本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、ワイヤ接続部が凹部３６であるものも含めて、上記各実施形態と組み合わせて適用されるものである。   Moreover, the site | part located inside the mold resin 50 rather than this protrusion part 32 is a location unrelated to wire disconnection or moisture penetration | invasion, and even if peeling generate | occur | produces, the influence will be small. Further, this embodiment is applied in combination with each of the above embodiments, including not only the above first embodiment but also a wire connecting portion that is a recess 36.

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態に示したリード３０について、突出部３２や凹部３６、さらには粗化部３０ｃについては、あくまでモールド樹脂５０の内部に位置するリード３０、すなわちインナーリードについての構成である。つまり、上記した突出部３２、凹部３６、粗化部３０ｃは、インナーリードにおける他の部位に対して突出、凹み、表面粗度大とされたものであり、上記各実施形態におけるアウターリードについては、その形状や厚さ、表面状態などは、特に限定されるものではない。 (Other embodiments)
In addition, about the lead 30 shown to said each embodiment, about the protrusion part 32, the recessed part 36, and also the roughening part 30c, it is the structure about the lead 30 located in the inside of the mold resin 50, ie, an inner lead. That is, the protrusion 32, the recess 36, and the roughened portion 30c described above are protruded, recessed, and have a large surface roughness with respect to other portions of the inner lead. The shape, thickness, surface state and the like are not particularly limited.

図１６は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図であり、（ａ）はＱＦＪ（クワッド・フラット・Ｊリード）パッケージの例、（ｂ）はＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード）パッケージの例を示す。   16A and 16B are diagrams showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, in which FIG. 16A is an example of a QFJ (quad flat J lead) package, and FIG. 16B is a QFN (quad An example of a flat / non-lead package is shown.

上記各実施形態は、ＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）タイプの半導体装置に対するものであったが、ＱＦＪやＱＦＮに対しても同様に適用できる。この図１６に示される例では、上記図１に示したＱＦＰの半導体装置に対して、リード３０のアウターリードの形状を変更したのみで、インナーリードは全く変更がないものである。つまり、これら図１６の例によっても、上記図１と同様の効果が得られる。   Each of the above embodiments is for a QFP (quad flat package) type semiconductor device, but can be similarly applied to a QFJ or QFN. In the example shown in FIG. 16, only the shape of the outer lead of the lead 30 is changed with respect to the QFP semiconductor device shown in FIG. 1, and the inner lead is not changed at all. That is, the same effects as those in FIG.

また、たとえば、モールド樹脂５０の形状が正方形や長方形であるなどのパッケージの形状の差異や、リード３０の厚みや幅による差異等、半導体装置の構造を考慮して、剥離し易いリード３０の位置や箇所が予めわかっている場合には、そのリード３０のみに、上記各実施形態の構成を適用することも可能である。   In addition, for example, the position of the lead 30 that is easily peeled in consideration of the structure of the semiconductor device, such as a difference in the shape of the package such that the shape of the mold resin 50 is a square or a rectangle, or a difference in thickness or width of the lead 30. When the location is known in advance, the configuration of each of the above embodiments can be applied only to the lead 30.

１０ ダイパッド
１１ ダイパッドの上面
２０ 半導体素子
３０ リード
３０ａ 第１のリード
３０ｂ 第２のリード
３１ リードの上面
３２ 突出部
３３ 突出部の突出面
３４ 突出部の段差面
３５ 溝
３６ 凹部
３７ 凹部の段差面
４０ ワイヤ
５０ モールド樹脂 10 die pad 11 upper surface of die pad 20 semiconductor element 30 lead 30a first lead 30b second lead 31 upper surface of lead 32 projecting portion 33 projecting surface of projecting portion 34 step surface of projecting portion 35 groove 36 recessed portion 37 step surface of recessed portion 40 Wire 50 Mold resin

Claims (10)

ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側および他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出する突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。 A die pad (10);
A semiconductor element (20) mounted on the upper surface (11) of the die pad (10);
An elongated plate-like lead (30) arranged so that one end side faces the die pad (10) and the other end side extends in a direction away from the die pad (10);
A wire (40) connecting the upper surface (31) side of the lead (30) and the semiconductor element (20);
Mold resin (50) for sealing the die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) while exposing the other end of the lead (30). In a semiconductor device comprising:
In the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (40) is connected is located closer to the lead (30) than the portion to which the wire (40) is connected. A projecting portion (32) projecting with a step with respect to the upper surface (31) on one end side and the other end side,
The wire (40) is connected to the projecting surface (33) which is the upper surface of the projecting portion (32),
The step surface (34) of the protrusion (32) is inclined toward the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the lead (30) adjacent to the protrusion (32). A semiconductor device configured as a surface. ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の一端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。 A die pad (10);
A semiconductor element (20) mounted on the upper surface (11) of the die pad (10);
An elongated plate-like lead (30) arranged so that one end side faces the die pad (10) and the other end side extends in a direction away from the die pad (10);
A wire (40) connecting the upper surface (31) side of the lead (30) and the semiconductor element (20);
Mold resin (50) for sealing the die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) while exposing the other end of the lead (30). In a semiconductor device comprising:
In the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (40) is connected is the upper surface (31) on one end side of the lead (30) from the portion. Projecting part (32) projecting with a step with respect to,
The wire (40) is connected to the projecting surface (33) which is the upper surface of the projecting portion (32),
The step surface (34) of the protrusion (32) is inclined toward the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the lead (30) adjacent to the protrusion (32). A semiconductor device configured as a surface. ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（３０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされており、
この突出部（３２）の上面である突出面（３３）に前記ワイヤ（４０）が接続されており、
前記突出部（３２）の段差面（３４）は、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする半導体装置。 A die pad (10);
A semiconductor element (20) mounted on the upper surface (11) of the die pad (10);
An elongated plate-like lead (30) arranged so that one end side faces the die pad (10) and the other end side extends in a direction away from the die pad (10);
A wire (40) connecting the upper surface (31) side of the lead (30) and the semiconductor element (20);
Mold resin (50) for sealing the die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) while exposing the other end of the lead (30). In a semiconductor device comprising:
In the lead (30) located inside the mold resin (50), the portion to which the wire (30) is connected is the upper surface (31) on the other end side of the lead (30) from the portion. ) And a protruding portion (32) protruding with a step.
The wire (40) is connected to the projecting surface (33) which is the upper surface of the projecting portion (32),
The step surface (34) of the protrusion (32) is inclined toward the upper surface (31) side so as to cover the upper surface (31) of the lead (30) adjacent to the protrusion (32). A semiconductor device configured as a surface. 前記段差面（３４）は、当該段差面（３４）における前記突出面（３３）側に位置する部位が、前記リード（３０）のうち前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように凹形状に湾曲した面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。   The stepped surface (34) is a portion of the stepped surface (34) located on the protruding surface (33) side where the upper surface (31) of the lead (30) is adjacent to the protruding portion (32). 4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is a surface curved in a concave shape so as to cover. 前記突出部（３２）のうち前記リード（３０）の長手方向の端部寄りの部位には、当該長手方向に沿い且つ前記突出面（３３）に直交する断面が前記突出面（３３）側に広がるＶ字形状をなす溝（３５）が設けられることにより、当該端部に位置する前記段差面（３４）の傾斜角度は、前記溝（３５）のＶ字における傾斜角度を承継したものとされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。   Of the projecting portion (32), in a portion near the end in the longitudinal direction of the lead (30), a cross section along the longitudinal direction and perpendicular to the projecting surface (33) is on the projecting surface (33) side. By providing the V-shaped groove (35) that expands, the inclination angle of the stepped surface (34) located at the end is inherited from the inclination angle of the groove (35) in the V-shape. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided. ダイパッド（１０）と、
前記ダイパッド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、
一端側を前記ダイパッド（１０）に対向させ他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置された細長板状をなすリード（３０）と、
前記リード（３０）の上面（３１）側と前記半導体素子（２０）とを結線するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備える半導体装置において、
前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）の前記上面（３１）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位は、当該部位よりも前記リード（３０）の一端側および他端側の前記上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされており、この凹部（３６）の底部に前記ワイヤ（４０）が接続されていることを特徴とする半導体装置。 A die pad (10);
A semiconductor element (20) mounted on the upper surface (11) of the die pad (10);
An elongated plate-like lead (30) arranged so that one end side faces the die pad (10) and the other end side extends in a direction away from the die pad (10);
A wire (40) connecting the upper surface (31) side of the lead (30) and the semiconductor element (20);
Mold resin (50) for sealing the die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) while exposing the other end of the lead (30). In a semiconductor device comprising:
In the upper surface (31) of the lead (30) located inside the mold resin (50), the part to which the wire (40) is connected is one end side of the lead (30) from the part. A recess (36) having a step with respect to the upper surface (31) on the other end side is formed, and the wire (40) is connected to the bottom of the recess (36). A semiconductor device. 前記リード（３０）において、前記凹部（３６）の底部と前記リード（３０）における前記凹部（３６）に隣り合う部位の前記上面（３１）との間に位置する段差面（３７）は、前記凹部（３６）の底部を覆うように当該底部側に傾斜した面として構成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。   In the lead (30), the step surface (37) located between the bottom of the recess (36) and the upper surface (31) of the portion adjacent to the recess (36) in the lead (30) The semiconductor device according to claim 6, wherein the semiconductor device is configured as a surface inclined toward the bottom so as to cover the bottom of the recess. 前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）においては、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側に位置する部位の表面は、凹凸形状とされており、この凹凸部が前記モールド樹脂（５０）に食い込んでいることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。   In the lead (30) located inside the mold resin (50), the surface of the part located on the one end side of the lead (30) with respect to the part to which the wire (40) is connected has an uneven shape. The semiconductor device according to claim 1, wherein the concavo-convex portion bites into the mold resin (50). 前記モールド樹脂（５０）の内部に位置する前記リード（３０）のうち、前記ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも前記リード（３０）の一端側に位置する部位は、当該ワイヤ（４０）が接続されている部位よりも表面粗度が小さく、前記モールド樹脂（５０）との密着性が小さいものとされていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置。   Of the lead (30) located inside the mold resin (50), a portion located on one end side of the lead (30) relative to a portion to which the wire (40) is connected is the wire (40). 9) The surface roughness is smaller than the part to which is connected, and the adhesiveness with the mold resin (50) is small. Semiconductor device. ダイパッド（１０）の上面（１１）に半導体素子（２０）を搭載し、
細長板状をなす複数本のリード（３０）を、一端側が前記ダイパッド（１０）に対向し他端側が前記ダイパッド（１０）から離れる方向に延びるように配置し、
前記リード（３０）の上面（３１）と前記半導体素子（２０）との間で、ワイヤボンディングを行って、当該間をワイヤ（４０）で結線し、
前記リード（３０）の他端側を露出させつつ、前記ダイパッド（１０）、前記半導体素子（２０）、前記リード（３０）および前記ワイヤ（４０）を、モールド樹脂（５０）で封止するようにした半導体装置の製造方法において、
前記複数本のリード（３０）として、前記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも前記一端側および前記他端側に位置する部位の前記上面（３１）に対して段差を有して突出した突出部（３２）とされ、且つ、前記突出部（３２）の段差面（３４）が、前記突出部（３２）に隣り合う部位の前記上面（３１）を覆うように当該上面（３１）側に傾斜した面として構成されている第１のリード（３０ａ）と、
前記ワイヤ（４０）が接続される部位が、当該部位よりも前記一端側および前記他端側に位置する部位の前記上面（３１）に対して段差を有して凹んだ凹部（３６）とされている第２のリード（３０ｂ）とを用い、
さらに、前記第１のリード（３０ａ）と前記第２のリード（３０ｂ）とを交互に隣り合って配置し、
その後、前記ワイヤボンディング工程では、前記半導体素子（２０）に１次ボンディングを行った後に、前記第１のリード（３０ａ）における前記突出部（３２）の上面である突出面（３３）に２次ボンディングを行って前記ワイヤ（４０）の結線を行い、
続いて、当該結線が行われた前記第１のリード（３０ａ）の隣に位置する前記第２のリード（３０ｂ）における前記凹部（３６）の底部に１次ボンディングを行った後に、当該半導体素子（２０）に２次ボンディングを行うことにより前記ワイヤ（４０）の結線を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The semiconductor element (20) is mounted on the upper surface (11) of the die pad (10),
A plurality of leads (30) having an elongated plate shape are arranged so that one end faces the die pad (10) and the other end extends in a direction away from the die pad (10),
Wire bonding is performed between the upper surface (31) of the lead (30) and the semiconductor element (20), and the space is connected by a wire (40),
The die pad (10), the semiconductor element (20), the lead (30), and the wire (40) are sealed with a mold resin (50) while exposing the other end of the lead (30). In the manufacturing method of the semiconductor device,
As the plurality of leads (30), a portion to which the wire (40) is connected has a step with respect to the upper surface (31) of the portion located on the one end side and the other end side from the portion. And the stepped surface (34) of the protruding portion (32) covers the upper surface (31) of the portion adjacent to the protruding portion (32). A first lead (30a) configured as a surface inclined to the (31) side;
The part to which the wire (40) is connected is a concave part (36) having a step with respect to the upper surface (31) of the part located on the one end side and the other end side of the part. And the second lead (30b)
Furthermore, the first leads (30a) and the second leads (30b) are alternately arranged adjacent to each other,
Thereafter, in the wire bonding step, after the primary bonding is performed on the semiconductor element (20), the second bonding is performed on the protruding surface (33) which is the upper surface of the protruding portion (32) of the first lead (30a). Bonding is performed to connect the wire (40),
Subsequently, after performing primary bonding on the bottom of the recess (36) in the second lead (30b) located next to the first lead (30a) to which the connection has been made, the semiconductor element (20) A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the wire (40) is connected by performing secondary bonding.
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