JP6105898B2 - Magnetic sensor and manufacturing method thereof - Google Patents

Magnetic sensor and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP6105898B2
JP6105898B2 JP2012236896A JP2012236896A JP6105898B2 JP 6105898 B2 JP6105898 B2 JP 6105898B2 JP 2012236896 A JP2012236896 A JP 2012236896A JP 2012236896 A JP2012236896 A JP 2012236896A JP 6105898 B2 JP6105898 B2 JP 6105898B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
pellet
magnetic sensor
adhesive layer
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012236896A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014086677A (en
Inventor
敏昭 福中
敏昭 福中
長谷川　秀則
秀則 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei EMD Corp
Original Assignee
Asahi Kasei EMD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei EMD Corp filed Critical Asahi Kasei EMD Corp
Priority to JP2012236896A priority Critical patent/JP6105898B2/en
Priority to KR2020130008664U priority patent/KR20140002654U/en
Priority to TW103119283A priority patent/TWI616006B/en
Priority to CN201320665569.0U priority patent/CN203536475U/en
Publication of JP2014086677A publication Critical patent/JP2014086677A/en
Priority to KR20140069270A priority patent/KR101481368B1/en
Priority to KR1020140130983A priority patent/KR101543970B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6105898B2 publication Critical patent/JP6105898B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

本発明は、磁気センサ及びその製造方法に関し、特に、薄型化されたペレットにおいて電流を逆方向に流した場合でも、リーク電流の増大を防止できるようにした磁気センサ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a magnetic sensor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a magnetic sensor and a method for manufacturing the same that can prevent an increase in leakage current even when a current is flowed in a reverse direction in a thin pellet.

ホール効果を利用した磁気センサとして、例えば、磁気（磁界）を検出してその大きさに比例したアナログ信号を出力するホール素子や、磁気を検出してデジタル信号を出力するホールＩＣが知られている。例えば特許文献１には、リードフレームと、ペレット（即ち、磁気センサチップ）及び金属細線を備えた磁気センサが開示されている。この磁気センサにおいて、リードフレームは外部との電気的接続を得るために四隅に配置された端子を有し、ペレットはリードフレームのアイランドに搭載されている。そして、ペレットが有する電極とリードフレームが有する各端子とが金属細線で接続されている。   As a magnetic sensor using the Hall effect, for example, a Hall element that detects magnetism (magnetic field) and outputs an analog signal proportional to the magnitude, or a Hall IC that detects magnetism and outputs a digital signal is known. Yes. For example, Patent Document 1 discloses a magnetic sensor including a lead frame, a pellet (that is, a magnetic sensor chip), and a thin metal wire. In this magnetic sensor, the lead frame has terminals arranged at the four corners to obtain electrical connection with the outside, and the pellet is mounted on the island of the lead frame. And the electrode which a pellet has and each terminal which a lead frame has are connected with the metal fine wire.

特開２００７−９５７８８号公報JP 2007-95788 A

ところで、特許文献１に開示された磁気センサでは、リードフレームが有する四隅に配置されたリード端子のうちの、接地電位に接続される端子（以下、接地端子）を、アイランドと一体としてもよい。これにより、アイランドの電位は接地電位となり、アイランドに電荷が溜まることを防ぐことができるため、磁気センサが磁気を検出する際にノイズが生じることを抑制することができる。   By the way, in the magnetic sensor disclosed in Patent Document 1, terminals connected to the ground potential (hereinafter referred to as ground terminals) out of the lead terminals arranged at the four corners of the lead frame may be integrated with the island. Thereby, the potential of the island becomes the ground potential, and it is possible to prevent electric charges from accumulating on the island, so that it is possible to suppress the occurrence of noise when the magnetic sensor detects magnetism.

また近年、電子機器の小型化等に伴い、磁気センサの小型、薄型化も進展している。例えば、磁気センサのパッケージング後の大きさ（即ち、パッケージサイズ）は、縦１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．３８ｍｍを実現している。また、ペレットをさらに薄くすることによって、パッケージサイズの厚さを０．３０ｍｍとすることも可能である。
ここで、上記のように磁気センサの小型、薄型化が進むと、磁気センサを配線基板又はソケット等に取り付ける際に、平面視で磁気センサの向きを見間違える可能性が高くなる。例えば図８（ａ）に示すように、磁気センサ３００を配線基板４００に正しく取り付けた場合、リードフレームの接地端子３１１は配線基板４００の接地用配線４１１に接続され、リードフレームの電源端子３１３は配線基板４００の電源用配線４１３に接続される。しかし、磁気センサ３００が上記のように小型化すると、パッケージ表面に印刷された文字、符号等（例えば、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を肉眼で識別することが困難となり、これらの符号等に基づいて磁気センサ３００の向きを判断することが困難となる。その結果、例えば図８（ｂ）に示すように、磁気センサ３００を逆向きに取り付けて、接地端子３１１を電源用配線４１３に接続し、電源端子３１３を接地用配線４１１に接続してしまう可能性が高くなる。 In recent years, along with the downsizing of electronic devices, the size and thickness of magnetic sensors have been reduced. For example, the size of the magnetic sensor after packaging (that is, the package size) is 1.6 mm in length, 0.8 mm in width, and 0.38 mm in thickness. Further, the package size can be reduced to 0.30 mm by further thinning the pellet.
Here, when the magnetic sensor is reduced in size and thickness as described above, there is a high possibility that the orientation of the magnetic sensor is mistaken in plan view when the magnetic sensor is attached to a wiring board or a socket. For example, as shown in FIG. 8A, when the magnetic sensor 300 is correctly attached to the wiring board 400, the ground terminal 311 of the lead frame is connected to the ground wiring 411 of the wiring board 400, and the power terminal 313 of the lead frame is The power supply wiring 413 of the wiring board 400 is connected. However, if the magnetic sensor 300 is reduced in size as described above, it becomes difficult to visually identify characters, codes, etc. (for example, A, B, C, D) printed on the package surface. It becomes difficult to determine the orientation of the magnetic sensor 300 based on this. As a result, for example, as shown in FIG. 8B, the magnetic sensor 300 may be attached in the reverse direction, and the ground terminal 311 may be connected to the power supply wiring 413 and the power supply terminal 313 may be connected to the grounding wiring 411. Increases nature.

なお、仮に、磁気センサ３００を図８（ｂ）に示したように逆向きに取り付けた場合、接地端子３１１から電源端子３１３に向けて（即ち、逆方向に）電流は流れるが、他のリード端子３１２、３１４間で電位差を測定することは可能である。また、アイランド３１５は電源電位に固定され、アイランド３１５に蓄積される電荷は一定量に保持されるため、ノイズが生じることを抑制することも可能である。このため、磁気センサ３００を逆向きに取り付けた場合でも、その動作には大きな問題は生じないはずである。   If the magnetic sensor 300 is attached in the reverse direction as shown in FIG. 8B, a current flows from the ground terminal 311 toward the power supply terminal 313 (that is, in the reverse direction), but the other leads It is possible to measure a potential difference between the terminals 312 and 314. In addition, since the island 315 is fixed to the power supply potential and the charge accumulated in the island 315 is held at a constant amount, generation of noise can be suppressed. For this reason, even when the magnetic sensor 300 is mounted in the reverse direction, no major problem should occur in its operation.

しかしながら、本発明者は、磁気センサ３００を逆向きに取り付けて、電流を逆方向に流すとリーク電流が大きくなること（第１の課題）を発見した。また、このリーク電流は、アイランド３１５上に配置されたペレットが薄くなるほど増大すること（第２の課題）を発見した。
そこで、本発明は、上記のように本発明者が発見した第１、第２の課題に鑑みてなされたものであって、薄型化された磁気センサに電流を逆方向に流した場合でも、リーク電流の増大を防止できる磁気センサ及びその製造方法の提供を目的とする。 However, the present inventor has discovered that the leakage current increases (first problem) when the magnetic sensor 300 is attached in the reverse direction and the current flows in the reverse direction. It was also discovered that this leakage current increases as the pellets disposed on the island 315 become thinner (second problem).
Therefore, the present invention has been made in view of the first and second problems discovered by the inventor as described above, and even when a current is passed through a thinned magnetic sensor, An object of the present invention is to provide a magnetic sensor capable of preventing an increase in leakage current and a method for manufacturing the same.

本発明者は、上記第１、第２の課題が生じる原因（メカニズム）について、以下のように考察した。
図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明者が考察したリーク電流増大のメカニズムを示す概念図である。図９（ａ）及び（ｂ）に示す磁気センサ３００において、ペレット３２０は、リードフレーム３１０のアイランド３１５上に銀（Ａｇ）ペースト３４０を介して取り付けられている。また、リードフレーム３１０は、アイランド３１５と一体となっているリード端子（即ち、アイランド端子）３１１と、アイランド３１５から分離している電源端子３１３とを有する。図９（ａ）に示すように、磁気センサ３００を配線基板又はソケット等に正しく取り付けた場合、アイランド端子３１１は接地端子となる。また、ペレット３２０とＡｇペースト３４０との接合面は、半導体（例えば、ＧａＡｓ）と金属（Ａｇ）のショットキー接合となる。 The present inventor considered the cause (mechanism) in which the first and second problems occur as follows.
FIGS. 9A and 9B are conceptual diagrams showing a mechanism for increasing leakage current, which the present inventors have considered. In the magnetic sensor 300 shown in FIGS. 9A and 9B, the pellet 320 is attached on the island 315 of the lead frame 310 via the silver (Ag) paste 340. The lead frame 310 includes a lead terminal (that is, an island terminal) 311 integrated with the island 315 and a power supply terminal 313 separated from the island 315. As shown in FIG. 9A, when the magnetic sensor 300 is correctly attached to a wiring board or a socket, the island terminal 311 becomes a ground terminal. Further, the joint surface between the pellet 320 and the Ag paste 340 is a Schottky junction between a semiconductor (for example, GaAs) and a metal (Ag).

図９（ａ）に示す場合は、このショットキー接合に逆バイアスが印加されるため、ペレット３２０からアイランド３１５に電流は流れない。電流は、電源端子３１３から金属細線３５１、ペレット３２０の活性層３２１、金属細線３５２を通って、アイランド端子３１１に流れる。
一方、図９（ｂ）に示すように、磁気センサ３００を逆方向に取り付けた場合、アイランド端子３１１は電源端子となり、電源端子３１３は接地端子となる。この場合は、ペレット３２０とＡｇペースト３４０とのショットキー接合には、順バイアスが印加される。 In the case shown in FIG. 9A, since a reverse bias is applied to this Schottky junction, no current flows from the pellet 320 to the island 315. A current flows from the power supply terminal 313 to the island terminal 311 through the metal thin wire 351, the active layer 321 of the pellet 320, and the metal thin wire 352.
On the other hand, as shown in FIG. 9B, when the magnetic sensor 300 is attached in the reverse direction, the island terminal 311 serves as a power supply terminal, and the power supply terminal 313 serves as a ground terminal. In this case, a forward bias is applied to the Schottky junction between the pellet 320 and the Ag paste 340.

ここで、ペレット３２０を構成している半導体（例えば、ＧａＡｓ）は半絶縁性（≒超高抵抗）であるため、ペレット３２０が厚いときはショットキー接合に順バイアスが印加されても電流はほとんど流れない。しかしながら、ペレット３２０を薄くしていくと、その厚みの減少分に比例して抵抗値が減少する。このため、ペレット３２０の薄型化に伴い、ショットキー接合の順方向に電流が流れ易くなる。即ち、アイランド端子３１１→アイランド３１５→Ａｇペースト３４０→ペレット３２０→金属細線３５１→電源端子３１３という経路でリーク電流が流れ易くなる。
以上の考察に基づき、本発明者は、第１、第２の課題を解決する手段として、アイランド端子を有する磁気センサではＡｇペーストの代わりに絶縁性接着層を用いることを提案する。 Here, since the semiconductor (for example, GaAs) constituting the pellet 320 is semi-insulating (≈very high resistance), when the pellet 320 is thick, even if a forward bias is applied to the Schottky junction, almost no current is applied. Not flowing. However, as the pellet 320 is made thinner, the resistance value decreases in proportion to the thickness reduction. For this reason, with the thinning of the pellet 320, the current easily flows in the forward direction of the Schottky junction. That is, the leakage current easily flows through the path of island terminal 311 → island 315 → Ag paste 340 → pellet 320 → metal thin wire 351 → power supply terminal 313.
Based on the above consideration, the present inventor proposes to use an insulating adhesive layer instead of Ag paste in a magnetic sensor having island terminals as means for solving the first and second problems.

＜磁気センサ＞
即ち、本発明の一態様に係る磁気センサは、アイランド及び、該アイランドの周囲に配置された複数のリード端子を有するリードフレームと、ＧａＡｓ基板上に直接形成された活性層と、該活性層に電気的に接続する複数の電極部とを有し、前記アイランド上に接着層を介して取り付けられたペレットと、前記複数の電極部と前記複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、モールド樹脂と、を備える磁気センサであって、前記アイランドと、前記リード端子と、前記モールド樹脂とは、前記磁気センサの底面で露出しており、前記ペレットの厚さは０．１０ｍｍ以下であって、前記複数のリード端子は、前記アイランドに電気的に接続されたアイランド端子を含み、且つ、前記接着層は、前記アイランドと前記ペレットとの間を絶縁する絶縁性接着層であることを特徴とする。ここで、「ペレット」とは磁気センサチップのことであり、例えば、ホール素子又はホールＩＣが挙げられる。 <Magnetic sensor>
That is, a magnetic sensor according to an aspect of the present invention includes an island, a lead frame having a plurality of lead terminals arranged around the island, an active layer formed directly on a GaAs substrate, and an active layer. and a plurality of electrode portions which electrically connects a pellet attached via an adhesive layer on the island, connected before and Kifuku number of electrode portions and said plurality of lead terminals, respectively electrically a plurality of wires, a magnetic sensor Ru with a mold resin, and a said island, said lead terminals, and the mold resin is exposed at the bottom surface of the magnetic sensor, the thickness of the pellets The plurality of lead terminals includes an island terminal electrically connected to the island, and the adhesive layer includes the island and the pellet. It is an insulating adhesive layer which insulates between. Here, “pellet” means a magnetic sensor chip, and examples thereof include a Hall element or a Hall IC.

また、上記の磁気センサにおいて、前記絶縁性接着層は、その成分として熱硬化型樹脂を含むことを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、前記絶縁性接着層は、その成分として紫外線硬化型樹脂をさらに含むことを特徴としてもよい。
また、上記の磁気センサにおいて、前記絶縁性接着層のうちの前記アイランドと前記ペレットとの間に介在する部分の厚さは、少なくとも２μｍ以上であることを特徴としてもよい。 In the above magnetic sensor, the insulating adhesive layer may include a thermosetting resin as a component thereof.
In the above magnetic sensor, the insulating adhesive layer may further include an ultraviolet curable resin as a component thereof.
In the above magnetic sensor, a thickness of a portion of the insulating adhesive layer interposed between the island and the pellet may be at least 2 μm or more.

＜磁気センサの製造方法＞
本発明の別の態様に係る磁気センサの製造方法は、ＧａＡｓ基板上に直接形成された活性層と、該活性層に電気的に接続する複数の電極部とを有するペレットを備えた磁気センサの製造方法であって、前記ペレットは厚さが０．１０ｍｍ以下であり、アイランド及び、該アイランドの周囲に配置された複数のリード端子とを有するリードフレームの、前記アイランド上に接着層を介して前記ペレットを取り付ける工程と、前記ペレットが有する複数の電極部と前記複数のリード端子とを複数の導線でそれぞれ電気的に接続する工程と、前記ペレットと前記複数の導線と前記リードフレームの少なくとも表面側とをモールド樹脂で覆い、前記アイランドと、前記リード端子と、前記モールド樹脂とが前記磁気センサの底面で露出するように樹脂封止を行う工程と、を備え、前記複数のリード端子は前記アイランドに電気的に接続されたアイランド端子を含み、且つ、前記ペレットを取り付ける工程では、前記接着層として絶縁性接着層を用いることにより、前記アイランドと前記ペレットとの間を絶縁することを特徴とする。 <Method for manufacturing magnetic sensor>
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic sensor comprising: a magnetic sensor comprising a pellet having an active layer formed directly on a GaAs substrate and a plurality of electrode portions electrically connected to the active layer. In the manufacturing method, the pellet has a thickness of 0.10 mm or less, and a lead frame having an island and a plurality of lead terminals arranged around the island via an adhesive layer on the island Attaching the pellet; electrically connecting a plurality of electrode portions of the pellet and the plurality of lead terminals with a plurality of conductors; and at least a surface of the pellet, the plurality of conductors, and the lead frame. Resin so that the island, the lead terminal, and the mold resin are exposed on the bottom surface of the magnetic sensor. Sealing , wherein the plurality of lead terminals include island terminals electrically connected to the islands, and in the step of attaching the pellets, an insulating adhesive layer is used as the adhesive layer Thus, the island and the pellet are insulated from each other.

また、上記の磁気センサの製造方法において、前記磁気センサを取り付ける工程の前に、前記ペレットが複数作り込まれた基板の、前記各電極部を有する面の反対側の面にダイアタッチフィルムを貼付する工程と、前記ダイアタッチフィルムが貼付された前記基板をダイシングして、該基板に作り込まれた複数の前記ペレットを個片化する工程と、個片化された前記ペレットを前記ダイアタッチフィルムから分離する工程と、をさらに備え、前記ペレットを前記ダイアタッチフィルムから分離する工程では、該ダイアタッチフィルムの基材から絶縁性の粘着層を前記ペレットと共に剥離し、前記磁気センサを取り付ける工程では、前記絶縁性接着層として、前記基材から剥離した前記粘着層を用いることを特徴としてもよい。   Further, in the above magnetic sensor manufacturing method, before the step of attaching the magnetic sensor, a die attach film is attached to the surface of the substrate on which a plurality of the pellets are formed, opposite to the surface having the electrode portions. A step of dicing the substrate to which the die attach film is affixed to singulate the plurality of pellets made on the substrate, and the die-attached pellets to the die attach film And in the step of separating the pellet from the die attach film, in the step of peeling the insulating adhesive layer together with the pellet from the substrate of the die attach film and attaching the magnetic sensor The adhesive layer peeled from the substrate may be used as the insulating adhesive layer.

本発明の一態様によれば、アイランドとペレットとの間は絶縁性接着層により絶縁されるため、アイランド（金属）とペレット（半導体）との間でショットキー接合が形成されることを防ぐことができ、このショットキー接合の順方向（即ち、金属から半導体に向かう方向）に電流が流れることを防ぐことができる。これにより、薄型化されたペレットにおいて電流を逆方向に流した場合でも、リーク電流の増大を防止することができる。   According to one embodiment of the present invention, an island and a pellet are insulated from each other by an insulating adhesive layer, so that a Schottky junction is prevented from being formed between the island (metal) and the pellet (semiconductor). It is possible to prevent current from flowing in the forward direction of the Schottky junction (that is, the direction from the metal toward the semiconductor). As a result, an increase in leakage current can be prevented even when a current flows in the opposite direction in the thinned pellet.

本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１００の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the magnetic sensor 100 which concerns on 1st Embodiment of this invention. 磁気センサ１００の製造方法を示す工程順に示す図。The figure shown in order of the process which shows the manufacturing method of the magnetic sensor 100. FIG. 第１実施形態の効果を説明するための図。The figure for demonstrating the effect of 1st Embodiment. 入力電圧Ｖｉｎに対するオフセット電圧Ｖｕのばらつき低減の効果を模式的に示した図。The figure which showed typically the effect of the dispersion | variation reduction of the offset voltage Vu with respect to the input voltage Vin. 本発明の第２実施形態に係る磁気センサ２００の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the magnetic sensor 200 which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第２実施形態に係る磁気センサ２００の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the magnetic sensor 200 which concerns on 2nd Embodiment. 絶縁性接着層として、絶縁ペースト３０を用いる場合と、ダイアタッチフィルム１５０の粘着層１３０を用いる場合とを比較した図。The figure which compared the case where the insulating paste 30 is used as an insulating contact bonding layer, and the case where the adhesion layer 130 of the die attach film 150 is used. 課題を説明するための図。The figure for demonstrating a subject. 課題が生じる原因について考察した図。The figure which considered the cause which a subject produces.

以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
＜第１実施形態＞
（構成）
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１００の構成例を示す断面図と平面図、及び外観図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）を破線Ａ−Ａ´で切断した断面を示している。また、図１（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド樹脂を省略して示している。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof may be omitted.
<First Embodiment>
(Constitution)
1A to 1C are a cross-sectional view, a plan view, and an external view showing a configuration example of the magnetic sensor 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a cross section of FIG. 1B cut along a broken line AA ′. Further, in FIG. 1B, the mold resin is omitted in order to avoid complication of the drawing.

図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、磁気センサ１００は、リードフレーム１０と、ペレット（即ち、磁気センサチップ）２０と、絶縁ペースト３０と、複数の金属細線４１〜４４と、モールド樹脂５０とを備える。
リードフレーム１０は、ペレット２０を載せるためのアイランド１１と、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子１２〜１５とを有する。図１（ｂ）に示すように、リード端子１２〜１５は、アイランド１１の周囲（例えば、磁気センサ１００の四隅近傍）に配置されている。また、リード端子１２は、アイランド１１と一体となっており、アイランド１１と電気的に接続されている。以下、このリード端子１２をアイランド端子という。リードフレーム１０は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。また、リードフレーム１０は、その面側又は裏面の一部がエッチング（即ち、ハーフエッチング）されていてもよい。 As shown in FIGS. 1A to 1C, the magnetic sensor 100 includes a lead frame 10, a pellet (that is, a magnetic sensor chip) 20, an insulating paste 30, a plurality of fine metal wires 41 to 44, a mold, and the like. A resin 50.
The lead frame 10 includes an island 11 for placing the pellet 20 and a plurality of lead terminals 12 to 15 for obtaining an electrical connection with the outside. As shown in FIG. 1B, the lead terminals 12 to 15 are arranged around the island 11 (for example, in the vicinity of the four corners of the magnetic sensor 100). The lead terminal 12 is integrated with the island 11 and is electrically connected to the island 11. Hereinafter, the lead terminal 12 is referred to as an island terminal. The lead frame 10 is made of a metal such as copper (Cu). Further, the lead frame 10 may be etched (that is, half-etched) on a part of the surface side or the back surface thereof.

ペレット２０は、例えばホール素子であり、リードフレーム１０のアイランド１１上に絶縁ペースト３０を介して取り付けられている。ペレット２０は、例えば半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板２１と、このＧａＡｓ基板２１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）２２と、活性層２２に電気的に接続する電極２３ａ〜２３ｄとを有する。活性層２２は、例えば平面視で十字（クロス）型であり、クロスの４つの先端部上にそれぞれ電極２３ａ〜２３ｄが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極２３ａ、２３ｃがホール素子に電流を流すための入力端子であり、電極２３ａ、２３ｃを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極２３ｂ、２３ｄがホール素子から電圧を出力するための出力端子である。ペレット２０の厚さは、例えば０．１０ｍｍ以下である。   The pellet 20 is, for example, a Hall element, and is attached to the island 11 of the lead frame 10 via an insulating paste 30. The pellet 20 is electrically connected to, for example, a semi-insulating gallium arsenide (GaAs) substrate 21, an active layer (that is, a sensing part) 22 made of a semiconductor thin film formed on the GaAs substrate 21, and the active layer 22. And electrodes 23a to 23d to be connected. The active layer 22 has, for example, a cross shape in plan view, and electrodes 23a to 23d are provided on the four tip portions of the cross, respectively. A pair of electrodes 23a and 23c facing each other in plan view are input terminals for flowing current to the Hall element, and another pair of electrodes 23b and 23d facing each other in a direction orthogonal to the line connecting the electrodes 23a and 23c in plan view are holes. This is an output terminal for outputting a voltage from the element. The thickness of the pellet 20 is, for example, 0.10 mm or less.

絶縁ペースト３０は、その成分として例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）と、バインダ樹脂とを含む。第１実施形態では、この絶縁ペースト３０によって、アイランド１１の表面にペレット２０の裏面（即ち、活性層２２を有する面の反対側の面）が接着されて固定されている。また、この絶縁ペースト３０によって、ペレット２０とアイランド１１の間が絶縁されている。ペレット２０とアイランド１１の間における絶縁ペースト３０の厚さは、フィラーサイズで決まり、例えば５μｍ以上である。 The insulating paste 30 includes, for example, an epoxy thermosetting resin as its components, silica (SiO 2 ) as a filler, and a binder resin. In the first embodiment, the insulating paste 30 adheres and fixes the back surface of the pellet 20 (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22) to the surface of the island 11. The insulating paste 30 insulates the pellet 20 from the island 11. The thickness of the insulating paste 30 between the pellet 20 and the island 11 is determined by the filler size and is, for example, 5 μm or more.

金属細線４１〜４４は、ペレット２０が有する電極２３ａ〜２３ｄと、アイランド端子１２又はリード端子１３〜１５をそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図１（ｂ）に示すように、金属細線４１はアイランド端子１２と電極２３ａとを接続し、金属細線４２はリード端子１３と電極２３ｂとを接続している。また、金属細線４３はリード端子１４と電極２３ｃとを接続し、金属細線４４はリード端子１５と電極２３ｄとを接続している。   The thin metal wires 41 to 44 are conductive wires that electrically connect the electrodes 23a to 23d of the pellet 20 and the island terminals 12 or the lead terminals 13 to 15 respectively, and are made of, for example, gold (Au). As shown in FIG. 1B, the fine metal wire 41 connects the island terminal 12 and the electrode 23a, and the fine metal wire 42 connects the lead terminal 13 and the electrode 23b. Further, the fine metal wire 43 connects the lead terminal 14 and the electrode 23c, and the fine metal wire 44 connects the lead terminal 15 and the electrode 23d.

モールド樹脂５０は、ペレット２０と金属細線４１〜４４及びリードフレーム１０の少なくとも表面側を覆って保護している。モールド樹脂５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。   The mold resin 50 covers and protects at least the surface side of the pellet 20, the fine metal wires 41 to 44 and the lead frame 10. The mold resin 50 is made of, for example, an epoxy-based thermosetting resin, and can withstand high heat during reflow.

（動作）
上記の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、リード端子１４を正電位（＋）に接続すると共に、アイランド端子１２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子１４からアイランド端子１２に電流を流す。そして、リード端子１３、１５間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。 (Operation)
When the magnetic sensor 100 is used to detect magnetism (magnetic field), the lead terminal 14 is connected to a positive potential (+) and the island terminal 12 is connected to the ground potential (GND). A current is passed through the island terminal 12. Then, the potential difference V1−V2 (= Hall output voltage VH) between the lead terminals 13 and 15 is measured. The magnitude of the magnetic field is detected from the magnitude of the Hall output voltage VH, and the direction of the magnetic field is detected from the positive / negative of the Hall output voltage VH.

（製造方法）
図２（ａ）〜（ｅ）は、磁気センサ１００の製造方法を示す工程順に示す平面図である。なお、図２（ａ）〜（ｅ）において、ダイシングのブレード幅（即ち、カーフ幅）の図示は省略している。図２（ａ）に示すように、まず、リードフレーム基板１１０を用意する。このリードフレーム基板１１０は、図１（ｂ）に示したリードフレーム１０が平面視で縦方向及び横方向に複数繋がっている基板である。 (Production method)
2A to 2E are plan views showing the manufacturing method of the magnetic sensor 100 in the order of steps. In FIGS. 2A to 2E, the dicing blade width (ie, the kerf width) is not shown. As shown in FIG. 2A, first, a lead frame substrate 110 is prepared. The lead frame substrate 110 is a substrate in which a plurality of lead frames 10 shown in FIG. 1B are connected in the vertical direction and the horizontal direction in plan view.

次に、図２（ｂ）に示すように、リードフレーム基板１１０の各アイランド１１上に絶縁ペースト３０を塗布する。ここでは、完成後の磁気センサ１００において、アイランド１１とペレット２０との間に隙間が生じたり、アイランド１１とペレット２０が接触したりすることがないように、絶縁ペースト３０の塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。   Next, as shown in FIG. 2B, an insulating paste 30 is applied on each island 11 of the lead frame substrate 110. Here, in the completed magnetic sensor 100, the application conditions of the insulating paste 30 (for example, so as not to cause a gap between the island 11 and the pellet 20 or contact between the island 11 and the pellet 20) Adjust the application range, application thickness, etc.).

次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁ペースト３０が塗布されたアイランド１１上にペレット２０を配置する（即ち、ダイボンディングを行う。）。そして、ボンディング後に熱処理（即ち、キュア）を行って、絶縁ペースト３０を硬化させる。
次に、図２（ｄ）に示すように、金属細線４１〜４４の一端をアイランド端子１２又はリード端子１３〜１５にそれぞれ接続し、金属細線４１〜４４の他端を電極２３ａ〜２３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う。）。 Next, as shown in FIG. 2C, the pellets 20 are arranged on the island 11 to which the insulating paste 30 has been applied (that is, die bonding is performed). Then, heat treatment (that is, curing) is performed after bonding, and the insulating paste 30 is cured.
Next, as shown in FIG. 2D, one end of the fine metal wires 41 to 44 is connected to the island terminal 12 or the lead terminals 13 to 15, respectively, and the other end of the fine metal wires 41 to 44 is connected to the electrodes 23a to 23d, respectively. Connect (ie, wire bonding is performed).

そして、図２（ｅ）に示すように、ペレット２０と金属細線４１〜４４及び、リードフレーム１０の少なくとも表面側をモールド樹脂５０で覆って保護する（即ち、樹脂封止を行う。）。樹脂封止後は、モールド樹脂５０の表面に例えば符号等（図示せず）をマーキングする。そして、例えば２点鎖線に沿って、リードフレーム基板１１０に対してブレードを相対的に移動させて、モールド樹脂５０及びリードフレーム基板１１０を切断する（即ち、ダイシングを行う。）以上の工程を経て、図１（ａ）〜（ｃ）に示した磁気センサ１００が完成する。
この第１実施形態では、絶縁ペースト３０が本発明の「絶縁性接着層」に対応し、金属細線４１〜４４が本発明の「複数の導線」に対応している。 Then, as shown in FIG. 2 (e), the pellet 20, the fine metal wires 41 to 44, and at least the surface side of the lead frame 10 are covered with a mold resin 50 for protection (ie, resin sealing is performed). After the resin sealing, for example, a code or the like (not shown) is marked on the surface of the mold resin 50. Then, for example, by moving the blade relative to the lead frame substrate 110 along the two-dot chain line, the mold resin 50 and the lead frame substrate 110 are cut (that is, dicing is performed). The magnetic sensor 100 shown in FIGS. 1A to 1C is completed.
In the first embodiment, the insulating paste 30 corresponds to the “insulating adhesive layer” of the present invention, and the thin metal wires 41 to 44 correspond to “a plurality of conductive wires” of the present invention.

（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）アイランド１１とペレット２０の間は絶縁性接着層（例えば、絶縁ペースト３０）で絶縁される。これにより、アイランド１１（金属）とペレット２０（半導体）との間でショットキー接合が形成されることを防ぐことができ、このショットキー接合の順方向（即ち、金属から半導体に向かう方向）に電流が流れることを防ぐことができる。例えば図３に示すように、電流を本来とは逆方向（即ち、アイランド端子１２→金属細線４１→電極２３ａ→活性層２２→電極２３ｃ→金属細線４３→リード端子１４の方向）に流した場合でも、アイランド１１からペレット２０へ電流が流れることを防ぐことができる。このため、薄型化された磁気センサ１００を逆向きに取り付けて、電流を逆方向に流した場合でも、リーク電流の増大を防止することができる。 (Effect of 1st Embodiment)
The first embodiment of the present invention has the following effects.
(1) The island 11 and the pellet 20 are insulated by an insulating adhesive layer (for example, an insulating paste 30). Thereby, it is possible to prevent a Schottky junction from being formed between the island 11 (metal) and the pellet 20 (semiconductor), and in the forward direction of the Schottky junction (that is, in the direction from the metal to the semiconductor). Current can be prevented from flowing. For example, as shown in FIG. 3, when current flows in the opposite direction (ie, in the direction of island terminal 12 → metal wire 41 → electrode 23a → active layer 22 → electrode 23c → metal wire 43 → lead terminal 14). However, current can be prevented from flowing from the island 11 to the pellet 20. For this reason, even when the thinned magnetic sensor 100 is attached in the reverse direction and the current flows in the reverse direction, an increase in leakage current can be prevented.

図４は、入力電圧Ｖｉｎに対するオフセット電圧Ｖｕのばらつき低減の効果を模式的に示した図である。図４の横軸は磁気センサに対する入力電圧Ｖｉｎを示し、縦軸は磁気センサのオフセット電圧Ｖｕを示す。入力電圧Ｖｉｎは、磁気センサの入力端子間の電位差である。Ｖｉｎのプラス（＋）は電源端子からアイランド端子へ電流を流す方向に電圧を印加した場合であり、マイナス（−）は本来とは逆方向に電流を流す方向に電圧を印加した場合である。また、オフセット電圧Ｖｕは、磁気の無い環境下での出力端子間の電位差である。オフセット電圧Ｖｕは、入力電圧Ｖｉｎの大きさに関わらずゼロ（０）となることが理想的である。   FIG. 4 is a diagram schematically showing the effect of reducing variation in the offset voltage Vu with respect to the input voltage Vin. The horizontal axis of FIG. 4 indicates the input voltage Vin for the magnetic sensor, and the vertical axis indicates the offset voltage Vu of the magnetic sensor. The input voltage Vin is a potential difference between the input terminals of the magnetic sensor. The plus (+) of Vin is a case where a voltage is applied in a direction in which a current flows from the power supply terminal to the island terminal, and a minus (−) is a case where a voltage is applied in a direction in which a current flows in the opposite direction. The offset voltage Vu is a potential difference between the output terminals in an environment without magnetism. The offset voltage Vu is ideally zero (0) regardless of the magnitude of the input voltage Vin.

ペレットの取り付けにＡｇペーストを用いた構造では、入力電圧がマイナス（−）の場合、ショットキー接合に対して順バイアスとなりアイランドからペレットへ電流が流れる。ペレットを薄型化するとショットキー接合の順方向に流れる電流が大きくなるため、図４の破線で示すようにオフセット電圧Ｖｕのばらつきが大きくなる。これに対して、本発明の第１実施形態で説明した構造（即ち、ペレットの取り付けに絶縁性接着層を用いた構造）では、アイランドとペレットとの間は絶縁されているので、ペレットを薄型化してもアイランドとペレットとの間で電流は流れない。このため、薄型化された磁気センサにおいて入力電圧をマイナス（−）とした場合でも、図４の実線で示すように、オフセット電圧Ｖｕのばらつきは小さい。このように、絶縁性接着層を用いた構造は、Ａｇペーストを用いた構造と比較して、入力電圧がマイナス（−）のときのオフセット電圧のばらつきを低減することができる。   In the structure using Ag paste for attachment of the pellet, when the input voltage is negative (−), the current flows from the island to the pellet due to forward bias with respect to the Schottky junction. When the pellet is thinned, the current flowing in the forward direction of the Schottky junction increases, and therefore the variation in the offset voltage Vu increases as shown by the broken line in FIG. On the other hand, in the structure described in the first embodiment of the present invention (that is, a structure using an insulating adhesive layer for attaching the pellet), the island and the pellet are insulated, so that the pellet is thin. No current flows between the island and the pellet even if it is made. Therefore, even when the input voltage is negative (−) in the thinned magnetic sensor, the variation in the offset voltage Vu is small as shown by the solid line in FIG. As described above, the structure using the insulating adhesive layer can reduce the variation in the offset voltage when the input voltage is negative (−) as compared with the structure using the Ag paste.

（２）また、リーク電流の増大を防止できるため、ペレット２０のさらなる薄型化を進展させることができる。このため、磁気センサ１００のさらなる小型、薄型化に寄与することができる。
（３）また、リーク電流の増大を防止できるため、消費電力の増大を抑制することができる。 (2) Moreover, since the increase in leakage current can be prevented, further thinning of the pellet 20 can be promoted. For this reason, it can contribute to further miniaturization and thickness reduction of the magnetic sensor 100.
(3) Since an increase in leakage current can be prevented, an increase in power consumption can be suppressed.

（４）また、絶縁性接着層は、その成分として例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂を含む。このため、ダイボンディング後にキュアを行うことにより、ペレット２０をアイランド１１上に容易に固定することができる。
（５）なお、絶縁性接着層のうちのペレット２０とアイランド１１との間に介在する部分の厚さは、少なくとも２μｍ以上確保されていることが好ましい。本発明者の知見によれば、上記厚さが少なくとも２μｍ以上であれば、ペレット２０とアイランド１１との間の絶縁の信頼性を高め、ショットキー接合が形成されることを防ぐことができる。 (4) The insulating adhesive layer contains, for example, an epoxy thermosetting resin as its component. For this reason, the pellet 20 can be easily fixed on the island 11 by curing after die bonding.
(5) In addition, it is preferable that the thickness of the portion interposed between the pellet 20 and the island 11 in the insulating adhesive layer is secured at least 2 μm or more. According to the knowledge of the present inventor, when the thickness is at least 2 μm or more, the reliability of insulation between the pellet 20 and the island 11 can be improved and the formation of a Schottky junction can be prevented.

（変形例）
上記の第１実施形態において、ペレット２０はホール素子ではなく、ホールＩＣでもよい。このような構成であっても、第１実施形態の効果（１）〜（５）を奏する。 (Modification)
In the first embodiment, the pellet 20 may be a Hall IC instead of a Hall element. Even with such a configuration, the effects (1) to (5) of the first embodiment are achieved.

＜第２実施形態＞
上記の第１実施形態では、ペレット２０とアイランド１１との間を絶縁する絶縁性接着層として、絶縁ペースト３０を用いる場合について説明した。しかしながら、本発明において、絶縁性接着層は、絶縁性と接着性を備えるものであればよく、絶縁ペースト３０に限定されるものではない。絶縁性接着層として、例えばダイアタッチフィルム（即ち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）の粘着層を用いてもよい。第２実施形態では、この点について説明する。 Second Embodiment
In said 1st Embodiment, the case where the insulating paste 30 was used as an insulating contact bonding layer which insulates between the pellet 20 and the island 11 was demonstrated. However, in the present invention, the insulating adhesive layer is not limited to the insulating paste 30 as long as it has insulating properties and adhesiveness. As the insulating adhesive layer, for example, an adhesive layer of a die attach film (that is, a dicing / die bonding integrated film) may be used. In the second embodiment, this point will be described.

（構成）
図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気センサ２００の構成例を示す断面図と平面図、及び外観図である。図５（ａ）は、図５（ｂ）を破線Ｂ−Ｂ´で切断した断面を示している。また、図５（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド樹脂５０を省略して示している。 (Constitution)
5A to 5C are a cross-sectional view, a plan view, and an external view showing a configuration example of a magnetic sensor 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 5A shows a cross section obtained by cutting FIG. 5B along a broken line BB ′. In FIG. 5B, the mold resin 50 is omitted in order to avoid complication of the drawing.

図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、磁気センサ２００は、リードフレーム１０と、ペレット２０と、絶縁性の粘着層１３０と、複数の金属細線４１〜４４と、モールド樹脂５０とを備える。これらの中で、粘着層１３０は、例えば、その成分として、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂と、バインダ樹脂とを含む。第２実施形態では、この粘着層１３０によって、アイランド１１の表面にペレット２０の裏面（即ち、活性層２２を有する面の反対側の面）が接着されて固定されている。また、この粘着層１３０によって、ペレット２０とアイランド１１の間が絶縁されている。ペレット２０とアイランド１１の間における粘着層１３０の厚さは例えば１０μｍ以上である。   As shown in FIGS. 5A to 5C, the magnetic sensor 200 includes a lead frame 10, a pellet 20, an insulating adhesive layer 130, a plurality of fine metal wires 41 to 44, and a mold resin 50. Prepare. Among these, the adhesive layer 130 includes, for example, an epoxy thermosetting resin, an ultraviolet (UV) curable resin, and a binder resin as its components. In the second embodiment, the adhesive layer 130 adheres and fixes the back surface of the pellet 20 to the surface of the island 11 (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22). Further, the adhesive layer 130 insulates the pellet 20 from the island 11. The thickness of the adhesive layer 130 between the pellet 20 and the island 11 is, for example, 10 μm or more.

なお、磁気センサ２００の、粘着層１３０以外の構成は、例えば第１実施形態で説明した磁気センサ１００と同じである。また、磁気センサ２００の動作も、磁気センサ１００と同じである。   The configuration of the magnetic sensor 200 other than the adhesive layer 130 is the same as that of the magnetic sensor 100 described in the first embodiment, for example. The operation of the magnetic sensor 200 is the same as that of the magnetic sensor 100.

（製造方法）
図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気センサ２００の製造方法を工程順に示す断面図である。
図６（ａ）に示すように、まず、ダイアタッチフィルム１５０を用意する。ダイアタッチフィルム１５０は、フィルム基材１４０と、フィルム基材１４０の一方の面上に配置された絶縁性の粘着層１３０とを有する。このダイアタッチフィルム１５０の粘着層１３０に、複数のペレット２０が作り込まれた半導体ウエーハ１６０の裏面（即ち、活性層２２を有する面の反対側の面）を接触させて接着する（即ち、ウエーハマウントを行う）。 (Production method)
6A to 6E are cross-sectional views showing a method of manufacturing the magnetic sensor 200 according to the second embodiment of the present invention in the order of steps.
As shown in FIG. 6A, first, a die attach film 150 is prepared. The die attach film 150 includes a film base 140 and an insulating adhesive layer 130 disposed on one surface of the film base 140. The back surface of the semiconductor wafer 160 in which the plurality of pellets 20 are formed (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22) is brought into contact with and adhered to the adhesive layer 130 of the die attach film 150 (that is, the wafer). Mount).

なお、この第２実施形態では、後述する図６（ｂ）の工程では粘着層１３０によるペレット２０とフィルム基材１４０との接着を維持しつつ、図６（ｃ）の工程では粘着層１３０がフィルム基材１４０から剥がれ易くするために、粘着層１３０の粘着力を調整する処理を行っても良い。この粘着力を調整する処理は、ウエーハマウントを行うタイミング又はその前後のタイミングで行う。例えば、ウエーハマウントを行う際に、ダイアタッチフィルム１５０をステージを介して加熱して、粘着層１３０の成分の一つであるバインダ樹脂成分の粘着力を高め半導体ウエーハ１６０と粘着層１３０をより強く粘着する方向に調整してもよい。また、ウエーハマウントを行った後で、ダイアタッチフィルム１５０の粘着層１３０を有する面の反対側から、該ダイアタッチフィルム１５０に向けてＵＶを照射して、粘着層１３０の成分の一つであるＵＶ硬化型樹脂成分を硬化させ、固くなることによりダイシングが容易になる方向に、またダイボンド時にフィルム基剤１４０と粘着層１３０との粘着力を小さくする方向に調整してもよい。上記のように、ステージを介した加熱又はＵＶ照射の少なくとも一方を行うことにより、粘着層１３０の粘着力を高めたり、多少硬化させて、その粘着力を小さくする方向に調整することが可能である。   In the second embodiment, while the adhesion between the pellet 20 and the film substrate 140 by the adhesive layer 130 is maintained in the process of FIG. 6B described later, the adhesive layer 130 is formed in the process of FIG. 6C. In order to make it easy to peel off from the film substrate 140, a process for adjusting the adhesive force of the adhesive layer 130 may be performed. The process for adjusting the adhesive force is performed at the timing of wafer mounting or at the timing before and after. For example, when performing wafer mounting, the die attach film 150 is heated through a stage to increase the adhesive strength of the binder resin component, which is one of the components of the adhesive layer 130, thereby making the semiconductor wafer 160 and the adhesive layer 130 stronger. You may adjust to the direction to adhere. In addition, after wafer mounting, UV is irradiated toward the die attach film 150 from the side opposite to the surface having the adhesive layer 130 of the die attach film 150, which is one of the components of the adhesive layer 130. The UV curable resin component may be cured and hardened so that dicing is facilitated, and the adhesive force between the film base 140 and the adhesive layer 130 may be reduced during die bonding. As described above, by performing at least one of heating through the stage or UV irradiation, it is possible to increase the adhesive force of the adhesive layer 130, or to slightly cure it, and to adjust the adhesive force in the direction of reducing it. is there.

次に、図６（ｂ）に示すように、例えばブレード１７０を用いて半導体ウエーハ１６０をダイシングして、半導体ウエーハ１６０に作り込まれた複数のペレット２０を個片化する。ここでは、半導体ウエーハ１６０のみならず粘着層１３０も一緒にダイシングする。
次に、図６（ｃ）に示すように、針状の突き上げピン１８０でペレット２０の裏面を押し上げると共に、ペレット２０の表面をコレット１９０で吸着して持ち上げる（即ち、ピックアップする）。なお、ダイアタッチフィルム１５０の粘着層１３０は、上述したように、例えば加熱又はＵＶ照射の少なくとも一方を行うことによってその粘着力を小さくする方向に予め調整されている。このため、ペレット２０をピックアップする工程では、粘着層１３０はペレット２０の裏面に接着した状態で、フィルム基材１４０から剥離する。 Next, as shown in FIG. 6B, the semiconductor wafer 160 is diced using, for example, a blade 170, and the plurality of pellets 20 formed in the semiconductor wafer 160 are singulated. Here, not only the semiconductor wafer 160 but also the adhesive layer 130 is diced together.
Next, as shown in FIG. 6C, the back surface of the pellet 20 is pushed up by the needle-like push-up pins 180 and the surface of the pellet 20 is sucked up by the collet 190 (ie, picked up). Note that, as described above, the pressure-sensitive adhesive layer 130 of the die attach film 150 is adjusted in advance in the direction of reducing the pressure-sensitive adhesive force, for example, by performing at least one of heating and UV irradiation. For this reason, in the process of picking up the pellet 20, the adhesive layer 130 is peeled off from the film base material 140 in a state where it is adhered to the back surface of the pellet 20.

次に、図６（ｄ）に示すように、ペレット２０の裏面側を粘着層１３０を介して、リードフレーム基板１１０のアイランド１１上に取り付ける。ここでは、予め設定した荷重で、ペレット２０をアイランド１１側へ押圧することにより、ペレット２０をアイランド１１に接着して固定する。また、この取り付けに際し、ステージ２１０を介してリードフレーム１０及び粘着層１３０を加熱してもよい。荷重に加えて、加熱を行うことにより、ペレット２０とアイランド１１の接着力を向上できる場合がある。この取り付け後、熱処理（キュア）を実施し、エポキシ樹脂系の熱効果型樹脂成分を硬化させ、更に十分な接着強度を得る。これ以降の工程は、第１実施形態と同じである。即ち、図６（ｅ）に示すようにワイヤーボンディングを行い、その後、樹脂封止を行う。そして、モールド樹脂５０及びリードフレーム基板１１０をダイシングする。このような工程を経て、図５（ａ）〜（ｃ）に示した磁気センサ２００が完成する。
この第２実施形態では、半導体ウエーハ１６０が本発明の「基板」に対応している。また、粘着層１３０が本発明の「絶縁性接着層」に対応し、フィルム基材１４０が本発明の「基材」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。 Next, as shown in FIG. 6D, the back side of the pellet 20 is attached onto the island 11 of the lead frame substrate 110 via the adhesive layer 130. Here, the pellet 20 is bonded and fixed to the island 11 by pressing the pellet 20 toward the island 11 with a preset load. Further, at the time of attachment, the lead frame 10 and the adhesive layer 130 may be heated via the stage 210. In addition to the load, the adhesive force between the pellet 20 and the island 11 may be improved by heating. After this attachment, heat treatment (curing) is carried out to cure the epoxy resin-based thermal effect resin component and obtain a sufficient adhesive strength. The subsequent steps are the same as those in the first embodiment. That is, wire bonding is performed as shown in FIG. 6E, and then resin sealing is performed. Then, the mold resin 50 and the lead frame substrate 110 are diced. Through these steps, the magnetic sensor 200 shown in FIGS. 5A to 5C is completed.
In the second embodiment, the semiconductor wafer 160 corresponds to the “substrate” of the present invention. The pressure-sensitive adhesive layer 130 corresponds to the “insulating adhesive layer” of the present invention, and the film base material 140 corresponds to the “base material” of the present invention. Other correspondences are the same as those in the first embodiment.

（第２実施形態の効果）
本発明の第２実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（５）の効果に加え、以下の効果を奏する。
（１）ペレット２０とアイランド１１との間を接着し、且つ絶縁する絶縁性接着層として、ダイアタッチフィルム１５０の粘着層１３０を用いる。これにより、複数のペレット２０の各々に（又は、アイランド１１の各々に）、絶縁ペースト３０を塗布する必要はないので、工程数の削減に寄与することができる。 (Effect of 2nd Embodiment)
In addition to the effects (1) to (5) of the first embodiment, the second embodiment of the present invention has the following effects.
(1) The adhesive layer 130 of the die attach film 150 is used as an insulating adhesive layer that bonds and insulates between the pellet 20 and the island 11. Thereby, since it is not necessary to apply the insulating paste 30 to each of the plurality of pellets 20 (or to each of the islands 11), it is possible to contribute to a reduction in the number of processes.

（２）また、粘着層１３０は、例えば、その成分としてバインダー樹脂と、ＵＶ硬化型樹脂とを含む。このため、熱処理を行うことによって、粘着層１３０の粘着力を高め半導体ウエーハ１６０と粘着層１３０をより強く粘着する方向に、また、ＵＶ照射を行うことによって、ダイシングが容易になる方向に、そしてフィルム基剤１４０と粘着層１３０との粘着力を小さくする方向に調整することができる。これにより、ペレット２０をピックアップする工程では、ペレット２０と共に、粘着層１３０をフィルム基材１４０から容易に剥がすことができる。 (2) Moreover, the adhesion layer 130 contains binder resin and UV curable resin as the component, for example. For this reason, the adhesive strength of the adhesive layer 130 is increased by performing heat treatment in a direction in which the semiconductor wafer 160 and the adhesive layer 130 are more strongly adhered, and in the direction in which dicing is facilitated by performing UV irradiation, and The adhesive force between the film base 140 and the adhesive layer 130 can be adjusted in the direction of decreasing. Thereby, in the process of picking up the pellet 20, the adhesive layer 130 can be easily peeled off from the film substrate 140 together with the pellet 20.

（３）また、粘着層１３０は粘性が高いので、絶縁ペースト３０を用いる場合と比べて、ペレット２０の側面における這い上がりを極めて小さくすることができる。これにより、ペレット２０の表面に樹脂が付着する不良が発生することは無く、また粘着層１３０の厚さも薄くならず厚さを均一化できるという利点がある。
（４）また、図７に示すように、粘着層１３０を用いる場合は、その保管条件について、冷凍ではなく冷蔵で保管することができる、という利点がある。冷蔵保管の場合は、絶縁性接着層の解凍は不要であり、必要なときに直ぐに使用することができるという利点がある。さらに、工程条件についても、塗布量の管理が不要で、濡れ広がりが小さく、這い上がりが小さく、厚みのばらつきが小さい等の利点がある。 (3) Moreover, since the adhesive layer 130 has a high viscosity, it is possible to extremely reduce the creeping on the side surface of the pellet 20 as compared with the case where the insulating paste 30 is used. Thereby, there is no defect that the resin adheres to the surface of the pellet 20, and there is an advantage that the thickness of the adhesive layer 130 is not reduced and the thickness can be made uniform.
(4) Moreover, as shown in FIG. 7, when using the adhesion layer 130, there exists an advantage that it can store by refrigeration instead of freezing about the storage conditions. In the case of refrigerated storage, thawing of the insulating adhesive layer is unnecessary, and there is an advantage that it can be used immediately when necessary. Further, the process conditions also have advantages such as no need to manage the coating amount, small wetting spread, small creeping, and small thickness variation.

（変形例）
第２実施形態においても、第１実施形態で説明した変形例を適用してよい。即ち、ペレット２０はホール素子ではなく、ホールＩＣでもよい。このような構成であっても、第１実施形態の効果（１）〜（５）に加え、第２実施形態の効果（１）〜（４）を奏する。 (Modification)
Also in the second embodiment, the modification described in the first embodiment may be applied. That is, the pellet 20 may be a Hall IC instead of a Hall element. Even in such a configuration, in addition to the effects (1) to (5) of the first embodiment, the effects (1) to (4) of the second embodiment are exhibited.

＜その他＞
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。 <Others>
The present invention is not limited to the embodiments described above. Based on the knowledge of those skilled in the art, design changes and the like can be made to each embodiment, and an aspect in which such changes and the like are added is also included in the scope of the present invention.

１０ リードフレーム
１１ アイランド
１２ アイランド端子（アイランドに接続されたリード端子）
１３〜１５ リード端子
２０ ペレット
２１ ＧａＡｓ基板
２２ 活性層
２３ａ〜２３ｄ 電極
３０ 絶縁ペースト
４１〜４４ 金属細線
５０ モールド樹脂
１００ 磁気センサ
１１０ リードフレーム基板
１３０ 粘着層
１４０ フィルム基材
１５０ ダイアタッチフィルム
１６０ 半導体ウエーハ
１７０ ブレード
１８０ 突き上げピン
１９０ コレット
２００ 磁気センサ
２１０ ステージ 10 Lead frame 11 Island 12 Island terminal (Lead terminal connected to island)
13 to 15 Lead terminal 20 Pellet 21 GaAs substrate 22 Active layer 23a to 23d Electrode 30 Insulating paste 41 to 44 Metal thin wire 50 Mold resin 100 Magnetic sensor 110 Lead frame substrate 130 Adhesive layer 140 Film substrate 150 Die attach film 160 Semiconductor wafer 170 Blade 180 Push-up pin 190 Collet 200 Magnetic sensor 210 Stage

Claims (6)

アイランド及び、該アイランドの周囲に配置された複数のリード端子を有するリードフレームと、
ＧａＡｓ基板上に直接形成された活性層と、該活性層に電気的に接続する複数の電極部とを有し、前記アイランド上に接着層を介して取り付けられたペレットと、
前記複数の電極部と前記複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、
モールド樹脂と、を備える磁気センサであって、
前記アイランドと、前記リード端子と、前記モールド樹脂とは、前記磁気センサの底面で露出しており、
前記ペレットの厚さは０．１０ｍｍ以下であって、
前記複数のリード端子は、前記アイランドに電気的に接続されたアイランド端子を含み、且つ、
前記接着層は、前記アイランドと前記ペレットとの間を絶縁する絶縁性接着層であることを特徴とする磁気センサ。 A lead frame having an island and a plurality of lead terminals arranged around the island;
An active layer formed directly on the GaAs substrate and a plurality of electrode portions electrically connected to the active layer, and a pellet attached to the island via an adhesive layer;
A plurality of wires for electrically connecting said before and Kifuku number of electrode portions plurality of lead terminals respectively,
And the molding resin, a magnetic sensor Ru provided with,
The island, the lead terminal, and the mold resin are exposed on the bottom surface of the magnetic sensor,
The pellet has a thickness of 0.10 mm or less,
The plurality of lead terminals include island terminals electrically connected to the island; and
The magnetic sensor according to claim 1, wherein the adhesive layer is an insulating adhesive layer that insulates between the island and the pellet. 前記絶縁性接着層は、その成分として熱硬化型樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。   The magnetic sensor according to claim 1, wherein the insulating adhesive layer includes a thermosetting resin as a component thereof. 前記絶縁性接着層は、その成分として紫外線硬化型樹脂をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。   The magnetic sensor according to claim 2, wherein the insulating adhesive layer further includes an ultraviolet curable resin as a component thereof. 前記絶縁性接着層のうちの前記アイランドと前記ペレットとの間に介在する部分の厚さは、少なくとも２μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の磁気センサ。   4. The thickness of a portion interposed between the island and the pellet in the insulating adhesive layer is at least 2 μm or more. 5. Magnetic sensor. ＧａＡｓ基板上に直接形成された活性層と、該活性層に電気的に接続する複数の電極部とを有するペレットを備えた磁気センサの製造方法であって、
前記ペレットは厚さが０．１０ｍｍ以下であり、
アイランド及び、該アイランドの周囲に配置された複数のリード端子とを有するリードフレームの、前記アイランド上に接着層を介して前記ペレットを取り付ける工程と、
前記ペレットが有する複数の電極部と前記複数のリード端子とを複数の導線でそれぞれ電気的に接続する工程と、
前記ペレットと前記複数の導線と前記リードフレームの少なくとも表面側とをモールド樹脂で覆い、前記アイランドと、前記リード端子と、前記モールド樹脂とが前記磁気センサの底面で露出するように樹脂封止を行う工程と、を備え、
前記複数のリード端子は前記アイランドに電気的に接続されたアイランド端子を含み、且つ、
前記ペレットを取り付ける工程では、前記接着層として絶縁性接着層を用いることにより、前記アイランドと前記ペレットとの間を絶縁することを特徴とする磁気センサの製造方法。 A method of manufacturing a magnetic sensor comprising a pellet having an active layer formed directly on a GaAs substrate and a plurality of electrode portions electrically connected to the active layer,
The pellet has a thickness of 0.10 mm or less,
Attaching the pellet via an adhesive layer on the island of a lead frame having an island and a plurality of lead terminals arranged around the island;
Electrically connecting the plurality of electrode portions of the pellet and the plurality of lead terminals with a plurality of conductive wires, respectively;
The pellet, the plurality of conductive wires, and at least the surface side of the lead frame are covered with a mold resin, and resin sealing is performed so that the island, the lead terminal, and the mold resin are exposed on the bottom surface of the magnetic sensor. And a process of performing
The plurality of lead terminals include island terminals electrically connected to the island; and
In the step of attaching the pellet, an insulating adhesive layer is used as the adhesive layer to insulate between the island and the pellet. 前記磁気センサを取り付ける工程の前に、
前記ペレットが複数作り込まれた基板の、前記各電極部を有する面の反対側の面にダイアタッチフィルムを貼付する工程と、
前記ダイアタッチフィルムが貼付された前記基板をダイシングして、該基板に作り込まれた複数の前記ペレットを個片化する工程と、
個片化された前記ペレットを前記ダイアタッチフィルムから分離する工程と、をさらに備え、
前記ペレットを前記ダイアタッチフィルムから分離する工程では、該ダイアタッチフィルムの基材から絶縁性の粘着層を前記ペレットと共に剥離し、
前記磁気センサを取り付ける工程では、前記絶縁性接着層として、前記基材から剥離した前記粘着層を用いることを特徴とする請求項５に記載の磁気センサの製造方法。 Before the step of attaching the magnetic sensor,
A step of attaching a die attach film to a surface of the substrate on which a plurality of the pellets are formed, opposite to the surface having the electrode portions;
Dicing the substrate to which the die attach film is affixed, and dividing the plurality of pellets made on the substrate into pieces,
Separating the separated pellets from the die attach film, and
In the step of separating the pellet from the die attach film, the insulating adhesive layer is peeled off together with the pellet from the base material of the die attach film,
The method for manufacturing a magnetic sensor according to claim 5, wherein in the step of attaching the magnetic sensor, the adhesive layer peeled off from the base material is used as the insulating adhesive layer.
JP2012236896A 2012-10-26 2012-10-26 Magnetic sensor and manufacturing method thereof Active JP6105898B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012236896A JP6105898B2 (en) 2012-10-26 2012-10-26 Magnetic sensor and manufacturing method thereof
KR2020130008664U KR20140002654U (en) 2012-10-26 2013-10-22 Magnetic sensor
TW103119283A TWI616006B (en) 2012-10-26 2013-10-25 Magnetic sensor
CN201320665569.0U CN203536475U (en) 2012-10-26 2013-10-25 Magnetic sensor and magnetic sensor device
KR20140069270A KR101481368B1 (en) 2012-10-26 2014-06-09 Magnetic sensor
KR1020140130983A KR101543970B1 (en) 2012-10-26 2014-09-30 Magnetic sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012236896A JP6105898B2 (en) 2012-10-26 2012-10-26 Magnetic sensor and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014086677A JP2014086677A (en) 2014-05-12
JP6105898B2 true JP6105898B2 (en) 2017-03-29

Family

ID=50422652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012236896A Active JP6105898B2 (en) 2012-10-26 2012-10-26 Magnetic sensor and manufacturing method thereof

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6105898B2 (en)
KR (3) KR20140002654U (en)
CN (1) CN203536475U (en)
TW (1) TWI616006B (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105185900B (en) * 2014-06-17 2018-07-06 旭化成微电子株式会社 Hall sensor
JP6110886B2 (en) * 2014-06-17 2017-04-05 旭化成エレクトロニクス株式会社 Hall sensor
JP6353287B2 (en) * 2014-06-17 2018-07-04 旭化成エレクトロニクス株式会社 Hall sensor
JP6392882B2 (en) * 2014-09-22 2018-09-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 Hall sensor and lens module
US11067643B2 (en) 2014-11-03 2021-07-20 Melexis Technologies Nv Magnetic field sensor and method for making same
GB2535683A (en) * 2014-11-03 2016-08-31 Melexis Technologies Nv Magnetic field sensor and method for making same
US10153424B2 (en) 2016-08-22 2018-12-11 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and mounting structure of semiconductor device
JP6850838B2 (en) * 2018-10-11 2021-03-31 旭化成エレクトロニクス株式会社 Semiconductor element

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2680364B2 (en) * 1988-08-05 1997-11-19 株式会社日立製作所 Method for manufacturing semiconductor device
JP2849100B2 (en) * 1988-12-23 1999-01-20 旭化成工業株式会社 Magnetoelectric conversion element and method of manufacturing the same
JP3464369B2 (en) * 1997-10-17 2003-11-10 旭化成電子株式会社 Method of manufacturing thin high-sensitivity Hall element
US7187063B2 (en) * 2002-07-29 2007-03-06 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
JP4980600B2 (en) * 2005-09-27 2012-07-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 Magnetic sensor
JP2008071816A (en) 2006-09-12 2008-03-27 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device
JP2008101183A (en) * 2006-09-20 2008-05-01 Hitachi Chem Co Ltd Pressure-sensitive adhesive sheet, semiconductor device produced by using the same and method for producing the semiconductor device
JP2008141140A (en) * 2006-12-05 2008-06-19 Denso Corp Semiconductor device
JP2009289966A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Denso Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5051021B2 (en) * 2008-06-23 2012-10-17 株式会社デンソー Electronic component manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2010109253A (en) 2008-10-31 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE102011107703B4 (en) * 2011-07-13 2015-11-26 Micronas Gmbh Integrated current sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR101543970B1 (en) 2015-08-11
KR20140092791A (en) 2014-07-24
JP2014086677A (en) 2014-05-12
TW201436314A (en) 2014-09-16
KR101481368B1 (en) 2015-01-14
KR20140128911A (en) 2014-11-06
TWI616006B (en) 2018-02-21
KR20140002654U (en) 2014-05-08
CN203536475U (en) 2014-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6105898B2 (en) Magnetic sensor and manufacturing method thereof
JP5676826B2 (en) Manufacturing method of magnetic sensor
US10930581B2 (en) Semiconductor package with wettable flank
US8426255B2 (en) Chip package structure and method for manufacturing the same
US8779569B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015090350A (en) Magnetic sensor, magnetic sensor device, and method of manufacturing magnetic sensor
US20180122728A1 (en) Semiconductor packages and methods for forming same
KR101868760B1 (en) Hall sensor manufacturing method, hall sensor, and lens module
CN102468194A (en) Semiconductor device packaging method and semiconductor device package
JP6433769B2 (en) Hall sensor and method of manufacturing hall sensor
US7271469B2 (en) Methods of making integrated circuits
US9123764B2 (en) Method of manufacturing a component comprising cutting a carrier
US8987054B2 (en) Semiconductor devices and methods of making the same
CN107017221B (en) Integrated circuit assembly
JP6553416B2 (en) Hall sensor
JP2009021630A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2011103337A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20090294985A1 (en) Thin chip scale semiconductor package
US8969135B2 (en) Semiconductor device and method of assembling same
US9123699B1 (en) Formation of package pins in semiconductor packaging
JP5271402B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2009158824A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2019212846A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2011044585A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, as well as electronic apparatus
JP2008300581A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device, as well as method for manufacturing lead frame

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150806

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160830

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160915

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170303

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6105898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350