JP5458476B2 - Mold package and manufacturing method thereof - Google Patents

Mold package and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP5458476B2
JP5458476B2 JP2007136594A JP2007136594A JP5458476B2 JP 5458476 B2 JP5458476 B2 JP 5458476B2 JP 2007136594 A JP2007136594 A JP 2007136594A JP 2007136594 A JP2007136594 A JP 2007136594A JP 5458476 B2 JP5458476 B2 JP 5458476B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
lead frame
mold resin
mold
upward
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007136594A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008294132A (en
Inventor
典久 今泉
嘉治 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2007136594A priority Critical patent/JP5458476B2/en
Publication of JP2008294132A publication Critical patent/JP2008294132A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5458476B2 publication Critical patent/JP5458476B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、モールド樹脂の上面からパッケージをみたとき、モールド樹脂の外周端部からリードフレームが外側に突出していないモールドパッケージ、すなわち、アウターリードレスタイプのモールドパッケージおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a mold package in which a lead frame does not protrude outward from an outer peripheral end portion of the mold resin when viewed from the upper surface of the mold resin, that is, an outer leadless type mold package and a manufacturing method thereof.

従来より、この種のアウターリードレスタイプのモールドパッケージとしては、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリードパッケージ）などが提案されている（たとえば、特許文献１、２、３等参照）。この場合、リードフレームは、モールド樹脂の下面にて露出し、それにより、はんだ付けなどが行われる。
特開２０００−２９４７１５号公報 特開２００５−３８９２７号公報 特開２００４−８７９９８号公報 Conventionally, as this type of outer leadless mold package, QFN (quad flat non-lead package) and the like have been proposed (see, for example, Patent Documents 1, 2, and 3). In this case, the lead frame is exposed on the lower surface of the mold resin, and soldering or the like is thereby performed.
JP 2000-294715 A JP 2005-38927 A JP 2004-87798 A

本発明者は、上記した従来のアウターリードレスタイプのモールドパッケージ構成に基づいて、試作を行った。図１３は、その試作品としてのモールドパッケージの概略断面図である。   The inventor made a prototype based on the above-described conventional outer leadless type mold package configuration. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a mold package as a prototype.

図１３に示されるように、回路基板２０における上面２１の上には電子部品５０、５１が搭載されており、回路基板２０における下面２２の下にはヒートシンク１０が取り付けられている。また、回路基板２０の端面２３の側方にはリードフレーム３０が配置され、このリードフレーム３０と回路基板２０の上面２１とがボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 13, electronic components 50 and 51 are mounted on the upper surface 21 of the circuit board 20, and the heat sink 10 is attached below the lower surface 22 of the circuit board 20. A lead frame 30 is disposed on the side of the end face 23 of the circuit board 20, and the lead frame 30 and the upper surface 21 of the circuit board 20 are electrically connected via bonding wires 70.

そして、回路基板２０、電子部品５０、５１、ヒートシンク１０、ボンディングワイヤ７０およびリードフレーム３０は、モールド樹脂４０により包み込まれるように封止されている。   The circuit board 20, the electronic components 50 and 51, the heat sink 10, the bonding wire 70, and the lead frame 30 are sealed so as to be wrapped with the mold resin 40.

ここで、従来のこの種のパッケージと同様に、モールド樹脂４０の外表面のうち上面４１は、回路基板２０の上面２１の上を覆うように位置する第１の面４１として構成され、当該第１の面４１とは反対側の面であって回路基板２０の下面２２の下側に位置する下面４２が、モールド樹脂４０の第２の面４２として構成されている。また、第２の面４２の外周端部に位置し第２の面４２と直交する側面４３が、モールド樹脂４０の第３の面４３として構成されている。   Here, as in the conventional package of this type, the upper surface 41 of the outer surface of the mold resin 40 is configured as a first surface 41 positioned so as to cover the upper surface 21 of the circuit board 20, and A lower surface 42 which is a surface opposite to the first surface 41 and located below the lower surface 22 of the circuit board 20 is configured as a second surface 42 of the mold resin 40. Further, a side surface 43 that is located at the outer peripheral end of the second surface 42 and is orthogonal to the second surface 42 is configured as a third surface 43 of the mold resin 40.

そして、従来技術に基づけば、図１３中の破線に示されるように、リードフレーム３０は、モールド樹脂４０の下面４２にて露出している。しかし、この場合、リードフレーム３０を当該下面４２にて露出させるべく、回路基板２０の下方に位置させることが必要となる。   Based on the prior art, the lead frame 30 is exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40 as shown by the broken line in FIG. However, in this case, it is necessary to position the lead frame 30 below the circuit board 20 in order to expose the lead frame 30 at the lower surface 42.

そのため、リードフレーム３０のボンディング面とワイヤボンディングされる回路基板２０の上面２１との段差が大きくなり、ワイヤボンディングが困難になる。特に、この試作品のように、厚いヒートシンク１０が回路基板２０の下方に存在する場合、その段差は、さらに顕著となる。   For this reason, the level difference between the bonding surface of the lead frame 30 and the upper surface 21 of the circuit board 20 to be wire bonded becomes large, and wire bonding becomes difficult. In particular, when the thick heat sink 10 exists below the circuit board 20 as in this prototype, the step becomes more prominent.

そこで、本発明者は、図１３中に実線にて示されるように、リードフレーム３０を回路基板２０の端面２３の側方に配置し、上記ワイヤボンディングの段差が小さくなるようにした。アウターリードレスタイプの構成において、このようにした場合、リードフレーム３０は、モールド樹脂４０の下面４２では露出せず、モールド樹脂４０の側面４３のみにて露出する。   Therefore, the present inventor has arranged the lead frame 30 on the side of the end face 23 of the circuit board 20 as shown by a solid line in FIG. In the outer leadless type configuration, in this case, the lead frame 30 is not exposed on the lower surface 42 of the mold resin 40, and is exposed only on the side surface 43 of the mold resin 40.

しかし、この種のモールドパッケージでは、当該パッケージを実装基板上に搭載するとき、モールド樹脂４０の下面４２を当該実装基板に対向させるため、モールド樹脂４０の側面４３は、当該実装基板に対して垂直な面となる。   However, in this type of mold package, when the package is mounted on the mounting substrate, the lower surface 42 of the mold resin 40 is opposed to the mounting substrate, so that the side surface 43 of the mold resin 40 is perpendicular to the mounting substrate. It becomes a serious aspect.

そして、このようなモールド樹脂４０の側面４３にて、リードフレーム３０が露出していても、この露出部分で外部との接続を行うことは、モールドパッケージと実装基板上の隣接部品とのスペースを確保することが必要であったり、当該接続作業のハンドリング性が悪かったりすることなどから、困難である。   Even if the lead frame 30 is exposed at the side surface 43 of such a mold resin 40, the connection between the lead frame 30 and the outside at this exposed portion reduces the space between the mold package and the adjacent components on the mounting substrate. This is difficult because it is necessary to ensure it or the handling of the connection work is poor.

そこで、外部との接続は、モールド樹脂４０の上方側から行う必要が出てくる。ここで、リードフレーム３０をモールド樹脂４０の上面４１にて露出させることが考えられるが、この場合、ワイヤボンディングが行いにくく、行えたとしても、やはりワイヤボンディングの段差が大きくなることは避けられない。   Therefore, it is necessary to connect to the outside from the upper side of the mold resin 40. Here, it is conceivable to expose the lead frame 30 on the upper surface 41 of the mold resin 40. However, in this case, it is difficult to perform wire bonding, and even if it can be performed, it is inevitable that the step of the wire bonding will increase. .

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品を搭載した回路基板とリードフレームとをワイヤボンディングしたものをモールド樹脂で封止してなるアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、適切なワイヤボンディング性を確保しつつ、モールド樹脂の上方側からリードフレームと外部との電気的接続を行えるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and is suitable for an outer leadless mold package in which a circuit board on which electronic components are mounted and a lead frame are wire-bonded and sealed with a mold resin. An object of the present invention is to enable electrical connection between the lead frame and the outside from the upper side of the mold resin while ensuring a good wire bonding property.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、一面（２１）に電子部品（５０、５１）を搭載した回路基板（２０）とリードフレーム（３０）とをワイヤボンディングしたものを、モールド樹脂（４０）で封止してなるアウターリードレスタイプのモールドパッケージであって、回路基板（２０）の一面（２１）側に位置するモールド樹脂（４０）の第１の面（４１）と、当該第１の面（４１）とは反対側のモールド樹脂（４０）の第２の面（４２）との間に、回路基板（２０）の一面（２１）の上方側を向いている上向き面（４４）が設けられており、リードフレーム（３０）の一部を、上向き面（４４）にてモールド樹脂（４０）から露出させ、上向き面（４４）において露出するリードフレーム（３０）の部位は、モールド樹脂（４０）と共にリードフレームを切断することにより形成された切断面の一部として構成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a circuit board (20) on which an electronic component (50, 51) is mounted on one surface (21) and a lead frame (30). An outer leadless mold package sealed with a mold resin (40), the first surface (41) of the mold resin (40) located on the one surface (21) side of the circuit board (20); , Upward facing one side (21) of the circuit board (20) between the second surface (42) of the mold resin (40) opposite to the first surface (41) A surface (44) is provided, and a part of the lead frame (30) is exposed from the mold resin (40) at the upward surface (44), and the lead frame (30) exposed at the upward surface (44) is exposed. site, the mold resin Characterized in that it is constructed as part of a cut surface formed by cutting the lead frame along with 40).

それによれば、モールド樹脂（４０）の上向き面（４４）にてリードフレーム（３０）の一部を露出させており、このリードフレーム（３０）の露出する部位も、回路基板（２０）の一面（２１）の上方に臨むものとなっているため、適切なワイヤボンディング性を確保しつつ、モールド樹脂（４０）の上方側からリードフレーム（３０）と外部との電気的接続を行うことができる。   According to this, a part of the lead frame (30) is exposed at the upward surface (44) of the mold resin (40), and the exposed part of the lead frame (30) is also one surface of the circuit board (20). Since it faces the upper side of (21), the lead frame (30) can be electrically connected to the outside from the upper side of the mold resin (40) while ensuring an appropriate wire bonding property. .

ここで、リードフレーム（３０）におけるボンディングワイヤ（７０）の接続されている面（３１）を、回路基板（２０）の側方において回路基板（２０）の厚さの範囲に位置させることが好ましい（後述の図１等参照）。それによれば、回路基板（２０）とリードフレーム（３０）との段差を少なくしてワイヤボンディングが行いやすくなる。   Here, it is preferable that the surface (31) to which the bonding wire (70) is connected in the lead frame (30) is positioned within the thickness range of the circuit board (20) on the side of the circuit board (20). (Refer to FIG. 1 etc. described later). According to this, the step between the circuit board (20) and the lead frame (30) is reduced to facilitate wire bonding.

また、モールド樹脂（４０）の外表面のうち、第２の面（４２）の外周端部に位置し第２の面（４２）と直交する面が、第３の面（４３）として構成されている場合、上向き面（４４）は、モールド樹脂（４０）の第１の面（４１）とモールド樹脂（４０）の第３の面（４３）との間に設けられているものにできる。   In addition, among the outer surfaces of the mold resin (40), a surface that is located at the outer peripheral end of the second surface (42) and is orthogonal to the second surface (42) is configured as a third surface (43). The upward surface (44) may be provided between the first surface (41) of the mold resin (40) and the third surface (43) of the mold resin (40).

この場合、モールド樹脂（４０）における上向き面（４４）は、第１の面（４１）と第３の面（４３）とのなす角部をテーパ状に面取りした傾斜面とすることができる（後述の図１等参照。   In this case, the upward surface (44) in the mold resin (40) can be an inclined surface in which a corner formed by the first surface (41) and the third surface (43) is chamfered in a tapered shape ( Refer to FIG.

さらに、この場合、傾斜面としての上向き面（４４）において露出するリードフレーム（３０）の部位は、上向き面（４４）と同一の傾斜を有する傾斜面となっているものにできる。   Further, in this case, the portion of the lead frame (30) exposed on the upward surface (44) as the inclined surface can be an inclined surface having the same inclination as the upward surface (44).

また、リードフレーム（３０）のうち上向き面（４４）にて露出する部位を、モールド樹脂（４０）にて封止されているリードフレーム（３０）の部位よりも太いものとすることが好ましい（後述の図３参照）。   Moreover, it is preferable that the part exposed in the upward surface (44) in the lead frame (30) is thicker than the part of the lead frame (30) sealed with the mold resin (40) ( (See FIG. 3 below).

このことは、具体的には、リードフレーム（３０）のうち上向き面（４４）にて露出する部位は、モールド樹脂（４０）にて封止されている部位よりも幅もしくは厚さが大きいということである。それによれば、リードフレーム（３０）のうち上向き面（４４）にて露出する部位の面積を大きくすることができる。   Specifically, the portion of the lead frame (30) exposed at the upward surface (44) is larger in width or thickness than the portion sealed with the mold resin (40). That is. According to this, the area of the part exposed in the upward surface (44) of the lead frame (30) can be increased.

また、上向き面（４４）にて露出する傾斜面としてのリードフレーム（３０）の部位は、上向き面（４４）の傾斜角度に沿ってリードフレーム（３０）を折り曲げることにより形成された傾斜面として構成することができる（後述の図４参照）。   Further, the portion of the lead frame (30) as the inclined surface exposed at the upward surface (44) is an inclined surface formed by bending the lead frame (30) along the inclination angle of the upward surface (44). It can be configured (see FIG. 4 described later).

また、回路基板（２０）における一面（２１）とは反対側に位置する回路基板（２０）の他面（２２）に、ヒートシンク（１０）が取り付けられている場合、上記傾斜面としての上向き面（４４）は、ヒートシンク（１０）をモールド樹脂（４０）の第１の面（４１）に投影した領域の外側に位置していることが好ましい（後述の図１等参照）。それによれば、モールド樹脂（４０）の内部の超音波探傷検査が行いやすくなる。   When the heat sink (10) is attached to the other surface (22) of the circuit board (20) located on the opposite side of the one surface (21) of the circuit board (20), the upward surface as the inclined surface. (44) is preferably located outside the region where the heat sink (10) is projected onto the first surface (41) of the mold resin (40) (see FIG. 1 and the like described later). According to this, it becomes easy to perform ultrasonic flaw detection inspection inside the mold resin (40).

また、モールド樹脂（４０）における傾斜面としての上向き面（４４）は、第１の面（４１）と第３の面（４３）とのなす角部の一部を、テーパ状に面取りした傾斜面として構成してもよい（後述の図８参照）。それによれば、モールド樹脂（４０）における局部的な上下厚さのアンバランスに起因する反りを低減し、パッケージの信頼性を向上させることができる。   Further, the upward surface (44) as the inclined surface in the mold resin (40) is an inclined surface in which a part of a corner formed by the first surface (41) and the third surface (43) is chamfered in a tapered shape. You may comprise as a surface (refer FIG. 8 mentioned later). According to this, it is possible to reduce the warpage due to local unbalance in the vertical thickness in the mold resin (40), and to improve the reliability of the package.

また、モールド樹脂（４０）における上向き面（４４）としては、モールド樹脂（４０）の第３の面（４３）に形成された段差を形成する面として構成されたものでもよい（後述の図６参照）。   Further, the upward surface (44) in the mold resin (40) may be configured as a surface that forms a step formed in the third surface (43) of the mold resin (40) (FIG. 6 described later). reference).

また、モールド樹脂（４０）において上向き面（４４）に、上向き面（４４）において露出するリードフレーム（３０）の部位を外部の接続部材に接続するときの位置決め用の凹凸部（４５）を設けてもよい（後述の図９参照）。それによれば、外部接続部材とモールドパッケージとの接続時において、両者の位置あわせが容易になる。   Further, an uneven portion (45) for positioning when connecting the portion of the lead frame (30) exposed on the upward surface (44) to an external connection member is provided on the upward surface (44) of the mold resin (40). (See FIG. 9 described later). According to this, at the time of connection between the external connection member and the mold package, it is easy to align both.

また、上向き面（４４）にて露出するリードフレーム（３０）の部位が、当該上向き面（４４）と同一の傾斜を有する傾斜面となっているモールドパッケージを製造する製造方法としては、次のような方法が挙げられる。   In addition, as a manufacturing method for manufacturing a mold package in which the portion of the lead frame (30) exposed at the upward surface (44) is an inclined surface having the same inclination as the upward surface (44), Such a method is mentioned.

すなわち、複数個のリードフレーム（３０）が連結された多連のリードフレームを用意し、回路基板（２０）の一面（２１）に電子部品（５０、５１）を搭載し、回路基板（２０）とリードフレーム（３０）とをボンディングワイヤ（７０）を介して電気的に接続したものを、モールド樹脂（４０）にて封止し、その後、多連のリードフレームを個片化するために多連のリードフレームおよびモールド樹脂（４０）をダイシングカットした後、モールド樹脂（４０）における第１の面（４１）と第３の面（４３）とのなす角部を、テーパ状に面取りするようにリードフレーム（３０）とともにカットする後述の図２参照）。   That is, a multiple lead frame in which a plurality of lead frames (30) are connected is prepared, and electronic components (50, 51) are mounted on one surface (21) of the circuit board (20), and the circuit board (20). The lead frame (30) and the lead frame (30) electrically connected via the bonding wire (70) are sealed with a mold resin (40), and then a plurality of lead frames are separated into individual pieces. After the continuous lead frame and the mold resin (40) are diced and cut, the corner formed by the first surface (41) and the third surface (43) of the mold resin (40) is chamfered in a tapered shape. (See FIG. 2, which will be described later).

また、上向き面（４４）にて露出するリードフレーム（３０）の部位が、当該上向き面（４４）の傾斜角度に沿った折り曲げにより形成された傾斜面として構成されるモールドパッケージを製造する製造方法としては、次のような方法が挙げられる。   Further, a manufacturing method for manufacturing a mold package in which a portion of the lead frame (30) exposed at the upward surface (44) is formed as an inclined surface formed by bending along the inclination angle of the upward surface (44). As such, the following method can be cited.

すなわち、リードフレーム（３０）として予め前記折り曲げによる傾斜面が構成されたものを用い、回路基板（２０）の一面（２１）の上に電子部品（５０、５１）を搭載し、回路基板（２０）とリードフレーム（３０）とをボンディングワイヤ（７０）を介して電気的に接続したものを、上向き面（４４）に対応した傾斜形状をなす突起（３０１）が設けられた金型（３００）に設置してモールド樹脂（４０）による封止を行う（後述の図５参照。   That is, as the lead frame (30), the one having the inclined surface formed by the bending in advance is used, the electronic components (50, 51) are mounted on one surface (21) of the circuit board (20), and the circuit board (20 ) And a lead frame (30) electrically connected through a bonding wire (70), a mold (300) provided with a protrusion (301) having an inclined shape corresponding to the upward surface (44) And sealing with mold resin (40) (see FIG. 5 described later).

この場合、さらに、リードフレーム（３０）における折り曲げにより形成された傾斜面の表面に、モールド樹脂（４０）の付着防止用のテープ（２００）を貼った状態で、モールド樹脂（４０）による封止を行ってもよい。それによれば、当該傾斜面へのモールド樹脂（４０）の付着防止がなされ、上向き面（４４）を形成しやすくなる。   In this case, further, sealing with the mold resin (40) is performed with a tape (200) for preventing adhesion of the mold resin (40) applied to the surface of the inclined surface formed by bending in the lead frame (30). May be performed. According to this, adhesion of the mold resin (40) to the inclined surface is prevented, and the upward surface (44) can be easily formed.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のモールドパッケージ１００における主として上向き面４４の部分を示す概略斜視図である。 (First embodiment)
FIG. 1A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a mold package 100 of FIG. It is a schematic perspective view which mainly shows the part of the upward surface 44 in FIG.

なお、以下、各構成要素における上面、下面とは、図面と対応させてわかりやすくする目的で、図１（ａ）中の各構成要素において上側に位置する面、下側に位置する面を意味するものにすぎず、実際の天地方向に相当する上下関係まで限定するものではない。つまり、或る構成要素の上面は、当該構成要素の一面であり、下面は当該一面とは反対側に位置する他面であることを意味する。   Hereinafter, the upper surface and the lower surface of each component means a surface located on the upper side and a surface located on the lower side in each component in FIG. However, it is not limited to the vertical relationship corresponding to the actual top-and-bottom direction. That is, the upper surface of a certain component is one surface of the component, and the lower surface is the other surface located on the opposite side of the one surface.

本モールドパッケージ１００は、大きくは、回路基板２０と、回路基板２０の上面２１に搭載された電子部品５０、５１と、回路基板２０における上面２１とは反対側の下面２２に接着剤６０を介して取り付けられたヒートシンク１０と、回路基板２０とボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されたリードフレーム３０と、これら各部材１０〜７０を包み込むように封止するモールド樹脂４０とを備えて構成されている。   The mold package 100 mainly includes an adhesive 60 on the circuit board 20, the electronic components 50 and 51 mounted on the upper surface 21 of the circuit board 20, and the lower surface 22 of the circuit board 20 opposite to the upper surface 21. The heat sink 10 attached, the lead frame 30 electrically connected to the circuit board 20 via the bonding wire 70, and the mold resin 40 that seals the members 10 to 70 so as to wrap them. Has been.

ヒートシンク１０は、回路基板２０の熱を放熱する板状のものであり、放熱性に優れた銅、モリブデン、アルミニウム、鉄などの材料よりなる。ここで、ヒートシンク１０において、その上面１１には回路基板２０が搭載され、当該上面１１とは反対側の下面１２は、モールド樹脂４０の下面４２から露出しており、放熱面として構成されている。   The heat sink 10 is a plate-shaped member that dissipates the heat of the circuit board 20 and is made of a material such as copper, molybdenum, aluminum, or iron that is excellent in heat dissipation. Here, in the heat sink 10, the circuit board 20 is mounted on the upper surface 11, and the lower surface 12 opposite to the upper surface 11 is exposed from the lower surface 42 of the mold resin 40 and is configured as a heat radiating surface. .

回路基板２０は、セラミック基板やプリント基板などよりなる。この回路基板２０の下面２２とヒートシンク１０の上面１１との間に、上記接着剤６０が介在し、回路基板２０とヒートシンク１０とが接着されている。この接着剤６０としては、シリコーン系樹脂などよりなる一般的な接着剤が挙げられる。   The circuit board 20 is made of a ceramic board or a printed board. The adhesive 60 is interposed between the lower surface 22 of the circuit board 20 and the upper surface 11 of the heat sink 10 so that the circuit board 20 and the heat sink 10 are bonded. Examples of the adhesive 60 include a general adhesive made of a silicone resin or the like.

また、電子部品５０、５１としては、回路基板２０の表面に搭載可能なＩＣチップ、コンデンサ、抵抗素子などの表面実装部品であれば、特に限定されるものではない。図１に示される例では、回路基板２０の上面（つまり、電子部品の搭載面）２１には、電子部品としてＩＣチップ５０、コンデンサ５１が搭載されている。   The electronic components 50 and 51 are not particularly limited as long as they are surface-mounted components such as an IC chip, a capacitor, and a resistance element that can be mounted on the surface of the circuit board 20. In the example shown in FIG. 1, an IC chip 50 and a capacitor 51 are mounted as electronic components on the upper surface 21 (that is, a mounting surface of electronic components) 21 of the circuit board 20.

これら電子部品５０、５１は、はんだや導電性接着剤などよりなる図示しないダイマウント材を介して、回路基板２０の上面２１上に固定され、必要に応じてボンディングワイヤ７０を介して回路基板２０に電気的に接続されている。   These electronic components 50 and 51 are fixed on the upper surface 21 of the circuit board 20 via a die mount material (not shown) made of solder, conductive adhesive, or the like, and the circuit board 20 is bonded via bonding wires 70 as necessary. Is electrically connected.

また、リードフレーム３０は、銅などの一般的なリードフレーム材料よりなるものであり、モールド樹脂４０の内部にて回路基板２０の周囲に配置されている。そして、回路基板２０の上面２１とリードフレーム３０の上面３１とは、ボンディングワイヤ７０により電気的に接続されている。つまり、リードフレーム３０の上面３１はボンディング面となっている。   The lead frame 30 is made of a general lead frame material such as copper, and is disposed around the circuit board 20 inside the mold resin 40. The upper surface 21 of the circuit board 20 and the upper surface 31 of the lead frame 30 are electrically connected by a bonding wire 70. That is, the upper surface 31 of the lead frame 30 is a bonding surface.

ここで、リードフレーム３０は、回路基板２０の端面２３の側方に配置されている。。具体的には、リードフレーム３０は細長の板材であり、その一端部が回路基板２０の端面２３に対向して配置され、回路基板２０の端面２３から外側へ延びるように、モールド樹脂４０内にて配置されている。   Here, the lead frame 30 is disposed on the side of the end face 23 of the circuit board 20. . Specifically, the lead frame 30 is an elongated plate material, and one end portion thereof is disposed to face the end surface 23 of the circuit board 20 and extends outward from the end surface 23 of the circuit board 20. Are arranged.

ここで、回路基板２０は板状であり、その上面２１および下面２２は主表面となるものであり、その端面２３はこれら上下面２１、２２の端部に位置し、板の厚み方向に平行な面である。そして、図１に示されるように、リードフレーム３０におけるボンディングワイヤ７０の接続されている上面３１は、回路基板２０の側方において回路基板２０の厚さの範囲内に位置している。   Here, the circuit board 20 is plate-shaped, and the upper surface 21 and the lower surface 22 are main surfaces, and the end surfaces 23 are located at the ends of the upper and lower surfaces 21 and 22 and are parallel to the thickness direction of the plates. This is a serious aspect. As shown in FIG. 1, the upper surface 31 to which the bonding wire 70 is connected in the lead frame 30 is located within the thickness range of the circuit board 20 on the side of the circuit board 20.

具体的に、回路基板２０の厚さとは、回路基板２０の上面２１と下面２２との距離である。そして、リードフレーム３０の上面３１がこの回路基板２０の厚さの範囲内に位置することとは、回路基板２０の上面２１および下面２２をそれぞれ平行に延長した仮想面を考えたとき、これら両仮想面に挟まれる領域に、リードフレーム３０の上面３１が位置するということである。   Specifically, the thickness of the circuit board 20 is a distance between the upper surface 21 and the lower surface 22 of the circuit board 20. The fact that the upper surface 31 of the lead frame 30 is located within the thickness range of the circuit board 20 means that when considering the virtual surfaces obtained by extending the upper surface 21 and the lower surface 22 of the circuit board 20 in parallel, That is, the upper surface 31 of the lead frame 30 is located in a region sandwiched between virtual surfaces.

このような構成により、回路基板２０の上面２１とリードフレーム３０の上面３１との段差を少なくしてワイヤボンディングを容易にしている。そして、ボンディングワイヤ７０による接続信頼性の確保が行いやすいものとなっている。   With such a configuration, the level difference between the upper surface 21 of the circuit board 20 and the upper surface 31 of the lead frame 30 is reduced to facilitate wire bonding. And it becomes easy to ensure the connection reliability by the bonding wire 70.

なお、リードフレーム３０の上面３１は回路基板２０の上面２１よりも上方に位置していたとしても、リードフレーム３０の一部が、回路基板２０の厚さの範囲に位置すれば、上記ワイヤボンディングの段差は小さくできると考えられる。具体的には、回路基板２０の上面２１とリードフレーム３０の上面３１との段差は、これら両上面２１、３１が同一面のときを０として、±１．０ｍｍ以内とすることが望ましい。   Even if the upper surface 31 of the lead frame 30 is located above the upper surface 21 of the circuit board 20, if a part of the lead frame 30 is located within the thickness range of the circuit board 20, the wire bonding is performed. It is considered that the level difference can be reduced. Specifically, the step between the upper surface 21 of the circuit board 20 and the upper surface 31 of the lead frame 30 is preferably within ± 1.0 mm, with 0 when the upper surfaces 21 and 31 are the same surface.

ここで、上記ボンディングワイヤ７０は、一般的なＡｕやアルミニウムなどよりなるもので、通常のワイヤボンディングにより形成される。そして、本モールドパッケージ１００においては、電子部品５０、５１とリード３０とは、回路基板２０およびボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続されている。   Here, the bonding wire 70 is made of general Au, aluminum, or the like, and is formed by ordinary wire bonding. In the mold package 100, the electronic components 50 and 51 and the leads 30 are electrically connected via the circuit board 20 and the bonding wires 70.

モールド樹脂４０は、通常、この種のモールドパッケージに用いられるモールド材料、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを採用できる。そして、このモールドパッケージ１００は、図示しないケースなどの基材に搭載されて使用されるが、このとき、モールド樹脂４０から露出するヒートシンク１０の下面１２を当該基材に接触させ、放熱を図るようにしている。   As the mold resin 40, a mold material generally used for this type of mold package, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin can be employed. The mold package 100 is used by being mounted on a base material such as a case (not shown). At this time, the lower surface 12 of the heat sink 10 exposed from the mold resin 40 is brought into contact with the base material so as to release heat. I have to.

ここで、モールド樹脂４０の外表面のうち上面４１は、回路基板２０の上面２１の上側に位置し回路基板２０の上面２１を覆うように配置された第１の面４１として構成され、当該第１の面４１とは反対側の面であるモールド樹脂４０の下面４２が第２の面４２として構成されている。また、第２の面４２の外周端部に位置し第２の面４２と直交するモールド樹脂４０の側面４３が、第３の面４３として構成されている。   Here, the upper surface 41 of the outer surface of the mold resin 40 is configured as a first surface 41 that is located above the upper surface 21 of the circuit board 20 and is disposed so as to cover the upper surface 21 of the circuit board 20. The lower surface 42 of the mold resin 40, which is the surface opposite to the first surface 41, is configured as the second surface 42. In addition, a side surface 43 of the mold resin 40 that is located at the outer peripheral end of the second surface 42 and is orthogonal to the second surface 42 is configured as a third surface 43.

さらに、本実施形態のモールドパッケージ１００においては、図１に示されるように、モールド樹脂４０において、上面４１と下面４２との間に、回路基板２０の上面２１の上方側を向いている上向き面４４が設けられている。さらに言うならば、この上向き面４４は、モールド樹脂４０の上面４１と側面４３との間に設けられており、本実施形態では、モールド樹脂４０の第４の面として構成されている。   Furthermore, in the mold package 100 of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the upward surface of the mold resin 40 that faces the upper side of the upper surface 21 of the circuit board 20 between the upper surface 41 and the lower surface 42. 44 is provided. More specifically, the upward surface 44 is provided between the upper surface 41 and the side surface 43 of the mold resin 40, and is configured as a fourth surface of the mold resin 40 in this embodiment.

具体的に、モールド樹脂４０は、上面４１および下面４２が矩形である矩形板状のものであり、側面４３は、モールド樹脂４０の外周端面を構成するものである。そして、上向き面４４は、上面４１と側面４３とのなす角部をテーパ状に面取りした形状の傾斜面として構成されている。つまり、モールド樹脂４０の外表面において、互いに直交する上面４１と側面４３との間をつなぐ面として、これら両面４１と４３との間に、上向き面４４が介在している。   Specifically, the mold resin 40 has a rectangular plate shape in which the upper surface 41 and the lower surface 42 are rectangular, and the side surface 43 constitutes the outer peripheral end surface of the mold resin 40. The upward surface 44 is configured as an inclined surface having a shape in which a corner formed by the upper surface 41 and the side surface 43 is chamfered in a tapered shape. That is, on the outer surface of the mold resin 40, the upward surface 44 is interposed between the both surfaces 41 and 43 as a surface connecting the upper surface 41 and the side surface 43 orthogonal to each other.

本実施形態では、リードフレーム３０は、上述したように回路基板２０の側方に配置することによって、モールド樹脂４０の下面４２では露出していない。しかし、このモールド樹脂４０の下面４２にて露出してないリードフレーム３０の一部すなわち先端部は、上向き面４４にてモールド樹脂４０から露出している。   In the present embodiment, the lead frame 30 is not exposed on the lower surface 42 of the mold resin 40 by being disposed on the side of the circuit board 20 as described above. However, a part of the lead frame 30 that is not exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40, that is, the tip portion, is exposed from the mold resin 40 at the upward surface 44.

また、モールド樹脂４０の上向き面４４において露出するリードフレーム３０の部位は、当該上向き面４４と実質的に同一面上に位置する面として構成されている。つまり、このリードフレーム３０の露出する面は、上向き面４４と同一の傾斜を有する傾斜面、すなわち、上向き面４４と平行な傾斜面となっている。   Further, the portion of the lead frame 30 exposed on the upward surface 44 of the mold resin 40 is configured as a surface located substantially on the same surface as the upward surface 44. That is, the exposed surface of the lead frame 30 is an inclined surface having the same inclination as the upward surface 44, that is, an inclined surface parallel to the upward surface 44.

たとえば、このような傾斜面としての上向き面４４およびリードフレーム３０の露出する面の傾斜角度を、これら傾斜面とモールド樹脂４０の下面４２とのなす角度として定義したとき、当該傾斜角度は１５°〜６０°である。   For example, when the inclination angle of the upward surface 44 as the inclined surface and the exposed surface of the lead frame 30 is defined as an angle formed by the inclined surface and the lower surface 42 of the mold resin 40, the inclination angle is 15 °. ~ 60 °.

これは、リードフレーム３０の露出する面における接続面積を確保するためである。当該傾斜角度が小さいと、傾斜を設けるためにリードフレーム３０全体の面積を大きく確保しなければならない。一方、当該傾斜角度が大きいと、十分な接続面積を確保することができない。そこで、当該傾斜角度は１５°〜６０°程度が望ましい。   This is to ensure a connection area on the exposed surface of the lead frame 30. If the inclination angle is small, the area of the entire lead frame 30 must be ensured to provide the inclination. On the other hand, if the inclination angle is large, a sufficient connection area cannot be ensured. Therefore, the inclination angle is preferably about 15 ° to 60 °.

このような傾斜面としての上向き面４４およびリードフレーム３０の露出面は、モールド樹脂４０における上記角部を、後述する製造方法に示すように、リードフレーム３０とともにカットするか、または、予めリードフレーム３０はカットしておき、その後金型にてモールド樹脂４０を面取り形状に成形することにより、作成が可能である。   The upward surface 44 as the inclined surface and the exposed surface of the lead frame 30 are cut together with the lead frame 30 or the lead frame 30 in advance as shown in the manufacturing method described later. 30 can be cut and then formed by molding the mold resin 40 into a chamfered shape with a mold.

また、図１（ａ）に示されるように、傾斜面としてのモールド樹脂４０の上向き面４４は、ヒートシンク１０をモールド樹脂４０の上面４１に投影した領域の外側に位置している。つまり、図１（ａ）中において、ヒートシンク１０の左右両端の外形線を上方に垂直に延長したとき、この両延長線の外側に上向き面４４が位置するということである。   Further, as shown in FIG. 1A, the upward surface 44 of the mold resin 40 as the inclined surface is located outside the region where the heat sink 10 is projected onto the upper surface 41 of the mold resin 40. That is, in FIG. 1A, when the outlines at the left and right ends of the heat sink 10 are extended vertically upward, the upward surface 44 is located outside the extension lines.

このようなモールドパッケージ１００においては、ヒートシンク１０およびその上の回路基板２０と、モールド樹脂４０との剥離の有無について、超音波探傷検査による検査を行う。当該超音波は、モールド樹脂４０の上面４１から照射される。   In such a mold package 100, an inspection by ultrasonic flaw inspection is performed for the presence or absence of peeling between the heat sink 10 and the circuit board 20 thereon and the mold resin 40. The ultrasonic waves are applied from the upper surface 41 of the mold resin 40.

このとき、傾斜面である上向き面４４が、ヒートシンク１０をモールド樹脂４０の上面４１に投影した領域の内側に位置すると、超音波の照射方向から見て上向き面４４とヒートシンク１０とが重なり合い、検査ができなくなる。その点、本実施形態によれば、そのような問題を回避し、超音波探傷検査による検査を適切に行える。   At this time, when the upward surface 44 that is an inclined surface is located inside the region where the heat sink 10 is projected onto the upper surface 41 of the mold resin 40, the upward surface 44 and the heat sink 10 overlap each other when viewed from the ultrasonic wave irradiation direction. Can not be. In this regard, according to the present embodiment, such a problem can be avoided and inspection by ultrasonic flaw detection can be performed appropriately.

また、モールド樹脂４０の下面４２は、実装基板などの基材等へモールドパッケージ１００を搭載するときの当該基材と対向する実装面である。ここで、実装状態においては、上述したように、モールド樹脂４０の下面４２にて露出するヒートシンク１０の下面１２から、良好な放熱がなされる。   The lower surface 42 of the mold resin 40 is a mounting surface that faces the base material when the mold package 100 is mounted on a base material such as a mounting substrate. Here, in the mounted state, as described above, good heat dissipation is performed from the lower surface 12 of the heat sink 10 exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40.

また、アウターリードレスタイプのモールドパッケージの特徴として、本実施形態においても、モールド樹脂４０の上面４１からパッケージ１００をみたとき、モールド樹脂４０の外周端部すなわちモールド樹脂４０の側面４３からリードフレーム３０が外側に突出していない。   Further, as a feature of the outer leadless type mold package, also in this embodiment, when the package 100 is viewed from the upper surface 41 of the mold resin 40, the lead frame 30 is seen from the outer peripheral end of the mold resin 40, that is, from the side surface 43 of the mold resin 40. Does not protrude outward.

ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂４０の上向き面４４にてリードフレーム３０の先端部を露出させており、このリードフレーム３０の露出する面も、回路基板２０の上面２１の上方に臨むものとなっているため、この露出する面にて、リードフレーム３０と外部との接続を容易に行うことができる。   By the way, according to the present embodiment, the leading end portion of the lead frame 30 is exposed at the upward surface 44 of the mold resin 40, and the exposed surface of the lead frame 30 also faces above the upper surface 21 of the circuit board 20. Therefore, the lead frame 30 can be easily connected to the outside on the exposed surface.

つまり、本実施形態によれば、適切なワイヤボンディング性を確保しつつ、モールド樹脂４０の上方側、つまりモールド樹脂４０の上面４１側からリードフレーム３０と外部との電気的接続を行うことができる。   That is, according to the present embodiment, the lead frame 30 can be electrically connected to the outside from the upper side of the mold resin 40, that is, the upper surface 41 side of the mold resin 40 while ensuring appropriate wire bonding properties. .

限定するものではないが、たとえば、外部との接続としては、溶接やはんだ付け等の方法で、ＥＣＵとアクチュエータ間の配線を行うものにできる。または、リードフレーム３０を検査用の端子として用い、検査ソケット端子との接続を可能にする。   Although not limited, for example, the connection between the ECU and the actuator can be performed by a method such as welding or soldering. Alternatively, the lead frame 30 is used as an inspection terminal to enable connection with an inspection socket terminal.

上述した上記図１３に示されるモールドパッケージでは、実装基板に対して垂直なモールド樹脂の側面にて、リードフレームと外部との接続を行うものであったが、それに比べて、本実施形態では、実装基板上の隣接部品とのスペースが不十分であっても、容易に接続が行えるものである。   In the mold package shown in FIG. 13 described above, the lead frame is connected to the outside on the side surface of the mold resin perpendicular to the mounting substrate. In contrast, in the present embodiment, Even if there is insufficient space between adjacent components on the mounting board, connection can be easily made.

次に、本実施形態のモールドパッケージ１００の製造方法について、図２も参照して述べる。図２は、本製造方法を示す工程図であり、各工程途中のワークを断面的に示している。本製造方法は、ＭＡＰ成型技術に基づくものである。   Next, a method for manufacturing the mold package 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a process diagram showing the present manufacturing method, and shows a work in the middle of each process in section. This manufacturing method is based on the MAP molding technique.

まず、ヒートシンク１０の上面１１に、接着剤６０を介して、電子部品５０、５１が搭載された回路基板２０を固定する。一方で、複数個のリードフレーム３０がその端部にて連結された状態のもの、いわゆる多連のリードフレーム３０を用意する。そして、各リードフレーム３０に対して、ヒートシンク１０を配置し、ヒートシンク１０上の回路基板２０と各リードフレーム３０とをワイヤボンディングにより結線する。   First, the circuit board 20 on which the electronic components 50 and 51 are mounted is fixed to the upper surface 11 of the heat sink 10 via the adhesive 60. On the other hand, a so-called multiple lead frame 30 is prepared in a state in which a plurality of lead frames 30 are connected at their ends. And the heat sink 10 is arrange | positioned with respect to each lead frame 30, and the circuit board 20 on the heat sink 10 and each lead frame 30 are connected by wire bonding.

その後、このものを図示しない成形金型に投入し、通常のトランスファーモールド法などによってモールド樹脂４０で封止する。図２（ａ）には、この封止工程後のワークが示されている。   Thereafter, this is put into a molding die (not shown) and sealed with a molding resin 40 by a normal transfer molding method or the like. FIG. 2A shows the work after this sealing step.

図２（ａ）に示されるように、封止工程後のワークにおいては、電子部品５０、５１、回路基板２０、ヒートシンク１０、ボンディングワイヤ７０およびリードフレーム３０が、モールド樹脂４０により封止され、モールド樹脂４０の下面４２からヒートシンク１０が露出している。   As shown in FIG. 2A, in the work after the sealing process, the electronic components 50 and 51, the circuit board 20, the heat sink 10, the bonding wire 70, and the lead frame 30 are sealed with the mold resin 40. The heat sink 10 is exposed from the lower surface 42 of the mold resin 40.

次に、図２（ｂ）に示されるように、多連のリードフレーム３０を個片化するために当該多連のリードフレーム３０およびモールド樹脂４０を、ダイシングラインＤＬにてダイシングカットする。これにより、図２（ｃ）に示されるように、個々のパッケージ単位への個片化がなされる。   Next, as shown in FIG. 2B, the multiple lead frames 30 and the mold resin 40 are diced and cut along a dicing line DL in order to separate the multiple lead frames 30 into individual pieces. As a result, as shown in FIG. 2C, individual packages are separated.

その後は、図２（ｃ）中のカットラインＣＬに示されるように、刃具などの切断装置を用いて、モールド樹脂４０における上面４１と側面４３とのなす角部を、リードフレーム３０とともにカットし、当該角部をテーパ状に面取りする。   After that, as shown by the cut line CL in FIG. 2C, the corner formed by the upper surface 41 and the side surface 43 of the mold resin 40 is cut together with the lead frame 30 using a cutting device such as a cutting tool. The corner is chamfered in a tapered shape.

このとき、図２（ｃ）中の寸法ｄに示されるように、モールド樹脂４０のうちリードフレーム３０よりもモールド樹脂４０の下面４２寄りの部位を、余分にカットする。こうして、上記図１に示されるような上向き面４４を有する本実施形態のモールドパッケージ１００ができあがる。   At this time, as shown by a dimension d in FIG. 2C, an extra portion of the mold resin 40 closer to the lower surface 42 of the mold resin 40 than the lead frame 30 is cut. Thus, the mold package 100 of the present embodiment having the upward surface 44 as shown in FIG. 1 is completed.

（第２実施形態）
図３（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０１の概略断面構成を示す図であり、図３（ｂ）は本実施形態のもう一つの例としてのリードフレーム３０の斜視図である。 (Second Embodiment)
FIG. 3A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 101 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is another example of the present embodiment. 3 is a perspective view of a lead frame 30. FIG.

図３（ａ）に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０１では、リードフレーム３０のうち上向き面４４にて露出する部位を、モールド樹脂４０にて封止されている部位よりも太いものとしている。   As shown in FIG. 3A, in the mold package 101 of the present embodiment, the portion of the lead frame 30 exposed at the upward surface 44 is thicker than the portion sealed with the mold resin 40. It is said.

図３（ａ）に示される例では、リードフレーム３０の露出部位の板厚を、たとえば０．２ｍｍ〜１．０ｍｍとし、樹脂封止部位よりも厚いものとすることで太くしている。このような厚さの異なるリードフレーム３０の製造方法としては、たとえばリードフレームの作製時に、ロール加工等によって厚さが異なったものを作製すればよい。   In the example shown in FIG. 3A, the plate thickness of the exposed portion of the lead frame 30 is, for example, 0.2 mm to 1.0 mm, and is thicker than the resin sealing portion. As a method of manufacturing the lead frame 30 having such a different thickness, for example, a method of manufacturing a lead frame having a different thickness by roll processing or the like may be used.

本実施形態によれば、リードフレーム３０のうち上向き面４４にて露出する部位の面積を大きくすることが可能となる。ただし、当該露出部が厚すぎると、リードピッチが大きくなるため、当該露出部におけるリードフレーム３０の板厚としては１．０ｍｍ程度までが好ましい。   According to the present embodiment, it is possible to increase the area of the portion of the lead frame 30 exposed at the upward surface 44. However, if the exposed portion is too thick, the lead pitch becomes large. Therefore, the plate thickness of the lead frame 30 in the exposed portion is preferably about 1.0 mm.

また、リードフレーム３０における上記露出部位をリードフレーム３０における樹脂封止部位よりも太くすることは、リードフレーム３０の厚さではなく、その幅を変えるものであってもよい。   Further, making the exposed portion of the lead frame 30 thicker than the resin sealing portion of the lead frame 30 may change not the thickness of the lead frame 30 but the width thereof.

図３（ｂ）に示される例では、リードフレーム３０における上記露出部位を樹脂封止部位よりも幅広いものとしている。本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することに加えて、さらに、リードフレーム３０における外部との接続面積を確保しやすくなる。   In the example shown in FIG. 3B, the exposed portion of the lead frame 30 is wider than the resin-sealed portion. According to the present embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, it is further easy to secure a connection area with the outside in the lead frame 30.

（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０２の概略断面構成を示す図である。 (Third embodiment)
FIG. 4 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 102 according to the third embodiment of the present invention.

図４に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０２では、上向き面４４にて露出するリードフレーム３０の部位を、傾斜面としての上向き面４４の傾斜角度に沿ってリードフレーム３０を折り曲げることにより形成された傾斜面として構成している。この場合も、リードフレーム３０における外部との接続面積を大きくしやすい、という利点がある。   As shown in FIG. 4, in the mold package 102 of the present embodiment, the lead frame 30 is bent along the inclination angle of the upward surface 44 as the inclined surface of the portion of the lead frame 30 exposed on the upward surface 44. It is comprised as an inclined surface formed by. Also in this case, there is an advantage that the connection area of the lead frame 30 with the outside can be easily increased.

このような折り曲げによる傾斜面を有するモールドパッケージの製造方法について、図５も参照して述べる。図５は、本製造方法を示す工程図であり、各工程途中のワークを断面的に示している。本製造方法も、ＭＡＰ成型技術に基づくものである。   A method of manufacturing a mold package having such an inclined surface by bending will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a process diagram showing the present manufacturing method, and shows a work in the middle of each process in section. This manufacturing method is also based on the MAP molding technique.

まず、上記図２に示される製造方法と同様に、ヒートシンク１０に回路基板２０を固定する。一方、本実施形態でも、複数個のリードフレーム３０がその端部にて連結された多連のリードフレーム３０を用いるが、予め、このリードフレーム３０に対して、図５（ａ）に示されるように、折り曲げによる傾斜面を形成しておく。   First, the circuit board 20 is fixed to the heat sink 10 in the same manner as the manufacturing method shown in FIG. On the other hand, the present embodiment also uses a multiple lead frame 30 in which a plurality of lead frames 30 are connected at their ends, but this lead frame 30 is shown in FIG. In this way, an inclined surface is formed by bending.

この傾斜面の形成は、リードフレーム３０においてパターンを形成した後に、プレス工法であるディプレス加工を行うことによって実現可能である。そして、このリードフレーム３０と回路基板２０とをワイヤボンディングにより結線し、モールド樹脂４０で封止すると、図５（ａ）に示されるワークができあがる。   The formation of the inclined surface can be realized by forming a pattern on the lead frame 30 and then performing a pressing process, which is a press method. Then, when the lead frame 30 and the circuit board 20 are connected by wire bonding and sealed with the mold resin 40, the work shown in FIG. 5A is completed.

図５（ａ）では、当該ワークが金型３００内に設置された状態を示している。ここでは、ワークの金型３００への投入前に、リードフレーム３０における上記傾斜面の表面に、モールド樹脂４０の付着を防止するテープ２００を貼っておく。このテープ２００としては、たとえばシリコーン系樹脂よりなるものが採用される。   FIG. 5A shows a state in which the workpiece is installed in the mold 300. Here, the tape 200 for preventing the mold resin 40 from adhering is attached to the surface of the inclined surface of the lead frame 30 before the work is put into the mold 300. As the tape 200, for example, a tape made of silicone resin is employed.

一方、金型３００には、モールド樹脂４０の上向き面４４に対応する位置に当該上向き面４４と同じ傾斜形状をなす突起３０１が設けられている。そして、ワークの投入状態においては、この突起３０１の先端がテープ２００にあたるようにする。   On the other hand, the mold 300 is provided with a protrusion 301 having the same inclined shape as the upward surface 44 at a position corresponding to the upward surface 44 of the mold resin 40. When the workpiece is loaded, the tip of the protrusion 301 is made to contact the tape 200.

つまり、ワークの金型３００への設置にあたっては、予め形成されたリードフレーム３０の傾斜面に対して、テープ３００を介して突起３０１を押し当てるようにする。この状態で、モールド樹脂４０による封止を行うと、突起３０１の形状に倣ってモールド樹脂４０の成形がなされるため、図５（ｂ）に示されるように、封止後には、テープ２００を剥がすことで上向き面４４が形成された状態となる。   That is, when the work is placed on the mold 300, the protrusion 301 is pressed against the previously formed inclined surface of the lead frame 30 via the tape 300. If sealing with the mold resin 40 is performed in this state, the molding resin 40 is molded following the shape of the protrusion 301. Therefore, as shown in FIG. By peeling off, the upward surface 44 is formed.

そして、このものを、ダイシングラインＤＬにてダイシングカットし、個々のパッケージ単位へ個片化する。こうして、上記図４に示されるような上向き面４４を有する本実施形態のモールドパッケージ１０２ができあがる。   Then, this product is diced by a dicing line DL and separated into individual package units. Thus, the mold package 102 of the present embodiment having the upward surface 44 as shown in FIG. 4 is completed.

なお、上記図５に示される製造方法では、リードフレーム３０における傾斜面の表面に上記テープ２００を貼った状態で、モールド樹脂４０による封止を行ったが、上記テープ２００が無くても当該リードフレーム３０の傾斜面にモールド樹脂４０が付着しにくいような場合には、このテープ２００は省略してもよい。   In the manufacturing method shown in FIG. 5, sealing is performed with the mold resin 40 in a state where the tape 200 is pasted on the surface of the inclined surface of the lead frame 30, but the lead is formed without the tape 200. When the mold resin 40 is difficult to adhere to the inclined surface of the frame 30, the tape 200 may be omitted.

（第４実施形態）
図６（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０３の概略断面構成を示す図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）中の矢印Ａ方向からみた平面図である。 (Fourth embodiment)
FIG. 6A is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 103 according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a direction of arrow A in FIG. It is the top view seen.

図６に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０３では、モールド樹脂４０の側面４３に段差が形成されている。この段差は、当該側面４３における上面４１側の部位が、当該側面４３から凹むように形成された段差である。   As shown in FIG. 6, in the mold package 103 of this embodiment, a step is formed on the side surface 43 of the mold resin 40. This step is a step formed so that a portion of the side surface 43 on the upper surface 41 side is recessed from the side surface 43.

そして、モールド樹脂４０における上向き面４４は、この段差を形成する面により構成されている。ここで、リードフレーム３０におけるボンディングワイヤ７０の接続されている面３１すなわち上面３１は、この上向き面４４と実質的に同一平面に位置している。そして、リードフレーム３０の上面３１の一部すなわち当該上面３１のうちボンディングワイヤ７０と接続されていない部位がモールド樹脂４０から露出している。   The upward surface 44 in the mold resin 40 is configured by a surface that forms this step. Here, the surface 31 of the lead frame 30 to which the bonding wire 70 is connected, that is, the upper surface 31 is substantially flush with the upward surface 44. A part of the upper surface 31 of the lead frame 30, that is, a portion of the upper surface 31 that is not connected to the bonding wire 70 is exposed from the mold resin 40.

つまり、本実施形態の上向き面４４は、リードフレーム３０の上面３１が当該上向き面４４と同一面上にて露出するように、モールド樹脂４０の側面４３に形成された段差面として、構成されている。ここでは、上向き面４４は、モールド樹脂４０における上面４１と側面４３とのなす角部を断面矩形状に除去してなる段差における側面４３と直交する面となっている。   That is, the upward surface 44 of the present embodiment is configured as a step surface formed on the side surface 43 of the mold resin 40 so that the upper surface 31 of the lead frame 30 is exposed on the same surface as the upward surface 44. Yes. Here, the upward surface 44 is a surface orthogonal to the side surface 43 in a step formed by removing a corner portion formed by the upper surface 41 and the side surface 43 of the mold resin 40 into a rectangular cross section.

そのため、本実施形態においても、上記各実施形態と同様に、適切なワイヤボンディング性を確保しつつ、モールド樹脂４０の上方側からリードフレーム３０と外部との電気的接続を行うことができる。   Therefore, also in the present embodiment, as in each of the above embodiments, the lead frame 30 can be electrically connected to the outside from the upper side of the mold resin 40 while ensuring appropriate wire bonding properties.

この本実施形態のモールドパッケージ１０３の製造方法について、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して述べる。図７は、本製造方法を示す工程図であり、各工程途中のワークを断面的に示している。本製造方法も、ＭＡＰ成型技術に基づくものである。   A method of manufacturing the mold package 103 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 7 (a), (b), and (c). FIG. 7 is a process diagram showing the present manufacturing method, and shows a work in the middle of each process in section. This manufacturing method is also based on the MAP molding technique.

まず、上記図２に示される製造方法と同様に、ヒートシンク１０に回路基板２０を固定し、上記多連のリードフレーム３０を用い、このリードフレーム３０と回路基板２０とをワイヤボンディングにより結線する。   First, similarly to the manufacturing method shown in FIG. 2, the circuit board 20 is fixed to the heat sink 10, the multiple lead frames 30 are used, and the lead frame 30 and the circuit board 20 are connected by wire bonding.

また、本実施形態では、モールド樹脂４０による封止を行う前に、図７（ａ）に示されるように、封止後にモールド樹脂４０を除去して上向き面４４とする部位に、モールド樹脂４０と密着しないか、または密着強度の低いテープ２１０を貼る。このテープ２１０は、たとえばシリコーン系やポリイミドアミド系の樹脂よりなるもので、ダイシング時の精度にもよるが、厚さ０．１ｍｍ程度のものである。   Further, in the present embodiment, before sealing with the mold resin 40, as shown in FIG. 7A, the mold resin 40 is removed at the portion where the mold resin 40 is removed after sealing to form the upward surface 44. A tape 210 having a low adhesive strength or a low adhesive strength is applied. The tape 210 is made of, for example, a silicone-based or polyimideamide-based resin, and has a thickness of about 0.1 mm, depending on the accuracy during dicing.

こうして、リードフレーム３０間を跨ぐように、リードフレーム３０の上面３１にテープ２１０を貼り付けた状態で、モールド樹脂４０による封止を、上記同様に行い、その後、ダイシングカットにより個片化すると、図７（ａ）に示される状態となる。   Thus, when the tape 210 is attached to the upper surface 31 of the lead frame 30 so as to straddle between the lead frames 30, sealing with the mold resin 40 is performed in the same manner as described above, and then separated into pieces by dicing cut. The state shown in FIG.

その後、さらに、ダイシングやレーザによってモールド樹脂４０に切り込みを入れるなどにより、テープ２１０上のモールド樹脂４０を除去する（図７（ｂ）参照）。そして、光照射、加熱等によってテープ２１０の密着力を低下させるなどにより、テープ２１０を除去する（図７（ｃ）参照）。こうして、上記図６に示されるような上向き面４４を有する本実施形態のモールドパッケージ１０３ができあがる。   Thereafter, the mold resin 40 on the tape 210 is further removed by cutting the mold resin 40 with dicing or laser (see FIG. 7B). Then, the tape 210 is removed by reducing the adhesion of the tape 210 by light irradiation, heating, or the like (see FIG. 7C). Thus, the mold package 103 of the present embodiment having the upward surface 44 as shown in FIG. 6 is completed.

（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０４の概略断面構成を示す図である。 (Fifth embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 104 according to the fifth embodiment of the present invention.

図８に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０４では、モールド樹脂４０における上向き面４４を、モールド樹脂４０における上面４１と側面４３とのなす角部の一部を、テーパ状に面取りした傾斜面として構成している。このような上向き面４４は、上記第１実施形態と同様、モールド樹脂４０のカットにより形成できる。   As shown in FIG. 8, in the mold package 104 of the present embodiment, the upward surface 44 in the mold resin 40 is chamfered in a tapered shape at a part of the corner formed by the upper surface 41 and the side surface 43 in the mold resin 40. It is configured as an inclined surface. Such an upward surface 44 can be formed by cutting the mold resin 40 as in the first embodiment.

具体的には、図８に示されるように、当該角部をテーパ状に面取りした傾斜面が、モールド樹脂４０の側面４３から上面４１に向かって延びている。そして、この傾斜面は、モールド樹脂４０の上面４１まで到達しておらず、途中で途切れた形になっている。   Specifically, as shown in FIG. 8, an inclined surface whose corners are chamfered in a taper shape extends from the side surface 43 of the mold resin 40 toward the upper surface 41. This inclined surface does not reach the upper surface 41 of the mold resin 40, and has a shape interrupted in the middle.

つまり、本実施形態の上向き面４４は、当該上面４１と当該側面４３とのなす角部を、側面４３側から上面４１に向かって側面４３と上面４１との中間部までテーパ状に面取りした傾斜面である。一方、上記第１実施形態に示した上向き面４４は（上記図１参照）、上面４１と側面４３とのなす角部の全体を面取りしたものである。   In other words, the upward surface 44 of the present embodiment is inclined such that the corner formed by the upper surface 41 and the side surface 43 is chamfered in a tapered shape from the side surface 43 side toward the upper surface 41 to an intermediate portion between the side surface 43 and the upper surface 41. Surface. On the other hand, the upward surface 44 shown in the first embodiment (see FIG. 1 above) is a chamfered corner portion formed by the upper surface 41 and the side surface 43.

そのため、上記第１実施形態に比べて、本実施形態では、モールド樹脂４０の上面４１の寸法を大きくすることが可能となる。つまり、本実施形態では、モールド樹脂４０に上向き面４４を形成したとしても、モールド樹脂４０の上面４１の面積を極力減少させることがなく、モールド樹脂４０の上下厚さのアンバランスを抑制しやすくなる。   Therefore, compared with the said 1st Embodiment, in this embodiment, it becomes possible to enlarge the dimension of the upper surface 41 of the mold resin 40. FIG. That is, in this embodiment, even if the upward surface 44 is formed on the mold resin 40, the area of the upper surface 41 of the mold resin 40 is not reduced as much as possible, and it is easy to suppress the upper and lower thickness imbalance of the mold resin 40. Become.

傾斜面としての上向き面４４を形成した場合において、モールド樹脂４０の上面４１と下面４２とで面積差が大きいと、上記アンバランスが大きくなり、それに起因してモールド樹脂４０が反りやすくなる。本実施形態では、そのようなアンバランスによる反りを低減し、パッケージの信頼性が向上する。   In the case where the upward surface 44 as the inclined surface is formed, if the area difference between the upper surface 41 and the lower surface 42 of the mold resin 40 is large, the imbalance becomes large, and the mold resin 40 is likely to warp due to this. In the present embodiment, such warpage due to imbalance is reduced, and the reliability of the package is improved.

（第６実施形態）
図９は、本発明の第６実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０５の概略断面構成を示す図である。 (Sixth embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 105 according to the sixth embodiment of the present invention.

図９に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０５では、モールド樹脂４０において上向き面４４の近傍に、リードフレーム３０の露出部位を外部の接続部材に接続するときの位置決め用の凹凸部４５が設けられている。   As shown in FIG. 9, in the mold package 105 of the present embodiment, an uneven portion 45 for positioning when connecting the exposed portion of the lead frame 30 to an external connection member in the vicinity of the upward surface 44 in the mold resin 40. Is provided.

この凹凸部４５は、型成形や切削などにより形成できる。ここでは、凹凸部４５は凹部であるが、凸部であってもよい。このような凹凸部４５は、相手側の接続部材に設けた凹凸と噛み合わせることで、位置決めが容易となる。このように、凹凸部４５は、上向き面４４に外部から接続部材を持ってきたときに、位置あわせの目印となるものであればよく、その凹凸形状は特に限定されるものではない。   The uneven portion 45 can be formed by molding or cutting. Here, the concave and convex portion 45 is a concave portion, but may be a convex portion. Such uneven portions 45 are easily positioned by engaging with the uneven portions provided on the mating connection member. As described above, the concavo-convex portion 45 only needs to be a mark for alignment when the connection member is brought to the upward surface 44 from the outside, and the concavo-convex shape is not particularly limited.

本実施形態によれば、外部の接続部材とモールドパッケージとの接続時において、これら両者の位置あわせが容易になる。   According to this embodiment, when connecting an external connection member and a mold package, it becomes easy to align both of them.

（第７実施形態）
図１０は、本発明の第７実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０６の概略断面構成を示す図である。上記各実施形態では、リードフレーム３０のすべてが、モールド樹脂４０の下面４２にて露出せずに上向き面４４にて露出するものであったが、すべてのリードフレーム３０がこのような構成でなくてもよい。 (Seventh embodiment)
FIG. 10 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 106 according to the seventh embodiment of the present invention. In each of the embodiments described above, all of the lead frame 30 is not exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40 but exposed at the upward surface 44. However, all the lead frames 30 are not configured in this way. May be.

図１０に示される本実施形態のモールドパッケージ１０６では、複数のリードフレーム３０のうち、モールド樹脂４０の下面４２にて露出せずに上向き面４４にて露出するリードフレーム３０もあるが、モールド樹脂４０の下面４２にて露出するリードフレーム３０もある。   In the mold package 106 of the present embodiment shown in FIG. 10, among the plurality of lead frames 30, there is a lead frame 30 that is not exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40 but is exposed at the upward surface 44. There is also a lead frame 30 exposed at the lower surface 42 of 40.

たとえば、線径がφ２０μｍ〜３０μｍ程度であるＡｕよりなるボンディングワイヤ７０を接続するリードフレーム３０については、回路基板２０の一面２１との段差を少なくするように配置するため、モールド樹脂４０の下面４２にて露出させずに上向き面４４にて露出させている。   For example, the lead frame 30 for connecting the bonding wire 70 made of Au having a wire diameter of about 20 μm to 30 μm is arranged so as to reduce the level difference from the one surface 21 of the circuit board 20, and therefore the lower surface 42 of the mold resin 40. It is exposed at the upward surface 44 without being exposed at.

一方、このワイヤよりも太い（たとえば線径：φ８０μｍ以上）Ａｌなどのボンディングワイヤ７０を接続するリードフレーム３０については、モールド樹脂４０の下面４２にて露出させてもかまわない。これは、太いボンディングワイヤ７０で接続を行うことにより、ワイヤボンディングの段差があっても接続信頼性を確保できるためである。   On the other hand, the lead frame 30 that connects the bonding wire 70 such as Al that is thicker than this wire (for example, wire diameter: φ80 μm or more) may be exposed on the lower surface 42 of the mold resin 40. This is because the connection reliability can be ensured by connecting with the thick bonding wire 70 even if there is a step of wire bonding.

もちろん、本実施形態では、モールド樹脂４０の下面４２にて露出せずに上向き面４４にて露出するリードフレーム３０によって、上記各実施形態と同様の効果を奏するものである。   Of course, in the present embodiment, the lead frame 30 exposed at the upward surface 44 without being exposed at the lower surface 42 of the mold resin 40 has the same effects as the above-described embodiments.

（第８実施形態）
図１１は、本発明の第８実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０７の概略断面構成を示す図である。上記各実施形態では、モールド樹脂４０における上向き面４４は、モールド樹脂４０における上面４１と側面４３との間に設けられていた。 (Eighth embodiment)
FIG. 11 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package 107 according to the eighth embodiment of the present invention. In each of the above embodiments, the upward surface 44 of the mold resin 40 is provided between the upper surface 41 and the side surface 43 of the mold resin 40.

それに対して、図１１に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０７では、上記側面が存在しておらず、上向き面４４は、モールド樹脂４０の上面４１から下面４２まで延び且つ回路基板２０の上面２１の上方側を向く傾斜面として構成されている。この場合も、適切なワイヤボンディング性を確保しつつ、モールド樹脂４０の上方側からリードフレーム３０と外部との電気的接続を行うことができる。   On the other hand, as shown in FIG. 11, in the mold package 107 of the present embodiment, the side surface does not exist, and the upward surface 44 extends from the upper surface 41 to the lower surface 42 of the mold resin 40 and the circuit board 20. It is comprised as an inclined surface which faces the upper side of the upper surface 21 of this. Also in this case, the lead frame 30 can be electrically connected to the outside from the upper side of the mold resin 40 while ensuring appropriate wire bonding properties.

つまり、上記した側面の有無にかかわらず、モールド樹脂４０の外表面としての上向き面４４は、モールド樹脂４０の上面４１とモールド樹脂４０の下面４２との間にて回路基板２０の上面２１の上方側を向いている面であればよい。   That is, the upward surface 44 as the outer surface of the mold resin 40 is located above the upper surface 21 of the circuit board 20 between the upper surface 41 of the mold resin 40 and the lower surface 42 of the mold resin 40 regardless of the presence or absence of the side surfaces described above. Any surface that faces the side may be used.

（他の実施形態）
図１２は、本発明の他の実施形態を示す概略断面図であり、リードフレーム３０およびその近傍部を示している。この種のモールドパッケージにおいては、リードフレーム３０とモールド樹脂４０との密着力の確保は重要である。 (Other embodiments)
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the present invention, showing a lead frame 30 and its vicinity. In this type of mold package, it is important to secure adhesion between the lead frame 30 and the mold resin 40.

そこで、図１２に示されるように、リードフレーム３０の表面のうちモールド樹脂４０と密着する部位に、溝３０ａを設けることでリードフレーム３０とモールド樹脂４０との密着性を向上させてもよい。   Therefore, as shown in FIG. 12, the adhesion between the lead frame 30 and the mold resin 40 may be improved by providing a groove 30 a in a portion of the surface of the lead frame 30 that is in close contact with the mold resin 40.

また、モールド樹脂４０の上向き面は、上記各実施形態では平面であったが、凹状もしくは凸状の曲面であってもよい。   The upward surface of the mold resin 40 is a flat surface in each of the above embodiments, but may be a concave or convex curved surface.

また、モールドパッケージとしては、回路基板と、回路基板の一面上に搭載された電子部品と、回路基板の端面の側方に配置され回路基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続されたリードフレームと、これらを包み込むように封止するモールド樹脂とを備えるものであればよく、場合によっては、ヒートシンクは無いものでもよい。   The mold package includes a circuit board, an electronic component mounted on one surface of the circuit board, and a lead frame that is disposed on the side of the end face of the circuit board and is electrically connected to the circuit board through bonding wires. And a mold resin that seals them so as to wrap them. In some cases, there may be no heat sink.

ただし、上述したように、厚いヒートシンク１０が回路基板２０の下方に存在する場合、上記したワイヤボンディングの段差の問題が顕著になるため、上記した上向き面４４においてリードフレーム３０を露出させることは効果的である。   However, as described above, when the thick heat sink 10 exists below the circuit board 20, the above-described problem of the step difference in wire bonding becomes significant. Therefore, it is effective to expose the lead frame 30 on the upward surface 44 described above. Is.

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）のパッケージにおける主として上向き面の部分を示す概略斜視図である。(A) is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 1st Embodiment of this invention, (b) is a schematic perspective view which mainly shows the part of the upward surface in the package of (a). 上記第１実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the mold package which concerns on the said 1st Embodiment. （ａ）は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は第２実施形態のもう一つの例としてのリードフレームの斜視図である。(A) is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 2nd Embodiment of this invention, (b) is a perspective view of the lead frame as another example of 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 上記第３実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the mold package which concerns on the said 3rd Embodiment. （ａ）は、本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は（ｂ）中のＡ矢視平面図である。(A) is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 4th Embodiment of this invention, (b) is an A arrow top view in (b). 上記第４実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the mold package which concerns on the said 4th Embodiment. 本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package which concerns on 8th Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows other embodiment of this invention. 本発明者の試作品としてのモールドパッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mold package as a prototype of this inventor.

符号の説明Explanation of symbols

２０…回路基板、２１…回路基板の上面、２２…回路基板の下面、
２３…回路基板の端面、３０…リードフレーム、３１…リードフレームの上面、
４０…モールド樹脂、４１…モールド樹脂の第１の面としての上面、
４２…モールド樹脂の第２の面としての下面、
４３…モールド樹脂の第３の面としての側面、４４…モールド樹脂の上向き面、
４５…位置決め用の凹凸部、５０…電子部品としてのＩＣチップ、
５１…電子部品としてのコンデンサ、７０…ボンディングワイヤ、
１００…モールドパッケージ、２００…テープ、３００…金型、３０１…金型の突起。 20 ... circuit board, 21 ... upper surface of the circuit board, 22 ... lower surface of the circuit board,
23 ... End surface of the circuit board, 30 ... Lead frame, 31 ... Upper surface of the lead frame,
40 ... mold resin, 41 ... upper surface as a first surface of the mold resin,
42 ... the lower surface as the second surface of the mold resin,
43: Side surface as a third surface of the mold resin, 44: Upward surface of the mold resin,
45: Uneven portions for positioning, 50 ... IC chip as an electronic component,
51: Capacitor as an electronic component, 70: Bonding wire,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Mold package, 200 ... Tape, 300 ... Mold, 301 ... Protrusion of mold.

Claims (10)

回路基板（２０）と、
前記回路基板（２０）の一面（２１）の上に搭載された電子部品（５０、５１）と、
前記回路基板（２０）の端面（２３）の側方に配置され、前記回路基板（２０）とボンディングワイヤ（７０）を介して電気的に接続されたリードフレーム（３０）と、
前記回路基板（２０）、前記電子部品（５０、５１）、前記ボンディングワイヤ（７０）および前記リードフレーム（３０）を包み込むように封止するモールド樹脂（４０）とを備え、
前記モールド樹脂（４０）の外表面のうち、前記回路基板（２０）の前記一面（２１）の上側にて当該一面（２１）を覆うように位置する面が第１の面（４１）として構成され、前記第１の面（４１）とは反対側に位置する面が第２の面（４２）として構成されているアウターリードレスタイプのモールドパッケージであって、
前記モールド樹脂（４０）の前記第１の面（４１）と前記第２の面（４２）との間には、前記回路基板（２０）の前記一面（２１）の上方側を向いている上向き面（４４）が設けられており、
前記リードフレーム（３０）の一部が、前記上向き面（４４）にて前記モールド樹脂（４０）から露出しており、
前記上向き面（４４）において露出する前記リードフレーム（３０）の部位は、前記モールド樹脂（４０）と共に前記リードフレーム（３０）を切断することにより形成された切断面の一部として構成されていることを特徴とするモールドパッケージ。 A circuit board (20);
Electronic components (50, 51) mounted on one surface (21) of the circuit board (20);
A lead frame (30) disposed on a side of the end face (23) of the circuit board (20) and electrically connected to the circuit board (20) via a bonding wire (70);
A mold resin (40) for sealing the circuit board (20), the electronic components (50, 51), the bonding wires (70), and the lead frame (30);
Of the outer surface of the mold resin (40), a surface positioned to cover the one surface (21) above the one surface (21) of the circuit board (20) is configured as a first surface (41). An outer leadless mold package in which a surface located on the opposite side of the first surface (41) is configured as a second surface (42),
Between the first surface (41) and the second surface (42) of the mold resin (40), the upward direction that faces the upper side of the one surface (21) of the circuit board (20) A surface (44) is provided,
A portion of the lead frame (30) is exposed from the mold resin (40) at the upward surface (44),
The portion of the lead frame (30) exposed in the upward surface (44) is configured as a part of a cut surface formed by cutting the lead frame (30) together with the mold resin (40) . A mold package characterized by that. 前記リードフレーム（３０）における前記ボンディングワイヤ（７０）の接続されている面（３１）は、前記回路基板（２０）の側方において前記回路基板（２０）の厚さの範囲に位置していることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。   The surface (31) to which the bonding wire (70) is connected in the lead frame (30) is located in the thickness range of the circuit board (20) on the side of the circuit board (20). The mold package according to claim 1. 前記モールド樹脂（４０）の外表面のうち、前記第２の面（４２）の外周端部に位置し前記第２の面（４２）と直交する面が、第３の面（４３）として構成されており、
前記上向き面（４４）は、前記モールド樹脂（４０）の前記第１の面（４１）と前記第３の面（４３）との間に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。 Of the outer surface of the mold resin (40), a surface located at the outer peripheral end of the second surface (42) and orthogonal to the second surface (42) constitutes a third surface (43). Has been
The said upward surface (44) is provided between the said 1st surface (41) and the said 3rd surface (43) of the said mold resin (40), The Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. The mold package described in 1. 前記上向き面（４４）は、前記第１の面（４１）と前記第３の面（４３）とのなす角部をテーパ状に面取りした傾斜面であることを特徴とする請求項３に記載のモールドパッケージ。   The said upward surface (44) is an inclined surface which chamfered the corner | angular part which the said 1st surface (41) and the said 3rd surface (43) make in a taper shape. Mold package. 前記傾斜面としての前記上向き面（４４）において露出する前記リードフレーム（３０）の部位は、前記上向き面（４４）と同一の傾斜を有する傾斜面となっていることを特徴とする請求項４に記載のモールドパッケージ。   The portion of the lead frame (30) exposed in the upward surface (44) as the inclined surface is an inclined surface having the same inclination as the upward surface (44). The mold package described in 1. 前記リードフレーム（３０）のうち前記上向き面（４４）にて露出する部位は、前記モールド樹脂（４０）にて封止されている部位よりも太いものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。   The part of the lead frame (30) exposed at the upward surface (44) is thicker than the part sealed with the mold resin (40). The mold package according to any one of 5. 前記回路基板（２０）における前記一面（２１）とは反対側に位置する前記回路基板（２０）の他面（２２）には、ヒートシンク（１０）が取り付けられており、A heat sink (10) is attached to the other surface (22) of the circuit board (20) located on the opposite side of the one surface (21) of the circuit board (20),
前記傾斜面としての前記上向き面（４４）は、前記ヒートシンク（１０）を前記モールド樹脂（４０）の前記第１の面（４１）に投影した領域の外側に位置していることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。The upward surface (44) as the inclined surface is located outside a region where the heat sink (10) is projected onto the first surface (41) of the mold resin (40). The mold package according to any one of claims 4 to 6. 前記モールド樹脂（４０）における前記上向き面（４４）は、前記第１の面（４１）と前記第３の面（４３）とのなす角部の一部を、テーパ状に面取りした傾斜面であることを特徴とする請求項３ないし７のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。The upward surface (44) in the mold resin (40) is an inclined surface in which a part of a corner formed by the first surface (41) and the third surface (43) is chamfered in a tapered shape. The mold package according to claim 3, wherein the mold package is provided. 回路基板（２０）と、A circuit board (20);
前記回路基板（２０）の一面（２１）の上に搭載された電子部品（５０、５１）と、Electronic components (50, 51) mounted on one surface (21) of the circuit board (20);
前記回路基板（２０）の端面（２３）の側方に配置され、前記回路基板（２０）とボンディングワイヤ（７０）を介して電気的に接続されたリードフレーム（３０）と、A lead frame (30) disposed on a side of the end face (23) of the circuit board (20) and electrically connected to the circuit board (20) via a bonding wire (70);
前記回路基板（２０）、前記電子部品（５０、５１）、前記ボンディングワイヤ（７０）および前記リードフレーム（３０）を包み込むように封止するモールド樹脂（４０）とを備え、A mold resin (40) for sealing the circuit board (20), the electronic components (50, 51), the bonding wires (70), and the lead frame (30);
前記モールド樹脂（４０）の外表面のうち、前記回路基板（２０）の前記一面（２１）の上側にて当該一面（２１）を覆うように位置する面が第１の面（４１）として構成され、前記第１の面（４１）とは反対側に位置する面が第２の面（４２）として構成されているアウターリードレスタイプのモールドパッケージであって、Of the outer surface of the mold resin (40), a surface positioned to cover the one surface (21) above the one surface (21) of the circuit board (20) is configured as a first surface (41). An outer leadless mold package in which a surface located on the opposite side of the first surface (41) is configured as a second surface (42),
前記モールド樹脂（４０）の前記第１の面（４１）と前記第２の面（４２）との間には、前記回路基板（２０）の前記一面（２１）の上方側を向いている上向き面（４４）が設けられており、Between the first surface (41) and the second surface (42) of the mold resin (40), the upward direction that faces the upper side of the one surface (21) of the circuit board (20) A surface (44) is provided,
前記リードフレーム（３０）の一部が、前記上向き面（４４）にて前記モールド樹脂（４０）から露出しており、A part of the lead frame (30) is exposed from the mold resin (40) at the upward surface (44),
前記モールド樹脂（４０）において前記上向き面（４４）には、前記上向き面（４４）において露出する前記リードフレーム（３０）の部位を外部の接続部材に接続するときの位置決め用の凹凸部（４５）が設けられていることを特徴とするモールドパッケージ。On the upward surface (44) of the mold resin (40), an uneven portion (45 for positioning) when the portion of the lead frame (30) exposed on the upward surface (44) is connected to an external connecting member. ) Is provided. 請求項５に記載のモールドパッケージを製造する製造方法であって、A manufacturing method for manufacturing the mold package according to claim 5,
複数個の前記リードフレーム（３０）が連結された多連のリードフレームを用意し、Preparing a plurality of lead frames in which a plurality of the lead frames (30) are connected;
前記回路基板（２０）の前記一面（２１）に前記電子部品（５０、５１）を搭載し、前記回路基板（２０）と前記リードフレーム（３０）とを前記ボンディングワイヤ（７０）を介して電気的に接続したものを、前記モールド樹脂（４０）にて封止し、The electronic component (50, 51) is mounted on the one surface (21) of the circuit board (20), and the circuit board (20) and the lead frame (30) are electrically connected via the bonding wires (70). Are connected with the mold resin (40),
その後、前記多連のリードフレームを個片化するために当該多連のリードフレームおよび前記モールド樹脂（４０）をダイシングカットした後、Then, after dicing and cutting the multiple lead frames and the mold resin (40) in order to divide the multiple lead frames into pieces,
前記モールド樹脂（４０）における前記第１の面（４１）と前記第３の面（４３）とのなす角部を、テーパ状に面取りするように前記リードフレーム（３０）とともにカットすることを特徴とするモールドパッケージの製造方法。A corner portion formed by the first surface (41) and the third surface (43) in the mold resin (40) is cut together with the lead frame (30) so as to be chamfered in a tapered shape. A method for manufacturing a mold package.
JP2007136594A 2007-05-23 2007-05-23 Mold package and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP5458476B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007136594A JP5458476B2 (en) 2007-05-23 2007-05-23 Mold package and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007136594A JP5458476B2 (en) 2007-05-23 2007-05-23 Mold package and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008294132A JP2008294132A (en) 2008-12-04
JP5458476B2 true JP5458476B2 (en) 2014-04-02

Family

ID=40168566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007136594A Expired - Fee Related JP5458476B2 (en) 2007-05-23 2007-05-23 Mold package and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5458476B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129930A (en) * 2007-11-19 2009-06-11 Mitsumi Electric Co Ltd Circuit module, and manufacturing method of circuit module
JP2010232575A (en) * 2009-03-30 2010-10-14 Hitachi Automotive Systems Ltd Electronic controller for transmission
JP2016029676A (en) * 2012-12-19 2016-03-03 富士電機株式会社 Semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07105465B2 (en) * 1989-01-10 1995-11-13 富士通株式会社 Hybrid integrated circuit device
JP2503360Y2 (en) * 1989-06-30 1996-06-26 株式会社リコー Resin-sealed semiconductor integrated circuit device
JPH0758248A (en) * 1993-08-09 1995-03-03 Toshiba Corp Semiconductor device and manufacture thereof
JP4600124B2 (en) * 2005-04-04 2010-12-15 ソニー株式会社 Manufacturing method of semiconductor package

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008294132A (en) 2008-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5122835B2 (en) Semiconductor device, lead frame, and manufacturing method of semiconductor device
JP4860939B2 (en) Semiconductor device
US8853841B2 (en) Lead frame which includes terminal portion having through groove covered by lid portion, semiconductor package, and manufacturing method of the same
JP4872683B2 (en) Mold package manufacturing method
JP4705881B2 (en) Lead frame and semiconductor device using the same
JP5458476B2 (en) Mold package and manufacturing method thereof
JP2002064224A (en) Light-emitting diode and its manufacturing method
KR100274854B1 (en) Semiconductor device and lead frame for semiconductor device
JP2009038375A (en) Semiconductor package apparatus and method of manufacturing the same
JP2008016469A (en) Semiconductor device
EP2688098B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6909630B2 (en) Semiconductor device
JP4111199B2 (en) Semiconductor package and method for mounting the same on a circuit board
JP2007150044A (en) Semiconductor device
KR102359873B1 (en) Package substrate and semiconductor package including the same
JP2011192817A (en) Surface mounted semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH06236956A (en) Semiconductor device and its manufacture
JP2013012567A (en) Semiconductor device
JP4994883B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
CN108807337B (en) COB packaging structure
JP2007201251A (en) Semiconductor package, and manufacturing method thereof
JP4386552B2 (en) Structure of light emitting / receiving semiconductor device
JP5359176B2 (en) Mold package and manufacturing method thereof
JP2002164496A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016197636A (en) Molded package

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090626

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121029

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130716

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131011

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131230

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5458476

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees