KR101481368B1 - Magnetic sensor - Google Patents

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도시아끼 후꾸나까
히데노리 하세가와
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아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

박형화된 펠릿에 있어서 전류를 역방향으로 흐르게 한 경우라도, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있고, 반대로 설치해도 리크 전류의 증대를 억제할 수 있게 한 자기 센서를 제공한다. 아일랜드(11) 및 상기 아일랜드(11)의 주위에 배치된 복수의 리드 단자(12 내지 15)를 갖는 리드 프레임(10)과, 아일랜드(11) 상에 접착층을 개재하여 설치된 펠릿(20)과, 펠릿(20)이 갖는 복수의 전극부(23a 내지 23d)와 복수의 리드 단자(12 내지 15)를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 금속 세선(41 내지 44)을 구비한다. 리드 단자(12)는 아일랜드(11)에 전기적으로 접속된 아일랜드 단자이다. 또한, 접착층은 아일랜드(11)와 펠릿(20) 사이를 절연하는 절연 페이스트(30), 또는, 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)이다.An object of the present invention is to provide a magnetic sensor capable of preventing an increase in leakage current and suppressing an increase in leak current even when the thinned pellet is installed in the opposite direction even when the current flows in the reverse direction. A lead frame 10 having an island 11 and a plurality of lead terminals 12 to 15 disposed around the island 11; a pellet 20 provided on the island 11 via an adhesive layer; And a plurality of metal thin wires 41 to 44 for electrically connecting the plurality of electrode portions 23a to 23d of the pellet 20 and the plurality of lead terminals 12 to 15, respectively. The lead terminal 12 is an island terminal electrically connected to the island 11. The adhesive layer is an insulating paste 30 for insulating between the island 11 and the pellet 20 or an adhesive layer 130 of the die attach film 150.

Description

자기 센서{MAGNETIC SENSOR}MAGNETIC SENSOR

본 발명은, 자기 센서에 관한 것으로, 특히, 박형화된 펠릿에 있어서 전류를 역방향으로 흐르게 한 경우라도, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있게 한 자기 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetic sensor and, more particularly, to a magnetic sensor capable of preventing an increase in leakage current even when current is flown in a reverse direction in a thinned pellet.

홀 효과를 이용한 자기 센서로서, 예를 들어, 자기(자계)를 검출하여 그 크기에 비례한 아날로그 신호를 출력하는 홀 소자나, 자기를 검출하여 디지털 신호를 출력하는 홀 IC가 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 리드 프레임과, 펠릿(즉, 자기 센서 칩) 및 금속 세선을 구비한 자기 센서가 개시되어 있다. 이 자기 센서에 있어서, 리드 프레임은 외부와의 전기적 접속을 얻기 위해 네 구석에 배치된 단자를 갖고, 펠릿은 리드 프레임의 아일랜드에 탑재되어 있다. 그리고, 펠릿이 갖는 전극과 리드 프레임이 갖는 각 단자가 금속 세선으로 접속되어 있다.As a magnetic sensor using a Hall effect, for example, a Hall element for detecting magnetic (magnetic field) and outputting an analog signal proportional to its size, and a Hall IC for detecting magnetic and outputting a digital signal are known. For example, Patent Document 1 discloses a magnetic sensor including a lead frame, a pellet (i.e., a magnetic sensor chip), and a metal thin wire. In this magnetic sensor, the lead frame has terminals arranged at four corners to obtain an electrical connection with the outside, and the pellet is mounted on the island of the lead frame. The electrodes of the pellet and the terminals of the lead frame are connected by a metal wire.

일본 특허 출원 공개 제2007-95788호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-95788

그런데, 특허문헌 1에 개시된 자기 센서에서는, 리드 프레임이 갖는 네 구석에 배치된 리드 단자 중의, 접지 전위에 접속되는 단자(이하, 접지 단자)를, 아일랜드와 일체로 해도 좋다. 이에 의해, 아일랜드의 전위는 접지 전위가 되고, 아일랜드에 전하가 저류되는 것을 방지할 수 있으므로, 자기 센서가 자기를 검출할 때에 노이즈가 생기는 것을 억제할 수 있다.In the magnetic sensor disclosed in Patent Document 1, a terminal (hereinafter referred to as a ground terminal) connected to the ground potential among the lead terminals arranged at four corners of the lead frame may be integrated with the island. Thereby, the electric potential of the island becomes the ground potential, and charge can be prevented from being stored in the island, so that generation of noise can be suppressed when the magnetic sensor detects magnetism.

또 최근, 전자 기기의 소형화 등에 수반하여, 자기 센서의 소형, 박형화도 진전되고 있다. 예를 들어, 자기 센서의 패키징 후의 크기(즉, 패키지 사이즈)는 세로 1.6㎜, 가로 0.8㎜, 두께 0.38㎜를 실현하고 있다. 또한, 펠릿을 더 얇게 함으로써, 패키지 사이즈의 두께를 0.30㎜로 하는 것도 가능하다.In addition, with the recent miniaturization of electronic devices, the size and thickness of magnetic sensors have also been advanced. For example, the size of the magnetic sensor after packaging (i.e., the package size) is 1.6 mm long, 0.8 mm wide, and 0.38 mm thick. Further, by making the pellet thinner, it is also possible to make the thickness of the package size 0.30 mm.

여기서, 상기와 같이 자기 센서의 소형, 박형화가 진행되면, 자기 센서를 배선 기판 또는 소킷 등에 설치할 때에, 평면에서 보아 자기 센서의 방향을 잘못 볼 가능성이 높아진다. 예를 들어 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(300)를 배선 기판(400)에 올바르게 설치한 경우, 리드 프레임의 접지 단자(311)는 배선 기판(400)의 접지용 배선(411)에 접속되고, 리드 프레임의 전원 단자(313)는 배선 기판(400)의 전원용 배선(413)에 접속된다. 그러나, 자기 센서(300)가 상기와 같이 소형화되면, 패키지 표면에 인쇄된 문자, 부호 등(예를 들어, A, B, C, D)을 육안으로 식별하는 것이 곤란해지고, 이들의 부호 등에 기초하여 자기 센서(300)의 방향을 판단하는 것이 곤란해진다. 그 결과, 예를 들어 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(300)를 역방향으로 설치하여, 접지 단자(311)를 전원용 배선(413)에 접속하고, 전원 단자(313)를 접지용 배선(411)에 접속하게 될 가능성이 높아진다.Here, when the magnetic sensor is made compact and thin as described above, there is a high possibility that the magnetic sensor is mistakenly viewed in a plan view when the magnetic sensor is installed on a wiring board or a socket. 8 (a), when the magnetic sensor 300 is correctly installed on the wiring board 400, the ground terminal 311 of the lead frame is electrically connected to the grounding wire (not shown) of the wiring board 400, And the power supply terminal 313 of the lead frame is connected to the power supply wiring 413 of the wiring board 400. [ However, when the magnetic sensor 300 is miniaturized as described above, it becomes difficult to visually identify characters (e.g., A, B, C, and D) printed on the package surface, It is difficult to determine the direction of the magnetic sensor 300. [ As a result, for example, as shown in FIG. 8B, the magnetic sensor 300 is installed in the reverse direction, the ground terminal 311 is connected to the power supply wiring 413, and the power supply terminal 313 There is a high possibility of being connected to the ground wiring 411.

또한, 가령, 자기 센서(300)를 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이 역방향으로 설치한 경우, 접지 단자(311)로부터 전원 단자(313)를 향해(즉, 역방향으로) 전류는 흐르지만, 다른 리드 단자(312, 314) 사이에서 전위차를 측정하는 것은 가능하다. 또한, 아일랜드(315)는 전원 전위에 고정되고, 아일랜드(315)에 축적되는 전하는 일정량으로 유지되므로, 노이즈가 생기는 것을 억제하는 것도 가능하다. 이로 인해, 자기 센서(300)를 역방향으로 설치한 경우라도, 그 동작에는 큰 문제는 생기지 않을 것이다.8B, the current flows from the ground terminal 311 toward the power supply terminal 313 (that is, in the reverse direction), but the current flows from the ground terminal 311 toward the power supply terminal 313. However, when the magnetic sensor 300 is installed in the reverse direction as shown in FIG. , It is possible to measure the potential difference between the other lead terminals 312 and 314. Further, since the island 315 is fixed to the power source potential and the electric charge stored in the island 315 is maintained at a constant amount, noise can be suppressed. Therefore, even when the magnetic sensor 300 is installed in the reverse direction, there is no great problem in its operation.

그러나, 본 발명자는, 자기 센서(300)를 역방향으로 설치하여, 전류를 역방향으로 흐르게 하면 리크 전류가 커지는 것(제1 과제)을 발견하였다. 또한, 이 리크 전류는 아일랜드(315) 상에 배치된 펠릿이 얇아질수록 증대하는 것(제2 과제)을 발견하였다.However, the inventors of the present invention have found out that, when the magnetic sensor 300 is installed in the reverse direction and the current flows in the reverse direction, the leak current becomes larger (the first problem). Further, this leak current was found to increase as the pellet disposed on the island 315 became thinner (second problem).

따라서, 본 발명은, 상기와 같이 본 발명자가 발견한 제1, 제2 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 박형화된 자기 센서에 전류를 역방향으로 흐르게 한 경우라도, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있는 자기 센서의 제공을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the first and second problems found by the present inventors as described above, and it is an object of the present invention to provide a magnetic sensor capable of preventing the leakage current from increasing even when a current flows in the thinned magnetic sensor in the reverse direction. The purpose of the sensor is to provide.

본 발명자는, 상기 제1, 제2 과제가 생기는 원인(메커니즘)에 대해서, 이하와 같이 고찰하였다.The inventors of the present invention examined the cause (mechanism) of the first and second problems as follows.

도 9의 (a) 및 (b)는, 본 발명자가 고찰한 리크 전류 증대의 메커니즘을 도시하는 개념도이다. 도 9의 (a) 및 (b)에 도시하는 자기 센서(300)에 있어서, 펠릿(320)은 리드 프레임(310)의 아일랜드(315) 상에 은(Ag) 페이스트(340)를 통해서 설치되어 있다. 또한, 리드 프레임(310)은 아일랜드(315)와 일체로 되어 있는 리드 단자(즉, 아일랜드 단자)(311)와, 아일랜드(315)로부터 분리되어 있는 전원 단자(313)를 갖는다. 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(300)를 배선 기판 또는 소킷 등에 올바르게 설치한 경우, 아일랜드 단자(311)는 접지 단자가 된다. 또한, 펠릿(320)과 Ag 페이스트(340)와의 접합면은, 반도체(예를 들어, GaAs)와 금속(Ag)의 쇼트키 접합이 된다.9 (a) and 9 (b) are conceptual diagrams showing the mechanism of the leakage current increase, which the present inventors consider. 9A and 9B, the pellet 320 is provided on the island 315 of the lead frame 310 through a silver (Ag) paste 340 have. The lead frame 310 also has a lead terminal (that is, an island terminal) 311 integrated with the island 315 and a power terminal 313 separated from the island 315. As shown in Fig. 9A, when the magnetic sensor 300 is correctly installed on a wiring board or a socket, the island terminal 311 becomes a ground terminal. The junction surface between the pellet 320 and the Ag paste 340 is a Schottky junction between a semiconductor (for example, GaAs) and a metal (Ag).

도 9의 (a)에 도시하는 경우는, 이 쇼트키 접합에 역바이어스가 인가되므로, 펠릿(320)으로부터 아일랜드(315)에 전류는 흐르지 않는다. 전류는 전원 단자(313)로부터 금속 세선(351), 펠릿(320)의 활성층(321), 금속 세선(352)을 통과하여, 아일랜드 단자(311)에 흐른다.9A, a reverse bias is applied to the Schottky junction, so that no current flows from the pellet 320 to the island 315. In this case, The current flows from the power supply terminal 313 through the metal fine wire 351, the active layer 321 of the pellet 320 and the fine metal wire 352 and flows to the island terminal 311.

한편, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(300)를 역방향으로 설치한 경우, 아일랜드 단자(311)는 전원 단자가 되고, 전원 단자(313)는 접지 단자가 된다. 이 경우는, 펠릿(320)과 Ag 페이스트(340)와의 쇼트키 접합에는, 순바이어스가 인가된다.9 (b), when the magnetic sensor 300 is installed in the reverse direction, the island terminal 311 serves as a power source terminal and the power source terminal 313 serves as a ground terminal. In this case, a forward bias is applied to the Schottky junction between the pellet 320 and the Ag paste 340.

여기서, 펠릿(320)을 구성하고 있는 반도체(예를 들어, GaAs)는 반절연성(≒초고저항)이므로, 펠릿(320)이 두꺼울 때는 쇼트키 접합에 순바이어스가 인가되어도 전류는 거의 흐르지 않는다. 그러나, 펠릿(320)을 얇게 해 가면, 그 두께의 감소분에 비례하여 저항값이 감소한다. 이로 인해, 펠릿(320)의 박형화에 수반하여, 쇼트키 접합의 순방향으로 전류가 흐르기 쉬워진다. 즉, 아일랜드 단자(311)→아일랜드(315)→Ag 페이스트(340)→펠릿(320)→금속 세선(351)→전원 단자(313)라고 하는 경로로 리크 전류가 흐르기 쉬워진다.Here, since the semiconductor (for example, GaAs) constituting the pellet 320 is semi-insulating (? Ultra high resistance), when the pellet 320 is thick, the current hardly flows even when a forward bias is applied to the Schottky junction. However, if the pellet 320 is thinned, the resistance value decreases in proportion to the reduction of the thickness. As a result, as the pellet 320 is thinned, a current easily flows in the forward direction of the Schottky junction. That is, leakage current easily flows through the path from the island terminal 311 to the island 315 to the Ag paste 340 to the pellet 320 to the metal thin wire 351 to the power source terminal 313.

이상의 고찰에 기초하여, 본 발명자는, 제1, 제2 과제를 해결하는 수단으로서, 아일랜드 단자를 갖는 자기 센서에서는 Ag 페이스트 대신에 절연성 접착층을 사용하는 것을 제안한다.On the basis of the above discussion, the present inventors propose to use an insulating adhesive layer instead of an Ag paste in a magnetic sensor having an island terminal as means for solving the first and second problems.

<자기 센서><Magnetic sensor>

즉, 본 발명의 일 형태에 관한 자기 센서는, 아일랜드 및 그 아일랜드의 주위에 배치된 복수의 리드 단자를 갖는 리드 프레임과, 상기 아일랜드 상에 접착층을 개재하여 설치된 펠릿과, 상기 펠릿이 갖는 복수의 전극부와 상기 복수의 리드 단자를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선을 구비하고, 상기 복수의 리드 단자는, 상기 아일랜드에 전기적으로 접속된 아일랜드 단자를 포함하고, 또한, 상기 접착층은, 상기 아일랜드와 상기 펠릿 사이를 절연하는 절연성 접착층인 것을 특징으로 한다. 여기서, 「펠릿」이란 자기 센서 칩이며, 예를 들어, 홀 소자 또는 홀 IC를 들 수 있다.That is, a magnetic sensor according to an aspect of the present invention includes: a lead frame having an island and a plurality of lead terminals disposed around the island; a pellet provided on the island via an adhesive layer; And a plurality of lead wires electrically connecting the electrode portion and the plurality of lead terminals, respectively, wherein the plurality of lead terminals include island terminals electrically connected to the island, And an insulating adhesive layer for insulating the pellets from each other. Here, the &quot; pellet &quot; is a magnetic sensor chip, for example, a Hall element or a Hall IC.

또한, 상기의 자기 센서에 있어서, 상기 절연성 접착층은, 그 성분으로서 열경화형 수지를 포함하는 것을 특징으로 해도 좋다. In the above magnetic sensor, the insulating adhesive layer may include a thermosetting resin as a component thereof.

또한, 상기의 자기 센서에 있어서, 상기 절연성 접착층은, 그 성분으로서 자외선 경화형 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 해도 좋다.In the magnetic sensor, the insulating adhesive layer may further include an ultraviolet curable resin as a component thereof.

또한, 상기의 자기 센서에 있어서, 상기 절연성 접착층 중의 상기 아일랜드와 상기 펠릿 사이에 개재하는 부분의 두께는, 적어도 2㎛ 이상인 것을 특징으로 해도 좋다.In the magnetic sensor, the thickness of a portion of the insulating adhesive layer interposed between the island and the pellet may be at least 2 탆 or more.

<자기 센서의 제조 방법>&Lt; Manufacturing method of magnetic sensor >

본 발명의 다른 양태에 관한 자기 센서의 제조 방법은, 아일랜드 및 그 아일랜드의 주위에 배치된 복수의 리드 단자를 갖는 리드 프레임의, 상기 아일랜드 상에 접착층을 개재하여 펠릿을 설치하는 공정과, 상기 펠릿이 갖는 복수의 전극부와 상기 복수의 리드 단자를 복수의 도선으로 각각 전기적으로 접속하는 공정을 구비하고, 상기 복수의 리드 단자는 상기 아일랜드에 전기적으로 접속된 아일랜드 단자를 포함하고, 또한, 상기 펠릿을 설치하는 공정에서는, 상기 접착층으로서 절연성 접착층을 이용함으로써, 상기 아일랜드와 상기 펠릿 사이를 절연하는 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of a magnetic sensor according to another aspect of the present invention includes the steps of providing a pellet on an island and a lead frame having a plurality of lead terminals disposed around the island via an adhesive layer on the island, And electrically connecting the plurality of lead terminals to a plurality of leads respectively, wherein the plurality of lead terminals include island terminals electrically connected to the island, and the pellet The insulating layer is insulated from the island and the pellet by using an insulating adhesive layer as the adhesive layer.

또한, 상기의 자기 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 자기 센서를 설치하는 공정 전에, 상기 펠릿이 복수 만들어 넣어진 기판의, 상기 각 전극부를 갖는 면의 반대측의 면에 다이 어태치 필름을 부착하는 공정과, 상기 다이 어태치 필름이 부착된 상기 기판을 다이싱하여, 그 기판에 만들어 넣어진 복수의 상기 펠릿을 개편화하는 공정과, 개편화된 상기 펠릿을 상기 다이 어태치 필름으로부터 분리하는 공정을 더 구비하고, 상기 펠릿을 상기 다이 어태치 필름으로부터 분리하는 공정에서는, 그 다이 어태치 필름의 기재로부터 절연성의 점착층을 상기 펠릿과 함께 박리하고, 상기 자기 센서를 설치하는 공정에서는, 상기 절연성 접착층으로서, 상기 기재로부터 박리한 상기 점착층을 사용하는 것을 특징으로 해도 좋다.Further, in the above-described method of manufacturing a magnetic sensor, before the step of installing the magnetic sensor, a step of attaching a die attach film to a surface of a substrate on which a plurality of pellets are formed, Dicing the substrate to which the die attach film is attached to separate a plurality of the pellets made in the substrate into pieces, and separating the separated pellets from the die attach film Wherein in the step of separating the pellet from the die attach film, an insulating adhesive layer is peeled from the substrate of the die attach film together with the pellet, and in the step of mounting the magnetic sensor, , The adhesive layer peeled from the substrate may be used.

본 발명의 일 형태에 따르면, 아일랜드와 펠릿 사이는 절연성 접착층에 의해 절연되므로, 아일랜드(금속)와 펠릿(반도체) 사이에서 쇼트키 접합이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 이 쇼트키 접합의 순방향(즉, 금속으로부터 반도체를 향하는 방향)으로 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 박형화된 펠릿에 있어서 전류를 역방향으로 흐르게 한 경우라도, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있다.According to an aspect of the present invention, since the island-like pellet is insulated by the insulating adhesive layer, it is possible to prevent the Schottky junction from being formed between the island (metal) and the pellet (semiconductor) That is, a direction from the metal toward the semiconductor). This makes it possible to prevent the leakage current from increasing even when the current flows in the reverse direction in the thinned pellet.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 자기 센서(100)의 구성예를 도시하는 도면.
도 2는 자기 센서(100)의 제조 방법을 도시하는 공정순으로 도시하는 도면.
도 3은 제1 실시 형태의 효과를 설명하기 위한 도면.
도 4는 입력 전압 Vin에 대한 오프셋 전압 Vu의 편차 저감의 효과를 모식적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 자기 센서(200)의 구성예를 도시하는 도면.
도 6은 제2 실시 형태에 관한 자기 센서(200)의 제조 방법을 도시하는 도면.
도 7은 절연성 접착층으로서, 절연 페이스트(30)를 사용하는 경우와, 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)을 사용하는 경우를 비교한 도면.
도 8은 과제를 설명하기 위한 도면.
도 9는 과제가 생기는 원인에 대해서 고찰한 도면.
1 is a diagram showing a configuration example of a magnetic sensor 100 according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a drawing showing the manufacturing method of the magnetic sensor 100 in the order of the process. Fig.
Fig. 3 is a view for explaining the effect of the first embodiment; Fig.
4 schematically shows the effect of reducing the deviation of the offset voltage Vu with respect to the input voltage Vin.
5 is a diagram showing a configuration example of the magnetic sensor 200 according to the second embodiment of the present invention.
6 is a view showing a manufacturing method of the magnetic sensor 200 according to the second embodiment.
Fig. 7 is a diagram comparing the case of using the insulating paste 30 as the insulating adhesive layer and the case of using the adhesive layer 130 of the die attach film 150. Fig.
8 is a view for explaining a problem.
Fig. 9 is a view for explaining the cause of the problem. Fig.

이하, 본 발명에 의한 실시 형태를, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 각 도면에 있어서, 동일한 구성을 갖는 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 그 반복 설명은 생략하는 경우도 있다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof may be omitted.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

(구성)(Configuration)

도 1의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 자기 센서(100)의 구성예를 도시하는 단면도와 평면도 및 외관도이다. 도 1의 (a)는, 도 1의 (b)를 파선 A-A'로 절단한 단면을 도시하고 있다. 또한, 도 1의 (b)에서는, 도면의 복잡화를 회피하기 위해, 몰드 수지를 생략해서 도시하고 있다.1 (a) to 1 (c) are a cross-sectional view, a plan view, and an external view showing a configuration example of the magnetic sensor 100 according to the first embodiment of the present invention. Fig. 1 (a) shows a cross section taken along the broken line A-A 'in Fig. 1 (b). In Fig. 1 (b), mold resin is omitted for avoiding the complication of the drawing.

도 1의 (a) 내지 (c)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(100)는 리드 프레임(10)과, 펠릿(즉, 자기 센서 칩)(20)과, 절연 페이스트(30)와, 복수의 금속 세선(41 내지 44)과, 몰드 수지(50)를 구비한다.1A to 1C, the magnetic sensor 100 includes a lead frame 10, a pellet (i.e., a magnetic sensor chip) 20, an insulating paste 30, Metal thin wires 41 to 44 and a mold resin 50. [

리드 프레임(10)은 펠릿(20)을 적재하기 위한 아일랜드(11)와, 외부와의 전기적 접속을 얻기 위한 복수의 리드 단자(12 내지 15)를 갖는다. 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 리드 단자(12 내지 15)는 아일랜드(11)의 주위[예를 들어, 자기 센서(100)의 네 구석 근방]로 배치되어 있다. 또한, 리드 단자(12)는 아일랜드(11)와 일체로 되어 있고, 아일랜드(11)와 전기적으로 접속되어 있다. 이하, 이 리드 단자(12)를 아일랜드 단자라고 한다.The lead frame 10 has an island 11 for loading the pellet 20 and a plurality of lead terminals 12 to 15 for obtaining an electrical connection with the outside. The lead terminals 12 to 15 are arranged around the periphery of the island 11 (for example, in the vicinity of the four corners of the magnetic sensor 100) as shown in Fig. 1 (b). The lead terminal 12 is integrated with the island 11 and is electrically connected to the island 11. Hereinafter, this lead terminal 12 is referred to as an island terminal.

본 실시 형태에 있어서, 리드 단자로서는, 아일랜드 단자(12)와, 아일랜드(11)를 사이에 두고, 아일랜드 단자와 대향하는 제1 리드 단자(14)와, 제2 리드 단자(15)와, 아일랜드(11)를 사이에 두고, 제2 리드 단자(15)와 대향하는 제3 리드 단자(13)를 구비하는 형태가 바람직하다.In this embodiment, the lead terminal is provided with an island terminal 12, a first lead terminal 14, a second lead terminal 15, and an island And a third lead terminal 13 opposed to the second lead terminal 15 with the first lead terminal 11 interposed therebetween.

리드 프레임(10)은, 예를 들어 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진다. 또한, 리드 프레임(10)은, 그 면측 또는 이면의 일부가 에칭(즉, 하프 에칭)되어 있어도 좋다.The lead frame 10 is made of a metal such as copper (Cu), for example. The lead frame 10 may be etched (i.e., half-etched) on its side or a part of its backside.

펠릿(20)은, 예를 들어 홀 소자이고, 리드 프레임(10)의 아일랜드(11) 상에 절연 페이스트(30)를 통해서 설치되어 있다. 펠릿(20)은, 예를 들어 반절연성의 갈륨 비소(GaAs) 기판(21)과, 이 GaAs 기판(21) 상에 형성된 반도체 박막으로 이루어지는 활성층(즉, 수감부)(22)과, 활성층(22)에 전기적으로 접속하는 전극(23a 내지 23d)을 갖는다. 활성층(22)은, 예를 들어 평면에서 보아 십자(크로스)형이며, 크로스의 4개의 선단부 상에 각각 전극(23a 내지 23d)이 설치되어 있다. 평면에서 보아 마주 보는 한 쌍의 전극(23a, 23c)이 홀 소자에 전류를 흐르게 하기 위한 입력 단자이며, 전극(23a, 23c)을 연결하는 선과 평면에서 보아 직교하는 방향으로 마주 보는 다른 한 쌍의 전극(23b, 23d)이 홀 소자로부터 전압을 출력하기 위한 출력 단자이다. 펠릿(20)의 두께는, 예를 들어 0.12㎜ 이하이다.The pellet 20 is, for example, a Hall element, and is installed on the island 11 of the lead frame 10 through an insulating paste 30. [ The pellet 20 includes a semi-insulating gallium arsenide (GaAs) substrate 21, an active layer (i.e., a receiving portion) 22 formed of a semiconductor thin film formed on the GaAs substrate 21, And electrodes 23a to 23d electrically connected to the electrodes 23a to 23d. The active layer 22 is of, for example, a cross shape in plan view, and electrodes 23a to 23d are provided on the four tip ends of the cross, respectively. A pair of electrodes 23a and 23c facing each other in a plan view is an input terminal for allowing a current to flow in the Hall element, and another pair of electrodes 23a and 23c facing each other in a direction perpendicular to the plane And the electrodes 23b and 23d are output terminals for outputting a voltage from the Hall element. The thickness of the pellet 20 is, for example, 0.12 mm or less.

절연 페이스트(30)는, 그 성분으로서 예를 들어, 에폭시계의 열경화형 수지와, 필러로서 실리카(SiO2)를 포함한다. 제1 실시 형태에서는, 이 절연 페이스트(30)에 의해서, 아일랜드(11)의 표면에 펠릿(20)의 이면[즉, 활성층(22)을 갖는 면의 반대측의 면]이 접착되어 고정되어 있다. 또한, 이 절연 페이스트(30)에 의해, 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이가 절연되어 있다. 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이에 있어서의 절연 페이스트(30)의 두께는 필러 사이즈로 정해지고, 예를 들어 5㎛ 이상이다.The insulating paste (30) comprises silica (SiO 2), for example, a thermosetting resin and a filler of epoxy as its ingredient. The back surface of the pellet 20 (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22) is adhered and fixed to the surface of the island 11 by the insulating paste 30 in the first embodiment. The pellet 20 and the island 11 are insulated from each other by the insulating paste 30. The thickness of the insulating paste 30 between the pellet 20 and the island 11 is determined by the filler size and is, for example, 5 占 퐉 or more.

금속 세선(41 내지 44)은 펠릿(20)이 갖는 전극(23a 내지 23d)과, 아일랜드 단자(12) 또는 리드 단자(13 내지 15)를 각각 전기적으로 접속하는 도선이며, 예를 들어 금(Au)으로 이루어진다. 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 금속 세선(41)은 아일랜드 단자(12)와 전극(23a)을 접속하고, 금속 세선(42)은 리드 단자(13)와 전극(23b)을 접속하고 있다. 또한, 금속 세선(43)은 리드 단자(14)와 전극(23c)을 접속하고, 금속 세선(44)은 리드 단자(15)와 전극(23d)을 접속하고 있다.The metal thin wires 41 to 44 are conductors for electrically connecting the electrodes 23a to 23d of the pellet 20 to the island terminal 12 or the lead terminals 13 to 15, ). The metal thin wire 41 connects the island terminal 12 and the electrode 23a and the thin metal wire 42 connects the lead terminal 13 and the electrode 23b . The metal thin wire 43 connects the lead terminal 14 and the electrode 23c and the thin metal wire 44 connects the lead terminal 15 and the electrode 23d.

몰드 수지(50)는 펠릿(20)과 금속 세선(41 내지 44) 및 리드 프레임(10)의 적어도 표면측을 덮어서 보호하고 있다. 몰드 수지(50)는, 예를 들어 에폭시계의 열경화형 수지로 이루어져, 리플로우시의 고열에 견딜 수 있게 되어 있다.The mold resin 50 covers and protects at least the surface side of the pellet 20, the thin metal wires 41 to 44 and the lead frame 10. The mold resin 50 is made of, for example, an epoxy thermosetting resin, and is capable of withstanding the high temperature during reflow.

(동작)(action)

상기의 자기 센서(100)를 사용해서 자기(자계)를 검출하는 경우는, 리드 단자(14)를 정전위(+)에 접속하는 동시에, 아일랜드 단자(12)를 접지 전위(GND)에 접속하여, 리드 단자(14)로부터 아일랜드 단자(12)에 전류를 흐르게 한다. 그리고, 리드 단자(13, 15) 사이의 전위차 V1-V2(=홀 출력 전압 VH)를 측정한다. 홀 출력 전압 VH의 크기로부터 자계의 크기를 검출하고, 홀 출력 전압 VH의 정부(正負)로부터 자계의 방향을 검출한다.When magnetic (magnetic field) is detected using the magnetic sensor 100, the lead terminal 14 is connected to the positive potential (+) and the island terminal 12 is connected to the ground potential GND , And current flows from the lead terminal (14) to the island terminal (12). Then, the potential difference V1-V2 (= Hall output voltage VH) between the lead terminals 13 and 15 is measured. The magnitude of the magnetic field is detected from the magnitude of the Hall output voltage VH and the direction of the magnetic field is detected from the positive and negative of the Hall output voltage VH.

(제조 방법)(Manufacturing method)

도 2의 (a) 내지 (e)는, 자기 센서(100)의 제조 방법을 도시하는 공정순으로 도시하는 평면도이다. 또한, 도 2의 (a) 내지 (e)에 있어서, 다이싱의 블레이드 폭(즉, 절단 폭)의 도시는 생략하고 있다. 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 우선, 리드 프레임 기판(110)을 준비한다. 이 리드 프레임 기판(110)은, 도 1의 (b)에 도시한 리드 프레임(10)이 평면에서 보아 종방향 및 횡방향으로 복수 연결되어 있는 기판이다.2 (a) to 2 (e) are plan views showing the manufacturing method of the magnetic sensor 100 in the order of the process. 2 (a) to 2 (e), the illustration of the blade width (i.e., cutting width) of the dicing is omitted. As shown in Fig. 2A, first, a lead frame substrate 110 is prepared. This lead frame substrate 110 is a substrate in which a plurality of lead frames 10 shown in Fig. 1B are connected in the longitudinal direction and in the transverse direction as seen from the plane.

다음에, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 리드 프레임 기판(110)의 각 아일랜드(11) 상에 절연 페이스트(30)를 도포한다. 여기서는, 완성 후의 자기 센서(100)에 있어서, 아일랜드(11)와 펠릿(20) 사이에 간극이 생기거나, 아일랜드(11)와 펠릿(20)이 접촉하거나 하는 일이 없도록, 절연 페이스트(30)의 도포 조건(예를 들어, 도포하는 범위, 도포하는 두께 등)을 조정한다. Next, as shown in Fig. 2 (b), an insulating paste 30 is applied onto each island 11 of the lead frame substrate 110. Next, as shown in Fig. The insulating paste 30 is applied to the magnetic sensor 100 after the completion so that there is no gap between the island 11 and the pellet 20 or contact between the island 11 and the pellet 20. [ (For example, a range to be coated, a thickness to be applied, etc.) of the substrate.

다음에, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 절연 페이스트(30)가 도포된 아일랜드(11) 상에 펠릿(20)을 배치한다(즉, 다이 본딩을 행함). 그리고, 본딩 후에 열처리(즉, 경화)를 행하여, 절연 페이스트(30)를 경화시킨다.Next, as shown in Fig. 2 (c), the pellet 20 is placed on the island 11 coated with the insulating paste 30 (i.e., die bonding is performed). Then, after the bonding, heat treatment (i.e., hardening) is performed to harden the insulating paste 30.

다음에, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이, 금속 세선(41 내지 44)의 일단부를 아일랜드 단자(12) 또는 리드 단자(13 내지 15)에 각각 접속하고, 금속 세선(41 내지 44)의 타단부를 전극(23a 내지 23d)에 각각 접속한다(즉, 와이어 본딩을 행함).Next, as shown in Fig. 2 (d), one ends of the metal thin wires 41 to 44 are connected to the island terminal 12 or the lead terminals 13 to 15, respectively, To the electrodes 23a to 23d, respectively (i.e., wire bonding is performed).

그리고, 도 2의 (e)에 도시하는 바와 같이, 펠릿(20)과 금속 세선(41 내지 44) 및 리드 프레임(10)의 적어도 표면측을 몰드 수지(50)로 덮어서 보호한다(즉, 수지 밀봉을 행함). 수지 밀봉 후에는, 몰드 수지(50)의 표면에 예를 들어 부호 등(도시하지 않음)을 마킹한다. 그리고, 예를 들어 2점 쇄선을 따라서, 리드 프레임 기판(110)에 대해서 블레이드를 상대적으로 이동시켜, 몰드 수지(50) 및 리드 프레임 기판(110)을 절단한다(즉, 다이싱을 행함). 이상의 공정을 거쳐서, 도 1의 (a) 내지 (c)에 도시한 자기 센서(100)가 완성된다.2 (e), at least the surface side of the pellet 20, the thin metal wires 41 to 44 and the lead frame 10 is covered with the mold resin 50 to be protected (that is, the resin Sealing is performed). After resin sealing, the surface of the mold resin 50 is marked with, for example, a mark (not shown). Then, the mold resin 50 and the lead frame substrate 110 are cut (that is, dicing is performed) by relatively moving the blade with respect to the lead frame substrate 110 along the two-dot chain line, for example. Through the above-described steps, the magnetic sensor 100 shown in Figs. 1 (a) to 1 (c) is completed.

이 제1 실시 형태에서는, 절연 페이스트(30)가 본 발명의 「절연성 접착층」에 대응하고, 금속 세선(41 내지 44)이 본 발명의 「복수의 도선」에 대응하고 있다.In this first embodiment, the insulating paste 30 corresponds to the "insulating adhesive layer" of the present invention, and the metal thin lines 41 to 44 correspond to the "plurality of conductors" of the present invention.

(제1 실시 형태의 효과)(Effects of First Embodiment)

본 발명의 제1 실시 형태는, 이하의 효과를 발휘한다.The first embodiment of the present invention exhibits the following effects.

(1) 아일랜드(11)와 펠릿(20) 사이는 절연성 접착층[예를 들어, 절연 페이스트(30)]으로 절연된다. 이에 의해, 아일랜드(11)(금속)와 펠릿(20)(반도체) 사이에서 쇼트키 접합이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 이 쇼트키 접합의 순방향(즉, 금속으로부터 반도체를 향하는 방향)으로 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이, 전류를 본래와는 역방향[즉, 아일랜드 단자(12)→금속 세선(41)→전극(23a)→활성층(22)→전극(23c)→금속 세선(43)→리드 단자(14)의 방향]으로 흐르게 한 경우라도, 아일랜드(11)로부터 펠릿(20)에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해, 박형화된 자기 센서(100)를 역방향으로 설치하여, 전류를 역방향으로 흐르게 한 경우라도, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있다.(1) The island 11 and the pellet 20 are insulated with an insulating adhesive layer (for example, an insulating paste 30). This can prevent the Schottky junction from being formed between the island 11 (metal) and the pellet 20 (semiconductor) and prevent the formation of a Schottky junction in the forward direction (i.e., the direction from the metal toward the semiconductor) Can be prevented from flowing. For example, as shown in FIG. 3, the current flows in a reverse direction (that is, the island terminal 12 → the metal thin wire 41 → the electrode 23a → the active layer 22 → the electrode 23c → the metal thin wire 43 to the direction of the lead terminal 14), it is possible to prevent a current from flowing from the island 11 to the pellet 20. Thus, even when the thinned magnetic sensor 100 is installed in the reverse direction and the current flows in the reverse direction, it is possible to prevent the leakage current from increasing.

즉, 본 실시 형태의 자기 센서를 프린트 기판에 실장하여 자기 센서 장치로 하는 경우에, 1) 프린트 기판의 그라운드 단자를 자기 센서의 아일랜드 단자에 접속하고, 프린트 기판의 전원 단자를 자기 센서의 제1 리드 단자에 접속하는 형태, 2) 프린트 기판의 그라운드 단자를 자기 센서의 제1 리드 단자에 접속하고, 프린트 기판의 전원 단자를 자기 센서의 아일랜드 단자에 접속한 형태 중 어느 하나라도, 리크 전류의 증대를 억제할 수 있다.That is, in the case where the magnetic sensor of the present embodiment is mounted on a printed circuit board to form a magnetic sensor device, 1) the ground terminal of the printed board is connected to the island terminal of the magnetic sensor, And 2) a configuration in which the ground terminal of the printed board is connected to the first lead terminal of the magnetic sensor and the power terminal of the printed board is connected to the island terminal of the magnetic sensor, Can be suppressed.

자기 센서의 소형, 박형화가 진행되면, 자기 센서를 배선 기판 또는 소킷 등에 설치할 때에, 평면에서 보아 자기 센서의 방향을 잘못 볼 가능성이 높아지지만, 그 경우라도, 본 실시 형태에 따르면, 리크 전류의 증대라고 하는 문제도 없어, 사용할 수 있는 것이다.As the size and thickness of the magnetic sensor progresses, there is a high possibility that the direction of the magnetic sensor is mistakenly viewed in a plan view when the magnetic sensor is mounted on a wiring board or a socket. However, according to this embodiment, There is no problem called, and it can be used.

도 4는, 입력 전압 Vin에 대한 오프셋 전압 Vu의 편차 저감의 효과를 모식적으로 도시한 도면이다. 도 4의 횡축은 자기 센서에 대한 입력 전압 Vin을 나타내고, 종축은 자기 센서의 오프셋 전압 Vu를 나타낸다. 입력 전압 Vin은, 자기 센서의 입력 단자 사이의 전위차이다. Vin의 플러스(+)는 자기 센서의 제1 리드 단자로부터 아일랜드 단자에 전류를 흐르게 하는 방향으로 전압을 인가한 경우이며, 마이너스(-)는 본래와는 역방향으로 전류를 흐르게 하는 방향으로 전압을 인가한 경우이다. 또한, 오프셋 전압 Vu는, 자기가 없는 환경 하에서의 출력 단자 사이의 전위차이다. 오프셋 전압 Vu는, 입력 전압 Vin의 크기에 상관없이 제로(0)가 되는 것이 이상적이다.4 is a diagram schematically showing the effect of reducing the deviation of the offset voltage Vu with respect to the input voltage Vin. 4, the abscissa axis represents the input voltage Vin for the magnetic sensor, and the ordinate axis represents the offset voltage Vu of the magnetic sensor. The input voltage Vin is a potential difference between input terminals of the magnetic sensor. The plus (+) of Vin is when a voltage is applied in a direction to make current flow from the first lead terminal of the magnetic sensor to the island terminal, and the negative (-) is a voltage in the direction of flowing current in a direction opposite to the original It is one case. The offset voltage Vu is a potential difference between the output terminals under an environment where there is no magnetism. It is ideal that the offset voltage Vu is zero (0) regardless of the magnitude of the input voltage Vin.

펠릿의 설치에 Ag 페이스트를 사용한 구조에서는, 입력 전압이 마이너스(-)인 경우, 쇼트키 접합에 대해서 순바이어스가 되고 아일랜드로부터 펠릿에 전류가 흐른다. 펠릿을 박형화하면 쇼트키 접합의 순방향으로 흐르는 전류가 커지므로, 도 4의 파선으로 나타내는 바와 같이 오프셋 전압 Vu의 편차가 커진다. 이에 대해, 본 발명의 제1 실시 형태에서 설명한 구조(즉, 펠릿의 설치에 절연성 접착층을 사용한 구조)에서는, 아일랜드와 펠릿 사이는 절연되어 있으므로, 펠릿을 박형화해도 아일랜드와 펠릿 사이에서 전류는 흐르지 않는다. 이로 인해, 박형화된 자기 센서에 있어서 입력 전압을 마이너스(-)로 한 경우라도, 도 4의 실선으로 나타내는 바와 같이, 오프셋 전압 Vu의 편차는 작다. 이와 같이, 절연성 접착층을 사용한 구조는 Ag 페이스트를 사용한 구조와 비교하여, 입력 전압이 마이너스(-)일 때의 오프셋 전압의 편차를 저감할 수 있다.In the structure using the Ag paste for the pellet installation, when the input voltage is negative (-), a forward bias is applied to the Schottky junction and a current flows from the island to the pellet. When the pellet is thinned, the current flowing in the forward direction of the Schottky junction becomes large, and the deviation of the offset voltage Vu becomes large as indicated by the broken line in Fig. On the contrary, in the structure described in the first embodiment of the present invention (that is, in the structure using the insulating adhesive layer for the pellets), since the island is insulated from the pellet, even if the pellet is made thin, no current flows between the island and the pellet . Therefore, even when the input voltage is negative (-) in the thinned magnetic sensor, the deviation of the offset voltage Vu is small as shown by the solid line in Fig. As described above, the structure using the insulating adhesive layer can reduce the deviation of the offset voltage when the input voltage is negative (-) as compared with the structure using the Ag paste.

(2) 또한, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있으므로, 펠릿(20)의 새로운 박형화를 진전시킬 수 있다. 이로 인해, 자기 센서(100)의 새로운 소형, 박형화에 기여할 수 있다.(2) Further, it is possible to prevent the increase of the leak current, and the new thinning of the pellet 20 can be promoted. This contributes to a new compactness and thinness of the magnetic sensor 100.

(3) 또한, 리크 전류의 증대를 방지할 수 있으므로, 소비 전력의 증대를 억제할 수 있다.(3) Since the increase of the leakage current can be prevented, the increase of the power consumption can be suppressed.

(4) 또한, 절연성 접착층은, 그 성분으로서 예를 들어 에폭시계의 열경화형 수지를 포함한다. 이로 인해, 다이 본딩 후에 경화를 행함으로써, 펠릿(20)을 아일랜드(11) 상에 용이하게 고정할 수 있다.(4) The insulating adhesive layer includes, for example, an epoxy thermosetting resin as a component thereof. Thus, by performing the hardening after the die bonding, the pellet 20 can be easily fixed on the island 11.

(5) 또한, 절연성 접착층 중의 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이에 개재하는 부분의 두께는, 적어도 2㎛ 이상 확보되어 있는 것이 바람직하다. 본 발명자의 지식에 따르면, 상기 두께가 적어도 2㎛ 이상이면, 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이의 절연의 신뢰성을 높여, 쇼트키 접합이 형성되는 것을 방지할 수 있다.(5) It is preferable that the thickness of the portion of the insulating adhesive layer interposed between the pellet 20 and the island 11 is at least 2 탆 or more. According to the knowledge of the present inventor, when the thickness is at least 2 mu m or more, the reliability of the insulation between the pellet 20 and the island 11 is increased, and the formation of the Schottky junction can be prevented.

(변형예)(Modified example)

상기의 제1 실시 형태에 있어서, 펠릿(20)은 홀 소자가 아니라, 홀 IC이어도 좋다. 이와 같은 구성이어도, 제1 실시 형태의 효과 (1) 내지 (5)를 발휘한다.In the first embodiment, the pellet 20 may be a Hall IC, not a Hall element. Even in this configuration, the effects (1) to (5) of the first embodiment are exhibited.

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

상기의 제1 실시 형태에서는, 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이를 절연하는 절연성 접착층으로서, 절연 페이스트(30)를 사용하는 경우에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명에 있어서, 절연성 접착층은 절연성과 접착성을 구비하는 것이면 좋고, 절연 페이스트(30)에 한정되는 것은 아니다. 절연성 접착층으로서, 시트 형상의 형태로서, 예를 들어 다이 어태치 필름(즉, 다이싱ㆍ다이 본딩 일체형 필름)의 점착층을 이용해도 좋다. 제2 실시 형태에서는, 이 점에 대해서 설명한다.In the first embodiment described above, the case where the insulating paste 30 is used as the insulating adhesive layer for insulating the pellet 20 from the island 11 has been described. However, in the present invention, the insulating adhesive layer is not limited to the insulating paste 30, as far as it has insulation and adhesion. As the insulating adhesive layer, for example, a pressure-sensitive adhesive layer of a die attach film (i.e., a dicing / die bonding integrated film) may be used as a sheet-like form. This point will be described in the second embodiment.

(구성)(Configuration)

도 5의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 자기 센서(200)의 구성예를 도시하는 단면도와 평면도 및 외관도이다. 도 5의 (a)는, 도 5의 (b)를 파선 B-B'로 절단한 단면을 도시하고 있다. 또한, 도 5의 (b)에서는, 도면의 복잡화를 회피하기 위해, 몰드 수지(50)를 생략해서 도시하고 있다.5A to 5C are a cross-sectional view, a plan view, and an external view, respectively, showing a configuration example of the magnetic sensor 200 according to the second embodiment of the present invention. Fig. 5 (a) shows a cross section taken along a broken line B-B 'in Fig. 5 (b). 5 (b), the mold resin 50 is omitted in order to avoid complication of the drawing.

도 5의 (a) 내지 (c)에 도시하는 바와 같이, 자기 센서(200)는 리드 프레임(10)과, 펠릿(20)과, 절연성의 점착층(130)과, 복수의 금속 세선(41 내지 44)과, 몰드 수지(50)를 구비한다.5A to 5C, the magnetic sensor 200 includes a lead frame 10, a pellet 20, an insulating adhesive layer 130, and a plurality of thin metal wires 41 To 44), and a mold resin (50).

점착층(130)은, 예를 들어, 그 성분으로서, 에폭시계의 열경화형 수지와, 자외선(UV) 경화형 수지와, 바인더 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The adhesive layer 130 preferably includes, for example, an epoxy thermosetting resin, an ultraviolet (UV) setting resin, and a binder resin.

제2 실시 형태에서는, 이 점착층(130)에 의해서, 아일랜드(11)의 표면에 펠릿(20)의 이면[즉, 활성층(22)을 갖는 면의 반대측의 면]이 접착되어 고정되어 있다. 또한, 이 점착층(130)에 의해서, 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이가 절연되어 있다. 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이에 있어서의 점착층(130)의 두께는, 예를 들어 2㎛ 이상 30㎛인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 10㎛ 이상 20㎛ 이하이다.The back surface of the pellet 20 (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22) is adhered and fixed to the surface of the island 11 by the adhesive layer 130 in the second embodiment. The pellet 20 and the island 11 are insulated by the adhesive layer 130. The thickness of the adhesive layer 130 between the pellet 20 and the island 11 is preferably 2 m or more and 30 m, for example. More preferably, it is 10 mu m or more and 20 mu m or less.

또한, 자기 센서(200)의, 점착층(130) 이외의 구성은, 예를 들어 제1 실시 형태에서 설명한 자기 센서(100)와 동일하다. 또한, 자기 센서(200)의 동작도, 자기 센서(100)와 동일하다.The configuration of the magnetic sensor 200 other than the adhesive layer 130 is the same as that of the magnetic sensor 100 described in the first embodiment, for example. The operation of the magnetic sensor 200 is also the same as that of the magnetic sensor 100. [

(제조 방법)(Manufacturing method)

도 6의 (a) 내지 (e)는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 자기 센서(200)의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도이다.6 (a) to 6 (e) are cross-sectional views showing the manufacturing method of the magnetic sensor 200 according to the second embodiment of the present invention in the order of the process.

도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 우선, 다이 어태치 필름(150)을 준비한다. 다이 어태치 필름(150)은 필름 기재(140)와, 필름 기재(140)의 한쪽 면 상에 배치된 절연성의 점착층(130)을 갖는다. 이 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)에, 복수의 펠릿(20)이 만들어 넣어진 반도체 웨이퍼(160)의 이면[즉, 활성층(22)을 갖는 면의 반대측의 면]을 접촉시켜 접착한다(즉, 웨이퍼 마운트를 행함).As shown in Fig. 6 (a), first, a die attach film 150 is prepared. The die attach film 150 has a film substrate 140 and an insulating adhesive layer 130 disposed on one side of the film substrate 140. The back surface of the semiconductor wafer 160 on which the plurality of pellets 20 are formed (that is, the surface opposite to the surface having the active layer 22) is brought into contact with the adhesive layer 130 of the die attach film 150 (I.e., wafer mounting is performed).

또한, 이 제2 실시 형태에서는, 후술하는 도 6의 (b)의 공정에서는 점착층(130)에 의한 펠릿(20)과 필름 기재(140)와의 접착을 유지하면서, 도 6의 (c)의 공정에서는 점착층(130)이 필름 기재(140)로부터 벗겨지기 쉽게 하기 위해, 점착층(130)의 점착력을 조정하는 처리를 행해도 좋다. 이 점착력을 조정하는 처리는, 웨이퍼 마운트를 행하는 타이밍 또는 그 전후의 타이밍에서 행한다. 예를 들어, 웨이퍼 마운트를 행할 때에, 다이 어태치 필름(150)을 스테이지를 통해서 가열하여, 점착층(130)의 성분의 하나인 바인더 수지 성분의 점착력을 높여 반도체 웨이퍼(160)와 점착층(130)을 보다 강하게 점착하는 방향으로 조정해도 좋다. 또한, 웨이퍼 마운트를 행한 후에, 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)을 갖는 면의 반대측으로부터, 그 다이 어태치 필름(150)을 향해서 UV를 조사하여, 점착층(130)의 성분의 하나인 UV 경화형 수지 성분을 경화시켜, 단단해짐으로써 다이싱이 용이해지는 방향으로, 또 다이 본드시에 필름 기재(140)와 점착층(130)과의 점착력을 작게 하는 방향으로 조정해도 좋다. 상기와 같이, 스테이지를 통한 가열 또는 UV 조사 중 적어도 한쪽을 행함으로써, 점착층(130)의 점착력을 높이거나, 다소 경화시켜, 그 점착력을 작게 하는 방향으로 조정하는 것이 가능하다.6 (b), which will be described later, while the adhesion between the pellet 20 and the film base 140 is maintained by the adhesive layer 130 in the second embodiment, A process of adjusting the adhesive force of the adhesive layer 130 may be performed in order to facilitate the peeling of the adhesive layer 130 from the film base 140. [ The process for adjusting the adhesive force is performed at the timing of wafer mounting or at the timing before and after the wafer mounting. For example, when the wafer is mounted, the die attach film 150 is heated through the stage to increase the adhesive force of the binder resin component, which is one of the components of the adhesive layer 130, 130 may be adjusted in a more strongly adhered direction. UV is irradiated toward the die attach film 150 from the side opposite to the side having the adhesive layer 130 of the die attach film 150 after the wafer mounting, The UV curable resin component of the UV curable resin component may be cured so that the adhesive strength between the film base material 140 and the adhesive layer 130 is reduced in a direction that facilitates dicing by being hardened and at the time of die bonding. As described above, by performing at least one of heating through the stage and UV irradiation, the adhesive force of the adhesive layer 130 can be increased or slightly cured, and the adhesive force can be adjusted in a direction to reduce the adhesive force.

다음에, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 블레이드(170)를 사용해서 반도체 웨이퍼(160)를 다이싱하여, 반도체 웨이퍼(160)에 만들어 넣어진 복수의 펠릿(20)을 개편화한다. 여기서는, 반도체 웨이퍼(160)뿐만 아니라 점착층(130)도 함께 다이싱한다. 6 (b), a plurality of pellets 20 are diced into semiconductor wafers 160 by dicing the semiconductor wafers 160 using the blade 170, for example, . Here, not only the semiconductor wafer 160 but also the adhesive layer 130 are diced together.

다음에, 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이, 바늘 형상의 밀어올림 핀(180)으로 펠릿(20)의 이면을 밀어올리는 동시에, 펠릿(20)의 표면을 콜릿(190)으로 흡착하여 들어 올린다(즉, 픽업함). 또한, 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)은, 상술한 바와 같이, 예를 들어 가열 또는 UV 조사 중 적어도 한쪽을 행함으로써 그 점착력을 작게 하는 방향으로 미리 조정되어 있다. 이로 인해, 펠릿(20)을 픽업하는 공정에서는, 점착층(130)은 펠릿(20)의 이면에 접착한 상태로, 필름 기재(140)로부터 박리한다.6 (c), the back surface of the pellet 20 is pushed up by the needle-shaped push-up pin 180, and the surface of the pellet 20 is sucked by the collet 190 Lifts (i.e. picks up). The adhesive layer 130 of the die attach film 150 is previously adjusted in the direction of reducing the adhesive force by, for example, heating or UV irradiation, as described above. Thus, in the step of picking up the pellet 20, the adhesive layer 130 is peeled off from the film base 140 in a state of being adhered to the back surface of the pellet 20.

다음에, 도 6의 (d)에 도시하는 바와 같이, 펠릿(20)의 이면측을 점착층(130)을 개재하여, 리드 프레임 기판(110)의 아일랜드(11) 상에 설치한다. 여기서는, 미리 설정한 하중에 의해, 펠릿(20)을 아일랜드(11)측으로 압압함으로써, 펠릿(20)을 아일랜드(11)에 접착하여 고정한다. 또한, 이 설치시에, 스테이지(210)를 통해서 리드 프레임(10) 및 점착층(130)을 가열해도 좋다. 하중 외에, 가열을 행함으로써, 펠릿(20)과 아일랜드(11)의 접착력을 향상시킬 수 있는 경우가 있다. 이 설치 후, 열처리(경화)를 실시하고, 에폭시 수지계의 열효과형 수지 성분을 경화시키고, 또한 충분한 접착 강도를 얻는다. 이 이후의 공정은, 제1 실시 형태와 동일하다. 즉, 도 6의 (e)에 도시하는 바와 같이 와이어 본딩을 행하고, 그 후, 수지 밀봉을 행한다. 그리고, 몰드 수지(50) 및 리드 프레임 기판(110)을 다이싱한다. 이와 같은 공정을 거쳐서, 도 5의 (a) 내지 (c)에 도시한 자기 센서(200)가 완성된다.6 (d), the back side of the pellet 20 is placed on the island 11 of the lead frame substrate 110 with the adhesive layer 130 interposed therebetween. Here, the pellet 20 is pushed to the island 11 side by a predetermined load, and the pellet 20 is fixed to the island 11 and fixed. Further, at this time, the lead frame 10 and the adhesive layer 130 may be heated through the stage 210. By heating in addition to the load, the adhesion between the pellet 20 and the island 11 may be improved. After this installation, heat treatment (curing) is carried out to harden the epoxy resin-based thermally effective resin component and obtain sufficient adhesive strength. The subsequent steps are the same as in the first embodiment. That is, wire bonding is performed as shown in FIG. 6 (e), and resin sealing is performed thereafter. Then, the mold resin 50 and the lead frame substrate 110 are diced. Through these processes, the magnetic sensor 200 shown in Figs. 5 (a) to 5 (c) is completed.

이 제2 실시 형태에서는, 반도체 웨이퍼(160)가 본 발명의 「기판」에 대응하고 있다. 또한, 점착층(130)이 본 발명의 「절연성 접착층」에 대응하고, 필름 기재(140)가 본 발명의 「기재」에 대응하고 있다. 그 밖의 대응 관계는 제1 실시 형태와 동일하다.In the second embodiment, the semiconductor wafer 160 corresponds to the "substrate" of the present invention. The adhesive layer 130 corresponds to the "insulating adhesive layer" of the present invention, and the film substrate 140 corresponds to the "substrate" of the present invention. Other correspondence relationships are the same as in the first embodiment.

(제2 실시 형태의 효과)(Effects of the Second Embodiment)

본 발명의 제2 실시 형태는, 제1 실시 형태의 효과 (1) 내지 (5)의 효과 외에, 이하의 효과를 발휘한다.The second embodiment of the present invention exhibits the following effects in addition to the effects (1) to (5) of the first embodiment.

(1) 펠릿(20)과 아일랜드(11) 사이를 접착하고, 또한 절연하는 절연성 접착층으로서, 다이 어태치 필름(150)의 점착층(130)을 사용한다. 이에 의해, 복수의 펠릿(20)의 각각에[또는, 아일랜드(11)의 각각에], 절연 페이스트(30)를 도포할 필요는 없으므로, 공정수의 삭감에 기여할 수 있다.(1) The adhesive layer 130 of the die attach film 150 is used as the insulating adhesive layer for adhering and insulating the pellet 20 and the island 11. Thereby, it is not necessary to apply the insulating paste 30 to each of the plurality of pellets 20 (or each of the islands 11), thereby contributing to a reduction in the number of steps.

(2) 또한, 점착층(130)은, 예를 들어, 그 성분으로서 바인더 수지와, UV 경화형 수지를 포함한다. 이로 인해, 열처리를 행함으로써, 점착층(130)의 점착력을 높여 반도체 웨이퍼(160)와 점착층(130)을 보다 강하게 점착하는 방향으로, 또한, UV 조사를 행함으로써, 다이싱이 용이해지는 방향으로, 그리고 필름 기재(140)와 점착층(130)과의 점착력을 작게 하는 방향으로 조정할 수 있다. 이에 의해, 펠릿(20)을 픽업하는 공정에서는, 펠릿(20)과 함께, 점착층(130)을 필름 기재(140)로부터 용이하게 벗길 수 있다.(2) Further, the adhesive layer 130 includes, for example, a binder resin and a UV curable resin as its components. By performing the heat treatment, the adhesive strength of the adhesive layer 130 is increased, so that the semiconductor wafer 160 and the pressure-sensitive adhesive layer 130 are more strongly adhered to each other and the UV irradiation is performed, And the adhesive force between the film substrate 140 and the adhesive layer 130 can be reduced. Thereby, in the step of picking up the pellet 20, the adhesive layer 130 can be easily peeled off from the film base 140 together with the pellet 20.

(3) 또한, 점착층(130)은 점성이 높으므로, 절연 페이스트(30)를 사용하는 경우에 비해, 펠릿(20)의 측면에 있어서의 기어올라감을 매우 작게 할 수 있다. 이에 의해, 펠릿(20)의 표면에 수지가 부착되는 불량이 발생하는 일은 없으며, 또한 점착층(130)의 두께도 얇아지지 않고 두께를 균일화할 수 있다고 하는 이점이 있다.(3) Since the adhesive layer 130 is highly viscous, the rise of the gear on the side surface of the pellet 20 can be made very small as compared with the case where the insulating paste 30 is used. Thereby, there is no defect that the resin adheres to the surface of the pellet 20, and the thickness of the adhesive layer 130 is not thinned and the thickness can be made uniform.

(4) 또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 점착층(130)을 사용하는 경우는, 그 보관 조건에 대해서, 냉동이 아니라 냉장에서 보관할 수 있다고 하는 이점이 있다. 냉장 보관의 경우는, 절연성 접착층의 해동은 불필요하고, 필요할 때에 즉시 사용할 수 있다고 하는 이점이 있다. 또한, 공정 조건에 대해서도, 도포량의 관리가 불필요하고, 습윤 확산이 적고, 기어올라감이 작고, 두께의 편차가 작은 등의 이점이 있다.(4) As shown in Fig. 7, when the adhesive layer 130 is used, there is an advantage that the storage conditions can be stored in the refrigerator instead of the freezer. In the case of refrigerated storage, defrosting of the insulating adhesive layer is unnecessary, and there is an advantage that it can be used immediately when needed. Further, there is an advantage such as that the control of the application amount is unnecessary, the wet diffusion is small, the gear raising is small, and the variation in the thickness is small even in the process conditions.

(변형예)(Modified example)

제2 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태에서 설명한 변형예를 적용해도 좋다. 즉, 펠릿(20)은 홀 소자가 아니라, 홀 IC이어도 좋다. 이와 같은 구성이어도, 제1 실시 형태의 효과 (1) 내지 (5) 외에, 제2 실시 형태의 효과 (1) 내지 (4)를 발휘한다.Also in the second embodiment, the modification described in the first embodiment may be applied. That is, the pellet 20 may be not a Hall element but a Hall IC. Even in such a configuration, the effects (1) to (4) of the second embodiment are exhibited in addition to the effects (1) to (5) of the first embodiment.

<기타><Others>

본 발명은, 이상으로 기재한 각 실시 형태에 한정될 수 있는 것은 아니다. 당업자의 지식에 기초하여 각 실시 형태에 설계의 변경 등을 추가하는 것이 가능하고, 그와 같은 변경 등을 추가한 양태도 본 발명의 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the embodiments described above. It is possible to add a design change or the like to each embodiment on the basis of knowledge of a person skilled in the art, and an aspect in which such change is added is included in the scope of the present invention.

10 : 리드 프레임
11 : 아일랜드
12 : 아일랜드 단자(아일랜드에 접속된 리드 단자)
13 내지 15 : 리드 단자
20 : 펠릿
21 : GaAs 기판
22 : 활성층
23a 내지 23d : 전극
30 : 절연 페이스트
41 내지 44 : 금속 세선
50 : 몰드 수지
100 : 자기 센서
110 : 리드 프레임 기판
130 : 점착층
140 : 필름 기재
150 : 다이 어태치 필름
160 : 반도체 웨이퍼
170 : 블레이드
180 : 밀어올림 핀
190 : 콜릿
200 : 자기 센서
210 : 스테이지
10: Lead frame
11: Ireland
12: Island terminal (lead terminal connected to island)
13 to 15: lead terminal
20: Pellet
21: GaAs substrate
22:
23a to 23d: electrodes
30: Insulation paste
41 to 44: Metal thin wire
50: Mold resin
100: magnetic sensor
110: lead frame substrate
130: adhesive layer
140: Film substrate
150: die attach film
160: semiconductor wafer
170: blade
180: push pin
190: Collet
200: magnetic sensor
210: stage

Claims (10)

아일랜드 및 상기 아일랜드의 주위에 배치된 복수의 리드 단자를 갖는 리드 프레임과,
상기 아일랜드 상에 접착층을 개재하여 설치된 홀 소자와,
상기 홀 소자가 갖는 복수의 전극부와 상기 복수의 리드 단자를 각각 전기적으로 접속하는 복수의 도선
을 구비하고,
상기 복수의 리드 단자는,
상기 홀 소자가 설치된 상기 아일랜드에 전기적으로 접속된 아일랜드 단자와,
상기 아일랜드를 사이에 두고, 상기 아일랜드 단자와 대향하는 제1 리드 단자
를 포함하고, 또한,
상기 접착층은, 상기 아일랜드와 상기 홀 소자 사이를 절연하는 절연성 접착층이며,
상기 절연성 접착층은 필러를 포함하는 절연 페이스트인 것을 특징으로 하는 자기 센서.
A lead frame having a plurality of lead terminals arranged around the island and the island,
A Hall element provided on the island via an adhesive layer,
A plurality of lead portions electrically connecting the plurality of electrode portions of the hall element to the plurality of lead terminals,
And,
Wherein the plurality of lead terminals
An island terminal electrically connected to the island provided with the Hall element,
And a first lead terminal opposing the island terminal with the island therebetween,
And further,
Wherein the adhesive layer is an insulating adhesive layer for insulating the island and the hole element from each other,
Wherein the insulating adhesive layer is an insulating paste containing a filler.
제1항에 있어서,
상기 절연성 접착층 중의 상기 아일랜드와 상기 홀 소자 사이에 개재되는 부분의 두께는, 적어도 2㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 자기 센서.
The method according to claim 1,
Wherein a thickness of a portion of the insulating adhesive layer interposed between the island and the Hall element is at least 2 mu m or more.
제1항에 있어서,
상기 홀 소자의 두께가, 0.12㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 센서.
The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the Hall element is 0.12 mm or less.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리드 단자는,
제2 리드 단자와,
상기 아일랜드를 사이에 두고, 상기 제2 리드 단자와 대향하는 제3 리드 단자
를 더 구비하는 자기 센서.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the lead terminal
A second lead terminal,
And a third lead terminal facing the second lead terminal with the island interposed therebetween,
And a magnetic sensor.
제4항에 있어서,
상기 아일랜드 단자는, 그라운드에 접속되고,
상기 제1 리드 단자는, 전원에 접속되고,
상기 제2 리드 단자와, 상기 제3 리드 단자는, 출력 단자에 접속되는 자기 센서.
5. The method of claim 4,
The island terminal is connected to the ground,
The first lead terminal is connected to a power source,
The second lead terminal and the third lead terminal are connected to the output terminal.
제4항에 기재된 자기 센서와,
프린트 기판
을 구비하고,
상기 프린트 기판의 그라운드 단자가, 상기 자기 센서의 상기 아일랜드 단자에 접속되고, 상기 프린트 기판의 전원 단자가, 상기 자기 센서의 상기 제1 단자에 접속된 자기 센서 장치.
A magnetic sensor according to claim 4,
Printed board
And,
A ground terminal of the printed board is connected to the island terminal of the magnetic sensor and a power supply terminal of the printed board is connected to the first terminal of the magnetic sensor.
제5항에 기재된 자기 센서와,
프린트 기판
을 구비하고,
상기 프린트 기판의 그라운드 단자가, 상기 자기 센서의 상기 아일랜드 단자에 접속되고, 상기 프린트 기판의 전원 단자가, 상기 자기 센서의 상기 제1 단자에 접속된 자기 센서 장치.
A magnetic sensor according to claim 5,
Printed board
And,
A ground terminal of the printed board is connected to the island terminal of the magnetic sensor and a power supply terminal of the printed board is connected to the first terminal of the magnetic sensor.
제4항에 기재된 자기 센서와,
프린트 기판
을 구비하고,
상기 프린트 기판의 그라운드 단자가, 상기 자기 센서의 상기 제1 단자에 접속되고, 상기 프린트 기판의 전원 단자가, 상기 자기 센서의 상기 아일랜드 단자에 접속된 자기 센서 장치.
A magnetic sensor according to claim 4,
Printed board
And,
Wherein a ground terminal of the printed board is connected to the first terminal of the magnetic sensor and a power supply terminal of the printed board is connected to the island terminal of the magnetic sensor.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연 페이스트는 5㎛ 이상의 필러를 포함하는 자기 센서.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the insulating paste comprises a filler of 5 占 퐉 or more.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연 페이스트는 필러로서 실리카를 포함하는 자기 센서.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the insulating paste comprises silica as a filler.
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