JP6353287B2 - Hall sensor - Google Patents
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Description
本発明は、ホールセンサに関する。 The present invention relates to a hall sensor.
ホールセンサは、携帯電話の開閉スイッチやカメラレンズの位置検出等の様々な分野で使用されている。例えば特許文献1には、リードフレームと、リードフレームの上に設けられたホール素子チップと、リードフレームにホール素子チップを固定する接着剤と、ホール素子チップをモールドするモールド樹脂とを備えたホールセンサが開示されている。 Hall sensors are used in various fields such as opening / closing switches for mobile phones and camera lens position detection. For example, Patent Document 1 discloses a hole including a lead frame, a Hall element chip provided on the lead frame, an adhesive for fixing the Hall element chip to the lead frame, and a mold resin for molding the Hall element chip. A sensor is disclosed.
上記特許文献1のホールセンサにはその構造上、放熱性が悪く、パッケージ内部の温度が上昇しやすいという問題がある。ホール素子は温度によってその出力が変化するため、パッケージ内部の温度が上昇すると、ホールセンサの出力が変動してしまう。
そこで、本発明は、放熱性が高く、出力安定性が高いホールセンサを提供することを目的としている。
The Hall sensor disclosed in Patent Document 1 has a problem that heat dissipation is poor due to its structure, and the temperature inside the package is likely to rise. Since the output of the Hall element changes with temperature, the output of the Hall sensor fluctuates when the temperature inside the package rises.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a Hall sensor that has high heat dissipation and high output stability.
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るホールセンサは、基板と、前記基板上に設けられた感磁部と、前記基板上に設けられた複数の電極部と、を有するホール素子と、前記ホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、前記複数の電極部と前記複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導電性接続部材と、前記ホール素子と前記複数のリード端子と前記導電性接続部材とをモールドするモールド部材と、を備え、前記基板が有する複数の面のうち、前記複数の電極部が設けられている面とは反対側の面を前記基板の第1面とし、前記複数のリード端子が有する複数の面のうち、前記導電性接続部材と接続している面とは反対側の面を前記複数のリード端子の第1面としたときに、前記基板の第1面及び前記複数のリード端子の第1面は共に、前記モールド部材の同一の面から露出しており、前記基板は、GaAs基板であり、前記GaAs基板の抵抗率は5.0×10 7 Ω・cm以上であることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a Hall sensor according to one embodiment of the present invention includes a substrate, a magnetic sensing portion provided on the substrate, and a plurality of electrode portions provided on the substrate. An element, a plurality of lead terminals arranged around the Hall element, a conductive connection member that electrically connects the plurality of electrode portions and the plurality of lead terminals, and the Hall element and the plurality of the plurality of lead terminals. A mold member that molds the lead terminal and the conductive connection member, and of the plurality of surfaces of the substrate, the surface opposite to the surface on which the plurality of electrode portions are provided is formed on the substrate. When the surface opposite to the surface connected to the conductive connecting member among the plurality of surfaces of the plurality of lead terminals is the first surface of the plurality of lead terminals, The first surface of the substrate and the plurality of re- Both the first surface of the de-terminals are exposed from the same surface of the mold member, the substrate is a GaAs substrate, the resistivity of the GaAs substrate is 5.0 × 10 7 Ω · cm or more der It is characterized by that.
本発明によれば、放熱性が高く、出力安定性が高いホールセンサを提供することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide a Hall sensor with high heat dissipation and high output stability.
本発明の実施形態に係るホールセンサは、基板と、基板上に設けられた感磁部と、基板上に設けられた複数の電極部と、を有するホール素子と、ホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、複数の電極部と複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導電性接続部材と、ホール素子と複数のリード端子と導電性接続部材とをモールドするモールド部材と、を備える。本発明の実施形態に係るホールセンサは、基板が有する複数の面のうち、複数の電極部が設けられている面とは反対側の面を基板の第1面とし、複数のリード端子が有する複数の面のうち導電性接続部材と接続している面とは反対側の面を複数のリード端子の第1面としたときに、基板の第1面及び複数のリード端子の第1面は共に、モールド部材の同一の面から露出している。
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
A Hall sensor according to an embodiment of the present invention is disposed around a Hall element having a substrate, a magnetic sensing portion provided on the substrate, and a plurality of electrode portions provided on the substrate. A plurality of lead terminals, a conductive connection member that electrically connects the plurality of electrode portions and the plurality of lead terminals, a molding member that molds the Hall element, the plurality of lead terminals, and the conductive connection member, Is provided. The Hall sensor according to the embodiment of the present invention has a plurality of leads having a first surface of the substrate opposite to a surface on which the plurality of electrode portions are provided, among the plurality of surfaces of the substrate. When the surface opposite to the surface connected to the conductive connecting member among the plurality of surfaces is the first surface of the plurality of lead terminals, the first surface of the substrate and the first surface of the plurality of lead terminals are Both are exposed from the same surface of the mold member.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof may be omitted.
<第1実施形態>
(構成)
図1(a)〜(d)は、本発明の第1実施形態に係るホールセンサ100の構成例を示す断面図と平面図と底面図、及び外観図である。図1(a)は、図1(b)を破線A−A´で切断した断面を示している。また、図1(b)では、図面の複雑化を回避するために、モールド部材を省略して示している。
図1(a)〜(d)に示すように、ホールセンサ100は、ホール素子10と、リード端子20と、複数の金属細線(導電性接続部材)31〜34と、モールド部材50と、外装めっき層60とを備える。また、リード端子20は、複数のリード端子22〜25を有する。
<First Embodiment>
(Constitution)
1A to 1D are a cross-sectional view, a plan view, a bottom view, and an external view showing a configuration example of the
As shown in FIGS. 1A to 1D, the
ホール素子10は、例えば半絶縁性のガリウムヒ素(GaAs)基板11と、このGaAs基板11上に形成された半導体薄膜からなる感磁部(即ち、活性層)12と、感磁部12に電気的に接続する電極13a〜13dとを有する。感磁部12は、例えば平面視で十字(クロス)型であり、クロスの4つの先端部上にそれぞれ電極13a〜13dが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極13a、13cがホール素子に電流を流すための入力端子であり、電極13a、13cを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極13b、13dがホール素子から電圧を出力するための出力端子である。ホール素子10の厚さは、例えば0.10mm以下である。
The
ホールセンサ100は、アイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子22〜25を有する。図1(b)に示すように、リード端子22〜25は、ホール素子10の周囲(例えば、ホールセンサ100の四隅近傍)に配置されている。例えば、リード端子22とリード端子24とがホール素子10を挟んで対向するように配置されている。また、リード端子23とリード端子25とがホール素子10を挟んで対向するように配置されている。さらに、リード端子22とリード端子24とを結ぶ直線(仮想線)と、リード端子23とリード端子25とを結ぶ直線(仮想線)とが平面視で交差するように、リード端子22〜25はそれぞれ配置されている。リード端子20(リード端子22〜25)は、例えば銅(Cu)等の金属からなる。また、リード端子20は、その面側又は裏面の一部がエッチング(即ち、ハーフエッチング)されていてもよい。
The
なお、図示しないが、リード端子20の表面で(図1(a)における上面側)、金属細線31〜34で接続されるリード端子22〜25の表面には、Agめっきが施されていることが電気的接続の観点から好ましい。
また、別の態様で、リード端子20の少なくとも表面及び裏面には、外装めっき層60に代えて、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっきが施されていてもよい。磁気センサであるが、アイランドレスのため、磁性体であるNiめっき膜の影響を受けにくいため実施が可能となる。
In addition, although not shown in figure, Ag plating is given to the surface of the lead terminals 22-25 connected by the metal fine wires 31-34 on the surface of the lead terminal 20 (upper surface side in Fig.1 (a)). Is preferable from the viewpoint of electrical connection.
Further, in another aspect, at least the front surface and the back surface of the
金属細線31〜34は、ホール素子10が有する電極13a〜13dと、リード端子22〜25をそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金(Au)からなる。図1(b)に示すように、金属細線31はリード端子22と電極13aとを接続し、金属細線32はリード端子23と電極13bとを接続している。また、金属細線33はリード端子24と電極13cとを接続し、金属細線34はリード端子25と電極13dとを接続している。
The
モールド部材50は、ホール素子10と、リード端子20と、金属細線31〜34とをモールドしている。言いかえると、モールド部材50は、ホール素子10と、リード端子20の少なくとも表面側(即ち、金属細線と接続する側の面)と、金属細線31〜34とを覆って保護(即ち、樹脂封止)している。モールド部材50は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。
The
図1(a)及び(c)に示すように、ホールセンサ100の底面側(即ち、配線基板に実装する側)では、各リード端子22〜25の第1面(例えば、裏面)の少なくとも一部と、GaAs基板11の第1面(例えば、裏面)の少なくとも一部とが、モールド部材50の同一の面(例えば、裏面)からそれぞれ露出している。ここで、各リード端子22〜25の第1面は、各リード端子22〜25がそれぞれ有する複数の面のうち、金属細線31〜34と接続している面とは反対側の面である。GaAs基板11の第1面は、GaAs基板11が有する複数の面のうち、複数の電極部13a〜13dが設けられている面とは反対側の面である。
また、外装めっき層60は、モールド部材50から露出しているリード端子22〜25の裏面に形成されている。外装めっき層60は、例えばスズ(Sn)等からなる。
As shown in FIGS. 1A and 1C, on the bottom surface side of the Hall sensor 100 (that is, the side mounted on the wiring board), at least one of the first surfaces (for example, the back surface) of each lead terminal 22-25. And at least a part of the first surface (for example, the back surface) of the GaAs substrate 11 are exposed from the same surface (for example, the back surface) of the
The
(動作)
上記のホールセンサ100を用いて磁気(磁界)を検出する場合は、例えば、リード端子22を電源電位(+)に接続すると共に、リード端子24を接地電位(GND)に接続して、リード端子22からリード端子24に電流を流す。そして、リード端子23、25間の電位差V1−V2(=ホール出力電圧VH)を測定する。ホール出力電圧VHの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧VHの正負から磁界の向きを検出する。
即ち、リード端子22は、ホール素子10に所定電圧を供給する電源用リード端子である。リード端子24は、ホール素子10に接地電位を供給する接地用リード端子である。リード端子23、25は、ホール素子10のホール起電力信号を取り出す信号取出用リード端子である。
(Operation)
In the case of detecting magnetism (magnetic field) using the
That is, the
(製造方法)
本発明の実施形態に係るホールセンサの製造方法は、基材の一方の面に複数のリード端子が形成されたリードフレームを準備する工程と、基材の一方の面の複数のリード端子で囲まれる領域にホール素子を載置する工程と、ホール素子が有する複数の電極部と複数のリード端子とを複数の導線でそれぞれ電気的に接続する工程と、基材のホール素子が載置された面側をモールド部材でモールドする工程と、モールド部材から基材を分離してホール素子の基板と複数のリード端子とをモールド部材から露出させる工程と、を含む。
(Production method)
A method for manufacturing a Hall sensor according to an embodiment of the present invention includes a step of preparing a lead frame in which a plurality of lead terminals are formed on one surface of a substrate, and a plurality of lead terminals on one surface of the substrate. A step of placing the Hall element in a region to be formed, a step of electrically connecting a plurality of electrode portions and a plurality of lead terminals of the Hall element with a plurality of conductive wires, and a Hall element of the base material A step of molding the surface side with a mold member, and a step of separating the base material from the mold member to expose the substrate of the Hall element and the plurality of lead terminals from the mold member.
図2(a)〜(e)及び図3(a)〜(d)は、ホールセンサ100の製造方法を示す工程順に示す平面図と断面図である。なお、図2(a)〜(e)において、ダイシングのブレード幅(即ち、カーフ幅)の図示は省略している。
図2(a)に示すように、まず、前述のリード端子が形成されたリードフレーム120を用意する。このリードフレーム120は、図1(b)に示したリード端子20が平面視で縦方向及び横方向に複数繋がっている基板である。
FIGS. 2A to 2E and FIGS. 3A to 3D are a plan view and a cross-sectional view illustrating the manufacturing method of the
As shown in FIG. 2A, first, a
次に、図2(b)に示すように、リードフレーム120の裏面側に、例えば、基材として耐熱性フィルム80の一方の面を貼付する。この耐熱性フィルム80の一方の面には例えば絶縁性の粘着層が塗布されている。粘着層は、その成分として、例えばシリコーン樹脂がベースとなっている。この粘着層によって、耐熱性フィルム80にリードフレーム120を貼付し易くなっている。リードフレーム120の裏面側に耐熱性フィルム80を貼付することによって、リードフレーム120の貫通している貫通領域を、裏面側から耐熱性フィルム80で塞いだ状態となる。
なお、基材である耐熱性フィルム80としては、粘着性を有すると共に、耐熱性を有する樹脂製のテープが用いられることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 2B, for example, one surface of the heat-
In addition, as the heat
粘着性については、粘着層の糊厚がより薄いほうが好ましい。また、耐熱性については、約150℃〜200℃の温度に耐えることが必要とされる。このような耐熱性フィルム80として、例えばポリイミドテープを用いていることができる。ポリイミドテープは、約280℃に耐える耐熱性を有している。このような高い耐熱性を有するポリイミドテープは、後のモールドやワイヤーボンディング時に加わる高熱にも耐えることが可能である。また、耐熱性フィルム80としては、ポリイミドテープの他に、以下のテープを用いることも可能である。
・ポリエステルテープ 耐熱温度、約130℃(但し使用条件次第で耐熱温度は約200℃にまで達する)。
・テフロン(登録商標)テープ 耐熱温度:約180℃
・PPS(ポリフェニレンサルファイド) 耐熱温度:約160℃
・ガラスクロス 耐熱温度:約200℃
・ノーメックペーパー 耐熱温度:約150〜200℃
・他に、アラミド、クレープ紙が耐熱性フィルム80として利用し得る。
About adhesiveness, the one where the paste thickness of the adhesion layer is thinner is preferable. Moreover, about heat resistance, it is required to endure the temperature of about 150 to 200 degreeC. As such a heat-
-Polyester tape Heat-resistant temperature, about 130 ° C (however, the heat-resistant temperature reaches about 200 ° C depending on use conditions).
・ Teflon (registered trademark) tape Heat-resistant temperature: about 180 ℃
・ PPS (polyphenylene sulfide) Heat-resistant temperature: about 160 ℃
・ Glass cloth heat resistant temperature: about 200 ℃
・ Nomek Paper Heat-resistant temperature: about 150-200 ℃
In addition, aramid and crepe paper can be used as the heat
次に、図2(c)に示すように、耐熱性フィルム80の粘着層を有する面のうち、リード端子22〜25で囲まれた領域にホール素子10を載置する(即ち、ダイボンディングを行う。)。ここでは、GaAs基板11の第1面を耐熱性フィルム80の粘着層を有する面に対向させてダイボンディングを行う。
次に、図2(d)に示すように、金属細線31〜34の一端を各リード端子22〜25にそれぞれ接続し、金属細線31〜34の他端を電極13a〜13dにそれぞれ接続する(即ち、ワイヤーボンディングを行う。)。そして、図2(e)に示すように、モールド部材50を形成する(即ち、樹脂モールドを行う。)。この樹脂モールドは、例えばトランスファーモールド技術を用いて行う。
Next, as shown in FIG. 2C, the
Next, as shown in FIG. 2D, one end of the
例えば図3(a)に示すように、下金型91と上金型92とを備えるモールド金型90を用意し、このモールド金型90のキャビティ内にワイヤーボンディング後のリードフレーム120を配置する。次に、キャビティ内であって、耐熱性フィルム80の粘着層を有する面(即ち、リードフレーム120と接着している面)の側に加熱し溶融したモールド部材50を注入し、充填する。これにより、ホール素子10と、リードフレーム120と、金属細線31〜34とをモールドする。即ち、ホール素子10と、リードフレーム120の少なくとも表面側と、金属細線31〜34とをモールド部材50で覆って保護する。モールド部材50がさらに加熱し硬化したら、該モールド部材50をモールド金型から取り出す。なお、モールド後は任意の工程で、モールド部材50の表面に例えば符号等(図示せず)をマーキングしてもよい。
For example, as shown in FIG. 3 (a), a
次に、図3(b)に示すように、モールド部材50から耐熱性フィルム80を剥離する。これにより、モールド部材50からホール素子10の基板を露出させる。そして、図3(c)に示すように、リードフレーム120のモールド部材50から露出している面(少なくとも、各リード端子22〜25のモールド部材50から露出している裏面)に外装めっきを施して、外装めっき層60を形成する。
Next, as shown in FIG. 3B, the heat
次に、図3(d)に示すように、モールド部材50の上面(即ち、ホールセンサ100の外装めっき層60を有する面の反対側の面)にダイシングテープ93を貼付する。そして、例えば図2(e)に示した仮想の2点鎖線に沿って、リードフレーム120に対してブレードを相対的に移動させて、モールド部材50及びリードフレーム120を切断する(即ち、ダイシングを行う。)。つまり、モールド部材50及びリードフレーム120を複数のホール素子10の各々ごとにダイシングして個片化する。図3(d)に示すように、ダイシングされたリードフレームは、リード端子20となる。
以上の工程を経て、図1(a)〜(d)に示したホールセンサ100が完成する。
Next, as shown in FIG. 3D, a dicing
Through the above steps, the
図4は、本発明の第1実施形態に係るホールセンサ装置200の構成例を示す断面図である。ホールセンサ100が完成した後は、例えば図4に示すように配線基板250を用意し、この配線基板250の一方の面にホールセンサ100を実装する。この実装工程では、例えば、各リード端子22〜25のうち、モールド部材50から露出し且つ外装めっき層60で覆われている裏面を、ハンダ70を介して配線基板250の配線パターン251に接続する。このハンダ付けは、例えばリフロー方式で行うことができる。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration example of the
リフロー方式は、配線パターン251上にハンダペーストを塗布(即ち、印刷)し、その上に外装めっき層60が重なるように配線基板250上にホールセンサ100を配置し、この状態でハンダペーストに熱を加えてハンダを溶かす方法である。実装工程を経て、図4に示すように、ホールセンサ100と、ホールセンサ100が取り付けられる配線基板250と、ホールセンサ100の各リード端子22〜25を配線基板250の配線パターン251に電気的に接続するハンダ70と、を備えたホールセンサ装置200が完成する。
In the reflow method, a solder paste is applied (that is, printed) on the
(第1実施形態の効果)
本発明の第1実施形態は、以下の効果を奏する。
本発明の第1実施形態に係るホールセンサ100は、ホール素子10の基板11がモールド部材50から露出しており、ホール素子10の放熱性が高い。このため、ホール素子10の温度上昇が抑えられ、出力が安定している。この他、第1実施形態に係るホールセンサ100は、ホール素子10を支持するリードフレームが無いため、極めて薄い。
(第1実施形態の変形例)
上記第1実施形態では、ホール素子10の基板としてGaAs基板を用いる場合を例として説明したが、ホール素子10の基板はこれに限定されることはなく、SiやGe等の単元素半導体基板や、GaAs以外の化合物半導体基板を用いてもよい。
(Effect of 1st Embodiment)
The first embodiment of the present invention has the following effects.
In the
(Modification of the first embodiment)
In the first embodiment, the case where a GaAs substrate is used as the substrate of the
<第2実施形態>
(構成)
本発明の第2実施形態に係るホールセンサ100は、ホール素子10の基板11に抵抗率が5.0×107Ω・cm以上のGaAs基板を用いている点のみが異なる。その他の点については第1実施形態と同じである。
Second Embodiment
(Constitution)
The
(第2実施形態の効果)
本発明の第2実施形態は、以下の効果を奏する。
ホールセンサ100を配線基板250に取り付ける際に、例えば、電源電位に接続されるリード端子(即ち、電源端子)22下からホール素子10の下方までハンダ70がはみ出してしまう場合がある。ホール素子10の下方までハンダ70がはみ出すと、ホール素子10(半導体)とハンダ70(金属)との間でショットキー接合が形成される。リード端子22が電源端子であるので、上記のショットキー接合には順バイアスが印加されることになる。ここで、ホール素子10を構成する基板が従来のように厚いときは、上記のショットキー接合に順バイアスを印加しても電流はほとんど流れなかった。
(Effect of 2nd Embodiment)
The second embodiment of the present invention has the following effects.
When the
しかしながら、ホール素子10を薄くしていくと、その厚みの減少分に比例して抵抗値が減少し、ショットキー接合の順方向に電流が流れ易くなる。つまり、例えば図5に示すように、電源端子22→金属細線31→電極13a→感磁部12→電極13c→金属細線33→リード端子24の方向に電流を流した場合に、ホール素子10の厚みが薄い場合は、電源端子22→ハンダ70→ホール素子10→金属細線33→リード端子24の経路でリーク電流が流れやすくなる。
However, as the
本発明の第2実施形態は、ホール素子の基板に抵抗率が5.0×107Ω・cm以上の高抵抗のGaAs基板を用いているので、リーク電流の増大を防止することができる。この効果は、例えば、基板の厚みが0.1mm以下といった薄いホール素子で顕著である。GaAs基板11の抵抗値の上限は特に制限はないが、一例を挙げると、1.0×109Ω・cm以下である。GaAs基板の抵抗値を高くするためには、GaAs基板中のアクセプタ型不純物の濃度(例えばCの濃度)を高くすればよい。例えば、GaAs基板11の抵抗率を5.0×107Ω・cm以上とするためには、GaAs基板11中のCの濃度を1.5×1015atoms・cm−3以上にすればよい。GaAs基板11中のCの濃度の上限は、例えば、1.0×1016atoms・cm−3以下である。 In the second embodiment of the present invention, since a high-resistance GaAs substrate having a resistivity of 5.0 × 10 7 Ω · cm or more is used for the substrate of the Hall element, an increase in leakage current can be prevented. This effect is significant in a thin Hall element having a substrate thickness of 0.1 mm or less. The upper limit of the resistance value of the GaAs substrate 11 is not particularly limited, but for example, it is 1.0 × 10 9 Ω · cm or less. In order to increase the resistance value of the GaAs substrate, the concentration of acceptor impurities (for example, the concentration of C) in the GaAs substrate may be increased. For example, in order to set the resistivity of the GaAs substrate 11 to 5.0 × 10 7 Ω · cm or more, the concentration of C in the GaAs substrate 11 may be set to 1.5 × 10 15 atoms · cm −3 or more. . The upper limit of the concentration of C in the GaAs substrate 11 is, for example, 1.0 × 10 16 atoms · cm −3 or less.
<その他>
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
<Others>
The present invention is not limited to the embodiments described above. Based on the knowledge of those skilled in the art, design changes and the like can be made to each embodiment, and an aspect in which such changes and the like are added is also included in the scope of the present invention.
10 ホール素子
11 GaAs基板
12 感磁部
13a〜13d 電極(複数の電極部の一例)
20 リード端子
22 リード端子(例えば、電源端子)
23、25 リード端子
24 リード端子(例えば、接地端子)
31〜34 金属細線(導電性接続部材の一例)
13a〜13d 電極
50 モールド部材
60 めっき層
70 ハンダ
80 耐熱性フィルム
90 モールド金型
91 下金型
92 上金型
93 ダイシングテープ
100 ホールセンサ
200 ホールセンサ装置
120 リードフレーム
250 配線基板
251 配線パターン
DESCRIPTION OF
20
23, 25
31-34 Metal fine wire (an example of conductive connecting member)
13a to
Claims (6)
前記ホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記複数の電極部と前記複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導電性接続部材と、
前記ホール素子と前記複数のリード端子と前記導電性接続部材とをモールドするモールド部材と、を備え、
前記基板が有する複数の面のうち、前記複数の電極部が設けられている面とは反対側の面を前記基板の第1面とし、
前記複数のリード端子が有する複数の面のうち、前記導電性接続部材と接続している面とは反対側の面を前記複数のリード端子の第1面としたときに、
前記基板の第1面及び前記複数のリード端子の第1面は共に、前記モールド部材の同一の面から露出しており、
前記基板は、GaAs基板であり、
前記GaAs基板の抵抗率は5.0×10 7 Ω・cm以上であるホールセンサ。 A Hall element having a substrate, a magnetic sensing portion provided on the substrate, and a plurality of electrode portions provided on the substrate;
A plurality of lead terminals arranged around the Hall element;
A conductive connection member for electrically connecting the plurality of electrode portions and the plurality of lead terminals, respectively;
A mold member that molds the Hall element, the plurality of lead terminals, and the conductive connection member;
Of the plurality of surfaces of the substrate, the surface opposite to the surface on which the plurality of electrode portions are provided is the first surface of the substrate,
Among the plurality of surfaces of the plurality of lead terminals, when the surface opposite to the surface connected to the conductive connection member is the first surface of the plurality of lead terminals,
The first surface of the substrate and the first surfaces of the plurality of lead terminals are both exposed from the same surface of the mold member ,
The substrate is a GaAs substrate;
Hall sensor resistivity Ru der 5.0 × 10 7 Ω · cm or more of the GaAs substrate.
前記第二のリード端子は、前記ホール素子に接地電位を供給する接地用リード端子であり、
前記第三のリード端子と前記第四のリード端子は、前記ホール素子のホール起電力信号を取り出す信号取出用リード端子である請求項3に記載のホールセンサ。 The first lead terminal is a power lead terminal for supplying a predetermined voltage to the Hall element,
The second lead terminal is a ground lead terminal for supplying a ground potential to the Hall element,
4. The hall sensor according to claim 3 , wherein the third lead terminal and the fourth lead terminal are signal extraction lead terminals for taking out a hall electromotive force signal of the hall element.
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